DE1067061B - Speichersystem für die Speicherung von Binärinformationen - Google Patents
Speichersystem für die Speicherung von BinärinformationenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Speichersystem für die Speicherung von Binärinformationen. Zur Speicherung
von Binärinformationen ist es bekannt, eine Vielzahl von reaktiven Speicherelementen, die Hysteresischarakter
bezüglich der Induktion eines erregenden elektrischen oder magnetischen Feldes besitzen, zu verwenden, dergestalt,
daß die Binärziffern entsprechend der Polarität der elektrischen bzw. magnetischen Restinduktion gespeichert
werden.
Die Erfindung betrifft ein Speichersystem, welches Binärinformationen zu speichern vermag, die mittels
Informationsfrequenzen übertragen werden, welche eine etwa 180° betragende Phasenmodulation besitzen.
Die Erfindung benutzt ein durch einen älteren Erfindungsvorschlag beschriebenes Speichersystem, bei
welchem dem jeweiligen Speicherelement zur Aufzeichnung die Binärinformation als eine etwa 180°
phasenmodulierte Steuerfrequenz / (Informationsfrequenz) und zusätzlich eine Hilfsschwingung zugeführt
wird, deren Phasenlage konstant ist und deren Frequenz
von der vorgenannten phasenmodulierten Informationsfrequenz verschieden ist; vorzugsweise ist
die Frequenz der Hilfsschwingung halb so groß wie
die Informationsfrequenz, beträgt also —. Zum Ablesen
wird die Hilfsfrequenz den Speicherelementen zugeführt und die Informationsfrequenz als eine
phasengesteuerte Schwingung von der doppelten Frequenz der Hilfsfrequenz, d. h. von der Frequenz f der
bei der Aufzeichnung zur Anwendung gelangenden S teuer schwingung (Informationsfrequenz) entnommen.
Gemäß der Erfindung wird die dem Speicherelement
zugeführte und/oder die demselben entnommene Informationsfrequenz einer Parametronschaltung als
Ausgangsschwingung entnommen bzw. als Eingangsschwingung zugeführt, wobei die Parametronschaltung
aus einer Resonatorschaltung besteht, bei welcher Schaltelemente, die die Resonanzfrequenz des Resonanzkreises
bestimmen, durch Zuführung einer ungefähr die doppelte Resonanzfrequenz besitzenden Erregerschwingung
verändert werden und bei welcher dem Resonanzkreis die entsprechend der Binärinformation
getastete 180° ' phasenmodulierte Informationsfrequenz, die die Periodizität der Resonanzfrequenz
des Kreises besitzt, zugeführt wird; es liegt dabei die Informationsfrequenz zu der ersten Halbphase der
Erregerschwingung in der entsprechenden Tastphase gleich- oder gegenphasig.
Statt daß eine Hilfsschwingung von der halben Frequenz-|-
der Informationsfrequenz den Speicherelementen zugeführt wird, können auch den Speicherelementen
zwei miteinander schwebende Hilfsschwingungen /2 und /3 zugeführt werden, deren Frequenz-Speichersystem
für die Speicherung
von Binärinformationen
von Binärinformationen
Anmelder:
Eiichi Goto,
Eiichi Goto,
Nakameguro, Meguro-Ku, Tokio-To
(Japan)
(Japan)
Vertreter: Dr.-Ing. E. Maier, Patentanwalt,
München 22, Widenmayerstr. 4
München 22, Widenmayerstr. 4
Beanspruchte Priorität:
Japan vom 28. April 1955
Japan vom 28. April 1955
Eiichi Goto, Nakameguro, Meguro-Ku, Tokio-To
(Japan),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
unterschied ^2- fs gleich der Frequenz/ der Informationsfrequenz
ist.
Die durch die Erfindung erzielbaren Vorteile lassen sich wie folgt charakterisieren:
Das erfindungsgemäße System zur Speicherung von Binärziffern enthält keine sich abnutzenden und nicht
dauerhaften Teile, es ist nicht kostspielig und arbeitet zuverlässig auch bei hohen Arbeitsgeschwindigkeiten.
Das erfindungsgemäße Speichersystem ist frei von den nachfolgenden, sich nachteilig auswirkenden Erfordernissen,
die übliche Speichersysteme mit Hysteresischarakter besitzenden Speicherelementen aufweisen:
.
. a) Die Hysteresiskurve eines Speicherelementes muß bei üblichen Speichersystemen streng rechteckige
Form aufweisen, und bei Verwendung von Vielfach-Speicherelementen müssen diese einheitlich sein.
b) Die aufgenommenen Signale verschwinden immer während der Wiedergabe der Signale, und es ist daher
ein Regenerationsprozeß erforderlich, wenn die aufgenommenen Signale wiederholt abgelesen werden
sollen. Dadurch, daß die Erfindung parametrisch erregte
Resonatoren fParametrons) verwendet, zeichnet sie'sich in bezug auf Arbeitseigenschaften gegenüber
der Verwendung von Verstärkerröhren oder Transistoren durch besondere Betriebssicherheit aus. Es ist eine
■: ■ . 909 638/237
direkte Kombination eines der vorbekannten Speichersysteme mit einem Parametron nicht ohne weiteres
durchführbar. Die Erfindung aber ist in der Anwendung eines speziellen,,, durch einen älteren Erfmdungsvorschlag
beschriebenen Speichersystems in Verbindung mit Parametfönsteüerung zu sehen, deren
Verwendung: aus den. vorgenannten Gründen wünschenswert
ist.
In: einer' Ausführungsform der Erfindung ist das
Abb. 11 eine Magnetisierungskurve des Magnetkernes zur Erläuterung des Arbeitsvorganges des in
Abb. 10 beschriebenen Systems,
Abb. 12 ein Schaltschema zur Veranschaulichung 5, noch eines weiteren Beispiels, auf welches das System
gemäß der Erfindung Anwendung findet.
Die Wirkungsweise des bei der Erfindung zu verwendenden, parametrisch erregten Resonators wird
nur in einfacher Form beschrieben, da eine genauere Speicherelement mit. mindestens zwei elektrischen Io Erläuterung dieses bereits vorgeschlagenen Resonators
Leitern gekoppelt, und für die Signalaufnahme können hier nicht erforderlich ist.
verschiedene Systeme benutzt werden. Es können bei- Die Vorschrift, daß die Schwingung eines Reso-
spielsweise in einem System zwei Wechselströme von nators oder elektrischen Resonanzkreises parametrisch
einem Frequenzverhältnis von 2 : 1 verwendet werden, erregt wird, bedeutet, daß, wenn die Resonanzfrequenz
indem das zu speichernde Signal dem Speicherelement 15 eines Resonators einer Veränderung mit der Frequenz
durch einen der Ströme in der Weise zugeführt wird, 2/ unterworfen wird, die gleich dem Zweifachen der
daß die Information durch die Phase des betreffenden Resonanzfrequenz ist, Vs subharmonische Schwingung
Stromes angezeigt wird bzw. bestimmt ist. mit einer Frequenz von / im Resonator induziert wird
Bei einem anderen Speicherverfahren bedient man (s. N. .W. M. La chi an: Gewöhnliche nichtlineare
sich dreier Arten von Wechselströmen mit verschie- 20 Differentialgleichungen, Oxford 1950).
denen Frequenzen, und der Phasenunterschied eines Im nachstehenden wird der parametrisch, erregte Reder
Ströme wird dazu benutzt, die auf dem Speicher- sonator als Parametron bezeichnet, und die Erscheielement
zu speichernde Ziffern-Information wiederzu- nung, daß die Resonanzfrequenz des Parametrons
geben, wobei der genannte Strom eine Frequenz auf- durch eine Frequenz von 2/ verändert wird, wird daweist,
die gleich dem Unterschied zwischen den Fre- 25 durch bedingt, daß eine erregende Welle dem Paraquenzen
der anderen beiden der drei Ströme ist. metron zugeführt wird. Im allgemeinen besitzt die
parametrische Schwingung des Parametrons von einer Frequenz / die bemerkenswerte Eigenschaft, daß sie
nur mit zwei verschiedenen, um 180° voneinander abweichenden Phasen schwingen kann, wobei die beiden
Schwingungen jeweils als O-Radian-Schwingung bzw. als π-Radian-Schwingung bezeichnet werden. Es
ist möglich, eine Binärziffer anzuzeigen, je nachdem das Parametron eine O-Radian-Schwingung oder
π-Radian-Schwingung ausführt. Im folgenden wird angenommen, daß die Binärziffern »0« und »1« durch
die O-Radian-Schwingung bzw. die π-Radian-Schwingung
dargestellt werden.
Ob die parametrische Schwingung eine 0-Radian-
Abb. 1 ein Bild, das schematisch ein Speicher- 40 oder eine yi-Radian-Schwingung wird, wird dadurch
element veranschaulicht, wie bei der vorliegenden Er- entschieden, daß die Phase eines dem Resonanzkreis
des Parametrons zugeführten kleinen Signals von der Frequenz / — dasselbe wird direkt vor dem Anlegen
der erregenden Welle an das Parametron zugeführt — 45 ein 0-Radian oder ein π-Radian ist. Dementsprechend
ist es möglich, eine binäre Information in Form eines eine Phasendifferenz von 180° und die Frequenz / aufweisenden
Signals zu verstärken und die Binäranzeige genau zu speichern. Das Signal wird nachstehend als
eines parametrisch erregten Resonators, der bei dem 50 Binärphasensignal bezeichnet. Das Binärphasensignal
erfindungsgemäßen Speichersystem verwendet wird, wird auch das Phasenmodulationssignal des Parametrons
genannt werden.
Das Parametron gestattet auch, verschiedene binäre Zahlenoperationen, abgesehen von der Funktion der
Verstärkung des obenerwähnten Binärphasensignals, durchzuführen; jedoch wird auf die Beschreibung
solcher Funktion hier verzichtet, da sie für die vorliegende Erfindung unwesentlich ist.
Es ist bekannt, daß ein Speicherelement, wie ein
Abb. 7 die Magnetisierungskurve eines Magnet- 60 Induktor mit ferromagnetischem Kern oder ein ferrokernes
zur Erläuterung der Arbeitsweise des Speicher- elektrischer Kondensator, mit Hysteresischarakter eine
systems gemäß der Erfindung, Binärzifrer entsprechend der remanenten magnetischen
Abb. 8 ein Schaltschema eines anderen Beispiels oder elektrischen Induktion speichern kann. Im all-
- eines Speichersystems gemäß der Erfindung, gemeinen besitzt eine ferromagnetische Substanz
Abb. 9 ein Schaltschema zur Erläuterung eines 65 Hysteresischarakter bezüglich des magnetischen
Wenn die, wie oben beschrieben, im Speicherelement gespeicherten Signale entnommen werden sollen, wird
ein Wechselstrom von konstanter Frequenz und konstanter Phase an den mit dem Speicherelement gekoppelten
elektrischen Leiter zugeführt, um in dem anderen mit dem Speicherelement gekoppelten Leiter
zweite Harmonische zu bilden, deren Phasen je nach Art des gespeicherten Signals um 180° gegeneinander
verschoben sind.
Die Erfindung ist in bezug auf ihren Aufbau, ihre Konstrüktionsweise, ihre Arbeitsweise und Vorteile in
der Beschreibung und den Zeichnungen erläutert. Hierin stellt dar
findung verwendet wird,
Abb. 2 eine Magnetisierungskurve (5-if-Kurve)
eines Magnetkernes, die zur Beschreibung des Aufzeichensystems gemäß der Erfindung dient,
Abb. 3 ein Schaltschema zur Veranschaulichung der Anlage, bei welcher das erfindungsgemäße Speichersystem
benutzt ist,
Abb. 4 ein Schaltschema einer Ausführungsform
Abb. 5 Wellenformen zur Erläuterung des Speicherverfahrens gemäß der Erfindung, worin i, H und t den
.Signalstrom bzw. die Magnetfeldstärke bzw. die Zeit bezeichnen,
Abb. 6 Wellenformen zur Erläuterung des Wiedergabeprinzips gemäß der Erfindung, worin i, e, H und t
den Signalstrom bzw. die induzierte Spannung bzw. die magnetische Feldstärke bzw. die Zeit bezeichnen,
em
weiteren Beispiels,
weiteren Beispiels,
Abb. 10 Wellenformen zur Erläuterung des zweiten Speichersystems gemäß der Erfindung, worin i, H
und t den Signalstrom bzw. die magnetische Feldstärke und die Zeit bezeichnen,
Feldes H und der magnetischen Induktion B1 wie aus
Abb. 2 hervorgeht, und eine ferroelektrische Substanz besitzt ebenfalls Hysteresischarakter ähnlich demjenigen
von Abb. 2, wobei das magnetische Feld// durch das elektrische Feld E ersetzt ist, ebenso die
magnetische Induktion B durch die elektrische Induktion D.
Wenn nun eine Binärziffer »1« in der Form einer Pluspolarität der Remanenzinduktion des obigen
Speicherelementes gespeichert wird, dann wird die Binärziffer »0« in Form einer Minuspolafität der Remanenzinduktion
gespeichert.
Andererseits kann ein Parametron eine Binäranzeige in Form einer Phasendifferenz von 180° (mit anderen
Worten in Form einer Polaritätsänderung des Signals) -vermitteln.
Dementsprechend bezieht sich die Erfindung auf die •direkte Aufzeichnung einer remanenten Induktion im
Speicherelement mittels eines am Ausgang eines Parametrons erhaltenen Binärphasensignals und auf das
Verfahren zur Wiedergabe der Polarität der remanenten Induktion des Speicherelementes in Form
■eines Binärphasensignals. Beide Verfahren lassen sich leicht durchführen, indem ein Wechselstromsignal mit
"konstanter Phase und konstanter Frequenz auf das Speicherelement gegeben wird.
Jedoch ist es nicht immer erforderlich, beide vorerwähnten Verfahren in kombinierter Form anzuwenden.
Es ist beispielsweise möglich, die Aufnahme mittels eines Gleichstroms durchzuführen und nur die
Wiedergabe im erfindungsgemäßen Verfahren stattfinden zu lassen; die Umkehrung hiervon ist ebenso
möglich.
Das Speicherelement, das bei dem erfindungsgemäßen System verwendet wird und in Abb. 1 dargestellt
ist, setzt sich zusammen aus einem kleinen ringförmigen Magnetkern 1 aus ferromagnetischem
Material, wie Ferrit, und zwei elektrischen Leitern 2 und 3, die mit dem Kern verbunden sind. Wenn ein
Strom oder mehrere Ströme durch einen oder beide Leiter 2 und 3 fließen, ergibt sich eine Magnetisierungskurve
entsprechend den Kurven 4t und 42 in
Abb. 2. Die Form des Kerns 1 und die Zahl der mit ■dem Kern verbundenen Leiter kann beliebig gewählt
werden. Ferner kann auch als Signalspeicherelement ■ein Kondensator verwendet werden, der Elektroden
auf beiden Seiten einer ferroelektrischen Platte, etwa aus Bariumtitanat, besitzt. Ein derartiges Element hat
■ebenfalls Hysteresischarakter bezüglich seiner elektrischen
Feldstärke E, die zwischen die Elektroden "beiderseits des Elementes gelegt wird, und der elektrischen
Induktion D der ferroelektrischen Platte.
Es ändert sich in dem oben beschriebenen Speicherelement die restlich verbleibende Induktion entsprechend
der Hysteresisschleife, wenn sich das angelegte Feld ändert.
Abb. 3 zeigt eine Vielzahl von Magnetkernen in 'Matrixform angeordnet, und die Leiter 5 und 6 sind
so mit den Magnetkernen in den Zeilen und Kolonnen verbunden, daß bei jeder Kreuzung zwischen den
Leitern 5 in den Zeilen und den Leitern 6 in den Kolonnen ein Speicherelement gebildet wird.
Die Leiter 5 in den Zeilen sind mit den Wählern 7 und die Leiter 6 in den Kolonnen mit der Quelle 8 der
•die Information darstellenden Signale elektrisch verbunden.
Soll die Speicheranlage bei einer elektronischen Rechenmaschine verwendet werden, so entspricht die
Quelle 8 einem Speicherregister von Binärziffern. Dieses Register 8 besteht aus, Parametrons 9. Die Zahl
■der Parametrons wird so gewählt, daß sie gleich der Zahl der Leiter 6 ist. Der Aufbau jedes der Parametrons
9 ist in Abb. 4 veranschaulicht. Das Parametron setzt sich zusammen aus zwei ringförmigen
^Magnetkernen 10 und 10 a aus ferromagnetischem Material, zwei Paaren Primärspulen und zwei Paaren
Sekundärspulen, wobei jedes Paar der Primär-, und Sekundärspulen auf je einem der Kerne, gewickelt ist;
dabei sind die zwei Primärspulen mit entgegengesetztem Wicklungssinn und die zwei Sekundär spulen
mit gleichem Wicklungssinn seriengeschaltet, und die beiden Sekundärspulen liegen in Parallelschaltung mit
einem Kondensator 11.
Wenn nun die Resonanzfrequenz des Resonanzkreises
aus den Sekundärspulen und dem Kondensator 11 etwa / beträgt und eine Gleichstromyorspannung
und ein Erregerstrom mit einer Frequenz-2/ an die
Primärspulen 13 bzw. 13 a gelegt wird, so ändert sich die Resonanzfrequenz des Resonanzkreises mit der
Frequenz 2f infolge des nichtlinearen Charakters der Kerne 10 und 10 a, und es kann eine Frequenz / parametrisch
im zweiten Resonanzkreis induziert werden. Die Phase der Schwingung ist eine der beiden um 180°
voneinander abweichenden Phasen, z.B. O-Radian und π-Radian. Wenn nun gleichzeitig mit oder kurz vor
dem Anlegen des Erregerstromes mit der Frequenz 2/ an die Primärspulen an den Sekundärresonanzkreis ein
sehr kleiner Eingangssignal-Wechselstrom (Phasenmodulationssignal) mit einer Phase von nahezu
O-Radian und einer Frequenz / gelegt wird, wird
die Phase der Schwingung gleich 0-Radian. Wenn andererseits die Phase des Eingangssignalsstromes
etwa π-Radian beträgt, wird die Phase der Schwingung gleich π-Radian.
Der Verstärkerfaktor des Parametrons (d. h. das
Verhältnis der Amplitude der erzeugten Schwingung zur Amplitude des Phasenmodulationssignals) kann
sehr groß gemacht werden, und eine Verstärkung von etwa 40 Decibel ist leicht zu erzielen. In dem Kreis
nach Abb. 4 wird das eine Paar Klemmen 12 und 12 α als Eingangs- oder Ausgangsklemmen verwendet, je
nachdem eine Erregerwelle zugeführt wird oder nicht. Wenn nämlich eine Erregerwelle nicht zugeführt wird,
erhält das Parametron das Phasenmodulationssignal von den Klemmen 12 und 12 a, und wenn eine Erregerwelle
zugeführt wird, wird die Schwingung des Parametrons diesen Klemmen entnommen. Um die Zeichnungen
zu vereinfachen, werden die an den Erregerklemmen
13 und 13 a der Parametrons (Abb. 4) Hegenden Erregerkreise in den übrigen Zeichnungen
nicht aufgeführt, da sie zur Erläuterung der Wirkungsweise von Parametrons nicht wesentlich sind.
In der Vorrichtung nach Abb. 3 ist jeder Leiter 6 in jeder Kolonne an die Ausgangsklemmen des zugehörigen
Parametrons 9, wie oben beschrieben, geschaltet, und der Kreiswähler 7 hat die Funktion, einen
der Leiter 5 in den Linien zu wählen und diesem gewählten Leiter einen Wechselstrom mit einer Frequenz
-^- zuzuführen. Die Resonanzfrequenz und die
Erregerfrequenz des Parametrons und die Frequenz des Wechselstromsignals, das den Leitern 5 vom
Wähler 7 her zugeführt werden soll, können so gewählt werden, daß sie z.B. 1 bzw. 2 Megahertz bzw.
500 Kilohertz betragen. ·
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem eine aus mehreren Binärziffern bestehende Zahl auf
dem Zifferspeichersystem nach Abb. 3 gespeichert wird, wird nachstehend beschrieben. Es wird auf die
Eingangsklemmen 12 und 12a jedes Parametrons 9 ein Informationssignal durch einen Binärphasen-Steuerstrom
mit einer Frequenz f, die gleich der Schwingungsfrequenz des Parametrons 9 ist, in der Weise gegeben,
daß 0 oder 1 jeder Binärziffer der Zahl 0-Radian oder π-Radian der Phase des Binärphasen-
Steuerstromes entspricht« Dementsprechend wird, Wenn die aufzunehmende Zähl 00101 lautet, ein Binärphaseh-Eingärigssignäl
von O-Radian dem ersten, zweiten und vierten Pärärnetfon Q1, 92 und 94J und ein
Birtärphäsen-Eingängssignäl vöfi ^Radian dem dritten
Und fünften Parametron 93 üiid 94 zugeführt. Gleich'
zeitig mit oder wenig später nach dem Zuführen der Eingangssignale wird ein Erregerström mit einer Frequenz
2/ an jedes Parametron gelegt; um dieses in den
Sehwingungszüstand zu bringen. Wie oben erläutert, wird die Schwingürigsphäse jedes Parametrons durch
die Phase des Eiügängssignäls gesteuert, wobei den Leitern 6, die jeweils aft die Ausgangsklemmen jedes
Parametrons angeschlossen sind, ein verstärkter Wechselström von derselben Frequenz und derselben
Biriärphasej Wie sie das Eingangssignal besitzt zugeführt
wird: Wenn er erwünscht ist, die Zahl 00101 in den Magnetkern Ip I2, I3, I4 und I3 in der dritten
Zeile von unten aufzunehmen; ist es erforderlich, den Leiter 53 mittels des Wählers 7 gleichzeitig mit dem
obenerwähnten Vorgang zu wählen und dem Leiter 53
eine Hilfsschwingung mit der Frequenz ~- zuzuführen.
Als Wähler 7 kann ein Röhrenmodulator verwendet
werden, oder der Wähler kann aus einer Gruppe Parametrons
bestehen, die parametrisch mit der Frequenz -—
schwingen, wenn sie mit einem Wechselstrom mit der Frequenz f beaufschlagt werden. Die Wellenform des
an den Leiter S3 -vom Wähler 7 her zu legenden
Stromes der Hilfsfrequenz weist eine konstante Phase
und die Frequenz -y nach Abb. 5 (a) auf.
Die binärphasigen Signalströme, die von den Parametrons
des Registers 8 her getrennt auf die Leiter 6 gelangen, haben jeweils eine der beiden Wellenformen
nach Abb. 5 (fr) Und (c) entsprechend der Phase. Die
Abb. 5 (fr) zeigt nämlich die Wellenform eines O-Rädiansignäls und Abb. 5 (e) des π-Radiansignals.
Die Phase dieses Aufzeichensignäls ist so, daß die Phase der maximalen Amplitude der Hilfsfrequenz
praktisch mit der Phase der maximalen Amplitude des Binärphaserisighäls zusammenfällt, wie aus Abb. 5 (4)
hervorgeht.
Weiül nun entsprechend der Zahl 00101 der
Wechselstrom mit einer' Phase nach Abb. 5 (&.) auf die
Leiter O1, 62 und 64 in der 'ersten, zweiten und vierten
Kolonne von lihks und ein Wechselstrom mit der Phase
nach Abb. 5 (C) an die Leiter 63 und 65 in der dritten
und fünften Kolonne von links gelegt wird, erhalten 'die Magnetkerne I1, I2 und I4, 'die mit dem Leiter S3
Verbunden sind, zwei Arten von Wechselströmen nach Abb. S (a) und
<(b), und den Magnetkernen I3 und I5
werden zwei Arten von Wechselströmen nach Abb. 5 (α) und (c) zugeführt. Dementsprechend wirken
auf die Magnetkerne Ii1-, I2 und I4 die Magnetfelder
mit Wellenformen nach Abb. :5'(d) und auf 'die
Kerne I3 und I5 diejenigen nach Abb. 5'(<?).
Es wird nun angenommen, daß zwischen der' magnetischen
Feldstärke H und :def magnetischen Induktion
B der ferfömägrietischen Kerne 1 die
HysteresisveThältnisse ehtsprechen'd den Kurven A1
und 42 in Abb. 2 bestehen und der Magnetkern 14 Z5U-vör
auf die -remänente "magnetische Induktion rent-■sprechend
de'm Punkt 14 in Abb. 2 magnetisiert wurde. Wenn dann der Magnetkern I4 der Wirkung des Magnetfeldes
mitder Wellenföim nach Abb. 5 (ei) unterliegt,
indem der binärphäsige Sigrialstrom und der
Stromder HiWsfrequenz angelegt werden, pendelt die
magnetische Induktion des Kernes I4 längs der Magnetisierüng'skurve,
die durch die geschlossene Kurve 15 in Abb. 2 dargestellt ist, Wenn die Signalströme
aufhören, stellt dementsprechend der Magnetkern seine magnetische Restindüktion entsprechend dem Punkt 14
5 oder einem diesem benachbarten Punkt wieder her. Wenn andererseits der Magnetkern 14 zuvor so magnetisiert
wurde, daß die magnetische Induktion entsprechend dem Punkt 16 in Abb. 2 aufrechterhalten
wird, und ihm zusätzlich ein Strom der Hilfsfrequenz
ίο Und ein Binärphasen-Signalstrom zugeführt wird, steigt
die magnetische Induktion des Kernes sukzessive längs der Spiralkurve 17 der Abb, 2 an. Hört die Wirkung
der Ströme auf, so erhält der Kern I4 die magnetische-Restinduktion
entsprechend dem Punkt 14 oder einem dem Punkt 14 benachbarten Punkt, wie im obenerwähnten
Falle.
Wie aus obigem erhellt; erhalten die Magnetkerne I1, I2 und I4, die Unter der Wirkung der Magnetfelder nach Abb, 5 (d) stehen, einen Magnetismus,,
so wie er durch den Punkt 14 in Abb. 2 bezeichnet wird,,
ungeachtet der Polarität der magnetischen Restinduktiön, die den Kernen zuvor erteilt wird,
In gleicher Weise erhalten die Magnetkerne I3 und.
I5, die nach Abb. 5 (e) unter der Wirkung des Magnetfeldes
standen eine magnetische Restinduktion entsprechend dem Punkt 16 in Abb. 2. Dies bedeutet, daß
die Magneakerne I1J I2, I3, I4 und I5, die mit dem.
Leiter 53 gekoppelt sind, welchem eine Hilfsschwingung vom Wähler 7 zugeführt wird, jeweils einen den.
Punkten 14 bzw. 14 bzw. 16 bzw. 14 bzw, 16 entsprechenden Magnetismus erhalten. Jede der Polaritäten
der magnetischen Restinduktion der Magnetkerne entspricht der zugehörigen Ziffer der Zahl 00101.
Während des obenerwähnten Aüfzeichenvorganges der Vorrichtung nach Abb. 3 Werden unter Berücksichtigung,
daß die Parametrons mit Ausnahme der obenerwähnten fünf 9j, 92, 93; 94 und 95 nicht erregt
werden, den übrigen Magnetkernen außer den obenerwähnten fünf I1, I2, I3, I4 und I5 Ströme wie folgt
zugeführt:
Die mit den Leitern der Kolonnen 6V 62, 6gJ 64, 65
verbundenen Magnetkerne erhalten die binärphasigen Signalströfne, von denen jeder die Wellehformen nach
Abb. 5 (b) und (c) aufweist, und nur die mit dem
Leiter 53 verbundenen Magnetkerne empfangen den
Strom der Hilfsfrequenz mit der Wellenform nach Abb. 5(a), während an die übrigen Kerne kein Strom,
gelegt wird.
Da die Wellenformen der obenerwähnten Ströme in bezug auf die Nullinie alle symmetrisch sind, können,
keine magnetischen' Restinduktionen in den obenerwähnten magnetischen Kernen erzeugt werden. Auch
wenn die obenerwähnten Signalströme sehr stark gemacht wurden, so daß die Induktion beträchtlich de-
magnetisiert wird, würde die Polarität der Rest-.; induktion infolge der Symmetrie der Wellenform nicht
geändert. Diese Tatsache wurde an Hand verschiedener Materialien niit Hysteresischärakter experimentell bestätigt.
..,··■■.-
So Wie aus Obigem erhellt, kann die Aufzeichnung
einer Binärinformation nur auf solchen Magnetkernen ■erfolgen, denen der Strom der Hilfsschwingung mit
der Frequenz γ und der binärphäsige Signalstrom der
B5 Frequenz f__ zusammen -zugeführt werden, und die
Polaritäten der magnetischen Restinduktionen der
übrigen Kerne Werden nicht geändert.
Daher weist 'das Obenerwähnte Aufnahmeverfahren
:gemäß der Erfindung die folgenden' beiden Vorteile
•70 im Vergleich zu dem allgemein verwendeten Ver-
t 067 061
ίο
fahren, unter Verwendung von Gleichströmimpulsen
auf: ·
1. Der größere Toleranzbereich der Ströme. Der richtige Wert der im Aufnahmeverfahren verwendeten
Ströme ist nicht so entscheidend/ · r. -.--.
2. Eine zuverlässige Aufnahme von .Binärziffern -' kann auch erfolgen, wenn die Hysteresiskurve der
Magnetkerne von der streng, rechteckigen· Form sehr verschieden ist. >
Im folgenden wird der Vorgang der Wiedergabe, d. h. des 'Ablesens des in den Magnetkernen 1 nach
Abb. 3 gespeicherten Signals, erläutert. ..-..- :
Das Wiedergabesystem kann immer in dem Falle Anwendung finden, wo Signale in Magnetkernen o'der
ferroelektrischen Körpern mit Hysteresischärakter entsprechend der positiv oder negativ polarisierten Polarität
des Kernes oder Körpers gespeichert werden. Dies bedeutet, daß die zur Aufzeichnung der wiederzugebenden
SignäleverwendetenSysteme, sofern sie nur eine solche Speicherung· bewirken, beliebig- sein
können. '■-'■' ·' i^-: : - · — /
Wenn "jedoch gemäß dem obigen System eine Signalaufzeichnung·
unter Benutzung des · Wählers 7: und Pärametronregisters 8 erfolgt, kann man sich dieser
beiden ."Vorrichtungen auch zur- Wiedergabe von Signalen
bedienen. .-'■'"
' "Es wird nun angenommen, daß die zuvor Jn den
Kernen I1 bzw; I2 bzw.l3 :bzw. I4 bzw.. Ij gespeicherte
Zähl 00101 wiedergegeben werden soll.; ■ : ' · ■ >■
Der Wähler wählt nun den Leiter 5g, undeineHilfsschwingung
in der Form eines Wechselstromes mit der
Frequenz, -γ wird dem gewählten Leiter zugeführt. Der
Strom" der Hilfsschwingung ist in Abb.'o (α): veranschaulicht
und gleicht vollständig; dem Strom der Hilfsschwingung nach Abb.· 5 (a).: -Der 'Strom-, der
Hilfsschw'ingung nach Abb. 6 (α) '"wird an- die mit dem Leiter ;53 gekoppelten Magnetkerne gelegt. Dann
schwingen die magnetischen Induktionen-1? der Magnetkerne
I1, I2 -und I4, ■ die bis:-zum ■ Punkt 14 in
Abb. 7 auf magnetisiert wurden, längs der- durch die
geschlossene Kurve 18 in Abb. 7 bezeichneten Stelle.
