DE102020125417A1

DE102020125417A1 - Anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer ansteuerung

Info

Publication number: DE102020125417A1
Application number: DE102020125417.2A
Authority: DE
Inventors: Joon-Min Park
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-10-02
Filing date: 2020-09-29
Publication date: 2021-04-08
Also published as: US11250747B2; CN112599055A; KR20210039556A; US20210104185A1

Abstract

Es werden eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Ansteuerung offenbart. Die Anzeigevorrichtung umfasst: ein Anzeigefeld mit mehreren Subpixeln, die eine einzelne Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen, wobei jedes der Subpixel einen Schalttransistor, einen Ansteuertransistor, einen Erfassungstransistor, einen Speicherkondensator und ein Lichtemissionselement umfasst; einen Datentreiber, der konfiguriert ist, den mehreren Subpixeln eine Datenspannung zuzuführen; einen Gate-Treiber, der konfiguriert ist, den mehreren Subpixeln ein Gate-Signal zuzuführen; eine Zeitablaufsteuereinheit, die konfiguriert ist, den Datentreiber und den Gate-Treiber zu steuern; und einen Detektor, der konfiguriert ist, eine Schwellenspannung und eine Mobilität des Ansteuertransistors zu erfassen, um zu detektieren, ob zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors ein Kurzschluss besteht.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-0121935, eingereicht beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum am 2. Oktober 2019.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung, das detektieren kann, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss eines Ansteuertransistors besteht.
Beschreibung des Standes der Technik
Anzeigevorrichtungen, die von einem Monitor eines Computers, einem Fernsehgerät, einem Mobiltelefon oder dergleichen verwendet werden, umfassen eine organische Lichtemissionsanzeige (OLED), die Licht selbständig emittiert, und eine Flüssigkristallanzeige (LCD), die eine separate Lichtquelle erfordert.
Unter solchen verschiedenen Anzeigevorrichtungen umfasst eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung ein Anzeigefeld mit mehreren Subpixeln und Treibern zum Ansteuern des Anzeigefeldes und der darauf angeordneten Subpixel. Die Treiber umfassen einen Gate-Treiber, der Gate-Signale zum Anzeigefeld zuführt, und einen Datentreiber, der Datenspannungen zuführt. Wenn ein Signal wie z. B. ein Gate-Signal und eine Datenspannung zu einem Subpixel der organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung zugeführt wird, emittiert das ausgewählte Subpixel Licht, um ein Bild anzuzeigen. Eine Vielfalt von Transistoren ist in den Subpixeln des Anzeigefeldes angeordnet. Ein Kurzschluss kann zwischen den Elektroden der Transistoren, die in den Subpixeln angeordnet sind, während eines Herstellungsprozesses oder nach dem Herstellungsprozess erzeugt werden.
ZUSAMMENFASSUNG
Angesichts des Obigen ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung, die detektieren kann, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss eines Ansteuertransistors in einem Subpixel besteht, und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung zu schaffen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Anzeigevorrichtung, die detektieren kann, ob ein Kurzschluss zwischen zwei Elektroden eines Speicherkondensators in einem Subpixel besteht, und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung zu schaffen.
Eine nochmals weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die einen Erfassungsfehler angehen kann, der in einer Struktur auftreten kann, in der mehrere Subpixel eine Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen.
Eine nochmals weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die in der Lage ist, in derselben Weise wie ein Schalttransistor und ein Erfassungstransistor eines Subpixels mit separaten Leitungen verbunden sind, in einer Struktur zu erfassen, in der der Schalttransistor und der Erfassungstransistor eine Gate-Leitung gemeinsam nutzen.
Aufgaben der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend erwähnten Aufgaben begrenzt und andere Aufgaben, die vorstehend nicht erwähnt sind, können durch den Fachmann auf dem Gebiet aus den folgenden Beschreibungen klar verstanden werden.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen, die umfasst: ein Anzeigefeld mit mehreren Subpixeln, die eine einzelne Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen, wobei jedes der Subpixel einen Schalttransistor, einen Ansteuertransistor, einen Erfassungstransistor, einen Speicherkondensator und ein Lichtemissionselement umfasst; einen Datentreiber, der konfiguriert ist, eine Datenspannung zu den mehreren Subpixeln zuzuführen; einen Gate-Treiber, der konfiguriert ist, ein Gate-Signal zu den mehreren Subpixeln zuzuführen; eine Zeitablaufsteuereinheit, die konfiguriert ist, den Datentreiber und den Gate-Treiber zu steuern; und einen Detektor, der konfiguriert ist, eine Schwellenspannung und eine Mobilität des Ansteuertransistors zu erfassen, um zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung geschaffen, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: Erfassen einer Schwellenspannung eines Ansteuertransistors von jedem von mehreren Subpixeln, die eine einzelne Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen; Kompensieren der Schwellenspannung des Ansteuertransistors auf der Basis von Ergebnissen der Erfassung der Schwellenspannung des Ansteuertransistors; Erfassen der Mobilität des Ansteuertransistors; und Bestimmen, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht, auf der Basis von Ergebnisseen der Erfassung der Schwellenspannung und der Mobilität des Ansteuertransistors.
Andere detaillierte Angelegenheiten der beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es möglich zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss eines Ansteuertransistors eines Subpixels besteht.
Gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es möglich zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen zwei Elektroden eines Speicherkondensators eines Subpixels besteht.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, einen Erfassungsfehler anzugehen, der in einer Struktur auftreten kann, in der Subpixel eines einzelnen Pixels mit einer einzelnen Referenzspannungsleitung verbunden sind.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, denselben Effekt wie jenen zu erreichen, der erhalten wird, wenn ein Erfassungssignal an den Erfassungstransistor angelegt wird, während kein Abtastsignal an den Schalttransistor in einer Struktur angelegt wird, in der ein Schalttransistor und ein Erfassungstransistor eines Subpixels dasselbe Signal von einer einzelnen Gate-Leitung empfangen.
Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend veranschaulichten Inhalte begrenzt und vielfältigere Effekte sind in der vorliegenden Patentbeschreibung enthalten.
Figurenliste
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu sorgen, und in diese Anmeldung integriert sind und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von verschiedenen Prinzipien; es zeigen:

1 eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
2 einen Schaltplan eines Subpixels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
3 einen Schaltplan eines einzelnen Pixels mit vier Subpixeln in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 ein Wellenformdiagramm, das eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
5A und 5B Schaltpläne, die einen Prozess der Detektion eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen;
6 ein Wellenformdiagramm zum Darstellen einer Anzeigevorrichtung und eines Verfahrens zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
7A und 7B Schaltpläne, die einen Prozess zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen; und
8 ein Diagramm zum Darstellen von Zeitpunkten zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und eines Verfahrens zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen klar, die nachstehende zusammen mit den begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offenbarten beispielhaften Ausführungsformen begrenzt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur als Beispiel vorgesehen, so dass der Fachmann auf dem Gebiet die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann. Daher ist die vorliegende Offenbarung nur durch den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche definiert.
Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung von bekannten verwandten Technologien verzichtet werden, um es zu vermeiden, den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig unklar zu machen. Die Begriffe wie z. B. „einschließen“, „aufweisen“ und „umfassen“, die hier verwendet werden, sollen im Allgemeinen ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Irgendwelche Bezugnahmen auf den Singular können den Plural umfassen, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben.
Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich umfassen, selbst wenn nicht ausdrücklich angegeben.
Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung der Begriffe wie z. B. „auf‟, „über‟, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
Wenn ein Element oder eine Schicht „auf‟ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann es bzw. sie direkt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet sein oder eine andere Schicht oder ein anderes Element kann dazwischen eingefügt sein.
Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zum Beschreiben von verschiedenen Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden von einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine nachstehend zu erwähnende erste Komponente eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in der gesamten Patentbeschreibung im Allgemeinen gleiche Elemente.
Eine Größe und eine Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind für die Bequemlichkeit der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente begrenzt.
Die Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander gebunden oder miteinander kombiniert sein, und können in technisch verschiedenen Weisen verzahnt sein und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Zusammenhang miteinander ausgeführt werden.
Hier können Transistoren, die in einer Anzeigevorrichtung verwendet werden, als einer oder mehrere von n-Kanal-Transistoren (NMOS) und p-Kanal-Transistoren (PMOS) implementiert werden. Die Transistoren können als Oxidhalbleitertransistor mit einem Oxidhalbleiter als aktive Schicht oder LTPS-Transistor mit einem Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) als aktive Schicht implementiert werden. Jeder der Transistoren kann mindestens eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfassen. Die Transistoren können als Dünnschichttransistoren (TFT) auf dem Anzeigefeld implementiert werden. In den Transistoren fließen die Ladungsträger von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode. Für einen n-Kanal-Transistor (NMOS), bei dem Elektronen die Ladungsträger sind, ist die Spannung an der Source-Elektrode niedriger als die Spannung an der Drain-Elektrode, um zu ermöglichen, dass die Elektronen von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen. In einem n-Kanal-Transistor NMOS fließt der elektrische Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode und die Source-Elektrode kann ein Ausgangsanschluss sein. Für einen p-Kanal-Transistor (PMOS), bei dem Löcher die Ladungsträger sind, ist die Spannung an der Source-Elektrode höher als die Spannung an der Drain-Elektrode, um zu ermöglichen, dass die Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen. In einem p-Kanal-Transistor PMOS, wenn Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen, fließt der elektrische Strom von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode und die Drain-Elektrode kann ein Ausgangsanschluss sein. An sich ist zu beachten, dass die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode eines Transistors nicht fest sind, sondern in Abhängigkeit von der angelegten Spannung vertauscht werden können. Hier wird angenommen, dass Transistoren n-Kanal-Transistoren (NMOS) sind, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. P-Kanal-Transistoren können verwendet werden und die Schaltungskonfiguration kann dementsprechend geändert werden.
Für Transistoren, die als Schaltelemente verwendet werden, schwingt ein Gate-Signal zwischen einer Gate-Ein-Spannung und einer Gate-Aus-Spannung. Die Gate-Ein-Spannung wird auf eine Spannung gesetzt, die höher ist als die Schwellenspannung Vth eines Transistors, während die Gate-Aus-Spannung auf eine Spannung gesetzt wird, die niedriger ist als die Schwellenspannung Vth des Transistors. Der Transistor wird in Reaktion auf die Gate-Ein-Spannung eingeschaltet und wird in Reaktion auf die Gate-Aus-Spannung ausgeschaltet. Für einen NMOS-Transistor kann die Gate-Ein-Spannung eine hohe Gate-Spannung (VGH) sein und die Gate-Aus-Spannung kann eine niedrige Gate-Spannung (VGL) sein. Für einen PMOS-Transistor kann die Gate-Ein-Spannung eine niedrige Gate-Spannung (VGL) sein und die Gate-Aus-Spannung kann eine hohe Gate-Spannung (VGH) sein.
Nachstehend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
1 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Mit Bezug auf 1 umfasst eine Anzeigevorrichtung 100 ein Anzeigefeld 110, einen Gate-Treiber 120, einen Datentreiber 130 und eine Zeitablaufsteuereinheit 140.
Das Anzeigefeld 110 ist ein Feld zum Anzeigen von Bildern. Das Anzeigefeld 110 kann eine Vielfalt von Schaltungen, Leitungen und Lichtemissionselementen umfassen, die auf einem Substrat angeordnet sind. Das Anzeigefeld 110 kann mehrere Pixel umfassen, von denen jedes durch eine oder mehrere Datenleitungen DL und eine oder mehrere Gate-Leitungen GL, die einander schneiden, definiert ist. Ein Pixel ist mit der einen oder den mehreren Datenleitungen DL und der einen oder den mehreren Gate-Leitungen GL verbunden. Das Anzeigefeld 110 kann einen Anzeigebereich, der durch die mehreren Pixel PX definiert ist, und einen Nicht-Anzeige-Bereich, in dem verschiedene Signalleitungen, Kontaktstellen usw. ausgebildet sind, umfassen. Das Anzeigefeld 110 kann als Anzeigefeld implementiert werden, das in verschiedenen Anzeigevorrichtungen verwendet wird, wie z. B. einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung und einer elektrophoretischen Anzeigevorrichtung. In der folgenden Beschreibung wird das Anzeigefeld 110 als Feld beschrieben, das in einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung verwendet wird. Es soll jedoch selbstverständlich sein, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt ist.
Die Zeitablaufsteuereinheit 140 empfängt Zeitablaufsignale, wie z. B. ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal, ein Datenfreigabesignal und einen Punkttakt über eine Empfangsschaltung wie z. B. eine LVDS-Schnittstelle (Niederspannungsdifferentialsignalisierungsschnittstelle) und TMDS-Schnittstelle (Schnittstelle zur Differentialsignalisierung mit minimiertem Übergang), die mit einem Hauptrechnersystem verbunden sind. Die Zeitablaufsteuereinheit 140 erzeugt Zeitablaufsteuersignale zum Steuern des Datentreibers 130 und des Gate-Treibers 120 auf der Basis der empfangenen Zeitablaufsignale.
Der Datentreiber 130 führt eine Datenspannung Vdata zu mehreren Subpixeln SP zu. Der Datentreiber 130 kann mehrere integrierte Source-Ansteuerschaltungen (Source-Ansteuer-ICs) umfassen. Die mehreren Source-Ansteuer-ICs können digitale Videodaten RGB und ein Source-Zeitablaufsteuersignal DDC von der Zeitablaufsteuereinheit 140 empfangen. Die Source-Ansteuer-ICs können die digitalen Videodaten RGB in eine Gammaspannung in Reaktion auf ein Source-Zeitablaufsteuersignal DDC umwandeln, um eine Datenspannung Vdata zu erzeugen, und können die Datenspannung Vdata über die Datenleitungen DL des Anzeigefeldes 110 anlegen. Die Source-Ansteuer-ICs können mit den Datenleitungen DL des Anzeigefeldes 110 durch einen Prozess mit Chip auf Glas (COG) oder einen Prozess zum automatisierten Bandbonden (TAB) verbunden werden. Außerdem können die Source-Ansteuer-ICs auf dem Anzeigefeld 110 ausgebildet werden oder können auf einer separaten PCB ausgebildet werden und mit dem Anzeigefeld 110 verbunden werden.
Der Gate-Treiber 120 führt Gate-Signale zu den Subpixeln SP zu. Der Gate-Treiber 120 kann einen Pegelumsetzer und ein Schieberegister umfassen. Der Pegelumsetzer kann den Pegel eines Taktsignals CLK, das auf dem Transistor-Transistor-Logikpegel (TTL-Pegel) von der Zeitablaufsteuereinheit 140 eingegeben wird, verschieben und kann es dann zum Schieberegister zuführen. Das Schieberegister kann im Nicht-Anzeige-Bereich des Anzeigefeldes 110 unter Verwendung einer GIP-Technik ausgebildet werden, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Das Schieberegister kann mehrere Stufen zum Verschieben von Gate-Signalen umfassen, um sie in Reaktion auf das Taktsignal CLK und das Ansteuersignal auszugeben. Die mehreren Stufen, die im Schieberegister enthalten sind, können sequentiell Gate-Signale durch die mehreren Ausgangsanschlüsse ausgeben.
Das Anzeigefeld 110 kann mehrere Subpixel SP umfassen. Die mehreren Subpixel SP können verschiedene Farben emittieren. Die mehreren Subpixel SP können beispielsweise ein erstes Subpixel SP1, ein zweites Subpixel SP2, ein drittes Subpixel SP3 und ein viertes Subpixel SP4 umfassen. Das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 können ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel, ein blaues Subpixel bzw. ein weißes Subpixel sein, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Solche Subpixel SP können ein Pixel PX bilden. Insbesondere können ein erstes Subpixel SP1, ein zweites Subpixel SP2, ein drittes Subpixel SP3 und ein viertes Subpixel SP4 ein einzelnes Pixel PX bilden und das Anzeigefeld 110 kann mehrere solche Pixel PX umfassen.
Nachstehend wird eine Treiberschaltung zum Ansteuern eines einzelnen Subpixels SP im Einzelnen mit Bezug auf 2 beschrieben.
2 ist ein Schaltplan eines Subpixels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 zeigt einen Schaltplan von einem von mehreren Subpixeln SP der Anzeigevorrichtung 100.
Mit Bezug auf 2 kann das Subpixel SP einen Schalttransistor SWT, einen Erfassungstransistor SET, einen Ansteuertransistor DT, einen Speicherkondensator SC und ein Lichtemissionselement 150 umfassen.
Das Lichtemissionselement 150 kann eine Anode, eine organische Schicht und eine Kathode umfassen. Die organische Schicht kann ferner eine Vielfalt von organischen Schichten umfassen, wie z. B. eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine organische Emissionsschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht. Die Anode des Lichtemissionselements 150 kann mit dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT verbunden sein und eine Spannung VSS mit niedrigem Pegel kann an die Kathode angelegt werden. Obwohl ein organisches Lichtemissionselement 150 als Lichtemissionselement 150 in dem in 2 gezeigten Beispiel verwendet wird, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt. Eine anorganische Leuchtdiode, d. h. eine LED, kann auch als Lichtemissionselement 150 verwendet werden.
Mit Bezug auf 2 ist der Schalttransistor SWT ein Transistor zum Übertragen der Datenspannung Vdata zu einem ersten Knoten N1, der der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT entspricht. Der Schalttransistor SWT kann eine Drain-Elektrode, die mit der Datenleitung DL verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung GL verbunden ist, und eine Source-Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT verbunden ist, umfassen. Der Schalttransistor SWT kann durch ein Abtastsignal SCAN eingeschaltet werden, das von der Gate-Leitung angelegt wird, um die Datenspannung Vdata, die von der Datenleitung DL zugeführt wird, zur Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT zu übertragen.
Mit Bezug auf 2 ist der Ansteuertransistor DT ein Transistor zum Ansteuern des Lichtemissionselements 150 durch Zuführen eines Ansteuerstroms zum Lichtemissionselement 150. Der Ansteuertransistor DT kann eine Gate-Elektrode, die dem ersten Knoten N1 zugeordnet ist, eine Source-Elektrode, die dem zweiten Knoten N2 zugeordnet ist und als Ausgangsanschluss arbeitet, und eine Drain-Elektrode, die dem dritten Knoten N3 zugeordnet ist und als Eingangsanschluss arbeitet, umfassen. Die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT kann mit dem Schalttransistor SWT verbunden sein, die Drain-Elektrode kann eine Spannung VDD mit hohem Pegel durch eine Leitung VDDL für eine Spannung mit hohem Pegel empfangen und die Source-Elektrode kann mit der Anode des Lichtemissionselements 150 verbunden sein.
Mit Bezug auf 2 ist der Speicherkondensator SC ein Kondensator zum Halten einer Spannung gleich der Datenspannung Vdata für einen Rahmen. Eine Elektrode des Speicherkondensators SC kann mit dem ersten Knoten N1 verbunden sein und die andere Elektrode des Speicherkondensators SC kann mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein.
Im Übrigen können, wenn die Ansteuerzeit jedes Subpixels SP in der Anzeigevorrichtung 100 zunimmt, die Schaltungselemente wie z. B. der Ansteuertransistor DT verschlechtert werden. Folglich können die charakteristischen Werte der Schaltungselemente wie z. B. des Ansteuertransistors DT geändert werden. Die charakteristischen Werte der Schaltungselemente können die Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT, die Mobilität α des Ansteuertransistors DT usw. umfassen. Eine solche Änderung der charakteristischen Werte der Schaltungselemente kann eine Änderung der Luminanz des jeweiligen Subpixels SP verursachen. Daher kann eine Änderung der charakteristischen Werte der Schaltungselemente als Änderung der Luminanz des Subpixels SP betrachtet werden.
Außerdem kann der Grad der Änderung der charakteristischen Werte der Schaltungselemente von jedem der Subpixel SP in Abhängigkeit von dem Grad der Verschlechterung der Schaltungselemente unterschiedlich sein. Eine solche Differenz des Grades der Änderung der charakteristischen Werte zwischen den Schaltungselementen kann Abweichungen der Luminanz zwischen den Subpixeln SP verursachen. Daher können Abweichungen der charakteristischen Werte der Schaltungselemente als Abweichungen der Luminanz des Subpixels SP betrachtet werden. Eine Änderung der charakteristischen Werte der Schaltungselemente, das heißt eine Änderung der Luminanz des Subpixels SP, und Abweichungen der charakteristischen Werte zwischen den Schaltungselementen, das heißt Abweichungen der Luminanz zwischen den Subpixeln SP, können die Genauigkeit der durch die Subpixel SP dargestellten Luminanz verringern oder können Defekte an den Bildern erzeugen.
Angesichts des Obigen kann das Subpixel SP der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Merkmal zum Erfassen der charakteristischen Werte des Subpixels SP und ein Merkmal zum Kompensieren der charakteristischen Werte des Subpixels SP auf der Basis der Ergebnisse der Erfassung schaffen.
Wie in 2 gezeigt, kann dazu das Subpixel SP ferner einen Erfassungstransistor SET zum effektiven Steuern des Spannungsstatus an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT zusätzlich zum Schalttransistor SWT, Ansteuertransistor DT, Speicherkondensator SC und Lichtemissionselement 150 umfassen.
Mit Bezug auf 2 ist der Erfassungstransistor SET zwischen der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT und einer Referenzspannungsleitung RVL zum Zuführen einer Referenzspannung Vref verbunden und seine Gate-Elektrode ist mit der Gate-Leitung GL verbunden. Folglich kann der Erfassungstransistor SET durch ein Erfassungssignal SENSE eingeschaltet werden, das durch die Gate-Leitung GL angelegt wird, um die Referenzspannung Vref, die durch die Referenzspannungsleitung RVL zugeführt wird, an die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT anzulegen. Außerdem kann der Erfassungstransistor SET als einer von Spannungserfassungspfaden für die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT verwendet werden.
Mit Bezug auf 2 können der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET des Subpixels SP die einzelne Gate-Leitung GL gemeinsam nutzen. Das heißt, der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET können dasselbe Gate-Signal empfangen, das von derselben Gate-Leitung GL angelegt wird. Obwohl für die Bequemlichkeit der Erläuterung das an die Gate-Elektrode des Schalttransistors SWT angelegte Gate-Signal als Abtastsignal SCAN bezeichnet wird, während das an die Gate-Elektrode des Erfassungstransistors SET angelegte Gate-Signal als Erfassungssignal SENSE bezeichnet wird, soll selbstverständlich sein, dass das Abtastsignal SCAN und das Erfassungssignal SENSE, die an ein Subpixel SP angelegt werden, dasselbe Signal sind, das von derselben Gate-Leitung GL übertragen wird.
Mit Bezug auf 2 kann die Anzeigevorrichtung 100 einen Analog-Digital-Wandler ADC, der Erfassungsdaten durch Spannungserfassung erzeugt, um charakteristische Werte des Ansteuertransistors DT zu bestimmen, und sie ausgibt; einen Kompensator 160, der die charakteristischen Werte des Ansteuertransistors DT unter Verwendung der Erfassungsdaten bestimmt, die aus dem Analog-Digital-Wandler ADC ausgegeben werden, und einen Kompensationsprozess durchführt, um die charakteristischen Werte des Ansteuertransistors DT zu kompensieren; einen Digital-Analog-Wandler DAC, der die Datenspannung Vdata in einen digitalen Wert umwandelt und ihn ausgibt; und einen Detektor 170, der die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT erfasst und detektiert, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss, d. h. der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT, besteht, umfassen. Obwohl in 2 nicht gezeigt, kann das Subpixel außerdem ferner einen Speicher zum Speichern von Erfassungsdaten und eines Kompensationswerts umfassen, der auf der Basis der Kompensationsverarbeitungsergebnisse berechnet wird. Der Analog-Digital-Wandler ADC und der Digital-Analog-Wandler DAC können im Datentreiber 130 enthalten sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Außerdem können der Kompensator 160 und der Detektor 170 in der Zeitablaufsteuereinheit 140 enthalten sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Mit Bezug auf 2 kann der Datentreiber 130 einen Initialisierungsschalter SPRE, der steuert, ob eine Referenzspannung Vref an eine Referenzspannungsleitung RVL angelegt werden soll, und einen Abtastschalter SAM, der steuert, ob zwischen der Referenzspannungsleitung RVL und dem Analog-Digital-Wandler ADC verbunden werden soll, umfassen. Es soll jedoch selbstverständlich sein, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt ist. Der Initialisierungsschalter SPRE und der Abtastschalter SAM können außerhalb des Datentreibers 130 angeordnet sein.
Der Initialisierungsschalter SPRE ist ein Schalter, der das Anlegen einer Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT im Subpixel SP steuert, so dass die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT die gewünschten charakteristischen Werte der Schaltungselemente, d. h. die charakteristischen Werte des Ansteuertransistors DT, widerspiegelt. Wenn der Initialisierungsschalter SPRE eingeschaltet wird, kann der Initialisierungsschalter SPRE mit der Referenzspannungsleitung RVL verbunden werden, um die Referenzspannung Vref an den Erfassungstransistor SET anzulegen. Folglich kann die Referenzspannung Vref an die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT durch den eingeschalteten Erfassungstransistor SET angelegt werden.
Wenn der Abtastschalter SAM eingeschaltet wird, verbindet er die Referenzspannungsleitung RVL mit dem Analog-Digital-Wandler ADC. Um die Spannung vom Erfassungstransistor SET, der die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT erfasst hat, zum Kompensator 160 zu übertragen, kann der Ein-Aus-Zeitpunkt des Abtastschalters SAM so gesteuert werden, dass er eingeschaltet wird, wenn die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT gewünschte charakteristische Werte der Schaltungselemente widerspiegelt. Wenn der Abtastschalter SAM eingeschaltet wird, kann der Analog-Digital-Wandler ADC die Spannung der verbundenen Referenzspannungsleitung RVL erfassen.
Wenn der Analog-Digital-Wandler ADC die Spannung der Referenzspannungsleitung RVL erfasst, wenn der Erfassungstransistor SET eingeschaltet wird und die Widerstandskomponente des Ansteuertransistors DT ignorierbar ist, kann die durch den Analog-Digital-Wandler ADC erfasste Spannung gleich der Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT sein. Die durch den Analog-Digital-Wandler ADC erfasste Spannung kann beispielsweise eine Spannung zum Erfassen der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT und/oder der Mobilität α des Ansteuertransistors DT sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Der Kompensator 160 kann die Bilddaten über den Prozess des Kompensierens der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT oder der Mobilität α des Ansteuertransistors DT ändern, um die geänderten Daten zum Datentreiber 130 zuzuführen. Folglich wandelt der Datentreiber 130 die geänderten Daten in eine Datenspannung Vdata durch den Digital-Analog-Wandler DAC um und führt sie zum jeweiligen Subpixel SP zu, wodurch der Kompensationsprozess durchgeführt wird.
Der Detektor 170 kann auf der Basis der Ergebnisse der Erfassung der Schwellenspannung Vth und der Mobilität des Ansteuertransistors DT detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss, d. h. der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT, besteht. Mit anderen Worten, der Detektor 170 kann detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen den zwei Elektroden des Speicherkondensators SC besteht. Der Detektor 170 wird später mit Bezug auf 4 bis 7B genauer beschrieben.
Mit Rückkehr zu 2 kann ein Schalter SW zwischen dem Datentreiber 130 und der Datenleitung DL angeordnet sein. Insbesondere können mehrere Schalter SW zwischen dem Datentreiber 130 und den Datenleitungen DL angeordnet sein, die die Datenspannung Vdata vom Datentreiber 130 zu den Subpixeln SP übertragen, um die elektrische Verbindung zwischen dem Datentreiber 130 und den Datenleitungen DL umzuschalten. Wenn der Schalter SW eingeschaltet wird, wird der Datentreiber 130 mit der Datenleitung DL verbunden, und wenn der Schalter SW ausgeschaltet wird, wird der Datentreiber 130 nicht mit der Datenleitung DL verbunden. Wenn der Schalter SW ausgeschaltet wird, wird folglich keine Spannung an die Drain-Elektrode des Schalttransistors SWT angelegt, so dass derselbe Effekt wie jener erreicht werden kann, der erhalten wird, wenn die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist.
Nachstehend wird eine Anordnungsbeziehung zwischen mehreren Subpixeln SP und einer Referenzspannungsleitung RVL mit Bezug auf 3 beschrieben.
3 ist ein Schaltplan eines einzelnen Pixels PX mit vier Subpixeln SP einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Mit Bezug auf 3 umfasst das einzelne Pixel PX vier Subpixel SP. Das Pixel PX kann beispielsweise ein erstes Subpixel SP1, ein zweites Subpixel SP2, ein drittes Subpixel SP3 und ein viertes Subpixel SP4 umfassen, wie in 3 gezeigt. Das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 können beispielsweise ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel, ein blaues Subpixel bzw. ein weißes Subpixel sein, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
Mit Bezug auf 3 nutzen das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 gemeinsam eine Referenzspannungsleitung RVL. Das heißt, der Erfassungstransistor SET des ersten Subpixels SP1, der Erfassungstransistor SET des zweiten Subpixels SP2, der Erfassungstransistor SET des dritten Subpixels SP3 und der Erfassungstransistor SET des vierten Subpixels SP4 können alle mit der einzelnen Referenzspannungsleitung RVL verbunden sein. In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Anzahl von Referenzspannungsleitungen RVL verringert, um den Entwurf der Anzeigevorrichtung 100 zu vereinfachen und das Öffnungsverhältnis zu erhöhen.
Obwohl alle des ersten Subpixels SP1, des zweiten Subpixels SP2, des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 die einzelne Referenzspannungsleitung RVL in dem in 3 gezeigten Beispiel gemeinsam nutzen, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt. In Abhängigkeit vom Entwurf des Anzeigefeldes 110 können zwei Subpixel SP eine Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen, drei Subpixel SP können eine Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen und fünf oder mehr Subpixel SP können gemeinsam nutzen eine Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen.
In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nutzen das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 gemeinsam die einzelne Referenzspannungsleitung RVL. Das heißt, der Erfassungstransistor SET des ersten Subpixels SP1, der Erfassungstransistor SET des zweiten Subpixels SP2, der Erfassungstransistor SET des dritten Subpixels SP3 und der Erfassungstransistor SET des vierten Subpixels SP4 können alle mit der einzelnen Referenzspannungsleitung RVL verbunden sein. Wenn eines der Subpixel SP ein fehlerhaftes Subpixel ist, in dem ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT gebildet ist, kann daher ein Fehler bei der Erfassung der anderen Subpixel SP auftreten, die die Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen. Folglich ist es erforderlich, ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT genau zu detektieren.
Nachstehend wird in der Anzeigevorrichtung 100 und in dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Detektor 170 zum Detektieren eines fehlerhaften Subpixels, in dem ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT gebildet ist, mit Bezug auf 4 bis 7B genauer beschrieben.
4 ist ein Wellenformdiagramm zum Erläutern einer Anzeigevorrichtung und eines Verfahrens zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 5A und 5B sind Schaltpläne, die einen Prozess zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen. 4 ist ein Wellenformdiagramm zum Erläutern eines Prozesses zum Erfassen einer Schwellenspannung Vth eines Ansteuertransistors DT eines einzelnen Subpixels SP. In dem in 5A und 5B gezeigten Beispiel ist das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT, während das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 normale Subpixel ohne Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT sind. 5A ist ein Schaltplan zum Erläutern eines Prozesses zum Erfassen der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT des fehlerhaften zweiten Subpixels SP2. 5B ist ein Schaltplan zum Erläutern eines Prozesses zum Erfassen der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT des normalen ersten Subpixels SP1. 5A und 5B sind Schaltpläne während einer dritten Zeitdauer T3.
Mit anfänglichem Bezug auf 4 wird ein Prozess zum Erfassen der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors beschrieben. Die Weise zum Erfassen der Schwellenspannung Vth, die in 4 gezeigt ist, wird auch als Source-Folger-Topologie bezeichnet.
Während einer ersten Zeitdauer T1 wird der Initialisierungsschalter SPRE eingeschaltet und der Abtastschalter SAM wird ausgeschaltet, so dass der Gate-Treiber 120 eine hohe Gate-Spannung, die ein Einschaltsignal ist, an den Erfassungstransistor SET und den Schalttransistor SWT durch die Gate-Leitung GL anlegt. Folglich werden sowohl der Schalttransistor SWT als auch der Erfassungstransistor SET durch das Abtastsignal SCAN und das Erfassungssignal SENSE eingeschaltet. Wenn der Initialisierungsschalter SPRE eingeschaltet wird, kann folglich die Referenzspannung Vref zur Referenzspannungsleitung RVL zugeführt werden und an die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT durch den eingeschalteten Erfassungstransistor SET angelegt werden. Außerdem kann die Datenspannung Vdata vom Datentreiber 130 an den Schalttransistor SWT durch die Datenleitung DL angelegt werden und die Datenspannung Vdata kann an die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT durch den eingeschalteten Schalttransistor SWT angelegt werden.
Anschließend wird während einer zweiten Zeitdauer T2 der Initialisierungsschalter SPRE ausgeschaltet, so dass die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist. Das heißt, das Anlegen der Referenzspannung Vref an den Erfassungstransistor SET wird durch den Initialisierungsschalter SPRE abgeschaltet. Folglich steigt die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT an. Die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT wird für eine bestimmte Zeitdauer erhöht und die Erhöhungsrate wird allmählich verringert, bis die Spannung gesättigt ist. Die gesättigte Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT kann gleich der Differenz zwischen der Datenspannung Vdata und der Schwellenspannung Vth sein.
Wenn die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT gesättigt ist, wird der Abtastschalter SAM während der dritten Zeitdauer T3 eingeschaltet. Wenn der Abtastschalter SAM eingeschaltet wird, wird der Erfassungstransistor SET mit dem Analog-Digital-Wandler ADC durch die Referenzspannungsleitung RVL verbunden. Folglich wird die gesättigte Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT zum Kompensator 160 und zum Detektor 170 durch den Abtastschalter SAM und den Analog-Digital-Wandler ADC zugeführt. Folglich erfasst der Kompensator 160 die gesättigte Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT. Die durch den Kompensator 160 erfasste Spannung kann gleich einer Spannung sein, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung Vth von der Datenspannung Vdata (Vdata-Vth) erhalten wird.
Mit Bezug auf 5A wird, um die Schwellenspannung Vth des zweiten Subpixels SP2 zu erfassen, die Datenspannung Vdata an das zweite Subpixel SP2 durch die Datenleitung DL angelegt, während die Datenspannung Vdata nicht an das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 angelegt werden, kann, sondern 0 V an diese angelegt werden kann. Folglich werden die Ansteuertransistoren DT des ersten Subpixels SP1, des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 alle ausgeschaltet und kein Signal wird zur Referenzspannungsleitung RVL vom ersten Subpixel SP1, vom dritten Subpixel SP3 und vom vierten Subpixel SP4 übertragen. Da ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT gebildet ist, das heißt die beiden Elektroden des Speicherkondensators SC im zweiten Subpixel SP2 miteinander verbunden sind, wird dagegen die Datenspannung Vdata zur Referenzspannungsleitung RVL als solche während der dritten Zeitdauer T3 übertragen. Folglich kann erfasst werden, dass das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel oder ein normales Subpixel ist.
Mit Bezug auf 5B wird als nächstes, um die Schwellenspannung Vth des ersten Subpixels SP1 zu erfassen, die Datenspannung Vdata an das erste Subpixel SP1 durch die Datenleitung DL angelegt, während die Datenspannung Vdata nicht an das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 angelegt werden kann, sondern 0 V an diese angelegt werden kann. Folglich werden die Ansteuertransistoren DT des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 alle ausgeschaltet und kein Signal wird zur Referenzspannungsleitung RVL vom dritten Subpixel SP3 und vom vierten Subpixel SP4 übertragen. Im Übrigen soll, da die Datenspannung Vdata nicht angelegt wird, sondern 0 V an den Ansteuertransistor DT des zweiten Subpixels SP2 angelegt wird, der Ansteuertransistor DT ausgeschaltet werden. Da jedoch ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT des zweiten Subpixels SP2 gebildet ist, das heißt ein Kurzschluss zwischen den beiden Elektroden des Speicherkondensators SC gebildet ist, kann eine Spannung nahe 0 V, d. h. eine Unterlaufspannung, zur Referenzspannungsleitung RVL als solche während der dritten Zeitdauer T3 übertragen werden. Folglich kann das erste Subpixel SP1, das ein normales Subpixel ist, aufgrund des fehlerhaften zweiten Subpixels SP2 als fehlerhaftes Subpixel erfasst werden. Wenn die Schwellenspannung Vth von jedem des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 erfasst wird, die normale Subpixel sind, können sie ebenso aufgrund des zweiten Subpixels SP2 als fehlerhafte Subpixel erfasst werden, das ein fehlerhaftes Subpixel ist.
Um es zu rekapitulieren, während des Prozesses der Erfassung der Schwellenspannung Vth der Ansteuertransistoren DT kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT als normales Subpixel erfasst werden, wohingegen ein normales Subpixel mit keinem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT als fehlerhaftes Subpixel erfasst werden kann.
Der Detektor 170 kann die Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT auf der Basis der vorstehend mit Bezug auf 4 beschriebenen Source-Folger-Topologie erfassen und kann die Erfassungsergebnisse darin oder in einem Speicher speichern.
Der Kompensator 160 identifiziert die Schwellenspannung Vth oder eine Änderung in der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT im Subpixel SP auf der Basis des gelieferten Erfassungssignals SENSE und kann den Prozess des Kompensierens der Schwellenspannung Vth durchführen. Folglich kann die kompensierte Datenspannung Vdata an die Datenleitung DL durch den Digital-Analog-Wandler DAC ausgegeben werden.
6 ist ein Wellenformdiagramm zum Erläutern einer Anzeigevorrichtung und eines Verfahrens zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 7A und 7B sind Schaltpläne, die einen Prozess zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen. 6 ist ein Wellenformdiagramm zum Erläutern eines Prozesses der Erfassung der Mobilität α eines Ansteuertransistors DT eines Subpixels SP. In dem in 7A und 7B gezeigten Beispiel ist das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT, während das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 normale Subpixel ohne Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT sind. 7A ist ein Schaltplan zum Erläutern eines Prozesses zum Erfassen der Mobilität α des Ansteuertransistors DT des zweiten Subpixels SP2, das ein fehlerhaftes Subpixel ist. 7B ist ein Schaltplan zum Erläutern eines Prozesses zum Erfassen der Mobilität α des Ansteuertransistors DT des ersten Subpixels SP1, das ein normales Subpixel ist. 7A und 7B sind Schaltpläne während einer vierten Zeitdauer T4.
Mit anfänglichem Bezug auf 6 wird ein Prozess zum Erfassen der Mobilität α des Ansteuertransistors DT beschrieben.
Während einer ersten Zeitdauer T1 wird der Initialisierungsschalter SPRE eingeschaltet und der Abtastschalter SAM wird ausgeschaltet, so dass der Gate-Treiber 120 eine hohe Gate-Spannung, die ein Einschaltsignal ist, an den Erfassungstransistor SET und den Schalttransistor SWT durch die Gate-Leitung GL anlegt. Folglich werden sowohl der Schalttransistor SWT als auch der Erfassungstransistor SET durch das Abtastsignal SCAN und das Erfassungssignal SENSE eingeschaltet. Wenn der Initialisierungsschalter SPRE eingeschaltet wird, kann folglich die Referenzspannung Vref zur Referenzspannungsleitung RVL zugeführt werden und an die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT durch den eingeschalteten Erfassungstransistor SET angelegt werden. Außerdem kann die Datenspannung Vdata vom Datentreiber 130 an den Schalttransistor SWT durch die Datenleitung DL angelegt werden, und die Datenspannung Vdata kann an die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT durch den eingeschalteten Schalttransistor SWT angelegt werden.
Anschließend wird ein Schalter SW während einer zweiten Zeitdauer T2 ausgeschaltet. Folglich wird die elektrische Verbindung zwischen dem Datentreiber 130 und der Datenleitung DL entfernt. Wenn der Schalter SW ausgeschaltet wird, ist die Drain-Elektrode des Schalttransistors SWT potentialfrei und folglich wird derselbe Effekt wie jener erreicht, der erhalten wird, wenn der Schalttransistor SWT ausgeschaltet wird. Insbesondere selbst wenn das Abtastsignal SCAN auch zur Gate-Elektrode des Schalttransistors SWT, der sich dieselbe Gate-Leitung GL teilt, als hohe Gate-Spannung aufgrund des zugeführten Gate-Signals zugeführt wird, um den Erfassungstransistor SET einzuschalten, kann durch Ausschalten des Schalters SW derselbe Effekt wie jener erreicht werden, der erhalten wird, wenn die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist. Wie in 6 gezeigt, obwohl das Abtastsignal SCAN, das an den Schalttransistor SWT angelegt wird, tatsächlich die hohe Gate-Spannung während der zweiten Zeitdauer T2, der dritten Zeitdauer T3 und der vierten Zeitdauer T4 ist, wird folglich durch Ausschalten des Schalters SW das Abtastsignal SCAN, das an den Schalttransistor SWT angelegt wird, in ein Signal SCAN' umgewandelt, das in 6 gezeigt ist, und folglich kann es als niedrige Gate-Spannung während der zweiten Zeitdauer T2, der dritten Zeitdauer T3 und der vierten Zeitdauer T4 betrachtet werden.
Während einer dritten Zeitdauer T3 wird anschließend der Initialisierungsschalter SPRE ausgeschaltet, so dass die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist. Das heißt, das Anlegen der Referenzspannung Vref an den Erfassungstransistor SET wird durch den Initialisierungsschalter SPRE abgeschaltet. Folglich steigt die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT an. Die Zunahmerate der Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT bezieht sich auf die Stromfähigkeit des Ansteuertransistors DT, d. h. die Mobilität α. Daher gilt, je größer die Mobilität α des Ansteuertransistors DT ist, desto steiler nimmt die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT zu. Die Zunahmerate der Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT kann als Spannungsänderungsbetrag über die Zeit definiert werden.
Wenn eine bestimmte Zeitdauer abläuft, seitdem die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist, wird der Abtastschalter SAM während der vierten Zeitdauer T4 eingeschaltet. Wenn der Abtastschalter SAM eingeschaltet wird, wird der Erfassungstransistor SET mit dem Analog-Digital-Wandler ADC durch die Referenzspannungsleitung RVL verbunden. Folglich wird die erhöhte Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT zum Kompensator 160 und zum Detektor 170 durch den Abtastschalter SAM und den Analog-Digital-Wandler ADC während der vierten Zeitdauer T4 zugeführt. Folglich erfasst der Kompensator 160 die Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT.
Mit Bezug auf 7A werden, wenn die Mobilität α des zweiten Subpixels SP2 erfasst wird, wenn der Schalter SW ausgeschaltet wird, die Schalttransistoren SWT des ersten Subpixels SP1, des zweiten Subpixels SP2, des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 alle so, als ob sie ausgeschaltet werden. Da zu dieser Zeit der Schalttransistor SWT ausgeschaltet ist, kann erfasst werden, dass das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel ist, das einen Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT aufweist.
Mit Bezug auf 7B werden anschließend, wenn die Mobilität α des ersten Subpixels SP1 erfasst wird, wenn der Schalter SW ausgeschaltet wird, die Schalttransistoren SWT des ersten Subpixels SP1, des zweiten Subpixels SP2, des dritten Subpixels SP3 und des vierten Subpixels SP4 alle so, als ob sie ausgeschaltet werden. Da zu dieser Zeit der Schalttransistor SWT ausgeschaltet ist, kann erfasst werden, dass das erste Subpixel SP1 ein normales Subpixel ist, das keinen Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT aufweist.
Um es zu rekapitulieren, während des Prozesses der Erfassung der Mobilität α des Ansteuertransistors DT kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT als fehlerhaftes Subpixel erfasst werden, wohingegen ein normales Subpixel ohne Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT als normales Subpixel erfasst werden kann.
Wie vorstehend beschrieben, kann der Detektor 170 die Mobilität α des Ansteuertransistors DT erfassen und kann die Erfassungsergebnisse darin oder in einem Speicher speichern.
Der Detektor 170 kann die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT von jedem der mehreren Subpixel SP, die die einzelne Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen, erfassen, um dadurch zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT besteht. Der Detektor 170 kann beispielsweise die Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT von jedem der mehreren Subpixel SP erfassen und kann die Mobilität α des Ansteuertransistors DT erfassen, in dem die Schwellenspannung Vth kompensiert wird, um dadurch ein Subpixel SP zu detektieren, in dem ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT gebildet ist.
Wenn beispielsweise das erste Subpixel SP1 und das zweite Subpixel SP2 eine Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen, wenn detektiert wird, dass das erste Subpixel SP1 ein fehlerhaftes Subpixel ist und das zweite Subpixel SP2 ein normales Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT, und dass das erste Subpixel SP1 ein normales Subpixel ist und das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Mobilität α des Ansteuertransistors DT, kann bestimmt werden, dass ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT des zweiten Subpixels SP2 besteht.
Wenn beispielsweise das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 eine Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen, wenn detektiert wird, dass das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 fehlerhafte Subpixel sind und das zweite Subpixel SP2 ein normales Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT, und dass das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 normale Subpixel sind und das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Mobilität α des Ansteuertransistors DT, kann bestimmt werden, dass ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT des zweiten Subpixels SP2 besteht.
Wie vorstehend beschrieben, kann, wenn ein fehlerhaftes Subpixel durch den Detektor 170 detektiert wird, der Kompensator 160 die Kompensation durch Anlegen eines Kompensationswerts eines normalen Subpixels an ein fehlerhaftes Subpixel, um es zu normieren, durchführen oder kann die Kompensation durch Anlegen der Datenspannung Vdata des fehlerhaften Subpixels als gleichen Wert wie die Referenzspannung Vref durchführen, um die Spannungsänderung der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT des fehlerhaften Subpixels während der Aufladung des normalen Subpixels zu entfernen. Es soll jedoch selbstverständlich sein, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt ist. Der Kompensator 160 kann das fehlerhafte Subpixel in einer Vielfalt von Kompensationsverfahren kompensieren.
Gemäß der Anzeigevorrichtung 100 und dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in einer solchen Weise zu erfassen, dass die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist, selbst wenn der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET eine Gate-Leitung GL gemeinsam nutzen. Um die Mobilität α des Ansteuertransistors DT zu erfassen, muss der Erfassungstransistor SET eingeschaltet werden und die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT muss potentialfrei sein. Wenn jedoch der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET eine Gate-Leitung GL zum Ansteuern von DRD (Ansteuerung mit doppelter Rate) oder Erreichen des Öffnungsverhältnisses gemeinsam nutzen, wird eine hohe Gate-Spannung durch die Gate-Leitung GL übertragen, um den Erfassungstransistor SET einzuschalten, und die gleiche hohe Gate-Spannung wird an den Schalttransistor SWT angelegt. Wenn der Schalttransistor SWT eingeschaltet wird, kann folglich die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT aufgrund der Datenspannung Vdata nicht potentialfrei sein, die durch die Datenleitung DL übertragen wird. In dieser Hinsicht sind in der Anzeigevorrichtung 100 und im Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mehrere Schalter SW zum Entfernen der elektrischen Verbindung zwischen dem Datentreiber 130 und den mehreren Datenleitungen DL angeordnet. Folglich kann, selbst wenn die hohe Gate-Spannung an den Schalttransistor SWT durch die Gate-Leitung GL angelegt wird, durch Ausschalten des Schalters SW derselbe Effekt wie jener erreicht werden, der erhalten wird, wenn die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist, um die Datenspannung Vdata zu entfernen, die an den Schalttransistor SWT angelegt wird. Gemäß der Anzeigevorrichtung 100 und dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es folglich möglich, die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in einer solchen Weise zu erfassen, dass die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DT potentialfrei ist, selbst wenn der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET eine Gate-Leitung GL gemeinsam nutzen.
Gemäß der Anzeigevorrichtung 100 und dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es außerdem möglich, auf der Basis der Ergebnisse der Erfassung der Schwellenspannung Vth und der Mobilität α des Ansteuertransistors DT zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT besteht, selbst wenn der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET eine Gate-Leitung GL gemeinsam nutzen und mehrere Subpixel SP die einzelne Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen. Wenn beispielsweise das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT ist, während das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 normale Subpixel ohne Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT sind, da das erste Subpixel SP1, das zweite Subpixel SP2, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 die Referenzspannungsleitung RVL gemeinsam nutzen, wie mit Bezug auf 4 bis 5B beschrieben, kann das zweite Subpixel SP2 als normales Subpixel bestimmt werden, während als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 als fehlerhafte Subpixel bestimmt werden können.
In der Anzeigevorrichtung 100 und im Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist es jedoch möglich, ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Ergebnisse der Erfassung der Schwellenspannung Vth sowie der Mobilität α des Ansteuertransistors DT genau zu detektieren, wie vorstehend beschrieben. Insbesondere wie vorstehend mit Bezug auf 6 bis 7B beschrieben, wenn nur das zweite Subpixel SP2 ein fehlerhaftes Subpixel ist, können das erste Subpixel SP1, das dritte Subpixel SP3 und das vierte Subpixel SP4 als normale Subpixel detektiert werden, während das zweite Subpixel SP2 als Ergebnis der Erfassung der Mobilität α des Ansteuertransistors DT als fehlerhaftes Subpixel detektiert werden kann. Wenn ein spezielles Subpixel SP als normales Subpixel detektiert wird, während die anderen Subpixel SP, die die Referenzspannungsleitung RVL mit dem speziellen Subpixel SP gemeinsam nutzen, als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT als fehlerhafte Subpixel detektiert werden, und das spezielle Subpixel SP als fehlerhaftes Subpixel detektiert wird, während die anderen Subpixel SP, die die Referenzspannungsleitung RVL mit dem speziellen Subpixel SP gemeinsam nutzen, als Ergebnis der Erfassung der Mobilität (α) des Ansteuertransistors DT als normale Subpixel detektiert werden, kann daher bestimmt werden, dass das spezielle Subpixel SP ein fehlerhaftes Subpixel ist, während die anderen Subpixel SP normale Subpixel sind. In dieser Weise ist es in der Anzeigevorrichtung 100 und im Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung möglich, ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Ergebnisse der Erfassung der Schwellenspannung Vth sowie der Mobilität α des Ansteuertransistors DT für mehrere Subpixel SP genau zu detektieren.
8 ist ein Diagramm zum Darstellen von Zeitpunkten zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in einer Anzeigevorrichtung und eines Verfahrens zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Typischerweise können die Zeitpunkte zum Detektieren eines normalen Subpixels und eines fehlerhaften Subpixels in Zeitpunkte, bevor und nachdem die Anzeigevorrichtung 100 herausgegeben wird, aufgeteilt werden. Bevor die Anzeigevorrichtung 100 herausgegeben wird, wird detektiert, ob ein fehlerhaftes Subpixel vorhanden ist, und der Kompensationswert für dieses wird im Voraus widergespiegelt, um die Kompensation für das fehlerhafte Subpixel zur Zeit der Herausgabe der Anzeigevorrichtung 100 zu vollenden.
Ein fehlerhaftes Subpixel kann jedoch später erzeugt werden, nachdem die Anzeigevorrichtung 100 herausgegeben ist. In dieser Hinsicht ist es gemäß der Anzeigevorrichtung 100 und dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung möglich, ein fehlerhaftes Subpixel zu detektieren, selbst nachdem die Anzeigevorrichtung 100 herausgegeben ist. Insbesondere kann der Detektor 170 ein fehlerhaftes Subpixel in einem EIN-RF-Modus, der in einer Einschaltsequenz durchgeführt wird, in einem RT-Modus, der in vertikalen Lücken VB zwischen aktiven Perioden AT während der Anzeigeansteuerperiode durchgeführt wird, und in einem AUS-RS-Modus, der in einer Ausschaltsequenz durchgeführt wird, detektieren.
Im EIN-RF-Modus kann, wenn ein Einschaltsignal in der Anzeigevorrichtung 100 erzeugt wird und folglich die Anzeigevorrichtung 100 eingeschaltet wird, der Detektor 170 die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in jedem der Subpixel SP erfassen und kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Erfassungsergebnisse detektieren.
Im RT-Modus kann während der Anzeigeansteuerperiode, wenn Bilder angezeigt werden, der Detektor 170 die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in jedem der Subpixel SP detektieren und kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Erfassungsergebnisse detektieren. Insbesondere kann der Detektor 170 in jedem Rahmen während der vertikalen Lücken die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in jedem der Subpixel SP erfassen und kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Erfassungsergebnisse detektieren.
Im AUS-RS-Modus kann, wenn ein Ausschaltsignal in der Anzeigevorrichtung 100 erzeugt wird und folglich die Anzeigevorrichtung 100 ausgeschaltet wird, der Detektor 170 die Schwellenspannung Vth und die Mobilität α des Ansteuertransistors DT in jedem der Subpixel SP erfassen und kann ein fehlerhaftes Subpixel mit einem Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT auf der Basis der Erfassungsergebnisse detektieren.
Wie vorstehend beschrieben, kann in der Anzeigevorrichtung 100 und bei dem Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Detektor 170 ein fehlerhaftes Subpixel in irgendeinem des EIN-RF-Modus, des RT-Modus und des AUS-RS-Modus detektieren. Da jedoch die Sättigungszeit der Spannung an der Source-Elektrode des Ansteuertransistors DT erforderlich ist, kann es während des Prozesses der Erfassung der Schwellenspannung Vth des Ansteuertransistors DT viel Zeit dauern. In dieser Hinsicht kann in der Anzeigevorrichtung 100 und im Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Detektor 170 vorzugsweise ein fehlerhaftes Subpixel im AUS-RS-Modus detektieren, in dem die Anzeigeansteuerung nicht durchgeführt wird.
Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Anzeigefeld mit mehreren Subpixeln, die eine einzelne Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen, wobei jedes der Subpixel einen Schalttransistor, einen Ansteuertransistor, einen Erfassungstransistor, einen Speicherkondensator und ein Lichtemissionselement umfasst; einen Datentreiber, der konfiguriert ist, eine Datenspannung zu den mehreren Subpixeln zuzuführen; einen Gate-Treiber, der konfiguriert ist, ein Gate-Signal zu den mehreren Subpixeln zuzuführen; eine Zeitablaufsteuereinheit, die konfiguriert ist, den Datentreiber und den Gate-Treiber zu steuern; und einen Detektor, der konfiguriert ist, eine Schwellenspannung und eine Mobilität des Ansteuertransistors zu erfassen, um zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht.
Die Zeitablaufsteuereinheit kann den Detektor umfassen.
Eine Gate-Elektrode des Erfassungstransistors und eine Gate-Elektrode des Schalttransistors können mit derselben Gate-Leitung verbunden sein.
Der Detektor kann konfiguriert sein, die Schwellenspannung des Ansteuertransistors zu erfassen, die Mobilität des Ansteuertransistors zu erfassen, nachdem seine Schwellenspannung kompensiert wurde, und zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht.
Der Detektor kann die Schwellenspannung des Ansteuertransistors auf der Basis einer Source-Folger-Topologie erfassen.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner mehrere Datenleitungen zum Übertragen der Datenspannung vom Datentreiber zu den mehreren Subpixeln; und mehrere Schalter zum Schalten von elektrischen Verbindungen zwischen dem Datentreiber und den mehreren Datenleitungen umfassen.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner einen Initialisierungsschalter, der mit der Referenzspannungsleitung verbunden ist, um eine Referenzspannung an den Erfassungstransistor anzulegen; und einen Abtastschalter, der konfiguriert ist, eine Spannung vom Erfassungstransistor zum Detektor zu übertragen, umfassen, wobei der Detektor die Mobilität des Ansteuertransistors von einer ersten Zeitdauer bis zu einer vierten Zeitdauer erfassen kann, wobei während der ersten Zeitdauer der Gate-Treiber ein Einschaltsignal an den Erfassungstransistor und den Schalttransistor anlegen kann, der Datentreiber die Datenspannung an den Schalttransistor anlegen kann und die Referenzspannung an den Erfassungstransistor durch den Initialisierungsschalter angelegt werden kann, wobei während der zweiten Zeitdauer die mehreren Schalter ausgeschaltet werden können, um die elektrische Verbindung zwischen dem Datentreiber und den mehreren Datenleitungen zu entfernen, wobei das Anlegen der Referenzspannung an den Erfassungstransistor durch den Initialisierungsschalter während der dritten Zeitdauer abgeschaltet werden kann, und wobei während der vierten Zeitdauer eine Spannung am Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors zum Detektor durch den Abtastschalter übertragen werden kann.
Die mehreren Subpixel können ein erstes Subpixel und ein zweites Subpixel umfassen, und wobei der Detektor konfiguriert sein kann, zu bestimmen, dass ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors des zweiten Subpixels besteht, wenn detektiert wird, dass das erste Subpixel ein fehlerhaftes Subpixel ist, während das zweite Subpixel ein normales Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung des Ansteuertransistors, und dass das erste Subpixel ein normales Subpixel sein kann, während das zweite Subpixel ein fehlerhaftes Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Mobilität des Ansteuertransistors.
Der Detektor kann konfiguriert sein zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht, nachdem ein Ausschaltsignal der Anzeigevorrichtung erzeugt wird.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung die Schritte des Erfassens einer Schwellenspannung eines Ansteuertransistors von jedem von mehreren Subpixeln, die eine einzelne Referenzspannungsleitung gemeinsam nutzen; des Kompensierens der Schwellenspannung des Ansteuertransistors auf der Basis von Ergebnissen der Erfassung der Schwellenspannung des Ansteuertransistors; des Erfassens der Mobilität des Ansteuertransistors; und des Bestimmens, ob ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht, auf der Basis von Ergebnissen der Erfassung der Schwellenspannung und der Mobilität des Ansteuertransistors.
Der Schritt des Erfassens der Schwellenspannung des Ansteuertransistors und der Schritt des Erfassens der Mobilität des Ansteuertransistors können das Anlegen eines gleichen Gate-Signals an den Schalttransistor und den Erfassungstransistor von jedem der mehreren Subpixel umfassen.
Der Schritt des Erfassens der Schwellenspannung des Ansteuertransistors und der Schritt des Kompensierens der Schwellenspannung des Ansteuertransistors können vor dem Schritt des Erfassens der Mobilität des Ansteuertransistors durchgeführt werden.
Der Schritt des Bestimmens, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht, kann das Anlegen eines Einschaltsignals an einen Erfassungstransistor und einen Schalttransistor von jedem der mehreren Subpixel, einer Datenspannung an den Schalttransistor und einer Referenzspannung an den Erfassungstransistor; das Abschalten des Anlegens der Datenspannung an den Schalttransistor, das Abschalten des Anlegens der Referenzspannung an den Erfassungstransistor; und das Erfassen einer Spannung am Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors durch den Erfassungstransistor umfassen.
Die mehreren Subpixel können ein erstes Subpixel, ein zweites Subpixel, ein drittes Subpixel und ein viertes Subpixel umfassen, und wobei der Schritt des Bestimmens, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors besteht, das Bestimmen, dass ein Kurzschluss zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors des zweiten Subpixels besteht, wenn detektiert wird, dass das erste Subpixel, das dritte Subpixel und das vierte Subpixel fehlerhafte Subpixel sind, während das zweite Subpixel ein normales Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung des Ansteuertransistors, und dass das erste Subpixel, das dritte Subpixel und das vierte Subpixel normale Subpixel sind, während das zweite Subpixel ein fehlerhaftes Subpixel ist, als Ergebnis der Erfassung der Mobilität des Ansteuertransistors umfasst.
Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt und kann in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur für Erläuterungszwecke vorgesehen, aber sollen das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Daher sollte selbstverständlich sein, dass die vorstehend beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Basis der folgenden Ansprüche aufgefasst werden, und alle technischen Konzepte im äquivalenten Schutzbereich davon sollten als in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung fallend aufgefasst werden.

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Anzeigefeld (110) mit mehreren Subpixeln (SP), die eine einzelne Referenzspannungsleitung (RVL) gemeinsam nutzen, wobei jedes der Subpixel (SP) einen Schalttransistor (SWT), einen Ansteuertransistor (DT), einen Erfassungstransistor (SET), einen Speicherkondensator (SC) und ein Lichtemissionselement (150) umfasst; einen Datentreiber (130), der konfiguriert ist, den mehreren Subpixeln (SP) eine Datenspannung (Vdata) zuzuführen; einen Gate-Treiber (120), der konfiguriert ist, den mehreren Subpixeln (SP) ein Gate-Signal (SCAN) zuzuführen; eine Zeitablaufsteuereinheit (140), die konfiguriert ist, den Datentreiber (120) und den Gate-Treiber (130) zu steuern; und einen Detektor (170), der konfiguriert ist, eine Schwellenspannung (V_TH) und eine Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) zu erfassen, um zu detektieren, ob zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) ein Kurzschluss besteht.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Zeitablaufsteuereinheit (140) den Detektor (170) umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Gate-Elektrode des Erfassungstransistors (SET) und eine Gate-Elektrode des Schalttransistors (SWT) mit der gleichen Gate-Leitung (GL) verbunden sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Detektor (170) konfiguriert ist, die Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) zu erfassen, die Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) zu erfassen, nachdem seine Schwellenspannung (V_TH) kompensiert wurde, und zu detektieren, ob ein Kurzschluss zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) besteht, und/oder wobei der Detektor (170) konfiguriert ist, die Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) auf der Basis einer Source-Folger-Topologie zu erfassen.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: mehrere Datenleitungen (DL) zum Übertragen der Datenspannung (Vdata) vom Datentreiber (130) zu den mehreren Subpixeln (SP); und mehrere Schalter (SW) zum Schalten von elektrischen Verbindungen zwischen dem Datentreiber (130) und den mehreren Datenleitungen (DL).
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: einen Initialisierungsschalter (SPRE), der mit der Referenzspannungsleitung (RVL) verbunden ist, um eine Referenzspannung (Vref) an den Erfassungstransistor (SET) anzulegen; und einen Abtastschalter (SAM), der konfiguriert ist, eine Spannung vom Erfassungstransistor (SET) zum Detektor (170) zu übertragen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Detektor (170) konfiguriert ist, die Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) von einer ersten Zeitdauer (T1) bis zu einer vierten Zeitdauer (T4) zu erfasssen, wobei während der ersten Zeitdauer der Gate-Treiber (120) konfiguriert ist, ein Einschaltsignal an den Erfassungstransistor (SET) und den Schalttransistor (SWT) anzulegen, der Datentreiber (130) konfiguriert ist, die Datenspannung (Vdata) an den Schalttransistor (SWT) anzulegen, und die Referenzspannung (Vref) an den Erfassungstransistor (SET) durch den Initialisierungsschalter (SPRE) angelegt wird, wobei während der zweiten Zeitdauer (T2) die mehreren Schalter (SW) ausgeschaltet werden, um die elektrische Verbindung zwischen dem Datentreiber (130) und den mehreren Datenleitungen (DL) zu entfernen, wobei während der dritten Zeitdauer (T3) das Anlegen der Referenzspannung (Vref) an den Erfassungstransistor (SET) durch den Initialisierungsschalter (SPRE) abgeschaltet wird, und wobei während der vierten Zeitdauer (T4) eine Spannung am Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) zum Detektor (170) durch den Abtastschalter (SAM) übertragen wird.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die mehreren Subpixel (SP) ein erstes Subpixel (SP1) und ein zweites Subpixel (SP2) umfassen, und wobei der Detektor (170) konfiguriert ist zu bestimmen, dass zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) des zweiten Subpixels (SP2) ein Kurzschluss besteht, wenn detektiert wird, dass als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) das erste Subpixel (SP1) ein fehlerhaftes Subpixel ist, während das zweite Subpixel (SP2) ein normales Subpixel ist, und dass als Ergebnis der Erfassung der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) das erste Subpixel (SP1) ein normales Subpixel ist, während das zweite Subpixel (SP2) ein fehlerhaftes Subpixel ist,.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Detektor (170) konfiguriert ist zu detektieren, ob zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) ein Kurzschluss besteht, nachdem ein Ausschaltsignal der Anzeigevorrichtung erzeugt worden ist.
Verfahren zum Ansteuern einer Anzeigevorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Erfassen einer Schwellenspannung (V_TH) eines Ansteuertransistors (DT) von jedem von mehreren Subpixeln (SP), die eine einzelne Referenzspannungsleitung (RVL) gemeinsam nutzen; Kompensieren der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) auf der Basis von Ergebnissen der Erfassung der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT); Erfassen der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT); und Bestimmen auf der Basis von Ergebnissen der Erfassung der Schwellenspannung (V_TH) und der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT), ob zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) ein Kurzschluss besteht,.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt des Erfassens der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) und der Schritt des Erfassens der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) das Anlegen eines gleichen Gate-Signals (SCAN, SENSE) an einen Schalttransistor (SWT) und einen Erfassungstransistor (SET) von jedem der mehreren Subpixel (SP) umfassen.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei der Schritt des Erfassens der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) und der Schritt des Kompensierens der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) vor dem Schritt des Erfassens der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) durchgeführt werden.
Verfahren nach Anspruch 10, 11 oder 12, wobei der Schritt des Bestimmens, ob zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) ein Kurzschluss besteht, Folgendes umfasst: Anlegen eines Einschaltsignals an einen Erfassungstransistor (SET) und einen Schalttransistor (SWT) von jedem der mehreren Subpixel (SP), einer Datenspannung (Vdata) an den Schalttransistor (SWT) und einer Referenzspannung (Vref) an den Erfassungstransistor (SET); Abschalten des Anlegens der Datenspannung (Vdata) an den Schalttransistor (SWT); Abschalten des Anlegens der Referenzspannung (Vref) an den Erfassungstransistor (SET); und Erfassen einer Spannung am Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) durch den Erfassungstransistor (SET).
Verfahren nach Anspruch 10, 11, 12 oder 13, wobei die mehreren Subpixel (SP) ein erstes Subpixel (SP1), ein zweites Subpixel (SP2), ein drittes Subpixel (SP3) und ein viertes Subpixel (SP4) umfassen und wobei der Schritt des Bestimmens, ob zwischen der Gate-Elektrode und dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) ein Kurzschluss besteht, Folgendes umfasst: Bestimmen, dass zwischen einer Gate-Elektrode und einem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (DT) eines zweiten Subpixels (SP2) ein Kurzschluss besteht, wenn detektiert wird, dass als Ergebnis der Erfassung der Schwellenspannung (V_TH) des Ansteuertransistors (DT) das erste Subpixel (SP1), das dritte Subpixel (SP3) und das vierte Subpixel (SP4) fehlerhafte Subpixel sind, während das zweite Subpixel (SP2) ein normales Subpixel ist, und dass als Ergebnis der Erfassung der Mobilität (α) des Ansteuertransistors (DT) das erste Subpixel (SP1), das dritte Subpixel (SP3) und das vierte Subpixel (SP4) normale Subpixel sind, während das zweite Subpixel (SP2) ein fehlerhaftes Subpixel ist.