DE102020119439A1 - Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und Verbindung - Google Patents

Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und Verbindung Download PDF

Info

Publication number
DE102020119439A1
DE102020119439A1 DE102020119439.0A DE102020119439A DE102020119439A1 DE 102020119439 A1 DE102020119439 A1 DE 102020119439A1 DE 102020119439 A DE102020119439 A DE 102020119439A DE 102020119439 A1 DE102020119439 A1 DE 102020119439A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting device
light
layer
ring
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102020119439.0A
Other languages
English (en)
Inventor
Takumu Okuyama
Naoaki HASHIMOTO
Yusuke TAKITA
Hiroshi Kadoma
Tsunenori Suzuki
Satoshi Seo
Tomoya Hirose
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of DE102020119439A1 publication Critical patent/DE102020119439A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
    • C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
    • C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
    • C07C15/28—Anthracenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D215/00—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems
    • C07D215/02—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D215/16—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D215/20—Oxygen atoms
    • C07D215/24—Oxygen atoms attached in position 8
    • C07D215/26—Alcohols; Ethers thereof
    • C07D215/30—Metal salts; Chelates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/04—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Ein neuartiges Licht emittierendes Gerät wird bereitgestellt. Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung mit hoher Emissionseffizienz bereitgestellt. Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung mit langer Lebensdauer bereitgestellt. Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung mit niedriger Betriebsspannung bereitgestellt. Die Licht emittierende Vorrichtung umfasst eine Anode, eine Kathode und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode. Die EL-Schicht enthält eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht. Die Elektronentransportschicht befindet sich zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Kathode. Die Elektronentransportschicht enthält ein Elektronentransportmaterial. Das Elektronentransportmaterial ist eine organische Verbindung mit einem ersten Gerüst, einem zweiten Gerüst und einem dritten Gerüst. Das erste Gerüst hat eine Funktion, Elektronen zu transportieren. Das zweite Gerüst hat eine Funktion Löcher aufzunehmen. Das dritte Gerüst enthält einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Licht emittierende Vorrichtung, ein Licht emittierendes Element, ein Anzeigemodul, ein Beleuchtungsmodul, eine Anzeigevorrichtung, ein Licht emittierendes Gerät, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung. Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das vorstehende technische Gebiet beschränkt ist. Das technische Gebiet einer Ausführungsform der Erfindung, die in dieser Beschreibung und dergleichen offenbart wird, betrifft einen Gegenstand, ein Verfahren oder ein Herstellungsverfahren. Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft einen Prozess, eine Maschine, ein Erzeugnis oder eine Zusammensetzung (Zusammensetzung eines Materials). Daher umfassen konkrete Beispiele für das technische Gebiet einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die in dieser Beschreibung offenbart wird, eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, ein Licht emittierendes Gerät, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Energiespeichervorrichtung, eine Speichervorrichtung, eine Abbildungsvorrichtung, ein Betriebsverfahren dafür und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Stand der Technik
  • Licht emittierende Vorrichtungen (organische EL-Vorrichtungen), die organische Verbindungen umfassen und Elektrolumineszenz (EL) nutzen, kommen in der Praxis vermehrt zum Einsatz. Bei einer grundlegenden Struktur einer derartigen Licht emittierenden Vorrichtung ist eine organische Verbindungsschicht (eine EL-Schicht), die ein Licht emittierendes Material enthält, zwischen einem Paar von Elektroden bereitgestellt. Ladungsträger werden durch Anlegen einer Spannung an die Vorrichtung injiziert, und eine Lichtemission kann von dem Licht emittierenden Material erhalten werden, indem die Rekombinationsenergie der Ladungsträger genutzt wird.
  • Derartige Licht emittierende Vorrichtungen sind selbstleuchtend und daher weisen sie, wenn sie als Pixel einer Anzeige verwendet werden, gegenüber Flüssigkristallanzeigen beispielsweise folgende Vorteile auf: eine hohe Sichtbarkeit und kein Bedarf an einer Hintergrundbeleuchtung, und sie sind für Flachbildschirmanzeigeelemente geeignet. Ein weiterer großer Vorteil ist, dass Anzeigen, die derartige Licht emittierende Vorrichtungen umfassen, ferner dünn und leichtgewichtig hergestellt werden können. Des Weiteren ist eine sehr schnelle Ansprechzeit ebenfalls ein Merkmal derartiger Licht emittierender Vorrichtungen.
  • In derartigen Licht emittierenden Vorrichtungen können Licht emittierende Schichten sukzessiv in zweidimensionaler Form ausgebildet werden, so dass eine planare Lichtemission erhalten werden kann. Es ist schwierig, dieses Merkmal mit Punktlichtquellen, die durch Glühlampen und LEDs typisiert werden, oder linearen Lichtquellen, die durch Fluoreszenzlampen typisiert werden, zu realisieren. Folglich besitzen derartige Licht emittierende Vorrichtungen auch ein großes Potential als planare Lichtquellen, die in Beleuchtungsvorrichtungen und dergleichen eingesetzt werden können.
  • Anzeigen oder Beleuchtungsvorrichtungen, die Licht emittierende Vorrichtungen umfassen, werden, wie vorstehend beschrieben, in geeigneter Weise für eine Vielzahl von elektronischen Geräten verwendet, und die Forschung und Entwicklung von Licht emittierenden Vorrichtungen ist hinsichtlich höherer Effizienz oder längerer Lebensdauer vorangeschritten.
  • Bei einer Struktur, die im Patentdokument 1 offenbart wird, ist ein Lochtransportmaterial, dessen HOMO-Niveau zwischen dem HOMO-Niveau einer ersten Lochinjektionsschicht und dem HOMO-Niveau eines Wirtsmaterials liegt, zwischen einer Licht emittierenden Schicht und einer ersten Lochtransportschicht in Kontakt mit der Lochinjektionsschicht bereitgestellt.
  • Obwohl sich die Eigenschaften von Licht emittierenden Vorrichtungen in bemerkenswerter Weise verbessert haben, wurden die erhöhten Anforderungen hinsichtlich einiger Eigenschaften, darunter die Effizienz und Beständigkeit, noch nicht befriedigt.
  • [Referenz]
  • [Patentdokument]
  • [Patentdokument 1] Internationale PCT-Veröffentlichung Nr. WO2011/065136
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung mit hoher Emissionseffizienz bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung mit langer Lebensdauer bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung mit niedriger Betriebsspannung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine neuartige Verbindung bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Licht emittierendes Gerät, ein elektronisches Gerät und eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, welche jeweils sehr zuverlässig sind. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Licht emittierendes Gerät, ein elektronisches Gerät und eine Anzeigevorrichtung, die jeweils einen niedrigen Stromverbrauch aufweisen, bereitzustellen.
  • Die vorliegende Erfindung muss nur mindestens eine der vorstehend beschriebenen Aufgaben erfüllen.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend eine Anode, eine Kathode und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode. Die EL-Schicht umfasst eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht. Die Elektronentransportschicht ist zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Kathode angeordnet. Die Elektronentransportschicht umfasst ein Elektronentransportmaterial. Das Elektronentransportmaterial ist eine organische Verbindung, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst. Das erste Gerüst weist eine Funktion auf, ein Elektron zu transportieren. Das zweite Gerüst weist eine Funktion auf, ein Loch aufzunehmen. Das dritte Gerüst umfasst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend eine Anode, eine Kathode und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode. Die EL-Schicht umfasst eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht. Die Elektronentransportschicht umfasst ein Elektronentransportmaterial. Das Elektronentransportmaterial ist eine organische Verbindung, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst. Das erste Gerüst weist eine Funktion auf, ein Elektron zu transportieren. Das zweite Gerüst weist eine Funktion auf, ein Loch aufzunehmen. Das zweite Gerüst umfasst einen kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoff mit zwei oder mehr aromatischen Ringen. Das dritte Gerüst umfasst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoff ist und dieser drei oder mehr aromatische Ringe aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoff ist (wobei das zweite Gerüst den kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoff umfasst) und dieser drei oder vier aromatische Ringe aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei die Anzahl der Kohlenstoffatome, die die Ringe im zweiten Gerüst bilden, größer oder gleich 14 ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffring lediglich aus einem sechsgliedrigen Ring besteht.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Benzofluorenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring oder einen Pyrenring umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst ein Anthracenring ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei die Elektronentransportschicht ferner ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend eine Anode, eine Kathode und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode. Die EL-Schicht umfasst eine Lochinjektionsschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht. Die Lochinjektionsschicht ist zwischen der Anode und der Licht emittierenden Schicht angeordnet. Die Elektronentransportschicht ist zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Kathode angeordnet. Die Lochinjektionsschicht umfasst ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial. Die Elektronentransportschicht umfasst ein Elektronentransportmaterial und ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz. Das Lochtransportmaterial ist eine organische Verbindung, die eine Lochtransporteigenschaft und ein HOMO-Niveau von höher als oder gleich -5,7 eV und niedriger als oder gleich -5,4 eV aufweist. Das Akzeptormaterial weist eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf das Lochtransportmaterial auf. Das Elektronentransportmaterial ist eine organische Verbindung, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst. Das erste Gerüst weist eine Funktion auf, ein Elektron zu transportieren. Das zweite Gerüst weist eine Funktion auf, ein Loch aufzunehmen. Das dritte Gerüst umfasst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff ist und dieser zwei oder mehr und vier oder weniger aromatische Ringe aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff ist und dieser drei oder vier aromatische Ringe aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst einen Naphthalinring, einen Fluorenring, einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring oder einen Pyrenring umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei die Anzahl der Kohlenstoffatome, die die Ringe im zweiten Gerüst bilden, größer oder gleich 14 ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffring lediglich aus einem sechsgliedrigen Ring besteht.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das zweite Gerüst ein Anthracenring ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das Akzeptormaterial eine organische Verbindung ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der einen Liganden, der Stickstoff und Sauerstoff umfasst, und ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der ein einwertiges Metallion und einen Liganden mit einer 8-Hydroxychinolinatostruktur umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Lithiumkomplex ist, der einen Liganden mit einer 8-Hydroxychinolinatostruktur umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das erste Gerüst und das dritte Gerüst in dem Elektronentransportmaterial durch das zweite Gerüst aneinander gebunden sind.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das LUMO des Elektronentransportmaterials hauptsächlich im ersten Gerüst verteilt ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das erste Gerüst einen stickstoffhaltigen kondensierten aromatischen Ring oder einen Triazinring umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das erste Gerüst zwei oder mehr Stickstoffatome umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das erste Gerüst einen Chinoxalinring, einen Dibenzo[h,g]chinoxalinring, einen Triazinring oder einen Benzofuropyrimidinring umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das erste Gerüst einen Chinoxalinring umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das HOMO des Elektronentransportmaterials hauptsächlich im zweiten Gerüst verteilt ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das dritte Gerüst einen sechsgliedrigen heteroaromatischen Ring umfasst, der ein Stickstoffatom umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das dritte Gerüst ein Pyridinring, ein Pyrimidinring, ein Pyrazinring oder ein Triazinring ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das dritte Gerüst derart an das zweite Gerüst gebunden ist, dass sich Stickstoff an der β-Position von Kohlenstoff befindet, der an das zweite Gerüst gebunden ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei das dritte Gerüst ein an der 3-Position substituierter Pyridinring, ein an der 5-Position substituierter Pyrimidinring oder ein Pyrazinring ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei die Elektronentransportschicht in Kontakt mit der Kathode steht.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Licht emittierende Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur, wobei die Licht emittierende Schicht ein Wirtsmaterial und ein Licht emittierendes Material umfasst und das Licht emittierende Material eine blaue Fluoreszenz emittiert.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein elektronisches Gerät, das eine der vorstehenden Licht emittierende Vorrichtungen und einen Sensor, einen Bedienknopf, einen Lautsprecher oder ein Mikrofon umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Licht emittierendes Gerät, das eine der vorstehenden Licht emittierende Vorrichtungen und einen Transistor oder ein Substrat umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Beleuchtungsvorrichtung, die eine der vorstehenden Licht emittierende Vorrichtungen und ein Gehäuse umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Verbindung, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst und für eine Elektronentransportschicht verwendet wird. Das erste Gerüst weist eine Funktion auf, ein Elektron zu transportieren. Das zweite Gerüst weist eine Funktion auf, ein Loch aufzunehmen. Das dritte Gerüst umfasst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring.
