DE10210841A1 - Modul und Verfahren zur Herstellung von elektrischen Schaltungen und Modulen - Google Patents

Modul und Verfahren zur Herstellung von elektrischen Schaltungen und Modulen

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Abstract

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein sehr kostengünstiges Verfahren und ein Modul anzugeben, mit dem elektronische Module und Schaltungen in extrem dünnen Anordnungen hergestellt werden können, die für den Einsatz in kontaktbehafteten und kontaktlosen Chipkarten, Transpondern und dergleichen geeignet sind. DOLLAR A Erfindungsgemäß gelingt die Lösung der Aufgabe dadurch, dass der Schaltungsträger aus metallischem, flächigem Trägermaterial besteht und mindestens partiell mit einem Ätzresist versehen wird, dieser Ätzresist strukturiert wird, mindestens ein Halbleiterchip und/oder mindestens ein elektronisches Bauelement durch Bonden mit dem Schaltungsträger verbunden wird, und anschließend aus diesem Schaltungsträger durch ätztechnische Behandlung eine Schaltungsstruktur erzeugt wird und dass die Metallfolie mindestens partiell mit einem Ätzresist versehen und strukturiert ist und eine nach dem Bonden durch ätztechnische Behandlung erzeugte Schaltungsstruktur aufweist. DOLLAR A Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Schaltungen oder Modulen, bei dem an einem Schaltungsträger ein oder mehrere Halbleiterchips und/oder ein oder mehrere elektronische Bauelemente angeordnet werden, und ein Modul.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Schaltungen oder Modulen, bei dem an einem Schaltungsträger ein oder mehrere Halbleiterchips und/oder ein oder mehrere elektronische Bauelemente angeordnet werden und ein Modul.
  • Die Erfindung wird vorzugsweise für elektronische Module und elektrische Schaltungen angewendet, insbesondere für kontaktbehaftete und kontaktlose Chipkarten, Transponder und Sensoren.
  • Als kontaktlose Transponder werden dabei mikroelektronische Anordnungen, die einen Halbleiterchip und eine Antenne enthalten, insbesondere kontaktlose Chipkarten, Waren oder Warenverpackungen mit eingearbeiteten Antennen und Transponderchip, elektronische kontaktlose Etiketten, Tickets, Wertscheine etc. verstanden.
  • Insbesondere für elektronische Schaltungen und Module für kontaktbehaftete Chipkarten und für kontaktlose Transponder werden immer geringere Dicken und niedrigere Kosten gefordert. Um diese Ziele zu erreichen werden üblicherweise folgende Mittel eingesetzt:
    • 1. Einsatz der flip-chip-Verfahren zum Kontaktieren der Halbleiterchips.
    • 2. Verringerung der Kontakthöhen bzw. Bump-Höhen der flip- chip-Kontaktierung.
    • 3. Verringerung der Chipdicke auf kleiner/gleich 50 µm, vorzugsweise auf 30 µm.
    • 4. Verwendung von Polyesterträgermaterial statt Epoxyglasfasermaterial für Chipkartenmodule.
    • 5. Anwendung sehr dünnen Polyesterträgermaterials (Dicke ca. 30 µm) als Träger für ätztechnisch strukturierte Aluminium- oder Kupferantennen für kontaktlose Transponder.
    • 6. Herstellung immer dünnerer und kostengünstigerer Gehäusemodule für kontaktlose Transponderchips.
  • Im Stand der Technik sind verschiedene Verfahren und Anordnungen bekannt, mit denen versucht wird, diese Ziele zu erreichen.
  • In DE 197 08 617 C2 ist ein Chipkartenmodul beschrieben, dessen Halbleiterchip mittels flip-chip-Verfahren kontaktiert ist. Die acht Kontakte des Halbleiterchips sind passgenau auf den Kontaktflächen des Anschlussrahmens befestigt. Die aktive Seite des Halbleiterchips ist zur Sicherung der elektrischen und mechanischen Eigenschaften des Halbleiterchips bzw. der Kontaktpaarung vollflächig mit dem Anschlussrahmen verklebt.
