DE10316356A1 - Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul Download PDF

Info

Publication number
DE10316356A1
DE10316356A1 DE10316356A DE10316356A DE10316356A1 DE 10316356 A1 DE10316356 A1 DE 10316356A1 DE 10316356 A DE10316356 A DE 10316356A DE 10316356 A DE10316356 A DE 10316356A DE 10316356 A1 DE10316356 A1 DE 10316356A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
sub
modules
semiconductor module
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10316356A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10316356B4 (de
Inventor
Yvonne Manz
Aseem Wahi
Markus Gruber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE10316356A priority Critical patent/DE10316356B4/de
Application filed by Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to ES04006021T priority patent/ES2279243T3/es
Priority to AT04006021T priority patent/ATE350768T1/de
Priority to DK04006021T priority patent/DK1467406T3/da
Priority to EP04006021A priority patent/EP1467406B1/de
Priority to DE502004002495T priority patent/DE502004002495D1/de
Priority to JP2004095430A priority patent/JP2004319992A/ja
Priority to US10/821,308 priority patent/US7190070B2/en
Publication of DE10316356A1 publication Critical patent/DE10316356A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10316356B4 publication Critical patent/DE10316356B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul (1) zur Montage auf einem Kühlkörper. Dieses Modul besteht aus einer Mehrzahl von Teilmodulen (10), welche ihrerseits aus einer Grundplatte (20) sowie einem rahmenartigen Gehäuse (30) und Anschlusselementen (40) für Last- (42) und Hilfsanschlüsse (44) bestehen. Die einzelnen Teilmodule werden mittels eines die Teilmodule gegeneinander fixierenden Deckels (70) und/oder mittels die einzelnen Teilmodule fixierender Verbindungen (34, 36) zu einem gesamten Leistungshalbleitermodul angeordnet.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul. Grundsätzlich bestehen derartige Leistungshalbleitermodule aus einem Gehäuse mit Grundplatte und mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl darauf befindlicher gegeneinander isolierter metallischer Verbindungsbahnen und auf diesen befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen. Vorteilhafterweise weist das Substrat auf seiner Unterseite eine flächige metallische Schicht, vergleichbar den Verbindungsbahnen, auf.
  • Prinzipiell sind derartige Leistungshalbleitermodule, wie sie beispielhaft in der DE 39 37 045 A1 offengelegt sind, seit langem bekannt. Verschiedene moderne Ausgestaltungen derartiger Leistungshalbleitermodule mit hoher Leistung bezogen auf ihre Baugröße, die Ausgangspunkt dieser Erfindung sind, sind beispielhaft bekannt aus der DE 100 11 633 A1 .
  • Die DE 39 37 045 A1 offenbart beispielhaft eine Leistungshalbleitermodul der oben genannten Art, welches innerhalb eines Gehäuses eines Halbbrückenschaltung aufweist. Eine derartige Schaltungsanordnung besteht aus zwei in Reihe geschalteten Leistungsschaltern, welche häufig als Serienschaltung von Leistungstransistoren, vorzugsweise Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBTs), ausgeführt ist. Antiparallel zu den jeweiligen Leistungsschaltern sind Freilaufdioden angeordnet. Das Leistungshalbleitermodul weist weiterhin Anschlusselemente für die Gleich- und Wechselstromlastanschlüsse auf. Zur Ansteuerung der Leistungstransistoren sowie für weitere Funktionen weisen derartige Leistungshalbleitermodule weiterhin Hilfsanschlusselemente auf.
  • Typische Leistungshalbleitermodule weisen eine Mehrzahl von Schraubverbindungen zur Montage auf flächigen Körpern, in der Regel externen Kühlkörpern auf. Die Löcher für derartige Schraubverbindungen sind vorzugsweise in den Eckbereichen der Leistungshalbleitermodule angeordnet.
  • Beispielhaft aus der DE 100 11 633 A1 ist ein weiteres Leistungshalbleitermodul bekannt, welches drei Halbbrückenschaltungen, also eine 3-Phasen Vollbrückenschaltung, innerhalb eines Gehäuses aufweist. Die Halbbrückenschaltungsanordnungen sind in drei Teilbereichen des Gehäuses angeordnet. Die jeweiligen Schaltungsanordnungen entsprechen hier ebenfalls dem oben beschriebenen Stand der Technik.
  • Nachteilig an der Ausgestaltung von Leistungshalbleitermodule mit einer Halbbrückenschaltung pro Gehäuse, vgl. DE 39 37 045 A1 , ist, dass beim Aufbau von 3-Phasen Vollbrückenschaltungen aus diesen Einzelmodulen jedes Modul getrennt auf dem Kühlkörper befestigt werden muss. Somit ist auch ein Ersatz eines Leistungshalbleitermoduls, vgl. DE 100 11 633 A1 , mit 3-Phasen Vollbrückenschaltung durch o.g. Einzelmodule nicht durch einfachen Tausch möglich, da die Befestigungsmöglichkeiten nicht identisch sind.
  • Andererseits erweist sich eine 3-Phasen Vollbrückenschaltung innerhalb eines Gehäuses als nachteilig, da hierbei während der Fertigung festgestellte Fehler innerhalb einer Halbbrückenschaltung einen Defekt des gesamten Moduls darstellen. Weiterhin ist es nachteilig, dass für andere Schaltungsanordnungen, beispielhaft eine H-Brücke, andere Gehäuse mit hier beispielhaft 2 Halbbrückenschaltungen notwendig sind und somit eine rationelle Fertigung mit einer geringen Anzahl von Baugruppen nicht möglich ist.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, das einen modularen Aufbau aus einer Mehrzahl gleichartiger Teilmodule aufweist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul nach dem Anspruch 1, spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen.
  • Der Grundgedanke der Erfindung geht aus von einem Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte zur Montage auf einem flächigen Körper, vorzugsweise einem Kühlkörper, nach dem genannten Stand der Technik bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse mit mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses Substrat besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen sowie vorzugsweise aus einer auf seiner zweiten Hauptfläche angeordneten flächigen metallischen Schicht. Auf den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbunden sind eine Mehrzahl von Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul besteht aus einer Mehrzahl von Teilmodulen der oben genannten Art. Jedes Teilmodul weist Last- und Hilfsanschlusselemente auf, wobei die Lastanschlüsse vorzugsweise als je ein Plus-, ein Minus- und mindestens ein Wechselstromanschluss ausgebildet sind. Die Hilfsanschlüsse dienen der Ansteuerung der Leistungshalbleiterbauelemente sowie beispielhaft als Kontrollanschlüsse oder zur Kontaktierung von im Leistungshalbleitermodul angeordneten Sensorikbauteilen.
  • Die Teilmodule werden durch fixierende Elemente zu einem Leistungshalbleitermodul verbunden. Als fixierendes Element sind beispielhaft ein alle Teilmodule übergreifender. Deckel und / oder Verbindungen im Bereich der rahmenartigen Gehäuse und / oder im Bereich der Grundplatten geeignet.
  • Vorteilhaft an dieser Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls ist, dass
    • – durch die Aufteilung in Teilmodule diese im Fehlerfall einzeln getauscht werden können,
    • – durch gleichartige Teilmodule eine Fertigung verschiedener Leisungshalbleitermodule mit einem geringeren Teileaufwand durchführbar ist und
    • – trotz der Ausgestaltung aus einzelnen Teilmodulen das Leistungshalbleitermodul kompatibel zum Stand der Technik, beispielhaft einer 3-Phasen Vollbrückenschaltung, ist.
  • Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 7 näher erläutert.
  • 1 zeigt ein Teilmodul eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht.
  • 2 zeigt die Anordnung von drei Teilmodulen zu einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul.
  • 3 zeigt einen Teilausschnitt eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht (a) sowie in seitlicher Ansicht (b).
  • 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls mit einer Schnapp- Rastverbindung des Deckels.
  • 5 zeigt in einem Ausschnitt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls mit Schnapp- Rastverbindung der Teilmodule.
  • 6 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindung der Teilmodule gemäß 5
  • 7. Zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul mit einem drei Teilmodule überlappenden Deckel.
  • 1 zeigt ein Teilmodul eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht. Dargestellt ist ein Teilmodul (10) bestehend aus einer Grundplatte (20) zur Montage auf einem Kühlkörper. Hierzu weist diese Grundplatte (20) im Bereich ihrer Ecken jeweils eine offene langlochartige Ausnehmung (22) auf. Diese sind derart im Randbereich angeordnet, dass deren Öffnungen auf denjenigen Seiten der Grundplatte angeordnet sind, die einem weiteren Teilmodul (10) des Leistungshalbleitermoduls zugeordnet sind (vgl. 2).
  • Das Teilmodul besteht weiterhin aus einem rahmenartigen Gehäuse (30) sowie zwei elektrisch isolierenden Substraten (50). Das jeweilige Substrat besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten der Grundplatte abgewandten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54). Auf seiner zweiten dem Kühlköper zugewandten Hauptfläche weist das Substrat eine den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche gleichartige flächige Metallisierung auf. Auf den Verbindungsbahnen (54) und mit diesen schaltungsgerecht mittels Drahtbondverbindungen (58) verbunden sind Leistungshalbleiterbauelemente (56) angeordnet. Zur elektrische Kontaktierung weist das Teilmodul (10) Anschlusselemente (40) für die Last- (42) sowie die Hilfsanschlüsse (44) auf. Die Verbindungsbahnen (54) der Substrate (50) sind miteinander und mit den Anschlussementen (40) mittels Drahtbondverbindungen (62, 64, 46, 48) verbunden. Alternativ sind selbstverständlich auch Lötverbindungen möglich.
  • 2 zeigt in Draufsicht die Anordnung von drei Teilmodulen (10), gemäß 1, zu einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul (1). Die Teilmodule (10) sind mit ihren Längsseiten zueinander angeordnet. Hierbei ergeben sich aus den offenen langlochartigen Ausnehmungen (22, 1) an den Kontaktstellen der Teilmodule (10) jeweils zur Hälfte von diesen Ausnehmungen gebildete Langlöcher (24). Diese Langlöcher dienen ebenso wie die an den Schmalseiten des Leistungshalbleitermoduls verbliebenen Ausnehmungen (22) der Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (1) auf einem Kühlkörper.
  • 3 zeigt einen Teilausschnitt eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht (a) sowie in seitlicher Ansicht (b). Hierbei sind das Gehäuse (30) sowie eines der bereits in 2 beschrieben Langlöcher (24) dargestellt, welches sich an der Stoßkante (26) zweier Teilmodule (10) bildet. Weiterhin dargestellt ist ein Rundloch (72) des Deckels (70). Dieser Deckel (70) überschließt beide Teilmodule (10) und fixiert mittels einer Schraube (80) die beiden Teilmodule auf einem Kühlkörper. Der Deckel (70) weist hierzu eine Anschlagfläche auf, die auf dem durch das Gehäuse (30) ausgesparten Teilen (28) der Grundplatte (20) aufliegt.
  • 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls mit einer Schnapp- Rastverbindung des Deckels. Jedes der auf einer Grundplatte (20) jedes Teilmoduls (10) angeordneten Gehäuses (30) weist eine Mehrzahl von Rastnasen (32) auf. Diese Rastnasen bilden mit den zugeordneten Widerlagern des Deckels (70) eine Schnapp-Rastverbindung. Hiermit entsteht durch Montage des Deckels (70) aus den einzelnen Teilmodulen (10) ein modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul mit zueinander fixierten Teilmodulen.
  • Alternativ kann selbstverständlich der Deckel (70) die Rastnasen und das Gehäuse (30) die zugeordneten Widerlager aufweisen.
  • 5 zeigt in einem Ausschnitt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls mit Schnapp- Rastverbindung der Teilmodule (10). Es bieten sich verschiedene, auch miteinander kombinierbare Varianten der fixierenden Verbindung der Teilmodule zueinander an. Es können die Grundplatte, die Gehäuse und / oder die Deckel derartige fixierende Verbindungen aufweisen. Beispielhaft ist hier eine fixierende Schnapp-Rastverbindung der Gehäuse (30) gezeigt. Jedes Gehäuse weist an einer einem weiteren Teilmodul zugewandten Seite mindestens eine, vorzugsweise zwei, Rastnasen (34) auf. Die Rastnase (34) des einen Teilgehäuses (10) bildet mit dem Widerlager des weiteren Teilgehäuses (10) eine fixierende Verbindung. Somit entsteht aus einer Mehrzahl einzelner Teilmodule das gesamte Leistungshalbleitermodul. In dieser Ausgestaltung weisen die Grundplatten (20) der Teilmodule sich gegenüberstehende Halblöcher (22) auf. Dies bilden bei der Montage ein Rundloch (24) zur Befestigung des Leistungshalbleitermoduls auf einem Kühlkörper.
  • Eine Alternative zur Verbindung einzelner benachbarten Teilmodule (10) ist eine an den jeweiligen Längsseiten des Leistungshalbeitermoduls angeordnete, die durch das Gehäuse ausgesparten Flächen (28, 3) überdeckende, und hierzu Anschlagflächen aufweisende vorzugsweise metallische, Schiene. Dieses, die Teilmodule zu einem Leistungshalbleitermodul fixierende Elemente, weist Rundlöcher für Schraubverbindungen mit dem Kühlkörper auf. Diese Rundlöcher sind in der Flucht vorzugsweise alle Ausnehmungen (22) sowie der daraus gebildeten Rund- oder Langlöcher (24) der jeweiligen Seite angeordnet.
  • 6 zeigt in Draufsicht ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul mit einer fixierenden Verbindung der beiden Teilmodule gemäß 5. Die beiden Rundlöcher (24) sowie die Halblöcher (22) dienen der Befestigung (vgl. 7) auf einem Kühlkörper. Dieses Leistungsmodul weist pro Teilmodul jeweils einen Deckel (nicht dargestellt) auf, da hier die fixierende Verbindung bereits durch die Schnapp- Rastverbindung der Gehäuse (30) gegeben ist.
  • 7 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul (1) mit einem die drei Teilmodule (10) überlappenden Deckel (70). Der Deckel (70) weist an seinen jeweiligen Ecken Fortsetzungen (74) auf, die die Grundplatte überragen und bis auf den Kühlkörper ausgedehnt sind, um eine sichere Schraubverbindung durch die Rundlöcher (72a) des Deckels (70) sowie die Halblöchern (22, vgl. 6) mit einem Kühlkörper zu gewährleisten.
  • Die Hilfsanschlüsse (44) sind bei dieser Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls (1) nicht an den Schmalseiten der Teilmodule (10) sondern entlang deren Längsseiten angeordnet.

Claims (7)

  1. Leistungshalbleitermodul (1) zur Montage auf einem flächigen Körper bestehend aus einer Mehrzahl von Teilmodulen (10), welche ihrerseits aus einer Grundplatte (20) sowie einem rahmenartigen Gehäuse (30) und Anschlusselementen (40) für Last- (42) und Hilfsanschlüsse (44) bestehen, mit mindestens einem innerhalb jedes Gehäuses (30) auf der jeweiligen Grundplatte (20) angeordneten elektrisch isolierenden Substrat (50), das seinerseits besteht aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54), darauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (56), wobei das Leistungshalbleitermodul genau einen, die einzelnen Teilmodule verbindenden und gegeneinander fixierenden Deckel (70) aufweist und / oder alle Teilmodule mittels fixierenden Verbindungen (34,36) zueinander angeordnet sind.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei der Deckel (70) mit den Teilmodulen (10) mittels Schnapp- Rastverbindungen verbunden ist, wobei die Gehäuse (30) Rastnasen (32) und der Deckel (70) diesen zugeordnete Widerlager aufweist.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei jedes Teilmodul (10) mindestens zwei rund- oder langlochartige, nicht allseits umschlossene Ausnehmungen (22) aufweist, die sich bei der Anordnung der Teilmodule (10) zu einem Leistungshalbleitermodul (1) an den jeweils aneinander angrenzenden Seiten zu Rund- oder Langlöchern ergänzen.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei der Deckel (70) rundlochartige Ausnehmungen (72) zur Aufnahme von Schrauben (80) aufweist, welche im Stoßbereich (26) der Teilmodule (10) in der Flucht mit den dort Rund- oder Langlöcher (24) bildenden Ausnehmungen (22) angeordnet sind.
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei jedes Teilmodul (10) an einer Grenzseite zu weiteren Teilmodulen mindestens eine Rastnase (34) sowie auf der gegenüberliegenden Grenzseite mindestens ein dieser Rastnase zugeordnetes Widerlager (36) aufweist.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 5, wobei die fixierende Verbindung als eine Schnapp- Rastverbindung (34, 36) aller direkt benachbarten Teilmodule ausgebildet ist.
  7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei die fixierende Verbindung als alle Ausnehmungen (22) sowie die daraus gebildeten Rund- oder Langlöcher (24) der jeweiligen Seite überdeckende Schiene ausgebildet ist.
DE10316356A 2003-04-10 2003-04-10 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul Expired - Lifetime DE10316356B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10316356A DE10316356B4 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
AT04006021T ATE350768T1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Modular aufgebautes leistungshalbleitermodul
DK04006021T DK1467406T3 (da) 2003-04-10 2004-03-13 Modulært opbygget effekthalvledermodul
EP04006021A EP1467406B1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
ES04006021T ES2279243T3 (es) 2003-04-10 2004-03-13 Modulo de semiconductores de potencia modular.
DE502004002495T DE502004002495D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
JP2004095430A JP2004319992A (ja) 2003-04-10 2004-03-29 モジュール構成式のパワー半導体モジュール
US10/821,308 US7190070B2 (en) 2003-04-10 2004-04-09 Modular power semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10316356A DE10316356B4 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10316356A1 true DE10316356A1 (de) 2004-11-11
DE10316356B4 DE10316356B4 (de) 2012-07-26

Family

ID=32864411

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10316356A Expired - Lifetime DE10316356B4 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
DE502004002495T Expired - Lifetime DE502004002495D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE502004002495T Expired - Lifetime DE502004002495D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7190070B2 (de)
EP (1) EP1467406B1 (de)
JP (1) JP2004319992A (de)
AT (1) ATE350768T1 (de)
DE (2) DE10316356B4 (de)
DK (1) DK1467406T3 (de)
ES (1) ES2279243T3 (de)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1755163A1 (de) 2005-08-19 2007-02-21 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Leitungssegment
EP1758165A2 (de) 2005-08-24 2007-02-28 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Befestigungseinrichtung
DE102007007223A1 (de) 2007-02-14 2008-09-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
EP1978557A2 (de) 2007-04-04 2008-10-08 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007046969B3 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Siemens Ag Elektronische Schaltung aus Teilschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung und demgemäßer Umrichter oder Schalter
EP2146372A2 (de) 2008-07-16 2010-01-20 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungselektronische Verbindungseinrichtung und Herstellungsverfahren hierzu
US8237260B2 (en) 2008-11-26 2012-08-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with segmented base plate
DE102012101666B3 (de) * 2012-02-29 2013-05-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulsystem mit Hinterschneidungsverbindung
US8461623B2 (en) 2008-07-10 2013-06-11 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module
DE102012206264A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anreihbares flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit
DE102012206271A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Flüssigkeitsgekühlte Anordnung mit anreihbaren Leistungshalbleitermodulen und mindestens einer Kondensatoreinrichtung und Leistungshalbleitermodul hierzu
DE102014115812A1 (de) * 2014-10-30 2016-05-04 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul und Halbleitermodulanordnung mit geringen Kriechströmen
DE102020207701A1 (de) 2020-06-22 2021-12-23 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit einem Zwischenkreiskondensator

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4583122B2 (ja) * 2004-09-28 2010-11-17 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102005037522A1 (de) * 2005-08-09 2007-02-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit wannenförmigem Grundkörper
DE102007026768A1 (de) * 2007-06-09 2008-12-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul
DE102008034148B4 (de) * 2008-07-22 2011-08-25 Infineon Technologies AG, 85579 Leistungshalbleitermodulsystem und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
US8279640B2 (en) 2008-09-24 2012-10-02 Teco-Westinghouse Motor Company Modular multi-pulse transformer rectifier for use in symmetric multi-level power converter
US7830681B2 (en) 2008-09-24 2010-11-09 Teco-Westinghouse Motor Company Modular multi-pulse transformer rectifier for use in asymmetric multi-level power converter
US7940537B2 (en) 2008-12-31 2011-05-10 Teco-Westinghouse Motor Company Partial regeneration in a multi-level power inverter
US8223515B2 (en) * 2009-02-26 2012-07-17 TECO—Westinghouse Motor Company Pre-charging an inverter using an auxiliary winding
US8254076B2 (en) 2009-06-30 2012-08-28 Teco-Westinghouse Motor Company Providing modular power conversion
US8711530B2 (en) * 2009-06-30 2014-04-29 Teco-Westinghouse Motor Company Pluggable power cell for an inverter
US8976526B2 (en) 2009-06-30 2015-03-10 Teco-Westinghouse Motor Company Providing a cooling system for a medium voltage drive system
US8130501B2 (en) 2009-06-30 2012-03-06 Teco-Westinghouse Motor Company Pluggable power cell for an inverter
US8575479B2 (en) 2009-06-30 2013-11-05 TECO—Westinghouse Motor Company Providing a transformer for an inverter
DE102009033258B4 (de) * 2009-07-14 2019-01-10 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Gehäuse
JP5602095B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 三菱電機株式会社 半導体装置
US8601190B2 (en) 2011-06-24 2013-12-03 Teco-Westinghouse Motor Company Providing multiple communication protocols for a control system having a master controller and a slave controller
US9363930B2 (en) 2013-03-11 2016-06-07 Teco-Westinghouse Motor Company Passive two phase cooling solution for low, medium and high voltage drive systems
US9153374B2 (en) 2013-06-28 2015-10-06 Teco-Westinghouse Motor Company Cooling arrangements for drive systems
EP3306656B1 (de) * 2015-05-29 2020-04-01 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Halbleiterbauelement und verfahren zur montage des halbleiterbauelements
CN105374810A (zh) * 2015-11-23 2016-03-02 扬州国扬电子有限公司 一种功率模块
CN105374803B (zh) * 2015-11-23 2019-02-01 扬州国扬电子有限公司 一种功率模块
JP2018182119A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 三菱電機株式会社 半導体装置
EP4068349B1 (de) * 2021-03-30 2023-09-20 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19942770A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4600968A (en) * 1984-11-13 1986-07-15 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device package having regions of different thermal properties
US4790763A (en) * 1986-04-22 1988-12-13 Amp Incorporated Programmable modular connector assembly
DE3937045A1 (de) 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
EP0655881A1 (de) * 1993-11-26 1995-05-31 Siemens Aktiengesellschaft Gehäuse
DE69726518T2 (de) * 1996-09-06 2004-10-07 Hitachi Ltd Leistungshalbleiteranordnung in modularer Bauart
EP0884781A3 (de) * 1997-06-12 1999-06-30 Hitachi, Ltd. Leistungshalbleitermodul
JPH11330283A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体モジュール及び大型半導体モジュール
JP2000156575A (ja) * 1998-11-20 2000-06-06 Denso Corp 回路モジュール連結型電子回路装置及びその製造方法
EP1128432B1 (de) * 2000-02-24 2016-04-06 Infineon Technologies AG Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper
DE10011633A1 (de) 2000-03-10 2001-09-20 Eupec Gmbh & Co Kg Anordnung zur Verschaltung von Leistungshalbleiterchips in Modulen
DE10024377B4 (de) * 2000-05-17 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement
DE10024516B4 (de) * 2000-05-18 2006-03-09 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul
JP4040838B2 (ja) * 2000-12-18 2008-01-30 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
EP1263045A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-04 ABB Schweiz AG Leistungshalbleitermodul
EP1263046A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-04 ABB Schweiz AG Kontaktanordnung
DE10237561C1 (de) * 2002-08-16 2003-10-16 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung bzw. Schaltungsaufbau für Leistungshalbleitermodule

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19942770A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1755163A1 (de) 2005-08-19 2007-02-21 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Leitungssegment
EP1758165A2 (de) 2005-08-24 2007-02-28 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Befestigungseinrichtung
DE102005039947A1 (de) * 2005-08-24 2007-03-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Befestigungseinrichtung
EP1758165A3 (de) * 2005-08-24 2008-07-23 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Befestigungseinrichtung
DE102005039947B4 (de) * 2005-08-24 2011-12-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Befestigungseinrichtung
DE102007007223A1 (de) 2007-02-14 2008-09-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
DE102007007223B4 (de) * 2007-02-14 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
EP1978557A3 (de) * 2007-04-04 2010-11-17 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
EP1978557A2 (de) 2007-04-04 2008-10-08 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007016222B3 (de) * 2007-04-04 2008-11-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
US8368207B2 (en) 2007-04-04 2013-02-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co., Kg Pressure-contact power semiconductor module and method for producing the same
DE102007046969B3 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Siemens Ag Elektronische Schaltung aus Teilschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung und demgemäßer Umrichter oder Schalter
US8441114B2 (en) 2007-09-28 2013-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Electronic circuit composed of sub-circuits and method for producing
US8461623B2 (en) 2008-07-10 2013-06-11 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module
DE112009001638B4 (de) 2008-07-10 2020-07-16 Mitsubishi Electric Corporation Leistungshalbleitermodul
DE102008033410B4 (de) * 2008-07-16 2011-06-30 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG, 90431 Leistungselektronische Verbindungseinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren hierzu
DE102008033410A1 (de) 2008-07-16 2010-01-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Verbindungseinrichtung und Herstellungsverfahren hierzu
EP2146372A2 (de) 2008-07-16 2010-01-20 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungselektronische Verbindungseinrichtung und Herstellungsverfahren hierzu
US8237260B2 (en) 2008-11-26 2012-08-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with segmented base plate
US9024433B2 (en) 2012-02-29 2015-05-05 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module system with undercut connection
DE102012101666B3 (de) * 2012-02-29 2013-05-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulsystem mit Hinterschneidungsverbindung
DE102012206264A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anreihbares flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit
DE102012206271A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Flüssigkeitsgekühlte Anordnung mit anreihbaren Leistungshalbleitermodulen und mindestens einer Kondensatoreinrichtung und Leistungshalbleitermodul hierzu
EP2654392A2 (de) 2012-04-17 2013-10-23 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Anreihbares flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit
EP2654391A2 (de) 2012-04-17 2013-10-23 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Flüssigkeitsgekühlte Anordnung mit anreihbaren Leistungshalbleitermodulen und mindestens einer Kondensatoreinrichtung und Leistungshalbleitermodul hierzu
DE102014115812A1 (de) * 2014-10-30 2016-05-04 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul und Halbleitermodulanordnung mit geringen Kriechströmen
CN105575925A (zh) * 2014-10-30 2016-05-11 英飞凌科技股份有限公司 半导体模块和具有小的爬电电流的半导体模块装置
CN105575925B (zh) * 2014-10-30 2018-04-06 英飞凌科技股份有限公司 半导体模块和具有小的爬电电流的半导体模块装置
DE102014115812B4 (de) 2014-10-30 2019-09-05 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul und Halbleitermodulanordnung mit geringen Kriechströmen
DE102020207701A1 (de) 2020-06-22 2021-12-23 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit einem Zwischenkreiskondensator

Also Published As

Publication number Publication date
ES2279243T3 (es) 2007-08-16
US7190070B2 (en) 2007-03-13
US20050012190A1 (en) 2005-01-20
EP1467406B1 (de) 2007-01-03
JP2004319992A (ja) 2004-11-11
DE10316356B4 (de) 2012-07-26
EP1467406A1 (de) 2004-10-13
DE502004002495D1 (de) 2007-02-15
US20050093122A9 (en) 2005-05-05
ATE350768T1 (de) 2007-01-15
DK1467406T3 (da) 2007-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10316356B4 (de) Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
DE102009002993B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit beabstandeten Schaltungsträgern
DE10316355B3 (de) Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung
EP1389820B1 (de) Induktivitätsarme Schaltungsanordnung für Leistungshalbleitermodule
EP1429385B1 (de) Gehäuse für Leistungshalbleitermodule
WO2019158390A1 (de) Leistungselektronikanordnung
EP3404818B1 (de) Halbleiterschaltanordnung
WO2009043670A2 (de) Elektronische schaltung aus teilschaltungen und verfahren zu deren herstellung
DE10333328B3 (de) Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik
EP0738008B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE10337640A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit verbessertem thermischen Kontakt
DE102011080861A1 (de) Leistungselektronisches System mit einer Schalt- und einer Ansteuereinrichtung
DE102011076323B4 (de) Leistungselektronisches System mit erstem und zweitem Subsystem
EP1755163A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Leitungssegment
DE10249205B3 (de) Leistungsbauelementanordnung zur mechatronischen Integration von Leistungsbauelementen
EP1758165B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit befestigungseinrichtung zur montage auf einem kühlkörper
DE19646396C2 (de) Leistungshalbleitermodul für verschiedene Schaltungsvarianten
DE102017106515B4 (de) 3-Pegel-Leistungsmodul
DE102011078806A1 (de) Leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung
DE102014104013A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil
DE102019112477B4 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung
DE10005754C2 (de) Leistungshalbleiterschaltungsanordnung mit schwingungsgedämpfter Parallelschaltung
DE102014203310A1 (de) Elektronikmodul
DE19627858A1 (de) Komplexes Leistungsbauelement
EP3834591A1 (de) Zwischenkreisanordnung und wechselrichter

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG, 90431 NUERNBERG,

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20121027

R071 Expiry of right