DE2941908A1 - Halbleiter-schicht-solarzelle - Google Patents

Halbleiter-schicht-solarzelle

Info

Publication number
DE2941908A1
DE2941908A1 DE19792941908 DE2941908A DE2941908A1 DE 2941908 A1 DE2941908 A1 DE 2941908A1 DE 19792941908 DE19792941908 DE 19792941908 DE 2941908 A DE2941908 A DE 2941908A DE 2941908 A1 DE2941908 A1 DE 2941908A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor layer
solar cell
cell according
semiconductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792941908
Other languages
English (en)
Other versions
DE2941908C2 (de
Inventor
Dr.rer.nat. Reinhard 7101 Flein Dahlberg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE2941908A priority Critical patent/DE2941908C2/de
Priority to JP465680A priority patent/JPS5662378A/ja
Priority to IT8025051A priority patent/IT1132906B/it
Priority to GB8031963A priority patent/GB2061000A/en
Priority to SE8007191A priority patent/SE8007191L/xx
Priority to AU63415/80A priority patent/AU6341580A/en
Priority to NL8005707A priority patent/NL8005707A/nl
Priority to FR8022249A priority patent/FR2468210A1/fr
Publication of DE2941908A1 publication Critical patent/DE2941908A1/de
Priority to US06/315,641 priority patent/US4449286A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2941908C2 publication Critical patent/DE2941908C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 6000 Frankfurt 70
Heilbronn, den 08.10.197 SE2-HN-La-pi - HN 7 9/49
Halbleiter-Schicht-Solarzelle 10
Zur Nutzung der Sonnenenergie auf dec Erde sind Solarzellen aus einkristallinen Halbleiterscheiben nur für Spezialanwendungen einsetzbar. Ihre Herstellkosten und der für ihre Herstellung aufzuwendende Energieverbrauch sind so hoch, daß der Einsatz von einkristallinen Zellen heute nur zusammen mit Konzentratoren für das Sonnenlicht sinnvoll erscheint. Dabei muß dann aber noch für eine ausreichende Kühlung der Solarzellen gesorgt werden.
Wesentlich kostengünstigere Solarzellen lassen sich mit amorphen oder polykristallinen Halbleiterschichten herstellen. Amorphe Silizium-Schichten z- B. lassen sich durch Aufdampfen im Vakuum oder durch Kathoden-Zerstäubung oder Hochfrequenz-Zerstäubung von Silizium in einer Wasserstoff-haltigen Atmosphäre erzeugen. Während Solarzellen aus amorphem Silizium noch dein Nachteil haben, daß ihr Wirkungsgrad nur wenig;? Prozent beträgt, lassen sich
130018/0192
Solarzellen aus polykristallinem Silizium mit Wirkungsgraden von 10 % herstellen. Besonders gute Wirkungsgrade ergibt ein polykristallines Silizium-Material, bei welchem die Kristallite eine Vorzugsrichtung aufweisen. Das polykristalline Silizium für die Solarzellen-Herstellung wird beispielsweise dadurch hergestellt, daß flüssiges Silizium in die Form eines Barrens mit quadratischem Querschnitt gegossen wird. Die Erstarrung des flüssigen Siliziums im Barren erfolgt in einem Temperaturgradienten- Der erstarrte Barren wird nach dem Erkalten in Scheiben zersägt, aus welchen die Solarzellen gefertigt werden. Das flüssige Silizium kann aber auch direkt in Form einer Platte gegossen werden. Dabei entfällt die Notwendigkeit des Zersägens.
Es ist auch bekannt, einen geeigneten Träger, z. B. Graphit, in eine Silizium-Schmelze zu tauchen, so daß der Träger nach dem Herausziehen aus der Schmelze mit einer dünnen Silizium-Schicht überzogen ist. Diese Silizium-Schicht auf dem Träger kann dann weiter zu einer Solarzelle verarbeitet werden. Auf ähnliche Weise läßt sich auch ein Träger mit einer Schicht aus einer III/V-Verbindung (z. B. mit einer dünnen Schicht aus GaAs) versehen, welche zu einer Solarzelle weiterverarbeitet werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellkosten und den Energieverbrauch bei der Herstellung einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle weiter zu reduzieren. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleiter-Schicht-Solarzelle gelöst, bei welcher das Halbleitermaterial mit Hilfe von Lichtbogen-Spritzen oder Plasma-Spritzen auf einen Träger aufgebracht ist und bei der die Dicke
-2
der Halbleiterschicht kleiner als 5 . 10 cm ist.
Dar, Halbleitermaterial kann als Stab oder aber auch als Pulver vorliegen.
130018/0192
In beiden Fällen wird das Halbleitermaterial im Lichtbogen oder im Plasma geschmolzen und in Form eines Strahls von flüssigen Halbleiterteilcher, auf den Träger geschleudert, wo die flüssigen Halbleiterteilchen zu einer Schicht erstarren.
Im Falle des Halbleitermaterials Silizium kann man z. B. nach einer der Reaktionen:
1ri 3 K„SiF, + 4 Al = 3 Si + 2 KAlF. + 2 K„A1FC
oder SiO.-. + 2 Mg = Si + 2 M 0
2 y g
oder NaSiF, + 2 Na = Si + 3 NaFn ο ζ
das Silizium herstellen.
Durch Pulverisieren und Behandeln mit HCl läßt sich das Silizium-Pulver von metallischem Al, Mg bzw. Na befreien. Das so gewonnene Silizium-Pulver kann durch Lichtbogen-Spritzen oder Plasma-Spritzen direkt auf einen Träger aufgebracht werden.
Der Träger kann aus elektrisch leitendem Material, wie z.B. aus Aluminium oder Stahl, bestehen. Der Träger bildet dann gleichzeitig auch der elektrische Rückseiten-Kontakt der Solarzelle. ._
Der Träger kann aber auch au:; einem isolierenden Material, wie z. B. Glas Porzellan, Keramik, Kunststoff usw., bestehen. In diesem Falle ist der Träger wenigstens teilweise mit einer elektrisch leitenden Schicht aus z. B. Metall oder einem Carbid, Dorid oder Nitrid überzogen.
Als Halbleiter-Materialien können erfindungsgemäß n- oder p-leitende Element-Halbleiter, wie ζ. B. Silizium, Germa-
130018/0192
nium, Kohle, Bor u. a. oder III/V-Halbleiter, wie z. B. AlSb, GaAs, InP u. a. oder auch II/VI-Halbleiter, wie z. B. CdTe, CdS u. a. verwendet werden.
Das erfindungsgemäße Aufbringen des Halbleiter-Materials auf den Träger geschieht vorzugsweise in einer Sauerstofffreien Edelgas-, Wasserstoff- oder Stickstoff-Atmosphäre.
Die Atmosphäre kann jedoch auch Gase enthalten, wie z. B.
1ö HCl, Hf, Cl_, J9, S„ u. a., welche mit dem Halbleitermaterial nicht oder nur wenig, mit den Verunreinigungen im Halbleitermaterial jedoch stark reagieren. Dadurch kann während des Lichtbogen- oder Plasma-Spritzens eine Nachreinigung des Halbleitermaterials erzielt werden.
Zur Beeinflussung der Haftfestigkeit, zur Erzeugung einer Reaktion mit dem Trägermaterial oder zur Erzielung einer bestimmten mittleren Kristallit-Größe des Halbleitermaterials kann es vorteilhaft sein, die Temperatur des Trägers zu erhöhen. Der Träger hat vorzugsweise eine Temperatur > 200 0C während des Aufbringens der Halbleiterschicht. Unter Verwendung einet Maske läßt sich die Halbleiterschicht auch aiii f lächt;nha Γ t.t; Sl rukt/.ur auf dem Träger aufbringen.
Wegen der hohen Lichtbogen- oder Plasma-Temperaturen lassen sich Halbleiter-Schichton aus einem Verbindungshalbleiter, wie z. B. AlSb, auch dadurch aufbringen, daß man ein geeignetes Pulvergemisch der Verbindungspartner, wie z. B. Aluminiumpulver + Antimonpulver, auf den Träger aufspritzt.
Die Verbindungsbildung erfolgt dann im Lichtbogen- oder Plasma-Strahl.
Nach dem Aufbringen dor Halbleiterschicht auf den Träger katin der Träger mit der Halbleiterschicht (z. B. zur Verbe;»serung der ilalbleitereigenschaften der Schicht) getempert werden.
130 018/0192
Die Halbleiterschicht kann nach dem Aufbringen auf den Träger aber auch mit einem Lichtbogen-Strahl oder Plasma-Strahl sehr kurzzeitig von einer Seite aufgeheizt oder aufgeschmolzen werden.
5
Auch mit Hilfe eines fokussierten Licht- oder LASER-Strahls kann die Halbleiter-Schicht kurzzeitig aufgeheizt oder aufgeschmolzen werden.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Solarzelle auf der freien Seite dar Halbleiter-Schicht einen oberflächennahen p-n-Übergang auf. Dieser p-n-übergang wird beispielsweise in an sich bekannter Weise mit Hilfe von Diffusion, Ionenimplantation oder Epitaxie hergestellt.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist die freie Seite der Halbleiter-Schicht mit einem lichtdurchlässigen Schottky-Kontakt versehen. Dieser Schottky-Kontakt kann in an sich bekannter VJeise z. B. durch Aufdampfen, Aufsputtern, Aufspritzen oder chemisches Abscheiden einer metallisch leitenden Schicht erzeugt werden.
Es besteht auch die Möglichkeit, daß die freie Seite der Halbleiter-Schicht nach der Erfindung einen lichtdurchlässigen Hetero-Übergang aufweist. Dieser Hetero-Übergang kann z. B. durch Aufbringen einer lichtdurchlässigen Halbleiter-Schicht aus SnO , In3O3, WO3, VO Ti3O3, Cu3O, Cu3S, Nb3O3, GeTe u. a. hergestellt werden.
Da Metall-Isolator-Halbleiter-Kontakte (MIS-Kontakte) und Halbleiter-Isolator-Halbleiterkontakte (SIS-Kontakte) besonders große Wirkungsgrade ergeben, empfiehlt es sich, die Halbleiterschicht mit einer Isolatorschicht zu überziehen, deren Dicke kleiner eils 1 . 10 cm - vorzugsweise
130018/0192
— 7
2 . 10 cm ist. Die Metallschicht für den Schottky-Kontakt bzw. die Halbleiterschicht für den Hetero-Übergang befinden sich dann auf dieser dünnen Isolatorschicht.
Der Schottky-Kontakt oder der Hetero-Übergang an der Halbleiterschicht können erfindungsgemäß auch als mechanischer Druck-Kontakt zwischen der Halbleiter-Schicht und einem lichtdurchlässigen Formkörper ausgebildet sein. Dabei ist der Formkörper mindestens am Druck-Kontakt mit einer lichtdurchlässigen Metall-Schicht oder mit einer lichtdurchlässigen Halbleiter-Schicht überzogen.
Die Kontakte für die Vorderseite der Halbleiter-Schicht, (am p-n-übergang oder am Schottky-Kontakt oder am Hetero-Übergang) werden Vorzugs./eise ebenfalls mit Hilfe von Lichtbogen- oder Plasma-Spritzen aufgebracht. Im folgenden wird die Erfindung an Ausführungsbeispielen näher beschrieben:
Ausführungsbeispiel 1 beschreibt im Prinzip das Aufbringen einer Halbleiterschicht auf einen Träger mit Hilfe von Lichtbogen-Spritzen.
Ausführungsbeiapiel 2 beschreibt im Prinzip das Aufbringen einer Halbleiterschicht als flächenhafte Struktur auf einen Träger mit Hilfe aus Plasma-Spritzens in einer Sauerstoff-freien und Piiosphin-haltigen Atmosphäre.
Ausführungsbeispiel 3 gibt im Querschnitt den Aufbau einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle auf einem Metall-Träger mit einer p-Silizium-Schicht und einem p-n-übergang wieder.
Ausführungsbeispiel 4 zeigt im Querschnitt den Aufbau einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle auf einem metallisierten Isolator-Träger mit n-Silizium-Schicht und MIS-Kontakt.