  • Nachteilig ist dabei, dass der mindestens während der Kleberhärtephase vorübergehend relativ niederviskose Kleber durch die zwischen den Kontaktflächen befindlichen Trennspalte durchtreten und die Kleberhärtevorrichtung verschmutzen oder sich mit ihr verbinden kann, wenn nicht die Trennspalte zuvor durch geeignete Maßnahmen abgedichtet worden sind.
  • Weiterhin ist in DE 199 12 201 C2 ein Verfahren zur Herstellung eines streifenförmigen Moduls für eine flexible Ident-Anordnung beschrieben. Dieses streifenförmige Modul besteht aus einem elektrisch isolierenden Tragrahmen der mit Teilen eines elektrisch voneinander isolierten Trägerstreifens verbunden ist. Auf die strukturierten Anschlüsse des Trägerstreifens im Tragrahmen ist das Halbleiterchip mittels flip-chip-Kontaktierverfahren kontaktiert.
  • Der Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, dass der notwendige Chipbefestigungskleber durch die Trennspalte hindurchfließt und die Kontaktierungs- bzw. Kleberhärtevorrichtung verschmutzen kann. Weiterhin nachteilig ist, dass ein relativ kostenaufwendiger Tragrahmen zur Befestigung der isolierten Teile des Trägerstreifens erforderlich ist.
  • Philips propagiert als Gehäusemodul für kontaktlose Chips das Gehäuse FCP. Es besteht aus einem 60 µm dicken, ätz- oder stanztechnisch strukturierten Trägerstreifen, auf dessen inneren Anschlussenden das Halbleiterchip mittels flip-chip-Verfahren kontaktiert ist (Data Sheet 6/2001 von Philips).
  • Nachteilig ist bei dieser Anordnung, dass der Chipbefestigungskleber zwischen den Anschlussenden hindurchlaufen und die Kontaktiervorrichtung verschmutzen kann, dass zur Sicherung der mechanischen Stabilität des Trägerstreifens eine Mindestdicke nicht unterschritten werden kann, die größer 40 µm beträgt und dass nach dem Kontaktieren schneidtechnische Vorgänge zur Separation des Gehäusemoduls aus dem Trägerstreifenverband notwendig sind.
  • Infineon bietet das Gehäusemodul ML1 an. Das Chip des Moduls ist mittels Chipklebe- und Drahtbondtechnik auf eine mit Anschlussterminals versehene Tragefläche kontaktiert und mit Duroplast umhüllt.
  • Anschließend wird diese Tragefläche ätztechnisch entfernt, so dass ein mechanisch stabiles, geometrisch exakt quaderförmiges Modulgehäuse der Dicke von ca. 200 µm entsteht.
  • Nachteilig ist die erforderliche, relativ aufwändige Chipklebe- bzw. Drahtkontaktiertechnologie, der relativ dicke Gehäusekorpus und die Notwendigkeit mit den im Duroplastkorpus angeordneten Anschlussterminals die Antennenenden im Falle der Herstellung kontaktloser Transponder zu kontaktieren.
  • Es ergibt sich dadurch eine weitere Verdickung des Transponders; außerdem gestalten sich die Antennenkontaktierungsprozesse aufwändig.
  • Siemens AG beschreibt in der Zeitschrift "Elektronikpraxis" (Nov. 1999, S. 22-23) ein Verfahren zur Herstellung von Feinstleiterplatten, wobei zuerst die zu ätzende, auf einem Leiterplattenträgermaterial vollflächig aufgekebte Kupferschicht mit einer ca. 1 µm dicken Zinnschicht versehen wird, danach die Zinnschicht durch Laserstrahlung partiell entfernt und anschließend die so freigelegte Kupferschicht unter Nutzung der Zinnschicht als Ätzresist ätztechnisch strukturiert wird. Anschließend erfolgt das Ablösen der Zinnschicht. Nachteilig dabei ist, dass das Leiterplattenmaterial kostenaufwändig und für die Herstellung sehr dünner Module auch bei Verwendung sehr dünnen Trägermaterials zu dick ist.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein sehr kostengünstiges Verfahren und ein Modul anzugeben, mit dem elektronische Module und Schaltungen in extrem dünnen Anordnungen hergestellt werden können, die für den Einsatz in kontaktbehafteten und kontaktlosen Chipkarten, Transpondern und dergleichen geeignet sind.
  • Die Lösung der Aufgabe der Erfindung erfolgt verfahrensseitig gemäß der Lehre des Anspruchs 1 und anordnungsseitig nach den Merkmalen des Anspruchs 20.
  • Zweckmäßige Ausgestaltungen sind in den zugehörigen Unteransprüchen angegeben.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine metallische Trägerfolie, die zur Herstellung des Moduls, der Schaltung oder von Teilen der Schaltung dient, insgesamt oder partiell mit einem Ätzresist versehen, dieser Ätzresist insgesamt oder partiell strukturiert, vor oder nach der Ätzresiststrukturierung wird die Kontaktierung des oder der Halbleiterchips und/oder weiterer elektronischer Bauelemente vorgenommen. Gegebenenfalls erfolgt ein partieller Schutz der kontaktierten Chips und/oder Bauelemente gegen mechanische Beanspruchungen, Feuchte und chemische Einflüsse. Anschließend wird die beabsichtigte und erforderliche Struktur des elektrisch leitenden Trägermaterials durch ätztechnische Strukturierung erzeugt.
  • Die erfindungsgemäße Lösung zeichnet sich durch eine Reihe von Vorteilen aus. Hierzu zählen insbesondere:
    • 1. Als Trägermaterial kann eine dünne metallische Folie verwendet werden, so dass der Einsatz kostenaufwändiger Verbundmaterialien nicht erforderlich ist.
    • 2. Während des Kontaktierens und des Aufbringens von Schutzlacken, Thermo- oder Duroplasten ist das Trägermaterial ein im wesentlichen geschlossenes, ebenes Gebilde; es kann mit einfachen Mitteln transportiert, gespannt (z. B. angesaugt) und bearbeitet werden.
    • 3. Bis zum Zeitpunkt des Strukturierens des Trägermaterials sind alle Schaltungsbestandteile optimal ESD-geschützt, wobei unter ESD eine elektrostatische Schädigung (Electrostatic Damage) verstanden wird.
    • 4. Es lassen sich sehr dünne Metallfolien als Trägermaterial einsetzen und damit extrem flache Schaltungen, Modulgehäuse oder Module herstellen, wobei die Schaltungen Antennen mit kontaktierten Chips sein können.
    • 5. Es können Kontaktierungsverfahren unter Verwendung temporär dünnflüssiger Klebematerialien angewendet werden.
    • 6. Das sonst erforderliche Freischneiden der Modulgehäuse, Schaltungen usw. aus einem größeren Nutzen kann ebenfalls durch die ätztechnische Strukturierung erfolgen.
    • 7. Da keine Trageschichten, Randabstände usw. erforderlich sind, ist eine optimale Flächennutzung des Trägermaterials möglich.
    • 8. Ätzresiststrukturieren, Kontaktieren sowie eventuelles Schutzmaterialaufbringen und ätztechnisches Strukturieren können in einem Fertigungsbetrieb auflaufen. Dadurch ist eine hohe Layoutflexibilität gegeben.
    • 9. Der Gesamtprozess weist eine hohe Verfahrensflexibilität auf, da
      • a) Das Strukturieren des Ätzresist, z. B. mittels Laser, und das Strukturätzen mehrfach wiederholt werden können bzw. gestaffelt ablaufen kann.
      • b) Das Material einseitig vorgeätzt, danach kontaktiert und anschließend ein- oder beidseitig fertiggeätzt werden kann.
      • c) Es lassen sich Stanz-, Drück-, Biege- und Prägeprozesse mit Ätzprozessen nacheinander beliebig kombinieren.
    • 10. Die thermomechanischen Eigenschaften des kontaktierten Moduls bzw. der Schaltung sind gegenüber Schaltungen mit z. B. glasfaserverstärkter Trägerfolie verbessert.
  • Es ist vorteilhaft als Ätzresist ein durch Laserstrahl der Wellenlänge ca. ≤ 1 µm relativ einfach zu entfernendes Material zu verwenden. Weiterhin ist es vorteilhaft als Ätzresist ein Material zu verwenden, welches die Kontaktierung der Halbleiterchips und weiterer elektronischer Bauelemente erleichtert bzw. die Kontaktgabe verbessert (z. B. Zinn, Zinnlote, Edelmetalle usw.).
  • Weiterhin ist es vorteilhaft einen metallischen Ätzresist zu verwenden, welcher aus mindestens zwei metallischen Schichten geringer Dicke besteht, wobei die dem Ätzmedium zugewandte Schicht beständig gegenüber dem Ätzmedium ist. Diese Schichten bestehen aus Metallen, die sich bei Wärmeeinwirkung (z. B. Laser) so durch Legieren, Diffundieren und/oder Schmelzen verbinden, dass in den durch Laserbestrahlung erhitzten Zonen sich Legierungen, Diffusionszonen bzw. umgeschmolzene Zonen ergeben, die durch das Ätzmedium geätzt werden können.
  • Ebenso ist es vorteilhaft einen metallischen Ätzresist zu verwenden, der mit dem Metall des metallischen Trägers unter Wärmeeinwirkung (z. B. Laserstrahlung) durch Legieren, Diffundieren und/oder Verschmelzen Verbindungen bildet, die durch das Ätzmedium geätzt werden können.
  • Weiterhin ist es vorteilhaft, als Ätzresist einen in der Leiterplattenindustrie üblichen Ätzlack zu verwenden und ihn durch fotochemische und/oder thermische Prozesse (z. B. mittels Laserbestrahlung) zu strukturieren.
  • Auch ist es vorteilhaft, einen organischen Ätzresist durch Siebdruck oder andere Druckverfahren aufzubringen. Ein besonderer Vorteil ist es, wenn der Ätzresist im nachfolgenden Kontaktierschritt als thermoplastischer oder aushärtbarer Kleber für Chips und/oder weitere elektronische Bauteile zu verwenden ist. Der Kleber kann weiterhin vorteilhaft zur mindestens temporären Fixierung der ätztechnisch strukturierten Metallfolie dienen.
  • Es ist vorteilhaft, den Ätzresist nur auf einer Seite der Metallfolie zu strukturieren. Damit wird Strukturierungsaufwand eingespart.
  • Ebenso ist es vorteilhaft, den beidseitig aufgebrachten Ätzresist in einem ersten Schritt ein- oder beidseitig in partiellen Bereichen zu strukturieren und die metallische Folie zu ätzen, danach in einem zweiten Schritt weitere Bereiche des Ätzresists zu strukturieren und z. B. nach dem Kontaktieren die metallische Folie erneut zu ätzen. Ebenso kann es vorteilhaft sein, eine Seite der Metallfolie mit organischem Ätzresist zu versehen und die andere Seite der Metallfolie mit metallischem Ätzresist zu versehen. Es ergibt sich der Vorteil des einfachen Klebekontaktierens der Chips usw. auf der Seite mit dem organischen Ätzresist und der einfachen Kontaktgabe von Mess- oder Kontaktierstiften auf der Seite mit dem metallischen Ätzresist.
  • Es ist vorteilhaft, die Kleber auch auf bestimmte Bereiche der ätzresistbeschichteten Metallfolie aufzutragen, um die filigrane Struktur der Metallfolie nach dem Strukturätzen bis zum endgültigen Einbau in eine künftige Schaltung bzw. dem Aufkleben auf Substrate zu stabilisieren. Vorteilhafterweise werden Stabilisierungspunkte auf Bereiche von langen Strukturgräben bzw. Strukturgrabenverzweigungen gesetzt und gegebenenfalls ausgehärtet.
  • Das Aufbringen der Stabilisierungspunkte erfolgt zweckmäßigerweise beim Kontaktierkleben von Chips und elektrischen Bauelementen.
  • Weiterhin ist es vorteilhaft einen anisotropen Kleber als Ätzresist zu verwenden.
  • Es ist vorteilhaft in Flächenbereichen, die später mit weiteren Substraten verklebt oder mit Plasten verspritzt werden sollen, einseitig Haftgruben in die metallische Folie zu ätzen.
  • Schließlich ist es vorteilhaft, Metallfolien auf gelochtem elektrisch isolierendem Trägermaterial zu befestigen, mindestens auf der trägermaterialabgewandten Seite mit strukturierten Ätzresist zu versehen, Chip und/oder elektronische Bauelemente im Lochbereich zu kontaktieren, gegebenenfalls zu belacken oder zu vergießen und danach die Metallfolie zu strukturieren.
