DE10208117B4 - Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger - Google Patents
Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger Download PDFInfo
- Publication number
- DE10208117B4 DE10208117B4 DE10208117A DE10208117A DE10208117B4 DE 10208117 B4 DE10208117 B4 DE 10208117B4 DE 10208117 A DE10208117 A DE 10208117A DE 10208117 A DE10208117 A DE 10208117A DE 10208117 B4 DE10208117 B4 DE 10208117B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- transimpedance amplifier
- current
- terminal
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
Abstract
Transimpedanzverstärker,
mit einer Eingangsstufe (1) mit einem ersten Verstärkerelement (Q1) und einem Eingangsanschluss zum Empfangen eines Eingangsstroms, und
mit einer Ausgangsstufe (2) mit einem zweiten Verstärkerelement (Q2) und einem Ausgangsanschluss zum Ausgeben einer dem verstärkten Eingangsstrom entsprechenden Ausgangsspannung (uo), wobei die Ausgangsstufe (2) der Eingangsstufe (1) nachgeschaltet und der Ausgangsanschluss der Ausgangsstufe (2) über eine Rückkopplungsschleife (3) zu dem Eingangsanschluss der Eingangsstufe (1) rückgekoppelt ist, und
wobei das erste Verstärkerelement ein erster Transistor (Q1) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss und das zweite Verstärkerelement ein zweiter Transistor (Q2) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss ist,
wobei der Steueranschluss des ersten Transistors (Q1) dem Eingangsanschluss und der zweite Signalanschluss des zweiten Transistors (Q2) dem Ausgangsanschluss des Transimpedanzverstärkers entspricht,
wobei der erste Transistor (Q1) und der zweite Transistor (Q2) mit ihren ersten und zweiten Signalanschlüssen zwischen die erste Versorgungsspannung...
mit einer Eingangsstufe (1) mit einem ersten Verstärkerelement (Q1) und einem Eingangsanschluss zum Empfangen eines Eingangsstroms, und
mit einer Ausgangsstufe (2) mit einem zweiten Verstärkerelement (Q2) und einem Ausgangsanschluss zum Ausgeben einer dem verstärkten Eingangsstrom entsprechenden Ausgangsspannung (uo), wobei die Ausgangsstufe (2) der Eingangsstufe (1) nachgeschaltet und der Ausgangsanschluss der Ausgangsstufe (2) über eine Rückkopplungsschleife (3) zu dem Eingangsanschluss der Eingangsstufe (1) rückgekoppelt ist, und
wobei das erste Verstärkerelement ein erster Transistor (Q1) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss und das zweite Verstärkerelement ein zweiter Transistor (Q2) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss ist,
wobei der Steueranschluss des ersten Transistors (Q1) dem Eingangsanschluss und der zweite Signalanschluss des zweiten Transistors (Q2) dem Ausgangsanschluss des Transimpedanzverstärkers entspricht,
wobei der erste Transistor (Q1) und der zweite Transistor (Q2) mit ihren ersten und zweiten Signalanschlüssen zwischen die erste Versorgungsspannung...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transimpedanzverstärker, wie er beispielsweise in einer integrierten Vorverstärkerschaltung eines optischen Empfangsmoduls eingesetzt werden kann, um die über eine Lichtwellenleiter übertragenen und von einer Fotodiode in entsprechende Stromimpulse umgesetzten Datensignale zu verstärken und in Spannung umzusetzen.
-
3 zeigt beispielhaft den Aufbau eines herkömmlichen Transimpedanzverstärkers. Derartige Transimpedanzverstärker sind beispielsweise aus A.B. Grebene, Bipolar and MOS analaog integrated circuit design, John Wiley & Sons, New York, 1984, S. 424 und S. 431, bekannt. Der Transimpedanzverstärker umfasst eine Eingansstufe1 und eine damit gekoppelte Ausgangsstufe2 . Die Eingangsstufe1 weist als Verstärkerelement einen Bipolartransistor Q1 auf, dessen Kollektor über einen Widerstand Rc an eine Versorgungsspannung Vcc angeschlossen ist. Die Ausgangsstufe2 weist ebenfalls ein Verstärkerelement Q2 in Form eines Bipolartransistors auf, dessen Kollektor an die Versorgungsspannung Vcc angeschlossen ist. Die Basis des Transistors Q2 ist mit dem Kollektor des Transistors Q1 verbunden. Der Basis des Transistors Q1 ist ein Eingangssignal in Form eines Eingangsstroms zugeführt, während an dem Emitter des Transistors Q2 über einen Emitterwiderstand Re eine verstärkte Ausgangsspannung uo abgegriffen werden kann. Die an der Basis des Transistors Q1 anliegende Spannung ist mit ui bezeichnet, wobei auf die Spannung ui nachfolgend bezüglich der Berechnung von Arbeitspunkten und zur Quantifizierung der Spannung/Spannung-Verstärkung des nicht-rückgekoppelten Verstärkers ("Open Loop Amplification") Bezug genommen wird. Die Basis des Transistors Q1 der Eingangsstufe1 bildet somit einen Eingangsanschluss des Transimpedanzverstärkers, während der Emitter des Transistors Q2 der Ausgangsstufe2 einen Ausgangsanschluss des Transimpedanzverstärkers darstellt, wobei dieser Ausgangsanschluss über eine Rückkopplungsschleife3 mit einem Transimpedanzwi derstand Rt zu dem Eingangsanschluss bzw. zu der Basis des Transistors Q1 rückgekoppelt ist. Über diesen Transimpedanzwiderstand Rt wird somit der Basis des Transistors Q1 ein der Ausgangsspannung uo entsprechender Rückkopplungsstrom zugeführt. - Die durch den Transimpedanzwiderstand Rt realisierte Rückkopplung dient zur Einstellung eines möglichst stabilen Arbeitspunkts des Transimpedanzverstärkers, wobei durch den Wert des Transimpedanzwiderstands Rt die Strom/Spannung-Verstärkung des Transimpedanzverstärkers festgelegt wird. Die Leerlaufverstärkung („Open Loop Amplification") Aol des in
3 gezeigten Transimpedanzverstärkers berechnet sich wie folgt: - Dabei bezeichnet gm die Steilheit des Verstärkers, Ube die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren Q1, Q2 und Ut die sogenannte Temperaturspannung, welche von der Umgebungstemperatur abhängig ist. Aus der obigen Formel (1) ist ersichtlich, dass die Leerlaufverstärkung des Transimpedanzverstärkers und somit dessen Frequenzverhalten von der Umgebungstemperatur und der Versorgungsspannung abhängt. Diese Abhängigkeit der Leerlaufverstärkung von der Umgebungstemperatur und der Versorgungsspannung kann bei Rückkopplung zu Instabilitäten der Verstärkerschaltung führen, da die Versorgungsspannung und die Umgebungstemperatur abhängig von der jeweiligen Anwendung schwanken können.
- Eine Möglichkeit zur Lösung des oben genannten Problems besteht darin, den Transimpedanzverstärker derart zu dimensionieren, dass die gewünschte Bandbreite bei allen möglichen Temperatur- und Versorgungsspannungswerten erzielt werden kann. Hierzu ist jedoch hinsichtlich der Bandbreite eine Überdimensionierung des Transimpedanzverstärkers erforderlich, was sowohl hinsichtlich der Rauscheigenschaften als auch hinsichtlich der Stabilität des Transimpedanzverstärkers nachteilig ist.
- Die
DE 195 13 225 A1 offenbart eine Vorspannungsschaltung für einen bipolaren Transistorverstärker, bei der eine Temperaturkompensation im Wesentlichen darauf beruht, dass die beteiligten Transistoren als Teil eines IC-Herstellungsprozesses gefertigt werden und damit in gleichartiger Weise auf Temperaturschwankungen ansprechen. - Aus „Integrated Circuits for a 200-Mbit/s Fiber-Optic Link", Michael P. Cook, Geoff W. Sumerling, Tran van Muoi, Andy C. Carter, IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. SC-21, Nr. 6, Dezember 1986, Seiten 909–915 ist ein Transimpedanzverstärker für eine Vorverstärkerschaltung in einem Empfangsmodul eines optischen Datenübertragungsnetzes bekannt, wobei dieser Transimpedanzverstärker eine Kaskode-Schaltung zwischen der Eingangs- und der Ausgangsstufe aufweist. Der über diese Kaskode-Schaltung fließende Kaskode-Strom wird indirekt über eine identisch aufgebaute Dummy-Kaskode-Schaltung überwacht und mit Hilfe eines damit in Serie geschalteten Widerstands in eine entsprechende Spannung umgesetzt, welche wiederum mit einer von der Umgebungstemperatur abhängigen Referenzspannung verglichen wird. Abhängig von dem Vergleichsergebnis wird die Bias- oder Vorspannung des Transimpedanzverstärkers, welche somit den Kaskode-Strom beeinflusst, geregelt. Auf diese Weise kann der Kaskode-Strom proportional zur absoluten Temperatur eingestellt werden, so dass die dynamische Impedanz der Basis- Emitter-Diode des Bipolartransistors der Eingangstufe konstant gehalten und eine von der Umgebungstemperatur unabhängige Verstärkung des Transimpedanzverstärkers erzielt werden kann.
- Durch die Verwendung der Kaskode-Schaltung ist jedoch das Regelungskonzept des zuvor beschriebenen Transimpedanzverstärkers mit einem relativ hohen Implementierungsaufwand verbunden, da unter anderem zusätzliche Schaltungsabschnitte zum Anlegen der Bias- oder Vorspannung an die Kaskode-Schaltung erforderlich sind. Zudem erfolgt bei diesem bekannten Transimpedanzverstärker die Arbeitspunkteinstellung („Biasing") der Dummy-Kaskode-Schaltung unter Verwendung von Spannungen der aktiven Transimpedanzstufe, was jedoch für das Frequenzverhalten dieser Stufe nachteilig ist.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transimpedanzverstärker und einen optischen Empfanger vorzuschlagen, bei dem die zuvor beschriebenen Nachteile beseitigt sind und mit einem geringen Implementierungsaufwand eine von Temperatur- und Versorgungsspannungsschwankungen unabhängige (Leerlauf-) Verstärkung des Transimpedanzverstärkers erzielt werden kann.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Transimpedanzverstärker mit den Merkmalen des Anspruches 1 und einen optischen Empfanger mit den Merkmalen des A 8 gelöst. Die Unteransprüche definieren jeweils bevorzugte und vorteilhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
- Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, mit Hilfe einer geeigneten Stromregelungsschaltung den zwischen einer ersten Versorgungsspannung und einer zweiten Versorgungsspannung über ein erstes Verstärkerelement einer Eingangsstufe eines Transimpedanzverstärkers fließenden Strom zu erfassen und derart zu regeln, dass dieser Strom unabhängig von der Umgebungstemperatur ist. Zugleich kann hierdurch erzielt werden, dass der geregelte Strom unabhängig von Schwankungen der Versorgungsspannung ist.
- Erfindungsgemäß ist das erste Verstärkerelement ein erster Transistor mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss und das zweite Verstärkerelement ein zweiter Transistor mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss, wobei der Steueranschluss des ersten Transistors dem Eingangsanschluss und der zweite Signalanschluss des zweiten Transistors dem Ausgangsanschluss des Transimpedanzverstärkers entspricht, wobei der erste Transistor und der zweite Transistor mit ihren ersten und zweiten Signalanschlüssen zwischen die erste Versorgungsspannung und die zweite Versorgungsspannung geschaltet sind, und wobei der erste Signalanschluss des ersten Transistors mit dem Steueranschluss des zweiten Transistors verbunden ist.
- Dabei ist die Stromregelungsschaltung derart ausgestaltet, dass sie den durch den ersten Transistor fließenden Strom durch Regelung einer Steuerspannung regelt, wobei die Steuerspannung an einen Steueranschluss eines dritten Transistors angelegt ist, welcher mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss in Serie zu dem ersten Transistor derart geschaltet ist, dass die Serienschaltung aus dem ersten Transistor und dem dritten Transistor zwischen die erste Versorgungsspannung und die zweite Versorgungsspannung geschaltet ist.
- Zur Realisierung der zuvor genannten Wirkung kann der in der Eingangsstufe fließende Strom dazu verwendet werden, die Steuer- oder Basisspannung eines mit dem Verstärkerelement der Eingangsstufe gekoppelten Bipolartransistors entsprechend einzustellen.
- Da eine direkte Messung des in der Eingangsstufe fließenden Stroms für das Frequenzverhalten des Transimpedanzverstärkers abträglich wäre, wird vorzugsweise ein Dummy-Verstärker (Replik-Verstärker) verwendet, welcher das Verhalten des gesamten Transimpedanzverstärkers nachbildet, wobei anstelle des in der Eingangsstufe des eigentlichen Transimpedanzverstärkers fließenden Stroms der in der dazu parallel geschalteten Eingangsstufe des Dummy-Verstärkers fließende Strom erfasst und zur Regelung des in der Eingangsstufe des eigentlichen Transimpedanzverstärkers fließenden Stroms verwendet wird. Die Erfassung des in der Eingangsstufe des Dummy-Verstärkers fließenden Stroms erfolgt dabei vorzugsweise über eine Stromspiegelschaltung.
- Der erfindungsgemäße Transimpedanzverstärker kann beispielsweise in einer Vorverstärkerschaltung eines optischen Empfangsmoduls eingesetzt werden, wobei mit Hilfe einer derartigen Vorverstärkerschaltung die über einen Lichtwellenleiter von einer Fotodiode empfangenen Daten- oder Informationssignale bei hohen Bandbreiten zur weiteren Verarbeitung verstärkt und in Spannung umgesetzt werden können.
- Da bei dem erfindungsgemäßen Transimpedanzverstärker eine einmal gewählte Arbeitspunkteinstellung für alle möglichen Temperatur- und Versorgungsspannungswerte gültig ist, kann eine deutliche Reduzierung der Designzeit erzielt werden. Zur Berücksichtigung extremer Betriebsbedingungen ist hinsichtlich der Bandbreite allenfalls eine geringe Überdimensionierung erforderlich. Aufgrund der Reduktion der Überdimensionierung der Bandbreite kann eine Verbesserung der Empfindlichkeit und Stabilität der Transimpedanzverstärkerschaltung erzielt werden.
- Im Gegensatz zu der eingangs beschriebenen herkömmlichen Transimpedanzverstärkerschaltung sind keine Kaskode-Schaltungen erforderlich, so dass die Schaltungsstruktur vereinfacht und die Schaltungskomplexität reduziert werden kann. Die für eine Kaskode-Schaltung ansonsten erforderlichen „Biasing"-Schaltungsstufen können entfallen. Da eine Replik der gesamten Verstärkerstufe als Dummy zur Strommessung verwendet wird, sind für die Strommessung keine internen Knotenpunkte der aktiven Verstärkerstufe erforderlich, wodurch eine höhere Bandbreite und eine höhere Betriebsgeschwindigkeit erzielt werden können. Darüber hinaus ist im Vergleich zu dem herkömmlichen Transimpedanzverstärker, welcher eine Kaskode-Schaltung benötigt, ein Betrieb mit geringeren Versorgungsspannungen möglich.
- Aufgrund der zuvor genannten Vorteile des erfindungsgemäßen Transimpedanzverstärkers kann eine größere Sicherheit beim Design der Schaltung erzielt werden.
- Die vorliegende Erfindung wird nachstehend näher unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels erläutert.
-
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Transimpedanzverstärkers gemäß der vorliegenden Erfindung, -
2 zeigt eine mögliche schaltungstechnische Realisierung des in1 gezeigten Transimpedanzverstärkers, und -
3 zeigt einen bekannten Transimpedanzverstärker gemäß dem Stand der Technik. - Bei dem in
1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind diejenigen Komponenten, welche den in3 gezeigten Komponenten entsprechen, jeweils mit demselben Bezugszeichen versehen, so dass diesbezüglich zur Vermeidung von unnötigen Wiederholungen auf die Erläuterungen zu3 verwiesen wird. - Der Aufbau des in
1 gezeigten Transimpedanzverstärkers entspricht im Wesentlichen dem in3 gezeigten Transimpedanzverstärker, wobei jedoch zwischen die Versorgungsspannung Vcc und den Kollektorwiderstand Rc der Eingangsstufe1 ein weiterer Bipolartransistor Qc geschaltet ist, dessen Basisspannung uc von einer Regelungsschaltung4 eingestellt wird, um den durch den Transistor Q1 fließenden Strom Ic zu regeln. - Zur Kompensierung der Temperatur- und Versorgungsspannungsabhängigkeit der Leerlaufverstärkung des Transimpedanzverstärkers muss der durch den Transistor Q1 fließende Strom Ic proportional zur Temperatur geregelt werden, d.h. der Temperaturkoeffizient der Temperaturspannung Ut muss kompensiert werden. Bei der in
1 gezeigten Schaltung gilt für die Leerlaufverstärkung Aol des Transimpedanzverstärkers folgender Zusammenhang: - Die Basisspannung Uc des Transistors Qc muss somit derart geregelt werden, dass die Temperaturkoeffizienten der Basis-Emitter-Spannung Ube und der Temperaturspannung Ut kompensiert werden können, wobei zugleich ein von Schwankungen der Versorgungsspannung Vcc unabhängiger Strom Ic erreicht werden kann. Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass aufgrund einer Quantifizierung der Leerlaufverstärkung, d.h. der Spannung/Spannung-Verstärkung des nicht-rückgekoppelten Verstärkers, Aussagen über das Verhalten des Verstärkers mit Rückkopplung getroffen werden können.
- Zur Regelung der Basisspannung Uc des Transistors Qc bzw. des Stroms Ic durch den Transistor Q1 erfolgt keine direkte Strommessung, da dies für das Frequenzverhalten des Transimpedanzverstärkers nachteilig wäre. Vielmehr wird eine Dummy-Verstärkerstufe zur Nachbildung des Verhaltens des gesamten Transimpedanzverstärkers verwendet, über welche der Strom Ic erfasst werden kann. Eine entsprechende schaltungstechnische Realisierung ist in
2 dargestellt. - In
2 ist der Dummy-Verstärker, welcher identisch zu dem eigentlichen Transimpedanzverstärker aufgebaut ist, mit dem Bezugszeichen5 versehen. Der Dummy-Verstärker5 umfasst demzufolge Bipolartransistoren Qcd, Q1d und Q2d, welche den Transistoren Qc, Q1, Q2 des Transimpedanzverstärkers entsprechen. Ebenso ist ein dem Kollektorwiderstand Rc entsprechender Kollektorwiderstand Rcd und ein dem Transimpedanzwiderstand Rt entsprechender Transimpedanzwiderstand Rtd in dem Dummy-Verstärker5 vorgesehen. Auch für den Emitterwiderstand Re des Transistors Q2 der Ausgangsstufe des Transimpedanzverstärkers ist ein äquivalenter Emitterwiderstand Red in dem Dummy-Verstärker5 enthalten. - Eine direkte Spannungsmessung am Kollektor des Transistors Q1d des Dummy-Verstärkers
5 würde in jedem Fall, d.h. unveränderlich, zu einem Messergebnis von 2Ube führen. Daher wird der durch den Transistor Q1d fließende Strom Ic gemessen, wobei hierzu ein Stromspiegel6 mit Bipolartransistoren Qcm und Q1m und einem dazwischen geschalteten Kollektorwiderstand Rcm verwendet wird. Die Transistoren Q1, Q1d und Q1m besitzen dieselbe Größe, um einen gleichgroßen Kollektorstrom Ic durch den jeweiligen Transistor zu gewährleisten. Ebenso besitzen die Transistoren Qc, Qcd und Qcm dieselbe Größe und die Widerstände Rc, Rcd und Rcm denselben Widerstandswert. Durch die Verwendung des Stromspiegels6 , welcher identisch zu der Eingangsstufe des Transimpedanzverstärkers bzw. identisch zur Eingangsstufe des Dummy-Verstärkers5 aufgebaut ist, ist somit eine zuverlässige Erfassung des über den Transistor Q1d bzw. den Transistor Q1 fließenden Kollektorstroms Ic möglich. Die Strommessung erfolgt dabei indirekt über die Erfassung des Spannungsabfalls an dem Widerstand Rcm, welcher proportional zu dem durch diesen Widerstand fließenden Strom Im ist, welcher wiederum näherungsweise dem Kollektorstrom Ic entspricht. - Die eigentliche Regelung der Basisspannung Uc des Transistors Qc, d.h. die Regelung des dazu proportionalen Kollektorstroms Ic, wird durch einen als Regler wirkenden Differenzverstärker
7 bewerkstelligt, dessen positiver Eingang mit dem Knoten punkt zwischen dem Widerstand Rcm und dem Transistor Q1m des Stromspiegels6 verbunden ist. Der negative Eingang dieses Reglers7 empfängt eine Referenzspannung, welche von einer Referenzspannunggeneratorschaltung8 erzeugt worden ist. Diese Referenzspannunggeneratorschaltung8 umfasst einen Bipolartransistor Qcr, dessen Kollektor an die Versorgungsspannung Vcc angeschlossen ist, wobei der Emitter dieses Transistors über einen Widerstand Rref mit einer Stromquelle verbunden ist, welche einen Referenzstrom Iref generiert. Der negative Eingang des Reglers7 ist mit dem Knotenpunkt zwischen dem Widerstand Rref und der Stromquelle verbunden. Die Basis des Transistors Qcr ist – wie die Basis der Transistoren Qcm, Qcd und Qc – mit dem Ausgang des Reglers7 verbunden. Der Regler7 und die Referenzspannunggeneratorschaltung8 können somit der in1 gezeigten Regelungsschaltung4 zugeordnet werden. -
- Dabei bezeichnet Ud die Differenzspannung zwischen den beiden Eingängen des Reglers
7 , Ubecr die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Qcr und Ubecm die Basis-Emitter-Spannung des Transistirs Qcm. - Aus der Formel (5) ist ersichtlich, dass der durch den Verstärkertransistor Q1 der Eingangsstufe des Transimpedanzverstärkers fließende Strom Ic lediglich von dem Referenzstrom Iref abhängt; die Abhängigkeiten von der Versorgungsspannung Vcc sowie von der Basis-Emitter-Spannung und der Temperaturspannung der Transistoren sind hingegen beseitigt. Wird der Referenzstrom Iref in Form eines von der Umgebungstemperatur abhängigen PTAT-Stroms („Proportional To Absolute Temperature") ausgestaltet, kann die Leerlaufverstärkung des Transimpedanzverstärkers insgesamt von der Temperatur unabhängig gemacht werden. Da der Widerstand Rcm Bestandteil einer positiven Rückkopplung des Reglers bzw. Fehlerverstärkers
7 ist, sollte der Widerstandswert dieses Widerstands derart gewählt werden, das gilt: Rref < Rcm.
Claims (8)
- Transimpedanzverstärker, mit einer Eingangsstufe (
1 ) mit einem ersten Verstärkerelement (Q1) und einem Eingangsanschluss zum Empfangen eines Eingangsstroms, und mit einer Ausgangsstufe (2 ) mit einem zweiten Verstärkerelement (Q2) und einem Ausgangsanschluss zum Ausgeben einer dem verstärkten Eingangsstrom entsprechenden Ausgangsspannung (uo), wobei die Ausgangsstufe (2 ) der Eingangsstufe (1 ) nachgeschaltet und der Ausgangsanschluss der Ausgangsstufe (2 ) über eine Rückkopplungsschleife (3 ) zu dem Eingangsanschluss der Eingangsstufe (1 ) rückgekoppelt ist, und wobei das erste Verstärkerelement ein erster Transistor (Q1) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss und das zweite Verstärkerelement ein zweiter Transistor (Q2) mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss und einem Steueranschluss ist, wobei der Steueranschluss des ersten Transistors (Q1) dem Eingangsanschluss und der zweite Signalanschluss des zweiten Transistors (Q2) dem Ausgangsanschluss des Transimpedanzverstärkers entspricht, wobei der erste Transistor (Q1) und der zweite Transistor (Q2) mit ihren ersten und zweiten Signalanschlüssen zwischen die erste Versorgungsspannung (Vcc) und die zweite Versorgungsspannung geschaltet sind, und wobei der erste Signalanschluss des ersten Transistors (Q1) mit dem Steueranschluss des zweiten Transistors (Q2) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Transimpedanzverstärker eine Stromregelungsschaltung (4 ) zur Erfassung und Regelung eines zwischen einer ersten Versorgungsspannung (Vcc) und einer zweiten Versorgungsspannung über das erste Verstärkerelement (Q1) der Eingangsstufe (1 ) fließenden Stroms (Ic) derart, dass dieser Strom unabhängig von der Umgebungstemperatur ist, umfasst, und dass die Stromregelungsschaltung (4 ) derart ausgestaltet ist, dass sie den durch den ersten Transistor (Q1) fließenden Strom (Ic) durch Regelung einer Steuerspannung (Uc) regelt, wobei die Steuerspannung (Uc) an einen Steueranschluss eines dritten Transistors (Qc) angelegt ist, welcher mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss in Serie zu dem ersten Transistor (Q1) derart geschaltet ist, dass die Serienschaltung aus dem ersten Transistor (Q1) und dem dritten Transistor (Qc) zwischen die erste Versorgungsspannung (Vcc) und die zweite Versorgungsspannung geschaltet ist. - Transimpedanzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Dummy-Transimpedanzverstärker (
5 ) zur Nachbildung des Verhaltens des Transimpedanzverstärkers vorgesehen ist, wobei der Dummy-Transimpedanzverstärker (5 ) den gleichen Schaltungsaufbau wie der Transimpedanzverstärker aufweist, wobei zur Regelung des über das erste Verstärkerelement (Q1) der Eingangsstufe (1 ) des Transimpedanzverstärkers fließenden Stroms (Ic) der über ein entsprechendes erstes Verstärkerelement (Q1d) des Dummy-Transimpedanzverstärkers (5 ) fließende Strom (Ic) erfasst wird. - Transimpedanzverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der über das erste Verstärkerelement (Q1d) des Dummy-Transimpedanzverstärkers (
5 ) fließende Strom (Ic) von der Stromregelungsschaltung (4 ) über eine Stromspiegelschaltung (6 ) erfasst wird. - Transimpedanzverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromspiegelschaltung (
6 ) den gleichen Schaltungsaufbau wie die Eingangsstufe des Dummy-Transimpedanzverstärkers (5 ) aufweist. - Transimpedanzverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromspiegelschaltung (
6 ) einen dem ersten Transistor (Q1) des Transimpedanzverstärkers entsprechenden vierten Transistor (Q1m) und einen dem dritten Transistor (Qc) des Transimpedanzverstärkers entsprechenden fünften Transistor (Qcm) mit jeweils zwei Signalanschlüssen und einem Steueranschluss umfasst, wobei der vierte Transistor (Q1m) und der fünfte Transistor (Qcm) mit ihren Signalanschlüssen in Serie zwischen die erste Versorgungsspannung (Vcc) und die zweite Versorgungsspannung geschaltet sind, und wobei der Steueranschluss des vierten Transistors (Q1m) mit einem Steueranschluss eines dem ersten Transistor (Q1) des Transimpedanzverstärkers entsprechenden Transistors (Q1d) des Dummy-Transimpedanzverstärkers (5 ) und der Steueranschluss des fünften Transistors (Qcm) mit dem Steueranschluss des dritten Transistors (Qc) des Transimpedanzverstärkers sowie einem Steueranschluss eines dem dritten Transistor (Qc) entsprechenden Transistors (Qcd) des Dummy-Transimpedanzverstärkers (5 ) verbunden ist. - Transimpedanzverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromregelungsschaltung (
4 ) den durch das erste Verstärkerelement (Q1) fließenden Strom (Ic) zur Regelung mit einem temperaturabhängigen Referenzwert vergleicht. - Transimpedanzverstärker nach Anspruch 5 und Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromregelungsschaltung (
4 ) einen Regler (7 ) umfasst, welcher mit einem ersten Eingang mit einem Knotenpunkt zwischen dem vierten Transistor (Q1m) und dem fünften Transistor (Qcm) verbunden ist und an einem zweiten Eingang als temperaturabhängigen Referenzwert eine temperaturabhängige Referenzspannung empfängt, wobei ein Ausgang des Reglers (7 ) mit dem Steueranschluss des dritten Transistors (Qc) des Transimpedanzverstärkers verbunden ist. - Optischer Empfänger zum Empfangen von über eine optische Übertragungsstrecke übertragenen optischen Signalen, mit einem Transimpedanzverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche zum Verstärken von den empfangenen optischen Signalen entsprechenden elektrischen Signalen.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10208117A DE10208117B4 (de) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger |
US10/372,012 US6756851B2 (en) | 2002-02-26 | 2003-02-21 | Transimpedance amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10208117A DE10208117B4 (de) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10208117A1 DE10208117A1 (de) | 2003-09-11 |
DE10208117B4 true DE10208117B4 (de) | 2006-08-24 |
Family
ID=27740409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10208117A Expired - Fee Related DE10208117B4 (de) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6756851B2 (de) |
DE (1) | DE10208117B4 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101076767B (zh) * | 2004-10-13 | 2010-05-05 | Nxp股份有限公司 | 全n型晶体管高端电流镜 |
US8139957B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-03-20 | General Instrument Corporation | High sensitivity optical receiver employing a high gain amplifier and an equalizing circuit |
CN101800605B (zh) * | 2010-03-04 | 2014-04-09 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种光接收机及其控制装置和控制方法 |
US8970300B2 (en) * | 2013-04-16 | 2015-03-03 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Apparatus and method for transimpedance amplifiers with wide input current ranges |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19513225A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-15 | Hewlett Packard Co | Bipolarer Niederspannungsverstärker |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015836A (en) * | 1990-02-05 | 1991-05-14 | Bei Electronics, Inc. | Source intensity adjustment apparatus for optical channel |
US5105165A (en) * | 1990-12-17 | 1992-04-14 | At&T Bell Laboratories | Low distortion, low noise, amplifier |
US5606277A (en) * | 1995-06-23 | 1997-02-25 | Linear Technology Corporation | AC coupling loops for current-to-voltage transimpedance amplifiers and methods of using same |
JP3418654B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2003-06-23 | 株式会社日立製作所 | プリアンプ |
US5986481A (en) * | 1997-03-24 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Peak hold circuit including a constant voltage generator |
-
2002
- 2002-02-26 DE DE10208117A patent/DE10208117B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-21 US US10/372,012 patent/US6756851B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19513225A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-15 | Hewlett Packard Co | Bipolarer Niederspannungsverstärker |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
GREBENE,Alan B.: Bipolar and MOS analog integrated circuit design, New York [u.a.]: John Wiley & Sons, 1984, S. 424-431 |
GREBENE,Alan B.: Bipolar and MOS analog integratedcircuit design, New York [u.a.]: John Wiley & Sons, 1984, S. 424-431 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030160659A1 (en) | 2003-08-28 |
DE10208117A1 (de) | 2003-09-11 |
US6756851B2 (en) | 2004-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60217504T2 (de) | Verstärker mit variabler verstärkung für einen offenen regelkreis unter verwendung einer replikatverstärkerzelle | |
DE102009054113A1 (de) | Prozess-, Spannungs- und Temperaturregelung für Hochgeschwindigkeits-Verstärker mit festem Verstärkungsgrad sowie mit variabler Verstärkung und geringem Stromverbrauch auf der Basis von Mosfet-Widerständen | |
DE19517373C2 (de) | Spannungserzeugungs-Schaltung zum Testen integrierter Schaltungen | |
DE102004002007A1 (de) | Transistoranordnung mit Temperaturkompensation und Verfahren zur Temperaturkompensation | |
DE4018016C2 (de) | Hitzdraht-Luftmengenmesser | |
DE69917822T2 (de) | Operationsverstärker | |
DE3439114A1 (de) | Bandabstands-spannungsbezugsschaltung | |
EP1336136B1 (de) | Verfahren zum abgleichen eines bgr-schaltkreises und bgr-schaltkreis | |
DE3832448A1 (de) | Messverstaerker mit programmierbarer verstaerkung | |
DE102005035150B4 (de) | Verstärkerschaltung und Verfahren zum Verstärken eines zu verstärkenden Signals | |
DE10208117B4 (de) | Transimpedanzverstärker und optischer Empfänger | |
DE3824556C2 (de) | Symmetrische Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE60130696T2 (de) | Vorspannungsschaltung für einen Feldeffekttransistor | |
DE102020115851B3 (de) | Schneller spannungsregler und verfahren zur spannungsregelung | |
DE10351593B4 (de) | Integrierte Vorverstärkerschaltung für die Erfassung eines Signalstroms von einer Photodiode | |
EP1693935A1 (de) | Bestimmung der Laserschwelle einer Laserdiode | |
DE102008032548A1 (de) | Spannungsreglerpolverschiebeverfahren und -Vorrichtung | |
EP1101279B1 (de) | Verstärkerausgangsstufe | |
DE3448087C2 (de) | ||
DE19521663A1 (de) | Integrierter Schaltkreis mit Spannungsregelschaltung | |
EP0514381B1 (de) | Frequenzgangkompensierte schaltung | |
DE102018209676B4 (de) | Leistungsversorgung mit Leistungsliefernetzwerk-Ausgleich | |
DE2822037C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Regelung des Arbeitspunktes bei einem Gegentakt-B-Verstärker | |
DE1487395B2 (de) | ||
DE102004009685B3 (de) | Stromverstärkeranordnung mit hoher Verstärkungsbandbreite |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE Effective date: 20110325 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |