DE102005004845A1

DE102005004845A1 - Wafer-Unterteilungsverfahren

Info

Publication number: DE102005004845A1
Application number: DE200510004845
Authority: DE
Inventors: Masahiro Murata; Yusuke Nagai; Yukio Morishige; Satoshi Kobayashi; Naoki Ohmiya
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2004-02-03
Filing date: 2005-02-02
Publication date: 2005-09-08
Anticipated expiration: 2025-02-03
Also published as: JP2005222989A; DE102005004845B4; US20050170613A1; US7449396B2

Abstract

Verfahren zum Unterteilen entlang von Unterteilungslinien eines Wafers, der Funktionselemente in Bereichen ausgebildet aufweist, die durch Unterteilungslinien unterteilt werden, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche ausgebildet werden, umfassend: einen Rahmenhalteschritt zum Festlegen der rückwärtigen Oberfläche des Wafers auf einem Zerteil- bzw. Schneidband, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird; einen Ausbildungsschritt für eine verschlechterte Schicht zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien in dem Inneren des Wafers durch Aufbringen eines Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer hindurchzutreten, auf den Wafer entlang der Unterteilungslinien von der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers, der auf dem Rahmen gehalten wird; einen Unterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers in individuelle bzw. einzelne Chips entlang der Unterteilungslinien durch Ausüben einer externen Kraft entlang der Unterteilungslinien, wo die verschlechterten Schichten ausgebildet wurden, auf den Wafer, der auf dem Rahmen gehalten wird; einen Dehnschritt zum Aufweiten bzw. Vergrößern des Abstands zwischen den Chips durch Dehnen des Schneidbands, das an dem Wafer festgelegt wird, der in individuelle Chips unterteilt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen von jedem Chip von dem gedehnten Schneidband.

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Wafer-Unterteilungsverfahren, umfassend ein Unterteilen entlang von Unterteilungslinien eines Wafers, der Funktionselemente in Bereichen ausgebildet aufweist, die durch die unterteilende bzw. Unterteilungslinien unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche ausgebildet sind, und ein Aufnehmen der erhaltenen, einzelnen bzw. individuellen Chips.

Beschreibung des Stands der Technik

In dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung wird eine Mehrzahl von Bereichen durch Unterteilungslinien, die "Straßen" genannt sind, unterteilt, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche eines im wesentlichen scheibenartigen Halbleiterwafers angeordnet sind, und eine Schaltung (Funktionselement), wie ein IC oder LSI, ist in jedem dieser unterteilten Bereiche ausgebildet. Individuelle Halbleiterchips werden durch ein Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Unterteilungslinien hergestellt, um ihn in Bereiche zu unterteilen, die eine Schaltung darin ausgebildet aufweisen. Ein Wafer einer optischen Vorrichtung, umfassend lichtempfindliche Elemente (Funktionselemente) wie Fotodioden oder licht-emittierende Elemente (Funktionselemente), wie Laserdioden, die auf die vordere Oberfläche eines Saphirsubstrats laminiert sind, wird auch entlang von Unterteilungslinien geschnitten, um in individuelle optische Vorrichtungen, wie Photodioden oder Laserdioden, unterteilt zu werden, und diese optischen Vorrichtungen werden weit verbreitet in elektrischen Einrichtungen verwendet.

Ein Schneiden entlang der Unterteilungslinien des obigen Halbleiterwafers und Wafers einer optischen Vorrichtung wird allgemein durch Verwendung einer Schneidmaschine ausgeführt, die "Dicer bzw. Schneideinrichtung" genannt ist. Diese Schneidmaschine beinhaltet einen Ansaug- bzw. Einspanntisch, um ein Werkstück, wie einen Halbleiterwafer oder einen Wafer einer optischen Vorrichtung zu halten, Schneidmittel, um das Werkstück zu schneiden, das auf dem Einspanntisch gehalten ist, und Schneidzufuhrmittel, um den Einspanntisch und die Schneidmittel relativ zueinander zu bewegen. Die Schneidmittel umfassen bzw. beinhalten eine Spindeleinheit, welche eine Drehspindel, eine Schneidklinge, die auf der Spindel montiert bzw. festgelegt ist, und einen Rotationsantriebs-Mechanismus zum Antreiben der Rotationsspindel umfaßt. Die Schneidklinge beinhaltet eine scheibenartige Basis und eine ringförmige Schneidkante, welche auf dem Seitenwand-Umfangsabschnitt der Basis festgelegt ist und so dick wie etwa 20 μm ausgebildet ist, indem Diamantschleifkörner, die einen Durchmesser von etwa 3 μm aufweisen, an der Basis durch Elektroformen festgelegt sind.

Da die Schneidklinge eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, müssen die Unterteilungslinien für ein Unterteilen von Chips eine Breite von etwa 50 μm aufweisen, und somit ist das Flächenverhältnis der Unterteilungslinien zu dem Wafer groß, wodurch die Produktivität reduziert wird. Weiters ist, da ein Saphirsubstrat, Siliziumcarbid-Substrat und dgl. eine hohe Mohs'sche Härte aufweisen, ein Schneiden mit einer Schneidklinge nicht immer einfach.

Als Mittel zum Unterteilen eines plattenartigen Werkstücks, wie eines Halbleiterwafers, wird gegenwärtig ein Laserbearbeitungs-Verfahren zum Aufbringen bzw. Anwenden eines gepulsten bzw. Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch das Werkstück hindurchzugehen, wobei sein Brennpunkt in das Innere des Bereichs eingestellt ist, der zu unterteilen ist, auch versucht. In dem Unterteilungsverfahren, das von dieser Laserbearbeitungstechnik Verwendung macht, wird das Werkstück durch Aufbringen eines Puls-Laserstrahls, der einen Infrarotbereich aufweist, der fähig ist, durch das Werkstück hindurchzugehen, wobei sein Brennpunkt auf das Innere des Werkstücks eingestellt bzw. festgelegt ist, von einer Oberflächenseite des Werkstücks, um kontinuierlich eine verschlechterte Schicht entlang der Unterteilungslinien im Inneren des Werkstücks auszubilden, und Ausüben einer externen Kraft entlang der Unterteilungslinien unterteilt, deren Festigkeit durch die Ausbildung der verschlechterten Schichten reduziert wurde. Dieses Verfahren ist beispielsweise durch das japanische Patent Nr. 3408805 geoffenbart.