  • Es sei angemerkt, dass das Licht emittierende Gerät in dieser Beschreibung ein Bildanzeigegerät mit einer Licht emittierenden Vorrichtung umfasst. Das Licht emittierende Gerät kann ferner ein Modul, bei dem eine Licht emittierende Vorrichtung mit einem Verbinder, wie z. B. einem anisotropen leitenden Film oder einem TCP (Tape Carrier Package), versehen ist, ein Modul, bei dem eine gedruckte Leiterplatte am Ende eines TCP bereitgestellt ist, oder ein Modul umfassen, bei dem eine IC (integrierte Schaltung) durch ein COG- (Chip-on-Glass-) Verfahren direkt an eine Licht emittierende Vorrichtung montiert ist. Eine Beleuchtungseinrichtung oder dergleichen kann das Licht emittierende Gerät beinhalten.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung bereitstellen. Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit langer Lebensdauer bereitstellen. Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit hoher Emissionseffizienz bereitstellen.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Gerät, ein elektronisches Gerät und eine Anzeigevorrichtung bereitstellen, welche jeweils sehr zuverlässig sind. Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Licht emittierendes Gerät, ein elektronisches Gerät und eine Anzeigevorrichtung bereitstellen, welche jeweils einen niedrigen Stromverbrauch aufweisen.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Wirkungen dem Vorhandensein weiterer Wirkungen nicht im Wege steht. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es nicht notwendigerweise erforderlich, sämtliche Wirkungen zu erzielen. Weitere Wirkungen werden aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen, der Patentansprüche und dergleichen ersichtlich und können davon abgeleitet werden.
  • Figurenliste
  • In den begleitenden Zeichnungen:
    • 1A bis 1C sind schematische Ansichten von Licht emittierenden Vorrichtungen;
    • 2A und 2B sind konzeptuelle Darstellungen eines Licht emittierenden Aktiv-Matrix-Geräts;
    • 3A und 3B sind konzeptuelle Darstellungen eines Licht emittierenden Aktiv-Matrix-Geräts;
    • 4 ist eine konzeptuelle Darstellung eines Licht emittierenden Aktiv-Matrix-Geräts;
    • 5A und 5B stellen eine Beleuchtungsvorrichtung dar;
    • 6A, 6B1, 6B2 und 6C stellen elektronische Geräte dar;
    • 7A bis 7C stellen elektronische Geräte dar;
    • 8 stellt eine Beleuchtungsvorrichtung dar;
    • 9 stellt eine Beleuchtungsvorrichtung dar;
    • 10 stellt im Fahrzeug bereitgestellte Anzeigevorrichtungen und Beleuchtungsvorrichtungen dar;
    • 11A bis 11C stellen ein elektronisches Gerät dar;
    • 12A und 12B stellen ein elektronisches Gerät dar;
    • 13 zeigt die Leuchtdichte-Stromdichte-Eigenschaften einer Licht emittierenden Vorrichtung 1 und einer Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 14 zeigt die Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 15 zeigt die Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 16 zeigt die Strom-Spannungs-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 17 zeigt die externen Quanteneffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 18 zeigt Emissionsspektren der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 19 zeigt die Zeitabhängigkeit der normalisierten Leuchtdichte der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1;
    • 20 stellt eine Struktur einer Messvorrichtung dar;
    • 21 zeigt die Stromdichte-Spannungs-Eigenschaften der Messvorrichtung;
    • 22 zeigt die berechneten Frequenzeigenschaften der Kapazität C, wenn eine DC-Spannung 7,0 V und Verhältnis von ZADN zu Liq 1:1 ist;
    • 23 zeigt die Frequenzeigenschaften von -ΔB, wenn eine DC-Spannung 7,0 V und Verhältnis von ZADN zu Liq 1:1 ist;
    • 24 zeigt die elektrische Feldstärkenabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit von organischen Verbindungen;
    • 25A und 25B zeigen 1H NMR-Spektren von BfpmPPyA;
    • 26A und 26B zeigen 1H NMR-Spektren von DBqPPyA;
    • 27A und 27B zeigen 1H NMR-Spektren von NfprPPyA;
    • 28 zeigt die Leuchtdichte-Stromdichte-Eigenschaften von Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4;
    • 29 zeigt die Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4;
    • 30 zeigt die Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4;
    • 31 zeigt die Strom-Spannungs-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4;
    • 32 zeigt die externen Quanteneffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4;
    • 33 zeigt Emissionsspektren der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4; und
    • 34 zeigt die Zeitabhängigkeit der normalisierten Leuchtdichte der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4.
  • Ausführungsformen zur Ausführung der Erfindung
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Es erschließt sich Fachleuten ohne Weiteres, dass Modi und Details der vorliegenden Erfindung auf verschiedene Weise verändert werden können, ohne dabei vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht als auf die Beschreibung der folgenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.
  • (Ausführungsform 1)
  • 1A veranschaulicht eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Anode 101, eine Kathode 102 und eine EL-Schicht 103. Die EL-Schicht umfasst mindestens eine Licht emittierende Schicht 113 und eine Elektronentransportschicht 114.
  • Obwohl die EL-Schicht 103 in 1A neben der Licht emittierenden Schicht 113 und der Elektronentransportschicht 114 eine Lochinjektionsschicht 111 und eine Lochtransportschicht 112 enthält, ist der Aufbau der EL-Schicht 103 nicht darauf beschränkt. Wie in 1B dargestellt, kann die EL-Schicht 103 eine Elektroneninjektionsschicht 115, die Lochtransportschicht 112 eine erste Lochtransportschicht 112-1 und eine zweite Lochtransportschicht 112-2 und die Elektronentransportschicht 114 eine erste Elektronentransportschicht 114-1 und eine zweite Elektronentransportschicht 114-2 enthalten.
  • In der Licht emittierenden Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Elektronentransportmaterial, das für die Elektronentransportschicht 114 verwendet wird, ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst mit unterschiedlichen Funktionen.
  • Das erste Gerüst hat eine Funktion, Elektronen zu transportieren. Das LUMO des Elektronentransportmaterials ist hauptsächlich im ersten Gerüst verteilt, und eine Elektronentransporteigenschaft des Elektronentransportmaterials wird aus dem ersten Gerüst abgeleitet bzw. erhalten. Das erste Gerüst ist vorzugsweise ein stickstoffhaltiger kondensierter aromatischer Ring oder ein Triazin-Gerüst, das eine Elektronentransporteigenschaft aufweist. Das erste Gerüst enthält ferner vorzugsweise zwei oder mehr Stickstoffatome, damit das LUMO im ersten Gerüst verteilt sein kann (d. h., das erste Gerüst kann eine hohe Elektronenakzeptoreigenschaft haben, um Elektronen leichter aufzunehmen als das dritte Gerüst). Es ist besonders vorzuziehen, dass sich die zwei oder mehr Stickstoffatome auf einem sechsgliedrigen aromatischen Ring befinden. Beispiele für ein Gerüst, das in geeigneter Weise als erstes Gerüst verwendet werden kann, sind ein Chinoxalinring, ein Dibenzo[h,g]chinoxalinring, ein Triazinring und ein Benzofuropyrimidinring. Unter ihnen ist ein Gerüst mit einem Chinoxalinring vorzuziehen.
  • Das zweite Gerüst hat eine Funktion, Löcher aufzunehmen. Das zweite Gerüst ist vorzugsweise ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff mit zwei oder mehr aromatischen Ringen. Das zweite Gerüst umfasst ferner vorzugsweise einen kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoff mit drei oder mehr aromatischen Ringen zur Aufnahme von Löchern. Der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoff weist im Hinblick auf die Sublimierbarkeit und geeignete Löslichkeit vorzugsweise sechs oder weniger aromatische Ringe auf, noch bevorzugter vier oder weniger aromatische Ringe im Hinblick auf eine große Energielücke. Es sei angemerkt, dass die Anzahl der Kohlenstoffatome, die Ringe in dem kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoff bilden, vorzugsweise größer als oder gleich 14 ist, um die Wärmebeständigkeit zu erhöhen. Unter Berücksichtigung der Stabilität im angeregten Zustand besteht der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffring vorzugsweise nur aus einem sechsgliedrigen Ring. Konkrete Beispiele für einen kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoffring, der als zweites Gerüst in geeigneter Weise verwendet werden kann, umfassen einen Naphthalinring, einen Fluorenring, einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Benzofluorenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring und einen Pyrenring. Unter ihnen ist ein Anthracenring aufgrund einer geeigneten Lochakzeptoreigenschaft und chemischer Stabilität besonders vorzuziehen. Das HOMO des Elektronentransportmaterials ist vorzugsweise im zweiten Gerüst verteilt.
  • Das dritte Gerüst ist ein monocyclischer π-elektronenarmer heteroaromatischer Ring, vorzugsweise ein sechsgliedriger Ring mit einem Stickstoffatom, um die Eigenschaft aufzuweisen, Elektronen von der Kathode zu injizieren. Insbesondere ist ein Pyridinring, ein Pyrimidinring, ein Pyrazinring oder ein Triazinring vorzuziehen. In dem Fall, dass das dritte Gerüst an das zweite Gerüst gebunden ist, ist ein Atom an der β-Position des an das zweite Gerüst gebundenen Kohlenstoffs vorzugsweise Stickstoff im dritten Gerüst. Das heißt, das dritte Gerüst ist vorzugsweise ein Pyrazinring, ein in der 3-Position substituierter Pyridinring oder ein in der 5-Position substituierter Pyrimidinring. Dies liegt daran, dass eine Kontakteigenschaft mit der Kathode verbessert und die Betriebsspannung auf der hohen Leuchtdichteseite reduziert wird. Das dritte Gerüst mit einer solchen Struktur ermöglicht es der Licht emittierenden Vorrichtung ohne eine Elektroneninjektionsschicht, die zwischen der Elektronentransportschicht 114 und der Kathode 102 bereitgestellt wird, eine niedrige Ansteuerspannung und eine ausgezeichnete Eigenschaft aufzuweisen.
  • Es sei angemerkt, dass dann, wenn das erste Gerüst an das dritte Gerüst gebunden ist, das LUMO mit hoher Wahrscheinlichkeit sowohl im ersten als auch im dritten Gerüst verteilt ist; daher sind diese Gerüste vorzugsweise durch das zweite Gerüst aneinander gebunden.
  • Die Licht emittierende Schicht 113 enthält ein Wirtsmaterial und ein Licht emittierendes Material. Die Licht emittierende Schicht 113 kann neben dem Wirtsmaterial und dem Licht emittierenden Material ein weiteres Material enthalten und kann eine Schichtstruktur aus zwei Schichten mit unterschiedlicher Zusammensetzung aufweisen.
  • Als Licht emittierendes Material können fluoreszierende Substanzen, phosphoreszierende Substanzen, Substanzen, die eine thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz (thermally activated delayed fluorescence, TADF) aufweisen, oder andere Licht emittierende Materialien verwendet werden. Des Weiteren kann die Licht emittierende Schicht 113 eine einzelne Schicht sein oder eine Vielzahl von Schichten aufweisen. Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bevorzugter in dem Fall verwendet wird, in dem die Licht emittierende Schicht 113 eine Fluoreszenz, insbesondere eine blaue Fluoreszenz, emittiert.
  • Beispiele für das Material, das als fluoreszierende Substanz in der Licht emittierenden Schicht verwendet werden kann umfassen 5,6-Bis[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-2,2'-bipyridin (Abkürzung: PAP2BPy), 5,6-Bis[4'-(10-phenyl-9-anthryl)biphenyl-4-yl]-2,2'-bipyridin (Abkürzung: PAPP2BPy), N,N'-Diphenyl-N,N'-bis[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6FLPAPrn), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn), N,N-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'diphenylstilben-4,4'-diamin (Abkürzung: YGA2S), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: YGAPA), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: 2YGAPPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: PCAPA), Perylen, 2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylen (Abkürzung: TBP), 4-(10-Phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBAPA), N,N''-(2-tert-Butylanthracen-9,10-diyldi-4,1-phenylen)bis[N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin] (Abkürzung: DPABPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-Octaphenyldibenzo[g,p]chrysen-2,7,10,15-tetraamin (Abkürzung: DBC1), Cumarin 30, N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCABPhA), N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,N,N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPABPhA), 9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-phenylanthracen-2-amin (Abkürzung: 2YGABPhA), N,N,9-Triphenylanthracen-9-amin (Abkürzung: DPhAPhA), Cumarin 545T, N,N'-diphenylchinacridon (Abkürzung: DPQd), Rubren, 5,12-Bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracen (Abkürzung: BPT), 2-(2-{2-[4-(Dimethylamino)phenyl]ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-yliden)propandinitril (Abkürzung: DCM1), 2-{2-Methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden} propandinitril (Abkürzung: DCM2), N,N,N',N'-Tetrakis(4-methylphenyl)tetracen-5,11-diamin (Abkürzung: p-mPhTD), 7,14-Diphenyl-N,N,N',N'tetrakis(4-methylphenyl)acenaphtho[1,2-a]fluoranthen-3,10-diamin (Abkürzung: p-mPhAFD), 2-{2-lsopropyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCJTI), 2-{2-tert-Butyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCJTB), 2-(2,6-Bis{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl}-4H-pyran-4-yliden)propandinitril (Abkürzung: BisDCM), 2-{2,6-Bis[2-(8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: BisDCJTM), N,N'-Diphenyl-N,N'-(1,6-pyren-diyl)bis[(6-phenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan)-8-amin] (Abkürzung: 1,6BnfAPrn-03), 3,10-Bis[N-(9-phenyl-9H-carbazol-2-yl)-N-phenylamino]naphtho[2,3-b;6,7-b']bisbenzofuran (Abkürzung: 3,10PCA2Nbf(IV)-02) und 3,10-Bis[N-(dibenzofuran-3-yl)-N-phenylamino]naphtho[2,3-b;6,7-b']bisbenzofuran (Abkürzung: 3,10FrA2Nbf(IV)-02). Kondensierte aromatische Diamin-Verbindungen, typischerweise Pyrendiamin-Verbindungen, wie z. B. 1,6FLPAPrn, 1,6mMemFLPAPrn und 1,6BnfAPrn-03, sind wegen ihrer hohen Loch einfangenden Eigenschaften, hohen Emissionseffizienz und hohen Zuverlässigkeit besonders bevorzugt.
  • Beispiele für ein Material, das verwendet werden kann, wenn eine phosphoreszierende Substanz als Emissionszentrumssubstanz in der Licht emittierenden Schicht 113 verwendet wird, umfassen einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem 4H-Triazol-Gerüst, wie z. B. Tris{2-[5-(2-methylphenyl)-4-(2,6-dimethylphenyl)-4H-1,2,4-triazol-3-yl-κN/2]phenyl-κC}iridium(III) (Abkürzung: [lr(mpptzdmp)3]), Tris(5-methyl-3,4-diphenyl-4H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(Mptz)3]) oder Tris[4-(3-biphenyl)-5-isopropyl-3-phenyl-4H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(iPrptz-3b)3]), einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem 1H-Triazol-Grüst, wie z. B. Tris[3-methyl-1-(2-methylphenyl)-5-phenyl-1H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(Mptz1-mp)3]) oder Tris(1-methyl-5-phenyl-3-propyl-1H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(Prptz1-Me)3]), einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem Imidazol-Gerüst, wie z. B. fac-Tris[1-(2,6-diisopropylphenyl)-2-phenyl-1H-imidazol]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(iPrpmi)3]) oder Tris[3-(2,6-dimethylphenyl)-7-methylimidazo[1,2-f]phenanthridinato]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dmpimpt-Me)3]), sowie einen metallorganischen Iridiumkomplex, in dem ein Phenylpyridin-Derivat mit einer elektronenziehenden Gruppe als Ligand dient, wie z. B. Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)-tetrakis(1-pyrazolyl)borat (Abkürzung: FIr6), Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)-picolinat (Abkürzung: FIrpic), Bis{2-[3',5'-bis(trifluormethyl)phenyl]pyridinato-N,C2'}iridium(III)-picolinat (Abkürzung: [Ir(CF3ppy)2(pic)]) oder Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)-acetylacetonat (Abkürzung: Flr(acac)), angegeben werden. Diese sind Verbindungen, die blaue Phosphoreszenz emittieren und einen Emissionspeak bei 440 nm bis 520 nm aufweisen.
  • Beispiele für das Material, das für die Licht emittierende Schicht 113 verwendet werden kann, sind ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst, wie z. B. Tris(4-methyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppm)3]), Tris(4-t-butyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tBuppm)3]), (Acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppm)2(acac)]), (Acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tBuppm)2(acac)]), (Acetylacetonato)bis[6-(2-norbornyl)-4-phenylpyrimidinato]iridium(lll) (Abkürzung: [Ir(nbppm)2(acac)]), (Acetylacetonato)bis[5-methyl-6-(2-methylphenyl)-4-phenylpyrimidinato]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mpmppm)2(acac)]) oder (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(dppm)2(acac)]), ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppr-Me)2(acac)]) oder (Acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(mppr-iPr)2(acac)]), ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. Tris(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: [Ir(ppy)3]), Bis(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III)-acetylacetonat (Abkürzung: [Ir(ppy)2(acac)]), Bis(benzo[h]chinolinato)iridium(III)-acetylacetonat (Abkürzung: [Ir(bzq)2(acac)]), Tris(benzo[h]chinolinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(bzq)3]), Tris(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: [Ir(pq)3]) oder Bis(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III)-acetylacetonat (Abkürzung: [Ir(pq)2(acac)]) sowie ein Seltenerdmetallkomplex, wie z. B. Tris(acetylacetonato)(monophenanthrolin)terbium(III) (Abkürzung: [Tb(acac)3(Phen)]), angegeben werden. Diese sind hauptsächlich Verbindungen, die eine grüne Phosphoreszenz emittieren und einen Emissionspeak bei 500 nm bis 600 nm aufweisen. Es sei angemerkt, dass ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst besonders bevorzugt wird, da er sich sowohl durch Zuverlässigkeit als auch durch Emissionseffizienz deutlich auszeichnet.
