DE10239045A1 - Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips und elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips und elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip Download PDF

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Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Substrats; Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht enthält; und Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht, die GaP umfaßt, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Substrat aus Germanium gebildet ist und daß die transparente Auskoppelschicht bei niedriger Temperatur aufgebracht wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Substrats; Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht enthält; und Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht, die InxGayAl1-x-yp mit 0,8 ≤ y und x + y ≤ 1, insbesondere GaP umfaßt. Die Erfindung betrifft auch ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterchip auf AlGaInP-Basis mit einem Substrat, einer auf dem Substrat aufgebrachten Halbleiterschichtfolge mit einer Photonen emittierenden aktiven Schicht und einer auf der aktiven Schicht angeordneten transparenten Auskoppelschicht, die GaP umfaßt.
  • Vorliegend zählen zu den Materialien auf Basis von InGaAlP alle Mischkristalle mit einer Zusammensetzung, die unter die Formel InxGayAl1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 fällt. Zu den elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis zählen alle Halbleiterchips, bei denen die Halbleiterschichtfolge, in der sich eine elektromagnetische Strahlung erzeugende Schicht befindet, zumindest zu einem wesentlichen Anteil Material auf Basis von InGaAlP aufweist und die Eigenschaften der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung von dem auf InGaAlP basierenden Material zumindest wesentlich bestimmt sind.
  • Das AlGaInP Materialsystem ist für die Anwendung in Leuchtdioden sehr interessant, da seine Bandlücke durch die Variierung des Al-Anteils über einen weiten Bereich von 1,9 eV bis 2,2 eV einstellbar ist. Das bedeutet, daß Leuchtdioden aus diesem Material im Farbbereich von Rot bis Gelbgrün hergestellt werden können.
  • Zur Herstellung solcher Leuchtdioden mittels Epitaxie wird ein Substrat benötigt, auf dem die verschiedenen Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge möglichst einkristallin abgeschieden werden können. Ein Substrat für die Epitaxie von auf AlGaInP basierenden Leuchtdioden sollte dabei die folgenden Bedingungen erfüllen:
    • – Es muß eine Gitterkonstante besitzen, die es ermöglicht, die Materialsysteme AlGaInP und AlGaAs einkristallin abzuscheiden,
    • – es muß bei den verwendeten Prozeßtemperaturen noch ausreichend fest sein, und
    • – es muß in ausreichend guter Qualität kommerziell erhältlich sein.
  • Alle genannten Bedingungen werden von GaAs-Substraten erfüllt. Daher wird GaAs weltweit als Substrat für AlGaInP Leuchtdioden eingesetzt. Unter dem Gesichtspunkt einer wirtschaftlichen Herstellung der Leuchtdioden haben GaAs Substrate allerdings den Nachteil, daß sie sehr teuer sind. Andere Substratmaterialien weisen entweder eine große Gitterfehlanpassung auf oder sind für die gängigen Prozeßschritte nicht hinreichend geeignet.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art bereitzustellen, das eine technisch einfache und kostengünstige Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis erlaubt.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltun gen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis 8.
  • Ein elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbar ist, ist Gegenstand des Anspruches 9. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Halbleiterchips sind Gegenstand der Unteransprüche 10 bis 11.
  • Erfindungsgemäß ist bei einem Herstellungsverfahren der eingangs genannten Art vorgesehen, daß das Substrat im Wesentlichen Germanium aufweist und daß die transparente Auskoppelschicht bei niedriger Temperatur aufgebracht wird. Germanium weist eine mit den Materialsystemen AlGaInP und AlGaAs gut verträgliche Gitterkonstante auf und ist in hoher Qualität kommerziell erhältlich. Darüber hinaus beträgt der Preis für ein Germaniumsubstrat nur etwa die Hälfte des Preises für ein GaAs-Substrat, so daß beim Herstellungsprozeß ein großes Einsparungspotential entsteht.
  • Der geringeren thermischen Stabilität von Germanium im Vergleich zu GaAs wird dadurch Rechnung getragen, daß der besonders kritische Schritt des Aufwachsens der Galliumphosphid umfassenden transparenten Auskoppelschicht bei einer niedrigen Temperatur durchgeführt wird, bei der das Germaniumsubstrat noch eine ausreichende Festigkeit aufweist.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, daß die transparente Auskoppelschicht unter Verwendung von Tertiärbutylphosphin (TBP, (C4H9) PH2) als Phosphorquelle aufgebracht wird. Bei herkömmlichen Leuchtdioden auf AlGaInP-Basis wird typischerweise eine Lichtauskoppelschicht aus GaP verwendet, die unter Verwendung von Phosphin (PH3) bei einer Temperatur oberhalb von 800°C epitaktisch abgeschieden wird. Derartige Temperaturen im Reaktor sind für Germaniumsubstrate zu hoch. Dagegen ermöglicht es die Verwendung von Tertiärbutylphosphin als Phosphor-Precur sor, eine GaP-Lichtauskoppelschicht hoher Qualität bei deutlich niedrigeren Prozeßtemperaturen abzuscheiden.
  • Insbesondere ist es besonders zweckmäßig, die transparente Auskoppelschicht bei einer Temperatur unterhalb von 780°C, bevorzugt unterhalb von 750°C aufzubringen.
  • Besonders bevorzugt ist es, wenn die transparente Auskoppelschicht bei einer Temperatur von etwa 700°C aufgebracht wird.
  • Ebenso ist es oft zweckmäßig, die transparente Auskoppelschicht unter Verwendung von Trimethylgallium als Galliumquelle aufzubringen.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, daß die transparente Auskoppelschicht in einer Dicke aufgebracht wird, die zwischen 0.5 ((A⋅tanθc)/2) und 4.0⋅((A⋅tanθc)/2), bevorzugt bei etwa ((A⋅tanθc)/2) liegt. Dabei bezeichnet A die laterale Abmessung der Photonen emittierenden aktiven Schicht, und θc den kritischen Winkel am Übergang von der transparenten Auskoppelschicht zur Umgebung. Der Verlust durch innere Reflexionen in der Auskoppelschicht und durch Absorption im Substrat kann vorteilhafterweise minimiert werden, wenn sich die Schichtdicke der Auskoppelschicht im genannten Bereich befindet.
  • Für eine GaP-Auskoppelschicht mit n = 3,3, die an eine Epoxydharzschicht mit n = 1,5 angrenzt, ergibt sich durch die Beziehung sin θc = nepoxy/nGaP
    beispielsweise ein kritischer Winkel von θc = 27°. Bei einer typischen lateralen Abmessung der aktiven Schicht von A = 250 μm wird dann die Dicke der GaP-Auskoppelschicht zwischen etwa 32 μm und etwa 255 μm gewählt. Besonderes bevorzugt ist für die Dicke ein Wert um 64 μm.
  • In einer zweckmäßigen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die transparente Auskoppelschicht mittels organometallischer Dampfphasen-Epitaxie (OMVPE) aufgewachsen.
  • Das V/III-Verhältnis wird bei dem Aufwachsen der transparenten Auskoppelschicht mit Vorteil auf einen Wert von 5 bis 20, bevorzugt von etwa 10 eingestellt.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung des Ausführungsbeispiels und der Zeichnung.
  • Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Erläuterung eines Ausführungsbeispieles in Zusammenhang mit der Zeichnung. Es sind jeweils nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt.
  • Die einzige Figur zeigt eine schematische Darstellung einer Schnittansicht eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • 1 zeigt in Schnittansicht einen allgemein mit 10 bezeichneten auf AlGaInP basierenden Leuchtdiodenchip 10 in schematischer Darstellung.
  • Der Leuchtdiodenchip 10 umfaßt ein Germaniumsubstrat 12, auf dem eine Halbleiterschichtfolge 14 ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtfolge 14 ist im Ausführungsbeispiel eine Doppelheterostruktur, die eine aktive, Photonen emittierende auf AlGaInN basierende n-Typ Schicht 22 aufweist, die von einer auf AlGaInN basierenden n-Typ Mantelschicht unterhalb der aktiven Schicht und einer auf AlGaInN basierenden p-Typ Mantelschicht oberhalb der aktiven Schicht eingeschlossen wird.
  • Derartige Strukturen und Schichtfolgen sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Die genannten Schichten sind, wie im Stand der Technik bekannt, mit geeigneten p-Dotierstoffen wie Zn, C oder Mg bzw. mit geeigneten n-Dotierstoffen wie Te, Se, S und Si auf den gewünschten Fremdstoffgehalt dotiert.
  • Die aktive Halbleiterschichtenfolge 14 kann alternativ eine Multiquantentopfstruktur aufweisen, wie sie beispielsweise ebenfalls aus dem Stand der Technik bekannt sind.
  • Auf die p-Typ AlGaInP-Mantelschicht ist eine dicke Lichtauskoppelschicht 16 aus GaP aufgebracht. Da die Bandlücke der GaP-Schicht größer als die der aktiven Schicht ist, ist die Lichtauskoppelschicht 16 für eine in der aktiven Schichtenfolge 14 erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig.
  • Der für den Betrieb des Leuchtdiodenchips notwendige Strom wird der aktiven Schicht des Leuchtdiodenchips 10 vorliegend über einen Vorderseitenkontakt 18 und einen Rückseitenkontakt 20 zugeführt. Alternativ können die Kontakte aber auch anders als im Ausführungsbeispiel explizit gezeigt angeordnet sein.
  • Die Lichtauskoppelschicht 16 ist mittels organometallischer Dampfphasen-Epitaxie (OMVPE) aufgebracht. Dabei wird als Phosphor-Quelle Tertiärbutylphosphin (TBP, (C4H4) PH2) und als Gallium-Quelle Trimethylgallium verwendet, und es ist ein V/III Flußverhältnis von etwa 10 gewählt. Die Wachstumstemperatur beträgt im Ausführungsbeispiel 720°C, eine Temperatur, bei der das Germaniumsubstrat im Reaktor noch ausreichend fest ist.
  • Die Dicke der Lichtauskoppelschicht 16 wird in Abhängigkeit von der lateralen Ausdehnung der aktiven Schicht der Schichtenfolge 14 gewählt. Die Dicke der Lichtauskoppelschicht 16 wird im Bereich von 0.5⋅((A⋅tanθc)/2) bis 4.0 ((A⋅tanθc)/2) gewählt. θc stellt dabei den kritischen Winkel am Übergang 24 von der transparenten Auskoppelschicht 16 zur Umgebung dar. Für die GaP-Schicht 16, die mit der ganzen Leuchtdiode in eine nicht gezeigte Epoxydharzschicht eingegossen ist, ist der kritische Winkel θc = 27°.
  • Im Ausführungsbeispiel hat die Schichtenfolge 14 einen Querschnitt von 250 μm x 250 μm, die laterale Ausdehnung A beträgt somit 250 μm und der Faktor ((A⋅tanθc)/2 ist gleich 64 μm. Dieser Wert stellt in dem Ausführungsbeispiel der Figur gerade die Dicke der Auskoppelschicht 16 dar. Der einfacheren Herstellung halber kann die Schichtdicke jedoch auch geringer gewählt werden, etwa herab bis zur Hälfte des genannten Wertes, ohne die Auskopplungseffizienz übermäßig stark zu reduzieren.
  • Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein.

Claims (11)

  1. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Substrats (12); – Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht (22) enthält; und – Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht (16), die InxGaAl1-x-yP mit 0,8 ≤ y und x + y ≤ 1, insbesondere GaP umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß – das Substrat (12) im Wesentlichen aus Germanium gebildet ist und – die transparente Auskoppelschicht (16) in einem Temperaturbereich bis maximal 800°C aufgebracht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) unter Verwendung von Tertiärbutylphosphin als Phosphorquelle aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) bei einer Temperatur unterhalb von 780° C, bevorzugt unterhalb von 750° C aufgebracht wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) bei einer Temperatur von etwa 700° C aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) unter Verwendung von Trimethylgallium als Galliumquelle aufgebracht wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) in einer Dicke aufgebracht wird, die zwischen 0.5⋅((A⋅tanθc)/2) und 4.0 ((A⋅tanθc)/2), bevorzugt bei etwa ((A⋅tanθc)/2) liegt, wobei A die laterale Abmessung der Photonen emittierenden aktiven Schicht bezeichnet, und θc den kritischen Winkel am Übergang von der transparenten Auskoppelschicht zur Umgebung darstellt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) mittels organometallischer Dampfphasen-Epitaxie (OMVPE) aufgewachsen wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) bei einem V/III-Verhältnis von 5 bis 20, bevorzugt von etwa 10 aufgewachsen wird.
  9. Strahlungsemittierendes Halbleiterchip auf AlGaInP-Basis mit – einem Substrat (12); – einer auf dem Substrat aufgebrachten Halbleiterschichtfolge (14) mit einer Photonen emittierenden aktiven Schicht (22); und – einer auf der Halbleiterschichtfolge (14) angeordneten transparenten Auskoppelschicht (16) , die InxGayAl1-x-yP mit 0,8 ≤ y und x + y ≤ 1, insbesondere GaP umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß – das Substrat (12) aus Germanium gebildet ist.
  10. Strahlungsemittierendes Halbleiterchip nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) eine Dicke aufweist, die zwischen 0.5⋅((A⋅tanθc)/2) und 4.0⋅((A⋅tanθc)/2), bevorzugt bei etwa ((A⋅tanθc)/2) liegt, wobei A die laterale Abmessung der Photonen emittierenden aktiven Schicht (22) bezeichnet, und θc den kritischen Winkel am Übergang (24) von der transparenten Auskoppelschicht (16) zur Umgebung darstellt.
  11. Strahlungsemittierendes Halbleiterchip nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Auskoppelschicht (16) eine Dicke aufweist, die zwischen 0.5⋅(A/4) und 4.0⋅(A/4), bevorzugt bei etwa (A/4) liegt, wobei A die laterale Abmessung der Photonen emittierenden aktiven Schicht (22) bezeichnet.
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TW092122994A TWI224399B (en) 2002-08-26 2003-08-21 Method to produce a semiconductor chip emitting electromagnetic radiation and said semiconductor chip emitting electromagnetic radiation
CNB038202603A CN100420042C (zh) 2002-08-26 2003-08-21 用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片
JP2004531691A JP2005536896A (ja) 2002-08-26 2003-08-21 電磁放射線を発する半導体チップの製造法及び電磁放射線を発する半導体チップ
US10/524,186 US7195991B2 (en) 2002-08-26 2003-08-21 Method for producing an electromagnetic radiation-emitting semiconductor chip and a corresponding electromagnetic radiation-emitting semiconductor chip
EP03750286A EP1532694A2 (de) 2002-08-26 2003-08-21 Verfahren zum herstellen eines elektromagnetische strahlung emittierenden halbleiterchips und elektromagnetische strahlung emittierender halbleiterchip
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
JP5346443B2 (ja) * 2007-04-16 2013-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5129636B1 (de) * 1970-12-25 1976-08-26
GB1582063A (en) * 1976-11-22 1980-12-31 Mitsubishi Monsanto Chem Electroluminescent element and method of fabricating the same
US5003548A (en) * 1988-09-21 1991-03-26 Cornell Research Foundation, Inc. High power (1,4 W)AlGaInP graded-index separate confinement heterostructure visible (λ-658 nm) laser
US5233204A (en) 1992-01-10 1993-08-03 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with a thick transparent layer
JP3809464B2 (ja) * 1999-12-14 2006-08-16 独立行政法人理化学研究所 半導体層の形成方法
AU2001273551A1 (en) * 2000-07-21 2002-02-05 Motorola, Inc. Optical structure on compliant substrate
TW515106B (en) * 2000-09-13 2002-12-21 Toshiba Corp Bipolar transistor, semiconductor light emitting device and semiconductor device

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Publication number Publication date
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TW200405584A (en) 2004-04-01
WO2004021457A2 (de) 2004-03-11
JP2005536896A (ja) 2005-12-02
US7195991B2 (en) 2007-03-27
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