  • Auch ist es vorteilhaft, Metallfolien auf ungelochtem elektrisch isolierendem Trägermaterial zu befestien, das Trägermaterial durch Laserbestrahlung zu lochen, danach das Chip und/oder elektrische Bauelemente im Lochbereich zu kontaktieren und danach die Metallfolie gemäß dem oben beschriebenen Verfahren zu strukturieren.
  • Die erfindungsgemäße Lösung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
  • Fig. 1 ein Halbleiterchip mit Kontakthügeln in der Draufsicht,
  • Fig. 2 einen Ausschnitt aus einem bandförmigen metallischen Träger,
  • Fig. 3 einen Querschnitt durch einen metallischen Träger nach der Ätzresiststrukturierung,
  • Fig. 4 einen Querschnitt durch einen chipkontaktierten metallischen Träger,
  • Fig. 5 einen Querschnitt durch einen chipkontaktierten metallischen Träger nach der Strukturätzung und
  • Fig. 6 die Draufsicht auf ein erfindungsgemäß hergestelltes Modul.
  • Das in Fig. 1 dargestellte Halbleiterchip 1 weist mit seiner aktiven Seite 2 nach unten. Auf seiner aktiven Seite 2 befinden sich fünf Kontakthügel 3 mit einer Höhe von 20 µm und eine Fläche von je (100 × 100) µm2. Die Kontakthügel 3 sind an ihrer Oberfläche vergoldet.
  • Die Kontakthügel 3 befinden sich künftig bei der in Fig. 2 dargestellten Metallfolie 13 in den Kontaktfreimachungen 10. Diese weisen eine Größe von (200 × 200) µm2 auf und sind Teil der inneren Kontaktfläche 20. Die Metallfolie 13 stellt den Schaltungsträger dar. Der Schaltungsträger des künftigen Moduls 4 besteht aus einer 25 µm dicken ebenen Kupferfolie, die das Trägerband 22 bildet und sowohl auf der Kontaktierseite 14 als auch auf der Unterseite 15 mit einer 1 µm dicken Zinnschicht als Ätzresistmaterial 12 überzogen ist.
  • In den Kontaktfreimachungen 10 und in den Haftstellen 8, die einen Durchmesser von 20 µm aufweisen, ist der Ätzresist 12 von der Kontaktierseite 14 der Metallfolie 13 entfernt. In den Strukturfreimachungen 11 ist der Ätzresist 12 von der Kontaktierseite 14 und der Unterseite 15 der Metallfolie 13 kongruent entfernt. Der Verlauf der Strukturfreimachung 11 ist so angeordnet, dass sich bei jedem künftigen Modul 4 sechs gleichmäßig große flächige äußere Anschlüsse 21 ergeben werden. Zwischen den äußeren Anschlüssen 21 der künftigen Module 4 sind Zwischenstege 17 vorgesehen, die die bandförmige Struktur des metallischen Trägerbandes 22 nach dem Ätzen erhalten sollen.
  • Das künftige Modul 4 wird über Haltestege 23 im Trägerband 22 gehalten werden. Zur Indexierung des Transportes des dünnen metallischen Bandes 22 sind vor der Ätzresiststrukturierung, die im Beispiel mittels eines YAG-Lasers erfolgt, Indexlöcher 24 gestanzt worden.
  • Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt eines Querschnittes durch ein mit strukturiertem Ätzresist 12 versehenes metallisches Trägerband 22. Deckungsgleich gegenüber befinden sich die Strukturfreimachungen 11 beidseitig des metallischen Trägers 13. Auf der Kontaktierseite 14 des metallischen Bandes 22 befinden sich die Haftstellen 8 und eine Kontaktfreimachung 10. Im Bereich der Strukturfreimachung 11, der Haftstellen 8 und der Kontaktfreimachungen 10 ist die Zinnschicht durch eine Laserstrahlbehandlung vollständig entfernt.
  • Den Zustand nach dem flip-chip-Kontaktieren des Halbleiterchips 1 und dem Aushärten des Chipklebers 5 zeigt Fig. 4. Die Kontakthügel 3 des Halbleiterchips 1 sind durch den ausgehärteten Chipkleber 5 fest gegen das Kupfermetall des metallischen Trägermaterials 13 im Bereich der Kontaktfreimachungen 11 gepresst. Der das Halbleiterchip 1 umgebende Chipklebersaum 6 bedeckt Teile der künftigen Schaltungsstruktur 18 um das Chip 1 herum. Der Spalt zwischen aktiver Chipseite 2 und Kontaktierseite 14 der Metallfolie 13 ist ebenfalls vollständig mit ausgehärtetem Chipklebermaterial 5 gefüllt.
  • Fig. 5 zeigt den in Fig. 4 dargestellten Modulausschnitt nach dem ätztechnischen Strukturieren. Im Bereich der Strukturfreimachungen 11 entstand durch beidseitigen Ätzangriff ein relativ gleichmäßiger Ätzgraben 16, während aufgrund des einseitigen Ätzangriffes unterhalb des Chipbereiches 1 bzw. Chipkleberbereiches 5 V-förmige Ätzgräben 16 entstanden. Im Bereich der Haftstellen 8 entstanden aufgrund der Kleinheit des Loches im Ätzresist 12 und des einseitigen Ätzangriffes kleine, kalottenförmige Haftgruben 9.
  • Treffen mindestens drei Ätzgrabenabschntte 16 zusammen, bilden sie eine Ätzgrabenverzweigung 19. Durch den Ätzangriff entsteht die Schaltungsstruktur 18. Im Beispiel besteht sie aus der Gesamtheit der sechs inneren und äußeren Anschlüsse 20 und 21 des Moduls 4.
  • In Fig. 6 ist ein Modul 4 dargestellt. Es ist über die metallischen Haltestege 23 und über die aus Klebematerial bestehenden Verbinder 7 noch im metallischen Trägerband 22 befestigt. Die Stabilität des metallischen Trägerbandes 22 wird auch durch die Zwischenstege 17 gewährleistet. BEZUGSZEICHENLISTE 1 Halbleiterchip
    2 aktive Seite des Halbleiterchips
    3 Kontakthügel
    4 Modul
    5 Chipkleber; Underfiller
    6 Klebersaum
    7 Verbinder
    8 Haftstelle
    9 Haftgrube
    10 Kontaktfreimachung
    11 Strukturfreimachung
    12 Ätzresist
    13 Metallfolie; flächiges Trägermaterial
    14 Kontaktierseite der Metallfolie; Chip- und Bauteilseite
    15 Unterseite der Metallfolie
    16 Ätzgraben
    17 Zwischensteg
    18 Schaltungsstruktur
    19 Ätzgrabenverzweigung
    20 innere Kontaktfläche, innerer Anschluss
    21 äußerer Anschluss
    22 Trägerband
    23 Haltesteg
    24 Indexloch

Claims (26)

1. Verfahren zur Herstellung von elektrischen Schaltungen oder Modulen (4), mit dem an einem Schaltungsträger ein oder mehrere Halbleiterchips (1) und/oder ein oder mehrere elektronische Bauelemente angeordnet werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger aus metallischen, flächigen Trägermaterial (13) besteht und mindestens partiell mit einem Ätzresist (12) versehen wird, dieser Ätzresist (12) strukturiert wird, mindestens ein Halbleiterchip (1) und/oder mindestens ein elektronisches Bauelement durch Bonden mit dem Schaltungsträger verbunden wird, und anschließend aus diesem Schaltungsträger durch ätztechnische Behandlung eine Schaltungsstruktur (18) erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ätztechnische Behandlung mit einem nasschemischen Ätzverfahren erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Schaltungsträger eine ebene Metallfolie (13) verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger durch Biege-, Druck- oder Prägebehandlung mehrdimensional gestaltet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzresist (12) auf beiden Seiten des Schaltungsträgers aufgebracht und strukturiert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzresist (12) nur auf der chip- bzw. bauelementabgewandten Unterseite (15) strukturiert wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst nur bestimmte Bereiche des Ätzresists (12) strukturiert und anschließend der Schaltungsträger durch einen ersten Ätzvorgang bearbeitet wird, danach weitere Bereiche des Ätzresists (12) strukturiert werden, anschließend die Kontaktierung und Befestigung des Halbleiterchips (1) und/oder des elektronischen Bauelementes erfolgt und danach ein zweiter Ätzvorgang durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzresist (12) durch Siebdruck aufgebracht wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzresist (12) ein Chip- bzw. Bauelementkleber (5) aufgebracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt ein Ätzresist (12) mit Klebereigenschaften auf die Kontaktierseite (14) des Trägermaterials (13) gedruckt wird und auf der anderen Seite des Trägermaterials (13) ein weiterer strukturierter Ätzresist (12) aufgebracht wird, in einem zweiten Schritt die Chip- und/oder Bauelementkontaktierung sowie die Kleberhärtung erfolgen und in einem dritten Schritt die ätztechnische Herstellung der beabsichtigten Schaltungsstruktur (18) erfolgt.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzresist (12) eine dünne, metallische Schicht auf das Trägermaterial (13) aufgebracht wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzresist (12) durch Laserbestrahlung strukturiert wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzresist (12) eine Edelmetallschicht ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzresist (12) eine dünne unedle Metallschicht und eine zweite darüberliegende dünne Edelmetallschicht aufgebracht wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 und 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Edelmetallschicht und die unter ihr liegende unedle Metallschicht durch Laserbestrahlung strukturiert und damit thermisch so verändert werden, dass in den bestrahlten Bereichen Verbindungen entstehen, die ätztechnisch abgetragen werden können.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass thermoplastischer Kleber (5), Haftklebefolienabschnitte oder aushärtbarer Kleber (5) vor dem Strukturätzen auf Bereiche des metallischen Trägermaterials (13) partiell als Verbinder (7) der künftigen separaten Strukturen (17, 21) aufgebracht werden, um die nach der ätztechnischen Bearbeitung entstandene Schaltungsstruktur (18) insbesondere in den Bereichen, wo relativ lange Ätzgräben (16) verlaufen bzw. Ätzgrabenverzweigungen (19) auftreten, zu stabilisieren.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterchips (1) und/oder elektronischen Bauelemente durch Aufbringen von Gießharz oder Lacken vor dem Ätzen zusätzlich geschützt werden.
18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem ätztechnischen Strukturieren noch stegartig verbundene Strukturteile untereinander oder zu Randbereichen des Trägerbandes (22) getrennt werden.
19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Bereichen der Schaltungsstruktur (18), die künftig mit Substratmaterial vergossen oder verklebt werden sollen, Haftgruben (9) angeordnet werden.
20. Elektronisches Modul (4), bei dem an einer Metallfolie (13) ein oder mehrere Halbleiterchip(s) (1) und/oder ein oder mehrere elektronische(s) Bauelement(e) angeordnet sind, die durch Bonden mit der Metallfolie (13) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallfolie (13) mindestens partiell mit einem Ätzresist (12) versehen und strukturiert ist und eine nach dem Bonden durch ätztechnische Behandlung erzeugte Schaltungsstruktur (18) aufweist.
21. Modul nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsstruktur eine Transponderschaltung mit einem Halbleiterchip (1) und mit einer Antenne mit mindestens einer Windung ist.
22. Modul nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Modul (4) streifenförmig ausgebildet ist.
23. Modul nach Anspruch 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das metallische Trägermaterial (13) mit einem folienförmigen elektrisch isolierendem Trägermaterial verbunden ist, wobei das metallische Trägermaterial (13) mindestens auf der dem isolierenden Trägermaterial abgewandten Seite mit vor oder nach dem Kontaktieren strukturiertem Ätzresist (12) versehen ist und dass das isolierende Material im künftigem Kontaktierbereich gelocht ist und dass Halbleiterchip (1) und/oder die elektronischen Bauelemente von der Lochseite des isolierenden Trägermaterials im Bereich der Löcher auf das metallische Trägermaterial (13) kontaktiert sind und dass das metallische Trägermaterial (13) nach dem Kontaktieren ätztechnisch strukturiert ist.
24. Modul nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Löcher mit nach dem Kontaktieren und vor dem Strukturätzen angebrachtem Kleber (5) oder Lack versiegelt sind.
25. Anordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Modul (4) ein Chipkartenmodul für kontaktbehaftete Chipkarten ist.
26. Anordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die äußeren Anschlüsse (21) des Moduls (4) so gestaltet sind, dass sie elektromagnetische oder kapazitive Antenneneigenschaften aufweisen.
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