DE1070747B - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE1070747B DE1070747B DENDAT1070747D DE1070747DA DE1070747B DE 1070747 B DE1070747 B DE 1070747B DE NDAT1070747 D DENDAT1070747 D DE NDAT1070747D DE 1070747D A DE1070747D A DE 1070747DA DE 1070747 B DE1070747 B DE 1070747B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- collector electrode
- semiconductor
- crystal
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
-
- H10P95/00—
-
- H10P95/80—
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1070747B true DE1070747B (OSRAM) | 1959-12-10 |
Family
ID=595580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1070747D Pending DE1070747B (OSRAM) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1070747B (OSRAM) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE499900A (OSRAM) * | 1950-12-05 | 1900-01-01 | ||
| US2502479A (en) * | 1948-09-24 | 1950-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor amplifier |
| US2538593A (en) * | 1949-04-30 | 1951-01-16 | Rca Corp | Semiconductor amplifier construction |
-
0
- DE DENDAT1070747D patent/DE1070747B/de active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2502479A (en) * | 1948-09-24 | 1950-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor amplifier |
| US2538593A (en) * | 1949-04-30 | 1951-01-16 | Rca Corp | Semiconductor amplifier construction |
| BE499900A (OSRAM) * | 1950-12-05 | 1900-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE961176C (de) | Elektrische Schaltungsanordnung mit fallender Strom-Spannungs-Kennlinie | |
| DE1032404B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten | |
| DE1187326B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode | |
| DE3428067A1 (de) | Halbleiter-ueberspannungsunterdruecker mit genau vorherbestimmbarer einsatzspannung | |
| DE1087704B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem p-n-UEbergang | |
| DE1115837B (de) | Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper | |
| DE1514563A1 (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement | |
| DE1150456B (de) | Esaki-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1002472B (de) | Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter | |
| DE112016001599B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE1070747B (OSRAM) | ||
| DE2507038C3 (de) | Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1063279B (de) | Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden | |
| AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
| DE1194064B (de) | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen der Ober-flaeche eines mit Legierungselektroden aus einer Bleilegierung versehenen npn-Transistors mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium | |
| DE1227562B (de) | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden nach Esaki fuer hohe Frequenzen mit kleinerPN-UEbergangsflaeche und nach diesem Verfahren hergestellte Tunneldioden | |
| DE1094883B (de) | Flaechentransistor | |
| DE1589834A1 (de) | Varaktor mit vergroessertem Kapazitaetsbereich | |
| AT202600B (de) | Feldeffekt-Transistor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Transistors | |
| DE969508C (de) | Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung | |
| DE1090326B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps | |
| DE1185292B (de) | Doppelhalbleiterbauelement mit einem Esaki-UEbergang und einem parallel geschalteten weiteren UEbergang | |
| DE1194065B (de) | Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung | |
| DE1040700B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Diffusionstransistors | |
| DE1040131B (de) | Verfahren zum Formieren von elektrischen Halbleiteranordnungen mit einer mit Fremdstoff versehenen Nadelelektrode |