DE1047839B - Bistabile Kippschaltung mit zwei Transistoren des stromverstaerkenden Typs - Google Patents

Bistabile Kippschaltung mit zwei Transistoren des stromverstaerkenden Typs

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DE1047839B
DE1047839B DEN12824A DEN0012824A DE1047839B DE 1047839 B DE1047839 B DE 1047839B DE N12824 A DEN12824 A DE N12824A DE N0012824 A DEN0012824 A DE N0012824A DE 1047839 B DE1047839 B DE 1047839B
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DE
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emitter
transistors
common
electrodes
point
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Heine Andries Rodrigue Miranda
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/35Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K3/352Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region the devices being thyristors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Description

wechselnde Ein- und Ausschalten jedes Transistors ' '
zustande kommt. Das Schaltbild der Abb. 3 zeigt η
auch kein »Gedächtniselement«, welches sich an den
Zustand der Schaltung vor der Ankunft eines Steuer- einem zwischen die zwei Emitterelektroden geschalimpulses erinnert und bewirkt, daß, nachdem beide 25 teten Gedächtniskondensator gekennzeichnet. Transistoren durch einen Steuerimpuls leitend ge- Der Eingang oder Steuerpunkt der neuen Kippmacht wurden, derjenige Transistor leitend bleibt, schaltung liegt an einem gemeinsamen Punkt entweicher vor der Steuerung nichtleitend war. Dieses sprechender Kreise der beiden Transistoren, also »Gedächtnis« kann unter Umständen aus den vollkommen symmetrisch, so daß auch vollkommen Kollektor-Basis-Kapazitäten der Transistoren be- 30 symmetrische Ausgangsspannungen an den beiden stehen, oder aus (nicht dargestellten) mit den Kollek- Kollektorelektroden abnehmbar sind, torbelastungswiderständen Rc parallel geschalteten Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beiKondensatoren. Bei Anschluß eines nachfolgenden spielsweise näher erläutert, welche das Schaltbild Kreises an einen der Kollektoren oder von zwei ver- einer Ausführungsform der Kippschaltung nach der schiedenen, durch die Kippschaltung zu steuernden 35 Erfindung darstellt.
Kreisen an beide Kollektoren würde die Symmetrie Die dargestellte Kippschaltung besitzt zwei Tran-
der Kippschaltung verlorengehen, und das ab- sistoren 1 und 2 des strom verstärkenden Typs, z. B. wechselnde Umschalten würde unter Umständen nicht PNPN-Transistoren, deren Basiselektroden je über mehr mit der notwendigen Zuverlässigkeit erreicht einen Widerstand 3 bzw. 4 mit einem Punkt festen werden können. Es sind zwar bistabile Kippschal- 40 Potentials, wie gezeigt mit Erde, verbunden sind. Die tungen mit zwei Spitzentransistoren bekannt, sie er- Emitterelektroden dieser Transistoren sind ihrerseits lauben es jedoch nicht, unter Beibehaltung eines ge- über Widerstände 5 bzw. 6 und 7 mit einem anderen meinsamen Emitterwiderstandsanteils zur genügen- Punkt 8 verbunden, dessen Potential durch eine zwiden Rückkopplung einen Kondensator als Ge- sehen den Basis- und Emitterelektroden, der beiden dächitniselement anzuwenden, da es sich bei die- 45 Transistoren angeschlossene Speraspannungsquelle 9 ser bekannten Kippschaltung um eine asymmetrische auf z. B. —2 Volt in bezug auf Erde festgelegt ist. handelt. Die beiden Transistoren 1 und 2 sind durch den
Die Erfindung ist bestrebt, diese Nachteile der be- gemeinsamen Emitterwiderstand 7 miteinander gekannten Kippschaltungen zu beheben. koppelt, welcher so groß ist, daß, falls z. B. der _ Die Kippschaltung nach der Erfindung ist durch 50 Transistor 1 leitend ist, der Transistor 2 durch den die Kombination von in jeden Emitterkreis geschal- Spannungsabfall am Widerstand 7 und die Sperrteten Widerständen, die einerseits an die zugehörige spannung der Quelle 9 gesperrt ist. Da der Basis-Emitterelektrode und andererseits an den gemein- strom des Transistors 1 gleich wie sein Emitterstrom samen Emitterwiderstand angeschlossen sind, mit von Erde nach der Kollektorelektrode dieses Tran-
sistors fließt, kann der durch diesen Basisstrom ver^ ursachte Spannungsabfall am Basiswiderstand 3 die Spannungsabfälle an den Widerständen 5 und 7 und die Spannung der Quelle 9 überwiegen, so daß der Transistor 1 leitend bleibt. Der Basisstrom des Transistors 2 ist jedoch gleich Null, so daß dieser Transistor durch die Summe der Sperrspannung der Quelle 9 und des Spannungsabfalls am Widerstand 7 gesperrt bleibt.
Wird ein positiver Impuls über eine Trennungsdiode 11 zwischen Erde und dem gemeinsamen Punkt der Widerständeö, 6 und 7 dem gemeinsamen Teil der Emitterkreise beider Transistoren zugeführt, so ändert sich der Zustand des leitenden und gesättigten Transistors 1 nicht, während der gesperrte Transistor2 vorübergehend leitend wird. Am Ende des Steuerimpulses kann, bei richtiger Wahl der Belastungswiderstände, nur einer der Transistoren leitend bleiben. Welcher dann leitend bleibt, hängt von kleinen Asymmetrien der Schaltung ab, und im allgemeinen bleibt stets derselbe Transistor leitend.
Erfindungsgemäß sind die Emitterelektroden der beiden Transistoren über einen Kondensator 12 miteinander verbunden, und ihre Kollektorelektroden sind je über einen Belastungswiderstand 13 bzw. 14 mit den negativen Klemmen der Kollektorspannungsquelle 10 verbunden. Bei Umschalten der Kippschaltung werden dementsprechend über diese getrennten Kollektorwiderstände symmetrische Ausgangsspannugen erzeugt.
Nimmt man an, daß anfänglich der Transistor 1 leitend ist, so ist der Kondensator 12 mit einer Potentialdifferenz gleich dem Spannungsabfall am Widerstand 5 geladen, und der Emitter des Transistors 1 bleibt am Beginn eines Steuerimpulses stärker negativ als der Emitter des Transistors 2, so daß, wenn dieser durch den Steuerimpuls leitend gemacht wird, sein Strom größer ist als derjenige des Transistors 1. Infolge dieser absichtlich eingeführten Asymmetrie bleibt der Transistor 2 nach Ablauf des Steuerimpulses leitend, währenddem der Transistor 1 gesperrt wird. Nach Ablauf aufeinanderfolgender positiver Steuerimpulse sind die Transistoren 1 und 2 somit abwechselnd leitend und gesperrt.
Ein dritter Zustand der Schaltung ist noch mög-Hch, nämlich derjenige, in welchem beide Transistoren gesperrt sind, und die Schaltung könnte, z. B. durch negative Impulse auf den gemeinsamen Punkt der Widerstände 5, 6 und 7, in diesen dritten Zustand gebracht oder zurückgebracht werden.
Die Spannungsquellen 9 und 10 könnten durch eine einzige Spannungsquelle mit Spannungsteiler ersetzt werden.
Bei Umpolung der Spannungsquellen und der Steuerimpulsquelle könnten die erwähnten PNPN-Transistoren durch NPNP-Transistoren ersetzt werden. Ferner könnten auch Spitzenkontakttransistoren verwendet werden.
Unter Umständen wäre die Sperrspannungsquelle 9 überflüssig, ihre Anwendung sichert jedoch eine größere Freiheit in bezug auf die Wahl der Werte der verschiedenen Widerstände und ermöglicht den erwähnten dritten Zustand.
Die beschriebene Kippschaltung ist einfach und betriebssicher, und sie enthält nur wenige Bauelemente. Sie kann z. B. in einer Impulsfrequenzteilungs-Schaltungsanordnung verwendet werden.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. BistabileKippschaltung mit zwei»Transistoren des stromverstärkenden Typs, deren Emitterelektroden je mit einem Punkt festen Potentials verbunden sind, deren Kollektorelektroden mit einem gemeinsamen Punkt festen Potentials über zugehörige Widerstände verbunden sind, über die symmetrische Ausgangsspannungen erzeugt werden, und deren Basiselektroden je über einen Widerstand mit einem Punkt festen Potentials verbunden sind, wobei eine regenerative Rückkopplung durch einen beiden Emitterkreisen gemeinsamen und an einen gemeinsamen Punkt festen Potentials angeschlossenen Widerstand gewährleistet wird, gekennzeichnet durch die Kombination von in jeden Emitterkreis geschalteten getrennten Widerständen (5, 6), die einerseits an die zugehörige Emitterelektrode und andererseits an den gemeinsamen Emitterwiderstand (7) angeschlossen sind, mit einem zwischen die zwei Emitterelektroden geschalteten Gedächtniskondensator.
2. Schaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand derartiger Größe, daß höchstens einer der beiden Transistoren im leitenden Zustand verbleiben kann.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Triggerimpulse diesem gemeinsamen Emitterwiderstand zugeführt werden.
4. Schaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Sperrspannungsquelle, welche an die Widerstände zwischen den Basis- und Emitterelektroden der beiden Transistoren angeschlossen ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 531076;
Radiotechnik, 1955, Nr. 10/11, S. 322, 323.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 727/221 12.58
DEN12824A 1956-10-09 1956-10-09 Bistabile Kippschaltung mit zwei Transistoren des stromverstaerkenden Typs Pending DE1047839B (de)

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US684942A US2944166A (en) 1956-10-09 1957-09-19 Bistable trigger circuit
GB31166/57A GB877412A (en) 1956-10-09 1957-10-04 Improvements in or relating to bistable trigger circuit arrangements employing transistors
FR1184035D FR1184035A (fr) 1956-10-09 1957-10-08 Basculeur bistable à deux transistors du type amplificateur de courant

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FR (1) FR1184035A (de)
GB (1) GB877412A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1156849B (de) * 1961-08-14 1963-11-07 Intermetall Elektronischer Doppelschalter
DE1240123B (de) * 1963-10-07 1967-05-11 Bunker Ramo Bistabile-Kippschaltung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3140434A (en) * 1959-08-11 1964-07-07 Ass Elect Ind Bistable multivibrator controlled oscillating d.-c. motor
US3113241A (en) * 1960-04-07 1963-12-03 Daystrom Inc Electronic switch means for flashing electrical lamps
US3185994A (en) * 1960-10-20 1965-05-25 Atlantic Refining Co Log transcribing and scale changing method and apparatus
US3815294A (en) * 1972-06-26 1974-06-11 American Optical Corp Method for making one-piece multifocal lenses

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2531076A (en) * 1949-10-22 1950-11-21 Rca Corp Bistable semiconductor multivibrator circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USB164000I5 (de) * 1951-09-15
US2673936A (en) * 1952-04-28 1954-03-30 Bell Telephone Labor Inc Diode gate
US2665845A (en) * 1952-10-08 1954-01-12 Bell Telephone Labor Inc Transistor trigger circuit for operating relays
NL191850A (de) * 1952-10-09
US2843761A (en) * 1954-07-29 1958-07-15 Arthur W Carlson High speed transistor flip-flops

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2531076A (en) * 1949-10-22 1950-11-21 Rca Corp Bistable semiconductor multivibrator circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1156849B (de) * 1961-08-14 1963-11-07 Intermetall Elektronischer Doppelschalter
DE1240123B (de) * 1963-10-07 1967-05-11 Bunker Ramo Bistabile-Kippschaltung

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