DE102021133812A1 - Mikroelektronische strukturen einschliesslich brücken - Google Patents

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conductive contact
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conductive
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Omkar G. Karhade
Edvin Cetegen
Anurag TRIPATHI
Nitin A. Deshpande
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
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    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
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    • H01L23/5383—Multilayer substrates
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    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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Abstract

Hier werden mikroelektronische Strukturen einschließlich Brücken sowie zugehörige Baugruppen und Verfahren offenbart. Bei manchen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Struktur ein Substrat und eine Brücke beinhalten.

Description

  • Hintergrund
  • Bei herkömmlichen Mikroelektronikgehäusen kann ein Die durch Lot an einem organischen Gehäusesubstrat angebracht sein. Ein solches Gehäuse kann zum Beispiel in der erreichbaren Zwischenverbindungsdichte zwischen dem Gehäusesubstrat und dem Die, der erreichbaren Signaltransfergeschwindigkeit und der erreichbaren Miniaturisierung begrenzt sein.
  • Figurenliste
  • Ausführungsformen werden anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen leicht verstanden. Um diese Beschreibung zu erleichtern, bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Strukturelemente. Ausführungsformen sind in den Figuren der begleitenden Zeichnungen beispielhaft und nicht einschränkend veranschaulicht.
    • 1 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 2 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Baugruppe einschließlich der mikroelektronischen Struktur aus 1 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 3-10 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe aus 2 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 11 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 12 ist eine Seitenquerschnitts-Explosionsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Baugruppe gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 13-14 sind Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 15-23 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe aus 13 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 24-25 sind Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 26-33 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe aus 25 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 34-35 sind Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 36 ist eine Draufsicht von Schleifmarken in Lot mit einer geschliffenen Oberfläche gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 37-41 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe aus 35 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 42-44 sind Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 45-52 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe aus 44 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 53 ist eine Seitenquerschnitts-Explosionsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Baugruppe gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
    • 54 ist eine Draufsicht eines Wafers und von Dies, die in einer mikroelektronischen Struktur oder einer mikroelektronischen Baugruppe enthalten sein können, gemäß einer beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen.
    • 55 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer Integrierte-Schaltung(IC)-Vorrichtung, die in einer mikroelektronischen Struktur oder einer mikroelektronischen Baugruppe enthalten sein kann, gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen.
    • 56 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtungsbaugruppe, die eine mikroelektronische Struktur oder mikroelektronische Baugruppe gemäß einer beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann.
    • 57 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften elektrischen Vorrichtung, die eine mikroelektronische Struktur oder eine mikroelektronische Baugruppe gemäß einer beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Hier werden mikroelektronische Strukturen einschließlich Brücken sowie zugehörige Baugruppen und Verfahren offenbart. Bei manchen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Struktur ein Substrat und eine Brücke in einem Hohlraum des Substrats beinhalten. Mikroelektronische Komponenten können sowohl mit dem Substrat als auch mit der Brücke gekoppelt sein.
  • Um eine hohe Zwischenverbindungsdichte in einem Mikroelektronikgehäuse zu erreichen, erfordern manche herkömmlichen Ansätze teure Herstellungsvorgänge, wie etwa eine Via-Bildung mit feinem Rastermaß und eine Zwischenverbindungsplattierung der ersten Ebene in Substratschichten über einer eingebetteten Brücke, die auf Panelebene durchgeführt werden. Die hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen und Baugruppen können Zwischenverbindungsdichten, die so hoch wie oder höher als herkömmliche Ansätze sind, ohne die Kosten herkömmlicher kostspieliger Herstellungsvorgänge erreichen. Ferner bieten die hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen und Baugruppen Elektronikdesignern und -herstellern neue Flexibilität, was ihnen gestattet, eine Architektur auszuwählen, die ihre Vorrichtungsziele ohne übermäßige Kosten oder Herstellungskomplexität erreicht.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden, wobei gleiche Bezugsziffern durchgehend gleiche Teile bezeichnen, und in denen zur Veranschaulichung Ausführungsformen gezeigt sind, die praktisch ausgeführt werden können. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen genutzt werden können und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher ist die folgende ausführliche Beschreibung nicht in einem beschränkenden Sinn zu verstehen.
  • Verschiedene Vorgänge können als mehrere diskrete Aktionen oder Vorgänge der Reihe nach auf eine Weise beschrieben werden, die beim Verständnis des beanspruchten Gegenstands am hilfreichsten ist. Die Reihenfolge der Beschreibung sollte jedoch nicht so ausgelegt werden, dass impliziert wird, dass diese Vorgänge notwendigerweise abhängig von der Reihenfolge sind. Insbesondere werden diese Vorgänge möglicherweise nicht in der Reihenfolge der Darstellung durchgeführt. Beschriebene Vorgänge können in einer von der beschriebenen Ausführungsform verschiedenen Reihenfolge durchgeführt werden. Verschiedene zusätzliche Vorgänge können durchgeführt werden, und/oder beschriebene Vorgänge können in zusätzlichen Ausführungsformen weggelassen werden.
  • Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „A und/oder B“ (A), (B) oder (A und B). Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „A, B und/oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C) oder (A, B und C). Die Formulierung „A oder B“ bedeutet (A), (B) oder (A und B). Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Obgleich viele der Zeichnungen geradlinige Strukturen mit flachen Wänden und rechtwinkligen Ecken veranschaulichen, dient dies lediglich der Vereinfachung der Veranschaulichung, und tatsächliche Vorrichtungen, die unter Verwendung dieser Techniken gefertigt werden, werden abgerundete Ecken, Oberflächenrauigkeit und andere Merkmale aufweisen.
  • Die Beschreibung verwendet die Formulierungen „bei einer Ausführungsform“ oder„bei Ausführungsformen“, die sich jeweils auf eine oder mehrere der gleichen oder unterschiedlicher Ausführungsformen beziehen können. Des Weiteren sind die Begriffe „umfassend“, „beinhaltend“, „aufweisend“ und dergleichen, wie sie mit Bezug auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, synonym. Wenn er verwendet wird, um einen Bereich von Abmessungen zu beschreiben, stellt der Ausdruck „zwischen X und Y“ einen Bereich dar, der X und Y beinhaltet.
  • 1 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer beispielhaften mikroelektronischen Struktur 100. Die mikroelektronische Struktur 100 kann ein Substrat 102 und eine Brückenkomponente 110 in einem Hohlraum 120 auf einer „oberen“ Fläche des Substrats 102 beinhalten. Das Substrat 102 kann ein dielektrisches Material 112 und ein leitfähiges Material 108 beinhalten, wobei das leitfähige Material 108 in dem dielektrischen Material 112 (z. B. in Leitungen und Vias, wie gezeigt) angeordnet ist, um leitfähige Pfade durch das Substrat 102 bereitzustellen. Bei manchen Ausführungsformen kann das dielektrische Material 112 ein organisches Material, wie etwa einen organischen Aufbaufilm, beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann das dielektrische Material 112 zum Beispiel eine Keramik, einen Epoxidfilm mit Füllstoffteilchen darin, Glas, ein anorganisches Material oder Kombinationen von organischen und anorganischen Materialien beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann das leitfähige Material 108 ein Metall (z. B. Kupfer) beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann das Substrat 102 Schichten aus dielektrischem Material 112/leitfähigem Material 108 beinhalten, wobei Leitungen aus leitfähigem Material 108 in einer Schicht durch Vias aus dem leitfähigen Material 108 elektrisch mit Leitungen aus leitfähigem Material 108 in einer angrenzenden Schicht gekoppelt sind. Ein Substrat 102, das solche Schichten beinhaltet, kann zum Beispiel unter Verwendung einer Leiterplatten(PCB: Printed Circuit Board)-Fertigungstechnik gebildet werden. Ein Substrat 102 kann N solche Schichten beinhalten, wobei N eine ganze Zahl größer als oder gleich eins ist; in den begleitenden Zeichnungen sind die Schichten in absteigender Reihenfolge von der Fläche des Substrats 102, die dem Hohlraum 120 am nächsten ist, bezeichnet (z. B. Schicht N, Schicht N-1, Schicht N-2 usw.). Obwohl eine spezielle Anzahl und Anordnung von Schichten aus dielektrischem Material 112/leitfähigem Material 108 in verschiedenen der begleitenden Figuren gezeigt sind, sind diese speziellen Anzahlen und Anordnungen einfach veranschaulichend, und eine beliebige gewünschte Anzahl und Anordnung von dielektrischem Material 112/leitfähigem Material 108 können verwendet werden. Obwohl zum Beispiel 1 und andere der begleitenden Zeichnungen das leitfähige Material 108 in der Schicht N-1 unter der Brückenkomponente 110 nicht veranschaulichen, kann das leitfähige Material 108 in der Schicht N-1 unter der Brückenkomponente 110 vorhanden sein. Obwohl eine spezielle Anzahl von Schichten in dem Substrat 102 gezeigt ist (z. B. fünf Schichten), können diese Schichten ferner möglicherweise nur einen Teil des Substrats 102 darstellen, und weitere Schichten können vorhanden sein (z. B. die Schichten N-5, N-6 usw.).
  • Wie oben angemerkt, kann eine mikroelektronische Struktur 100 einen Hohlraum 120 auf der „oberen“ Fläche des Substrats 102 beinhalten. Bei derAusführungsform aus 1 erstreckt sich der Hohlraum 120 durch ein Oberflächenisolationsmaterial 104 auf der „oberen“ Fläche, und die Unterseite des Hohlraums ist durch das „oberste“ dielektrische Material 112 bereitgestellt. Das Oberflächenisolationsmaterial 104 kann einen Lötstopplack und/oder andere dielektrische Materialien beinhalten, die eine elektrische Oberflächen isolation bereitstellen können und gegebenenfalls mit lotbasierten oder nicht lotbasierten Zwischenverbindungen kompatibel sein können. Bei anderen Ausführungsformen kann sich ein Hohlraum 120 in einem Substrat 102 in das dielektrische Material 112 erstrecken, wie weiter unten erörtert wird. Der Hohlraum 120 kann eine sich verjüngende Form aufweisen, wie in 1 gezeigt, die zum Boden des Hohlraums 120 hin schmäler wird. Das Substrat 102 kann leitfähige Kontakte 114 auf der„oberen“ Fläche beinhalten, die mit leitfähigen Pfaden, die vom leitfähigen Material 108 durch das dielektrische Material 112 gebildet sind, gekoppelt sind, was Komponenten gestattet, die mit den leitfähigen Kontakten 114 (in 1 nicht gezeigt, aber unten unter Bezugnahme auf 2 erörtert), mit einer Schaltungsanordnung innerhalb des Substrats 102 und/oder mit anderen Komponenten, die elektrisch mit dem Substrat 102 gekoppelt sind, gekoppelt sind. Die leitfähigen Kontakte 114 können eine Oberflächendeckschicht 116 beinhalten, die das darunterliegende Material des leitfähigen Kontakts vor Korrosion schützen kann. Bei manchen Ausführungsformen kann die Oberflächendeckschicht 116 Nickel, Palladium, Gold oder eine Kombination davon beinhalten. Die leitfähigen Kontakte 114 können sich auf der „oberen“ Fläche und außerhalb des Hohlraums 120 befinden; wie gezeigt, kann das Oberflächenisolationsmaterial 104 Öffnungen beinhalten, an deren Unterseite die Oberflächendeckschichten 116 der leitfähigen Kontakte 114 freiliegen. Beliebige der hier offenbarten leitfähigen Kontakte können eine Oberflächendeckschicht 116 beinhalten, unabhängig davon, ob eine solche Oberflächendeckschicht 116 ausdrücklich veranschaulicht ist oder nicht. In 1 kann das Lot 106 (z. B. eine Lötkugel) in den Öffnungen und in leitfähigem Kontakt mit den leitfähigen Kontakten 114 angeordnet sein. Wie in 1 und anderen der begleitenden Zeichnungen gezeigt, können sich diese Öffnungen in dem Oberflächenisolationsmaterial 104 verjüngen, wobei sie zu den leitfähigen Kontakten 114 hin schmäler werden. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 114 Zwischenverbindungen der ersten Ebene sein, während bei anderen Ausführungsformen lotfreie Zwischenverbindungen der ersten Ebene verwendet werden können, um die leitfähigen Kontakte 114 elektrisch mit einer anderen Komponente zu koppeln. Wie hier verwendet, kann sich ein „leitfähiger Kontakt“ auf einen Teil eines leitfähigen Materials (z. B. eines oder mehrerer Metalle) beziehen, der als Teil einer Grenzfläche zwischen unterschiedlichen Komponenten dient; obwohl manche der hier erörterten leitfähigen Kontakte auf eine spezielle Weise in verschiedenen der begleitenden Zeichnungen veranschaulicht sind, können beliebige leitfähige Kontakte in einer Oberfläche einer Komponente vertieft, bündig damit sein oder sich von dieser weg erstrecken und können eine beliebige geeignete Form annehmen (z. B. ein leitfähiges Pad oder ein Sockel).
  • Eine Brückenkomponente 110 kann in dem Hohlraum 120 angeordnet sein und kann mit dem Substrat 102 gekoppelt sein. Diese Kopplung kann elektrische Zwischenverbindungen beinhalten oder kann keine elektrischen Zwischenverbindungen beinhalten; bei der Ausführungsform aus 1 ist die Brückenkomponente 110 mechanisch mit dem dielektrischen Material 112 des Substrats 102 durch einen Klebstoff 122 (z. B. einen Die-Attach-Film (DAF)) zwischen der „unteren“ Fläche der Brückenkomponente 110 und dem Substrat 102 gekoppelt, während andere Arten von Kopplungen hier an anderer Stelle beschrieben sind. Die Brückenkomponente 110 kann leitfähige Kontakte 118 auf ihrer „oberen“ Fläche beinhalten; wie unten unter Bezugnahme auf 2 erörtert, können diese leitfähigen Kontakte 118 verwendet werden, um die Brückenkomponente 110 elektrisch mit einer oder mehreren anderen mikroelektronischen Komponenten zu koppeln. Die Brückenkomponente 110 kann leitfähige Pfade (z. B. einschließlich Leitungen und Vias, wie unten unter Bezugnahme auf 55 erörtert) zu den leitfähigen Kontakten 118 (und/oder zu einer anderen Schaltungsanordnung, die in der Brückenkomponente 110 enthalten ist, und/oder zu anderen leitfähigen Kontakten der Brückenkomponente 110, wie unten erörtert) beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann die Brückenkomponente 110 ein Halbleitermaterial (z. B. Silicium) beinhalten; zum Beispiel kann die Brückenkomponente 110 ein Die 1502 sein, wie unten unter Bezugnahme auf 54 erörtert, und kann eine Integrierte-Schaltung(IC: Integrated Circuit)-Vorrichtung 1600 beinhalten, wie unten unter Bezugnahme auf 55 erörtert. Bei manchen Ausführungsformen kann die Brückenkomponente 110 insofern eine „aktive“ Komponente sein, als sie eine oder mehrere aktive Vorrichtungen (z. B. Transistoren) enthalten kann, während bei anderen Ausführungsformen die Brückenkomponente 110 insofern eine „passive“ Komponente sein kann, als sie nicht eine oder mehrere aktive Vorrichtungen enthält. Die Brückenkomponente 110 kann so hergestellt werden, dass eine größere Zwischenverbindungsdichte als bei dem Substrat 102 ermöglicht wird. Folglich kann das Rastermaß 202 der leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 kleiner als das Rastermaß 198 der leitfähigen Kontakte 114 des Substrats 102 sein. Wenn mehrere mikroelektronische Komponenten mit der Brückenkomponente 110 gekoppelt sind (wie z. B. unten unter Bezugnahme auf 2 erörtert), können diese mikroelektronischen Komponenten die elektrischen Pfade durch die Brückenkomponente 110 verwenden (und können eine andere Schaltungsanordnung innerhalb der Brückenkomponente 110 verwenden, falls vorhanden), um zwischen ihnen eine Zwischenverbindung mit höherer Dichte relativ zu Zwischenverbindungen, die über die leitfähigen Kontakte 114 des Substrats 102 vorgenommen werden, zu erreichen.
  • Die Abmessungen der Elemente einer mikroelektronischen Struktur 100 können beliebige geeignete Werte annehmen. Zum Beispiel kann bei manchen Ausführungsformen die Dicke 138 der Metallleitungen der leitfähigen Kontakte 114 zwischen 5 Mikrometer und 25 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann die Dicke 128 der Oberflächendeckschicht 116 zwischen 5 Mikrometer und 10 Mikrometer betragen (z. B. 7 Mikrometer Nickel und weniger als 100 Nanometer sowohl von Palladium als auch von Gold). Bei manchen Ausführungsformen kann die Dicke 142 des Klebstoffs 122 zwischen 2 Mikrometer und 10 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann das Rastermaß 202 der leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 weniger als 70 Mikrometer betragen (z. B. zwischen 25 Mikrometer und 70 Mikrometer, zwischen 25 Mikrometer und 65 Mikrometer, zwischen 40 Mikrometer und 70 Mikrometer oder weniger als 65 Mikrometer). Bei manchen Ausführungsformen kann das Rastermaß 198 der leitfähigen Kontakte 114 größer als 70 Mikrometer sein (z. B. zwischen 90 Mikrometer und 150 Mikrometer). Bei manchen Ausführungsformen kann die Dicke 126 des Oberflächenisolationsmaterials 104 zwischen 25 Mikrometer und 50 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann die Höhe 124 des Lots 106 oberhalb des Oberflächenisolationsmaterials 104 zwischen 25 Mikrometer und 50 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann die Dicke 140 der Brückenkomponente 110 zwischen 30 Mikrometer und 200 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Struktur 100 eine Grundfläche aufweisen, die weniger als 100 Quadratmillimeter beträgt (z. B. zwischen 4 Quadratmillimeter und 80 Quadratmillimeter).
  • Eine mikroelektronische Struktur 100, wie jene aus 1 und anderen der begleitenden Zeichnungen, kann in einer größeren mikroelektronischen Baugruppe enthalten sein. 2 veranschaulicht ein Beispiel für eine solche mikroelektronische Baugruppe 150, die eine oder mehrere mikroelektronische Komponenten 130 mit leitfähigen Kontakten 134, die mit den leitfähigen Kontakten 118 der Brückenkomponente 110 gekoppelt sind (z. B. durch Lot 106 oder eine andere Zwischenverbindungsstruktur), und leitfähigen Kontakten 132, die mit den leitfähigen Kontakten 114 des Substrats 102 gekoppelt sind (z. B. durch Lot 106 oder eine andere Zwischenverbindungsstruktur, wie oben erörtert), beinhalten kann. 2 veranschaulicht zwei mikroelektronische Komponenten 130 (die mikroelektronischen Komponenten 130-1 und 130-2), aber eine mikroelektronische Baugruppe 150 kann mehr oderweniger mikroelektronische Komponenten 130 beinhalten. Obwohl 2 die mikroelektronischen Komponenten 130-1/130-2 als im Wesentlichen die nahe Oberfläche der mikroelektronischen Struktur 100 „bedeckend“ abbildet, ist dies einfach eine Veranschaulichung und muss nicht der Fall sein. Obwohl ferner die 1 und 2 (und andere der begleitenden Zeichnungen) mikroelektronische Strukturen 100/mikroelektronische Baugruppen 150 abbilden, die eine einzige Brückenkomponente 110 in einem Substrat 102 beinhalten, dientdies lediglich der Vereinfachung der Veranschaulichung, und eine mikroelektronische Struktur 100/mikroelektronische Baugruppe 150 kann mehrere Brückenkomponenten 110 in einem Substrat 102 beinhalten.
