DE1069296B

DE1069296B -

Info

Publication number: DE1069296B
Application number: DENDAT1069296D
Authority: DE
Priority date: 1954-04-12
Publication date: 1959-11-19
Also published as: GB808417A; US2825015A; BE563188A

Description

DEUTSCHES

Die JIrtincluny bezieht sich auf einen federnden Berührungskontakt für Halbleiteranordnungen, insbesondere für Transistoren.

Es sind Halbleiteranordnungen bekannt, bei denen ein federnder Beriihruiigskontakt von verhältnismäßig kleinen Querschnittsabmessungen gegen ein Halbleiterelement anliegt, wobei die Lage des Kontaktpunktes und/oder der Kontaktdruck, den der Berührungskontakt auf den Halbleiterbauteil ausübt, für die einwandfreie Arbeitsweise der gesamten Halbleiteranordnung wesentlich ist. Bei rauscharmen Germaniumdioden, aber auch bei Spitzentransistoren sowie bei Oberflächen-pn-Schichttranssistoren tritt das Problem auf. verhältnismäßig feine, drahtartige oder kleinflächige Kontakte in Berührung mit Halbleiterteilen zu bringen und zu halten; im letzteren Fall steht der feine Kontakt in Berührung mit den verhältnismäßig kleinen Emitter- und Kollektorelektroden.

Bei der Herstellung einer rauscharmen Germaniumdiode wird beispielsweise ein zugespitzter metallischer Koutaktdraht mit einem Durchmesser von 0,045 mm gegen eine vorbehandelte Oberfläche eines Germaniumkristalls gedrückt und durch den dabei gebildeten Kontakt zwischen dem Kontaktdraht und dem Germanium ein Alterungsstroin geführt, um das Material unterhalb der Spitze zu »altern«. Durchdiesen Prozeß werden die erwünschten Gleichrichtcreigenschaften erzeugt. Der Durchmesser des Kontaktes zwischen der Drahtspitze und dem Kristall kann in der Größenordnung von 0,05 mm liegen. Der gealterte Bereich der Kristalloberfläche unterhalb der Kontaktstelle hat vergleichbare Abmessungen. Eine Anordnung dieser Art liefert eine Diode mit geringer Rauschzahl; jedoch wird die elektrische Arbeitsweise der Diode schon durch eine kleine Verstellung der Kontaktdrahtspitze gegenüber dem winzigen gealterten Bereich der Kristal !oberfläche nachteilig beeinflußt. Da der Kontaktdraht äußerst fein und der Kontaktdruck zwischen <lem Draht und der Kristalloberfläche sehr gering ist, ist eine derartige Anordnung gegen mechanische Stöße und Erschütterungen äußerst empfindlich.

Zur Vermeidung dieses Xachteils hat man bereits vorgeschlagen, bei einer rauscharmen Kristalldiode die Kontaktdrahtspitze an der Kristalloberfläche mit Hilfe eines äußerst kleinen Tropfens eines wenig schrumpfenden Kittes starr zu befestigen. Der Kitt wird dabei direkt um die Kontaktspitze an der Kontaktstelle aufgetragen. Ein derartiges Verfahren, obwohl für viele Anwendungen ausreichend, hat folgende Nachteile.

Da während des Alterungsprozesses am Berührungspunkt zwischen Kontaktdraht und Halbleiter verhältnismäßig große Wärmemengen erzeugt werden, kahn das Aufbringen des Kittes zur Befestigung der Kontaktdrahtspitze gewöhnlich erst nach Durchführung Federnder Berührungskontakt
für Halbleiteranordnungen

Anmelder:
Philco_r Corporation,
Philadelphia, Pa. (V.St.A.)

Vertreter: Dipl.-Ing. C Wallach, Patentanwalt,
München 2, Kaufingerstr. 8

¹S Jacob Wilbur Stineman, Villanova, Pa.,

und Samuel Adams Robinson, Lansdale, Pa. (V. St. A.), sind als Erfinder genannt worden

des Alterungsprozesses ausgeführt werden. Der winzige KitttroptVn muß daher mit äußerster Sorgfalt aufgebracht werden, damit die Sitze des Kontaktdrahtes nicht durch eine zufällige Erschütterung von dem darunterliegenden sehr kleinen gealterten Teil des Halbleiters verschoben wird. Man hat zwar Verfahren zum exakt lokalisierten Aufbringen des Kitttropfens entwickelt; wegen der erforderlichen großen Genauigkeit und Sorgfalt ist dieses Verfahren jedoch äußerst kostspielig und verteuert die Herstellung der Halbleiteranordnungen unangemessen.

Da zweitens das Kittmaterial den Kontaktpunkt unmittelbar umgibt, wirken sich alle Beeinflussungen des Kittes nach seiner Herstellung auch unmittelbar auf den Kontakt aus. Es ist daher zu erwarten, daß jedes Schrumpfen, jede Ausdehnung oder jede Verschlechterung des Kittmaterials oder jede Absorption von Feuchtigkeit durch den Kitt sofort und unmittelbar entsprechende Wirkungen auf den !•Contakt und damit auf die Arbeitsweise der
tung hat.

Der Erfindung liegt somit die
zugrunde, einen federnden Berührungskontakt von geringem Querschnitt zu schaffen, der mit einem bestimmten, gleichbleibenden Druck an einer bestimmten Kontaktstelle gegen die Oberfläche einer Halbleiteranordnung anliegt, wobei der Kontakt in einfacher Weise herstellbar und die Aufrechterhaltung des Kontaktdruckes und der Kontaktstelle nach Ausführung des Kontaktes auch bei erheblichen mechanischen Erschütterungen gewährleistet sein sollen.

geschilderten Nachteile enannte federnde Beriihrungskon-

Vorrich-

Aufgabenstellung

Zur Vermeidung der oben

wird der eingangs

909 649.346

i üo

takt gemäß der Erfindung so ausgebildet, daß ein federndes, drahtförmiges Kontaktglied, das an einem Punkt fest gehaltert ist, mit seinem einen Ende gegen einen vorbestimmten Pnreich des Halbleiters federnd mit leichtem Berührungsdruck aidiegt und daß ein Klümpchen aus kittartigem Material das Kontaktglied mit dem Halbleiter in einem zwischen dem Halterungspunkt und dem Berührungspunkt des Kontaktgliedes liegenden Punkt an einer Stelle des Halbleiters verbindet, die in einigem Abstand vom Kontaktpunkt gelegen ist.

Durch die vorliegende Ausbildung wird der Kontakt äußerst stabil und widerstandsfähig gegen mechanische Stöße und Erschütterungen, während gleichzeitig der Kotitaktpunkt zwischen Kontaktdraht und Halbleiteroberfläche von dem Kitt frei bleibt und daher nach Anbringung und Härtung des Kittklümpchens gealtert werden kann. Die Eage des Kontaktdrahtis wird daher erst nach dem Zusammenbau und nach Abschluß des elektrischen Alterungsprozesses kritisch; demzufolge ist beim Zusammenbau nur eine geringere Sorgfalt erforderlich, der Herstellungsvorgang wird wesentlich vereinfacht und verbilligt. Da durch das Kittklümpchen außerdem eine starre Bindung zwischen dem Kontaktdraht und dem Halbleiterbauteil in einigem Abstand vom Kontaktpunkt gebildet wird, werden die Einflüsse von Temperaturschwankungen, die eine Relativbewegung des Kontaktdrahthalters und des den Halbleiter haltenden Teiles hervorrufen, weitgehend ausgeschaltet. Ferner bewirkt die erhebliche Elastizität des Kontaktdrahtbtückes zwischen dem Klümpchen und dem Kontaktpunkt, daß Änderungen des Kittklümpchens selbst, beispielsweise bei Ausdehnung oder Kontraktion infolge von Temperaturschwankungen oder infolge von Feuchtigkeitseinflüssen, die gegenseitige Lage des Kontaktdrahtendes und des Halbleiters und den zwischen ihnen herrschenden Kontaktdruck nicht wesentlich beeinflussen können. Schließlich besteht infolge der Anordnung des Befestigungskittes in einigem Abstand vom Kontaktpunkt die Möglichkeit einer »Wiederalterung«, falls aus irgendwelchen Gründen die Spitze des Kontaktdrahts sich auf der Oberfläche nach der endgültigen Herstellung der Halbleiteranordnung doch verschoben oder der Kontaktdruck sich geändert hallen sollte.

Die vorliegende Ausbildung des federnden Berührungskontakts ist gleich gut für Halbleiterdioden wie für Transistoren geeignet. Bei Transistoren können so ausgebildete federnde Berührungskontaktc zum Anschluß an die Emitter- und Kollektorbereiche dienen. Hier können die Berührungskontakte unter Federspannung gegen die winzigen Emitter- und Kollektorelektroden unter einem Druck gehalten werden, der ausreicht, einen tatsächlichen Kontakt zu schaffen, ohne daß jedoch das empfindliche, äußerst dünne HaIb-Ieitergebilde durch den Kontaktdruck beschädigt würde. Xach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß ein Teil des Kontaktgliedes längs der Halbleiteroberfläche verläuft und durch das Klümpchen aus kittartigem Material mit diesem verbunden ist.

Eine l>esonders vorteilhafte Ausführungsform des vorliegenden Berührungskontaktes besteht darin, daß das federnde Kontaktglied in der Xähe der Halbleiteroberfläche mit einem Knie ausgebildet ist, das sich der Halbleiteroberfläche an einem in der Nähe des Konlaktpunktes, jedoch in einigem Abstand von diesem liegenden Punkt, nähert, 'und in diesem durch das Klümpchen aus kittartigem Material mit dem Halbleiter verbunden ist.

Eine weitere zweckmäßige Ausführungsform besteht darin, daß das federnde Kontaktglied einen ersten, im wesentlichen rechtwinkelig zur Oberfläche des Halbleitern verlaufenden Teil, der einen kleinflächigen Kontakt mit diesem bildet, sowie einen zweiten, im wesentlichen längs der Oberfläche verlaufenden und von dem Klümpchen aus kittartigem Material berührten Teil aufweist.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ίο ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Au·- führungsbeispielen an Hand der Zeichnung. In diener zeigt

Fig. 1 im Längsschnitt einen rauscharmen Punktkontakt-Kri stal !gleichrichter.

Fig. 2 eine Teilansicht der Diode nach Fig. 1, bei welcher der Kontaktfederdraht und die Kittanordnung in weiteren Einzelheiten dargestellt sind, und

Fig. 3 im Aufriß, bei dem Teile weggebrochen sind, einen Oberfläclieu-pn-Schichttransistor.

Die in Fig. 1 dargestellte Kristallgleichrichter patrone ist von einer symmetrischen koaxialen Bauart, die zur Verwendung als Gleichrichter oder Mischvorrichtung, z.B. bei der Umwandlung von Hochtrequenzsignalen von etwa 10 OOO MHz in Zwischenfrequenz-

»5 signale von etwa 30 MHz, geeignet ist. Diese Patrone kann ein isolierendes Patronengehäuse 1 in Form eines hohlen keramischen Zxlinders mit Innengewinde an beiden Enden und einer kreisförmigen Öffnung 2 in einer seiner Wandungen aufweisen. In das eine End?

des Gehäuses 1 ist ein hohler Schraubstöpsel 3 eingesetzt, der den Kristallhalter aufnimmt. Dieser besteht aus einem Keilstab 4, der mit sternförmig angeordneten Keilflächen versehen ist und unter Druck in den Schraubstöpsel eingepaßt ist. Der Kristall kann an dem Stab 4 angelötet sein. Der Kristall wird von einem aus Titan bestehenden Kontaktfederdraht 6 berührt, der an einem Haltestöpsel 7 durch Schweißen oder auf andere Weise befestigt ist. Der Haltestöpsel ist in das entgegengesetzte Ende des Gehäuses 1 eingeschraubt.

Die Stöpsel 3 und 7 werden vorzugsweise in ihrer Lage starr verkittet, und zwar dadurch, daß ein geeigneter Kitt, z. B. Sockelkitt oder Schellack, längs der Gewinde aufgebracht wird.

Zur Erzielung größter Rauscharmut wird vorzugsweise ein Kristall 5 verwendet, der etwa 99,78 Gewichtsprozent Germanium, 0.2 Gewichtsprozent Antimon und 0,02 Gewichtsprozent Wismut aufweist, obwohl andere Zusammensetzungen verwendet werden können. Der Raum innerhalb des keramischen Gehäuses 1 und zwischen den Stöpseln 3 und 7 kann mit trockenem sauberem Gas, z. B. Luft oder Argon, gefüllt werden. Um dieses Gas einzuschließen, kann die öffnung 2 mit Hilfe eines federnden zylindrischen Stopfens 11 verschlossen werden, der eng in die öffnung 2 hineinpaßt. EineAbdichtmasse 12, z.B. Sockelkitt, wird am Umfang der äußeren Fläche des Stopfens 11 zum Vervollständigen der Abdichtung aufgebracht. Die durch die Längsteile des Stabes 4 geschaffenen Luftkanäle werden ebenfalls mit Hilfe eines weiteren Stopfens 13 und einer geeigneten Abdichtmasse 14 verschlossen.

Wie Fig. 2 deutlicher zeigt, ist die Kontaktfeder 6 vorzugsweise ein äußerst dünner Titandraht, der kreisförmigen Querschnitt und einen Durchmesser von 0,045 mm haben kann und dessen Ende zu einer . äußerst feinen Spitze ausgebildet ist, welche mit der Kristallfläche einen Kontakt bildet. Wegen des leichten Druckes, unter dem der Kontaktdraht gegen die Kristallfläche drückt, wird diese scharfe Spitze durch ihre Berührung mit der Oberfläche leicht abgestumpft. Eine

kleine Kontaktfläche mit einem Durchmesser von etwa 5-10—³ mm entsteht daher. Diese kleine Kontaktfläche trägt zu der typisch niedrigen Rauschzalil des Gleichrichters bei, macht aber den Kontaktdraht unter dem Einfluß von Stößen und Schwingungen ohne die Vorkehrungen nach der Krfindung leicht beweglich.

Der Kontaktdraht 6 weist ein Knie 6' auf, durch welches sich der Draht in der Nähe des Kontaktpunktes der Kristallfläche nähert, ohne diese zu berühren. In einem typischen Falle nähert sich das Knie der Kristallfläche an einem Punkt, der von dem Kontaktpunkt einen Abstand von etwa 0,305 mm hat. Ein Kittkügelchen 10 hält den Kniebereich 6' des Kontaktdrahtes 6 am Kristall 5 fest. Während das Kügelchen 10 nicht extrem klein zu sein braucht, ist es vorzugsweise so klein, daß ein ausreichender Zwischenraum, z. B. einige hundertste] mm. zwischen dem Kügelchen einerseits und dem Kontaktpunkt zwischen Kontaktdraht und Kristall andererseits frei bleibt. Ferner hat das Kügelchen vorzugsweise einen solchen Abstand vom Kontaktpunkt, daß das Stück des Kontaktdrahtes zwischen dem Kügelchen 10 und dem Kontaktpunkt so lang ist, daß es etwas federt, wodurch alle restlichen Spannungen absorbiert werden, welche eine spätere Ausdehnung oder Zusammenziehung des Kügelchens 10 auf den Kristallkontaktpunkt ausüben könnte.

Ein geeigneter Kitt ist einer der Epoxyd- oder Äthoxylinharze. Der verwendete Kitt sollte beim Abbinden und Trocknen wenig schrumpfen, einen geringen Temperatur-Ausdehnungskoeffizienten haben, vorzugsweise nicht hygroskopisch sein und starre Bindungen mit Metallen und Halbleitern eingehen. Vorzugsweise wird als Kitt für den vorliegenden Zweck ein Gemisch aus dem obenerwähnten Epoxydharz mit etwa einer gleichen Gewichtsmenge Zeroxyd oder Kieselsäure verwendet. Diesem Gemisch wird unmittelbar vor der Anwendung ein geeigneter Härter zugesetzt.

Zur Herstellung der in Fig. 1 und 2 dargestellten rauscharmen Kristalldioden wird der Kontakdraht 6 an den Stöpsel 7 angelötet oder -geschweißt und im wesentlichen, wie dargestellt, gebogen und eingedrückt. Die Gewinde der Stöpsel 7 und 3 werden mit Kitt überzogen und die Stöpsel in gegenüberliegende Enden des Keramikgehäuses 1 eingeschraubt. Nachdem der Kitt getrocknet ist, wird der Kristallträgerstab 4 in das Innere des Stöpsels 3 hineingedrückt, bis die Spitze des Kontaktdrahtes 6 die Oberfläche des Kristalls 5 berührt. Danach wird der Kristallträgerstab weitere 0,05 mm hineingedrückt. Ein Kügelchen des oben bezeichneten Epoxydkittes wird dann mit Hilfe eines geeigneten Mittels, z. B. einer zugespitzten Pinzette oder eines feinen Drahtes, aufgenommen und an das Knie des Kontaktdrahtes 6 angesetzt. Dieses Kügelchen sollte groß genug sein, um den Kontaktdraht 6 in der Nähe des Knies 6' zu berühren und zu umgeben und außerdem einen wesentlichen Kontakt mit der Oberfläche des Kristalls zu bilden, aber nicht so groß sein, daß es sich bis zu dem Berührungspunkt zwischen dem Kontaktdraht und der Kristallfläche erstreckt. In einem typischen Falle hat das Kügelchen einen Durchmesser von etwa 0,13 mm. Nach dem Aufbringen läßt man das Kügelchen bei Zimmertemperatur etwa 36 Stunden lang härten und abbinden und trocknet es dann durch Brennen bei einer Temperatur von etaw 125° C während einer Zeit von etwa 16 Stunden, wonach in üblicher Weise ein Alterungsstrom durch den Kontaktdraht 6 geschickt werden kann. Die Kristalldiode wird dann mit einem geeigneten trocke-

nen Gas gefüllt, worauf die Abdichtstopfen 11 und 13 eingekittet werden. Die fertige Diode hat dann eine äußerst geringe Rauschzahl und ist gleichzeitig äußerst widerstandsfähig gegen mechanische und chemische Zerstörungskräfte.

Ein vorteilhaftes Merkmal der vorliegenden Ausbildung des Berührungskontaktes ist auch in folgendem zu sehen: Selbst wenn sich die Kontaktspitze nach der Herstellung leicht bewegen sollte, so wird es normalerweise möglich sein, den Bauteil dadurch zu erneuern, daß wiederum ein Alterungsstrom in Durchlaßrichtung durch den Kontaktdraht geschickt wird. Denn das Kittkügelchen 10 wird dabei nicht unzulässig erhitzt.

Fig. 3 zeigt einen Oberflächen-pn-Schichttransisto". Dieser Transistor weist in einem typischen Falle ein Germaniumplättchen 30 auf. dessen gegenüberliegende Flächen mit gegenüberliegenden Vertiefungen 31 und 32 versehen sind, wodurch eine verhältnismäßig dünne Trennwand aus Germanium zwischen den Böden dieser Vertiefungen entsteht. Metallische Elektroden 33 und 34 sind auf die im wesentlichen flachen Bodenteile der Vertiefungen 31 bzw. 32 beschränkt. Das Germaniumplättchen 30 dient dann als Basis des Transistors.

während die Metallelektroden 33 und 34 die Emitterbzw. Kollektorelektrode bilden. Dieses Gebilde kann mit Hilfe eines an das Plättchen 30 angelöteten Ansatzplättchens 35 und durch einen Haltestift 36 gehaltert werden, der durch Punktschweißen am Ansatzplättchen 35 befestigt ist. Der Stift 36 kann durch eine Grundplatte 37 in Form einer Crlasscheibe hindurchragen und von dieser gehaltert werden.

