DE1034703B - Einrichtung in einem selbsttaetigen Signalisierungssystem zur Herstellung einer Signalverbindung - Google Patents

Einrichtung in einem selbsttaetigen Signalisierungssystem zur Herstellung einer Signalverbindung

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DE1034703B
DE1034703B DEN13731A DEN0013731A DE1034703B DE 1034703 B DE1034703 B DE 1034703B DE N13731 A DEN13731 A DE N13731A DE N0013731 A DEN0013731 A DE N0013731A DE 1034703 B DE1034703 B DE 1034703B
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DE
Germany
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rectifier
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DEN13731A
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Jacob Fredrik Klinkhamer
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
    • HELECTRICITY
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    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung in einem selbsttätigen Signalisierungssystem, z. B. einem selbsttätigen Telephoniesystem, zur Herstellung einer Signalverbindung zwischen einem mehrerer Leiter einer ersten Gruppe und einem mehrerer Leiter einer zweiten Gruppe.
Es ist bereits eine solche Einrichtung bekannt, bei der zwischen jedem Leiter der ersten Gruppe und jedem Leiter der zweiten Gruppe die Hauptstrombahn eines Transistors liegt, dessen Stromverstärkungsgrad größer als 1 ist. Die Emitterelektroden der Transistoren sind dabei mit den Leitern der ersten Gruppe und die Kollektorelektroden mit den Leitern der zweiten Gruppe verbunden, und im Basiskreis der Transistoren liegt ein Widerstand. Die Leiter der ersten Gruppe sind je über einen Widerstand mit einer ersten Klemme der Speisequelle verbunden, und die Leiter der zweiten Gruppe sind je über einen Widerstand mit einer zweiten Klemme der Speisequelle verbunden. Ferner sind Mittel vorgesehen zur Änderung der Spannung eines der Leiter der ersten Gruppe und eines der Leiter der zweiten Gruppe in der Weise, daß infolge des gleichzeitigen Auftretens dieser Spannungsänderungen der zwischen diesen Leitern liegende Transistor stromleitend wird. Bei der bekannten Einrichtung sind die Basiselektroden über einen Widerstand mit den Emitterelektroden verbunden. Der Kollektorstrom eines solchen als Dipol geschalteten Transistors weist als Funktion der Spannung zwischen der Kollektorelektrode und der Emitterelektrode einen ähnlichen Verlauf wie eine Gasröhrenkennlinie auf. Wenn die Spannung einen bestimmten Grenzwert überschreitet, wird der Transistor stromleitend und bleibt dann stromleitend, da an dem im Basiskreis liegenden Widerstand ein solcher Spannungsabfall auftritt, daß die Sperrschicht zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode in der Durchlaßrichtung vorpolarisiert ist. Ein Nachteil der bekannten Vorrichtung besteht darin, daß im allgemeinen die erwähnte Schwellspannung für verschiedene Transistoren sehr verschiedene Werte annehmen kann und auch bei demselben Transistor die Schwellspannung stark temperaturabhängig ist und sich bei Alterung ändert, so daß keine zuverlässige Wirkung erzielt werden kann.
Außerdem tritt bei der bekannten Einrichtung infolge der inneren Kopplung zwischen der Emitterelektrode und der Kollektorelektrode gesperrter Transistoren ein bestimmtes Maß von Übersprechen auf.
Die Erfindung begegnet diesen Nachteilen. Bei der Einrichtung nach der Erfindung sind die Basiselektroden der Transistoren, deren Kollektorelektroden mit demselben Leiter verbunden sind, mit einem gemeinsamen Punkt gekoppelt, der über einen ersten
Einrichtung in einem selbsttätigen
Signalisierungssystem zur Herstellung
einer Signalverbindung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Zoepke, Patentanwalt,
München 5, Erhardtstr. 11
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 5. Juni 1956
Jacob Fredrik Klinkhamer, Eindhoven (Niederlande), ist als Erfinder genannt worden
Gleichrichter mit einem Punkt konstanten Potentials und über einen zweiten Gleichrichter in Reihe mit einem Widerstand mit dem betreffenden Leiter verbunden ist; dabei werden über weitere Widerstände den Gleichrichtern solche Vorspannungen zugeführt, daß der erste Gleichrichter stromführend ist sowohl im Ruhezustand der Schaltung als auch wenn einer der entsprechenden Transistoren stromführend ist, jedoch zeitweise gesperrt wird bei Änderung der Spannung des betreffenden Leiters, um einen Transistor stromführend zu machen. In diesem Zustand ist der zweite Gleichrichter stromführend, während der erste Gleichrichter gesperrt ist, wenn einer der Transistoren stromführend ist.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Bei der Einrichtung nach Fig. 1 liegen zwischen mehreren Eingangsleitern A1, A2, A3 und mehreren Ausgangsleitern Bl, B 2, B 3 die Hauptstrombahnen von Transistoren TU, T12, T13, T21, T22 usw., wobei die Emitterelektroden mit den Eingangsleitern A1, A2, A3 und die Kollektorelektroden mit den Ausgangsleitern Bl, B 2, B 3 verbunden sind. Die Eingangsleiter Al, A2, A3 sind über Widerstände Rl, R2, R3 an Erde gelegt, und die Ausgangsleiter Bl, B2, B3 sind über Widerstände Wl, W2, W3 mit einer Spannungsquelle V1 verbunden, deren Spannung z. B. gleich — 10 V gegen Erde ist. Die Basiselektroden von Transistoren, deren Kollektorelek-
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troden mit demselben Ausgangsleiter verbunden sind, wie z. B. TU, T21, T31 bzw. T12, T22, T32 usw., sind über Gleichrichter GIl, G21, G31 bzw. G12, G22, G 32 mit einem gemeinsamen Steuerleiter Cl bzw. C2 usw. verbunden, und diese Steuerleiter sind je über einen Gleichrichter Gl mit einer Spannungsquelle V2 gekoppelt, deren Spannung z. B. + 2 V gegen Erde beträgt. Die Basiselektroden der Transistoren sind ferner über Widerstände RIl, R12, R21, R31 usw. mit einer Spannungsquelle V3 verbunden, deren Spannung höher ist als die der Spannungsquelle V2, so daß die erwähnten Gleichrichter normalerweise stromführend sind und die Basiselektroden der Transistoren eine Spannung von etwa + 2 V gegen Erde aufweisen. Die Transistoren sind normalerweise gesperrt, da die Spannung der Basiselektroden höher ist als die der Emitterelektroden und der Kollektorelektroden. Zwischen den Ausgangsleitern Bl, B 2, B3 und den entsprechenden Steuerleitern Cl, C2, C3 liegt die Reihenschaltung eines GleichTichters G2 und eines von einem Kondensator C1 überbrückten Widerstandes Ri, wobei der Verbindungspunkt S über einen Widerstand R 5 mit der Spannungsquelle Vl verbunden ist. Der Gleichrichter G2 erhält somit eine derartige Vorspannung, daß er normalerweise stromführend ist.
Die Eingangsleiter A1, A2, A3 und die Ausgangsleiter Bl, B 2, B 3 sind galvanisch, kapazitiv oder transformatorisch mit nicht in der Zeichnung dargestellten weiteren Verbindungsmitteln, z. B. ähnlichen Verbindungseinrichtungen, verbunden. Um eine Sprechverbindung zwischen einem der Eingangsleiter. z.B. A2, und einem der Ausgangsleiter, z.B. Bl, herzustellen, wird durch nicht näher dargestellte Mittel .".uf galvanischem, transformatorischem oder kapazitivem Wege die Spannung des Eingangsleiters A2 um etwa 1,5 V erhöht und die Spannung des Ausgangsleiters Bl derart herabgesetzt, daß die Spannung des Punktes B bis etwa + 1J2 V abnimmt. Die Spannung der Emitterelektroden der Transistoren T22, T23, TIl und TZl, die mit diesen Leitern gekoppelt sind, bleibt dabei negativ gegenüber derjenigen der Basiselektroden, so daß diese Transistoren gesperrt bleiben. Die Spannung der Emitterelektrode des Transistors T21 wird aber positiv gegenüber der der Basiselektrode, so daß dieser Transistor stromführend wird und eine Strombahn von Erde über den Widerstand R2, den Leiter A2, die Hauptstrombahn des Transistors T21, den Leiter Bl und den Widerstand Wl zur Spannungsquelle Vl geschlossen wird. Die verschiedenen Elektroden des Transistors T21 nehmen dann eine Spannung von etwa — 5 V an. Da der Stromverstärkungsgrad der Transistoren größer als 1 ist. übersteigt der Kollektorstrom den Emitterstrom, und der über die Basiselektrode fließende Differenzstrom bewirkt einen solchen Spannungsabfall am Widerstand J?21, daß die Basisspannung des Transistors T 21 etwas negativer gegenüber der Emitters^annung ist. so daß der Gleichrichter G 21 gesperrt wird und der Transistor stromführend bleibt. Der Widerstand i?21 hat einen hohen Wert, so daß er nur ';ne geringe Dämpfung der Sprechströme herbeiführt. Her Gleichrichter G2 wird gesperrt, da die Spannung des Leiters B1 etwa gleich — 5 V und die Spannung fies Punktes .9 etwa gleich — 7 V ist, so daß auch auf diesem Wege keine Dämpfung der Sprechströme erfolgen kann. Hiermit ist die gewünschte Sprechverbindung zwischen den Leitern A2 und Bl über den Transistor T21 hergestellt. Der Spannungsabfall am Wirlerstand R2 verhütet, daß einer der anderen mit dem Leiter A2 gekoppelten Transistoren T22 und T 23 stromführend werden kann, da die Spannung der Emitterelektroden stark negativ gegenüber den Basiselektroden ist. Ebenso verhütet der Spannungsabfall am Widerstand Wl, daß einer der anderen mit dem Leiter Bl verbundenen Transistoren TIl und T 31 stromführend werden kann, da der Gleichrichter G 2 gesperrt ist. Da die Gleichrichter (Pll, G31, (722 und G 23 sowie der Gleichrichter Gl in diesem Zustand
ίο stromführend sind, sind die Basiselektroden der Transistoren TIl, T31, T22 und T23 für Sprechströme auf einem Weg niedriger Impedanz mit Erde verbunden, so daß über diese Gleichrichter kein Übersprechen, z. B. vom Leiter Bl auf den Leiter Al oder umgekehrt, auftreten kann. Die Unterbrechung der Verbindung beim Ende eines Gesprächs kann z. B. dadurch erfolgen, daß dem Leiter Bl ein positiver Impuls oder dem Leiter A 2 ein negativer Impuls zugeführt wird.
Die Einrichtung nach Fig. 1 erfordert einen einzelnen Gleichrichter je Transistor. Die Einrichtung nach Fig. 2 entspricht im wesentlichen derjenigen nach Fig. 1, und entsprechende Elemente sind darin mit gleichen Bezugszeichen angedeutet. Die Basiselektroden der Transistoren sind dabei jedoch über Widerstände DIl, D 21, D 31, D12, D 22 usw. mit den Steuerleitern Cl, C2 und C3 verbunden, welch letztere hier über Widerständet 1, K2 und K3 mit der positiven Spannungsquelle V3 verbunden sind.
Die Steuerleiter sind ferner in entsprechender Weise über den Gleichrichter Gl mit der Spannungsquelle V2 und über den Gleichrichter G2, den Widerstand Ri und den Kondensator Cl mit den Ausgangsleitern Bl, B2 und B3 gekoppelt. Im Ruhezustand ist wieder infolge des über den Widerstand Kl fließenden Stromes der Gleichrichter G1 stromführend, und die Basiselektroden weisen eine Spannung von + 2 V gegen Erde auf. Einer der Transistoren, z. B. T21, wird in entsprechender Weise durch Erhöhung der Spannung eines der Eingangsleiter und Herabsetzung der Spannung eines der Ausgangsleiter stromführend gemacht, wobei die Kollektorelektrode und die Basiselektrode des Transistors T 21 eine Spannung etwa — 5 V annehmen und ein Basisstrom über den Widerstand D21 fließt, derart, daß der Transistor T21 stromführend bleibt. Das Vorhandensein der Widerstände DIl, D31, D22 und D23, welche die Basiselektroden der Transistoren TIl, T31, T22 und T23 über den Gleichrichter Gl mit der Spannungsquelle ]/2 verbinden, verhütet das Übersprechen über diese Transistoren, da zwischen den von den Sperrschichten gebildeten inneren Widerständen und den erwähnten Widerständen eine Spannungsteilung auftritt, wobei die Impedanz der Sperrschichten hoch gegenüber den erwähnten Widerständen ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH:
    Einrichtung in einem selbsttätigen Signalisierungssystem, z. B. einem selbsttätigen Telephoniesystem, zur Herstellung einer Signalverbindung zwischen einem mehrerer Leiter einer ersten Gruppe und einem mehrerer Leiter einer zweiten Gruppe, bei der zwischen jedem Leiter der ersten Gruppe und jedem Leiter der zweiten Gruppe die Hauptstrombahn eines Transistors liegt, dessen Stromverstärkungsgrad größer als 1 ist. bei der die Emitterelektroden mit den Leitern der ersten Gruppe und die Kollektorelektroden mit den Leitern der zweiten Gruppe verbunden sind und die
    Leiter der ersten Gruppe je über eine Impedanz mit einer ersten Klemme einer Speisequelle und die Leiter der zweiten Gruppe je über eine Impedanz mit einer zweiten Klemme der Speisequelle verbunden sind und in den Basiskreisen der Transistoren ein Widerstand liegt, bei der ferner Mittel vorgesehen sind zur Änderung der Spannung eines der Leiter der ersten Gruppe und eines der Leiter der zweiten Gruppe in der Weise, daß der zwischen diesen Leitern liegende Transistor stromführend wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden der Transistoren, deren Kollektorelektroden mit demselben Leiter (z. B. Bl) der zweiten Gruppe verbunden sind, mit einem gemeinsamen Punkt (P) gekoppelt sind, der über einen ersten Gleichrichter (G 1) mit einem Punkt
    konstanten Potentials verbunden ist und über einen zweiten Gleichrichter (G 2) in Reihe mit einem von einem Kondensator (C 1) überbrückten Widerstand (i?4) mit dem betreffenden Leiter der zweiten Gruppe verbunden ist, daß dabei über weitere Widerstände den Gleichrichtern solche Vorspannungen zugeführt werden, daß der erste Gleichrichter stromführend ist sowohl im Ruhezustand der Schaltung als auch wenn einer der entsprechenden Transistoren stromführend ist, jedoch zeitweise gesperrt wird bei Änderung· der Spannung des entsprechenden Leiters der zweiten Gruppe zur Auslösung eines der Transistoren. (In diesem Zustand ist der zweite Gleichrichter stromführend, während der erste Gleichrichter gesperrt ist, wenn einer der Transistoren stromführend ist.)
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 809 578/158 7.
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