CN112532217A

CN112532217A - 共栅极比较器和熔断器读取器

Info

Publication number: CN112532217A
Application number: CN202010986317.2A
Authority: CN
Inventors: H·R·萨缪尔斯; L·帕姆
Original assignee: Analog Devices Inc
Current assignee: Analog Devices Inc
Priority date: 2019-09-19
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2021-03-19
Also published as: DE102020123778B4; US10854306B1; DE102020123778A1

Abstract

本公开共栅极比较器和熔断器读取器。可以使用共栅极FET从熔断器组读取参考信息和测试信息来确定一个或多个熔断器的状态。在例子中，可以使用响应控制信号的第一开关选择性地将FET器件二极管连接，并且可以将信号存储电容器连接到FET器件的栅极端子。当第一开关闭合并且在FET器件的源极节点处施加第一输入信号时，电容器可以存储有关参考信号的信息。当第一开关打开时，可以在FET器件的源极节点处施加第二输入信号，并且在FET器件的漏极节点处的输出信号可以表示第一输入信号与参考信号之间的幅度关系。在示例中，第二输入信号可以指示熔断器的状态。

Description

共栅极比较器和熔断器读取器

背景技术

可编程熔断器可用于非易失性存储设备中，以用于长期存储、设备标识或其他用途。在存储设备的示例中，熔断的熔断器可以表示逻辑1，而完整的或未熔断的熔断器可以表示逻辑0(反之亦然)。在例子中，熔断器可以具有忽略不计的电阻特性。可以通过向包括熔断器的电路提供电流来确定熔断器的状态，例如熔断器是熔断还是完整。在例子中，响应于通过熔断器的不可忽略的电阻提供的电流而产生电压。可以将电压的幅度与阈值电压进行比较，以确定熔断器是熔断还是完整。

各种电路可用于设置或检查熔断器状态。例如，可编程熔断器可以连接在电源电压VDD和FET器件的漏极端子之间。响应于在FET器件的栅极处提供的编程命令信号，FET器件可以传导足够大的电流的量以熔断可编程熔断器。第二FET器件可以与第一FET器件并联连接。响应于在第二FET器件的栅极处提供的偏置电压，第二FET器件可以通过可编程熔断器传导测试电流，并且可以测量所得的电压。可以将所得电压的大小与指定的阈值电压进行比较，并且可以将比较结果用于指示熔断器是熔断还是完整。例如，较高的电压信号可以对应于具有较大电阻的熔断器，并且可以认为熔断器被熔断。较低的电压信号可以对应于具有较小电阻的熔断器，并且可以认为熔断器是完整的。如果熔断器的电阻特性在其整个使用寿命期间基本恒定，则该技术通常是可靠的。但是，在某些情况下，熔断器可“再生长”，或者熔断器的视在电阻可响应于不同的环境或其他使用条件随时间的变化而变化。

在例子中，熔断器状态测量电路的特性或组件可发生变化，例如由于设备制造工艺的变化、或由于工作温度的变化、或由于测量电路的变化或其他漂移、或提供给电路的一个或多个信号的变化。熔断器电阻的这些和其他变化或测量电路的变化可提供有关熔断器状态的错误信息。

发明内容

本发明人已经认识到要解决的问题可以包括提供一种测量电路或比较器电路，该测量电路或比较器电路可以读取测试信号并将该测试信号与参考信号进行比较。在例子中，问题可包括提供熔断器读取器或其他传感器或信号读取器，该器件在设备制造过程的变化以及使用过程中环境条件的变化(例如温度变化)方面是准确的。在例子中，问题可包括在测量电路或比较器电路中使用FET器件。该问题可包括管理FET器件的特性的变化，例如，栅极-源极阈值电压(Vgs_th)的变化或FET器件的导通电压特性。

在例子中，要解决的问题可包括提供一种熔断器读取器，该熔断器读取器被配置为使用FET器件以最小的电流读取有关一个或多个熔断器的状态信息。熔断器可以具有可以与参考电阻(例如，大约1kΩ的参考)进行比较的特性阻抗或电阻。在该例子中，对于小于1kΩ的电阻，可以认为是熔断器是完整的，而对于大于1kΩ的电阻，则可以认为熔断器是熔断的。在例子中，可用于测量熔断器的电流信号的大小约为16微安。因此，对于在阈值条件附近测得的电阻，所得电压可以约为16毫伏。如果使用标准FET器件来测量所得电压，则FET器件的导通阈值电压可基本大于所得电压。此外，在一些例子中，对FET器件的导通或阈值电压的与过程和温度有关的影响的大小可以与熔断器的测量测试电压大约相同。

在例子中，本主题可以为这些和其他问题提供解决方案。该解决方案可以包括在共栅极配置中使用FET器件。FET器件可以配置为测量参考信号信息，并将其与测试信号进行比较以提供测试结果。在例子中，可以配置FET器件，以便在参考信号和测试信号测量之间有效抵消FET的导通电压，从而提供这样的测量电路或比较器电路，该电路可在温度变化或过程变化对测量电路的影响方面基本稳定。

在例子中，该解决方案可以包括或使用被配置为提供有关输入节点处的输入信号与参考信号之间的关系的信息的共栅极放大器电路。输入节点处的输入信号可以包括从例如一个或多个熔断器测得的电压信号。放大器电路可以包括第一FET器件、第一开关(例如可以包括不同的FET器件或其他开关器件)、第二开关(例如可以包括不同的FET器件或其他开关器件)、第三开关(例如可以包括其他FET器件或其他开关器件)和电容器。在例子中，第一FET器件可以包括第一节点(例如，在器件的漏极端子处)、第二节点(例如在器件的源极端子处)和第三节点(例如，在器件的栅极端子处)。放大器电路可以包括所述第一FET的第一节点处的放大器输出节点器件。在自动归零信号断言时，第一开关可配置为耦合第一FET器件的第一节点和栅极节点，并且在自动归零信号不断言时，第一开关可配置为解耦第一FET器件的第一节点和栅极节点。在自动归零信号断言时，第二开关可以配置为将第一FET器件的第二节点耦合到参考电压源，并且在自动归零信号不断言时，第二开关可以配置为从参考电压源解耦第二节点。在读取信号断言时，第三开关可被配置为将第一FET器件的第二节点耦合到输入节点，并且在在读取信号不断言时，第三开关可被配置为从输入节点解耦第二节点。电容器可以配置为在第一FET的栅极节点处存储有关参考信号的信息。在自动归零信号断言时，参考信号可以被参考电压源设置或影响。在例子中，在所述自动归零信号不断言时，则输出节点处的输出信号可以指示第二节点处的输入信号与参考信号之间的幅度关系。

在例子中，该解决方案可以包括或使用一种使用共栅极FET器件来确定第一输入信号和第二输入信号之间的关系的方法。该方法可包括：使用第一开关耦合所述FET器件的漏极和栅极节点，和第一开关可响应于自动归零信号。当所述第一输入信号被施加到FET器件的输入源极节点时，该方法可包括使用耦合到FET器件的栅极节点的电容器来存储关于参考电压的信息，例如来自第一输入信号。该方法还可包括使用所述第一开关将所述FET器件的漏极和栅极节点解耦，和当所述第二输入信号被施加到所述FET器件的输入源极节点时，从所述FET器件的漏极节点接收输出信号。在该例子中，输出信号的幅度可指示所述第一和第二输入信号之间的幅度关系。

该概述旨在提供本专利申请的主题的概述。并不旨在提供本发明的排他性或详尽的解释。包括详细描述以提供关于本专利申请的更多信息。

附图说明

为了容易地确定对任何特定元素或动作的讨论，参考数字中的最高有效数字指的是首次引入该元素的图号。

图1总体上示出了根据一个实施例的熔断器读取器系统。

图2总体上示出了根据一个实施例的第一方法。

图3总体上示出了根据一个实施例的使用NMOS放大器的比较器。

图4总体上示出了根据一个实施例的被配置为随时间监视电阻特性的比较器。

图5总体上示出了根据一个实施例的使用PMOS放大器的比较器。

图6总体上示出了根据一个实施例的比较器。

图7总体上示出了根据一个实施例的第一熔断器读取器。

图8总体上示出了根据一个实施例的第二熔断器读取器。

图9大体上说明根据一个实施例的用于使用共栅极FET器件确定第一输入信号与第二输入信号之间的关系的例程。

图10总体上示出了根据一个实施例的熔断器读取例程。

具体实施方式

以下描述包括用于读取或比较关于一个或多个信号的信息的系统、方法、装置和设备的示例。在示例中，描述包括用于测量保险丝状态或用于测量来自传感器或其他设备的其他信息的系统、方法、装置和设备。在整个说明书中，参考了附图，这些附图形成了详细说明的一部分。附图通过说明的方式示出了其中可以实践本文公开的发明的实施例。这些实施例在本文中通常被称为“示例”。除了所示出或描述的那些元件之外，这样的示例可以包括元件。然而，本发明人还设想了仅提供示出或描述的那些元件的示例。本发明人设想了使用示出或描述的那些元素的任何组合或排列(或其一个或多个方面)的示例，关于此处显示或描述的特定示例(或其一个或多个方面)，或其他示例(或其一个或多个方面)。

在一个示例中，描述包括可编程熔断器状态检测器或熔断器读取器。熔断器状态可以例如通过将在熔断器两端产生的电压的大小与指定的阈值电压大小或参考电压大小进行比较来确定。在一个示例中，本文讨论的系统和方法可以包括多个不同的操作模式或测量阶段，例如可以用于确定熔断器是否烧断或完好无损。通常，这些图示出了使用场效应晶体管(FET)器件在此讨论的概念。在其他实施方式中，可以使用双极晶体管。

图1大体上示出了熔断器读取器系统100的示例。熔断器读取器系统100可以包括控制电路102、读取器电路104、参考源106和熔断器组108。根据一个例子，熔断器读取器系统100的操作在下面的图2的讨论中和其他地方描述。在来自控制电路102的操作或控制信号的作用下，熔断器读取器系统100可以被配置为读取关于熔断器组108中的一个或多个熔断器的状态信息。状态信息可以包括例如关于熔断器是熔断、完好、还是处于中间或不确定状态的状态信息。在一个示例中，熔断的熔断器可以是开路的，或者可以由相对较高的电阻特性(例如，大约1kΩ或更大)来表示。完整的熔断器可以是短路、分流的，或者可以由相对较低的电阻特性(例如，约100Ω或更小)表示。

在一个示例中，控制电路102可以包括处理器电路或配置为管理熔断器读取器系统100的一个或多个方面的其他通用或专用处理器或控制器。控制电路102可以是一种集成结构，或者可以包括被配置为一起工作以在熔断器读取器系统100中执行一个或多个操作的多个处理器或控制器。

在一个示例中，控制电路102被配置为生成或提供自动归零信号AZ。可以断言自动归零信号AZ以控制熔断器读取器系统100或读取器电路104自身“清零”，或者设置或更新供熔断器读取器系统100使用的参考值。在例子中，自动归零信号AZ控制熔断器读取器系统100以设置参考值，可以将一个或多个其他信号值或测试信号与该参考值进行比较。这样的其他信号值可以包括例如代表熔断器状态的电压幅度、代表传感器值的电压幅度或其他值。在示例中，当自动归零信号AZ被断言时或响应于自动归零信号AZ，可以从参考源106接收或读取参考值。在一示例中，参考源106可包括一个或多个固定或可变电阻器或可用于提供参考信号的其他信号发生器。

在一个示例中，控制电路102可以被配置为生成或提供读取信号Read_x。控制电路102可以将读取信号Read_x提供给读取器电路104，并且读取信号Read_x可以指示要读取或采样的特定信号或信号通道的地址或其他标识符。在示例中，读取信号Read_x可以指示要读取的多个熔断器中的特定一个。例如，第一读取信号Read_0可以指示要读取的第一熔断器，第二读取信号Read_1可以指示要读取的不同的第二熔断器，依此类推。在一个示例中，例如，当同时读取多个信息通道或多个熔断器时，可以同时声明一个以上的读取信号。

在一个示例中，控制电路102可以以时间交错且非重叠的方式来断言自动归零信号AZ和读取信号Read_x。即，自动归零信号AZ可以在读取号Read_x没有被断言的时候被断言，反之亦然。在示例中，可以在自动归零信号AZ和读取信号Read_x的断言之间提供消隐时段。在一个示例中，多个读取信号可以被同时声明，或者可以以非重叠的方式依次声明。

在一个示例中，控制电路102可以被配置为例如从读取器电路104接收输出信号Q。输出信号Q可以表示熔断器状态、传感器状态或值或其他信息。在示例中，输出信号Q可以包括关于诸如从参考源106测量的参考值和诸如从熔断器108中的熔断器测量的测试值之间的关系的信息。

在一个示例中，读取器电路104可以耦合到控制电路102，并且读取器电路104可以耦合到参考源106和熔断器组108。读取器电路104可以包括响应于自动归零信号AZ和读取信号Read_x的电路。例如，响应于接收到自动归零信号AZ，读取器电路104可以被配置为读取参考信号或从参考源106接收关于参考值的信息。响应于接收到读取信号Read_x，然后，读取器电路104可以被配置为从熔断器组108或从另一个源读取或接收测试信号。在一个例子中，读取器电路104可以提供关于参考信号和测试信号之间的幅度关系的信息。例如，诸如可以提供给控制电路102或熔断器读取器系统100外部的另一电路或设备的输出信号Q可以包括关于幅度关系的信息。在示例中，输出信号Q可以是被配置为指示熔断器组108中的特定熔断器是否完整的二进制信号。

图2总体上示出了第一方法200的示例，其可以包括使用熔断器读取器系统(例如，使用来自图1的示例的熔断器读取器系统100)提供关于熔断器的状态信息。在示例中，第一方法200可以包括：包括参考或自动归零阶段以及测试或测量阶段，可以执行这些阶段以测量有关一个或多个熔断器的熔断器状态信息。第一方法200可以通过向熔断器读取器系统供电来开始。

在一个示例中，参考相位或自动归零相位可以在框202开始。在框202，第一方法200可以包括断言自动归零信号AZ。在一个示例中，框202可以包括或使用控制电路102或另一控制器来生成或提供自动归零信号AZ。在框204处，并且响应于自动归零信号AZ，可以从参考发生器(例如从参考源106)读取或接收参考信息。在示例中，框204可以包括读取来自参考源106的参考电压信号或信号幅度。框206可以包括存储参考信息。在一个示例中，框206可以包括使用电容器或其他存储器电路来存储关于电压或信号幅度的信息。在框208处，自动归零信号AZ可以不被断言。在框208中自动归零信号AZ未置位之后，可以保持例如来自框206的存储参考信息。

在一个示例中，测试阶段或测量阶段可以在框210开始。在框210，第一方法200可以包括断言读取信号Read_0，诸如可以指示关于第一熔断器的信息将被读取或采样。在一个示例中，框210可以包括使用控制电路102来生成或提供读取信号。框212可以包括将第一熔断器耦合到诸如读取器电路104的读取器，并且框214可以包括从第一熔断器读取测试信号。在一个示例中，框214可以包括测量测试电压信号幅度。测试电压信号幅度可以表示熔断器状态或第一熔断器的电阻特性。

在示例中，在框216处，第一方法200可以包括将诸如在框204处接收的参考信息与诸如在框214处接收的测试信息进行比较。在示例中，可以至少部分地使用以下步骤进行比较：例如本文示例中所描述的共栅极FET器件。在框218中，可以不声明读信号Read_0，并且在框220中，可以提供关于第一熔断器的输出信号或状态信息。在框220之后，第一方法200可以可选地返回到框202，或者第一方法200可以通过从熔断器读取器系统断开电源来终止。第一方法200可以返回到框202以从相同的第一熔断器读取信息，或者系统可以被配置为读取关于不同的熔断器的信息。

可以例如从读取器电路104向控制电路102提供在框220中提供的作为输出信号Q的状态信息。在示例中，来自框220的状态信息可以包括关于一个或多个熔断器的熔断器状态信息，并且熔断器状态信息可以存储在影子RAM中。

图3总体上示出了根据一个实施例的使用NMOS放大器的比较器。图3的比较器可以包括比较器300。在示例中，比较器300可以包括熔断器读取器系统100的一部分。比较器300可以包括或使用共栅极配置的第一FET器件302。图3的示例将第一FET器件302图示为NMOS器件，然而，可以类似地使用PMOS器件(例如，参见图5)。在图3的示例中，第一FET器件302的源极端子可以被配置为接收输入，漏极端子可以被配置为提供输出，并且栅极端子可以被耦合至地或参考电压源。

第一FET器件302可以具有各种FET特性，例如最小阈值电压或导通电压Vgs_th。这样的器件特性可以随制造过程或使用条件而变化，但是，如下所示，在比较器300的使用中可以忽略这样的变化。本文所示的示例示出了各种FET器件(例如第一FET器件302)的源极和漏极端子的特定配置。然而，在一些FET器件中，源极和漏极端子可以互换以实现相同或基本相同的结果。此外，为了简化和说明，示出的FET器件被示为单个器件。应当理解，为了电荷平衡的目的，所示的设备实际上可以包括多个并行设备，或者可以包括不同类型(例如，NMOS和PMOS)或不同大小的设备。

比较器300可以被配置为在单端输入节点304(例如在第一次和随后的第二次)读取输入信号Vin，并在单端输出节点306提供输出信号Vout。单端输入节点304可以耦合到第一FET器件302的源极端子，并且单端输出节点306可以耦合到第一FET器件302的漏极端子。输出信号Vout可以表示第一次Vin和第二次Vin之间的关系。在一个示例中，比较器300可以包括被配置为向第一FET器件302提供偏置电流的电流源308。

第一FET器件302包括漏极、栅极和源极端子。漏极端子可以使用第一开关310选择性地耦合到栅极端子。在一个示例中，第一开关310可以由自动归零信号AZ控制，例如可以在自动归零输入节点312处接收，例如来自控制电路102。在图3的示例中，当自动归零信号AZ被断言时，第一开关310可以闭合以连接第一FET器件302的漏极和栅极，从而将第一FET器件302提供为二极管连接的FET器件。当自动归零信号AZ未被置位时，则第一开关310可以被打开并且第一FET器件302的漏极和栅极端子可以被断开。

在图3的示例中，第一FET器件302的栅极端子可以耦合到控制节点314。控制节点314可以耦合到第一电容器316。第一电容器316可以被配置为存储关于第一FET器件302的栅极电压的信息，即大约在控制节点314处的电压。可以根据使用条件来选择第一电容器316的电容特性。在一个示例中，第一电容器316可以具有大约1皮法拉的电容。

在示例中，当断言自动归零信号AZ并且第一开关310闭合时，可以从单端输入节点304读取关于输入信号Vin的信息。该信息的值可以与输入信号Vin的值不同，但是可以指示输入信号Vin的值。可以在控制节点314处读取该信息，并使用第一电容器316来存储该信息。在示例中，该信息可以是等于输入信号Vin的电压和第一FET器件302的栅极-源极阈值电压Vgs_th之和的电压值。当自动归零信号AZ被断言并且电流源308向第一FET器件302的漏极端子提供足够的偏置电流时，则第一FET器件302以栅极-源极电压Vgs工作，该电流允许电流在器件的漏极和源极端子之间流动，以及控制节点314上的电压可以使用第一电容器316存储。在电压信息由第一电容器316存储之后，第一开关310可以断开，并且可以停止流过第一FET器件302的电流。即，第一电容器316可以存储关于当第一FET器件302导通时测量的控制节点314的电压的大小的信息，并且第一电容器316可以在第一FET器件302截止时保持所存储的电压信息。

在一个示例中，如果在断言自动归零信号AZ时第一次读取输入信号Vin，然后在没有断言自动归零信号AZ时第二晚输入信号Vin的值改变，那么第一FET器件302的状态可以改变。例如，如果输入信号Vin的幅度增加，则第一FET器件302可以保持截止，并且单端输出节点306处的输出信号Vout可以是高值信号。如果输入信号Vin的幅度减小，例如减小几毫伏或几毫伏，则第一FET器件302可以导通，并且输出信号Vout可以变为低值信号。在这个例子中，第一FET器件302的栅极-源极电压Vgs在第一和第二次之后(例如，当自动归零信号AZ被断言时和未断言时)可以基本相同，因此输出信号Vout或输出信号Vout中的跃迁可以基本上独立于Vgs。换句话说，在图3的示例中，处于共栅配置的第一FET器件302提供了比较器300，该比较器可以测量输入信号Vin的变化，而第一FET器件302的栅极-源极电压基本上被消除了，成为测量或比较误差的潜在来源。

在一个示例中，随着在自动归零信号AZ的置位和解除置位之间的时间间隔增加，第一FET器件302的1/f噪声会增加放大器电路的输入电压偏移误差。通过确保自动归零和测量阶段之间的时间间隔小于1/f角的倒数，可以将这种影响最小化。

图4总体上示出了比较器400的示例。在一个示例中，比较器400可以被配置为监视随时间的电阻特性。图4的示例可以包括或使用图3的示例的比较器300，其中第一电阻器402耦合到单端输入节点304。在电阻器比较器400中，第一FET器件302的源极端子可以耦合到第一电阻器402，使得用于共栅器件的输入信号Vin代表第一电阻器402上的电压。

在示例中，当断言自动归零信号AZ时，电流从电流源308流过二极管连接的第一FET器件302并流入第一电阻器402，从而在单端输入节点304处提供电压。例如，如果第一电阻器402具有1kΩ的电阻并且电流源308提供16微安的偏置电流信号，则在单端输入节点304处的输入信号Vin可以是16mV。

在一个示例中，当自动归零信号AZ被断言时，第一电容器316可以在自动归零阶段期间存储关于输入信号Vin的信息。在示例中，第一电容器316可以存储可以是输入信号Vin和第一FET器件302的栅极-源极电压之和的电压。在示例中，第一FET器件302的阈值电压的大小可以实质上大于输入信号Vin，但是当自动归零信号AZ被断言时以及在未被置零时，阈值电压可以保持大体上恒定。在示例中，阈值电压是0.5V，并且在自动归零阶段期间由第一电容器316存储的电压可以是0.5V+0.016V＝0.516V。

自动归零信号AZ可以在测量阶段被取消断言，并且第一电容器316上的电压可以保持基本固定。如果第一电阻器402的电阻特性改变，例如在自动归零信号AZ被取消置位之后或在测量阶段期间，则电阻器比较器400的输出信号可以改变。例如，如果第一电阻器402的电阻在测量阶段减小，则第一FET器件302可以导通，并且输出信号Vout可以从高值变为相对低值。

在一个示例中，第一电阻器402可以包括将使用电阻器比较器400测量的传感器或其他电压源的一部分。例如，第一电阻器402可以包括具有可根据温度变化的电阻特性的温度感应电阻设备。电阻比较器400可用于在自动调零阶段从温度感应电阻设备中采样信息，然后在测量阶段监视设备的变化。

图5总体上示出了根据一个实施例的使用PMOS放大器的比较器。在示例中，图5示出了类似于图3的比较器300的比较器500。例如，比较器500可以包括具有共栅极PMOS器件的比较器，而图3的比较器300可以包括具有共栅极NMOS器件的比较器。这些示例在操作上基本相似，但是根据所使用的FET器件的类型，单端输出节点306处的输出信号的符号可能不同。

在一个示例中，比较器500可以包括熔断器读取器系统100的一部分。比较器500可以以共栅配置包括或使用PMOS FET器件502。在图5的示例中，可以将PMOS FET器件502的源极端子配置为接收输入，可以将漏极端子配置为提供输出，并且可以将栅极端子耦合至第一电容器316。例如，第一电容器316可以耦合在PMOS FET器件502的栅极端子和电源轨Vdd之间，以帮助减轻电源噪声。如以上在图3的讨论中类似地描述的，PMOS FET器件502的源极端子和漏极端子可以互换以实现相同或基本相同的功能和结果。此外，为了简化和说明，示出的FET器件被示为单个器件。应该理解的是，例如，出于电荷平衡的目的，所示的设备实际上可以包括多个并行设备，或者可以包括不同类型(例如，NMOS和PMOS)或不同大小的设备。

比较器500可以被配置为在单端输入节点304(例如在第一次和随后的第二次)读取输入信号Vin，并且在单端输出节点306提供输出信号Vout。单端输入节点304可以耦合到PMOS FET器件502的源极端子，单端输出节点306可以耦合到PMOS FET器件502的漏极端。输出信号Vout可以指示第一时间的Vin和随后的第二时间的Vin之间的关系。比较器500的各种其他操作特性和行为类似于以上在图3的比较器300的讨论中所描述的那些。

图6大体上说明比较器600的实例。图6的实例可包含或使用来自图3的实例的比较器300或来自图4的实例的电阻比较器400的一些元件，且表示相同的元件用相同的数字表示。例如，比较器600可以包括具有漏极、源极和栅极端子的第二FET器件602。在示例中，第二FET器件602可以是具有与第一FET器件302相同或相似的特性的器件。第二FET器件602可以在漏极节点处耦合至输出节点606，并且可以在源极节点处耦合至输入节点604。第二FET器件602的漏极和栅极端子可以通过漏极-栅极开关610选择性地耦合，该漏极-栅极开关610响应于自动归零输入节点612处的自动归零信号AZ。例如，当断言自动归零信号AZ以提供处于二极管连接配置的第二FET器件602时，漏极-栅极开关610可以闭合。

第二FET器件602可以例如在第二FET器件602的漏极端子处从第二电流源608接收电流偏置信号。在示例中，第二电流源608可以是具有与来自图3的示例的电流源308相同或相似的特性的源。第二FET器件602的栅极端子可以耦合到第二电容器616和FET控制节点614。第二FET装置602可以具有各种FET器件特性，类似于上面针对第一FET器件302所述。

在图6中，第二FET器件602可以被配置为共栅极FET器件或放大器，其被配置为在第二FET器件602的源极端子处的输入节点604处接收输入信号。在图6中，输入节点604可以耦合到参考开关618和第一读取开关620。在一个示例中，参考开关618可以被配置为选择性地将输入节点604耦合到提供参考电压信号Vref或参考信号的参考电压源。参考电压源可以包括来自图1的示例的参考源106。

参考开关618可以被配置为接收自动归零信号AZ，使得参考开关618和漏极-栅极开关610协同操作。例如，当断言自动归零信号AZ时，参考开关618和漏极-栅极开关610可以同时闭合，当自动归零信号AZ未被断言时，参考开关618和漏极-栅极开关610可以同时断开。在示例中，参考开关618和漏极-栅极开关610可以被配置为从控制电路102接收自动归零信号AZ。

在示例中，第一读取开关620可以被配置为选择性地将输入节点604耦合到提供测试电压信号Vtest的测试信号源。测试信号源可以包括来自图1的示例的熔断器组108，或者可以包括被配置为提供测试电压信号Vtest的不同的电压源或测试信号源。在一个示例中，第一读取开关620可以被配置为例如从控制电路102接收读取信号Read_x。在一个示例中，自动归零信号AZ和读取信号Read_x可以在不同且不重叠的时间断言。

在示例中，当断言自动归零信号AZ时，电流从第二电流源608流过二极管连接的第二FET器件602并流过参考开关618。在示例中，参考开关618将输入节点604耦合到参考电路或参考电阻器，可从中读取参考电压信号Vref。第二电容器616可以存储关于参考电压信号Vref的信息，例如，第二电容器616可以存储可以基本等于第二FET器件602的阈值或栅极-源极电压与参考电压信号Vref之和的电压。

自动归零信号AZ可以在测量阶段被撤消，并且第二电容器616上的电压可以保持基本固定。可以断言读取信号Read_x以启动测量阶段或测试阶段，并且可以使用第一读取开关620将测试电压信号Vtest耦合到输入节点604。如果Vtest的电压幅度不同于Vref的电压幅度，则输出信号Vout可以改变。例如，如果Vtest的电压幅度小于Vref，则第二FET器件602可以在测试阶段期间导通，并且输出信号Vout可以从高值转变为低值。

图7大体上示出了第一熔断器读取器700的示例。图7的示例可以包括或使用来自图6的示例的比较器600，例如，具有耦合到参考开关618的参考电阻器702，以及耦合到第一读取开关620的第一熔断器704。

在一个示例中，当断言自动归零信号AZ时，参考开关618可以闭合并且第一读取开关620可以断开，并且来自第二电流源608的电流信号可以流过第二FET器件602、流过参考开关618，并且可以由此在参考电阻器702上产生参考电压信号Vref。可以使用第二电容器616存储关于参考电压信号的信息。

在自动归零信号AZ不断言时，参考开关618和漏极-栅极开关610可以打开。然后可以断言读取信号Read_x，并且作为响应，第一读取开关620可以闭合以将输入节点604耦合到第一熔断器704。取决于第一熔断器704的状态或状态，可以通过第二FET器件602和第一熔断器704提供来自第二电流源608的电流。例如，如果第一熔断器704是完整的并且因此具有低电阻特性，例如小于参考电阻器702的电阻特性，则来自第二电流源608的电流可以流过第一读取开关620和第一熔断器704。差分输出节点606处的输出信号Vout可以相应地从高值信号过渡到低值信号。然而，如果第一熔断器704被烧断，则第一熔断器704可对从输入节点604和第二FET器件602流过的电流表现出明显更大的电阻。例如，当第一熔断器704被烧断时，其电阻可以大于参考电阻器702的电阻。

图8大体上示出了第二熔断器读取器800的示例。图8的示例可以包括或使用来自图7的示例的第一熔断器读取器700的一个或多个部分。例如，第二熔断器读取器800可以包括包括参考电阻器702，参考电阻器702使用参考开关618耦合到输入节点604，并且参考开关618可基于自动归零信号AZ进行操作。第二熔断器读取器800可以进一步包括一组熔断器读取器，例如可以包括或使用第一熔断器读取器704、第二熔断器读取器802和第N熔断器读取器806。在图8的示例中，第二熔断器802可以使用第二读取开关804耦合到输入节点604，并且第N熔断器806可以使用第N读取开关808耦合到输入节点604。将第N个熔断器806和第N个读开关808耦合到输入节点604的并行迹线指示可以可选地使用其他熔丝，并且每个其他熔断器可以包括或使用其自己的各自的开关将其耦合到输入节点604。在例子中，几个熔断器可以包括来自图1的示例的熔断器组108。

在一个示例中，控制电路102可以被配置为提供自动归零信号AZ以及各种读取信号Read_a、Read_b和Read_N，以分别在不同的时间将参考电阻器702、第一熔断器704、第二熔断器802、第N熔断器806耦合到输入节点604。例如，参考电阻器702可以在参考阶段或自动调零阶段期间耦合到输入节点604。

在自动调零阶段之后并且在测量阶段或测试阶段期间，一个或多个熔断器可以例如顺序地耦合至输入节点604以进行测量。在一示例中，控制电路102可以在各个不同时间断言读取信号Read_a、Read_b和Read_N。在一个示例中，控制电路102可以例如在每个熔断器测量或测试测量之间的各种间隔处重新确定自动归零信号AZ。在一个示例中，控制电路102可以在两次或更多次测试测量之后，或者当FET控制节点614处的控制信号的值(例如与第二电容器616所存储的电压相对应)的改变或可能已经改变了超过指定的阈值量时，重新确定自动归零信号AZ。

图9大体上示出了信号比较例程900的示例。可以使用配置成在自动调零阶段感测有关参考信号幅度的信息并将其与测试阶段的测试信号幅度进行比较的共栅极FET器件来执行信号比较例程900。可以使用测试系统来执行信号比较例程900，该测试系统可以包括熔断器读取器系统100、比较器300、电阻比较器400、比较器600、第一熔断器读取器700或第二熔断器读取器800中的一个或多个。信号比较例程900可以从向测试系统通电开始。

在框902处，信号比较例程900可以包括在读取器电路处接收自动归零信号。框902可以包括例如在控制电路102处在读取器电路104处接收自动归零信号AZ。在框904，响应于自动归零信号AZ，可以使用第一开关将共栅极FET器件二极管连接。例如，框904可以包括响应于断言自动归零信号AZ，使用第一开关310将第一FET器件302二极管连接，或者使用漏极-栅极开关610将第二FET器件602二极管连接。

在框906处，信号比较例程900可包括在读取器电路中的FET器件的输入源极节点处接收第一输入信号，例如在图1的示例中的读取器电路104中。输入信号可以包括来自参考信号源(例如参考源106)的参考信号。在框908，关于参考信号的信息可以例如使用耦合到共栅极FET器件的栅极端子的电容器来存储。

在框910，可以将第一FET器件的漏极和栅极节点去耦。例如，自动归零信号AZ可以不被置位或可以改变状态，并且作为响应，第一开关可以断开以由此去耦共栅极FET器件的漏极和栅极节点。在框912处，并且在自动归零信号AZ未被置位之后，可以在读取器电路中的FET器件的输入源节点处接收第二输入信号。第二输入信号尤其可以表示熔断器状态或传感器状态。在一个示例中，第二输入信号可以包括从电阻器或其他设备测量的电压信号。

在框914，信号比较例程900可以包括提供来自第一FET器件的漏极节点的输出信号。输出信号可以指示第一输入信号和第二输入信号之间的幅度关系。例如，输出信号可以表示第二输入信号的大小是否不同于第一输入信号的大小。在示例中，输出信号可以基本上独立于第一FET器件的阈值电压或其他特性。

在框914之后，信号比较例程900可以可选地返回到框902，或者可以通过从测试系统断开电源来终止。在示例中，可以将例如在框914处提供的输出信号从读取器电路104提供到控制电路102。在示例中，来自框914的输出信号可以包括熔断器状态信息，并且熔断器状态信息可以被存储在影子RAM中。

图10大体上示出了熔断器读取例程1000的示例。可以例如使用第一熔断器读取器700、第二熔断器读取器800或使用一个或多个其他熔断器读取器拓扑来执行熔断器读取例程1000的示例。

在一示例中，在框1002处，熔断器读取例程1000可以包括建立参考信号，可以将一个或多个测试信号与该参考信号进行比较。在一个示例中，框1002可以包括在图9的信号比较例程900的框902、框904、框906、框908或框910处执行本文所述的动作。

框1004可以包括选择用于测量的第一熔断器通道，例如在测量阶段或测试阶段。在一个示例中，框1004可以包括使用控制电路102来断言读取信号Read_x，并且读取信号Read_x可以指示读取器电路104或熔断器组108将指定或指定的熔断器耦合到例如第二FET器件602的输入节点604。

在框1006，熔断器读取例程1000可以包括在输入节点处，例如在输入节点604处接收电压信号。在框1006处接收的电压信号可以指示来自框1004的指定或指定熔断器的状态或状态。例如，如果在框1004选择了第一熔断器704，然后，在框1006接收到的电压信号可以包括当诸如来自第二电流源608的电流信号通过第二FET器件602并提供给第一熔断器704时产生的电压信号。如果第一熔断器704被烧断，则在框1006接收的电压可以为高，并且如果第一熔断器704是完整的，则在框1006接收的电压可以为低。在方框1008，可以从读取器电路接收输出信号，并且该输出信号可以表示在方框1002中建立的参考信号与在方框1006中接收的电压信号之间的大小关系。

在判定框1010，可以评估来自框1008的输出信号，以确定来自框1002的参考信号与来自框1006的电压信号之间的关系。例如，在判定框1010，如果输出信号表示来自块1006的第一熔断器通道电压信号小于来自块1002的参考信号，则该示例可以在框1012继续。如果输出信号指示来自框1006的第一熔断器通道电压信号大于来自框1002的参考信号，则该示例可以在框1016处继续。

在框1016处，熔断器读取例程1000可以包括提供来自框1004的指定或指定熔断器被烧断的指示。从框1016，熔断器读取例程1000可以在框1018处继续以更新参考信号，诸如通过重新断言自动归零信号AZ并测量来自例如参考源106的参考信息。在框1018之后，熔断器读取例程1000可以通过选择不同的第二熔断器通道进行测量来在框1020处继续，例如使用控制电路102来声明不同的读取信号以寻址熔断器组108中的不同熔断器。

在框1012，熔断器读取例程1000可以包括提供以下指示：来自框1004的指定或指定的熔断器未被烧断或者该熔断器是完整的。从框1012，熔断器读取例程1000可以在判定框1014处继续以确定在框1002处建立的参考信号是否有效。只要参考信号电压(例如使用第二电容器616存储的)不会减小或降级超过指定的阈值量，就可以认为该参考信号是有效的。也就是说，由第二电容器616存储并且在FET控制节点614处可用的信号的完整性可以随着时间而改变，诸如由于通过第二FET器件602的信号泄漏或其他信号劣化而导致的，并且判定框1014可以用于确定是否应更新参考信号。如果在判定框1014处确定参考信号无效或不足，则熔断器读取例程1000可以在框1018处继续并且可以例如根据框1002来更新参考信号。然而，如果在判定框1014确定参考信号有效，则熔断器读取例程1000可以在框1020处继续而不更新参考信号。

尽管图中所示的示例通常以包括FET器件的形式呈现，但可以使用BJT器件或其他器件来提供类似的示例。

在例子中，如前所述，要解决的问题包括提供比较器或测量电路或熔断器读取器电路。本公开的各个方面可以帮助提供针对与比较器电路，测量电路，熔断器读取器电路和其他电路相关联的这个问题和其他问题的解决方案。

在例子中，方面1可以包括或使用主题(例如，用于执行动作的装置、系统、设备、方法、装置或设备可读介质、其包括指令，该指令当由器件执行时可导致设备执行动作或制造产品)，例如可以包括或使用共栅极放大器电路，被配置为提供关于输入信号和参考信号之间的关系的信息。在方面1中，放大器电路可以包括：第一FET，包括第一节点、第二节点和栅极节点，和所述第一FET的第一节点处的放大器输出节点。方面1可包括第一开关，被配置为在自动归零信号断言时耦合所述第一FET的第一节点和栅极节点，并且所述第一开关被配置为在所述自动归零信号不断言时解耦所述第一FET的第一节点和栅极节点，和电容器，耦合到所述栅极节点并被配置为存储关于所述参考信号的信息，其中在所述自动归零信号不断言时，所述输出节点处的输出信号可指示所述第二节点处的输入信号与所述参考信号之间的幅度关系。

方面2可以包括或使用或可以与方面1的主题组合，以可选地包括或使用第二开关，被配置为在所述自动归零信号断言时耦合所述第一FET的第二节点以从参考电压源接收参考信号，并且所述第二开关被配置为在所述自动归零信号不断言时从所述参考电压源解耦所述第二节点。方面2可以进一步包括第三开关，被配置为在读取信号断言时耦合所述第一FET的第二节点以从输入节点接收输入信号，并且所述第三开关被配置为在所述读取信号不断言时从所述输入节点解耦所述第二节点。

方面3可以包括或使用或可以与与方面2的主题组合，以可选地包括耦合到所述输入节点的第一熔断器。

方面4可以包括或使用或者可以与方面2或方面3的主题组合，以可选地包括或使用控制电路，该控制电路被配置为提供所述自动归零信号以控制所述第一和第二开关并且提供所述读取信号以控制所述第三开关。

方面5可以包括或使用或者可以与方面1至4中任一组合的主题组合，以可选地包括或使用：第二开关，被配置为在所述自动归零信号断言时耦合所述第一FET的第二节点以从参考电压源接收参考信号，并且所述第二开关被配置为在所述自动归零信号不断言时从所述参考电压源解耦所述第二节点；和多个输入开关，被配置为响应于控制所述多个输入开关的各个不同的读取信号而选择性地耦合所述第一FET的第二节点以从各个不同的输入节点接收输入信号。

方面6可以包括或使用或可以与方面5的主题组合，以可选地包括或使用：控制电路，该控制电路被配置为提供控制所述多个输入开关的各个不同的读取信号，其中每个读取信号可以在不同的时间被断言。

方面7可以包括或使用或可以与方面6的主题组合，以可选地包括或使用：所述控制电路产生自动归零信号，并且其中所述自动归零信号和所述各个不同的读取信号可以在不同的时间被断言。

方面8可以包括或使用或者可以与方面1至7中任一组合的主题组合，以可选地包括或使用：第二开关，该第二开关被配置为在断言所述自动归零信号时将所述第一FET的第二节点耦合到参考电压源；和所述参考电压源可被配置为提供所述参考信号。

方面9可以包括或使用或可以与方面8的主题组合，以可选地包括：所述参考电压源包括具有已知电阻值的电阻器。

方面10可以包括或使用或者可以与方面1至9中任一组合的主题组合，以可选地包括或使用：电流源，该电流源被配置为向所述第一FET的第一节点提供电流偏置信号。

方面11可以包括或使用主题(例如，用于执行动作的装置、系统、设备、方法、装置或设备可读介质、其包括指令，该指令当由器件执行时可导致设备执行动作或制造产品)，例如可以包括或使用一种确定一个或多个熔断器状态的系统。方面11可以包括：第一FET器件；第一开关，被配置为基于第一开关控制信号来选择性地耦合所述第一FET器件的漏极和栅极节点；和耦合到所述第一FET器件的栅极节点的电容器。在方面11中，当所述第一开关耦合所述第一FET器件的漏极和栅极节点并且所述参考信号在所述第一FET器件的源极节点被接收时，所述电容器可存储关于参考信号的信息。在方面11中，当所述第一开关解耦所述第一FET器件的漏极和栅极节点并且第二输入信号在所述第一FET器件的源极节点被接收时，所述第一FET器件的漏极节点处的输出信号可指示所述第二输入信号和所述参考信号之间的幅度关系，并且所述第二输入信号可指示第一熔断器的状态。

方面12可以包括或使用或可以与方面11的主题组合，以可选地包括或使用：第二开关，该第二开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到提供参考信号的参考元件，其中所述第一和第二开关可以基本上同时闭合或打开。

方面13可以包括或使用或可以与方面12的主题组合，以可选地包括或使用：第三开关，该第三开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到所述第一熔断器。在例子中，可仅当所述第一和第二开关打开时所述第三开关才闭合。

方面14可以包括或使用或可以与方面13的主题组合，以可选地包括或使用：控制电路，该控制电路提供控制信号以控制所述第一、第二和第三开关中的每个的打开/闭合状态。

方面15可以包括或使用或者可以与方面12至14中任一组合的主题组合，以可选地包括或使用：多个输入开关，该多个输入开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到各个不同的熔断器，其中所述多个输入开关中的每个在不同的时间闭合，并且其中所述多个输入开关中的每个在所述第一和第二开关闭合时打开(或以不同且不重叠的时间间隔关闭)，并且其中所述第一熔断器可包括所述熔断器之一。

方面16可以包括或使用或者可以与方面12至15中任一组合的主题组合，以可选地包括或使用：电流源，该电流源被配置为向所述第一FET器件的漏极节点提供电流偏置信号。

方面17可以包括或使用主题(例如，用于执行动作的装置、系统、设备、方法、装置或设备可读介质、其包括指令，该指令当由器件执行时可导致设备执行动作或制造产品)，例如可以包括或使用一种使用共栅极FET器件来确定第一输入信号和第二输入信号之间的关系的方法。在例子中，方面17可以包括或使用或者可以与方面1至16中任一组合的主题组合。在例子中，方面17的方法可以包括以下步骤或动作：使用第一开关耦合所述FET器件的漏极和栅极节点，第一开关响应于自动归零信号；和当所述第一输入信号被施加到FET器件的输入源极节点时，使用耦合到FET器件的栅极节点的电容器来存储关于参考电压的信息。方面17可以进一步包括使用所述第一开关将所述FET器件的漏极和栅极节点解耦，和当所述第二输入信号被施加到所述FET器件的输入源极节点时，从所述FET器件的漏极节点接收输出信号，其中输出信号的幅度可指示所述第一和第二输入信号之间的幅度关系。

方面18可以包括或使用或可以与方面17的主题组合，以可选地包括：将所述第二输入信号提供给所述FET器件的输入源极节点，其中所述第二输入信号可代表熔断器的状态。

方面19可以包括或使用或可以与方面17的主题组合，以可选地包括：将所述第二输入信号提供给所述FET器件的输入源极节点，其中第二输入信号可以表示或指示传感器的值。

方面20可以包括或使用或可以与方面17的主题组合，以可选地包括：为第一开关提供第一控制信号，并为多个其他相应开关提供一系列其他控制信号，其中多个其他相应开关中的每个将不同熔断器耦合到所述FET器件的输入源极节点。

这些非限制性方面中的每一个可以独立存在，或者可以与本文中其他地方讨论的一个或多个其他方面，示例或特征以各种排列或组合的方式组合。

该详细描述包括对附图的引用，这些附图形成了详细描述的一部分。附图通过说明的方式示出了可以实践本发明的特定实施例。这些实施例在本文中也被称为“示例”。除了所示出或描述的那些元件之外，这样的示例可以包括元件。然而，本发明人还设想了仅提供示出或描述的那些元件的示例。本发明人设想了使用示出或描述的那些元素的任何组合或排列(或其一个或多个方面)的示例，关于此处显示或描述的特定示例(或其一个或多个方面)，或其他示例(或其一个或多个方面)。

在本文件中，术语“一个”或“一种”用于专利文件中，包括一个或多个、独立于“至少一个”或“一个或多个”的任何其他情况或用法。在本文档中，除非另有说明，否则术语“或”用于表示非排他性，例如“A或B”包括“A但不包括B”、“B但不包括A”和“A和B”。在本文档中，术语“包括”和“其中”用作相应术语“包含”和“其中”的普通等效词。

在以下权利要求中，术语“包括”和“包含”是开放式的，即，除权利要求中在此术语之后列出的元件之外，还包括其他元件的系统、设备、物品、组合物、制剂或方法仍被认为属于该权利要求的范围。此外，在所附权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标签，并且不旨在对其对象施加数字要求。

本文描述的方法示例可以至少部分是机器或计算机实现的。一些示例可以包括编码有指令的计算机可读介质或机器可读介质，所述指令可操作以配置电子设备以执行如以上示例中所述的方法。这样的方法的实现可以包括代码，例如微代码、汇编语言代码、高级语言代码等。这样的代码可以包括用于执行各种方法的计算机可读指令。该代码可以构成计算机程序产品的一部分。进一步，在一个示例中，代码可以有形地存储在一个或多个易失性、非暂时性或非易失性有形计算机可读介质上，例如在执行期间或在其他时间。这些有形的计算机可读介质的示例可以包括但不限于硬盘、可移动磁盘、可移动光盘(例如光盘和数字视频磁盘)、盒式磁带、存储卡或存储棒、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)等。

上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或多个方面)可以彼此组合使用。在回顾以上描述之后，例如可以由本领域的普通技术人员使用其他实施例。提供摘要以允许读者快速地确定技术公开的性质。提交本文档时应理解为不会将其用于解释或限制权利要求的范围或含义。另外，在以上详细描述中，各种特征可以被分组在一起以简化本公开。这不应该被解释为意在意味未声明的公开特征对于任何声明都是必不可少的。而是，发明主题可以在于少于特定公开实施例的所有特征。因此，以下权利要求由此作为示例或实施例被并入到详细描述中，每个权利要求作为独立的实施例而独立存在，并且可以预期的是，这样的实施例可以以各种组合或置换彼此组合。本发明的范围应参考所附权利要求书以及这些权利要求书所赋予的等效物的全部范围来确定。

Claims

1.共栅极放大器电路，被配置为提供关于输入信号和参考信号之间的关系的信息，该放大器电路包括：

第一FET，包括第一节点、第二节点和栅极节点；

所述第一FET的第一节点处的放大器输出节点；

第一开关，被配置为在自动归零信号断言时耦合所述第一FET的第一节点和栅极节点，并且所述第一开关被配置为在所述自动归零信号不断言时解耦所述第一FET的第一节点和栅极节点，和

电容器，耦合到所述栅极节点并被配置为存储关于所述参考信号的信息；

其中在所述自动归零信号不断言时，所述输出节点处的输出信号指示所述第二节点处的输入信号与所述参考信号之间的幅度关系。

2.权利要求1所述的放大器电路，还包括：

第二开关，被配置为在所述自动归零信号断言时耦合所述第一FET的第二节点以从参考电压源接收参考信号，并且所述第二开关被配置为在所述自动归零信号不断言时从所述参考电压源解耦所述第二节点；和

第三开关，被配置为在读取信号断言时耦合所述第一FET的第二节点以从输入节点接收输入信号，并且所述第三开关被配置为在所述读取信号不断言时从所述输入节点解耦所述第二节点。

3.权利要求2所述的放大器电路，还包括耦合到所述输入节点的第一熔断器。

4.权利要求2所述的放大器电路，还包括控制电路，该控制电路被配置为提供所述自动归零信号以控制所述第一和第二开关并且提供所述读取信号以控制所述第三开关。

5.权利要求1所述的放大器电路，还包括：

多个输入开关，被配置为响应于控制所述多个输入开关的各个不同的读取信号而选择性地耦合所述第一FET的第二节点以从各个不同的输入节点接收输入信号。

6.权利要求5所述的放大器电路，还包括控制电路，该控制电路被配置为提供控制所述多个输入开关的各个不同的读取信号，其中每个读取信号在不同的时间被断言。

7.权利要求6所述的放大器电路，其中所述控制电路被配置为产生自动归零信号，并且其中所述自动归零信号和所述各个不同的读取信号在不同的时间被断言。

8.权利要求1所述的放大器电路，还包括第二开关，该第二开关被配置为在断言所述自动归零信号时将所述第一FET的第二节点耦合到参考电压源，其中所述参考电压源被配置为提供所述参考信号。

9.权利要求8所述的放大器电路，其中所述参考电压源包括具有已知电阻值的电阻器。

10.权利要求1所述的放大器电路，还包括电流源，该电流源被配置为向所述第一FET的第一节点提供电流偏置信号。

11.一种确定一个或多个熔断器状态的系统，该系统包括：

第一FET器件；

第一开关，被配置为基于第一开关控制信号来选择性地耦合所述第一FET器件的漏极和栅极节点；和

耦合到所述第一FET器件的栅极节点的电容器；

其中当所述第一开关耦合所述第一FET器件的漏极和栅极节点并且所述参考信号在所述第一FET器件的源极节点被接收时，所述电容器存储关于参考信号的信息；和

其中当所述第一开关解耦所述第一FET器件的漏极和栅极节点并且第二输入信号在所述第一FET器件的源极节点被接收时，所述第一FET器件的漏极节点处的输出信号指示所述第二输入信号和所述参考信号之间的幅度关系，其中所述第二输入信号指示第一熔断器的状态。

12.权利要求11所述的系统，还包括第二开关，该第二开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到提供参考信号的参考元件，其中所述第一和第二开关基本上同时闭合或打开。

13.权利要求12所述的系统，还包括第三开关，该第三开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到所述第一熔断器，其中仅当所述第一和第二开关打开时所述第三开关才闭合。

14.权利要求13所述的系统，还包括控制电路，该控制电路提供控制信号以控制所述第一、第二和第三开关中的每个的打开/闭合状态。

15.权利要求12所述的系统，还包括多个输入开关，该多个输入开关被配置为将所述第一FET器件的源极节点耦合到各个不同的熔断器，其中所述多个输入开关中的每个在不同的时间闭合，并且其中所述多个输入开关中的每个在所述第一和第二开关闭合时打开，并且其中所述第一熔断器包括所述熔断器之一。

16.权利要求12所述的系统，还包括电流源，该电流源被配置为向所述第一FET器件的漏极节点提供电流偏置信号。

17.一种使用共栅极FET器件来确定第一输入信号和第二输入信号之间的关系的方法，该方法包括：

使用第一开关耦合所述FET器件的漏极和栅极节点，第一开关响应于自动归零信号；

当所述第一输入信号被施加到FET器件的输入源极节点时，使用耦合到FET器件的栅极节点的电容器来存储关于参考电压的信息；

使用所述第一开关将所述FET器件的漏极和栅极节点解耦；和

当所述第二输入信号被施加到所述FET器件的输入源极节点时，从所述FET器件的漏极节点接收输出信号，其中输出信号的幅度指示所述第一和第二输入信号之间的幅度关系。

18.权利要求17所述的方法，还包括将所述第二输入信号提供给所述FET器件的输入源极节点，其中所述第二输入信号代表熔断器的状态。

19.权利要求17所述的方法，还包括将所述第二输入信号提供给所述FET器件的输入源极节点，其中所述第二输入信号代表传感器的值。

20.权利要求17所述的方法，还包括为第一开关提供第一控制信号，并为多个其他相应开关提供一系列其他控制信号，其中多个其他相应开关中的每个将不同熔断器耦合到所述FET器件的输入源极节点。