DE1073631B - Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung - Google Patents
Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen HalbleiteranordnungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 97
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 208000031872 Body Remains Diseases 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008753 Papaver somniferum Nutrition 0.000 description 1
- 240000001090 Papaver somniferum Species 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Überwachung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung.
Derartige Halbleiteranordnungen sind beispielsweise elektrisch unsymmetrisch leitende
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Photozellen und Phototransistoren oder Varistoren
oder magnetische, elektrische oder magnetisch und elektrisch gesteuerte Halbleiterwiderstände.
Elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnungen und insbesondere solche derartige Halbleiteranordnungen,
die für große Leistungen bemessen sind, können im Betrieb eine Erhöhung ihrer Temperatur
erfahren, welche aber unterhalb einer für die betreffende Halbleiteranordnung charakteristischen Temperatur
gehalten werden muß, damit keine unerwünschte Veränderung des elektrischen Verhaltens oder keine
Beschädigung der Halbleiteranordnungen eintreten kann.
Zur Temperaturkontrolle wurde schon vorgeschlagen, einen p-n-Gleichrichter oder einen Transistor der
Meßtemperatur auszusetzen und den Sperrstrom des p-n-Überganges bzw. den Sperrstrom des Transistors
als temperaturempfindliche Größe zu messen. Hierbei dienen der p-n-Gleichrichter und der Transistor wie ein
Thermometer als Temperaturfühler. Für viele An-Wendungen haftet daher diesem Verfahren der Nachteil
der schwierigen Herstellung eines ausreichenden Wärmekontaktes an.
Nun erfordert aber besonders die Überwachung von
elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen eine empfindliche und äußerst trägheitsarme
Temperaturmessung, z. B. soll eine Temperaturerhöhung von 1°C oder weniger innerhalb etwa 20 Millisekunden
angezeigt werden. Eine Temperaturkontrolle, welche eine besondere wärmemäßige Kontaktierung
notwendig macht, ist daher für eine Anwendung bei elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen
meist ungeeignet.
Andere Versuche der Temperaturmessung vonTrokkengleichrichtern
mit einer großflächigen p-n-Übergangssperrschicht waren nun darauf gerichtet, den
Sperrstrom des Trockengleichrichters selbst als temperaturempfindliche Größe zu messen. Um die Temperatur
zu ermitteln, die der Trockengleichrichter bei einer betriebsmäßigen Belastung annimmt, müßte man
jedoch besonders leistungsfähige Schaltanordnungen vorsehen, welche den Strom, z. B. einen einphasigen
Wechselstrom, in jeder halben Periode, während der eine Beanspruchung des Trockengleichrichters in
Flußrichtung erfolgt, von dem Meßzweig fernhalten. Schon durch den dafür erforderlichen Aufwand einer
leistungsfähigen und synchron mit der Periode des gleichzurichtenden Wechselstromes arbeitenden Schaltanordnung
kommt diese Art Temperaturmessung für Vorrichtung zur Temperaturüberwachung
einer elektrischen Halbleiteranordnung
Anmelder:
LICENTIA Patent-Verwaltungs - G. m. b.H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
August StumpeyBelecke/Mohne,
ist als Erfinder ,genannt worden
ist als Erfinder ,genannt worden
die Überwachung von Trockengleichrichtern im Betrieb nicht in Frage.
Zur Verringerung des Temperatureinflusses auf das elektrische Verhalten eines zweistufigen Transistor-Gleichstromverstärkers
ist bekannt, als Lastwiderstand der ersten Stufe einen temperaturempfindlichen Widerstand
zu verwenden. Bei einer geeigneten Charakteristik des temperaturempfindlichen Widerstandes kann
nun eine solche Verspannung dem Transistor der zweiten Stufe zugeführt werden, daß der Kollektor-Gleichstrom
dieses Transistors auch dann konstant bleibt, wenn sich die Umgebungstemperatur ändert. Als temperaturempfindliche
Widerstände stehen nichtlineare Elemente, wie Transistoren, Germaniumdioden und Thermistoren, zur Verfügung<
Eine Temperaturkompensation einer Halbleiteranordnung kann jedoch eine Temperaturüberwachung derselben im allgemeinen
nicht ersetzen, insbesondere nämlich dann nicht, wenn die Belastung der Halbleiteranordnung groß ist oder
große Änderungen erfährt.
Nach einer anderen bekannten Anordnung soll· eine Temperaturkompensation eines Transistors erzielt
werden, bei welcher mit dem Transistor ein Heißleiter in Wärmekontakt steht und der Heißleiter in Reihe
mit einem verhältnismäßig großen, temperaturunabhängigen Vorwiderstand an einer konstanten Gleichspannungsquelle
liegt. Mit dieser Schaltmaßnahme soll erreicht werden, daß bei abnehmender Umgebungstemperatur
sich die im Heißleiter erzeugte Heizleistung vergrößert. Eine solche Anordnung ermöglicht
lediglich eine Temperaturkompensation. Sie ist außerdem mit den Schwierigkeiten eines Wärmekontaktes
behaftet.
Manche Halbleiterstoffe weisen nun in Halbleiteranordnungen eine leichte Beemflußbarkeit des Sperrstromes
auf. Dieses Verhalten findet man besonders bei
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elektrisch unsymmetrisch leitenden Anordnungen mit Halbleiterstoffen, wie beispielsweise Silizium, bei
denen der Sperrstrom sehr klein ist und bei denen das Sperrverhalten hauptsächlich durch die Leitfähigkeitsverhältnisse an der Oberfläche des Halbleiterkörpers
bestimmt wird.
Durch die darauf zurückzuführende mangelnde Reproduzierbarkeit der Temperaturabhängigkeit des
Sperrstromes können daher die von der Temperaturabhängigkeit des Sperrstromes ausgehenden Meßverfahren
unter solchen Verhältnissen nicht angewandt werden. Nach der Erfindung gelingt jedoch eine auch
von diesen Schwierigkeiten freie sowie gegenüber den Mangeln der bekannten Anordnungen vorteilhafte
Temperaturüberwachung von elektrischen Halbleiteranordnungen.
Bei einer Vorrichtung zur Überwachung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung ist erfindungsgemäß
an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung unter Bildung einer Sperrschicht eine
zusätzliche Elektrode so angebracht, daß keine Beeinflussung der Halbleiteranordnung durch den Flußstrom
der zusätzlichen Elektrode auftritt und daß der Flußstrom bzw. die Flußspannung zwischen dieser zusätzlichen
Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung dient.
Nach einer weiteren Abänderung dieser Vorrichtung ist erfindungsgemäß an dem Halbleiterkörper der
Halbleiteranordnung mindestens angenähert sperrschichtfrei eine zusätzliche Elektrode so angebracht,
daß keine Beeinflussung der Halbleiteranordnung durch den Strom der zusätzlichen Elektrode auftritt und daß
der Strom bzw. die Spannung zwischen dieser zusatzliehen
Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung dient.
Zur Feststellung der Temperatur kann beispielsweise der Flußstrom bzw. der Strom zwischen der zusätzlichen
Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
oder die Flußspannung bzw. die zwischen diesen Elektroden abfallende Spannung gemessen und daraus die
Temperatur mittels einer Eichkurve bestimmt werden. Zweckmäßig wird der Flußstrom bzw. der Strom
zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindest angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
einer Gleichspannungsquelle entnommen.
Damit können rasch verlaufende Temperaturänderungen sehr genau erfaßt werden. Neben der Verwendung
einer Gleichspannungsquelle kommt auch die Speisung aus einer Wechselspannungsquelle in Betracht,
bei der dann ein integrierend anzeigendes, schreibendes oder messendes Instrument vorgesehen
wird. Die Anwendung einer Wechselspannungsquelle kann beispielsweise zur Ausschaltung von etwaigen
Einflüssen durch Elektroden der Halbleiteranordnung von Vorteil sein.
Zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung durch spannungsempfindliche
Schaltelemente, wie z. B. Thyratrons, wird zweckmäßig in die zusätzliche Elektrode ein konstanter
Strom eingespeist und durch den temperatur abhängigen Spannungsabfall zwischen zusätzlicher Elektrode und
einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung das betreffende spannungsempfindliche
Meßinstrument oder Schaltelement betätigt. Wird die Betätigung eines stromempfindliehen
Schaltelementes vorgesehen, so wird die zusätzliche Elektrode an eine konstante Spannung gelegt und der
temperaturabhängige Strom zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der
Halbleiteranordnung verwendet. Nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Vorrichtung kann vorgesehen
werden, daß der Strom bzw. die Spannung zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens
angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung, gegebenenfalls nach Verstärkung, bei
einer einen vorbestimmten Wert übersteigenden Temperatur der Halbleiteranordnung eine oder mehrere
Schaltvorrichtungen betätigt, durch welche die Speisespannung abgeschaltet oder die Belastung verringert
oder eine Kühlung bzw. stärkere Kühlung eingeschaltet wird.
Um die Empfindlichkeit der vorliegenden Vorrichtung möglichst groß zu machen, ist die zusätzliche
Elektrode zweckmäßig in möglichst kleinem Abstand von dem Entstehungsort der Wärme der Halbleiteranordnung
angebracht. Vor allem kann hierdurch eine etwaige kleine Wärmeträgheit infolge der Ausbreitung
der Wärme von deren Entstehungsort bis zur Sperrschicht der zusätzlichen Elektrode bzw. bis zu dem
Teil des Halbleiterkörpers zwischen zusätzlicher Elektrode und der mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung, also dem den Bahnwiderstand für diesen Stromkreis wesentlich bestimmenden
Teil des Halbleiterkörpers klein gehalten werden.
Die Entfernung der Sperrschicht der zusätzlichen Elektrode bzw. des zwischen zusätzlicher Elektrode
und der mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung befindlichen Teiles
des Halbleiterkörpers von Sperrschichten der Elektroden der Halbleiteranordnung soll zweckmäßig jedoch
so groß gewählt werden, daß eine Einwirkung durch Veränderungen der Sperrschichtausdehnung von einer
oder mehreren der Elektroden der Halbleiteranordnung oder durch Injektion von Minoritätsladungsträgern
auf den zwischen zusätzlicher Elektrode und mindestens angenähert sperrschichtfreier Elektrode befindlichen
Teil des Halbleiterkörpers oder auf die Sperrschicht der zusätzlichen Elektrode ausreichend
klein bleibt. Der Abstand zwischen zusätzlicher Elektrode und mindestens angenähert sperrschichtfreier
Elektrode der Halbleiteranordnung soll unter Berücksichtigung vorstehender Verhältnisse möglichst groß
gewählt werden, um verhältnismäßig große Änderungen des Bahnwiderstandes durch Temperaturänderungen
zu erreichen.
Eine etwaige Erwärmung des Halbleiterkörpers durch den Strom zwischen zusätzlicher Elektrode und
mindestens angenähert sperrschichtfreier Elektrode der Halbleiteranordnung kann vernachlässigt werden, da
gegebenenfalls die Verlustleistung zwischen diesen beiden Elektroden hinreichend herabgesetzt oder/und
der Kontakt der zusätzlichen Elektrode an dem Halbleiterkörper ausreichend kleinflächig ausgeführt werden
kann.
Als vorteilhaft erweist sich eine Vorrichtung mit einer zusätzlichen Elektrode mit einer Sperrschicht,
bei welcher zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode
der Halbleiteranordnung eine Spannung in Höhe von mindestens der Diffusionsspannung der Sperrschicht
der zusätzlichen Elektrode abfällt. Zur Überwachung der Temperatur einer Halbleiteranordnung mit einem
Halbleiterkörper aus Silizium eignet sich besonders eine solche derartige Anordnung, bei welcher zwischen
der zusätzlichen Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
eine Spannung von mehr als 1 Volt abfällt.
Die Vorrichtung kann vorteilhaft zur Temperaturüberwachung von elektrisch unsymmetrisch leitenden
Halbleiteranordnungen, vorzugsweise Trockengleichrichtern, z. B. Siliziumtrockengleichrichtern, verwandt
werden. xo
Nach einem zweckmäßigen, an Hand der Fig. 1 erläuterten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann zur
Temperaturüberwachung von Trockengleichrichtern die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
neben der Gegenelektrode angebracht sein. In Fig. 1 ist in zum Teil schematischer Darstellung
eine Vorrichtung nach der Erfindung gezeichnet. Auf einer Trägerelektrode 1 befindet sich der Halbleiterkörper
2, z. B. ein Siliziumkristall, an welchem die Gegenelektrode 3, z. B. durch Einlegieren von einer
Aluminiumlegierung, angebracht ist. Die zusätzliche Elektrode 4 kann wie die Gegenelektrode 3 durch Einlegieren
an dem Siliziumkristall unter Bildung einer Sperrschicht angebracht sein und soll mindestens eine
Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise etwa drei Diffusionslängen 3 L, von der Gegenelektrode
3 entfernt sein. 5 und 6 sind Zuleitungen zu der zusätzlichen Elektrode 4 bzw. der Gegenelektrode 3.
Die zusätzliche Elektrode 4 kann jedoch auch mindestens angenähert sperrschichtfrei an dem Halbleiterkörper
2 angebracht sein. Zweckmäßig hat die zusätzliche Elektrode 4 von der Trägerelektrode 1 einen
Abstand von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise einen Abstand
von etwa zwei Diffusionslängen 2 L.
Es ist von Vorteil, zum Einhalten des Abstandes der zusätzlichen Elektrode 4 von der Trägerelektrode 1,
wie in der zum Teil schematischen Darstellung der Fig. 2 gezeichnet, die Trägerelektrode 1 mit einer
Aussparung 7 zu versehen.
Nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Vorrichtung kann die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers neben oder innerhalb einer Aussparung der Trägerelektrode angebracht sein. Die
Entfernung der Sperrschicht der zusätzlichen Elektrode bzw. des zwischen der zusätzlichen Elektrode
und der Trägerelektrode befindlichen Teiles des Halbleiterkörpers von der Sperrschicht der Gegenelektrode
soll mindestens eine DifEusionslänge der Minoritätsladungsträger betragen, während außerdem zweck-
mäßig ein Abstand der Sperrschicht der zusätzlichen Elektrode bzw. des zwischen der zusätzlichen Elektrode
und der Trägerelektrode befindlichen Teiles des Halbleiterkörpers von der Trägerelektrode von mindestens
einer Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise etwa drei Diffusionslängen, vorgesehen
ist.
Ein weiteres günstiges Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt die Anwendung der Vorrichtung für die
Temperaturüberwachung eines Transistors dar.
Bei einer aus einem Transistor bestehenden elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
wird die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers neben einer der Elektroden oder
innerhalb einer Aussparung einer der Elektroden des Transistors angebracht. Die Sperrschicht der zusätzlichen
Elektrode bzw. der zwischen zusätzlicher Elektrode und mindestens angenähert sperrschichtfreier
Basiselektrode befindliche Teil des Halbleiterkörpers soll zweckmäßig von den Sperrschichten der übrigen
Elektroden des Transistors so weit entfernt sein, daß eine Beeinflussung durch Veränderungen der Sperrschichtausdehnung
oder Injektion des Leitwertes des zwischen zusätzlicher Elektrode und mindestens angenähert
sperrfreier Basiselektrode befindlichen Teiles des Halbleiterkörpers hinreichend klein bleibt.
Claims (20)
1. Vorrichtung zur Überwachung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung, dadurch
gekennzeichnet, daß an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung unter Bildung einer
Sperrschicht eine zusätzliche Elektrode so angebracht ist, daß keine Beeinflussung der Halbleiteranordnung
durch den Flußstrom der zusätzlichen Elektrode auftritt und daß der Flußstrom bzw.
die Flußspannung zwischen dieser zusätzlichen Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung zur Messung oder/und Regelung der Temperatur
der Halbleiteranordnung dient.
2. Vorrichtung zur Überwachung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung, dadurch
gekennzeichnet, daß an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung mindestens angenähert
sperrschichtfrei eine zusätzliche Elektrode so angebracht ist, daß keine Beeinflussung der
Halbleiteranordnung durch den Strom der zusätzlichen Elektrode auftritt und daß der Strom bzw.
die Spannung zwischen dieser zusätzlichen Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung dient.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zusätzlichen Elektrode
und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
eine Spannung in Höhe von mindestens der Diffusionsspannung der Sperrschicht der zusätzlichen
■ Elektrode abfällt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper aus Silizium
verwendet ist und daß zwischen der zusätzlichen Elektrode und einer mindestens angenähert
sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung eine Spannung von mehr als 1 Volt im Halbleiterkörper
abfällt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß in die
zusätzliche Elektrode ein konstanter Strom eingespeist ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche
Elektrode an eine konstante Spannung gelegt ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der
Flußstrom bzw. der Strom zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung einer Gleichspannungsquelle entnommen ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
zusätzliche Elektrode in möglichst kleinem Abstand von dem Entstehungsort der Wärme der
Halbleiteranordnung angebracht ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiteranordnung als Trockengleichrichter aus-
gebildet ist und die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers neben der Gegenelektrode
angebracht ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Elektrode in
einem Abstand von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger von der Gegenelektrode
angebracht ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Elektrode
in einem Abstand von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise
etwa zwei Diffusionslängen, von der Trägerelektrode angebracht ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß zum Einhalten des Abstandes der zusätzlichen Elektrode von der Trägerelektrode
diese mit einer Aussparung versehen ist.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ao
die Halbleiteranordnung als Trockengleichrichter ausgebildet ist und die zusätzliche Elektrode auf
der Oberfläche des Halbleiterkörpers neben oder innerhalb einer Aussparung der Trägerelektrode
angebracht ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Elektrode in
einem Abstand von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger von der Gegenelektrode
angebracht ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Elektrode
in einem Abstand von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise
etwa der dreifachen Diffusionslänge, von der Trägerelektrode angebracht ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
zusätzliche Elektrode als kleinflächiger Kontakt an dem Halbleiterkörper angebracht ist.
troden oder innerhalb einer Aussparung einer der Elektroden des Transistors angebracht ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiteranordnung als Transistor ausgebildet ist und daß die zusätzliche Elektrode in einem solchen
Abstand von einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode des Transistors oder/und
so auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnet ist, daß durch Veränderung der Sperrschichtausdehnung
von einer oder mehreren der Elektroden des Transistors eine Einwirkung auf den zwischen zusätzlicher Elektrode und einer
mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode des Transistors befindlichen Teil des Halbleiterkörpers
klein bleibt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiteranordnung als Transistor ausgebildet ist und daß die zusätzliche Elektrode in einem Abstand
von mindestens der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger von injizierenden Elektroden
angebracht ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der
Strom oder die Spannung zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung, gegebenenfalls nach Verstärkung, bei einer einen
vorbestimmten Wert übersteigenden Temperatur der Halbleiteranordnung eine oder mehrere Schaltvorrichtungen
betätigt, durch welche die Speisespannung abgeschaltet oder die Belastung verringert
oder eine Kühlung bzw. stärkere Kühlung eingeschaltet wird.
17. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiteranordnung als Transistor ausgebildet ist und daß die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers neben einer der Elek-In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 836 826;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1 005 644;
Journal of Scientific Instr., Vol. 32, 1955, S. 451 und 452;
Deutsche Patentschrift Nr. 836 826;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1 005 644;
Journal of Scientific Instr., Vol. 32, 1955, S. 451 und 452;
R. Rost, »Kristalloden-Technik«, 1954, S. 110, 114, 115;
R. F. Shea, »Transistor Circuits«, 1953, S. 117 bis 179, 474.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 710/429 1.60
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL0028856 | 1957-10-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1073631B true DE1073631B (de) | 1960-01-21 |
Family
ID=7264674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1073631D Pending DE1073631B (de) | 1957-10-16 | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1073631B (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE836826C (de) * | 1949-10-11 | 1952-04-17 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
DE1005644B (de) * | 1955-10-14 | 1957-04-04 | Iapatelholdia Patentverwertung | Transistor mit Temperaturkompensation |
-
0
- DE DENDAT1073631D patent/DE1073631B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE836826C (de) * | 1949-10-11 | 1952-04-17 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
DE1005644B (de) * | 1955-10-14 | 1957-04-04 | Iapatelholdia Patentverwertung | Transistor mit Temperaturkompensation |
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