  • Beispiele für das Material, das für die Licht emittierende Schicht 113 verwendet werden kann, umfassen einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst, wie z. B. (Diisobutyrylmethanato)bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato]iridium(lll) (Abkürzung: [Ir(5mdppm)2(dibm)]), Bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(5mdppm)2(dpm)]) und Bis[4,6-di(naphthalen-1-yl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(d1npm)2(dpm)]); einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tppr)2(acac)]), Bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: [Ir(tppr)2(dpm)]) und (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorphenyl)chinoxalinato]iridium(III) (Abkürzung: [Ir(Fdpq)2(acac)]); einen metallorganischen Iridiumkomplex mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. Tris(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: [Ir(piq)3]) und Bis(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: [Ir(piq)2(acac)]); einen Platinkomplex, wie z. B. 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrinplatinum(II) (Abkürzung: PtOEP); und einen Seltenerdmetallkomplex, wie z. B. Tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)(monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: [Eu(DBM)3(Phen)]) und Tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoracetonato](monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: [Eu(TTA)3(Phen)]). Diese Verbindungen emittieren rote Phosphoreszenz und weisen Emissionspeaks bei 600 nm bis 700 nm auf. Außerdem kann ein metallorganischer Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst eine rote Lichtemission mit vorteilhafter Chromatizität bereitstellen.
  • Neben den vorstehenden phosphoreszierenden Verbindungen können auch bekannte phosphoreszierende Materialien ausgewählt und verwendet werden.
  • Beispiele für das TADF-Material umfassen ein Fulleren, ein Derivat davon, ein Acridin, ein Derivat davon und ein Eosin-Derivat. Weitere Beispiele umfassen ein metallhaltiges Porphyrin, wie z. B. ein Porphyrin, das Magnesium (Mg), Zink (Zn), Cadmium (Cd), Zinn (Sn), Platin (Pt), Indium (In) oder Palladium (Pd) enthält. Beispiele für das metallhaltige Porphyrin umfassen einen Protoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(Proto IX)), einen Mesoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(Meso IX)), einen Hämatoporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(Hämato IX)), einen Koproporphyrin-Tetramethylester-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(Kopro III-4Me)), einen Octaethylporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(OEP)), einen Etioporphyrin-Zinnfluorid-Komplex (SnF2(Etio I)) und einen Octaethylporphyrin-Platinchlorid-Komplex (PtCl2OEP), welche durch die folgenden Strukturformeln dargestellt werden.
  • Figure DE102020119439A1_0001
    Figure DE102020119439A1_0002
  • Alternativ kann eine heterocyclische Verbindung, die einen π-elektronenreichen heteroaromatischen Ring und/oder einen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst, wie z. B. 2-(Biphenyl-4-yl)-4,6-bis(12-phenylindolo[2,3-a]carbazol-11-yl)-1,3,5-triazin (Abkürzung: PIC-TRZ), 9-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9'-phenyl-9H,9'H-3,3'bicarbazol (Abkürzung: PCCzTzn), 9-[4-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]-9'-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazol (Abkürzung: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-Phenoxazin-10-yl)phenyl]-4,6-diphenyl-1,3,5-triazin (Abkürzung: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-Phenyl-5,10-dihydrophenazin-10-yl)phenyl]-4,5-diphenyl-1,2,4-triazol (Abkürzung: PPZ-3TPT), 3-(9,9-Dimethyl-9H-acridin-10-yl)-9H-xanthen-9-on (Abkürzung: ACRXTN), Bis[4-(9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridin)phenyl]sulfon (Abkürzung: DMAC-DPS) oder 10-Phenyl-10H,10'H-spiro[acridin-9,9'-anthracen]-10'-on (Abkürzung: ACRSA), die durch die folgenden Strukturformeln dargestellt werden, verwendet werden. Eine solche heterocyclische Verbindung wird aufgrund der ausgezeichneten Elektronentransport- und Lochtransporteigenschaften bevorzugt, da sie einen π-elektronenreichen heteroaromatischen Ring und einen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst. Unter Gerüsten mit dem π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring sind ein Pyridin-Gerüst, ein Diazin-Gerüst (ein Pyrimidin-Gerüst, ein Pyrazin-Gerüst oder ein Pyridazin-Gerüst) und ein Triazin-Gerüst aufgrund ihrer hohen Stabilität und hohen Zuverlässigkeit vorzuziehen. Insbesondere sind ein Benzofuropyrimidin-Gerüst, ein Benzothienopyrimidin-Gerüst, ein Benzofuropyrazin-Gerüst und ein Benzothienopyrazin-Gerüst aufgrund ihrer hohen Akzeptoreigenschaften und Zuverlässigkeit vorzuziehen. Unter Gerüsten mit dem π-elektronenreichen heteroaromatischen Ring weisen ein Acridin-Gerüst, ein Phenoxazin-Gerüst, ein Phenothiazin-Gerüst, ein Furan-Gerüst, ein Thiophen-Gerüst und ein Pyrrol-Gerüst eine hohe Stabilität und eine hohe Zuverlässigkeit auf; demzufolge ist mindestens eines dieser Gerüste vorzugsweise enthalten. Als Furan-Gerüst ist ein Dibenzofuran-Gerüst vorzuziehen. Als Thiophen-Gerüst ist ein Dibenzothiophen-Gerüst vorzuziehen. Als Pyrrol-Gerüst sind ein Indol-Gerüst, ein Carbazol-Gerüst, ein Indolocarbazol-Gerüst, ein Bicarbazol-Gerüst und ein 3-(9-Phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-carbazol-Gerüst besonders zu bevorzugen. Es sei angemerkt, dass eine Substanz, in der der π-elektronenreiche heteroaromatische Ring direkt an den π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring gebunden ist, besonders bevorzugt wird, da sowohl die Elektronendonatoreigenschaft des π-elektronenreichen heteroaromatischen Rings als auch die Elektronenakzeptoreigenschaft des π-elektronenarmen heteroaromatischen Rings erhöht werden und die Energiedifferenz zwischen dem S1-Niveau und dem T1-Niveau klein wird, wodurch eine thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz mit hoher Effizienz erhalten werden kann. Es sei angemerkt, dass ein aromatischer Ring, an den eine elektronenziehende Gruppe, wie z. B. eine Cyanogruppe, gebunden ist, anstelle des π-elektronenarmen heteroaromatischen Rings verwendet werden kann. Als π-elektronenreiches Gerüst kann ein aromatisches Amin-Gerüst, ein Phenazin-Gerüst oder ähnliches verwendet werden. Als π-elektronenarmes Gerüst kann ein Xanthen-Gerüst, ein Thioxanthendioxid-Gerüst, ein Oxadiazol-Gerüst, ein Triazol-Gerüst, ein Imidazol-Gerüst, ein Anthrachinon-Gerüst, ein borhaltiges Gerüst wie Phenylboran oder Boranthren, ein aromatischer Ring oder ein heteroaromatischer Ring mit einer Nitrilgruppe oder einer Cyanogruppe, wie z. B. Benzonitril oder Cyanobenzol, ein Carbonyl-Gerüst, wie z. B. Benzophenon, ein Phosphinoxid-Gerüst, ein Sulfon-Gerüst oder ähnliches verwendet werden. Wie oben beschrieben, können ein π-elektronenarmes Gerüst und ein π-elektronenreiches Gerüst anstelle von mindestens einem von dem π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring und dem π-elektronenreichen heteroaromatischen Ring verwendet werden.
  • Figure DE102020119439A1_0003
  • Es sei angemerkt, dass ein TADF-Material ein Material ist, das eine kleine Differenz zwischen dem S1-Niveau und dem T1-Niveau aufweist und durch umgekehrtes umfassen Verbindungen mit einem aromatischen Amin-Gerüst, wie z. B. 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: NPB), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamin (Abkürzung: TPD), 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB), 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP), 4-Phenyl-3'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: mBPAFLP), 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP), 4,4'-Diphenyl-4"-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBBi1BP), 4-(1-Naphthyl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBANB), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4"-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), 9,9-Dimethyl-N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amin (Abkürzung: PCBAF) oder N-Phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]spiro-9,9'-bifluoren-2-amin (Abkürzung: PCBASF), Verbindungen mit einem Carbazol-Gerüst, wie z. B. 1,3-Bis(N-carbazolyl)benzol (Abkürzung: mCP), 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 3,6-Bis(3,5-diphenylphenyl)-9-phenylcarbazol (Abkürzung: CzTP) oder 3,3'-Bis(9-phenyl-9H-carbazol) (Abkürzung: PCCP), Verbindungen mit einem Thiophen-Gerüst, wie z. B. 4,4',4"-(Benzol-1,3,5-triyl)tri(dibenzothiophen) (Abkürzung: DBT3P-II), 2,8-Diphenyl-4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophen (Abkürzung: DBTFLP-III) oder 4-[4-(9-Phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-6-phenyldibenzothiophen (Abkürzung: DBTFLP-IV), sowie Verbindungen mit einem Furan-Gerüst, wie z. B. 4,4',4''-(Benzol-1,3,5-triyl)tri(dibenzofuran) (Abkürzung: DBF3P-II) oder 4-{3-[3-(9-Phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]phenyl}dibenzofuran (Abkürzung: mmDBFFLBi-II). Unter den vorstehenden Materialien werden die Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst und die Verbindung mit einem Carbazol-Gerüst bevorzugt, da diese Verbindungen zuverlässig sind, hohe Lochtransporteigenschaften aufweisen und zu einer Verringerung der Betriebsspannung beitragen. Darüber hinaus können Lochtransportmaterialien verwendet werden, die als Beispiele für eine organische Lochtransportverbindung angegeben werden, die in einem unten beschriebenen Verbundmaterial verwendet wird.
  • Als Material mit einer Elektronentransporteigenschaft, das als Wirtsmaterial verwendet werden kann, werden z. B. ein Metallkomplex wie Bis(10-hydroxybenzo[h]chinolinato)beryllium(II) (Abkürzung: BeBq2), Bis(2-methyl-8-chinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminium(III) (Abkürzung: BAIq), Bis(8-chinolinolato)zink(ll) (Abkürzung: Znq), Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: ZnPBO) und Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zink(ll) (Abkürzung: ZnBTZ) oder eine organische Verbindung mit einem π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring-Gerüst bevorzugt verwendet. Beispiele für die organische Verbindung mit einem π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring-Gerüst umfassen eine heterocyclische Verbindung mit einem Polyazol-Gerüst, wie z. B. 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), 1,3-Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzol (Abkürzung: OXD-7), 9-[4-(5-Phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CO11), 2,2',2''-(1,3,5-Benzoltriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazol) (Abkürzung: TPBI) und 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazol (Abkürzung: mDBTBIm-II); eine heterocyclische Verbindung mit einem Diazin-Gerüst, wie z. B. 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-Carbazol-9-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mCzBPDBq), 4,6-Bis[3-(phenanthren-9-yl)phenyl]pyrimidin (Abkürzung: 4,6mPnP2Pm) und 4,6-Bis[3-(4-dibenzothienyl)phenyl]pyrimidin (Abkürzung: 4,6mDBTP2Pm-II); und eine heterocyclische Verbindung mit einem Pyridin-Gerüst, wie z. B. 3,5-Bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridin (Abkürzung: 35DCzPPy) und 1,3,5-Tri[3-(3-pyridyl)phenyl]benzol (Abkürzung: TmPyPB). Unter den vorstehenden werden die heterocyclische Verbindung mit einem Diazin-Gerüst und die heterocyclische Verbindung mit einem Pyridin-Gerüst bevorzugt, da sie zuverlässig sind. Insbesondere weist die heterocyclische Verbindung mit einem Diazin- (Pyrimidin- oder Pyrazin-) Gerüst eine hohe Elektronentransporteigenschaft auf und trägt auch zu einer Verringerung der Betriebsspannung bei.
  • Als TADF-Material, das als Wirtsmaterial verwendet werden kann, können auch die oben beschriebenen TADF-Materialien verwendet werden. Wenn das TADF-Material als Wirtsmaterial verwendet wird, wird die im TADF-Material erzeugte Triplett-Anregungsenergie durch umgekehrtes Intersystem-Crossing in Singulett-Anregungsenergie umgewandelt und auf die Emissionszentrumssubstanz übertragen, wodurch die Emissionseffizienz der Licht emittierenden Vorrichtung erhöht werden kann. Dabei fungiert das TADF-Material als Energiedonator und die Emissionszentrumssubstanz als Energieakzeptor.
  • Dies ist sehr effektiv, wenn die Emissionszentrumssubstanz eine fluoreszierende Substanz ist. In diesem Fall ist es vorzuziehen, dass das S1-Niveau des TADF-Materials höher ist als das S1-Niveau der fluoreszierenden Substanz, um eine hohe Emissionseffizienz zu erreichen. Außerdem ist das T1-Niveau des TADF-Materials vorzugsweise höher als das S1-Niveau der fluoreszierenden Substanz. Daher ist das T1-Niveau des TADF-Materials vorzugsweise höher als das T1-Niveau der fluoreszierenden Substanz.
  • Vorzugsweise wird ein TADF-Material verwendet, das Licht emittiert, dessen Wellenlänge sich mit der energieärmsten Absorptionsbande der fluoreszierenden Substanz überlappt. In diesem Fall wird die Anregungsenergie vom TADF-Material gleichmäßig auf die fluoreszierende Substanz übertragen und die Lichtemission kann effizient erhalten werden.
  • Um von/aus der Triplett-Anregungsenergie durch umgekehrtes Intersystem-Crossing effizient Singulett-Anregungsenergie erzeugen zu können, erfolgt die Ladungsträgerrekombination vorzugsweise im TADF-Material. Es ist auch vorzuziehen, dass die im TADF-Material erzeugte Triplett-Anregungsenergie nicht auf die Triplett-Anregungsenergie der fluoreszierenden Substanz übertragen wird. Aus diesem Grund weist die fluoreszierende Substanz vorzugsweise eine Schutzgruppe um einen Luminophor (ein Gerüst, das die Lichtemission herbeiführt) der fluoreszierenden Substanz auf. Als Schutzgruppe werden vorzugsweise ein Substituent ohne π-Bindung und ein gesättigter Kohlenwasserstoff verwendet. Spezifische Beispiele sind eine Alkylgruppe mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen, eine substituierte oder unsubstituierte Cycloalkylgruppe mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen und eine Trialkylsilylgruppe mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen. Ferner ist es vorzuziehen, dass die fluoreszierende Substanz eine Vielzahl von Schutzgruppen aufweist. Da die Substituenten, die keine π-Bindung haben, eine schlechte Ladungsträgertransporteigenschaft aufweisen, können das TADF-Material und der Luminophor der fluoreszierenden Substanz voneinander entfernt sein, ohne den Ladungsträgertransport oder die Ladungsträgerrekombination groß zu beeinflussen. Der Luminophor bezieht sich hier auf eine Atomgruppe (Gerüst), die die Lichtemission in einer fluoreszierenden Substanz herbeiführt. Der Luminophor ist vorzugsweise ein Gerüst mit einer π-Bindung, stärker bevorzugt umfasst er einen aromatischen Ring, und noch stärker bevorzugt umfasst er einen kondensierten aromatischen Ring oder einen kondensierten heteroaromatischen Ring. Beispiele für den kondensierten aromatischen Ring oder den kondensierten heteroaromatischen Ring sind ein Phenanthren-Gerüst, ein Stilben-Gerüst, ein Acridon-Gerüst, ein Phenoxazin-Gerüst und ein Phenothiazin-Gerüst. Insbesondere wird eine fluoreszierende Substanz mit einem Naphthalin-, einem Anthracen-, einem Fluoren-, einem Chrysen-, einem Triphenylen-, einem Tetracen-, einem Pyren-, einem Perylen-, einem Cumarin-, einem Chinacridon- oder einem Naphthobisbenzofuran-Gerüst wegen ihrer hohen Fluoreszenzquantenausbeute bevorzugt.
  • In dem Fall, in dem eine fluoreszierende Substanz als Emissionszentrumssubstanz verwendet wird, wird als Wirtsmaterial in geeigneter Weise ein Material mit einem Anthracen-Gerüst verwendet. Wenn eine Substanz mit einem Anthracen-Gerüst als Wirtsmaterial für die fluoreszierende Substanz verwendet wird, kann eine Licht emittierende Schicht erhalten werden, bei der sowohl die Emissionseffizienz als auch die Beständigkeit hoch sind. Unter den Substanzen mit einem Anthracen-Gerüst ist eine Substanz mit einem Diphenylanthracen-Gerüst, insbesondere eine Substanz mit einem 9,10-Diphenylanthracen-Gerüst, chemisch stabil und wird somit bevorzugt als Wirtsmaterial verwendet. Das Wirtsmaterial weist vorzugsweise ein Carbazol-Gerüst auf, da die Lochinjektions- und Lochtransporteigenschaften erhöht werden; stärker bevorzugt weist das Wirtsmaterial ein Benzocarbazol-Gerüst, in dem ein Benzolring ferner zu Carbazol kondensiert wird, auf, da das HOMO-Niveau davon um ungefähr 0,1 eV flacher ist als dasjenige von Carbazol, wodurch Löcher leicht in das Wirtsmaterial eindringen. Insbesondere umfasst das Wirtsmaterial vorzugsweise ein Dibenzocarbazol-Gerüst, da das HOMO-Niveau davon um ungefähr 0,1 eV flacher ist als dasjenige von Carbazol, so dass Löcher leicht in das Wirtsmaterial eindringen, die Lochtransporteigenschaft verbessert wird und die Wärmebeständigkeit erhöht wird. Folglich ist eine Substanz, die sowohl ein 9,10-Diphenylanthracen-Gerüst als auch ein Carbazol-Gerüst (oder ein Benzocarbazol- oder Dibenzocarbazol-Gerüst) aufweist, ferner als Wirtsmaterial vorzuziehen. Es sei angemerkt, dass in Hinblick auf die Lochinjektions- und Lochtransporteigenschaften, die vorstehend beschrieben worden sind, anstelle eines Carbazol-Gerüsts ein Benzofluoren-Gerüst oder ein Dibenzofluoren-Gerüst verwendet werden kann. Beispiele für eine derartige Substanz umfassen 9-Phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: PCzPA), 3-[4-(1-Naphthyl)-phenyl]-9-phenyl-9H-carbazol (Abkürzung: PCPN), 9-[4-(10-Phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), 7-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-7H-dibenzo[c,g]carbazol (Abkürzung: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)phenyl]-benzo[b]naphtho[1,2-d]furan (Abkürzung: 2mBnfPPA), 9-Phenyl-10-{4-(9-phenyl-9/-/-fluoren-9-yl)biphenyl-4'-yl}anthracen (Abkürzung: FLPPA) und 9-(1-Naphthyl)-10-[4-(2-naphthyl)phenyl]anthracen (Abkürzung: BH513). Insbesondere weisen CzPA, cgDBCzPA, 2mBnfPPA und PCzPA ausgezeichnete Eigenschaften auf und werden daher vorzugsweise ausgewählt.