Die Kurve 18 hat eine flachere Schleife -im:.positiven
Teil des--magnetischen Feldes H und ■ eine ; steilere
Schleife im. negativen Teil. Dementsprechend wird- in
jedem der Leiter O1, : 62 und 64, die mit den Magnetkernen
I1 bzw.-I2 bzw. I4 gekoppelt sind, eine-verzerrte
EMK induziert, wie sie in,Abb. 6(5) dargestellt
ist.· ·■ '·■■'..■'.. ..· .: ··.·· .-.■■..'·
■ Die genannte verzerrte EMK enthält die zweite harmonische
Komponente mit der Phase nach Abb. 6 (c), d h. die EMK mit der Frequenz /. Andererseits wird
den Magnetkernen I3 und I5 ein Magnetismus entsprechend
dem Punkt 16 in Abb. 7 mitgeteilt. Dementsprechend wird in jedem der Leiter 63-und 6S, die mit
den ■' erwähnten Kernen gekoppelt sind, eine weitere verzerrte EMK (nicht gezeichnet) induziert, in der die
zweite harmonische Komponente der genannten,EMK eine zu derjenigen nach Abb. 6 (c) umgekehrte Phase
aufweist. Die in den Leitern 6 induzierten Ströme werden den Parametrons 9 des Registers 8 nach Abb. 3
zugeführt. Da die: Parametrons einen Resonanzkreis mit einer Frequenz nahebei·/ bilden, werden die obenerwähnten
harmonischen Komponenten selektiv den Parametrons aufgeprägt. ' :
Wenn dementsprechend jedes der Parametrons 9 einen Erregerström mit der Frequenz 2 / gleichzeitig
mit dem oder wenig später nach dem Anlegen des Stromes der Hilfsschwingung an den Leiter 53 erhält,
wird die Schwingungsphase durch die Phase der in der im Leiter 6 induzierten, .verzerrten EMK, enthaltenen
zweiten harmonischen .Komponenten gesteuert. Da die
Phase der in den -Leitern O1, 62 und 64 induzierten
Sitrömeder Frequenz ^umgekehrt zu derjenigen der in
den Leitern 63 und 65 induzierten -Ströme der Frequenz / ist, erzeugen die Parametrons 9V 92 und 94
eine Schwingung mit der Phase von 0-Radian, die,eine
Binärziffer »0« darstellt, und die Parametrons 93 und 95 erzeugen eine Schwingung mit einer.Phase von
ζε-Radian, die eine Binärziffer» 1« bezeichnet, wodurch
die zuvor gespeicherte Zahl OOiOl wiedergegeben wird, und die Ausgangswelle des Parametrons kann von den
Klemmen 12 und 12 a zu einer arithmetischen oder sonstigen Einheit einer elektronischen Rechenmaschine
übermittelt werden. . : / / .......
-Die Ausgangsströme der ..parametrons 9 werden
nicht nur den Klemmen 12 Und; 12 α -entnommen, sondern fließen'auch in die Leiter 6. Dementsprechend
empfangen die Magnetkerne I1^ I2,-13,; I4 und I5die
binärphasigen-Sphwingungsausgangsströme.der Parametrons 9 über die Leiter 6 und den Strom der.Hilfsschwingung
nach Abb. 6 (a) über den Leiter 53.
Dies bedeutet, daß die Ströme in den Leitern 5 und 6 vollkommen gleich dem Strom nach Abb. 5(a), (b)
oder (c) sind, der zur Aufnahme des Signals diente.
Daher wirkt ein Magnetfeld. von der Wellenform
nach Abb. 5 (rf).oder (e) auf dieMagnetkerne.l^, I2,13,
I4 und I5, und die soeben wiedergegebene Zahl 00101
.wird wiederum in dieselben Kerne aufgenommen,, mit
anderen ,Worten, es wird ganz automatisch ein Regenerationsprozeß durchgeführt.,, Selbst wenn ::dahe.r. aus
irgendeinem Grunde, wie infolge Auftretens des Ablesesignals mit zu großer Stärke, die.remanente magnetischeInduktion-so
verringert -wird, -daß sie einen dem Punkt .19 der Abb. 7 entsprechenden Wert einnimmt,
während sie bei .einem Werte "entsprechend den Punkten
14 oder .16 liegen' sollte, nimmt sie von selbst.wieder
durch Durchlaufen der, spiralförmigen Arbeitskennlinie 20 bzw. 20a ihren normalen Wert.wieder an: ■·.- ■
.40 AVie aus obigem erhellt, erfolgt bei dem .obenerwähnten Wiedergabeverfahren nach der Erfindung keine
Zerstörung der gespeicherten1 Information, und ein besonderer
Regenerationsvorgang ist:nicht .erforderlich. Dieser Prozeß geht automatisch vor-sich, ;ohne:beson^
4.5 dere Mittel zu seiner Durchführung zu erfordern; - :
' :Das obenerwähnte Wiedergabeverfahren ..gemäß „der
Erfindung besitzt die folgenden Vorteile im Vergleich zu dem: gewöhnlich benutzten Verfahren unter /Verwendung
von Gleichstromimpulsen::; _rr .-r. ■: :r.. r
1. Die zerstörungsfreie Speicherablesung beim Wiedergabevorgang.
Es sind keine besonderen Mittel für '' die Regeneration erforderlich. . . :. ·..-·. .
2. Hoher Störabstand, denn das ,Wiedergabesignal,
welches auf die Speicherelemente.gegeben wird; um die Polarität der Restinduktion wiederzugeben, hat
. - ■■- eine von der Frequenz/ des wiedergegebenen Binär-
phasensignals verschiedene Frequenz ^-. Daher
können'·diese beiden Signale mittels,eines. Filters
vollständig.getrennt werden, und ein .hoherrStörabstand
wird somit erhalten.. .. ..,- '. .-■-.-.
3. Eine genaue und zuverlässige/Wiedergabe, kann . auch . erfolgen, wenn die Hysteresiskurven der
Speicherelemente von der streng rechteckigen Form . stark abweichen. . .-. .-. : . '.■'■
■ Bei vorgenommenen Versuchen unter/.Verwendung
eines ringförmigen Magnetkernes aus Kupferzinkferrit mit einem Innendurchmesser von 2 mm, einem. Außendurchmesser von 4,mm und einer Dicke.von lmm, wobei
die Hysteresiskurve des Kernes von der recht-
909 638/237
schoben wird. Umgekehrt jst es jedoch möglich, den
Strom oder die Spannung mit der Frequenz —- als Informationssignal
um den Strom oder die Spannung"
5 der Frequenz f als Hilfsschwingung zu verwenden.
Natürlich" ist es im letzteren Falle erforderlich, die Phase des Stromes oder der Spannung mit der Frequenz
-~ um 90° entsprechend der Information zu ver-
Leiter 25 ist mit allen 100 Magnetkernen gekoppelt. Die Signalquelle 24 umfaßt ein Parametron und
kann einen Wechselstrom, der Frequenz ^1 liefern,
25 dessen Phase um 180° entsprechend dem zugeführten Informationssignal verschoben werden kann, so daß
beim Aufzeichenvorgang ein Wechselstrom mit einer Frequenz von ft an den Leiter 25 gelegt wird, dessen
Phase 0-Radian oder π-Radian ist. Wenn andererseits
eckigen Form sehr verschieden war, wurden zwei
Wechselströme von 1 Megahertz und 500 Kilohertz für
die Aufnahme verwendet. Auch wenn die Stärke der
Ströme jeweils " zwischen 200 mA/Windung und
500 mA/Windüng schwankte, wurde eine magnetische
Restinduktion erhalten, die genügend lange Zeit bestehenblieben. Bei der Wiedergabe der aufgenommenen Signale, wenn ein Magnetfeld zwischen 30OmA/
Windung/cm und 500 mA/Windung/cm dem Magnetkern mittels eines Stromes der Hilfsschwingung von 10 schieben.:.. ; 500 Kilohertz mitgeteilt wurde, wurde die zweite har- . Im nachstehenden wird ein weiteres System bemonische Spannung von etwa 15 mV/Windung er- schrieben, in welchem Signale durch Speicherelemente halten. Fs bestätigte sich auch, daß der sehr wirksame der erörterten Art aufgenommen werden können, in- und genaue Speicher- und Äblesevorgang durch Ver- dem Strom oder Spannung mit Binärphasen verwendet Wendung der Vorrichtung nach Abb. 3 erzielt werden 15 werden.
Wechselströme von 1 Megahertz und 500 Kilohertz für
die Aufnahme verwendet. Auch wenn die Stärke der
Ströme jeweils " zwischen 200 mA/Windung und
500 mA/Windüng schwankte, wurde eine magnetische
Restinduktion erhalten, die genügend lange Zeit bestehenblieben. Bei der Wiedergabe der aufgenommenen Signale, wenn ein Magnetfeld zwischen 30OmA/
Windung/cm und 500 mA/Windung/cm dem Magnetkern mittels eines Stromes der Hilfsschwingung von 10 schieben.:.. ; 500 Kilohertz mitgeteilt wurde, wurde die zweite har- . Im nachstehenden wird ein weiteres System bemonische Spannung von etwa 15 mV/Windung er- schrieben, in welchem Signale durch Speicherelemente halten. Fs bestätigte sich auch, daß der sehr wirksame der erörterten Art aufgenommen werden können, in- und genaue Speicher- und Äblesevorgang durch Ver- dem Strom oder Spannung mit Binärphasen verwendet Wendung der Vorrichtung nach Abb. 3 erzielt werden 15 werden.
könnte, in welcher 1024 der obenerwähnten Cu-Zn- Gemäß Abb. 9 sind 100 Magnetkerne als Schalt-
Ferrit-Kerne in Matrixform auf 32 Zeilen und 32 Ko- matrix bestehend aus 10 Zeilen und 10 Kolonnen anlonnen
angeordnet wurden, trotzdem die Kerne so un- geordnet, und die Leiter 5 und 6 sind jeweils mit den
günstige und uneinheitliche Eigenschaften hatten, daß magnetischen Kernen in Serie gekoppelt und die Kosie
sich selbst für die Herstellung von Parametrons 20 lonnen sind mit den Wählern 22 bzw. 23 gekoppelt,
nicht eigneten. Der mit der Informationssignalquelle 24 verbundene
In Abb. 8 ist eine Zifferspeichervorrichtung dargestellt, in welcher ferroelektrische Kondensatoren mit
Hysteresischarakter als Speicherelemente verwendet werden.
r Ein einzelner Bariumtitanitkristall in Plattenform
eignet sich für diese Zwecke. Es können andere ferroelektrische Körper, welche elektrische Restinduktion
•hervorbringen können, als Material verwendet werden.
In Abb. 2 hat, wenn die magnetische Feldstärke H und 3° irgendein Signal in einem Magnetkern I6 aufgezeich- :die magnetische Induktion durch die elektrische Feld- net werden soll, werden die Leiter 54 und 66 durch die stärke E und die elektrische Induktion D ersetzt wer- Wähler 22 und 23 ausgewählt, und an sie werden den, die obenerwähnte ferroelektrische Substanz einen Ströme der Hilfsschwingung mit den Frequenzen/2 Hysteresischarakter ähnlich der durch die Kurven ^1 bzw. /3 gelegt. Jedoch ist es in diesem Falle erforderuhd 42 in Abb. 2 dargestellten. Je mehr sich die ge- 35 Hch, die BeziehungZ2-Z3=Z1 zwischen den Frequenzen nannte Hysteresisschleife der rechteckigen Form f2 und Z3 aufrechtzuerhalten, nähert^ desto genauer wird die Arbeitsweise. Gemäß
der vorliegenden Erfindung kann auch eine praktisch
genügend genaue Arbeitsweise erreicht werden, wenn
die Hysteresisschleife merklich von der Rechteckform 4°
abweicht.
eignet sich für diese Zwecke. Es können andere ferroelektrische Körper, welche elektrische Restinduktion
•hervorbringen können, als Material verwendet werden.
In Abb. 2 hat, wenn die magnetische Feldstärke H und 3° irgendein Signal in einem Magnetkern I6 aufgezeich- :die magnetische Induktion durch die elektrische Feld- net werden soll, werden die Leiter 54 und 66 durch die stärke E und die elektrische Induktion D ersetzt wer- Wähler 22 und 23 ausgewählt, und an sie werden den, die obenerwähnte ferroelektrische Substanz einen Ströme der Hilfsschwingung mit den Frequenzen/2 Hysteresischarakter ähnlich der durch die Kurven ^1 bzw. /3 gelegt. Jedoch ist es in diesem Falle erforderuhd 42 in Abb. 2 dargestellten. Je mehr sich die ge- 35 Hch, die BeziehungZ2-Z3=Z1 zwischen den Frequenzen nannte Hysteresisschleife der rechteckigen Form f2 und Z3 aufrechtzuerhalten, nähert^ desto genauer wird die Arbeitsweise. Gemäß
der vorliegenden Erfindung kann auch eine praktisch
genügend genaue Arbeitsweise erreicht werden, wenn
die Hysteresisschleife merklich von der Rechteckform 4°
abweicht.
Die Zifferspeichervorrichtung nach Abb. 8 setzt sich zusammen aus einer Platte von Bariumtitanitkristall
und parallel angeordneten leitenden Bändern 5 und 6,
die sich senkrecht zueinander kreuzen und jeweils beid- 4-5 quenzen Z2 und Z3 über die Leiter 54 und 66 gelegt werseitig
der Kristallplatte angeordnet sind. Die Bänder 5 den. Dann überlagern sich die in dem Magnetkern I6
sind auf einer Seite der Kristallplatte angebracht und durch die beiden Wechselströme erzeugten Magnetrnit
dem Wähler 7 verbunden. Die anderen parallelen felder, wodurch ein resultierendes Magnetfeld mit
Bänder 6 dienen als Signalquelle für den Aufnahme- einer Wellenform nach Abb. 10 (c) erhalten wird.
Vorgang und sind mit den Parametrons 9 im Register 8 50 Diesem pulsierenden Magnetfeld wird ein Magnetfeld
verbunden, welches als Verstärker wirkt. überlagert, das durch den an den Leiter 25 gelegten
Informationssignalstrom erzeugt wird, wobei die Frequenz Z1 des Informationsstromes gleich der Frequenz
(/2 —Z3) der Schwebungswelle zwischen den zwei
55 Wechselströmen der Frequenzen Z2 und Z3 ist. Wenn
daher die Vorrichtung so eingestellt wird, daß die Phase der maximalen Amplitude der genannten
Schwebungswelle nach Abb. 10 (c) mit der Phase der minimalen Amplitude des Magnetfeldes infolge des
dienen, ausgenommen, daß die Wellen nach Abb. 5 (α), 6o Informationssignalstromes nach Abb. 10 (a) zusammen-(&)
und (c) und Abb. 6 (α), (&) und (c) durch Span- fällt, erhält die resultierende Welle der beiden pulsierenden
Magnetfelder die Form nach Abb. 10 (d). Wenn ferner der Informationssignalstrom die Phase nach
Abb. lO'(fe) annimmt, erhält die resultierende Welle
Abb. 10 (o) und (&) veranschaulichen die Wellen der
binärphasigen Anzeigesignalströme, die an den Leiter 25 gelegt werden.
Wie oben beschrieben, besteht eine Phasendifferenz von 180° zwischen den Wellen (α) und (b).
Es wird angenommen, daß an den Magnetkern I6
ein binärphasiger Informationssignalstrom nach Abb. 10 (a) oder (b) und die AVechselströme der Fre-
Jede der Kreuzungen zwischen den Leitern 5 und 6 bildet einen Kondensator 21, der eine ferroelektrische
Substanz aus Bariumtitanit enthält. Dieser Kondensator dient als Einheitsspeicherelement.
Auf eine genaue Beschreibung der obenerwähnten Zifferspeichervorrichtung kann hier verzichtet werden,
da diese Beschreibung vollkommen derjenigen entspricht, bei der magnetische Kerne als Speicherelemente
nungswelien und die Wellen in Abb. 5 (d) und (e) und
Abb. 6(d) durch die Wellen der elektrischen Felder
ersetzt werden.
Bei diesem Aufzeichensystem wird angenommen, 65 die Form nach Abb. 10 (e). Wie aus der Zeichnung
daß eine bestimmte konstante Phase dem Strom oder klar hervorgeht, sind die obenerwähnten beiden Arten
der resultierenden Magnetfelder nicht dieselben in ihren positiven und negativen Amplituden.
Dies bedeutet, daß, wenn der Informationssignal-
der Spannung der Frequenz ·— erteilt wird und. die
Phase des Stromes oder der Spannung der Frequenz /
entsprechend dem Informationssignal um 180° ver- 70 strom die Phase nach Abb. 10 (ö) annimmt, die nega-
tive Amplitude größer als die positive Amplitude ist, und wenn der Strom die Phase nach Abb. 10 (b) annimmt,
ist die positive Amplitude größer als die negative Amplitude,
Wenn andererseits die Amplituden der an die Leiter 54 bzw. 6g gelegten Ströme gleich sind und die Amplitude
des an den Leiter 25 gelegten Informationssignalstromes das Zweifache der ersteren Amplitude beträgt,
werden die negative oder positive Amplitude des pulsierenden Magnetfeldes nach Abb. 10 (d) und (e)
doppelt so groß wie die positive bzw. negative Amplitude. Wenn dementsprechend dem Magnetkern I6 mit
einer magnetischen Induktion entsprechend dem Punkt 16 in Abb. 11 zusätzlich ein Magnetfeld nachAbb. 10 (e)
erteilt wird, steigt seine magnetische Induktion längs der spiralförmigen Arbeitskennlinie 26 in Abb. 11 an,
wie in dem im Zusammenhang mit Abb. 2 beschriebenen Fall. Nach Beendigung des Aufnahmevorganges
und Aufhören der Ströme in den Leitern 54 und 66
erhält der Magnetkern die dem Punkt 14 entsprechende magnetische Induktion. Wenn andererseits die dem
Punkt 14 entsprechende magnetische Induktion vorher dem Magnetkern I6 erteilt wird, schwingt die magnetische
Induktion des Kernes nur längs der geschlossenen Kurve 27 in Abb. 11, so daß der Kern die magnetische
Induktion entsprechend dem Punkt 14 oder einem Punkt nahe diesem auch beibehält, wenn die
Ströme in den obigen Leitern aufhören. Wenn der Magnetkern I6 unter der Wirkung des Magnetfeldes
nach Abb. 10 (ei) steht, behält, der Magnetkern I6 die
magnetische Induktion entsprechend dem Punkt 16 oder einem Punkt nahe diesem in Abb. 11 bei.
Jeder andere mit dem Leiter 54 gekoppelte Magnetkern
wird durch den Strom mit der Frequenz f2 und den Strom mit der Frequenz f1 erregt. Desgleichen
wird jeder andere mit dem Leiter 66 gekoppelte Magnetkern
durch den Strom mit der Frequenz fz und den Strom mit der Frequenz ft erregt. Jedoch sind die
positiven und die negativen Amplituden des aus den beiden genannten Strömen resultierenden Magnetfeldes
dieselben, es sei denn, daß der Unterschied zwischen beiden Frequenzen relativ klein ist oder ein festes Verhältnis
zwischen den beiden Frequenzen besteht.
Alle übrigen Magnetkerne außer dem Magnetkern I6
und den obenerwähnten beiden Arten von Magnetkernen werden nur durch den Strom mit der Frequenz
fv der in dem Leiter25 fließt, erregt. Dementsprechend
kann in allen übrigen Magnetkernen außer dem Magnetkern I6 überhaupt nicht auf gezeichnet werden, und
diese erfahren keine Veränderung in ihrer zuvor bewirkten
magnetischen Induktion.
Für die Wiedergabe der in den Speicherelementen nach Abb. 9 aufgezeichneten Signale können verschiedenartige
Mittel verwendet werden. Jedoch kann zur Vereinfachung der Vorrichtung vorzugsweise das
System verwendet werden, in welchem, wie im Aufzeichenfall,
je ein Leiter durch die Wähler 22 und 23 gewählt wird und diese gewählten Leiter Ströme der
Hilfsschwingung mit den Frequenzen f2 und /3 empfangen.
In diesem Falle wird, da in den mit den obenerwähnten beiden Leitern gekoppelten Magnetkernen
ein pulsierendes Magnetfeld mit der Frequenz (Z2 - Z3)
induziert wird, eine EMK mit der Frequenz (/^-^3)
der in dem Leiter 25 induzierten EMK überlagert.
Die positive bzw. negative Amplitude des letzterwähnten
Stromes wird größer als die negative bzw. positive Amplitude desselben, entsprechend der Magnetisierungspolarität
des Magnetkernes. Dies besagt, daß die Phase der EMK-Komponente mit der Fre1
quenz {f2~fs=fi)>
die in der im Leiter 25 induzierten
EMK enthalten ist, um 180° entsprechend den gespeicherten Signalen des Magnetkernes verschoben
wird. Dementsprechend ist es möglich, das im Leiter 25 induzierte Ausgangsanzeigesignal mittels eines
Parametrons als Anzeigesignalquelle 24 zu verstärken. Ein Teil des durch das Parametron verstärkten
Stromes fließt durch den Leiter 25, so daß der Strom
eine beliebige Aufzeichenoperation im Zusammenwirken mit den Wiedergabesignalströmen in den Leitern
5 und 6 ausführen kann.
Die in Abb. 12 gezeigte Einrichtung ist eine Abwandlung
der Einrichtung nach Abb. 9, jedoch sind hier ferroelektrische Körper mit Hysteresischarakter
als Speicherelemente verwendet. In dieser Einrichtung sind die elektrischen Bänder 5 und 6 und die Speicherelemente
21 dieselben, wie sie in Verbindung mit der
Anordnung nach Abb. 8 beschrieben wurden.
In der Anordnung nach Abb. 12 wird der Ausgangsstrom aus der Signalquelle, welche der Anzeigesignal-
'20 quelle 24 in Abb. 9 entspricht, den Wählern 28 und 29 zugeführt und dann den Strömen mit den Frequenzen
f.2 und /g überlagert, die auf die Leiter 5 und 6 gegeben
werden.
In der Einrichtung nach Abb. 12 können die
Speicherelemente 21 durch Magiietkernelemente nach Abb. 1 ersetzt sein.
•; Die in Abb. 9 und 12 dargestellten Einrichtungen
unter Verwendung dreier Stromarten sind besonders leistungsfähig in dem Fall, wo die Form der Hysteresisschleife
des Speicherelementes einem: Rechteck nahekommt, ebenso bei Serien-Rechenmaschinen, bei
welchen Aufnahme- und Wiedergäbegeschwindigkeiten
verhältnismäßig langsam sind.
Wie im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen angeführt wurde, bezieht sich die Erfindung
auf ein Zifferspeichersystem, in welchem ein Speicherelement mit Hysteresischarakter als Einheitsspeicherelement
verwendet wird und die Speicherung durch Erteilung einer magnetischen Restinduktion oder elekfrischen
Restinduktion entsprechend der Binärziffer dem betreffenden Element erteilt wird, und zwar unter
Zuführen eines Bihärphaseninformationssignals und einer Hilfsschwingung von konstanter Phase uii'd Frequenz
zu dem Element. Bei der Wiedergabe des im System gespeicherten Signals wird ein bestimmter
Wechselstrom an das Element, welches auf Grund der
Restinduktion gespeichert die Information enthält, gelegt, und ein Strom der zweiten Harmonischen; mit
Phasenverschiebung um 180° entsprechend der Restinduktion in dem Element wird erzeugt, wodurch das
gespeicherte Signal wiedergegeben wird.
Daher ist es nach dem Zifferspeichersystem gemäß der Erfindung möglich, eine Aufnahmeoperation durch
direktes Übertragen der Ausgangsanzeigesignale des Parametrons auf das obenerwähnte Speicherelement
auszuführen oder eine Modulation der Schwingungsphase des Parametrons durch direktes Zuführen der
entnommenen. Signale auf das Parametron - zu- bewirken.
· ■ '■'■■■'.■■■-.·-■·
So wird eine sehr einfache Einrichtung erhalten, wenn das System bei einer elektronischen Ziffernrechenmaschine
unter Verwendung von Parametrons Anwendung findet. Jedoch kann auch durch Verwendung
von Vorrichtungen zur Umwandlung von Gleich-Stromimpulssignalen in einen Wechselstrom binärer
Phase und von Vorrichtungen zur Umwandlung eines solchen Stromes in ein Gleichstromsignal das erfin-.
dungsgemäße System bei einer anderen Ziffernrechenmaschine oder sonstigen ähnlichen Einrichtungen Nutzanwendung
finden.
Der Ausgangspunkt in der Hysteresischarakteristik der Restinduktion liegt symmetrisch. Andererseits
wird bei dem erfindungsgemäßen System das Speichern der Signale direkt gemäß der Polarität der Restinduktion
durchgeführt, ohne daß die Anzeigesignale ent- 5 sprechend der Größe der polarisierten Restinduktion
gespeichert werden.
Dementsprechend ist es möglich, die Binärinformation in vollkommen symmetrischer Form zu speichern,
so daß die Wiedergabe wirksam erreicht wird, solange die Polarität deutlich unterschieden werden kann, auch
wenn die Restinduktion abgeschwächt ist.
Claims (8)
1. Speichersystem für die Speicherung von Binärinformationen unter Anwendung einer Vielzahl
von reaktiven Speicherelementen mit Hysteresischarakter bezüglich der Induktion durch ein erregendes
elektrisches oder magnetisches Feld, bei " dem dem jeweiligen Speicherelement zur Auf zeichnung
die Binärinformation als eine etwa 180° phasenmodulierte S teuer frequenz / (Informationsfrequenz) und zusätzlich eine Hilfsschwingung zugeführt
wird, deren Phasenlage konstant ist und deren Frequenz von der vorgenannten phasenmodulierten
Informationsfrequenz verschieden ist, vorzugsweise halb so groß ist, d. h. -^- beträgt, und bei
dem zum Ablesen die Hilfsfrequenz den Speicherelementen zugeführt wird und die Informationsfrequenz
als eine phasengesteuerte Schwingung von der doppelten Frequenz der Hilfsfrequenz, d.h. von
der Frequenz / der bei der Aufzeichnung zur Anwendung gelangenden S teuer schwingung (Informationsfrequenz)
entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die dem «.Speicherelement zugeführte
und/oder die demselben entnommene Informationsfrequenz einer Parametronschaltung als Ausgangsschwingung
entnommen bzw. als Eingangsschwingung zugeführt wird, wobei die Parametronschaltung
aus einer Resonatorschaltung besteht, bei welcher Schaltelemente, die die Resonanzfrequenz
des Resonanzkreises bestimmen, durch Zuführung einer ungefähr die doppelte Resonanzfrequenz besitzenden
Erregerschwingung verändert werden und bei welcher dem Resonanzkreis die entsprechend
der Binärinformation getastete 180° phasenmodulierte Informationsfrequenz, die die
Periodizität der Resonanzfrequenz des Kreises besitzt, zugeführt wird, wobei die Informationsfrequenz
zu der ersten Halbphase der Erregerschwingung in der entsprechenden Tastphase gleich-
oder gegenphasig liegt.
2. Speichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß statt einer Hilfsschwingung von
der halben Frequenz-^- der Informationsfrequenz
zwei miteinander schwebende HilfsSchwingungen/2
und /3 zugeführt werden, deren Frequenzunterschied/2—/3
gleich der Frequenz/ der Informationsfrequenz ist.
3. Speichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsschwingung die halbe
Frequenz -^- der Schwingungsfrequeriz f des parametrisch
erregten Resonators aufweist.
4. Speichersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsschwingung
sich aus zwei Sinuswellen der Frequenzen f2 bzw.
/3 zusammensetzt und deren Schwebungswelle/2 — f3
gleich der Schwingungsfrequenz / des parametrisch erregten Resonators ist.
5. Speichersystem nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktiven Speicherelemente
in Matrixform angeordnet und je mit einem zeilenmäßig bzw. kolonnenmäßig sich erstreckenden
Zeilenleiter bzw. Kolonnenleiter verbunden sind, daß jeder Kolonnenleiter mit einem
parametrisch erregten Resonator verbunden ist, daß zur Aufzeichnung über Wählerstufen den verschiedenen
Zeilenleitern ein Wechselstrom zugeführt wird, dessen Frequenz gleich der halben Frequenz
der von dem parametrisch erregten Resonator gelieferten Frequenz ist, und daß zum Ablesen
der Binärinformation eines reaktiven Speicherelementes die Schwingungsphase des parametrisch
erregten Oszillators durch die erste Oberwelle der Schwingung gesteuert wird, die im Ausgangskreis
des durch die zeilenmäßige Anschaltung der Ableseschwingung erregten Speicherelementes auftritt.
6. Speichersystem nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktiven Speicher-.
elemente in Matrixform angeordnet und je mit einem zeilenmäßig bzw. kolonnenmäßig sich erstreckenden
Zeilenleiter bzw. Kolonnenleiter verbunden sind, daß sämtliche reaktiven Speicherelemente
in Serie elektrisch mit einem parametrisch erregten Resonator verbunden sind, daß den reaktiven
Speicherelementen zur Aufzeichnung aus einem ersten Generator eine Sinusschwingung konstanter
Phase von der Frequenz /2 und aus einem zweiten Generator eine Sinusschwingung konstanter
Phase von der Frequenz fs zugeführt werden, wobei der erste Generator über eine Wählerstufe
mit den Kolonnenleitern verbunden wird und der zweite Generator über eine andere Wählerstufe mit'
den Zeilenleitern verbunden wird, daß die Schwebungswelle der beiden Frequenzen f2 und /3 gleich
der Frequenz der der von dem parametrisch erregten Resonator gelieferten Schwingung ist und
daß zum Ablesen der Binär information den genannten zum Aufzeichnen verwendeten Signalen
entsprechende Schwingungen dem betreffenden Zeilenleiter und dem betreffenden Kolonnenleiter
zugeführt werden, wobei die im Ausgangskreis des betreffenden Speicherelementes auftretende erste
Oberwelle der Schwebungsfrequenz zur Phasensteuerung des parametrisch erregten Resonators
dient.
7. Speichersystem nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
reaktiven Speicherelemente aus Induktivitäten mit Eisenkern bestehen.
8. Speichersystem nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
reaktiven Speicherelemente aus Kapazitäten mit ferroelektrischem Dielektrikum bestehen.
In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 1 023 486.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
© 909 638/237 10.59
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1200055 | 1955-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1067061B true DE1067061B (de) | 1959-10-15 |
Family
ID=11793297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DENDAT1067061D Pending DE1067061B (de) | 1955-04-28 | Speichersystem für die Speicherung von Binärinformationen |
Country Status (6)
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CH (1) | CH351634A (de) |
DE (1) | DE1067061B (de) |
FR (1) | FR1153279A (de) |
GB (1) | GB819017A (de) |
NL (2) | NL126520C (de) |
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0
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- DE DENDAT1067061D patent/DE1067061B/de active Pending
- NL NL126520D patent/NL126520C/xx active
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