Obwohl ein Verfahren bzw. Prozeß zum Unterteilen eines Wafers in individuelle Chips durch ein vollständiges Schneiden desselben mit der obigen Schneidmaschine und Aufnehmen der Chips eingerichtet wurde, ist bis jetzt eine Produktionslinie, die von dieser Technik Gebrauch macht, noch nicht eingerichtet und ihre Entwicklung ist im Gange durch Versuche und Fehler, da eine Technik zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien im Inneren des Wafers durch Verwenden eines Puls-Laserstrahls den Wafer nicht perfekt unterteilen kann.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Unterteilen eines Wafers zur Verfügung zu stellen, das fähig ist, einen Prozeß auszuführen, umfassend die Schritte eines Ausbildens einer verschlechterten Schicht entlang von Unterteilungslinien im Inneren eines Wafers durch Verwenden eines Puls-Laserstrahls, ein Unterteilen des Wafers in individuelle Chips entlang der verschlechterten Schichten und ein Aufnehmen der Chips.

Um das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Unterteilen entlang von Unterteilungslinien eines Wafers zur Verfügung gestellt, der Funktionselemente in Bereichen ausgebildet aufweist, die durch die Unterteilungslinien unterteilt werden, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche ausgebildet werden, umfassend:
einen Rahmenhalteschritt zum Festlegen der rückwärtigen Oberfläche des Wafers auf einem Zerteil- bzw. Schneidband, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird;
einen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien in dem Inneren des Wafers durch Anwenden eines Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer hindurchzutreten, auf den Wafer entlang der Unterteilungslinien von der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers, der an dem Rahmen gehalten wird;
einen Unterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers in individuelle Chips entlang der Unterteilungslinien durch Ausüben einer externen Kraft entlang der Unterteilungslinien, wo die verschlechterten Schichten ausgebildet wurden, des Wafers, der an dem Rahmen gehalten wird;
einen Dehn bzw. Aufweitungsschritt zum Vergrößern des Abstands zwischen Chips durch Dehnen des Schneidbands, das auf den Wafer aufgebracht wurde, der in individuelle Chips unterteilt wird; und
einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen von jedem Chip von dem gedehnten Schneidband.

Vorzugsweise werden die verschlechterten Schichten, welche im Inneren des Wafers in dem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht ausgebildet werden, wenigstens teilweise zu der rückwärtigen Oberfläche des Wafers freigelegt.

Vorzugsweise wird der obige Unterteilungsschritt durch Dehnen des Zerteil- bzw. Schneidbands in dem Dehn- bzw. Expansionsschritt ausgeführt.

Da das Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung die obigen Schritte beinhaltet, ist es möglich, einen Prozeß einzurichten, umfassend die Schritte eines Ausbildens der verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien im Inneren des Wafers durch Anlegen bzw. Anwenden eines Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer hindurchzutreten, welcher Funktionselemente in Bereichen aufweist, die durch die Unterteilungslinien unterteilt sind, die auf der vorderen Oberfläche in einem Gittermuster ausgebildet sind, auf den Wafer entlang von Unterteilungslinien, eines Unterteilens des Wafers in individuelle bzw. einzelne Chips entlang der verschlechterten Schichten und eines Aufnehmens der Chips.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, der durch das Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zu unterteilen ist;
2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, wo eine rückwärtige Oberfläche des Halb leiterwafers, der in 1 gezeigt ist, auf einem Schneidband festgelegt ist, das an einem ringförmigen Rahmen festgelegt bzw. montiert ist;
3 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine zum Ausführen des Ausbildungsschritts einer verschlechterten Schicht in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung;
4 ist ein Blockdiagramm, das schematisch den Aufbau der Laserstrahl-Aufbringmittel zeigt, die in der Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt sind, die in 3 gezeigt ist;
5 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern des Brennpunkt-Durchmessers eines Puls-Laserstrahls;
6(a) und 6(b) sind Diagramme zum Erläutern des Ausbildungsschritts einer verschlechterten Schicht in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung;
7 ist ein Diagramm, das einen Zustand zeigt, wo verschlechterte Schichten im Inneren des Wafers in dem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht ausgebildet werden, wie es in 6(a) und 6(b) gezeigt ist;
8 ist ein Diagramm, das eine erste Ausbildung des Unterteilungsschritts in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
9 ist ein Diagramm, das eine zweite Ausführungsform des Unterteilungsschritts in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
10 ist ein Diagramm, das eine dritte Ausbildung des Unterteilungsschritts in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ist ein Diagramm, das eine vierte Ausbildung des Unterteilungsschritts in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
12 ist eine perspektivische Ansicht einer Aufnahmevorrichtung zum Ausführen des Aufweitungs- bzw. Dehnschritts und des Aufnahmeschritts in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung;
13(a) und 13(b) sind Diagramme, die den Expansionsschritt in dem Wafer-Unterteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigen;
14(a) und 14(b) sind Diagramme, die den Unterteilungsschritt und den Expansionsschritt zeigen, welche unter Verwendung der in 12 gezeigten Aufnahmevorrichtung ausgeführt werden.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
Bevorzugte Ausbildungen der vorliegenden Erfindung werden im Detail nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Wafer, der gemäß der vorliegenden Erfindung zu unterteilen ist. Der Halbleiterwafer 2, der in 1 gezeigt ist, ist ein Siliziumwafer, der eine Mehrzahl von unterteilenden bzw. Unterteilungslinien 21 in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche 2a ausgebildet aufweist, und Schaltkreise bzw. Schaltungen 22 sind als Funktionselemente in einer Mehrzahl von Bereichen bzw. Flächen ausgebildet, die durch die Mehrzahl von Unterteilungslinien 21 unterteilt sind. Die vordere Oberfläche 2a des so ausgebildeten Halbleiterwafers 2 ist bis auf eine vorbestimmten Dicke poliert.
Die rückwärtige Oberfläche 2b des oben beschriebenen Halbleiterwafers 2 ist auf einem Zerteil- bzw. Schneidband gehalten, das an einem ringförmigen Rahmen festgelegt bzw. montiert ist (Rahmenhalteschritt). In diesem Rahmenhalte schritt wird, wie dies in 2 gezeigt ist, die rückwärtige Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 auf die Oberfläche des dehnbaren Schneidbands 30 gebracht, das an dem ringförmigen Rahmen 3 montiert bzw. festgelegt ist. Das obige Schneidband 30 wird durch ein Beschichten von Acrylharzpaste auf die Oberfläche eines 100 μm dicken Blattsubstrats, das aus Polyvinylchlorid (PVC) gefertigt bzw. hergestellt ist, bis zu einer Beschichtungsdicke von etwa 5 μm in der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung hergestellt. Diese Paste hat die Eigenschaft, ihre Klebekraft durch einen externen Stimulus bzw. Reiz, wie ultraviolette Strahlung zu reduzieren.
Nach dem oben beschriebenen Rahmenhalteschritt kommt der Schritt eines Ausbildens einer verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien im Inneren des Wafers durch ein Aufbringen bzw. Anwenden eines Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer hindurchzutreten, auf den Wafer entlang der Unterteilungslinien von der Seite der vorderen Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2. Dieser Schritt einer Ausbildung der verschlechterten Schicht wird unter Verwendung einer Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine 4 ausgeführt, die in 3 bis 5 gezeigt ist. Die Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine 4, die in 3 bis 5 gezeigt ist, umfaßt bzw. beinhaltet einen Ansaug- bzw. Einspanntisch 41 zum Halten eines Werkstücks, Laserstrahl-Aufbringmittel 42 zum Aufbringen eines Laserstrahls auf das Werkstück, das auf dem Einspanntisch 41 gehalten ist, und ein Bildaufnahmemittel 43 zum Aufnehmen eines Bilds des Werkstücks, das auf dem Einspanntisch 41 gehalten ist. Der Einspanntisch 41 ist so ausgebildet, um das Werkstück durch Saugen zu halten und wird in einer Bearbeitungs-Zufuhrrichtung, die durch einen Pfeil X angedeutet ist, und einer Indexier- bzw. Schrittweisen Zufuhrrichtung, die durch einen Pfeil Y in 3 angedeutet ist, durch einen Bewegungsmechanismus bewegt, der nicht gezeigt ist.
Die obigen Laserstrahl-Aufbringmittel 42 haben ein zylindrisches Gehäuse 421, das im wesentlichen horizontal angeordnet ist. In dem Gehäuse 421 sind, wie dies in 4 gezeigt ist, Puls-Laserstrahl-Oszillationsmittel 422 und ein optisches Übertragungssystem 423 installiert. Die Puls-Laserstrahl-Oszillationsmittel 422 umfassen einen Puls-Laserstrahl-Oszillator 422a, bestehend aus einem YAG-Laseroszillator oder YVO4-Laseroszillator und Wiederholungsfrequenz-Festlegungsmitteln 422b, die mit dem Puls-Laserstrahl-Oszillator 422a verbunden sind. Das optische Übertragungs- bzw. Transmissionssystem 423 umfaßt geeignete optische Elemente, wie einen Strahlteiler usw. Ein Kondensor 424, der Sammellinsen (nicht gezeigt) aufnimmt, die aus einem Satz von Linsen gebildet sind, welche eine bekannte Ausbildung bzw. Anordnung aufweisen können, ist an das Ende des obigen Gehäuses 421 festgelegt. Ein Laserstrahl, der von den obigen Puls-Laserstrahl-Oszillationsmitteln 422 oszilliert ist, erreicht den Kondensor bzw. die Sammellinse 424 durch das optische Übertragungssystem 423 und wird von der Sammellinse 424 auf das Werkstück, das auf dem obigen Einspanntisch 41 festgehalten ist, bei einem vorbestimmten Brennpunktdurchmesser D aufgebracht. Dieser Brennpunktdurchmesser D ist durch den Ausdruck definiert D (μm) = 4 × λ × f/(n × W), worin λ die Wellenlänge (μm) des Puls-Laserstrahls ist, W der Durchmesser (mm) des Puls-Laserstrahls ist, der auf eine Objektivlinse 424a aufgebracht ist, und f der Brennpunktabstand (mm) der Objektivlinse 424a ist, wenn der Puls-Laserstrahl, der eine Gauss'sche Verteilung besitzt, durch die Objektiv-Sammellinsen 424a des Kondensors bzw. der Sammellinse 424 darauf angewandt bzw. aufgebracht wird, wie dies in 5 gezeigt ist.
Die Bildaufnahmemittel 43, die an dem Ende des Gehäuses 421 festgelegt sind, die die obigen Laserstrahl-Aufbringmittel 42 ausbilden bzw. darstellen, sind durch Infrarot-Beleuchtungsmittel zum Aufbringen von Infrarotstrahlung auf das Werkstück, ein optisches System zum Einfangen von Infrarotstrahlung, die durch die Infrarot-Beleuchtungsmittel aufgebracht ist, und eine Bildaufnahme-Vorrichtung (Infrarot CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend der Infrarotstrahlung, die durch das optische System aufgenommen ist, zusätzlich zu einer üblichen Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bilds mit sichtbarer Strahlung in der illustrierten Ausbildung zusammengesetzt. Ein Bildsignal wird an Steuer- bzw. Regelmitteln übertragen, welche nachfolgend beschrieben werden.
Der Ausbildungsschritt für eine verschlechterte Schicht, welcher unter Verwendung der obigen Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine 4 ausgeführt wird, wird unter Bezugnahme auf 3, 6(a) und 6(b) und 7 beschrieben.
In diesem Ausbildungsschritt für eine verschlechterte Schicht wird die Seite des Schneidbands 30 des Halbleiterwafers 2 zuerst auf dem Einspanntisch 41 der Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine 4 angeordnet, die in 3 gezeigt ist, (daher schaut die vordere Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2 nach oben) und der Halbleiterwafer 2 wird auf dem Ansaug- bzw. Einspanntisch 41 durch Saugmittel, die nicht gezeigt sind, durch Saugen gehalten. In 3, 6(a) und 6(b) und 7 ist der ringförmige Rahmen 3, der das Schneidband 30 festlegt, weggelassen, jedoch ist es durch den geeigneten Klauenmechanismus des Einspanntischs 41 abgestützt. Der Einspanntisch 41, der den Halbleiterwafer 2 durch Saugen hält, ist zu einer Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 43 durch einen Bewegungsmechanismus gebracht, der nicht gezeigt ist.
Nachdem der Einspanntisch 41 direkt unter den Bildaufnahmemitteln 43 positioniert ist, wird eine Ausrichtungsarbeit zum Detektieren des Bereichs, der zu bearbeiten ist, des Halbleiterwafers 2 unter Verwendung der Bildaufnahmemittel 43 und der Steuer- bzw. Regelmittel ausgeführt, die nicht gezeigt sind. D.h., die Bildaufnahmemittel 43 und die Steuer- bzw. Regelmittel (nicht gezeigt) führen eine Bildver- bzw. -bearbeitung wie ein Musterabstimmen usw. durch, um eine Unterteilungslinie 21, die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist, mit dem Kondensor 424 der Laserstrahl-Aufbringmittel 42 in Übereinstimmung zu bringen, um einen Laserstrahl entlang der Unterteilungslinie 21 aufzubringen, wodurch die Ausrichtung einer Laserstrahl-Aufbringposition ausgeführt wird. Die Ausrichtung der Laserstrahl-Aufbringposition wird auch an Unterteilungslinien 21 ausgeführt, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet sind und sich in einer Richtung senkrecht zu der obigen, bestimmten Richtung erstrecken.
Nachdem die Unterteilungslinie 21, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet wurde, der auf dem Ansaugtisch gehalten ist, detektiert ist und die Ausrichtung der Laserstrahl-Aufbringposition, wie oben beschrieben ausgeführt ist, wird der Einspanntisch 41 zu einem Laserstrahl-Aufbringbereich bewegt, wo der Kondensor 424 der Laserstrahl-Aufbringmittel r zum Aufbringen eines Laserstrahls angeordnet ist, wie dies in 6(a) gezeigt ist, um ein Ende (linkes Ende in 6(a)) der vorbestimmten Unterteilungslinie 21 direkt unter dem Kondensor bzw. der Sammellinse 424 der Laserstrahl-Aufbringmittel 42 zu positionieren. Der Einspanntisch 41, d.h. der Halbleiterwafer 2, wird in der Richtung, die durch den Pfeil X1 in 6(a) gezeigt bzw. angedeutet ist, mit einer vorbestimmten Zufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate bewegt, während ein Puls-Laserstrahl, der fähig ist, durch den Halbleiterwafer hindurchzutreten, von dem Kondensor 424 aufgebracht wird. Wenn die Aufbringposition des Kondensors 424 der Laserstrahl-Aufbringmittel 42 das andere Ende der Unterteilungslinie 21 erreicht, wie dies in 6(b) gezeigt ist, wird die Aufbringung bzw. Anwendung des Puls-Laserstrahls unterbrochen bzw. aufgehoben und die Bewegung des Einspanntischs 41, d.h. des Halbleiterwafers 2 wird gestoppt. In diesem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht wird durch Festlegen bzw. Einstellen des Brennpunkts P des Puls-Laserstrahls auf eine Position nahe der rückwärtigen Oberfläche 2b (unteren Oberfläche) des Halbleiterwafers 2 eine verschlechterte Schicht 210, welche zur rückwärtigen Oberfläche 2b (unteren Oberfläche) freigelegt ist, einwärts von der rückwärtigen Oberfläche 2b ausgebildet. Diese verschlechterte Schicht 210 wird als eine geschmolzene und dann wieder verfestigte Schicht ausgebildet, bei welcher der Wafer einmal geschmolzen wiederverfestigt wurde. Durch Ausbilden der verschlechterten Schicht 210, die zu der rückwärtigen Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 freigelegt ist, kann der Halbleiterwafer 2 leicht durch Ausüben einer externer Kraft entlang der verschlechterten Schichten 210 unterteilt werden.
Die Bearbeitungsbedingungen in dem obigen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht sind beispielsweise wie folgt festgelegt.
Lichtquelle: LD erregter Q-Schalter Nd: YVO4-Laser
Wellenlänge: Pulslaser mit einer Wellenlänge von 1.064 nm
Pulsausgabe: 10 μJ
Brennpunktdurchmesser: 1 μm
Pulsbreite: 40 ns
Spitzenleistungsdichte des Brennpunkts: 3,2 × 10¹⁰ W/cm²
Wiederholungsfrequenz: 100 kHz
Bearbeitungs-Zufuhrgeschwindigkeit: 100 mm/s
Wenn der Halbleiterwafer 2 groß in der Dicke ist, wie dies in 7 gezeigt ist, wird der oben beschriebene Ausbildungsschritt für eine verschlechterte Schicht mehrere Male durch stufenweises Verändern des Brennpunkts P ausgeführt, um eine Mehrzahl von verschlechterten Schichten 210 auszubilden. Da die verschlechterte Schicht, die unter den obigen Bearbeitungsbedingungen ausgebildet ist, so dick wie etwa 50 μm ist, werden sechs verschlechterte Schichten in dem Wafer 2, der eine Dicke von 300 μm aufweist, in der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung ausgebildet. Als ein Ergebnis erstrecken sich die verschlechterten Schichten 210, die im Inneren des Halbleiterwafers 2 ausgebildet sind, von der rückwärtigen Oberfläche 2b zu der vorderen Oberfläche 2a entlang der Unterteilungslinie 21.
Der Schritt eines Unterteilens des Halbleiterwafers 2 entlang der Unterteilungslinien 21 kommt nach dem obigen Schritt zur Ausbildung der verschlechterten Schicht.
Ein erstes Beispiel des Unterteilungsschritts wird unter Bezugnahme auf 8 beschrieben. Das erste Beispiel des Unterteilungsschritts, das in 8 gezeigt ist, wird unter Verwendung einer Ultraschall-Unterteilungsvorrichtung 5 ausgeführt. Die Ultraschall-Unterteilungsvorrichtung 5 umfaßt eine zylindrische Basis 51, einen ersten Ultraschallgenerator 52 und einen zweiten Ultraschallgenerator 53. Die zylindrische Basis 51, die die Ultraschall- Unterteilungsvorrichtung 5 ausbildet, hat an ihrer oberen Oberfläche eine Anordnungsoberfläche 51a, um den obigen Rahmen 3 so anzuordnen, daß der Rahmen 3 darauf festgelegt bzw. angeordnet ist und durch Klemmen bzw. Klammern 54 fixiert wird. Diese Basis 51 ist so ausgebildet, um fähig zu sein, in einer horizontalen Richtung und in einer Richtung senkrecht zu dem Blatt in 8 bewegt zu werden und um durch ein Bewegungsmittel gedreht zu werden, welches nicht gezeigt ist. Der erste Ultraschallgenerator 52 und der zweite Ultraschallgenerator 53, die die Ultraschall-Unterteilungsvorrichtung 5 ausbilden, sind an gegenüberliegenden Positionen oberhalb und unterhalb des Halbleiterwafers 2 angeordnet, der auf dem Rahmen 3 abgestützt ist, der auf der Anordnungsoberfläche 51a der zylindrischen Basis 51, über das Schneidband 30 angeordnet ist, und erzeugen bzw. generieren longitudinale Wellen (Kompressionswellen), die eine vorbestimmte Frequenz besitzen. Um den obigen Unterteilungsschritt durch Verwendung der so ausgebildeten Ultraschall-Unterteilungsvorrichtung 5 auszuführen, wird der Rahmen 3, der den Halbleiterwafer 2 (in welchem die verschlechterten Schichten 210 entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet sind) über das Schneidband 30 abstützt, auf der Anordnungsoberfläche 51a der zylindrischen Basis 51 in einer derartigen Weise angeordnet, daß die Anordnungsseite des Schneidbands 30 in Kontakt mit der Anordnungsoberfläche 51a gelangt (daher schaut die vordere Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2 nach oben) und durch Klammern 54 festgelegt wird. Danach wird die Basis 51 durch die Bewegungsmittel (nicht gezeigt) betätigt, um ein Ende (linkes Ende in 8) einer vorbestimmten Unterteilungslinie 21, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet ist, zu einer Position zu bringen, wo Ultraschallwellen von dem ersten Ultraschallgenerator 52 und dem zweiten Ultraschallgenerator 53 darauf wirken können. Der erste Ultraschallgenerator 52 und der zweite Ultraschallgenerator 53 sind bzw. werden entsprechend aktiviert, um Longitudinalwellen (Kompressionswellen) auszubilden bzw. zu generieren, welche eine Frequenz von beispielsweise 28 kHz besitzen, während die Basis 51 in der Richtung, die durch den Pfeil angedeutet ist, mit einer Zufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate von 50 bis 100 m/s bewegt wird. Als ein Ergebnis wirken Ultraschallwellen von dem ersten Ultraschallgenerator 52 und dem zweiten Ultraschallgenerator 53 auf die vordere Oberfläche und die rückwärtige Oberfläche des Halbleiterwafers 2 entlang der Unterteilungslinie 21, wodurch der Halbleiterwafer 2 entlang der Unterteilungslinie 21 unterteilt wird, deren Festigkeit durch die Ausbildung der verschlechterten Schicht 210 reduziert wurde. Nachdem der Unterteilungsschritt so entlang der vorbestimmten Unterteilungslinie 21 ausgeführt wurde, wird die Basis 51 um einen Abstand entsprechend dem Intervall zwischen Unterteilungslinien 21 in der Indexierrichtung senkrecht zu dem Blatt bewegt, um den obigen Unterteilungsschritt auszuführen. Nachdem der Unterteilungsschritt entlang aller Unterteilungslinien 21 ausgeführt wird bzw. wurde, die sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, wird die Basis 51 um 90° gedreht, um weiter den obigen Unterteilungsschritt entlang der Unterteilungslinien 21 auszuführen, die auf dem Halbleiterwafer 2 in einer Richtung senkrecht zu der vorbestimmten Richtung ausgebildet sind, wodurch der Halbleiterwafer 2 in individuelle Halbleiterchips unterteilt wird. Da die rückwärtigen Oberflächen der haltenden Chips das Schneidband 30 daran fixiert aufweisen, fallen die Chips nicht auseinander und behalten den Zustand des Wafers bei.
Ein zweites Beispiel des Unterteilungsschritts wird unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. Dieses zweite Beispiel des Unterteilungsschritts, das in 9 gezeigt ist, wird unter Verwendung einer Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine analog zu der Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine, die in 3 bis 5 gezeigt ist, ausgeführt. D.h. der Halbleiterwafer 2 (in welchem die verschlechterten Schichten 210 entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet werden), der auf dem Rahmen 3 über das Schneidband 30 unterstützt bzw. getragen ist, wird auf dem Einspanntisch 61 der Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine 6 in einer derartigen Weise angeordnet, daß das Schneidband 3 in Kontakt mit dem Einspanntisch 61 gelangt (daher schaut die vordere Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2 nach oben) und durch Saugmittel, die nicht gezeigt sind, durch Saugen gehalten ist, und der Rahmen 3 wird durch einen Klemmenmechanismus 62 festgelegt. Danach wird der Einspanntisch 61 zu einem Laserstrahl-Aufbringbereich bewegt, wo der Kondensor 63 von Laserstrahl-Aufbringmitteln angeordnet ist, um ein Ende (linkes Ende in 9) einer vorbestimmten Unterteilungslinie 21 zu einer Position direkt unter dem Kondensor 63 zu bringen. Der Einspanntisch 61, d.h. der Halbleiterwafer 2 wird in der Richtung, die durch den Pfeil X1 in 9 angedeutet ist, bei einer vorbestimmten Zufuhr- bzw. Bewegungsgeschwindigkeit bewegt, während ein Laserstrahl mit kontinuierlicher Welle, der eine Absorptionsvermögen für den Halbleiterwafer 2 besitzt, von dem Kondensor 63 aufgebracht wird. Wenn die Aufbringposition des Kondensors 63 das andere Ende (rechtes Ende in 9) der vorbestimmten Unterteilungslinie 21 erreicht, wird das Aufbringen des Laserstrahls unterbrochen und die Bewegung des Einspanntischs 61, d.h. des Halbleiterwafers 2 wird gestoppt. In diesem Unterteilungsschritt wird durch ein Festlegen des Brennpunkts P des Laserstrahls mit kontinuierlicher Welle an der vorderen Oberfläche 2a (oberen Oberfläche) des Halbleiterwafers 2, um die Unterteilungslinie 21 zu erhitzen, wo die verschlechterte Schicht 210 ausgebildet wurde, eine thermische Spannung generiert bzw. erzeugt, wodurch ein Wärmeschock verliehen bzw. ausgeübt wird. Als ein Ergebnis wird ein abgespaltener Bereich entlang der Unterteilungs linie 21 gebildet, wo die verschlechterte Schicht 210 ausgebildet wurde, um den Halbleiterwafer 2 zu unterteilen. Die Ausgabe des Laserstrahls, der entlang der Unterteilungslinie 21 aufgebracht bzw. angewandt wird, wo die verschlechterte Schicht 210 in dem Unterteilungsschritt ausgebildet wurde, ist ausreichend, um den Halbleiterwafer 2 in einem derartigen Ausmaß aufzuheizen bzw. zu erwärmen, daß es einen moderaten Temperaturgradienten gibt (100 bis 400°C), und somit schmilzt diese Temperatur Silizium nicht.
Die Bearbeitungsbedingungen in dem obigen Unterteilungsschritt sind beispielsweise wie folgt festgelegt.
Lichtquelle: LD erregter Nd: YAG Laser mit zweiter Harmonischer (CW)
Wellenlänge: 532 nm
Ausgabe: 10 W
Brennpunktdurchmesser: 0,5 mm (heizt einen relativ breiten Bereich, beinhaltend die verschlechterte Schicht 210)
Bearbeitungs-Zufuhrgeschwindigkeit: 100 mm/s
Nachdem der obige Unterteilungsschritt ausgeführt wird, wird der Einspanntisch 61, d.h. der Halbleiterwafer 2 um einen Abstand entsprechend dem Intervall zwischen Unterteilungslinien 21 in der Indexier- bzw. Vorschubrichtung senkrecht zu dem Blatt in 9 bewegt, während ein Laserstrahl mit kontinuierlicher Welle, wie oben beschrieben, aufgebracht wird. Nachdem das obige Bearbeitungszuführen und schrittweise bzw. Indexzuführen entlang aller Unterteilungslinien 21 ausgeführt wurde, die in der vorbestimmten Richtung ausgebildet sind, wird der Einspanntisch 61, d.h. der Halbleiterwafer 2 um 90° gedreht, um die obige Bearbeitungszufuhr und Indexierzufuhr entlang von Unterteilungslinien 21 auszuführen, die in einer Richtung senkrecht zu der obigen vorbestimmten Richtung ausgebildet sind, wodurch der Halbleiterwafer 2 gespalten bzw. zerteilt und entlang der Unterteilungslinien 21 unterteilt wird. Obwohl der Halbleiterwafer 2 entlang der Unterteilungslinien 21 in individuelle Chips zu unterteilen ist, fallen die individuellen Chips nicht auseinander und behalten den Zustand des Wafers bei, da die rückwärtige Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 das Schneidband 30 daran festgelegt aufweist.
Ein drittes Beispiel des Unterteilungsschritts wird unter Bezugnahme auf 10 beschrieben. Dieses dritte Beispiel des Unterteilungsschritts, das in 10 gezeigt ist, wird durch Verwendung einer Biege-Unterteilungsvorrichtung 7 ausgeführt, welche eine zylindrische Basis 71 und Biegelast-Aufbringmittel 73 umfaßt. D.h., der Rahmen 3, der den Halbleiterwafer 2 (in welchem die verschlechterten Schichten 210 entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet sind) über das Schneidband 30 unterstützt bzw. trägt, wird auf der Anordnungsoberfläche 71a der zylindrischen Basis 71 in einer derartigen Weise angeordnet, daß die Seite des Schneidbands 30 nach oben schaut (daher schaut die vordere Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2 nach unten) und wird durch Klammern bzw. Klemmen 72 festgelegt. Die vordere Oberfläche 2a (untere Oberfläche) des Halbleiterwafers 2 wird dann auf einer Mehrzahl von säulenförmigen Abstütz- bzw. Supportgliedern 74 angeordnet, welche parallel zueinander angeordnet sind und die Biegelast-Aufbringmittel 73 ausbilden. An diesem Punkt wird der Halbleiterwafer 2 in einer derartigen Weise angeordnet, daß jede Unterteilungslinie 21, die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist, zwischen benachbarten Supportgliedern 74 und 74 positioniert ist. Der Halbleiterwafer 2 wird dann durch drückende bzw. Preßglieder 75 entlang der Unterteilungslinie 21 von der Seite des Schneidbands 30 gepreßt, das an die rückwärtige Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 festgelegt ist. Als ein Ergebnis wirkt eine Biegelast auf den Halbleiterwafer 2 entlang der Unterteilungslinien 21, um eine Zugspannung bzw. -beanspruchung auf der vorderen Oberfläche 2a zu erzeugen, wodurch der Halbleiterwafer 2 gespalten und entlang der Unterteilungslinien 21 geteilt wird, deren Festigkeit durch die Ausbildung der verschlechterten Schichten 210 reduziert wurde. Nachdem der Halbleiterwafer 2 entlang der verschlechterten Schichten 210 unterteilt wurde, d.h. den Unterteilungslinien 21, die in der vorbestimmten Richtung ausgebildet wurden, wird die zylindrische Basis 71, d.h. der Halbleiterwafer 2 um 90° gedreht und die obige Unterteilungsarbeit wird entlang von Unterteilungslinien 21 ausgeführt, die in einer Richtung senkrecht bzw. normal zu der obigen vorbestimmten Richtung angeordnet sind, um den Halbleiterwafer 2 in individuelle bzw. einzelne Chips zu unterteilen. Da die rückwärtigen Oberflächen der individuellen Chips das Schneidklebeband 30 daran festgelegt aufweisen, fallen die Chips nicht auseinander und behalten den Zustand des Halbleiterwafers 2 bei.
Ein viertes Beispiel des Unterteilungsschritts wird unter Bezugnahme auf 11 beschrieben. Dieses vierte Beispiel des Unterteilungsschritts, das in 11 gezeigt ist, wird durch Verwenden einer Biege-Unterteilungsvorrichtung 8 ausgeführt, welche eine zylindrische Basis 81 und ein drückendes bzw. Preßglied 83 als Biegelast-Aufbringmittel umfaßt. Diese Basis 81 ist so ausgebildet, um fähig zu sein, in der horizontalen Richtung und in der Richtung senkrecht zu dem Blatt in 11 bewegt zu werden und auch durch Bewegungsmittel gedreht zu werden, welche nicht gezeigt sind. Der Rahmen 3, der den Halbleiterwafer 2 (in welchem die verschlechterten Schichten 210 entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet sind) über das Schneidband 30 unterstützt, ist auf der Anordnungsoberfläche 81a der so ausgebildeten bzw. konstruierten zylindrischen Basis 81 in einer derartigen Weise angeordnet, daß die Seite des Schneidbands 30 in Kontakt mit der Anordnungsoberfläche 81a gelangt (daher schaut die vordere Oberfläche 2a des Halbleiterwafers 2 nach oben) und durch Klemmen 82 festgelegt ist bzw. wird. Danach wird die Basis 81 durch die Bewegungsmittel (nicht gezeigt) bewegt, um ein Ende (linkes Ende in 11) einer vorbestimmten Unterteilungslinie 21, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet ist, zu einer Position gegenüberliegend dem Preßglied 83 zu bringen, und das Preßglied 83 wird nach oben in 11 zu einer Position bewegt, wo es das Schneidband 30 preßt, das an den Halbleiterwafer 2 festgelegt ist. Die Basis 81 wird in der Richtung bewegt, die durch den Pfeil angedeutet ist. Als ein Ergebnis wird eine Biegelast auf den Halbleiterwafer 2 entlang der Unterteilungslinie 21 aufgebracht, die durch das Preßglied 83 gepreßt ist, um eine Zugspannung auf der vorderen Oberfläche 2a zu erzeugen, wodurch der Halbleiterwafer 2 gespalten und entlang der Unterteilungslinie 21 unterteilt wird, deren Festigkeit durch die Ausbildung der verschlechterten Schicht 210 reduziert wurde. Nachdem der Unterteilungsschritt entlang der vorbestimmten Unterteilungslinie 21 ausgeführt wurde, wird die Basis 81 um einen Abstand entsprechend dem Intervall zwischen Unterteilungslinien 21 in der schrittweisen bzw. Vortriebsrichtung senkrecht zu dem Blatt bewegt, um den obigen Unterteilungsschritt auszuführen. Nachdem der Unterteilungsschritt an allen Unterteilungslinien 21 ausgeführt wurden, die sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, wird die Basis 81 um 90° gedreht, um den obigen Unterteilungsschritt an Unterteilungslinien 21 auszuführen, die in einer Richtung senkrecht auf die vorbestimmte Richtung angeordnet sind, wodurch der Halbleiterwafer 2 in individuelle Chips unterteilt wird. Da die rückwärtigen Oberflächen der erhaltenen Chips das Schneidband 30 daran festgelegt aufweisen, fallen die Chips nicht auseinander und behalten den Zustand des Wafers bei.
In dem Schritt eines Unterteilens des Halbleiterwafers 2 entlang der Unterteilungslinien 21 kann beispielweise ein Verfahren zum Spalten bzw. Teilen des Halbleiterwafers 2 entlang der Unterteilungslinien 21, deren Festigkeit durch die Ausbildung der verschlechterten Schichten 210 reduziert wurde, durch Anordnen des Halbleiterwafers 2, der das Schneidband 30 daran festgelegt aufweist, auf einem Weichgummiblatt und Pressen bzw. Drücken der oberen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 mit einer Walze neben dem oben beschriebenen Unterteilungsverfahren angewandt bzw. eingesetzt werden.
Nachdem der obige Unterteilungsschritt ausgeführt wurde, kommt ein Dehn- bzw. Expansionsschritt zum Vergrößern des Intervalls zwischen Chips durch ein Dehnen des Schneidbands 30, das an dem Wafer festgelegt ist, der in individuelle Chips unterteilt ist. Dieser Dehn- bzw. Aufweitschritt wird unter Verwendung einer Aufnahmevorrichtung 9 ausgeführt, die in 12 und 13(a) und 13(b) gezeigt ist. Die Aufnahmevorrichtung 9 wird nachfolgend beschrieben. Die illustrierte Aufnahmevorrichtung 9 umfaßt eine zylindrische Basis 91, die eine Anordnungsoberfläche 91a zum Anordnen des obigen Rahmens 3 aufweist, und Expansionsmittel 92 zum Dehnen des Schneidbands 30, das an dem Rahmen 3 festgelegt und konzentrisch in der Basis 91 angeordnet ist. Die Aufweit- bzw. Expandiermittel 92 umfassen ein dehnendes bzw. Dehnglied 93, um die Fläche bzw. den Bereich 301 abzustützen, wo der Halbleiterwafer 2 in dem Zer teil- bzw. Schneidband 30 vorliegt bzw. existiert. Dieses Dehnglied 93 kann sich vertikal (axiale Richtung der zylindrischen Basis 91) zwischen einer Standardposition, die in 13(a) gezeigt ist, und einer Expansionsposition, die in 13(b) gezeigt ist, über der Standardposition durch Anhebemittel, welche nicht gezeigt sind, bewegen. In der dargestellten Ausbildung sind Ultraviolett-Lampen 94 in dem Dehnglied 93 installiert.
Der Expansionsschritt, welcher unter Verwendung der obigen Aufnahmevorrichtung 9 ausgeführt wird, wird unter Bezugnahme auf 12 und 13(a) und 13(b) beschrieben.
Der Rahmen 3, der das Schneidband 30 montiert, das an die rückwärtige Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 festgelegt ist, der in individuelle Chips 20 unterteilt ist, wie dies oben beschrieben ist, wird auf der Anordnungsoberfläche 91a der zylindrischen Basis 91 angeordnet und an der Basis 91 durch Klemmen 95 festgelegt, die in 12 und 13(a) gezeigt sind. Dann werden das Dehnglied 93 der Expansionsmittel 92, die den Bereich 301 abstützen, wo der Wafer 2 in dem obigen Schneidband 30 vorliegt, nach oben zu der Expansionsposition, die in 13(b) gezeigt ist, von der Standardposition, die in 13(a) gezeigt ist, durch die Anhebemittel bewegt, die nicht gezeigt sind. Als ein Ergebnis wird das dehnbare Schneidband 30 gedehnt, wodurch ein Gleiten zwischen dem Schneidband 30 und den Chips 20 auftritt, wodurch eine Anhaftung dazwischen reduziert wird. Daher können die Chips 20 leicht von dem Schneidband 30 aufgenommen werden und ein Abstand wird zwischen benachbarten Halbleiterchips 20 ausgebildet.
Danach wird eine Aufnahmehülse 96, die über der Aufnahmevorrichtung 9 angeordnet ist, aktiviert, um die individuellen Chips 20 von der oberen Oberfläche des Schneidbands 30 aufzunehmen und sie zu einem Tablett (nicht gezeigt) zu tragen, wie dies in 12 gezeigt ist (Aufnahmeschritt). An diesem Punkt werden die Ultraviolett-Lampen 94 in dem Dehnglied 93 eingeschaltet, um ultraviolette Strahlung auf das Schneidband 30 aufzubringen, um die Klebefestigkeit des Schneidbands 30 zu reduzieren, wodurch es möglich gemacht wird, die Halbleiterchips 20 von dem Schneidband 30 leichter aufzunehmen.
Der obige Unterteilungsschritt kann auch unter Verwendung der obigen Aufnahmevorrichtung 9 ausgeführt werden. D.h., wie es in 14(a) gezeigt ist, es wird der Rahmen 3, der den Halbleiterwafer 2 (in welchem die verschlechterten Schichten 210 entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet wurden) über das Schneidband 30 abstützt, bevor der obige Unterteilungsschritt ausgeführt wird, auf der Anordnungsoberfläche 91a der zylindrischen Basis 91 angeordnet und an der Basis 91 durch die Klemmen 95 festgelegt. Wie dies in 14(b) gezeigt ist, wird das Dehnglied 93 der Expandier- bzw. Aufweitmittel 92, die den Bereich 301 abstützen, wo der Wafer 2 in dem obigen Schneidband 30 vorliegt, nach oben von der Standardposition, die in 14(a) gezeigt ist, zu der Expansionsposition, die in 14(b) gezeigt ist, durch die Anhebemittel bewegt, welche nicht gezeigt sind. Als ein Ergebnis wird das aufweit- bzw. dehnbare Schneidband 30 so gedehnt, daß eine Zugkraft radial auf den Halbleiterwafer 2 wirkt, der das Schneidband 30 daran festgelegt aufweist. Wenn die Zugkraft somit radial auf den Halbleiterwafer 2 wirkt, wird der Halbleiterwafer 2 entlang der verschlechterten Schichten 210 gespalten, um in individuelle Halbleiterchips 20 unterteilt zu werden, da die Festigkeit der verschlechterten Schichten 210, die entlang der Unterteilungslinien 21 ausgebildet sind, reduziert wurde. Die Expansion oder Dehnung bzw. Län gung des Schneidbands 30 in dem obigen Unterteilungsschritt kann durch die Aufwärtsbewegung des Dehnglieds 93 eingestellt werden. Entsprechend Experimenten, die durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung ausgeführt wurden, konnte, wenn das Schneidband 30 um etwa 20 mm gedehnt wurde, der Halbleiterwafer 2 entlang der verschlechterten Schichten 210 unterteilt werden. Durch ein derartiges Ausführen des Unterteilungsschritts tritt ein Gleiten bzw. Schlupf zwischen dem Schneidband 30 und den Chips 20 auf, wodurch eine Anhaftung dazwischen reduziert wird. Als ein Ergebnis können die Chips 20 leicht von dem Schneidband 30 aufgenommen werden und ein Abstand wird zwischen benachbarten Chips 20 ausgebildet. Danach wird die Aufnahmehülse 96, die über der Aufnahmevorrichtung 9 angeordnet ist, aktiviert, um die individuellen Chips 20 von dem Schneidband 30 aufzunehmen und sie zu dem Tablett (nicht gezeigt) zu tragen, wie dies in 12 gezeigt ist.

Claims

Verfahren zum Unterteilen entlang von Unterteilungslinien eines Wafers, der Funktionselemente in Bereichen ausgebildet aufweist, die durch die Unterteilungslinien unterteilt werden, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche ausgebildet werden, umfassend: einen Rahmenhalteschritt zum Festlegen der rückwärtigen Oberfläche des Wafers auf einem Zerteil- bzw. Schneidband, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird; einen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht entlang der Unterteilungslinien in dem Inneren des Wafers durch Anwenden eines Puls-Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer hindurchzutreten, auf den Wafer entlang der Unterteilungslinien von der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers, der an dem Rahmen gehalten wird; einen Unterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers in individuelle Chips entlang der Unterteilungslinien durch Ausüben einer externen Kraft entlang der Unterteilungslinien, wo die verschlechterten Schichten ausgebildet wurden, des Wafers, der an dem Rahmen gehalten wird; einen Dehn bzw. Aufweitungsschritt zum Vergrößern des Abstands zwischen Chips durch Dehnen des Schneidbands, das auf den Wafer aufgebracht wurde, der in individuelle Chips unterteilt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen von jedem Chip von dem gedehnten Schneidband.
Wafer-Unterteilungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die verschlechterten Schichten, die in dem Inneren des Wafers in dem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht ausgebildet werden, wenigstens zu der rückwärtigen Oberfläche des Wafers freigelegt werden.
Wafer-Unterteilungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Unterteilungsschritt durch Dehnen des Schneidbands in dem Aufweitungsschritt ausgeführt wird.