DE10202701A1 - Polierkopf eines chemisch/mechanischen Poliergerätes und Polierverfahren unter Verwendung desselben - Google Patents
Polierkopf eines chemisch/mechanischen Poliergerätes und Polierverfahren unter Verwendung desselbenInfo
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Abstract
Eine chemisch/mechanische Poliervorrichtung (CMP) enthält einen Polierkopf, der aus einem Träger und einer Membran zusammengesetzt ist und der an einem Polierkissen eines Halterungsteiles positioniert ist. Der Polierkopf besitzt einen Halter, der an einem inneren Zentrum des Träger installiert ist, einen Einspannring, der zwischen dem Träger und dem Halter positioniert ist, und eine Einrichtung, um den Einspannring aufwärts und abwärts zu bewegen. Der Halter bildet einen abgedichteten Raum und zwar im Zusammenwirken mit der Membran, und der Einspannring spannt den Wafer mit Hilfe eines Vakuums bzw. Unterdruckes ein.
Description
Die vorliegende Anmeldung basiert auf der Priorität der koreanischen
Patentanmeldung Nr. 2001-30365, eingereicht am 31. Mai 2001, deren Inhalte hier unter
Bezugnahme vollständig mit einbezogen werden.
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Gerät zur Herstellung eines
Halbleiterwafers und spezieller eine chemisch/mechanische Poliermaschine (CMP).
Da die Integrationsdichten von Halbleitervorrichtungen höher wird, ergibt sich ein
Trend in Verbindung mit Verbindungsstrukturen in Richtung auf eine vielschichtige
Struktur. Es wurden daher vielfältige Verfahren zum Polieren einer Waferoberfläche
vorgeschlagen, um Oberflächenstufenunterschiede zwischen Einheitszellen zu
reduzieren. Eine chemisch/mechanische Poliertechnik (CMP) wurde weit verbreitet
dazu verwendet, um eine polierte Oberfläche (Verarbeitungsoberfläche) eines Wafers zu
planieren.
Bei einem herkömmlichen CMP-Prozeß wird ein Wafer an einem Polierkopf
montiert, so daß eine Polieroberfläche (Verarbeitungsoberfläche) des Wafers einem
Drehtisch gegenüberliegend angeordnet werden kann. Die Polieroberfläche wird auf den
Drehtisch plaziert, an dem ein Polierkissen installiert ist. Der Polierkopf liefert eine
kontrollierbare Andrückkraft (Last) auf den Wafer, so daß eine rückwärtige Seite des
Wafers gegen das Polierkissen des Drehtisches gedrückt wird. Auch kann der Polierkopf
in Drehung versetzt werden, um eine zusätzliche Bewegung zwischen dem Wafer und
dem Drehtisch vorzusehen.
Ein effizienter CMP-Prozeß besteht darin, einen Wafer mit einer konstanten
Ebenheit mit einer hohen Poliergeschwindigkeit zu bearbeiten. Eigenschaften wie die
Gleichförmigkeit, Ebenheit und die Poliergeschwindigkeit einer Waferpolieroberfläche
werden stark durch eine Druckkraft beeinflußt, mit der der Wafer gegen das Polierkissen
gedrückt wird. Speziell wird mit zunehmender Waferandrückkraft die
Poliergeschwindigkeit höher. Wenn daher ein nicht einheitlicher Druck von dem
Polierkopf auf den Wafer ausgeübt wird, so wird ein wafer-spezifischer Flächenbereich,
der einen relativ hohen Druck empfängt, schneller poliert als andere Flächenbereiche,
die einen relativ niedrigen Druck erfahren.
Eine Poliereinheitlichkeit in dem CMP-Prozeß hängt von der Ausrüstung, das
heißt der Kopfkonstruktion, ab. Daher haben CMP-Gesellschaften eifrig Membranköpfe
mit einer hohen Poliereinheitlichkeit entwickelt und angewendet. Wenn ferner die
Wafergröße größer wird, ergibt sich ein Bedarf nach einer Ausrüstung, welches die
CMP-Eigenschaft eines Waferrandbereiches steuern kann.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Poliergerät für eine
hohe Poliereinheitlichkeit zu schaffen.
Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Poliergerät zu
schaffen, welches in vielfältiger Weise einen Druck steuern kann, der auf jeden
Waferflächenbereich während des Polierprozesses aufgebracht wird.
Ein noch anderes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Poliergerät zu
schaffen, welches in vielfältiger Weise die Poliergeschwindigkeit eines jeden
Waferbereiches während eines Polierprozesses steuern kann.
Ein noch anderes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Poliergerät zu
schaffen, welches einen Kopf aufweist, der in stabiler Weise einen Wafer fixieren kann.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Gerät zum Polieren
eines Wafers einen Halterungsteil, an dem ein Polierkissen auf einer oberen Seite
desselben montiert ist, und einen Polierkopf, der aus einem Träger und aus einer
Membran zusammengesetzt ist. Der Polierkopf ist an dem Polierkissen der
Halterungsvorrichtung positioniert. Das Polierkissen enthält einen Halter, der an einem
inneren Zentrum des Trägers installiert ist, um einen abgedichteten Raum zusammen
mit der Membran zu bilden, enthält einen Einspannring, der zwischen dem Träger
positioniert ist, um den Wafer in einem Vakuum einzuspannen, und eine Einrichtung,
um den Einspannring nach oben und nach unten zu bewegen. Die
Bewegungseinrichtung ist zwischen dem Träger und dem Einspannring installiert und
enthält ein elastisches Teil, welches durch einen extern aufgebrachten Druck erweitert
oder ausgezogen wird, um den Einspannring nach oben und nach unten zu bewegen.
Der Einspannring ist mit der Membran bedeckt. Die Membran ist in einen ersten
und einen zweiten Raum aufgeteilt, so daß abgedichtete Räume zusammen mit dem
Träger sichergestellt werden und wobei ein Vakuum und ein Druck unabhängig in
bezug auf den abgedichteten ersten und zweiten Raum gesteuert werden können. Der
erste Raum ist am Zentrum der Membran positioniert und der zweite Raum ist so
positioniert, daß er den ersten Raum umschließt. Der erste Raum ist in der Breite kleiner
als der zweite Raum.
Die Membran besitzt ein Vakuumloch, um einen Wafer einzuspannen/freizugeben
und eine Trennwand. Das Vakuumloch ist an dem ersten oder zweiten Raum der
Membran ausgebildet.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Gerät zum
Polieren eines Wafers einen Abstützteil, bei dem ein Polierkissen an einer oberen Seite
desselben montiert ist; und ein Polierkissen, welches aus einem Träger und aus dem
ersten und dem zweiten Raum gebildet ist. Das Polierkissen enthält einen Polierkopf,
der an dem Polierkissen des Halterungsteiles positioniert ist. Der Polierkopf enthält
einen Halter, der an einem inneren Zentrum des Trägers installiert ist, um eine erste
Kammer zu bilden, und enthält einen Einspannring, der in dem Träger installiert ist, so
daß er co-linear mit dem Halter verläuft, um eine zweite Kammer zu bilden. Die
Membran bedeckt den Halter und auch den Einspannring, so daß diese davon getrennt
sind.
Eine getrennte Gaseinström-/-ausströmleitung ist mit der ersten und der zweiten
Kammer verbunden. Der Halter besitzt erste Löcher, um die erste Kammer mit dem
ersten Raum zu verbinden, und der Einspannring besitzt zweite Löcher, um die zweite
Kammer mit dem zweiten Raum zu verbinden. Die Membran besitzt Vakuumlöcher
zum Einspannen/Freigeben eines Wafers. Die Vakuumlöcher entsprechen den zweiten
Löchern des Einspannringes. Die Membran, die in den ersten und den zweiten Raum
aufgeteilt ist, ist ringförmig ausgeführt.
Gemäß einem noch anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein
Verfahren zum Polieren eines Wafers geschaffen, welches die Schritte aufweist:
Vakuumabsorbieren des Wafers durch ein Vakuumloch einer Membran hindurch, die unter einem Polierkopf positioniert ist; Anordnen des vakuumabsorbierten Wafers an der Membran an einem Polierkissen; Injizieren eines Gases in erste und zweite Gasgates eines Trägers, um den ersten und den zweiten Raum der Membran zu erweitern, die unter dem Polierkopf positioniert sind, wodurch ein erster und ein zweiter Druck auf den Wafer aufgebracht wird; und Drehen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
Vakuumabsorbieren des Wafers durch ein Vakuumloch einer Membran hindurch, die unter einem Polierkopf positioniert ist; Anordnen des vakuumabsorbierten Wafers an der Membran an einem Polierkissen; Injizieren eines Gases in erste und zweite Gasgates eines Trägers, um den ersten und den zweiten Raum der Membran zu erweitern, die unter dem Polierkopf positioniert sind, wodurch ein erster und ein zweiter Druck auf den Wafer aufgebracht wird; und Drehen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
Das Gas wird unabhängig in das erste und das zweite Gasgate (Schieber, Tor)
injiziert, um den Druck unabhängig in bezug auf den ersten und den zweiten Raum der
Membran aufzubringen.
Der Polierkopf ist zusammengesetzt aus einem Druckluftverteiler (manifold),
einem Träger, einem Halter und einer Membran. Der Träger ist konkav gestaltet und der
Halter ist an dem konkaven Inneren des Trägers gelegen und besitzt erste und zweite
Kammern und eine Vielzahl an Löchern, um unabhängig Gas zu dem ersten und zu dem
zweiten Raum in einheitlicher Form hinzuführen, um dadurch einen einheitlichen Druck
auf die Membran auszuüben.
Gemäß einem noch anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein
Verfahren zum Polieren eines Wafers geschaffen, welches die Schritte umfaßt:
herstellen eines Vakuums über einen Einspannring, der unter einem Polierkopf positioniert ist, welcher mit einem ersten Gasgate in den Polierkopf kommuniziert, um den Wafer an einem Polierkissen zu positionieren; Injizieren eines Gases in ein erstes und ein zweites Gasgate (Tor), um den ersten und den zweiten Raum einer Membran auszuweiten oder zu dehnen, welche Membran unter dem Polierkopf positioniert ist, um dadurch einen ersten und einen zweiten Druck auf den Wafer aufzubringen; und in Drehung setzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
herstellen eines Vakuums über einen Einspannring, der unter einem Polierkopf positioniert ist, welcher mit einem ersten Gasgate in den Polierkopf kommuniziert, um den Wafer an einem Polierkissen zu positionieren; Injizieren eines Gases in ein erstes und ein zweites Gasgate (Tor), um den ersten und den zweiten Raum einer Membran auszuweiten oder zu dehnen, welche Membran unter dem Polierkopf positioniert ist, um dadurch einen ersten und einen zweiten Druck auf den Wafer aufzubringen; und in Drehung setzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
Bei dem Schritt gemäß dem Aufbringen des Druckes auf den Wafer wird der
Einspannring nach unten bewegt, um auf einen Rand des Wafers eine Last
aufzubringen. Der Einspannring wird durch einen Druck nach oben und nach unten
bewegt, der auf ein elastisches Teil aufgebracht wird, welches zwischen dem Träger und
dem Einspannring positioniert ist.
Fig. 1 zeigt einen Graphen, der einen nicht einheitlichen Polierzustand eines
Wafers veranschaulicht;
Fig. 2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines CMP-
Gerätes gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 3 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines
Polierkopfes gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist eine Außenansicht eines Polierkopfes, der in Fig. 3 gezeigt ist;
Fig. 5A ist eine Bodenansicht eines Polierkopfes, der in Fig. 3 gezeigt ist;
Fig. 5B zeigt eine Querschnittsansicht eines Polierkopfes entlang einer
Linie I-I', die in Fig. 5 A gezeigt ist;
Fig. 6A bis Fig. 6C zeigen Querschnittsansichten zur Erläuterung der Polierschritte in
einem CMPO-Gerät gemäß einer ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht eines Polierkopfes gemäß einer
abgewandelten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 ist eine Bodenansicht, die einen Polierkopf darstellt, der in Fig. 7
gezeigt ist;
Fig. 9 zeigt eine Querschnittsansicht, welche die Polierschritte
veranschaulicht, die unter Verwendung eines Polierkopfes durchgeführt
werden, der in Fig. 7 dargestellt ist;
Fig. 10 ist eine Querschnittsansicht eines Polierkopfes gemäß einer zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 11 ist eine Querschnittsansicht, welche die Polierschritte veranschaulicht,
die unter Verwendung eines Polierkopfes durchgeführt werden, der in
Fig. 10 gezeigt ist;
Fig. 12 und Fig. 13 zeigen Querschnittsansichten eines Polierkopfes gemäß einer
abgewandelten zweiten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung.
Die vorliegende Erfindung wird nun im folgenden vollständiger unter Hinweis auf
die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen bevorzugte Ausführungsform der
Erfindung gezeigt sind. Es werden durchgehend für gleiche Elemente gleiche
Bezugszeichen verwendet.
Um nun auf Fig. 2 einzugehen, so besitzt ein CMP-Gerät 100 gemäß der
vorliegenden Erfindung eine Polierstation 110, an der ein drehbarer Drehtisch 114
montiert ist, und eine Polierkopfanordnung 120. Ein Polierkissen 112 ist an dem
Drehtisch 114 angebracht.
Der Drehtisch 114 ist mit einer drehbaren Rotationseinrichtung (nicht gezeigt)
verbunden, die den Drehtisch 114 mit 50 bis 80 Umdrehungen pro Minute dreht.
Unzweifelhaft können auch höhere Drehzahlen verwendet werden. Das Polierkissen 112
kann aus einem Kombinationselement mit einer rauhen Seite bestehen. Die Polierstation
110 enthält eine herkömmliche Kissenkonditionierungseinrichtung 116 und eine einen
Schlamm liefernde Einrichtung 118, um einen Schlamm auf eine Oberfläche eines
Polierkissens aufzubringen. Der Schlamm enthält ein Reaktionsreagens (z. B.
deionisiertes Wasser für einen Oxidationspoliervorgang), Reibungsteilchen (z. B.
Siliziumdioxid für einen Oxidationspoliervorgang) und einen chemischen
Reaktionskatalysator (z. B. Kaliumhydroxid für einen Oxidationspoliervorgang). Die
Kissenkonditioniereinrichtung 116 und die den Schlamm liefernde Einrichtung 118 sind
nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung und sind gut bekannt, so daß eine
detaillierte Beschreibung derselben hier übersprungen wird.
Die Polierkopfanordnung 120 enthält einen Polierkopf 130, eine Antriebswelle
122 und einen Motor 124. Der Polierkopf 130 hält einen Wafer 10 gegen das
Polierkissen 112 und verteilt einheitlich einen von oben nach unten gerichteten Druck
auf einer rückwärtigen Seite des Wafers 10. Auch der Polierkopf 130 kann mit 40 bis 70
Umdrehungen pro Minute gedreht werden, und zwar durch die Antriebswelle 122, die
mit dem Motor 124 verbunden ist. Unzweifelhaft kann auch eine höhere Drehzahl
verwendet werden. Wenigstens zwei, ein Strömungsmittel liefernde oder zuführende
Kanäle, um einen Druck oder eine Absorption eines Wafers in einem Vakuum zu
erzeugen, sind mit dem Polierkopf 130 verbunden. Natürlich sind auch Pumpen jeweils
an die ein Strömungsmittel liefernden Kanäle angeschlossen.
Gemäß Fig. 3 und Fig. 5B wird nun ein Polierkopf 130 mehr in Einzelheiten im
folgenden beschrieben. Der Polierkopf 130 enthält einen Druckverteiler (manifold) 132,
einen behälterförmig gestalteten Träger 134, einen Festhaltering 140, einen Halter 150,
einen Einspannring 160 und eine flexible Membran 170.
Der Druckverteiler 132 bildet einen Teil zum Verteilen von zwei ein
Strömungsmittel liefernden Kanälen zu einem ersten und einem zweiten Gasgate 134a
und 134b.
Der Halter 150 ist in dem Träger 134 installiert und besitzt eine obere Seite 152,
eine Bodenseite 154, eine Vielzahl von ersten Löchern 156 und eine erste Kammer 158.
Die erste Kammer 158 kommuniziert mit dem ersten Gasgate 134a, und die ersten
Löcher 156 kommunizieren mit einem ersten Raum X1 der Membran 170.
Der Einspannring 160 schafft eine zweite Kammer 136, die mit dem zweiten
Gasgate 134b kommuniziert, zusammen mit einer Innenseite des Trägers 134 und der
oberen Seite 152 des Halters 150. Die zweite Kammer 136 kommuniziert mit einem
zweiten Raum X2 der Membran 170 über eine Vielzahl von zweiten Löchern 162.
Die Membran 170 bringt eine Last auf einen dünnen Gummifilm auf, dessen Seite
direkt mit einer rückwärtigen Seite 10a des Wafers 10 in Kontakt steht. Wenn die
Membran 170 durch Aufbringen eines Druckes expandiert, bringt sie eine Last auf die
rückwärtige Seite 10a des Wafers 10 auf. Die Membran 170 ist in einen ersten und einen
zweiten Raum X1 und X2 aufgeteilt, die abgedichtete Räume zusammen mit dem Halter
150 bzw. dem Einspannring 160 sicherstellen. Ein Vakuum und ein Druck für den
abgedichteten ersten und zweiten Raum X1 und X2 werden voneinander unabhängig
gesteuert. Der erste Raum X1 ist an einem Zentrum der Membran 170 positioniert und
der zweite Raum X2 ist so positioniert, um den ersten Raum X1 abzudecken. Eine
Breite oder Weite des zweiten Raumes X2 ist größer als diejenige des ersten Raumes
X1.
Da der Einspannring 160 mit der Membran 170 bedeckt ist, wird ein Druck, der
für den zweiten Raum X2 geliefert wird, nicht nach außen hin abgebaut bzw. entlüftet.
Es ist daher möglich, eine Last auf einen Wafer entsprechend dem vorgesehenen Druck
aufzubringen. Als ein Ergebnis kann die Wafereinheitlichkeit erhöht werden.
Die Membran 170 besitzt Vakuumlöcher 172 und eine Trennwand 174, um die
Membran in den ersten und den zweiten Raum aufzuteilen. Es sei darauf hingewiesen,
daß das Vakuumloch 172 an dem ersten Raum X1 der Membran 170 ausgebildet sein
kann oder an dem ersten und dem zweiten Raum ausgebildet sein kann. Das
Vakuumloch 172 kann co-linear mit dem zweiten Loch 162 des Einspannringes 160
ausgebildet sein.
Bei dem CMP-Gerät gemäß der vorliegenden Erfindung wird in bevorzugter
Weise eine AMAT-(Applied Material = angewendetes Material)-Membran mit einer
Härte von 40 bevorzugt verwendet. Eine elastische Kraft einer Membran hat einen
Einfluß auf die Poliereinheitlichkeit. Wenn beispielsweise die elastische Kraft hoch ist,
empfängt ein zentraler Abschnitt eines Wafers einen relativ höheren Druck als ein
Randabschnitt des Wafers. Daher wird das Polierverhältnis an dem zentralen Abschnitt
höher. Da ein hoher Druck dazu neigt, nicht nur an dem zentralen Abschnitt aufgebracht
zu werden, sondern an den seitlichen Abschnitten oder Teilen, kann das
Waferpolierverhältnis vollständig erhöht werden. Es sei darauf hingewiesen, daß die
elastische Kraft der Membran durch die Dicke und durch das Material derselben
gesteuert wird und daß die Dicke und das Material örtlich gesteuert werden, um das
Waferpolierverhältnis zu verbessern.
Ein Festhaltering 140 ist an dem unteren Rand des Trägers 134 installiert und
verhindert, daß der Wafer 10 sich von dem Polierkopf 130 ablöst.
Eine Waferpolierprozedur in solch einem CMP-Gerät umfasst die Schritte gemäß
Einladen eines Wafers 10, der durch Vakuum an dem Polierkissen 130 absorbiert wird,
auf ein Polierkissen 112 eines Drehtisches 114, Aufbringen eines Druckes auf den
ersten und den zweiten Raum X1 und X2 einer Membran 170, um eine
Waferpolieroberfläche 10b (eine zweite Oberfläche) zu polieren, durch Vakuum
Reabsorbieren des polierten Wafers 10 an dem Polierkopf 130 und Entladen des
vakuum-reabsorbierten Wafers von dem Polierkissen 112 zu einer Aufbewahrungsstufe
(nicht gezeigt).
Jeder der Polierschritte wird vollständiger anhand der vollständigen Tabelle
beschrieben.
Bei dem Einladungsschritt wird der Polierkopf 130 so bewegt, um die Membran
170 auf die Waferrückseite 10a zu positionieren, wie dies in Fig. 6b gezeigt ist. Es wird
in der ersten Kammer 158 über das erste Gasgate 134a ein Vakuum erzeugt und es wird
auch in der zweiten Kammer 136 über das zweite Gasgate 134b ein Vakuum hergestellt.
Als ein Ergebnis wird der Wafer 10 in stabiler Weise durch das Vakuum absorbiert, und
zwar zu den Vakuumlöchern der Membran 170 hin. Der stabil absorbierte Wafer 10
wird dann auf das Polierkissen 112 des Drehtisches 114 geladen. Der Polierkopf 130
wird so weit abgesenkt, bis der Wafer 10 das Polierkissen 112 kontaktiert. Bei dem
Polierschritt wird ein unabhängig gesteuerter Druck zu der ersten und zu der zweiten
Kammer 158 und 134 geliefert. Der Druck bewirkt ein Ausdehnen der Membran 170
über die ersten und die zweiten Löcher 156 und 162, wobei ein erster Raum X1 (der
durch einen Halter und eine Membran gebildet ist) und in einem zweiten Raum X2 (der
durch einen Einspannring und die Membran gebildet ist) durch Druck beaufschlagt
werden. Der aufgebrachte Druck wirkt als eine Last auf eine Polieroberfläche des
Wafers 10 entsprechend den Räumen X1 und X2. Es wird dann Polierschlamm über die
den Schlamm liefernde Einrichtung zugeführt und es werden der Polierkopf 130 und der
Drehtisch 114 in entgegengesetzten Drehrichtungen oder in identischen Drehrichtungen
in Drehung versetzt, um eine Waferpolieroberfläche zu polieren. Der an jedem der
Gasgates 134a und 134b vorgesehene Druck wird so gesteuert, um in einfacher Weise
eine Last einzustellen, die auf eine Polieroberfläche eines Wafers aufgebracht wird,
entsprechend dem ersten und dem zweiten Raum X1 und X2 der Membran 170.
Bei dem Einspannschritt wird, nachdem der Poliervorgang vervollständig worden
ist, Vakuum in der zweiten Kammer 136 über das zweite Gasgate 134b erzeugt, wie dies
in Fig. 6C gezeigt ist. Anstelle des Vakuums kann auch ein Druck von Null (dieser
Ausdruck "Null" wird gewöhnlich an einer Arbeitsstelle verwendet und bedeutet einen
atmosphärischen Druck) vorgesehen werden. Es wird dann der Wafer 10 durch Vakuum
zu den Vakuumlöchern 172 hin absorbiert, die an dem zweiten Raum X2 der Membran
170 ausgebildet sind. Der absorbierte Wafer 10 wird von dem Polierkissen 112 entladen
und zu einer Aufbewahrungsstufe (nicht gezeigt) verbracht, und wird dann an der
Aufbewahrungsstufe mit Hilfe von Druck plaziert, der in der ersten und der zweiten
Kammer vorgesehen wird.
Wie oben beschrieben ist, besitzt der Polierkopf 130 gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Membran, die in einen ersten und einen zweiten Raum aufgeteilt ist,
wobei Vakuum und Druck unabhängig voneinander gesteuert werden. Eine unabhängig
steuerbare Last wird auf die Waferortsteile oder -abschnitte aufgebracht, von denen
jeder Abschnitt den Räumen entspricht, wodurch dann eine Poliereinheitlichkeit
verbessert wird. Wenn speziell ein höherer Druck auf den zweiten Raum X2 der
Membran aufgebracht wird, kann die Poliereinheitlichkeit eines Waferrandabschnitts
verbessert werden. Die Membran besitzt Vakuumlöcher zum Einspannen und zum
Freigeben eines Wafers, wodurch es möglich wird, den Nachteil zu überwinden, daß ein
Wafer lose durch einen Vakuumleckvorgang zwischen der Membran und dem Wafer
eingespannt wird.
Obwohl nur eine Membran in einen ersten und einen zweiten Raum aufgeteilt ist,
um die zwei Räume X1 und X2 vorzusehen, kann diese auch in beispielsweise drei
Räume aufgeteilt werden. Es sei ferner darauf hingewiesen, daß ein Druck auch
unabhängig in bezug auf die Räume gesteuert werden kann.
Fig. 7 bis Fig. 9 veranschaulichen Querschnittsansichten eines Polierkopfes
gemäß einer abgewandelten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein
Polierkopf 130a ist von einem Polierkopf 130 gemäß der ersten Ausführungsform
dahingehend verschieden, daß in eine Vielzahl von Räume X1 und X2 aufgeteilt ist, die
durch eine Membran vorgesehen werden, und in einen Raum X3 aufgeteilt ist, den die
Membran nicht vorsieht, und daß ein unabhängig steuerbarer Druck für jeden der
Räume vorgesehen werden kann. Aus diesem Grund enthält der Polierkopf 130a einen
Träger 134, einen Zentrumshalter 186, einen mittleren Halter 188, einen Einspannring
184 und eine Membran 170a.
Der Träger 134 besitzt erste bis dritte Gasgates 134a, 134b und 134c. Der
Zentrumshalter 186 besitzt eine erste Kammer 186, die mit dem ersten Gasgate 134a in
Strömungsverbindung steht, und besitzt eine Bodenseite, wo erste Löcher 186a
vorgesehen sind, die mit einer ersten Kammer 187 in Strömungsverbindung stehen.
Der mittlere Halter 188 ist in dem Träger 134 installiert, so daß er co-linear mit
dem Zentrumshalter 186 angeordnet ist und ist an einer peripheren Seite des
Zentrumshalters 186 positioniert. Auch der mittlere Halter 188 besitzt ein zweites Loch
188a, welches mit dem zweiten Gasgate 134b kommuniziert.
Der Einspannring 184 ist in dem Träger 134 so installiert, so daß er co-linear mit
dem mittleren Halter 188 verläuft und ist an einer peripheren Seite des mittleren Halters
188 positioniert. Auch der Einspannring 184 liefert eine dritte Kammer 136, die mit
dem dritten Gasgate 134c zusammen mit der Innenseite und dem Zentrum des Trägers
134 und den mittleren Haltern kommuniziert. Die dritte Kammer 136 kommuniziert mit
einer Vielzahl an dritten Löchern 184a, die an dem Einspannring 184 ausgebildet sind.
Die Membran 170 ist ringförmig gestaltet und ist in einen ersten und einen
zweiten Raum X1 und X2 aufgeteilt, wodurch abgedichtete Räume im
Zusammenwirken mit dem mittleren Halter 188 bzw. dem Einspannring 184
sichergestellt werden. Ein Unterdruck und ein Druck werden unabhängig gesteuert, und
zwar für den abgedichteten ersten und zweiten Raum X1 und X2. Der zweite Raum X2
ist so positioniert, daß er den ersten Raum X1 an der Außenseite des ersten Raumes X1
umschließt. Die Membran 170a besitzt Vakuumlöcher (Unterdrucklöcher) 172 zum
Einspannen und zum Freilassen eines Wafers, und besitzt eine Zwischenwand 174, um
die Membran 170a in den ersten und den zweiten Raum aufzuteilen. Die Vakuumlöcher
172 sind jeweils an dem ersten und dem zweiten Raum X1 und X2 ausgebildet.
Beispielsweise kann das Vakuumloch 172 lediglich an dem ersten Raum X1 ausgebildet
sein und kann nicht an beiden Räumen ausgebildet sein. Das Vakuum bzw. Unterdruck
wird an einem zentralen Raum X3 zum Einspannen des Wafers erzeugt.
Der zentrale Raum X3 ist in dem ersten Raum X1 positioniert. Aus diesem Grund
ist der erste Raum X1 ringförmig gestaltet. Der zentrale Raum X3 stellt einen
abgedichteten Raum im Zusammenwirken mit dem Zentrumshalter 186, der Membran
170a und der Waferoberseite 10a sicher. Es können ein Vakuum und ein Druck für den
abgedichteten zentralen Raum X3 gesteuert vorgesehen werden, und zwar über das erste
Gasgate 134a, wobei dieses Vakuum und dieser Druck unabhängig von dem ersten und
dem zweiten Raum X1 und X2 sind.
Wie oben beschrieben ist, ist der Polierkopf 130a gemäß der Erfindung in den
zweiten Raum X2, den ersten Raum X1 und den zentralen Raum X3 aufgeteilt, um
dadurch eine Waferpoliereinheitlichkeit zu verbessern. Der erste und der zweite Raum
X1 und X2 sind mit Hilfe der Membran gebildet, während der zentrale Raum X3 ohne
eine Membran gebildet ist. Es kann daher ein Unterdruck bzw. Vakuum und Druck
unabhängig für jeden der Räume X1, X2 und X3 über die Gasgates 134a, 134b und
134c gesteuert werden.
Auf diese Weise wird die Möglichkeit geschaffen, in einfacher Weise eine Last zu
steuern, die auf die örtlichen Abschnitte aufgebracht wird, von denen jeder Abschnitt
dem ersten, dem zweiten und dem dritten Raum entspricht. Als ein Ergebnis kann die
Poliergeschwindigkeit der örtlichen Waferabschnitte oder -teile sehr viel feiner
gesteuert werden.
Der Polierkopf 130a gemäß der abgewandelten ersten Ausführungsform ist
identisch mit einem Polierkopf 130 gemäß der ersten Ausführungsform mit der
Ausnahme, daß die charakteristische Konstruktion und Betriebsweise des Polierkopfes
130a anders ist.
Fig. 10 und Fig. 11 veranschaulichen Querschnittsansichten eines Polierkopfes
gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Ein Polierkopf 130b gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von
dem Polierkopf 130 gemäß der ersten Ausführungsform dadurch, daß ein Einspannring
nach oben und nach unten bewegbar ist. Aus diesem Grund enthält der Polierkopf 130b
einen Druckverteiler 132, einen behälterförmig gestalteten Träger 134, einen
Festhaltering 140, einen Zentrumshalter 186, einen mittleren Halter 188, eine Membran
170b, einen Einspannring 190 und eine Bewegungseinrichtung.
Der Druckverteiler 132 bildet einen Teil, um vier, ein Strömungsmittel liefernde
Kanäle zu den Gasgates 134a, 134b, 134c und 134d des Trägers 134 zu verteilen.
Der Träger 134 besitzt erste bis vierte Gasgates 134a, 134b, 134c und 134d. Der
Zentrumshalter 186 ist in dem Träger 134 installiert und besitzt eine erste Kammer 187,
die mit dem ersten Gasgate 134a kommuniziert, und besitzt eine Bodenseite, in der erste
Löcher 186a ausgebildet sind.
Der mittlere Halter 188 ist in dem Träger 134 so installiert, daß er co-linear mit
dem Zentrumshalter 186 ist und ist an einer peripheren Seite des Zentrumshalters 186
positioniert. Auch der mittlere Halter 188 besitzt ein zweites Loch 188a, welches mit
dem zweiten Gasgate 134b in Strömungsverbindung steht.
Die Membran 170b besteht aus einem dünnen Gummifilm, dessen Seite direkt
eine rückwärtige Seite 10a des Wafers 10 kontaktiert. Wenn ein Druck auf die Membran
170b aufgebracht wird, wird die Membran 170 ausgedehnt, um eine Last auf die
Rückseite 10a aufzubringen. Die Membran 170a ist in einen ersten und zweiten Raum
X1 und X2 aufgeteilt, wodurch abgedichtete Räume zusammen mit dem Zentrumshalter
186 und dem mittleren Halter 188 jeweils sichergestellt werden. Ein Vakuum und ein
Druck werden in Verbindung mit den abgedichteten ersten und zweiten Räumen X1 und
X2 unabhängig voneinander gesteuert. Der erste Raum X1 ist an einem Zentrum der
Membran 170b gelegen und der zweite Raum X2 ist so positioniert, daß er den ersten
Raum X1 umschließt. Eine Breite oder Weite des ersten Raumes X2 ist größer als
diejenige des zweiten Raumes X1.
Der Einspannring 190 ist in dem Träger 134 so installiert, daß er mit dem
mittleren Halter 188 co-linear verläuft, und ist an einer peripheren Seite des mittleren
Halters 188 positioniert. Der Einspannring 190 liefert eine dritte Kammer 136, die mit
dem dritten Gasgate 134c zusammen mit der Innenseite und dem Zentrum des Trägers
134 und den mittleren Haltern kommuniziert. Auch der Einspannring 190 besitzt ein
Vakuumloch 192, um in direkter Weise den Wafer 10 durch Unterdruck zu absorbieren.
Die Filme 194, die zu dem Zweck vorgesehen sind, zu verhindern, daß der Einspannring
190 den Wafer 10 verkratzt, sind um eine Bodenseite des Einspannringes 190 herum
angebracht, wo ein Vakuumloch 192 ausgebildet ist. Die Filme 194 werden als ein
Waferfixier-/-freigabemedium verwendet und sind dafür ausgelegt, um eine starke Last
auf einen Waferrandabschnitt aufzubringen. Obwohl dies in den Zeichnungen nicht
gezeigt ist, kann eine Membran den Einspannring 190 bedecken, der nach oben und
nach unten bewegbar ist.
Die Einrichtung, um den Einspannring zu bewegen, ist zwischen dem Träger 134
und dem Einspannring 190 installiert und besitzt ein elastisches Teil 196, welches durch
einen Druck komprimiert und ausgedehnt wird, der von außen her (dem vierten Gasgate
134d) vorgesehen wird, um eine nach unten verlaufende Last auf den Einspannring
während des Poliervorganges aufzubringen. Ferner wird das elastische Teil 196 zum
Schrumpfen und zum Expandieren gebracht, was durch einen Druck erfolgt, der über
das vierte Gasgate 134d geliefert wird, um dadurch während des
Wafereinspannvorganges als vollständige Puffereinrichtung zu dienen.
Obwohl eine Membran an einem Zentrumshalter und einem mittleren Halter
installiert ist, um gemäß dieser Ausführungsform zwei Räume vorzusehen, kann auch
eine Membran für jeden Halter installiert sein, um eine Vielzahl an Räumen zu
erzeugen. Andererseits können eine Vielzahl an Membranen an einem Halter installiert
sein, um eine Vielzahl an Membranen zu erreichen. Unzweifelhaft können Gasgates
(Ventilsteuereinrichtungen) für eine unabhängige Steuerung eines Druckes mit jedem
der Räume in Strömungsverbindung stehen.
Wie oben beschrieben ist, umfaßt ein Polierkopf gemäß dieser Ausführungsform
einen Spezialeinspannring, um einen Wafer direkt durch ein Vakuum oder Unterdruck
zu absorbieren bzw. anzuziehen, wobei der Einspannring nach oben und nach unten
bewegt werden kann, um direkt eine Last auf einen Waferrandbereich aufzubringen.
Wie in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde, umfaßt
eine Waferpolierprozedur in dem CMP-Gerät gemäß der zweiten Ausführungsform die
folgenden Schritte: Einladen eines Wafers 10, der durch ein Vakuum an einen
Polierkopf 130b absorbiert bzw. angezogen wird, auf ein Polierkissen 112 eines
Drehtisches, Aufbringen eines Druckes auf eine Membran 170b, um eine
Polieroberfläche (zweite Oberfläche) eines Wafers 10 zu polieren,
Vakuumdrehabsorbieren des polierten Wafers 10 an den Polierkopf 130b und Entladen
des vakuum-reabsorbierten Wafers 10 von dem Polierkissen des Drehtisches.
Fig. 11 veranschaulicht die Polierschritte, gemäß denen ein unabhängig
steuerbarer Druck in den ersten und zweiten Räumen X1 und X2 und einem elastischen
Teil 196 über Gasgates 134a, 134b und 134d eines Trägers 134 aufgebracht bzw.
eingebracht wird. Der Druck, der für den ersten Raum X1 einer Membran über das erste
Gasgate 134a vorgesehen wird, liefert eine Last an einen zentralen Raum 21 eines
Wafers. Der Druck, der auf das elastische Teil 196 über das vierte Gasgate 134d
aufgebracht wird, expandiert das elastische Teil 196. Ein Einspannring 190, der durch
das expandierte elastische Teil 196 nach unten bewegt wird, liefert eine große Last für
einen Waferrandabschnitt Z3. Es wird Polierschlamm durch die einen Schlamm
liefernde Einrichtung zugeführt und dann werden ein Polierkopf 130b und ein Drehtisch
114 einander gegenüberliegend umgekehrt, um eine Waferpolieroberfläche zu polieren.
Der für jedes Gasgate vorgesehene Druck wird so gesteuert, um in einfacher Weise eine
Last einzustellen, die auf jeden der Räume Z1, Z2 und Z3 aufgebracht wird.
Bei dieser Ausführungsform wird ein Druck, der für die Gasgates 134a, 134b,
134c und 134d eines Trägers 134 geliefert wird, so gesteuert, um in einfacher Weise
eine Last einzustellen, die auf örtliche Abschnitte (Zentralabschnitt, mittlerer Abschnitt
und Randabschnitt) eines Wafers aufgebracht wird. Es ist daher möglich, in präziserer
Weise die Poliergeschwindigkeit der örtlichen Abschnitte des Wafers zu steuern.
Beispielsweise kann ein Polierkopf eines CMP-Gerätes gemäß der zweiten
Ausführungsform auf eine Membran hin geändert werden, um einen Halter und einen
Raum und einen Polierkopf 130c mit einem Einspannring, der sich nach oben und nach
unten bewegt, zu erreichen.
Der Polierkopf 130b ist identisch dem Polierkopf 130 mit der Ausnahme der
vorangegangen erläuterten charakteristischen Konstruktion und Betriebsweise des
Polierkopfes 130b, so daß eine detaillierte Beschreibung desselben hier übersprungen
wird.
Während ein der Veranschaulichung dienendes Beispiel der vorliegenden
Erfindung gezeigt und beschrieben wurde, sind zahlreiche Abwandlungen und
alternative Ausführungsformen für einen Fachmann offensichtlich, ohne dadurch den
Rahmen der Erfindung zu verlassen. Es ist demzufolge beabsichtigt, daß die vorliegende
Erfindung nicht nur auf die spezifische beschriebene und veranschaulichte
Ausführungsform beschränkt ist. Es sind vielfältige Abwandlungen möglich, ohne dabei
den Rahmen der Erfindung, wie er durch die anhängenden Ansprüche definiert ist, zu
verlassen.
Claims (25)
1. Vorrichtung zum Polieren eines Wafers, mit:
einem Halterungsteil, an dem ein Polierkissen an dessen oberer Seite montiert ist; und
einem Polierkopf, der aus einem Träger und einer Membran zusammengesetzt ist, wobei der Polierkopf an dem Polierkissen des Halters positioniert ist, wobei das Polierkissen folgendes enthält:
einen Halter, der einen abgedichteten Raum zusammen mit der Membran bildet, wobei der Halter an einem internen Zentrum des Trägers installiert ist;
einen Einspannring, um den Wafer durch ein Vakuum oder Unterdruck einzu spannen, wobei der Einspannring zwischen dem Träger und dem Halter positio niert ist; und
eine Einrichtung zum Aufwärts- und Abwärtsbewegen des Einspannringes.
einem Halterungsteil, an dem ein Polierkissen an dessen oberer Seite montiert ist; und
einem Polierkopf, der aus einem Träger und einer Membran zusammengesetzt ist, wobei der Polierkopf an dem Polierkissen des Halters positioniert ist, wobei das Polierkissen folgendes enthält:
einen Halter, der einen abgedichteten Raum zusammen mit der Membran bildet, wobei der Halter an einem internen Zentrum des Trägers installiert ist;
einen Einspannring, um den Wafer durch ein Vakuum oder Unterdruck einzu spannen, wobei der Einspannring zwischen dem Träger und dem Halter positio niert ist; und
eine Einrichtung zum Aufwärts- und Abwärtsbewegen des Einspannringes.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Bewegungseinrichtung zwischen dem
Träger und dem Einspannring installiert ist und ein elastisches Teil enthält, wel
ches durch einen extern aufgebrachten Druck expandiert, um den Einspannring
aufwärts und abwärts zu bewegen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Einspannring mit der Membran be
deckt ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Membran in einen ersten und einen
zweiten Raum aufgeteilt ist, von denen jeder abgedichtete Räume sichert, und
zwar zusammen mit dem Träger, und bei der das Vakuum oder der Unterdruck
und der Druck unabhängig voneinander in Verbindung mit dem ersten und dem
zweiten Raum gesteuert werden.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der der erste Raum an einem Zentrum der
Membran positioniert ist und bei der der zweite Raum so positioniert ist, daß er
den ersten Raum umschließt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der der erste Raum in der Weite oder Breite
kleiner ist als der zweite Raum.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Membran ein Unterdruckloch auf
weist, um einen Wafer einzuspannen/freizugeben, und eine Trennwand aufweist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der das Unterdruckloch an dem ersten Raum
der Membran ausgebildet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der das Unterdruckloch an dem zweiten Raum
der Membran ausgebildet ist.
10. Vorrichtung zum Polieren eines Wafers, mit:
einem Halterungsteil, an dem ein Polierkissen an einer oberen Seite desselben montiert ist; und
bei der das Polierkissen aus einem Träger und dem ersten und dem zweiten Raum zusammengesetzt ist, wobei das Polierkissen einen Polierkopf enthält, der an dem Polierkissen des Halterungsteiles positioniert ist,
wobei der Polierkopf einen Halter aufweist, der an einem internen Zentrum des Trägers installiert ist, um eine erste Kammer vorzusehen, und wobei ein Ein spannring in dem Träger derart installiert ist, daß dieser co-linear mit dem Halter verläuft, um eine zweite Kammer zu bilden; und
bei der die Membran den Halter und den Einspannring zur Trennung derselben bedeckt.
einem Halterungsteil, an dem ein Polierkissen an einer oberen Seite desselben montiert ist; und
bei der das Polierkissen aus einem Träger und dem ersten und dem zweiten Raum zusammengesetzt ist, wobei das Polierkissen einen Polierkopf enthält, der an dem Polierkissen des Halterungsteiles positioniert ist,
wobei der Polierkopf einen Halter aufweist, der an einem internen Zentrum des Trägers installiert ist, um eine erste Kammer vorzusehen, und wobei ein Ein spannring in dem Träger derart installiert ist, daß dieser co-linear mit dem Halter verläuft, um eine zweite Kammer zu bilden; und
bei der die Membran den Halter und den Einspannring zur Trennung derselben bedeckt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der eine getrennte Gaseinström
/-ausströmleitung an die erste und die zweite Kammer angeschlossen ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der der Halter erste Löcher aufweist, um die
erste Kammer mit dem ersten Raum zu verbinden, und bei der der Einspannring
zweite Löcher aufweist, um die zweite Kammer mit dem zweiten Raum zu ver
binden.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, bei der die Membran Unterdrucklöcher aufweist,
um einen Wafer einzuspannen/freizugeben, wobei die Unterdrucklöcher den
zweiten Löchern des Einspannringes entsprechen.
14. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der der erste Raum ringförmig an einem
Zentrum der Membran positioniert ist und bei der der zweite Raum so positio
niert ist, daß er den ersten Raum überdeckt.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der ein zentraler Raum an einem mittleren
Abschnitt des ringförmigen ersten Raumes gebildet ist und bei der ein Vakuum
bzw. Unterdruck und ein Druck für den zentralen Raum gesteuert werden, und
zwar unabhängig von dem ersten und von dem zweiten Raum.
16. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der die Membran, die in den ersten und den
zweiten Raum aufgeteilt ist, ringförmig ist.
17. Verfahren zum Polieren eines Wafers, mit den folgenden Schritten:
durch Unterdruck absorbieren eines Wafers über ein Unterdruckloch einer Mem bran, die unter einem Polierkopf positioniert ist;
in Lage bringen des durch Unterdruck absorbierten Wafers in bezug auf die Membran an einem Polierkissen;
Injizieren eines Gases in erste und zweite Gasgates eines Trägers, um den ersten und den zweiten Raum der Membran zu expandieren, die unter dem Polierkopf gelegen sind, wobei ein erster und ein zweiter Druck auf den Wafer aufgebracht werden; und
in Drehung versetzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
durch Unterdruck absorbieren eines Wafers über ein Unterdruckloch einer Mem bran, die unter einem Polierkopf positioniert ist;
in Lage bringen des durch Unterdruck absorbierten Wafers in bezug auf die Membran an einem Polierkissen;
Injizieren eines Gases in erste und zweite Gasgates eines Trägers, um den ersten und den zweiten Raum der Membran zu expandieren, die unter dem Polierkopf gelegen sind, wobei ein erster und ein zweiter Druck auf den Wafer aufgebracht werden; und
in Drehung versetzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem das Gas unabhängig in das erste und das
zweite Gasgate injiziert wird, um Druck unabhängig dem ersten und dem zwei
ten Raum der Membran zuzuführen.
19. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der Polierkopf aus einem Druckverteiler,
einem Träger, einer Halterung und einer Membran zusammengesetzt ist.
20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem der Träger konkav ausgeführt ist und der
Halter an einem konkaven Inneren des Trägers stationiert ist und erste und
zweite Kammern aufweist und eine Vielzahl von Löchern, um ein Gas unabhän
gig zu dem ersten und zu dem zweiten Raum in einheitlicher Form hin zu über
tragen, wobei auf die Membran ein einheitlicher Druck ausgeübt wird.
21. Verfahren zum Polieren eines Wafers, mit den folgenden Schritten:
Bilden eines Vakuums bzw. Unterdruckes über einen Einspannring, der unter ei nem Polierkopf positioniert ist und mit einem ersten Gasgate in dem Polierkopf kommuniziert, um den Wafer an einem Polierkissen zu positionieren;
Injizieren eines Gases in das erste und das zweite Gasgate, um den ersten und den zweiten Raum einer Membran zu expandieren, die unter dem Polierkopf po sitioniert sind, so daß auf den Wafer ein erster und ein zweiter Druck aufge bracht wird; und
in Drehung versetzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
Bilden eines Vakuums bzw. Unterdruckes über einen Einspannring, der unter ei nem Polierkopf positioniert ist und mit einem ersten Gasgate in dem Polierkopf kommuniziert, um den Wafer an einem Polierkissen zu positionieren;
Injizieren eines Gases in das erste und das zweite Gasgate, um den ersten und den zweiten Raum einer Membran zu expandieren, die unter dem Polierkopf po sitioniert sind, so daß auf den Wafer ein erster und ein zweiter Druck aufge bracht wird; und
in Drehung versetzen des Polierkopfes, um den Wafer zu polieren.
22. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem die Membran an einem zentralen Ab
schnitt des Polierkopfes positioniert ist und bei dem der Einspannring an einem
Außenbereich der Membran gelegen ist.
23. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem der Einspannring nach unten bewegt wird,
um auf einen Rand des Wafers eine Last aufzubringen, und zwar in dem Schritt
gemäß dem Aufbringen von Druck auf den Wafer.
24. Verfahren nach Anspruch 23, bei dem der Einspannring nach oben und nach
unten mit Hilfe eines Druckes bewegt wird, der auf ein elastisches Teil aufge
bracht wird, welches zwischen dem Träger und dem Einspannring positioniert
ist.
25. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem der Einspannring mit der Membran be
deckt ist.
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