DE102020126803A1

DE102020126803A1 - Anzeigefeld mit organischer leuchtdiode (oled)

Info

Publication number: DE102020126803A1
Application number: DE102020126803.3A
Authority: DE
Inventors: Yung-Sheng Ting; Yu-ching Wang; Yi-Hui Lin
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2020-04-30
Filing date: 2020-10-13
Publication date: 2021-11-04
Also published as: CN112531125A; US10862064B1; TW202143475A; CN112531125B; TWI749782B; SG10202005976SA

Abstract

Ein Anzeigefeld mit organischer Leuchtdiode (OLED) enthält ein Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete reflektierende Elektrode und eine auf dem Substrat und der reflektierenden Elektrodenschicht ausgebildete Pixeldefinitionsschicht (PDL). Die reflektierende Elektrodenschicht weist mehrere reflektierende Strukturen auf und jede reflektierende Struktur weist einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich auf. Die PDL ist mit mehreren Öffnungen versehen, die den reflektierenden Strukturen entsprechen, sodass der erste Bereich und der zweite Bereich jeder der reflektierenden Strukturen in einer entsprechenden Öffnung freigelegt sind. In den Öffnungen sind entsprechend mehrere organische emittierende Strukturen ausgebildet, die die reflektierenden Strukturen bedecken und eine Mehrzahl von Pixeln ausbilden. Für jedes Pixel ist ein erstes Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem ersten Bereich entspricht, größer als ein zweites Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem zweiten Bereich entspricht.

Description

GEBIET
Die Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf die Anzeigetechnologie und insbesondere auf ein Anzeigefeld mit organischer Leuchtdiode (OLED), das eine Lösung bietet.
STAND DER TECHNIK
Die hierin bereitgestellte Beschreibung des Stands der Technik dient dem Zweck, den Zusammenhang der Offenbarung im Allgemeinen darzustellen. Arbeiten der gegenwärtig genannten Erfinder, soweit sie in diesem Hintergrundabschnitt beschrieben sind, sowie Aspekte der Beschreibung, die sonst zu dem Zeitpunkt der Anmeldung nicht als der Stand der Technik gelten, werden weder ausdrücklich noch implizit als Stand der Technik gegen die vorliegende Offenbarung zugelassen.
Zurzeit werden Anzeigefelder mit organischer Leuchtdiode (OLED) in mobilen Endgeräten wie Mobiltelefonen oder Tablet-Computer weit verbreitet verwendet. In einigen Fällen kann es sich bei dem OLED-Anzeigefeld um ein Aktivmatrix-OLED-Anzeigefeld (AMOLED-Anzeigefeld) handeln, das in einem Gerät verwendet wird, das eine höhere Auflösung erfordert, wie in einem Gerät mit virtueller Realität (VR). Wenn die Auflösung des OLED-Anzeigefelds erhöht wird, kann die Größe jeder emittierenden Struktur in einer emittierenden Schicht des OLED-Anzeigefelds klein sein, und die genaue Ausrichtung der Beschichtung für die emittierenden Strukturen kann schwieriger werden.
Daher besteht in dem Stand der Technik ein bisher ungedeckter Bedarf, die vorstehend genannten Mängel und Unzulänglichkeiten zu beheben.
KURZDARSTELLUNG
Ein Aspekt der Offenbarung bezieht sich auf ein Anzeigefeld mit organischer Leuchtdiode (OLED), das Folgendes enthält: ein Substrat; eine reflektierende Elektrodenschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist und eine Mehrzahl von reflektierenden Strukturen aufweist, wobei jede der reflektierenden Strukturen einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist; eine Pixeldefinitionsschicht (PDL, pixel define layer), die auf dem Substrat und der reflektierenden Elektrodenschicht ausgebildet ist, wobei die PDL mit einer Mehrzahl von Öffnungen versehen ist, die den reflektierenden Strukturen entsprechen, sodass der erste Bereich und der zweite Bereich jeder der reflektierenden Strukturen in einer entsprechenden Öffnung freigelegt sind; und eine Mehrzahl von organischen emittierenden Strukturen, die entsprechend in den Öffnungen ausgebildet sind und die reflektierenden Strukturen bedecken und dabei eine Mehrzahl von Pixeln ausbilden, wobei für jedes Pixel ein erstes Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem ersten Bereich entspricht, größer ist als ein zweites Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem zweiten Bereich entspricht.
In bestimmten Ausführungsformen weist das OLED-Anzeigefeld einen Gesamtreflexionsgrad von mindestens 80 % auf.
In bestimmten Ausführungsformen beträgt ein erstes Flächenverhältnis des ersten Bereichs zu einer Gesamtfläche jeder der reflektierenden Strukturen X, beträgt ein zweites Flächenverhältnis des zweiten Bereichs zu der Gesamtfläche jeder der reflektierenden Strukturen (1-X), und ist X größer oder gleich 80 % und kleiner oder gleich 99%.
In bestimmten Ausführungsformen ist für jede der reflektierenden Strukturen ein Unterschied zwischen dem ersten Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs und dem zweiten Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs größer oder gleich 1 %.
Bei bestimmten Ausführungsformen werden für jede der reflektierenden Strukturen der erste und der zweite Bereich aus demselben Material ausgebildet und weisen unterschiedliche Dicken auf, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs.
Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Material aus einer Gruppebestehend aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewählt, und ist eine erste Dicke des ersten Bereichs größer als eine zweite Dicke des zweiten Bereichs.
Bei bestimmten Ausführungsformen werden für jede der reflektierenden Strukturen der erste und der zweite Bereich aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet und weisen eine gleiche Dicke auf, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs.
In bestimmten Ausführungsformen ist jedes der unterschiedlichen Materialien aus einer Gruppebestehend aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewählt.
In bestimmten Ausführungsformen ist der erste Bereich von dem zweiten Bereich umrandet.
In bestimmten Ausführungsformen wird der zweite Bereich durch den ersten Bereich in zwei getrennte Flächen geteilt.
In bestimmten Ausführungsformen ist die Dicke jeder der reflektierenden Strukturen kleiner oder gleich 100 nm.
In bestimmten Ausführungsformen ist für jede der reflektierenden Strukturen die Dicke des ersten Bereichs kleiner oder gleich 100 nm und größer oder gleich 40 nm.
In bestimmten Ausführungsformen weist jede der reflektierenden Strukturen ferner einen dritten Bereich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich auf, und für jedes Pixel ist ein drittes Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem dritten Bereich entspricht, größer als das zweite Reflexionsverhältnis und kleiner als das erste Reflexionsverhältnis.
In bestimmten Ausführungsformen weist das OLED-Anzeigefeld eine Auflösung von mehr als 600 Pixel pro Zoll (ppi) auf.
In bestimmten Ausführungsformen wirken die reflektierenden Strukturen als Anoden der Pixel, und jede der reflektierenden Strukturen ist jeweils von zwei transparenten Schichten bedeckt und dazwischen eingeschoben. In einer Ausführungsform sind die transparenten Schichten Indium-Zinn-Oxid-(ITO-)Schichten.
Bei bestimmten Aspekten der Offenbarung kann ein Gerät das OLED-Anzeigefeld, wie vorstehend beschrieben, aufweisen. In bestimmten Ausführungsformen kann das Gerät ein Gerät mit virtueller Realität (VR) sein.
Diese und andere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen ersichtlich, obwohl Variationen und Modifikationen darin vorgenommen werden können, ohne von dem Geist und Umfang der neuartigen Konzepte der Offenbarung abzuweichen.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen veranschaulichen eine oder mehrere Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der schriftlichen Beschreibung der Erläuterung der Grundsätze der Offenbarung. Wo immer möglich, werden in allen Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf gleiche oder ähnliche Elemente einer Ausführungsform zu verweisen, und hierbei zeigen:

1A schematisch ein Bild, das von einem OLED-Anzeigefeld gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angezeigt wird.
1B schematisch eine teilweise vergrößerte Ansicht des Bildes in 1A.
2 schematisch einen Vakuumabscheidungsprozess der Emissionsschichten eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
3A schematisch ein OLED-Anzeigefeld gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in dem sich die G-emittierenden Strukturen mit der benachbarten R-emittierenden Strukturen überlappt.
3B die Emission eines OLED-Anzeigefeld mit Mischen der R/G-Farben gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
4A schematisch eine Schnittansicht eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
4B schematisch eine Schnittansicht durch eine reflektierende Struktur des OLED-Anzeigefelds in 4A.
4C schematisch eine Schnittansicht durch das OLED-Anzeigefeld in 4A, in der sich die organische emittierende Struktur des grünen (G) Pixels verschiebt und teilweise mit der organischen emittierenden Struktur des roten (R) Pixels überlappt.
5A schematisch eine Schnittansicht eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in der jede reflektierende Struktur zwei Bereiche aufweist.
5B schematisch eine Draufsicht auf eine reflektierende Struktur mit zwei Bereichen in 5A.
5C schematisch eine Schnittansicht durch das OLED-Anzeigefeld in 5A, in der sich die organische emittierende Struktur des grünen (G) Pixels verschiebt und teilweise mit der organischen emittierenden Struktur des roten (R) Pixels überlappt.
6A schematisch eine Draufsicht auf die organischen emittierenden Strukturen und die reflektierenden Strukturen von zwei benachbarten Pixeln eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
6B schematisch eine Draufsicht auf die organischen emittierenden Strukturen und die reflektierenden Strukturen von zwei benachbarten Pixeln eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in der sich die organische emittierende Struktur des grünen (G) Pixels verschiebt und teilweise mit der organischen emittierenden Struktur des roten (R) Pixels überlappt.
6C schematisch eine Draufsicht auf die organischen emittierenden Strukturen und die reflektierenden Strukturen von zwei benachbarten Pixeln eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in der jede reflektierende Struktur zwei Bereiche aufweist und sich die organische emittierende Struktur des grünen (G) Pixels verschiebt und teilweise mit der organischen emittierenden Struktur des roten (R) Pixels überlappt.
7 schematisch eine Mehrzahl von reflektierenden Strukturen gemäß bestimmter Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
8 die Zuordnung des Reflexionsverhältnisses zu der Dicke unterschiedlicher reflektierender Materialien als die reflektierende Struktur in einem blauen (B) Pixel gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
9 die Zuordnung des absoluten Reflexionsverhältnisses zu der Wellenlänge des Lichts für Ag als das reflektierende Material der reflektierenden Struktur mit unterschiedlicher Dicke gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
10 schematisch eine Draufsicht auf eine reflektierende Struktur mit drei Bereichen gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
Die vorliegende Offenbarung wird nun im Folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen, in denen beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt werden, ausführlicher beschrieben. Diese Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein und sollte nicht so ausgelegt werden, als sei sie auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr werden diese Ausführungsformen bereitgestellt, sodass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und Fachleuten den Umfang der Erfindung vollständig vermittelt. Gleiche Bezugszeichen verweisen durchgehend auf gleiche Elemente.
Die in dieser Patentschrift verwendeten Begriffe weisen im Allgemeinen ihre gewöhnliche Bedeutung im Stand der Technik, innerhalb des Zusammenhangs mit der Erfindung und in dem spezifischen Zusammenhang, in dem jeder Begriff verwendet wird, auf. Bestimmte Begriffe, die für die Beschreibung der Erfindung verwendet werden, werden im Folgenden oder an anderer Stelle in der Patentschrift erörtert, um dem Fachmann zusätzliche Hinweise in Bezug auf die Beschreibung der Erfindung bereitzustellen. Der Einfachheit halber können bestimmte Begriffe hervorgehoben werden, beispielsweise durch Kursivschrift und/oder Anführungszeichen. Die Verwendung von Hervorhebungen hat keinen Einfluss auf den Umfang und die Bedeutung eines Begriffs; der Umfang und die Bedeutung eines Begriffs ist dieselbe, in demselben Zusammenhang, unabhängig davon, ob er hervorgehoben wird oder nicht. Es darauf hingewiesen, dass dasselbe auf mehr als eine Weise gesagt werden kann. Folglich können für einen oder mehrere der hierin erläuterten Begriffe alternative Sprachen und Synonyme verwendet werden, und es ist auch nicht von besonderer Bedeutung, ob ein Begriff hierin näher ausgeführt oder erläutert wird oder nicht. Synonyme für bestimmte Begriffe werden bereitgestellt. Ein Erwägungsgrund eines oder mehrerer Synonyme schließt die Verwendung anderer Synonyme nicht aus. Die Verwendung von Beispielen an beliebiger Stelle in dieser Patentschrift, einschließlich Beispielen für alle hierin erläuterten Begriffe, dient lediglich der Veranschaulichung und schränkt in keiner Weise den Umfang und die Bedeutung der Erfindung oder eines Beispielbegriffs ein. Ebenso ist die Erfindung nicht auf verschiedene in dieser Patentschrift angegebene Ausführungsformen beschränkt.
Es gilt zu verstehen, dass, wenn ein Element als „auf“ einem anderen Element bezeichnet wird, es sich direkt auf dem anderen Element befinden kann oder dazwischenliegende Elemente dazwischen vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als „direkt auf“ einem anderen Element bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. Wie hierin verwendet, enthält der Begriff „und/oder“ alle Kombinationen von einem oder mehreren der verbundenen aufgelisteten Punkte.
Es wird verstanden, dass, obwohl die Begriffe „erste“, „zweite“, „dritte“ usw. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente, Komponenten, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte zu beschreiben, diese Elemente, Komponenten, Bereich, Schichten und/oder Abschnitte nicht durch diese Begriffe eingeschränkt werden sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element, eine Komponente, einen Bereich, eine Schicht oder einen Abschnitt von einem anderen Element, einer anderen Komponente, einem anderen Bereich, einer anderen Schicht oder einem anderen Abschnitt zu unterscheiden. So könnte ein erstes Element, eine erste Komponente, ein erster Bereich, eine erste Schicht oder ein erster Abschnitt, die im Folgenden erörtert werden, als ein zweites Element, eine zweite Komponente, ein zweiter Bereich, eine zweite Schicht oder ein zweiter Abschnitt bezeichnet werden, ohne von den Lehren der Offenbarung abzuweichen.
Die hierin verwendete Terminologie dient nur der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und ist nicht als Einschränkung der Erfindung gedacht. Wie hierin verwendet, sollen die Singularformen „ein, eine, ein“ und „der, die das“ ebenso die Pluralformen einschließen, es sei denn, aus dem Zusammenhang geht eindeutig etwas Anderes hervor. Es wird ferner verstanden, dass die Begriffe „umfasst“ und/oder „umfassend“ oder „enthält“ und/oder „enthaltend“ oder „ausweist“ und/oder „aufweisend“, wenn sie in dieser Patentschrift verwendet werden, das Vorhandensein von angegebenen Merkmalen, Bereichen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten angeben, jedoch das Vorhandensein oder die Hinzufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, Bereichen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen davon nicht ausschließen.
Darüber hinaus können hierin relative Begriffe wie „unterer“ oder „unterster“, „oberer“ oder „oberster“ und „links“ und „rechts“ verwendet werden, um die Beziehung eines Elements zu einem anderen Element zu beschreiben, wie in den Figuren dargestellt. Es wird verstanden, dass die relativen Begriffe verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung einschließen sollen. Wenn beispielsweise die Vorrichtung in einer der Figuren umgedreht wird, würden Elemente, die als auf der „unteren“ Seite anderer Elemente liegend beschrieben werden, dann auf die „oberen“ Seiten der anderen Elemente ausgerichtet werden. Der beispielhafte Begriff „unterer“ kann daher abhängig von der bestimmten Ausrichtung der Figur sowohl eine Ausrichtung als „unterer“ als auch als „oberer“ einschließen. Auf ähnliche Weise würden Elemente, die als „unter“ oder „unterhalb“ anderer Elemente beschrieben werden, dann „über“ den anderen Elementen orientiert sein, wenn die Vorrichtung in einer der Figuren umgedreht wird. Die beispielhaften Begriffe „unter“ oder „unterhalb“ können daher sowohl eine Ausrichtung als oberhalb als auch als unterhalb einschließen.
Sofern nicht anders definiert, weisen alle hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung auf, wie sie üblicherweise von einem Durchschnittsfachmann, zu dessen Gebiet diese Erfindung gehört, verstanden wird. Es wird ferner verstanden, dass Begriffe, wie jene, die in allgemein gebrauchten Wörterbüchern definiert sind, so interpretiert werden sollten, dass sie eine Bedeutung aufweisen, die mit ihrer Bedeutung in dem Zusammenhang mit dem entsprechenden Stand der Technik und der vorliegenden Offenbarung übereinstimmen, und dass sie nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinn interpretiert werden, es sei denn, dies wird hierin ausdrücklich so definiert.
Wie hier verwendet, bedeutet „um“, „etwa“ oder „ungefähr“ im Allgemeinen innerhalb von 20 Prozent, vorzugsweise innerhalb von 10 Prozent, und noch bevorzugter innerhalb von 5 Prozent eines gegebenen Wertes oder Bereichs. Die hierin angegebenen numerischen Größen sind Näherungswerte, was bedeutet, dass der Begriff „um“, „etwa“ oder „ungefähr“ abgeleitet werden kann, wenn nicht ausdrücklich angegeben.
Sofern nicht anders angegeben, bezieht sich der hierin verwendete Begriff „Reflexionsverhältnis“ auf ein relatives Reflexionsverhältnis, welches das tatsächliche Reflexionsverhältnis einer Silberschicht (Ag) mit einer Dicke von 100 nm oder mehr als Basis verwendet. Insbesondere erreicht das tatsächliche Reflexionsverhältnis der Ag-Schicht mit einer Dicke über 100 nm ein stabil hohes Verhältnis, das im Wesentlichen nahe bei 100 % liegt. Wenn man also das tatsächliche Reflexionsverhältnis der Ag-Schicht über 100 nm als Basis verwendet, wäre das hierin verwendete „Reflexionsverhältnis“ dem tatsächlichen Reflexionsverhältnis ungefähr ähnlich.
Die Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen vorgenommen. In Übereinstimmung mit den Zwecken dieser Offenbarung, wie sie hierin verkörpert und allgemein beschrieben werden, bezieht sich diese Offenbarung in bestimmten Aspekten auf ein OLED-Anzeigefeld, das eine spezifische Gestaltung für seine reflektierenden Strukturen einer reflektierenden Elektrodenschicht aufweist, sodass jedes Pixel des OLED-Anzeigefelds zwei unterschiedliche Reflexionsverhältnisse in zwei Bereichen der entsprechenden reflektierenden Struktur aufweisen kann.
Wie vorstehend erläutert, kann ein OLED-Anzeigefeld, wie ein AMOLED-Anzeigefeld, in einem Gerät verwendet werden, das eine höhere Auflösung erfordert. Derzeit kann die Auflösung eines typischen AMOLED-Anzeigefelds in einem Bereich von 400-600 Pixel pro Zoll (ppi) liegen. In einigen Fällen, in denen das auf dem AMOLED-Anzeigefeld angezeigte Bild vergrößert wird, kann die Auflösung jedoch als niedrig angesehen werden. Beispielsweise zeigt 1A schematisch ein Bild 100, das von einem OLED-Anzeigefeld gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angezeigt wird, und zeigt 1B schematisch eine teilweise vergrößerte Ansicht des Bildes in 1A. Genauer gesagt, ist das Bild 100, wie in 1A gezeigt, ein VR-Bild, wobei ein Abstand des VR-Bildes 100 von den Augen des Benutzers etwa 20-30 cm beträgt, und zeigt 1B eine vergrößerte Ansicht des VR-Bildes 100, wobei der Abstand der vergrößerten Ansicht 120 von den Augen des Benutzers etwa 6 cm beträgt. Wie in 1B gezeigt, zeigt die vergrößerte Ansicht 120 des Bildes 100 ein körniges Maschenmuster, das für das menschliche Auge deutlich wahrnehmbar ist. Da ein Benutzer die Vergrößerungsfunktion häufig für die Vergrößerung der VR-Bilder in der VR-Anwendung verwenden kann, muss die Auflösung des OLED-Anzeigefelds erhöht werden, um das erhebliche Problem des körnigen Maschenmusters zu vermeiden.
Um jedoch ein OLED-Anzeigefeld mit einer höheren Auflösung herzustellen, muss die Pixelgröße des OLED-Anzeigefelds reduziert werden. Beispielsweise zeigt 2 schematisch einen Vakuumabscheidungsprozess der Emissionsschichten einer OLED-Anzeige gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Konkret ist der Vakuumabscheidungsprozess ein Teil des Herstellungsvorgangs des OLED-Anzeigefelds. In dem Vorgang, wie in 2 gezeigt, wird eine Emissionsschicht 220 (d. h. eine Pixelschicht) auf einem Substrat 210 durch Vakuumabscheidung unter Verwendung einer Lochmaske mit feiner Maske (FMM, fine mask shadow mask) 230 und einer Vakuumquelle 240 abgeschieden. Wie in 2 gezeigt, enthält die Emissionsschicht 220 mehrere emittierende Strukturen in RGB-Farben, und die Maskenöffnungen 235 der FMM 230 sind auf die emittierenden Strukturen der Farbe Rot (R) ausgerichtet. So werden alle emittierenden Strukturen der Farbe Rot (R) insgesamt in einem Schritt des Vakuumabscheidungsprozesses ausgebildet, und die emittierenden Strukturen der Farbe Grün (G) und die emittierenden Strukturen der Farbe Blau (B) erfordern jeweils zwei weitere Schritte des Vakuumabscheidungsprozesses.
Bei der Vakuumbeschichtung mit der FMM 230 wie in 2 gezeigt, sind zwei wesentliche Faktoren als Einschränkungen des Vakuumabscheidungsprozesses beteiligt: (1) die Größe jeder Maskenöffnung 235 der FMM 230, und (2) die Ausrichtung der Maskenöffnungen 235 der FMM 230 auf die vorgesehenen Positionen der entsprechenden emittierenden Strukturen in der Emissionsschicht 220 auf dem Substrat 210. Da eine höhere Auflösung des OLED-Anzeigefelds erforderlich ist, kann die Größe jeder emittierenden Struktur in der Emissionsschicht 220 klein sein. Da die Größe jeder emittierenden Struktur in der Emissionsschicht 220 durch die Größe jeder Maskenöffnung 235 der FMM 230 bestimmt wird, ist auch die Größe jeder Maskenöffnung 235 der FMM 230 entsprechend reduziert. So kann eine geringfügige Abweichung der FMM 230 von ihrem vorgesehenen Standort in dem Vakuumabscheidungsprozess bewirken, dass die einfarbigen emittierenden Strukturen von ihren entsprechenden Positionen auf dem Substrat 210 verschoben werden. Daher kann die genaue Ausrichtung der Beschichtung für die emittierenden Strukturen in der Emissionsschicht 220 schwieriger werden.
Wenn sich einige der emittierenden Strukturen in der Emissionsschicht 220 von ihren vorgesehenen Positionen auf dem Substrat 210 verschieben, kann ein Abschnitt der verschobenen emittierenden Strukturen mit ihren benachbarten emittierenden Strukturen überlappen. Beispielsweise zeigt 3A schematisch ein OLED-Anzeigefeld gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in dem sich die G-emittierende Struktur mit der benachbarten R-emittierenden Struktur überlappt. Wie in 3A gezeigt, enthält das OLED-Anzeigefeld 300 eine Lochinjektionsschicht (HIL, hole injection layer) 310, eine Lochleitungsschicht (HTL, hole transport layer) 320 und eine Emissionsschicht 330 (d. h. die Pixelschicht) einschließlich mehrerer emittierender Strukturen 330R, 330G und 330B. Insbesondere die HIL 310 und die HTL 320 sind optionale Strukturen, und in bestimmten Ausführungsformen kann das OLED-Anzeigefeld 300 nur eine der HIL 310 und HTL 320 enthalten. Wie in 3A gezeigt, enthält die HIL 310 eine Mehrzahl von HIL-Strukturen 310R, 310G und 310B, die den emittierenden Strukturen 330R, 330G und 330B entsprechen. Ferner sind die emittierenden Strukturen in der Emissionsschicht 330 in verschiedenen Reihen gezeigt, um die Verschiebung der grünen (G) emittierenden Struktur 330G darzustellen. In der Emissionsschicht 330 befinden sich die blaue (B) emittierende Struktur 330B und die rote (R) emittierende Struktur 330R jeweils an ihren jeweiligen Positionen. Die grüne (G) emittierende Struktur 330G verschiebt sich jedoch von ihrer vorgesehenen Position 330G' (mit gestrichelter Linie dargestellt) nach rechts und bildet so eine Überlappungsfläche 335 mit der benachbarten roten (R) emittierenden Struktur 330R aus. Somit ist das in dem Überlappungsbereich 335 emittierte Licht eine Mischung aus Licht in den R/G-Farben, das zu einem gelben (Y) Licht 340 wird. 3B zeigt die Emission eines OLED-Anzeigefelds mit Mischen der R/G-Farben gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in dem die Emission des Überlappungsbereichs 360 aufgrund der Aufwärtsverschiebung der grünen (G) emittierenden Struktur ein gelbes Muster zeigt.
4A zeigt schematisch eine Schnittansicht eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie in 4A gezeigt, enthält das OLED-Anzeigefeld 400 ein Substrat 410, eine reflektierende Elektrodenschicht mit mehreren reflektierenden Strukturen 420R, 420G und 420B, eine Pixeldefinitionsschicht (PDL, pixel define layer) 430, eine Mehrzahl von organischen emittierenden Strukturen 440R, 440G und 440B und eine transparente Elektrode 450. Die reflektierende Elektrodenschicht ist auf dem Substrat 410 angeordnet.
Wie in 4A gezeigt, sind die reflektierenden Strukturen 420R, 420G und 420B auf dem Substrat 410 angeordnet. 4B zeigt schematisch eine Schnittansicht durch eine reflektierende Struktur des OLED-Anzeigefelds in 4A. Wie in 4B gezeigt, ist die reflektierende Struktur 420 jeweils von zwei transparenten Schichten 424 und 426 bedeckt und dazwischen eingesetzt und bildet somit eine Sandwich-Struktur aus. Die transparenten Schichten 424 und 426 können Indium-Zinn-Oxid-(ITO-)Schichten sein, und jede der transparenten Schichten 424 und 426 ist im Vergleich zu der reflektierenden Struktur 420 relativ dünn, sodass das Reflexionsverhältnis der reflektierenden Struktur 420 durch die transparenten Schichten 424 und 426 nicht wesentlich beeinflusst wird.
Unter erneute Bezugnahme auf 4A wird die PDL 430 auf dem Substrat 410 und der reflektierenden Elektrodenschicht ausgebildet. Die PDL 430 ist mit einer Mehrzahl von Öffnungen versehen, die den reflektierenden Strukturen 420R, 420G und 420B entsprechen, und die organischen emittierenden Strukturen 440R, 440G und 440B sind entsprechend in den Öffnungen ausgebildet und decken die reflektierenden Strukturen 420R, 420G und 420B ab. In bestimmten Ausführungsformen kann jede reflektierende Struktur direkt mit der entsprechenden organischen emittierenden Struktur in Kontakt stehen. Alternativ können in bestimmten Ausführungsformen andere Folien oder Schichten (wie HIL, HTL oder andere Schichten) zwischen jeder reflektierenden Struktur und der entsprechenden organischen emittierenden Struktur vorhanden sein, sodass jede reflektierende Struktur nicht in direktem Kontakt mit der entsprechenden organischen emittierenden Struktur steht. Die transparente Elektrode 450 ist auf der PDL 430 und den organischen emittierenden Strukturen 440R, 440G und 440B angeordnet. Die Strukturen bilden zusammen eine Mehrzahl von OLED-Pixeln aus, bei denen jede der reflektierenden Strukturen als eine Anode des entsprechenden Pixels funktioniert und die transparente Elektrode 450 als die Kathode für jedes der Pixel funktioniert.
Wie vorstehend erläutert, kann, wenn sich einige der organischen emittierenden Strukturen 440R, 440G und 440B von ihren vorgesehenen Positionen verschieben, ein Abschnitt der verschobenen organischen emittierenden Strukturen mit ihren benachbarten organischen emittierenden Strukturen überlappen. Beispielsweise zeigt 4C schematisch eine Schnittansicht des OLED-Anzeigefelds in 4A. Wie in 4C gezeigt, verschiebt sich die organische emittierende Struktur 440G des grünen (G) Pixels nach links und überlappt teilweise mit der organischen emittierenden Struktur 440R des roten (R) Pixels, wodurch eine Überlappungsfläche 460 ausgebildet wird. Ferner wird die transparente Elektrode 450 in 4C zum besseren Darstellen der Überlappungsfläche 460 entfernt. Die Mischung von Licht in den R/G-Farben in der Überlappungsfläche 460 zwischen den organischen emittierenden Strukturen 440R und 440G kann zu dem unerwünschten gelben Muster führen, wie in 3B gezeigt.
Um das unerwünschte Mischen der Farbmuster zu lösen, die durch die Verschiebung der organischen emittierenden Strukturen verursacht werden, bezieht sich ein Aspekt der Offenbarung auf ein OLED-Anzeigefeld, bei dem jede reflektierende Struktur mehrere Bereiche mit unterschiedlichen Reflexionsverhältnissen aufweist. Insbesondere ist das Reflexionsverhältnis eines ersten Bereichs jeder reflektierenden Struktur, der nicht der Überlappungsfläche entspricht, größer als das Reflexionsverhältnis eines zweiten Bereichs jeder reflektierenden Struktur, der der Überlappungsfläche entspricht, sodass das Reflexionsverhältnis jedes Pixels, das dem zweiten Bereich entspricht, reduziert werden kann, und somit das unerwünschte Mischen der Farbmuster reduziert werden kann. In bestimmten Ausführungsformen ist für jede der reflektierenden Strukturen ein Unterschied zwischen dem Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs und dem Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs größer oder gleich 1 %, sodass das menschliche Auge den Unterschied zwischen der Leuchtdichte, die dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich entspricht, erfassen kann.
5A zeigt schematisch eine Schnittansicht eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, in der jede reflektierende Struktur zwei Bereiche aufweist. Wie in 5A gezeigt, enthält das OLED-Anzeigefeld 500 ein Substrat 510, eine reflektierende Elektrodenschicht mit mehreren reflektierenden Strukturen 520R, 520G und 520B, eine PDL 530, eine Mehrzahl von organischen emittierenden Strukturen 540R, 540G und 540B und eine transparente Elektrode 550. Genauer gesagt, existiert der Unterschied zwischen dem OLED-Anzeigefeld 500, wie in 5A gezeigt, von dem OLED-Anzeigefeld 400, wie in 4A gezeigt, darin, dass jede der reflektierenden Strukturen 520R, 520G und 520B zwei Bereiche aufweist. Konkret weist die reflektierende Struktur 520R einen ersten Bereich 522R und einen zweiten Bereich 524R auf, weist die reflektierende Struktur 520G einen ersten Bereich 522G und einen zweiten Bereich 524G auf und weist die reflektierende Struktur 520B einen ersten Bereich 522B und einen zweiten Bereich 524B auf. Andere Strukturen des OLED-Anzeigefelds 500, einschließlich des Substrats 510, der PDL 530, der organischen emittierenden Strukturen 540R, 540G und 540B und der transparenten Elektrode 550, ähneln den entsprechenden Strukturen des OLED-Anzeigefelds 400, wie in 4A gezeigt, und werden daher hierin nicht weiter ausgeführt.
5B zeigt schematisch eine Draufsicht auf eine reflektierende Struktur mit zwei Bereichen in 5A. Wie in 5B gezeigt, ist die reflektierende Struktur 520 im Wesentlichen eine quadratische Struktur, die in einen ersten Bereich (M1) 522 und einen zweiten Bereich (M2) 524, der den ersten Bereich M1 umrandet, unterteilt ist, und beträgt ein erstes Flächenverhältnis des ersten Bereichs M1 zur Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 80 %. Das heißt ein zweites Flächenverhältnis des zweiten Bereichs M2 zur Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 beträgt 20 %. Außerdem ist ein erstes Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 größer als ein zweites Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2. Wenn beispielsweise das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 als 100 % bezeichnet wird, muss das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 weniger als 100 % betragen.
Wie in 5A gezeigt, ist die PDL 530 mit einer Mehrzahl von Öffnungen versehen, die den reflektierenden Strukturen 520R, 520G und 520B entsprechen, sodass der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 jeder reflektierenden Struktur in der entsprechenden Öffnung freigelegt sind. In bestimmten Ausführungsformen stehen der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 jeder reflektierenden Struktur in direktem Kontakt mit der entsprechenden organischen emittierenden Struktur. Alternativ können in bestimmten Ausführungsformen andere Folien oder Schichten (wie HIL, HTL oder andere Schichten) zwischen jeder reflektierenden Struktur und der entsprechenden organischen emittierenden Struktur vorhanden sein, sodass der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 jeder reflektierenden Struktur nicht in direktem Kontakt mit der entsprechenden organischen emittierenden Struktur stehen. Ferner zeigt 5C schematisch eine Schnittansicht durch das OLED-Anzeigefeld in 5A, in der sich die organische emittierende Struktur des grünen (G) Pixels verschiebt und teilweise mit der organischen emittierenden Struktur des roten (R) Pixels überlappt. Wie in 5C gezeigt, verschiebt sich die organische emittierende Struktur 540G des grünen (G) Pixels nach links und überlappt teilweise mit der organischen emittierenden Strukturen 540R des roten (R) Pixels, wodurch die Überlappungsfläche 560 ausgebildet wird. Die reflektierende Struktur 520R ist jedoch in den ersten Bereich 522R und den zweiten Bereich 524R unterteilt und der zweite Bereich 524R ist vertikal an der Überlappungsfläche 560 ausgerichtet. Da das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs 524R weniger als 100 % beträgt (im Vergleich zu dem 100 %-Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs 522R), wird das Reflexionsverhältnis des R-Pixels, das dem zweiten Bereich 524R entspricht, geringer sein als das Reflexionsverhältnis des R-Pixels, das dem ersten Bereich 522R entspricht, und somit wird das unerwünschte gelbe Muster reduziert.
In der Ausführungsform, wie in 5B gezeigt, beträgt das erste Flächenverhältnis des ersten Bereichs M1 zur Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 80 % und das zweite Flächenverhältnis des zweiten Bereichs M2 zur der Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 beträgt 20 %. In bestimmten Ausführungsformen kann das erste Flächenverhältnis des ersten Bereichs M1 und das zweite Flächenverhältnis des zweiten Bereichs M2 variiert werden. Beispielsweise kann das erste Flächenverhältnis des ersten Bereichs M1 zur Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 X betragen, wobei X größer oder gleich 80 % und kleiner oder gleich 99 % ist. In diesem Fall beträgt das zweite Flächenverhältnis des zweiten Bereichs M2 zur der Gesamtfläche der reflektierenden Struktur 520 (1-X).
6A, 6B und 6C zeigen schematisch mehrere Beispiele der organischen emittierenden Strukturen und der reflektierenden Strukturen von zwei benachbarten Pixeln eines OLED-Anzeigefelds gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Genauer gesagt sind die zwei benachbarten Pixel in jeder der 6A, 6B und 6C jeweils ein R-Pixel und ein G-Pixel und sind die reflektierenden Strukturen 620G und 620R im Wesentlichen quadratische Strukturen. Wie in 6A gezeigt, verschieben sich die organischen emittierenden Strukturen 640G und 640R in der Pixelstruktur 600 nicht von ihren vorgesehenen Positionen. Obwohl es eine leichte Überlappungsfläche zwischen den organischen emittierenden Strukturen 640G und 640R gibt, überdeckt die Überlappungsfläche keinen Abschnitt der reflektierenden Strukturen 620G und 620R.
In dem Fall jedoch, in dem sich die organische emittierenden Struktur 640G in der Pixelstruktur 600', wie in 6B gezeigt, nach links verschiebt, kann der Überlappungsbereich 660 einen Abschnitt der reflektierenden Struktur 620R überdecken, ähnlich wie in 4C gezeigt, und ein unerwünschtes gelbes Muster, wie in der 3B gezeigt, bewirken.
Um das unerwünschte Mischen der Farbmuster, die durch die Verschiebung der organischen emittierenden Strukturen bewirkt werden, in der Pixelstruktur 600" zu lösen, wie in 6C gezeigt, weist die reflektierende Struktur 620R einen ersten Bereich 622R und einen zweiten Bereich 624R auf. In dem Fall, in dem sich die organische emittierende Struktur 640G nach links verschiebt, kann die Überlappungsfläche 660 also den zweiten Bereich 624R der reflektierenden Struktur 620R überdecken, ähnlich dem Fall, wie er in 5C gezeigt ist. Da das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs 624R weniger als 100 % beträgt (im Vergleich zu dem 100 %-igen Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs 622R), wird das Reflexionsverhältnis des R-Pixels, das dem zweiten Bereich 624R entspricht, geringer sein als das Reflexionsverhältnis des R-Pixels, das dem ersten Bereich 622R entspricht, und somit wird das unerwünschte gelbe Muster reduziert.
In den Ausführungsformen, wie sie in 6C gezeigt sind, sind die reflektierenden Strukturen 620R und 620G quadratisch, und ist der erste Bereich von dem zweiten Bereich umrandet. In bestimmten Ausführungsformen können jedoch die Form der reflektierenden Strukturen und die Anordnung des ersten und des zweiten Bereichs variieren. Beispielsweise kann die Form der reflektierenden Strukturen basierend auf der Form der Pixel geändert werden. Ferner kann die Anordnung des ersten und des zweiten Bereichs basierend auf dem Vorkommen und/oder der Häufigkeit der Verschiebungen der organischen emittierenden Strukturen angepasst werden. Wenn in bestimmten Ausführungsformen die Verschiebungen der organischen emittierenden Strukturen häufiger in einer bestimmten Richtung auftreten, kann der zweite Bereich entlang dieser bestimmten Richtung angeordnet sein, anstatt den ersten Bereich zu umranden.
7 zeigt schematisch eine Mehrzahl von reflektierenden Strukturen gemäß bestimmter Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Genauer gesagt, ist die reflektierende Struktur 710 identisch mit oder ähnlich wie jede der reflektierenden Strukturen 620R und 620G. Im Gegensatz dazu sind die anderen reflektierenden Strukturen 720-790 modifiziert, um unterschiedliche Formen und/oder unterschiedliche Anordnungen des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 aufzuweisen. Insbesondere bleibt die reflektierende Struktur 720 quadratisch, die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 wird jedoch zu einer vertikalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine obere Fläche und eine untere Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. Die reflektierende Struktur 730 bleibt quadratisch, jedoch wird die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 zu einer diagonalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine obere linke Fläche und eine untere rechte Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. Die reflektierende Struktur 740 ist rautenförmig, und der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 sind so angeordnet, dass der erste Bereich M1 von dem zweiten Bereich M2 umrandet ist. Die reflektierende Struktur 750 ist ebenso rautenförmig und die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 wird zu einer horizontalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine linke Fläche und eine rechte Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. Die reflektierende Struktur 760 ist ebenso rautenförmig und die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 wird zu einer diagonalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine obere linke Fläche und eine untere rechte Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. Die reflektierende Struktur 770 ist sechskantförmig, und der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 sind angeordnet, sodass der erste Bereich M1 von dem zweiten Bereich M2 umrandet ist. Die reflektierende Struktur 780 ist ebenso sechskantförmig und die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 wird zu einer horizontalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine linke Fläche und eine rechte Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. Die reflektierende Struktur 790 ist ebenso sechskantförmig und die Anordnung des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 wird zu einer vertikalen Anordnung geändert, bei der der erste Bereich M1 den zweiten Bereich M2 in eine obere Fläche und eine untere Fläche unterteilt, die voneinander getrennt sind. In bestimmten Ausführungsformen kann die reflektierende Struktur auch andere Formen haben, wie eine rechteckige Form oder eine beliebige andere Form.
Wie vorstehend erläutert, ist in jeder der reflektierenden Strukturen das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 größer als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2, sodass das erste Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem ersten Bereich entspricht, größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem zweiten Bereich entspricht. In bestimmten Ausführungsformen können der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 mit einem gleichen reflektierenden Material ausgebildet werden und unterschiedliche Dicken aufweisen, sodass die Reflexionsverhältnisse des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 aufgrund der unterschiedlichen Dicken variieren. Im Allgemeinen nimmt das Reflexionsverhältnis der reflektierenden Struktur zu, wenn die Dicke der reflektierenden Struktur zunimmt. In diesem Fall kann eine erste Dicke des ersten Bereichs M1 größer als eine zweite Dicke des zweiten Bereichs M2 sein, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 größer als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 ist. In bestimmten Ausführungsformen kann das reflektierende Material ein aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewähltes Metallmaterial sein.
In bestimmten Ausführungsformen können der erste Bereich M1 und der zweite Bereich M2 aus unterschiedlichen reflektierenden Materialien ausgebildet sein und die gleiche Dicke aufweisen. Da verschiedene reflektierende Materialien unterschiedliche Reflexionsverhältnisse aufweisen können, kann das Material, das in dem ersten Bereich M1 verwendet wird, ein Material mit einem höheren Reflexionsverhältnis sein, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2. In bestimmten Ausführungsformen können die reflektierenden Materialien ein aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewähltes Metallmaterial sein.
8 zeigt die Zuordnung des Reflexionsverhältnisses zu der Dicke unterschiedlicher reflektierender Materialien als die reflektierende Struktur in einem blauen (B) Pixel gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Entsprechend zeigt Tabelle 1 eine Liste mit Beispielen für die Verhältnisse in unterschiedlicher Anordnung der reflektierenden Strukturen in den blauen (B) Pixeln gemäß bestimmten Ausführungsformen der Offenbarung. Es ist zu beachten, dass die Verhältnisse der reflektierenden Strukturen in den Pixeln gleicher Farbe gleich sein sollten. Beispielsweise sind die Verhältnisse der reflektierenden Strukturen in den blauen (B) Pixeln gleich. Für die Pixel verschiedener Farben können die Verhältnisse der reflektierenden Strukturen jedoch gleich sein oder können unterschiedlich sein. Beispielsweise können die Verhältnisse der reflektierenden Strukturen in den blauen (B) Pixeln anders sein als die Verhältnisse der reflektierenden Strukturen in den grünen (G) Pixeln.
Insbesondere wird in Beispiel 1 die reflektierende Struktur nicht in mehrere Bereiche unterteilt (somit beträgt der Flächenanteil von M1 100 %), was der in 4A gezeigten Struktur ähnlich ist. In den Beispielen 2 und 3 ist die reflektierende Struktur in zwei Bereiche M1 und M2 unterteilt, wobei das erste Flächenverhältnis des ersten Bereichs M1 80 % beträgt und das zweite Flächenverhältnis des zweiten Bereichs M2 20 % beträgt. In allen Fällen ist das für den ersten Bereich M1 verwendete reflektierende Material Ag, und die Dicke des ersten Bereichs M1 beträgt 100 nm. Somit beträgt das Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 100 % (Punkt A in 8). Dementsprechend beträgt in Beispiel 1 das Gesamtreflexionsverhältnis (das die Summe des Produkts aus dem Flächenverhältnis und dem Reflexionsverhältnis ist) 100 %. In Beispiel 2 ist das für den zweiten Bereich M2 verwendete reflektierende Material ebenso Ag, und die Dicke des zweiten Bereichs M2 beträgt 40 nm. So beträgt das Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 83 % (Punkt B in 8). Dementsprechend beträgt in Beispiel 2 das Gesamtreflexionsverhältnis (das die Summe des Produkts aus dem Flächenverhältnis und dem Reflexionsverhältnis ist) 96,6 % (= 80 %*100 % + 20 %*83 %). In Beispiel 3 ist das für den zweiten Bereich M2 verwendete reflektierende Material ebenso Mg (das weniger reflektierend ist), und die Dicke des zweiten Bereichs M2 bleibt 100 nm. So beträgt das Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 65 % (Punkt C in 8). Dementsprechend beträgt in Beispiel 3 das Gesamtreflexionsverhältnis (das die Summe des Produkts aus dem Flächenverhältnis und dem Reflexionsverhältnis ist) 93 % (= 80 %*100 % + 20 %*65 %).

Wie in der 8 gezeigt, erreicht das Reflexionsverhältnis für jedes der reflektierenden Materialien einen stabilen Wert, wenn die Dicke jedes reflektierenden Materials über 100 nm liegt, und es kann ein wesentlicher Abfall des Reflexionsverhältnisses beobachtet werden, wenn die Dicke jedes reflektierenden Materials unter 40 nm liegt (insbesondere im Fall von Ag, Mg und Mo). Daher wird in bestimmten Ausführungsformen die Dicke des ersten Bereichs M1 auf weniger als oder gleich 100 nm und mehr als oder gleich 40 nm eingestellt, sodass jede reflektierende Struktur relativ dünn sein kann, ohne dem Reflexionsverhältnis abträglich zu sein, Tabelle 1

Beispiele	Flächenverhältnis (%)		Dicke (nm)		Reflexionsverhältnis (%)		Gesamtreflexionsverhältnis (%)
Beispiele	M1	M2	M1	M2	M1	M2	Gesamtreflexionsverhältnis (%)
Beispiel 1	100 %	0%	100	0	100	0	100%
Beispiel 2	80%	20%	100	40	100	83	96,6%
Beispiel 3	80%	20%	100	100	100	65	93 %

Es sollte beachtet werden, dass in einem hypothetischen Beispiel das für den zweiten Bereich M2 verwendete Material ein nicht reflektierendes Material sein kann, das ein Reflexionsverhältnis von 0 % aufweist. In diesem Fall beträgt das Gesamtreflexionsverhältnis (das die Summe des Produkts aus dem Flächenverhältnis und dem Reflexionsverhältnis ist) 80 % (= 80 %*100 % + 20 %*0 %). Da das reflektierende Material, das für den zweiten Bereich M2 verwendet wird, im Allgemeinen ein reflektierendes Material mit einem Reflexionsverhältnis von mehr als 0 % ist, sollte der Gesamtreflexionsgrad im Allgemeinen mehr als 80 % betragen. In bestimmten Ausführungsformen sollte für jede der reflektierenden Strukturen der Unterschied zwischen dem ersten Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 und dem zweiten Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 größer oder gleich 1 % sein, sodass das menschliche Auge den Unterschied davon erkennen kann.
Darüber hinaus liegt in jedem der Beispiele, wie in Tabelle 1 gezeigt, das Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 unter 100 %. In bestimmten Ausführungsformen sollte das Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs M2 nicht mehr als 99 % betragen (d. h. wenigstens 1 % weniger als das Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1), sodass die Reflexionsverhältnisse des ersten Bereichs M1 und des zweiten Bereichs M2 für das menschliche Auge differenziert werden, um die entsprechenden Unterschiede in der Emissionsleuchtdichte davon zu unterscheiden.

9 zeigt die Zuordnung des absoluten Reflexionsverhältnisses zu der Wellenlänge des Lichts für Ag als das reflektierende Material der reflektierenden Struktur mit unterschiedlicher Dicke gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Dementsprechend zeigt Tabelle 2 eine Liste der Verhältnisse der Struktur in Beispiel 1 (M1 100 % Flächenverhältnis) in einem blauen (B) Pixel (460 nm Wellenlänge), wobei das reflektierende Material Ag ist und unterschiedliche Dicken gemäß bestimmten Ausführungsformen der Offenbarung aufweist. Wie in 9 gezeigt, nimmt das absolute Reflexionsverhältnis R% der reflektierenden Struktur, wenn die Dicke der Ag-Schicht zunimmt, entsprechend zu. Es sollte beachtet werden, dass ein Unterschied zwischen dem absoluten (tatsächlichen) Reflexionsverhältnis und dem relativen Reflexionsverhältnis besteht. Tabelle 2

Dicke (A)	M1 Flächenverhältnis (%)	M2 Flächenverhältnis (%)	Absolutes Reflexionsverhältnis (%)	Relatives Reflexionsverhältnis (%)
Ag 100 nm	100 %	0%	93 %	100%
Ag 80 nm	100 %	0%	92%	99%
Ag 60 nm	100 %	0%	87%	95 %
Ag 40 nm	100%	0%	73 %	83 %
Ag 20 nm	100 %	0%	41%	57%

In den Beispielen in Tabelle 1 und Tabelle 2 bezieht sich das absolute Reflexionsverhältnis von Ag auf das tatsächliche Reflexionsverhältnis von Ag in der spezifischen Dicke, und ist das relative Reflexionsverhältnis ein normiertes Verhältnis, das unter Verwendung des absoluten Reflexionsverhältnisses (d. h. des tatsächlichen Reflexionsverhältnisses) von Ag mit einer Dicke von 100 nm als die Basis berechnet wird. Insbesondere beträgt das relative Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs M1 100 %, wenn die Dicke des ersten Bereichs M1 auf 100 nm eingestellt ist. In bestimmten Ausführungsformen wird die Dicke jeder der reflektierenden Strukturen auf 80 nm eingestellt, sodass das relative Reflexionsverhältnis (99 %) und das entsprechende absolute Reflexionsverhältnis (92 %) relativ hoch bleiben. In bestimmten Ausführungsformen kann die Dicke jeder der reflektierenden Strukturen weniger als 80 nm betragen. Wie vorstehend besprochen, kann die Dicke des ersten Bereichs M1 in bestimmten Ausführungsformen eingestellt werden, sodass sie kleiner oder gleich 100 nm und größer oder gleich 40 nm ist.
In den Ausführungsformen, wie sie vorstehend erläutert wurden, weist die reflektierende Struktur zwei Bereiche auf, einschließlich eines ersten Bereichs M1 und M2. In bestimmten Ausführungsformen können zusätzliche Bereiche hinzugefügt werden, sodass die reflektierende Struktur mehr als zwei Bereiche aufweist. Beispielsweise zeigt 10 schematisch Draufsicht auf eine reflektierende Struktur mit drei Bereichen gemäß bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie in 10 gezeigt, ist die reflektierende Struktur 1000 im Wesentlichen eine quadratische Struktur, die in drei Bereiche unterteilt ist, einschließlich eines ersten Bereichs (M1) 1022, eines zweiten Bereichs (M2) 1024, der den ersten Bereich M1 umrandet, und eines dritten Bereichs (M3) 1026 zwischen dem ersten Bereich M1 und dem zweiten Bereich M2. Die Flächenverhältnisse des ersten Bereichs M1, des zweiten Bereichs M2 und des dritten Bereichs M3 können entsprechend angepasst werden. In bestimmten Ausführungsformen ist ein drittes Reflexionsverhältnis der reflektierenden Struktur 1000, das dem dritten Bereich M3 entspricht, größer als das zweite Reflexionsverhältnis der reflektierenden Struktur 1000, das dem zweiten Bereich M2 entspricht, und kleiner als das erste Reflexionsverhältnis der reflektierenden Struktur 1000, das dem ersten Bereich M1 entspricht. In bestimmten Ausführungsformen kann die reflektierende Struktur in mehr als drei Bereiche unterteilt werden, und Einzelheiten dieser Ausführungsformen werden hierin nicht näher erläutert.
In bestimmten Ausführungsformen kann das erläuterte OLED-Anzeigefeld verwendet werden, um eine höhere Auflösung zu erzielen. Beispielsweise kann die Auflösung des OLED-Anzeigefelds mehr als 600 ppi betragen. Darüber hinaus kann das erläuterte OLED-Anzeigefeld in jedem Gerät verwendet werden, das eine höhere Auflösung erfordert, wie in einem VR-Gerät.

Claims

Anzeigefeld mit organischer Leuchtdiode (OLED), umfassend: ein Substrat; eine reflektierende Elektrodenschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist und eine Mehrzahl von reflektierenden Strukturen aufweist, wobei jede der reflektierenden Strukturen einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist; eine Pixeldefinitionsschicht (PDL), die auf dem Substrat und der reflektierenden Elektrodenschicht ausgebildet ist, wobei die PDL mit einer Mehrzahl von Öffnungen versehen ist, die den reflektierenden Strukturen entsprechen, sodass der erste Bereich und der zweite Bereich jeder der reflektierenden Strukturen in einer entsprechenden Öffnung freigelegt sind; und eine Mehrzahl von organischen emittierenden Strukturen, die entsprechend in den Öffnungen ausgebildet sind und die reflektierenden Strukturen bedecken und eine Mehrzahl von Pixeln ausbilden, wobei für jedes Pixel ein erstes Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem ersten Bereich entspricht, größer ist als ein zweites Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem zweiten Bereich entspricht.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, das ein Gesamtreflexionsverhältnis von wenigstens 80 % aufweist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei ein erstes Flächenverhältnis des ersten Bereichs zu einer Gesamtfläche jeder der reflektierenden Strukturen X beträgt, ein zweites Flächenverhältnis des zweiten Bereichs zur Gesamtfläche jeder der reflektierenden Strukturen (1-X) beträgt, und X größer oder gleich 80 % und kleiner oder gleich 99 % ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei für jede der reflektierenden Strukturen ein Unterschied zwischen dem ersten Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs und dem zweiten Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs größer oder gleich 1 % ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 4, wobei für jede der reflektierenden Strukturen der erste und der zweite Bereich aus demselben Material ausgebildet werden und unterschiedliche Dicken aufweisen, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 5, wobei das Material aus einer Gruppe bestehend aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewählt ist, und eine erste Dicke des ersten Bereichs größer als eine zweite Dicke des zweiten Bereichs ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 4, wobei für jede der reflektierenden Strukturen der erste und der zweite Bereich aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet werden und eine gleiche Dicke aufweisen, sodass das erste Reflexionsverhältnis des ersten Bereichs größer ist als das zweite Reflexionsverhältnis des zweiten Bereichs.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 7, wobei jedes der unterschiedlichen Materialien aus einer Gruppe bestehend aus Ag, Al, Mg und Mo ausgewählt ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei der erste Bereich von dem zweiten Bereich umrandet ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei der zweite Bereich durch den ersten Bereich in zwei getrennte Flächen geteilt wird.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei die Dicke jeder der reflektierenden Strukturen kleiner oder gleich 100 nm ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei für jede der reflektierenden Strukturen die Dicke des ersten Bereichs kleiner oder gleich 100 nm und größer oder gleich 40 nm ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei jede der reflektierenden Strukturen ferner einen dritten Bereich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich aufweist, und für jedes Pixel ein drittes Reflexionsverhältnis des jeweiligen Pixels, das dem dritten Bereich entspricht, größer als das zweite Reflexionsverhältnis und kleiner als das erste Reflexionsverhältnis ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, das eine Auflösung von mehr als 600 Pixel pro Zoll (ppi) aufweist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1, wobei die reflektierenden Strukturen als Anoden der Pixel wirken, und jede der reflektierenden Strukturen jeweils von zwei transparenten Schichten bedeckt und dazwischen eingeschoben ist.
OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 15, wobei die transparenten Schichten Indium-Zinn-Oxid-(ITO-)Schichten sind.
Gerät, das das OLED-Anzeigefeld nach Anspruch 1 aufweist.
Gerät nach Anspruch 17, das ein Gerät mit virtueller Realität (VR) ist.