DE1068384B - - Google Patents

Info

Publication number
DE1068384B
DE1068384B DENDAT1068384D DE1068384DA DE1068384B DE 1068384 B DE1068384 B DE 1068384B DE NDAT1068384 D DENDAT1068384 D DE NDAT1068384D DE 1068384D A DE1068384D A DE 1068384DA DE 1068384 B DE1068384 B DE 1068384B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
electrode
electrodes
semiconductor
washout
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1068384D
Other languages
German (de)
English (en)
Publication date
Publication of DE1068384B publication Critical patent/DE1068384B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34—Bipolar devices
    • H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/38—Devices controlled only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/80—PNPN diodes, e.g. Shockley diodes or break-over diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
DENDAT1068384D Pending DE1068384B (OSRAM)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1068384B true DE1068384B (OSRAM) 1959-11-05

Family

ID=593727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1068384D Pending DE1068384B (OSRAM)

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1068384B (OSRAM)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE889809C (de) * 1951-05-05 1953-09-14 Western Electric Co Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung
DE890847C (de) * 1948-09-24 1953-09-24 Western Electric Co Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE890847C (de) * 1948-09-24 1953-09-24 Western Electric Co Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung
DE889809C (de) * 1951-05-05 1953-09-14 Western Electric Co Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1152763C2 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem PN-UEbergang
DE966492C (de) Elektrisch steuerbares Schaltelement aus Halbleitermaterial
DE1007887B (de) Halbleiterverstaerker
DE1131329B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1162488B (de) Halbleiterbauelement mit zwei Elektroden an einer Zone und Verfahren zum Betrieb
DE976348C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE1152764B (de) Unipolartransistor mit einem steuernden pn-UEbergang
DE1230500B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper mit der Zonenfolge NN P oder PP N
DE1130522B (de) Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung
DE1041161B (de) Flaechentransistoranordnung
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE2854174A1 (de) Halbleiteranordnung mit einer steuerbaren pin-diode und schaltung mit einer derartigen diode
DE69930715T2 (de) Elektronische Halbleiterleistung mit integrierter Diode
DE1489344C3 (de) Verfahren zum Betrieb eines Diodenlasers
DE1213920B (de) Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE112016001599B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1541413C3 (de) Anordnung zur Erzeugung von elektromagnetischen Schockwellenschwingungen
DE1564940B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung sowie danach hergestellte Anordnung, insbesondere Transistor
DE1926459C3 (de) Stoßspannungsfeste Halbleiterdiode
DE1094883B (de) Flaechentransistor
DE2540354A1 (de) Als thermoionische injektionsdiode geeignete halbleiterstruktur
DE1127484B (de) Halbleiterkristalldiode mit flaechenhaftem PN-UEbergang ueber den ganzen Querschnitt des Halbleiterkoerpers und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2551035C3 (de) Logische Schaltung in Festkörpertechnik
DE3620419A1 (de) Halbleiteroszillator mit extrem hoher frequenz
DE1154879B (de) Verfahren zum Erzeugen eines negativen Widerstandes in einem Halbleiterbauelement