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Die
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur vertikal strukturierten
Abscheidung einer Prozessschicht mittels sequentieller Gasphasenabscheidung
mit den Schritten:
- – Bereitstellen eines Substrats
aus einem Substratmaterial,
- – Einbringen
eines Grabens mit einer Grabenwandung in das Substrat von einer
Substratoberfläche aus
und
- – Beschichten
eines oberen Abschnittes der Grabenwandung oberhalb einer Kragenunterkante selektiv
zu einem unteren Abschnitt unterhalb der Kragenunterkante mit der
Prozessschicht, wobei das Substrat wiederholt abwechselnd mindestens zwei
unterschiedlichen Prozessfluiden ausgesetzt wird.
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Die
Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zur Ausbildung einer
Kragenstruktur im oberen Abschnitt eines in ein Halbleitersubstrat
eingebrachten Lochgrabens sowie auf ein Verfahren zur Herstellung
von Speicherkondensatoren für
Speicherzellen.
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Speicherzellen
von dynamischen Schreib-/Lesespeichern (DRAMs, dynamic random access
memories) umfassen jeweils einen Speicherkondensator zur Speicherung
einer einen Dateninhalt der Speicherzelle charakterisierenden elektrischen
Ladung sowie einen Auswahltransistor zur Adressierung des Speicherkondensators.
Bei einer Speicherzelle mit Grabenkondensator (trench cell) ist der
Speicherkondensator jeweils entlang eines innerhalb des Halbleitersubstrats
unterhalb einer Substratoberfläche
ausgebildeten Lochgrabens orientiert. Die Auswahltransistoren sind
im Wesentlichen nebeneinander entlang der Substratoberfläche des Halbleitersubstrats
oder entlang der Grabenwandung in einem oberen Abschnitt des für den Grabenkondensator
vorgesehenen Lochgrabens ausgebildet.
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In
der 1 ist ein Ausschnitt
einer Speicherzelle mit einem Grabenkondensator 7 schematisch
im Querschnitt dargestellt. Der Grabenkondensator 7 ist
entlang eines in das Halbleitersubstrat 1 von einer Substratoberfläche 10 eingebrachten
Lochgrabens 2 ausgebildet. In einem unteren Abschnitt 212 des
Lochgrabens 2 unterhalb einer Kragenunterkante 30 ist
der Lochgraben 2 mit einem Kondensatordielektrikum 72 ausgekleidet.
Das Kondensatordielektrikum 72 trennt eine als Füllung des
Lochgrabens 2 aus dotiertem Polysilizium vorgesehene Innelektrode 71 des
Grabenkondensators 7 von einem in einem Elektrodenabschnitt 12 des
Halbleitersubstrats 1 ausgebildeten dotierten Gebiet. Das
dotierte Gebiet bildet die Außenelektrode 73 des
Grabenkondensators 7 und umfängt den Lochgraben 2 unterhalb
der Kragenunterkante 30. Oberhalb der Kragenunterkante 30 ist
der Lochgraben 2 mit einem Kragenisolator 73 ausgekleidet.
Der Kragenisolator 74 isoliert die Innenelektrode 71 von
entlang der Substratoberfläche 10 oder
entlang der Grabenwandung 21 ausgebildeten Transistorstrukturen 6 in
einem Isolatorabschnitt 11 des Halbleitersubstrats 1.
Gegenüber dem
Kondensatordielektrikum 72 weist der Kragenisolator 74 eine
vergleichsweise große
Schichtdicke auf, so dass im unteren Abschnitt 212 des
Lochgrabens 2 wirkende Prozessschritte, wie etwa eine Flaschenätzung zur
Aufweitung des Lochgrabens 2 unterhalb der Kragenunterkante 30 oder
das Ausdiffundieren eines Dotierstoffes zur Formierung des dotierten
Gebietes der Außenelektrode 73 beeinträchtigt sind.
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Es
ist daher bekannt, vor einer Flaschenätzung bzw. vor der Formierung
der dotierten Gebiete der Außenelektrode
anstelle des Kragenisolators einen Hilfskragen als vertikale Ätzmaske
bzw. Diffusionsbarriere vorzusehen. Der Hilfskragen weist eine im
Vergleich zum Kragenisolator geringe Schichtdicke auf und erleichtert
eine im unteren Abschnitt 212 des Lochgrabens 2 wirkende
Prozessierung.
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Ein
Verfahren zur Ausbildung eines Hilfskragens ist in der US 2003/0077872
A1 (Tews et al.) beschrieben. Dabei wird vor der Formierung des
Hilfskragens der untere Abschnitt des Lochgrabens durch eine temporäre Füllung mit
Polysilizium maskiert. Ein erster Abschnitt der Polysiliziummaske
geht aus einer konformen Abscheidung mit anschließender anisotropen
Rückbildung
bis zur Kragenunterkante hervor. Eine resultierende röhrenförmige Auskleidung des
Lochgrabens wird mit einer "Divot"-Füllung in Form
einer nichtkonformen Abscheidung mit hoher Abscheidungsrate verschlossen.
Der Nachteil dieses Verfahrens ist in der Vielzahl der dazu notwendigen Prozessschritte
zu sehen.
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In
der
US 6,391,785 B1 sind
verschiedene Verfahren zur selektiven Abscheidung von Materialien
im Zusammenhang mit einer sequentiellen Gasphasenabscheidung (atomic
layer deposition, ALD) genannt. Dabei werden auf isolierende Oberflächen selektiv
zu leitfähigen
Oberflächen
sogenannte Barrierenmaterialien aufgebracht.
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Bei
einem ALD-Prozess wird in einer ersten Prozessphase ein Grundsubstrat
einem ersten Vorstufenmaterial ausgesetzt. Das erste Vorstufenmaterial
lagert sich ausschließlich
in aktivierten Abschnitten der Substratoberfläche ab und wird dabei in der Regel
modifiziert. Sind alle aktivierten Abschnitte des Substrats mit
dem modifizierten Vorstufenmaterial bedeckt, so ist eine monomolekulare
Teileinzellage aus dem modifizierten Vorstufenmaterial auf der Substratoberfläche abgeschieden.
In einer zweiten Phase wird das Substrat einem zweiten Vorstufenmaterial
ausgesetzt, das sich ausschließlich
auf der Teileinzellage aus dem ersten Vorstufenmaterial ablagert. Dabei
werden die Vorstufenmaterialien in das Schichtmaterial umgesetzt.
Es bildet sich eine Einzellage (monolayer) der zu erzeugenden Schicht. Der
Prozesszyklus wird solange wiederholt, bis aus den abgeschiedenen
Einzellagen eine Schicht vorher bestimmter Schichtdicke gebildet
ist.
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Die
US 6,391,785 B1 nennt
als Beispiel für ohne
weitere Maßnahmen
bereits konditionierte Substrate oxidhaltige Schichten. Ferner werden
verschiedene Verfahren genannt, ein oder mehrere Materialien des
Grundsubstrats mit chemischen Liganden zu versehen. Liganden sind
dabei chemische Gruppen oder Atome, die so gewählt werden, dass sie mittels
einer chemischen Reaktion selektiv durch eine andere chemische Gruppe
oder ein chemisches Molekül,
das zumindestens während
der Anfangsphase der nachfolgenden Abscheidung der Barriereschicht
in der Umgebungsatomsphäre
vorhanden ist, ersetzt werden können.
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Weiter
ist aus der Deutschen Patentanmeldung
DE 102 34 735 A1 (Hecht
et al.) die Abscheidung eines Hilfskragens mittels ALD im ungesättigten
Prozessregime bekannt. Im ungesättigten
Prozessregime wird ausgenutzt, dass der Hilfskragen gezielt von
der Substratoberfläche
her in den Lochgraben hineinwächst.
Wird dabei in mindestens einem ALD-Prozesszyklus nicht genügend Vorstufenmaterial
angeboten, um den Lochgraben vollständig auszukleiden, so bleibt
der untere Teil des Lochgrabens unbedeckt. Es entsteht in einem
einzigen Abscheidungsprozess ein vertikal strukturierter Hilfskragen, wie
er etwa für
eine Flaschenätzung
oder eine Gasphasendotierung notwendig ist.
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Ein
gemäß der
DE 102 34 735 A1 mit
einem Hilfskragen versehener Lochgraben ist in der
2B dargestellt.
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In
ein Halbleitersubstrat 1 ist von einer Substratoberfläche 10 durch
eine Schutzschicht (pad nidride) 8 ein Lochgraben 2 eingebracht.
Der Lochgraben 2 ist oberhalb einer Kragenunterkante 30 mit
einem Hilfskragen 3'' hoher Konformität ausgekleidet. Unterhalb
der Kragenunterkante 30 nimmt die Dicke des Hilfskragens 3 über einen Übergangsbereich Ü hinweg
ab.
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In
der 2B ist die Konformität des Hilfskragens 3'' in Prozent in Abhängigkeit
vom Abstand von der Substratoberfläche 10 aufgetragen.
Im erfassten Beispiel nimmt die Konformität ab einer Tiefe von 450 nm
unterhalb der Substratoberfläche 10 ab. Der Übergangsbereich Ü hat eine
Ausdehnung von etwa 1 μm.
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Der
Nachteil dieses Verfahrens ist darin zu sehen, dass die Positions
einer Unterkante des derart aufgewachsenen Hilfskragens in vertikaler
Richtung stark vom Durchmesser des Lochgrabens abhängt und
dieser über
eine Oberfläche
des Wafers stark variiert. Zudem bildet sich im Bereich der Unterkante
des Hilfskragens ein vergleichsweise weiter Übergangsbereich abnehmender
Dicke des Hilfskragens.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gegenüber bekannten Verfahren einfaches
Verfahren zur vertikalen Strukturierung von mittels sequentieller
Gasphasenabscheidung vorgesehenen Schichten zur Verfügung zu
stellen. Ferner umfasst die Aufgabe ein Verfahren zur Herstellung
eines Hilfskragens für
einen Lochgraben und ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung
von Grabenkondensatoren für
Speicherzellen.
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Diese
Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art durch
die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale
gelöst.
Ein Verfahren zur Ausbildung einer Kragenstruktur im oberen Abschnitt
eines in ein Halbleitersubstrat eingebrachten Lochgrabens ist im
Anspruch 9 angeben. Aus den Ansprüchen 12 und 13 ergibt sich
jeweils ein Verfahren zur Herstellung von Speicherkondensatoren.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
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Beim
erfindungsgemäßen Verfahren
für ein vertikal
strukturiertes Abscheiden einer Prozessschicht mittels sequentieller
Gasphasenabscheidung wird zunächst
ein Substrat aus einem Substratmaterial bereit gestellt. In das
Substrat wird von einer Substratoberfläche aus ein Graben eingebracht.
Der obere Abschnitt einer Grabenwandung des Grabens oberhalb einer
Kragenunterkante wird selektiv gegenüber einem unteren Abschnitt
der Grabenwandung unterhalb der Kragenunterkante mit der Prozessschicht
beschichtet. Dabei wird das Substrat wiederholt abwechselnd mindestens
zwei unterschiedlichen Prozessfluiden ausgesetzt. Zur Ausbildung
einer selektiven Beschichtung wird vor der Beschichtung der Grabenwandung
der untere Abschnitt der Grabenwandung mit einer Passivierungsschicht aus
einem Maskenmaterial abgedeckt. Das Maskenmaterial wird so gewählt, dass
sich keines der Prozessfluide an das Maskenmaterial anlagert.
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Im
Gegensatz zur vertikalen Strukturierung durch gerichtetes Aufwachsen
im ungesättigten
Prozessregime ist die Abscheidung der Prozessschicht selbstjustierend
und findet im gesättigten Prozessregime
statt, das gegenüber
dem ungesättigten
Prozessregime wesentlich einfacher zu steuern ist. Ferner wird die
Ausbildung eines Übergangsbereichs entsprechend
einem nicht selbstlimitierenden ALD-Prozess unterdrückt. Der
ALD-Prozess wird als standardmäßiger selbstlimitierender
ALD-Prozess gesteuert,
bei dem sich keine Notwendigkeit für die Verarmung eines oder
beider Vorstufenmaterialien ergibt.
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Bevorzugt
wird als Substratmaterial ein Halbleitermaterial wie Silizium, Germanium
oder ein Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid vorgesehen, die
jeweils amorph bzw. polykristallin oder monokristallin vorliegen
können.
Als Maskenmaterial wird bevorzugt ein Dielektrikum, etwa ein Nitrid,
vorgesehen.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird als Halbleitermaterial monokristallines Silizium und als Maskenmaterial
ein Metalloxid, wie HfO2, ZrO2,
Ta2O5, Nb2O5 oder Al2O3 oder ein geeignetes
Oxid seltener Erden, wie etwa Pr2O5 oder La2O3 vorgesehen.
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In
einer besonders bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird die Prozessschicht aus Aluminiumoxid Al2O3 vorgesehen, das unter Verwendung von Tetramethylaluminium
und eines weiteren schwach oxidierenden Vorstufenmaterials, etwa
H2O abgeschieden wird. Weder H2O
noch Tetramethylaluminium (TMA) lagert sich an vertikal orientierten
Abschnitten der Grabenwandung aus Siliziumnitrid, wohl aber an den
vertikalen Abschnitten der Grabenwandung, die aus Silizium gebildet
werden, an.
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Bei
einem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Ausbildung einer Kragenstruktur im oberen Abschnitt eines in
ein Halbleitersubstrat eingebrachten Lochgrabens wird zunächst ein
Halbleitersubstrat aus einem Halbleitermaterial bereitgestellt.
In das Halbleitersubstrat werden von einer Substratoberfläche her Lochgräben mit
einer Grabenwandung eingebracht. Ein oberer Abschnitt der Grabenwandung
oberhalb einer Kragenunterkante wird mittels eines sequentiellen
Gasphasenabscheidungsverfahrens, bei dem das Halbleitersubstrat
wiederholt abwechselt mindestens zwei unterschiedlichen Prozessfluiden
ausgesetzt wird, selektiv zu einem unteren Abschnitt der Grabenwandung
unterhalb der Kragenunterkante beschichtet. Vor dem selektiven Beschichten
wird der untere Abschnitt mit einer Passivierungsschicht aus einem
Maskenmaterial abgedeckt.
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In
bevorzugter Weise wird die Passivierungsschicht ausgebildet, indem
auf der Grabenwandung eine Vorläuferschicht
aufgebracht und der Graben mit einem Hilfsmaterial gefüllt wird.
Das Hilfsmaterial wird in einem Ätzprozess
bis zur Kragenunterkante zurückgebildet
und oberhalb der Kragenunterkante die Vorläuferschicht freigelegt. Der
freigelegte Abschnitt der Vorläuferschicht
wird entfernt. Der remanente Abschnitt der Vorläuferschicht bildet die Passivierungsschicht.
Anschließend
wird das Hilfsmaterial aus dem unteren Abschnitt des Lochgrabens
entfernt.
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Das
Hilfsmaterial ist bevorzugt ein Photoresistmaterial. Die Kragenunterkante
wird in vorteilhafter Weise durch die Rückbildung des Photoresists
im Lochgraben eingestellt. Gegenüber
der nicht konformen ALD-Abscheidung im ungesättigten Prozessregime erfolgt
die Abscheidung der Kragenstruktur im gesättigten Prozessregime mit weiten
zulässigen
Bereichen für
Prozessdruck und Prozesstemperatur. Ein Übergangsbereich abnehmender
Schichtdicke der Prozessschicht entfällt.
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Das
Verfahren ist flexibel und unabhängig vom
Durchmesser der Lochgräben.
Damit ist das Verfahren auch weitgehend unempfindlich gegen Schwankungen
des Durchmessers der Lochgräben über das
Halbleitersubstrat, etwa einem Halbleiterwafer.
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Das
Abscheiden einer dünnen
Siliziumnitridschicht ist ein vergleichsweise einfacher und zuverlässiger Prozess
in der Halbleiterfertigungstechnologie. Die Passivierungsschicht
wird nach Abscheiden der Prozessschicht selektiv zur Prozessschicht
entfernt.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
zur Herstellung einer Kragenstruktur lässt sich in ein Verfahren zur
Herstellung eines Speicherkondensators für eine Speicherzelle integrieren.
Dazu wird von einer Substratoberfläche aus, ein Lochgraben zur
Ausbildung eines Lochgrabenkondensators in ein Halbleitersubstrat
eingebracht. In einem Elektrodenabschnitt des Halbleitersubstrats,
der einen unteren Abschnitt des Lochgrabens unterhalb einer Kragenunterkante
umfängt,
wird eine Außenelektrode
des Speicherkondensators als dotiertes Gebiet ausgebildet. Der untere
Abschnitt des Lochgrabens wird mit einem Kondensatordielektrikum
und der obere Abschnitt des Lochgrabens mit einem Isolatorkragen ausgekleidet.
Im Inneren des Lochgrabens wird eine Innenelektrode aus einem leitfähigen Material
vorgesehen. Zur Kapazitätsvergrößerung des
Speicherkondensators wird die Elektrodenfläche vergrößert, indem der Lochgraben
im unteren Abschnitt durch eine Flaschenätzung auf geweitet wird.
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Erfindungsgemäß wird nun
vor der Flaschenätzung
ein Hilfskragen gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Ausbildung einer Kragenstruktur im oberen Abschnitt des Lochgrabens
vorgesehen. Nach der Flaschenätzung
wird der Hilfskragen entfernt und an dessen Stelle der Isolatorkragen mit
relativ zum Hilfskragen hoher Schichtdicke vorgesehen.
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Wird
die Außenelektrode
durch Ausdiffussion eines Dotierstoffs aus einem in den Lochgraben temporär eingebrachten
gasförmigen,
flüssigen
oder festen Dotierhilfsmaterial ausgebildet, so wird erfindungsgemäß vor Einbringen
des Dotierhilfsmaterials ein Hilfskragen gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Ausbildung einer Isolatorstruktur und nach Ausbildung der Außenelektrode
der Isolatorkragen mit hoher Schichtdicke vorgesehen.
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In
bevorzugter Weise wird der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellte Hilfskragen sowohl als Diffusionsbarriere im Zuge der
Ausbildung der Außenelektrode
als auch als vertikale Ätzmaske
bei der Flaschenätzung
benutzt. Nachfolgend werden die Erfindung sowie deren Vorteile anhand der
Figuren näher
erläutert,
wobei für
einander entsprechende Komponenten und Bauteile gleiche Bezugszeichen
verwendet werden. Es zeigen:
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1 einen
schematischen Querschnitt durch eine herkömmliche Trench-Speicherzelle,
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2 einen schematischen Querschnitt durch
einen Lochgraben mit Hilfskragen entsprechend dem Stand der Technik,
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3 elektronenmikroskopischen Aufnahmen
nachempfundene Querschnitte durch Strukturen nach selektiver ALD-Abscheidung und
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4 Querschnitte durch einen gemäß einem
Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens
prozessierten Lochgrabens.
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Die 1 und 2 wurden bereits eingangs erläutert.
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Die 3A, 3B und 3C zeigen
jeweils Lochgräben 2,
die von einer Substratoberfläche 10 her
in ein Substrat 1 eingebracht sind. Das Substratmaterial
ist monokristallines Silizium. Oberhalb der Substratoberfläche 10 ist
eine Schutzschicht 8 (pad nitride) in verschiedenen Schichtdicken
vorgesehen. Der Durchmesser der Lochgräben 2 beträgt näherungsweise
100 nm. Die Schichtdicke der Schutzschicht 8 beträgt in der 3A etwa
150 nm, in der 3B etwas mehr als 100 nm und
in der 3C etwa 80 nm.
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Mittels
einer sequentiellen Gasphasenabscheidung (atomic layer deposition,
ALD) unter Verwendung der Vorstufenmaterialien Trimethylaluminium
und Wasser wird Al2O3 abgeschieden.
Das Al2O3 wächst lediglich
auf der Siliziumoberfläche,
nicht aber auf der Schutzschicht 8 auf.
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In
der 4 ist die Ausbildung eines Hilfskragens
aus Aluminiumoxid unter Ausnutzung eines selektiven ALD-Prozesses
in verschiedenen Prozessstadien dargestellt.
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In
ein Halbleitersubstrat 1 wird durch eine Schutzschicht 8 hindurch
von einer Substratoberfläche 10 aus
ein Lochgraben 2 eingebracht. Das Halbleitersubstrat 1 ist
monokristallines Silizium. Die Schutzschicht 8 wird aus
Siliziumnitrid (pad nitride) gebildet. Eine dünne Vorläuferschicht 4' aus Siliziumnitrid
wird auf eine Grabenwandung 21 des Lochgrabens 2 abgeschieden.
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Die 4A zeigt
den in das Halbleitersubstrat 1 eingebrachten Lochgraben 2.
Durch die Vorläuferschicht 4' wird der Lochgraben 2 ausgekleidet
und die Schutzschicht 8 abgedeckt.
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Ein
Hilfsmaterial 5, etwa ein Photoresistmaterial, wird so
abgeschieden, dass der Lochgraben 2 vollständig mit
dem Hilfsmaterial 5 gefüllt
ist.
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In
der 4B ist der vollständig mit dem Hilfsmaterial 5 gefüllte Lochgraben 2 dargestellt.
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Durch
einen geeigneten Rückätzprozess
mit geringer Prozesstoleranz wird das Hilfsmaterial 5 bis zu
einer Kragenunterkante 30 in den Lochgraben 2 zurückgebildet.
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In
der 4C ist der Lochgraben 2 durch einen remanenten
Abschnitt des Hilfsmaterials 5' unterhalb einer Kragenunterkante 30 gefüllt. Aus
einem oberen Abschnitt des Lochgrabens 2 oberhalb der Kragenunterkante 30 ist
das Hilfsmaterial 5 entfernt.
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Mit
dem zurückgebildeten
Hilfsmaterial 5' als Maske
wird die Vorläuferschicht 4' von oberen
Abschnitten 211 der Grabenwandung 21 des Lochgrabens 2 sowie
von der Schutzschicht 8 entfernt.
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Die
aus der Vorläuferschicht 4' hervorgegangene
Passivierungsschicht 4 ist in der 4D dargestellt.
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Die 4E zeigt
den Lochgraben 2 nach Entfernung des zurückgebildeten
Hilfsmaterials 5 aus dem unteren Abschnitt des Lochgrabens 2.
Der untere Abschnitt 212 der Grabenwandung 21 ist
unterhalb der Kragenunterkante 30 durch die Passivierungsschicht 4 ausgekleidet.
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Es
erfolgt eine sequentielle Gasphasenabscheidung von Aluminiumoxid
aus Trimethylaluminium und einem schwach oxidierenden Vorstufenmaterial,
wie etwa Wasser. Das Aluminiumoxid wächst lediglich auf monokristallinem
Silizium, nicht aber auf Siliziumnitrid auf.
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Wie
in der 4F gezeigt, wird lediglich der von
der Passivierungsschicht 4 nicht abgedeckte obere Abschnitt 211 der
Grabenwandung 21 von der aufwachsenden Prozessschicht 3 abgedeckt.
Weder auf der Schutzschicht 8 noch auf der Passivierungsschicht 4 kommt
es zu einem Abscheiden von Aluminiumoxid. Nach Formierung des aus
der Prozessschicht 3 ausgebildeten Hilfskragens 3 wird
die Passivierungsschicht 4 aus dem unteren Abschnitt des Lochgrabens 2 entfernt.
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Der
nach Entfernen der Passivierungsschicht 4 verleibende Hilfskragen 3 gemäß der 4G dient
etwa als vertikale Maske für
eine Flaschenätzung
im unteren Abschnitt 212 des Lochgrabens 2 oder
als Diffusionsbarriere bei der Formierung eines dotierten Gebiets
in einem den unteren Abschnitt 212 des Lochgrabens 2 umfangenden
Elektrodenabschnitt 12 des Halbleitersubstrats 1.
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- 1
- Substrat
- 10
- Substratoberfläche
- 11
- Isolatorabschnitt
- 12
- Elektrodenabschnitt
- 2
- Lochgraben
- 21
- Grabenwandung
- 211
- oberer
Abschnitt
- 212
- unterer
Abschnitt
- 3
- Prozessschicht,
Hilfskragen
- 3''
- Hilfskragen
nach Stand der Technik
- 30
- Kragenunterkante
- 4
- Passivierungsschicht
- 4'
- Vorläuferschicht
- 5'
- Hilfsmaterial
- 5
- zurückgebildetes
Hilfsmaterial
- 6
- Auswahltransistor
- 7
- Grabenkondensator
- 71
- Innenelektrode
- 72
- Kondensatordielektrikum
- 73
- Außenelektrode
- 74
- Kragenisolator
- 8
- Schutzschicht
- Ü
- Übergangsbereich