DE1052563B - Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen - Google Patents

Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen

Info

Publication number
DE1052563B
DE1052563B DEF22496A DEF0022496A DE1052563B DE 1052563 B DE1052563 B DE 1052563B DE F22496 A DEF22496 A DE F22496A DE F0022496 A DEF0022496 A DE F0022496A DE 1052563 B DE1052563 B DE 1052563B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
crystals
injection
lamp according
electroluminescent lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DEF22496A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1052563C2 (enExample
Inventor
Dipl-Phys Albrecht Fischer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ALBRECHT FISCHER DIPL PHYS
Original Assignee
ALBRECHT FISCHER DIPL PHYS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ALBRECHT FISCHER DIPL PHYS filed Critical ALBRECHT FISCHER DIPL PHYS
Priority to DEF22496A priority Critical patent/DE1052563B/de
Publication of DE1052563B publication Critical patent/DE1052563B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1052563C2 publication Critical patent/DE1052563C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
DEF22496A 1957-03-05 1957-03-05 Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen Granted DE1052563B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEF22496A DE1052563B (de) 1957-03-05 1957-03-05 Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEF22496A DE1052563B (de) 1957-03-05 1957-03-05 Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1052563B true DE1052563B (de) 1959-03-12
DE1052563C2 DE1052563C2 (enExample) 1961-05-25

Family

ID=7090466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEF22496A Granted DE1052563B (de) 1957-03-05 1957-03-05 Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1052563B (enExample)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144846B (de) 1960-04-14 1963-03-07 Gen Electric Verfahren zur Herstellung und zur Erhoehung der Oberflaechenleitfaehigkeit elektrisch leitender Filme sowie zur schichtweisen AEnderung des Leitungstyps fuer n- und p-Schichten, insbesondere fuer elektrolumineszente Flaechenlampen und Photozellen
DE1156506B (de) * 1959-11-20 1963-10-31 Int Standard Electric Corp Steuerbare elektrolumineszente Halbleiterlichtquelle
DE1183599B (de) * 1962-10-15 1964-12-17 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker unter unmittelbarer Umwandlung von elektrischer Energie in kohaerente Lichtenergie unter Verwendung eines einkristallinen Halbleiters, der zur selektiven Fluoreszenz angeregt wird
DE1191040B (de) * 1962-10-30 1965-04-15 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker mit Halbleiterdiode, die einen in Flussrichtung belasteten PN-UEbergang zur Injektion von Ladungstraegern aufweist
DE1194493B (de) * 1962-02-09 1965-06-10 Telefunken Patent Belagfreie Flaechenelektrode fuer eine pn-Elektrolumineszenzlichtquelle
DE1194976B (de) 1963-02-25 1965-06-16 Siemens Ag Halbleiter-Dioden-Rekombinationsstrahler fuer den optischen Bereich
DE1212635B (de) 1964-03-25 1966-03-17 Licentia Gmbh Optischer Sender mit einem Halbleitermedium
DE1217499B (de) * 1964-02-21 1966-05-26 Philips Nv Elektrolumineszenter Halbleiter vom A B-Typ als Injektionsstrahlungsquelle und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1219121B (de) 1963-02-25 1966-06-16 Rca Corp Elektrolumineszente Halbleiter-Leuchtflaeche
DE1220950B (de) 1963-12-31 1966-07-14 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker mit einer in Durchlassrichtung vorgespannten Halbleiterdiode
DE1231353B (de) * 1963-11-26 1966-12-29 Ibm Elektrolumineszente Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1236687B (de) * 1962-01-10 1967-03-16 Varian Associates Optischer Sender oder Verstaerker fuer phasenkohaerente Strahlung
DE1274232B (de) * 1966-07-15 1968-08-01 Ibm Verfahren zum Herstellen von als Rekombinationsstrahler wirksamen Halbleiterbauteilen
DE1276817B (de) * 1966-02-15 1968-09-05 Siemens Ag Halbleiter-Lumineszenzdiode sehr hoher Lichtausbeute
DE1278003B (de) * 1963-08-16 1968-09-19 Varian Associates Elektrolumineszente Halbleiterdiode fuer optische Sender oder Verstaerker
DE1282807B (de) * 1959-08-06 1968-11-14 Thorn Electrical Ind Ltd Bildspeicher
DE1283412B (de) * 1964-02-26 1968-11-21 Licentia Gmbh Optischer Halbleiterdioden-Sender
DE1297230B (de) * 1963-12-13 1969-06-12 Itt Industriesgmbh Deutsche Halbleiterdiode mit lichtaussendendem pn-UEbergang

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1282807C2 (de) * 1959-08-06 1969-07-10 Thorn Electrical Ind Ltd Bildspeicher
DE1282807B (de) * 1959-08-06 1968-11-14 Thorn Electrical Ind Ltd Bildspeicher
DE1156506B (de) * 1959-11-20 1963-10-31 Int Standard Electric Corp Steuerbare elektrolumineszente Halbleiterlichtquelle
DE1144846B (de) 1960-04-14 1963-03-07 Gen Electric Verfahren zur Herstellung und zur Erhoehung der Oberflaechenleitfaehigkeit elektrisch leitender Filme sowie zur schichtweisen AEnderung des Leitungstyps fuer n- und p-Schichten, insbesondere fuer elektrolumineszente Flaechenlampen und Photozellen
DE1236687B (de) * 1962-01-10 1967-03-16 Varian Associates Optischer Sender oder Verstaerker fuer phasenkohaerente Strahlung
DE1194493B (de) * 1962-02-09 1965-06-10 Telefunken Patent Belagfreie Flaechenelektrode fuer eine pn-Elektrolumineszenzlichtquelle
DE1183599B (de) * 1962-10-15 1964-12-17 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker unter unmittelbarer Umwandlung von elektrischer Energie in kohaerente Lichtenergie unter Verwendung eines einkristallinen Halbleiters, der zur selektiven Fluoreszenz angeregt wird
DE1191040B (de) * 1962-10-30 1965-04-15 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker mit Halbleiterdiode, die einen in Flussrichtung belasteten PN-UEbergang zur Injektion von Ladungstraegern aufweist
DE1219121B (de) 1963-02-25 1966-06-16 Rca Corp Elektrolumineszente Halbleiter-Leuchtflaeche
DE1194976B (de) 1963-02-25 1965-06-16 Siemens Ag Halbleiter-Dioden-Rekombinationsstrahler fuer den optischen Bereich
DE1278003B (de) * 1963-08-16 1968-09-19 Varian Associates Elektrolumineszente Halbleiterdiode fuer optische Sender oder Verstaerker
DE1231353B (de) * 1963-11-26 1966-12-29 Ibm Elektrolumineszente Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1297230B (de) * 1963-12-13 1969-06-12 Itt Industriesgmbh Deutsche Halbleiterdiode mit lichtaussendendem pn-UEbergang
DE1220950B (de) 1963-12-31 1966-07-14 Ibm Optischer Sender oder Verstaerker mit einer in Durchlassrichtung vorgespannten Halbleiterdiode
DE1217499B (de) * 1964-02-21 1966-05-26 Philips Nv Elektrolumineszenter Halbleiter vom A B-Typ als Injektionsstrahlungsquelle und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1283412B (de) * 1964-02-26 1968-11-21 Licentia Gmbh Optischer Halbleiterdioden-Sender
DE1212635B (de) 1964-03-25 1966-03-17 Licentia Gmbh Optischer Sender mit einem Halbleitermedium
DE1276817B (de) * 1966-02-15 1968-09-05 Siemens Ag Halbleiter-Lumineszenzdiode sehr hoher Lichtausbeute
DE1274232B (de) * 1966-07-15 1968-08-01 Ibm Verfahren zum Herstellen von als Rekombinationsstrahler wirksamen Halbleiterbauteilen

Also Published As

Publication number Publication date
DE1052563C2 (enExample) 1961-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1052563B (de) Anordnung und Herstellungsverfahren fuer Injektions-Elektrolumineszenzlampen
DE1144846B (de) Verfahren zur Herstellung und zur Erhoehung der Oberflaechenleitfaehigkeit elektrisch leitender Filme sowie zur schichtweisen AEnderung des Leitungstyps fuer n- und p-Schichten, insbesondere fuer elektrolumineszente Flaechenlampen und Photozellen
DE1794113B2 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid
CH628463A5 (de) Lichtemittierende halbleitereinrichtung.
DE3015706A1 (de) Solarzelle mit schottky-sperrschicht
DE10351674A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69410137T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer chalkopyrit-Halbleiterschicht
DE2941908A1 (de) Halbleiter-schicht-solarzelle
DE2826752A1 (de) Photoelement
DE112013005401T5 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Epitaxiewafern, Halbleiter-Epitaxiewafer, und Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Bildsensorvorrichtungen
DE102012103243A1 (de) Verfahren zur zeitlichen Veränderung der Laserintensität während des Ritzens einer Photovoltaikvorrichtung
US2938136A (en) Electroluminescent lamp
DE2844070A1 (de) Amorpher halbleiter
DE2711365A1 (de) Halbleiteranordnung mit schottky- grenzschicht
DE1219121B (de) Elektrolumineszente Halbleiter-Leuchtflaeche
DE69323884T2 (de) Elektrolumineszente Festkörpervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE68929145T2 (de) Dotierungsverfahren für Halbleiterkristalle mit grosser Bandlücke
DE3140139A1 (de) "verfahren zum herstellen einer amorphen siliziumsolarzelle"
EP0121405A2 (en) Semiconductor electrodes having multicolor luminescence
DE102012104616B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Fensterschicht in einer Dünnschicht-Photovoltaikvorrichtung auf Cadmiumtelluridbasis
DE2405935A1 (de) Verfahren zur diffusion von fremdatomen in einen halbleiter
DE2251938A1 (de) Legierung zur thermoelektrischen energieumwandlung, verfahren zu deren herstellung und daraus gebildeter thermoelektrischer energieumwandler
DE1592886A1 (de) Verbesserungen von oder hinsichtlich lumineszierender Stoffe
DE2430687C3 (de) Kaltemissionshalbleitervorrichtung
DE1131808B (de) Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium