DE1023075B - Verfahren zur Herstellung einer homogenen Halbleiterschicht fuer eine Aufnahmeroehre zur Sichtbarmachung von Roentgenbildern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer homogenen Halbleiterschicht fuer eine Aufnahmeroehre zur Sichtbarmachung von RoentgenbildernInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000012800 visualization Methods 0.000 title claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000639 Spring steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemercury Chemical compound [Hg]=S QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilver Chemical compound [Ag]=S PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer homogenen Halbleiterschicht für eine
Aufnahmeröhre zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern,
bei welcher die Halbleiterschicht von einem Röntgenstrahlenbüschel getroffen und mittels eines
Elektronenstrahles abgetastet wird.
Bildsenderöhren, in denen das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht Verwendung
finden soll, sind aus der Fernsehtechnik bekannt. Es ist auch bereits bekannt, derartige Bildsenderöhren,
insbesondere Ikonoskope, mit Halbleiterbildelektroden zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern
zu verwenden.
Die bekannten Einrichtungen besitzen jedoch gewisse Nachteile, da der Bildschirm, der aus einer halbleitenden Verbindung bestehen kann, entweder grobkörnig
ist, also eine schlechte Auflösung ergibt, oder nur einen geringen Prozentsatz der auffallenden
Röntgenstrahlung absorbiert, was wiederum schlechte Wirkungsgrade zur Folge hat. Durch die Erfindung
sollen die Nachteile vermieden werden.
Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer homogenen, Halbleiterschicht für eine
Aufnahmeröhre zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern, bei welcher die Halibleiterschicht von dem
Röntgenstrablbüschel getroffen und mittels eines Elektronenstrahls
abgetastet wird, dadurch gekennzeichnet, daß feingemahlene Halbleiterkristalle in einer Lacklösung
suspendiert werden und dieser Lack dann auf die Bildschirmfläche dar Röhre aufgetragen wird, wobei
zur Erreichung der erforderlichen Dicke nacheinander mehrere Lackschichten übereinander aufgetragen
werden.
Die Erfindung soll nun an Hand eines Anwendungsbeispiels in Verbindung mit den Zeichnungen näher
erläutert werden, die beschriebene Einrichtung, außer dem halbleitenden Bildschirm, stellt dabei keinen Teil
der Erfindung dar.
Fig. 1 zeigt die Gesamteinrichtung zur Erzeugung sichtbarer Bilder;
Fig. 2 ist ein vergrößerter Längsschnitt durch eine einem Ikonoskop entsprechende Bildzerlegerröhre, wie
sie in Fig. 1 mit enthalten ist;
Fig. 3 zeigt einen Schnitt längs der Schnittebene 3-3 in Fig. 2;
Fig. 4 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung eines Teils der in Fig. 2 dargestellten Anordnung;
Fig. 5 zeigt einen Schnitt durch einen Teil einer anderen Ausführungsform der Bildzerlegerröhre;
Fig. 6 stellt den Schnitt längs der Ebene 6-6 in Fig. 5 dar;
Fig. 7 zeigt wiederum in größerem Maßstab einen Teil der Anordnung nach Fig. 5 im Schnitt und
Fig. 8 einen Schnitt längs der Ebene 8-8 in Fig. 5.
Verfahren zur Herstellung
einer homogenen Halbleiterschicht
einer homogenen Halbleiterschicht
für eine Aufnahmeröhre
zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern
zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern
Anmelder:
General Electric Company,
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6
München 23, Dunantstr. 6
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 25. Mai 1953
V. St. v. Amerika vom 25. Mai 1953
John Edward Jacobs, West AlHs, Wis. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Fig. 1 enthält eine einem Ikonoskop entsprechende Bildzerlegerröhre 11, auf welche durchdringende
Strahlen 12, beispielsweise Röntgenstrahlen, auffallen, die von einer geeigneten Strahlenquelle ausgehen und
durch ihre Intensitätsverteilung über den Strahlenbüschelquersehnitt
das Bild eines Objektes 13, das im Strahlen weg liegt, latent enthalten. Die Bildzerlegerröhre
oder Bildabtaströhre vermag elektrische Impulse entsprechend dem latenten Bild zu liefern, da diese
Röhre mit einer geeigneten Übertragungseinrichtung 14 und diese Einrichtung ihrerseits mit einer Bildwiedergaberöhre
15 nach Art der zur Wiedergabe von Fernsehbildern benutzten Röhren verbunden ist, so
daß auf dem Schirm dieser letzteren Röhre das latente Bild sichtbar wird.
Die Bildwiedergaberöhre 15 besteht aus einem abgeschmolzenen
Vakuumkolben mit großer transparenter Stirnfläche 16, beispielsweise einer gläsernen Stirnfläche,
auf der sich ein Bildwiedergabeschirm 16' aus Flüoreszenzmaterial für Elektronenstrahlenerregung
befindet. Der Glaskolben besitzt einen Hals 17, welcher einen geeigneten Elektronenstrahlerzeuger 17' enthält,
der einen feinen Strahl 18 auf die Bildwiedergabefläche 16 auffallen läßt. Die Röhre 15 ist außerdem
mit Strahlablenkmitteln von geeigneter oder gewünschter Form ausgerüstet, die beispielsweise auch aus in
den Röhrenkolben eingebauten Ablenkplatten bestehen
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können. In der Zeichnung sind eine Strahlsarnmelspule
19 und Ablenkspulen 20 außerhalb des Röhrenkolbens dargestellt. Mit diesen Ablenkspulen wird der Strahl
über den Leuchtschirm hinweg abgelenkt, und zwar nach einem bestimmten Ablenkschema, und erregt
dabei den Schirm. Das Fluoreszenzmaterial des Schirms leuchtet somit entsprechend der wechselnden
Intensität des Abtaststrahls auf. so daß durch die transparente Stirnwand 16 hindurch ein sichtbare:.
Bild beobachtet ist.
Die Erzeugung dieses Bildes geht dabei natürlich unter Steuerung durch die wechselnden elektrischen
Impulse, die am Strahlerzeuger 17' liegen und die Strahlintensität beeinflussen, vor sich und ferner unter
oder beiden Arten von Widerständen, die entsprechend der Intensität der auf diesen Halbleiter auftreffenden
Strahlen schwanken. Der elektrische Wirkwiderstand und Blindwiderstand, und zwar der induktive
und/oder der kapazitive Blindwiderstand, sind diejenigen Eigenschaften elektrischer Leiter, welche
den Durchtritt von elektrischem Strom unter der Einwirkung einer elektromotorischen Kraft beeinflussen.
Solange auf dem Halbleiter keine Strahlen auf-
treffen, besitzt er einen Scheinwiderstand, der so hoch ist, daß der Halbleiter als ein Isolator l>etrachtet werden
kann, durch den überhaupt kein Strom hindurchtritt. Beim Auftreffen der Strahlen 12 sinkt der
Scheinwiderstand des Halbleiters proportional der dem Einfluß der Sammelspule 19 und der Ablenkspulen 15 Strahlintensität, so daß der Halbleiter proportional
20, ebenso wie in einer Fernsehwkdergaberöhre. der Intensität dieser Strahlen leitend wird. Somit ver-
Zur Erzeugung der elektrischen Impulse für die leihen die Strahlen dem Halbleiter einen endlichen
Steuerung der Rohre 15 enthält die einem Ikonoskop Scheinwiderstand oder beeinflussen den Scheinwiderentsprechende
Abtaströhre 11 gemäß Fig. 2 und 3 einen stand des Halbleiters, und die Scheinwiderstandsabgeschmolzenen
Vakuumkolben, der einen konus- 20 änderung vermag somit das Vorhandensein dieser Beförmigen
Teil mit einer Stirnwand 22 besitzt, welche strahlung anzuzeigen.
dem Strahlenbüschel 12 zugekehrt ist. Das der Stirn- Der Scheinwiderstand des Halbleiters läßt sich
wand 22 abgekehrte Ende 23 des Kolbens trägt au natürlich durch Anlegen einer l>ekannten Spannung
seinem linken Ende einen einspringenden Teil 25 für an den Halbleiter und durch Messung des dann aufdie
Einschmelzstellen einer Reihe von Leitungen 26. 25 tretenden Stromes ermitteln. Dieser Strom gibt somit
Der Kolben 21 enthält einem geeigneten Elektronen- ein Maß für die Intensität der auffallenden Strahlen,
strahlerzeuger von beliebiger gewünschter Ausbildung, Diese Messung kann entweder direkt oder indirekt gewobei
dieser Strahlerzeuger vorzugsweise innerhalb schellen oder auch, wie es hier der Fall sein soll, durch
des Röhrenhalses 23 liegt. Dieser Strahlerzeuger wird Erzeugung einer Elektronenemission der Halbleiterüber
die Leitungen 26-an die Einrichtung 14 ange- 30 schicht 31, wobei die Emissionsstromstärke jeder
schlossen. Der Strahlerzeuger enthält natürlich eine Stelle der Halbleiterschicht 31 der auftreffenden In
geeignete Kathode und geeignete Elektroden zur Erzeugung eines feinen Strahls 28, der auf die Stirnwand
22 auf trifft.
Die Abtaströhre enthält außerdem Mittel zur Ablenkung des Strahls 28 über die Stirnwand 22 entsprechend
einem gewünschten Ablenkschema. Diese Ablenkung kann mit Ablenkplatten innerhalb des
Röhrenkolbens bewerkstelligt werden, vorzugsweise
tensität der Strahlen 12 entspricht, so daß diese Elektronenemission
ihrerseits dem im Strahlenbüschel 12 enthaltenen latenten Bild entspricht.
Die Halbleiterschicht 31 soll vorzugsweise aus einem kristallinen Halbleitermaterial bestehen, z. B.
aus dem Sulfid von Cadmium, Zink oder Quecksilber oder auch aus dem Selenid von Cadmium. Dieses
letztere besitzt Verstärkereigenschaften, und die ge-
jedoch mit Ablenkspulen 29, die außerhalb des Röhren- 40 nannten Materialien zeigen ferner eine Elektronenkolbens,
beispielsweise an der Stoßstelle des Röhren- emission, die proportional der Intensität der Strahlen
12 ist. Die Erfindung macht von derartigen kristallinen
Halbleitermaterialien in Form einer verhältnismäßig dünnen Schicht 31 Gebrauch.
halses und des Röhrenkonus, liegen. Die Röhre kann ferner eine Sammelspule 30 auf dem Röhrenhals, angrenzend
an die Ablenkspule 29, besitzen.
Auf der Stirnfläche 22 wird eine Schicht 31 aus auf 45 Um das latente Bild, welches in der Emissionsverdie
durchdringenden Strahlen, beispielsweise die teilung über die Schicht 31 enthalten ist, in sichtbare
Form überzuführen, ist die Röhre 11 mit einem Kollektornetz
33 ausgerüstet, welches innerhalb des Konus 21 parallel und in einem bestimmten Abstand
Röntgenstrahlen, ansprechendem Halbleitermaterial
angebracht werden. Diese" Schicht 31 wird vorzugsweise auf der Innenseite der Stirnwand 32 angebracht.
Ferner soll diese Schicht 31 vorzugsweise auf einem 50 zur Schicht 31 liegt. Wenn der Strahl 28 die Schicht leitenden Überzug 32 angebracht werden. 31 überstreicht, macht er dort Elektronen frei, die
angebracht werden. Diese" Schicht 31 wird vorzugsweise auf der Innenseite der Stirnwand 32 angebracht.
Ferner soll diese Schicht 31 vorzugsweise auf einem 50 zur Schicht 31 liegt. Wenn der Strahl 28 die Schicht leitenden Überzug 32 angebracht werden. 31 überstreicht, macht er dort Elektronen frei, die
zum Netz 33 fliegen. Die Intensität der auf die HaIbleiterschicht
auftreffenden Strahlen wird durch die Menge der zum Netz 33 fliegenden Elektronen in Einwand
aus einem Stück bestehen. Die Innenfläche der 55 heiten der Spannung zwischen dem Netz 33 und der
Stirnwand wird dann mit einer dünnen ,Schicht 32 Unterlageschicht 32 oder 32' gemessen. Um die frei
aus Aluminium, aus Zinnchlorid oder aus einem anderen sich für die Auftragung als Schicht auf die
Stirnwand eignenden Stoff überzogen, und die Schicht
31 wird sodann auf der Schicht 32 angebracht.
Stirnwand eignenden Stoff überzogen, und die Schicht
31 wird sodann auf der Schicht 32 angebracht.
Wie in Fig. 2 und' 5 dargestellt, können die Teile
Wie in Fig. 2 und 4 dargestellt, können der Kolben 21 und seine Stirnwand 22 aus Glas hergestellt werden.
Die Stirnwand 22 kann dabei mit der Kolbengemachten Elektronen zum Netz 33 zu erzeugen, wird
eine geeignete Vorspannung, beispielsweise mittels der Spannungsquelle 35, über einen Widerstand 34
zwischen das Netz 33 einerseits und die Schicht 32 oder 32' andererseits gelegt.
Für die Anzeige von Röntgenstrahlen eignet sich Cadmiumsulfid besser als die anderen obengenannten
Materialien. Cadmiumsulfid liefert nämlich bei
23, 24 und 25 aus Glas gefertigt werden, und die Stirnwand22 kann aus einer Metallplatte 32' bestehen,
die am Rand mit dem Konus 24 verschmolzen ist. Die
Schicht 31 kann in diesem Fall unmittelbar auf der 65 gleicher Röntgenbestrahlung sehr viel mehr Elek-
Innenseite der metallischen Stirnfläche angebracht tronen als die anderen genannten Materialien. Zinksulfid
ist in dieser Beziehung im Vergleich zu Cadmiumsulfid außerordentlich schlecht, da es bei gleicher
Röntgenbestrahlerregung 100 OOOmal weniger Elek-
werden.
Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleiter ein Material mit einem elektrischen Wirk
widerstand oder einem elektrischen Blindwiderstand 70 tronen liefert als Cadmiumsulfid. Jedoch kann Zink-
sulfid gleichwohl zur Anzeige von Röntgenstrahlen in
den erfindungsgemäßen Abtaströhren benutzt werden, da es einen sehr viel höheren ohmseben Widerstand
als Cadmiumsulfid besitzt, nämlich einen 100 OOOmal höheren spezifischen ohmschen Widerstand.
Bei der Freigabe von Elektronen seitens des Zinksulfidüberzugs nimmt die abgetastete Seite eines Zinksulfidkristalls
ein positives Potential an, welches bei der Abtastung durch den Elektronenverlust bei seiner
dieser Scheinwiderstand jedoch keineswegs gleichmäßig. Bei der Verwendung dieser Kristalle für die
erfmdungsgemäßen Zwecke der Anzeige von Röntgenstrahlen traten daher beträchtliche Schwierigkeiten
auf, da die einzelnen Kristalle trotz ihres gleichen Aussehens sich ganz verschieden verhielten.
Um die Schicht 31 in die Übertragungseinrichtung 14 einzuschalten, wird eine Zuleitung 36 gemäß Fig. 2
in die Wand des Kolbens 21 am Rand der Schicht 32
Sekundäremission entsteht, bis die Röntgenstrahlen- io eingeschmolzen und wird beispielsweise mittels eines
absorption im Inneren des Kristalls neue Elektronen Graphit enthaltenden leitenden Anstrichs 37 mit dem
lche
freisetzt, durch welche die auf der abgetasteten Kristallseite erzeugten Ladungen neutralisiert werden.
Diese Neutralisation ist bei Zinksulfid langsamer als bei Cadmiumsulfid, und zwar wegen des höheren ohmsehen
Widerstandes des Zinksulfids. In einer Zinksulfidscbicht
findet somit eine Speicherwirkung zwischen zwei aufeinanderfolgenden Abtastvorgängen.
statt, und zwar in einem erheblich größeren Umfang bei Cadmiumsulfid. Wegen dieser stärkeren Speirung
ist Zinksulfid insgesamt etwa gleichwertig
dem Cadmiumsulfid, obwohl es, wie oben erwähnt, eine sehr viel geringere Elektronenzahl liefert.
Cadmiumsulfid und Quecksilbersulfid sowie Cadmiumselenid liefern bei Röntgenbestrahlung für jede
Einheit der Änderung der Raumladung viele Tausende oder Hunderttausende von Elektronen und zeigen somit
eine Verstärkerwirkung, die in gewöhnlichen Halbleitern, z. B. in Selen, nicht auftritt. Aus diesem
Grunde arbeitet jeder Kristall eines Leiters, der Ver-Stärkereigenschaften
besitzt, in ähnlicher Weise wie eine Elektronenverstärkerröhre.
Um auf der Schicht 31 eine· Elektronenemission zu erzeugen, kann diese Schicht einseitig in innigem
Kontakt mit einem Überzug aus elektrisch leitendem Material 32 oder 32' erzeugt werden. Das kristalline
Material, aus dem die Schicht 31 besteht, ist vorzugsweise fein verteilt und wird vor dem Aufbringen
dieser Schicht pulverisiert. Zu diesem Zweck wird das Material in Pulverform oder Staubform mit einer geeigneten
Flässigkeit als Träger und als Bindemittel vermengt, beispielsweise mit einem Lack, wobei darauf
geachtet werden muß, daß der Träger oder das Bindemittel so stark verdünnt wird, daß es leicht
Rand der Schicht 32 und somit auch 'mit der freien
Oberfläche der Schicht 31 verbunden.
Wie in Fig. 7 dargestellt, kann die Metallwand 32' an ihrem Rande an einem metallischen Ring 38 befestigt
werden, der seinerseits dicht an einem zylindrischen Ring 39 aus Metall anschließt. Dieser letztere
Ring wird mit dem Kolbenglas verschmolzen. Die vom Ring 38 abgewendete Kante 40 des Ringes 39
wird angeschärft und mit dem Glase 24 des Kolbens verschmolzen. Bei einer derartigen Anordnung lassen
sich Klemmen 36' mit dem Ring 39 oder dem Ring 38 verbinden, so daß die Schicht 31 im Inneren der Röhre
an die Übertragungseinrichtung 14 angeschlossen werden kann.
Das ATetz 33 kann ein 100- bis 1000-Masehen-Netz
sein, das in einem Kollektorring 41 auf der Innenfläche des Glaskonus 24 angebracht wird. Dieser Kollektorring
kann eine Schicht aus leitendem Material, z. B. aus Silber, aus einem graphithaltigen Anstrich
(z. B. einer kolloidalen Lösung von Graphit in Wasser) oder einem anderen leitenden Material sein,
die als ein ringförmiges Band auf der Innenwand des Kolbens 24 aufgetragen ist. An einer Reihe von
Punkten des Kolbenumfanges sind Zuleitungsdrähte 42 in die Kolbenwand eingeschmolzen und reichen
durch den Kollektorring 41 hindurch, und der Rand des Netzes 33 wird mechanisch und elektrisch an
diesen Drähten 42 befestigt. Mittels dieser Anschlußdrähte wird auch das Netz 33 mit der Übertragungseinrichtung
14 verbunden.
Gewünschtenfalls kann auf der Innenseite der Kolbenwand 24 eine Nachbeschleunigungselektrode,
35
bestehend aus einem Überzug 43 aus leitendem Mateflüssig
wird und somit die Mischung als dünner Über- 45 rial, beispielsweise aus einem Graphitanstrich, angezug
auf der Metallwand 32' oder der Stirnwand 32 bracht werden, der von einer Stelle nahe am Kollekaufgetragen
werden kann, je nachdem, ob die Stirn- torring 41 bis zum Ende des Röhrenhalses 23 in der
wand auf ihrer Innenseite einen Überzug gemäß Fig. 2 Höhe des Strahlerzeugers 27 reicht. Der Strahlerzeu-
und 4 besitzt oder selbst aus Metall besteht wie in ger 27 enthält eine erste Anode 44 und eine zweite
Fig. 3 und 5. Bei der Anordnung nach Fig. 2 besteht 50 Anode 45, die ihrerseits mit der Nachbeschleunigungs-
der Überzug 32 aus einem leitenden Material, z. B. Molybdän, aus Silber, aus Aluminium oder aus einem
anderen Metall, welches auf die Glaswand 22 aufgedampft oder aufgesprüht wird.
Der Lack mit dem suspendierten kristallinen Material
kann auf den Metallüberzug 32 oder die Metallwand 32' auch aufgestrichen werden. Dieser Überzug
wird dann in Luft bei gewöhnlicher Temperatur etwa Stunden lang getrocknet. Erfindungsgemäß wird
eine weitere Schicht oder können weitere Schichten aufgetragen oder getrocknet werden, um die kristalline
Schicht in der nötigen Dicke zu erhalten.
Zur -Erzeugung eines Bildes aus der Elektronenemission der kristallinen Schicht muß jeder Kristall
oder jedes Kristallbruchstück in der Schicht 31 bei Erregung durch die Strahlen 12 einen Scheinwiderstand
besitzen, der ebenso groß wie der Scheinwiderstand aller anderen Kristalle oder Kristallbruchstücke
in der Schicht ist. Bei den bisher zur Verfügung stehenden Kristallen der erwähnten Substanzen ist
elektrode 43 über Kontaktfedern 46, beispielsweise aus Federstahl, verbunden ist, welche die zweite
Anode 45 sowohl abstützen als elektrisch mit der Nachbeschleunigungselektrode 43 verbinden. Ein
oder mehrere Drähte 47, die in die Wand 24 eingeschmolzen sind und mit der Nachbeschleunigungsanode
43 in Verbindung stehen, dienen zur Erdung dieser Nachbeschleunigungsanode oder zu ihrem anderweitigen
Anschluß. Es kann ferner zweckmäßig sein, auf der Röhre einen äußeren Überzug von elektrisch
leitendem Material, beispielsweise einen Überzug aus einer kolloidalen Lösung von Graphit in
Wasser oder einem ähnlichen Graphitanstrich, anzubringen, diesen äußeren Überzug zu erden und von
den Drähten 36 und 42 zu isolieren.
Im Betrieb der Abtaströhre entsteht am Widerstand ein dauernd schwankendes Potential vermöge der
Sekundärelektronenemission der Schicht 31. Diese schwankende Spannung entspricht genau dem auf der
Schicht 31 durch die Strahlen 12 erzeugten Bild. Die
i 023 075
schwankende Spannung kann somit zur Steuerung der Intensität des aufzeichnenden Elektronenstrahls 18 in
der Röhre 15 benutzt werden.
Die Röhre eignet sich somit zur Aufnahme latenter Bilder und zur Übertragung derselben auf eine gewöhnliche
Fernsehwiedergaberöhre. Der erfindungsgemäße strahlenempfindliche Schirm kann Cadmiumsulfid,
Ouecksilbersuilfid, Zinksulfid oder Cadtniumselenid enthalten, wobei vorzugsweise Cadmiumsulfid
als strahlenempfindliches Material benutzt werden soll.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zur Herstellung einer homogenen Halblei'terschicht für eine Aufnahmeröhre zur Sichtbarmachung von Röntgenbildern, bei welcher die Halbleiterschicht von dem Röntgenstrahl-büschel getroffen und mittels eines Elektronenstrahls abgetastet wird, dadurch gekennzeichnet, daß feingemahlene Halbleiterkristalle in einer Lacklösung suspendiert werden und dieser Lack dann auf die Bildschirmfläche der Röhre aufgetragen wird, wobei zur Erreichung der erforderlichen Dicke nacheinander mehrere Lackschichten übereinander aufgetragen werden.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 866 802;
britische Patentschrift Nr. 582 304;
deutsche Patentanmeldungen B 3391 VIIIa/21a1; E 2345 VIIIa/21 a*; T 5197 VIII a/21 a*;
»RCA-Review«, Sept. 1946, S. 361;
»Die Naturwissenschaften«, 1946, H. 9, S. 281. 282.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1023075XA | 1953-05-25 | 1953-05-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1023075B true DE1023075B (de) | 1958-01-23 |
Family
ID=22289200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG14505A Pending DE1023075B (de) | 1953-05-25 | 1954-05-25 | Verfahren zur Herstellung einer homogenen Halbleiterschicht fuer eine Aufnahmeroehre zur Sichtbarmachung von Roentgenbildern |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE529088A (de) |
DE (1) | DE1023075B (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB582304A (en) * | 1943-08-13 | 1946-11-12 | Baden John Edwards | Means for reproducing x-ray images |
DE866802C (de) * | 1949-10-25 | 1953-02-12 | Cathodeon Ltd | Bildaufnahmeroehrenanordnung |
-
0
- BE BE529088D patent/BE529088A/xx unknown
-
1954
- 1954-05-25 DE DEG14505A patent/DE1023075B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB582304A (en) * | 1943-08-13 | 1946-11-12 | Baden John Edwards | Means for reproducing x-ray images |
DE866802C (de) * | 1949-10-25 | 1953-02-12 | Cathodeon Ltd | Bildaufnahmeroehrenanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE529088A (de) |
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