  • Die mikroelektronischen Komponenten 130 können leitfähige Pfade (z. B. einschließlich Leitungen und Vias, wie unten unter Bezugnahme auf 55 erörtert) zu den leitfähigen Kontakten 132/134 beinhalten (und/oder zu einer anderen Schaltungsanordnung, die in der mikroelektronischen Komponente 130 enthalten ist, und/oder zu anderen leitfähigen Kontakten der mikroelektronischen Komponente 130, die nicht gezeigt sind). Bei manchen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Komponente 130 ein Halbleitermaterial (z. B. Silicium) beinhalten; zum Beispiel kann eine mikroelektronische Komponente 130 ein Die 1502 sein, wie unten unter Bezugnahme auf 54 erörtert, und kann eine IC-Vorrichtung 1600 beinhalten, wie unten unter Bezugnahme auf 55 erörtert. Bei manchen Ausführungsformen kann die mikroelektronische Komponente 130 insofern eine „aktive“ Komponente sein, als sie eine oder mehrere aktive Vorrichtungen (z. B. Transistoren) enthalten kann, während bei anderen Ausführungsformen die mikroelektronische Komponente 130 insofern eine „passive“ Komponente sein kann, als sie nicht eine oder mehrere aktive Vorrichtungen enthält. Bei manchen Ausführungsformen kann zum Beispiel eine mikroelektronische Komponente 130 ein Logik-Die sein. Allgemeiner können die mikroelektronischen Komponenten 130 eine Schaltungsanordnung zum Durchführen einer beliebigen gewünschten Funktionalität beinhalten. Zum Beispiel können eine oder mehrere der mikroelektronischen Komponenten 130 Logik-Dies sein (z. B. siliciumbasierte Dies), und eine oder mehrere der mikroelektronischen Komponenten 130 können Speicher-Dies sein (z. B. Speicher mit hoher Bandbreite). Wie oben unter Bezugnahme auf 1 erörtert, können, wenn mehrere mikroelektronische Komponenten 130 mit der Brückenkomponente 110 gekoppelt sind (wie z. B. in 2 gezeigt), diese mikroelektronischen Komponenten 130 die elektrischen Pfade durch die Brückenkomponente 110 verwenden (und können eine andere Schaltungsanordnung innerhalb der Brückenkomponente 110 verwenden, falls vorhanden), um zwischen ihnen eine Zwischenverbindung mit höherer Dichte relativ zu Zwischenverbindungen, die über die leitfähigen Kontakte 114 des Substrats 102 vorgenommen werden, zu erreichen.
  • Wie hier verwendet, kann sich ein „leitfähiger Kontakt“ auf einen Teil eines leitfähigen Materials (z. B. Metalls) beziehen, der als eine Grenzfläche zwischen unterschiedlichen Komponenten dient; leitfähige Kontakte können in einer Oberfläche einer Komponente vertieft, bündig mit dieser sein oder sich von dieser weg erstrecken und können eine beliebige geeignete Form (z. B. ein leitfähiges Pad oder ein Sockel) annehmen.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann ein Vergussmaterial 144 zwischen der mikroelektronischen Struktur 100 und den mikroelektronischen Komponenten 130 angeordnet sein und kann sich auch zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und oberhalb der mikroelektronischen Komponenten 130 befinden (nicht gezeigt). Bei manchen Ausführungsformen kann das Vergussmaterial 144 mehrere unterschiedliche Typen von Vergussmaterialien beinhalten, einschließlich eines Unterfüllungsmaterials zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und der mikroelektronischen Struktur 100 und eines unterschiedlichen Materials, das oberhalb und auf Seitenflächen der mikroelektronischen Komponenten 130 angeordnet ist. Beispielhafte Materialien, die für das Vergussmaterial 144 verwendet werden können, beinhalten Epoxidmaterialien, wie geeignet.
  • Die mikroelektronische Baugruppe 150 veranschaulicht auch ein Oberflächenisolationsmaterial 104 auf der „unteren“ Fläche des Substrats 102 (gegenüber der „oberen“ Fläche) mit sich verjüngende Öffnungen in dem Oberflächenisolationsmaterial 104, auf dessen Unterseiten leitfähige Kontakte 206 angeordnet sind. Das Lot 106 kann in diesen Öffnungen in leitfähigem Kontakt mit den leitfähigen Kontakten 206 angeordnet sein. Die leitfähigen Kontakte 206 können auch eine Oberflächendeckschicht (nicht gezeigt) beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 206 Zwischenverbindungen der zweiten Ebene sein (z. B. Lötkugeln für eine Ball-Grid-Array-Anordnung), während bei anderen Ausführungsformen lotfreie Zwischenverbindungen der zweiten Ebene (z. B. eine Pin-Grid-Array-Anordnung oder eine Land-Grid-Array-Anordnung) verwendet werden können, um die leitfähigen Kontakte 206 elektrisch mit einer anderen Komponente zu koppeln. Die leitfähigen Kontakte 206/das Lot 106 (oder andere Zwischenverbindungen der zweiten Ebene) können verwendet werden, um das Substrat 102 mit einer anderen Komponente, wie etwa einer Leiterplatte (z. B. einer Hauptplatine), einem Interposer oder einem anderen IC-Gehäuse, zu koppeln, wie in der Technik bekannt und wie unten unter Bezugnahme auf 56 erörtert wird. Bei Ausführungsformen, bei denen die mikroelektronische Baugruppe 150 mehrere mikroelektronische Komponenten 130 beinhaltet, kann die mikroelektronische Baugruppe 150 als ein Multi-Chip-Gehäuse (MCP) bezeichnet werden. Eine mikroelektronische Baugruppe 150 kann zusätzliche Komponenten, wie etwa passive Komponenten (z. B. oberflächenmontierbare Widerstände, Kondensatoren und Induktivitäten, die auf der „oberen“ Fläche oder der „unteren“ Fläche des Substrats 102 angeordnet sind), aktive Komponenten oder andere Komponenten beinhalten.
  • 3-10 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 2 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Obwohl die Vorgänge des Prozesses aus den 3-10 (und die Prozesse anderer der begleitenden Zeichnungen, die unten erörtert werden) unter Bezugnahme auf spezielle Ausführungsformen der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100/mikroelektronischen Baugruppen 150 veranschaulicht sein können, kann das Verfahren verwendet werden, um beliebige geeignete mikroelektronische Strukturen 100/mikroelektronische Baugruppen 150 zu bilden. Die Vorgänge sind jeweils einmal und in einerspeziellen Reihenfolge in den 3-10 (und in den Figuren, die andere der hier offenbarten Herstellungsprozesse darstellen) veranschaulicht, aber die Vorgänge können nach Wunsch umgeordnet und/oder wiederholt werden (wobei z. B. unterschiedliche Vorgänge parallel durchgeführt werden, wenn mehrere mikroelektronische Strukturen 100/mikroelektronische Baugruppen 150 hergestellt werden).
  • 3 veranschaulicht eine Baugruppe, die ein vorläufiges Substrat 102 einschließlich eines dielektrischen Materials 112 und eines strukturierten leitfähigen Materials 108 beinhaltet. Die Baugruppe aus 3 kann unter Verwendung herkömmlicher Gehäusesubstratherstellungstechniken (z. B. Laminierung von Schichten des dielektrischen Materials 112 usw.) hergestellt werden und kann bis zu N-1 Schichten beinhalten.
  • 4 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Herstellen einer zusätzlichen N-ten Schicht für das vorläufige Substrat 102 aus 4. Die Baugruppe aus 4 beinhaltet das darunterliegende Metall der leitfähigen Kontakte 114. Die Baugruppe aus 4 kann unter Verwendung herkömmlicher Gehäusesubstratherstellungstechniken hergestellt werden.
  • 5 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bilden einer Schicht aus Oberflächenisolationsmaterial 104 auf der Baugruppe aus 4.
  • 6 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Strukturieren von Öffnungen in dem Oberflächenisolationsmaterial 104 der Baugruppe aus 5, um das darunterliegende Metall der leitfähigen Kontakte 114 freizulegen, dem Bilden der Oberflächendeckschicht 116 der leitfähigen Kontakte 114 und Bilden des Hohlraums 120. Bei manchen Ausführungsformen können die Öffnungen in dem Oberflächenisolationsmaterial 104 (einschließlich des Hohlraums 120) durch mechanische Strukturierung, Laserstrukturierung, Trockenätzstrukturierung oder lithographische Strukturierungstechniken gebildet werden.
  • 7 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Durchführen eines Reinigungsvorgangs an der Baugruppe aus 6 und Bilden des Lots 106 (z. B. von Mikrokugeln) auf den leitfähigen Kontakten 114.
  • 8 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Anbringen der Brückenkomponente 110 an dem freigelegten dielektrischen Material 112 des Hohlraums 120 der Baugruppe aus 7 unter Verwendung des Klebstoffs 122. Bei manchen Ausführungsformen kann der Klebstoff 122 eine DAF sein, und das Anbringen der Brückenkomponente 110 kann Durchführen eines Filmhärtungsvorgangs beinhalten. Die Baugruppe aus 8 kann die Form der mikroelektronische Struktur 100 aus 1 annehmen.
  • 9 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Anbringen der mikroelektronischen Komponenten 130 an der Baugruppe aus 8. Bei manchen Ausführungsformen kann dieses Anbringen einen Thermokompressionsbond(TCB)-Vorgang beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann zusätzliches Lot auf den leitfähigen Kontakten 118, den leitfähigen Kontakten 132 und/oder den leitfähigen Kontakten 134 vordem TCB-Vorgang bereitgestellt werden.
  • 10 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen des Vergussmaterials 144 für die Baugruppe aus 9. Wie oben angemerkt, kann das Vergussmaterial 144 aus 10 bei manchen Ausführungsformen mehrere unterschiedliche Materialien beinhalten (z. B. ein kapillares Unterfüllungsmaterial zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und der mikroelektronischen Struktur 100 und ein anderes Material über den mikroelektronischen Komponenten 130). Die Baugruppe aus 10 kann die Form der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 2 annehmen. Wie oben erörtert, kann das Vergussmaterial 144 ein Unterfüllungsmaterial beinhalten (z. B. ein kapillares Unterfüllungsmaterial).
  • Verschiedene der 3-53 veranschaulichen beispielhafte mikroelektronische Strukturen 100/mikroelektronische Baugruppen 150 mit verschiedenen Merkmalen. Die Merkmale dieser mikroelektronischen Strukturen 100/mikroelektronischen Baugruppen 150 können mit beliebigen anderen hier offenbarten Merkmalen wie geeignet kombiniert werden, um eine mikroelektronische Struktur 100/mikroelektronische Baugruppe 150 zu bilden. Zum Beispiel können beliebige der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 mit einer oder mehreren mikroelektronischen Komponenten 130 gekoppelt sein (wie z. B. oben unter Bezugnahme auf 2-10 erörtert), um eine mikroelektronische Baugruppe 150 zu bilden, und eine beliebige der hier offenbarten mikroelektronischen Baugruppen 150 kann separat von ihren konstituierenden mikroelektronischen Strukturen 100 hergestellt werden. Eine Reihe von Elementen aus 1 und 2 werden mit 3-53 geteilt; der Vereinfachung der Erörterung halber wird eine Beschreibung dieser Elemente nicht wiederholt, und diese Elemente können die Form einer beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen annehmen.
  • Eine mikroelektronische Struktur 100 kann einen Hohlraum 120 beinhalten, der sich durch ein Oberflächenisolationsmaterial 104 auf einer „oberen“ Fläche des Substrats 102 erstreckt (wie z. B. oben unter Bezugnahme auf 1 erörtert). Bei manchen Ausführungsformen kann das dielektrische Material 112 des Substrats 102 die Unterseite des Hohlraums 120 bereitstellen (wie z. B. oben unter Bezugnahme auf 1 erörtert), während bei anderen Ausführungsformen ein anderes Material eine Unterseite des Hohlraums 120 bereitstellen kann.
  • Obwohl verschiedene der Zeichnungen hier das Substrat 102 als ein kernloses Substrat (z. B. mit Vias, die sich alle in dergleichen Richtung verjüngen) veranschaulichen, können beliebige der hier offenbarten Substrate 102 Substrate 102 mit Kern sein. Zum Beispiel veranschaulicht 11 eine mikroelektronische Struktur 100 mit ähnlichen Merkmalen wie die mikroelektronische Struktur aus 1, aber mit einem Substrat 102, das einen Kern 178 aufweist (durch den sich nicht gezeigte leitfähige Pfade erstrecken können). Wie in 11 gezeigt, kann ein Substrat 102 mit Kern Vias beinhalten, die sich zu dem Kern 178 hin verjüngen (und sich dementsprechend in entgegengesetzten Richtungen auf entgegengesetzten Seiten des Kerns 178 verjüngen).
  • Wie oben angemerkt, kann die Brückenkomponente 110 bei manchen Ausführungsformen leitfähige Kontakte außer den leitfähigen Kontakten 118 auf ihrer „oberen“ Fläche beinhalten; zum Beispiel kann die Brückenkomponente 110 leitfähige Kontakte 182 auf ihrer „unteren“ Fläche beinhalten, wie in einer Reihe der begleitenden Zeichnungen gezeigt ist. Zum Beispiel veranschaulicht 12 eine Ausführungsform einer mikroelektronischen Struktur 100 ähnlich jeneraus 1, bei der jedoch leitfähige Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 durch Lot 106 mit leitfähigen Kontakten 180 des Substrats 102 gekoppelt sind. In einer mikroelektronischen Struktur 11 können die leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 leitfähig mit leitfähigen Kontakten 180 auf der Unterseite des Hohlraums 120 des Substrats 102 gekoppelt sein (z. B. durch Lot 106 oder eine andere Art von Zwischenverbindung). Bei manchen Ausführungsformen können sich die leitfähigen Kontakte 180 auf der Unterseite entsprechender Hohlräume in dem dielektrischen Material 112 befinden, wie gezeigt ist. Die leitfähigen Kontakte 180 können eine Oberflächendeckschicht 116 auf ihren freigelegten Oberflächen beinhalten, wie gezeigt ist. Direkte elektrische Verbindungen zwischen dem Substrat 102 und der Brückenkomponente 110 (d. h. elektrische Verbindungen, die nicht durch eine mikroelektronische Komponente 130 gehen) können direkte Leistungs- und/oder Eingabe/Ausgabe(E/A)-Pfade zwischen dem Substrat 102 und der Brückenkomponente 110 ermöglichen, was zu Leistungslieferungsvorteilen und/oder Signallatenzvorteilen führen kann. Bei manchen Ausführungsformen kann das Rastermaß der leitfähigen Kontakte 182 zwischen 40 Mikrometer und 1 Millimeter (z. B. zwischen 40 Mikrometer und 50 Mikrometer oder zwischen 100 Mikrometer und 1 Millimeter) liegen. Bei Ausführungsformen, bei denen die Brückenkomponente 110 leitfähige Kontakte 182 auf ihrer „unteren“ Fläche zum Koppeln mit leitfähigen Kontakten 180 auf der Unterseite des Hohlraums 120 des Substrats 102 beinhaltet, kann ein dielektrisches Material (z. B. ein kapillares Unterfüllungsmaterial) diese Verbindungen unterstützen; ein solches Material ist der Klarheit der Veranschaulichung halber in verschiedenen der begleitenden Zeichnungen nicht gezeigt.
  • Bei manchen Ausführungsformen können mehrere mikroelektronische Komponenten 130 miteinander zu einem Komplex zusammengebaut werden, der dann durch einen Routingbereich 171 mit einer Brückenkomponente 110 und einem Substrat 102 gekoppelt wird. Zum Beispiel sind 13-14 Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen 150, die einen Routingbereich 171 beinhalten, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Bei der Ausführungsform aus 13 kann die Brückenkomponente 110 in dem Hohlraum 120 des Substrats 102 angeordnet sein, beinhaltet aber möglicherweise keine leitfähigen Kontakte 182 auf ihrer „unteren“ Fläche beinhalten, und kann sich in Kontakt mit dem dielektrischen Material 112 des Substrats 102 befinden oder nicht; stattdessen kann, wie gezeigt, ein Unterfüllungsmaterial 147 die Brückenkomponente 110 mechanisch an dem Substrat 102 befestigen. Bei manchen Ausführungsformen kann sich das Unterfüllungsmaterial 147 zwischen der Brückenkomponente 110 und dem dielektrischen Material 112 des Substrats 102 erstrecken, kann sich um die Seitenflächen der Brückenkomponente 110 herum erstrecken, kann sich zwischen der Brückenkomponente 110 und dem Routingbereich 171 erstrecken und/oder kann sich zwischen dem Substrat 102 und dem Routingbereich 171 erstrecken. Bei der Ausführungsform aus 13 kann ein Vergussmaterial 145 auf der „unteren“ Fläche der Brückenkomponente 110 vorhanden sein; das Vergussmaterial 145 kann eine gleiche Materialzusammensetzung oder eine andere Materialzusammensetzung als das Unterfüllungsmaterial 147 aufweisen. Das Vergussmaterial 145 kann dazu dienen, der Brückenkomponente 110 während Montagevorgängen eine mechanische Unterstützung bereitzustellen, und beliebige geeignete der hier offenbarten Brückenkomponenten 110 können ein solches Vergussmaterial beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann das Vergussmaterial 145 eine Dicke zwischen 15 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweisen.
  • Der Routingbereich 171 aus 13 kann ein Vergussmaterial 144 in Kontakt mit Seitenflächen und „unteren“ Flächen der mikroelektronischen Komponenten 130 und leitfähige Kontakte 133 und 135, die durch Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 132 bzw. 134 gekoppelt sind, beinhalten. Die leitfähigen Kontakte 133 und 135 sowie das Lot 106, das die leitfähigen Kontakte 133 und 135 mit den leitfähigen Kontakten 132 bzw. 134 koppelt, können in dem Vergussmaterial 144 eingebettet sein, wie gezeigt ist. Außerhalb des Routingbereichs 171 können die leitfähigen Kontakte 133 durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 114 des Substrats 102 gekoppelt sein, und die leitfähigen Kontakte 135 können durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 118 der Brückenkomponente 110 gekoppelt sein. Wie gezeigt, können sich das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 114 und den leitfähigen Kontakten 133 und das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 118 und den leitfähigen Kontakten 135 außerhalb des Vergussmaterials 144 befinden und können wenigstens teilweise von dem Unterfüllungsmaterial 147 umgeben sein, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann eine Dicke 141 des Vergussmaterials 144 des Routingbereichs 171 zwischen 5 Mikrometer und 20 Mikrometer (z. B. zwischen 8 Mikrometer und 15 Mikrometer) betragen.
  • Die Ausführungsform aus 14 hat viele Merkmale mit der Ausführungsform aus 13 gemein, aber die Brückenkomponente 110 aus 14 kann leitfähige Kontakte 182 auf ihrer„unteren“ Fläche beinhalten, und diese leitfähigen Kontakte 182 können durch dazwischenliegendes Lot 106 mit leitfähigen Kontakten 180 des Substrats 102 gekoppelt sein. Einer oder mehrere der leitfähigen Kontakte 182 einer Brückenkomponente 110 können mit einem oder mehreren leitfähigen Kontakten 118 der Brückenkomponente 110 durch leitfähige Pfade durch die Brückenkomponente 110 (einschließlich z. B. einer oder mehrere Siliciumdurchkontaktierungen (TSVs: Through-Silicon Vias)) gekoppelt sein, und/oder die leitfähigen Kontakte 182 einer Brückenkomponente 110 können mit elektrischen Elementen (z. B. Transistoren, Dioden, Widerständen, Kondensatoren, induktiven Elementen usw.) innerhalb der Brückenkomponente 110 gekoppelt sein, falls vorhanden. Wie in 14 gezeigt, kann das Unterfüllungsmaterial 147 das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 180 und den leitfähigen Kontakten 182 wenigstens teilweise umgeben. Die mikroelektronischen Baugruppen 150 aus 13 und 14 können eine gute Koplanarität relevanter Merkmale ohne teure Planarisierungsvorgänge (z. B. ohne chemisch-mechanische Planarisierung (CMP)) erreichen und können auch das Plattieren hoher Säulen vermeiden, was schwierig genau und kostengünstig durchzuführen ist.
  • Mikroelektronische Baugruppen 150, wie jene in 13 und 14 veranschaulichten, können unter Verwendung beliebiger geeigneter Techniken hergestellt werden. Zum Beispiel sind die 15-23 Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 13 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • 15 veranschaulicht eine Baugruppe, die einen Träger 131, der die darauf gedruckten leitfähigen Kontakten 133 und 135 aufweist, und Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 133/135 beinhaltet. Bei manchen Ausführungsformen kann der Träger 131 ein Wafer sein und kann eine oder mehrere Trennschichten (nicht gezeigt) an der Grenzfläche zwischen dem Träger 131 und dem Material auf dem Träger 131 aufweisen. Bei manchen Ausführungsformen können die leitfähigen Kontakte 133/135 durch einen Elektroplattierungsvorgang auf dem Träger 131 gebildet werden, und die leitfähigen Kontakte 133/135 können so angeordnet werden, dass sie die mikroelektronischen Komponenten 130 und die Brückenkomponente 110 an ihre gewünschten Positionen positionieren.
