DE102020123778B4 - Komparator mit gemeinsamem gate und sicherungslesegerät - Google Patents

Komparator mit gemeinsamem gate und sicherungslesegerät Download PDF

Info

Publication number
DE102020123778B4
DE102020123778B4 DE102020123778.2A DE102020123778A DE102020123778B4 DE 102020123778 B4 DE102020123778 B4 DE 102020123778B4 DE 102020123778 A DE102020123778 A DE 102020123778A DE 102020123778 B4 DE102020123778 B4 DE 102020123778B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
signal
node
input
fet device
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102020123778.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102020123778A1 (de
Inventor
Howard R. Samuels
Long Pham
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Analog Devices Inc
Original Assignee
Analog Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
Publication of DE102020123778A1 publication Critical patent/DE102020123778A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102020123778B4 publication Critical patent/DE102020123778B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/027—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in fuses
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/067—Single-ended amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/08—Control thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402—Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Verstärkerschaltkreis mit gemeinsamem Gate, der zum Bereitstellen von Informationen über eine Beziehung zwischen einem Eingangssignal und einem Referenzsignal ausgebildet ist, wobei der Verstärkerschaltkreis Folgendes aufweist:einen ersten FET, der einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten und einen Gate-Knoten aufweist;einen Verstärkerausgangsknoten an dem ersten Knoten des ersten FET;einen ersten Schalter, der zum Koppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn ein Autonullsignal aktiv ist, und wobei der erste Schalter zum Entkoppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist; undeinen Kondensator, der mit dem Gate-Knoten gekoppelt ist und zum Speichern von Informationen über das Referenzsignal ausgebildet ist;wobei, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, ein Ausgangssignal an dem Ausgangsknoten eine Betragsbeziehung zwischen dem Eingangssignal an dem zweiten Knoten und dem Referenzsignal angibt.

Description

  • Programmierbare Sicherungen können in nichtflüchtigen Speichervorrichtungen zur Langzeitspeicherung, Vorrichtungsidentifikation und andere Verwendungen verwendet werden. Bei einem Beispiel für eine Speichervorrichtung kann eine durchgebrannte Sicherung eine logische 1 repräsentieren und kann eine intakte oder nicht durchgebrannte Sicherung eine logische 0 repräsentieren (oder umgekehrt). Bei einem Beispiel kann eine Sicherung eine nichtvernachlässigbare Widerstandscharakteristik aufweisen. Ein Zustand einer Sicherung, wie etwa ob eine Sicherung durchgebrannt oder intakt ist, kann bestimmt werden, indem ein Strom an einen die Sicherung aufweisenden Schaltkreis geliefert wird. Bei einem Beispiel wird eine Spannung als Reaktion darauf erzeugt, dass ein Strom durch den nichtvernachlässigbaren Widerstand einer Sicherung bereitgestellt wird. Ein Betrag der Spannung kann mit einer Schwellenspannung verglichen werden, um zu bestimmen, ob die Sicherung durchgebrannt oder intakt ist.
  • Verschiedene Schaltungsanordnungen können verwendet werden, um einen Sicherungsstatus festzulegen oder zu überprüfen. Zum Beispiel kann eine programmierbare Sicherung zwischen einer Versorgungsspannung VDD und einem Drain-Anschluss einer FET-Vorrichtung verbunden sein. Als Reaktion auf ein Programmierbefehlssignal, das an einem Gate der FET-Vorrichtung bereitgestellt wird, kann die FET-Vorrichtung eine Strommenge leiten, die groß genug ist, um die programmierbare Sicherung durchbrennen zu lassen. Eine zweite FET-Vorrichtung kann mit der ersten FET-Vorrichtung parallel verbunden sein. Als Reaktion auf eine Bias-Spannung, die an einem Gate der zweiten FET-Vorrichtung bereitgestellt wird, kann die zweite FET-Vorrichtung einen Teststrom durch die programmierbare Sicherung leiten und eine resultierende Spannung kann gemessen werden. Ein Betrag der resultierenden Spannung kann mit einer vorgegebenen Schwellenspannung verglichen werden und ein Ergebnis des Vergleichs kann verwendet werden, um anzugeben, dass die Sicherung durchgebrannt oder intakt ist. Zum Beispiel kann ein höheres Spannungssignal einer Sicherung mit einem größeren Widerstand entsprechen und die Sicherung kann als durchgebrannt erachtet werden. Ein niedrigeres Spannungssignal kann einer Sicherung mit einem geringeren Widerstand entsprechen und die Sicherung kann als intakt erachtet werden. Diese Technik kann allgemein zuverlässig sein, falls eine Widerstandscharakteristik einer Sicherung über ihre Betriebszeit im Wesentlichen konstant ist. Jedoch kann in manchen Fällen ein Sicherungs-„Nachwachsen“ stattfinden oder kann sich ein scheinbarer Widerstand einer Sicherung als Reaktion auf verschiedene Umgebungs- oder andere Verwendungsbedingungen mit der Zeit ändern.
  • Bei einem Beispiel können Charakteristiken oder Komponenten eines Sicherungsstatusmessschaltkreises zum Beispiel aufgrund einer Variation von Vorrichtungsherstellungsprozessen oder aufgrund von Betriebstemperaturänderungen oder aufgrund von Änderungen oder eines anderen Drifts der Messschaltungsanordnung oder eines oder mehrerer Signale, die an die Schaltungsanordnung geliefert werden, variieren. Diese und andere Änderungen des Sicherungswiderstands oder Änderungen eines Messschaltkreises können Fehlinformationen über einen Sicherungsstatus darstellen.
  • US 5 565 813 A zeigt einen Niederspannungs-Differenzverstärker oder Komparator, der einen Transistorvorspannungssimulator und eine Kapazitätsschaltung umfasst. Der Transistorvorspannungssimulator passt die Gate-Source-Vorspannung des Lasttransistors an und liefert diesen Wert an die Kapazitätsschaltung. Die Kapazitätsschaltung, die mit einer Vorspannungsreferenzspannung gekoppelt ist, lädt einen Kondensator auf der Grundlage der Differenz zwischen der Vorspannungsreferenzspannung und der simulierten Vorspannung auf. Dieser geladene Kondensator wird während einer automatischen Nullstellungsphase verwendet, um die Drain-Source-Spannung des Lasttransistors in einen Zustand vorzuspannen, in dem sie kurz vor dem Beginn der Sättigung liegt. US 5 565 813 A zeigt jedoch nicht das Anlegen eines Autonullsignals an das Gate.
  • US 4 064 405 A zeigt eine komplementäre MOS-Logikschaltung. Die Schaltung verwendet zwei Stufen mit einem Koppelnetzwerk, das einen Kondensator und eine Diode umfasst, um die erste Stufe mit der zweiten Stufe zu verbinden. Dies führt zu einer Schaltung, bei der das an den Eingang gekoppelte Logiksignal am Ausgang invertiert wird, ohne dass ein wesentlicher Verlust an Signalamplitude auftritt.
  • US 8 878 589 B2 zeigt eine Halbleitervorrichtung umfassend einen Transistor mit einem Gate, das mit einer Elektrode eines Kondensators und einem Anschluss eines ersten Schalters verbunden ist, einer Source und einem Drain, von denen einer mit einem Anschluss eines zweiten Schalters und einem Anschluss eines dritten Schalters verbunden ist und der andere mit dem anderen Anschluss des ersten Schalters und einem Anschluss eines vierten Schalters verbunden ist; eine erste Verdrahtung, die elektrisch mit dem anderen Anschluss des zweiten Schalters verbunden ist; eine zweite Verdrahtung, die elektrisch mit dem anderen Anschluss des vierten Schalters verbunden ist; eine Last mit Elektroden, von denen eine mit einer Elektrode des Kondensators und dem anderen Anschluss des dritten Schalters verbunden ist; und eine dritte Verdrahtung, die mit der anderen Elektrode der Last verbunden ist. Die Halbleitervorrichtung dient der Verringerung nachteiliger Auswirkungen von Schwellenspannungsschwankungen.
  • DE 11 2017 004 368 T5 zeigt eine Sicherungszustandserfassungsschaltung, die einen Aktivierungsblock beinhalten, der einen Sicherungsstrom, der aus einer Versorgungsspannung resultiert, zu einem Sicherungselement nach Erhalt eines Aktivierungssignals im Wesentlichen zur gleichen Zeit wie beim Anlegen der Versorgungsspannung aktiviert. Die Schaltung zum Erfassen des Sicherungszustands kann einen Stromsteuerblock zur Steuerung des Sicherungsstroms umfassen. Die Sicherungszustandserfassungsschaltung kann einen Entscheidungsblock beinhalten, der eingerichtet ist, ein Ausgangssignal zu erzeugen, das einen Zustand des Sicherungselements auf der Grundlage des Sicherungsstroms darstellt, wobei das Ausgangssignal während eines Hochlaufabschnitts des Anlegens der Versorgungsspannung erzeugt wird.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Die vorliegenden Erfinder haben erkannt, dass ein zu lösendes Problem das Bereitstellen eines Messschaltkreises oder eines Komparatorschaltkreises einschließen kann, der ein Testsignal lesen und das Testsignal mit einem Referenzsignal vergleichen kann. Bei einem Beispiel kann das Problem Bereitstellen eines Sicherungslesegeräts oder eines anderen Sensor- oder Signallesegeräts einschließen, das über Vorrichtungsherstellungsprozessvariationen und Änderungen von Umgebungsbedingungen während einer Verwendung, wie etwa Änderungen der Temperatur, hinweg genau ist. Bei einem Beispiel kann das Problem Verwenden einer FET-Vorrichtung in einem Messschaltkreis oder Komparatorschaltkreis einschließen. Das Problem kann Managen von Variationen der Charakteristiken der FET-Vorrichtung, zum Beispiel einer Variation der Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs_th) oder einer Einschaltspannungscharakteristik der FET-Vorrichtung, einschließen.
  • Bei einem Beispiel kann das zu lösende Problem Bereitstellen eines Sicherungslesegeräts einschließen, das zum Verwenden einer FET-Vorrichtung zum Lesen von Statusinformationen über eine oder mehrere Sicherungen unter Verwendung einer minimalen Strommenge ausgebildet ist. Die Sicherungen können eine charakteristische Impedanz oder einen charakteristischen Widerstand aufweisen, die/der mit einem Referenzwiderstand, zum Beispiel einer Referenz von etwa 1 kΩ, verglichen werden kann. Bei diesem Beispiel kann eine Sicherung für Widerstände von weniger als 1 kΩ als intakt erachtet werden und kann eine Sicherung für Widerstände größer als 1 kΩ als durchgebrannt erachtet werden. Bei einem Beispiel kann ein Betrag eines Stromsignals, das zum Messen einer Sicherung verfügbar ist, etwa 16 Mikroampere betragen. Daher kann die resultierende Spannung für einen nahe der Schwellenbedingung gemessenen Widerstand etwa 16 Millivolt betragen. Falls eine Standard-FET-Vorrichtung zum Messen der resultierenden Spannung verwendet wird, kann eine Einschaltschwellenspannung der FET-Vorrichtung dann erheblich größer als die resultierende Spannung sein. Des Weiteren kann ein Betrag von prozess- und temperaturbezogenen Effekten auf die Einschalt- oder Schwellenspannung einer FET-Vorrichtung in einigen Beispielen etwa den gleichen Betrag wie eine gemessene Testspannung einer Sicherung haben.
  • Bei einem Beispiel kann der vorliegende Gegenstand eine Lösung für diese und andere Probleme bereitstellen. Die Lösung kann Verwenden einer FET-Vorrichtung in einer Konfiguration mit gemeinsamem Gate einschließen. Die FET-Vorrichtung kann zum Messen von Referenzsignalinformationen und Vergleichen von ihnen mit einem Testsignal, um ein Testergebnis bereitzustellen, ausgebildet sein. Bei einem Beispiel kann die FET-Vorrichtung so ausgebildet sein, dass eine Einschaltspannung des FET zwischen Referenz- und Testsignalmessungen effektiv aufgehoben wird, wodurch ein Messschaltkreis oder Komparatorschaltkreis bereitgestellt wird, der über Änderungen der Temperatur oder über Effekte einer Prozessvariation des Messschaltkreises hinweg im Wesentlichen stabil sein kann.
  • Bei einem Beispiel kann die Lösung einen Verstärkerschaltkreis mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden, um Informationen über eine Beziehung zwischen einem Eingangssignal an einem Eingangsknoten und einem Referenzsignal bereitzustellen. Das Eingangssignal an dem Eingangsknoten kann ein Spannungssignal aufweisen, das von zum Beispiel einer oder mehreren Sicherungen gemessen wird. Der Verstärkerschaltkreis kann eine erste FET-Vorrichtung, einen ersten Schalter (kann etwa eine andere FET-Vorrichtung oder eine andere Schaltervorrichtung aufweisen), einen zweiten Schalter (kann etwa eine andere FET-Vorrichtung oder eine andere Schaltervorrichtung aufweisen), einen dritten Schalter (kann etwa eine andere FET-Vorrichtung oder eine andere Schaltervorrichtung aufweisen) und einen Kondensator aufweisen. Bei einem Beispiel kann die erste FET-Vorrichtung einen ersten Knoten (z. B. an einem Drain-Anschluss der Vorrichtung), einen zweiten Knoten (z. B. an einem Source-Anschluss der Vorrichtung) und einen dritten Knoten (z. B. an einem Gate-Anschluss der Vorrichtung) aufweisen. Der Verstärkerschaltkreis kann einen Verstärkerausgangsknoten an dem ersten Knoten der ersten FET-Vorrichtung aufweisen. Der erste Schalter kann zum Koppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens der ersten FET-Vorrichtung ausgebildet sein, wenn ein Autonullsignal aktiv ist, und der erste Schalter kann zum Entkoppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens der ersten FET-Vorrichtung ausgebildet sein, wenn das Autonullsignal inaktiv ist. Der zweite Schalter kann zum Koppeln des zweiten Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit einer Referenzspannungsquelle ausgebildet sein, wenn das Autonullsignal aktiv ist, und der zweite Schalter kann zum Entkoppeln des zweiten Knotens von der Referenzspannungsquelle ausgebildet sein, wenn das Autonullsignal inaktiv ist. Der dritte Schalter kann zum Koppeln des zweiten Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit dem Eingangsknoten ausgebildet sein, wenn ein Lesesignal aktiv ist, und der dritte Schalter kann zum Entkoppeln des zweiten Knotens von dem Eingangsknoten ausgebildet sein, wenn das Lesesignal inaktiv ist. Der Kondensator kann zum Speichern von Informationen über das Referenzsignal an dem Gate-Knoten des ersten FET ausgebildet sein. Das Referenzsignal kann durch die Referenzspannungsquelle eingestellt oder beeinflusst werden, wenn das Autonullsignal aktiv ist. Bei einem Beispiel kann, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, ein Ausgangssignal an dem Ausgangsknoten dann eine Betragsbeziehung zwischen dem Eingangssignal an dem zweiten Knoten und dem Referenzsignal angeben.
  • Bei einem Beispiel kann die Lösung ein Verfahren zum Bestimmen einer Beziehung zwischen einem ersten Eingangssignal und einem zweiten Eingangssignal unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden. Das Verfahren kann Koppeln von Drain- und Gate-Knoten der FET-Vorrichtung unter Verwendung eines ersten Schalters aufweisen und der erste Schalter kann auf ein Autonullsignal reagieren. Während das erste Eingangssignal an einen Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, kann das Verfahren Speichern von Informationen über eine Referenzspannung, wie etwa von dem ersten Eingangssignal, unter Verwendung eines Kondensators, der mit dem Gate-Knoten der FET-Vorrichtung gekoppelt ist, aufweisen. Das Verfahren kann ferner Entkoppeln des Drain- und Gate-Knotens der FET-Vorrichtung unter Verwendung des ersten Schalters und, während das zweite Eingangssignal an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, Empfangen eines Ausgangssignals von dem Drain-Knoten der FET-Vorrichtung aufweisen. Bei diesem Beispiel kann ein Betrag des Ausgangssignals eine Betragsbeziehung zwischen dem ersten und zweiten Eingangssignal angeben.
  • Diese Kurzdarstellung soll eine Übersicht über den Gegenstand der vorliegenden Patentanmeldung bereitstellen. Es ist nicht beabsichtigt, eine ausschließliche oder erschöpfende Erklärung der Erfindung bereitzustellen. Die ausführliche Beschreibung ist aufgenommen, um weitere Informationen über die vorliegende Patentanmeldung bereitzustellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG EINIGER ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
  • Um die Erörterung eines beliebigen speziellen Elements oder einer beliebigen speziellen Handlung einfach zu identifizieren, verweist die höchste signifikante Ziffer oder verweisen die höchsten signifikanten Ziffern in einer Referenzzahl auf die Figurenzahl, in der das Element zuerst eingeführt wird.
    • 1 veranschaulicht allgemein ein Sicherungslesegerätsystem gemäß einer Ausführungsform.
    • 2 veranschaulicht allgemein ein erstes Verfahren gemäß einer Ausführungsform.
    • 3 veranschaulicht allgemein einen Komparator, der einen NMOS-Verstärker verwendet, gemäß einer Ausführungsform.
    • 4 veranschaulicht allgemein einen Komparator, der zum Überwachen einer Widerstandscharakteristik über der Zeit ausgebildet ist, gemäß einer Ausführungsform.
    • 5 veranschaulicht allgemein einen Komparator, der einen PMOS-Verstärker verwendet, gemäß einer Ausführungsform.
    • 6 veranschaulicht allgemein einen Komparator gemäß einer Ausführungsform.
    • 7 veranschaulicht allgemein ein erstes Sicherungslesegerät gemäß einer Ausführungsform.
    • 8 veranschaulicht allgemein ein zweites Sicherungslesegerät gemäß einer Ausführungsform.
    • 9 veranschaulicht allgemein eine Routine zum Bestimmen einer Beziehung zwischen einem ersten Eingangssignal und einem zweiten Eingangssignal unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate gemäß einer Ausführungsform.
    • 10 veranschaulicht allgemein eine Sicherungsleseroutine gemäß einer Ausführungsform.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Beschreibung weist Beispiele für Systeme, Verfahren, Einrichtungen und Vorrichtungen zum Lesen und Vergleichen von Informationen über ein oder mehrere Signale auf. Bei einem Beispiel schließt die Beschreibung Systeme, Verfahren, Einrichtungen und Vorrichtungen zum Messen eines Sicherungsstatus oder zum Messen anderer Informationen von einem Sensor oder einer anderen Vorrichtung ein. Durch die Beschreibung hinweg wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der ausführlichen Beschreibung bilden. Die Zeichnungen zeigen Ausführungsformen, in denen die hier offenbarten Erfindungen umgesetzt werden können, als Veranschaulichung. Diese Ausführungsformen werden hier allgemein als „Beispiele“ bezeichnet. Derartige Beispiele können Elemente zusätzlich zu jenen gezeigten oder beschriebenen aufweisen. Jedoch beabsichtigen die Erfinder der vorliegenden Erfindung auch Beispiele, bei denen lediglich jene gezeigten oder beschriebenen Elemente bereitgestellt sind. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung beabsichtigen Beispiele, die eine beliebige Kombination oder Permutation jener gezeigten oder beschriebenen Elemente (oder eines oder mehrerer Aspekte davon) verwenden, entweder mit Bezug auf ein bestimmtes Beispiel (oder einen oder mehrere Aspekte davon) oder mit Bezug auf andere Beispiele (oder einen oder mehrere Aspekte davon), die hier gezeigt oder beschrieben sind.
  • Bei einem Beispiel weist die Erfindung einen Programmierbare-Sicherung-Zustandsdetektor oder ein Sicherungslesegerät auf. Ein Sicherungszustand kann zum Beispiel durch Vergleichen eines Betrags einer Spannung, die über die Sicherung entwickelt wird, mit einem vorgegebenen Schwellenspannungsbetrag oder Referenzspannungsbetrag bestimmt werden. Bei einem Beispiel können die hier besprochenen Systeme und Verfahren mehrere unterschiedliche Betriebsmodi oder Messphasen aufweisen, die etwa zum Bestimmen verwendet werden können, ob eine Sicherung durchgebrannt oder intakt ist. Allgemein veranschaulichen die Figuren die hier besprochenen Konzepte unter Verwendung von Feldeffekttransistor(FET)-Vorrichtungen. Bei anderen Implementierungen können Bipolartransistoren verwendet werden.
  • 1 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für ein Sicherungslesegerätsystem 100. Das Sicherungslesegerätsystem 100 kann einen Steuerschaltkreis 102, einen Lesegerätschaltkreis 104, eine Referenzquelle 106 und eine Sicherungsbank 108 aufweisen. Ein Betrieb des Sicherungslesegerätsystems 100 gemäß einem Beispiel ist unten bei der Erörterung von 2 und anderswo besprochen. Unter Operationen oder Steuersignalen von dem Steuerschaltkreis 102 kann das Sicherungslesegerätsystem 100 zum Lesen von Statusinformationen über eine oder mehrere Sicherungen in der Sicherungsbank 108 ausgebildet sein. Statusinformationen können zum Beispiel Zustandsinformationen darüber einschließen, ob eine Sicherung durchgebrannt, intakt ist oder sich in einem Zwischenzustand oder einem unbestimmten Zustand befindet. Bei einem Beispiel kann eine durchgebrannte Sicherung ein offener Schaltkreis sein oder kann durch eine relativ hohe Widerstandscharakteristik (z. B. etwa 1 kΩ oder mehr) repräsentiert werden. Eine intakte Sicherung kann ein Kurzschluss, ein Nebenschluss sein oder kann durch eine relativ niedrige Widerstandscharakteristik (z. B. etwa 100 Ω oder weniger) repräsentiert werden.
  • Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 einen Prozessorschaltkreis oder eine(n) andere(n) Mehrzweck- oder Spezialprozessor oder -Steuerung aufweisen, der/die zum Verwalten eines oder mehrerer Aspekte des Sicherungslesegerätsystems 100 ausgebildet ist. Der Steuerschaltkreis 102 kann eine integrierte Struktur sein oder kann mehrere Prozessoren oder Steuerungen aufweisen, die dazu ausgebildet sind, zum Durchführen einer oder mehrerer Operationen in dem Sicherungslesegerätsystem 100 zusammenzuwirken.
  • Bei einem Beispiel ist der Steuerschaltkreis 102 zum Erzeugen oder Bereitstellen eines Autonullsignals AZ ausgebildet. Das Autonullsignal AZ kann aktiviert werden, um das Sicherungslesegerätsystem 100 oder den Lesegerätschaltkreis 104 dazu zu steuern, sich selbst „auf Null zu stellen“ oder einen Referenzwert zur Verwendung durch das Sicherungslesegerätsystem 100 einzustellen oder zu aktualisieren. Bei einem Beispiel steuert das Autonullsignal AZ das Sicherungslesegerätsystem 100 dazu, einen Referenzwert einzustellen, mit dem ein oder mehrere andere Signalwerte oder Testsignale verglichen werden können. Solche anderen Signalwerte können zum Beispiel einen Spannungsbetrag, der einen Sicherungsstatus repräsentiert, einen Spannungsbetrag, der einen Sensorwert repräsentiert, oder einen anderen Wert einschließen. Bei einem Beispiel kann der Referenzwert von der Referenzquelle 106 empfangen oder aus dieser gelesen werden, wenn das Autonullsignal AZ aktiv ist, oder als Reaktion auf das Autonullsignal AZ. Bei einem Beispiel kann die Referenzquelle 106 einen oder mehrere feste oder variable Widerstände oder anderen Signalgeneratoren aufweisen, die zum Bereitstellen eines Referenzsignals verwendet werden können.
  • Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 zum Erzeugen oder Bereitstellen eines Lesesignals Lesen_x ausgebildet sein. Der Steuerschaltkreis 102 kann das Lesesignal Lesen_x an den Lesegerätschaltkreis 104 liefern und das Lesesignal Lesen_x kann eine Adresse oder eine andere Kennung eines speziellen Signals oder eines speziellen Signalkanals, das/der zu lesen oder abzutasten ist, angeben. Bei einem Beispiel kann das Lesesignal Lesen_x eine spezielle mehrerer Sicherungen zum Lesen angeben. Zum Beispiel kann ein erstes Lesesignal Lesen_0 eine erste Sicherung zum Lesen angeben, kann ein zweites Lesesignal Lesen_1 eine andere, zweite Sicherung zum Lesen angeben und so weiter. Bei einem Beispiel kann mehr als ein Lesesignal gleichzeitig aktiviert werden, zum Beispiel wenn mehrere Kanäle von Informationen oder mehrere Sicherungen zur gleichen Zeit gelesen werden.
  • Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 das Autonullsignal AZ und das Lesesignal Lesen_x auf eine zeitlich verschachtelte und nicht überlappende Weise aktivieren. Das heißt, das Autonullsignal AZ kann zu Zeiten aktiviert werden, wenn das Lesesignal Lesen_x nicht aktiviert ist, und umgekehrt. Bei einem Beispiel kann eine Austastperiode zwischen Aktivierungen des Autonullsignals AZ und dem Lesesignal Lesen_x bereitgestellt werden. Bei einem Beispiel können mehrere Lesesignale gleichzeitig aktiviert werden oder können sequentiell auf eine nicht überlappende Weise aktiviert werden.
  • Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 zum Empfangen eines Ausgangssignals Q, wie etwa von dem Lesegerätschaltkreis 104, ausgebildet sein. Das Ausgangssignal Q kann einen Sicherungsstatus, einen Sensorstatus oder -wert oder andere Informationen repräsentieren. Bei einem Beispiel kann das Ausgangssignal Q Informationen über eine Beziehung zwischen einem Referenzwert, wie etwa von der Referenzquelle 106 gemessen, und einem Testwert, wie etwa von einer Sicherung in der Sicherungsbank 108 gemessen, aufweisen.
  • Bei einem Beispiel kann der Lesegerätschaltkreis 104 mit dem Steuerschaltkreis 102 gekoppelt sein und kann der Lesegerätschaltkreis 104 mit der Referenzquelle 106 und der Sicherungsbank 108 gekoppelt sein. Der Lesegerätschaltkreis 104 kann eine Schaltungsanordnung aufweisen, die auf das Autonullsignal AZ und das Lesesignal Lesen_x reagiert. Zum Beispiel kann der Lesegerätschaltkreis 104 als Reaktion auf das Empfangen des Autonullsignals AZ zum Lesen eines Referenzsignals oder Empfangen von Informationen über einen Referenzwert von der Referenzquelle 106 ausgebildet sein. Als Reaktion auf das Empfangen des Lesesignals Lesen_x kann der Leseschaltkreis 104 dann zum Lesen oder Empfangen eines Testsignals von der Sicherungsbank 108 oder von einer anderen Quelle ausgebildet sein. Bei einem Beispiel kann der Lesegerätschaltkreis 104 Informationen über eine Betragsbeziehung zwischen dem Referenzsignal und dem Testsignal bereitstellen. Zum Beispiel kann das Ausgangssignal Q, das etwa an den Steuerschaltkreis 102 oder an einen anderen Schaltkreis oder eine andere Vorrichtung außerhalb des Sicherungslesegerätsystems 100 geliefert werden kann, Informationen über die Betragsbeziehung aufweisen. Bei einem Beispiel kann das Ausgangssignal Q ein binäres Signal sein, das zum Angeben ausgebildet ist, ob eine spezielle Sicherung in der Sicherungsbank 108 intakt ist oder nicht.
  • 2 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für ein erstes Verfahren 200, das das Bereitstellen von Statusinformationen über eine Sicherung unter Verwendung eines Sicherungslesegerätsystems, wie etwa des Sicherungslesegerätsystems 100 aus dem Beispiel aus 1, aufweisen kann. Bei einem Beispiel kann das erste Verfahren 200 eine Referenz- oder Autonullphase und eine Test- oder Messphase aufweisen und die Phasen können durchgeführt werden, um Sicherungszustandsinformationen über eine oder mehrere Sicherungen zu messen. Das erste Verfahren 200 kann durch Liefern von Leistung an das Sicherungslesegerätsystem beginnen.
  • Bei einem Beispiel kann die Referenzphase oder Autonullphase bei Block 202 beginnen. Bei Block 202 kann das erste Verfahren 200 Aktivieren eines Autonullsignals AZ aufweisen. Bei einem Beispiel kann Block 202 den Steuerschaltkreis 102 oder eine andere Steuerung zum Erzeugen oder Bereitstellen des Autonullsignals AZ aufweisen oder verwenden. Bei Block 204 und als Reaktion auf das Autonullsignal AZ können Referenzinformationen von einem Referenzgenerator, wie etwa von der Referenzquelle 106, gelesen oder empfangen werden. Bei einem Beispiel kann Block 204 das Lesen eines Referenzspannungssignals oder eines Signalbetrags von der Referenzquelle 106 aufweisen. Block 206 kann Speichern der Referenzinformationen aufweisen. Bei einem Beispiel kann Block 206 das Verwenden eines Kondensators oder eines anderen Speicherschaltkreises zum Speichern von Informationen über einen Spannungs- oder Signalbetrag aufweisen. Bei Block 208 kann das Autonullsignal AZ deaktiviert werden. Die gespeicherten Referenzinformationen, wie etwa von Block 206, können beibehalten werden, nachdem das Autonullsignal AZ in Block 208 deaktiviert wurde.
  • Bei einem Beispiel kann die Testphase oder Messphase bei Block 210 beginnen. Bei Block 210 kann das erste Verfahren 200 Aktivieren eines Lesesignals Lesen_0 aufweisen, kann etwa angeben, dass Informationen über eine erste Sicherung zu lesen oder abzutasten sind. Bei einem Beispiel kann Block 210 Verwenden des Steuerschaltkreises 102 zum Erzeugen oder Bereitstellen des Lesesignals aufweisen. Block 212 kann Koppeln der ersten Sicherung mit einem Lesegerät, wie etwa dem Lesegerätschaltkreis 104, aufweisen und Block 214 kann Lesen eines Testsignals von der ersten Sicherung aufweisen. Bei einem Beispiel kann Block 214 Messen eines Testspannungssignalbetrags aufweisen. Der Testspannungssignalbetrag kann einen Sicherungsstatus oder eine Widerstandscharakteristik der ersten Sicherung repräsentieren.
  • Bei einem Beispiel kann das erste Verfahren 200 bei Block 216 Vergleichen von Referenzinformationen, wie etwa bei Block 204 empfangen, mit Testinformationen, wie etwa bei Block 214 empfangen, aufweisen. Bei einem Beispiel kann der Vergleich wenigstens teilweise unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamen Gate durchgeführt werden, wie in den Beispielen hier beschrieben ist. Bei Block 218 kann das Lesesignal Lesen_0 deaktiviert werden und in Block 220 können ein Ausgangssignal oder Statusinformationen über die erste Sicherung bereitgestellt werden. Anschließend an Block 220 kann das erste Verfahren 200 optional zu Block 202 zurückkehren oder kann das erste Verfahren 200 enden, indem die Leistung zu dem Sicherungslesegerätsystem getrennt wird. Das erste Verfahren 200 kann zu Block 202 zurückkehren, um Informationen von derselben ersten Sicherung zu lesen, oder das System kann zum Lesen von Informationen über eine andere Sicherung ausgebildet sein.
  • Die in Block 220 als das Ausgangssignal Q bereitgestellten Statusinformationen können zum Beispiel von dem Lesegerätschaltkreis 104 an den Steuerschaltkreis 102 geliefert werden. Bei einem Beispiel können die Statusinformationen von Block 220 Sicherungszustandsinformationen über eine oder mehrere Sicherungen aufweisen und können die Sicherungszustandsinformationen in einem Shadow-RAM gespeichert werden.
  • 3 veranschaulicht allgemein einen Komparator, der einen NMOS-Verstärker verwendet, gemäß einer Ausführungsform. Der Komparator aus 3 kann einen Komparator 300 aufweisen. Bei einem Beispiel kann der Komparator 300 einen Teil des Sicherungslesegerätsystems 100 aufweisen. Der Komparator 300 kann eine erste FET-Vorrichtung 302 in einer Konfiguration mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden. Das Beispiel aus 3 veranschaulicht die erste FET-Vorrichtung 302 als eine NMOS-Vorrichtung, jedoch können PMOS-Vorrichtungen gleichermaßen verwendet werden (siehe zum Beispiel 5). Bei dem Beispiel aus 3 kann der Source-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 zum Empfangen einer Eingabe ausgebildet sein, kann der Drain-Anschluss zum Bereitstellen einer Ausgabe ausgebildet sein und kann der Gate-Anschluss mit Masse oder mit einer Referenzspannungsquelle gekoppelt sein.
  • Die erste FET-Vorrichtung 302 kann verschiedene FET-Charakteristiken, wie etwa eine minimale Schwellenspannung oder Einschaltspannung Vgs_th haben. Solche Vorrichtungscharakteristiken können über Herstellungsprozesse oder Verwendungsbedingungen hinweg variieren, jedoch können, wie unten gezeigt, solche Variationen bei der Verwendung des Komparators 300 vernachlässigt werden. Die hier veranschaulichten Beispiele zeigen spezielle Konfigurationen der Source- und Drain-Anschlüsse der verschiedenen FET-Vorrichtungen, wie etwa der ersten FET-Vorrichtung 302. Jedoch können die Source- und Drain-Anschlüsse bei manchen FET-Vorrichtungen vertauscht werden, um die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen Ergebnisse zu erzielen. Des Weiteren sind die veranschaulichten FET-Vorrichtungen der Einfachheit halber und zur Erklärung als singuläre Vorrichtungen gezeigt. Es versteht sich, dass die veranschaulichten Vorrichtungen in der Praxis mehrere parallele Vorrichtungen aufweisen können oder Vorrichtungen unterschiedlicher Typen (z. B. NMOS und PMOS) oder unterschiedlicher Größen, zum Beispiel zu Ladungsausgleichszwecken, aufweisen können.
  • Der Komparator 300 kann zum Lesen eines Eingangssignals Vin an einem unsymmetrischen Eingangsknoten 304, wie etwa zu ersten und anschließenden zweiten Zeiten, und zum Bereitstellen eines Ausgangssignals Vout an einem unsymmetrischen Ausgangsknoten 306 ausgebildet sein. Der unsymmetrische Eingangsknoten 304 kann mit dem Source-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 gekoppelt sein und der unsymmetrische Ausgangsknoten 306 kann mit dem Drain-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 gekoppelt sein. Das Ausgangssignal Vout kann eine Beziehung zwischen Vin zu der ersten Zeit und Vin zu der anschließenden zweiten Zeit angeben. Bei einem Beispiel kann der Komparator 300 eine Stromquelle 308 aufweisen, die zum Liefern eines Bias-Stroms an die erste FET-Vorrichtung 302 ausgebildet ist.
  • Die erste FET-Vorrichtung 302 weist einen Drain-, Gate- und Source-Anschluss auf. Der Drain-Anschluss kann unter Verwendung eines ersten Schalters 310 selektiv mit dem Gate-Anschluss gekoppelt werden. Bei einem Beispiel kann der erste Schalter 310 durch das Autonullsignal AZ gesteuert werden, kann etwa zum Beispiel von dem Steuerschaltkreis 102 an einem Autonulleingangsknoten 312 empfangen werden. Bei dem Beispiel aus 3 kann, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, der erste Schalter 310 dann geschlossen werden, um den Drain- und Gate-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 zu verbinden, wodurch die erste FET-Vorrichtung 302 als eine diodenverbundene FET-Vorrichtung bereitgestellt wird. Wenn das Autonullsignal AZ deaktiviert ist, kann der erste Schalter 310 dann geöffnet werden und können der Drain- und Gate-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 getrennt werden.
  • Bei dem Beispiel aus 3 kann der Gate-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 mit einem Steuerknoten 314 gekoppelt sein. Der Steuerknoten 314 kann mit einem ersten Kondensator 316 gekoppelt sein. Der erste Kondensator 316 kann zum Speichern von Informationen über eine Gate-Spannung der ersten FET-Vorrichtung 302, das heißt über eine Spannung an dem Steuerknoten 314, gekoppelt sein. Eine Kapazitätscharakteristik des ersten Kondensators 316 kann gemäß Verwendungsbedingungen ausgewählt werden. Bei einem Beispiel kann der erste Kondensator 316 eine Kapazität von etwa 1 Pikofarad aufweisen.
  • Bei einem Beispiel können, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist und der erste Schalter 310 geschlossen ist, Informationen über das Eingangssignal Vin von dem unsymmetrischen Eingangsknoten 304 gelesen werden. Die Informationen können andere als das Eingangssignal Vin aufweisen, aber können einen Wert des Eingangssignals Vin angeben. Die Informationen können an dem Steuerknoten 314 gelesen und unter Verwendung des ersten Kondensators 316 gespeichert werden. Bei einem Beispiel können die Informationen eine Spannung gleich einer Summe der Spannungen des Eingangssignals Vin und der Gate-Source-Schwellenspannung Vgs_th der ersten FET-Vorrichtung 302 sein. Wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist und die Stromquelle 308 einen ausreichenden Bias-Strom an den Drain-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 liefert, dann arbeitet die erste FET-Vorrichtung 302 mit einer Gate-Source-Spannung Vgs, die ermöglicht, dass ein Strom zwischen dem Drain- und Source-Anschluss der Vorrichtung fließt, und die Spannung an dem Steuerknoten 314 kann unter Verwendung des ersten Kondensators 316 gespeichert werden. Nachdem die Spannungsinformationen durch den ersten Kondensator 316 gespeichert wurden, kann der erste Schalter 310 geöffnet werden und kann ein Stromfluss durch die erste FET-Vorrichtung 302 gestoppt werden. Das heißt, der erste Kondensator 316 kann Informationen über einen Betrag der Spannung des Steuerknotens 314, wie sie gemessen wird, wenn die erste FET-Vorrichtung 302 eingeschaltet ist, speichern und der erste Kondensator 316 kann die gespeicherten Spannungsinformationen beibehalten, wenn die erste FET-Vorrichtung 302 ausgeschaltet ist.
  • Bei einem Beispiel kann, falls das Eingangssignal Vin zu einer ersten Zeit gelesen wird, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist und sich dann ein Wert des Eingangssignals Vin zu einer späteren, zweiten Zeit ändert, wenn das Autonullsignal AZ nicht aktiviert ist, sich dann ein Zustand der ersten FET-Vorrichtung 302 ändern. Falls zum Beispiel das Eingangssignal Vin betragsmäßig zunimmt, kann die erste FET-Vorrichtung 302 dann ausgeschaltet verbleiben und kann das Ausgangssignal Vout an dem unsymmetrischen Ausgangsknoten 306 ein Signal mit einem hohen Wert sein. Falls das Eingangssignal Vin betragsmäßig abnimmt, wie etwa um einige Millivolt oder einen Bruchteil eines Millivolt, kann die erste FET-Vorrichtung 302 dann eingeschaltet werden und kann sich das Ausgangssignal Vout zu einem Signal mit einem niedrigen Wert ändern. Bei diesem Beispiel kann die Gate-Source-Spannung Vgs der ersten FET-Vorrichtung 302 während der ersten und späteren, zweiten Zeit (z. B. wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist und wenn es nicht aktiviert ist) im Wesentlichen gleich sein und entsprechend können das Ausgangssignal Vout oder Übergänge des Ausgangssignals Vout im Wesentlichen unabhängig von Vgs sein. Mit anderen Worten stellt die erste FET-Vorrichtung 302 in einer Konfiguration mit gemeinsamem Gate bei dem Beispiel aus 3 einen Komparator 300 bereit, der Änderungen des Eingangssignals Vin messen kann, wobei die Gate-Source-Spannung der ersten FET-Vorrichtung 302 als eine potentielle Quelle eines Mess- oder Vergleichsfehlers im Wesentlichen beseitigt wird.
  • Bei einem Beispiel kann, wenn ein Zeitintervall zwischen Aktivierung und Deaktivierung des Autonullsignals AZ zunimmt, 1/f-Rauschen der ersten FET-Vorrichtung 302 zu einem Eingangsspannungsversatzfehler des Verstärkerschaltkreises hinzugefügt werden. Dieser Effekt kann minimiert werden, indem sichergestellt wird, dass ein Zeitintervall zwischen Autonull- und Messphasen geringer als ein Kehrwert der 1/f-Ecke ist.
  • 4 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für einen Komparator 400. Bei einem Beispiel kann der Komparator 400 zum Überwachen einer Widerstandscharakteristik über der Zeit ausgebildet sein. Das Beispiel aus 4 kann den Komparator 300 aus dem Beispiel aus 3 aufweisen oder verwenden, wobei ein erster Widerstand 402 mit dem unsymmetrischen Eingangsknoten 304 gekoppelt ist. In dem Widerstandskomparator 400 kann der Source-Anschluss der ersten FET-Vorrichtung 302 mit dem ersten Widerstand 402 gekoppelt sein, so dass das Eingangssignal Vin für die Vorrichtung mit gemeinsamem Gate eine Spannung an dem ersten Widerstand 402 repräsentiert.
  • Bei einem Beispiel fließt, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, Strom von der Stromquelle 308 durch die diodenverbundene erste FET-Vorrichtung 302 und in den ersten Widerstand 402, wodurch eine Spannung an dem unsymmetrischen Eingangsknoten 304 bereitgestellt wird. Falls zum Beispiel der erste Widerstand 402 einen Widerstandswert von 1 kΩ aufweist und die Stromquelle 308 ein Bias-Stromsignal von 16 Mikroampere bereitstellt, kann das Eingangssignal Vin an dem unsymmetrischen Eingangsknoten 304 dann 16 mV betragen.
  • Bei einem Beispiel kann der erste Kondensator 316 Informationen über das Eingangssignal Vin während einer Autonullphase speichern, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist. Bei einem Beispiel kann der erste Kondensator 316 eine Spannung speichern, die eine Summe des Eingangssignals Vin und einer Gate-Source-Spannung der ersten FET-Vorrichtung 302 sein kann. Bei einem Beispiel kann ein Betrag einer Schwellenspannung der ersten FET-Vorrichtung 302 im Wesentlichen größer als das Eingangssignal Vin sein, aber die Schwellenspannung kann im Wesentlichen konstant verbleiben, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist und wenn es nicht aktiviert ist. Bei einem Beispiel beträgt die Schwellenspannung 0,5 V und kann die durch den ersten Kondensator 316 während der Autonullphase gespeicherte Spannung 0,5 V + 0,016 V = 0,516 V betragen.
  • Das Autonullsignal AZ kann während einer Messphase deaktiviert werden und die Spannung an dem ersten Kondensator 316 kann im Wesentlichen fest verbleiben. Falls sich eine Widerstandscharakteristik des ersten Widerstands 402 ändert, zum Beispiel im Anschluss an eine Deaktivierung des Autonullsignals AZ oder während der Messphase, dann kann sich ein Ausgangssignal des Widerstandskomparators 400 ändern. Falls zum Beispiel ein Widerstand des ersten Widerstands 402 während der Messphase abnimmt, dann kann die erste FET-Vorrichtung 302 eingeschaltet werden und kann sich das Ausgangssignal Vout von einem hohen Wert auf einen relativ niedrigeren Wert ändern.
  • Bei einem Beispiel kann der erste Widerstand 402 einen Teil eines Sensors oder einer anderen Spannungsquelle aufweisen, die unter Verwendung des Widerstandskomparators 400 zu messen ist. Zum Beispiel kann der erste Widerstand 402 eine temperaturerfassende ohmsche Vorrichtung mit einer Widerstandscharakteristik aufweisen, die sich basierend auf der Temperatur ändern kann. Der Widerstandskomparator 400 kann zum Abtasten von Informationen von der temperaturerfassenden ohmschen Vorrichtung während einer Autonullphase und dann Überwachen der Vorrichtung hinsichtlich Änderungen während einer Messphase verwendet werden.
  • 5 veranschaulicht allgemein einen Komparator, der einen PMOS-Verstärker verwendet, gemäß einer Ausführungsform. Bei einem Beispiel veranschaulicht 5 einen Komparator 500, der dem Komparator 300 aus 3 ähnlich ist. Zum Beispiel kann der Komparator 500 einen Komparator mit einer PMOS-Vorrichtung mit gemeinsamen Gate aufweisen, wohingegen der Komparator 300 aus 3 einen Komparator mit einer NMOS-Vorrichtung mit gemeinsamen Gate aufweisen kann. Die Beispiele sind im Betrieb im Wesentlichen ähnlich, jedoch kann ein Vorzeichen des Ausgangssignals an dem unsymmetrischen Ausgangsknoten 306 in Abhängigkeit von dem Typ der verwendeten FET-Vorrichtung unterschiedlich sein.
  • Bei einem Beispiel kann der Komparator 500 einen Teil des Sicherungslesegerätsystems 100 aufweisen. Der Komparator 500 kann die PMOS-FET-Vorrichtung 502 in einer Konfiguration mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden. Bei dem Beispiel aus 5 kann der Source-Anschluss der PMOS-FET-Vorrichtung 502 zum Empfangen der Eingabe ausgebildet sein, kann der Drain-Anschluss zum Bereitstellen der Ausgabe ausgebildet sein und kann der Gate-Anschluss mit dem ersten Kondensator 316 gekoppelt sein. Bei einem Beispiel kann der erste Kondensator 316 zwischen dem Gate-Anschluss der PMOS-FET-Vorrichtung 502 und einer Versorgungsschiene, Vdd, gekoppelt sein, so dass er dabei hilft, ein Versorgungsrauschen abzuschwächen. Wie oben bei der Erörterung von 3 ähnlich beschrieben, können der Source- und Drain-Anschluss der PMOS-FET-Vorrichtung 502 vertauscht werden, um die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen Funktionen und Ergebnisse zu erreichen. Des Weiteren sind die veranschaulichten FET-Vorrichtungen der Einfachheit halber und zur Erklärung als singuläre Vorrichtungen gezeigt. Es versteht sich, dass die veranschaulichten Vorrichtungen in der Praxis mehrere parallele Vorrichtungen aufweisen können oder Vorrichtungen unterschiedlicher Typen (z. B. NMOS und PMOS) oder unterschiedlicher Größen, zum Beispiel zu Ladungsausgleichzwecken, aufweisen können.
  • Der Komparator 500 kann zum Lesen eines Eingangssignals Vin an dem unsymmetrischen Eingangsknoten 304, wie etwa zu ersten und anschließenden zweiten Zeiten, und zum Bereitstellen des Ausgangssignals Vout an dem unsymmetrischen Ausgangsknoten 306 ausgebildet sein. Der unsymmetrische Eingangsknoten 304 kann mit dem Source-Anschluss der PMOS-FET-Vorrichtung 502 gekoppelt sein und der unsymmetrische Ausgangsknoten 306 kann mit dem Drain-Anschluss der PMOS-FET-Vorrichtung 502 gekoppelt sein. Das Ausgangssignal Vout kann eine Beziehung zwischen Vin zu der ersten Zeit und Vin zu der anschließenden zweiten Zeit angeben. Verschiedene andere Betriebscharakteristiken und Verhalten des Komparators 500 sind analog zu jenen oben bei der Erörterung des Komparators 300 aus 3 beschriebenen.
  • 6 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für einen Komparator 600. Das Beispiel aus 6 kann manche Elemente von dem Komparator 300 aus dem Beispiel aus 3 oder von dem Widerstandskomparator 400 aus dem Beispiel aus 4 aufweisen oder verwenden, wobei gleiche Elemente durch gleiche Ziffern repräsentiert sind. Zum Beispiel kann der Komparator 600 eine zweite FET-Vorrichtung 602 mit Drain-, Source- und Gate-Anschluss aufweisen. Bei einem Beispiel kann die zweite FET-Vorrichtung 602 eine Vorrichtung mit den gleichen oder ähnlichen Charakteristiken zu jenen der ersten FET-Vorrichtung 302 sein. Die zweite FET-Vorrichtung 602 kann an dem Drain-Knoten mit einem Ausgangsknoten 606 gekoppelt sein und kann an dem Source-Knoten mit einem Eingangsknoten 604 gekoppelt sein. Der Drain- und Gate-Anschluss der zweiten FET-Vorrichtung 602 können durch einen Drain-Gate-Schalter 610, der auf ein Autonullsignal AZ an einem Autonulleingangsknoten 612 reagiert, selektiv gekoppelt werden. Zum Beispiel kann der Drain-Gate-Schalter 610 geschlossen werden, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, um die zweite FET-Vorrichtung 602 in einer diodenverbundenen Konfiguration bereitzustellen.
  • Die zweite FET-Vorrichtung 602 kann ein Strom-Bias-Signal von einer zweiten Stromquelle 608 zum Beispiel an dem Drain-Anschluss der zweiten FET-Vorrichtung 602 empfangen. Bei einem Beispiel kann die zweite Stromquelle 608 eine Quelle mit den gleichen oder ähnlichen Charakteristiken zu jenen der Stromquelle 308 aus dem Beispiel aus 3 sein. Der Gate-Anschluss der zweiten FET-Vorrichtung 602 kann mit einem zweiten Kondensator 616 und einem FET-Steuerknoten 614 gekoppelt sein. Die zweite FET-Vorrichtung 602 kann verschiedene FET-Vorrichtungscharakteristiken aufweisen, wie ähnlich für die erste FET-Vorrichtung 302 oben beschrieben.
  • In 6 kann die zweite FET-Vorrichtung 602 als eine FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate oder ein Verstärker ausgebildet sein, die/der zum Empfangen eines Eingangssignals an dem Eingangsknoten 604 an dem Source-Anschluss der zweiten FET-Vorrichtung 602 ausgebildet ist. In 6 kann der Eingangsknoten 604 mit einem Referenzschalter 618 und einem ersten Leseschalter 620 gekoppelt sein. Bei einem Beispiel kann der Referenzschalter 618 zum selektiven Koppeln des Eingangsknotens 604 mit einer Referenzspannungsquelle ausgebildet sein, die ein Referenzspannungssignal Vref oder ein Referenzsignal bereitstellt. Die Referenzspannungsquelle kann die Referenzquelle 106 aus dem Beispiel aus 1 aufweisen.
  • Der Referenzschalter 618 kann zum Empfangen eines Autonullsignals AZ ausgebildet sein, so dass der Referenzschalter 618 und der Drain-Gate-Schalter 610 zusammenarbeiten. Zum Beispiel können der Referenzschalter 618 und der Drain-Gate-Schalter 610 gleichzeitig geschlossen werden, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, und der Referenzschalter 618 und der Drain-Gate-Schalter 610 können gleichzeitig geöffnet werden, wenn das Autonullsignal AZ nicht aktiviert ist. Bei einem Beispiel können der Referenzschalter 618 und der Drain-Gate-Schalter 610 zum Empfangen des Autonullsignals AZ von dem Steuerschaltkreis 102 ausgebildet sein.
  • Bei einem Beispiel kann der erste Leseschalter 620 zum selektiven Koppeln des Eingangsknotens 604 mit einer Testsignalquelle ausgebildet sein, die ein Testspannungssignal Vtest bereitstellt. Die Testsignalquelle kann die Sicherungsbank 108 aus dem Beispiel aus 1 aufweisen oder kann eine andere Spannungsquelle oder Testsignalquelle aufweisen, die zum Bereitstellen des Testspannungssignals Vtest ausgebildet ist. Bei einem Beispiel kann der erste Leseschaltkreis 620 zum Empfangen eines Lesesignals Lesen_x, zum Beispiel von dem Steuerschaltkreis 102, ausgebildet sein. Bei einem Beispiel können das Autonullsignal AZ und das Lesesignal Lesen_x zu unterschiedlichen und nicht überlappenden Zeiten aktiviert werden.
  • Bei einem Beispiel fließt, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, Strom von der zweiten Stromquelle 608 durch die diodenverbundene zweite FET-Vorrichtung 602 und durch den Referenzschalter 618. Bei einem Beispiel koppelt der Referenzschalter 618 den Eingangsknoten 604 mit einem Referenzschaltkreis oder Referenzwiderstand, von dem das Referenzspannungssignal Vref gelesen werden kann. Der zweite Kondensator 616 kann Informationen über das Referenzspannungssignal Vref speichern, zum Beispiel kann der zweite Kondensator 616 eine Spannung speichern, die im Wesentlichen gleich einer Summe einer Schwellen- oder Gate-Source-Spannung der zweiten FET-Vorrichtung 602 und des Referenzspannungssignals Vref ist.
  • Das Autonullsignal AZ kann während einer Messphase deaktiviert werden und die Spannung an dem zweiten Kondensator 616 kann im Wesentlichen fest verbleiben. Das Lesesignal Lesen_x kann aktiviert werden, um die Messphase oder Testphase zu initiieren, und ein Tastspannungssignal Vtest kann unter Verwendung des ersten Leseschalters 620 mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt werden. Falls der Spannungsbetrag von Vtest von dem Spannungsbetrag von Vref abweicht, dann kann sich das Ausgangssignal Vout ändern. Falls zum Beispiel der Spannungsbetrag von Vtest geringer als Vref ist, dann kann die zweite FET-Vorrichtung 602 während der Testphase eingeschaltet werden und kann das Ausgangssignal Vout von einem hohen Wert zu einem niedrigen Wert übergehen.
  • 7 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für ein erstes Sicherungslesegerät 700. Das Beispiel aus 7 kann den Komparator 600 aus dem Beispiel aus 6 aufweisen oder verwenden, wobei zum Beispiel ein Referenzwiderstand 702 mit dem Referenzschalter 618 gekoppelt ist und eine erste Sicherung 704 mit dem ersten Leseschalter 620 gekoppelt ist.
  • Bei einem Beispiel kann, wenn das Autonullsignal AZ aktiviert ist, der Referenzschalter 618 geschlossen werden und kann der erste Leseschalter 620 geöffnet werden und kann ein Stromsignal von der zweiten Stromquelle 608 durch die zweite FET-Vorrichtung 602, durch den Referenzschalter 618 fließen und kann dadurch das Referenzspannungssignal Vref an dem Referenzwiderstand 702 produzieren. Informationen über das Referenzspannungssignal können unter Verwendung des zweiten Kondensators 616 gespeichert werden.
  • Wenn das Autonullsignal AZ deaktiviert ist, können der Referenzschalter 618 und der Drain-Gate-Schalter 610 geöffnet werden. Das Lesesignal Lesen_x kann dann aktiviert werden und als Reaktion kann der erste Leseschalter 620 geschlossen werden, um den Eingangsknoten 604 mit der ersten Sicherung 704 zu koppeln. In Abhängigkeit von einem Status oder Zustand der ersten Sicherung 704 kann ein Strom von der zweiten Stromquelle 608 durch die zweite FET-Vorrichtung 602 und die erste Sicherung 704 bereitgestellt werden. Falls zum Beispiel die erste Sicherung 704 intakt ist und daher eine niedrige Widerstandscharakteristik aufweist, wie etwa niedriger als die Widerstandscharakteristik des Referenzwiderstands 702, kann der Strom von der zweiten Stromquelle 608 durch den ersten Leseschalter 620 und durch die erste Sicherung 704 fließen. Das Ausgangssignal Vout an dem differentiellen Ausgangsknoten 606 kann entsprechend von einem Signal mit hohem Wert zu einem mit niedrigem Wert übergehen. Falls jedoch die erste Sicherung 704 durchgebrannt ist, dann kann die erste Sicherung 704 einen erheblich größeren Widerstand für einen Strom präsentieren, der von dem Eingangsknoten 604 und der zweiten FET-Vorrichtung 602 fließt. Wenn zum Beispiel die erste Sicherung 704 durchgebrannt ist, kann ihr Widerstand größer als jener des Referenzwiderstands 702 sein.
  • 8 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für ein zweites Sicherungslesegerät 800. Das Beispiel aus 8 kann einen oder mehrere Teile des ersten Sicherungslesegeräts 700 aus dem Beispiel aus 7 verwenden und aufweisen. Zum Beispiel kann das zweite Sicherungslesegerät 800 den Referenzwiderstand 702 aufweisen, der unter Verwendung des Referenzschalters 618 mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt ist, und der Referenzschalter 618 kann basierend auf dem Autonullsignal AZ betreibbar sein. Das zweite Sicherungslesegerät 800 kann ferner eine Bank von Sicherungen aufweisen, kann etwa die erste Sicherung 704, eine zweite Sicherung 802 und eine N-te Sicherung 806 aufweisen oder verwenden. Bei dem Beispiel aus 8 kann die zweite Sicherung 802 unter Verwendung eines zweiten Leseschalters 804 mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt sein und die N-te Sicherung 806 kann unter Verwendung eines N-ten Leseschalters 808 mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt sein. Gestrichelte Linien in den parallelen Leiterbahnen, die die N-te Sicherung 806 und den N-ten Schalter 808 mit dem Eingangsknoten 604 koppeln, geben an, dass zusätzliche Sicherungen optional verwendet werden können, und jede zusätzliche Sicherung kann ihren eigenen jeweiligen Schalter zum Koppeln von ihr mit dem Eingangsknoten 604 aufweisen oder verwenden. Bei einem Beispiel können die einigen Sicherungen die Sicherungsbank 108 aus dem Beispiel aus 1 aufweisen.
  • Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 zum Bereitstellen des Autonullsignals AZ und der verschiedenen Lesesignale Lesen_a, Lesen_b und Lesen_N ausgebildet sein, so dass der Referenzwiderstand 702, die erste Sicherung 704, die zweite Sicherung 802 und die N-te Sicherung 806 jeweils zu jeweiligen unterschiedlichen Zeiten mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt werden. Zum Beispiel kann der Referenzwiderstand 702 während einer Referenzphase oder Autonullphase mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt sein.
  • Anschließend an die Autonullphase und während einer Messphase oder Testphase können eine oder mehrere der Sicherungen zur Messung zum Beispiel sequentiell mit dem Eingangsknoten 604 gekoppelt werden. Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 die Lesesignale Lesen_a, Lesen_b und Lesen_N zu jeweiligen unterschiedlichen Zeiten aktivieren. Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 das Autonullsignal AZ zu verschiedenen Intervallen, zum Beispiel zwischen jeder Sicherungsmessung oder Testmessung, erneut aktivieren. Bei einem Beispiel kann der Steuerschaltkreis 102 das Autonullsignal AZ nach zwei oder mehr Testmessungen erneut aktivieren oder dann, wenn sich ein Wert eines Steuersignals an dem FET-Steuerknoten 614, wie etwa einer Spannung entsprechend, die durch den zweiten Kondensator 616 gespeichert wird, um mehr als eine vorgegebene Schwellenmenge ändert oder sich wahrscheinlich geändert hat.
  • 9 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für eine Signalvergleichsroutine 900. Die Signalvergleichsroutine 900 kann unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate durchgeführt werden, die zum Erfassen von Informationen über einen Referenzsignalbetrag während einer Autonullphase und zum Vergleichen von diesen mit einem Testsignalbetrag während einer Testphase ausgebildet ist. Die Signalvergleichsroutine 900 kann unter Verwendung eines Testsystems durchgeführt werden, das das Sicherungslesegerätsystem 100, den Komparator 300, den Widerstandskomparator 400, den Komparator 600, das erste Sicherungslesegerät 700 und/oder das zweite Sicherungslesegerät 800 aufweisen kann. Die Signalvergleichsroutine 900 kann mit dem Anlegen von Leistung an das Testsystem beginnen.
  • Bei Block 902 kann die Signalvergleichsroutine 900 Empfangen eines Autonullsignals an einem Lesegerätschaltkreis aufweisen. Block 902 kann Empfangen des Autonullsignals AZ zum Beispiel von dem Steuerschaltkreis 102 an dem Lesegerätschaltkreis 104 aufweisen. Bei Block 904 kann eine FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate als Reaktion auf das Autonullsignal AZ unter Verwendung eines ersten Schalters diodenverbunden werden. Zum Beispiel kann Block 904 Verwenden des ersten Schalters 310 zum Diodenverbinden der ersten FET-Vorrichtung 302 oder Verwenden des Drain-Gate-Schalters 610 zum Diodenverbinden der zweiten FET-Vorrichtung 602 als Reaktion darauf, dass das Autonullsignal AZ aktiviert ist, aufweisen.
  • Bei Block 906 kann die Signalvergleichsroutine 900 Empfangen eines ersten Eingangssignals an einem Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung in dem Lesegerätschaltkreis, wie etwa in dem Lesegerätschaltkreis 104 aus dem Beispiel aus 1, aufweisen. Bei einem Beispiel kann das erste Eingangssignal ein Referenzsignal von einer Referenzsignalquelle, wie etwa der Referenzquelle 106, aufweisen. Bei Block 908 können Informationen über das Referenzsignal zum Beispiel unter Verwendung eines Kondensators, der mit dem Gate-Anschluss der FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate gekoppelt ist, gespeichert werden.
  • Bei Block 910 können die Drain- und Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung entkoppelt werden. Zum Beispiel kann das Autonullsignal AZ deaktiviert werden oder seinen Zustand ändern und als Reaktion darauf kann der erste Schalter geöffnet werden, um dadurch den Drain- und Gate-Knoten der FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate zu entkoppeln. Bei Block 912 und nach dem Deaktivieren des Autonullsignals AZ kann ein zweites Eingangssignal an dem Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung in dem Lesegerätschaltkreis empfangen werden. Das zweite Eingangssignal kann unter anderem einen Sicherungszustand oder Sensorstatus repräsentieren. Bei einem Beispiel kann das zweite Eingangssignal ein Spannungssignal aufweisen, das von einem Widerstand oder einer anderen Vorrichtung gemessen wird.
  • Bei Block 914 kann die Signalvergleichsroutine 900 Bereitstellen eines Ausgangssignals von dem Drain-Knoten der ersten FET-Vorrichtung aufweisen. Das Ausgangssignal kann eine Betragsbeziehung zwischen dem ersten und zweiten Eingangssignal angeben. Zum Beispiel kann das Ausgangssignal repräsentieren, ob ein Betrag des zweiten Eingangssignals von einem Betrag des ersten Eingangssignals abweicht. Bei einem Beispiel kann das Ausgangssignal im Wesentlichen unabhängig von einer Schwellenspannung oder einer anderen Charakteristik der ersten FET-Vorrichtung sein.
  • Anschließend an Block 914 kann die Signalvergleichsroutine 900 optional zu Block 902 zurückkehren oder kann enden, indem die Leistung zu dem Testsystem getrennt wird. Bei einem Beispiel kann das bei Block 914 bereitgestellte Ausgangssignal zum Beispiel von dem Lesegerätschaltkreis 104 an den Steuerschaltkreis 102 geliefert werden. Bei einem Beispiel kann das Ausgangssignal von Block 914 Sicherungszustandsinformationen aufweisen und können die Sicherungszustandsinformationen in einem Shadow-RAM gespeichert werden.
  • 10 veranschaulicht allgemein ein Beispiel für eine Sicherungsleseroutine 1000. Das Beispiel für die Sicherungsleseroutine 1000 kann zum Beispiel unter Verwendung des ersten Sicherungslesegeräts 700, des zweiten Sicherungslesegeräts 800 oder unter Verwendung einer oder mehrerer anderer Sicherungslesegerättopologien durchgeführt werden.
  • Bei einem Beispiel kann die Sicherungsleseroutine 1000 bei Block 1002 Einrichten eines Referenzsignals aufweisen, mit dem ein oder mehrere Testsignale verglichen werden können. Bei einem Beispiel kann Block 1002 Durchführen der hier bei Block 902, Block 904, Block 906, Block 908 oder Block 910 beschriebenen Handlungen von der Signalvergleichsroutine 900 aus 9 aufweisen.
  • Block 1004 kann Auswählen eines ersten Sicherungskanals zur Messung, wie etwa während einer Messphase oder Testphase, aufweisen. Bei einem Beispiel kann Block 1004 Verwenden des Steuerschaltkreises 102 zum Aktivieren eines Lesesignals Lesen_x aufweisen und das Lesesignal Lesen_x kann den Lesegerätschaltkreis 104 oder die Sicherungsbank 108 zum Koppeln einer designierten oder spezifizierten Sicherung mit zum Beispiel dem Eingangsknoten 604 der zweiten FET-Vorrichtung 602 anweisen.
  • Bei Block 1006 kann die Sicherungsleseroutine 1000 Empfangen eines Spannungssignals an einem Eingangsknoten, zum Beispiel an dem Eingangsknoten 604, aufweisen. Das bei Block 1006 empfangene Spannungssignal kann einen Status oder Zustand der designierten oder spezifizierten Sicherung von Block 1004 angeben. Falls zum Beispiel die erste Sicherung 704 bei Block 1004 ausgewählt wird, dann kann das bei Block 1006 empfangene Spannungssignal ein Spannungssignal aufweisen, das produziert wird, wenn ein Stromsignal, wie etwa von der zweiten Stromquelle 608, durch die zweite FET-Vorrichtung 602 und an die erste Sicherung 704 geliefert wird. Falls die erste Sicherung 704 durchgebrannt ist, dann kann die bei Block 1006 empfangene Spannung hoch sein und, falls die erste Sicherung 704 intakt ist, dann kann die bei Block 1006 empfangene Spannung niedrig sein. Bei Block 1008 kann ein Ausgangssignal von dem Lesegerätschaltkreis empfangen werden und das Ausgangssignal kann eine Betragsbeziehung zwischen dem in Block 1002 eingerichteten Referenzsignal und dem bei Block 1006 empfangenen Spannungssignal repräsentieren.
  • Bei dem Entscheidungsblock 1010 kann das Ausgangssignal von Block 1008 ausgewertet werden, um die Beziehung zwischen dem Referenzsignal von Block 1002 und dem Spannungssignal von Block 1006 zu bestimmen. Zum Beispiel kann bei dem Entscheidungsblock 1010, falls das Ausgangssignal angibt, dass das erste Sicherungskanalspannungssignal von Block 1006 geringer als das Referenzsignal von Block 1002 ist, das Beispiel dann bei Block 1012 fortfahren. Falls das Ausgangssignal angibt, dass das erste Sicherungskanalspannungssignal von Block 1006 größer als das Referenzsignal von Block 1002 ist, kann das Beispiel dann bei Block 1016 fortfahren.
  • Bei Block 1016 kann die Sicherungsleseroutine 1000 Bereitstellen einer Angabe aufweisen, dass die designierte oder spezifizierte Sicherung von Block 1004 durchgebrannt ist. Von Block 1016 kann die Sicherungsleseroutine 1000 bei Block 1018 mit dem Aktualisieren des Referenzsignals fortfahren, wie etwa durch erneutes Aktivieren des Autonullsignals AZ und Messen von Referenzinformationen von zum Beispiel der Referenzquelle 106. Anschließend an Block 1018 kann die Sicherungsleseroutine 1000 bei Block 1020 durch Auswählen eines anderen, zweiten Sicherungskanals zur Messung, wie etwa unter Verwendung des Steuerschaltkreises 102 zum Aktivieren eines anderen Lesesignals, fortfahren, um eine andere Sicherung in der Sicherungsbank 108 zu behandeln.
  • Bei Block 1012 kann die Sicherungsleseroutine 1000 Bereitstellen einer Angabe aufweisen, dass die designierte oder spezifizierte Sicherung von Block 1004 nicht durchgebrannt ist oder dass die Sicherung intakt ist. Von Block 1012 kann die Sicherungsleseroutine 1000 bei Entscheidungsblock 1014 mit dem Bestimmen fortfahren, ob das bei Block 1002 eingerichtete Referenzsignal gültig ist. Das Referenzsignal kann als gültig betrachtet werden, solange die Referenzsignalspannung, wie etwa unter Verwendung des zweiten Kondensators 616, nicht um mehr als eine vorgegebene Schwellenmenge verringert oder verschlechtert wird. Das heißt, die Integrität des durch den zweiten Kondensator 616 gespeicherten und an dem FET-Steuerknoten 614 verfügbaren Signals kann sich mit der Zeit ändern, wie etwa aufgrund von Signal-Bleeding durch die zweite FET-Vorrichtung 602 oder eine andere Signalverschlechterung, und Entscheidungsblock 1014 kann verwendet werden, um zu bestimmen, ob das Referenzsignal aktualisiert werden sollte. Falls das Referenzsignal bei Entscheidungsblock 1014 als ungültig oder ungenügend bestimmt wird, dann kann die Sicherungsleseroutine 1000 bei Block 1018 fortfahren und kann das Referenzsignal zum Beispiel gemäß Block 1002 aktualisiert werden. Falls das Referenzsignal bei Entscheidungsblock 1014 als gültig bestimmt wird, kann die Sicherungsleseroutine 1000 dann jedoch bei Block 1020 fortfahren, ohne das Referenzsignal zu aktualisieren.
  • Obwohl die in den Figuren veranschaulichten Beispiele allgemein als FET-Vorrichtungen aufweisend präsentiert sind, können ähnliche Beispiele unter Verwendung von BJT-Vorrichtungen oder anderen Vorrichtungen bereitgestellt werden.
  • Bei einem Beispiel, wie zuvor erwähnt, schließt ein zu lösendes Problem Bereitstellen eines Komparators oder Messschaltkreises oder Sicherungslesegerätschaltkreises ein. Verschiedene Aspekte der vorliegenden Offenbarung können dabei helfen, eine Lösung hierfür und andere Probleme bereitzustellen, die mit Komparatorschaltkreisen, Messschaltkreisen, Sicherungslesegerätschaltkreisen und anderen Schaltkreisen assoziiert sind.
  • Bei einem Beispiel kann Aspekt 1 einen Gegenstand (wie etwa eine Einrichtung, ein System, eine Vorrichtung, ein Verfahren, ein Mittel zum Durchführen von Handlungen oder ein vorrichtungslesbares Medium, das Anweisungen aufweist, die bei Ausführung durch die Vorrichtung die Vorrichtung zum Durchführen von Handlungen veranlassen kann, oder ein Herstellungsartikel) aufweisen oder verwenden, kann etwa einen Verstärkerschaltkreis mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden, der zum Bereitstellen von Informationen über eine Beziehung zwischen einem Eingangssignal und einem Referenzsignal ausgebildet ist. In Aspekt 1 kann der Verstärkerschaltkreis Folgendes aufweisen: einen ersten FET, der einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten und einen Gate-Knoten aufweist, und einen Verstärkerausgangsknoten an dem ersten Knoten des ersten FET. Aspekt 1 kann Folgendes aufweisen: einen ersten Schalter, der zum Koppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn ein Autonullsignal aktiv ist, und wobei der erste Schalter zum Entkoppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, und einen Kondensator, der mit dem Gate-Knoten gekoppelt ist und zum Speichern von Informationen über das Referenzsignal ausgebildet ist, wobei, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, ein Ausgangssignal an dem Ausgangsknoten eine Betragsbeziehung zwischen dem Eingangssignal an dem zweiten Knoten und dem Referenzsignal angeben kann.
  • Aspekt 2 kann den Gegenstand aus Aspekt 1 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Referenzsignals von einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiv ist, und wobei der zweite Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von der Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist. Aspekt 2 kann ferner Folgendes aufweisen: einen dritten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Eingangssignals von einem Eingangsknoten ausgebildet ist, wenn ein Lesesignal aktiv ist, und wobei der dritte Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von dem Eingangsknoten ausgebildet ist, wenn das Lesesignal inaktiv ist.
  • Aspekt 3 kann den Gegenstand aus Aspekt 2 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen: eine erste Sicherung, die mit dem Eingangsknoten gekoppelt ist.
  • Aspekt 4 kann den Gegenstand aus Aspekt 2 oder Aspekt 3 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen Steuerschaltkreis, der zum Bereitstellen des Autonullsignals zum Steuern des ersten und zweiten Schalters und zum Bereitstellen des Lesesignals zum Steuern des dritten Schalters ausgebildet ist.
  • Aspekt 5 kann den Gegenstand aus einem der Aspekte 1 bis 4 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Referenzsignals von einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiv ist, und wobei der zweite Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von der Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, und mehrere Eingangsschalter, die zum selektiven Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen von Eingangssignalen von jeweiligen unterschiedlichen Eingangsknoten als Reaktion auf jeweilige unterschiedliche Lesesignale ausgebildet sind, die die mehreren Eingangsschalter steuern.
  • Aspekt 6 kann den Gegenstand aus Aspekt 5 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen Steuerschaltkreis, der zum Bereitstellen der jeweiligen unterschiedlichen Lesesignale ausgebildet ist, die die mehreren Eingangsschalter steuern, wobei jedes der Lesesignale zu einer anderen Zeit aktiviert werden kann.
  • Aspekt 7 kann den Gegenstand aus Aspekt 6 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: den Steuerschaltkreis zum Erzeugen des Autonullsignals, und wobei das Autonullsignal und die jeweiligen unterschiedlichen Lesesignale zu unterschiedlichen Zeiten aktiviert werden können.
  • Aspekt 8 kann den Gegenstand aus einem der Aspekte 1 bis 7 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET mit einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiviert ist, und die Referenzspannungsquelle kann zum Bereitstellen des Referenzsignals ausgebildet sein.
  • Aspekt 9 kann den Gegenstand aus Aspekt 8 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen: die Referenzspannungsquelle, die einen Widerstand mit einem bekannten Widerstandswert aufweist.
  • Aspekt 10 kann den Gegenstand aus einem der Aspekte 1 bis 9 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: eine Stromquelle, die zum Liefern eines Strom-Bias-Signals an den ersten Knoten des ersten FET ausgebildet ist.
  • Aspekt 11 kann einen Gegenstand (wie etwa eine Einrichtung, ein System, eine Vorrichtung, ein Verfahren, ein Mittel zum Durchführen von Handlungen oder ein vorrichtungslesbares Medium, das Anweisungen aufweist, die bei Ausführung durch die Vorrichtung die Vorrichtung zum Durchführen von Handlungen veranlassen kann, oder ein Herstellungsartikel) aufweisen oder verwenden, kann etwa ein System zum Bestimmen eines Zustands einer oder mehrerer Sicherungen aufweisen oder verwenden. Aspekt 11 kann Folgendes aufweisen: eine erste FET-Vorrichtung, einen ersten Schalter, der zum selektiven Koppeln eines Drain- und Gate-Knotens der ersten FET-Vorrichtung basierend auf einem ersten Schaltersteuersignal ausgebildet ist, und einen Kondensator, der mit dem Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung gekoppelt ist. In Aspekt 11 kann der Kondensator zum Speichern von Informationen über ein Referenzsignal ausgebildet sein, wenn der erste Schalter den Drain- und Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung koppelt und das Referenzsignal an einem Source-Knoten der ersten FET-Vorrichtung empfangen wird. In Aspekt 11 kann, wenn der erste Schalter den Drain- und Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung entkoppelt und ein zweites Eingangssignal an dem Source-Knoten der ersten FET-Vorrichtung empfangen wird, ein Ausgangssignal an dem Drain-Knoten der ersten FET-Vorrichtung eine Betragsbeziehung zwischen dem zweiten Eingangssignal und dem Referenzsignal angeben und kann das zweite Eingangssignal einen Zustand einer ersten Sicherung angeben.
  • Aspekt 12 kann den Gegenstand aus Aspekt 11 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit einem Referenzelement ausgebildet ist, das das Referenzsignal bereitstellt, wobei der erste und zweite Schalter im Wesentlichen zu den gleichen Zeiten geschlossen oder geöffnet werden können.
  • Aspekt 13 kann den Gegenstand aus Aspekt 12 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen dritten Schalter, der zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit der ersten Sicherung ausgebildet ist. Bei einem Beispiel kann der dritte Schalter nur geschlossen werden, wenn der erste und zweite Schalter geöffnet sind.
  • Aspekt 14 kann den Gegenstand aus Aspekt 13 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: einen Steuerschaltkreis zum Bereitstellen von Steuersignalen zum Steuern des offenen/geschlossenen Status sowohl des ersten, zweiten als auch dritten Schalters.
  • Aspekt 15 kann den Gegenstand aus einem der Aspekte 12 bis 14 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: mehrere Eingangsschalter, die zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit jeweiligen unterschiedlichen Sicherungen ausgebildet sind, wobei jeder der mehreren Eingangsschalter zu einer anderen Zeit geschlossen (oder für ein anderes und nicht überlappendes Intervall geschlossen) werden kann und wobei jeder der mehreren Eingangsschalter geöffnet werden kann, wenn der erste und zweite Schalter geschlossen sind, und wobei die erste Sicherung eine der Sicherungen aufweisen kann.
  • Aspekt 16 kann den Gegenstand aus einem der Aspekte 12 bis 15 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen oder zu verwenden: eine Stromquelle, die zum Liefern eines Strom-Bias-Signals an den Drain-Knoten der ersten FET-Vorrichtung ausgebildet ist.
  • Aspekt 17 kann einen Gegenstand (wie etwa eine Einrichtung, ein System, eine Vorrichtung, ein Verfahren, ein Mittel zum Durchführen von Handlungen oder ein vorrichtungslesbares Medium, das Anweisungen aufweist, die bei Ausführung durch die Vorrichtung die Vorrichtung zum Durchführen von Handlungen veranlassen kann, oder ein Herstellungsartikel) aufweisen oder verwenden, kann etwa ein Verfahren zum Bestimmen einer Beziehung zwischen einem ersten Eingangssignal und einem zweiten Eingangssignal unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate aufweisen oder verwenden. Bei einem Beispiel kann Aspekt 17 den Gegenstand aus einem der Aspekte 1 bis 16 aufweisen oder verwenden, oder kann mit diesem kombiniert werden. Bei einem Beispiel kann das Verfahren aus Aspekt 17 Schritte oder Handlungen aufweisen, die Folgendes aufweisen: Koppeln von Drain- und Gate-Knoten der FET-Vorrichtung unter Verwendung eines ersten Schalters, wobei der erste Schalter auf ein Autonullsignal reagiert, und während das erste Eingangssignal an einen Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, Speichern von Informationen über eine Referenzspannung unter Verwendung eines Kondensators, der mit dem Gate-Knoten der FET-Vorrichtung gekoppelt ist. Aspekt 17 kann ferner Entkoppeln des Drain- und Gate-Knotens der FET-Vorrichtung unter Verwendung des ersten Schalters und, während das zweite Eingangssignal an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, Empfangen eines Ausgangssignals von dem Drain-Knoten der FET-Vorrichtung aufweisen, wobei ein Betrag des Ausgangssignals eine Betragsbeziehung zwischen dem ersten und zweiten Eingangssignal angeben kann.
  • Aspekt 18 kann den Gegenstand aus Aspekt 17 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen: Liefern des zweiten Eingangssignals an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung, wobei das zweite Eingangssignal einen Zustand einer Sicherung repräsentieren oder angeben kann.
  • Aspekt 19 kann den Gegenstand aus Aspekt 17 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen: Liefern des zweiten Eingangssignals an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung, wobei das zweite Eingangssignal einen Sensorwert repräsentieren oder angeben kann.
  • Aspekt 20 kann den Gegenstand aus Aspekt 17 aufweisen oder verwenden, oder kann optional mit diesem kombiniert werden, um optional Folgendes aufzuweisen: Bereitstellen eines ersten Steuersignals für den ersten Schalter und Bereitstellen einer Sequenz aus mehreren anderen Steuersignalen für mehrere andere jeweilige Schalter, wobei jeder der mehreren anderen jeweiligen Schalter eine andere Sicherung mit dem Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung koppelt.
  • Jeder dieser nicht beschränkenden Aspekte kann für sich alleine stehen oder kann in verschiedenen Permutationen oder Kombinationen mit einem oder mehreren der anderen Aspekte, Beispiele oder Merkmale, die hier anderswo besprochen sind, kombiniert werden.
  • Diese ausführliche Beschreibung weist Bezugnahmen auf die begleitenden Zeichnungen auf, die einen Teil der ausführlichen Beschreibung bilden. Die Zeichnungen zeigen spezielle Ausführungsformen, in denen die Erfindung umgesetzt werden kann, als Veranschaulichung. Diese Ausführungsformen werden hier auch als „Beispiele“ bezeichnet. Derartige Beispiele können Elemente zusätzlich zu jenen gezeigten oder beschriebenen aufweisen. Jedoch beabsichtigen die Erfinder der vorliegenden Erfindung auch Beispiele, bei denen lediglich jene gezeigten oder beschriebenen Elemente bereitgestellt sind. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung beabsichtigen Beispiele, die eine beliebige Kombination oder Permutation jener gezeigten oder beschriebenen Elemente (oder eines oder mehrerer Aspekte davon) verwenden, entweder mit Bezug auf ein bestimmtes Beispiel (oder einen oder mehrere Aspekte davon) oder mit Bezug auf andere Beispiele (oder einen oder mehrere Aspekte davon), die hier gezeigt oder beschrieben sind.
  • In diesem Dokument werden die Ausdrücke „ein“, „eine“ oder „einer“ so verwendet, wie in Patentdokumenten üblich, dass sie ein/eine/einen oder mehr als eines/eine/einen einschließen, unabhängig von beliebigen anderen Instanzen oder Verwendungen von „wenigstens einem/einer“ oder „einem/einer oder mehr“. In diesem Dokument wird der Ausdruck „oder“ verwendet, um auf ein nicht ausschließendes „oder“ zu verweisen, so dass „A oder B“, „A, aber nicht B“, „B, aber nicht A“ und „A und B“ einschließt, sofern nichts anderes angegeben ist. In diesem Dokument werden die Ausdrücke „einschließlich“ und „bei dem“ als die Äquivalente derjeweiligen Ausdrücke „aufweisend“ und „wobei“ in einfachem Deutsch verwendet.
  • Die Ausdrücke „einschließlich“ und „aufweisend“ sind in den folgenden Ansprüchen offene Ausdrücke, das heißt, ein System, eine Vorrichtung, ein Artikel, eine Zusammensetzung, eine Formulierung oder ein Prozess, der/die/das Elemente zusätzlich zu jenen aufgelisteten nach einem solchen Begriff in einem Anspruch aufweist, wird immer noch als in den Schutzumfang dieses Anspruchs fallend erachtet. Zudem werden in den folgenden Ansprüchen die Begriffe „erster“, „zweiter“ und „dritter“ usw. lediglich als Kennzeichnungen verwendet, und sollen keine numerischen Anforderungen hinsichtlich ihrer Objekte auferlegen.
  • Hier beschriebene Verfahrensbeispiele können wenigstens teilweise maschinen- oder computerimplementiert sein. Manche Beispiele können ein computerlesbares Medium oder ein maschinenlesbares Medium aufweisen, das mit Anweisungen codiert ist, die dazu funktionsfähig sind, eine elektronische Vorrichtung zum Durchführen von Verfahren, wie in den obigen Beispielen beschrieben, auszubilden. Eine Implementierung solcher Verfahren kann Code, wie etwa Mikrocode, Assemblersprachencode, Code einer höheren Programmiersprache oder dergleichen aufweisen. Ein solcher Code kann computerlesbare Anweisungen zum Durchführen verschiedener Verfahren aufweisen. Der Code kann Teile von Computerprogrammprodukten bilden. Ferner kann der Code bei einem Beispiel greifbar auf einem oder mehreren unbeständigen, nichtflüchtigen oder beständigen greifbaren computerlesbaren Medien gespeichert werden, wie etwa während einer Ausführung oder zu anderen Zeiten. Beispiele für diese greifbaren computerlesbaren Medien können unter anderem Festplatten, entfernbare Magnetplatten, entfernbare optische Platten (z. B. Compact-Disks und Digital-Video-Disks), Magnetkassetten, Speicherkarten oder -Sticks, Direktzugriffsspeicher (RAMs), Nurlesespeicher (ROMs) und dergleichen einschließen.
  • Die obige Beschreibung soll veranschaulichend und nicht beschränkend sein. Zum Beispiel können die oben beschriebenen Beispiele (oder ein oder mehrere Aspekte davon) in Kombination miteinander verwendet werden. Andere Ausführungsformen können, wie etwa von einem Durchschnittsfachmann, bei der Durchsicht der obigen Beschreibung verwendet werden. Die Zusammenfassung wird bereitgestellt, um dem Leser zu ermöglichen, die Art der technischen Offenbarung schnell festzustellen. Sie ist mit dem Verständnis vorgelegt, dass sie nicht verwendet wird, um den Schutzumfang oder die Bedeutung der Ansprüche zu interpretieren oder zu beschränken. Auch können bei der obigen ausführlichen Beschreibung verschiedene Merkmale zusammen gruppiert werden, um die Offenbarung zu straffen. Dies sollte nicht als die Absicht interpretiert werden, dass ein nichtbeanspruchtes offenbartes Merkmal für einen beliebigen Anspruch wesentlich ist. Vielmehr kann der Erfindungsgegenstand in weniger als allen Merkmalen einer speziellen offenbarten Ausführungsform liegen. Dementsprechend sind die folgenden Ansprüche hiermit als Beispiele oder Ausführungsformen in die Ausführliche Beschreibung aufgenommen, wobei jeder Anspruch für sich alleine als eine separate Ausführungsform steht, und es ist beabsichtigt, dass solche Ausführungsformen miteinander in verschiedenen Kombinationen oder Permutationen kombiniert werden können. Der Schutzumfang der Erfindung sollte unter Bezugnahme auf die angehängten Ansprüche zusammen mit dem vollen Schutzumfang von Äquivalenten, zu welchen solche Ansprüche berechtigen, bestimmt werden.
  • Ein Zustand einer oder mehrerer Sicherungen kann unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate zum Lesen von Referenzinformationen und Testinformationen von einer Sicherungsbank bestimmt werden. Bei einem Beispiel kann die FET-Vorrichtung unter Verwendung eines ersten Schalters, der auf ein Steuersignal reagiert, selektiv diodenverbunden werden und kann ein Signalspeicherungskondensator mit dem Gate-Anschluss der FET-Vorrichtung verbunden werden. Der Kondensator kann Informationen über ein Referenzsignal speichern, wenn der erste Schalter geschlossen ist und ein erstes Eingangssignal an einem Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird. Wenn der erste Schalter geöffnet ist, kann ein zweites Eingangssignal an dem Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt werden und kann ein Ausgangssignal an dem Drain-Knoten der FET-Vorrichtung eine Betragsbeziehung zwischen dem ersten Eingangssignal und dem Referenzsignal angeben. Bei einem Beispiel kann das zweite Eingangssignal einen Zustand einer Sicherung angeben.

Claims (20)

  1. Verstärkerschaltkreis mit gemeinsamem Gate, der zum Bereitstellen von Informationen über eine Beziehung zwischen einem Eingangssignal und einem Referenzsignal ausgebildet ist, wobei der Verstärkerschaltkreis Folgendes aufweist: einen ersten FET, der einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten und einen Gate-Knoten aufweist; einen Verstärkerausgangsknoten an dem ersten Knoten des ersten FET; einen ersten Schalter, der zum Koppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn ein Autonullsignal aktiv ist, und wobei der erste Schalter zum Entkoppeln des ersten Knotens und des Gate-Knotens des ersten FET ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist; und einen Kondensator, der mit dem Gate-Knoten gekoppelt ist und zum Speichern von Informationen über das Referenzsignal ausgebildet ist; wobei, wenn das Autonullsignal inaktiv ist, ein Ausgangssignal an dem Ausgangsknoten eine Betragsbeziehung zwischen dem Eingangssignal an dem zweiten Knoten und dem Referenzsignal angibt.
  2. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 1, der ferner Folgendes aufweist: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Referenzsignals von einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiv ist, und wobei der zweite Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von der Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist; und einen dritten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Eingangssignals von einem Eingangsknoten ausgebildet ist, wenn ein Lesesignal aktiv ist, und wobei der dritte Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von dem Eingangsknoten ausgebildet ist, wenn das Lesesignal inaktiv ist.
  3. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 2, der ferner eine erste Sicherung aufweist, die mit dem Eingangsknoten gekoppelt ist.
  4. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 2 oder 3, der ferner einen Steuerschaltkreis aufweist, der zum Bereitstellen des Autonullsignals zum Steuern des ersten und zweiten Schalters und zum Bereitstellen des Lesesignals zum Steuern des dritten Schalters ausgebildet ist.
  5. Verstärkerschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, der ferner Folgendes aufweist: einen zweiten Schalter, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen des Referenzsignals von einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiv ist, und wobei der zweite Schalter zum Entkoppeln des zweiten Knotens von der Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal inaktiv ist; und mehrere Eingangsschalter, die zum selektiven Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET zum Empfangen von Eingangssignalen von jeweiligen unterschiedlichen Eingangsknoten als Reaktion auf jeweilige unterschiedliche Lesesignale ausgebildet sind, die die mehreren Eingangsschalter steuern.
  6. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 5, der ferner einen Steuerschaltkreis aufweist, der zum Bereitstellen der jeweiligen unterschiedlichen Lesesignale ausgebildet ist, die die mehreren Eingangsschalter steuern, wobei jedes der Lesesignale zu einer anderen Zeit aktiviert wird.
  7. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 6, wobei der Steuerschaltkreis zum Erzeugen des Autonullsignals ausgebildet ist und wobei das Autonullsignal und die jeweiligen unterschiedlichen Lesesignale zu unterschiedlichen Zeiten aktiviert werden.
  8. Verstärkerschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 7, der ferner einen zweiten Schalter aufweist, der zum Koppeln des zweiten Knotens des ersten FET mit einer Referenzspannungsquelle ausgebildet ist, wenn das Autonullsignal aktiviert ist, wobei die Referenzspannungsquelle zum Bereitstellen des Referenzsignals ausgebildet ist.
  9. Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 8, wobei die Referenzspannungsquelle einen Widerstand mit einem bekannten Widerstandswert aufweist.
  10. Verstärkerschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 9, der ferner eine Stromquelle aufweist, die zum Liefern eines Strom-Bias-Signals an den ersten Knoten des ersten FET ausgebildet ist.
  11. System zum Bestimmen eines Zustands einer oder mehrerer Sicherungen, wobei das System Folgendes aufweist: eine erste FET-Vorrichtung; einen ersten Schalter, der zum selektiven Koppeln eines Drain- und Gate-Knotens der ersten FET-Vorrichtung basierend auf einem ersten Schaltersteuersignal ausgebildet ist; und einen Kondensator, der mit dem Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung gekoppelt ist; wobei der Kondensator Informationen über ein Referenzsignal speichert, wenn der erste Schalter den Drain- und Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung koppelt und das Referenzsignal an einem Source-Knoten der ersten FET-Vorrichtung empfangen wird; und wobei, wenn der erste Schalter den Drain- und Gate-Knoten der ersten FET-Vorrichtung entkoppelt und ein zweites Eingangssignal an dem Source-Knoten der ersten FET-Vorrichtung empfangen wird, ein Ausgangssignal an dem Drain-Knoten der ersten FET-Vorrichtung eine Betragsbeziehung zwischen dem zweiten Eingangssignal und dem Referenzsignal angibt, wobei das zweite Eingangssignal einen Zustand einer ersten Sicherung angibt.
  12. System nach Anspruch 11, das ferner einen zweiten Schalter aufweist, der zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit einem Referenzelement ausgebildet ist, das das Referenzsignal bereitstellt, wobei der erste und zweite Schalter im Wesentlichen zu den gleichen Zeiten geschlossen oder geöffnet werden.
  13. System nach Anspruch 12, das ferner einen dritten Schalter aufweist, der zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit der ersten Sicherung ausgebildet ist, wobei der dritte Schalter nur geschlossen ist, wenn der erste und zweite Schalter geöffnet sind.
  14. System nach Anspruch 13, das ferner einen Steuerschaltkreis zum Bereitstellen von Steuersignalen zum Steuern des offenen/geschlossenen Status sowohl des ersten, zweiten als auch dritten Schalters aufweist.
  15. System nach einem der Ansprüche 12 bis 14, das ferner mehrere Eingangsschalter aufweist, die zum Koppeln des Source-Knotens der ersten FET-Vorrichtung mit jeweiligen unterschiedlichen Sicherungen ausgebildet sind, wobei jeder der mehreren Eingangsschalter zu einer anderen Zeit geschlossen wird und wobei jeder der mehreren Eingangsschalter geöffnet wird, wenn der erste und zweite Schalter geschlossen sind, und wobei die erste Sicherung eine der Sicherungen aufweist.
  16. System nach einem der Ansprüche 12 bis 15, das ferner eine Stromquelle aufweist, die zum Liefern eines Strom-Bias-Signals an den Drain-Knoten der ersten FET-Vorrichtung ausgebildet ist.
  17. Verfahren zum Bestimmen einer Beziehung zwischen einem ersten Eingangssignal und einem zweiten Eingangssignal unter Verwendung einer FET-Vorrichtung mit gemeinsamem Gate, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Koppeln von Drain- und Gate-Knoten der FET-Vorrichtung unter Verwendung eines ersten Schalters, wobei der erste Schalter auf ein Autonullsignal reagiert; während das erste Eingangssignal an einen Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, Speichern von Informationen über eine Referenzspannung unter Verwendung eines Kondensators, der mit dem Gate-Knoten der FET-Vorrichtung gekoppelt ist; Entkoppeln des Drain- und Gate-Knotens der FET-Vorrichtung unter Verwendung des ersten Schalters; und während das zweite Eingangssignal an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung angelegt wird, Empfangen eines Ausgangssignals von dem Drain-Knoten der FET-Vorrichtung, wobei ein Betrag des Ausgangssignals eine Betragsbeziehung zwischen dem ersten und zweiten Eingangssignal angibt.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, das ferner Liefern des zweiten Eingangssignals an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung aufweist, wobei das zweite Eingangssignal einen Zustand einer Sicherung repräsentiert.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 18, das ferner Liefern des zweiten Eingangssignals an den Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung aufweist, wobei das zweite Eingangssignal einen Sensorwert repräsentiert.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, das ferner Bereitstellen eines ersten Steuersignals für den ersten Schalter und Bereitstellen einer Sequenz aus mehreren anderen Steuersignalen für mehrere andere jeweilige Schalter aufweist, wobei jeder der mehreren anderen jeweiligen Schalter eine andere Sicherung mit dem Eingangs-Source-Knoten der FET-Vorrichtung koppelt.
DE102020123778.2A 2019-09-19 2020-09-11 Komparator mit gemeinsamem gate und sicherungslesegerät Active DE102020123778B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/576,216 US10854306B1 (en) 2019-09-19 2019-09-19 Common-gate comparator and fuse reader
US16/576,216 2019-09-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102020123778A1 DE102020123778A1 (de) 2021-03-25
DE102020123778B4 true DE102020123778B4 (de) 2024-02-29

Family

ID=73555016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020123778.2A Active DE102020123778B4 (de) 2019-09-19 2020-09-11 Komparator mit gemeinsamem gate und sicherungslesegerät

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10854306B1 (de)
CN (1) CN112532217A (de)
DE (1) DE102020123778B4 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064405A (en) 1976-11-09 1977-12-20 Westinghouse Electric Corporation Complementary MOS logic circuit
US5565813A (en) 1995-05-15 1996-10-15 Motorola Inc. Apparatus for a low voltage differential amplifier incorporating switched capacitors
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
DE112017004368T5 (de) 2016-08-29 2019-05-16 Skyworks Solutions, Inc. Schaltungen, vorrichtungen und verfahren zum erfassen eines zustandes einer sicherung

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05300432A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
JP2959382B2 (ja) * 1994-03-02 1999-10-06 松下電器産業株式会社 ゲート接地アンプおよびアンプ付イメージセンサ
US6320363B1 (en) * 1999-12-17 2001-11-20 Motorola, Inc. Voltage regulator with improved transient response
US6628165B1 (en) * 2000-11-07 2003-09-30 Linear Technology Corporation Power controllers for amplitude modulation
US6803555B1 (en) 2001-09-07 2004-10-12 Indigo Systems Corporation Two-stage auto-zero amplifier circuit for electro-optical arrays
JP4252855B2 (ja) 2002-11-06 2009-04-08 アルプス電気株式会社 ソースフォロア回路および液晶表示装置の駆動装置
US7327168B2 (en) 2002-11-20 2008-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7030641B1 (en) 2003-09-18 2006-04-18 Analog Devices, Inc. Programmable fuse state determination system and method
JP2005311591A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流駆動装置
DE112005003645B4 (de) 2005-07-29 2012-07-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verstärkerschaltung mit einstellbarer Verstärkung
US7327595B2 (en) * 2006-05-09 2008-02-05 Analog Devices, Inc. Dynamically read fuse cell
US7528634B2 (en) * 2006-06-28 2009-05-05 Intersil Americas Inc. High voltage comparator using sliding input low voltage devices
US7593248B2 (en) * 2006-11-16 2009-09-22 Aptina Imaging Corporation Method, apparatus and system providing a one-time programmable memory device
US8262900B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
CN101606365A (zh) * 2007-02-12 2009-12-16 拉姆伯斯公司 对过零点附近进行采样的电压偏移和时钟偏移的修正
US7696791B2 (en) * 2007-12-31 2010-04-13 Intel Corporation High-speed amplitude detector with a digital output
WO2010129112A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Rambus Inc. Configurable, power supply voltage referenced single-ended signaling with esd protection
US8472270B2 (en) * 2010-07-23 2013-06-25 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for testing one-time-programmable memory
US8508972B2 (en) * 2010-07-23 2013-08-13 Analog Devices, Inc. Built-in self test for one-time-programmable memory
JP2012165168A (ja) 2011-02-07 2012-08-30 Sony Corp 半導体装置、物理情報取得装置、及び、信号読出し方法
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8493139B2 (en) 2011-11-17 2013-07-23 Analog Devices, Inc. Low noise auto-zero circuits for amplifiers
US8803721B1 (en) 2013-03-13 2014-08-12 Analog Devices, Inc. System and method for improving speed and power in a switched-capacitor amplifier
US9246382B2 (en) * 2013-08-08 2016-01-26 Micron Technology, Inc. Charge pump including supply voltage-based control signal level
US9813050B1 (en) * 2016-04-13 2017-11-07 Analog Devices, Inc. Comparator circuit with input attenuator
EP3449266B1 (de) * 2016-04-27 2022-10-12 The University of Bristol Spannungsdetektor und spannungsdetektorsystem
US10715091B2 (en) * 2017-10-13 2020-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064405A (en) 1976-11-09 1977-12-20 Westinghouse Electric Corporation Complementary MOS logic circuit
US5565813A (en) 1995-05-15 1996-10-15 Motorola Inc. Apparatus for a low voltage differential amplifier incorporating switched capacitors
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
DE112017004368T5 (de) 2016-08-29 2019-05-16 Skyworks Solutions, Inc. Schaltungen, vorrichtungen und verfahren zum erfassen eines zustandes einer sicherung

Also Published As

Publication number Publication date
US10854306B1 (en) 2020-12-01
DE102020123778A1 (de) 2021-03-25
CN112532217A (zh) 2021-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69733789T2 (de) Hochauflösendes Stromversorgungsprüfsystem
DE102012209717B4 (de) Analog-Digital-Wandler
DE102005045635B4 (de) Anordnung und Verfahren zur Bereitstellung eines temperaturabhängigen Signals
DE602005002036T2 (de) Temperatursensor-schema
DE102018119727A1 (de) Prüfen von MOS-Leistungsschaltern
DE102016112765B4 (de) Magnetspeicherbauelement und Verfahren zum Betreiben desselben
DE102005041262A1 (de) Sensor mit Abgleichfunktion zur Erfassung einer physikalischen Grösse
DE10010457A1 (de) Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt
WO2006058647A1 (de) Speicherschaltung wie verfahren zum bewerten eines speicherdatums einer cbram-widerstandsspeicherzelle
DE19782246B4 (de) IC-Testgerät
DE102016120182A1 (de) Magnetsensor
DE202017106294U1 (de) Stromerfassungselement für stromgeregelte Schaltung und dergleichen
DE102019134300A1 (de) Stromüberwachungseinrichtung mit Fehlererkennung
DE102017119239A1 (de) Testschaltung für Belastungsleckverlustmessungen
DE102017223535A1 (de) Verfahren und Batteriesensor zur Ermittlung eines Laststroms
DE60311117T2 (de) Verfahren und schaltkreise zum identifizieren schwacher bit in einem mram
WO2019007878A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum überprüfen einer funktionsfähigkeit eines systemwiderstands eines batteriesystems
DE102019208419A1 (de) Speicheranordnung mit verteilten Referenzzellen zur Stromerfassung
DE19501537A1 (de) Multibit-Testschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement
DE102020123778B4 (de) Komparator mit gemeinsamem gate und sicherungslesegerät
DE102007023189A1 (de) Schaltungsanordnung zur Stromregelung einer Ventilspule
DE3101994C2 (de) Verfahren zur Messung eines elektrischen Widerstands und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE60208357T2 (de) Vorrichtung zum Messen des Ruhestromes einer elektronischen Vorrichtung
DE202018105876U1 (de) Spannungsbereichserweiterung für einen Differenzverstärker
EP1450167A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen des Widerstandswertes eines elektronischen Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: ANALOG DEVICES, INC., WILMINGTON, US

Free format text: FORMER OWNER: ANALOG DEVICES, INC., NORWOOD, MA, US

R082 Change of representative

Representative=s name: WITTE, WELLER & PARTNER PATENTANWAELTE MBB, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division