DE10352516B4

DE10352516B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf einem organischen Substrat

Info

Publication number: DE10352516B4
Application number: DE2003152516
Authority: DE
Inventors: Werner Dr. 10315 Gerlach
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2003-11-04
Filing date: 2003-11-04
Publication date: 2011-08-11
Anticipated expiration: 2023-11-05
Also published as: DE10352516A1

Abstract

Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (9) auf einem organischen Substrat (10), wobei ein Trägergas in eine Gasflusssputterquelle eingeleitet wird, wobei das Target (5) der Gasflusssputterquelle zumindest teilweise das abzuscheidende Material aufweist und die durch die Gasflusssputterquelle erzeugte Gasströmung (8) auf das zu beschichtende Substrat (10) geleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasströmung (8) vor. dem Auftreffen auf dem Substrat (10) mittels eines Umlenkkanals (12) abgelenkt oder umgelenkt wird, welcher an der Gasaustrittsöffnung (17) angeordnet ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten, vorzugsweise von Schichten im Nanometerbereich oder im Mikrometerbereich auf einem organischen Substrat oder einer organischen Schicht mit den in den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 17 genannten Merkmalen.
Für viele technische Prozesse, beispielsweise die Herstellung von Flachdisplays auf Basis organischer Leuchtdioden, ist die Abscheidung dünner Schichten auf einem organischen Substrat oder einer vorher abgeschiedenen organischen Schicht oder einem vorher abgeschiedenen organischen Schichtsystem notwendig. So kann für die Herstellung von Flachdisplays auf Basis organischer Leuchtdioden (so genannten OLED-Displays) die Abscheidung dünner Schichten, beispielsweise aus Metall oder isolierenden Stoffen wie beispielsweise Oxiden, Nitriden oder Oxinitriden oder auch leitfähig transparenten Materialien wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Zink-Aluminium-Oxid (ZnO:Al) mit einer Schichtdicke von einigen 10 nm bis zu einigen μm auf der Oberfläche von organischen Materialien, wie zum Beispiel Polymeren, speziell auf der Oberfläche von temperaturempfindlichen, leitfähigen organischen Polymeren notwendig sein.
Zum Aufbringen dünner Schichten sind verschiedenste Verfahren bekannt. Bei der Abscheidung dünner Schichten auf organischen Materialien gibt es grundsätzlich die Bedingung, dass eine Temperatur von ca. 100°C auf der Oberfläche des organischen Substrats nicht überschritten werden darf, um eine Beschädigung der organischen Schicht bzw. eine Verringerung der Lebensdauer des organischen Bauelementes zu vermeiden; andererseits ist für die Erzeugung qualitativ hochwertiger Schichten aufgrund der notwendigen Oberflächen- beziehungsweise Volumendiffusion eine ausreichend hohe Temperatur von teilweise mehr als 150°C notwendig. Dies gilt insbesondere für leitfähige transparente Oxide wie Indium-Zinnoxid, welche beispielsweise als Anodenschichten für OLED-Displays Verwendung finden.
Eine Möglichkeit zur Abscheidung dünner Schichten auf einem Substrat ist die thermische Verdampfung des zu beschichtenden Materials. Um die Temperaturbelastung, insbesondere bei temperaturempfindlichen Substraten wie leitfähigen Polymeren auf das erforderliche Maß zu reduzieren, erfolgt eine Abscheidung mittels Verdampfung in der Regel bei einem Abstand zwischen Verdampfer und Substrat Von ca. 50 cm. Aufgrund des großen Abstandes zwischen Quelle (Verdampfer) und Substrat ist die Materialausnutzung geringer als 1% Damit verbunden sind äußerst geringe Raten für die Abscheidung und eine stark limitierte maximale Schichtdicke von ca. 0,5 μm aufgrund des begrenzten Fassungsvermögens der verwendeten Quelle (Verdampfer). Weiterhin ist die Kristallstruktur in der abgeschiedenen Schicht qualitativ geringwertig, da aufgrund der niedrigen Temperatur an der Oberfläche des Substrates von < 100°C keine ausreichende Oberflächen- bzw. Volumendiffusion der auftreffenden Atome möglich ist. Darüber hinaus ist bei der thermischen Verdampfung die Auswahl an aufdampfbaren Materialien bedingt durch die maximal mögliche Temperatur des thermischen Verdampfers beschränkt. Oxide, Nitride, Oxynitride und leitfähige transparente Schichten sind nur ungenügend oder nicht realisierbar. Dadurch ist beispielsweise keine optimale Anpassung des abgeschiedenen Materials an die physikalischen Erfordernisse eines OLED-Bauelementes möglich. Außerdem ist die Kontrolle der thermischen Verdampfung hinsichtlich der Prozessstabilität aufgrund des exponentiellen Zusammenhanges zwischen Dampfdruck und Temperatur der Verdampferquelle mit einem erheblichen Mess- und Regelaufwand verbunden.
Weiterhin ist es zur Abscheidung dünner Schichten aus WO 01/15244 A1 und WO 99/28521 A1 bekannt, die Verdampfung mittels eines Elektronenstrahls zu realisieren bzw. eine Plasma-Zerstäubung für die Abscheidung zu nutzen. Die Verdampfung mittels Elektronenstrahl hat den Vorteil der größeren Materialauswahl und einer sehr hohen Verdampfungsrate. Jedoch kommt es aufgrund der hohen Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl zur Erzeugung von Röntgenstrahlung. Diese führt zu einer starken negativen Beeinträchtigung der Eigenschaften von organischen Substraten, insbesondere hinsichtlich Lebensdauer und Lichtausbeute.
Die Plasma-Zerstäubung zeichnet sich durch eine Nutzbarkeit für nahezu alle Materialien und eine hohe Stabilität der Kondensationsrate aufgrund des linearen Zusammenhanges zwischen Kondensationsrate und Entladungsleistung aus. Aufgrund der deutlich höheren Energie der auftreffenden Teilchen (ca. 4 ... 40 eV) gegenüber der thermischen Verdampfung (ca. 0,1 ... 0,2 eV) kann es jedoch zu einer negativen Beeinflussung der organischen Schicht (Substrat) durch das Auftreffen hochenergetischer Teilchen kommen. Da die Zerstäubung ein Plasmaprozess ist, entsteht auch ultraviolette (UV) Strahlung, die in der organischen Schicht zu Strahlenschäden führen kann.
Darüber hinaus ist aus DE 198 34 314 A1 ein Verfahren zur Abscheidung einer Entspiegelungsschicht auf einem Kunststoffsubstrat bekannt, bei dem eine Gasflusssputterquelle eingesetzt wird. DE 42 35 953 A1 zeigt ebenfalls eine Gasflussputterquelle zum Herstellen dünner Schichten. Aus der DE 102 11 332 A1 ergibt ist eine Vorrichtung zur Aktivierung von Gasen im Vakuum mittels Hohlkathoden-Glimmentladung. Die DE 195 05 268 C2 offenbart ein CVD-Verfahren zur Beschichtung von Substratoberflächen.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf einem organischen Substrat anzugeben, mit welchen auch bei niedrigen Temperaturen (< 100°C) die Abscheidung einer Schicht auf einem organischen Substrat oder einer organischen Schicht mit guter Qualität ermöglicht wird. Weiterhin soll das erfindungsgemäße Verfahren eine große Vielfalt von abscheidbaren Materialien, speziell auch von Oxiden, Nitriden, Oxinitriden bzw. leitfähigen transparenten Schichten umfassen. Weiterhin soll auch die Abscheidung von dünnen Schichten auf großflächigen Substraten möglich sein. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine hohe Materialausbeute und eine damit einhergehende hohe Abscheidungsrate zu realisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 (Verfahrensanspruch) und des Anspruchs 17 (Vorrichtungsanspruch) im Zusammenwirken mit den Merkmalen im Oberbegriff. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten auf einem organischen Substrat vorgeschlagen, wobei ein Trägergas in eine Gasflusssputterquelle eingeleitet wird, wobei das Target der Gasflusssputterquelle zumindest teilweise das abzuscheidende Material aufweist und die durch die Gasflusssputterquelle erzeugte Gasströmung auf das zu beschichtende Substrat geleitet wird. Die Gasströmung wird dabei vor dem Auftreffen auf dem Substrat mittels eines Umlenkkanals abgelenkt oder umgelenkt, wobei der Umlenkkanal an der Gasaustrittsöffnung angeordnet ist.
Dadurch, dass ein Trägergas in eine Gasflusssputterquelle eingeleitet wird, wobei ein innerhalb der Gasflusssputterquelle angeordnetes Target zumindest teilweise das abzuscheidende Material aufweist und die durch die Glasflusssputterquelle erzeugte Gasströmung auf das zu beschichtende Substrat geleitet wird, können hohe Plasmadichten von bis zu 10¹⁸ cm^–3 in Substratnähe erreicht werden, was etwa zwei Größenordnungen über der Plasmadichte von typischen Magnetron-Sputterentladungen liegt und die Schichtbildung qualitativ positiv beeinflusst.
In einer bevorzugten Ausführungsvariante wird zusätzlich mindestens ein Reaktivgas in die Trägergasströmung und/oder in den Nachglimmbereich der Gasflusssputterquelle eingeleitet. Der eigentliche Anregungsbereich der Gasflußsputterquelle wird durch das Reaktivgas nicht durchströmt. Aufgrund der hohen Plasmadichte im Nachglimmbereich wird eine effektive Reaktivgasanregung gefördert, wodurch hohe Leistungsdichten und damit hohe Beschichtungsraten ermöglicht werden. Das Gasflusssputterverfahren zeichnet sich durch zwei grundlegende Charakteristika, nämlich die Hohlkathoden-Glimmentladung und die Gasströmung, aus. Einerseits sorgt die Hohlkathoden-Glimmentladung für eine effiziente Plasmaerzeugung, andererseits sorgt die hohe Gasströmung für den effektiven Transport des abgesputterten Materials zum Substrat und für die Reaktivgasverdrängung aus der Hohlkathode. Eine räumliche Trennung der Sputterzone von der Anregungszone des Raktivgases unterdrückt vorteilhafterweise die Kontamination des Targets durch Reaktivgas und gewährleistet so eine hohe Beschichtungsrate und Entladungsstabilität.
Die Hohlkathoden-Glimmentladung wird vorzugsweise zwischen zwei planaren Targetplatten gezündet. Bevorzugte Arbeitsdrücke liegen zwischen 10 und 100 Pa, bevorzugte Entladungsleistungen im Bereich von 1 bis 10 W/cm². Die sich dabei einstellende Entladungsspannung hängt von den Entladungsbedingungen (Druck und Gasart) ab und liegt im Bereich einiger 100 V.
Beim Sputtern erfolgt der Abtrag des Materials vom Target mittels energiereichen Teilchenbeschusses. Erzeugt werden diese Teilchen in einem Plasma, gezündet durch eine Glimmentladung, in welcher das Targetmaterial als Kathode dient. Zunächst wird innerhalb des Entladungsraumes ein Vakuum erzeugt, anschließend wird ein Entladungsgas (das Trägergas), vorzugsweise Argon, bis zu einem Druck von 10 bis 100 Pa eingelassen. Zwischen Kathode und Anode wird nun eine Spannung von einigen 100 V DC angelegt, so dass sich auf dem Target eine Entladungsleistungsdichte von 1 bis 10 W/cm² ergibt. Es bildet sich ein Plasma, da die Elektronen auf ihrem Weg zur Anode Atome des Trägergases, also des Argons, ionisieren. Diese sind in der Regel einfach positiv geladen und werden im Dunkelraumgebiet (Kathodenfall) in Richtung Kathode, also auch zu den zwei planaren Targetplatten der Kathode beschleunigt. Beim Auftreffen auf das Target besitzen die Argon-Ionen eine hohe kinetische Energie und sind in der Lage, Atome aus der Targetoberfläche herauszuschlagen. Außer den zerstäubten Targetatomen, die zu 99% neutral sind und keine Vorzugsrichtung aufweisen, werden auch Sekundärelektronen zur Aufrechterhaltung des Plasmas freigesetzt. Aufgrund der Überlagerung der beiden negativen Glimmlichtbereiche beider Kathoden pendeln die Elektronen solange zwischen den Targets hin und her, bis sie nahezu ihre gesamte Energie an das Plasma abgegeben haben. Das Substrat, auf dem sich das freigesetzte Material abscheiden soll, befindet sich in einigem Abstand vor dem Target.
In einer bevorzugten Ausführungsvariante ist die Entladespannung eine Gleichspannung und die beiden Targetelektroden im Entladungsraum werden parallel geschaltet und als Kathode betrieben.
In einer alternativen, bevorzugten Ausführungsvariante wird als Entladespannung eine Wechselspannung oder eine gepulste Wechselspannung zwischen den beiden Kathoden angelegt. Die beiden Kathoden sind in dieser Variante nicht parallel geschaltet. Weiterhin ist es erfindungsgemäß vorgesehen, zusätzlich magnetische Felder im Bereich der Oberflächen der Targetplatten zu erzeugen, um eine höhere Plasmadichte und eine Verminderung des Austritts schneller Elektronen aus dem Entladeraum zu erreichen. Diese Magnetfelder können mittels Permanentmagneten auf der Rückseite der Kathoden oder mittels Spulen erzeugt werden. Gegenüber den bekannten Verfahren zum Aufbringen dünner Schichten auf ein organisches Substrat bietet das Gasflusssputtern den Vorteil, dass es aufgrund des hohen Entladedruckes durch die geringe mittlere freie Weglänge der Gasteilchen zu einer deutlichen Reduzierung des Beschusses des Substrates mit hochenergetischen Atomen und/oder Ionen kommt, was sich positiv auf die Lebensdauer des Substrates auswirkt. Weiterhin kann im Unterschied zur üblichen Kathodenzerstäubung, bei welcher das Substrat ständig nahezu die gesamte UV-Strahlung aus der Entladung einfängt, das Substrat im Falle des Gasflusssputterns in einer bevorzugten Ausführungsvariante über eine schmale Austrittsöffnung der Gasflusssputterquelle hinweg bewegt werden, so dass die auf das Substrat einwirkende UV-Strahlung deutlich reduziert werden kann.
Es ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Gasströmung vor dem Auftreffen auf das Substrat um einen bestimmten Winkel abgelenkt wird, was mittels eines an der Austrittsöffnung des Hohlkathodenentladungsraumes angeordneten Umlenkkanals bewirkt werden kann. Da beim Gasflusssputtern der Teilchentransport nicht ballistisch, sondern strömungsbedingt ist, muss das Substrat nicht direkt gegenüber der Gasflusssputterquelle, sondern kann auch derart positioniert werden, dass eine direkte Strahlung von der Entladungsquelle zum Substrat unterbunden wird, was beispielsweise durch die Anordnung des Substrates in einem endlichen Winkel zur Austrittsöffnung erreicht werden kann. Hierdurch kann die Substraterwärmung um ca. 75% reduziert werden, wobei die konvektive Erwärmung um ca. 50% reduziert und die direkte Strahlung, welche ca. 50% der Erwärmung ausmacht, vollständig eliminiert werden kann.
Die Anordnung eines Substrats in einem bestimmten Winkel zur Austrittsöffnung des Hohlkathodenentladungsraumes und das Umlenken des Gasstromes mittels eines Umlenkkanals ist jedoch nur für äußerst temperaturempfindliche Substrate anwendbar, da hiermit insbesondere eine Reduzierung der Beschichtungsrate um ca. 90% und eine Reduzierung der Plasmadichte um ca. 80% einhergeht.
Ein weiterer Vorteil des Gasflusssputterns ist die sehr große Auswahl an Targetmaterialien im Vergleich zum herkömmlichen Verdampfungsprozess; es können auch nicht-metallische und sehr hochschmelzende Materialien, wie beispielsweise Oxide, aufgebracht werden. Durch den Einsatz von zusätzlichen Reaktivgasen, wie beispielsweise Sauerstoff oder Stickstoff, ist ebenfalls eine Abscheidung von transparenten Schichten, unabhängig davon, ob diese leitfähig oder isolierend sind, möglich.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. der erfindungsgemäßen Vorrichtung können neben den bereits genannten Materialien unter Anderem die folgenden Materialien abgeschieden werden: Al, AlOx, Ba, BaF, CsF, LiF, Mg:Ag, SiOxNy, SiOx, SiNx,Yb, ZnO:(Al, ...). Eine Abscheidung kommt insbesondere auf temperatur- und UV-empfindlichen organischen Bauelementestrukturen, wie z. B. OLED (Organic Light Emitting Diode), OSC (Organic Semiconductor Centre) oder OTFT (Organic Thin Film Transistor) in Betracht. Dabei stammen organische Emittermaterialien insbesondere aus den Klassen der Poly-Para-Phenylene (PPP), der Poly-Fluorene (PFO), der Poly-Phenylene-Venylene (PPV) oder Poly-Thiophene.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
1: eine Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf organischen Materialien in schematischer Darstellung,
2: eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf organischen Substraten mit einem im Winkel von 90° zur Austrittsöffnung des Entladungsraums angeordneten Substrat,
3: eine Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf organischen Substraten, welche mit einer gepulsten Spannung und an der Oberfläche der Targetelektronen erzeugten Magnetfeldern betrieben wird und
4: die Vorrichtung nach 3 mit Spulen zur Erzeugung der Magnetfelder an den Targetplatten.
In 1 ist eine nicht-erfindungsgemäße Vorrichtung zur Abscheidung einer dünnen Barium-Schicht 9 auf einem OLED-Substrat 10, welches eine organische Emitterschicht aus der Materialklasse der Poly-Fluorene (PFO) aufweist, schematisch dargestellt. Innerhalb des Entladeraumes 1 ist eine Hohlkathode angeordnet, welche zwei axial auf Abstand zueinander angeordnete Kathodenplatten 5 aus Barium aufweist. Weiterhin ist innerhalb des Entladungsraumes 1 eine Anode 2 angeordnet, wobei die Kathode bestehend aus den Targetplatten (Kathodenplatten) 5 und die Anode 2 mit einer Spannungsversorgung 4 verbunden sind, über welche die Entladungsgleichspannung eingespeist werden kann. Zunächst wird innerhalb des Entladungsraumes 1 ein Vakuum von 50 Pa mittels einer Vakuumpumpe erzeugt. Die Arbeitstemperatur beträgt zwischen 30°C und 130°C, im vorliegenden Ausführungsbeispiel 80°C. Anschließend wird über den Trägergaseinlass 3 das Trägergas Argon in den Entladungsraum 1 eingeführt, wobei an den Elektroden 2, 5 eine Spannung von 600 V DC angelegt wird. Hierdurch wird innerhalb des Entladungsraumes 1 ein Plasma 6 erzeugt, wodurch die Argonatome ionisiert werden und dadurch positiv geladen sind. Hierdurch werden sie zur Hohlkathode, insbesondere zu den zwei Targetplatten 5 beschleunigt. Beim Auftreffen auf den Targetplatten 5 werden Bariumatome aus der Targetoberfläche herausgeschlagen, welche zu 99% neutral sind und keine Vorzugsrichtung aufweisen. Weiterhin werden Sekundärelektronen zur Aufrechterhaltung des Plasmas 6 freigesetzt. Das so erzeugte Gas (Plasma 6) strömt nun aus der Austrittsöffnung 17 des Entladungsraumes 1 in den Beschichtungsraum 11, in welchem das zu beschichtende Substrat 10 angeordnet ist. Soll auf das Substrat 10 anstatt einer Bariumschicht eine Bariumoxidschicht aufgebracht werden, kann mittels der Reaktivgaseinlässe 7 ein Reaktivgas, beispielsweise Sauerstoff in die Gasströmung eingebracht werden, so dass sich das aus den Targetplatten 5 abgesputterte Barium nun mit dem Sauerstoff zu Bariumoxid verbindet und durch den Gasstrom weitergetragen und auf das Substrat 10 in Form der Schicht 9 aufgebracht wird. Bei einer Beschichtungszeit von 5 Minuten kann eine Schichtdicke der Bariumoxidschicht 9 von 50 nm erzielt werden.
2 zeigt die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf organischen Materialien, wobei der Beschichtungsraum 11 mit dem Substrat 10 nicht direkt gegenüber der Auslassöffnung 17 des Entladeraumes 1 angeordnet ist. Diese Ausführungsvariante ist vor allem für äußerst temperaturempfindliche Substrate 10 vorteilhaft, da durch die Umleitung des Gasstromes 8 mittels des Umlenkkanals 12 eine Reduzierung der Substraterwärmung um ca. 75% erreicht werden kann.
In 3 ist eine nicht-erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf organischen Substraten schematisch dargestellt, welche eine gepulste Gleichstromversorgung 13 aufweist. Die Pulsfrequenz beträgt 20 KHz bis 50 KHz. Weiterhin ist es erfindungsgemäß vorgesehen, dass an den Targetelektroden (Targetplatten) 5 ein Magnetfeld 16 angelegt wird. Diese Magnetfelder 16 werden durch (hier nicht dargestellte) Permanentmagnete erzeugt, welche auf der Rückseite der Kathoden 5 angeordnet sind. Ein besonderer Vorteil dieser erfindungsgemäßen Ausgestaltung besteht darin, dass die schnellen Elektronen auf Bahnen gezwungen werden, wo sie durch Wechselwirkung mit Gasteilchen nahezu ihre gesamte Energie abgeben müssen, bevor sie diese verlassen können. Damit können schnelle Elektronen nicht den Kathodenfallbereich verlassen, ohne effektiv zur Gasionisierung beizutragen.
In 4 ist die nicht-erfindungsgemäße Vorrichtung nach 3 dargestellt, wobei die Erzeugung des Magnetfeldes mittels elektrischer Spulen 18 erfolgt. Entscheidend für die vorbeschriebene Einwirkung auf die Elektronen ist hierbei die magnetische Komponente parallel zur Oberfläche der Targetplatten 5. Die magnetische Flußdichte parallel zur Oberfläche der Targetplatte 5 beträgt zwischen 0,05 mT und 0,2 mT. Durch Anlegen eines Magnetfeldes kann die Verwendung einer Hohlkathode vermieden werden.
Bezugszeichenliste

1: Entladungsraum
2: Anode
3: Trägergaseinlass
4: Spannungsversorgung
5: Kathodenplatte/Targetplatte/Target
6: Plasma
7: Reaktivgaseinlass
8: Gasfluss
9: abgeschiedene Schicht
10: Substrat
11: Beschichtungsraum
12: Umlenkkanal
13: gepulste Gleichstromversorgung
16: magnetisches Feld
17: Austrittsöffnung
18: Spule

Claims

Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (9) auf einem organischen Substrat (10), wobei ein Trägergas in eine Gasflusssputterquelle eingeleitet wird, wobei das Target (5) der Gasflusssputterquelle zumindest teilweise das abzuscheidende Material aufweist und die durch die Gasflusssputterquelle erzeugte Gasströmung (8) auf das zu beschichtende Substrat (10) geleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasströmung (8) vor. dem Auftreffen auf dem Substrat (10) mittels eines Umlenkkanals (12) abgelenkt oder umgelenkt wird, welcher an der Gasaustrittsöffnung (17) angeordnet ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als organisches Substrat (10) ein Substrat mit einer organischen Bauelementestruktur verwendet wird, wobei als organische Bauelementestruktur eine organische Leuchtdiode, ein organischer Halbleiter oder ein organischer Dünnschichtfilmtransistor verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die organischen Emittermaterialien der organischen Leuchtdiode aus den Klassen der Poly-Para-Phenylene, der Poly-Fluorene, der Poly-Phenylen-Vinylene oder Poly-Thiophene ausgewählt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich mindestens ein Reaktivgas in die Gasströmung (8) und/oder in die Gasflusssputterquelle (1, 2, 3, 4, 5) eingeleitet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Gasflusssputterquelle eine Hohlkathoden-Gasflusssputterquelle verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitsdruck zwischen 10 und 100 Pa beträgt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Trägergas ein Edelgas verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Edelgas Argon verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass als Reaktivgas Sauerstoff oder Stickstoff verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlkathode zwei planare Targetelektroden (5) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Entladungsspannung (4) eine Gleichspannung ist und die Targetelektroden (5) parallel geschaltet werden.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Gleichspannung zwischen 100 und 800 V beträgt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Entladungsspannung (4) eine Wechselspannung oder eine gepulste Wechselspannung ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der Targetelektroden (5) mindestens ein magnetisches Feld (16) angelegt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die planaren Targetelektroden (5) innerhalb des Entladungsraumes (1) der Gasflusssputterquelle gegenüberliegend angeordnet werden.
Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Targetelektroden (5) wechselweise als Anode und Kathode geschaltet werden.
Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten (9) auf einem Substrat (10) aufweisend einen Entladungsraum (1), eine Targetelektrode (5), eine zweite Elektrode (2), einen Trägergaseinlass (3) und eine Gasaustrittsöffnung (17), mindestens eine weitere Targetelektrode (5) und/oder Mittel zur Erzeugung magnetischer Felder im Bereich der Oberfläche der Targetelektrode (5) und/oder Mittel zum Anlegen gepulster Spannungen an die Elektroden, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen Umlenkkanal (12) aufweist, welcher an der Gasaustrittsöffnung (17) angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei Mittel zur Erzeugung magnetischer Felder im Bereich der Oberfläche der Targetelektrode (5) angeordnet sind.