  • 16 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln mikroelektronischer Komponenten 130 mit den leitfähigen Kontakten 133/135 der Baugruppe aus 15 über das Lot 106. Insbesondere können die leitfähigen Kontakte 132 der mikroelektronischen Komponenten 130 mit den leitfähigen Kontakten 133 gekoppelt sein, und die leitfähigen Kontakte 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 können mit den leitfähigen Kontakten 135 gekoppelt sein. Bei manchen Ausführungsformen können die mikroelektronischen Komponenten 130 selbst Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 132 und 134 beinhalten, das sich mit dem Lot 106 vereinigen kann, das auf den leitfähigen Kontakten 133/135 der Baugruppe aus 15 vorhanden ist. Eine beliebige geeignete Lotbondtechnik kann verwendet werden, um die Baugruppe aus 16 zu bilden. Da die leitfähigen Kontakte 133/135 abgeschieden wurden, um eine gewünschte Ausrichtung der mikroelektronischen Komponenten 130 zu erreichen, können sich die leitfähigen Kontakte 132/134 der mikroelektronischen Komponenten 130 zu den leitfähigen Kontakten 133/135 selbstausrichten. Ferner kann es bei Ausführungsformen, bei denen der Träger 131 einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) wie die mikroelektronischen Komponenten 130 aufweist (z. B. sind der Träger 131 und die mikroelektronischen Komponenten 130 beide siliciumbasiert), eine geringe bis keine CTE-Diskrepanz zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und dem Träger 131 während des Bondens geben, was weiter zu einer guten Ausrichtung zwischen den leitfähigen Kontakten 132/134 bzw. den leitfähigen Kontakten 133/135 beiträgt. Es wird angemerkt, dass die mikroelektronische Komponente 130-1 nicht die gleiche Dicke wie die mikroelektronische Komponente 130-2 aufweisen muss.
  • 17 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen eines Vergussmaterials 144 zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und dem Träger 131 (um den Routingbereich 171 zu bilden) sowie um Seitenflächen der mikroelektronischen Komponenten 130 herum und wahrscheinlich über der „Oberseite“ der mikroelektronischen Komponenten 130 und dann Planarisieren dieses Vergussmaterials 144, um überschüssiges Vergussmaterial 144 zu entfernen und eine flache „obere“ Oberfläche zu erreichen.
  • 18 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Entfernen des Trägers 131 von der Baugruppe aus 17, dem „Umdrehen“ des Ergebnisses und dann dem Anbringen eines anderen Trägers 131 an der planarisierten Oberfläche nahe den „hinteren“ Flächen der mikroelektronischen Komponenten 130, um den Routingbereich 171 freizulegen. Obwohl eine einzige Bezugsziffer „131“ lediglich der Vereinfachung der Erörterung halber verwendet wird, um auf mehrere der hier erörterten Träger Bezug zu nehmen, können verschiedene der Träger 131 nach Wunsch unterschiedliche Zusammensetzungen und Strukturen aufweisen. Bei manchen Ausführungsformen muss ein anderer Träger 131 vor nachfolgenden Vorgängen nicht mit der planarisierten Oberfläche gekoppelt werden (wenn z. B. die Baugruppe aus 17 eine ausreichende mechanische Stabilität ohne den Träger 131 aufweist, um einer weiteren Verarbeitung standzuhalten).
  • 19 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen des Lots 106 auf den freigelegten leitfähigen Kontakten 133/135 der Baugruppe aus 18. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 als Lothöcker bereitgestellt sein.
  • 20 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bonden einer Brückenkomponente 110 (mit Vergussmaterial 145 darauf) an die Baugruppe aus 19 durch Bonden leitfähiger Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 an die leitfähigen Kontakte 135 über das dazwischenliegende Lot 106. Da die leitfähigen Kontakte 135 abgeschieden wurden, um eine gewünschte Ausrichtung der Brückenkomponente 110 zu erreichen, können sich die leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 zu den leitfähigen Kontakten 135 selbstausrichten.
  • 21 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Entfernen des Trägers 131 aus 20 und dem „Umdrehen“ des Ergebnisses. Bei Ausführungsformen, bei denen mehrere der mikroelektronischen Baugruppen 150 aus 13 gleichzeitig hergestellt werden, können die unterschiedlichen mikroelektronischen Baugruppen 150 als Teil der Vorgänge aus 21 vereinzelt werden.
  • 22 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln der Baugruppe aus 21 mit dem Substrat 102. Insbesondere können die leitfähigen Kontakte 133 durch dazwischenliegendes Lot 106 an die leitfähigen Kontakte 114 gebondet sein. Bei manchen Ausführungsformen kann dieses Bonden einen Massenwiederaufschmelzvorgang beinhalten, und die Kräfte zwischen dem Lot 106 und den leitfähigen Kontakten 118 und 135 können angemessen sein, um die Brückenkomponente 110 während des Massenwiederaufschmelzens an Ort und Stelle zu halten.
  • 23 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen des Unterfüllungsmaterials 147 zwischen dem Substrat 102, der Brückenkomponente 110 und dem Routingbereich 171. Bei manchen Ausführungsformen kann die Beabstandung zwischen der Brückenkomponente 110 und den nahen Materialien des Substrats 102 wenigstens 10 Mikrometer betragen, um zu ermöglichen, dass das Unterfüllungsmaterial 147 diese Räume erreicht. Gleichermaßen kann bei manchen Ausführungsformen die Beabstandung zwischen der Brückenkomponente 110 und dem Routingbereich 171 wenigstens 10 Mikrometer betragen, um zu ermöglichen, dass das Unterfüllungsmaterial 147 diese Räume erreicht. Die Baugruppe aus 23 kann die Form der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 13 annehmen. Die mikroelektronische Baugruppe 150 aus 14 kann unter Verwendung eines Prozesses ähnlich jenem, der in 15-23 veranschaulicht ist, hergestellt werden, wobei aber die oben unter Bezugnahme auf 22 erörterten Bondvorgänge (z. B. das Massenwiederaufschmelzen) auch Bonden der leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 1102 an die leitfähigen Kontakte 180 des Substrats 102 durch dazwischenliegendes Lot 106 beinhalten können. Ferner kann bei manchen Ausführungsformen die analoge Baugruppe aus 20 gebrannt werden, um zu bewirken, dass Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 182 vor nachfolgenden Vorgängen eine intermetallische Verbindung (IMC) bildet.
  • Wie oben mit Bezug auf 13-14 erörtert, können bei manchen Ausführungsformen mehrere mikroelektronische Komponenten 130 miteinander zu einem Komplex zusammengebaut werden, der dann durch einen Routingbereich 171 mit einer Brückenkomponente 110 und mit einem Substrat 102 gekoppelt wird. Bei anderen Ausführungsformen können mehrere mikroelektronische Komponenten und eine Brückenkomponente 110 miteinander zu einem Komplex zusammengebaut werden, der dann durch einen Routingbereich 173 mit einem Substrat 102 gekoppelt wird. 24-25 sind Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen 150, die einen Routingbereich 173 beinhalten, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Die Routingbereiche 173 der 24 und 25 können ein Vergussmaterial 144 in Kontakt mit Seitenflächen und „unteren“ Flächen der mikroelektronischen Komponenten 130 sowie ein dielektrisches Material 149 beinhalten. Das dielektrische Material 149 kann ein beliebiges geeignetes Material beinhalten, wie etwa einen Lötstopplack oder einen Fotolack. Die Brückenkomponente 110 ist möglicherweise nicht in einem Hohlraum 120 des Substrats 102 angeordnet (wie oben unter Bezugnahme auf die 13 und 14 erörtert), sondern kann stattdessen teilweise in einer Öffnung 193 in dem dielektrischen Material 149 des Routingbereichs 173 angeordnet sein, und die leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 können durch Lot 106, das in dem Vergussmaterial 144 eingebettet ist, mit den leitfähigen Kontakten 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 gekoppelt sein. Ein Routingbereich 173 kann leitfähige Kontakte 151 beinhalten, die in dem dielektrischen Material 149 eingebettet sind und durch Lot 106 leitfähig mit den leitfähigen Kontakten 132 der mikroelektronischen Komponenten 130 gekoppelt sind, und dieses Lot 106 kann teilweise von dem dielektrischen Material 149 umgeben sein und kann teilweise von dem Vergussmaterial 144 umgeben sein. Wie in 24 und 25 gezeigt, können die „unteren“ Oberflächen der leitfähigen Kontakte 151 koplanar mit der „unteren“ Oberfläche des dielektrischen Materials 149 und der „unteren“ Oberfläche des Vergussmaterials 144 unter der Brückenkomponente 110 sein. Außerhalb des Routingbereichs 173 können die leitfähigen Kontakte 151 durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 114 des Substrats 102 gekoppelt sein, und dieses Lot kann teilweise von dem Oberflächenisolationsmaterial 104 umgeben sein und teilweise von einem Unterfüllungsmaterial 147 umgeben sein. Wie gezeigt, kann sich das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 114 und den leitfähigen Kontakten 151 außerhalb des Vergussmaterials 144 und außerhalb des dielektrischen Materials 149 befinden.
  • Bei der Ausführungsform aus 24 beinhaltet die Brückenkomponente 110 möglicherweise keine leitfähigen Kontakte 182 auf ihrer„unteren“ Fläche, und ein Vergussmaterial 145 kann auf der „unteren“ Fläche der Brückenkomponente 110 vorhanden sein (wie z. B. oben unter Bezugnahme auf 13 erörtert). Die Ausführungsform aus 25 hat viele Merkmale mit der Ausführungsform aus 24 gemein, aber die Brückenkomponente 110 aus 25 kann leitfähige Kontakte 182 auf ihrer „unteren“ Fläche beinhalten, und diese leitfähigen Kontakte 182 können durch dazwischenliegendes Lot 106, das in dem Vergussmaterial 144 eigebettet ist und sich in der Öffnung 193 in dem dielektrischen Material 149 befindet, mit leitfähigen Kontakten 153 des Routingbereichs 170 gekoppelt sein. Die „unteren“ Oberflächen der leitfähigen Kontakte 153 können koplanar mit den „unteren“ Oberflächen der leitfähigen Kontakte 151 sein, und die leitfähigen Kontakte 153 können durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 180 des Substrats 102 gekoppelt sein. Außerhalb des Routingbereichs 173 kann das Lot 106, das die leitfähigen Kontakte 153 mit den leitfähigen Kontakten 180 koppelt, teilweise von dem Oberflächenisolationsmaterial 104 umgeben sein und teilweise von dem Unterfüllungsmaterial 147 umgeben sein; wie gezeigt, kann sich das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 153 und den leitfähigen Kontakten 180 außerhalb des Vergussmaterials 144 und außerhalb des dielektrischen Materials 149 befinden. Wie die mikroelektronischen Baugruppen 150 aus 13 und 14 können die mikroelektronischen Baugruppen 150 aus 24 und 25 eine gute Koplanarität relevanter Merkmale ohne teure Planarisierungsvorgänge erreichen und können auch das Plattieren hoher Säulen vermeiden.
  • Mikroelektronische Baugruppen 150, wie jene in 24 und 25 veranschaulichten, können unter Verwendung beliebiger geeigneter Techniken hergestellt werden. Zum Beispiel sind die 26-33 Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 25 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • 26 veranschaulicht eine Baugruppe, die einen Träger 131 mit den darauf gedruckten leitfähigen Kontakten 151 und 153 beinhaltet. Bei manchen Ausführungsformen kann der Träger 131 ein Wafer sein und kann eine oder mehrere Trennschichten (nicht gezeigt) an der Grenzfläche zwischen dem Träger 131 und dem Material auf dem Träger 131 aufweisen. Bei manchen Ausführungsformen kann der Träger 131 der Baugruppe aus 26 Glas beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen können die leitfähigen Kontakte 151/153 durch einen Elektroplattierungsvorgang auf dem Träger 131 gebildet werden, und die leitfähigen Kontakte 151/153 können so angeordnet werden, dass sie die mikroelektronischen Komponenten 130 und die Brückenkomponente 110 an ihre gewünschten Positionen positionieren.
  • 27 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Abscheiden und Strukturieren des dielektrischen Materials 149 auf der Baugruppe aus 26, um eine Öffnung 193 um die leitfähigen Kontakte 153 herum und sich verjüngende Öffnungen zu bilden, um Oberflächen der leitfähigen Kontakte 151 freizulegen. Bei manchen Ausführungsformen kann die Öffnung 193 eine Verjüngung aufweisen, die einer Verjüngung der Öffnungen entgegengesetzt ist, die die leitfähigen Kontakte 151 freilegen (d. h. die Verjüngung der Öffnung 193 kann sich zu dem Träger 131 hin verbreitern). Wie oben angemerkt, kann das dielektrische Material 149 bei manchen Ausführungsformen ein Lötstopplackmaterial oder ein Fotolackmaterial sein und kann unter Verwendung beliebiger geeigneter bekannter Techniken abgeschieden und strukturiert (z. B. durch Laminieren abgeschieden) werden.
  • 28 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen von Lot 106 auf den freigelegten Oberflächen der leitfähigen Kontakte 151 der Baugruppe aus 27. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 bereitgestellt werden, indem Lötkugeln auf den freigelegten Oberflächen der leitfähigen Kontakte 151 abgeschieden werden und dann ein Wiederaufschmelzvorgang durchgeführt wird.
  • 29 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bonden einer Brückenkomponente 110 an die Baugruppe aus 28 durch Bonden leitfähiger Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 an die leitfähigen Kontakte 153 über dazwischenliegendes Lot 106. Da die leitfähigen Kontakte 153 abgeschieden wurden, um eine gewünschte Ausrichtung der Brückenkomponente 110 zu erreichen, können sich die leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 zu den leitfähigen Kontakten 153 selbstausrichten. Bei manchen Ausführungsformen kann die Höhe der Brückenkomponente 110 relativ zu der Oberfläche des Trägers 131 durch Referenzieren der oberen Oberfläche des dielektrischen Materials 149 und/oder der oberen Oberfläche des Lots 106 auf die leitfähigen Kontakten 151 gesteuert werden.
  • 30 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln mikroelektronischer Komponenten 130 mit den leitfähigen Kontakten 153 und 118 der Baugruppe aus 29 über das Lot 106. Insbesondere können die leitfähigen Kontakte 132 der mikroelektronischen Komponenten 130 mit den leitfähigen Kontakten 153 gekoppelt sein, und die leitfähigen Kontakte 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 können mit den leitfähigen Kontakten 118 gekoppelt sein. Bei manchen Ausführungsformen können die mikroelektronischen Komponenten 130 selbst Lot 106 auf den leitfähigen Kontakten 132 beinhalten, das sich mit dem Lot 106 vereinigen kann, das auf den leitfähigen Kontakten 153 der Baugruppe aus 29 vorhanden ist. Eine beliebige geeignete Lotbondtechnik kann verwendet werden, um die Baugruppe aus 30 zu bilden. Weil die leitfähigen Kontakte 151/153 abgeschieden wurden, um eine gewünschte Ausrichtung der mikroelektronischen Komponenten 130 und der Brückenkomponente 110 zu erreichen, können sich die leitfähigen Kontakte 132/134 der mikroelektronischen Komponenten 130 jeweils zu den leitfähigen Kontakten 151/118 selbstausrichten. Ferner kann es bei Ausführungsformen, bei denen der Träger 131 einen ähnlichen CTE wie die mikroelektronischen Komponenten 130 aufweist, eine geringe bis keine CTE-Diskrepanz zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und dem Träger 131 während des Bondens geben, was weiterzu einer guten Ausrichtung zwischen den leitfähigen Kontakten 132/134 bzw. den leitfähigen Kontakten 151/118 beiträgt. Obwohl verschiedene der begleitenden Zeichnungen Lot 106 in Kontakt mit nur einem Teil der freigelegten Oberfläche eines leitfähigen Kontakts darstellen (z. B. nur einem Teil der freigelegten Oberfläche der leitfähigen Kontakte 132 aus 30), dient dies lediglich der Vereinfachung der Veranschaulichung, und das Lot 106 in Kontakt mit einem leitfähigen Kontakt kann die gesamte freigelegte Oberfläche des leitfähigen Kontakts benetzen.
  • 31 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen eines Vergussmaterials 144 zwischen den mikroelektronischen Komponenten 130 und dem Träger 131 (um den Routingbereich 173 zu bilden) sowie um Seitenflächen der mikroelektronischen Komponenten 130 herum und wahrscheinlich über der „Oberseite“ der mikroelektronischen Komponenten 130 und dann Planarisieren dieses Vergussmaterials 144, um überschüssiges Vergussmaterial 144 zu entfernen und eine flache „obere“ Oberfläche zu erreichen, und Entfernen des Trägers 131.
  • 32 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln der Baugruppe aus 31 mit dem Substrat 102. Insbesondere können die leitfähigen Kontakte 151 durch dazwischenliegendes Lot 106 an die leitfähigen Kontakte 114 gebondetsein, und die leitfähigen Kontakte 153 können durch dazwischenliegendes Lot 106 an die leitfähigen Kontakte 180 gebondet sein. Bei manchen Ausführungsformen kann dieses Bonden einen Massenwiederaufschmelzvorgang beinhalten.
  • 33 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen des Unterfüllungsmaterials 147 zwischen dem Substrat 102 und dem Routingbereich 173. Bei manchen Ausführungsformen kann die Beabstandung zwischen dem Substrat 102 und dem Routingbereich 173 wenigstens 10 Mikrometer betragen, um zu ermöglichen, dass das Unterfüllungsmaterial 147 diesen Raum erreicht. Die Baugruppe aus 33 kann die Form der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 25 annehmen. Die mikroelektronische Baugruppe 150 aus 24 kann unter Verwendung eines Prozesses ähnlich jenem, der in 15-23 veranschaulicht ist, hergestellt werden, wobei aber die Vorgänge in Bezug auf die leitfähigen Kontakte 182/153/180 weggelassen werden können.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Entfernungen zwischen dem Substrat 102, der Brückenkomponente 110 und den mikroelektronischen Komponenten 130 durch Manipulieren des Lots 106 gesteuert werden, das die leitfähigen Kontakte 132 mit den leitfähigen Kontakten 114 koppelt. Zum Beispiel kann das Lot 106, das einen leitfähigen Kontakt 114 mit einem leitfähigen Kontakt 132 koppelt, bei manchen Ausführungsformen wenigstens einen Teil beinhalten, der zum Bilden einer IMC zu bearbeitet wurde und vor nachfolgenden Lotbondvorgängen planarisiert wurde, wobei die planarisierte IMC eine Referenzoberfläche zum Anbringen der Brückenkomponente 110 und der mikroelektronischen Komponenten 130 bildet. Zum Beispiel sind 34-35 Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen 150, die solche Lotteile beinhalten, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Insbesondere kann das Lot 106, das die leitfähigen Kontakte 114 mit den leitfähigen Kontakten 132 koppelt, in 34 und 35 einen ersten Teil des Lots 106A und einen zweiten Teil des Lots 106A beinhalten, wobei sich der erste Teil des Lots 106A zwischen dem zweiten Teil des Lots 106B und dem leitfähigen Kontakt 114 befindet. Der erste Teil des Lots 106A kann eine obere Oberfläche an der Grenzfläche zwischen dem ersten Teil des Lots 106A und dem zweiten Teil des Lots 106B aufweisen, welche Schleifmarken aufweist, die aus einem Schleif- oder Poliervorgang resultieren, nachdem ermöglicht wurde, dass der erste Teil des Lots 106A eine IMC während der Herstellung bildet. 36 eine Draufsicht beispielhafter Schleifmarken auf einer mechanisch geschliffenen Oberfläche des Lots 106 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Selbst nachdem ein mechanisch geschliffener erster Teil des Lots 106A an den zweiten Teil des Lots 106B gebondet wurde (z. B. während eines Wiederaufschmelzvorgangs), kann die mechanisch geschliffene Oberfläche des ersten Teils des Lots 106A distinkt verbleiben. Die in 34 veranschaulichte spezielle Ausführungsform beinhaltet eine Brückenkomponente 110, die keine „unteren“ leitfähigen Kontakte 182 aufweist; die „untere“ Fläche der Brückenkomponente 110 kann durch einen Klebstoff 122 mit dem Substrat 102 gekoppelt sein kann. Die in 34 veranschaulichte spezielle Ausführungsform beinhaltet eine Brückenkomponente 110 mit „unteren“ leitfähigen Kontakten 182, die mit leitfähigen Kontakten 180 des Substrats 102 gekoppelt sind, wie unter Bezugnahme auf vorherige Ausführungsformen erörtert ist.
  • Mikroelektronische Baugruppen 150, wie jene in 34 und 35 veranschaulichten, können unter Verwendung beliebiger geeigneter Techniken hergestellt werden. Zum Beispiel sind die 37-41 Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 35 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • 37 veranschaulicht eine Baugruppe, die ein Substrat 102 beinhaltet, auf das das Lot 106 abgegeben wurde. Das Lot 106 kann sich in elektrischem Kontakt mit den leitfähigen Kontakten 114 befinden und kann verarbeitet werden, um zu ermöglichen, dass das Lot 106 eine IMC bildet. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 aus 37 eine sinterbare Paste beinhalten. Eine sinterbare Lotpaste 106 kann eine flüssige Phase aufweisen, die Lotteilchen beinhaltet, und kann zum Beispiel durch Pin-Eintauchen oder Schablonendruck abgegeben werden. Nach der Abgabe kann die sinterbare Lotpaste 106 einem Wiederaufschmelzvorgang unterzogen werden, der die sinterbare Paste in eine IMC transformieren kann. Die IMC kann mechanisch erheblich härter als die anfängliche sinterbare Paste sein und kann dementsprechend mit grober, kostengünstiger Schleiftechnologie ohne Verschmieren mechanisch geschliffen werden (wie es auftreten würde, falls das Lot 106 durch weichere Materialien, wie etwa plattiertes Lot oder Kupfer, ersetzt würde). Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 der Baugruppe aus 7 bis zu einer Höhe abgegeben werden, die größer als eine gewünschte Höhe des ersten Teils des Lots 106A ist; zum Beispiel kann bei manchen Ausführungsformen das Lot 106 der Baugruppe aus 7 bis zu einer Höhe zwischen 30 Mikrometer und 40 Mikrometer abgegeben werden.
  • 38 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem mechanischen Schleifen des Lots 106 der Baugruppe aus 37, um die ersten Teile des Lots 106A mit koplanaren oberen Oberflächen zu bilden. Die oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A können Schleifmarken beinhalten, wie jene in 36 veranschaulichten. Die harte IMC des Lots 106 kann dieses Schleifen ohne Verschmieren ermöglichen und kann die Verwendung der oberen Oberflächen des Lots 106 als eine Referenzebene beim Anbringen der Brückenkomponente 110 ermöglichen. Bei manchen Ausführungsformen kann der Schleifvorgang zwischen 10 Mikrometer und 20 Mikrometer des Lots 106 entfernen, wobei ein erster Teil des Lots 106A zurückbleibt, der eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer (z. B. zwischen 20 Mikrometer und 40 Mikrometer oder zwischen 30 Mikrometer und 40 Mikrometer) aufweist.
  • 39 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln der Brückenkomponente 110 mit der Baugruppe aus 38 durch Verwenden einer Bonddüse 157, um die Brückenkomponente 110 vordem Wiederaufschmelzen von Lot zwischen den leitfähigen Kontakten 182 und den leitfähigen Kontakten 180 an Ort und Stelle zu bringen. Wie gezeigt, kann die Bonddüse 157 auf den mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A ruhen, wodurch eine Referenzebene für die Ausrichtung der Brückenkomponente 110 relativ zu dem Substrat 102 bereitgestellt wird. Wie in 39 gezeigt, kann die obere Oberfläche der Brückenkomponente 110 bei manchen Ausführungsformen koplanarmit den mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A sein, aber dies muss nicht der Fall sein, und eine Bonddüse 157 kann die mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A als eine Referenz verwenden, wenn gewünscht wird, dass sich die obere Oberfläche der Brückenkomponente 110 oberhalb der Ebene der mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen derersten Teile des Lots 106A befindet (wie z. B. in 40 veranschaulicht), oder wenn gewünscht wird, dass sich die obere Oberfläche der Brückenkomponente 110 unterhalb der Ebene der mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A befindet (wie z. B. in 41 veranschaulicht). Nach dem Anbringen der Brückenkomponente 110 an dem Substrat 102, um die Baugruppe aus einer beliebigen von 39-41 zu bilden, können die mikroelektronischen Komponenten 130 unter Verwendung der zweiten Teile des Lots 106B an die Baugruppe gebondet werden, was zu der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 35 führt. Die mikroelektronische Baugruppe 150 aus 34 kann unter Verwendung eines Prozesses ähnlich jenem, der in 36-41 veranschaulicht ist, hergestellt werden, wobei aber die Höhe des Klebstoffs 122 zwischen der Brückenkomponente 110 und dem Substrat 102 unter Verwendung der mechanisch geschliffenen oberen Oberflächen der ersten Teile des Lots 106A als einer Referenzebene gesteuert wird.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die zweiten Teile des Lots 106B Niedertemperaturlote sein, die Zinn und Silber und Kupfer, reines Zinn, Zinn und Kupfer, oder andere geeignete Mischungen beinhalten. Da die ersten Teile des Lots 106A vor dem Wiederaufschmelzen der zweiten Teile des Lots 106B eine IMC gebildet haben, können die ersten Teile des Lots 106A während des Wiederaufschmelzens der zweiten Teile des Lots 106B ihre Form beibehalten. Bei manchen alternativen Ausführungsformen kann die Brückenkomponente 110 in dem Hohlraum 120 platziert werden, bevor das Lot 106 anfänglich auf den leitfähigen Kontakten 114 abgeschieden wird, und das Lot 106 kann anfänglich auf den leitfähigen Kontakten 114 und auf den leitfähigen Kontakten 118 der Brückenkomponente 110 abgeschieden werden; es kann ermöglicht werden, dass dieses Lot 106 eine IMC bildet, und es kann dann mechanisch geschliffen werden, um das Lot 106 vordem Anbringen der mikroelektronischen Komponenten 130 zu planarisieren. Bei solchen Ausführungsformen kann das Lot 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 118 der Brückenkomponente 110 und den leitfähigen Kontakten 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 auch einen ersten Teil des Lots 106A mit einer mechanisch geschliffenen oberen Oberfläche und einen zweiten Teil des Lots 106B beinhalten.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Geometrie der leitfähigen Kontakte 180 und 182 und/oder die Geometrie der leitfähigen Kontakte 118 und 134 so ausgewählt sein, dass die Ausrichtung zwischen dem Substrat 102, der Brückenkomponente 110 und den mikroelektronischen Komponenten 130 in einer mikroelektronischen Baugruppe 150 verbessert wird. Zum Beispiel können die leitfähigen Kontakte 180 und 182 „unter der Brücke“ und das Lot 106, das diese koppelt, mit einem höheren Lotvolumen und kleineren Durchmessern der leitfähigen Kontakte konstruiert sein, so dass Kräfte aus dem Lot 106 die Brückenkomponente 110 „aufwärts“ drücken, aber keine signifikante laterale Kraft auf die Brückenkomponente 110 ausüben (z. B. ist die Brückenkomponente 110 dazu in der Lage, lateral zu „gleiten“); eine solche Anordnung kann dabei helfen, der „Abwärts“-Kraft auf die Brückenkomponente 110 entgegenzuwirken, die durch die mikroelektronischen Komponenten 130 ausgeübt wird. Die leitfähigen Kontakte 118 und 134 „oberhalb der Brücke“ können so ausgebildet sein, dass die leitfähigen Kontakte 134 kleinere Durchmesser auf den leitfähigen Kontakten 118 aufweisen, und das Lot 106, das die leitfähigen Kontakte 118 und die leitfähigen Kontakte 134 verbindet, kann ein angemessenes Volumen aufweisen, so dass es sich auf Seitenflächen der leitfähigen Kontakte 134 ausdehnt; eine solche Anordnung kann ermöglichen, dass die Brückenkomponente 110 in der lateralen Richtung „gleitet“, um eine Selbstausrichtung zwischen den leitfähigen Kontakten 134 und den leitfähigen Kontakten 118 zu erreichen, ohne eine signifikante Abwärtskraft auf die Brückenkomponente 110 auszuüben. Solche Anordnungen können dabei helfen, die Fehlausrichtung zu überwinden, die üblicherweise während der Fertigung aufgrund von Herstellungstoleranzen und unterschiedlichen Strukturierungsvorgängen auftritt, die unterschiedliche Elemente einer mikroelektronischen Baugruppe 150 bilden.
  • 42 veranschaulicht eine mikroelektronische Baugruppe 150, die solche Anordnungen der leitfähigen Kontakte 180/182 und der leitfähigen Kontakte 118/134 beinhaltet. Wie in 42 veranschaulicht, kann der Durchmesser 159 der leitfähigen Kontakte 134 kleiner als der Durchmesser 191 der leitfähigen Kontakte 118 sein. Bei manchen Ausführungsformen kann der Durchmesser 159 weniger als 60 % des Durchmessers 191 betrage (z. B. weniger als 50 % des Durchmessers 191). Bei manchen Ausführungsformen kann der Durchmesser 159 der leitfähigen Kontakte 134 zwischen 20 Mikrometer und 35 Mikrometer betragen, und der Durchmesser 191 der leitfähigen Kontakte 118 kann zwischen 40 Mikrometer und 75 Mikrometer betragen. Das Volumen des Lots 106 zwischen den leitfähigen Kontakten 134 und den leitfähigen Kontakten 118 kann so gewählt werden, dass es groß genug ist, um dem Lot 106 zu gestatten, sich nach oben auf Seitenflächen der leitfähigen Kontakte 134 auszudehnen, wie gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen können die relativen Durchmesser der leitfähigen Kontakte 134 und der leitfähigen Kontakte 118 umgekehrt sein; insbesondere kann der Durchmesser 159 der leitfähigen Kontakte 134 größer als der Durchmesser 191 der leitfähigen Kontakte 118 sein. Bei manchen Ausführungsformen kann der Durchmesser 191 weniger als 60 % des Durchmessers 159 betrage (z. B. weniger als 50 % des Durchmessers 159). Bei manchen Ausführungsformen kann der Durchmesser 191 der leitfähigen Kontakte 118 zwischen 20 Mikrometer und 35 Mikrometer betragen, und der Durchmesser 159 der leitfähigen Kontakte 134 kann zwischen 40 Mikrometer und 75 Mikrometer betragen. Bei manchen Ausführungsformen kann der Durchmesser 159 näherungsweise gleich dem Durchmesser 191 sein. Bei manchen Ausführungsformen können unabhängig von den relativen Durchmessern der leitfähigen Kontakte 118 und der leitfähigen Kontakte 134 einer oder mehrere der leitfähigen Kontakte 134 die assoziierten leitfähigen Kontakte 118 direkt kontaktieren; wenn dies auftritt, kontaktiert das Lot 106, das mit einem kontaktierenden Paar leitfähiger Kontakte 118/134 assoziiert ist, möglicherweise nicht das Lot 106 kontaktieren, das mit irgendwelchen angrenzenden Paaren leitfähiger Kontakte 118/134 assoziiert ist.
  • Wie auch in 42 veranschaulicht, kann das Volumen des Lots 106, das die leitfähigen Kontakte 182 mit den leitfähigen Kontakten 180 koppelt, derart sein, dass der Durchmesser des Lots 106 größer als ein Durchmesser der leitfähigen Kontakte 182/180 ist. Insbesondere kann sich das Lot 106 auf Seitenflächen der leitfähigen Kontakte 182/180 erstrecken. Um solche großen Lotvolumina unterzubringen, kann das Rastermaß der leitfähigen Kontakte 182/180 bei manchen Ausführungsformen größer als das Rastermaß der leitfähigen Kontakte 134/118 sein. Bei manchen speziellen Ausführungsformen können die Durchmesser der leitfähigen Kontakte 182/180 zwischen 10 Mikrometer und 40 Mikrometer betragen (z. B. zwischen 15 Mikrometer und 25 Mikrometer). Bei manchen Ausführungsformen kann sich die Oberflächendeckschicht 116 auf Seitenflächen der leitfähigen Kontakte 180 erstrecken (nicht gezeigt). Beliebige der hier unter Bezugnahme auf 42 erörterten Anordnungen der leitfähigen Kontakte 182/180 (und des Lots 106 zwischen ihnen) und/oder der leitfähigen Kontakte 134/118 (und des Lots 106 zwischen ihnen) können in beliebigen geeigneten der hier offenbarten mikroelektronischen Baugruppen 150 genutzt werden.
  • Bei manchen Ausführungsformen ist eine Brückenkomponente 110 möglicherweise nicht Teil eines Substrats 102, sondern kann stattdessen in einer Patchstruktur zwischen dem Substrat 102 und den mikroelektronischen Komponenten 130 enthalten sein. Zum Beispiel sind die 43-44 Seitenquerschnittsansichten beispielhafter mikroelektronischer Baugruppen 150, die die Patchstrukturen 161 beinhalten, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Patchstruktur 161 kann die Brückenkomponente 110 beinhalten, die ein Vergussmaterial 165 auf ihrer „oberen“ Fläche und/oder ihrer„unteren“ Fläche aufweisen kann und leitfähig mit der „oberen“ Fläche und der „unteren“ Fläche der Patchstruktur 161 gekoppelt sein kann, wie unten weiter erörtert wird. Die Patchstruktur 161 kann auch Stapel von leitfähigen Säulen 175 beinhalten, die leitfähige Pfade zwischen der „oberen“ Fläche und der „unteren“ Fläche der Patchstruktur 161 bereitstellen können, so dass die leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 leitfähig mit den leitfähigen Kontakten 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 gekoppelt sein können (über dazwischenliegendes Lot 106 und andere Strukturen, wie unten erörtert) und die leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 leitfähig mit den leitfähigen Kontakten 180 des Substrats 102 gekoppelt sein können (über dazwischenliegendes Lot 106 und andere Strukturen, wie unten erörtert), Insbesondere kann ein Stapel leitfähiger Säulen 175 auf an der „oberen“ Fläche der Patchstruktur 161 mit den leitfähigen Kontakten 132 der mikroelektronischen Komponenten 130 über dazwischenliegendes Lot 106 und auf der „unteren“ Fläche der Patchstruktur 161 mit den leitfähigen Kontakten 114 des Substrats 102 über dazwischenliegendes Lot 106 gekoppelt sein. Das Unterfüllungsmaterial 147 kann zwischen dem Substrat 102 und der Patchstruktur 161 sowie zwischen der Patchstruktur 161 und den mikroelektronischen Komponenten 130 angeordnet sein. Verschiedene der leitfähigen Säulen der Patchstruktur 161 können sich durch ein Vergussmaterial 183 erstrecken, und die leitfähigen Säulen können beliebige geeignete Materialien (z. B. Kupfer) beinhalten.
  • Bei der Ausführungsform aus 43 können die leitfähigen Säulen 175 in der Richtung von dem Substrat 102 zu den mikroelektronischen Komponenten 130 mit abnehmendem Durchmesser angeordnet sein. Die leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 können durch Lot 106 mit leitfähigen Säulen 179 auf der „unteren“ Fläche der Patchkomponente 161 gekoppelt sein, und die leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 können sich in Kontakt mit leitfähigen Säulen 177 auf der „oberen“ Fläche der Patchkomponente 161 befinden. Bei der Ausführungsform aus 44 können die leitfähigen Säulen 175 in der Richtung von dem Substrat 102 zu den mikroelektronischen Komponenten 130 mit zunehmendem Durchmesser angeordnet sein; ein Stapel von leitfähigen Säulen 175 kann bei verschiedenen Ausführungsformen eine leitfähige Säule 175 oder mehr als zwei leitfähige Säulen 175 beinhalten. Die leitfähigen Kontakte 182 der Brückenkomponente 110 können sich in Kontakt mit leitfähigen Säulen 179 auf der „unteren“ Fläche der Patchkomponente 161 befinden, die leitfähigen Kontakte 118 der Brückenkomponente 110 können sich in Kontakt mit leitfähigen Säulen 181 befinden, und die leitfähigen Säulen 181 können durch dazwischenliegendes Lot 106 mit leitfähigen Säulen 177 auf der „oberen“ Fläche der Patchkomponente 161 gekoppelt sein. Wie in den 43 und 44 gezeigt, können die leitfähigen Säulen 179 der Patchstruktur 161 durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 114 des Substrats 102 gekoppelt sein und können die leitfähigen Säulen 177 der Patchstruktur 161 durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Kontakten 134 der mikroelektronischen Komponenten 130 gekoppelt sein.
  • Die mikroelektronischen Baugruppen 150 aus 43 und 44 können eine Entkopplung zwischen dem Substrat 102 und der Brückenkomponente 110 darstellen. Die mikroelektronische Baugruppe 150 aus 44 kann ferner eine Selbstausrichtung der Brückenkomponente 110 zu den leitfähigen Säulen 177 mit engerem Rastermaß (relativ zu den leitfähigen Säulen 179 mit lockererem Rastermaß) während der Herstellung ermöglichen, wodurch potenziell eine Ausbeute verbessert wird.
  • 45-52 sind Seitenquerschnittsansichten verschiedener Stufen in einem beispielhaften Prozess zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 44 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • 45 veranschaulicht eine Baugruppe, die leitfähige Säulen 175 und 177 auf einem Träger 131 beinhaltet. Bei manchen Ausführungsformen kann der Träger 131 Glas beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen können die leitfähigen Säulen 175 und 177 auf den Träger 131 plattiert sein, wobei die Anzahl von Plattierungsvorgängen von der Anzahl von Säulen in einem Stapel abhängt (z. B. drei Vorgänge zum Bilden der leitfähigen Säulen 175 der Baugruppe aus 45). Wie in 45 gezeigt, kann der Durchmesser der leitfähigen Säulen 175, die in nachfolgenden Plattierungsvorgängen gebildet werden, relativ zu vorherigen Plattierungsvorgängen abnehmen.
  • 46 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Koppeln der Brückenkomponente 110 mit der Baugruppe aus 45. Die Brückenkomponente 110 kann zuvor mit leitfähigen Säulen 179, die in Kontakt mit den leitfähigen Kontakten 182 stehen und sich durch ein Vergussmaterial 165 erstrecken, sowie mit leitfähigen Säulen 181, die in Kontakt mit den leitfähigen Kontakten 118 stehen und sich durch das Vergussmaterial 165 erstrecken, erweitert worden sein; wie in 46 gezeigt, können die leitfähigen Säulen 181 durch dazwischenliegendes Lot 106 mit den leitfähigen Säulen 177 gekoppelt sein. Die Kopplung zwischen den leitfähigen Säulen 181 und den leitfähigen Säulen 177 kann die Zwischenverbindungen mit engstem Rastermaß sein, die an der Patchstruktur 161 gefertigt werden, und das Bilden dieser in dieser Herstellungsstufe gestattet, dass sich die leitfähigen Säulen 181 und die leitfähigen Säulen 177 selbstausrichten oder anderweitig eine minimale Fehlausrichtung erreichen.
  • 47 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen eines Vergussmaterials 183 auf dem Träger 131 und um die Strukturen der Baugruppe aus 46 herum.
  • 48 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Zurückschleifen der Überdeckung des Vergussmaterials 183 der Baugruppe aus 47 zum Freilegen der leitfähigen Säulen 175 und der leitfähigen Säulen 179.
  • 49 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Entfernen des Trägers 131 von der Baugruppe aus 48, dem „Umdrehen“ des Ergebnisses und dem Anbringen von diesem an einen anderen Träger 131, um die leitfähigen Säulen 177 freizulegen. Bei manchen Ausführungsformen kann der Träger 131 der Baugruppe aus 49 Glas beinhalten.
  • 50 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bereitstellen von Lot 106 auf den freigelegten leitfähigen Säulen 175 und 177 der Baugruppe aus 49. Bei manchen Ausführungsformen kann das Lot 106 auf die Baugruppe aus 49 plattiert werden.
  • 51 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Bonden der mikroelektronischen Komponenten 130 an die leitfähigen Säulen 175 und 177 der Baugruppe aus 49 über das dazwischenliegende Lot 106 und dem Bereitstellen eines Vergussmaterials 144 (z. B. eines Umspritzungsmaterials) und eines Unterfüllungsmaterials 147, wie gezeigt ist.
  • 52 veranschaulicht eine Baugruppe nach dem Entfernen des Trägers 131 von der Baugruppe aus 51, dem Bonden des Ergebnisses an ein Substrat 102 über das Lot 106 und dem Bereitstellen eines Unterfüllungsmaterials 147 zwischen der Patchstruktur 161 und dem Substrat 102. Die Baugruppe aus 52 kann die Form der mikroelektronischen Baugruppe 150 aus 44 annehmen.
  • Obwohl verschiedene der hier offenbarten Ausführungsformen für Ausführungsformen veranschaulicht wurden, bei denen die leitfähigen Kontakte 118 auf der „oberen“ Fläche der Brückenkomponente 110 in der mikroelektronischen Struktur 100 freigelegt sind (d. h. eine Anordnung mit „offenem Hohlraum“), können beliebige geeignete der hier offenbarten Ausführungsformen bei Ausführungsformen genutzt werden, bei denen zusätzliche Schichten des Substrats 102 über der Brückenkomponente 110 aufgebaut werden, die die Brückenkomponente 110 einschließen (d. h. eine „eingebettete“ Anordnung). Zum Beispiel veranschaulicht 53 eine mikroelektronische Baugruppe 150, die eine Reihe von Merkmalen mit verschiedenen der hier offenbarten Ausführungsformen gemein hat, wobei aber zusätzliches dielektrisches Material 112 und Metallschichten „oberhalb“ der Brückenkomponente 110 angeordnet sind. Wie in 53 gezeigt, können leitfähige Pads und Vias durch dieses „zusätzliche“ Material hindurch verwendet werden, um zu ermöglichen, dass mikroelektronische Komponenten 130 über das dazwischenliegende Material des Substrats 102 leitfähig mit den leitfähigen Kontakten 118 gekoppelt werden. Gleichermaßen können beliebige geeignete der hier offenbarten Ausführungsformen in einer solchen eingebetteten Anordnung genutzt werden.
  • Die hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 und mikroelektronischen Baugruppen 150 können in einer beliebigen geeigneten elektronischen Komponente enthalten sein. 54-57 veranschaulichen verschiedene Beispiele für Einrichtungen, die beliebige der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 und mikroelektronischen Baugruppen 150 beinhalten können oderdie gegebenenfalls in hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 und mikroelektronischen Baugruppen 150 enthalten sein können.
  • 54 ist eine Draufsicht eines Wafers 1500 und von Dies 1502, die in beliebigen der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 und mikroelektronischen Baugruppen 150 enthalten sein können. Zum Beispiel kann ein Die 1502 in einer mikroelektronischen Struktur 100/mikroelektronischen Baugruppe 150 als eine Brückenkomponente 110 und/oder eine mikroelektronische Komponente 130 (oder als ein Teil davon) enthalten sein. Der Wafer 1500 kann aus Halbleitermaterial bestehen und kann einen oder mehrere Dies 1502 mit IC-Strukturen beinhalten, die auf einer Oberfläche des Wafers 1500 gebildet sind. Jeder der Dies 1502 kann eine sich wiederholende Einheit eines Halbleiterprodukts sein, das eine beliebige geeignete IC enthält. Nachdem die Fertigung des Halbleiterprodukts abgeschlossen ist, kann der Wafer 1500 einen Vereinzelungsprozess durchlaufen, in dem die Dies 1502 voneinander separiert werden, um diskrete „Chips“ des Halbleiterprodukts bereitzustellen. Der Die 1502 kann einen oder mehrere Transistoren (z. B. manche der unten erörterten Transistoren 1640 aus 55), eine oder mehrere Dioden und/oder eine Hilfsschaltungsanordnung, um elektrische Signale zu den Transistoren zu routen, sowie beliebige andere IC-Komponenten beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen kann ein Die 1502 insofern ein „passiver“ Die sein, als dass er keine aktiven Komponenten (z. B. Transistoren) beinhaltet, während ein Die 1502 bei anderen Ausführungsformen insofern ein „aktiver“ Die sein kann, als dass er aktive Komponenten beinhaltet. Bei manchen Ausführungsformen kann der Wafer 1500 oder der Die 1502 eine Speichervorrichtung (z. B. eine Direktzugriffsspeicher(RAM)-Vorrichtung, wie etwa eine Statischer-RAM(SRAM)-Vorrichtung, eine Magnetischer-RAM(MRAM)-Vorrichtung, eine Resistiver-RAM(RRAM)-Vorrichtung, eine Conductive-Bridging-RAM-Vorrichtung (CBRAM) usw.), eine Logikvorrichtung (z. B. ein AND-, OR-, NAND- oder NOR-Gatter) oder ein beliebiges anderes geeignetes Schaltungselement beinhalten. Mehrere dieser Vorrichtungen können auf einem einzigen Die 1502 kombiniert werden. Zum Beispiel kann ein durch mehrere Speichervorrichtungen gebildetes Speicherarray auf einem gleichen Chip 1502 wie eine Verarbeitungsvorrichtung (z. B. die Verarbeitungsvorrichtung 1802 aus 57) oder eine andere Logik gebildet sein, die dazu konfiguriert ist, Informationen in den Speichervorrichtungen zu speichern oder in dem Speicherarray gespeicherte Befehle auszuführen.
  • 55 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtung 1600, die in einer mikroelektronischen Struktur 100 und/oder einer mikroelektronischen Baugruppe 150 enthalten sein kann. Zum Beispiel kann eine IC-Vorrichtung 1600 in einer mikroelektronischen Struktur 100/mikroelektronischen Baugruppe 150 als eine Brückenkomponente 110 und/oder eine mikroelektronische Komponente 130 (oder als ein Teil davon) enthalten sein. Eine IC-Vorrichtung 1600 kann Teil eines Die 1502 sein (wie z. B. oben unter Bezugnahme auf 54 erörtert). Eine oder mehrere der IC-Vorrichtungen 1600 können in einem oder mehreren Dies 1502 (54) enthalten sein. Die IC-Vorrichtung 1600 kann auf einem Substrat 1602 (z. B. dem Wafer 1500 aus 54) gebildet sein und kann in einem Die (z. B. dem Die 1502 aus 54) enthalten sein. Das Substrat 1602 kann ein Halbleitersubstrat sein, das aus Halbleitermaterialsystemen besteht, die zum Beispiel n-Typ- oder p-Typ-Materialsysteme (oder eine Kombination von beiden) beinhalten. Das Substrat 1602 kann zum Beispiel ein kristallines Substrat beinhalten, das unter Verwendung von Volumensilicium oder einer Silicium-auf-lsolator(SOI: Silicon-On-Insulator)-Unterstruktur gebildet ist. Bei manchen Ausführungsformen kann das Substrat 1602 unter Verwendung alternativer Materialien gebildet sein, die mit Silicium kombiniert sein können oder nicht und die unter anderem Germanium, Indiumantimonid, Bleitellurid, Indiumarsenid, Indiumphosphid, Galliumarsenid oder Galliumantimonid beinhalten. Weitere als Gruppe II-VI, III-V oder IV klassifizierte Materialien können ebenfalls verwendet werden, um das Substrat 1602 zu bilden. Obwohl hier einige wenige Beispiele für Materialien, aus denen das Substrat 1602 gebildet werden kann, beschrieben sind, kann ein beliebiges Material verwendet werden, das als eine Grundlage für eine IC-Vorrichtung 1600 dienen kann. Das Substrat 1602 kann Teil eines vereinzelten Dies (z. B. der Dies 1502 aus 54) odereines Wafers (z. B. des Wafers 1500 aus 54) sein.
  • Die IC-Vorrichtung 1600 kann eine oder mehrere Vorrichtungsschichten 1604 beinhalten, die auf dem Substrat 1602 angeordnet sind. Die Vorrichtungsschicht 1604 kann Merkmale eines oder mehrerer Transistoren 1640 (z. B. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs: Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors)) beinhalten, die auf dem Substrat 1602 gebildet sind. Die Vorrichtungsschicht 1604 kann zum Beispiel ein oder mehrere Source- und/oder Drain-Bereiche(S/D-Bereiche) 1620, ein Gate 1622 zum Steuern eines Stromflusses in den Transistor 1640 zwischen den S/D-Bereichen 1620 und einen oder mehrere S/D-Kontakte 1624 zum Routen elektrischer Signale zu/von den S/D-Bereichen 1620 beinhalten. Die Transistoren 1640 können zusätzliche Merkmale aufweisen, die der Klarheit halber nicht dargestellt sind, wie etwa Vorrichtungsisolationsbereiche, Gate-Kontakte und dergleichen. Die Transistoren 1640 sind nicht auf den/die in 55 dargestellte(n) Typ und Konfiguration beschränkt und können eine große Vielfalt von anderen Typen und Konfigurationen beinhalten, wie etwa, zum Beispiel, planare Transistoren, nichtplanare Transistoren oder eine Kombination aus beiden. Planare Transistoren können Bipolartransistoren (BJT), Heteroübergang-Bipolartransistoren (HBT) oder Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) einschließen. Nichtplanare Transistoren können FinFET-Transistoren, wie etwa Doppel-Gate-Transistoren oder Tri-Gate-Transistoren, und Wrap-Around- oder All-Around-Gate-Transistoren, wie etwa Nanoband- und Nanodrahttransistoren, einschließen.
  • Jeder Transistor 1640 kann ein Gate 1622 beinhalten, das aus wenigstens zwei Schichten, einem Gate-Dielektrikum und einer Gate-Elektrode, gebildet ist. Das Gate-Dielektrikum kann eine Schicht oder einen Stapel von Schichten beinhalten. Die eine oder die mehreren Schichten können Siliciumoxid, Siliciumdioxid, Siliciumcarbid und/oder ein High-k-Dielektrikum-Material beinhalten. Das High-k-Dielektrikum-Material kann Elemente beinhalten, wie etwa Hafnium, Silicium, Sauerstoff, Titan, Tantal, Lanthan, Aluminium, Zirconium, Barium, Strontium, Yttrium, Blei, Scandium, Niob und Zink. Beispiele für High-k-Materialien, die in dem Gate-Dielektrikum verwendet werden können, beinhalten unter anderem Hafniumoxid, Hafniumsiliciumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirconiumoxid, Zirconiumsiliciumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid und Bleizinkniobat. Bei manchen Ausführungsformen kann ein Temperprozess an dem Gate-Dielektrikum ausgeführt werden, um dessen Qualität zu verbessern, wenn ein High-k-Material verwendet wird.
  • Die Gate-Elektrode kann auf dem Gate-Dielektrikum gebildet sein und kann in Abhängigkeit davon, ob der Transistor 1640 ein p-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter(PMOS)- oder ein n-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter(NMOS)-Transistor sein soll, wenigstens ein p-Typ-Austrittsarbeit-Metall oder n-Typ-Austrittsarbeit-Metall beinhalten. Bei manchen Implementierungen kann die Gate-Elektrode aus einem Stapel von zwei oder mehr Metallschichten bestehen, wobei eine oder mehrere Metallschichten Austrittsarbeitsmetallschichten sind und wenigstens eine Metallschicht eine Füllmetallschicht ist. Weitere Metallschichten können zu anderen Zwecken enthalten sein, wie etwa eine Barriereschicht. Für einen PMOS-Transistor beinhalten Metalle, die für die Gate-Elektrode verwendet werden können, unter anderem Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel, leitfähige Metalloxide (z. B. Rutheniumoxid) und beliebige der unten unter Bezugnahme auf einen NMOS-Transistor erörterten Metalle (z. B. für Austrittsarbeitsabstimmung). Für einen NMOS-Transistor beinhalten Metalle, die für die Gate-Elektrode verwendet werden können, unter anderem Hafnium, Zirconium, Titan, Tantal, Aluminium, Legierungen dieser Metalle, Carbide dieser Metalle (z. B. Hafniumcarbid, Zirconiumcarbid, Titancarbid, Tantalcarbid und Aluminiumcarbid) und beliebige der oben unter Bezugnahme auf einen PMOS-Transistor erörterten Metalle (z. B. zurAustrittsarbeitsabstimmung).
  • Bei manchen Ausführungsformen kann, bei Betrachtung als ein Querschnitt des Transistors 1640 entlang der Source-Kanal-Drain-Richtung, die Gate-Elektrode aus einer U-förmigen Struktur bestehen, die einen unteren Teil, der im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Substrats ist, und zwei Seitenwandteile beinhaltet, die im Wesentlichen senkrecht zu der oberen Oberfläche des Substrats sind. Bei anderen Ausführungsformen kann wenigstens eine der Metallschichten, die die Gate-Elektrode bilden, einfach eine planare Schicht sein, die im Wesentlichen parallel zu der oberen Oberfläche des Substrats ist und keine Seitenwandteile beinhaltet, die im Wesentlichen senkrecht zu der oberen Oberfläche des Substrats sind. Bei anderen Ausführungsformen kann die Gate-Elektrode aus einer Kombination von U-förmigen Strukturen und planaren, nicht-U-förmigen Strukturen bestehen. Zum Beispiel kann die Gate-Elektrode aus einer oder mehreren U-förmigen Metallschichten bestehen, die oben auf einer oder mehreren planaren, nicht-U-förmigen Schichten gebildet sind.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann ein Paar von Seitenwandabstandshaltern auf gegenüberliegenden Seiten des Gate-Stapels gebildet sein, um den Gate-Stapel einzuklammem. Die Seitenwandabstandshalter können aus Materialien, wie etwa Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid, mit Kohlenstoff dotiertem Siliciumnitrid und Siliciumoxinitrid, gebildet sein. Prozesse zum Bilden von Seitenwandabstandshaltern sind in der Technik wohl bekannt und beinhalten allgemein Abscheidungs- und Ätzprozessschritte. Bei manchen Ausführungsformen können mehrere Abstandshalterpaare verwendet werden; beispielsweise können zwei Paare, drei Paare oder vier Paare von Seitenwandabstandshaltern auf gegenüberliegenden Seiten des Gate-Stapels gebildet sein.
  • Die S/D-Bereiche 1620 können innerhalb des Substrats 1602 angrenzend an das Gate 1622 jedes Transistors 1640 gebildet sein. Die S/D-Bereiche 1620 können zum Beispiel unter Verwendung eines Implantation/Diffusion-Prozesses oder eines Ätz-/Abscheidung-Prozesses gebildet sein. Bei dem erstgenannten Prozess können Dotierungsstoffe, wie etwa Bor, Aluminium, Antimon, Phosphor oder Arsen, in das Substrat 1602 ionenimplantiert werden, um die S/D-Bereiche 1620 zu bilden. Ein Temperprozess, der die Dotierungsstoffe aktiviert und bewirkt, dass sie weiter in das Substrat 1602 hinein diffundieren, kann auf den Ionenimplantationsprozess folgen. In dem letztgenannten Prozess kann das Substrat 1602 zuerst geätzt werden, um Vertiefungen an den Orten der S/D-Bereiche 1620 zu bilden. Dann kann ein epitaktischer Abscheidungsprozess ausgeführt werden, um die Vertiefungen mit Material zu füllen, das zum Fertigen der S/D-Bereiche 1620 verwendet wird. Bei manchen Implementierungen können die S/D-Bereiche 1620 unter Verwendung einer Siliciumlegierung, wie etwa Siliciumgermanium oder Siliciumcarbid, gefertigt sein. Bei manchen Ausführungsformen kann die epitaktisch abgeschiedene Siliciumlegierung in situ mit Dotierungsstoffen, wie etwa Bor, Arsen oder Phosphor, dotiert werden. Bei manchen Ausführungsformen können die S/D-Bereiche 1620 unter Verwendung eines oder mehrerer alternativer Halbleitermaterialien, wie etwa Germanium oder eines/einer Gruppe-III-V-Materials oder-Legierung, gebildet werden. Bei weiteren Ausführungsformen können eine oder mehrere Schichten aus Metall und/oder Metalllegierungen verwendet werden, um die S/D-Bereiche 1620 zu bilden.
  • Elektrische Signale, wie etwa Leistungs- und/oder E/A-Signale, können zu und/oder von den Vorrichtungen (z. B. den Transistoren 1640) der Vorrichtungsschicht 1604 durch eine oder mehrere Zwischenverbindungsschichten geroutet werden, die auf der Vorrichtungsschicht 1604 angeordnet sind (in 55 als Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 veranschaulicht). Zum Beispiel können elektrisch leitfähige Merkmale der Vorrichtungsschicht 1604 (z. B. des Gates 1622 und der S/D-Kontakte 1624) elektrisch mit den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gekoppelt sein. Die eine oder die mehreren Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 können einen Metallisierungsstapel (auch als „ILD-Stapel“ bezeichnet) 1619 der IC-Vorrichtung 1600 bilden. Bei manchen Ausführungsformen kann eine IC-Vorrichtung 1600 insofern eine „passive“ Vorrichtung sein, als dass sie keine aktiven Komponenten (z. B. Transistoren) beinhaltet, während bei anderen Ausführungsformen ein Die 1502 insofern ein „aktiver“ Die sein kann, als dass er aktive Komponenten beinhaltet.
  • Die Zwischenverbindungsstrukturen 1628 können innerhalb der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 angeordnet sein, um elektrische Signale gemäß einer großen Vielfalt von Designs zu routen (insbesondere ist die Anordnung nicht auf die in 55 dargestellte spezielle Konfiguration von Zwischenverbindungsstrukturen 1628 beschränkt). Obwohl eine spezielle Anzahl von Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 in 55 dargestellt ist, beinhalten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung IC-Vorrichtungen mit mehr oder weniger Zwischenverbindungsschichten als dargestellt.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Zwischenverbindungsstrukturen 1628 Leitungen 1628a und/oder Vias 1628b beinhalten, die mit einem elektrisch leitfähigen Material, wie etwa einem Metall, gefüllt sind. Die Leitungen 1628a können so angeordnet sein, dass sie elektrische Signale in einer Richtung einer Ebene routen, die im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Substrats 1602 ist, auf dem die Vorrichtungsschicht 1604 gebildet ist. Zum Beispiel können die Leitungen 1628a elektrische Signale in einer Richtung in die Seite hinein und aus der Seite heraus von der Perspektive in 55 aus gesehen routen. Die Vias 1628b können so angeordnet sein, dass sie elektrische Signale in einer Richtung einer Ebene routen, die im Wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche des Substrats 1602 ist, auf dem die Vorrichtungsschicht 1604 gebildet ist. Bei manchen Ausführungsformen können die Vias 1628b Leitungen 1628a unterschiedlicher Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 elektrisch miteinander koppeln.
  • Die Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 können ein dielektrisches Material 1626 beinhalten, das zwischen den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 angeordnet ist, wie in 55 gezeigt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann das zwischen den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 in unterschiedlichen der Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 angeordnete dielektrische Material 1626 unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen; bei anderen Ausführungsformen kann die Zusammensetzung des dielektrischen Materials 1626 zwischen unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gleich sein.
  • Eine erste Zwischenverbindungsschicht 1606 kann oberhalb der Vorrichtungsschicht 1604 gebildet sein. Bei manchen Ausführungsformen kann die erste Zwischenverbindungsschicht 1606 Leitungen 1628a und/oder Vias 1628b beinhalten, wie gezeigt ist. Die Leitungen 1628a der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 können mit Kontakten (z. B. den S/D-Kontakten 1624) der Vorrichtungsschicht 1604 gekoppelt sein.
  • Eine zweite Zwischenverbindungsschicht 1608 kann oberhalb der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen kann die zweite Zwischenverbindungsschicht 1608 Vias 1628b beinhalten, um die Leitungen 1628a der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 mit den Leitungen 1628a der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 zu koppeln. Obwohl die Leitungen 1628a und die Vias 1628b der Klarheit halber mit einer Linie innerhalb jeder Zwischenverbindungsschicht (z. B. innerhalb der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608) strukturell umrissen sind, können die Leitungen 1628a und die Vias 1628b bei manchen Ausführungsformen strukturell und/oder materiell zusammenhängend sein (z. B. gleichzeitig während eines Dual-Damascene-Prozesses gefüllt werden).
  • Eine dritte Zwischenverbindungsschicht 1610 (und bei Bedarf zusätzliche Zwischenverbindungsschichten) kann in Folge auf der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 gemäß ähnlichen Techniken und Konfigurationen, die in Verbindung mit der zweiten Zwischenverbindungsschicht 1608 oder der ersten Zwischenverbindungsschicht 1606 beschrieben sind, gebildet werden. Bei manchen Ausführungsformen können die Zwischenverbindungsschichten, die sich „weiter oben“ in dem Metallisierungsstapel 1619 in der IC-Vorrichtung 1600 befinden (d. h. weiter von der Vorrichtungsschicht 1604 entfernt sind), dicker sein.
  • Die IC-Vorrichtung 1600 kann ein Oberflächenisolationsmaterial 1634 (z. B. Polyimid oder ein ähnliches Material) und einen oder mehrere leitfähige Kontakte 1636, die auf den Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 gebildet sind, beinhalten. In 55 sind die leitfähigen Kontakte 1636 als die Form von Bondpads annehmend veranschaulicht. Die leitfähigen Kontakte 1636 können elektrisch mit den Zwischenverbindungsstrukturen 1628 gekoppelt und dazu ausgebildet sein, die elektrischen Signale des (der) Transistors (Transistoren) 1640 zu anderen externen Vorrichtungen zu routen. Zum Beispiel können auf dem einen oderden mehreren leitfähigen Kontakten 1636 Lötbondungen gebildet sein, um einen Chip, der die IC-Vorrichtung 1600 beinhaltet, mechanisch und/oder elektrisch mit einer anderen Komponente (z. B. einer Leiterplatte) zu koppeln. Die IC-Vorrichtung 1600 kann zusätzliche oder alternative Strukturen beinhalten, um die elektrischen Signale aus den Zwischenverbindungsschichten 1606-1610 zu routen; zum Beispiel können die leitfähigen Kontakte 1636 andere analoge Merkmale (z. B. Pfosten) beinhalten, die die elektrischen Signale zu externen Komponenten routen.
  • 56 ist eine Seitenquerschnittsansicht einer IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700, die eine oder mehrere mikroelektronische Strukturen 100 und/oder mikroelektronische Baugruppen 150 beinhalten kann, gemäß beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen. Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Reihe von Komponenten, die auf einer Leiterplatte 1702 (die z. B. eine Hauptplatine sein kann) angeordnet sind. Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet Komponenten, die auf einer ersten Fläche 1740 der Leiterplatte 1702 und auf einer gegenüberliegenden zweiten Fläche 1742 der Leiterplatte 1702 angeordnet sind; allgemein können Komponenten auf einer oder beiden Flächen 1740 und 1742 angeordnet sein. Beliebige der unten unter Bezugnahme auf die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 erörterten IC-Gehäuse können die Form beliebiger der hier erörterten Ausführungsformen der mikroelektronischen Baugruppen 150 annehmen oder können anderweitig beliebige der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100 beinhalten.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann die Leiterplatte 1702 eine PCB sein, die mehrere Metallschichten beinhaltet, die durch Schichten aus dielektrischem Material voneinander getrennt und durch elektrisch leitfähige Vias miteinander verbunden sind. Eine oder mehrere beliebige der Metallschichten können in einer gewünschten Schaltungsstruktur gebildet sein, um elektrische Signale (optional in Verbindung mit anderen Metallschichten) zwischen den mit der Leiterplatte 1702 gekoppelten Komponenten zu routen. Bei anderen Ausführungsformen kann die Leiterplatte 1702 ein Nicht-PCB-Substrat sein.
  • Die in 56 veranschaulichte IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736, die durch Kopplungskomponenten 1716 mit der ersten Fläche 1740 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1716 können die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 elektrisch und mechanisch mit der Leiterplatte 1702 koppeln und können Lötkugeln (wie in 56 gezeigt), männliche und weibliche Teile eines Sockels, einen Klebstoffstoff, ein Unterfüllungsmaterial und/oder eine beliebige andere geeignete elektrische und/oder mechanische Kopplungsstruktur beinhalten.
  • Die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 kann ein IC-Gehäuse 1720 beinhalten, das durch Kopplungskomponenten 1718 mit einem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1718 können eine beliebige für die Anwendung geeignete Form annehmen, wie etwa die oben unter Bezugnahme auf die Kopplungskomponenten 1716 erörterten Formen. Obwohl ein einziges IC-Gehäuse 1720 in 56 gezeigt ist, können mehrere IC-Gehäuse mit dem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt sein; tatsächlich können zusätzliche Interposer mit dem Gehäuse-Interposer 1704 gekoppelt sein. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann ein dazwischenliegendes Substrat bereitstellen, das verwendet wird, um eine Brücke zwischen der Leiterplatte 1702 und dem IC-Gehäuse 1720 zu bilden. Das IC-Gehäuse 1720 kann zum Beispiel ein Die (der Die 1502 aus 54), eine IC-Vorrichtung (z. B. die IC-Vorrichtung 1600 aus 55) oder eine beliebige andere geeignete Komponente sein oder diese(n) beinhalten. Allgemein kann der Gehäuse-Interposer 1704 eine Verbindung auf ein breiteres Rastermaß spreizen oder eine Verbindung zu einer anderen Verbindung umleiten. Zum Beispiel kann der Gehäuse-Interposer 1704 das IC-Gehäuse 1720 (z. B. einen Die) mit einem Satz von leitfähigen Ball-Grid-Array(BGA)-Kontakten der Kopplungskomponenten 1716 zur Kopplung mit der Leiterplatte 1702 koppeln. Bei der in 56 veranschaulichten Ausführungsform sind das IC-Gehäuse 1720 und die Leiterplatte 1702 an gegenüberliegenden Seiten des Gehäuse-Interposers 1704 angebracht; bei anderen Ausführungsformen können das IC-Gehäuse 1720 und die Leiterplatte 1702 an einer gleichen Seite des Gehäuse-Interposers 1704 angebracht sein. Bei manchen Ausführungsformen können drei oder mehr Komponenten mittels des Gehäuse-Interposers 1704 miteinander verbunden sein.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 als eine PCB gebildet sein, die mehrere Metallschichten beinhaltet, die durch Schichten aus dielektrischem Material voneinander getrennt sind und durch elektrisch leitfähige Vias miteinander verbunden sind. Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 aus einem Epoxidharz, einem glasfaserverstärkten Epoxidharz, einem Epoxidharz mit anorganischen Füllstoffen, einem keramischen Material oder einem Polymermaterial, wie etwa Polyimid, gebildet sein. Bei einigen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 aus alternativen starren oder flexiblen Materialien gebildet sein, die die gleichen oben zur Verwendung in einem Halbleitersubstrat beschriebenen Materialien beinhalten können, wie etwa Silicium, Germanium und andere Gruppe-III-V- und Gruppe-IV-Materialien. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann Metallleitungen 1710 und Vias 1708 beinhalten, einschließlich unter anderem Siliciumdurchkontaktierungen (TSV: Through-Silicon Vias) 1706. Der Gehäuse-Interposer 1704 kann ferner eingebettete Vorrichtungen 1714 beinhalten, einschließlich sowohl passiver als auch aktiver Vorrichtungen. Solche Vorrichtungen können unter anderem Kondensatoren, Entkopplungskondensatoren, Widerstände, Induktivitäten, Sicherungen, Dioden, Transformatoren, Sensoren, Elektrostatische-Entladung(ESD)-Vorrichtungen und Speichervorrichtungen beinhalten. Komplexere Vorrichtungen, wie etwa Hochfrequenzvorrichtungen, Leistungsverstärker, Leistungsverwaltungsvorrichtungen, Antennen, Arrays, Sensoren und Mikroelektromechanisches-System(MEMS)-Vorrichtungen, können auch auf dem Gehäuse-Interposer 1704 gebildet werden. Die Gehäuse-auf-Interposer-Struktur 1736 kann die Form beliebiger der in der Technik bekannten Gehäuse-auf-Interposer-Strukturen annehmen. Bei manchen Ausführungsformen kann der Gehäuse-Interposer 1704 eine oder mehrere mikroelektronische Strukturen 100 und/oder mikroelektronische Baugruppen 150 beinhalten.
  • Die IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 kann ein IC-Gehäuse 1724 beinhalten, das durch Kopplungskomponenten 1722 mit der ersten Fläche 1740 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Kopplungskomponenten 1722 können die Form beliebiger der oben unter Bezugnahme auf die Kopplungskomponenten 1716 erörterten Ausführungsformen annehmen und das IC-Gehäuse 1724 kann die Form beliebiger der oben unter Bezugnahme auf das IC-Gehäuse 1720 erörterten Ausführungsformen annehmen.
  • Die in 56 veranschaulichte IC-Vorrichtungsbaugruppe 1700 beinhaltet eine Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734, die durch Kopplungskomponenten 1728 mit der zweiten Fläche 1742 der Leiterplatte 1702 gekoppelt ist. Die Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734 kann ein IC-Gehäuse 1726 und ein IC-Gehäuse 1732 beinhalten, die durch Kopplungskomponenten 1730 so miteinander gekoppelt sind, dass das IC-Gehäuse 1726 zwischen der Leiterplatte 1702 und dem IC-Gehäuse 1732 angeordnet ist. Die Kopplungskomponenten 1728 und 1730 können die Form beliebiger Ausführungsformen der oben besprochenen Kopplungskomponenten 1716 annehmen und die IC-Gehäuse 1726 und 1732 können die Form beliebiger Ausführungsformen des oben besprochenen IC-Gehäuses 1720 annehmen. Die Gehäuse-auf-Gehäuse-Struktur 1734 kann gemäß beliebiger in derTechnik bekannter Gehäuse-auf-Gehäuse-Strukturen konfiguriert sein.
  • 57 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften elektrischen Vorrichtung 1800, die eine oder mehrere mikroelektronische Strukturen 100 und/oder mikroelektronische Baugruppen 150 gemäß einer beliebigen der hier offenbarten Ausführungsformen beinhalten kann. Zum Beispiel können beliebige geeignete der Komponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 eine(n) oder mehrere der hier offenbarten mikroelektronischen Strukturen 100, mikroelektronischen Baugruppen 150, IC-Vorrichtungsbaugruppen 1700, IC-vorrichtungen 1600 oder Dies 1502 beinhalten. Eine Reihe von Komponenten ist in 57 als in der elektrischen Vorrichtung 1800 enthalten veranschaulicht, jedoch können eine oder mehrere beliebige dieser Komponenten weggelassen oder dupliziert werden, wie für die Anwendung geeignet. Bei manchen Ausführungsformen können manche oder alle der Komponenten, die in der elektrischen Vorrichtung 1800 enthalten sind, an einer oder mehreren Hauptplatinen befestigt sein. Bei manchen Ausführungsformen können manche oder alle dieser Komponenten auf einem einzigen System-auf-Chip(SoC: System-on-Chip)-Die gefertigt sein.
  • Zusätzlich dazu beinhaltet die elektrische Vorrichtung 1800 bei verschiedenen Ausführungsformen möglicherweise nicht eine oder mehrere der in 57 veranschaulichten Komponenten, jedoch kann die elektrische Vorrichtung 1800 eine Schnittstellenschaltungsanordnung zum Koppeln mit der einen oder den mehreren Komponenten beinhalten. Zum Beispiel beinhaltet die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Anzeigevorrichtung 1806, sondern kann eine Anzeigevorrichtungsschnittstellenschaltungsanordnung (z. B. einen Verbinder und eine Treiberschaltungsanordnung) beinhalten, mit der eine Anzeigevorrichtung 1806 gekoppelt werden kann. In einem anderen Satz von Beispielen beinhaltet die elektrische Vorrichtung 1800 möglicherweise keine Audioeingabevorrichtung 1824 oder Audioausgabevorrichtung 1808, aber kann eine Audioeingabe- oder -ausgabevorrichtungsschnittstellenschaltungsanordnung (z. B. Verbinder und eine Unterstützungsschaltungsanordnung) beinhalten, mit der eine Audioeingabevorrichtung 1824 oder eine Audioausgabevorrichtung 1808 gekoppelt werden kann.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Verarbeitungsvorrichtung 1802 (z. B. eine oder mehrere Verarbeitungsvorrichtungen) beinhalten. Wie hier verwendet, kann der Ausdruck „Verarbeitungsvorrichtung“ oder „Prozessor“ auf eine beliebige Vorrichtung oder einen beliebigen Teil einer Vorrichtung verweisen, die bzw. der elektronische Daten aus Registern und/oder einem Speicher verarbeitet, um diese elektronischen Daten in andere elektronische Daten zu transformieren, die in Registern und/oder einem Speicher gespeichert werden können. Die Verarbeitungsvorrichtung 1802 kann einen oder mehrere Digitalsignalprozessoren (DSPs), anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs: Application-Specific Integrated Circuits), zentrale Verarbeitungseinheiten (CPUs: Central Processing Units), Grafikverarbeitungseinheiten (GPUs: Graphics Processing Units), Kryptoprozessoren (spezialisierte Prozessoren, die kryptografische Algorithmen innerhalb von Hardware ausführen), Serverprozessoren oder beliebige andere geeignete Verarbeitungsvorrichtungen beinhalten. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann einen Speicher 1804 beinhalten, welcher selbst eine oder mehrere Speichervorrichtungen beinhalten kann, wie etwa flüchtigen Speicher (z. B. dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)), nichtflüchtigen Speicher (z. B. Nur-LeseSpeicher (ROM)), Flash-Speicher, Festkörperspeicher und/oder eine Festplatte. Bei manchen Ausführungsformen kann der Speicher 1804 einen Speicher beinhalten, der einen Die gemeinsam mit der Verarbeitungsvorrichtung 1802 nutzt. Dieser Speicher kann als Cache-Speicher verwendet werden und kann einen eingebetteten dynamischen Direktzugriffsspeicher (eDRAM) oder einen magnetischen Spintransferdrehmoment-Direktzugriffsspeicher (STT-MRAM) beinhalten.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann die elektrische Vorrichtung 1800 einen Kommunikationschip 1812 (z. B. einen oder mehrere Kommunikationschips) beinhalten. Zum Beispiel kann der Kommunikationschip 1812 zum Verwalten drahtloser Kommunikationen für die Übertragung von Daten zu und von der elektrischen Vorrichtung 1800 ausgebildet sein. Der Ausdruck „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, um Schaltungen, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nichtfestes Medium kommunizieren können. Der Begriff impliziert nicht, dass die assoziierten Vorrichtungen keinerlei Drähte enthalten, obwohl sie bei manchen Ausführungsformen diese nicht enthalten können.
  • Der Kommunikationschip 1812 kann beliebige einer Reihe von Drahtlosstandards oder-protokollen implementieren, einschließlich unter anderem Institute-for-Electrical-and-Electronic-Engineers(IEEE)-Standards einschließlich Wi-Fi (IEEE-802.11-Familie), IEEE-802.16-Standards (z. B. IEEE-802.16-2005-Amendment), Long-Term-Evolution(LTE)-Project zusammen mit allen Änderungen, Aktualisierungen und/oder Revisionen (z. B. Advanced-LTE-Project, Ultra-Mobile-Broadband(UMB)-Projekt (auch als „3GPP2“ bezeichnet) usw.). IEEE-802.16-kompatible Broadband-Wireless-Access (BWA)-Netze werden allgemein als WiMAX-Netze bezeichnet, ein Akronym, das für Worldwide Interoperability for Microwave Access steht, einer Zertifikationsmarke für Produkte, die Konformitäts- und Interoperabilitätstests für die IEEE-802.16-Standards bestehen. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß einem Global-System-for-Mobile-Communication(GSM)-, General-Packet-Radio-Service(GPRS)-, Universal-Mobile-Telecommunications-System(UMTS)-, High-Speed-Packet-Access(HSPA)-, Evolved-HSPA(E-HSPA)- oder LTE-Netz arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Enhanced Data for GSM Evolution (EDGE), GSM EDGE Radio Access Network (GERAN), Universal Terrestrial Radio Access Network (UTRAN) oder Evolved UTRAN (E-UTRAN) arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann gemäß Code Division Multiple Access (CDMA), Time Division Multiple Access (TDMA), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), Evolution-Data Optimized (EV-DO) und Abwandlungen davon sowie beliebigen anderen Drahtlosprotokollen, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden, arbeiten. Der Kommunikationschip 1812 kann bei anderen Ausführungsformen gemäß anderen Drahtlosprotokollen arbeiten. Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Antenne 1822 beinhalten, um drahtlose Kommunikationen zu ermöglichen und/oder andere drahtlose Kommunikationen (wie etwa AM- oder FM-Funkübertragungen) zu empfangen.
  • Bei manchen Ausführungsformen kann der Kommunikationschip 1812 drahtgebundene Kommunikationen verwalten, wie etwa elektrische, optische oder beliebige andere geeignete Kommunikationsprotokolle (z. B. das Ethernet). Wie oben erwähnt, kann der Kommunikationschip 1812 mehrere Kommunikationschips beinhalten. Beispielsweise kann ein erster Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen mit kürzerer Reichweite dediziert sein, wie etwa WiFi oder Bluetooth, und kann ein zweiter Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen mit längerer Reichweite dediziert sein, wie etwa Global Positioning System (GPS), EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, EV-DO oder andere. Bei manchen Ausführungsformen kann ein erster Kommunikationschip 1812 für drahtlose Kommunikationen dediziert sein und kann ein zweiter Kommunikationschip 1812 für drahtgebundene Kommunikationen dediziert sein.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Batterie-/Leistungsschaltungsanordnung 1814 beinhalten. Die Batterie-/Leistungsschaltungsanordnung 1814 kann eine oder mehrere Energiespeicherungsvorrichtungen (z. B. Batterien oder Kondensatoren) und/oder eine Schaltungsanordnung zum Koppeln von Komponenten der elektrischen Vorrichtung 1800 mit einervon der elektrischen Vorrichtung 1800 separaten Energiequelle (z. B. der AC-Netzversorgung) beinhalten.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Anzeigevorrichtung 1806 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Die Anzeigevorrichtung 1806 kann beliebige visuelle Indikatoren beinhalten, wie etwa ein Heads-Up-Display, einen Computermonitor, einen Projektor, eine Berührungsbildschirmanzeige, eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Leuchtdiodenanzeige oder eine Flachbildschirmanzeige.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audioausgabevorrichtung 1808 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Die Audioausgabevorrichtung 1808 kann eine beliebige Vorrichtung beinhalten, die einen akustischen Indikator erzeugt, wie etwa Lautsprecher, Kopfhörer oder Ohrhörer.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine Audioeingabevorrichtung 1824 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Die Audioeingabevorrichtung 1824 kann eine beliebige Vorrichtung beinhalten, die ein Signal erzeugt, das einen Ton repräsentiert, wie etwa Mikrofone, Mikrofonarrays oder digitale Instrumente (z. B. Instrumente mit einem Musical-Instrument-Digital-Interface(MIDI)-Ausgang).
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine GPS-Vorrichtung 1818 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Die GPS-Vorrichtung 1818 kann in Kommunikation mit einem satellitenbasierten System stehen und einen Standort der elektrischen Vorrichtung 1800 empfangen, wie in der Technik bekannt ist.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Ausgabevorrichtung 1810 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Beispiele für die andere Ausgabevorrichtung 1810 können einen Audiocodec, einen Videocodec, einen Drucker, einen drahtgebundenen oder drahtlosen Sender zum Liefern von Informationen an andere Vorrichtungen oder eine zusätzliche Speicherungsvorrichtung beinhalten.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann eine andere Eingabevorrichtung 1820 (oder eine entsprechende Schnittstellenschaltungsanordnung, wie oben erörtert) beinhalten. Beispiele für die andere Eingabevorrichtung 1820 können einen Beschleunigungsmesser, ein Gyroskop, einen Kompass, eine Bilderfassungsvorrichtung, eine Tastatur, eine Cursor-Steuervorrichtung wie etwa eine Maus, einen Stift, ein Berührungsfeld, ein Strichcodelesegerät, ein Quick-Response(QR)-Code-Lesegerät, einen beliebigen Sensor oder ein Hochfrequenzidentifikation(RFID)-Lesegerät beinhalten.
  • Die elektrische Vorrichtung 1800 kann einen beliebigen gewünschten Formfaktor aufweisen, wie etwa eine handgehaltene oder mobile elektrische Vorrichtung (z. B. ein Mobiltelefon, ein Smartphone, eine mobile Internetvorrichtung, ein Musik-Player, ein Tablet-Computer, ein Laptop-Computer, ein Netbook-Computer, ein Ultrabook-Computer, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA), ein ultramobiler Personal-Computer usw.), eine elektrische Desktop-Vorrichtung, eine Servervorrichtung oder eine andere vernetzte Rechenkomponente, ein Drucker, ein Scanner, ein Monitor, eine Set-Top-Box, eine Unterhaltungssteuereinheit, eine Fahrzeugsteuereinheit, eine digitale Kamera, ein digitaler Videorekorder oder eine elektrische Wearable-Vorrichtung. Bei manchen Ausführungsformen kann die elektrische Vorrichtung 1800 eine beliebige andere elektronische Vorrichtung, die Daten verarbeitet, sein.
  • Die folgenden Absätze stellen verschiedene Beispiele für die hier offenbarten Ausführungsformen bereit.
  • Beispiel A1 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente mit einem ersten leitfähigen Kontakt; einen zweiten leitfähigen Kontakt, der durch ein erstes Lot mit dem ersten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist, wobei das erste Lot in einem Vergussmaterial eingebettet ist und sich das Vergussmaterial um Seitenflächen der mikroelektronischen Komponente herum erstreckt; und einen dritten leitfähigen Kontakt, der durch ein zweites Lot mit dem zweiten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist, wobei sich das zweite Lot und der dritte leitfähige Kontakt außerhalb des Vergussmaterials befinden.
  • Beispiel A2 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A1 und spezifiziert ferner, dass: der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte ist; der zweite leitfähige Kontakt einer mehrerer zweiter leitfähiger Kontakte ist; das erste Lot eines mehrerer erster Lote ist; einzelne der zweiten leitfähigen Kontakte mit einzelnen der ersten leitfähigen Kontakte durch einzelne der ersten Lote gekoppelt sind; die ersten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; der dritte leitfähige Kontakt einer mehrerer dritter leitfähiger Kontakte ist; das zweite Lot eines mehrerer zweiter Lote ist; einzelne der dritten leitfähigen Kontakte mit einzelnen der zweiten leitfähigen Kontakte durch einzelne der zweiten Lote gekoppelt sind; und
  • sich die zweiten Lote und die dritten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden.
  • Beispiel A3 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A2 und spezifiziert ferner, dass die ersten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß größer als 50 Mikrometer aufweisen.
  • Beispiel A4 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A2-3 und spezifiziert ferner, dass: die mikroelektronische Komponente mehrere vierte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die ersten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer fünfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der vierten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer dritter Lote gekoppelt sind, wobei die dritten Lote in das Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer sechster leitfähiger Kontakte mit einzelnen der fünften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer vierter Lote gekoppelt sind, wobei sich die vierten Lote und die sechsten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A5 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A4 und spezifiziert ferner, dass die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A6 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A4-5 und spezifiziert ferner, dass die sechsten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte einer Brückenkomponente sind.
  • Beispiel A7 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A6 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A8 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A6 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A9 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A6-7 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente mit mehreren siebten leitfähigen Kontakten; einzelne mehrerer achter leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der siebten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer fünfter Lote gekoppelt sind, wobei die fünften Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind und sich das Vergussmaterial um Seitenflächen der zweiten mikroelektronischen Komponente herum erstreckt; und einzelne mehrerer neunter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der achten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer sechster Lote gekoppelt sind, wobei sich die sechsten Lote und die neunten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; wobei sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche der Brückenkomponente befinden; die neunten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte der Brückenkomponente sind und sich auf der Fläche der Brückenkomponente befinden.
  • Beispiel A10 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A9 und spezifiziert ferner, dass die erste mikroelektronische Komponente und die zweite mikroelektronische Komponente unterschiedliche Dicken aufweisen.
  • Beispiel A11 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A9-10 und spezifiziert ferner, dass die siebten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A12 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A9-11 und spezifiziert ferner, dass: die zweite mikroelektronische Komponente mehrere zehnte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die siebten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer elfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der zehnten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer siebter Lote gekoppelt sind, wobei die siebten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer zwölfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der elften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer achter Lote gekoppelt sind, wobei sich die achten Lote und die zwölften leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die zehnten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das größer als ein Rastermaß der siebten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A13 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A12 und spezifiziert ferner, dass sich die zwölften leitfähigen Kontakte und die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A14 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A13 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A15 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A14 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A16 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A12-15 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A17 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A12-16 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A18 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A12-16 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A19 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A12-18 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A20 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A6-19 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A21 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A20 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A22 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A21 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A23 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A20-22 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A24 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A20-23 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A25 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A6-23 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A26 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A6-25 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A27 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A1-26 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A28 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A27 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A29 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A27-28 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und dem Vergussmaterial.
  • Beispiel A30 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente mit einem ersten leitfähigen Kontakt; einen zweiten leitfähigen Kontakt, der durch ein erstes Lot mit dem ersten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist, wobei das erste Lot in einem Vergussmaterial eingebettet ist; und einen dritten leitfähigen Kontakt, der durch ein zweites Lot mit dem zweiten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist, wobei sich das zweite Lot außerhalb des Vergussmaterials befindet.
  • Beispiel A31 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A30 und spezifiziert ferner, dass: der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte ist; der zweite leitfähige Kontakt einer mehrerer zweiter leitfähiger Kontakte ist; das erste Lot eines mehrerer erster Lote ist; einzelne der zweiten leitfähigen Kontakte mit einzelnen der ersten leitfähigen Kontakte durch einzelne der ersten Lote gekoppelt sind; die ersten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; der dritte leitfähige Kontakt einer mehrerer dritter leitfähiger Kontakte ist; das zweite Lot eines mehrerer zweiter Lote ist; einzelne der dritten leitfähigen Kontakte mit einzelnen der zweiten leitfähigen Kontakte durch einzelne der zweiten Lote gekoppelt sind; und
  • sich die zweiten Lote und die dritten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden.
  • Beispiel A32 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A31 und spezifiziert ferner, dass die ersten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß größer als 50 Mikrometer aufweisen.
  • Beispiel A33 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A31-32 und spezifiziert ferner, dass: die mikroelektronische Komponente mehrere vierte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die ersten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer fünfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der vierten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer dritter Lote gekoppelt sind, wobei die dritten Lote in das Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer sechster leitfähiger Kontakte mit einzelnen der fünften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer vierter Lote gekoppelt sind, wobei sich die vierten Lote und die sechsten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A34 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A33 und spezifiziert ferner, dass die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A35 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A33-34 und spezifiziert ferner, dass die sechsten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte einer Brückenkomponente sind.
  • Beispiel A36 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A35 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A37 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A35 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A38 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A35-36 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente mit mehreren siebten leitfähigen Kontakten; einzelne mehrerer achter leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der siebten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer fünfter Lote gekoppelt sind, wobei die fünften Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind und sich das Vergussmaterial um Seitenflächen der zweiten mikroelektronischen Komponente herum erstreckt; und einzelne mehrerer neunter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der achten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer sechster Lote gekoppelt sind, wobei sich die sechsten Lote und die neunten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; wobei sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche der Brückenkomponente befinden; die neunten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte der Brückenkomponente sind und sich auf der Fläche der Brückenkomponente befinden.
  • Beispiel A39 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A38 und spezifiziert ferner, dass die erste mikroelektronische Komponente und die zweite mikroelektronische Komponente unterschiedliche Dicken aufweisen.
  • Beispiel A40 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A38-39 und spezifiziert ferner, dass die siebten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A41 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A38-40 und spezifiziert ferner, dass: die zweite mikroelektronische Komponente mehrere zehnte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die siebten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer elfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der zehnten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer siebter Lote gekoppelt sind, wobei die siebten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer zwölfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der elften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer achter Lote gekoppelt sind, wobei sich die achten Lote und die zwölften leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die zehnten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das größer als ein Rastermaß der siebten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A42 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A41 und spezifiziert ferner, dass sich die zwölften leitfähigen Kontakte und die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A43 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A42 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A44 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A43 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A45 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A41-44 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A46 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A41-45 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A47 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A41-45 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A48 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A41-47 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A49 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A35-48 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A50 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A49 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A51 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A50 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A52 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A49-51 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A53 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A49-52 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A54 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A35-52 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A55 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A35-54 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A56 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A30-55 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A57 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A56 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A58 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A56-57 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und dem Vergussmaterial.
  • Beispiel A59 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente mit mehreren ersten leitfähigen Kontakten; einzelne mehrerer zweiter leitfähiger Kontakte, die mit den einzelnen der ersten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer erster Lote gekoppelt sind, wobei die ersten Lote in einem Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer dritter leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der zweiten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer zweiter Lote gekoppelt sind; mehrere vierte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die ersten leitfähigen Kontakte; einzelne mehrerer fünfter leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der vierten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer dritter Lote gekoppelt sind, wobei die dritten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; und einzelne mehrerer sechster leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der fünften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer vierter Lote gekoppelt sind, wobei die sechsten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte einer Brückenkomponente sind.
  • Beispiel A60 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A59 und spezifiziert ferner, dass die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A61 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-60 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A62 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-60 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel A63 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-62 und spezifiziert ferner, dass die ersten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß größer als 50 Mikrometer aufweisen.
  • Beispiel A64 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-63 und spezifiziert ferner, dass: die mikroelektronische Komponente mehrere vierte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die ersten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer fünfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der vierten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer dritter Lote gekoppelt sind, wobei die dritten Lote in das Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer sechster leitfähiger Kontakte mit einzelnen der fünften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer vierter Lote gekoppelt sind, wobei sich die vierten Lote und die sechsten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A65 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A64 und spezifiziert ferner, dass die vierten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A66 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A64-65 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente mit mehreren siebten leitfähigen Kontakten; einzelne mehrerer achter leitfähiger Kontakte, die mit einzelnen der siebten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer fünfter Lote gekoppelt sind, wobei die fünften Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind und sich das Vergussmaterial um Seitenflächen der zweiten mikroelektronischen Komponente herum erstreckt; und einzelne mehrerer neunter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der achten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer sechster Lote gekoppelt sind, wobei sich die sechsten Lote und die neunten leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; wobei sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche der Brückenkomponente befinden; die neunten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte der Brückenkomponente sind und sich auf der Fläche der Brückenkomponente befinden.
  • Beispiel A67 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A66 und spezifiziert ferner, dass die erste mikroelektronische Komponente und die zweite mikroelektronische Komponente unterschiedliche Dicken aufweisen.
  • Beispiel A68 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A66-67 und spezifiziert ferner, dass die siebten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel A69 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A66-68 und spezifiziert ferner, dass: die zweite mikroelektronische Komponente mehrere zehnte leitfähige Kontakte auf einer gleichen Fläche der mikroelektronischen Komponente wie die siebten leitfähigen Kontakte aufweist; einzelne mehrerer elfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der zehnten leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer siebter Lote gekoppelt sind, wobei die siebten Lote in dem Vergussmaterial eingebettet sind; einzelne mehrerer zwölfter leitfähiger Kontakte mit einzelnen der elften leitfähigen Kontakte durch einzelne mehrerer achter Lote gekoppelt sind, wobei sich die achten Lote und die zwölften leitfähigen Kontakte außerhalb des Vergussmaterials befinden; und die zehnten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das größer als ein Rastermaß der siebten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel A70 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A69 und spezifiziert ferner, dass sich die zwölften leitfähigen Kontakte und die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A71 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A70 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A72 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A71 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A73 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A69-72 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A74 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A69-73 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A75 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A69-73 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A76 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A69-75 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A77 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A64-76 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A78 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A77 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente in einen Hohlraum in dem Substrat hinein erstreckt.
  • Beispiel A79 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A78 und spezifiziert ferner, dass der Hohlraum ein Hohlraum in einem Oberflächenisolationsmaterial des Substrats ist.
  • Beispiel A80 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A77-79 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A81 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A77-80 und spezifiziert ferner, dass sich die sechsten leitfähigen Kontakte auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente befinden, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist, sich mehrere dreizehnte leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden und einzelne der dreizehnten leitfähigen Kontakte mit einzelnen mehrerer fünfzehnter leitfähiger Kontakte des Substrats gekoppelt sind.
  • Beispiel A82 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A64-81 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente ein Vergussmaterial auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet, die einer Fläche der Brückenkomponente gegenüberliegt, auf der sich die sechsten leitfähigen Kontakte befinden.
  • Beispiel A83 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-82 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial um die Brückenkomponente herum.
  • Beispiel A84 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A59-83 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte auf einer Fläche eines Substrats befinden.
  • Beispiel A85 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A84 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel A86 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A84-85 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und dem Vergussmaterial.
  • Beispiel A87 ist eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Leiterplatte; und eine mikroelektronische Baugruppe, die leitfähig mit der Leiterplatte gekoppelt ist, wobei die mikroelektronische Baugruppe eine beliebige der mikroelektronischen Baugruppen nach einem der Beispiele A1-86 beinhaltet.
  • Beispiel A88 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A87 und spezifiziert ferner, dass die elektronische Vorrichtung eine handgehaltene Rechenvorrichtung, eine Laptop-Rechenvorrichtung, eine Wearable-Rechenvorrichtung oder eine Serverrechenvorrichtung ist.
  • Beispiel A89 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A87-88 und spezifiziert ferner, dass die Leiterplatte eine Hauptplatine ist.
  • Beispiel A90 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A87-89 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Anzeige, die kommunikativ mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel A91 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels A90 und spezifiziert ferner, dass die Anzeige eine Berührungsbildschirmanzeige beinhaltet.
  • Beispiel A92 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele A87-91 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Umhüllung um die Leiterplatte und die mikroelektronische Baugruppe herum.
  • Beispiel B1 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine erste mikroelektronische Komponente; eine zweite mikroelektronische Komponente; eine Brückenkomponente, wobei die erste mikroelektronische Komponente mit einer ersten Fläche der Brückenkomponente gekoppelt ist und die zweite mikroelektronische Komponente mit der ersten Fläche der Brückenkomponente gekoppelt ist, die Brückenkomponente eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist und die Brückenkomponente erste leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche aufweist; und ein Substrat mit dritten leitfähigen Kontakten, wobei sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der ersten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet, sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet, die ersten leitfähigen Kontakte mit zweiten leitfähigen Kontakten durch ein erstes Lot gekoppelt sind, die zweiten leitfähigen Kontakte mit den dritten leitfähigen Kontakten durch ein zweites Lot gekoppelt sind und sich die zweiten leitfähigen Kontakte zwischen den ersten leitfähigen Kontakten und den dritten leitfähigen Kontakten befinden.
  • Beispiel B2 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B1 und spezifiziert ferner, dass die zweiten leitfähigen Kontakte eine Oberfläche aufweisen, die koplanar mit einer Oberfläche eines Isolationsmaterials ist, in dem die zweiten leitfähigen Kontakte eingebettet sind.
  • Beispiel B3 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B2 und spezifiziert ferner, dass vierte leitfähige Kontakte der ersten mikroelektronischen Komponente durch ein drittes Lot mit fünften leitfähigen Kontakten gekoppelt sind, die fünften leitfähigen Kontakte durch ein viertes Lot mit sechsten leitfähigen Kontakten gekoppelt sind, die sechsten leitfähigen Kontakte leitfähige Kontakte des Substrats sind, sich die fünften leitfähigen Kontakte zwischen den vierten leitfähigen Kontakten und den sechsten leitfähigen Kontakten befinden und sich die sechsten leitfähigen Kontakte außerhalb einer Grundfläche der Brückenkomponente befinden.
  • Beispiel B4 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B3 und spezifiziert ferner, dass die fünften leitfähigen Kontakte eine Oberfläche aufweisen, die koplanar mit der Oberfläche des Isolationsmaterials ist.
  • Beispiel B5 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B3-4 und spezifiziert ferner, dass das Isolationsmaterial ein erstes Isolationsmaterial ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner ein zweites Isolationsmaterial, das sich von dem ersten Isolationsmaterial unterscheidet, zwischen dem ersten Isolationsmaterial und der ersten mikroelektronischen Komponente beinhaltet.
  • Beispiel B6 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B5 und spezifiziert ferner, dass das erste Isolationsmaterial ein Resist-Material ist und das zweite Isolationsmaterial ein Vergussmaterial ist.
  • Beispiel B7 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B5-6 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise in einer Öffnung in dem ersten Isolationsmaterial befindet.
  • Beispiel B8 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B3-7 und spezifiziert ferner, dass ein Rastermaß der vierten leitfähigen Kontakte größer als ein Rastermaß der leitfähigen Kontakte ist, die die erste mikroelektronische Komponente mit der Brückenkomponente koppeln.
  • Beispiel B9 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B8 und spezifiziert ferner, dass das Rastermaß der vierten leitfähigen Kontakte größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel B10 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B8-9 und spezifiziert ferner, dass das Rastermaß der leitfähigen Kontakte, die die erste mikroelektronische Komponente mit der Brückenkomponente koppeln, kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel B11 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B1-10 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B12 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B1-10 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B13 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B1-12 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte in Kontakt mit einem Oberflächenisolationsmaterial befinden, das sich von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B14 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B1-13 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und der ersten mikroelektronischen Komponente, wobei sich das Unterfüllungsmaterial von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B15 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B1-14 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel B16 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente, die erste leitfähige Kontakte und zweite leitfähige Kontakte beinhaltet; eine Brückenkomponente, wobei die Brückenkomponente dritte leitfähige Kontakte auf einer Fläche der Brückenkomponente beinhaltet und die ersten leitfähigen Kontakte durch ein erstes Lot mit den dritten leitfähigen Kontakten gekoppelt sind; und ein Substrat mit fünften leitfähigen Kontakten, wobei sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet, die zweiten leitfähigen Kontakte durch ein zweites Lot mit vierten leitfähigen Kontakten gekoppelt sind, die vierten leitfähigen Kontakte durch ein drittes Lot mit den fünften leitfähigen Kontakten gekoppelt sind und sich die vierten leitfähigen Kontakte zwischen den zweiten leitfähigen Kontakten und den fünften leitfähigen Kontakten befinden.
  • Beispiel B17 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B16 und spezifiziert ferner, dass die vierten leitfähigen Kontakte eine Oberfläche aufweisen, die koplanar mit einer Oberfläche eines Isolationsmaterials ist, in dem die vierten leitfähigen Kontakte eingebettet sind.
  • Beispiel B18 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-17 und spezifiziert ferner, dass die Fläche der Brückenkomponente eine erste Fläche ist, die Brückenkomponente eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche beinhaltet, sich sechste leitfähige Kontakte auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente befinden, sich siebte leitfähige Kontakte auf der Fläche des Substrats befinden und die sechsten leitfähigen Kontakte durch ein viertes Lot mit den siebten leitfähigen Kontakten gekoppelt sind.
  • Beispiel B19 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-18 und spezifiziert ferner, dass die siebten leitfähigen Kontakte koplanar mit den fünften leitfähigen Kontakten sind.
  • Beispiel B20 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-19 und spezifiziert ferner, dass das Isolationsmaterial ein erstes Isolationsmaterial ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner ein zweites Isolationsmaterial, das sich von dem ersten Isolationsmaterial unterscheidet, zwischen dem ersten Isolationsmaterial und der mikroelektronischen Komponente beinhaltet.
  • Beispiel B21 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B20 und spezifiziert ferner, dass das erste Isolationsmaterial ein Resist-Material ist und das zweite Isolationsmaterial ein Vergussmaterial ist.
  • Beispiel B22 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B20-21 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise in einer Öffnung in dem ersten Isolationsmaterial befindet.
  • Beispiel B23 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-22 und spezifiziert ferner, dass ein Rastermaß der zweiten leitfähigen Kontakte größer als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel B24 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B23 und spezifiziert ferner, dass das Rastermaß der zweiten leitfähigen Kontakte größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel B25 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B23-24 und spezifiziert ferner, dass das Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel B26 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-25 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B27 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-25 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B28 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-27 und spezifiziert ferner, dass sich die fünften leitfähigen Kontakte in Kontakt mit einem Oberflächenisolationsmaterial befinden, das sich von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B29 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-28 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und der mikroelektronischen Komponente, wobei sich das Unterfüllungsmaterial von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B30 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B16-29 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel B31 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente, wobei die mikroelektronische Komponente erste leitfähige Kontakte beinhaltet; eine Brückenkomponente, wobei die Brückenkomponente zweite leitfähige Kontakte beinhaltet; und ein Substrat, wobei die Brückenkomponente zwischen die mikroelektronische Komponente und das Substrat gekoppelt ist, die ersten leitfähigen Kontakte mit dem Substrat durch zwei Schichten von Lot gekoppelt sind, die durch dazwischenliegende leitfähige Kontakte getrennt sind, und die zweiten leitfähigen Kontakte mit dem Substrat durch zwei Schichten von Lot gekoppelt sind, die durch dazwischenliegende leitfähige Kontakte getrennt sind.
  • Beispiel B32 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B31 und spezifiziert ferner, dass die obere mikroelektronische Komponente dritte leitfähige Kontakte beinhaltet, die mit vierten leitfähigen Kontakten der Brückenkomponente gekoppelt sind, und wobei die dritten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als ein Rastermaß der ersten leitfähigen Kontakte ist.
  • Beispiel B33 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B32 und spezifiziert ferner, dass die dritten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel B34 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B32-33 und spezifiziert ferner, dass die ersten leitfähigen Kontakte ein Rastermaß aufweisen, das größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel B35 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-34 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Baugruppe ein Isolationsmaterial zwischen der mikroelektronischen Komponente und dem Substrat beinhaltet und sich das Isolationsmaterial nicht zwischen der Brückenkomponente und dem Substrat befindet.
  • Beispiel B36 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B35 und spezifiziert ferner, dass sich das Isolationsmaterial nicht zwischen der Brückenkomponente und der mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel B37 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-36 und spezifiziert ferner, dass die dazwischenliegenden leitfähigen Kontakte koplanar sind.
  • Beispiel B38 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-37 und spezifiziert ferner, dass die leitfähigen Kontakte des Substrats koplanar sind.
  • Beispiel B39 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-38 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B40 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-38 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel B41 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-40 und spezifiziert ferner, dass sich die dritten leitfähigen Kontakte in Kontakt mit einem Oberflächenisolationsmaterial befinden, das sich von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B42 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-41 und beinhaltet ferner Folgendes: ein Unterfüllungsmaterial zwischen dem Substrat und der mikroelektronischen Komponente, wobei sich das Unterfüllungsmaterial von dem Isolationsmaterial unterscheidet.
  • Beispiel B43 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B31-42 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel B44 ist eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Leiterplatte; und eine mikroelektronische Baugruppe, die leitfähig mit der Leiterplatte gekoppelt ist, wobei die mikroelektronische Baugruppe eine beliebige der mikroelektronischen Baugruppen nach einem der Beispiele B1-43 beinhaltet.
  • Beispiel B45 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B44 und spezifiziert ferner, dass die elektronische Vorrichtung eine handgehaltene Rechenvorrichtung, eine Laptop-Rechenvorrichtung, eine Wearable-Rechenvorrichtung oder eine Serverrechenvorrichtung ist.
  • Beispiel B46 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B44-45 und spezifiziert ferner, dass die Leiterplatte eine Hauptplatine ist.
  • Beispiel B47 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B44-46 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Anzeige, die kommunikativ mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel B48 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels B47 und spezifiziert ferner, dass die Anzeige eine Berührungsbildschirmanzeige beinhaltet.
  • Beispiel B49 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele B44-48 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Umhüllung um die Leiterplatte und die mikroelektronische Baugruppe herum.
  • Beispiel C1 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat; und eine mikroelektronische Komponente, die durch eine Lotzwischenverbindung mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei die Lotzwischenverbindung einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, wobei sich der erste Teil zwischen dem zweiten Teil und dem Substrat befindet und der erste Teil eine geschliffene obere Oberfläche aufweist.
  • Beispiel C2 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C1 und spezifiziert ferner, dass der erste Teil eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C3 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C1-2 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Brückenkomponente, wobei die mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist, die Brückenkomponente durch ein Lot mit dem Substrat gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C4 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C3 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die Lotzwischenverbindung eine erste Lotzwischenverbindung ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente, die durch eine zweite Lotzwischenverbindung mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei die zweite Lotzwischenverbindung einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, wobei sich der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung zwischen dem zweiten Teil der zweiten Lotzwischenverbindung und dem Substrat befindet, der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung eine geschliffene obere Oberfläche aufweist, die zweite mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der zweiten mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C5 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C4 und spezifiziert ferner, dass der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C6 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C3-5 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente einen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C7 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C3-5 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keinen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C8 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C3-7 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise in einem Hohlraum in dem Substrat befindet.
  • Beispiel C9 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C3-8 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente koplanar mit der geschliffenen oberen Oberfläche des ersten Teils der Lotzwischenverbindung ist.
  • Beispiel C10 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C3-8 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente nicht koplanar mit der geschliffenen oberen Oberfläche des ersten Teils der Lotzwischenverbindung ist.
  • Beispiel C11 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C1-10 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel C12 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat; und eine mikroelektronische Komponente, die durch Lotzwischenverbindungen mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei einzelne Lotzwischenverbindungen einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhalten und Grenzflächen zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil koplanar über die Lotzwischenverbindungen hinweg sind.
  • Beispiel C13 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C12 und spezifiziert ferner, dass dererste Teil eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C14 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C12-13 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Brückenkomponente, wobei die mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist, die Brückenkomponente durch ein Lot mit dem Substrat gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C15 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C14 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die Lotzwischenverbindung eine erste Lotzwischenverbindung ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente, die durch eine zweite Lotzwischenverbindung mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei die zweite Lotzwischenverbindung einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, wobei sich der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung zwischen dem zweiten Teil der zweiten Lotzwischenverbindung und dem Substrat befindet, der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung eine geschliffene obere Oberfläche aufweist, die zweite mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der zweiten mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C16 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C15 und spezifiziert ferner, dass der erste Teil der zweiten Lotzwischenverbindung eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C17 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C14-16 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente einen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C18 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C14-16 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keinen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C19 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C14-18 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise in einem Hohlraum in dem Substrat befindet.
  • Beispiel C20 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C14-19 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente koplanar mit den Grenzflächen zwischen den ersten Teilen und den zweiten Teilen ist.
  • Beispiel C21 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C14-19 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente nicht koplanar mit den Grenzflächen zwischen den ersten Teilen und den zweiten Teilen ist.
  • Beispiel C22 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C12-21 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel C23 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat; und eine mikroelektronische Komponente, die durch eine Zwischenverbindung mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei die Zwischenverbindung einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, der erste Teil ein Lot beinhaltet, sich der erste Teil zwischen dem zweiten Teil und dem Substrat befindet und der erste Teil eine geschliffene obere Oberfläche aufweist.
  • Beispiel C24 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C23 und spezifiziert ferner, dass dererste Teil eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C25 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C23-24 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Brückenkomponente, wobei die mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist, die Brückenkomponente durch ein Lot mit dem Substrat gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C26 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C25 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die Zwischenverbindung eine erste Zwischenverbindung ist und die mikroelektronische Baugruppe ferner Folgendes beinhaltet: eine zweite mikroelektronische Komponente, die durch eine zweite Zwischenverbindung mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei die zweite Zwischenverbindung einen ersten Teil und einen zweiten Teil beinhaltet, der erste Teil der zweiten Zwischenverbindung ein Lot beinhaltet, sich der erste Teil der zweiten Zwischenverbindung zwischen dem zweiten Teil der zweiten Zwischenverbindung und dem Substrat befindet, der erste Teil der zweiten Zwischenverbindung eine geschliffenen obere Oberfläche aufweist, die zweite mikroelektronische Komponente durch ein Lot mit der Brückenkomponente gekoppelt ist und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen dem Substrat und der zweiten mikroelektronischen Komponente befindet.
  • Beispiel C27 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C26 und spezifiziert ferner, dass der erste Teil der zweiten Zwischenverbindung eine Höhe zwischen 20 Mikrometer und 50 Mikrometer aufweist.
  • Beispiel C28 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C25-27 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente einen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C29 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C25-27 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keinen Transistor beinhaltet.
  • Beispiel C30 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C25-29 und spezifiziert ferner, dass sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise in einem Hohlraum in dem Substrat befindet.
  • Beispiel C31 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C25-30 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente koplanar mit der geschliffenen oberen Oberfläche des ersten Teils der Zwischenverbindung ist.
  • Beispiel C32 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C25-30 und spezifiziert ferner, dass eine obere Oberfläche der Brückenkomponente nicht koplanar mit der geschliffenen oberen Oberfläche des ersten Teils der Zwischenverbindung ist.
  • Beispiel C33 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C23-32 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel C34 ist eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Leiterplatte; und eine mikroelektronische Baugruppe, die leitfähig mit der Leiterplatte gekoppelt ist, wobei die mikroelektronische Baugruppe eine beliebige der mikroelektronischen Baugruppen nach einem der Beispiele C1-33 beinhaltet.
  • Beispiel C35 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C34 und spezifiziert ferner, dass die elektronische Vorrichtung eine handgehaltene Rechenvorrichtung, eine Laptop-Rechenvorrichtung, eine Wearable-Rechenvorrichtung oder eine Serverrechenvorrichtung ist.
  • Beispiel C36 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C34-35 und spezifiziert ferner, dass die Leiterplatte eine Hauptplatine ist.
  • Beispiel C37 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C34-36 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Anzeige, die kommunikativ mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel C38 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels C37 und spezifiziert ferner, dass die Anzeige eine Berührungsbildschirmanzeige beinhaltet.
  • Beispiel C39 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele C34-38 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Umhüllung um die Leiterplatte und die mikroelektronische Baugruppe herum.
  • Beispiel D1 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist und das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei der dritte leitfähige Kontakt mit dem vierten leitfähigen Kontakt durch ein zweites Lot gekoppelt ist und der dritte leitfähige Kontakt den vierten leitfähigen Kontakt kontaktiert.
  • Beispiel D2 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D1 und spezifiziert ferner, dass das zweite Lot kein Lot kontaktiert, das einen anderen leitfähigen Kontakt auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente mit einem anderen leitfähigen Kontakt der mikroelektronischen Komponente koppelt.
  • Beispiel D3 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1 -2 und spezifiziert ferner, dass sich ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts von einem Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts unterscheidet.
  • Beispiel D4 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D3 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser von einem des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 60 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D5 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D3-4 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser eines von des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 50 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D6 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-5 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts oder der Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D7 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1 -6 und spezifiziert ferner, dass das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D8 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1 -7 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D9 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1 -8 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D10 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1 -9 und spezifiziert ferner, dass ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht zu einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  • Beispiel D11 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-10 und spezifiziert ferner, dass der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D12 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-11 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D13 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-11 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D14 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-13 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel D15 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D1-14 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe ferner eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet.
  • Beispiel D16 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist und das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei der dritte leitfähige Kontakt mit dem vierten leitfähigen Kontakt durch ein zweites Lot gekoppelt ist.
  • Beispiel D17 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D16 und spezifiziert ferner, dass ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts kleiner als ein Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts ist.
  • Beispiel D18 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D17 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 60 % des Durchmessers des dritten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D19 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D17-18 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 50 % des Durchmessers des dritten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D20 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D17-19 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D21 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-20 und spezifiziert ferner, dass das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D22 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-21 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D23 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-22 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D24 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-23 und spezifiziert ferner, dass ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht zu einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  • Beispiel D25 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-24 und spezifiziert ferner, dass der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D26 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-25 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D27 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-25 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D28 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-27 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel D29 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D16-28 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe ferner eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet.
  • Beispiel D30 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei der dritte leitfähige Kontakt durch ein zweites Lot mit dem vierten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist und sich ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts von einem Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts unterscheidet.
  • Beispiel D31 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D30 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser von einem des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 60 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D32 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-31 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser eines von des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 50 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  • Beispiel D33 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-32 und spezifiziert ferner, dass der Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts oder der Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D34 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-33 und spezifiziert ferner, dass das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D35 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-34 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D36 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-35 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D37 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-36 und spezifiziert ferner, dass das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D38 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-37 und spezifiziert ferner, dass ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht zu einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  • Beispiel D39 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-38 und spezifiziert ferner, dass der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D40 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-39 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D41 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-39 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D42 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-41 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel D43 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D30-42 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe ferner eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet.
  • Beispiel D44 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei der dritte leitfähige Kontakt durch ein zweites Lot mit dem vierten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist, der dritte leitfähige Kontakt den vierten leitfähigen Kontakt kontaktiert und das zweite Lot kein Lot kontaktiert, das einen anderen leitfähigen Kontakt auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente mit einem anderen leitfähigen Kontakt der mikroelektronischen Komponente koppelt.
  • Beispiel D45 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D44 und spezifiziert ferner, dass das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D46 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-45 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D47 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-46 und spezifiziert ferner, dass der vierte leitfähige Kontakt einer mehrerer vierter leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das kleiner als 30 Mikrometer ist.
  • Beispiel D48 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-47 und spezifiziert ferner, dass das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  • Beispiel D49 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-48 und spezifiziert ferner, dass ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht zu einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  • Beispiel D50 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-49 und spezifiziert ferner, dass der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das größer als 50 Mikrometer ist.
  • Beispiel D51 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-50 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D52 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-50 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel D53 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-52 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel D54 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D44-53 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe ferner eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet.
  • Beispiel D55 ist eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Leiterplatte; und eine mikroelektronische Baugruppe, die leitfähig mit der Leiterplatte gekoppelt ist, wobei die mikroelektronische Baugruppe eine beliebige der mikroelektronischen Baugruppen nach einem der Beispiele D1-54 beinhaltet.
  • Beispiel D56 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D55 und spezifiziert ferner, dass die elektronische Vorrichtung eine handgehaltene Rechenvorrichtung, eine Laptop-Rechenvorrichtung, eine Wearable-Rechenvorrichtung oder eine Serverrechenvorrichtung ist.
  • Beispiel D57 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D55-56 und spezifiziert ferner, dass die Leiterplatte eine Hauptplatine ist.
  • Beispiel D58 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D55-57 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Anzeige, die kommunikativ mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel D59 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels D58 und spezifiziert ferner, dass die Anzeige eine Berührungsbildschirmanzeige beinhaltet.
  • Beispiel D60 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele D55-59 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Umhüllung um die Leiterplatte und die mikroelektronische Baugruppe herum.
  • Beispiel E1 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente; ein Substrat; und eine Patchstruktur, wobei die Patchstruktur zwischen der mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist, die Patchstruktur eine eingebettete Brückenkomponente beinhaltet, die Patchstruktur einen Stapel von leitfähigen Säulen beinhaltet und ein Durchmesser der leitfähigen Säulen in einer Richtung von dem Substrat zu der mikroelektronischen Komponente zunimmt.
  • Beispiel E2 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E1 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E3 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E2 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E4 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E1-3 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, sich die zweite Fläche zwischen der ersten Fläche und der mikroelektronischen Komponente befindet und die Patchstruktur Lot zwischen der Brückenkomponente und der zweiten Fläche beinhaltet.
  • Beispiel E5 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E1-4 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und die Patchstruktur zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist.
  • Beispiel E6 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E5 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der zweiten mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E7 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E6 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der zweiten mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E8 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E1-7 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E9 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E1-7 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E10 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E1 -9 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel E11 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente; ein Substrat; und eine Patchstruktur, wobei die Patchstruktur zwischen der mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist, wobei die Patchstruktur eine eingebettete Brückenkomponente beinhaltet, die Patchstruktur eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, sich die zweite Fläche zwischen der ersten Fläche und der mikroelektronischen Komponente befindet und die Patchstruktur Lot zwischen der Brückenkomponente und der zweiten Fläche beinhaltet.
  • Beispiel E12 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E11 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E13 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E12 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E14 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E11-13 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur einen Stapel leitfähiger Säulen beinhaltet und ein Durchmesser der leitfähigen Säulen in einer Richtung von dem Substrat zu der mikroelektronischen Komponente zunimmt.
  • Beispiel E15 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E11-14 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und die Patchstruktur zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist.
  • Beispiel E16 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E15 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der zweiten mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E17 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E16 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der zweiten mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E18 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E11-17 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E19 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E11-17 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E20 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E11-19 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel E21 ist eine mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes beinhaltet: eine mikroelektronische Komponente; ein Substrat; und eine Patchstruktur, wobei die Patchstruktur zwischen der mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist, die Patchstruktur eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, sich die zweite Fläche zwischen der ersten Fläche und der mikroelektronischen Komponente befindet, die Patchstruktur eine eingebettete Brückenkomponente beinhaltet, die Patchstruktur leitfähige Säulen beinhaltet und ein Durchmesser einer leitfähigen Säule nahe der ersten Fläche kleiner als ein Durchmesser einer leitfähigen Säule nahe der zweiten Fläche ist.
  • Beispiel E22 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E21 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E23 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E22 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E24 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E21-23 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur ein Lot zwischen der Brückenkomponente und der zweiten Fläche beinhaltet.
  • Beispiel E25 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E21-24 und spezifiziert ferner, dass die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und die Patchstruktur zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat gekoppelt ist.
  • Beispiel E26 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E25 und spezifiziert ferner, dass die Patchstruktur durch erste Zwischenverbindungen mit einem ersten Rastermaß und durch zweite Zwischenverbindungen mit einem zweiten Rastermaß mit der zweiten mikroelektronischen Komponente gekoppelt ist und das erste Rastermaß kleiner als das zweite Rastermaß ist.
  • Beispiel E27 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E26 und spezifiziert ferner, dass sich die ersten Zwischenverbindungen in einem Volumen zwischen der Brückenkomponente und der zweiten mikroelektronischen Komponente befinden.
  • Beispiel E28 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E21-27 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E29 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E21-27 und spezifiziert ferner, dass die Brückenkomponente keine Transistoren beinhaltet.
  • Beispiel E30 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E21-29 und spezifiziert ferner, dass das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  • Beispiel E31 ist eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Leiterplatte; und eine mikroelektronische Baugruppe, die leitfähig mit der Leiterplatte gekoppelt ist, wobei die mikroelektronische Baugruppe eine beliebige der mikroelektronischen Baugruppen nach einem der Beispiele E1-30 beinhaltet.
  • Beispiel E32 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E31 und spezifiziert ferner, dass die elektronische Vorrichtung eine handgehaltene Rechenvorrichtung, eine Laptop-Rechenvorrichtung, eine Wearable-Rechenvorrichtung oder eine Serverrechenvorrichtung ist.
  • Beispiel E33 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E31-32 und spezifiziert ferner, dass die Leiterplatte eine Hauptplatine ist.
  • Beispiel E34 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E31-33 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Anzeige, die kommunikativ mit der Leiterplatte gekoppelt ist.
  • Beispiel E35 beinhaltet den Gegenstand des Beispiels E34 und spezifiziert ferner, dass die Anzeige eine Berührungsbildschirmanzeige beinhaltet.
  • Beispiel E36 beinhaltet den Gegenstand eines der Beispiele E31-35 und beinhaltet ferner Folgendes: eine Umhüllung um die Leiterplatte und die mikroelektronische Baugruppe herum.
  • Beispiel F1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Struktur, einschließlich eines beliebigen der hier offenbarten Verfahren.
  • Beispiel F2 ist ein Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Baugruppe, einschließlich eines beliebigen der hier offenbarten Verfahren.

Claims (20)

  1. Mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes umfasst: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist und das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei derdritte leitfähige Kontakt mit dem vierten leitfähigen Kontakt durch ein zweites Lot gekoppelt ist und derdritte leitfähige Kontakt den vierten leitfähigen Kontakt kontaktiert.
  2. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1, wobei das zweite Lot kein Lot kontaktiert, das einen anderen leitfähigen Kontakt auf der zweiten Fläche der Brückenkomponente mit einem anderen leitfähigen Kontakt der mikroelektronischen Komponente koppelt.
  3. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1, wobei sich ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts von einem Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts unterscheidet.
  4. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 3, wobei der Durchmesser von einem des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 60 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  5. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1, wobei das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  6. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1-5, wobei ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht mit einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  7. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1-6, wobei das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  8. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1-7, wobei die mikroelektronische Komponente eine erste mikroelektronische Komponente ist, die mikroelektronische Baugruppe ferner eine zweite mikroelektronische Komponente beinhaltet und sich die Brückenkomponente wenigstens teilweise zwischen der zweiten mikroelektronischen Komponente und dem Substrat befindet.
  9. Mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes umfasst: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist und das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei derdritte leitfähige Kontakt mit dem vierten leitfähigen Kontakt durch ein zweites Lot gekoppelt ist.
  10. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 9, wobei ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts kleiner als ein Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts ist.
  11. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 9 oder 10, wobei das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  12. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 9-11, wobei ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht mit einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
  13. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 9-12, wobei der erste leitfähige Kontakt einer mehrerer erster leitfähiger Kontakte mit einem Rastermaß ist, das größer als 50 Mikrometer ist.
  14. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 9-13, wobei das Substrat ein organisches dielektrisches Material beinhaltet.
  15. Mikroelektronische Baugruppe, die Folgendes umfasst: ein Substrat mit einem ersten leitfähigen Kontakt; eine Brückenkomponente mit einem zweiten leitfähigen Kontakt auf einer ersten Fläche der Brückenkomponente und einem dritten leitfähigen Kontakt auf einer zweiten, gegenüberliegenden Fläche der Brückenkomponente, wobei der erste leitfähige Kontakt mit dem zweiten leitfähigen Kontakt durch ein erstes Lot gekoppelt ist; und eine mikroelektronische Komponente mit einem vierten leitfähigen Kontakt, wobei derdritte leitfähige Kontakt durch ein zweites Lot mit dem vierten leitfähigen Kontakt gekoppelt ist und sich ein Durchmesser des vierten leitfähigen Kontakts von einem Durchmesser des dritten leitfähigen Kontakts unterscheidet.
  16. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 15, wobei der Durchmesser von einem des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 60 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  17. Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 15, wobei der Durchmesser von einem des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts weniger als 50 % des Durchmessers eines anderen des dritten leitfähigen Kontakts und des vierten leitfähigen Kontakts beträgt.
  18. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 15-17, wobei das zweite Lot Seitenflächen des vierten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  19. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 15-18, wobei das erste Lot Seitenflächen des ersten leitfähigen Kontakts und des zweiten leitfähigen Kontakts kontaktiert.
  20. Mikroelektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 15-19, wobei ein Mittelpunkt des ersten leitfähigen Kontakts nicht mit einem Mittelpunkt des zweiten leitfähigen Kontakts ausgerichtet ist.
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