Stifte 38 und 39, die durch dieselbe Grundplatte 37 hindurchragen, stellen Verbindungen mit Emitter- und Kollektorkontaktdrähten 40 bzw. 41 her, deren Art im einzelnen weiter unten beschrieben wird. Bei einem handelsüblichen Transistor umgibt ein mit einem Flansch versehener Ring 44 eng die Glasgruiidplatte 37, und eine geflanschte zylindrische Kappe45 schließt die wirksamen Teile des Transistors ab. Der Ring 44 und die Kappe 45 werden mit Hilfe einer fortlaufenden Schweißung zwischen beiden Flanschen zusammengehalten und abgedichtet. Geeignete schützende und wärmeleitende Füllstoffe (nicht dargestellt) können zum Füllen des Innenraumes der Kappe 45 verwendet werden.

Es sollen nun die Anforderungen untersucht werden, die an die Kontaktglieder 40 und 41 zu stellen sind. Der halbleitende Werkstoff zwischen den Metallelektroden 33 und 34 ist äußerst dünn und daher zerbrechlich. Der Halbleiter kann an dieser Stelle eine Dicke von etwa 0,005 mm haben. Obwohl die dort aufgebrachten Metallablagerungen eine zusätzliche Versteifung ergeben, ist man bestrebt, nicht mehr Metall zu verwenden, als für die elektrische Arbeitsweise notwendig ist. Es ist jedoch außerdem erwünscht, eine Kontaktanordnung zu verwenden, welche nicht unzulässig empfindlich gegen mechanische Stöße und Schwingungen ist, da eine solche Empfindlichkeit die elektrische Arbeitsweise in starkem Maße stören würde. In diesem Fall, wie in dem Fall der oben beschriebenen rauscharmen Diode, ist daher eine leichte, aber zuverlässige Berührung des Halbleitergebildes, in diesem Fall des Teiles der Kristallfläche erwünscht, auf welche die Emitter- und Kollektorelektroden aufgebracht wurden.

Demgemäß können die Kontaktdrähte 40 und 41 aus verhältnismäßig dünnem Draht von etwa 0,05 mm einer Legierung aus Platin und 10% Ruthenium bestehen und vorzugsweise in die dargestellte Form gebogen

Claims

-ein, so daß jeder Kontaktdraht ein Knie aufweist, das verhältnismäßig weit von dem Berührungspunkt mit der entsprechenden Elektnxle entfernt ist. Mit den Kniestiicken können die Kontaktglieder an die Kristalltläche angekittet werden. Das Kontaktglied 40 ist also mit einein Kniestück 50 versehen und durch Punktschweißen an dem Einitterhalter 38 befestigt, während das Kontaktglied 41 mit einem Kniestück 51 versehen ist, das zwischen dem Schweißpunkt am Halter 39 und dem Berührungspunkt mit der Elektrode 34 angeordnet ist. Die Kontaktglieder 40 und 41 sind an die Haltestifte 38 und 39 in einer solchen Lage angeschweißt, daß der richtige Kontaktdruck zwischen ihnen und den Elektroden 33 bzw. 34 gewährleistet ist. Kittkiigelchen 52 und 53 werden dann auf gegenüberliegende IrIiichen des Plättchens 30 an solchen Punkten aufgebracht, daß sie auch die Kniestellen 50 bzw. 51 berühren. Diese Kügelchen können aus dem oben beschriebenen Epoxydkitt mit Zeroxyd oder Kieselsäure als Füllstoff bestehen und Abmessungen haben, die mit den bei der oben beschriebenen rauscharmen Diode vergleichbar sind. In diesem Fall wird auch dafür gesorgt, (.laß sich die Kügelchen 52 und 53 nicht in den Bereich erstrecken, in welchem die Kontakte mit den Elektroden hergestellt werden. Bei dieser Anordnung liefern die Kontaktglieder 40 und 41 die erwünschte leichte und doch feste Berührung mit den Elektroden 33 bzw. 34. Gleichzeitig sind die Kontaktglieder verhältnismäßig immum gegen kleinere Änderungen der Eigenschaften der Kügelchen 52 und 53, die z. B. durch thermische Ausdehnung oder durch Absorption von Feuchtigkeit hervorgerufen werden können. Die Erfindung wurde vorstehend au Hand bevorzugter Ausfiihrungstormcn beschrieben, die jedoch in mannigfacher Weise abgewandelt werden können. Während bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen das Knie des Kontaktgliedes an derselben Kristallfläche angekittet vvurde, mit welcher der Berührungspunkt hergestellt wird, kann bei geänderter Ausführungsform dieser Kniepunkt auch an einer dicht benachbarten anderen Fliiche des Halbleiterkristalls angebracht werden, sofern diese Fläche nur in einer festen, insbesondere bei Wärmeschwankungen unveränderlichen geometrischen Beziehung zu der den Kontakt tragenden Kristalltläche steht. Die äußere Halterung des Kontaktgliedes ist prinzipiell mir während des Zusammenbaus bis zum Aufbringen und Abbinden des Kitts an dem Kniepunkt erforderlich; nachdem der Kuiepunkt an der Halblederoberfläche durch den gehärteten Kitt festgelegt i>t, kanu der zur äußeren Halterung führende Teil des kontaktglieder, soweit er nicht zur Verbindung mit der äußeren elektrischen Zuleitung benötigt wird, falls erwünscht, auch weggeschnitten werden. Pa t F. nt a NSP IU'CHE:

1. Frdennler Berührungskontakt für Halbleiteranonlmmgi'ii. insbesondere für Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß ein federndes, draht-

förmiges Kontaktglied (6), das an einem Punkt fest gehaltert ist, mit seinem einen Ende gegen einen vorbestimmten Bereich des Halbleiters (5) federnd mit leichtem Berührungsdruck anliegt und daß ein Klümpchen (10) aus kittartigem Material das Kontaktglied (6) mit dem Halbleiter (5) in einem zwischen dem Halterungspuukt und dem Berührungspunkt des Kontaktgliedes liegemlen Punkt (6'i an einer Stelle des Halbleiters verbindet, die in einigem Abstand vom Kontaktpunkt gelegen ist.

2. Berührungskoiiiakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Kontaktgliedes längs der Halbleiteroberfläche verläuft und durch das Klümpchen aus kittartigem Material mit diesem verbunden ist.

3. Berührungskontakt nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der durch das Klümpchen aus kittartigem Material und längs der Halbleiteroberfläche verlaufende Teil des Koutaktgliedes den Halbleiter nicht berührt.

4. Berührungskontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß das federnde Kiintaktglied in der Xähe der Halbleiteroberfläche mit einem Knie ausgebildet ist. das sich der Halbleiteroberfläche an einem in der XTthe des Kontaktpunktes. jedoch in einigem Abstand von diesem liegenden Punkt (6') nähert, und in diesem durch das Klümpchen (10) aus kittartigem Material mit dem Halbleiter verbunden ist.

5. Berührungskontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Spitze des Kontaktes unmittelbar gegen das Halb-Ie i term a te r i al an 1 i eg t.

6. Beriihrungskontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Spitze des Kontaktes gegen einen metallischen Bereich an der Halbleiteroberfläche anliegt.

7. Berührungskontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 6. dadurch gekennzeichnet, daß das federnde Kontaktglied einen ersten, im wesentlichen rechtwinklig zur Oberfläche des Halbleiters verlaufenden Teil, tier einen kleiiirlächigen Kontakt mit diesem bildet, sowie einen zweiten, im wesentlichen längs der Oberfläche verlaufenden und von dem Klümpchen aus kittartigem Material berührten Teil aufweist.

8. Beriihrungskontakt nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, daß der metallische BereicIi einen gleichrichtenden Flächenkontakt bildet.

9. Berührungskontakt nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Bereich die Emitter- oder Kollektorelektrode eines Transistors bildet.

10. Berührungskontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 9. dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen dem Kontaktpunkt an der Halbleiteroberfläche und dem Klümpchen aus kittartigem Material verlaufende Teil des Kontaktglieder gegen den PIalbleiter deformiert ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

0 909 649/346 11.59