DE10345471A1 - Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät - Google Patents
Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät Download PDFInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät. Die Justiermarke umfasst eine erste Teilstruktur (10) zur Erzeugung eines ersten Reflexionsmusters in dem Belichtungsgerät zur Feinjustage des Halbleiterwafers, die mehrere erste Strukturelemente (12) aufweist, wobei die ersten Strukturelemente (12) im Wesentlichen parallel und mit einem vorherbestimmten Mittelpunktabstand nebeneinander liegend symmetrisch um das Zentrum eines Innenbereichs (14) angeordnet sind. Die Justiermarke umfasst eine zweite Teilstruktur (16) zur Erzeugung eines zweiten Reflexionsmusters in dem Belichtungsgerät zur Grobjustage des Halbleiterwafers, die mehrere zweite Strukturelemente (18) aufweist, wobei die zweiten Strukturelemente (18) der zweiten Teilstruktur (16) entsprechend eines im Belichtungsgerät hinterlegten Musters ausgebildet und im Innenbereich (14) angeordnet sind.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10345471A DE10345471B4 (de) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät |
US10/951,596 US7245351B2 (en) | 2003-09-30 | 2004-09-29 | Alignment mark for coarse alignment and fine alignment of a semiconductor wafer in an exposure tool |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10345471A DE10345471B4 (de) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10345471A1 true DE10345471A1 (de) | 2005-05-04 |
DE10345471B4 DE10345471B4 (de) | 2006-03-30 |
Family
ID=34353221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10345471A Expired - Fee Related DE10345471B4 (de) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7245351B2 (de) |
DE (1) | DE10345471B4 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099873A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2013145870A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-07-25 | Canon Inc | デバイス製造方法および基板 |
US9136223B2 (en) * | 2013-07-26 | 2015-09-15 | Globalfoundries Inc. | Forming alignment mark and resulting mark |
US10199330B2 (en) * | 2013-12-23 | 2019-02-05 | Infineon Technologies Ag | Alignment mark arrangement, semiconductor workpiece, and method for aligning a wafer |
US10572991B2 (en) * | 2017-11-07 | 2020-02-25 | Kla-Tencor Corporation | System and method for aligning semiconductor device reference images and test images |
US11239086B2 (en) | 2018-05-14 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Back end memory integration process |
CN109411449B (zh) * | 2018-11-21 | 2020-04-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆组件及晶圆对准方法 |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2003
- 2003-09-30 DE DE10345471A patent/DE10345471B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-29 US US10/951,596 patent/US7245351B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10345471B4 (de) | 2006-03-30 |
US20050068508A1 (en) | 2005-03-31 |
US7245351B2 (en) | 2007-07-17 |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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R081 | Change of applicant/patentee |
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
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|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |