DE102020125892A1

DE102020125892A1 - Optoelektronische vorrichtung und verfahren zum erzeugen einer optoelektronischen vorrichtung

Info

Publication number: DE102020125892A1
Application number: DE102020125892.5A
Authority: DE
Inventors: Thomas Schwarz
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2020-10-02
Filing date: 2020-10-02
Publication date: 2022-04-07
Also published as: WO2022069731A1

Abstract

Eine optoelektronische Vorrichtung umfasst einen Träger mit einer Oberseite und einer darauf befindlichen Halteschicht sowie wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht. Wenigstens eine optoelektronische Komponente ist auf der Halteschicht angeordnet und weist zumindest eine aktive Schicht zwischen einem ersten Anschluss auf einer ersten Außenfläche und einem zweiten Anschluss auf einer der ersten Außenfläche gegenüberliegenden zweiten Außenfläche der optoelektronischen Komponente auf. Die erste und zweite Außenfläche grenzen jeweils an die Halteschicht an. Die wenigstens eine erste leitfähige Schicht ist mit dem ersten Anschluss und die wenigstens eine zweite leitfähige Schicht mit dem zweiten Anschluss verbunden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung, sowie ein Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung.
Hintergrund
Der Chip einer Leuchtdiode (LED) besteht aus einer leitfähigen Basis (Substrat), auf der unterschiedlich dotierte HalbleiterSchichten aufgebracht sind. Zwischen einer p-dotierten Schicht und einer n-dotierten Schicht bildet sich eine Sperrschicht aus. Diese ist die aktive Schicht, in der eine Lichterzeugung durch Rekombination von Elektronenlöchern aus der p-dotierten und Elektronen aus der n-dotierten Schicht stattfindet. Wenn eine ausreichende Spannung in Durchlassrichtung des pn-Übergangs an einen Anodenanschluss und einen Kathodenanschluss der LED angelegt wird, beginnt die LED zu leuchten.
Man kann die LED-Chips unter anderem zwischen horizontalen LEDs und vertikalen LEDS unterscheiden. Horizontale LEDs, auch Flip-Chips genannt, weisen den Anoden- und den Kathodenanschluss auf derselben Chipseite auf, wohingegen vertikale LEDs den Anodenanschluss auf einer ersten Chipseite und den Kathodenanschluss auf einer zweiten, der ersten Chipseite gegenüberliegenden, Chipseite aufweisen.
Zur Kontaktierung von vertikalen LED-Chips während und nach der Montage der LED-Chips auf einem Zielsubstrat sind aufgrund der Anordnung des Anoden- und des Kathodenanschlusses mindestens drei Fotoebenen nötig um zwei Kontaktebenen und eine dazwischen befindliche Isolierschicht auszubilden. Ein Unterseitenkontakt zur Kontaktierung von beispielsweise dem Anodenanschluss, ein Oberseitenkontakt zur Kontaktierung von beispielsweise dem Kathodenanschluss und eine Isolierschicht zwischen dem Oberseitenkontakt und dem Unterseitenkontakt.
Mehrere Fotoebenen verursachen jedoch hohe Kosten beim Herstellungsprozess, weswegen es gewünscht sein kann die Anzahl der Fotoebenen und damit auch die Herstellungskosten zu reduzieren.
Der vorliegenden Erfindung liegt entsprechend als eine Aufgabe zugrunde, eine verbesserte optoelektronische Vorrichtung und insbesondere ein verbessertes Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung bereitzustellen, bei der die Anzahl der benötigten Fotoebenen zur Kontaktierung von vertikalen LED-Chips reduziert werden kann.
Zusammenfassung der Erfindung
Die Aufgabe wird gelöst durch eine optoelektronische Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 1 und einem Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 11. Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Eine erfindungsgemäße optoelektronische Vorrichtung umfasst einen Träger mit einer Oberseite und einer darauf befindlichen Halteschicht. Weiterhin umfasst die optoelektronische Vorrichtung wenigstens eine erste leitfähige Schicht und eine zweite leitfähige Schicht. Wenigstens eine optoelektronische Komponente ist auf der Halteschicht angeordnet. Die optoelektronische Komponente weist zumindest eine aktive Schicht auf, die zwischen einem ersten Anschluss auf einer ersten Außenfläche und einem zweiten Anschluss auf einer der ersten Außenfläche gegenüberliegenden zweiten Außenfläche der optoelektronischen Komponente angeordnet ist. Die erste und zweite Außenfläche grenzen jeweils an die Halteschicht an. Die wenigstens eine erste leitfähige Schicht ist mit dem ersten Anschluss und die wenigstens eine zweite leitfähige Schicht mit dem zweiten Anschluss verbunden.
Die erste und die zweite Außenfläche, auf denen der jeweilige erste bzw. zweite Anschluss angeordnet ist, können benachbart, im Wesentlichen senkrecht, zur Oberseite des Trägers angeordnet sein. Entsprechend kann die optoelektronische Komponente mit einer Seitenfläche, die sich zwischen der ersten und zweiten Außenfläche erstreckt auf der Halteschicht angeordnet sein.
Zwischen dem ersten Anschluss und der aktiven Schicht, sowie zwischen der aktiven Schicht und dem zweiten Anschluss kann jeweils mindestens eine unterschiedlich dotierte HalbleiterSchicht angeordnet sein.
Der erste und der zweite Anschluss können beispielsweise dazu ausgebildet sein, die optoelektronische Komponente mit elektrischer Energie zu versorgen. Der erste Anschluss kann beispielsweise einen Anodenanschluss und der zweite Anschluss kann beispielsweise einen Kathodenanschluss für die optoelektronische Komponente bilden. Der Anodenanschluss und der Kathodenanschluss können jedoch auch vertauscht sein.
Durch das Anschließen einer ausreichend großen Spannung an den ersten Anschluss und an den zweiten Anschluss kann eine Rekombination von Elektronenlöchern in der aktiven Schicht stattfinden, sodass die optoelektronische Komponente zu leuchten beginnt.
In einigen Ausführungsformen umfasst die wenigstens eine optoelektronische Komponente eine vertikale LED, die einen Anodenanschluss auf einer ersten Chipseite und den Kathodenanschluss auf einer zweiten, der ersten Chipseite gegenüberliegenden, Chipseite aufweist.
Die wenigstens eine erste und die wenigstens eine zweite elektrisch leitende Schicht kann auf der Halteschicht und/oder der Oberseite des Trägers sowie auf einer der ersten und zweiten Außenfläche angeordnet sein.
Durch die Anordnung der optoelektronischen Komponente, derart, dass die Außenflächen an die Halteschicht angrenzen, und damit die beiden Anschlüsse, in horizontaler Richtung gesehen, auf demselben Niveau auf der Oberseite des Trägers angeordnet sind, kann zur Kontaktierung der optoelektronischen Komponente lediglich eine Fotoebene notwendig sein. Mit anderen Worten kann die optoelektronischen Komponente, insbesondere als vertikale LED ausgebildet, um im Wesentlichen 90° gedreht auf der Halteschicht angeordnet sein, sodass die beiden Anschlüsse im Vergleich zu einer konventionell angeschlossenen vertikalen LED nicht in vertikaler Richtung angeschlossen sind, sondern um im Wesentlichen 90° gedreht in horizontaler Richtung. Durch diese Anordnung kann zur Kontaktierung der optoelektronischen Komponente lediglich eine Fotoebene notwendig sein
In einigen Ausführungsformen umfasst die mindestens eine optoelektronische Komponente eine LED oder eine Mikro-LED, auch als µ-LED bezeichnet, oder es wird ein p-LED-Chip verwendet. Eine µ-LED hat Kantenlängen von weniger als 100 µm, insbesondere weniger als 20 µm, insbesondere im Bereich von 1 µm bis 10 µm. Ein anderer Bereich liegt zwischen 10 und 30 µm.Dies kann zu einer Oberfläche von einigen hundert µm² bis zu einigen zehn µm² führen. Beispielsweise kann eine µ-LED eine Oberfläche von ungefähr 60 µm² mit einer Kantenlänge von ungefähr 8 µm haben. In einigen Fällen hat eine µ-LED eine Kantenlänge von 5 µm oder weniger, was zu einer Oberflächengröße von weniger als 30 µm² führt. Typische Höhen solcher p-LEDs liegen beispielsweise im Bereich von 1,5 µm bis 10 µm.
Eine µ-LED kann ein Pixel oder ein Subpixel bilden und Licht einer ausgewählten Farbe, wie beispielsweise rot, grün oder blau emittieren.
In einigen Ausführungsformen umfasst die mindestens eine optoelektronische Komponente einen Volumenemitter oder Oberflächenemitter. Volumenemitter können Licht an ihrer Oberseite, an ihren Seitenflächen sowie an ihrer Unterseite emittieren, wohingegen ein Oberflächenemitter Licht weitestgehend nur an seiner Oberseite emittieren kann.
In einigen Ausführungsformen weist die wenigstens eine optoelektronische Komponente eine pyramidenstumpfartige Ausgestaltung auf. Die erste und zweite Außenfläche können die Grundflächen der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung bilden und können eine unterschiedliche Größe aufweisen. Mit anderen Worten gesagt kann die wenigstens eine optoelektronische Komponente eine Querschnittsfläche aufweisen, die trapezförmig ausgebildet ist. Die Außenflächen können im Querschnitt gesehen die Grundseiten der trapezförmigen Querschnittsfläche bilden und die Grundseiten können eine unterschiedliche Länge aufweisen.
In einigen Ausführungsformen ist die wenigstens eine optoelektronische Komponente mit einer der Seitenflächen der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung auf der Halteschicht angeordnet. Entsprechend können die erste und die zweite Außenfläche benachbart, beispielswiese unter einem Winkel zwischen 60° und 120°, insbesondere ungleich 90°, zur Oberseite des Trägers angeordnet sein.
In einigen Ausführungsformen weist die wenigstens eine optoelektronische Komponente eine quaderförmige Ausgestaltung auf. Die erste und zweite Außenfläche können zwei sich gegenüberliegende Außenflächen der quaderförmigen Ausgestaltung bilden und können eine im Wesentlichen identische Größe aufweisen. Zwischen der ersten und zweiten Außenfläche können sich 4 Seitenflächen erstrecken, die die erste und die zweite Außenfläche miteinander verbinden.
In einigen Ausführungsformen ist die wenigstens eine optoelektronische Komponente mit einer der Seitenflächen der quaderförmigen Ausgestaltung auf der Halteschicht angeordnet. Entsprechend können die erste und die zweite Außenfläche benachbart, im Wesentlichen senkrecht, zur Oberseite des Trägers angeordnet sein.
In einigen Ausführungsformen bedeckt der erste Anschluss einen dem Träger benachbarten Teilbereich der ersten Außenfläche und der zweite Anschluss einen dem Träger benachbarten Teilbereich der zweiten Außenfläche. Die Teilbereiche können sich insbesondere gegenüberliegen. In Draufsicht auf beispielsweise die erste Außenfläche können sich der Teilbereich der ersten Außenfläche und der Teilbereich der zweiten Außenfläche insbesondere überlappen. Die Teilbereiche können beispielsweise ein Viertel, ein Drittel, oder die Hälfte der jeweiligen Außenseite bedecken und in einem unteren Bereich angeordnet sein, insbesondere einer unteren Hälfte der jeweiligen Außenseite, die benachbart zu dem Träger ist.
In einigen Ausführungsformen ist wenigstens einer aus dem ersten und dem zweiten Anschluss die jeweilige Außenfläche im Wesentlichen vollständig bedeckt. Dadurch kann eine gerichtete Abstrahlung der wenigstens einen optoelektronischen Komponente erreicht werden. In einigen Ausführungsformen sind beide Außenflächen durch den jeweiligen Anschluss im Wesentlichen vollständig bedeckt, sodass eine Abstrahlung der wenigstens einen optoelektronischen Komponente im Wesentlichen in senkrechte Richtung, weg vom Träger erfolgt. In einigen Ausführungsformen ist nur eine der beiden Außenflächen durch den jeweiligen Anschluss im Wesentlichen vollständig bedeckt, sodass eine Abstrahlung der wenigstens einen optoelektronischen Komponente im Wesentlichen in senkrechte Richtung, weg vom Träger und in horizontale Richtung durch die nicht bedeckte Außenfläche erfolgt.
In einigen Ausführungsformen ist ein Material des ersten und/oder zweiten Anschlusses reflektierend ausgestaltet. Dadurch kann eine gerichtete Abstrahlung der wenigstens einen optoelektronischen Komponente erreicht werden.
In einigen Ausführungsformen ist die Halteschicht strukturiert. Bereiche der Halteschicht können sich im Wesentlichen nur zwischen der wenigstens eine optoelektronischen Komponente und dem Träger befinden. Die Halteschicht kann beispielsweise in Form von einzelnen Tropfen ausgebildet sein. Wenigstens ein Tropfen kann insbesondere in einem Bereich, in dem die wenigstens eine optoelektronische Komponente angeordnet ist, zwischen dem Träger und der wenigstens einen optoelektronische Komponente ausgebildet sein. In einigen Ausführungsformen ist genau ein Tropfen in einem Bereich, in dem die wenigstens eine optoelektronische Komponente angeordnet ist, zwischen dem Träger und der wenigstens einen optoelektronische Komponente ausgebildet.
Ein Teil des Materials der Halteschicht kann sich auf einen Randbereich der ersten und/oder zweiten Außenfläche und/oder einen Randbereich des ersten und/oder zweiten Anschlusses erstrecken. Es kann beispielsweise ein Tropfen des Materials der Halteschicht auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht werden und eine optoelektronische Komponente in den Tropfen eingedrückt werden. Aufgrund der vorherrschenden Kapillarkräfte kann sich das Material der Halteschicht auf einen Randbereich der ersten und/oder zweiten Außenfläche und/oder einen Randbereich des ersten und/oder zweiten Anschlusses erstrecken.
In einigen Ausführungsformen weist der Träger zumindest eine Durchkontaktierung auf. Über die zumindest eine Durchkontaktierung kann beispielsweise die erste elektrische Leitung von der Oberseite des Trägers zu einer, der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Trägers nach unten geführt werden. In einigen Ausführungsformen weist der Träger zumindest zwei Durchkontaktierungen auf. Über die zumindest zwei Durchkontaktierung können die erste und die zweite elektrische Leitung von der Oberseite des Trägers zur Unterseite des Trägers geführt werden.
In einigen Ausführungsformen weist die optoelektronische Vorrichtung ein Zielsubstrat auf, auf dem die Unterseite des Trägers aufgebracht wird. Die erste und die zweite elektrische Leitung werden mittels Durchkontaktierungen durch den Träger mit Leiterbahnen des Zielsubstrats verbunden.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung umfasst das Bereitstellen eines Trägers mit einer darauf befindlichen Halteschicht. Ferner umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Zwischenträgers mit wenigstens einer darauf befindlichen optoelektronischen Komponente. Die optoelektronische Komponente weist zumindest eine aktive Schicht zwischen einem ersten Anschluss auf einer ersten Außenfläche und einem zweiten Anschluss auf einer der ersten Außenfläche gegenüberliegenden zweiten Außenfläche der optoelektronischen Komponente auf und die optoelektronische Komponente ist mit der zweiten Außenfläche an dem Zwischenträger fixiert. Der Zwischenträger wird oberhalb der Halteschicht angeordnet, sodass sich die Halteschicht und die auf dem Zwischenträger befindliche optoelektronische Komponente beabstandet zueinander gegenüberliegen. Anschließend wird die optoelektronische Komponente derart vom Zwischenträger abgelöst, dass die optoelektronische Komponente während des Ablösens vom Zwischenträger eine Drehung erfährt. Insbesondere erfährt die optoelektronische Komponente eine Drehung nachdem sie vom Zwischenträger abgelöst wurde und in Richtung der auf dem Träger befindlichen Halteschicht fällt. Der Abstand zwischen dem Zwischenträger und der Halteschicht ist derart gewählt, dass die optoelektronische Komponente mit einer Seitenfläche auf der Halteschicht zum Liegen kommt und die erste und zweite Außenfläche an die Halteschicht jeweils angrenzen. Die erste und zweite Außenfläche sind insbesondere benachbart und im Wesentlichen senkrecht zu dem Träger angeordnet. Das Verfahren umfasst weiterhin das Aufbringen wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht und wenigstens einer zweiten leitfähigen Schicht derart, dass die erste leitfähige Schicht mit dem ersten Anschluss und die zweite leitfähige Schicht mit dem zweiten Anschluss verbunden ist.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Ablösen der optoelektronischen Komponente ein außermittiges Bestrahlen von zumindest einem Teilbereich der zweiten Außenfläche mit Licht, insbesondere mit Laserlicht. Außermittiges bestrahlen von zumindest einem Teilbereich kann insbesondere dahingehend verstanden werden, dass nur ein Teilbereich der Kontaktfläche bestrahlt wird, der nicht um das Zentrum der Außenfläche angeordnet ist, sondern der sich beispielsweise von einem Rand der Außenfläche bis in das Innere der Außenfläche erstreckt. Mit anderen Worten gesagt wird die Außenfläche „asymmetrisch“ bestrahlt. In einigen Ausführungsformen umfasst der Teilbereich zumindest den Bereich, in dem der zweite Anschluss auf der zweiten Außenfläche angeordnet ist. In einigen Ausführungsformen umfasst der Teilbereich ferner den -in einer Draufsicht auf die zweite Außenfläche gesehen- auf die zweite Außenfläche projizierten Bereich in dem der erste Anschluss auf der ersten Außenfläche angeordnet ist.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Ablösen der optoelektronischen Komponente zumindest teilweise die Schritte eines Laser-Lift-off-Verfahrens.
Durch das außermittige Bestrahlen des Teilbereichs kann auf die optoelektronische Komponente beim Ablösen vom Zwischenträger ein außermittiger Impuls ausgeübt werden, welcher dazu führt, dass die optoelektronische Komponente während des Ablösens vom Zwischenträger eine Drehung erfährt.
In einigen Ausführungsformen erfolgt das Ablösen der optoelektronische Komponente von dem Zwischenträger zuerst in dem Teilbereich der zweiten Außenfläche und anschließend in einem zu dem Teilbereich benachbarten Bereich. Dadurch erfährt die optoelektronische Komponente während des Ablösens vom Zwischenträger eine Drehung. Der Abstand zwischen dem Zwischenträger und der Halteschicht ist derart gewählt, dass die optoelektronische Komponente sich im Fallen um im Wesentlichen 90° dreht und mit einer Seitenfläche auf der Halteschicht zum Liegen kommt.
Die Halteschicht kann beispielsweise einen Kleber umfassen, sodass die optoelektronische Komponente in der gewünschten Position fixiert wird und nicht umkippt. Ferner kann die Halteschicht in Form eines geschmolzenen Materials auf die Oberseite des Trägers aufgebracht sein, welches nach Aufbringen der optoelektronischen Komponente aushärtet und dadurch die optoelektronische Komponente fixiert.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Aufbringen der wenigstens einen ersten leitfähigen Schicht und der wenigstens einen zweiten leitfähigen Schicht das Aufbringen einer leitfähigen Schicht, das Aufbringen eines Fotolacks, das Strukturieren des Fotolacks und das partielle Ätzen der leitfähigen Schicht. Mit anderen Worten gesagt kann das Aufbringen der wenigstens einen ersten leitfähigen Schicht und der wenigstens einen zweiten leitfähigen Schicht einen Strukturierung einer unstrukturierten leitfähigen Schicht umfassen, sodass die wenigstens einen erste und die wenigstens einen zweite leitfähige Schicht ausgebildet werden.
In einigen Ausführungsformen erfolgt nach dem Anordnen einer optoelektronische Komponente auf der Halteschicht eine Relativbewegung zwischen dem Träger und dem Zwischenträger, während der Abstand zwischen dem Träger und dem Zwischenträger im Wesentlichen konstant gehalten wird. Mit anderen Worten gesagt, wird beispielsweise der Zwischenträger in horizontale Richtung verschoben, sodass eine weitere auf dem Zwischenträger angeordnete optoelektronische Komponente über einer gewünschten Position auf dem Träger angeordnet werden kann. Anschließend können die Schritte des Ablösens der optoelektronischen Komponente erneut durchgeführt sodass eine weitere optoelektronische Komponente mit einer Seitenfläche auf der Halteschicht zum Liegen kommen kann. Dieses Prozedere kann so lange wiederholt werden, bis eine gewünschte Anzahl von optoelektronischen Komponenten auf dem Träger angeordnet ist.
Figurenliste
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,

1A bis 1C ein Ausführungsbeispiel einer konventionell montierten vertikalen µ-LED auf einem Träger;
2A und 2B ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Vorrichtung;
3 eine Schnittansicht eines Verfahrensschrittes zum Erzeugen einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Vorrichtung;
4 eine Schnittansicht eines weiteren Verfahrensschrittes zum Erzeugen einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Vorrichtung;
5A und 5B eine Schnittansicht eines weiteren Verfahrensschrittes zum Erzeugen einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Vorrichtung;
6A bis 6D weitere Ausführungsbeispiele der optoelektronischen Vorrichtung mit unterschiedlich ausgeprägten Anschlüssen;
7 ein weiteres Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Vorrichtung mit mehrfarbigen optoelektronischen Komponenten;
8A bis 8D weitere Ausführungsbeispiele der optoelektronischen Vorrichtung mit unterschiedlich ausgeprägten Halteschichten;
9A und 9B weitere Ausführungsbeispiele der optoelektronischen Vorrichtung.

Detaillierte Beschreibung
1A zeigt eine Schnittansicht einer konventionellen vertikalen µ-LED 4 und 1B und 1C eine Schnittansicht und eine Draufsicht einer optoelektronischen Vorrichtung umfassend die µ-LED. Die vertikale µ-LED 4 umfasst einen ersten Anschluss 5.1 auf einer ersten Außenfläche 4.1, sowie eine aktive Schicht 6 zwischen zwei unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten und weißt Kantenlängen b im Bereich von circa 10µm auf. Die µ-LED 4 ist mit dem ersten Anschluss 5.1 auf einer ersten leitfähigen Schicht 7.1 angeordnet, die auf der Oberseite 2.1 eines Trägers 2 ausgebildet ist. Eine zweite leitfähige Schicht 7.2 ist mittels Fototechnik auf einem Dielektrikum 8 aufgebracht, welches die µ-LED 4 umgibt, und über eine Durchkontaktierung 10 durch das Dielektrikum 8 zur Oberseite 2.1 des Trägers 2 geführt. Die zweite leitfähige Schicht 7.2 ist mit einer transparenten leitfähigen Oxidschicht 9 (TCO) verbunden, die auf einer zweiten 4.2, der ersten gegenüberliegenden, Außenfläche der µ-LED 4 angeordnet ist. Zum Anschließen der µ-LED 4 an die erste und die zweite leitfähige Schicht 7.1, 7.2 sind drei Fototechnik Ebenen (zwei Metallebenen und eine Dielektrikumebene) nötig, was sehr aufwändig im Herstellungsverfahren ist und hohe Herstellungskosten verursacht.
2B zeigt eine entsprechend verbesserte optoelektronische Vorrichtung 1 umfassend die optoelektronische Komponente 4 dargestellt in 2A, bei der die Anzahl der benötigten Fotoebenen zur Kontaktierung der optoelektronischen Komponente reduziert ist.
Die optoelektronische Komponente 4, insbesondere vertikale µ-LED, umfasst neben einem ersten Anschluss 5.1 auf einer ersten Außenfläche 4.1 der µ-LED 4 einen zweiten Anschluss 5.2 auf einer zweiten, der ersten gegenüberliegenden, zweiten Außenfläche 4.2 der µ-LED. Zwischen den beiden Außenflächen befinden sich zwei unterschiedlich dotierte Halbleiterschichten, zwischen denen wiederum eine aktive Schicht 6 ausgebildet ist.
Die µ-LED weist eine pyramidenstumpfartige Ausgestaltung auf, sodass sich im Querschnitt durch die µ-LED eine trapezförmige Querschnittsfläche der µ-LED ergibt. Die erste und die zweite Außenfläche 4.1, 4.2 bilden die beiden Grundflächen der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung bzw. die beiden Grundseiten der trapezförmigen Querschnittsfläche. Die µ-LED ist, dargestellt in 2B durch die in den Kreisen angeordneten Pfeile, als Volumenemitter ausgebildet und kann Licht aus sowohl den beiden Außenflächen als auch aus den Seitenflächen der µ-LED emittieren.
Der erste und der zweite Anschluss 5.1, 5.2 bedecken jeweils einen Teilbereich der ersten und der zweiten Außenfläche 4.1, 4.2. Die Teilbereiche sind insbesondere in einer Hälfte der jeweiligen Außenfläche und überlappen sich in Draufsicht auf beispielsweise die erste Außenfläche gesehen zumindest teilweise.
Wie in 2B dargestellt wird die µ-LED 4 gedreht auf einem Träger 2 beziehungsweise einer auf einer Oberseite 2.1 des Trägers aufgebrachten Halteschicht 3 angeordnet. Die erste und die zweite Außenfläche 4.1, 4.2 sind benachbart zu dem Träger 2 angeordnet, und die µ-LED berührt die Halteschicht 3 mit einer die beiden Außenflächen 4.1, 4.2 verbindende Seitenfläche 4.3 der µ-LED.
Aufgrund die Neigung α der Seitenflächen der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung sind die beiden Außenflächen 4.1, 4.2 unter einem entsprechenden Winkel gegenüber der Oberseite 2.1 des Trägers 2 angeordnet. Im vorliegenden Falle der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung sind die erste und die zweite Außenfläche, beispielsweise unter einem Winkel α von 75° gegenüber der Oberseite des Trägers angeordnet sein.
Die Teilbereiche der Außenflächen, die von dem jeweiligen Anschluss bedeckt sind, sind in der Hälfte der jeweiligen Außenfläche angeordnet, die benachbart zu dem Träger ist.
Die optoelektronische Vorrichtung umfasst ferner eine erste und eine zweite leitfähige Schicht 7.1, 7.2. Die erste leitfähige Schicht 7.1 ist mit dem ersten Anschluss 5.1 verbunden und die zweite leitfähige Schicht 7.2 ist mit dem zweiten Anschluss 5.2 verbunden. Die erste leitfähige Schicht 7.1 erstreckt sich über einen Teil der Halteschicht 3, den ersten Anschluss 5.1 und einen Teil der ersten Außenfläche 4.1. Die zweite leitfähige Schicht 7.2 erstreckt sich über einen Teil der Halteschicht 3, den zweiten Anschluss 5.2 und einen Teil der zweiten Außenfläche 4.2.
3 zeigt eine Schnittansicht eines Verfahrensschrittes zum Erzeugen der optoelektronischen Vorrichtung 1 von 2B. Das Verfahren zum Erzeugen der optoelektronischen Vorrichtung umfasst das Anordnen des Trägers 2 mit der auf der Oberseite 2.1 des Trägers befindlichen Halteschicht 3. Ferner umfasst das Verfahren das Anordnen eines Zwischenträgers 11 mit darauf befindlichen optoelektronischen Komponenten 4 oberhalb des Trägers 2. Die optoelektronischen Komponenten 4 sind über eine weitere Halteschicht 12 mit der zweiten Außenfläche 4.2 auf dem Zwischenträger 11 beziehungsweise auf der weiteren Halteschicht 12 fixiert.
Der Zwischenträger 11 ist derart oberhalb der Halteschicht 3 angeordnet, dass die erste Außenfläche 4.1 der optoelektronischen Komponenten 4 in einem definierten Abstand x gegenüber der Halteschicht 3 angeordnet ist.
In einem weiteren Schritt wird die zweite Außenfläche 4.2 in einem Teilbereich mit Licht L, insbesondere Laserlicht, bestrahlt, sodass die weitere Halteschicht 12 in wenigstens dem Teilbereich aufschmilzt, teilweise verdampft oder sublimiert, so dass ein Gas entsteht und sich die zweite Außenfläche 4.2 in wenigstens diesem Teilbereich von dem Zwischenträger 11 löst. Der Teilbereich der zweiten Außenfläche 4.2 umfasst zumindest den Bereich, in dem der zweiten Anschluss 5.2 angeordnet ist und erstreckt sich außermittig von einer Seitenfläche 4.3 der optoelektronischen Komponente 4 bis ins Innere der zweiten Außenfläche 4.2. Mit anderen Worten gesagt, wird die zweite Außenfläche „asymmetrisch“ mit Licht bestrahlt. sodass sich die optoelektronischen Komponente 4 zuerst in einem Bereich, in dem der zweite Anschluss 5.2 angeordnet von dem Zwischenträger 11 löst und anschließend in einem zu diesem benachbarten Bereich der zweiten Außenfläche 4.2 von dem Zwischenträger 11 löst.
Durch das „asymmetrische“ Bestrahlen der zweiten Außenfläche 4.2 und dem damit verbundenen bereichsweisen Ablösen der optoelektronischen Komponente 4 erfährt die optoelektronische Komponente 4 einen Drehimpuls und eine entsprechende Drehung, sodass sie mit einer ihrer Seitenflächen 4.3 auf der Halteschicht 3 zum Liegen kommt. Der Abstand x zwischen der Halteschicht und der ersten Oberfläche 4.1 der optoelektronischen Komponente ist dabei so gewählt, dass die optoelektronische Komponente 4 in Richtung der Halteschicht fällt, genau mit der Seitenfläche 4.3 auf der Halteschicht 3 zum Liegen kommt und sich im Wesentlichen nicht weiter oder weniger weit dreht.
Nach erfolgreichem Ablösen einer optoelektronischen Komponente 4 wird der Zwischenträger 11 in horizontale Richtung v bewegt, um eine weitere optoelektronische Komponente 4 oberhalb einer gewünschten Position auf dem Träger 2 abzulösen, sodass diese wiederum mit deren Seitenfläche 4.3 auf der Halteschicht 3 an der gewünschten Position zum Liegen kommt.
4 zeigt eine Schnittansicht und eine Draufsicht eines weiteren Verfahrensschrittes zum Erzeugen der optoelektronischen Vorrichtung 1 von 2B. Dabei wird auf die Halteschicht, und die optoelektronischen Komponenten eine durchgängige leitfähige Schicht 7 aufgebracht. Dies kann beispielsweise mittels einem isotropen oder anisotropen Abscheideprozess wie beispielsweise Sputtern erfolgen. Anschließend wird auf die leitfähige Schicht 7 ein Fotolack 13 mit einer definierten Höhe h aufgebracht und dieser strukturiert. Die Höhe h des Fotolacks 13 ist derart gewählt, dass Bereiche der leitfähigen Schicht 7 freiliegen, in denen die optoelektronischen Komponenten 4 nicht von der leitfähige Schicht 7 bedeckt sein sollen. Weiterhin wird der Fotolack 13 derart strukturiert, dass Bereiche der leitfähigen Schicht 7 freiliegen, in denen die Halteschicht 3 nicht von der leitfähigen Schicht 7 bedeckt sein soll. Diese freiliegenden Bereiche werden anschließend geätzt g, wodurch dich die erste leitfähige Schicht 7.1 und die zweite leitfähige Schicht 7.2 ergeben. Entsprechend können die optoelektronischen Komponenten 4 mittels lediglich einer Fototechnik Ebene angeschlossen werden.
5A und 5B zeigen jeweils eine Schnittansicht und eine Draufsicht einer weiteren Ausführungsmöglichkeit des Verfahrensschrittes von 4. Dabei werden die erste leitfähige Schicht 7.1 und die zweite leitfähige Schicht 7.2 mittels zwei Fototechnik Ebene ausgebildet.
Wie in 5A gezeigt wird in einem ersten Schritt auf die Halteschicht, und die optoelektronischen Komponenten 4 eine durchgängige leitfähige Schicht 7 aufgebracht. Anschließend wird auf die leitfähige Schicht 7 ein Fotolack 13 aufgebracht, wobei der Fotolack 13 die optoelektronischen Komponenten 4 und die darüber angeordnete leitfähige Schicht 7 vollständig umgibt. Der Fotolack 13 wird strukturiert, dass Bereiche der leitfähigen Schicht 7 freiliegen, in denen die Halteschicht 3 nicht von der leitfähigen Schicht 7 bedeckt sein soll. Diese freiliegenden Bereiche werden anschließend geätzt g und der Fotolack 13 entfernt.
In einem zweiten Schritt, dargestellt in 5B, wird erneut ein Fotolack 13 auf die leitfähige Schicht 7 mit einer definierten Höhe h aufgebracht. Die Höhe h des Fotolacks 13 ist derart gewählt, dass Bereiche der leitfähigen Schicht 7 freiliegen, in denen die optoelektronischen Komponenten 4 nicht von der leitfähige Schicht 7 bedeckt sein sollen. Anschließend werden die freiliegenden Bereiche der leitfähige Schicht 7 geätzt, wodurch sich die erste leitfähige Schicht 7.1 und die zweite leitfähige Schicht 7.2 ergeben.
6A bis 6D zeigen Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Vorrichtung 1 mit unterschiedlich ausgeprägten ersten und zweiten Anschlüssen 5.1, 5.2. Die optoelektronische Komponente 4 weist eine quaderförmige Ausgestaltung auf, jedoch können die im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der unterschiedlich ausgeprägten ersten und zweiten Anschlüssen 5.1, 5.2 auch mit einer pyramidenstumpfartig ausgeprägten optoelektronische Komponente 4 oder einer optoelektronische Komponente 4 mit einer anderen Ausgestaltung kombiniert sein.
6A zeigt eine optoelektronischen Vorrichtung 1, bei der der erste und der zweite Anschluss 5.1, 5.2 lediglich einen „unteren“ Teilbereich der jeweiligen Außenfläche 4.1, 4.2, bedecken. Der untere Teilbereich erstreckt sich beispielsweise über ein unteres Viertel, ein unteres Drittel oder die untere Hälfte der Außenflächen 4.1, 4.2, sodass die optoelektronische Komponente Licht aus zumindest der dem Träger abgewandte Seitenfläche und zumindest teilweise aus den beiden Außenflächen 4.1, 4.2, emittieren kann. Der Begriff „unterer Teilbereich“ kann dahingehend verstanden werden, dass es sich bei dem Bereich um einen Teilbereich handelt, der benachbart zu dem Träger 2 angeordnet ist.
6B zeigt eine optoelektronischen Vorrichtung 1, bei der der erste und der zweite Anschluss 5.1, 5.2 die jeweilige Außenfläche im Wesentlichen vollständig bedecken. Dadurch kann eine gerichtete Abstrahlung des von der optoelektronischen Komponente 4 emittierten Lichts erzielt werden, da die beiden Anschlüsse als Reflektor dienen können und verhindern können, das Licht aus den beiden Außenflächen 4.1, 4.2 austritt. Die erste und die zweite leitfähige Schicht kann wie in der Figur gezeigt lediglich einen „unteren“ Teilbereich des jeweiligen Anschlusses bedecken, jedoch ist es auch möglich, dass die erste und die zweite leitfähige Schicht den jeweiligen Anschluss im Wesentlichen vollständig bedecken.
Ebenso ist es möglich (vgl. 6C), dass der erste Anschluss 5.1 die erste Außenfläche 4.1 im Wesentlichen vollständig bedeckt und der zweite Anschluss 5.2 die zweite Außenfläche 4.2 lediglich einen unteren Teilbereich bedeckt. Durch eine derartig asymmetrische Anordnung der Anschlüsse kann eine gerichtete Abstrahlung des von der optoelektronischen Komponente 4 emittierten Lichts erzielt werden, sodass die optoelektronische Komponente Licht aus zumindest der dem Träger abgewandte Seitenfläche und zumindest teilweise aus der zweiten Außenflächen 4.2, emittieren kann.
6D zeigt eine optoelektronische Komponente 4 mit einem kleinen Chip-Aspektverhältnis. Im Gegensatz zu den anderen Komponenten in 6A bis 6C ist in 6D die optoelektronische Komponente 4 in Form eines Würfels mit einer Kantenlänge b von beispielsweise 3µm ausgebildet. Gleichzeitig reicht der Kontakt entlang der Seitenflächen und bedeckt diese Vollständig. Dadurch kann Licht nur aus dem Bereich des Chips austreten, der senkrecht zur Zeichenebene liegt. Zudem kann durch die Größe und das Chip-Aspektverhältnis beispielsweise die Menge des von der optoelektronische Komponente 4 emittierenden Lichts eingestellt werden. Wie in dem dargestellten Beispiel kann durch ein kleineres Chip-Aspektverhältnis beispielsweise die Menge des von der optoelektronische Komponente 4 emittierenden Lichts reduziert werden.
7 zeigt eine optoelektronischen Vorrichtung 1 umfassend drei unterschiedlich ausgebildete optoelektronische Komponenten 4.a, 4.b, 4.c. Die optoelektronischen Komponenten 4.a, 4.b, 4.c unterscheiden sich zum einen in der Farbe des von der jeweiligen optoelektronischen Komponente emittierten Lichts (beispielsweise rot, grün und blau) und in ihrer Geometrie. Die optoelektronischen Komponenten 4.a, 4.b, 4.c weisen eine pyramidenstumpfartige Ausgestaltung auf, jedoch können sie sich im Neigungswinkel α, der zwischen der ersten und der zweiten Außenfläche mit den Seitenflächen auftritt, unterscheiden. Zusätzlich dazu ist beispielsweise die zweite optoelektronische Komponente 4.b spiegelverkehrt zu der ersten optoelektronischen Komponente 4.a auf der Halteschicht 3 angeordnet.
8A bis 8D zeigen Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Vorrichtung 1 mit einer ausgeprägten Halteschicht 3. Entsprechend 8A ist die Halteschicht 3 durchgängig auf der Oberseite 2.1 des Trägers 2 ausgebildet. Die Halteschicht kann jedoch, wie in 8B gezeigt, strukturiert sein, sodass die Halteschicht im Wesentlichen lediglich zwischen dem Träger 2 und der optoelektronischen Komponente 4 ausgebildet ist. Dies kann den Vorteil mit sich bringen, dass Haftungsprobleme, die zwischen der Halteschicht 3 und der ersten beziehungsweise zweiten leitfähigen Schicht 7.1, 7.2 auftreten können, reduziert werden können.
Wie in 8C gezeigt kann die Halteschicht 3 in Form von einzelnen Tropfen ausgebildet sein, die auf der Oberseite des Trägers aufgebracht sind. Durch die einzelnen Tropfen kann beim Auftreffen der optoelektronischen Komponenten 4 auf die Halteschicht eine Selbstzentrierung der optoelektronischen Komponenten 4 erfolgen.
8D zeigt, dass die Halteschicht in Form eines größeren Tropfens pro optoelektronischer Komponente 4 ausgebildet sein kann. Dadurch kann eine stabile Verbindung zwischen dem Träger 2 und der optoelektronischen Komponente 4, im Wesentlichen ohne einen Luftspalt, erzielt werden. Das Material der Halteschicht ist dabei nicht nur zwischen der optoelektronischen Komponente 4 und dem Träger 2 ausgebildet, sondern ebenfalls in einem Randbereich der beiden Außenflächen 4.1, 4.2. Dies kann unter anderem dadurch erfolgen, dass beim Fallen der optoelektronischen Komponente 4 auf den Tropfen, die optoelektronischen Komponente 4 in die Halteschicht eingedrückt wird und aufgrund der vorherrschenden Kapillarkräfte das Material der Halteschicht entlang der Außenflächen 4.1, 4.2 kriecht und anschließend aushärtet.
Die optoelektronischen Komponenten 4 können entsprechend 9A direkt auf einem Zielsubstrat wie beispielsweise Glas oder polyethylene terephthalate (PET) aufgebracht werden. Ebenso ist es jedoch möglich (vgl. 9B), dass der Träger 2 Durchkontaktierungen 10 aufweist, über die die erste und zweite leitfähige Schicht 7.1, 7.2 zur einer Unterseite des Trägers 2, die der Oberseite 2.1 des Trägers 2 gegenüberliegt, geführt werden, um diesen auf ein Zielsubstrat mittels Planar oder FilpChip Interconnect auf dafür vorgesehenen Kontaktflächen aufzubringen. Entsprechend kann der Träger 2 mit der Halteschicht 3, den darauf angeordneten optoelektronischen Komponenten 4 und der ersten und zweiten leitfähigen Schicht 7.1, 7.2 ein Subassembly S bilden welches auf ein Zielsubstrat 15 aufgebracht werden kann.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronische Vorrichtung
2: Träger
2.1: Oberseite
3: Halteschicht
4, 4.a, 4.b, 4.c: optoelektronische Komponente
4.1: erste Außenfläche
4.2: zweite Außenfläche
4.3: Seitenfläche
5.1: erster Anschluss
5.2: zweiter Anschluss
6: aktive Schicht
7: leitfähige Schicht
7.1: erste leitfähige Schicht
7.2: zweite leitfähige Schicht
8: Dielektrikum
9: Transparente Kontaktschicht
10: Durchkontaktierung
11: Zwischenträger
12: weitere Halteschicht
13: Fotolack
b: Kantenlänge
α: Neigungswinkel
x: Abstand
v: horizontale Vorschubrichtung
L: Lichtstrahl
h: Höhe
g: Ätzrichtung
S: Subassembly

Claims

Optoelektronische Vorrichtung (1) umfassend: einen Träger (2) mit einer Oberseite (2.1) und einer darauf befindlichen Halteschicht (3) sowie wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (7.1) und einer zweiten leitfähigen Schicht (7.2), wenigstens eine optoelektronische Komponente (4), die auf der Halteschicht (3) angeordnet ist, wobei die optoelektronische Komponente (4) zumindest eine aktive Schicht (6) zwischen einem ersten Anschluss (5.1) auf einer ersten Außenfläche (4.1) und einem zweiten Anschluss (5.2) auf einer der ersten Außenfläche gegenüberliegenden zweiten Außenfläche (4.2) der optoelektronischen Komponente (4) aufweist, und wobei die erste und zweite Außenfläche an die Halteschicht (3) jeweils angrenzen, wobei die wenigstens eine erste leitfähige Schicht (7.1) mit dem ersten Anschluss (5.1) und die wenigstens eine zweite leitfähige Schicht (7.2) mit dem zweiten Anschluss (5.2) verbunden ist.
Optoelektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste und zweite Außenfläche (4.1, 4.2) im Wesentlichen senkrecht zur Oberseite (2.1) angeordnet sind.
Optoelektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die wenigstens eine erste und die wenigstens eine zweite elektrisch leitende Schicht (7.1, 7.2) auf der Halteschicht (3) und/oder der Oberseite (2.1) des Trägers (2) und auf einer der ersten und zweiten Außenfläche (4.1, 4.2) angeordnet sind.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, wobei die wenigstens eine optoelektronische Komponente (4) eine vertikale µLED, insbesondere in Form eines Volumenemitters, umfasst.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, wobei die wenigstens eine optoelektronische Komponente (4) eine pyramidenstumpfartige Ausgestaltung aufweist, wobei die erste und zweite Außenfläche (4.1, 4.2) die Grundflächen der pyramidenstumpfartigen Ausgestaltung bilden.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, wobei der erste Anschluss (5.1) einen dem Träger (2) benachbarten Teilbereich der ersten Außenfläche (4.1) und der zweite Anschluss (5.2) einen dem Träger (2) benachbarten Teilbereich der zweiten Außenfläche (4.2) bedeckt, wobei sich die Teilbereiche insbesondere gegenüberliegen.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, wobei wenigstens einer aus dem ersten und dem zweiten Anschluss (5.1, 5.2) die jeweilige Außenfläche (4.1, 4.2) im Wesentlichen vollständig bedeckt.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 7, wobei ein Material des ersten und/oder zweiten Anschlusses (5.1, 5.2) reflektierend ausgestaltet ist.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 8, wobei die Halteschicht (3) strukturiert ist, sodass sich Bereiche der Halteschicht (3) im Wesentlichen nur zwischen der wenigstens eine optoelektronischen Komponente (4) und dem Träger (2) befinden.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 9, wobei die Halteschicht (3) in Form von einzelnen Tropfen ausgebildet ist.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10, wobei sich ein Teil des Materials der Halteschicht (3) auf einen Randbereich der ersten und/oder zweiten Außenfläche (4.1, 4.2) und/oder einen Randbereich des ersten und/oder zweiten Anschlusses (5.1, 5.2) erstreckt.
Optoelektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 11, wobei der Träger (2) zumindest eine Durchkontaktierung (10) aufweist.
Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung (1) umfassend: Bereitstellen eines Trägers (2) mit einer auf einer Oberseite (2.1) des Trägers befindlichen Halteschicht (3), Bereitstellen eines Zwischenträgers (11) mit wenigstens einer darauf befindlichen optoelektronischen Komponente (4), wobei die optoelektronische Komponente (4) zumindest eine aktive Schicht (6) zwischen einem ersten Anschluss (5.1) auf einer ersten Außenfläche (4.1) und einem zweiten Anschluss (5.2) auf einer der ersten Außenfläche gegenüberliegenden zweiten Außenfläche (4.2) der optoelektronischen Komponente (4) aufweist und wobei die optoelektronische Komponente (4) mit der zweiten Außenflächen (4.2) an dem Zwischenträger (11) fixiert ist, Anordnen des Zwischenträgers (11) oberhalb der Halteschicht (3), sodass sich die Halteschicht (3) und die auf dem Zwischenträger befindliche optoelektronische Komponente (4) beabstandet zueinander gegenüberliegen, Ablösen der optoelektronischen Komponente (4) vom Zwischenträger (11) derart, dass die optoelektronische Komponente (4) während des Ablösens vom Zwischenträger eine Drehung erfährt, wobei der Abstand (x) zwischen dem Zwischenträger (11) und der Halteschicht (3) derart gewählt ist, dass die optoelektronische Komponente (4) mit einer Seitenfläche (4.3) auf der Halteschicht (3) zum Liegen kommt und die erste und zweite Außenfläche (4.1, 4.2) an die Halteschicht (3) jeweils angrenzen, Aufbringen wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (7.1) und wenigstens einer zweiten leitfähigen Schicht (7.2), wobei die erste leitfähige Schicht (7.1) mit dem ersten Anschluss (5.1) und die zweite leitfähige Schicht (7.2) mit dem zweiten Anschluss (5.2) verbunden ist.
Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei das Ablösen der optoelektronischen Komponente (4) ein außermittiges Bestrahlen von zumindest einem Teilbereich der zweiten Außenfläche (4.2) mit Licht umfasst.
Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei das Ablösen der optoelektronische Komponente (4) von dem Zwischenträger (11) zuerst in dem Teilbereich der zweiten Außenfläche (4.2) und anschließend in einem zu dem Teilbereich benachbarten Bereich erfolgt.
Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei das Aufbringen der wenigstens einen ersten leitfähigen Schicht (7.1) und der wenigstens einen zweiten leitfähigen Schicht (7.2) das Aufbringen einer leitfähigen Schicht (7), das Aufbringen eines Fotolacks (13), das Strukturieren des Fotolacks und das partielle Ätzen der leitfähigen Schicht umfasst.
Verfahren zum Erzeugen einer optoelektronischen Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei der zweite Anschluss (5.2) in dem Teilbereich der zweiten Außenfläche (4.2) angeordnet ist, und der erste Anschluss (5.1) in einem gegenüberliegen Teilbereich der ersten Außenfläche (4.1) angeordnet ist.