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Die Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Dünnfilmhalbleiter-Röntgenstrahlen-Bildgebungsarrays und genauer auf die Fertigung eines derartigen Bildgebungsarrays mit einem reduzierten Datenleitungswiderstand, während gleichzeitig ein Dünnfilmtransistor(TFT)-Lichtblockelement zur Verfügung gestellt wird.
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Die Druckschrift
US 6 297 862 B1 offenbart eine Licht abschirmende Struktur eines Substrats für eine Flüssigkristallvorrichtung, eine Flüssigkristallvorrichtung, und eine Projektionstyp-Anzeigevorrichtung.
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Die Druckschrift
EP 0 964 451 A2 behandelt Röntgendetektoren und erläutert eine Abschirmung einheitlich zur Elektroden-Linie.
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Die Druckschrift
US 2001/0022363 A1 behandelt TFT Röntgendetektoren und zeigt einen TFT Schalter mit Gate-Elektrode und Daten-Leitung mit Pixel-Elektrode, die den TFT Schalter überdeckt.
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Indirekte Dünnfilmhalbleiter-Bildgebungsarrays umfassen typischerweise ein an ein flimmerndes Medium angeschlossenes Photosensorarray. In der Flimmereinrichtung absorbierte Strahlung erzeugt optische Photonen, die wiederum in einen Photosensor wie beispielsweise eine Photodiode laufen. Das optische Photon wird in dem Photosensor absorbiert und entsprechend einem einfallenden Photonenfluss wird eine elektrische Ladung erzeugt. Im Wesentlichen wird bei der Fertigung von Photosensoren aufgrund der vorteilhaften photoelektrischen Eigenschaften von α-Si und der relativen Einfachheit der Fertigung derartiger Vorrichtungen, insbesondere für Großformatvorrichtungen, allgemein hydriertes amorphes Silizium (α – Si) verwendet. Insbesondere können lichtempfindliche Elemente, wie beispielsweise Photodioden, in Verbindung mit notwendigen Steuer- oder Schaltelementen, wie beispielsweise Dünnfilmtransistoren (TFTs) mit dem Boden des Substrats zugewandtem Gatter, in einem relativ großen Array gebildet werden. Strahlungsdetektoren und Anzeigenarrays werden typischerweise an einem großen Substrat gefertigt, an welchem viele Komponenten, einschließlich Dünnfilmtransistoren, Addressleitungen, Kondensatoren und Photosensoren durch die aufeinanderfolgende Abscheidung und Musterung von Schichten aus leitenden, halbleitenden und isolierenden Materialien gebildet werden.
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Zumindest ein bekanntes Fertigungsverfahren für ein derartiges Röntgenstrahlen-Bildgebungsarray umfasst typischerweise das Fertigen des Dünnfilmtransistors und dann der Photodiode. Das Fertigen eines typischen Dünnfilmtransistors mit dem Boden des Substrats zugewandtem Gatter umfasst die Abscheidung und Musterung einer Metallschicht, um die Gatterelektroden zu bilden. Dann wird eine dielektrische Gatterschicht über die Gatterelektrode abgeschieden, was von der Abscheidung und Musterung einer Schicht aus Halbleitermaterial (typischerweise α-Si) gefolgt wird. Mit Abscheidung und Musterung der Quellen-/Senken-(Datenleitungs-)Elektrodenschicht werden nachfolgend verschiedenste Adressleitungen gebildet. Dann wird das Dünnfilmtransistorarray vor der Fertigung der aktiven Photodiodenmatrix mit einer dielektrischen Passivierungsschicht überzogen. Diese dielektrische Schicht wird nachfolgend gemustert, so dass Kontaktfenster zu der darunterliegenden Quellen-/Senken-Metallisation gebildet werden. Dann wird eine α-Si-Photodiodenschicht abgeschieden und gemustert, so dass das in Bildelemente unterteilte Photosensorarray gebildet wird. Bei diesem Punkt wird eine zusätzliche dielektrische Passivierungsschicht abgeschieden und mit einer Vielzahl von Durchgangslöchern bzw. Durchkontaktierungen gemustert, um eine Verbindung zu dem Dünnfilmtransistor, der Diode und anderen Vorrichtungselementen zur Verfügung zu stellen. Um die geeignete elektrische Verbindung zu bzw. die Zusammenschaltung mit den darunterliegenden Vorrichtungselementen zur Verfügung zu stellen, wird eine abschließende Metallisationschicht abgeschieden und geätzt.
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Mit Verminderung des Systemrauschens wird das Gesamtsystemverhalten verbessert. Der Datenleitungsrauschbeitrag zu dem Gesamtsystemrauschen ist proportional zu der Quadratwurzel des Datenleitungs-Serienwiderstands. Folglich kann durch Minimierung des elektrischen Serienwiderstands der einzelnen Arraydatenleitungen ein verbessertes Detektorverhalten erzielt werden.
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Eine Beleuchtung des Dünnfilmtransistors (TFT) durch von Röntgenstrahlen erzeugte optische Photonen aus der flimmernden Schicht kann einen optisch gesteigerten Dünnfilmtransistorverlust (Optically Enhanced TFT Leckage: OEFL) induzieren. Mit zunehmendem Dünnfilmtransistorverlust wird das Verhalten der zugehörigen Bildelemente nichtlinear und an anderen Bildelementen, die mit der selben Datenleitung verbunden sind, wird ein fehlerhaftes Signal erzeugt, was die Bildung von Bildartefakten zur Folge hat. Daher können hohe Pegel von optisch gesteigertem Dünnfilmtransistorverlust (OEFL) das Gesamtdetektorverhalten verschlechtern.
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Bei einem bekannten Arraybildungsverfahren sind, im Vergleich zu dem zuvor beschriebenen Verfahren, mehrere Abscheide- und Musterungsschritte erforderlich, um eine Reduktion des Datenleitungs-Serienwiderstands zu erzielen, und um eine Lichtblockierabschirmung über dem Dünnfilmtransistorbereich zu bilden. Jeder Abscheide- und Musterungsschritt, der eine Photomaske und Ätzen einschließt, erhöht die Detektorfertigungskosten sowie die Wahrscheinlichkeit eines Detektorertragsverlusts aufgrund eines versehentlichen Schadens an der aktiven Matrixschicht.
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Erfindungsgemäß wird ein Strahlungsdetektor zur Verfügung gestellt mit einem Dünnfilmtransistor (TFT) und einem mit einem Lichtblockelement an dem Dünnfilmtransistor einheitlich ausgebildeten Datenleitungsstreifen.
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In einem weiteren Aspekt wird ein Strahlungsdetektor zur Verfügung gestellt. Der Strahlungsdetektor umfasst einen Dünnfilmtransistor (TFT), eine an dem Dünnfilmtransistor (TFT) abgeschiedene dielektrische Schicht, eine Öffnung für eine Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung in der dielektrischen Schicht, und eine Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung in der Öffnung derart, dass der Datenleitungsstreifen elektrisch an eine Datenleitung angeschlossen ist, und derart, dass der Datenleitungsstreifen einheitlich mit einem Lichtblockelement an dem Dünnfilmtransistor (TFT) ausgebildet ist.
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Nachstehend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung ausführlicher beschrieben.
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1 ist eine Draufsicht auf einen Teil eines Detektorarrays nach Fertigung von Dünnfilmtransistor-Schichten.
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2 ist eine Draufsicht auf das Detektorarray-Bildelement mit einem Datenleitungsstreifen und einem Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement.
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3 ist eine Querschnittsansicht des in 2 gezeigten Detektorarray-Bildelements, die entlang einer Linie A geschnitten ist.
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4 ist eine Draufsicht auf einen Teil eines Detektorarray-Bildelements mit einem Datenleitungsstreifen und einem Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement.
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5 ist eine Querschnittsansicht des in 4 gezeigten Detektorarray-Bildelements, die entlang einer Linie B geschnitten ist.
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Die hier verwendeten Begriffe „Bildung”, „bilden” und „gebildet” umfassen Verfahren zur Fertigung jeder Komponente des Detektors mit, jedoch nicht darauf beschränktem, Mustern, Maskieren, Abscheiden und Ätzen.
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Musterungsverfahren umfassen, sind jedoch nicht darauf beschränkt, Abscheiden eines Photolacks, Belichten des Photolacks gemäß einem gewünschten Muster, und Verarbeiten des Photolacks, um Teile davon zu entfernen, was eine Maske mit einem ausgewählten Muster entsprechend gewünschter Dimensionen zurücklässt.
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Metallisation stellt ein Verfahren dar, bei welchem ausgewählte Elemente kontaktiert werden und Verbindungen zwischen einer Vielzahl von Schaltungselementen angefertigt werden. Während der Metallisation wird ein metallisches Material durch Aufsprühen abgeschieden, oder wird durch Aufdampfen einer dünnen Schicht eines metallischen Materials über eine Substratoberfläche abgeschieden. Alternativ wird das metallische Material durch eine Kombination aus Aufsprühen und Galvanisieren abgeschieden.
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1 ist eine Draufsicht auf einen Teil eines Detektorarrays 10 nach Fertigung einer Vielzahl von Dünnfilmtransistorschichten mit einer Abtastleitung 12, einer Feldeffekttransistor-(FET-)Siliziumschicht 14, einem dem Boden des Substrats zugewandten Diodenkontakt 16 und einer Datenleitung 18.
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2 ist eine Draufsicht auf einen Teil eines Detektorarrays 10 mit einem Datenleitungsstreifen 20 und einem Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22. 3 ist eine Querschnittsansicht des in 2 veranschaulichten Detektor-Bildelements, die entlang einer Linie A geschnitten ist. Bei einem Ausführungsbeispiel werden der Datenleitungsstreifen 20 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22 unmittelbar nach der Fertigung der Dünnfilmtransistorschichten gebildet. Der Dünnfilmtransistorfertigung folgend wird über die gesamte Oberfläche des Detektors eine dielektrische Schicht 24 abgeschieden. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der dielektrischen Schicht 24 zwischen ungefähr 0,25 Mikrometer (μm) und ungefähr 1,0 μm. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist die dielektrische Schicht 24 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 μm und ungefähr 1,25 μm auf. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die dielektrische Schicht 24 ungefähr 0,75 μm dick. Die dielektrische Schicht 24 umfasst, ist jedoch nicht darauf beschränkt, Siliziumnitride (SiNx) und Siliziumoxide (SiOx). Die dielektrische Schicht 24 wird gemustert und geätzt, so dass ein Datenleitungsstreifen-Kontaktloch bzw. eine Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung 26 gebildet wird. Zu der Datenleitung 18 wird eine Durchkontaktierung bzw. ein Kontaktloch 26 gebildet, indem die dielektrische Schicht 24 von einer Vielzahl von Durchkontaktierungsbereichen beseitigt wird. Die Durchkontaktierung 26 wird durch eine Kombination von photolithographischen und Plasma- oder Säure-Ätzverfahren für die dielektrische Schicht gebildet. Die Durchkontaktierung 26 ist auf allen Seiten durch zurückbleibende Teile der dielektrischen Schicht 24 derart umgeben, dass nachfolgend ein elektrischer Kontakt zu der darunterliegenden Datenleitungsmetallisation 18 angefertigt werden kann. Bei einem Ausführungsbeispiel weist jede Durchkontaktierung 26 eine Länge von ungefähr 3 μm und eine Breite von ungefähr 3 μm auf. Die Durchkontaktierung ist derart gestaltet, dass ein Kontaktdichteverhältnis (d. h. Durchkontaktierung/Bildelement) zwischen ungefähr 0,25 und ungefähr 3,0 zur Verfügung gestellt wird.
