DE10205194A1

DE10205194A1 - Schaltungsanordnung zur Steuerung eines konstanten Stromes durch eine Last

Info

Publication number: DE10205194A1
Application number: DE10205194A
Authority: DE
Inventors: Juergen Bruck
Original assignee: Tyco Electronics AMP GmbH
Current assignee: TE Connectivity Germany GmbH
Priority date: 2002-02-08
Filing date: 2002-02-08
Publication date: 2003-08-28
Also published as: EP1336911A1; JP2003280748A; US6816002B2; US20030169093A1; BR0300298A; KR20030067573A

Abstract

Es wird eine Schaltungsanordnung beschrieben, die trotz schwankender Versorgungsspannung einen annähernd konstanten Strom bereitstellt. Dazu ist im Lastkreis ein erster Bipolartransistor vorgesehen, zu dessen Basis-Emitter-Strecke parallel eine Reihenschaltung aus der Basis-Emitter-Strecke eines zweiten Bipolartransistors und eines zweiten Widerstandes geschaltet ist. Die Kollektorspannung des zweiten Bipolartransistors steuert einen dritten Bipolartransistor als Bypass zur Basis-Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors und wirkt einer Änderung der Basis-Emitter-Spannung des ersten Bipolartransistors infolge einer höheren Versorgungsspannung, so wird der Kollektorstrom des dritten Bipolartransistors erhöht und damit der Anstieg des Basisstromes des ersten Bipolartransistors reduziert. Dadurch wird eine Gegenkopplung realisiert.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Stromes durch eine Last gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Schaltungsanordnungen zur Steuerung eines Stromes durch eine Last werden in vielen verschiedenen Anwendungsbereichen eingesetzt, auch, um beispielsweise eine Last mit einem konstanten Strom zu beaufschlagen. Entsprechende Schaltungsanordnungen werden u. a. im Bereich der Kraftfahrzeugtechnik eingesetzt, um die Stromversorgung von Verbrauchern durch eine Kraftfahrzeugbatterie zu gewährleisten. Hierzu sind Schaltungsanordnungen bekannt, die mit elektronischen Mitteln eine Stromquelle nachbilden, im allgemeinen eine Quelle mit scheinbar sehr hoher Spannung mit einem sehr hohen Innenwiderstand.
Bekannte Schaltungsanordnungen messen auf geeignete Art den fließenden Strom, indem beispielsweise ein Messwiderstand im Lastzweig vorgesehen ist. Der Spannungsabfall über dem Messwiderstand wird ausgewertet und hiervon abhängig ein Stellglied derart gesteuert, dass der Spannungsabfall an diesem Widerstand möglichst konstant bleibt.
Um den nutzbaren Arbeitsbereich einer derartigen Stromquelle zu optimieren, muss der Spannungsabfall an diesem Widerstand und damit in der Regel auch der Widerstand möglichst klein sein. Dies wird jedoch wirtschaftlich beschränkt durch den nachfolgenden Aufwand bei der Auswertung des Spannungsabfalls.

Aus DE 36 24 586 A1 ist eine Konstantstromquelle bekannt, die einen ersten und zweiten Bipolartransistor aufweist. Der Emitter des ersten Transistors ist über einen Widerstand an eine Eingangsklemme und der Kollektor des ersten Transistors an eine Ausgangsklemme angeschlossen. An den Emitter des ersten Transistors ist die Basis des zweiten Transistors angeschlossen. Der Emitter des zweiten Transistors ist ebenfalls mit der Eingangsklemme verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors ist mit der Basis des ersten Transistors verbunden. Die Basis des ersten Transistors wird über einen Ansteuerwiderstand bestromt. Der zweite Transistor dient hier als Regler und leitet den vom ersten Transistor nicht benötigten Basisstrom ab. Durch die beschriebene Konstantstromquelle wird ein näherungsweise konstanter Strom an der Ausgangsklemme bereitgestellt, ohne dass aufwendige Regelungen mittels eines Operationsverstärkers erforderlich sind. Jedoch ist auch in dieser Schaltungsanordnung ein Widerstand im Lastkreis angeordnet, der einen zusätzlichen Spannungsabfall bewirkt. Dieser zusätzliche Spannungsabfall führt beispielsweise bei einem Absinken der Versorgungsspannung an der Eingangsklemme zu einem vorzeitigen Absinken des Ausgangsstromes an der Ausgangsklemme. Damit steht bei einem kurzzeitigen Abfall der Versorgungsspannung u. U. nicht mehr ausreichend Spannung zur Verfügung, um einen Verbraucher sicher mit konstantem Strom zu versorgen.

Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine Schaltungsanordnung zur Steuerung eines näherungsweise konstanten Stromes anzugeben, bei der der Spannungsabfall im Lastkreis reduziert ist.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 1 gelöst.

Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, dass ein zusätzlicher Spannungsabfall im Lastkreis vermieden werden kann. Die Schaltungsanordnung ermöglicht daher, einen nahezu konstanten Strom zur Versorgung einer Last auch bei weit sinkender Versorgungsspannung bereitzustellen. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 eine erste Ausführungsform der Schaltungsanordnung,
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform der Schaltungsanordnung,
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform der Schaltungsanordnung und
Fig. 4 eine vierte Ausführungsform der Schaltungsanordnung.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Steuerung eines konstanten Stromes durch eine Last. Die Schaltungsanordnung kann in den verschiedenen Bereichen der Technik eingesetzt werden. Die Schaltungsanordnung dient in dieser Anwendungsform dazu, trotz geringer Spannung oder trotz sinkender Spannung eine noch ausreichende Stromversorgung für einen Verbraucher bereitzustellen. Dies Verhalten kann beispielsweise beim Start einer Brennkraftmaschine vorteilhaft sein, bei dem die Bordspannung erheblich einbricht und u. U. zu einer Fehlfunktion eines Relais führt.
Fig. 1 zeigt einen ersten und einen zweiten Eingangsanschluss 1, 2, die eine Versorgungsspannung bereitstellen. Der erste Eingangsanschluss 1 steht mit einem ersten Ausgangsanschluss 3 in Verbindung. An den ersten Ausgangsanschluss 3 ist eine Last 5 mit einem ersten Anschluss angeschlossen. Ein zweiter Anschluss der Last 5 steht mit einem zweiten Ausgangsanschluss 4 in Verbindung. An den zweiten Ausgangsanschluss 4 ist der Kollektoranschluss eines ersten Bipolartransistors 6 angeschlossen. Der Emitteranschluss des ersten Bipolartransistors 6 steht mit dem zweiten Eingangsanschluss 2 in Verbindung. Die Strecke über den ersten Eingangsanschluss 1, den ersten Ausgangsanschluss 3, die Last 5, den zweiten Ausgangsanschluss 4, den ersten Bipolartransistor 6 zum zweiten Eingangsanschluss 2 stellt eine Laststrecke dar.
Ein erster Widerstand 7 ist mit seinem ersten Anschluss an den ersten Eingangsanschluss 1 angeschlossen. Der zweite Anschluss des ersten Widerstandes 7 steht mit der Basis des ersten Bipolartransistors 6 in Verbindung. An die Basis des ersten Bipolartransistors 6 sind weiterhin der Kollektor eines dritten Bipolartransistors 9 und der Emitter eines zweiten Bipolartransistors 8 angeschlossen. Der Emitter des dritten Bipolartransistors 9 ist mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors 6 verbunden. Die Basis des dritten Bipolartransistors 9 steht mit dem Kollektor des zweiten Bipolartransistors 8 in Verbindung. Die Basis des zweiten Bipolartransistors 8 steht über einen zweiten Widerstand 10 mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors 6 in Verbindung. Die Basis des zweiten Bipolartransistors 8 steht zudem über einen dritten Widerstand 11 mit der Basis des dritten Bipolartransistors 9 in Verbindung.
Die Schaltungsanordnung der Fig. 1 funktioniert wie folgt: Über die erste und die zweite Eingangsklemme 1, 2 wird eine Versorgungsspannung zum Versorgen der Last 5 bereitgestellt. Der Stromfluss durch die Last 5 wird durch den ersten Bipolartransistor 6 gesteuert. Die Basis des ersten Bipolartransistors 6 wird über den ersten Widerstand 7 mit einem Steuerstrom versorgt. Die Größe des Stromes in die Basis des ersten Bipolartransistor 6 legt die Größe des Stromes durch die Last 5 fest. Parallel zu der Basis-Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors 6 ist eine Reihenschaltung aus der Emitter- Basis-Strecke des zweiten Bipolartransistors 8 und des zweiten Widerstandes 10 geschaltet. Die Schaltungsanordnung ist so dimensioniert, dass die Stromdichte im zweiten Bipolartransistor 8 geringer ist als im ersten Bipolartransistor 6. Somit ist in der Regel auch der Spannungsabfall über der Emitter-Basis-Strecke des zweiten Bipolartransistors 8 kleiner als der Spannungsabfall über der Basis-Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors 6. Die Differenz zwischen den Basis-Emitter-Spannungen des ersten und des zweiten Bipolartransistors 6, 8 fällt über dem zweiten Widerstand 10 ab.
Bei einer geeigneten Wahl der jeweiligen Stromdichten im ersten und im zweiten Bipolartransistor 6, 8 beträgt der Spannungsabfall über dem zweiten Widerstand 10 nur wenige Millivolt. Ändert sich nun die Versorgungsspannung, so führt dies zu einer Stromänderung im ersten Widerstand 7. Folglich ändert sich auch der Spannungsabfall über der Basis-Emitter- Strecke des ersten Bipolartransistors 6 und mit diesem die Spannungsverteilung zwischen der Emitter-Basis-Spannung des zweiten Bipolartransistors 8 und der Spannung über dem zweiten Widerstand 10. Dies führt zu einer Änderung des Basisstromes und in Folge des Kollektorstromes des zweiten Bipolartransistors 8 und wird über den dritten Widerstand 11 in eine Änderung der Spannung am Basisanschluss des dritten Bipolartransistors 9 umgesetzt. Vorzugsweise wird der Widerstandswert des dritten Widerstandes 11 größer gewählt als der Widerstandswert des zweiten Widerstandes 10. Damit wird eine Spannungsänderung am zweiten Widerstand 10 in eine vergrößerte Spannungsänderung an der Basis des dritten Bipolartransistors 9 gewandelt.
Durch eine geeignete Wahl der Arbeitspunkte wird die Kollektorspannung des zweiten Bipolartransistors 8 in der Weise eingestellt, dass direkt der dritte Bipolartransistor 9 ansteuerbar ist. Der Kollektorstrom des dritten Bipolartransistors 9 wirkt einer Änderung der Spannung über der Basis- Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors 6 entgegen, so dass eine Gegenkopplung erreicht wird. Nimmt beispielsweise die Spannung am Eingangsanschluss 1 zu, so erhöht sich der Strom durch den ersten Widerstand 7, was zu einem vergrößerten Spannungsabfall über der Basis-Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors 6 führt. In Folge wird auch der Spannungsabfall über dem zweiten Widerstand 10 größer und somit auch die Spannung am Basisanschluss des dritten Bipolartransistors 9. Dadurch wird der dritte Bipolartransistor 9 stärker leitend, so dass mehr Strom über den dritten Bipolartransistor 9 abfließt. Dies führt wiederum zu einem geringeren Anstieg des Stromes durch den ersten Bipolartransistor 6. Auf diese Weise wird eine Stromänderung durch die Last 5 verringert, aber nicht aufgehoben. Die Stärke der Gegenkopplung kann durch eine entsprechende Wahl der Widerstandswerte des zweiten und des dritten Widerstandes 10, 11 eingestellt werden.
Weiterhin kann in einer bevorzugten Ausführungsform der zweite und/oder der dritte Widerstand durch eine entsprechende Auslegung der Temperaturkoeffizienten dazu verwendet werden, um eine Fehlanpassung der Temperaturkoeffizienten der Basis- Emitter-Spannungen der drei Bipolartransistoren auszugleichen.
Fig. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der der zweite und der dritte Bipolartransistor 8, 9 im Vergleich zu Fig. 1 mit einem anderen Leitungstyp ausgebildet sind. In Fig. 2 ist der dritte Bipolartransistor 9 in Form eines pnp-Transistors und der zweite Transistor 8 in Form eines npn-Transistors ausgebildet. Aufgrund des veränderten Leitungstyps wird der Emitteranschluss des zweiten Bipolartransistors 8 in dieser Ausführungsform nicht mit dem Basisanschluss des ersten Bipolartransistors 6, sondern mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors 6 verbunden und der zweite Anschluss des Widerstandes 10 mit der Basis des ersten Bipolartransistors 6. Ansonsten funktioniert die Ausführungsform der Fig. 2 entsprechend der Ausführungsform der Fig. 1.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, die im wesentlichen der Ausführungsform der Fig. 1 entspricht, wobei jedoch zusätzlich zwischen den ersten Widerstand 7 und den Basisanschluss des ersten Bipolartransistors 6 ein vierter Bipolartransistor 12 geschaltet ist. Der vierte Bipolartransistor 12 ist als npn-Transistor ausgebildet und mit seinem Kollektor an den ersten Eingangsanschluss 1 angeschlossen. Der Emitter des vierten Bipolartransistors 12 steht mit der Basis des ersten Bipolartransistors 6 und dem Emitter des zweiten Bipolartransistors 8 in Verbindung. Die Basis des vierten Bipolartransistors 12 steht mit dem zweiten Anschluss des ersten Widerstandes 7 und mit dem Kollektoranschluss des dritten Bipolartransistors 9 in Verbindung. Der Kollektor des zweiten Bipolartransistors 8 ist ebenfalls mit dem Basisanschluss des dritten Bipolartransistors 9 und dessen Emitter ist mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors 6 verbunden.
Die Schaltungsanordnungen der Fig. 1 und 2 weisen den Nachteil auf, dass bei einem großen Kollektorstrom durch den ersten Bipolartransistor 6 auch ein relativ großer Basisstrom für den ersten Bipolartransistor 6 bereitgestellt werden muss. Damit der große Basisstrom für den ersten Bipolartransistor 6 bereitgestellt werden kann, muss der Widerstandswert des ersten Widerstandes 7 relativ klein gewählt werden. Bei einer gleichzeitig hohen Betriebsspannung am ersten und zweiten Eingangsanschluss 1, 2 führt ein kleiner Widerstandswert für den ersten Widerstand 7 zu einem ungünstigen Arbeitspunkt des dritten Bipolartransistors 9. Vorteilhaft ist es deshalb, für hohe Betriebsspannungen, einen Impedanzwandler einzusetzen. In einer einfachen Ausführungsform wird der Impedanzwandler durch den vierten Bipolartransistor 12 realisiert, dessen Kollektor mit dem ersten Anschluss des ersten Widerstandes 7 und dessen Basis mit dem zweiten Anschluss des ersten Widerstandes 7 verbunden sind. In entsprechender Weise ist der Emitter des vierten Bipolartransistors 12 mit der Basis des ersten Bipolartransistors 6 und dem Emitter des zweiten Bipolartransistors 8 verbunden.
Aufgrund der Anordnung des vierten Bipolartransistors 12 kann der erste Widerstand 7 mit einem größeren Widerstandswert, d. h. mit einem größeren ohmschen Widerstand ausgebildet werden. In dieser Ausführungsform leitet der dritte Bipolartransistor 9 nur den nicht benötigten Basisstrom des vierten Bipolartransistors 12 ab. Ansonsten funktioniert die Gegenkopplung in der Fig. 3 entsprechend der Ausführungsform der Fig. 1.
Fig. 4 zeigt eine weitere verbesserte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, die im wesentlichen entsprechend Fig. 1 aufgebaut ist, wobei jedoch der zweite Anschluss des ersten Widerstandes 7 mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors 8 verbunden ist und zwischen den Emitter des zweiten Bipolartransistors 8 und die Basis des ersten Bipolartransistors 6 ein vierter Widerstand 13 geschaltet ist. Der Kollektor des dritten Bipolartransistors 9 ist weiterhin direkt mit der Basis des ersten Bipolartransistors 6 verbunden. Alle bisherigen Schaltungsanordnungen der Fig. 1 bis 3 verringern die Modulation der Basis-Emitter-Spannung des ersten Bipolartransistors 6 bei schwankender Betriebsspannung an den Eingangsanschlüssen 1, 2 durch eine Gegenkopplung über den dritten Bipolartransistor 9, ohne diese jedoch vollständig zu kompensieren.
Durch den vierten Widerstand 13 gemäß der Ausführungsform der Fig. 4 wird erreicht, dass nicht nur der nicht erwünschte Basisstrom des ersten Bipolartransistors 6 über den dritten Bipolartransistor 9 abgeleitet wird, sondern auch gleichzeitig eine zusätzliche Steuerung der Basis-Emitter-Spannung des ersten Bipolartransistors 6 stattfindet. Die Steuerung der Basis-Emitter-Spannung des ersten Bipolartransistors 6 wird durch einen Spannungsabfall am vierten Widerstand 13 bewirkt. Der vierte Widerstand 13 ist klein gegenüber dem zweiten und dritten Widerstand 10, 11. Durch eine geeignete Dimensionierung ist es möglich, den Kollektorstrom des ersten Bipolartransistors 6 über einen weiten Bereich der Versorgungsspannung hinweg nahezu konstant zu halten.
Die Ausführungsformen der Fig. 1 bis 4 sind nicht auf die dargestellten Ausführungsformen der Bipolartransistoren festgelegt, sondern können auch mit Bipolartransistoren anderen Leitungstyps aufgebaut werden. Abhängig von der gewählten Dimensionierung der Bauteile wird ein Konstanthalten des Stromes bei einer definierten Änderung der Spannung an den Eingangsanschlüssen 1, 2, und innerhalb eines definierten Zeitraums nach der Spannungsänderung erreicht. Bezugszeichenliste 1 erster Eingangsanschluss
2 zweiter Eingangsanschluss
3 erster Ausgangsanschluss
4 zweiter Ausgangsanschluss
5 Last
6 dritter Bipolartransistor
7 erster Widerstand
8 erster Bipolartransistor
9 zweiter Bipolartransistor
10 zweiter Widerstand
11 dritter Widerstand
12 vierter Bipolartransistor
13 vierter Widerstand

Claims

1. Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Stromes durch eine Last, mit einem ersten und einem zweiten Eingangsanschluss (1, 2) zum Anschließen einer Spannungsversorgung, mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluss (3, 4) zum Anschließen einer Last (5), mit einem ersten Bipolartransistor (6), dessen Kollektor an den zweiten Ausgangsanschluss (4) und dessen Emitter an den zweiten Eingangsanschluss (2) angeschlossen ist, mit einem ersten Widerstand (7), der mit seinem ersten Anschluss mit dem ersten Eingangsanschluss (1) und seinem zweiten Anschluss mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
dass eine Steuerschaltung (8, 9, 10, 11) mit einem ersten Anschluss an die Basis des ersten Bipolartransistors (6) und mit einem zweiten Anschluss an den Emitter des ersten Bipolartransistors (6) angeschlossen ist,
dass die Steuerschaltung (8, 9, 10, 11) die Basis-Emitter- Spannung des ersten Bipolartransistors (6) auswertet,
dass die Steuerschaltung (8, 9, 10, 11) einen Bypass zur Basis-Emitter-Strecke des ersten Bipolartransistors (6) bildet und den Strom durch den ersten Widerstand (7) derart verzweigt, dass der Basisstrom des ersten Bipolartransistors (6) nahezu unabhängig von der Spannungsversorgung an den Eingangsanschlüssen (1, 2) ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (8, 9, 10, 11) einen zweiten und einen dritten Bipolartransistor (8, 9) aufweist, dass der Emitter des zweiten Bipolartransistors (8) mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, dass die Basis des zweiten Bipolartransistors (8) mit einem ersten Anschluß eines zweiten Widerstandes (10) verbunden ist, dessen zweiter Anschluß mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, dass der Kollektor des zweiten Bipolartransistors (8) mit einem ersten Anschluß eines dritten Widerstandes (11) verbunden ist, dessen zweiter Anschluß mit der Basis des zweiten Bipolartransistors (8) verbunden ist, dass der Kollektor des zweiten Bipolartransistors (8) mit der Basis des dritten Bipolartransistors (9) verbunden ist, dass der Emitter des dritten Bipolartransistors (9) mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (6) und der Kollektor des dritten Bipolartransistors (9) mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, und dass der zweite Bipolartransistor (8) einen komplementären Leitungstyp zum ersten Bipolartransistor (6) aufweist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung einen zweiten und einen dritten Bipolartransistor (8, 9) aufweist, dass der Emitter des zweiten Bipolartransistors (8) mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, dass die Basis des zweiten Bipolartransistors (8) mit einem ersten Anschluß eines zweiten Widerstandes (10) verbunden ist, dessen zweiter Anschluß mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, dass der Kollektor des zweiten Bipolartransistors (8) mit einem ersten Anschluß eines dritten Widerstandes (11) verbunden ist, dessen zweiter Anschluß mit der Basis des zweiten Bipolartransistors (8) verbunden ist, dass der Kollektor des zweiten Bipolartransistors (8) mit der Basis des dritten Bipolartransistors (9) verbunden ist, dass der Emitter des dritten Bipolartransistors (9) mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) und der Kollektor des dritten Bipolartransistors (9) mit dem Emitter des ersten Bipolartransistors (6) verbunden ist, und dass der zweite Bipolartransistor (8) den gleichen Leitungstyp wie der erste Bipolartransistor (6) aufweist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Widerstand (11) einen größeren Widerstandswert als der zweite Widerstand (10) aufweist.

5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite und/oder der dritte Widerstand (10, 11) geeignete Temperaturkoeffizienten aufweisen, um die unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten der drei Bipolartransistoren (6, 8, 9) zu kompensieren.

6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass dem ersten Widerstand (7) ein vierter Bipolartransistor (12) als Spannungsfolger nachgeschaltet ist, dass der Kollektor des vierten Bipolartransistors (12) mit dem ersten Eingangsanschluß (1) verbunden ist, dass der Emitter des vierten Bipolartransistors (12) mit der Basis des ersten Bipolartransistors (6) und dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (8) verbunden ist, und dass der Kollektor des dritten Bipolartransistors (9) mit der Basis des vierten Bipolartransistors (12) und dem zweiten Anschluß des Widerstandes (7) verbunden ist.

7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Anschluß des ersten Widerstandes (7) mit dem Emitter des zweiten Bipolartransistors (8) verbunden ist, dass zwischen den Emitter des zweiten Bipolartransistors (8) und die Basis des ersten Bipolartransistors (6) ein vierter Widerstand (13) geschaltet ist, und dass der Kollektor des dritten Bipolartransistors (9) an die Basis des ersten Bipolartransistors (6) angeschlossen ist.