CN112531125A - 有机发光二极管与具有其之装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管(OLED)显示面板包含一个基材、一个反光电极层在基材上以及一个像素界定层(PDL)形成在基材以及反光电极层之上。反光电极层具有多个反光结构,并且每个反光结构具有一个第一区域以及一个第二区域。像素界定层带有相对于反光结构的多个开口,使得每个反光结构的第一区域和第二区域被暴露在其相对应的开口中。多个有机发光结构被相应的形成在开口中并且覆盖反光结构,以形成多个像素。对于像素中的每个对应像素,对应像素中对应至第一区域的第一反光率大于对应像素中对应至第二区域的第二反光率。
Description
技术领域
本揭露是有关于一种显示科技,并且特指一种能解决现有技术问题的高分辨率主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板的制作方法。
背景技术
本文提供的背景描述是为了总体上呈现本揭露内容的目的。包含在此背景技术范围内的描述、目前本揭露列名的发明人、在此说明书中在提交申请时可能不具有现有技术内所具有的资格、在本揭露中既不明确具有也不隐含先前技术。
目前有机发光二极管(OLED)显示面板被广泛地使用在行动装置例如手机或平板装置上。在一些例子中,OLED显示面板可以是一种主动矩阵OLED(AMOLED)显示面板,其被用于需要高分辨率的装置中,例如在一种虚拟现实(VR)装置中。随着OLED显示面板的分辨率提升,在OLED显示面板中的发光层的每个发光结构的尺寸变得更小,使得针对发光结构的精准涂布对准变得更加困难。
从而,上述缺陷和不足之处在本领域中迄今尚未被解决。
发明内容
本揭露有关于一种有机发光二极管(OLED)显示面板,其中包含:一基材、设置于基材上的一反光电极层以及具有多个反光结构,其中每个反光结构具有一第一区域与一第二区域、形成在基材与反光电极层上的一像素界定层(PDL),其中像素界定层相应反光结构提供多个开口,使得每个反光结构的第一区域与第二区域被暴露在一相应的其中一个开口、以及相应形成在开口中并且覆盖反光结构的多个有机发光结构、形成多个像素,其中每个相应像素中,相应第一区域的个别像素的一第一反光率大于相应第二区域的个别像素的一第二反光率。
在目前一些实施例中,OLED显示面板具有大于或等于80%的整体反光率。
在目前一些实施例中,一第一面积比率,即X,为每个反光结构的第一区域与整体面积的比率,一第二面积比率,即(1-X),为每个反光结构的第二区域与整体面积的比率,并且X大于或等于80%并且小于或等于99%。
在目前一些实施例中,每个反光结构中,第一区域的第一面积比率与第二区域的第二面积比率的差值大于或等于1%。
在目前一些实施例中,每个反光结构中,第一区域与第二区域为同一种材料所形成并且具有不同厚度,使得第一区域的第一反光率大于第二区域的第二反光率。
在目前一些实施例中,材料选择自具有银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)和钼(Mo)的一群体,并且第一区域的一第一厚度大于第二区域的一第二厚度。
在目前一些实施例中,各个反光结构中,具有以不同材料形成的相同厚度的第一区域与第二区域,其中第一区域的第一反光率大于第二区域的第二反光率。
在目前一些实施例中,各个不同材料皆选择自包含银、铝、镁和钼的一群体中。
在目前一些实施例中,第一区域被第二区域所围绕。
在目前一些实施例中,第二区域被第一区域分隔成两个分离区域。
在目前一些实施例中,每个反光结构的一厚度小于或等于100nm。
在目前一些实施例中,每个反光结构中,第一区域的一厚度小于或等于100nm并且大于或等于40nm。
在目前一些实施例中,每个反光结构在介于第一区域与第二区域之间具有一第三区域,并且对于像素中每个对应的像素,第三区域中的对应像素的一第三反光率大于第二反光率并且小于第一反光率。
在目前一些实施例中,OLED显示面板具有大于每英吋600像素(ppi)的分辨率。
在目前一些实施例中,反光结构作为像素中阳极的功用,并且每个反光结构相应的覆盖并且被两个透明层夹在中间。在一个实施例中,透明层为氧化铟锡(ITO)层。
在本揭露的某些方面,一装置可以具有如上述所述的OLED显示面板。在特定实施例中,此装置可以是一个虚拟现实(VR)装置。
本揭露的这些与其他方面通过结合附图对优选实施例进行以下的描述,本揭露的实施例将变得显而易见,但在不脱离本公开的新颖概念的精神和范围的情况下,可以进行其中的变化和修改。
附图说明
附图绘示了本揭露的一个或多个实施例,并且与书面描述一起用于解释本揭露的原理。在所有附图中,尽可能使用相同的附图标记指代实施例的相似或相同元件,其中:
图1A为根据本揭露所绘示OLED显示面板的一影像显示。
图1B绘示图1A中的部分放大视角。
图2为根据本揭露的特定一些实施例所绘示一OLED面板的一发光层的一真空沉积工艺。
图3A为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的一OLED显示面板,其中G发光结构与相邻的R发光结构重叠。
图3B为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的组合了R/G颜色的一OLED显示面板。
图4A为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的一OLED显示面板的一剖面图。
图4B为在图4A中一OLED的一反光结构的剖面图。
图4C为图4A中一OLED显示面板的剖面图,其中绿色(G)像素有机发光结构平移并且部分与红色(R)像素有机发光结构重叠。
图5A为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的一OLED显示面板,并且每个反光结构具有两个区域。
图5B绘示在图5A中具有两个区域的一反光结构的俯视图。
图5C绘示在图5A中的OLED显示面板,其中绿色(G)像素有机发光结构平移并且与红色(R)像素有机发光结构部分重叠。
图6A为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的一OLED显示面板中的两个相邻像素中的有机发光结构与反光结构的俯视图。
图6B为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的OLED显示面板中的两个相邻像素的有机发光结构以及反光结构的俯视图,其中绿色(G)像素有机发光结构平移并且与红色(R)像素有机发光结构部分重叠。
图6C为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的OLED显示面板中的两个相邻像素的有机发光结构以及反光结构的俯视图,其中每个反光结构具有两个区域,并且绿色(G)像素有机发光结构平移并且与红色(R)像素有机发光结构部分重叠。
图7为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的多个反光结构。
图8为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的蓝色(B)像素的反光结构中不同反光材料的反光率对厚度之间的关系。
图9为根据本揭露的特定一些实施例所绘示以银做为不同厚度的反光结构材料的绝对反光率与波长之间的关系。
图10为根据本揭露的特定一些实施例所绘示的具有三个区域的一反光表面的俯视图。
其中,附图标记:
100:影像
120:放大视角
200,300,400,400’,500:有机发光二极管显示面板
210,410,510:基材
220:发光层
230:精细金属屏蔽
235:屏蔽开口
240:真空源
310:空穴注入层
310B,310G,310R:空穴注入层结构
320:空穴传输层
330:发光层
330B,330G,330R:发光结构
330G’:预期位置
335,360,460,560,660:重叠区域
340:黄光
420,420B,420G,420R,520B,520G,520R,620B,
620G,620R,710,720,730,740,750,760,770,780,790,1000:反光结构
424,426:透明层
430,530:像素界定层
440B,440G,440R,540B,540G,540R,640B,640G,640R:有机发光结构
450:转换电极
522B,522G,522R,622B,622G,622R,1022:第一区域
524B,524G,524R,624B,624G,624R,1024:第二区域
550:透明电极
600:像素结构
1026:第三区域
具体实施方式
以下揭露内容现在在此将透过附图及参考数据被更完整描述,一些示例性的实施例被绘示在附图中。本揭露可以被以不同形式实施并且不应被以下提及的实施例所限制。但是,这些实施例被提供以帮助更完整的理解本揭露之内容并且向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相同的参考标号会贯穿全文指代相似元件。
在本揭露的上下文以及在使用每个术语的前后文中,所使用的术语在本领域中通常具有普遍含意。被用以形容本揭露的特定术语将在下文被讨论,或在下文其他地方规范以对于本领域初学者对于本揭露的内容提供额外引导。为了方便起见,特定术语可以被显著标记,例如使用斜体和/或引号。使用标记并未对于术语本身的范围和意义有影响,在同一内文中术语的范围和意义仍然相同,不管使用标记与否。应当理解,可以使用一种以上的方式说明同一件事情。因此,替代的语言与同义词可以用于本文所讨论的任何一个或多个术语,其不具有任何特殊意义并且术语也不在此被阐述或讨论。一些特定术语的同义词会在此被提供。一个或多个同义词可以被使用并且不能排除其他同义词。在本揭露中所使用的任何实施例包含在此讨论的任何术语的实施例只是说明性的,并且并不以限制本揭露的范围或意义或任何示例性术语。同样的,本揭露不被在此的多种实施例所限制。
应当理解,当元件被称为在另一元件"上"或"连接到"另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为"直接在另一元件上"或"直接连接到"另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,"连接"可以指物理及/或电性连接。再者,"电性连接"或"耦合"系可为二元件间存在其它元件。
应当理解,尽管术语"第一"、"第二"、"第三"等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的"第一元件"、"部件"、"区域"、"层"或"部分"可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非内容清楚地指示,否则单数形式"一"、"一个"和"该"旨在包括复数形式,包括"至少一个"。"或"表示"及/或"。如本文所使用的,术语"及/或"包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语"包括"及/或"包括"指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外,诸如"下"或"底部"和"上"或"顶部"的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的"下"侧的元件将被定向在其他元件的"上"侧。因此,示例性术语"下"可以包括"下"和"上"的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件"下方"或"下方"的元件将被定向为在其它元件"上方"。因此,示例性术语"下面"或"下面"可以包括上方和下方的取向。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
本文使用的"约"、"近似"、或"实质上"应该基本上具有偏差在±20%的意义,更倾向与给定数值之偏差在±10%或更进一步地倾向偏差在±5%。给定数值为大约值,意旨术语"约"、"近似"或"实质上"可以在未明确说明的情况下被推断得出。
除非另有定义,在此使用的术语"反光率"指称为使用一层厚度为100nm的银(Ag)的实际反光率作为基准的一种相对反光率。特别注意,具有100nm厚度的银材料层的实际反光率为实质上接近100%的稳定高比率。因此,使用具有100nm厚度的银材料层的实际反光率做为基准,在此所使用的"反光率"会实质上与实际反光率相似。
本揭露以下针对实施例结合附图所做的描述。根据本揭露的目的,如本文所体现和广泛描述的,本揭露的特定方面,与OLED显示面板具有特殊设计的反光电极层的反光结构相关,使得OLED显示面板的每个像素在相应的反光结构中在两个不同的区域上具有两个不同的反光率。
如上述讨论,一个OLED显示面板,例如一个AMOLED显示面板,可以被用在需要高分辨率的装置中。目前,标准的AMOLED显示面板分辨率可以落在每英寸400-600像素(ppi)的范围中。然而,一些状况中,被投影在AMOLED显示面板的影像是被放大的,分辨率可能相对较低。举例来说,图1A根据本揭露的一实施例绘示一影像100被OLED显示面板所显示,并且图1B绘示图1A的一部份放大视角。特别指,如图1A所示的影像100为一VR影像,其中VR影像100与用户眼睛之间的距离大约为20-30cm,并且图1B展示VR影像100的一放大视角,其中放大视角120与用户眼睛之间的距离大约为6cm。如图1B所示,影像100的放大视角120显现颗粒状网状图案,并且可以被人眼明显的观察出来。当用户在操作VR时经常使用放大功能放大VR图像时,必须提高OLED显示面板的分辨率,以避免出现明显的颗粒状网状图案的问题。
然而,为了制造具有更高分辨率的OLED显示面板,必须缩小OLED显示面板的像素尺寸。举例来说,图2绘示根据本揭露的一些特定实施例,一OLED显示面板的发光层的一真空沉积工艺。特别提到,真空沉积工艺为OLED显示面板制造制程中的其中一部份。在如图2所示的工艺中,一发光层220(例如,一像素层)藉由精细金属屏蔽(FMM)230以及一真空源240进行真空沉积而被沉积在基材210上。如图2所示,发光层220包含多个RGB颜色发光结构,并且FMM 230的屏蔽开口235与发光结构的红色(R)对齐。因此,所有红色(R)的发光结构一起在同一个真空沉积工艺被形成,并且绿色(G)发光结构以及蓝色(B)发光结构需要另外的两次真空沉积工艺才可被形成。
真空沉积工艺利用如图2所示的FMM 230被执行,两个主要因子被包含在真空沉积工艺的限制中:(1)FMM 230的屏蔽开口235的尺寸,以及(2)FMM 230的屏蔽开口235与基材210上发光层220中相应发光结构的预定位置的对准。因应需要更高分辨率的OLED显示面板的需求,在发光层220中的发光结构尺寸需要变小。发光层220中的发光结构尺寸是被FMM230中各个屏蔽开口235的尺寸所决定的,FMM 230中各个屏蔽开口235的尺寸也需相应的缩小。从而,FMM 230在真空沉积工艺与其预期位置之间的微小偏差可能会导致一种颜色的发光结构从其在基材210上的相应位置偏移。因此,在发光层220中的发光结构的精准的镀膜对准变得更加困难。
当部分在发光层220中的发光结构自他们预定在基材210上的位置偏移,一部分的发光结构自其预定位置的偏移可能与其邻近的发光结构重叠。举例来说,图3A,根据本揭露目前一些实施例而绘示一OLED显示面板,其中G发光结构与相邻的R发光结构重叠。如图3A所示,OLED显示面板300包含一空穴注入层(HIL)310、一空穴传输层(HTL)320以及一发光层330(例如,像素层)包含多个发光结构330R、330G和330B。特别说明,HIL 310和HTL 320为可选结构,以及在特定一些实施例中,OLED显示面板300可以包含HIL 310和HTL 320的其中之一。如图3A所示,HIL 310包含多个HIL结构310R、310G和310B与330R、330G和330B相对应。更进一步来说,在发光层330中的发光结构被以不同行呈现以说明绿色(G)发光结构330G。在发光结构330中,蓝色(B)发光结构330B以及红色(R)发光结构330R相应的位于他们的相对位置。然而,绿色(G)发光结构330G向右偏移自其预期位置330G’(以虚线绘示),因此,与红色(R)发光结构330R形成一重叠区域335。重叠区域335所发出的光为R/G颜色的组合光,即为黄光(Y)340。图3B依本揭露的特定一些实施例绘示了OLED显示面板所发出的R/G颜色的组合光,其中,因为绿色(G)发光结构的向上偏移,发光的重叠区域360显示一黄色图案。
图4A依本揭露的特定一些实施例绘示了一OLED显示面板的剖面图。如图4A所示,OLED显示面板包含一基材410、一反光电极层,其具有反光结构420R、420G和420B、一像素界定层(PDL)430、多个有机发光结构440R、440G和440B以及一转换电极450。反光电极层被设置在基材410上。
如图4A所示,反光结构420R、420G和420B设置在基材410上。图4B绘示在图4A中OLED显示面板的反光结构的剖面图。如图4B所示,反光结构420被对应的覆盖住并且藉由两个透明层424和426被夹在中间,以此形成一个三明治结构。透明层424和426可以为氧化铟锡(ITO)层,并且每个透明层424和426与反光结构420相比是相对薄的,使得反光结构420的反光率没有显著的被透明层424和426所影响。
依据图4A,PDL 430被形成在基材410和反光电极层上。PDL 430相应反光结构420R、420G和420B提供多个开口,并且有机发光结构440R、440G和440B相应地形成在开口中并且覆盖反光结构420R、420G和420B。在特定一些实施例中,每个反光结构可以直接与相应的有机发光结构接触。或者,在特定一些实施例中,可能具有其他薄膜或层(例如,HIL、HTL或其他层)介于每个反光结构与其相应的有机发光结构,使得每个反光结构没有与其相应的有机发光结构直接接触。透明电极450设置于PDL 430与有机发光结构440R、440G和440B之上。这些结构集体形成了多个OLED像素,其中每个反光结构作为其相应像素的阳极,并且透明电极450作为其相应像素的阴极。
如上述讨论,当一些有机发光结构440R、440G和440B自他们的预定位置偏移,部分偏移的有机发光结构可能与他们相邻的有机发光结构重叠。举例来说,图4C绘示图4A中的OLED显示面板的剖面图。如图4C所示,绿色(G)像素的有机发光结构440G向左偏移并且部分与红色(R)像素的有机发光结构440R重叠,形成一重叠区域460。更进一步来说,在图4C中的透明电极450被移除以更好的绘示重叠区域460。R/G颜色的组合光在介于有机发光结构440R和440G之间的重叠区域460可能导致不必要的黄色图案,如图3B所示。
为了解决由有机发光结构的偏移所导致的不必要的黄色图案,本揭露是有关于一种OLED显示面板,其中每个反光结构包含多个具有不同反光系数的区域。特别指,每个反光结构里的第一反光区中不与重叠区域对应的部分的反光率大于每个反光结构里的第二反光区中与重叠区域对应的部分的反光率,使得与第二区域相应的每个像素的反光率可以被减少,因此减少不必要的混和颜色图案。在特定一些实施例中,每个反光结构中,第一区域的反光率和第二区域的反光率之间的差异大于或等于1%,使得人眼可以感测到与相应的第一区域和第二区域之间亮度上的差异。
图5A依本揭露的特定一些实施例绘示了一种OLED显示面板的剖面图,其中每个反光结构具有两个区域。如图5A所示,OLED显示面板500包含有一基材510、具有多个反光结构520R、520G和520B的一反光电极层、多个有机发光结构540R、540G和540B以及一透明电极550。特别指,反光结构520R具有一第一区域522R以及一第二区域524R,反光区域520G具有一第一区域522G以及一第二区域524G,以及反光区域520B具有一第一区域522B以及一第二区域524B。OLED显示面板500的其他结构包含有一基材510、PDL 530、有机发光结构540R、540G和540B以及一透明电极550,与其相应的OLED显示面板400具有相似的结构,如图4A所示,并且不在此详细说明。
图5B绘示图5A中的具有两个区域的反光结构的俯视图。如图5B所示,反光结构520的俯视图实质上为一个方形结构,并且被分割成第一区域(M1)522以及围绕第一区域的第二区域(M2)524,并且第一区域的第一面积比率M1为反光结构520的总面积的80%。换句话说,第二区域的第二面积比率M2为反光结构520的总面积的20%。更进一步来说,第一区域M1的第一反光率大于第二区域M2的第二反光率。举例来说,如果第一区域M1的第一反光率被设计为100%,第二区域M2的第二反光率必定小于100%。
如图5A所示,PDL 530在相应反光结构520R、520G和520B的位置提供多个开口,使得每个反光结构的第一区域M1以及第二区域M2被暴露在相应的开口中。在特定一些实施例中,每个反光结构的第一区域M1以及第二区域M2与其相应的有机发光结构直接接触。实质上,在特定一些实施例中,可能具有其他薄膜或层(例如,HIL、HTL或其他层)介于每个反光结构以及其相应的有机发光结构之间,使得每个反光结构的第一区域M1和第二区域M2没有与其相应的有机发光结构直接接触。更进一步来说,图5C绘示图5A中的OLED显示面板的剖面图,其中绿色(G)像素的有机发光结构偏移并且部分与红色(R)像素的有机发光结构重叠。如图5C所示,绿色(G)像素的有机发光结构偏移并且部分与红色(R)像素的有机发光结构重叠,形成了重叠区域560。然而,反光区域520R被分割成第一区域522R以及第二区域524R,并且第二区域524R与重叠区域560垂直地对齐。因为第二区域524R的第二反光率小于100%(相对于第一区域522R之第一反光率),R像素的第二区域524R的反光率低于R像素之第一区域522R的反光率,因此减少了不必要的黄色图案。
如图5B所示的实施例,第一区域M1的第一面积比率为反光结构520总面积的20%。在目前一些实施例中,第一区域M1的第一面积比率以及第二区域M2的第二面积比率可以被改变。举例来说,第一区域M1的第一面积比率可以为反光结构520的总面积的X,其中X大于或等于80%并且小于或等于90%。在此例子中,第二区域M2的第二面积比率可以为反光结构520的总面积的(1-X)。
图6A、6B以及6C依本揭露的特定一些实施例绘示了多个有机发光结构以及一OLED显示面板上两个相邻像素的反光结构的例子。特别指,分别在图6A、6B和6C中,两个相邻像素对应为R像素和G像素,并且反光结构620G和620R为本质上的正方形结构。如图6A所示,在像素结构600中,有机发光结构640G和640R没有从他们的预定位置偏移。即使有些微重叠区域在介于有机发光结构640G和640R,重叠区域没有与任何部分的反光结构620G和620R的任何一者对齐。
然而,有机发光结构640G向左偏移,在图6B中的像素结构600’,重叠区域660可以与部分的反光结构620R对齐,相似的例子在图4C中被示出,并且造成如图3B中所示的不必要的黄色图案。
为了解决由有机发光结构的偏移所造成的不必要的混和颜色图案,如图6C所示,在像素结构600”中,反光结构620R具有第一区域622R以及第二区域624R。因此,在有机发光结构640G向左偏移的例子中,重叠区域660可以与反光结构620R中的第二区域624R对齐,类似于图5C中所示的例子。因为第二区域624R的第二反光率低于100%(与第一区域622R的100%反光率相比),R像素的反光率相对于第二区域624R会小于R像素的反光率相对于第一区域622R,因此能减少不必要的黄色图案。
在图6C中所示的实施例中,反光结构620R和620G为正方形,并且第一区域被第二区域所围绕。在特定一些实施例中,然而,反光区域的形状以及第一区域和第二区域的排列是可以改变的。举例来说,反光区域的形状可以基于像素形状而被改变。更进一步来说,第一区域和第二区域的排列可以基于发光结构的发光状态和/或频率而被调整。在特定一些实施例中,如果有机发光结构的偏移更高频率发生在特定方向,第二区域可以被沿着这个特定方向排列,而不是环绕第一区域。
图7依本揭露的特定一些实施例绘示了多个反光结构。特别指,反光结构710为相同或相似于各个反光结构620R和620G。相反地,在其他反光结构720-790被调整以具有不同形状和/或不同于第一区域M1和第二区域M2的排列。特别是,反光结构720保留为正方形,但是第一区域M1和第二区域M2的排列改变为垂直排列,其中第一区域M1分割第二区域M2成为一上半区域与一下半区域,这两区域互相分离。反光结构730保留为正方形,但是第一区域M1和第二区域M2的排列改变为对角线排列,其中第一区域M1分割第二区域M2成为一上左半区域与一下右半区域,这两区域互相分离。反光区域740为一钻石形状,第一区域M1和第二区域M2被排列使得第一区域M1被第二区域M2所围绕。反光结构750也为钻石形状,第一区域M1和第二区域M2的排列被改变为水平排列,其中第一区域M1将第二区域M2分割成一左半区域与一右半区域,这两区域互相分离。反光区域760也为钻石形状,第一区域M1和第二区域M2的排列被改变为倾斜排列,其中第一区域M1将第二区域M2分割成上左半区域和下右半区域,这两区域互相分离。反光结构770为六角形,第一区域M1和第二区域M2被排列使第一区域M1被第二区域M2所围绕。反光结构780也为六角形,并且第一区域M1和第二区域M2的排列被改变为水平排列,其中第一区域M1将第二区域M2分割成左半区域和右半区域,这两区域互相分离。反光结构790也为六角形,并且第一区域M1和第二区域M2的排列被改变为垂直排列,其中第一区域M1将第二区域M2分割成上半区域和下半区域,这两区域互相分离。在特定一些实施例中,反光结构也可以为其他形状,例如长方形或其他任何形状。
如上述所讨论,在每个反光结构中,第一区域M1的第一反光率大于第二区域M2的第二反光率,使得与第一反光率相应的第一区域的相应像素大于与第二反光率相应的第二区域的相应像素。在特定一些实施例中,第一区域M1以及第二区域M2可以以相同材料形成并且具有不同厚度使得第一区域M1的反光率以及第二区域M2的反光率会随着不同厚度而改变。一般来说,当反光结构的厚度增加时反光结构的反光率会提升。在这个例子中,第一区域M1的第一厚度可以大于第二区域M2的第二厚度,使得第一区域M1的第一反光率大于第二区域M2的第二反光率。在特定一些实施例中,反光材料可以为金属材料选择自银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)和钼(Mo)当中。
在特定一些实施例中,第一区域M1以及第二区域M2可以被不同反光材料所形成并具有相同厚度。不同反光材料可以具有不同反光率,用于形成第一区域M1的材料可以为一具有高反光率的材料,使得第一区域M1的第一反光率大于第二区域M2的第二反光率。在特定一些实施例中,反光材料可以为金属材料选择自银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)和钼(Mo)当中。
图8依本揭露的特定一些实施例绘示了作为蓝色(B)像素的反光结构的不同反光材料的反光率之间的关系。相应地,表1依本揭露的特定一些实施例展示了一系列蓝色(B)像素反光结构的不同排列比率例子。应当注意的是,相同颜色像素中的反光结构的比率应为相同。举例来说,蓝色(B)像素中的反光结构的比率应为相同。然而,不同颜色的像素,反光结构的比率可以相同或不同。举例来说,蓝色(B)像素中的反光结构的比率可以与绿色(G)像素中的反光结构的比率不同。
特别指,在实施例1中,反光结构未被分割成多个区域(因此M1的面积比率为100%),与图4A中所绘示的结构相似。在实施例2、3中,反光结构被分割成区域M1和M2,其中第一区域的第一面积比率M1为80%并且第二区域的第二面积比率M2为20%。在所有例子中,第一区域M1使用的反光材料为银(Ag),并且第一区域M1的厚度为100nm。相应地,在实施例1中,整体反光率(即为面积比率与反光率之间乘积的总合)为100%。在实施例2中,用于第二区域M2的反光材料也为Ag,并且第二区域M2的厚度为40nm。因此,第二区域M2的反光率为83%(图8中的B点)。相应地,在实施例2中,整体反光率(即为面积比率与反光率之间乘积的总合)为96.6%(=80%*100%+20%*83%)。在实施例3中,用于第二区域M2的反光材料为Mg(其反光效果较低),并且第二区域M2厚度为100nm。因此,第二区域M2的反光率为65%(图8中点C)。相应地,在实施例3中,整体反光率(即为面积比率与反光率之间乘积的总合)为93%(=80%*100%+20%*65%)。
更进一步来说,如图8所示,对每个反光材料而言,当反光材料的厚度大于100nm时,反光率因此达到一稳定值,并且当每种反光材料的厚度小于40nm时,可以观察到其反光率大幅下降(特别在Ag、Mg和Mo的例子)。因此,在特定一些实施例中,第一区域M1的厚度被设定为小于或等于100nm并且大于或等于40nm,使得每个反光结构可以相对地薄而不牺牲他们的反光率。
表1
应当被注意的是,在一假设例子中,第二区域M2所使用的材料可以是非反光材料,其反光系数为0%。在这个例子中,整体反光比率(即为面积比率与反光率之间乘积的总合)为80%(=80%*100%+20%*0%)。被用于第二区域M2的反光材料基本上为一种反光率大于0%的反光材料,其整体反光率一般来说为大于80%。在特殊一些实施例中,对于每个反光结构来说,第一区域M1的第一反光率与第二区域M2的第二反光率的差异应该大于或等于1%,使得人眼可以辨识他们之间的差异。
更进一步来说,每个展示在表1中的实施例中,第二区域M2的反光率小于100%。在特定一些实施例中,第二区域M2的反光率应该不大于99%(换句话说,小于第一区域M1之反光率至少1%),使得第一区域M1与第二区域M2的反光率使可以为人眼所区分其发光亮度之间的相应差异。
图9依本揭露的特定一些实施例绘示了材料银作为反光结构的反光材料的绝对反光率与光波长之间的关系。相应地,表2展示一系列在实施例1中蓝色(B)像素(波长为460nm)的结构的比率(M1面积比率为100%),其中依本揭露的特定一些实施例,此反光材料为银并具有不同厚度。如图9所示,其中当银层的厚度增加,反光结构的绝对反光率R%会相应的增加。应当注意的是,绝对(实际)反光率与相对反光率之间的差异是存在的。
表2
在表1及表2中所展示的实施例,银在特定厚度之下的绝对反光率与相对反光率为一种归一化比率,为利用银在100nm厚度下的绝对反光率(即为实际反光率)作为基准而计算得出。特别是,当第一区域M1的厚度为100nm,第一区域M1的相对反光率为100%。在特定的一些实施例中,每个反光结构的厚度被设定为80nm,使得相对反光率(99%)与其相应的绝对反光率(92%)被以相对高的值保留下来。在特定的一些实施例当中,每个反光结构的厚度可以低于80nm。如上述讨论,在特定实施例中,第一区域M1的厚度可以被设定为小于或等于100nm并且大于或等于40nm。
在一些上述讨论的实施例中,反光结构具有两个区域,包含第一区域M1以及第二区域M2。在特定实施例中,额外区域可以被添加使得反光结构多于两个区域。举例来说,图10依本揭露的特定的一些实施例绘示了具有三个反光区域的反光结构的俯视图。如图10所示,反光结构1000实质上为正方形结构,其被分割成三个区域,包含一第一区域(M1)1022、围绕第一区域的一第二区域(M2)1024以及介于第一区域M1和第二区域M2之间的一第三区域(M3)1026。第一区域M1、第二区域M2与第三区域M3的面积比率可以相对被调整。在特定一些实施例中,反光结构1000中对应置第三区域M3的第三反光率大于反光结构1000中对应置第二区域M2的第二反光率并且小于反光结构1000中对应置第一区域M1的第一反光率。在特定一些实施例中,反光结构可以被分割成多于三个区域,并且这些实施例的细节将不在此详细说明。
在特定一些实施例中,上述讨论的OLED显示面板可以被使用以达到更高的分辨率。举例来说,OLED显示面板的分辨率可以大于600ppi。更进一步来说,上述讨论的OLED显示面板可以被应用于任何需要高分辨率的装置,例如一种VR装置。
前面描述内容仅对于本揭露的示例性实施例给予说明和描述,并无意穷举或限制本揭露所公开的发明的精确形式。以上教示可以被修改或者进行变化。
被选择并说明的实施例是用以解释本揭露的内容以及他们的实际应用从而激发本领域的其他技术人员利用本揭露及各种实施例,并且进行各种修改以符合预期的特定用途。在不脱离本揭露的精神和范围的前提下,替代性实施例将对于本揭露所属领域的技术人员来说为显而易见者。因此,本发明的范围是根据所附发明申请专利范围而定,而不是被前述说明书和其中所描述的示例性实施例所限定。
Claims (18)
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包含:
一基材;
一反光电极层,设置于该基材上并且具有多个反光结构,其中每一该些反光结构具有一第一区域以及一第二区域;
一像素界定层,形成在该基材与该反光电极层上,其中该像素界定层带有多个开口对应于该些反光结构,使得每一该些反光结构的该第一区域以及该第二区域暴露于该些开口中的一对应者中;以及
多个有机发光结构,相应地形成在该些开口中并且覆盖该些反光结构,形成多个像素;
其中对于该些像素中的每一相应像素中,该相应像素对应该第一区域的一第一反光率大于该相应像素对应该第二区域的一第二反光率。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该有机发光二极管显示面板具有一整体反光率大于或等于80%。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该第一区域相对于每一该些反光结构的一总面积的一第一面积比率为X,该第二区域相对于每一该些反光结构的该总面积的一第二面积比率为(1-X),并且X大于或等于80%并且小于或等于99%。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中对于每一该些反光结构,该第一区域的该第一反光率与该第二区域的该第二反光率之间的一差值大于或等于1%。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其中对于每一该些反光结构,该第一区域以及该第二区域被以相同的一材料形成并且具有不同厚度,使得该第一区域的该第一反光率大于该第二区域的该第二反光率。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其中该材料选自由银、铝、镁以及钼所组成的一群组,并且该第一区域的一第一厚度大于该第二区域的一第二厚度。
7.如权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其中对于每一该些反光结构,该第一区域以及该第二区域由不同材料所形成并且具有相同厚度,使得该第一区域的该第一反光率大于该第二区域的该第二反光率。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示面板,其中该些不同材料中的每一者选自由银、铝、镁以及钼所组成的一群体。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该第一区域被该第二区域所围绕。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该第二区域被该第一区域分割成两个分离的区域。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中每一该些反光结构的一厚度小于或等于100nm。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中对于每一该些反光结构,该第一区域的一厚度小于或等于100nm并且大于或等于40nm。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中每一该些反光结构进一步具有一第三区域介于该第一区域与该第二区域之间,并且对于该些像素的每一相应像素,该相应像素相对该第三区域的一第三反光率大于该第二反光率并且小于该第一反光率。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该有机发光二极管显示面板具有一分辨率大于600ppi。
15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中该些反光结构具有作为该些像素之阳极的功用,并且每一该些反光结构相应地被两透明层覆盖与夹持。
16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示面板,其中该些透明层为氧化铟锡层。
17.一种装置,具有一如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板。
18.如权利要求17所述的装置,其中该装置为一虚拟现实装置。
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