1 3001 8/01 92
Ausführungsbeispiel 5 zeigt eine Halbleiter-Schicht-Solarzelle auf einem metallisierten Isolator-Träger mit einer p-Silizium-Schicht und SIS-Druck-Kontakten zwischen der Halbleiterschicht und einem lichtdurchlässigen Formkörper.
Ausführungsbeispiel· 1
In Fig. 1 ist 1 ein Träger aus Aluminium. Durch einen Lichtbogen zwischen zwei p-leitenden Silizium-Stäben wird aus einer Düse 3 Stickstoff geblasen. Das Silizium schmilzt im Lichtbogen zu kleinen Tröpfchen und wird durch den im Lichtbogen aufgeheizten Stickstoff-Sirahl 2 auf den Träger 1 geschleudert. Dort erstarren die Tröpfchen zu einer p-leitenden polykristallinen Silizium-Schicht 5.
Die Düse 3 mit dem Lichtbogen-Strahl 2 führt eine seitliche Bewegung 4 aus. Dadurch wird eine gleichmäßig dicke Silizium-Schicht 5 auf dem Träger 1 erzeugt.
Ausführungsbeispiel· 2
In Fig. 2 ist 1 ein Träger aus Gias, welcher aun seiner Oberseite eine Aluminiumschicht 6 trägt. Durch die Maske 7 wird mit Hilfe des Argon-Strahls 2 aus der Düse 3 durch einen Lichtbogen hindurch, welcher zwischen gekühlten Wolfram-Elektroden brennt, η-leitendes Silizium-Pulver geblasen. Die den Piasma-Strahl· 2 umgebende Atmosphäre 8 enthä^ Phosphin-Gas. Die im Piasma-Strahl· 2 geschitK^Zenen Silizium-Taiichen treffen auf die Aluminium-Schicht 6 auf und erstarren zu einer zusammenhängenden n-Silizium-Schicht 5. Der Träger 1 aus Gias führt bei diesem Prozess eine seitiiche Bewegung 4 aus.
130018/0192
Ausführungsbeispiel 3
In Fig. 3 ist 1 ein Träger aus einer Aluminium-Legierung.
5 ist eine mit dem Plasma-Strahl erzeugte polykristalline
2 Silizium-Schicht mit einer Dicke von 4 . 10 cm und einem ohmsehen Widerstand vori O,1 Qcm.
Durch Implantation von Phosphor-Ionen in die freie Oberfläche der Silizium-Schicht 5 wird die Oberflächen-nahe η Schicht 9 erzeugt. 10 ist ein kammförmiger Aluxninium-Kontakt für die Vorderseite. Durch die Sonnen-Bestrahlung 11 entsteht zwischen dem Vorderseiten-Kontakt 10 und dem Träger 1 aus ALuminium eine Fotospannung.
5 Ausführungsbeispiel 4
In Fig. 4 ist I ein Trä-jor aus Porzellan, der auf seiner Oberseite mit einer 5.10 cm dicken Schicht 6 aus TiO überzogen ist. Diese Schicht ist mit Hilfe eines Lichtbogen-Strahls aufgebracht . Auf diese TiO-Schicht 6 ist die n-Silizium-Schicht 5 ebenfalls mit Hilfe eines Lichtbogen-Strahls aufgebracht. Die n-Silizium-Schicht 5 ist
*y
1,5 . 10 cm dick und nat einen spezifischen Widerstand
_2
von 1 . 10 cm. Sie wird nach ihrem Aufbringen mit Hilfe eines LASER-Strahles sehr kurzzeitig an ihrer Oberfläche aufgeschmolzen. Die aufgeschmolzene Oberfläche ist mit einer SiO„-Schicht 12 mit einer Dicke von 2 . 10 cm überzogen. Auf diese SiO^-Schicht 12 ist im Vakuum eine 2 . 10 cm dicke Nickel-Schicht 13 aufgedampft, wodurch eine MIS-Struktur entsteht. 10 ist sine kammförmige Kupferschicht, welche der Vorderseiten-Kontakt der Solarzelle ist. Bei Sonneneinstrahlung 11 liegt zwischen der TiO-Schicht 6 und der Kupferschicht 10 di - Fotospannung der Solarzelle.
130018/0192
-Λ -
Ausführungsbeispiel· 5
In Fig. 5 ist 1 ein Glasträger mit den Abmessungen 25 χ 25 χ 0,3 cm . Auf den Glasträger 1 ist eine Aluminiurn-Schicht 6 von 1 . 10 cm Dicke mit Hilfe eines Lichtbogen-Strahls aufgebracht. Auf die Aluminium-Schicht 6 wird mit Hilfe eines Plasma-Strahls eine p-Silizium-
_2 Schicht 5 mit einer Dicke von 2 . 10 cm so aufgebracht, daß sich die Silizium-Schicht 5 beim Aufbringen oberflächlieh sehr kurzzeitig noch auf Schmelztemperatur befindet.
Die freie Oberfläche der Silizium-Schicht ist von der SiO--
-7 Schicht 12 bedeckt, die eine Dicke von 2 . 10 cm hat.
Der lichtdurchlässige Formkörper 16 ist ebenfalls eine Glasplatte mit den Abmessungen 25 χ 25 χ 0,3 cm . Auf ihrer Unterseite trägt die Glasplatte 16 Paraboloid-förmige Erhebungen 17, welche aus quadratischen Grundflächen mit einer
Größe von je 0,5 χ 0,5 mm herauswachsen. Diese quadratischen Grundflächen ergeben eine zusammenhängende Fläche von
2
24 χ 24 cm . In ihrer Brennebene 18 sind die Paraboloidförmigen Erhebungen 17 abgeschnitten. Auf die gesamte Oberfläche der Paraboloid-fÖrmigen Erhebungen 17 ist eine 2 . 10 cm dicke Schicht 14 aus 90 SnO0 + 10 In9O., auf-
-3
gebracht. Danach ist eine 5 . 10 cm dicke Aluminiumschicht 10 auf die Oberfläche der Paraboloid-förmigen 17 - mit Ausnahme ihrer Abschnittsflächen 18 - aufgebracht. Die Glasplatte 16 ist danach mit den Paraboloid-fÖrmigen Erhebungen 17 so auf die Silizium-Schicht 5 aufgesetzt, daß die mit der Schicht 14 überzogenen Abschnittsflächen auf der SiO„-Schicht 12 der Silizium-Schicht 5 aufliegen.
Die Ränder der beiden Glasplatten 1 und 16 werden im Vakuum 20 mit Hilfe des Glaslotes 19 so verschmolzen, daß der atmosphärische Außendruck zwischen den Paraboloid-fÖrmigen Erhebungen 17 und der Halbleiterschicht ca. 23Ο 000 elektrisch parallele SIS-Druck-Kontakte erzeugt. Das Sonnenlicht 11 wird durch die Paraboloid-förmigen Erhebungen 17 in deren Abschnittsflächen 18 so konzentriert, daß es mit
130018/0192
-Kf-
ca. 5facher Intensität d^r Sonnen-Strahlung 11 durch die SIS-Kontakte 21 in die Halbleiterschicht 5 eindringt. Wegen der extrem guten Wärmeableitung in den punktförmigen Druckkontakten 21 kommt es zu keiner merklichen Übertemperatur in den Kontakten 21. Die Fotospannung der Solarzelle liegt zwischen den Aluminium-Schichten 6 und 1O.
Erwähnt sei nooh, daß dor paraboloid-förmigen Ausbildung der Erhebungen bei der Bildung von Druckkontakten allgemeine, nicht auf die Erfindung beschränkte Bedeutung zukommt .
130018/0192

Claims (19)

Licentia Patent-Verwalcungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 6000 Frankfurt 70 Heilbronn, den 08.10.79 SE2-HN-Ma-fi - HN 79/34 Patentansprüche
1) Halbleiter-Schicht-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet,
daß das Halbleitermaterial mit Hilfe von Lichtbogen-Spritzen oder Plasma-Spritzen auf einen Träger aufgebracht ist, und daß die Dicke der Halbleiter-Schicht kleiner als 5 . 1O~2 cm ist.
2) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial auf einen Träger aus elektrisch leitendem Material aufgebracht ist.
3) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial auf einen Träger aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht ist, welcher wenigstens teilweise mit einer elektrisch leitenden Schicht überzogen ist.
4) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial η- oder p-leitondes Silizium, Germanium, Kohlenstoff
130018/0192
-ο-
Bor, eine Ill/V-Verbindum,' oder eine II/VI-Verbindung verwendet ist.
5) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite der Halbleiterschicht ein oberflächennaher p-n-übergang vorhanden ist.
6) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite der Halbleiterschicht ein lichtdurchlässiger Schottky-Kontakt vorgesehen ist.
7) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichent, daß auf einer Seite der Halbleiterschicht ein lichtdurchlässiger HeteroÜbergang vorgesehen ist.
8) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht mit einer dünnen Isolatorschicht überzogen ist, und daß die Dicke dieser Isolatorschicht kleiner als 1 . 10 cm ist.
9) Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke der Isolatorschicht 2 . 10 cm beträgt.
10) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial in einer Sauerstofffreien Edelgas-, Wasserstoff- oder Stickstoff-Atmosphäre aufgebracht wird.
11) Verfahren zum HersLt■'! lon einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial in einer Atmosphäre
130018/0192
BAD ORIGINAL
aufgebracht wird, welche mit dem Halbleitermaterial nicht oder nur wenig, mit den Verunreinigungen im Halbleitermaterial jedoch stark reagiert.
12) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger sich beim Aufbringen der Halbleiterschicht auf erhöhter Temperatur befindet.
13) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht mit Hilfe einer Maske strukturiert auf den Träger aufgebracht wird.
14) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus einem Verbindungshalbleiter durch Aufspritzen eines Pulvergemisches der Verbindungspartner aufgebracht wird, und daß die Verbindungsbildung im Lichtbogen-Strahl oder Plasma-Strahl stattfindet.
15) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der Halbleiterschicht der Träger mit der Halbleiterschicht getempert wird.
16) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht mit Hilfe eines Lichtbogen-Strahles oder eines Plasma-Strahles kurzzeitig aufgeheizt oder aufgeschmolzen wird.
17) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhercjehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht mit Hilfe eines fokussierten Licht- oder LASER-Strahlas kurzzeitig aufgeheizt oder aufgeschmolzen wird.
130018/0192
18) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schottky-Kontakt oder der Hetero-Ubergang als mechanischer Druck-Kontakt zwischen der Halbleiter-Schicht aus einem lichtdurchlässigen Formkörper ausgebildet wird, und daß der Formkörper mindestens am mechanischen Druck-Kontakt mit einer lichtdurchlässigen Metallschicht oder mit einer lichtdurchlässigen Halbleiterschicht überzogen wird.
19) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Kontakte für die Vorderseite und die Rückseite der Halbleiter-Schicht-Solarzelle mit Hilfe von Lichtbogen-Spritzen oder Plasma-Spritzen des Kontakt-Materials aufgebracht werden.
130018/0192
DE2941908A 1979-10-17 1979-10-17 Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle Expired DE2941908C2 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2941908A DE2941908C2 (de) 1979-10-17 1979-10-17 Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle
JP465680A JPS5662378A (en) 1979-10-17 1980-01-21 Semiconductor layer solar battery and method of manufacturing same
IT8025051A IT1132906B (it) 1979-10-17 1980-10-01 Cella solare a strato semiconduttore
GB8031963A GB2061000A (en) 1979-10-17 1980-10-03 A semiconductor layer solar cell
SE8007191A SE8007191L (sv) 1979-10-17 1980-10-14 Solcell med halvledarskikt
AU63415/80A AU6341580A (en) 1979-10-17 1980-10-16 Manufacture of semiconductor layer solar cell
NL8005707A NL8005707A (nl) 1979-10-17 1980-10-16 Zonnecel met halfgeleiderlaag.
FR8022249A FR2468210A1 (fr) 1979-10-17 1980-10-17 Photopile semiconductrice multicouche et procede pour sa production
US06/315,641 US4449286A (en) 1979-10-17 1981-10-27 Method for producing a semiconductor layer solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2941908A DE2941908C2 (de) 1979-10-17 1979-10-17 Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2941908A1 true DE2941908A1 (de) 1981-04-30
DE2941908C2 DE2941908C2 (de) 1986-07-03

Family

ID=6083632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2941908A Expired DE2941908C2 (de) 1979-10-17 1979-10-17 Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4449286A (de)
JP (1) JPS5662378A (de)
DE (1) DE2941908C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4449286A (en) * 1979-10-17 1984-05-22 Licentia Patent-Verwaltungs Gmbh Method for producing a semiconductor layer solar cell

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3446286A1 (de) * 1984-12-19 1986-06-19 Sigri GmbH, 8901 Meitingen Verfahren zum beschichten von kohlenstoff- und graphitkoerpern
US4848922A (en) * 1988-04-22 1989-07-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Photon Calorimeter
US5164040A (en) * 1989-08-21 1992-11-17 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets
US5075257A (en) * 1990-11-09 1991-12-24 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Aerosol deposition and film formation of silicon
JPH0690013A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池及び太陽電池の製造方法並びに半導体インゴットの製造方法及び半導体基板の製造方法
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6620645B2 (en) * 2000-11-16 2003-09-16 G.T. Equipment Technologies, Inc Making and connecting bus bars on solar cells
US6635307B2 (en) 2001-12-12 2003-10-21 Nanotek Instruments, Inc. Manufacturing method for thin-film solar cells
US7074693B2 (en) * 2003-06-24 2006-07-11 Integrated Materials, Inc. Plasma spraying for joining silicon parts
US20080023070A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Sanjai Sinha Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells
US20080220558A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Integrated Photovoltaics, Inc. Plasma spraying for semiconductor grade silicon
JP4181204B1 (ja) * 2007-05-11 2008-11-12 昭和シェル石油株式会社 太陽電池モジュール
US8697553B2 (en) * 2008-06-11 2014-04-15 Intevac, Inc Solar cell fabrication with faceting and ion implantation
US8545944B2 (en) * 2008-09-19 2013-10-01 Sri International Method for producing solar grade films from semiconductor powders
US20100104769A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Boisseau John E Automotive coating surface enhancement using a plasma treatment technique
US8253058B2 (en) * 2009-03-19 2012-08-28 Integrated Photovoltaics, Incorporated Hybrid nozzle for plasma spraying silicon
WO2010108151A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Solar Implant Technologies, Inc. Advanced high efficiency crystalline solar cell fabrication method
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
FR2963337B1 (fr) * 2010-07-30 2013-03-01 Commissariat Energie Atomique Recyclage de boues de sciage de silicium pour la preparation de lingots ou de plaques par plasma thermique
US8816190B2 (en) * 2011-04-18 2014-08-26 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and method of making
MY175007A (en) 2011-11-08 2020-06-02 Intevac Inc Substrate processing system and method
WO2013074345A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 First Solar, Inc. Vapor transport deposition method and system for material co-deposition
TWI570745B (zh) 2012-12-19 2017-02-11 因特瓦克公司 用於電漿離子植入之柵極
CN105671474B (zh) 2016-03-18 2018-11-30 李光武 制造半导体基片的方法和装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US561405A (en) * 1896-06-02 Ice-velocipede
US2034334A (en) * 1930-08-08 1936-03-17 Falkenthal Erwin Photoelectric cell
DE2041497A1 (de) * 1969-08-25 1971-03-18 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2924584A1 (de) * 1979-06-19 1981-01-15 Straemke Siegfried Verfahren zur herstellung von silicium fuer solarzellen

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2636855A (en) * 1948-03-25 1953-04-28 Hilger & Watts Ltd Method of producing photoconductive coatings
GB1356769A (en) * 1973-03-27 1974-06-12 Cit Alcatel Apparatus and method for depositing thin layers on a substrate
US3928092A (en) * 1974-08-28 1975-12-23 Bell Telephone Labor Inc Simultaneous molecular beam deposition of monocrystalline and polycrystalline III(a)-V(a) compounds to produce semiconductor devices
US4003770A (en) * 1975-03-24 1977-01-18 Monsanto Research Corporation Plasma spraying process for preparing polycrystalline solar cells
US4161418A (en) * 1975-06-27 1979-07-17 Futaba Denshi Kogyo K. K. Ionized-cluster-beam deposition process for fabricating p-n junction semiconductor layers
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
US4078097A (en) * 1976-07-09 1978-03-07 International Prototypes, Inc. Metallic coating process
DE2644208C3 (de) * 1976-09-30 1981-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage
JPS5399762A (en) * 1977-02-12 1978-08-31 Futaba Denshi Kogyo Kk Device for producing compound semiconductor film
FR2394173A1 (fr) * 1977-06-06 1979-01-05 Thomson Csf Procede de fabrication de dispositifs electroniques qui comportent une couche mince de silicium amorphe et dispositif electronique obtenu par un tel procede
US4166880A (en) * 1978-01-18 1979-09-04 Solamat Incorporated Solar energy device
US4240842A (en) * 1979-03-28 1980-12-23 Solarex Corporation Solar cell having contacts and antireflective coating
DE2941908C2 (de) * 1979-10-17 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle
DE3016807A1 (de) * 1980-05-02 1981-11-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von silizium
US4292342A (en) * 1980-05-09 1981-09-29 Motorola, Inc. High pressure plasma deposition of silicon

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US561405A (en) * 1896-06-02 Ice-velocipede
US2034334A (en) * 1930-08-08 1936-03-17 Falkenthal Erwin Photoelectric cell
DE2041497A1 (de) * 1969-08-25 1971-03-18 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2924584A1 (de) * 1979-06-19 1981-01-15 Straemke Siegfried Verfahren zur herstellung von silicium fuer solarzellen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Techn. Disclosure Bull., Vol. 19, No. 10, März 1977, S. 3955-3956 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4449286A (en) * 1979-10-17 1984-05-22 Licentia Patent-Verwaltungs Gmbh Method for producing a semiconductor layer solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5662378A (en) 1981-05-28
US4449286A (en) 1984-05-22
DE2941908C2 (de) 1986-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2941908A1 (de) Halbleiter-schicht-solarzelle
EP0468094B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Chalkopyrit-Solarzelle
US4947219A (en) Particulate semiconductor devices and methods
EP0021027B1 (de) Solarzellen-Anordnung
DE2639841C3 (de) Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0715358B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht und so hergestellte Solarzelle
EP1390987B1 (de) Verfahren zur strukturierung einer auf einem trägermaterial aufgebrachten oxidschicht
DE2820824C2 (de)
DE4207411A1 (de) Duennschicht-solarzelle und verfahren zu deren herstellung
DE102011050089B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten an einer Solarzelle, Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines Rückseiten-Kontaktes einer Solarzelle
DE3015706A1 (de) Solarzelle mit schottky-sperrschicht
WO1993019492A1 (de) Solarzelle mit kombinierter metallisierung und herstellungsverfahren dafür
DE2711365C2 (de)
DE2917564A1 (de) Verfahren zum herstellen von solarzellen und dadurch hergestellte gegenstaende
DE1061447B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mittels Diffusion und Legieren
DE102010024307A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle
DE102012104616B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Fensterschicht in einer Dünnschicht-Photovoltaikvorrichtung auf Cadmiumtelluridbasis
WO1995009440A1 (de) Verfahren zur metallisierung von solarzellen aus kristallinem silizium
EP0063716A2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schicht-Solarzelle
DE102007039060A1 (de) Thermokraftelement oder Peltier-Elemente aus gesinterten Nanokristallen aus Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium Legierungen
DE102011015283B4 (de) Herstellung eines Halbleiter-Bauelements durch Laser-unterstütztes Bonden und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
DE102011054794A1 (de) Gemischte Sputtertargets und ihre Verwendung in Cadmiumsulfidschichten von Cadmiumtelluriddünnschichtphotovoltaikeinrichtungen
AT411409B (de) Verfahren zum herstellen einer solarzelle
DE19810019A1 (de) Gerichtet erstarrtes multikristallines Silicium, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung sowie Solarzellen, enthaltend dieses Silicium und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE102016110965B4 (de) Halbleiter-Bauelement mit vorder- und rückseitiger Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee