DE1051984B - Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors

Info

Publication number
DE1051984B
DE1051984B DEN13347A DEN0013347A DE1051984B DE 1051984 B DE1051984 B DE 1051984B DE N13347 A DEN13347 A DE N13347A DE N0013347 A DEN0013347 A DE N0013347A DE 1051984 B DE1051984 B DE 1051984B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
environment
transistor
semiconducting
envelope
semiconducting body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN13347A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Adrianus Manintveld
Louis Marius Nijland
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1051984B publication Critical patent/DE1051984B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/909—Controlled atmosphere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung1 eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors, bei dem auf einem halbleitenden Körper, ζ. B. aus Germanium oder Silizium, mindestens· eine Gleichrichterelektrode und eine Ohmsche Verbindung angebracht werden, welches Gebilde darauf nachgeätzt und in einer Hülle eingebracht wird, die vakuumdicht verschlossen wird.
Das Verfahren gemäß der Erfindung führt bei Transistoren zu einer Erhöhung des Stromverstärkungsfaktors acj, der durch die Gleichung
V,
. und If, den bei konstanter gemessenen Kollektorstrom
definiert wird.
Hierin bezeichnen /,
Kollektorspannung Vc
bzw. Basisstrom.
Es ist bereits bekannt, daß der Stromverstärkungsfaktor von Germanium- und insbesondere von Silizium- transistoren dadurch erhöht werden kann, daß die halbleitende Oberfläche mit einer Schicht aus oxydierendem Material, z. B. Bleimennige, Zinkchromat oder Strontiumchromat, überzogen wird, und es ist auch bekannt, daß organische Verbindungen zu diesem Zweck anwendbar sind.
Durch Versuche wurde jedoch festgestellt, daß die auf diese Weise hergestellten Transistoren bei höheren Temperaturen häufig nicht stabil sind.
Mit dem vorliegenden Verfahren kann ein Transistor od. dgl. mit hohem Stromverstärkungsfaktor und großer Stabilität hergestellt werden. Es hat weiter den Vorteil, daß die Oberfläche des halbleitenden Körpers auf einfache Weise mit sehr dünnen Schichten, sogar von Molekular-starke, mit guter Leistung überzogen werden kann.
Gemäß der Erfindung wird der halbleitende Körper mit der (den) Gleichrichterelektrodetn) und der Ohmschen Verbindung nach dem Ätzuragsvorgang in eine mindestens eine Stickstoff-Sauerstoff-Verbindung enthaltende Umgebung gebracht.
Vorzugsweise wird eine Stickstoff-Sauerstoff-Verbindung verwendet, die Moleküle der Zusammensetzung NO2 und N2O4 enthält, wobei das Gleichgewicht bei höheren Temperaturen sich in der Riehtang der erstgenannten Verbindung verschiebt. Zum Erhöhen der Wirkung kann außerdem Wasserdampf zugesetzt werden.
Obgleich sich das vorliegende Verfahren nicht auf eine bestimmte halbleitende Substanz beschränkt, eignet sie sich insbesondere bei Legierungstransistoren, deren halbleitender Körper aus Silizium besteht, da durch die üblichen Mittel, die bei Germanium bereits praktisch zufriedenstellende Werte des Strom-Verfahren zur Herstellung
eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 29. Februar 1956
Louis Marius Nijland und Jan Adrianus Manintveld,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
Verstärkungsfaktors herbeiführten, im Falle von Silizium keine zufriedenstellenden Resultate -erzielt werden.
Ein© besondere Ausfiihrungsform des vorliegenden Verfahrens besteht darin, daß der halbleitende Körper mit Elektrode(n) und Ohmscher Verbindung in einer luftdicht verschlossenen Hülle untergebracht wird, in dar mindestens eine Stickstoff-Sauerstoff-Verbindung und gegebenenfalls Wasserdampf enthalten sind. Bei Siliziuimtraosistoren erzielt man noch eine zusätzliche Wirkung, wenn· das Gasgemisch in der Hülle, bevor diese endgültig verschlossen wird, teilweise abgepumpt wird, vorzugsweise bis zu einem Druck von weniger als 10~2 mm Quecksilber.
Das Verfahren gemäß der Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Beispiel I
Ein Legierungstransistor, dessen halbleitender Körper aus Silizium des p-Typs bestellt, wird nach dem Nachätzen in einer Glashülle untergebracht, in der sich trocknes Stickstoffdioxyd (Distickstoff-Tetroxyd) befindet. Der Stromverstärkungsfaktor acj,, der nach dem Ätzvoirgang 5 betrug, steigt durch diese Behandlung unmittelbar bis zu einem Wert 15. Darauf wird noch. Wasserdampf in die Hülle eingeführt, wodurch acb weiter zunimmt und den Wert 18 erreicht. Während des Abpumpens dieses Gasgemisches nimmt
80S 768/400

Claims (6)

10 aci weiter zu und erreicht einen Maximalwert von 22 bei einem Quecksilberdruck von etwa 1O-4 mm. Darauf wird die Glashülle zugeschmolzen. Das Ganze wird dann erhitzt, wobei ac{, kontinuierlich zunimmt, bis bei 190° C ein Maximalwert von 50 erreicht wird. Während der Abkühlung auf Zimmertemperatur wird dieselbe Strecke in umgekehrter Reihenfolge durchlaufen. Beispiel II Ein Legierungstransistor, dessen halbleitender Körper aus Germanium des η-Typs besteht, hatte nach dem Ätzvorgang einen Stromverstärkungsfaktor von 15,2. Der Transistor wurde darauf in eine Umgebung geführt, die trocknes Stickstoffdioxyd (Distickstoff-Tetroxyd) enthielt. Durch diese Behandlung stieg αφ unmittelbar auf 32. Durch Zusatz von feuchtem Stickstoffdioxyd (Distickstoff-Tetroxyd) nahm ccc& weiter bis 40 zu. Nach Einschmelzen in einer Glashülle wurde das Gebilde auf 65° C erhitzt, bei welcher Temperatur acj, den Wert 41,5 erreichte; nach Abkühlung auf Zimmertemperatur war ac6 wieder auf den Wert 40 gesunken. Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors, bei dem auf einem halbleitenden Körper, der z.B. aus Germanium oder Silizium besteht, mindestens eine Gleichrichterelektrode und eine Ohmsche Verbindung angebracht werden, welches Gebilde darauf nachgeätzt und in eine Hülle eingebracht wird, die vakuumdicht verschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Ätzvorgang der halbleitende Körper mit Gleiehrichterelektrode(n) und Ohmscher Verbindung in eine Umgebung gebracht wird, in der sich mindestens eine Stickstoff-Sauerstoff-Verbindung befindet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich in dieser Umgebung Stickstoffdioxyd und/oder Distickstoff-Tetroxyd befindet (befinden).
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich in dieser Umgebung außerdem Wasserdampf befindet.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden. Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende Körper mit Gleiehrichterelektrode(n) und Ohmscher Verbindung1 erst in der vakuumdicht verschlossenen Hülle in eine Umgebung gelangt, in der sich mindestens eine Stickstoff-Sauerstoff-Verbiadung und gegebenenfalls Wasserdampf befinden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch in der Hülle vor dem endgültigen Verschließen teilweise abgepumpt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch in der Hülle bis zu einem Druck von weniger als 10~2 mm Quecksilber abgepumpt wird.
© 809 768/400 2.59
DEN13347A 1956-02-29 1957-02-23 Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors Pending DE1051984B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL205006 1956-02-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1051984B true DE1051984B (de) 1959-03-05

Family

ID=19750747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN13347A Pending DE1051984B (de) 1956-02-29 1957-02-23 Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors

Country Status (7)

Country Link
US (1) US2887630A (de)
BE (1) BE555370A (de)
CH (1) CH351341A (de)
DE (1) DE1051984B (de)
FR (1) FR1167317A (de)
GB (1) GB831815A (de)
NL (2) NL205006A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3145328A (en) * 1957-04-29 1964-08-18 Raytheon Co Methods of preventing channel formation on semiconductive bodies
US3244947A (en) * 1962-06-15 1966-04-05 Slater Electric Inc Semi-conductor diode and manufacture thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2812480A (en) * 1954-06-23 1957-11-05 Rca Corp Method of treating semi-conductor devices and devices produced thereby

Also Published As

Publication number Publication date
BE555370A (de)
CH351341A (de) 1961-01-15
NL94711C (de)
US2887630A (en) 1959-05-19
NL205006A (de)
GB831815A (en) 1960-03-30
FR1167317A (fr) 1958-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614540B2 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zu seiner herstellung
DE1182353C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements, wie Halbleiterstromtor oder Flaechentransistor, mit einer hochohmigen n-Zone zwischen zwei p-Zonen im Halbleiter-koerper
DE3786046T2 (de) Verfahren zur herstellung von festkoerpern einrichtungen mit duennen dialektrischen schichten.
DE1589810B2 (de) Passiviertes halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE1614356A1 (de) Integrierte Halbleiterbaugruppe mit komplementaeren Feldeffekttransistoren
DE2718449A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE1175796B (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2028640C3 (de) Halbleiterelement mit einer auf der Oberfläche einer Halbleiterbasis befindlichen TiO tief 2 - SiO tief 2 -Mischschicht
DE1051984B (de) Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors
DE1930423C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE2052810A1 (de) Verfahren zum Stabilisieren und Ein kapseln von Feldeffekttransistoren
DE1052573B (de) Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, insbesondere eines Transistors
DE1564406B2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und danach hergestellte halbleiteranordnung
DE1589900A1 (de) Halbleiter-Bauelemente mit Oberflaechenschutzschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1106879B (de) Verfahren zur Herabsetzung der Rekombination an den Oberflaechen von p-Zonen von Halbleiteranordnungen
DE1292761B (de) Planar-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1041164B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall
JPS5543727A (en) Cathode for electron tube and its production method
DE1152865B (de) Verfahren zum Herstellen von Legierungs-kontakten durch Anlegieren von Gold oder ueberwiegend Gold enthaltenden Legierungen an Siliziumkoerper
DE1546030C (de) Ätzlösung zum Ätzen von Silizium
DE1257989B (de) Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle
AT206943B (de) Halbleitendes Sperrschichtsystem, insbesondere Transistor oder Kristalldiode mit vakuumdichter Hülle, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1243943B (de) Verfahren zur Stabilisierung oder Steuerung der Oberflaecheneigenschaften eines kristallinen Halbleiterplaettchens
AT222181B (de) Halbleitendes Elektrodensystem und Verfahren zu dessen Herstellung
CH421302A (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung