DE10353679A1 - Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module - Google Patents

Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module Download PDF

Info

Publication number
DE10353679A1
DE10353679A1 DE10353679A DE10353679A DE10353679A1 DE 10353679 A1 DE10353679 A1 DE 10353679A1 DE 10353679 A DE10353679 A DE 10353679A DE 10353679 A DE10353679 A DE 10353679A DE 10353679 A1 DE10353679 A1 DE 10353679A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic component
planar
product according
substrate
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10353679A
Other languages
English (en)
Inventor
Ewald Dr. Günther
Jörg-Erich SORG
Karl Weidner
Jörg ZAPF
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH, Siemens AG filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE10353679A priority Critical patent/DE10353679A1/de
Priority to EP04791319.9A priority patent/EP1685603B1/de
Priority to CNA2004800337734A priority patent/CN1910761A/zh
Priority to US10/579,542 priority patent/US7759754B2/en
Priority to KR1020067011986A priority patent/KR101164259B1/ko
Priority to EP10177356.2A priority patent/EP2262016B1/de
Priority to PCT/EP2004/052676 priority patent/WO2005050746A2/de
Priority to JP2006540423A priority patent/JP2007511914A/ja
Priority to CN2010105855440A priority patent/CN102088056A/zh
Priority to TW093134661A priority patent/TWI305426B/zh
Publication of DE10353679A1 publication Critical patent/DE10353679A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/2402Laminated, e.g. MCM-L type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405Shape
    • H01L2224/24051Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615Means for depositing
    • H01L2224/76151Means for direct writing
    • H01L2224/76155Jetting means, e.g. ink jet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322Composite web or sheet
    • Y10T428/24331Composite web or sheet including nonapertured component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Ein Erzeugnis weist ein Substrat mit einem optoelektronischen Bauelement auf, das planar kontaktiert ist.

Description

  • Bei der Herstellung von einzelnen LEDs und Beleuchtungsmodulen (Compact Light Sources) kommen als elektrische Kontaktiertechniken zwischen Chip und Substrat überwiegend Drahtbonden und Löten bzw. eine Chipmontage mit Leitkleber zum Einsatz. Auf diese Weise entstehen bestückbare Bauelemente oder auch LED-Arrays für Beleuchtungsmodule. Der übliche Aufbauprozess ist wie folgt:
    • – Diebonden: Platzieren des oder der Chips in einem gefüllten Leitkleber (Kleben) und Aushärten des Klebers oder
    • – Montage des Chips mit Hilfe eines Lotes, unter Temperatur und möglicherweise Druck (Löten/Legieren),
    • – Wirebond: Elektrischer Anschluss des Chips durch Drahtkontaktieren,
    • – Einkapselung des Chips mit transparentem Material (Epoxi, Silikon, Acrylat, Polyurethan und andere Polymere) durch Gießtechnik oder Spritztechnik,
    • – Vereinzeln der Nutzen durch Sägen, Wasserstrahlschneiden oder Lasertrennen.
  • Im Zuge der Miniaturisierung werden am Markt immer geringere Bauteilhöhen angefragt. Dabei müssen die Produkte kostengünstig sein und eine ausreichende Zuverlässigkeit bieten. Im Fall von Chip-Arrays werden sogar sehr hohe Zuverlässigkeiten gefordert. Darüber hinaus sollte die Verbindungstechnik eine hohe Flexibilität bieten, um schnell, flexibel und kostengünstig auf Designänderungen reagieren zu können.
  • Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, Module mit einem Substrat und optoelektronischen Bauelementen sowie Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die diesen Anforderungen gerecht werden.
  • Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Erfindungen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Dementsprechend weist ein Substrat ein optoelektronisches Bauelement auf, das planar kontaktiert ist. Die Kontaktierung erfolgt also nicht mehr durch dicke, gegebenenfalls im Abstand von Substrat und Bauelement geführte Drähte, sondern durch eine planare, flache, ebene Leitstruktur etwa in Form einer Kupferschicht.
  • Durch die planare Kontaktierung ergibt sich eine besonders geringe Bauhöhe des Moduls aus Substrat und optoelektronischem Bauelement.
  • Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise mit anderen optoelektronischen Bauelementen auf dem Substrat kontaktiert sein. Insbesondere ist es mit leitenden Elementen, beispielsweise Leiterbahnen, des Substrats planar kontaktiert.
  • Um die planare Kontaktierung in einem möglichst geringem Abstand vom Substrat und/oder optoelektronischen Bauelement zu führen, sind das Substrat und/oder das optoelektronische Bauelement zumindest teilweise mit einer isolierenden Schicht versehen, auf der zur planaren Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements die planare Leitstruktur angeordnet ist.
  • Die isolierende Schicht kann durch eine Folie, Lack und/oder eine Polymerschicht gebildet werden. Die Schicht kann auflaminiert, aufgedampft, gedruckt und/oder gespritzt werden. Eine Strukturierung der isolierenden Schicht kann beispielsweise mittels Laser, (Plasma-)Ätzen, Inkjet und/oder Fotostrukturierung erfolgen. Als Polymer kann insbesondere Parylene verwendet werden.
  • Dem optoelektronischen Bauelement sollte eine Lichtwechselwirkung mit der Umgebung möglich sein. Dies lässt sich besonders vorteilhaft auf zwei Arten realisieren: Einmal kann die isolierende Schicht insgesamt oder insbesondere im Bereich der Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelementes (hoch-)transparent sein.
  • Zum anderen kann in der isolierenden Schicht im Bereich der Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements ein Fenster geöffnet sein. Das Fenster kann, beispielsweise wenn die isolierende Schicht durch eine Folie gebildet wird, bereits vor dem Aufbringen der Schicht in dieser vorhanden sein. Alternativ lässt es sich aber auch nach dem Aufbringen der Schicht durch entsprechendes Strukturieren der Schicht mittels der oben genannten Vorgehensweisen öffnen.
  • Ein solches Fenster ist vorzugsweise in der isolierenden Schicht auch im Bereich einer oder mehrerer elektrischer Kontaktstellen des optoelektronischen Bauelementes vorgesehen. Durch das Fenster kann dann die planare Leitstruktur zur Kontaktstelle des optoelektronischen Bauelements geführt sein.
  • Wenn dies beabsichtigt ist, kann die isolierende Schicht und/oder die planare Leitstruktur auch eine Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements zumindest teilweise verdecken. Dazu ist insbesondere die planare Leitstruktur reflektierend ausgeführt, so dass beispielsweise Licht in das optoelektronische Bauelement zurückreflektiert wird und dieses an einer anderen Lichtaustrittsöffnung verlassen kann. So lässt sich über die planare Kontaktierung zusätzlich eine Lichtführung erzielen.
  • Das optoelektronische Bauelement ist beispielsweise eine LED, insbesondere eine OLED, und/oder ein fotovoltaisches Bauelement. Als Substrat können eine Leiterplatte, eine Keramik, eine, insbesondere beidseitig mit Kupfer kaschierte, Flex, ein beispielsweise gestanzter oder geätzter Leadframe oder ein Schichtaufbau zum Einsatz kommen, wie er beispielsweise bei der Herstellung von Chipkarten oder flexiblen Schaltkreisen verwendet wird.
  • Vorzugsweise beträgt die Höhe des Erzeugnisses mit Substrat und optoelektronischem Bauelement weniger als 0,4 mm.
  • In einem Verfahren zum Herstellen eines Erzeugnisses aufweisend ein Substrat mit einem optoelektronischen Bauelement wird das optoelektronische Bauelement planar kontaktiert. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich analog zu den vorteilhaften Ausgestaltungen des Erzeugnisses und umgekehrt.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung lassen sich der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung entnehmen. Dabei zeigt:
  • 1 einen Schnitt durch ein Erzeugnis aufweisend ein Substrat mit einem planar kontaktierten optoelektronischen Bauelement;
  • 2 einen Schnitt durch ein alternatives Erzeugnis aufweisend ein Substrat mit einem planar kontaktierten optoelektronischen Bauelement;
  • 3 einen Vergleich zwischen dem planar und einem herkömmlich kontaktierten optoelektronischen Bauelement in der Draufsicht und
  • 4 einen Vergleich zwischen dem planar und dem herkömmlich kontaktierten optoelektronischen Bauelement bezüglich des Lichtausfalls.
  • Zunächst sollen einige Grundzüge der Aufbau- und Verbindungstechnik dargestellt werden.
  • Eines oder mehrere optoelektronische Bauelemente beispielsweise in Form von Chips werden durch Kleben oder Löten auf einem Substrat fixiert. Die elektrische Anbindung von Kontaktstellen in Form von Kontaktpads auf der Oberseite des optoelektronischen Bauelements erfolgt nun durch ein planares Kontaktierverfahren. Dieses kann zum Beispiel auf dem Auflaminieren einer elektrisch isolierenden Folie und der Kontaktierung durch planare Leitstrukturen in Form von Metallstrukturen auf dieser Folie basieren. Statt in Form einer isolierenden Folie kann eine isolierende Schicht allerdings auch durch andere Verfahren erzeugt werden, wie beispielsweise Lackieren, Aufdampfen oder Drucken.
  • Zur isolierenden Schicht in Form von Isolierfolie:
    • – Aufbringen zum Beispiel durch isostatisches Laminieren in einem Autoklaven oder durch Verwendung eines Hot-Roll-Laminators oder in einer Vakuum-Heißpresse.
    • – Die Folie kann im Wellenlängenbereich des vom optoelektronischen Bauelement emittierten oder absorbierten Lichts transparent sein. Dann ist kein partielles Entfernen der Folie notwendig. Die Folie kann dann auch die Schutzfunktion des Clear-Mold-Compounds mit übernehmen.
    • – Falls die Folie nicht ausreichend transparent ist, kann sie so strukturiert werden, dass je nach LED-Typ der Lichtaustritt an den Chipflanken und/oder an der Chipoberseite maximiert wird. Dies kann beispielsweise durch eine Laserablation flexibel und unabhängig von der Topografie erfolgen.
    • – Durch geeignete Laminierverfahren kann erreicht werden, dass die Isolierfolie die Chipoberfläche nachbildet. Damit kann erreicht werden, dass auch an den Kanten und in den Eckbereichen die volle Isolierfunktion zur Erhöhung der Zuverlässigkeit gegeben ist.
  • Zur Kontaktierung durch planare Leitstrukturen in Form von Metallstrukturen gibt es verschiedene Möglichkeiten:
    • – Elektrische Anbindung über einen geeigneten Metallisierungsprozess, zum Beispiel Aufbringen einer dünnen Startschicht durch Sputtern oder Aufdampfen, anschließend selektive Verstärkung durch stromlose oder galvanische Abscheidung zum Beispiel von Kupfer.
    • – Die Isolierfolie ist elektrisch leitfähig beschichtet, zum Beispiel durch Auf kaschieren einer Metallfolie. Diese Metallfolie wird nun vor oder nach dem Laminierprozess strukturiert. Die Verbindung zwischen Chip und Metallstruktur kann bei erhöhten, besonders rauen Bumps auf den Chip-Pads durch mechanisches Verpressen erfolgen oder auch durch partielle galvanische oder stromlose Abscheidung. Hierbei ist eine Veredelung der Aluminium-Chip-Pads auf Waferebene vorteilhaft.
    • – Die Verbindung kann auch durch Einsatz von vorgeformten Presswerkzeugen in handelsüblichen Pressen erfolgen.
    • – Die leitfähigen Metallstrukturen können durch einen Druckprozess aufgebracht werden.
  • In 1 erkennt man ein Erzeugnis 1 aufweisend ein Substrat 2 in Form eines geätzten Kupfer-Leadframes. Das Kupfer des Leadframes ist dabei mit einer Nickel-Gold-Galvanik umgeben, um die Löteigenschaften zu verbessern. Auf dem Substrat 2 ist ein optoelektronisches Bauelement 3 in Form eines Chips angeordnet und mit dem Substrat 2 über Leitkleber oder Lot 4 elektrisch und mechanisch verbunden.
  • Über das Substrat 2 und das optoelektronische Bauelement 3 ist eine isolierende Schicht 5 in Form einer Folie geführt. Die isolierende Schicht 5 ist im Bereich der Lichtaustrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements 3 durch ein Fenster geöffnet. Zur Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 3 ist eine planare Leitstruktur 6 in Form einer Metallisierung über die isolierende Schicht 5 zu Kontaktstellen des optoelektronischen Bauelements 3 und zu einer Leiterbahn 7 des Substrats 2 geführt.
  • Das Substrat 2 mit dem optoelektronischen Bauelement 3, der isolierenden Schicht 5 und der planaren Leitstruktur 6 sind in eine Schutzmasse 8 in Form eines Clear-Mold-Compounds eingegossen. Das Erzeugnis 1 ist etwa 150 μm hoch.
  • Das in 2 dargestellte Erzeugnis 1 entspricht dem in 1 dargestellten mit Ausnahme der Tatsache, dass die isolierende Schicht 5 transparent ausgeführt ist und deshalb im Bereich der Lichtaustrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements 3 durchläuft. Es ist dort also kein Fenster geöffnet, sondern nur an den Kontaktstellen des optoelektronischen Bauelements 3, an denen dieses mit der planaren Leitstruktur 6 elektrisch verbunden ist. Die transparente, isolierende Schicht 5 kann insbesondere im Bereich der Lichtaustrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements 3 Pigmente enthalten, um austretendes Licht zu färben.
  • In 3 erkennt man links ein planar kontaktiertes optoelektronisches Bauelement 3 mit einem großen zentralen Lichtaustritt und einer diesen Lichtaustritt vollkommen umgebenden Randkontaktierung mit einer planaren Leitstruktur 6 und einer darunter verborgenen isolierenden Schicht. Alternativ kann die Randkontaktierung je nach Aufbau der Kontaktstellen des optoelektronischen Bauelements 3 und beabsichtigter Lichtführung auch nicht vollständig umlaufend, sondern nur an einer oder mehreren einzelnen Stellen zur dem Substrat 2 abgewandten Stirnseite des optoelektronischen Bauelements 3 laufen.
  • Rechts sieht man in 3 ein optoelektronisches Bauelement 3, das nach dem Stand der Technik über 120 μm-Drahtbonden mit einem Draht 9 kontaktiert ist. Wie man erkennt, wird ein Großteil der Lichtaustrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements 3 verdeckt.
  • Die Vorteile der planaren Kontaktierung bei der Lichtführung werden in 4 besonders deutlich. Hier sieht man links wiederum das planar durch die isolierende Schicht 5 und die planare Leitstruktur 6 kontaktierte optoelektronische Bauelement 3 auf dem Substrat 2. Alle Lichtaustrittsöffnungen des optoelektronischen Bauelements 3, an denen ein Lichtaustritt nicht gewünscht wird, werden durch die isolierende Folie 5 und die planare Leitstruktur 6 verdeckt. Sind diese reflektierend ausgeführt, so wird das Licht sogar in das optoelektronische Bauelement 3 zurückreflektiert, bis es an der vorgesehenen Lichtaustrittsöffnung austritt.
  • Bei der rechts in 4 dargestellten Kontaktierung nach dem Stand der Technik wird dagegen ein großer Teil des gewünschten Lichtaustrittsbereichs durch den angebondeten Draht 9 verdeckt. Stattdessen tritt das Licht ungewünscht parallel zum Substrat 2 aus den Seiten des optoelektronischen Bauelements 3 aus.
  • Beim planar kontaktierten optoelektronischen Bauelement 3 tritt das Licht dagegen wie gewünscht an der dem Substrat 2 gegenüber liegenden Stirnfläche des optoelektronischen Bauelements 3 und damit in etwa senkrecht zum Substrat 2 aus.
  • Die beschriebene Aufbau- und Verbindungstechnik weist folgende Vorteile auf:
    • – Kleinflächige Ankontaktierung und ein variables Layout ermöglichen größtmögliche Lichtausbeuten.
    • – Homogene Stromverteilung durch ausgewählte Kontaktleiterdimensionen mit der Folge einer hohen Lichtausbeute.
    • – Ultradünner, miniaturisierter Aufbau.
    • – Planare Ankontaktierung ermöglicht dünne Moldmassenabdeckung.
    • – Planare Ankontaktierung ermöglicht eine effektive Entwärmung durch einen flächig angebrachten Kühlkörper
    • – Kostengünstige Aufbau- und Verbindungstechnik durch hochparallele Prozessierung (Prozessierung im Nutzen). Auch das Fertigen im Reel-to-Reel-Verfahren ist möglich.
    • – Keine Abschattung durch zentrale Wirebond-Pads in der Chipmitte.
    • – Hohe Zuverlässigkeit durch angepasste Materialeigenschaften, zum Beispiel CTE (Coeffizient of Thermal Expansion), Tg (Temperatur des Glasübergangs) usw.
    • – Bei geeigneter Wahl der optischen Eigenschaften der Isolierfolie kann diese die Schutzfunktion des Clear-Mold-Compounds mit übernehmen, so dass dieser nicht mehr notwendig ist.
    • – Die Leuchtstoffe für die Lichtkonversion blau zu weiß können als Pigmente in die Folie eingearbeitet werden. Auf diese Weise ist über eine genau bestimmte Foliendicke und Pigmentkonzentration in der Folie eine gute Steuerung der Farbkoordinaten möglich.

Claims (13)

  1. Erzeugnis aufweisend ein Substrat (2) mit einem optoelektronischen Bauelement (3), dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (3) planar kontaktiert ist.
  2. Erzeugnis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) ein leitendes Element (7), insbesondere eine Leiterbahn, aufweist, mit dem das optoelektronische Bauelement (3) planar kontaktiert ist.
  3. Erzeugnis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) und oder das optoelektronische Bauelement (3) zumindest teilweise mit einer isolierenden Schicht (5) versehen sind, auf der zur planaren Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements (3) eine planare Leitstruktur (6) angeordnet ist.
  4. Erzeugnis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (5) eine Folie, Lack und/oder eine Polymerschicht ist.
  5. Erzeugnis nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (5) im Bereich einer Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements (3) transparent ist.
  6. Erzeugnis nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass in der isolierenden Schicht im Bereich einer Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements (3) ein Fenster geöffnet ist.
  7. Erzeugnis nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in der isolierenden Schicht im Bereich einer Kontaktstelle des optoelektronischen Bauelements (3) ein Fenster geöffnet ist, durch das die planare Leitstruktur zur Kontaktstelle des optoelektronischen Bauelements geführt ist.
  8. Erzeugnis nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (5) Pigmente zur Färbung des vom optoelektronischen Bauelement (3) emittierten oder absorbierten Lichts enthält.
  9. Erzeugnis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die planare Kontaktierung eine Lichtaus- und/oder -eintrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements zumindest teilweise verdeckt.
  10. Erzeugnis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (3) eine LED, insbesondere eine OLED, und/oder ein fotovoltaisches Bauelement ist.
  11. Erzeugnis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) eine Leiterplatte, eine Flex oder ein Leadframe ist.
  12. Erzeugnis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe des Erzeugnisses (1) weniger al 0,4 mm beträgt.
  13. Verfahren zum Herstellen eines Erzeugnisses (1) aufweisend ein Substrat (2) mit einem optoelektronischen Bauelement (3), dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (3) planar kontaktiert wird.
DE10353679A 2003-11-17 2003-11-17 Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module Withdrawn DE10353679A1 (de)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10353679A DE10353679A1 (de) 2003-11-17 2003-11-17 Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
EP04791319.9A EP1685603B1 (de) 2003-11-17 2004-10-27 Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leds und andere optoelektronische module
CNA2004800337734A CN1910761A (zh) 2003-11-17 2004-10-27 用于led和其它光电模块的成本低廉的小型化的构造技术和连接技术
US10/579,542 US7759754B2 (en) 2003-11-17 2004-10-27 Economical miniaturized assembly and connection technology for LEDs and other optoelectronic modules
KR1020067011986A KR101164259B1 (ko) 2003-11-17 2004-10-27 Led 및 다른 광전자 모듈을 위한 경제적인 소형화 구조 기법 및 접합 기법
EP10177356.2A EP2262016B1 (de) 2003-11-17 2004-10-27 Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
PCT/EP2004/052676 WO2005050746A2 (de) 2003-11-17 2004-10-27 Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leuchtdioden und andere optoelektronische module
JP2006540423A JP2007511914A (ja) 2003-11-17 2004-10-27 発光ダイオードおよびその他の光電モジュールに対するエコノミーな、小型化されたコンストラクションおよびコネクション技術
CN2010105855440A CN102088056A (zh) 2003-11-17 2004-10-27 用于光电模块的小型化的构造技术和连接技术
TW093134661A TWI305426B (en) 2003-11-17 2004-11-12 Connection technology for leds and other optoelectronic modules

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10353679A DE10353679A1 (de) 2003-11-17 2003-11-17 Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10353679A1 true DE10353679A1 (de) 2005-06-02

Family

ID=34530247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10353679A Withdrawn DE10353679A1 (de) 2003-11-17 2003-11-17 Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7759754B2 (de)
EP (2) EP1685603B1 (de)
JP (1) JP2007511914A (de)
KR (1) KR101164259B1 (de)
CN (2) CN102088056A (de)
DE (1) DE10353679A1 (de)
TW (1) TWI305426B (de)
WO (1) WO2005050746A2 (de)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
DE102007004303A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
DE102007011123A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
DE102007015893A1 (de) * 2007-04-02 2008-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102008006757A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement
DE102008015551A1 (de) * 2008-03-25 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit planarer Kontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049188A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049069A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7726835B2 (en) 2005-02-28 2010-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED array
DE102009039891A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul aufweisend zumindest einen ersten Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite und einer Isolationsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2011026709A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement mit einem halbleiterkörper, einer isolationsschicht und einer planaren leitstruktur und verfahren zu dessen herstellung
US8058147B2 (en) 2005-08-05 2011-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor components and thin-film semiconductor component
DE102013210668A1 (de) * 2013-06-07 2014-12-11 Würth Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls
US9142720B2 (en) 2007-01-29 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip
DE102010016185B4 (de) * 2009-03-31 2017-04-20 Infineon Technologies Ag Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
DE102020119511A1 (de) 2020-07-23 2022-01-27 Ic-Haus Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US11259471B2 (en) 2016-05-24 2022-03-01 Osram Gmbh Cover member for a greenhouse, greenhouse, and use of a layer for a cover member

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036030A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102005041099A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Glasbeschichtung und planarer Aufbau- und Verbindungstechnik
US7626262B2 (en) * 2006-06-14 2009-12-01 Infineon Technologies Ag Electrically conductive connection, electronic component and method for their production
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
DE102008028299B3 (de) * 2008-06-13 2009-07-30 Epcos Ag Systemträger für elektronische Komponente und Verfahren für dessen Herstellung
DE102009042205A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul
DE102010032497A1 (de) * 2010-07-28 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
US20120052458A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Roger Harman Removable orthodontic or orthopedic appliance with inlaid design piece and the method of construction
JP5625778B2 (ja) * 2010-11-12 2014-11-19 富士ゼロックス株式会社 発光チップ、発光装置、プリントヘッドおよび画像形成装置
US8653542B2 (en) * 2011-01-13 2014-02-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-interconnects for light-emitting diodes
DE102012200327B4 (de) 2012-01-11 2022-01-05 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3923633A1 (de) * 1988-12-12 1990-06-13 Samsung Electronics Co Ltd Verfahren zur herstellung eines leuchtdioden-matrixkopfes
DE19901918A1 (de) * 1998-01-28 1999-07-29 Rohm Co Ltd Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4005457A (en) * 1975-07-10 1977-01-25 Semimetals, Inc. Semiconductor assembly, method of manufacturing same, and bonding agent therefor
JPS5570080A (en) * 1978-11-21 1980-05-27 Nec Corp Preparation of luminous display device
JPS58130375A (ja) * 1982-01-29 1983-08-03 株式会社東芝 デイスプレイ装置
FR2685561B1 (fr) * 1991-12-20 1994-02-04 Thomson Hybrides Procede de cablage d'une barrette de lasers et barrette cablee par ce procede.
DE4228274C2 (de) 1992-08-26 1996-02-29 Siemens Ag Verfahren zur Kontaktierung von auf einem Träger angeordneten elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JP3825475B2 (ja) * 1995-06-30 2006-09-27 株式会社 東芝 電子部品の製造方法
US6281524B1 (en) * 1997-02-21 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
JPH1187779A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
US6130465A (en) * 1997-10-29 2000-10-10 Light Point Systems Inc. Micro-solar assembly
JPH11220170A (ja) 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子
US6184544B1 (en) 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
TW420965B (en) * 1998-07-14 2001-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dispersion-type electroluminescence element
JP4411695B2 (ja) 1999-07-28 2010-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6291841B1 (en) * 2000-01-10 2001-09-18 Jiahn-Chang Wu Flat interconnection semiconductor package
US6932516B2 (en) * 2000-07-19 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Surface optical device apparatus, method of fabricating the same, and apparatus using the same
AU2002253875A1 (en) * 2001-01-22 2002-09-04 Nanopierce Technologies, Inc. Optical device module and method of fabrication
JP2002324919A (ja) * 2001-02-26 2002-11-08 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法
US6687268B2 (en) * 2001-03-26 2004-02-03 Seiko Epson Corporation Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode
WO2002089221A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device comprising led chip
JP4055405B2 (ja) * 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
JP2003218392A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
WO2003063312A1 (fr) * 2002-01-21 2003-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif laser a semi-conducteurs a base de nitrures et son procede de fabrication
US7078737B2 (en) * 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
DE10308866A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1523043B1 (de) * 2003-10-06 2011-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optischer Sensor und dessen Herstellungsverfahren
US7622743B2 (en) * 2003-11-04 2009-11-24 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4805831B2 (ja) * 2004-03-18 2011-11-02 パナソニック株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置
JP5139005B2 (ja) * 2007-08-22 2013-02-06 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3923633A1 (de) * 1988-12-12 1990-06-13 Samsung Electronics Co Ltd Verfahren zur herstellung eines leuchtdioden-matrixkopfes
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
DE19901918A1 (de) * 1998-01-28 1999-07-29 Rohm Co Ltd Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7726835B2 (en) 2005-02-28 2010-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED array
US8058147B2 (en) 2005-08-05 2011-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor components and thin-film semiconductor component
US8814406B2 (en) 2006-03-31 2014-08-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip
US8267561B2 (en) 2006-03-31 2012-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
US8872330B2 (en) 2006-08-04 2014-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film semiconductor component and component assembly
DE102007004303A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
US9142720B2 (en) 2007-01-29 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip
KR101457245B1 (ko) * 2007-03-07 2014-10-31 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
US8546826B2 (en) 2007-03-07 2013-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting module and method of manufacture for a light-emitting module
DE102007011123A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
WO2008106941A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes modul und herstellungsverfahren für ein licht emittierendes modul
DE102007015893A1 (de) * 2007-04-02 2008-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
US8461601B2 (en) 2007-06-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic devices, and optoelectronic device
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102008006757A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement
DE102008015551A1 (de) * 2008-03-25 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit planarer Kontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049069A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049188A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
US8461604B2 (en) 2008-09-26 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module having a carrier substrate and a plurality of radiation-emitting semiconductor components
DE102008049069B4 (de) 2008-09-26 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010016185B4 (de) * 2009-03-31 2017-04-20 Infineon Technologies Ag Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
DE102009039890A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
US8847247B2 (en) 2009-09-03 2014-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module comprising at least one first semiconductor body having a radiation outlet side and an insulation layer and method for the production thereof
WO2011026709A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement mit einem halbleiterkörper, einer isolationsschicht und einer planaren leitstruktur und verfahren zu dessen herstellung
WO2011026456A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches modul aufweisend zumindest einen ersten halbleiterkörper mit einer strahlungsaustrittsseite und einer isolationsschicht und verfahren zu dessen herstellung
DE102009039891A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul aufweisend zumindest einen ersten Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite und einer Isolationsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013210668A1 (de) * 2013-06-07 2014-12-11 Würth Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls
US11259471B2 (en) 2016-05-24 2022-03-01 Osram Gmbh Cover member for a greenhouse, greenhouse, and use of a layer for a cover member
DE102020119511A1 (de) 2020-07-23 2022-01-27 Ic-Haus Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
US7759754B2 (en) 2010-07-20
EP1685603B1 (de) 2015-09-30
EP1685603A2 (de) 2006-08-02
EP2262016B1 (de) 2019-05-08
TW200529471A (en) 2005-09-01
US20070190290A1 (en) 2007-08-16
EP2262016A2 (de) 2010-12-15
WO2005050746A3 (de) 2005-07-28
EP2262016A3 (de) 2015-04-29
CN102088056A (zh) 2011-06-08
KR20060099531A (ko) 2006-09-19
TWI305426B (en) 2009-01-11
WO2005050746A2 (de) 2005-06-02
CN1910761A (zh) 2007-02-07
JP2007511914A (ja) 2007-05-10
KR101164259B1 (ko) 2012-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1685603B1 (de) Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leds und andere optoelektronische module
DE102005035672B4 (de) Solarzellenmodul für konzentrierende Solarsysteme mit einer Vielzahl von Solarzellen auf einem flächig mit einer Metallschicht beschichteten Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2258000B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
EP2297780B1 (de) Optoelektronisches modul mit einem trägersubstrat und einer mehrzahl von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen und verfahren zu dessen herstellung
EP2269238B1 (de) Gehäuse für leds mit hoher leistung und verfahren zu dessen herstellung
EP1312124A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung, modul und vorrichtung mit einem solchen modul
DE102009009288A1 (de) Starrflexible Trägerplatte
DE102008025491A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte
EP2425688A1 (de) Verfahren zur herstellung einer leiterplatte mit leds und gedruckter reflektorfläche sowie leiterplatte, hergestellt nach dem verfahren
DE112015005127B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102010050342A1 (de) Laminat mit integriertem elektronischen Bauteil
WO2014072256A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2016202609A1 (de) Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung
DE102006015115A1 (de) Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Moduls
EP0303272A2 (de) Leiterplatte für die Elektronik
DE102016103819A1 (de) Anschlussträger, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers oder eines optoelektronischen Bauteils
WO2019002098A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und anordnung mit einem optoelektronischen halbleiterbauteil
WO2012055661A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem halbleiterchip, einem trägersubstrat und einer folie und ein verfahren zu dessen herstellung
DE2641540C2 (de) Lumineszenzdiodenzeile zur Erzeugung eines sehr feinen Rasters von Lichtpunkten
WO2014048699A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102006059702A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE102010015942A1 (de) Solarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1634332A1 (de) Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren
EP1217664A2 (de) Halbleiter-Leuchteinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102019111816A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee