WO2024028303A2

WO2024028303A2 - Herstellung einer leuchtvorrichtung

Info

Publication number: WO2024028303A2
Application number: PCT/EP2023/071256
Authority: WO
Inventors: Daniel Richter; Gunnar Petersen
Original assignee: Ams-Osram International Gmbh
Priority date: 2022-08-02
Filing date: 2023-08-01
Publication date: 2024-02-08
Also published as: DE102022119365A1; WO2024028303A3

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines strukturierten Konversionselements mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten zur Strahlungskonversion. Das Konversionselement weist einen Träger mit Aussparungen auf, welche Konversionsmaterial enthalten. Die Aussparungen des Trägers liegen in Form von Durchgangsaussparungen vor. Die Konversionsabschnitte sind jeweils durch eine Konversionsmaterial enthaltende Aussparung des Trägers gebildet. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer auf dem Konversionselement angeordneten Emittergruppe aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips an einer Seite des Konversionselements, wobei im Bereich der Konversionsabschnitte jeweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip vorhanden ist. Ein weiterer Schritt ist ein Ausbilden einer Stabilisierungsschicht wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Leuchtvorrichtung.

Description

HERSTELLUNG EINER LEUCHTVORRICHTUNG

BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betri f ft ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung und eine Leuchtvorrichtung .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2022 119 365 . 9 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird .

Es sind pixelierte Leuchtvorrichtungen bekannt , welche im Automobilbereich in einem Scheinwerfer eines adaptiven Beleuchtungssystems (AFS , adaptive front-lighting system) eingesetzt werden können . Derartige Leuchtvorrichtungen können einzeln adressierbare lichtemittierende Pixel aufweisen, wodurch sich individuelle dynamische Ausleuchtungss zenarien verwirklichen lassen . In einer möglichen Ausgestaltung kommt eine LED- Anordnung ( light-emitting diode ) zur Anwendung, welche nebeneinander positionierte Emitter in Form von LED-Chips mit auf den einzelnen Emittern aufgebrachten Konversionselementen zur Strahlungskonversion umfasst . Dieser Ansatz eignet sich für niedrig auf lösende FWL-Konzepte ( forward lighting) . Die Emitter können seitlich verspiegelte Saphir-Flip-Chips sein . Die Konversionselemente können ebenfalls seitlich verspiegelt und auf die LED-Chips aufgeklebt sein . Bei dieser Ausgestaltung kann es am Übergang zwischen den Emittern und den Konversionselementen zu einem seitlichen Strahlungsaustritt kommen . Ferner erfolgt eine Reflexion lediglich an den senkrecht verlaufenden verspiegelten Seitenwänden der Emitter und Konversionselemente . Daher kann dieser Aufbau mit Ef fi zienzeinbußen verbunden sein .

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Lösung für eine verbesserte Leuchtvorrichtung anzugeben . Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst . Weitere vorteilhafte Aus führungs formen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben .

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung vorgeschlagen . Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines strukturierten Konversionselements mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten zur Strahlungskonversion . Das Konversionselement weist einen Träger mit Aussparungen auf , welche Konversionsmaterial enthalten . Die Aussparungen des Trägers liegen in Form von Durchgangsaussparungen vor . Die Konversionsabschnitte sind j eweils durch eine Konversionsmaterial enthaltende Aussparung des Trägers gebildet . Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Ausbilden einer auf dem Konversionselement angeordneten Emittergruppe aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips an einer Seite des Konversionselements , wobei im Bereich der Konversionsabschnitte j eweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip vorhanden ist . Ferner erfolgt ein Ausbilden einer Stabilisierungsschicht wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips .

Das Verfahren bietet die Möglichkeit , eine ef fi ziente pixe- lierte Leuchtvorrichtung mit nebeneinander angeordneten strahlungsemittierenden Pixeln mit einer hohen Zuverlässigkeit herzustellen . Die Pixel der Leuchtvorrichtung können j eweils durch einen Konversionsabschnitt des Konversionselements und einen dazugehörigen, im Bereich des Konversionsabschnitts angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip der Emittergruppe gebildet sein . Die Emittergruppe befindet sich an einer Seite des Konversionselements . Eine Strahlungsemission im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung kann über eine hierzu entgegengesetzte Seite des Konversionselements erfolgen . Diese Seite kann eine Emissionsseite bzw . Vorderseite der Leuchtvorrichtung bilden . Im Leuchtbetrieb können die strahlungsemittierenden Halbleiterchips eine primäre Lichtstrahlung erzeugen, mit welcher die dazugehörigen Konversionsabschnitte des Konversionselements durchstrahlt werden können, und welche die Konversionsabschnitte wenigstens teilweise in eine sekundäre Lichtstrahlung umwandeln können . Auf diese Weise kann eine entsprechende Lichtstrahlung von der Emissionsseite der Leuchtvorrichtung abgegeben werden . Die Leuchtvorrichtung kann derart hergestellt werden, dass sich die strahlungsemittierenden Halbleiterchips separat voneinander zur Strahlungserzeugung ansteuern lassen . Insofern kann die Leuchtvorrichtung einzeln ansteuerbare Pixel aufweisen, wodurch sich individuelle dynamische Ausleuchtungss zenarien verwirklichen lassen .

Die Schritte des Verfahrens können in der oben genannten Reihenfolge durchgeführt werden, d . h . dass das strukturierte Konversionselement bereitgestellt wird, anschließend die Emittergruppe auf dem Konversionselement ausgebildet wird, und nachfolgend die Stabilisierungsschicht ausgebildet wird . Durch das Bereitstellen des Konversionselements mit den Konversionsabschnitten und das Ausbilden der Emittergruppe mit den im Bereich der Konversionsabschnitte vorhandenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist es möglich, die j eweilige Lage der Pixel und die Abstände zwischen den Pixeln der Leuchtvorrichtung mit einer hohen Genauigkeit festzulegen . Hierbei können konstante und auch relativ kleine Abstände zwischen den Pixeln verwirklicht werden, was eine nahtlose Ausleuchtung möglich macht . Bei dem verwendeten Konversionselement sind die einzelnen Konversionsabschnitte lateral von dem Träger umgeben, so dass der Träger eine optische Barriere zwischen den Konversionsabschnitten und damit Pixeln bilden kann . Auf diese Weise kann ein optisches Übersprechen zwischen den Pixeln unterdrückt und kann ein hoher Kontrast zwischen den Pixeln erzielt werden . Die Konversionsabschnitte des Konversionselements sind über den Träger untereinander verbunden . Hierdurch kann eine bei der Strahlungskonversion entstehende Wärmeenergie lateral von den Konversionsabschnitten abgeführt und über das Konversionselement verteilt werden, was eine ef fi ziente Entwärmung möglich macht . Aufgrund dieser Eigenschaften ist eine ef fi ziente Betriebsweise der Leuchtvorrichtung möglich . Mit Hil fe der Stabilisierungs- schicht , welche wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips ausgebildet wird, kann der Leuchtvorrichtung eine hohe mechanische Stabilität verliehen werden . Auch kann die Stabilisierungsschicht zur optischen Trennung beitragen und, j e nach Ausgestaltung der Leuchtvorrichtung, zur Strahlungslenkung genutzt werden, was eine ef fi ziente Betriebsweise begünstigt .

Im Folgenden werden weitere mögliche Details und Aus führungsformen näher beschrieben, welche für das Verfahren und für die gemäß dem Verfahren herstellbare Leuchtvorrichtung in Betracht kommen können .

Die Leuchtvorrichtung kann in einem Scheinwerfer eines adaptiven Beleuchtungssystems eines Fahrzeugs eingesetzt werden .

Im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung kann eine die primäre und die sekundäre Lichtstrahlung umfassende Mischstrahlung von der Emissionsseite der Leuchtvorrichtung abgegeben werden . Die primäre und die sekundäre Lichtstrahlung können eine blaue und eine gelbe Lichtstrahlung sein, so dass insgesamt eine weiße Lichtstrahlung emittiert werden kann .

Die Konversionsabschnitte des Konversionselements können in einer gemeinsamen Ebene , welche die Haupterstreckungsebene des Konversionselements sein kann, nebeneinander angeordnet sein . Auch können die Konversionsabschnitte matrixartig in Form von Zeilen und Spalten nebeneinander angeordnet sein . Das Konversionselement kann zwei entgegengesetzte Hauptseiten, also Seiten mit den j eweils größten lateralen Abmessungen, aufweisen . Diej enige Seite des Konversionselements , an welcher die Emittergruppe ausgebildet wird, kann eine der Hauptseiten sein . Über die hierzu entgegengesetzte Hauptseite des Konversionselements kann die Strahlungsemission erfolgen . Diese Seite kann die Emissionsseite bzw . Vorderseite der Leuchtvorrichtung bilden . Die Aussparungen des Trägers , welche in Form von Durchgangsaussparungen bzw . Durchgangslöchern vorliegen, können sich zwischen den Hauptseiten des Konversionselements erstrecken .

Das in den Aussparungen des Trägers enthaltene Konversionsmaterial kann Leuchtstof fpartikel aufweisen . Die Leuchtstof fpartikel können keramische Leuchtstof fpartikel sein . Mit Hilfe der Leuchtstof fpartikel kann die Strahlungskonversion bewirkt werden . Ferner kann das Konversionsmaterial ein Bindematerial aufweisen, über welches die Leuchtstof fpartikel innerhalb der Aussparungen des Trägers fixiert sein können . Das Bindematerial kann ein Matrix- bzw . Kunststof fmaterial sein, in welchem die Leuchtstof fpartikel angeordnet bzw . eingebettet sein können .

Der Träger des Konversionselements kann strahlungs- bzw . lichtundurchlässig ausgebildet sein . Die Undurchlässigkeit kann sich wenigstens auf eine im Betrieb von der Leuchtvorrichtung erzeugte Lichtstrahlung beziehen . Hierfür kann der Träger aus einem strahlungs- bzw . lichtundurchlässigen Material ausgebildet sein . Die Undurchlässigkeit kann auch durch eine reflektive Ausgestaltung des Trägers verwirklicht sein . Der Träger kann zum Beispiel aus Sili zium, Keramik, mit re- flektiven Partikeln bzw . Streupartikeln (beispielsweise Ti02- Partikeln) gefülltem Silikon, Kunststof f , Kunststof f mit einer reflektiven Beschichtung, oder Glas mit einer reflektiven Beschichtung ausgebildet sein . Die reflektive Beschichtung kann eine metallische Beschichtung sein .

Der Träger des Konversionselements kann wie vorstehend angegeben aus Sili zium ausgebildet sein . Hierdurch kann das Bereitstellen des Konversionselements auf zuverlässige und genaue Weise unter Anwendung von im Halbleiterbereich eingesetzten Herstellungs- und Strukturierungsprozessen erfolgen . Ferner ist eine ef fi ziente Entwärmung im Betrieb der Leuchtvorrichtung möglich . Neben Sili zium kann der Träger ein weiteres Material wie zum Beispiel ein metallisches Beschichtungsmaterial aufweisen . In einer weiteren Aus führungs form umfasst das Bereitstellen des Konversionselements Folgendes . Dabei wird der Träger mit einer Ausgestaltung bereitgestellt , in welcher der Träger zunächst Kavitäten aufweist . Weitere Schritte sind ein Einbringen von Konversionsmaterial in die Kavitäten des Trägers und ein Entfernen von Material wenigstens des Trägers derart , dass aus den Kavitäten des Trägers die Konversionsmaterial enthaltenden Aussparungen des Trägers gebildet werden . Hierdurch kann die geometrische Struktur des Konversionselements mit den Konversionsabschnitten mit einer hohen Genauigkeit festgelegt werden .

Das verwendete Konversionsmaterial kann, wie oben angegeben, ein Leuchtstof fpartikel enthaltendes Binde- bzw . Matrixmaterial sein . Hierbei kann das Konversionsmaterial zum Beispiel durch Jetten, Dosieren bzw . Dispensen oder unter Verwendung einer Rakel in die Kavitäten des Trägers eingebracht werden . Möglich ist es auch, in die Kavitäten des Trägers reine Leuchtstof fpartikel einzubringen und die Leuchtstof fpartikel anschließend durch Abscheiden eines Bindematerials wie zum Beispiel Aluminiumoxid in den Kavitäten zu fixieren .

Um aus den Kavitäten die Aussparungen des Trägers zu bilden, kann eine groß flächige Materialentfernung durchgeführt werden, zum Beispiel durch Schlei fen . Möglich ist es auch, eine Materialentfernung in selektiver Form im Bereich der Kavitäten des Trägers vorzunehmen, zum Beispiel durch Ätzen . Auf diese Weise kann das Konversionselement an der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite Vertiefungen im Bereich der Konversionsabschnitte aufweisen, in deren Bereich die strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorgesehen sein können . Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips können dabei kleinere laterale Abmessungen aufweisen als die Vertiefungen des Konversionselements . Die Vertiefungen des Konversionselements können dadurch gebildet sein, dass der Träger über das Konversionsmaterial hervorsteht . Im Bereich der Vertiefungen des Konversionselements kann der Träger ferner eine das Konversionsmaterial umgrei fende Form besitzen . Das Bereitstellen des Konversionselements kann in einer solchen Weise erfolgen, dass durch die Aussparungen des Trägers eine Strahl führung bzw . Strahl formung der emittierten Lichtstrahlung erzielt werden kann . Hierfür können folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen .

In einer weiteren Aus führungs form erfolgt das Einbringen des Konversionsmaterials in die Kavitäten des Trägers derart , dass die Kavitäten teilweise mit dem Konversionsmaterial gefüllt werden . Dabei kann sich das Konversionsmetarial in einem unteren bzw . bodenseitigen Teilbereich der Kavitäten befinden und kann ein oberer bzw . übriger Teilbereich der Kavitäten frei von dem Konversionsmaterial sein . In entsprechender Weise können die aus den Kavitäten hervorgehenden Aussparungen des Trägers in einem Teilbereich mit dem Konversionsmaterial gefüllt und in einem weiteren bzw . emissionsseitigen Teilbereich frei von dem Konversionsmaterial sein . In dem freien Teilbereich kann eine Strahl führung erzielt werden .

Eine Strahl führung lässt sich ferner dadurch verwirklichen, dass zusätzlich oder alternativ zu einem teilweisen Füllen der Kavitäten ein Sedimentieren nach dem Einbringen des Konversionsmaterials in die Kavitäten des Trägers erfolgt . Mit Bezug auf diese Ausgestaltung kann das Konversionsmaterial in Form eines Leuchtstof fpartikel enthaltenden Binde- bzw . Matrixmaterials in die Kavitäten des Trägers eingebracht werden, und können die Leuchtstof fpartikel in Richtung eines Bodens bzw . einer Bodenfläche der Kavitäten abgelagert werden . Das Sedimentieren kann durch den Einfluss der Gewichtskraft über die Zeit , oder durch Zentri fugieren, bewirkt werden . Auf diese Weise kann das in die Kavitäten eingebrachte Konversionsmaterial eine in Richtung des Bodens der Kavitäten ansteigende Dichte an Leuchtstof fpartikeln aufweisen . In entsprechender Weise kann die Leuchtvorrichtung in einer solchen Weise verwirklicht werden, dass bei den aus den Kavitäten hervorgehenden Aussparungen des Trägers und dadurch bei den Konversionsabschnitten des Konversionselements eine in Richtung der strahlungsemittierenden Halbleiterchips ansteigende Dichte an Leuchtstof fpartikeln vorliegt . In einem emissionsseitigen Teilbereich können die Aussparungen lediglich bzw . im Wesentlichen lediglich das Matrixmaterial und keine bzw . im Wesentlichen keine Leuchtstof fpartikel aufweisen, so dass in diesem Teilbereich eine Strahl führung erzielt werden kann .

In einer weiteren Aus führungs form weisen die Kavitäten des Trägers eine Bodenfläche und eine sich in einer Richtung weg von der Bodenfläche verbreiternde Querschnitts form auf . Hierdurch lässt sich das Konversionselement mit aus den Kavitäten des Trägers hervorgehenden Aussparungen bereitstellen, welche in einer Richtung weg von der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite eine sich wenigstens teilweise verbreiternde Querschnitts form aufweisen . In dieser Ausgestaltung können die Aussparungen des Trägers eine Strahl formung bewirkende Reflektorstrukturen bilden .

Mit Bezug auf eine Strahl führung bzw . Strahl formung ist gemäß einer weiteren Aus führungs form vorgesehen, dass das Bereitstellen des Konversionselements ein Ausbilden des Trägers mit einer reflektiven Beschichtung umfasst , welche wenigstens im Bereich der Aussparungen des Trägers vorhanden ist . Die re- flektive Beschichtung, an welcher eine Strahlungsreflexion im Betrieb der Leuchtvorrichtung erfolgen kann, kann eine metallische Beschichtung sein . Für das Ausbilden der reflektiven Beschichtung kann ein Beschichtungsprozess nach dem Bereitstellen des Trägers mit den Kavitäten durchgeführt werden . Im Anschluss daran kann die reflektive Beschichtung außerhalb der Kavitäten des Trägers entfernt werden, wodurch auch die Emissionsseite bzw . Vorderseite der Leuchtvorrichtung frei bzw . im Wesentlichen frei von der reflektiven Beschichtung sein kann . Dadurch kann ein hoher Kontrast zwischen den Pixeln der Leuchtvorrichtung erzielt werden . Ferner kann ein weiterer Beschichtungsprozess nach dem Bilden der Aussparungen aus den Kavitäten des Trägers durchgeführt werden, um die Aussparungen vollständig mit der reflektiven Beschichtung zu versehen, und kann die dabei auch auf dem Konversionsmaterial bzw . auf den Konversionsabschnitten erzeugte reflektive Beschichtung anschließend von dem Konversionsmaterial bzw . den Konversionsabschnitten entfernt werden . Dieses Vorgehen kann in Betracht kommen, wenn für das Ausbilden der Aussparungen aus den Kavitäten des Trägers eine selektive Materialentfernung im Bereich der Kavitäten vorgenommen wird .

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Emittergruppe können eine Vorderseite , eine hierzu entgegengesetzte Rückseite , und sich zwischen der Vorder- und Rückseite erstreckende laterale Seitenwände aufweisen . Ferner können die strahlungsemittierenden Halbleiterchips Kontakte aufweisen, über welche die Halbleiterchips kontaktiert und elektrisch versorgt werden können . Die Kontakte können an der Rückseite der Halbleiterchips vorhanden sein .

Die Leuchtvorrichtung kann derart hergestellt werden, dass die Leuchtvorrichtung an einer der Emissions- bzw . Vorderseite entgegengesetzten Rückseite der Leuchtvorrichtung kontaktiert und elektrisch versorgt werden kann . Eine Kontaktierung kann über rückseitige Kontakte der strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Emittergruppe oder über eine an der Rückseite ausgebildete Kontaktstruktur erfolgen . In diesem Zusammenhang können folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen .

In einer weiteren Aus führungs form weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips Kontakte an einer Rückseite auf und erfolgt das Ausbilden der Emittergruppe auf dem Konversionselement derart , dass eine entgegengesetzte Vorderseite der strahlungsemittierenden Halbleiterchips dem Konversionselement zugewandt ist . In dieser Ausgestaltung können die rückseitigen Kontakte der Halbleiterchips selbst als Kontakte der Leuchtvorrichtung zur Anwendung kommen . Alternativ ist auch Folgendes möglich .

In einer weiteren Aus führungs form wird eine mit Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verbundene Kontaktstruktur im Bereich einer dem Konversionselement abgewandten Seite bzw . Rückseite der strahlungsemittierenden Halbleiterchips ausgebildet . In dieser Ausgestaltung kann die Kontaktstruktur zur Kontaktierung der Leuchtvorrichtung zur Anwendung kommen . Die Kontaktstruktur kann mit Kontakten bzw . rückseitigen Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verbundene Leiterstrukturen und Kontaktelemente bzw . Kontakt flächen sowie gegebenenfalls ein isolierendes Material bzw . wenigstens eine isolierende Schicht aufweisen . Ferner kann die Kontaktstruktur wenigstens eine Umverdrahtungsschicht umfassen .

Für das Ausbilden der Kontaktstruktur kann zum Beispiel eine Leiterplatte bzw . mehrschichtige Leiterplatte bereitgestellt , und mit den Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips und der Stabilisierungsschicht verbunden werden . Ein Ausbilden der Kontaktstruktur kann ferner zum Beispiel durch alternierendes Aufbringen eines isolierenden und eines metallischen Materials , zusammen mit einer entsprechenden Strukturierung, durchgeführt werden .

Das Ausbilden der Stabilisierungsschicht erfolgt wie oben angegeben wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips . Die Stabilisierungsschicht kann ferner derart erzeugt werden, dass sich die Stabilisierungsschicht rückseitig der Halbleiterchips befindet . Das Ausbilden der Stabilisierungsschicht kann mit Hil fe eines Formprozesses durchgeführt werden . Möglich ist auch ein Vergießen von Material der Stabilisierungsschicht . Sofern erforderlich, kann anschließend überschüssiges Material der Stabilisierungsschicht entfernt werden . Dies kann zum Beispiel durch Schlei fen erfolgen . Auf diese Weise können rückseitige Flächen von rückseitigen Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips freigelegt werden . Möglich ist es auch, an die Kontakte der Halbleiterchips heranreichende Öf fnungen in der Stabilisierungsschicht aus zubilden . Dies kann dazu genutzt werden, um anschließend eine mit den Kontakten der Halbleiterchips verbundene Kontaktstruktur aus zubilden . Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Emittergruppe können Leuchtdioden- bzw . LED-Chips ( light emitting diode ) sein . In einer weiteren Aus führungs form sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips Volumenemitter . Bei derartigen volumenemittierenden Halbleiterchips kann eine Strahlungsemission über eine Vorderseite und über laterale Seitenwände erfolgen . Die lateralen Seitenwände können sich zwischen der Vorderseite und einer entgegengesetzten Rückseite erstrecken . In dieser Ausgestaltung können die Halbleiterchips in Form von Flip-Chips verwirklicht sein, und ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat , eine rückseitige und auf dem Chipsubstrat angeordnete und zur Strahlungserzeugung ausgebildete Halbleiterschichtenfolge , und rückseitige Kontakte aufweisen . Das Chipsubstrat , welches ein Saphirsubstrat sein kann, kann die Vorderseite und einen überwiegenden Teil der lateralen Seitenwände bilden .

Bei Volumenemittern kann es sich um eine relativ einfache Chiptechnologie handeln . Die Verwendung von Volumenemittern macht daher eine einfache und kostengünstige Fertigung der Leuchtvorrichtung möglich . Ferner kann die Leuchtvorrichtung in gezielter Weise in einer auf Volumenemitter abgestimmten Form hergestellt werden, um auch die seitlich über die lateralen Seitenwände der volumenemittierenden Halbleiterchips abgegebene Lichtstrahlung ef fektiv zu nutzen und einen ef fizienten Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung zu erzielen . Dabei können folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen .

In einer weiteren Aus führungs form ist die Stabilisierungsschicht eine reflektive Schicht . Auf diese Weise kann die Stabilisierungsschicht zur Strahlungsreflexion im Betrieb der Leuchtvorrichtung genutzt werden . Hierfür kann die Stabilisierungsschicht aus einem Kunststof fmaterial mit darin angeordneten bzw . eingebetteten reflektiven Partikeln ausgebildet werden . Mit Bezug auf eine Strahlungsreflexion durch die Stabilisierungsschicht kann ferner Folgendes in Betracht kommen . In einer weiteren Aus führungs form wird wenigstens im Bereich von lateralen Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips angrenzende transparente Schicht ausgebildet , welche im Bereich der Seitenwände eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verlaufende Schichtoberfläche aufweist . Die Stabilisierungsschicht wird angrenzend an die im Bereich der Halbleiterchips vorhandene transparente Schicht ausgebildet . Hierbei bildet die Stabilisierungsschicht aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche der transparenten Schicht die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen . Im Betrieb der auf diese Weise hergestellten Leuchtvorrichtung kann mit Hil fe der durch die Stabilisierungsschicht gebildeten Reflektorstrukturen eine Strahlungsreflexion und dadurch Strahlungslenkung einer über laterale Seitenwände der strahlungsemittierenden Halbleiterchips abgegebenen Lichtstrahlung in Richtung des Konversionselements hervorgerufen werden, so dass dieser Strahlungsanteil dem Konversionsmaterial bzw . den Konversionsabschnitten des Konversionselements zugeführt werden kann . Hiermit verbunden ist eine ef fi ziente Nutzung der über die lateralen Seitenwände der Halbleiterchips emittierten Lichtstrahlung und damit eine hohe Photonenausbeute .

Die transparente Schicht kann aus einem transparenten Kunststof f- bzw . Klebstof fmaterial ausgebildet werden . Es ist möglich, im Bereich der strahlungsemittierenden Halbleiterchips j eweils eine eigene transparente Schicht , und somit insgesamt mehrere separate transparente Schichten aus zubilden . Je nach Ausgestaltung kann auch eine einzelne zusammenhängende transparente Schicht ausgebildet werden .

In einer weiteren Aus führungs form erfolgt das Ausbilden der Emittergruppe auf dem Konversionselement derart , dass die strahlungsemittierenden Halbleiterchips bereitgestellt und nachfolgend auf dem Konversionselement angeordnet werden . Dies kann mittels Kleben erfolgen . In dieser Ausgestaltung des Verfahrens besteht die Möglichkeit eines Testens und/oder Vorsortierens der strahlungsemittierenden Halbleiterchips , bevor diese auf dem Konversionselement angeordnet werden . Hierdurch lässt sich die Leuchtvorrichtung mit einer hohen Zuverlässigkeit nach festgelegten Vorgaben in Bezug auf die Strahlungsemission herstellen, und können Ausbeuteverluste vermieden werden .

Sofern strahlungsemittierende Halbleiterchips bereitgestellt und auf dem Konversionselement angeordnet werden, kann das Anordnen der Halbleiterchips und das Ausbilden von Reflektorstrukturen wie folgt durchgeführt werden .

Gemäß einer weiteren Aus führungs form weist das bereitgestellte Konversionselement an der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite Vertiefungen im Bereich der Konversionsabschnitte auf . Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips werden unter Verwendung eines transparenten Klebstof fmaterials im Bereich der Vertiefungen des Konversionselements angeordnet . Durch das Klebstof fmaterial , oder durch das zum Anordnen der Halbleiterchips auf dem Konversionselement verwendete Klebstof fmaterial und zusätzliches Aufbringen des Klebstof fmaterials im Bereich von lateralen Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips wird j eweils eine im Bereich der Vorderseite und der Seitenwände an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips angrenzende transparente Schicht ausgebildet . Bei diesem Vorgang wirken die Vertiefungen des Konversionselements als Stoppkante für das Klebstof fmaterial , so dass die durch das Klebstof fmaterial gebildete transparente Schicht im Bereich der Seitenwände eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verlaufende Schichtoberfläche aufweist . Die Stabilisierungsschicht wird angrenzend an die im Bereich der Halbleiterchips vorhandene transparente Schicht ausgebildet . Dabei bildet die Stabilisierungsschicht aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche der transparenten Schicht die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen . Wie oben angegeben wurde , kann auf diese Weise eine über laterale Seitenwände der strahlungsemittierenden Halbleiterchips abgegebene Lichtstrahlung in Richtung des Konversionselements umgelenkt und ef fi zient genutzt werden .

Eine Ausgestaltung des Konversionselements mit Vertiefungen kann, wie oben beschrieben, dadurch verwirklicht werden, dass eine selektive Materialentfernung im Bereich der zuvor mit Konversionsmaterial versehenen Kavitäten des Trägers durchgeführt wird . Über die Vertiefungen kann das Konversionsmaterial an der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite des Konversionselements freigelegt sein . Für das Anordnen der strahlungsemittierenden Halbleiterchips im Bereich der Vertiefungen des Konversionselements , bei welchem die Halbleiterchips teilweise in den Vertiefungen aufgenommen werden können, kann das verwendete Klebstof fmaterial j eweils im Bereich der Vertiefungen auf dem Konversionselement bzw . dem hier vorhandenen Konversionsmaterial aufgebracht werden, und können nachfolgend die Halbleiterchips innerhalb bzw . im Bereich der Vertiefungen platziert und auf dem Klebstof fmaterial aufgesetzt werden . Das Platzieren kann in einer Orientierung der Halbleiterchips erfolgen, in welcher die Vorderseite bzw . ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat der Halbleiterchips dem Konversionselement zugewandt ist . Dabei kann das Klebstof fmaterial derart verdrängt werden, dass eine Benetzung der lateralen Seitenwände der Halbleiterchips mit dem Klebstof fmaterial hervorgerufen wird . Alternativ kann das Klebstof fmaterial auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchips bzw . auf deren Vorderseite aufgebracht werden, und können die Halbleiterchips nachfolgend innerhalb bzw . im Bereich der Vertiefungen des Konversionselements platziert werden .

Auch auf diese Weise kann ein Verdrängen des Klebstof fmaterials und eine Benetzung der lateralen Seitenwände der Halbleiterchips mit dem Klebstof fmaterial bewirkt werden . Abhängig von Parametern wie der verwendeten Menge des Klebstof fmaterials kann nach dem Platzieren der strahlungsemittierenden Halbleiterchips ein zusätzliches Aufbringen des Klebstof fmaterials im Bereich der Seitenwände der Halbleiterchips erfol- gen, um eine ausreichende Benetzung der Seitenwände mit dem Klebstof fmaterial zu erzielen . Bei diesem Prozedere können die Vertiefungen des Konversionselements als Benetzungsstoppkante für das die Seitenwände der Halbleiterchips benetzende Klebstof fmaterial wirken, so dass das Klebstof fmaterial nicht seitlich über die Vertiefungen hinaustritt , sondern im Bereich der Vertiefungen und der hier platzierten Halbleiterchips verbleibt . Dadurch kann das Klebstof fmaterial bei j edem der strahlungsemittierenden Halbleiterchips in einer selbstausgerichteten Weise eine im Bereich der Vorderseite und der lateralen Seitenwände an einen Halbleiterchip angrenzende transparente Schicht bilden, welche im Bereich der Seitenwände eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden verlaufende Schichtoberfläche aufweist . Auf diese Weise können somit mehrere separate transparente Schichten, also bei j edem Halbleiterchip j eweils eine eigene transparente Schicht , erzeugt werden . Die Stabilisierungsschicht , welche nachfolgend angrenzend an die im Bereich der Halbleiterchips j eweils vorhandene transparente Schicht ausgebildet wird, kann hierdurch die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen bilden .

Das Verfahren kann derart durchgeführt werden, dass mehrere Leuchtvorrichtungen in gemeinsamer Weise hergestellt werden . Dabei kann das strukturierte Konversionselement mit lateralen Abmessungen und einer Anzahl an Konversionsabschnitten für mehrere Leuchtvorrichtungen bzw . in Form eines Konversionselementverbunds bereitgestellt werden, und kann durch das Ausbilden der Emittergruppe und Ausbilden der Stabilisierungsschicht und gegebenenfalls Durchführen weiterer Schritte wie zum Beispiel Ausbilden einer mit Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verbundenen Kontaktstruk- tur ein Verbund aus mehreren zusammenhängenden Leuchtvorrichtungen gefertigt werden . Durch Durchführen einer Vereinzelung kann der Verbund nachfolgend in mehrere separate Leuchtvorrichtungen aufgeteilt werden . Die Vereinzelung kann auf mechanische Weise , zum Beispiel durch Sägen, erfolgen . Anstelle eines Montierens von einzelnen strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Konversionselement kann ferner wie folgt vorgegangen werden .

In einer weiteren Aus führungs form erfolgt das Ausbilden der Emittergruppe auf dem Konversionselement derart , dass ein Wafer für die strahlungsemittierenden Halbleiterchips bereitgestellt wird, der Wafer auf dem Konversionselement angeordnet und nachfolgend durch Durchtrennen in die strahlungsemittierenden Halbleiterchips vereinzelt wird . Durch diese Vorgehensweise kann eine Herstellung der Leuchtvorrichtung mit konstanten Abständen zwischen den Pixeln begünstigt bzw . kann erzielt werden, dass eine Variation von Abständen zwischen den Pixeln relativ klein bzw . minimal ist . In entsprechender Weise lassen sich relativ kleine bzw . minimale Abstände zwischen den Pixeln verwirklichen .

Bei dem Anordnen des unvereinzelten Wafers auf dem Konversionselement kann der Wafer über ein Verbindungs- bzw . Kleb- stof fmaterial mit dem Konversionselement verbunden werden . Hierbei kann ein Wafer-Bonding-Verfahren oder ein Verkleben durchgeführt werden . Die Seite des Konversionselements , auf welcher der Wafer angeordnet wird, kann plan sein . Das Durchtrennen des Wafers , um vereinzelte strahlungsemittierende Halbleiterchips und dadurch die Emittergruppe auf dem Konversionselement aus zubilden, kann auf mechanische Weise durchgeführt werden, zum Beispiel durch Sägen . Durch das Durchtrennen können Trenngräben gebildet werden, welche sich zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips befinden . Beim Durchtrennen kann wenigstens Material des Wafers , sowie auch des Konversionselements bzw . des Trägers entfernt werden .

Ferner kann das Durchtrennen mehrstufig erfolgen, so dass die Trenngräben eine stufenförmige Gestalt besitzen können .

Der verwendete Wafer kann ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Substrat , und rückseitig auf dem strahlungsdurchlässigen Substrat nebeneinander angeordnete separate und zur Strahlungserzeugung ausgebildete Halbleiterschichtenfolgen, sowie rückseitige Kontakte , aufweisen . Das strahlungsdurchlässige Substrat kann aus Saphir ausgebildet sein . Beim Durchtrennen des Wafers kann das strahlungsdurchlässige Substrat durchtrennt werden, wodurch volumenemittierende Halbleiterchips mit aus dem strahlungsdurchlässigen Substrat hervorgehenden Chipsubstraten gebildet werden können .

Das in der vorgenannten Ausgestaltung verwendete Konversionselement kann, wie oben beschrieben, mit Abmessungen und Konversionsabschnitten für mehrere Leuchtvorrichtungen bzw . in Form eines Konversionselementverbunds bereitgestellt werden . Durch das Anordnen des Wafers auf dem Konversionselement , Durchtrennen desselben zum Bereitstellen der Emittergruppe und Ausbilden der Stabilisierungsschicht und optional weitere Schritte wie zum Beispiel Ausbilden einer Kontaktstruktur kann ein Verbund aus mehreren zusammenhängenden Leuchtvorrichtungen gefertigt werden . Der Verbund kann nachfolgend in mehrere Leuchtvorrichtungen vereinzelt werden .

Mit Bezug auf die vorgenannte Ausgestaltung kann vor dem Ausbilden der Stabilisierungsschicht eine reflektive Beschichtung auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchips und auf dem Konversionselement zwischen den Halbleiterchips ausgebildet werden . Die reflektive Beschichtung kann eine metallische Beschichtung sein . Um ein mögliches Auftreten eines Kurzschlusses aufgrund der reflektiven Beschichtung zu vermeiden, kann vor dem Ausbilden der reflektiven Beschichtung ein Ausbilden einer I solierungsschicht durchgeführt werden .

Sofern ein Wafer auf dem Konversionselement angeordnet wird und ein Durchtrennen des Wafers in die strahlungsemittierenden Halbleiterchips erfolgt , kann das Ausbilden von Reflektorstrukturen wie folgt durchgeführt werden .

Gemäß einer weiteren Aus führungs form ist vorgesehen, dass ein transparentes Material im Bereich von lateralen Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips aufgebracht wird, um eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips an- grenzende transparente Schicht aus zubilden, welche im Bereich der Seitenwände eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verlaufende Schichtoberfläche aufweist . Die Stabilisierungsschicht wird angrenzend an die transparente Schicht ausgebildet . Dabei bildet die Stabilisierungsschicht aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche der transparenten Schicht die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen . In dieser Ausgestaltung kann, wie oben angegeben wurde , eine über laterale Seitenwände der strahlungsemittierenden Halbleiterchips abgegebene Lichtstrahlung in Richtung des Konversionselements umgelenkt und dadurch ef fi zient genutzt werden .

Das in der vorgenannten Aus führungs form verwendete transparente Material kann ein transparentes Kunststof f- bzw . Kleb- stof fmaterial sein . Das transparente Material kann in die infolge des Durchtrennens des Wafers gebildeten Trenngräben zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips eingebracht werden . Dabei können die lateralen Seitenwände der Halbleiterchips mit dem transparenten Material benetzt werden, so dass das transparente Material eine im Bereich der Seitenwände an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips angrenzende transparente Schicht mit einer gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden verlaufenden Schichtoberfläche bildet . Die nachfolgend ausgebildete Stabilisierungsschicht kann auf diese Weise die Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen bilden . Das Auf- bzw . Einbringen des transparenten Materials kann derart erfolgen, dass eine einzelne zusammenhängende transparente Schicht erzeugt wird .

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Leuchtvorrichtung vorgeschlagen . Die Leuchtvorrichtung weist ein strukturiertes Konversionselement mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten zur Strahlungskonversion auf . Das Konversionselement weist einen Träger mit Aussparungen auf , welche Konversionsmaterial enthalten . Die Aussparungen des Trägers liegen in Form von Durchgangsaussparun- gen vor . Die Konversionsabschnitte sind j eweils durch eine Konversionsmaterial enthaltende Aussparung des Trägers gebildet . Die Leuchtvorrichtung weist ferner eine auf dem Konversionselement angeordnete Emittergruppe aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips an einer Seite des Konversionselements auf . Im Bereich der Konversionsabschnitte ist j eweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip vorhanden . Eine weitere Komponente der Leuchtvorrichtung ist eine wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips ausgebildete Stabilisierungsschicht .

Bei der Leuchtvorrichtung können die Konversionsabschnitte des Konversionselements zusammen mit den dazugehörigen, im Bereich der Konversionsabschnitte vorliegenden strahlungsemittierenden Halbleiterchips strahlungsemittierende Pixel der Leuchtvorrichtung bilden . Im Leuchtbetrieb können die Konversionsabschnitte mit einer von den Halbleiterchips erzeugten primären Lichtstrahlung durchstrahlt werden, und können die Konversionsabschnitte die primäre Lichtstrahlung wenigstens teilweise in eine sekundäre Lichtstrahlung umwandeln . Dadurch kann eine entsprechende Lichtstrahlung von einer Emissionsseite bzw . Vorderseite der Leuchtvorrichtung abgegeben werden . Die Emissionsseite kann durch eine Seite des Konversionselements gebildet sein, welche entgegengesetzt ist zu derj enigen Seite , an welcher sich die Emittergruppe befindet . Die Leuchtvorrichtung kann sich durch konstante und kleine Abstände zwischen den Pixeln aus zeichnen . Aufgrund des Trägers , welcher die einzelnen Konversionsabschnitte lateral umgibt , kann ein optisches Übersprechen zwischen den Pixeln unterdrückt und ein hoher Kontrast zwischen den Pixeln erzielt werden . Auch ermöglicht der Träger eine ef fi ziente Ent- wärmung . Dadurch ist ein ef fi zienter Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung möglich . Die Stabilisierungsschicht kann der Leuchtvorrichtung eine hohe mechanische Stabilität verleihen . Ferner kann die Stabilisierungsschicht zur optischen Trennung der Pixel beitragen und, j e nach Ausgestaltung der Leuchtvorrichtung, zur Strahlungslenkung genutzt werden . Die Leuchtvorrichtung kann gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren oder gemäß einer oder mehrerer der vorstehend beschriebenen Aus führungs formen des Verfahrens hergestellt sein . Daher können oben beschriebene Merkmale und Details in entsprechender Weise zur Anwendung kommen . Möglich sind zum Beispiel folgende Ausgestaltungen .

Das Konversionsmaterial kann Leuchtstof fpartikel bzw . keramische Leuchtstof fpartikel aufweisen . Ferner kann das Konversionsmaterial ein Bindematerial aufweisen, über welches die Leuchtstof fpartikel innerhalb der Aussparungen des Trägers fixiert sein können .

Die Leuchtvorrichtung kann derart verwirklicht sein, dass durch die Aussparungen des Trägers eine Strahl führung bzw . Strahl formung bewirkt werden kann . Hierzu können die Aussparungen des Trägers teilweise mit Konversionsmaterial gefüllt sein . Dabei können die Aussparungen in einem emissionsseitigen Teilbereich frei von dem Konversionsmaterial sein .

Zusätzlich oder alternativ kann das Konversionsmaterial in sedimentierter Form in den Aussparungen des Trägers ausgebildet sein . Dabei kann das Konversionsmaterial in Richtung der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite des Konversionselements eine ansteigende Dichte an Leuchtstof fpartikeln aufweisen . In einem emissionsseitigen Teilbereich können die Aussparungen lediglich bzw . im Wesentlichen lediglich ein Bindematerial des Konversionsmaterials und keine bzw . im Wesentlichen keine Leuchtstof fpartikel aufweisen .

Zusätzlich oder alternativ können die Aussparungen des Trägers in einer Richtung weg von der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite des Konversionselements eine sich wenigstens teilweise verbreiternde Querschnitts form aufweisen . Hierdurch können die Aussparungen Reflektorstrukturen bilden .

In einer weiteren Aus führungs form weist der Träger eine re- flektive Beschichtung wenigstens im Bereich der Aussparungen auf . An der reflektiven Beschichtung kann eine Strahlungsreflexion im Betrieb der Leuchtvorrichtung auftreten . Die Emissionsseite der Leuchtvorrichtung kann frei bzw . im Wesentlichen frei von der reflektiven Beschichtung sein, wodurch ein hoher Kontrast zwischen den Pixeln der Leuchtvorrichtung erzielt werden kann .

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Emittergruppe können über ein transparentes Verbindungs- bzw . Klebstof fmaterial mit dem Konversionselement verbunden sein .

In einer weiteren Aus führungs form weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips Kontakte an einer Rückseite auf , und ist eine Vorderseite der Halbleiterchips dem Konversionselement zugewandt . In dieser Ausgestaltung können die rückseitigen Kontakte der Halbleiterchips als Kontakte der Leuchtvorrichtung eingesetzt werden, um die Leuchtvorrichtung zu kontaktieren und elektrisch zu versorgen .

In einer weiteren Aus führungs form weist die Leuchtvorrichtung eine mit Kontakten bzw . rückseitigen Kontakten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verbundene Kontaktstruktur im Bereich einer dem Konversionselement abgewandten Seite der strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf . Über die Kontaktstruktur kann eine Kontaktierung und elektrische Versorgung der Leuchtvorrichtung erfolgen . Die Kontaktstruktur kann mit Kontakten der Halbleiterchips verbundene Leiterstrukturen und Kontaktelemente sowie gegebenenfalls ein isolierendes Material bzw . wenigstens eine isolierende Schicht aufweisen .

In einer weiteren Aus führungs form sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Emittergruppe Volumenemitter . Auf diese Weise kann die Leuchtvorrichtung kostengünstig hergestellt sein . Auch kann die Leuchtvorrichtung derart verwirklicht sein, dass eine über laterale Seitenwände der volumen- emittieren Halbleiterchips abgegebene Lichtstrahlung ef fizient genutzt wird . Dies kann wie folgt erreicht werden . In einer weiteren Aus führungs form ist die Stabilisierungsschicht eine reflektive Schicht . Dadurch eignet sich die Stabilisierungsschicht zur Strahlungsreflexion .

In einer weiteren Aus führungs form ist wenigstens im Bereich von lateralen Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips angrenzende transparente Schicht ausgebildet , welche im Bereich der Seitenwände eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verlaufende Schichtoberfläche aufweist . Die Stabilisierungsschicht grenzt an die transparente Schicht an und bildet aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche der transparenten Schicht die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umgebende Reflektorstrukturen . Auf diese Weise kann eine Strahlungsreflexion bzw . Strahlungslenkung einer über laterale Seitenwände der strahlungsemittierenden Halbleiterchips abgegebenen Lichtstrahlung in Richtung des Konversionselements hervorgerufen werden, was eine ef fi ziente Nutzung dieses Strahlungsanteils möglich macht . Die transparente Schicht kann sich auch im Bereich einer Vorderseite bzw . zwischen der Vorderseite der strahlungsemittierenden Halbleiterchips und dem Konversionselement befinden .

Das Konversionselement kann an der für die Emittergruppe vorgesehenen Seite Vertiefungen im Bereich der Konversionsabschnitte aufweisen . Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips können im Bereich der Vertiefungen des Konversionselements angeordnet sein . Dabei können die Halbleiterchips teilweise in den Vertiefungen aufgenommen sein . Diese Ausgestaltung kann zur Anwendung kommen, um eine Herstellung der transparenten Schicht mit einer gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips verlaufenden Schichtoberfläche in einer selbstausgerichteten Weise zu ermöglichen .

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise , wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Aus führungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden . Es zeigen :

Figuren 1 und 2 eine Aufsichtsdarstellung und eine seitliche Darstellung einer Leuchtvorrichtung aufweisend ein Konversionselement mit mehreren Konversionsabschnitten, eine an einer Seite auf dem Konversionselement angeordnete Emittergruppe aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips , eine seitlich und zwischen den Halbleiterchips ausgebildete Stabilisierungsschicht und eine rückseitige Kontaktstruktur ;

Figur 3 eine Ausgestaltung eines Konversionsmaterials mit einem Bindematerial und Leuchtstof fpartikeln;

Figur 4 eine Ausgestaltung der Stabilisierungsschicht mit einem Kunststof fmaterial und reflektiven Partikeln;

Figur 5 eine seitliche Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips , wobei eine Strahlungsemission von einer Vorderseite und lateralen Seitenwänden angedeutet ist ;

Figur 6 eine weitere seitliche Darstellung der Leuchtvorrichtung, wobei eine Strahlungsemission angedeutet ist ;

Figuren 7 bis 13 eine Herstellung des Konversionselements anhand von seitlichen Darstellungen, wobei das Konversionselement mit einem Träger mit einer ein Konversionsmaterial rückseitig umgrei fenden Form erzeugt wird;

Figuren 14 bis 19 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen, wobei das Ausbilden der Emittergruppe durch Anordnen von separaten strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Konversionselement erfolgt ;

Figuren 20 bis 22 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausge- staltung, wobei der Träger des Konversionselements mit einer das Konversionsmaterial rückseitig nicht umgrei fenden Form erzeugt wird;

Figuren 23 bis 26 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei das Konversionselement derart erzeugt wird, dass Aussparungen des Trägers teilweise mit dem Konversionsmaterial gefüllt sind;

Figuren 27 bis 29 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei das Konversionselement derart erzeugt wird, dass das Konversionsmaterial in sedimentierter Form in Aussparungen des Trägers vorhanden ist ;

Figuren 30 bis 33 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei das Konversionselement derart erzeugt wird, dass der Träger sich in einer Richtung weg von der Emittergruppe aufweitende Aussparungen aufweist ;

Figuren 34 bis 35 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei die Kontaktstruktur unter Verwendung von Öf fnungen in der Stabilisierungsschicht erzeugt wird;

Figuren 36 bis 42 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei das Ausbilden der Emittergruppe durch Anordnen eines Wafers auf dem Konversionselement und anschließendes Durchtrennen des Wafers in strahlungsemittierende Halbleiterchips erfolgt ; und

Figuren 43 und 44 eine Herstellung der Leuchtvorrichtung anhand von seitlichen Darstellungen gemäß einer weiteren Ausgestaltung, wobei nach dem Durchtrennen des Wafers ein transpa- rentes Material in Trenngräben zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips eingebracht wird .

Anhand der folgenden schematischen Figuren werden mögliche Ausgestaltungen einer als pixelierte Lichtquelle verwirklichten Leuchtvorrichtung 100 und eines dazugehörigen Verfahrens zu deren Herstellung beschrieben . Die Leuchtvorrichtung 100 , welche mehrere nebeneinander angeordnete strahlungsemittierende Pixel 105 aufweist , kann in einem Scheinwerfer eines adaptiven Beleuchtungssystems eines Fahrzeugs eingesetzt werden . Die Leuchtvorrichtung 100 kann sich durch eine ef fi ziente Betriebsweise aus zeichnen .

Es wird darauf hingewiesen, dass die schematischen Figuren nicht maßstabsgetreu sein können . Daher können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein . Zusätzlich wird darauf hingewiesen, dass Merkmale und Details , welche in Bezug auf eine Ausgestaltung genannt werden, auch in Bezug auf andere Ausgestaltungen zur Anwendung kommen, sowie mehrere Ausgestaltungen und deren Merkmale miteinander kombiniert werden können . Übereinstimmende Merkmale können dabei lediglich in Bezug auf eine Ausgestaltung detailliert beschrieben sein .

Die Figuren 1 und 2 zeigen eine Aufsichtsdarstellung und eine seitliche Schnittdarstellung einer pixelierten Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer möglichen Ausgestaltung . In der Auf- sichtsdarstellung von Figur 1 ist eine Schnittlinie angedeutet , welche sich auf die Schnittebene von Figur 2 bezieht . Figur 2 zeigt einen Ausschnitt der Leuchtvorrichtung 100 . Die Leuchtvorrichtung 100 weist ein strukturiertes Konversionselement 110 mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten 113 zur Strahlungskonversion und eine auf dem Konversionselement 110 angeordnete Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf . Die Konversionsabschnitte 113 das Multipixel-Konversionselements 110 sind in einer Haupterstreckungsebene des Konversionselements 110 nebeneinander angeordnet . In entsprechender Weise sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 in einer gemeinsamen Ebene nebeneinander angeordnet . Bei den Halbleiterchips 140 kann es sich um LED-Chips ( light-emitting diode ) handeln, welche wie weiter unten beschrieben in Form von Volumenemittern verwirklicht sind . Die Emittergruppe 240 kann daher auch als LED-Anordnung bezeichnet werden . Das Konversionselement 110 weist zwei entgegengesetzte Hauptseiten 111 , 112 auf , welche im Folgenden auch als Vorderseite 111 und Rückseite 112 bezeichnet werden . Die Emittergruppe 240 befindet sich an der Rückseite 112 des Konversionselements 110 . Im Bereich j edes Konversionsabschnitts 113 des Konversionselements 110 ist ein Halbleiterchip 140 vorhanden . Dabei bilden j eweils ein Konversionsabschnitt 113 und ein dazugehöriger Halbleiterchip 140 einen lichtemittierenden Pixel 105 der Leuchtvorrichtung 100 . Die Leuchtvorrichtung 100 ist derart ausgebildet , dass die Halbleiterchips 140 separat zur Strahlungsemission elektrisch angesteuert werden können . Insofern weist die Leuchtvorrichtung 100 separat ansteuerbare Pixel 105 auf . Hierdurch lassen sich individuelle dynamische Ausleuchtungss zenarien verwirklichen .

Die Vorderseite 111 des pixelierten Konversionselements 110 bildet gleichzeitig eine Vorderseite 101 der Leuchtvorrichtung 100 , über welche im Betrieb eine Emission von Lichtstrahlung 202 erfolgen kann (vgl . Figur 6 ) . Die Vorderseite 101 der Leuchtvorrichtung 100 kann daher auch als Emissionsseite bezeichnet werden . Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf die Vorderseite 101 der Leuchtvorrichtung 100 und damit Vorderseite 111 des Konversionselements 110 .

Das Konversionselement 110 weist einen Träger 120 mit Aussparungen 124 auf , welche den Träger 120 vollständig zwischen den Hauptseiten 111 , 112 durchdringen . In j eder Aussparung 124 befindet sich ein Konversionsmaterial 130 , durch welches eine Strahlungskonversion bewirkt werden kann . Die Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 sind j eweils durch eine Konversionsmaterial 130 enthaltende Aussparung 124 des Trägers 120 gebildet . Anhand von Figur 1 wird deutlich, dass die Aussparungen 124 des Trägers 120 und damit die Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 matrixar- tig in Form von Zeilen und Spalten nebeneinander angeordnet sind . Dies tri f ft in gleicher Weise auf die j eweils mittig im Bereich der Konversionsabschnitte 113 angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 zu . Auch weisen die Aussparungen 124 des Trägers 120 und Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 , entsprechend den Halbleiterchips 140 , eine rechteckige bzw . quadratische Aufsichts form auf . In der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Ausgestaltung besitzen die Halbleiterchips 140 ferner kleinere laterale Abmessungen als die Aussparungen 124 und Konversionsabschnitte 113 . Die Aussparungen 124 und Konversionsabschnitte 113 können laterale Abmessungen im Mikrometer- bis Millimeterbereich aufweisen . Gleiches tri f ft auf die Halbleiterchips 140 zu . Die Konversionsabschnitte 113 können zum Beispiel laterale Abmessungen in einem Bereich von 2mm x 2mm bis 25pm x 25pm aufweisen .

Gemäß der in Figur 1 abgebildeten beispielhaften Ausgestaltung umfasst die Leuchtvorrichtung 100 vierundzwanzig Konversionsabschnitte 113 und damit Pixel 105 , welche in Form von zwei Zeilen und zwöl f Spalten angeordnet sind . Hiervon abweichend kann die Leuchtvorrichtung 100 mit einer anderen Anzahl sowie Anordnung an Konversionsabschnitten 113 und Pixeln 105 verwirklicht sein .

Der Träger 120 des Konversionselements 110 kann aus Sili zium ausgebildet sein . Des Weiteren kann der Träger 120 mit einer reflektiven Beschichtung 128 versehen sein (vgl . Figur 6 ) , wie weiter unten näher erläutert wird .

Wie in Figur 2 dargestellt ist , weist das Konversionselement 110 rückseitig Vertiefungen 115 , und dadurch eine strukturierte Rückseite 112 auf . Die lichtemittierenden Halbleiterchips 140 sind im Bereich der Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 angeordnet und teilweise bzw . zu einem gerin- gen Teil in den Vertiefungen 115 aufgenommen (vgl . ergänzend Figur 6 ) . Die Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 sind dadurch verwirklicht , dass der Träger 120 an der Rückseite 112 j eweils über das Konversionsmaterial 130 hervorsteht . Die Vertiefungen 115 bilden einen Teil der Aussparungen 124 des Trägers 120 . Gemäß der in Figur 2 gezeigten Ausgestaltung besitzt der Träger 120 im Bereich der Vertiefungen 115 ferner eine das Konversionsmaterial 130 umgrei fende Form, so dass die Aussparungen 124 im Querschnitt eine stufenförmige Gestalt und stufenförmige Innenseiten besitzen .

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 der Emittergruppe 240 weisen eine Vorderseite 141 , eine der Vorderseite 141 entgegengesetzte Rückseite 142 und sich zwischen der Vorder- und Rückseite 141 , 142 erstreckende laterale Seitenwände 143 auf . Bei der Leuchtvorrichtung 100 sind die Halbleiterchips 140 , wie in Figur 2 gezeigt , derart positioniert , dass die Vorderseite 141 der Halbleiterchips 140 dem Konversionselement 110 zugewandt und die Rückseite 142 der Halbleiterchips 140 von dem Konversionselement 110 abgewandt ist . Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 weisen des Weiteren zwei Kontakte 148 an der Rückseite 142 auf , über welche die Halbleiterchips 140 kontaktiert und elektrisch versorgt werden können (vgl . ergänzend Figur 5 ) .

Wie in Figur 2 weiter dargestellt ist , sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 über eine transparente Schicht 150 mit dem Konversionselement 110 verbunden . Im Bereich j edes Halbleiterchips 140 ist eine transparente Schicht 150 vorhanden . Die transparente Schicht 150 grenzt sowohl an die Vorderseite 141 als auch an die lateralen Seitenwände 143 eines entsprechenden Halbleiterchips 140 an, so dass der Halbleiterchip 140 vorder- und umfangsseitig von der transparenten Schicht 150 umschlossen ist . Im Bereich der lateralen Seitenwände 143 besitzt die transparente Schicht 150 eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 verlaufende Schichtoberfläche 155 . Die transparente Schicht 150 grenzt ferner, im Bereich einer entsprechenden Vertiefung 115 , rück- seitig an das Konversionselement 110 an . Wie weiter unten beschrieben wird, dient die transparente Schicht 151 bei j edem der Halbleiterchips 140 als optisches Übergangselement zur ef fi zienten Nutzung einer von den Halbleiterchips 140 erzeugten Lichtstrahlung 201 .

Ein weiterer Bestandteil der Leuchtvorrichtung 100 ist eine reflektive Stabilisierungsschicht 160 , welche rückseitig des Konversionselements 110 ausgebildet ist , und sich seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 der Emittergruppe 240 befindet . Die Stabilisierungsschicht 160 befindet sich auch an der Rückseite 142 der Halbleiterchips 140 . Hierbei sind rückseitige Flächen der Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 frei von der Stabilisierungsschicht 160 bzw . schließt die Stabilisierungsschicht 160 bündig mit rückseitigen Flächen der Kontakte 148 ab . Die Stabilisierungsschicht 160 grenzt an den Träger 120 des Konversionselements 110 und an die die Halbleiterchips 140 umschließenden transparenten Schichten 150 an und besitzt im Bereich der Halbleiterchips 140 , entsprechend der Schichtoberfläche 155 der transparenten Schichten 150 , ebenfalls eine gekrümmt und/oder schräg zu den lateralen Seitenwänden 143 der Halbleiterchips 140 verlaufende Schichtoberfläche . Hierdurch kann die Stabilisierungsschicht 160 die Halbleiterchips 140 umgebende Reflektorstrukturen zur Strahlungslenkung bilden .

Die Leuchtvorrichtung 100 weist ferner eine rückseitige Kontaktstruktur 170 auf , welche auf der Stabilisierungsschicht 160 und auf den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 bzw . deren Kontakten 148 ausgebildet ist . Über die Kontaktstruktur 170 kann die Leuchtvorrichtung 100 kontaktiert , und können die Leuchtvorrichtung 100 und deren Halbleiterchips 140 elektrisch versorgt werden . Die Kontaktstruktur 170 weist mit den Kontakten 148 der Halbleiterchips 140 elektrisch verbundene metallische Leiterstrukturen 171 und ein die Leiterstrukturen 171 umgebendes isolierenden Material 175 auf . Die Leiterstrukturen 171 bilden rückseitige Kontakt flächen 172 der Leuchtvorrichtung 100 . Wie in Figur 2 angedeutet ist , können die Leiterstrukturen 171 in Form von mehreren Umverdrahtungsebenen bzw . -schichten verwirklicht sein . In entsprechender Weise kann das isolierende Material 175 in Form von mehreren isolierenden Schichten ausgebildet sein . Die Kontaktstruktur 170 bildet eine der Vorderseite 101 entgegengesetzte Rückseite 102 der Leuchtvorrichtung 100 .

Das in den Aussparungen 124 des Trägers 120 enthaltene Konversionsmaterial 130 weist , wie in Figur 3 ausschnittsweise abgebildet ist , ein Bindematerial 131 und Leuchtstof fpartikel 132 auf . Mit Hil fe der Leuchtstof fpartikel 132 , welche keramische Leuchtstof fpartikel sein können, kann eine Strahlungskonversion bewirkt werden . Die Leuchtstof fpartikel 132 können in dem Bindematerial 131 angeordnet bzw . eingebettet sein . Das Bindematerial 131 , welches als Matrixmaterial dienen kann, kann ein Kunststof f- bzw . Polymermaterial sein .

Mit Bezug auf die reflektive Stabilisierungsschicht 160 kommt eine Ausgestaltung in Betracht , wie sie in Figur 4 ausschnittsweise gezeigt ist . Dabei weist die Stabilisierungsschicht 160 ein Kunststof f- bzw . Polymermaterial 161 und reflektive Partikel 162 auf . Das Kunststof fmaterial 161 ist zum Beispiel ein Silikonmaterial . Die reflektiven Partikel 162 können in dem Kunststof fmaterial 161 angeordnet bzw . eingebettet sein . Mit Hil fe der reflektiven Partikel 162 , welche TiO2-Partikel sein können, kann eine Strahlungsreflexion hervorgerufen werden .

Für die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 der Leuchtvorrichtung 100 ist eine Ausgestaltung in Form von kostengünstigen Volumenemittern vorgesehen . In dieser Ausgestaltung kann eine Strahlungsemission im Betrieb der Halbleiterchips 140 über die Vorderseite 141 und über die lateralen Seitenwände 143 erfolgen . Zur Veranschaulichung zeigt Figur 5 eine seitliche Schnittdarstellung eines einzelnen strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 , wobei ein im Betrieb des Halbleiterchips 140 statt findendes Abstrahlen einer Lichtstrahlung 201 von der Vorderseite 141 und von den Seitenwän- den 143 des Halbleiterchips 140 angedeutet ist . Die Lichtstrahlung 201 wird im Folgenden auch als primäre Lichtstrahlung 201 bezeichnet .

Die volumenemittierenden Halbleiterchips 140 , welche in Form von Flip-Chips verwirklicht sind, weisen neben den bereits beschriebenen rückseitigen Kontakten 148 ferner ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat 145 und eine rückseitige , auf dem Chipsubstrat 145 angeordnete und zur Strahlungserzeugung ausgebildete Halbleiterschichtenfolge 146 auf . Das Chipsubstrat 145 kann ein Saphirsubstrat sein . Das Chipsubstrat 145 bildet die Vorderseite 141 und einen überwiegenden Teil der lateralen Seitenwände 143 des j eweiligen Halbleiterchips 140 . Über die rückseitigen Kontakte 148 , welche mit der Halbleiterschichtenfolge 146 verbunden sind, kann die Halbleiterschichtenfolge 146 zum Bewirken der Strahlungserzeugung elektrisch angesteuert werden .

Im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung 100 können einzelne , mehrere oder sämtliche strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 der Emittergruppe 240 mit Hil fe der Kontaktstruktur 170 der Leuchtvorrichtung 100 elektrisch angesteuert werden . Auf diese Weise kann von den angesteuerten Halbleiterchips 140 eine primäre Lichtstrahlung 201 abgegeben werden, mit welcher die dazugehörigen Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 durchstrahlt werden können . In der seitlichen Schnittdarstellung von Figur 6 , welche erneut einen Ausschnitt der Leuchtvorrichtung 100 zeigt , ist diese Betriebsweise in Bezug auf einen Halbleiterchip 140 und damit strahlungsemittierenden Pixel 105 der Leuchtvorrichtung 100 angedeutet . Die primäre Lichtstrahlung 201 kann von den Konversionsabschnitten 113 teilweise in eine sekundäre Lichtstrahlung umgewandelt werden . Dabei können die primäre und sekundäre Lichtstrahlung zusammen in Form einer überlagerten Mischstrahlung 202 von den Konversionsabschnitten 113 abgegeben werden . Die primäre und die sekundäre Lichtstrahlung können eine blaue und eine gelbe Lichtstrahlung sein, so dass die Pixel 105 der Leuchtvorrichtung 100 insgesamt eine weiße Lichtstrahlung 202 erzeugen können . Die Lichtstrahlung 202 kann über die Vorderseite 101 , 111 des Konversionselements 110 und der Leuchtvorrichtung 100 abgegeben werden .

Die Verwendung des Konversionselements 110 mit den Konversionsabschnitten 113 bietet die Möglichkeit , die Lage der strahlungsemittierenden Pixel 105 der Leuchtvorrichtung 100 und deren Abstände genau festzulegen . Der Träger 120 des Konversionselements 110 , welcher die Konversionsabschnitte 113 in Form eines Rahmens lateral umgibt , kann eine optische Trennung zwischen den Konversionsabschnitten 113 und damit Pixeln 105 bewirken, so dass ein optisches Übersprechen zwischen den Pixeln 105 unterdrückt und ein hoher Kontrast zwischen den Pixeln 105 erreicht werden kann . Ferner kann durch den Träger 120 eine bei der Strahlungskonversion entstehende Wärmeenergie lateral von den Konversionsabschnitten 113 abgeführt und über das Konversionselement 110 verteilt werden, was eine ef fi ziente Entwärmung möglich macht . Die pixelierte Leuchtvorrichtung 100 kann sich daher durch eine ef fi ziente Betriebsweise aus zeichnen . Die reflektive Stabilisierungsschicht 160 trägt ebenfalls zur optischen Trennung der Pixel 105 bei , und gewährt der Leuchtvorrichtung 100 des Weiteren eine hohe mechanische Stabilität . Darüber hinaus ermöglich die Stabilisierungsschicht 160 eine Strahlungslenkung im Betrieb der Leuchtvorrichtung 100 . Dabei kommt der im Folgenden beschriebene Auskoppelmechanismus zum Tragen .

Wie anhand von Figur 5 erläutert wurde , können die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 die primäre Lichtstrahlung 201 über deren Vorderseite 141 und laterale Seitenwände 143 abgeben . Die Leuchtvorrichtung 100 ist derart ausgebildet , dass die Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 nicht nur von der über die Vorderseite 141 der Halbleiterchips 140 abgegebenen Lichtstrahlung 201 durchstrahlt werden können, sondern zusätzlich der über die lateralen Seitenwände 143 emittierte Anteil der Lichtstrahlung 201 (vgl . Figur 5 ) in ef fi zienter Weise genutzt werden kann . Zum Zwecke einer ef fi zienten Lichtauskopplung kommt die oben be- schriebene , und auch in Figur 6 gezeigte Ausgestaltung der bei j edem der Halbleiterchips 140 ausgebildeten transparenten Schicht 150 zum Einsatz , welche im Bereich der lateralen Seitenwände 143 eine schräg und/oder gekrümmt zu den Seitenwänden 143 verlaufende Schichtoberfläche 155 aufweist . Dadurch kann die reflektive Stabilisierungsschicht 160 im Bereich der Halbleiterchips 140 ebenfalls eine schräg und/oder gekrümmt zu den lateralen Seitenwänden 143 der Halbleiterchips 140 verlaufende Schichtoberfläche besitzen, und die Halbleiterchips 140 umgebende Reflektorstrukturen bilden . Auf diese Weise kann mit Hil fe der Stabilisierungsschicht 160 eine Strahlungsreflexion und dadurch Umlenkung der über die Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 abgegebenen und in die j eweils zugehörige transparente Schicht 150 eingekoppelten Lichtstrahlung 201 in Richtung des Konversionselements 110 hervorgerufen werden . Hierdurch kann dieser Strahlungsanteil , zum Teil unter Wiedereinkopplung bzw . erneutem Durchstrahlen der Halbleiterchips 140 bzw . von deren Chipsubstraten 145 , den Konversionsabschnitten 113 zugeführt werden (nicht dargestellt ) . Die reflektive Stabilisierungsschicht 160 kann somit ebenfalls zu einer ef fi zienten Betriebsweise der Leuchtvorrichtung 100 beitragen .

Figur 6 zeigt eine mögliche Ausgestaltung, in welcher das Konversionselement 110 bzw . dessen Träger 120 zusätzlich mit einer reflektiven Beschichtung 128 ausgebildet ist . Die reflektive Beschichtung 128 kann eine metallische Beschichtung sein . Die Beschichtung 128 ist im Bereich der Aussparungen 124 und Vertiefungen 115 des Trägers 120 und des Konversionselements 110 , und auch rückseitig des Trägers 120 , vorhanden . Mit Hil fe der reflektiven Beschichtung 128 kann eine Strahlungsreflexion im Bereich der Aussparungen 124 und Vertiefungen 115 hervorgerufen werden, was eine erhöhte Lichtausbeute möglich macht und dadurch einen ef fi zienten Leuchtbetrieb begünstigt . Die Vorderseite 101 , 111 des Konversionselements 110 und der Leuchtvorrichtung 100 sind im Wesentlichen frei von der reflektiven Beschichtung 128 . Hierdurch kann das Er- zielen eines hohen Kontrasts zwischen den Pixeln 105 der Leuchtvorrichtung 100 weiterhin gewährleistet werden .

Zur Herstellung der vorstehend beschriebenen Leuchtvorrichtung 100 kann der im Folgenden anhand der Figuren 7 bis 19 erläuterte Verfahrensablauf zur Anwendung kommen . Die in den Figuren gezeigte Herstellung ist dabei anhand von seitlichen Schnittdarstellungen veranschaulicht , wobei entsprechende Gegebenheiten j eweils in einem Ausschnitt gezeigt sind .

Die Figuren 7 bis 13 zeigen eine Herstellung des strukturierten Konversionselements 110 in einer möglichen Ausgestaltung . Zu Beginn wird, wie in Figur 7 gezeigt , ein plattenförmiger Träger 120 mit zwei entgegengesetzten Hauptseiten, im Folgenden erneut mit Vorderseite 111 und Rückseite 112 bezeichnet , bereitgestellt . Der Träger 120 kann ein Sili ziumsubstrat bzw . Sili ziumwafer sein . Nachfolgend werden, wie in Figur 8 dargestellt , Kavitäten 123 im Bereich der Vorderseite 111 des Trägers 120 ausgebildet . Zu diesem Zweck kann ein Ätzprozess unter Verwendung einer auf dem Träger 120 ausgebildeten Ätzmaske , zum Beispiel einer Photolackmaske , durchgeführt werden (nicht dargestellt ) . Das Ausbilden der Kavitäten 123 kann durch reaktives Tonentief enät zen ( DRIE , deep reactive ion etching) erfolgen .

Anschließend werden der Träger 120 und dessen Kavitäten 123 , wie in Figur 9 gezeigt , vorderseitig mit einer reflektiven Beschichtung 128 versehen . Die Beschichtung 128 kann eine metallische Beschichtung sein und durch ein entsprechendes Beschichtungsverfahren erzeugt werden . Möglich ist zum Beispiel ein Aufbringen eines metallischen Materials wie Aluminium, Silber oder Gold durch zum Beispiel Sputtern oder Aufdampfen . Des Weiteren kann auch ein aufeinanderfolgendes Aufbringen unterschiedlicher metallischer Materialien durchgeführt werden, um die reflektive Beschichtung 128 in Form eines metallischen Schichtstapels wie zum Beispiel NiAg oder NiPdAu zu verwirklichen . Im Anschluss daran erfolgt , wie in Figur 10 gezeigt , ein vollständiges Verfüllen der Kavitäten 123 des Trägers 120 mit einem Konversionsmaterial 130 . Das verwendete Konversionsmaterial 130 kann ein Binde- bzw . Matrixmaterial 131 mit darin eingebetteten Leuchtstof fpartikeln 132 sein (vgl . Figur 3 ) , und zum Beispiel durch Jetten, Dosieren bzw . Dispensen oder Verwendung einer Rakel in die Kavitäten 123 des Trägers 120 eingebracht werden (nicht dargestellt ) . Alternativ ist es möglich, die Kavitäten 123 des Trägers 120 zunächst mit reinen Leuchtstof fpartikeln 132 zu Verfällen und diese anschließend durch Abscheiden eines Bindematerials 131 in den Kavitäten 123 zu fixieren und mechanisch zu stabilisieren . Hierbei kann zum Beispiel Aluminiumoxid mittels Atomlagenabscheidung (ALD, atomic layer deposition) abgeschieden werden .

Anschließend bzw . nach einem Aushärten des Konversionsmaterials 130 erfolgt eine groß flächige Materialentfernung im Bereich der Vorderseite 111 des Trägers 120 , um zu erreichen, dass die Vorderseite 111 , wie in Figur 11 dargestellt , im Wesentlichen frei von der reflektiven Beschichtung 128 ist . Dies kann durch Schlei fen unter Einsatz eines Schlei fwerkzeugs durchgeführt werden . Bei diesem Vorgang wird wenigstens Material der reflektiven Beschichtung 128 und ein Teil des Konversionsmaterials 130 , sowie gegebenenfalls auch ursprüngliches Trägermaterial des Trägers 120 ( Sili zium) , abgetragen . Die Materialentfernung kann darüber hinaus dem Zweck dienen, ein Planarisieren des Konversionsmaterials 130 und der Vorderseite 111 zu erzielen .

Hieran schließt sich eine rückseitige Materialentfernung bzw . ein rückseitiges Öf fnen des Trägers 120 j eweils im Bereich der Kavitäten 123 an, so dass das Konversionsmaterial 130 an der Rückseite 112 freigelegt wird und aus den Kavitäten 123 des Trägers 120 , wie in Figur 12 gezeigt , das Konversionsmaterial 130 enthaltende Aussparungen 124 hervorgehen und insofern Konversionsabschnitte 113 gebildet werden . Auf diese Weise liegen an der Rückseite 112 ferner Vertiefungen 115 vor . Das rückseitige Öf fnen kann durch Ätzen, beispielsweise reaktives lonentief enät zen, unter Verwendung einer auf dem Träger 120 ausgebildeten Ätz- bzw . Photolackmaske durchgeführt werden (nicht dargestellt ) . Bei diesem Vorgang wird wenigstens ursprüngliches Trägermaterial des Trägers 120 und Material der reflektiven Beschichtung 128 , sowie gegebenenfalls auch ein Teil des Konversionsmaterials 130 , entfernt .

Anschließend werden weitere Prozesse durchgeführt , um die Aussparungen 124 des Trägers 120 , von welchen die Vertiefungen 115 einen Teil bilden, wie in Figur 13 gezeigt vollständig innenseitig mit der reflektiven Beschichtung 128 zu versehen . Hierzu erfolgt , analog zu dem anhand von Figur 9 erläuterten Vorgehen, ein weiteres Beschichten bzw . metallisches Beschichten des Trägers 120 , hier an der Rückseite 112 des Trägers 120 . Da bei diesem Vorgang auch das Konversionsmaterial 130 bzw . die Konversionsabschnitte 113 rückseitig beschichtet werden und die Aussparungen 124 dadurch rückseitig mit der reflektiven Beschichtung 128 verschlossen werden (nicht dargestellt ) , wird ferner nach dem Beschichtungsverfahren ein rückseitiges Öf fnen bzw . Entfernen der Beschichtung 128 im Bereich des Konversionsmaterials 130 durchgeführt , um den in Figur 13 veranschaulichten Zustand, und damit ein Fertigstellen des Konversionselements 110 , zu erreichen . Hierzu kann ein Ätzen der Beschichtung 128 unter Verwendung einer Ätz- bzw . Photolackmaske durchgeführt werden (nicht dargestellt ) . Bei dem auf diese Weise erzeugten Konversionselement 110 ist die reflektive Beschichtung 128 auch rückseitig des Trägers 120 zwischen den Aussparungen 124 bzw . Vertiefungen 115 vorhanden . Der beschichtete Träger 120 steht dabei zwischen den Vertiefungen 115 rückseitig über das Kon- versionsmetarial 130 hervor . Ferner besitzt der beschichtete Träger 120 an der Rückseite 112 im Bereich der Vertiefungen 115 eine das Konversionsmaterial 130 umgrei fende Form .

Das Ausbilden des Konversionselements 110 mit der reflektiven Beschichtung 128 , so dass das Konversionselement 110 mit der in Figur 13 (und auch Figur 6 ) gezeigten Ausgestaltung vorliegt , stellt eine optionale Ausgestaltung dar . Hiervon ab- weichend ist es möglich, nach dem in Figur 12 gezeigten Verfahrens zustand kein weiteres Beschichten des Trägers 120 vorzunehmen und insofern die in Figur 12 gezeigte Struktur als Konversionselement 110 einzusetzen, oder auch ein Ausbilden der reflektiven Beschichtung 128 gänzlich wegzulassen .

Mit Bezug auf die letztgenannte Variante entfallen die anhand der Figuren 9 und 13 erläuterten Beschichtungsprozesse , und wird das Konversionsmaterial 130 abweichend von Figur 10 in die Kavitäten 123 des unbeschichteten Trägers 120 eingebracht . Die anhand von Figur 11 erläuterte vorderseitige Materialabtragung kann entfallen oder durchgeführt werden mit dem Ziel , das Konversionsmaterial 130 und die Vorderseite 111 des Trägers 120 zu planarisieren . Das auf diese Weise erzeugte Konversionselement 110 kann dadurch eine Ausgestaltung besitzen, wie sie in Figur 2 gezeigt ist . Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist bei den Figuren 14 bis 19 , anhand welchen die weitere Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 beschrieben wird, eine vereinfachte und Figur 2 entsprechende Darstellung des Konversionselements 110 ohne reflektive Beschichtung 128 gewählt . Das Konversionselement 110 kann hierbei eine Ausgestaltung ohne oder mit Beschichtung 128 besitzen .

Die Figuren 14 bis 19 zeigen den weiteren Verfahrensablauf zur Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 in einer möglichen Ausgestaltung . Nach dem Bereitstellen des Konversionselements 110 erfolgt , wie in den Figuren 14 und 15 gezeigt , ein Ausbilden einer Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf der Rückseite 112 des Konversionselements 110 , wobei im Bereich der Konversionsabschnitte 113 und Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 j eweils ein Halbleiterchip 140 vorgesehen ist . Bei dem vorliegend beschriebenen Verfahrensablauf werden die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 bereitgestellt und nachfolgend mittels Kleben auf dem Konversionselement 110 montiert . Auf diese Weise besteht die Möglichkeit eines Testens und/oder Vorsortierens der Halbleiterchips 140 vor deren Montage , wodurch sich Ausbeuteverluste vermeiden lassen und die Leuchtvorrich- tung 100 entsprechend festgelegten Vorgaben in Bezug auf die Strahlungsemission hergestellt werden kann .

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 , welche kleinere laterale Abmessungen besitzen als die Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 , werden unter Verwendung eines transparenten Klebstof fmaterials 151 mittig im Bereich der Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 angeordnet und dabei teilweise bzw . zu einem geringen Teil in den Vertiefungen 115 aufgenommen . Das Klebstof fmaterial 151 kann ein transparenter Saphir- oder Silikonkleber sein . Wie in den Figuren 14 und 15 gezeigt ist , kann das Klebstof fmaterial 151 zunächst j eweils innerhalb der Vertiefungen 115 auf dem Konversionselement 110 bzw . dem hier vorhandenen Konversionsmaterial 130 aufgebracht werden, und können nachfolgend die strahlungsemittierenden Halbleiterchips innerhalb bzw . im Bereich der Vertiefungen 115 platziert und auf dem Klebstof fmaterial 151 aufgesetzt werden . Dies erfolgt in einer Orientierung der Halbleiterchips 140 , in welcher die Vorderseite 141 bzw . das vorderseitige Chipsubstrat 145 der Halbleiterchips 140 der Rückseite 112 des Konversionselements 110 zugewandt ist . Das Platzieren der Halbleiterchips 140 kann mit Hil fe eines Platzierwerkzeugs durchgeführt werden, von welchem in den Figuren 14 und 15 entsprechende Ansaugdüsen 211 abgebildet sind . Dabei können die Halbleiterchips 140 an deren Rückseite 142 unter Anwendung eines Unterdrucks mittels der Ansaugdüsen 211 gehalten werden . Es ist möglich, mehrere oder sämtliche Halbleiterchips 140 gemeinsam mit Hil fe des Platzierwerkzeugs auf dem Konversionselement 110 anzuordnen .

Das Platzieren und Aufsetzen der lichtemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Klebstof fmaterial 151 erfolgt mit einem entsprechenden Anpressdruck und dadurch unter Verdrängen und seitlichem Herausdrücken des Klebstof fmaterials 151 , so dass eine Benetzung der lateralen Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 mit dem Klebstof fmaterial 151 hervorgerufen werden kann, wie in Figur 15 gezeigt ist . Bei diesem Vorgang wirken die Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 bzw . ein umlaufender Rand derselben als Stoppkante 116 für das die Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 benetzende Klebstof fmaterial 151 , so dass das Klebstof fmaterial 151 nicht seitlich über die Vertiefungen 115 hinaustritt , sondern im Bereich der Vertiefungen 115 und der hier angeordneten Halbleiterchips 140 lokalisiert bleibt . Hierdurch kann das Kleb- stof fmaterial 151 in einer selbstausgerichteten Weise bei j edem der Halbleiterchips 140 eine im Bereich der Vorderseite 141 und der Seitenwände 143 an einen Halbleiterchip 140 angrenzende transparente Schicht 150 bilden, welche im Bereich der Seitenwände 143 eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 verlaufende Schichtoberfläche 155 aufweist . Die transparente Schicht 150 grenzt ferner, im Bereich einer entsprechenden Vertiefung 115 , rückseitig an das Konversionselement 110 an . Die die Seitenwände 143 eines Halbleiterchips 140 bedeckende Schicht 150 kann auch als Chip- , Seiten- , Kleber- oder Auskoppel f illet bezeichnet werden . Bei einer beschichteten Ausgestaltung des Trägers 120 des Konversionselements 110 kann die Benetzungsstoppkante 116 durch die reflek- tive Beschichtung 128 , und bei einer unbeschichteten Ausgestaltung des Trägers 120 kann die Stoppkante 116 durch ursprüngliches Trägermaterial des Trägers 120 ( Sili zium) gebildet sein (vgl . die Figuren 6 , 13 und 15 ) .

Abhängig von Parametern wie der eingesetzten Menge des Kleb- stof fmaterials 151 kann es ferner in Betracht kommen, nach dem Platzieren der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 gegebenenfalls ein zusätzliches Aufbringen des Klebstof fmaterials 151 im Bereich der lateralen Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 durchzuführen, um die Seitenwände 143 in ausreichendem Maße mit dem Klebstof fmaterial 151 zu benetzen . Dies kann mit Hil fe einer Dosiervorrichtung bzw . einem Dispenser erfolgen, von welcher/welchem in Figur 15 eine entsprechende Dosierdüse 212 dargestellt ist . Das Dosieren des zusätzlichen Klebstof fmaterials 151 erfolgt dabei nahe der Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 . Auch bei diesem Vorgang können die Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 eine Stoppkante 116 für das Klebstof fmaterial 151 bilden, so dass das Klebstof fmaterial 151 nicht seitlich über die Vertiefungen 115 hinaustritt und insofern ein selbstausgerichtetes Erzeugen der transparenten Schicht 150 mit der gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 verlaufenden Schichtoberfläche 155 erzielt werden kann .

Abweichend von den Figuren 14 und 15 ist es möglich, die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf deren Vorderseite 141 mit dem Klebstof fmaterial 151 zu versehen und die derart präparierten Halbleiterchips 140 mit Hil fe des Platzierwerkzeugs innerhalb bzw . im Bereich der Vertiefungen 115 des Konversionselements 110 zu platzieren (nicht dargestellt ) . Auch auf diese Weise kann ein Verdrängen des Kleb- stof fmaterials 151 und eine Benetzung der lateralen Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 mit dem Klebstof fmaterial 151 bewirkt werden, so dass das Klebstof fmaterial 151 , wie vorstehend beschrieben, in einer selbstausgerichteten Weise bei j edem der Halbleiterchips 140 eine im Bereich der Vorderseite 141 und der Seitenwände 143 an einen Halbleiterchip 140 angrenzende transparente Schicht 150 mit einer gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 verlaufenden Schichtoberfläche 155 bilden kann . Auch bei dieser Vorgehensweise kann gegebenenfalls nach dem Platzieren der Halbleiterchips 140 ein zusätzliches Aufbringen des Klebstof fmaterials 151 im Bereich der Seitenwände 153 der Halbleiterchips 140 erfolgen .

Nach dem Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 und Bilden der transparenten Schichten 150 bzw . nach einem Aushärten derselben erfolgt , wie in Figur 16 dargestellt , ein Ausbilden einer reflektiven Stabilisierungsschicht 160 im Bereich der Rückseite 112 des Konversionselements 110 unter Einfassen der Halbleiterchips 140 . Die Stabilisierungsschicht 160 befindet sich seitlich von und zwischen den Halbleiterchips 140 , und ist auch rückseitig der Halbleiterchips 140 vorhanden . Die Stabilisierungsschicht 160 grenzt an die im Bereich der Halbleiterchips 140 vorhandenen transparenten Schichten 150 an und bildet , wie oben beschrieben, aufgrund der gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 der Halbleiterchips 140 verlaufenden Schichtoberfläche 155 der transparenten Schichten 150 die Halbleiterchips 140 umgebende Reflektorstrukturen . Die Stabilisierungsschicht 160 grenzt auch rückseitig an das Konversionselement 110 bzw . an dessen Träger 120 an . Gemäß Figur 16 wird die Stabilisierungsschicht 160 derart erzeugt , dass rückseitige Flächen der Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 frei von der Stabilisierungsschicht 160 sind und die Stabilisierungsschicht 160 bündig mit den rückseitigen Flächen der Kontakte 148 abschließt .

Für das Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 kann ein Kunststof fmaterial 161 mit darin eingebetteten reflektiven Partikeln 162 (vgl . Figur 4 ) auf dem die Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 tragenden Konversionselement 110 aufgebracht werden . Hierzu kann ein Formprozess , auch als Moldprozess bezeichnet , unter Verwendung eines Formwerkzeugs durchgeführt werden . Möglich ist auch ein Vergießen des reflektive Partikel 162 enthaltenden Kunststof fmaterials 161 , was unter Verwendung einer als Damm bezeichneten Begrenzungsstruktur erfolgen kann . Ein solcher Prozess wird auch als Dam-and-Fill-Verf ahren bezeichnet ( j eweils nicht dargestellt ) . Anschließend kann die Stabilisierungsschicht 160 aushärten bzw . ausgehärtet werden .

Wie in Figur 17 abgebildet ist , besteht die Möglichkeit eines Erzeugens der Stabilisierungsschicht 160 in einer solchen Weise , dass die Stabilisierungsschicht 160 rückseitig über die Kontakte 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 hervorsteht und die Kontakte 148 von der Stabilisierungsschicht 160 bedeckt sind . In einem solchen Fall kann ein Entfernen eines Teils der Stabilisierungsschicht 160 erfolgen, um einen Zustand entsprechend Figur 16 zur Verfügung zu stellen . Dies kann durch Schlei fen bzw . Rückschlei fen unter Verwendung eines Schlei fwerkzeugs 214 durchgeführt werden, wie es in Figur 17 angedeutet ist . Im Anschluss hieran wird, wie in Figur 18 gezeigt , eine Kontaktstruktur 170 im Bereich der dem Konversionselement 110 abgewandten Rückseite 142 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 ausgebildet . Die rückseitige Kontaktstruktur 170 grenzt an die Stabilisierungsschicht 160 und die Kontakte 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 an . Die Kontaktstruktur 170 weist mit den Kontakten 148 der Halbleiterchips 140 elektrisch verbundene metallische Leiterstrukturen 171 und ein elektrisch isolierendes Material 175 auf , welches die Leiterstrukturen 171 umgibt . Die Leiterstrukturen 171 bilden rückseitige Kontakt flächen 172 , über welche die Leuchtvorrichtung 100 kontaktiert und zum Ansteuern der Halbleiterchips 140 elektrisch versorgt werden kann .

Die Kontaktstruktur 170 kann, wie in Figur 18 angedeutet , in Form eines auf gefächerten Multistapels ( fan-out multistack) verwirklicht sein, so dass die Leiterstrukturen 171 mehrere Verschaltungs- bzw . Umverdrahtungsebenen bilden . In dieser Ausgestaltung kann die Kontaktstruktur 170 zum Beispiel in Form einer mehrschichtigen Leiterplatte ( PCB, printed circuit board) verwirklicht sein, welche mittels Kleben und/oder Löten auf der Stabilisierungsschicht 160 und den Kontakten 148 der Halbleiterchips 140 montiert werden kann . Die Kontaktstruktur 170 kann alternativ durch aufeinanderfolgendes Aufbringen eines isolierenden bzw . dielektrischen Materials und eines metallischen Materials , zusammen mit entsprechenden Strukturierungs- und Öf fnungsschritten, auf der Stabilisierungsschicht 160 und den Kontakten 148 der Halbleiterchips 140 hergestellt werden . Mit Bezug auf das metallische Material kann das Aufbringen ein Galvanisieren sein .

Durch das Ausbilden der Kontaktstruktur 170 kann die Leuchtvorrichtung 100 fertiggestellt werden . Insofern kann in Figur 18 die fertiggestellte Leuchtvorrichtung 100 abgebildet sein . Das Verfahren kann j edoch auch in einer solchen Weise durchgeführt werden, dass mehrere Leuchtvorrichtungen 100 in gemeinsamer Weise hergestellt werden . Zu diesem Zweck kann das Konversionselement 110 mit lateralen Abmessungen und einer Anzahl an Konversionsabschnitten 113 für mehrere Leuchtvorrichtungen 100 , also in Form eines Konversionselementverbunds oder Konversionselementwafers bereitgestellt , und kann durch die vorstehend beschriebenen Schritte wie das Ausbilden der Emittergruppe 240 mit den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 , dem Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 und dem Erzeugen der Kontaktstruk- tur 170 ein Verbund aus mehreren zusammenhängenden Leuchtvorrichtungen 100 gefertigt werden . In dieser Variante kann der Verbund nachfolgend, wie in Figur 19 gezeigt , in mehrere Leuchtvorrichtungen 100 vereinzelt werden, um diese in separater Form bereitzustellen . Dabei erfolgt ein Durchtrennen des Verbunds zwischen Konversionsabschnitten 113 und Halbleiterchips 140 , wie in Figur 19 anhand von Trennlinien 221 angedeutet ist . Bei diesem Vorgang werden das Konversionselement 110 bzw . dessen Träger 120 , die Stabilisierungsschicht 160 und die Kontaktstruktur 170 durchtrennt und dadurch auf mehrere Leuchtvorrichtungen 100 verteilt . Zur Vereinzelung kann ein Sägeprozess durchgeführt werden .

Das bei dem Verfahren durchgeführte Bereitstellen des Konversionselements 110 mit den Konversionsabschnitten 113 und Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 macht es möglich, die j eweilige Lage der Pixel 105 der Leuchtvorrichtung und die Abstände zwischen den Pixeln 105 mit einer hohen Genauigkeit festzulegen . Die Leuchtvorrichtung 100 kann dadurch in einer solchen Weise hergestellt werden, dass konstante und auch relativ kleine Abstände zwischen den Pixeln 105 vorliegen, so dass eine nahtlose Ausleuchtung im Betrieb der Leuchtvorrichtung 100 ermöglicht wird .

Das Ausbilden der rückseitigen Kontaktstruktur 170 stellt eine optionale Ausgestaltung dar . Hiervon abweichend ist es möglich, keine solche Kontaktstruktur 170 aus zubilden und stattdessen die Kontakte 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 selbst als Kontakte bzw . Kontakt flächen zur Kontaktierung und elektrischen Versorgung der Leuchtvor- richtung 100 einzusetzen . Dementsprechend kann Figur 16 eine in diesem Sinne verwirklichte Ausgestaltung der Leuchtvorrichtung 100 zeigen . Auch in dieser Variante ist eine gemeinsame Herstellung mehrerer Leuchtvorrichtungen 100 denkbar, und kann insofern nach dem Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 eine Vereinzelung des entsprechend Figur 16 hergestellten Verbunds in separate Leuchtvorrichtungen 100 durchgeführt werden .

Im Folgenden werden weitere mögliche Varianten und Ausgestaltungen beschrieben, welche in Bezug auf die Leuchtvorrichtung 100 und das dazugehörige Herstellungsverfahren in Betracht kommen können . Übereinstimmende Merkmale und Details sowie gleiche und gleichwirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert beschrieben . Für Details hierzu wird stattdessen auf die obige Beschreibung verwiesen .

Die Figuren 20 bis 22 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Hierbei findet die Fertigung des Konversionselements 110 zunächst entsprechend den Figuren 7 bis 11 statt . Wie in den Figuren 20 und 21 dargestellt ist , erfolgt das rückseitige Öf fnen des Trägers 120 im Bereich der Kavitäten 123 , und das nachfolgende weitere rückseitige Beschichten des Trägers 120 und rückseitige Öf fnen der reflektiven Beschichtung 128 im Bereich des Konversionsmaterials 130 im Unterschied zu den Figuren 12 und 13 in einer solchen Weise , dass der beschichtete Träger 120 an der Rückseite 112 im Bereich der Vertiefungen 115 keine das Konversionsmaterial 130 umgrei fende Form besitzt . Hierdurch weist das Konversionselement 110 , wie in Figur 21 gezeigt , im Vergleich zu der in Figur 13 abgebildeten Ausgestaltung Aussparungen 124 mit im Querschnitt geraden anstelle von stufenförmigen Innenseiten, und eine seitlich zurückgezogene Stoppkante 116 im Bereich der Vertiefungen 115 auf . Der weitere Verfahrensablauf zur Fertigstellung der in Figur 22 abgebildeten Leuchtvorrichtung 100 erfolgt in der oben beschriebenen Weise durch Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 , Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 , Ausbilden der Kontaktstruktur 170 und gegebenenfalls Durchführen einer Vereinzelung .

Die Figuren 23 bis 26 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Die Fertigung des Konversionselements 110 findet zunächst entsprechend den Figuren 7 bis 9 statt . Das Einbringen des Konversionsmaterials 130 in die Kavitäten 123 des Trägers 120 wird j edoch derart durchgeführt , dass die Kavitäten 123 , wie in Figur 23 gezeigt , nur teilweise mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt werden . Dabei befindet sich das Konversionsmaterial 130 in einem unteren bzw . bodenseitigen Teilbereich der Kavitäten 123 , und ist ein übriger bzw . vorderseitiger Teilbereich der Kavitäten 123 frei von dem Konversionsmaterial 130 . In Bezug auf diese Variante kann es im Vergleich zu den vorstehend beschriebenen Ausgestaltungen in Betracht kommen, den Träger 120 mit einer größeren Dicke bereitzustellen und die Kavitäten 123 des Trägers 120 mit einer größeren Tiefenausdehnung zu verwirklichen . Eine Materialentfernung bzw . ein Schlei fen zum Entfernen der reflektiven Beschichtung 128 im Bereich der Vorderseite 111 des Trägers 120 kann nach dem Einbringen des Konversionsmaterial 130 in die Kavitäten 123 , oder auch davor, durchgeführt werden .

Wie in den Figuren 24 und 25 dargestellt ist , erfolgt anschließend das rückseitige Öf fnen des Trägers 120 im Bereich der Kavitäten 123 , und das nachfolgende weitere rückseitige Beschichten des Trägers 120 und rückseitige Entfernen der reflektiven Beschichtung 128 im Bereich des Konversionsmaterials 130 . Gemäß der hier gezeigten Ausgestaltung werden diese Schritte entsprechend den Figuren 20 und 21 durchgeführt . Auf diese Weise besitzt der beschichtete Träger 120 des in Figur 25 abgebildeten Konversionselements 110 keine das Konversionsmaterial 130 im Bereich der Vertiefungen 115 umgrei fende Form . Möglich ist j edoch auch ein nicht dargestelltes Vorgehen entsprechend den Figuren 12 und 13 .

Zur Fertigstellung der in Figur 26 dargestellten Leuchtvorrichtung 100 wird anschließend wie oben beschrieben vorgegangen, d . h . Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 , Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 , Ausbilden der Kontaktstruktur 170 und gegebenenfalls Durchführen einer Vereinzelung . Das teilweise Füllen der Kavitäten 123 des Trägers 120 hat zur Folge , dass die aus den Kavitäten 123 hervorgegangenen Aussparungen 124 des Trägers 120 des Konversionselements 110 in einem vorder- bzw . emissionsseitigen Teilbereich frei von dem Konversionsmaterial 130 sind . In diesem Teilbereich kann eine Strahl führung bzw . Strahl formung im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung 100 erzielt werden . Dabei können die mit der reflektiven Beschichtung 128 versehenen Aussparungen 124 des Trägers 120 als Strahlrohr zum Vorwärtsrichten der von den Pixeln 105 emittierten Lichtstrahlung wirken .

Die Figuren 27 bis 29 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Die Fertigung des Konversionselements 110 wird zunächst entsprechend den Figuren 7 bis 11 vorgenommen, so dass die Kavitäten 123 des Trägers 120 , wie in Figur 27 gezeigt , vollständig mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt sind . Das verwendete Konversionsmaterial 130 ist ein Leuchtstof fpartikel 132 enthaltendes Binde- bzw . Matrixmaterial 131 (vgl . Figur 3 ) , welches wie oben beschrieben durch Jetten, Dispensen oder Verwendung einer Rakel in die Kavitäten 123 des Trägers 120 eingebracht werden kann . Auch in dieser Ausgestaltung kann für den Träger 120 eine größere Dicke und können für dessen Kavitäten 123 eine größere Tiefenausdehnung vorgesehen sein .

Wie in den Figuren 27 und 28 dargestellt ist , erfolgt des Weiteren ein Sedimentieren, so dass die Leuchtstof fpartikel 132 in Richtung eines Bodens bzw . einer Bodenfläche der Kavi- täten 123 abgelagert werden . In Figur 27 ist eine das Sedi- mentieren hervorrufende Krafteinwirkung 231 anhand von Pfeilen angedeutet . Das Sedimentieren kann durch den Einfluss der Gewichtskraft über die Zeit , oder durch Zentri fugieren, bewirkt werden . Auf diese Weise kann das Konversionsmaterial 130 eine in Richtung des Bodens der Kavitäten 123 ansteigende Dichte an Leuchtstof fpartikeln 132 aufweisen . Dabei können die Leuchtstof fpartikel 132 im Bereich des Bodens der Kavitäten 123 konzentriert sein, können in einem vorderseitigen Teilbereich der Kavitäten 123 lediglich bzw . im Wesentlichen lediglich das Matrixmaterial 131 und keine bzw . im Wesentlichen keine Leuchtstof fpartikel 132 vorliegen, und kann dazwischen ein Übergang bzw . gradueller Übergang in Bezug auf die Größe der Dichte der Leuchtstof fpartikel 132 vorhanden sein .

Der weitere Verfahrensablauf zur Fertigstellung der in Figur 29 abgebildeten Leuchtvorrichtung 100 erfolgt in der oben beschriebenen Weise . Dabei wird zunächst das Konversionselement 110 erzeugt , indem das rückseitige Öf fnen des Trägers 120 im Bereich der Kavitäten 123 , und das nachfolgende weitere rückseitige Beschichten des Trägers 120 und rückseitige Entfernen der reflektiven Beschichtung 128 im Bereich des Konversionsmaterials 130 vorgenommen wird . Vorliegend werden diese Schritte entsprechend den Figuren 20 und 21 durchgeführt , so dass der Träger 120 des Konversionselements 110 , wie in Figur 29 gezeigt , keine das Konversionsmaterial 130 im Bereich der Vertiefungen 115 umgrei fende Form besitzt . Möglich ist j edoch auch ein nicht dargestelltes Vorgehen entsprechend den Figuren 12 und 13 . Anschließend erfolgen Schritte wie das Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 , Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 , Ausbilden der Kontaktstruktur 170 und gegebenenfalls Durchführen einer Vereinzelung . Das Sedimentieren hat zur Folge , dass die aus den Kavitäten 123 hervorgegangenen Aussparungen 124 des Trägers 120 des Konversionselements 110 in einem vorder- bzw . emissionsseitigen Teilbereich lediglich bzw . im Wesentlichen lediglich das Matrix- material 131 und keine bzw . im Wesentlichen keine Leucht- stof fpartikel 132 aufweisen, so dass in diesem Teilbereich eine Strahl führung bzw . Strahl formung im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung 100 erzielt werden kann . Auch hierbei können die mit der reflektiven Beschichtung 128 versehenen Aussparungen 124 des Trägers 120 als Strahlrohr zum Vorwärtsrichten der emittierten Lichtstrahlung wirken . Die die Strahlungskonversion bewirkenden Leuchtstof fpartikel 132 sind in einem rückseitigen Teilbereich der Aussparungen 124 des Trägers konzentriert . Zwischen dem vorder- und rückseitigen Teilbereich der Aussparungen 124 kann eine sich ändernde Dichte der Leuchtstof fpartikel 132 vorliegen .

Eine Abwandlung des anhand der Figuren 27 bis 29 erläuterten Verfahrens besteht darin, die Kavitäten 123 des Trägers 120 nur teilweise mit dem Konversionsmaterial 130 zu füllen (nicht dargestellt ) .

Die Figuren 30 bis 33 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Die Fertigung des Konversionselements 110 findet zunächst ähnlich zu den Figuren 7 bis 11 statt , wobei die Kavitäten 123 des Trägers 120 derart erzeugt werden, dass die Kavitäten 123 , wie in Figur 30 dargestellt , keine senkrecht , sondern stattdessen schräg zu einer Bodenfläche verlaufende Seitenwände aufweisen . Hierbei besitzen die Kavitäten 123 eine sich in einer Richtung weg von der Bodenfläche verbreiternde Querschnittsform . Das Einbringen des Konversionsmaterials 130 in die Kavitäten 123 wird ferner entsprechend Figur 23 durchgeführt , so dass die Kavitäten 123 , wie in Figur 30 gezeigt , nur teilweise mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt werden . Auch in dieser Ausgestaltung kann für den Träger 120 eine größere Dicke und können für dessen Kavitäten 123 eine größere Tiefenausdehnung vorgesehen sein . Eine Materialentfernung zum Entfernen der reflektiven Beschichtung 128 im Bereich der Vorderseite 111 des Trägers 120 kann nach dem Einbringen des Konversionsmaterial 130 in die Kavitäten 123 , oder auch davor, durchgeführt werden . Wie in den Figuren 31 und 32 dargestellt ist , erfolgt anschließend das rückseitige Öf fnen des Trägers 120 im Bereich der Kavitäten 123 , und das nachfolgende weitere rückseitige Beschichten des Trägers 120 und rückseitige Entfernen der re- flektiven Beschichtung 128 im Bereich des Konversionsmaterials 130 . Vorliegend werden diese Schritte entsprechend den Figuren 20 und 21 durchgeführt , so dass der Träger 120 des Konversionselements 110 , wie in Figur 32 gezeigt , keine das Konversionsmaterial 130 im Bereich der Vertiefungen 115 umgrei fende Form besitzt . Möglich ist j edoch auch ein nicht dargestelltes Vorgehen entsprechend den Figuren 12 und 13 . Bei dem auf diese Weise erzeugten Konversionselement 110 besitzen die aus den Kavitäten 123 hervorgegangenen Aussparungen 124 des Trägers 120 , abgesehen von dem Bereich der Vertiefungen 115 , eine sich in einer Richtung weg von den Vertiefungen 115 verbreiternde Querschnitts form .

Zur Fertigstellung der in Figur 33 dargestellten Leuchtvorrichtung 100 wird nachfolgend wie oben beschrieben vorgegangen, d . h . Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 , Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 , Ausbilden der Kontaktstruktur 170 und gegebenenfalls Durchführen einer Vereinzelung . In dieser Ausgestaltung können die sich in einer Richtung weg von den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 aufweitenden und mit der reflektiven Beschichtung 128 versehenen Aussparungen 124 des Trägers 120 des Konversionselements 110 als Reflektorstrukturen dienen, mit deren Hil fe eine Strahl formung im Leuchtbetrieb der Leuchtvorrichtung 100 erzielt werden kann .

Eine Abwandlung des anhand der Figuren 30 bis 33 erläuterten Verfahrens besteht darin, dass die Kavitäten 123 des Trägers 120 vollständig mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt werden und/oder ein Sedimentieren von Leuchtstof fpartikeln 132 erfolgt (nicht dargestellt ) . Die Figuren 34 und 35 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 mit einer weiteren Ausgestaltung der Kontaktstruktur 170 . Dabei wird die Stabilisierungsschicht 160 in einer Figur 17 entsprechenden Weise erzeugt , so dass die Stabilisierungsschicht 160 rückseitig über die Kontakte 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 hervorsteht und diese bedeckt . Anstelle eines Rückschlei fens wird ein rückseitiges Entfernen von Material der Stabilisierungsschicht 160 im Bereich der Kontakte 148 durchgeführt , so dass , wie in Figur 34 gezeigt , an die Kontakte 148 heranreichende Öf fnungen 177 in der Stabilisierungsschicht 160 ausgebildet werden . Anschließend erfolgt ein Ausbilden der an die Stabilisierungsschicht 160 und die Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 angrenzenden rückseitigen Kontaktstruktur 170 . Die Kontaktstruktur 170 umfasst mit den Kontakten 148 elektrisch verbundene und zum Teil in den Öf fnungen 177 vorhandene metallische Leiterstrukturen 171 und ein elektrisch isolierendes Material 175 , welches die Leiterstrukturen 171 umgibt . Die Leiterstrukturen 171 bilden rückseitige Kontakt flächen 172 der Leuchtvorrichtung 100 . Die Kontaktstruktur 170 kann durch aufeinanderfolgendes Aufbringen eines metallischen und dielektrischen Materials , zusammen mit entsprechenden Strukturierungsschritten hergestellt werden . Das als Passivierung dienende isolierende Material 175 kann auch weggelassen werden, so dass die Leiterstrukturen 171 lediglich an die Stabilisierungsschicht 160 und die Kontakte 148 angrenzen können . Eine Figur 35 entsprechende Ausgestaltung der Kontaktstruktur 170 kann auch für die vorstehend sowie nachstehend beschriebenen Bauformen der Leuchtvorrichtung 100 in Betracht kommen .

Das Ausbilden der Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 auf dem Konversionselement 110 kann nicht nur durch Montieren von separaten Halbleiterchips 140 , sondern auch in einer monolithischen Weise , also auf Waferlevel , unter Verwendung eines Wafers 242 durchgeführt werden . Mögliche Ausgestaltungen werden im Folgenden näher erläutert . Die Figuren 36 bis 42 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Das hierbei verwendete Konversionselement 110 kann erneut ein Konversionselementverbund bzw . Konversionselementwafer für mehrere Leuchtvorrichtungen 100 sein, und bei einer am Verfahrensende durchgeführten Vereinzelung auf mehrere Leuchtvorrichtungen 100 aufgeteilt werden . Zur Fertigung des Konversionselements 110 wird zunächst entsprechend den Figuren 7 bis 11 vorgegangen, so dass der Träger 120 mit der in Figur 36 gezeigten Ausgestaltung bereitgestellt wird . Hiervon ausgehend wird j edoch keine selektive Materialentfernung im Bereich der Konversionsmaterial 130 enthaltenden Kavitäten 123 des Trägers 120 durchgeführt . Stattdessen erfolgt eine groß flächige Materialentfernung an der Rückseite 112 des Trägers 120 , zum Beispiel durch Schlei fen mittels eines Schlei fwerkzeugs . Dadurch wird das Konversionsmaterial 130 , wie in Figur 37 gezeigt , an der Rückseite 112 freigelegt , gehen aus den Kavitäten 123 des Trägers 120 Konversionsmaterial 130 enthaltende Aussparungen 124 hervor und werden insofern Konversionsabschnitte 113 gebildet . Bei diesem Vorgang wird wenigstens ursprüngliches Trägermaterial des Trägers 120 ( Sili zium) und Material der reflektiven Beschichtung 128 , sowie gegebenenfalls auch ein Teil des Konversionsmaterials 130 , entfernt . Bei dem auf diese Weise erzeugten Konversionselement 110 ist die Rückseite 112 plan . Auch besitzt der Träger 120 des Konversionselements 110 Aussparungen 124 mit im Querschnitt geraden Innenseiten . Die reflektive Beschichtung 128 ist lediglich innenseitig der Aussparungen 124 vorhanden .

Bei dem vorliegenden Verfahrensablauf wird, anstelle von separaten strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 , ein unvereinzelter Wafer 242 bereitgestellt und auf dem Konversionselement 110 angeordnet . Der Wafer 242 weist , wie in Figur 38 gezeigt , ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Substrat 245 , rückseitig auf dem Substrat 245 nebeneinander angeordnete separate und zur Strahlungserzeugung ausgebildete Halbleiterschichtenfolgen 146 , und mit den Halbleiterschich- tenfolgen 146 verbundene rückseitige Kontakte 148 auf . Das Substrat 245 kann ein Saphirsubstrat sein . Über die Kontakte 148 können die Halbleiterschichtenfolgen 146 zur Strahlungserzeugung elektrisch angesteuert werden . Die Halbleiterschichtenfolgen 148 können hinsichtlich der lateralen Abmessungen mit den Konversionsabschnitten 113 des Konversionselements 110 übereinstimmen .

Für das Anordnen des Wafers 242 auf dem Konversionselement 110 wird der Wafer 242 , wie in Figur 39 abgebildet , mit dessen Substrat 245 über ein transparentes Verbindungsmaterial 250 mit dem Konversionselement 110 bzw . mit der Rückseite 112 des Konversionselements 110 verbunden . Zum Verbinden von Wafer 242 und Konversionselement 110 kann ein Wafer-Bonding- Verfahren oder ein Verkleben durchgeführt werden . Das Verbindungsmaterial 250 kann ein transparentes Klebstof fmaterial , zum Beispiel ein Silikonkleber, sein . Das Zusammenbringen von Wafer 242 und Konversionselement 110 erfolgt derart , dass sich die Halbleiterschichtenfolgen 146 , in Draufsicht auf den Wafer 242 und das Konversionselement 110 gesehen, j eweils im Bereich eines Konversionsabschnitts 113 des Konversionselements 110 befinden .

Nachfolgend wird, wie in Figur 40 gezeigt , ein Durchtrennen des Wafers 242 ausgehend von dessen Rückseite durchgeführt , so dass eine auf dem Konversionselement 110 an der Rückseite 112 angeordnete Emittergruppe 240 aus vereinzelten strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 bereitgestellt wird . Das Durchtrennen des Wafers 242 kann auf mechanische Weise durchgeführt werden, zum Beispiel durch Sägen . Durch das Durchtrennen werden Trenngräben 255 gebildet , welche sich zwischen den Halbleiterchips 140 befinden und diese voneinander separieren . Die Trenngräben 255 können die Halbleiterchips 140 lateral umgeben und in Form einer zusammenhängenden, in der Draufsicht gitterf örmigen Grabenstruktur vorliegen . Wie in Figur 40 dargestellt ist , erfolgt das Durchtrennen in einer solchen Weise , dass Material des Wafers 242 , ein Teil des Verbindungsmaterials 250 und Material des Konversi- onselements 110 entfernt werden . Mit Bezug auf den Wafer 242 betri f ft die Materialentfernung das Substrat 245 und gegebenenfalls die Halbleiterschichtenfolgen 146 an deren lateralen Seiten . Mit Bezug auf das Konversionselement 110 wird Material der reflektiven Beschichtung 128 , ursprüngliches Trägermaterial des Trägers 120 ( Sili zium) sowie gegebenenfalls ein Teil des Konversionsmaterials 130 entfernt . Wie ferner in Figur 40 gezeigt ist , kann das Durchtrennen mehrstufig erfolgen, so dass die Trenngräben 255 im Querschnitt eine stufenförmige Gestalt besitzen .

Die durch das Durchtrennen des Wafers 242 gebildeten strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 sind Volumenemitter, welche ein aus dem Substrat 245 hervorgegangenes vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat 145 , eine rückseitige , auf dem Chipsubstrat 145 angeordnete Halbleiterschichtenfolge 146 zur Strahlungserzeugung, und rückseitige Kontakte 148 aufweisen . Dabei liegt ein Figur 5 entsprechender Aufbau vor . Die Halbleiterchips 140 sind über das Verbindungsmaterial 250 mit dem Konversionselement 110 bzw . mit dessen Konversionsmaterial 130 verbunden und derart orientiert , dass die Vorderseite 141 der Halbleiterchips 140 dem Konversionselement 110 zugewandt und die entgegengesetzte Rückseite 142 von dem Konversionselement 110 abgewandt ist . Das Durchtrennen kann derart erfolgen, dass die lateralen Abmessungen der Halbleiterchips 140 , wie in Figur 40 gezeigt und dadurch abweichend von Figur 1 , mit den lateralen Abmessungen der Aussparungen 124 des Trägers 120 des Konversionselements 110 und der Konversionsabschnitte 113 übereinstimmen .

Anschließend erfolgen, wie in Figur 41 gezeigt , ein weiteres rückseitiges Beschichten bzw . metallisches Beschichten des die Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 tragenden Konversionselements 110 , und ein Ausbilden einer Stabilisierungsschicht 160 . Durch das Beschichten wird die reflektive Beschichtung 128 zusätzlich auf den Halbleiterchips 140 bzw . auf deren Rückseiten 142 , Kontakten 148 und lateralen Seitenwänden 143 , und auch auf dem Konversions- element 110 zwischen den Halbleiterchips 140 ausgebildet . Um ein mögliches Auftreten eines Kurzschlusses aufgrund der re- flektiven Beschichtung 128 zu vermeiden, kann gegebenenfalls zuvor eine isolierende bzw . dielektrische Schicht im Bereich der Halbleiterschichtenfolgen 146 und Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 erzeugt werden, auf welcher die reflektive Beschichtung 128 ausgebildet werden kann (nicht dargestellt ) .

Die Stabilisierungsschicht 160 wird nachfolgend derart ausgebildet , dass sich die Stabilisierungsschicht 160 innerhalb der Trenngräben 255 und damit seitlich von und zwischen den Halbleiterchips 140 befindet , und auch rückseitig der Halbleiterchips 140 vorhanden ist und rückseitig über die Halbleiterchips 140 hervorsteht . Die Stabilisierungsschicht 160 grenzt an die reflektive Beschichtung 128 an . Das Erzeugen der Stabilisierungsschicht 160 kann, wie oben beschrieben, durch Durchführen eines Formprozesses oder mittels Vergießen vorgenommen werden .

Hieran anschließend bzw . nach einem Aushärten der Stabilisierungsschicht 160 wird, wie in Figur 42 gezeigt , ein Teil der Stabilisierungsschicht 160 sowie ein Teil der im Bereich der Kontakte 148 der Halbleiterchips 149 vorhandenen reflektiven Beschichtung 128 entfernt , um rückseitige Flächen der Kontakte 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 freizulegen . Zu diesem Zweck kann ein Schlei fen bzw . Rückschleifen durchgeführt werden . Es ist möglich, die Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 selbst als Kontakte zur Kontaktierung und elektrischen Versorgung der gemäß dem vorliegenden Verfahrensablauf hergestellten Leuchtvorrichtung 100 einzusetzen . Daher kann die Leuchtvorrichtung 100 durch das Rückschlei fen fertiggestellt werden . Möglich ist es auch, dass nach dem Rückschlei fen ein Verbund aus mehreren zusammenhängenden Leuchtvorrichtungen 100 vorliegt , welcher anschließend durch Durchführen einer Vereinzelung in mehrere Leuchtvorrichtungen 100 separiert werden kann . Bei diesem Vorgang erfolgt ein Durchtrennen des Konversionselements 110 und der Stabilisie- rungsschicht 160 zwischen Konversionsabschnitten 113 und Halbleiterchips 140 (nicht dargestellt ) .

Der vorstehend beschriebene Verfahrensablauf , bei welchem ein Wafer 242 zum Einsatz kommt , ermöglicht eine Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 mit konstanten Abständen zwischen den lichtemittierenden Pixeln 105 . Dabei kann ausgenutzt werden, dass sich durch das Durchtrennen des mit dem Konversionselement 110 verbundenen Wafers 242 zum Bilden der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 die j eweilige Lage und die Abstände zwischen den Halbleiterchips 140 mit einer hohen Genauigkeit festlegen lassen . Platziervariationen, wie sie bei einem Montieren von einzelnen Chips auftreten können, können dabei vermieden werden . Infolgedessen kann auch das Konversionselement 110 mit Konversionsabschnitten 113 erzeugt werden, welche relativ kleine und konstante Abstände zueinander aufweisen, und können hierauf abgestimmt die Halbleiterchips 140 mit relativ kleinen und konstanten Abständen zueinander bereitgestellt werden . Auf diese Weise kann die Leuchtvorrichtung 100 derart verwirklicht werden, dass eine Variation von Abständen zwischen den Pixeln 105 minimal ist , und auch Abstände zwischen den Pixeln 105 minimal sind .

Bei der in Figur 42 gezeigten Leuchtvorrichtung 100 sind die lateralen Seitenwände 143 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 mit der reflektiven Beschichtung 128 bedeckt , so dass die von den Halbleiterchips 140 erzeugte primäre Lichtstrahlung 201 (vgl . Figur 5 ) an diesen Stellen reflektiert werden kann . In dieser Ausgestaltung kann es in Betracht kommen, die Stabilisierungsschicht 160 , im Unterschied zu den oben beschriebenen Varianten, als nicht reflektive Schicht , und insofern abweichend von Figur 4 lediglich aus einem Kunststof fmaterial 161 und ohne reflektive Partikel 162 aus zubilden . Im Leuchtbetrieb der in Figur 42 abgebildeten Leuchtvorrichtung 100 können die Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 lediglich über die Vorderseiten 141 der Halbleiterchips 140 mit der von den Halbleiterchips 140 erzeugten primären Lichtstrahlung 201 durchstrahlt werden .

Der vorstehend beschriebene Verfahrensablauf unter Einsatz eines Wafers 242 kann in unterschiedlicher Weise abgewandelt werden . Es ist zum Beispiel denkbar, das anhand von Figur 41 erläuterte weitere metallische Beschichten der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 und des Konversionselements 110 wegzulassen . Hierdurch kann die Stabilisierungsschicht 160 in einer an die Halbleiterchips 140 angrenzenden Weise erzeugt werden . Um eine Strahlungsreflexion an den lateralen Seitenwänden 143 der Halbleiterchips 140 hervorzurufen, kann die Stabilisierungsschicht 160 entsprechend der in Figur 4 gezeigten Ausgestaltung als reflektive Schicht ausgebildet werden . Eine weitere Variante besteht darin, nicht die Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 zur Kontaktierung der Leuchtvorrichtung 100 einzusetzen, sondern stattdessen eine mit den Kontakten 148 der Halbleiterchips 140 elektrisch verbundene rückseitige Kontaktstruktur 170 aus zubilden . Dies kann nach dem Rückschlei fen zum Freilegen der Kontakte 148 (vgl . Figur 42 ) erfolgen . Die Kontaktstruktur 170 kann dabei , wie oben zu Figur 18 beschrieben, ausgebildet werden . Denkbar ist es auch, das Rückschlei fen wegzulassen und stattdessen eine rückseitige Kontaktstruktur 170 in einer den Figuren 34 und 35 entsprechenden Weise durch u . a . Öf fnen der Stabilisierungsschicht 160 im Bereich der Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 aus zubilden ( j eweils nicht dargestellt ) .

Weitere mögliche Abwandlungen können darin bestehen, das Konversionselement 110 derart zu fertigen, dass die Aussparungen 124 des Trägers 120 teilweise mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt und in einem vorder- bzw . emissionsseitigen Teilbereich frei von dem Konversionsmaterial 130 sind und/oder dass das Konversionsmaterial 130 in sedimentierter Form in den Aussparungen 124 des Trägers 120 vorliegt und dadurch Leucht- stof fpartikel 132 des Konversionsmaterials 130 in Richtung der Halbleiterchips 140 konzentriert sind . Dies lässt sich verwirklichen, indem das Einbringen des Konversionsmaterials 130 in die Kavitäten 123 des Trägers 120 in einer Figur 23 entsprechenden Weise bzw . nach dem Einbringen des Konversionsmaterials 130 in die Kavitäten 123 ein Sedimentieren in einer den Figuren 27 und 28 entsprechenden Weise vorgenommen wird . Möglich ist auch eine Herstellung des Konversionselements 110 mit sich in einer Richtung weg von den Halbleiterchips 140 aufweitenden Aussparungen 124 , indem der Träger 120 in einer Figur 30 entsprechenden Weise mit Kavitäten 123 mit einer sich in einer Richtung weg von einer Bodenfläche verbreiternden Querschnitts form bereitgestellt wird ( j eweils nicht dargestellt ) .

Die Figuren 43 und 44 zeigen in einem Ausschnitt anhand von seitlichen Schnittdarstellungen die unter Verwendung eines Wafers 242 erfolgte Herstellung der Leuchtvorrichtung 100 gemäß einer weiteren Ausgestaltung . Hierbei wird zunächst entsprechend den Figuren 36 bis 40 vorgegangen, um das die Emittergruppe 240 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 tragende Konversionselement 110 bereitzustellen . Anschließend wird, wie in Figur 43 gezeigt , ein transparentes Material 151 in die Trenngräben 255 zwischen den Halbleiterchips 140 eingebracht , mit welchem die lateralen Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 , zu einem geringen Teil das Verbindungsmaterial 250 und die Rückseite 112 des Konversionselements 110 zwischen den Halbleiterchips 140 benetzt werden . Dieser Vorgang kann durch Dosieren bzw . Dispensen des transparenten Materials 151 erfolgen . Die Benetzung der Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 und des Konversionselements 110 findet in einer solchen Weise statt , dass das transparente Material 151 eine seitlich an die Halbleiterchips 140 angrenzende transparente Schicht 150 bildet , welche im Bereich der Seitenwände 143 eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden 143 der Halbleiterchips 140 verlaufende Schichtoberfläche 155 besitzt . Die sich innerhalb der Trenngräben 255 befindende transparente Schicht 150 liegt in Form einer zusammenhängenden und sämtliche Halbleiterchips 140 lateral umschließenden Schicht vor . Innerhalb der Trenngräben 255 kann die transparente Schicht 150 , wie in Figur 43 gezeigt , ein im Quer- schnitt parabel förmiges Oberflächenprofil besitzen . Das verwendete transparente Material 151 kann ein Kunststof f- bzw . Klebstof fmaterial , zum Beispiel ein Silikonkleber, sein .

Anschließend bzw . nach einem Aushärten der transparenten Schicht 150 werden weitere Prozesse durchgeführt , um die in Figur 44 gezeigte Leuchtvorrichtung 100 bereitzustellen . Dies umfasst ein Ausbilden einer reflektiven Stabilisierungsschicht 160 , welche seitlich von und zwischen den Halbleiterchips 140 vorhanden ist und an die transparente Schicht 150 angrenzt . Die Stabilisierungsschicht 160 ist auch rückseitig der Halbleiterchips 140 vorhanden und schließt bündig mit rückseitigen Flächen der Kontakte 148 der Halbleiterchips 140 ab . Das Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 zum Einfassen der Halbleiterchips 140 kann ein Durchführen eines Formprozesses oder Vergießprozesses und gegebenenfalls , sofern die Stabilisierungsschicht 160 zunächst rückseitig über die Halbleiterchips 140 hervorsteht , ein Rückschlei fen umfassen . Nach dem Ausbilden der Stabilisierungsschicht 160 kann ferner eine Vereinzelung erfolgen, indem das Konversionselement 110 , die transparente Schicht 151 und die Stabilisierungsschicht 160 zwischen Konversionsabschnitten 113 und Halbleiterchips 140 durchtrennt werden (nicht dargestellt ) .

Bei der in Figur 44 gezeigten Leuchtvorrichtung 100 können die Konversionsabschnitte 113 des Konversionselements 110 nicht nur von der über die Vorderseite 141 der Halbleiterchips 140 abgegebenen Lichtstrahlung 201 durchstrahlt werden, sondern ist zusätzlich eine ef fi ziente Nutzung des über die lateralen Seitenwände 143 emittierten Anteils der Lichtstrahlung 201 (vgl . Figur 5 ) möglich . Aufgrund der im Bereich der Seitenwände 143 schräg und/oder gekrümmt zu den Seitenwänden 143 verlaufenden Schichtoberfläche 155 der transparenten Schicht 150 kann auch die reflektive Stabilisierungsschicht 160 im Bereich der Halbleiterchips 140 eine schräg und/oder gekrümmt zu den Seitenwänden 143 verlaufende Schichtoberfläche besitzen, und die Halbleiterchips 140 umgebende Reflektorstrukturen bilden . Hierdurch kann mit Hil fe der Stabil!- sierungsschicht 160 eine Strahlungsreflexion und dadurch Umlenkung der über die Seitenwände 143 der Halbleiterchips 140 abgegebenen und in die transparente Schicht 150 eingekoppelten Lichtstrahlung 201 in Richtung des Konversionselements 110 hervorgerufen werden, so dass dieser Strahlungsanteil , zum Teil unter Wiedereinkopplung bzw . erneutem Durchstrahlen der Halbleiterchips 140 bzw . von deren Chipsubstraten 145 , den Konversionsabschnitten 113 des Konversionselements 110 zugeführt werden kann (nicht dargestellt ) .

Für den anhand der Figuren 43 und 44 erläuterten Verfahrensablauf können Abwandlungen in Betracht kommen, wie sie mit Bezug auf den Verfahrensablauf der Figuren 36 bis 42 erläutert wurden . Es ist zum Beispiel möglich, eine mit den Kontakten 148 der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 140 elektrisch verbundene rückseitige Kontaktstruktur 170 aus zubilden . Des Weiteren können die Aussparungen 124 des Trägers 120 des Konversionselements 110 teilweise mit dem Konversionsmaterial 130 gefüllt sein, kann das Konversionsmaterial 130 in sedimentierter Form in den Aussparungen 124 vorliegen und/oder können die Aussparungen 124 des Trägers 120 eine in einer Richtung weg von den Halbleiterchips 140 aufweitende Form besitzen ( j eweils nicht dargestellt ) .

Neben den vorstehend beschriebenen und in den Figuren abgebildeten Aus führungs formen sind weitere Aus führungs formen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen und/oder Kombinationen von Merkmalen umfassen können .

Beispielsweise können anstelle der oben genannten Materialien andere Materialien für die Leuchtvorrichtung 100 und deren Bestandteile eingesetzt werden .

Es ist zum Beispiel möglich, den Träger 120 des Konversionselements 110 aus einem keramischen Material , aus Silikon gefüllt mit reflektiven Partikeln bzw . Streupartikeln (beispielsweise TiO2-Partikeln) , aus einem Kunststof fmaterial , aus einem Kunststof fmaterial mit einer hochref lektiven Be- Schichtung, oder aus Glas mit einer hochref lektiven Beschichtung aus zubilden .

Mit Bezug auf die anhand der Figuren 20 bis 44 erläuterten Verfahrensabläufe und Leuchtvorrichtungen 100 besteht eine weitere Abwandlung darin, das Konversionselement 110 ohne re- flektive Beschichtung 128 aus zubilden .

Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Aus führungs- beispiele näher illustriert und beschrieben wurde , so ist die

Erfindung nicht durch die of fenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE Leuchtvorrichtung Vorderseite Rückseite Pixel Konversionselement Vorderseite Rückseite Konversionsabschnitt Vertiefung Stoppkante Träger Kavität Aussparung reflektive Beschichtung Konversionsmaterial Bindematerial Leuchtstof fpartikel Halbleiterchip Vorderseite Rückseite Seitenwand Chipsubstrat Halbleiterschichtenfolge Kontakt transparente Schicht transparentes Material , Klebstof fmaterial Schichtoberfläche Stabilisierungsschicht Kunststof fmaterial reflektive Partikel Kontaktstruktur Leiterstruktur Kontakt fläche isolierendes Material Öf fnung Lichtstrahlung 202 Lichtstrahlung

211 Ansaugdüse

212 Dosierdüse

214 Schlei fwerkzeug 221 Trennlinie

231 Kraft einwirkung

240 Emit ter gruppe

242 Wafer

245 Substrat 250 Verbindungsmaterial

255 Trenngraben

Claims

PATENTANSPRÜCHE Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung (100) umfassend :

Bereitstellen eines strukturierten Konversionselements (110) mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten (113) zur Strahlungskonversion, wobei das Konversionselement (110) einen Träger (120) mit Aussparungen (124) aufweist, welche Konversionsmaterial (130) enthalten, wobei die Aussparungen (124) des Trägers (120) in Form von Durchgangsaussparungen vorliegen, und wobei die Konversionsabschnitte (113) jeweils durch eine Konversionsmaterial (130) enthaltende Aussparung (124) des Trägers gebildet (120) sind;

Ausbilden einer auf dem Konversionselement (110) angeordneten Emittergruppe (240) aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) an einer Seite (112) des Konversionselements (110) , wobei im Bereich der Konversionsabschnitte (113) jeweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (140) vorhanden ist; und

Ausbilden einer Stabilisierungsschicht (160) wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) . Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bereitstellen des Konversionselements (110) Folgendes umfasst:

Bereitstellen des Trägers (120) mit einer Ausgestaltung, in welcher der Träger (120) Kavitäten (123) aufweist;

Einbringen von Konversionsmaterial (130) in die Kavitäten (123) des Trägers (120) ; und

Entfernen von Material wenigstens des Trägers (120) der- art, dass aus den Kavitäten (123) des Trägers (120) die Konversionsmaterial (130) enthaltenden Aussparungen (124) des Trägers (120) gebildet werden. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Einbringen des Konversionsmaterials (130) in die Kavitäten (123) des Trägers (120) derart erfolgt, dass die Kavitäten (123) des Trägers (120) teilweise mit dem Konversionsmaterial (130) gefüllt werden und/oder wobei nach dem Einbringen des Konversionsmaterials (130) in die Kavitäten (123) des Trägers (120) ein Sedimentieren erfolgt. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kavitäten (123) des Trägers (120) eine Bodenfläche und eine sich in einer Richtung weg von der Bodenfläche verbreiternde Querschnittsform aufweisen. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bereitstellen des Konversionselements (110) ein Ausbilden des Trägers (120) mit einer reflektiven Beschichtung (128) umfasst, und wobei die reflektive Beschichtung (128) wenigstens im Bereich der Aussparungen (124) des Trägers (120) vorhanden ist. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) Kontakte (148) an einer Rückseite (142) aufweisen und das Ausbilden der Emittergruppe (240) auf dem Konversionselement (110) derart erfolgt, dass eine Vorderseite (141) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) dem Konversionselement (110) zugewandt ist. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine mit Kontakten (148) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verbundene Kontaktstruktur (170) im Bereich einer dem Konversionselement (110) ab- gewandten Seite (142) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) ausgebildet wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) Volumenemitter sind. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stabilisierungsschicht (160) eine reflektive Schicht ist. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens im Bereich von lateralen Seitenwänden

(143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips

(140) angrenzende transparente Schicht (150) ausgebildet wird, welche im Bereich der Seitenwände (143) eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verlaufende Schichtoberfläche (155) aufweist, wobei die Stabilisierungsschicht (160) angrenzend an die transparente Schicht (150) ausgebildet wird, und wobei die Stabilisierungsschicht (160) aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche (155) der transparenten Schicht (150) die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) umgebende Reflektorstrukturen bildet. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Ausbilden der Emittergruppe (240) auf dem Konversionselement (110) derart erfolgt, dass die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) bereitgestellt und auf dem Konversionselement (110) angeordnet werden. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Konversionselement (110) an der für die Emit- tergruppe (240) vorgesehenen Seite (112) Vertiefungen (115) im Bereich der Konversionsabschnitte (113) aufweist, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) unter Verwendung eines transparenten Klebstoffmaterials (151) im Bereich der Vertiefungen (115) des Konversionselements (110) angeordnet werden, wobei durch das Klebstoffmaterial (151) oder durch das Klebstoffmaterial (151) und zusätzliches Aufbringen des Klebstoffmaterials (151) im Bereich von lateralen Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) jeweils eine im Bereich einer Vorderseite (141) und der Seitenwände (143) an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) angrenzende transparente Schicht (151) ausgebildet wird, wobei die Vertiefungen (115) des Konversionselements (110) als Stoppkante (116) für das Klebstoffmaterial (151) wirken, so dass die transparente Schicht (150) im Bereich der Seitenwände (143) eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verlaufende Schichtoberfläche (155) aufweist, wobei die Stabilisierungsschicht (160) angrenzend an die im Bereich der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) vorhandene transparente Schicht (150) ausgebildet wird, und wobei die Stabilisierungsschicht (160) aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche (155) der transparenten Schicht (150) die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) umgebende Reflektorstrukturen bildet. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Ausbilden der Emittergruppe (140) auf dem Konversionselement (110) derart erfolgt, dass ein Wafer (242) für die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) bereitgestellt wird, der Wafer (242) auf dem Konversionselement (110) angeordnet und nachfolgend durch Durchtrennen in die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) vereinzelt wird. Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein transparentes Material (151) im Bereich von lateralen Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) aufgebracht wird, um eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) angrenzende transparente Schicht (150) auszubilden, welche im Bereich der Seitenwände (143) eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verlaufende Schichtoberfläche (155) aufweist, wobei die Stabilisierungsschicht (160) angrenzend an die transparente Schicht (150) ausgebildet wird, und wobei die Stabilisierungsschicht (160) aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche (155) der transparenten Schicht (150) die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) umgebende Reflektorstrukturen bildet. Leuchtvorrichtung (100) aufweisend: ein strukturiertes Konversionselement (110) mit nebeneinander angeordneten separaten Konversionsabschnitten (113) zur Strahlungskonversion, wobei das Konversionselement (110) einen Träger (120) mit Aussparungen (124) aufweist, welche Konversionsmaterial (130) enthalten, wobei die Aussparungen (124) des Trägers (120) in Form von Durchgangsaussparungen vorliegen, und wobei die Kon- Versionsabschnitte (113) jeweils durch eine Konversionsmaterial (130) enthaltende Aussparung (124) des Trägers (120) gebildet sind; eine auf dem Konversionselement (110) angeordnete Emittergruppe (240) aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) an einer Seite (112) des Konversionselements (110) , wobei im Bereich der Konversionsabschnitte (113) jeweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (140) vorhanden ist; und eine wenigstens seitlich von und zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) ausgebildete Stabilisierungsschicht (160) . Leuchtvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Aussparungen (124) des Trägers (120) teilweise mit Konversionsmaterial (130) gefüllt und in einem emissionsseitigen Teilbereich frei von dem Konversionsmaterial (130) sind und/oder wobei das Konversionsmaterial (130) in sedimen- tierter Form in den Aussparungen (124) des Trägers (120) ausgebildet ist und/oder wobei die Aussparungen (124) des Trägers (120) in einer Richtung weg von der für die Emittergruppe (240) vorgesehenen Seite (112) des Konversionselements (110) eine sich wenigstens teilweise verbreiternde Querschnittsform aufweisen. Leuchtvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 oder 16, wobei der Träger (120) eine reflektive Beschichtung

(128) wenigstens im Bereich der Aussparungen (124) aufweist. Leuchtvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) Kontakte (148) an einer Rückseite (142) aufweisen und eine Vorderseite (141) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) dem Konversionselement (110) zugewandt ist und/oder wobei die Leuchtvorrichtung eine mit Kontakten (148) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verbundene Kontaktstruktur im Bereich einer dem Konversionselement (110) abgewandten Seite (142) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) aufweist. Leuchtvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) Volumenemitter sind und/oder wobei die Stabilisierungsschicht (160) eine re- flektive Schicht ist. Leuchtvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei wenigstens im Bereich von lateralen Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) eine an die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) angrenzende transparente Schicht (150) ausgebildet ist, welche im Bereich der Seitenwände (143) eine gekrümmt und/oder schräg zu den Seitenwänden (143) der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) verlaufende Schichtoberfläche (155) aufweist, wobei die Stabilisierungsschicht (160) an die transparente Schicht (150) angrenzt und aufgrund der gekrümmt und/oder schräg verlaufenden Schichtoberfläche (155) der transparenten Schicht (150) die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (140) umgebende Reflektorstrukturen bildet .