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An der dielektrischen Schicht 24 und belichteten Teilen der Datenleitung 18 wird eine metallische Schicht 30 abgeschieden, so dass ein Datenleitungsstreifen 20 und ein Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22 derart gebildet werden, dass die Datenleitung 20 und das TFT-Lichtblockelement 22 einheitlich angefertigt werden. Eine einheitliche Fertigung des Datenleitungsstreifens 20 und des Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements 22 vereinfacht das Reduzieren des Leitungswiderstands der Datenleitung 18, während gleichzeitig ein undurchsichtiges Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22 über dem aktiven Dünnfilmtransistorbereich 32 gebildet wird. Das Ausmass, mit dem der Gesamtdatenleitungswiderstand reduziert wird, wird durch die elektrischen Eigenschaften der Datenleitung 18, der Breite und Dicke des Datenleitungsstreifens 20 sowie dem Metall, aus dem sie besteht, bestimmt. Beispielsweise wird der Gesamtwiderstand der Datenleitung bei Verwendung einer aus Molybdän bestehenden Datenleitung 18 und einem aus Aluminium bestehenden Datenleitungsstreifen 20 um das 2-8-fache reduziert. Bei einem als Beispiel dienenden Ausführungsbeispiel umfasst die metallische Schicht 30 ein optisch undurchsichtiges Material mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, und der Datenleitungsstreifen 20 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22 werden durch eine deckende bzw. abdeckende Abscheidung und nachfolgende Musterungs- und Ätzschritte für Metalle einheitlich gebildet. Zudem tritt die undurchsichtige metallische Schicht 30 in die Durchkontaktierung 26 ein, welche den Datenleitungsstreifen 20 mit der Datenleitung 18 elektrisch verbindet. Der Datenleitungsstreifen 20 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 22 werden durch eine Kombination von photolithographischen und Plasma- oder Säure-Ätzverfahren für Metalle einheitlich gebildet.
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Der Datenleitungsstreifen 20 kontaktiert die Datenleitung 18 bei der Bildelementanordnung durch die Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung 26. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst die metallische Schicht 30 Metalle wie beispielsweise, jedoch nicht beschränkt darauf, Chrom, Titan, Molybdän, Aluminium, Silber und Kupfer und wird in einer Schicht oder in Kombinationen von metallischen Schichten abgeschieden. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der metallischen Schicht 30 zwischen ungefähr 0,25 μm und ungefähr 1,25 μm. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist die metallische Schicht 30 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 μm und ungefähr 1,0 μm auf. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die metallische Schicht 30 ungefähr 0,75 μm dick.
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Nach dem Abscheiden, Mustern und Ätzen der metallischen Schicht 30 zum einheitlichen Bilden des Datenleitungsstreifens 20 und des Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements 22 setzt sich die Fertigung des Detektors 10 mit Dünnfilm-Verarbeitungsschritten fort, um nachfolgende Vorrichtungsschichten zur Verfügung zu stellen, so dass die Bildung des Detektors 10 vollendet wird. Beispielsweise sind dies: das Abscheiden einer dielektrischen Schicht über dem Datenleitungsstreifen 20 und dem Lichtblockelement 22; das Mustern der dielektrischen Schicht zum Bilden von Öffnungen zu dem dem Boden des Substrats zugewandeten Diodenkontakt 16; das Abscheiden, Mustern und Ätzen einer Photodiodenschicht; das nachfolgende Abscheiden von einer oder mehr dielektrischen Schichten, Mustern und Ätzen dieser dielektrischen Schichten zum Bilden von Öffnungen zu der Photodiode und anderen darunterliegenden Metallschichten, und schließlich das Abscheiden, Mustern und Ätzen von zumindest einer transparenten oder undurchsichtigen Metallelektrode.
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4 ist eine Draufsicht auf einen Teil des Detektorarrays 100 mit einem Datenleitungsstreifen 120 und einem Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122. 5 ist eine Querschnittsansicht des in 4 veranschaulichten Detektor-Bildelements, die entlang einer Linie B geschnitten ist. Bei einem anderen als Beispiel dienenden Ausführungsbeispiel werden nach der Fertigung des Bildelement-Photodiodenelements ein Datenleitungsstreifen 120 und ein Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122 gebildet. Der Dünnfilmtransistorfertigung folgend wird über die gesamte Oberfläche des Bildelementbereichs eine Dünnfilmtransistor-dielektrische-Schicht 124 abgeschieden. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der dielektrischen Schicht 124 zwischen ungefähr 0,25 μm und ungefähr 1,0 μm. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist die dielektrische Schicht 124 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 μm und ungefähr 1,25 μm auf. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die dielektrische Schicht 124 ungefähr 0,75 μm dick. Die dielektrische Schicht 124 umfasst, ist jedoch nicht darauf beschränkt, Siliziumnitride (SiNx) und Siliziumoxide (SiOx). Die dielektrische Schicht 124 wird gemustert und geätzt, so dass eine Öffnung 126 des dem Boden des Substrats zugewandten Diodenkontakts bzw. eine Kontaktöffnung 126 gebildet wird. Die Öffnung 126 des dem Boden des Substrats zugewandten Diodenkontakts wird zu einem dem Boden des Substrats zugewandten vorhandenen Diodenmetallisationsanschluss 128 gebildet, indem die dielektrische Schicht 124 von den Bereichen des dem Boden des Substrats zugewandten Diodenkontakts beseitigt wird.
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Die Kontaktöffnung 126 wird durch eine Kombination von photolithographischen und Plasma- oder Säure-Ätzverfahren einer dielektrischen Schicht gebildet. Die Kontaktöffnung 126 ist auf allen Seiten durch zurückbleibende Teile der dielektrischen Schicht 124 derart umgeben, dass nachfolgend ein elektrischer Kontakt zu einer dem Boden zugewandten darunterliegenden Diodenkontaktmetallisation 128 vorgenommen werden kann.
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Nach Vollendung der Öffnung des dem Boden zugewandten Diodenkontakts 126 werden Schichten von halbleitenden Filmen abgeschieden, gemustert und geätzt, so dass eine Photodiode 130 gebildet wird.
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Über der gesamten Oberfläche des Detektorbereichs wird eine dielektrische Schicht 132 abgeschieden. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der dielektrischen Schicht 132 zwischen ungefähr 0,25 μm und ungefähr 1,0 μm. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist die dielektrische Schicht 132 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 μm und ungefähr 1,25 μm auf. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die dielektrische Schicht 132 ungefähr 0,75 μm dick. Die dielektrische Schicht 132 umfasst, ist jedoch nicht darauf beschränkt, Siliziumnitride (SiNx) und Siliziumoxide (SiOx). Die dielektrische Schicht 132 wird gemustert und geätzt, so dass eine Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung 134 gebildet wird. Zu einer Datenleitung 136 wird die Durchkontaktierung 134 gebildet, indem eine Passivierungsschicht 124 und die dielektrische Schicht 132 von den Durchkontaktierungsbereichen beseitigt wird. Die Durchkontaktierung 134 wird durch eine Kombination von photolithographischen und Plasma- oder Säure-Ätzverfahren für eine dielektrische Schicht gebildet. Die Durchkontaktierung 134 ist auf allen Seiten durch zurückbleibende Teile der Passivierungsschicht 124 und der dielektrischen Schicht 132 derart umgeben, dass nachfolgend ein elektrischer Kontakt zu einer darunterliegenden Datenleitungsmetallisation 136 angefertigt werden kann. Bei einem Ausführungsbeispiel weist jede Durchkontakttierung 134 eine Länge von ungefähr 3 μm und eine Breite von ungefähr 3 μm auf. Die Durchkontaktierung 134 ist derart gestaltet, dass ein Kontaktdichteverhältnis (d. h. Durchkontaktierungen/Bildelement) zwischen ungefähr 0,25 und ungefähr 3,0 zur Verfügung gestellt wird.
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An der dielektrischen Schicht 132 und belichteten Teilen der Datenleitung 136 wird eine metallische Schicht 138 abgeschieden, so dass der Datenleitungsstreifen 120 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122 derart gebildet werden, dass die Datenleitung 120 und das TFT-Lichtblockelement 122 einheitlich angefertigt werden. Eine einheitliche Fertigung des Datenleitungsstreifens 120 und des Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements 122 vereinfacht das Reduzieren des Leitungswiderstands der Datenleitung 136, während gleichzeitig ein undurchsichtiges Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122 über dem aktiven Dünnfilmtransistorbereich gebildet wird. Bei einem als Beispiel dienenden Ausführungsbeispiel umfasst die metallische Schicht 138 ein optisch undurchsichtiges Material mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, und der Datenleitungsstreifen 120 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122 werden durch eine abdeckende Abscheidung und nachfolgende Musterungs- und Ätzschritte der metallischen Schicht 138 einheitlich gebildet. Zudem tritt die undurchsichtige metallische Schicht 138 in die Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung 134 ein, welche den Datenleitungsstreifen 120 mit der Datenleitung 136 elektrisch verbindet. Der Datenleitungsstreifen 120 und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement 122 werden durch eine Kombination von photolithographischen und Plasma- oder Säure-Ätzverfahren für Metalle einheitlich gebildet. Der Datenleitungsstreifen 120 kontaktiert die Datenleitung 136 bei der Bildelementanordnung durch die Datenleitungsstreifen-Durchkontaktierung 134. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst die metallische Schicht 138 Metalle wie beispielsweise, jedoch nicht beschränkt darauf, Chrom, Titan, Molybdän, Aluminium, Silber und Kupfer und wird in einer Schicht oder in Kombinationen von metallischen Schichten abgeschieden. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der metallischen Schicht 138 zwischen ungefähr 0,25 μm und ungefähr 1,25 μm. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist die metallische Schicht 138 eine Dicke zwischen ungefähr 0,5 μm und ungefähr 1,0 μm auf. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die metallische Schicht 138 ungefähr 0,75 μm dick.
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Nach dem Abscheiden, Mustern und Ätzen der metallischen Schicht 138 zum einheitlichen Bilden des Datenleitungsstreifens 120 und des Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements 122 setzt sich die Fertigung des Detektors 100 mit Dünnfilm-Verarbeitungsschritten fort, um nachfolgende Vorrichtungsschichten zur Verfügung zu stellen, so dass die Bildung des Detektors 100 vollendet wird. Beispielsweise sind dies: das Abscheiden einer dielektrischen Schicht über dem Datenleitungsstreifen 120 und dem Lichtblockelement 122; das Mustern dieser dielektrischen Schicht zum Bilden von Öffnungen zu der Photodiode und anderen darunterliegenden Metallschichten, und schließlich das Abscheiden, Mustern und Ätzen von zumindest einer transparenten oder undurchsichtigen Metallelektrode.
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Wie zuvor beschrieben, vereinfachen beide Ausführungsbeispiele das Bereitstellen einer Datenleitung mit geringem Widerstand und eines Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements mit einer minimalen Anzahl von Dünnfilmabscheide-, Photolithographie- und Musterätzschritten. Durch Verwenden der selben Metallisation zum gleichzeitigen Bilden des Datenleitungsstreifens und des Dünnfilmtransistor-Lichtblockelements wird das Gesamtdetektorverhalten mit einem minimierten Verfahrenskomplexitätsniveau verbessert. Eher als Verwenden von separaten Metallisationsschichten, um die Datenleitung parallel zu schalten und das Dünnfilmtransistor-Lichtblockelement zu bilden, stellen beide Ausführungsbeispiele der Erfindung eine Einrichtung zum Erzielen dieser Vorrichtungsmerkmale unter Verwendung einer einzigen Metallisationsschicht und einer reduzierten Anzahl von Fertigungsschritten zur Verfügung. Bei der Fertigung von Festzustands-Bildgebungseinrichtungen erhöht die Reduktion der Anzahl von Fertigungsschritten im Allgemeinen den Ertrag des Fertigungsverfahren, weshalb die Herstellungskosten von derartigen Vorrichtungen reduziert werden.