  • Es sei angemerkt, dass es sich bei dem Wirtsmaterial um eine Mischung von mehreren Arten von Substanzen handeln kann; im Falle der Verwendung eines gemischten Wirtsmaterials werden vorzugsweise ein Material mit einer Elektronentransporteigenschaft und ein Material mit einer Lochtransporteigenschaft miteinander gemischt. Indem das Material mit einer Elektronentransporteigenschaft und das Material mit einer Lochtransporteigenschaft miteinander gemischt werden, kann die Transporteigenschaft der Licht emittierenden Schicht 113 leicht gesteuert werden, und die Steuerung eines Rekombinationsbereichs kann auf einfache Weise durchgeführt werden. Das Gewichtsverhältnis des Anteils des Materials mit einer Lochtransporteigenschaft zu dem Anteil des Materials mit einer Elektronentransporteigenschaft kann 1:19 bis 19:1 sein.
  • Es sei angemerkt, dass eine phosphoreszierende Substanz als Teil des gemischten Materials verwendet werden kann. Wenn eine fluoreszierende Substanz als Emissionszentrumssubstanz verwendet wird, kann eine phosphoreszierende Substanz als Energiedonator für die Zufuhr von Anregungsenergie zu der fluoreszierenden Substanz verwendet werden.
  • Ein Exciplex kann durch diese gemischten Materialien gebildet werden. Diese gemischten Materialien werden vorzugsweise derart ausgewählt, dass sie einen Exciplex bildet, der Licht mit einer Wellenlänge emittiert, die mit derjenigen des niedrigsten Energieabsorptionsbandes des Licht emittierenden Materials überlappt, wobei in diesem Fall die Energie leicht übertragen wird und eine Lichtemission effizient erhalten werden kann. Die Verwendung einer derartigen Struktur wird bevorzugt, da die Ansteuerspannung auch verringert werden kann.
  • Es sei angemerkt, dass mindestens eines der Materialien, die einen Exciplex bilden, eine phosphoreszierende Substanz sein kann. In diesem Fall kann die Triplett-Anregungsenergie durch umgekehrtes Intersystem-Crossing effizient in Singulett-Anregungsenergie umgewandelt werden.
  • Die Kombination eines Elektronentransportmaterials und eines Lochtransportmaterials, dessen HOMO-Niveau höher als oder gleich dem HOMO-Niveau des Elektronentransportmaterials ist, ist für die effiziente Bildung eines Exciplexes vorzuziehen. Darüber hinaus ist das LUMO-Niveau des Lochtransportmaterials vorzugsweise höher als oder gleich dem LUMO-Niveau des Elektronentransportmaterials. Es sei angemerkt, dass die LUMO-Niveaus und die HOMO-Niveaus der Materialien von den elektrochemischen Eigenschaften (den Reduktionspotentialen und den Oxidationspotentialen) der Materialien erhalten werden können, die durch Cyclovoltammetrie (cyclic voltammetry, CV) gemessen werden.
  • Die Bildung eines Exciplexes kann z. B. durch ein Phänomen bestätigt werden, bei dem das Emissionsspektrum des gemischten Films, in dem das Lochtransportmaterial und das Elektronentransportmaterial gemischt sind, auf die (zur) Seite der längeren Wellenlänge verschoben wird als das Emissionsspektrum jedes der Materialien (oder das Emissionsspektrum einen anderen Peak auf der Seite der längeren Wellenlänge aufweist), wobei das Phänomen durch einen Vergleich der Emissionsspektren des Lochtransportmaterials, des Elektronentransportmaterials und des gemischten Films dieser Materialien beobachtet wird. Alternativ kann die Bildung eines Exciplexes durch einen Unterschied der transienten Reaktion bestätigt werden (wie z. B. durch ein Phänomen, bei dem die transiente Photolumineszenz- (PL-) Lebensdauer des gemischten Films mehr langlebige Komponenten oder einen größeren Anteil verzögerter Komponenten aufweist als die der einzelnen Materialien), wobei der Unterschied durch einen Vergleich der transienten PL des Lochtransportmaterials, des Elektronentransportmaterials und des gemischten Films der Materialien beobachtet wird. Die transiente PL kann als transiente Elektrolumineszenz (EL) umformuliert werden. Das heißt, die Bildung eines Exciplex kann auch durch einen Unterschied in der transienten Reaktion bestätigt werden, der durch einen Vergleich der transienten EL des Lochtransportmaterials, des Elektronentransportmaterials und des Mischfilms der Materialien beobachtet wird.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Struktur kann eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen. Insbesondere kann die Licht emittierende Vorrichtung erhalten werden, deren Abklingkurve ein sanftes Gefälle aufweist und deren Langzeitabfall unterdrückt wird.
  • Als Nächstes werden die anderen Schichten beschrieben, die in der EL-Schicht 103 verwendet werden können.
  • Die Lochinjektionsschicht 111 fördert die Injektion von Löchern in die EL-Schicht 103 und wird aus einem Material mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft ausgebildet. Die Lochinjektionsschicht 111 kann nur aus einer Akzeptorsubstanz ausgebildet werden, wird aber vorzugsweise aus einem Verbundmaterial ausgebildet, das eine Akzeptorsubstanz und eine organische Lochtransportverbindung enthält.
  • Die Akzeptorsubstanz weist eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf die in der Lochtransportschicht oder der Lochinjektionsschicht enthaltene organische Lochtransportverbindung auf.
  • Als Akzeptorsubstanz kann entweder eine anorganische Verbindung oder eine organische Verbindung verwendet werden, wobei z. B. eine organische Verbindung mit einer elektronenziehenden Gruppe (insbesondere einer Cyanogruppe oder einer Halogengruppe wie einer Fluorgruppe) bevorzugt eingesetzt wird. Unter den oben genannten Substanzen wird eine Substanz als Akzeptorsubstanz angemessen ausgewählt, die eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf die in der Lochtransportschicht oder der Lochinjektionsschicht enthaltene organische Lochtransportverbindung aufweist.
  • Beispiele für eine derartige Akzeptorsubstanz umfassen 7,7,8,8-Tetracyano-2,3,5,6-tetrafluorchinodimethan (Abkürzung: F4-TCNQ), Chloranil, 2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylen (Abkürzung: HAT-CN), 1,3,4,5,7,8-Hexafluortetracyano-naphthochinodimethan (Abkürzung: F6-TCNNQ) und 2-(7-Dicyanomethylen-1,3,4,5,6,8,9,10-octafluor-7H-pyren-2-yliden)malononitril. Insbesondere wird eine Verbindung, in der elektronenziehende Gruppen an einen kondensierten aromatischen Ring mit einer Vielzahl von Heteroatomen gebunden sind, wie z. B. HAT-CN, bevorzugt, weil sie thermisch stabil ist. Ein [3]Radialen-Derivat, das eine elektronenziehende Gruppe (insbesondere eine Cyanogruppe oder eine Halogengruppe, wie z. B. eine Fluorgruppe) umfasst, weist eine sehr hohe Elektronenakzeptoreigenschaft auf und wird somit bevorzugt. Konkrete Beispiele umfassen organische Verbindungen, wie z. B. α,α',α''-1,2,3-Cyclopropantriylidentris[4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorbenzolacetonitril], α,α',α''-1,2,3-Cyclopropantriylidentris[2,6-dichlor-3,5-difluor-4-(trifluormethyl)benzolacetonitril] und α,α',α"-1,2,3-Cyclopropantriylidentris[2,3,4,5,6-pentafluorbenzolacetonitril]. Wenn die Akzeptorsubstanz eine anorganische Verbindung ist, kann auch ein Übergangsmetalloxid verwendet werden. Ein Oxid eines Metalls, das zu den Gruppen 4 bis 8 des Periodensystems gehört, wird besonders bevorzugt. Als Oxid eines Metalls, das zu den Gruppen 4 bis 8 des Periodensystems gehört, werden wegen ihrer hohen Elektronenakzeptoreigenschaften vorzugsweise Vanadiumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Chromoxid, Molybdänoxid, Wolframoxid, Manganoxid, Rheniumoxid oder dergleichen verwendet. Unter diesen Oxiden ist Molybdänoxid vorzuziehen, da es an der Luft stabil ist, eine geringe hygroskopische Eigenschaft hat und leicht zu handhaben ist.
  • Die organische Lochtransportverbindung im Verbundmaterial ist vorzugsweise ein Lochtransportmaterial mit einem relativ tiefen HOMO-Niveau von höher als oder gleich -5,7 eV und niedriger als oder gleich -5,4 eV. Die organische Lochtransportverbindung mit einem relativ tiefen HOMO-Niveau im Verbundsmaterial hemmt die Induktion von Löchern in geeigneter Weise und fördert gleichzeitig die Injektion der induzierten Löcher in die Lochtransportschicht 112.
  • Die organische Lochtransportverbindung im Verbundmaterial weist ferner vorzugsweise ein Carbazol-Gerüst, ein Dibenzofuran-Gerüst, ein Dibenzothiophen-Gerüst oder ein Anthracen-Gerüst auf. Insbesondere wird ein aromatisches Amin mit einem Substituenten, der einen Dibenzofuranring oder einen Dibenzothiophenring enthält, oder ein aromatisches Monoamin, das einen Naphthalinring enthält, bevorzugt, und ein aromatisches Monoamin, bei dem eine 9-Fluorenylgruppe über eine Arylengruppe an den Stickstoff des Amins gebunden ist, kann verwendet werden. Es sei angemerkt, dass diese Substanzen mit einer N,N-Bis(4-biphenyl)aminogruppe vorzuziehen sind, da eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer langen Lebensdauer hergestellt werden kann. Konkrete Beispiele für solche Substanzen sind N-(4-Biphenyl)-6,N-diphenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-amin (Abkürzung: BnfABP), N,N-Bis(4-biphenyl)-6-phenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-amin (Abkürzung: BBABnf), 4,4'-Bis(6-phenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-yl)-4"-phenyltriphenylamin (Abkürzung: BnfBB1BP), N,N-bis(4-Biphenyl)benzo[b]naphtho[1,2-d]furan-6-amin (Abkürzung: BBABnf(6)), N,N-bis(4-Biphenyl)benzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-amin (Abkürzung: BBABnf(8)), N,N-bis(4-Biphenyl)benzo[b]naphtho[2,3-d]furan-4-amin (Abkürzung: BBABnf(II)(4)), N,N-Bis[4-(dibenzofuran-4-yl)phenyl]-4-amino-p-terphenyl (Abkürzung: DBfBB1TP), N-[4-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-N-phenyl-4-biphenylamin (Abkürzung: ThBAIBP), 4-(2-Naphthyl)-4',4''-diphenyltriphenylamin (Abkürzung: BBAβNB), 4-[4-(2-Naphthyl)phenyl]-4',4''-diphenyltriphenylamin (Abkürzung: BBAβNBi), 4,4'-Diphenyl-4''-(6;1'-binaphthyl-2-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBAαNβNB), 4,4'-Diphenyl-4''-(7;1'-binaphthyl-2-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBAαNβNB-03), 4,4'-Diphenyl-4''-(7-phenyl)naphthyl-2-yltriphenylamin (Abkürzung: BBAPβNB-03), 4,4'-Diphenyl-4''-(6;2'-binaphthyl-2-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBA(βN2)B), 4,4'-Diphenyl-4''-(7;2'-binaphthyl-2-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBA(βN2)B-03), 4,4'-Diphenyl-4''-(4;2'-binaphthyl-1-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBAβNαNB), 4,4'-Diphenyl-4''-(5;2'-binaphthyl-1-yl)triphenylamin (Abkürzung: BBAβNαNB-02), 4-(4-Biphenylyl)-4'-(2-naphthyl)-4''-phenyltriphenylamin (Abkürzung: TPBiAβNB), 4-(3-Biphenylyl)-4'-[4-(2-naphthyl)phenyl]-4''-phenyltriphenylamin (Abkürzung: mTPBiAβNBi), 4-(4-Biphenylyl)-4'-[4-(2-naphthyl)phenyl]-4''-phenyltriphenylamin (Abkürzung: TPBiAβNBi), 4-Phenyl-4'-(1-naphthyl)triphenylamin (Abkürzung: αNBA1 BP), 4,4'-Bis(1-naphthyl)triphenylamin (Abkürzung: αNBB1BP), 4,4'-Diphenyl-4''-[4'-(carbazol-9-yl)biphenyl-4-yl]triphenylamin (Abkürzung: YGTBi1BP), 4'-[4-(3-Phenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]tris(1,1'-biphenyl-4-yl)amin (Abkürzung: YGTBi1BP-02), 4-Diphenyl-4'-(2-naphthyl)-4''-[9-(4-biphenylyl)carbazol]triphenylamin (Abkürzung: YGTBißNB), N-[4-(9-Phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-N-[4-(1-naphthyl)phenyl]-9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-amin (Abkürzung: PCBNBSF), N,N-Bis(4-biphenylyl)-9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-amin (Abkürzung: BBASF), N,N-Bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-9,9'-spirobi[9H-fluoren]-4-amin (Abkürzung: BBASF(4)), N-(1,1'-Biphenyl-2-yl)-N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9,9'-spirobi(9H-fluoren)-4-amin (Abkürzung: oFBiSF), N-(4-Biphenyl)-N-(dibenzofuran-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amin (Abkürzung: FrBiF), N-[4-(1-Naphthyl)phenyl]-N-[3-(6-phenyldibenzofuran-4-yl)phenyl]-1-naphthylamin (Abkürzung: mPDBfBNBN), 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP), 4-Phenyl-3'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: mBPAFLP), 4-Phenyl-4'-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]triphenylamin (Abkürzung: BPAFLBi), 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP), 4,4'-Diphenyl-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBBi1BP), 4-(1-Naphthyl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBANB), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4"-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), N-Phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]spiro-9,9'bifluoren-2-amin (Abkürzung: PCBASF) und N-(1,1'-Biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9H-fluoren-2-amin (Abkürzung: PCBBiF).
  • Es sei angemerkt, dass die Löcherbeweglichkeit der organischen Lochtransportverbindung vorzugsweise niedriger als oder gleich 1 × 10-3 cm2/Vs ist, wenn die Quadratwurzel der elektrischen Feldstärke [V/cm] 600 beträgt.
  • Das Gewichtsverhältnis der Akzeptorsubstanz zur organischen Lochtransportverbindung im Verbundmaterial ist vorzugsweise 1:0,01 bis 1:0,15, stärker bevorzugt 1:0,01 bis 1:0,1.
  • In dem Fall, dass das oben beschriebene Verbundmaterial für die Lochinjektionsschicht 111 verwendet wird und eine organische Verbindung mit einem HOMO-Niveau von höher oder gleich -5,7 eV und niedriger oder gleich -5,4 eV als organische Lochtransportverbindung verwendet wird, kann ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff mit zwei oder mehr und vier oder weniger aromatischen Ringen als zweites Gerüst des Elektronentransportmaterials in der Elektronentransportschicht 114 verwendet werden.
  • In diesem Fall ist die Elektronenbeweglichkeit der Elektronentransportschicht 114 vorzugsweise höher als oder gleich 1 × 10-7 cm2/Vs und niedriger als oder gleich 5 × 10-5 cm2/Vs, wenn die Quadratwurzel der elektrischen Feldstärke [V/cm] 600 beträgt.
  • Auch in diesem Fall enthält die Elektronentransportschicht 114 vorzugsweise ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein metallorganisches Salz. Das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das metallorganische Salz ist vorzugsweise ein Metallkomplex, der ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall enthält. Es sei angemerkt, dass der Metallkomplex vorzugsweise einen Liganden enthält, der Stickstoff und Sauerstoff enthält, und dass der Ligand stärker bevorzugt eine 8-Hydroxychinolinatostruktur aufweist. Unter den Metallkomplexen ist ein Komplex aus einem einwertigen Metallion besonders zu bevorzugen, und konkrete Beispiele sind 8-Hydroxychinolinato-Lithium (Abkürzung: Liq) und 8-Hydroxychinolinato-Natrium (Abkürzung: Naq). Ein Lithium-Komplex ist besonders vorzuziehen, und Liq ist insbesondere vorzuziehen. Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem eine 8-Hydroxychinolinato-Struktur enthalten ist, z. B. auch ein Methyl-substituiertes Produkt (z. B. ein 2-Methyl-substituiertes Produkt oder ein 5-Methyl-substituiertes Produkt) davon verwendet werden kann.
  • Wie oben beschrieben, unterstützt dann, wenn ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz zusammen mit dem Elektronentransportmaterial für die Elektronentransportschicht 114 verwendet wird, das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz eine Funktion der Aufnahme von Löchern; daher kann ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff mit zwei oder mehr und vier oder weniger aromatischen Ringen in geeigneter Weise als zweites Gerüst des Elektronentransportmaterials verwendet werden. Bevorzugte Strukturen des kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoffrings wurden bereits oben beschrieben, und Beispiele des kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoffs mit zwei oder mehr und vier oder weniger aromatischen Ringen umfassen einen Naphthalinring, einen Fluorenring, einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring und einen Pyrenring. Es sei angemerkt, dass das zweite Gerüst vorzugsweise ein kondensierter aromatischer Ring mit drei oder vier aromatischen Ringen ist, ferner vorzugsweise ein Anthracenring.
  • Die Konzentration des Metalls, des Metallsalzes, des Metalloxids oder des metallorganischen Salzes unterscheidet sich vorzugsweise in der Dickenrichtung der Elektronentransportschicht 114 (einschließlich des Falles, in dem die Konzentration 0 ist). Dadurch hat die Licht emittierende Vorrichtung eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit.
  • Es sei angemerkt, dass das HOMO-Niveau des für die Elektronentransportschicht 114 verwendeten Elektronentransportmaterials vorzugsweise höher als oder gleich -6,0 eV ist.
  • Die Leuchtdichteabklingkurve der Licht emittierenden Vorrichtung mit einer derartigen Struktur, die durch ein Betriebstest bei konstanter Stromdichte erhalten wird, hat manchmal den lokalen Maximalwert, d. h. einen Bereich, in dem die Leuchtdichte mit der Zeit zunimmt. Die Licht emittierende Vorrichtung, die ein solches Degradationsverhalten zeigt, ermöglicht es, ein schnelles Abklingen in der ersten Betriebsstufe, das als Initialzerfall (anfänglicher Zerfall bzw. anfängliches Abklingen) bezeichnet wird, durch den Leuchtdichteanstieg aufzuheben. Dadurch kann die Licht emittierende Vorrichtung eine extrem lange Betriebslebensdauer mit einem geringeren anfänglichen Zerfall haben. Eine solche Licht emittierende Vorrichtung wird als ReSTI-Vorrichtung (Recombination-Site-Tailoring-Injection-Vorrichtung bzw. Vorrichtung zur Injektionsanpassung der Rekombinationsstelle) bezeichnet.
  • Die Lochinjektionsschicht mit der oben beschriebenen Struktur enthält ein Lochtransportmaterial mit einem tiefen HOMO-Niveau; dadurch können die induzierten Löcher leicht in die Lochtransportschicht und die Licht emittierende Schicht injiziert werden. Dementsprechend durchdringt eine extrem geringe Anzahl von Löchern leicht die Licht emittierende Schicht, um in der ersten Betriebsstufe die Elektronentransportschicht zu erreichen.
  • Wenn die Licht emittierende Vorrichtung, die die Elektronentransportschicht enthält, die ein Elektronentransportmaterial und ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, eine Verbindung eines Alkalimetalls oder eines Erdalkalimetalls oder einen Komplex eines Alkalimetalls oder eines Erdalkalimetalls enthält, kontinuierlich Licht emittiert, werden die Elektroneninjektions- und Elektronentransporteigenschaften der Elektronentransportschicht verbessert. Da im Gegensatz dazu die Induktion von Löchern in der Lochinjektionsschicht, wie oben beschrieben, ordentlich unterbunden wird, kann der Elektronentransportschicht keine große Anzahl von Löchern zugeführt werden. Infolgedessen nimmt die Anzahl der Löcher, die die Elektronentransportschicht erreichen können, mit der Zeit ab, wodurch sich die Wahrscheinlichkeit einer Rekombination von Löchern und Elektronen in der Licht emittierenden Schicht erhöht. Das heißt, das Ladungsträgergleichgewicht verschiebt sich so, dass die Rekombination in der Licht emittierenden Schicht leichter erfolgt, während die Licht emittierende Vorrichtung kontinuierlich Licht emittiert. Dank einer solchen Verschiebung kann eine Licht emittierende Vorrichtung erhalten werden, die ermöglicht, dass die Abklingkurve einen Abschnitt aufweist, in dem die Leuchtdichte mit der Zeit zunimmt, und die ermöglicht, den anfänglichen Zerfall zu unterdrücken.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Struktur kann eine extrem lange Lebensdauer haben. Insbesondere kann eine Lebensdauer bis zu dem Zeitpunkt, an dem die Leuchtdichte auf etwa 95 % der Anfangsleuchtdichte (LT95) abnimmt, d. h., an dem der Zerfall sehr gering ist, deutlich verlängert werden. Darüber hinaus weist die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in der die Verbindung, die das erste Gerüst mit einer Funktion zum Transportieren von Elektronen, das zweite Gerüst mit einer Funktion zur Aufnahme von Löchern und das dritte Gerüst aufweist, das ein monocyclischer π-elektronenarmer heteroaromatischer Ring ist, als Elektronentransportmaterial verwendet wird, einen extrem kleinen Langzeitzerfall auf und kann eine lange Lebensdauer aufweisen.
  • Wenn der anfängliche Zerfall reduziert werden kann, können das Problem des Einbrennens, das immer noch als großer Nachteil von organischen EL-Vorrichtungen Erwähnung findet, sowie der Zeit- und Arbeitsaufwand für die Alterung zur Reduzierung des Problems vor dem Versand erheblich reduziert werden.
  • Die Lochtransportschicht 112 kann zwar eine Einzelschicht sein (1A), umfasst aber vorzugsweise die erste Lochtransportschicht 112-1 und die zweite Lochtransportschicht 112-2 (1B). Die Lochtransportschicht 112 kann ferner mehrere Lochtransportschichten enthalten.
  • Die Lochtransportschicht 112 kann unter Verwendung eines Lochtransportmaterials ausgebildet werden. Als Lochtransportmaterial für die Lochtransportschicht 112 kann das Lochtransportmaterial, das als Wirtsmaterial verwendet werden kann, oder die organische Lochtransportverbindung, die im Verbundmaterial verwendet werden kann, verwendet werden.
  • In dem Fall, in dem die Lochtransportschicht 112 eine Vielzahl von Schichten enthält, hat das Lochtransportmaterial der Lochtransportschicht, das der Licht emittierenden Schicht 113 unter den benachbarten Lochtransportschichten am nächsten liegt, vorzugsweise ein tieferes HOMO-Niveau als die Lochtransportmaterialien der anderen Lochtransportschichten, und die Differenz zwischen den HOMO-Niveaus ist vorzugsweise kleiner oder gleich 0,2 eV.
  • In dem Fall, dass die Lochinjektionsschicht 111 unter Verwendung eines Verbundmaterials ausgebildet wird, ist das HOMO-Niveau eines Lochtransportmaterials, das für die Lochtransportschicht 112 in Kontakt mit der Lochinjektionsschicht 111 verwendet wird, vorzugsweise tiefer als das einer organischen Lochtransportverbindung, die in dem Verbundmaterial verwendet wird, und die Differenz zwischen den HOMO-Niveaus ist vorzugsweise kleiner oder gleich 0,2 eV.
  • Dank einer solchen Relation zwischen den HOMO-Niveaus werden die Löcher in jede Schicht problemlos injiziert, was einen Anstieg der Betriebsspannung und einen Mangel an Löchern in der Licht emittierenden Schicht verhindert.
  • Es sei angemerkt, dass das Lochtransportmaterial, das für die Lochtransportschicht 112 verwendet wird, vorzugsweise ein Gerüst enthält, das die Funktion hat, Löcher zu transportieren. Als Gerüst, das die Funktion hat, Löcher zu transportieren, wird vorzugsweise ein Carbazol-Gerüst, ein Dibenzofuran-Gerüst, ein Dibenzothiophen-Gerüst oder ein Anthracen-Gerüst verwendet, bei denen das HOMO-Niveau der organischen Verbindung nicht zu flach wird, wobei ein Dibenzofuran-Gerüst besonders zu bevorzugen ist. Die Lochinjektionsschicht 111 und die nächstgelegene Schicht in der Vielzahl der Lochtransportschichten 112 haben vorzugsweise das gleiche Gerüst, so dass Löcher problemlos injiziert werden können. Aus dem gleichen Grund enthalten die Lochinjektionsschicht 111 und die nächstgelegene Schicht in der Vielzahl der Lochtransportschichten 112 vorzugsweise das gleiche Lochtransportmaterial.
  • In dem Fall, in dem mehrere Lochtransportschichten übereinander angeordnet sind, ist die erste Lochtransportschicht 112-1 näher an der Seite der Anoden 101 als die zweite Lochtransportschicht 112-2. Es sei angemerkt, dass die zweite Lochtransportschicht 112-2 in einigen Fällen auch als Elektronenblockierschicht fungiert.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Struktur kann eine extrem lange Lebensdauer haben.
  • (Ausführungsform 2)
  • Als Nächstes werden Beispiele spezifischer Strukturen und Materialien der oben genannten Licht emittierenden Vorrichtung beschrieben. In dieser Ausführungsform wird eine Struktur beschrieben, bei der die EL-Schicht 103 mit einer Vielzahl von Schichten zwischen einem Elektrodenpaar (der Anode 101 und der Kathode 102) angeordnet ist und mindestens die Licht emittierende Schicht 113 und die Elektronentransportschicht 114 in dieser Reihenfolge von der Seite der Anode 101 in der EL-Schicht 103 bereitgestellt werden. Als Schichten in der EL-Schicht 103 können verschiedene Schichten wie eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektroneninjektionsschicht, eine Ladungsträgerblockierschicht, eine Exzitonenblockierschicht und eine Ladungserzeugungsschicht verwendet werden.
  • Die Anode 101 wird vorzugsweise unter Verwendung eines Metalls, einer Legierung oder einer leitenden Verbindung mit einer hohen Austrittsarbeit (insbesondere 4,0 eV oder mehr), einer Mischung davon oder dergleichen ausgebildet. Als spezifische Beispiele können Indiumoxid-Zinnoxid (ITO: Indium Tin Oxide, Indiumzinnoxid), Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält, Indiumoxid-Zinkoxid und Indiumoxid, das Wolframoxid und Zinkoxid enthält (IWZO), angegeben werden. Filme aus diesen leitenden Metalloxiden werden gewöhnlich durch ein Sputterverfahren ausgebildet, aber sie können auch unter Anwendung eines Sol-Gel-Verfahrens oder dergleichen ausgebildet werden. In einem Beispiel für das Ausbildungsverfahren wird Indiumoxid-Zinkoxid durch ein Sputterverfahren abgeschieden, bei dem ein Target verwendet wird, das durch Zusatz von 1 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid zu Indiumoxid erhalten wird. Des Weiteren kann ein Film aus Indiumoxid enthaltend Wolframoxid und Zinkoxid (IWZO) durch ein Sputterverfahren ausgebildet werden, bei dem ein Target verwendet wird, in dem 0,5 Gew.-% bis 5 Gew.-% Wolframoxid und 0,1 Gew.-% bis 1 Gew.-% Zinkoxid zu Indiumoxid zugesetzt sind. Alternativ können Gold (Au), Platin (Pt), Nickel (Ni), Wolfram (W), Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Kupfer (Cu), Palladium (Pd), ein Nitrid eines Metallmaterials (z. B. Titannitrid) und dergleichen verwendet werden. Graphen kann auch verwendet werden. Es sei angemerkt, dass, obwohl die typischen Materialien, die eine hohe Austrittsarbeit haben und zur Ausbildung der Anode verwendet werden, oben aufgeführt sind, ein Verbundmaterial aus einer organischen Verbindung mit einer Lochtransporteigenschaft und einer Substanz, die eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf die organische Verbindung aufweist, für die Lochinjektionsschicht 111 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird; somit kann ein Elektrodenmaterial unabhängig von seiner Austrittsarbeit ausgewählt werden.
  • Diese Ausführungsform beschreibt eine in 1B dargestellte mehrschichtige Struktur der EL-Schicht 103, die neben der Lochinjektionsschicht 111, der Lochtransportschicht 112 (der ersten Lochtransportschicht 112-1 und der zweiten Lochtransportschicht 112-2), der Licht emittierenden Schicht 113 und der Elektronentransportschicht 114 (der ersten Elektronentransportschicht 114-1 und der zweiten Elektronentransportschicht 114-2) die Elektroneninjektionsschicht 115 umfasst. Die Materialien für die Schichten werden im Folgenden spezifisch beschrieben.
  • Da die Lochinjektionsschicht 111, die Lochtransportschicht 112 (die erste Lochtransportschicht 112-1 und die zweite Lochtransportschicht 112-2), die Licht emittierende Schicht 113 und die Elektronentransportschicht 114 (die erste Elektronentransportschicht 114-1 und die zweite Elektronentransportschicht 114-2) ausführlich in der Ausführungsform 1 beschrieben worden sind, wird die Beschreibung dieser nicht wiederholt. Siehe die Beschreibung in Ausführungsform 1.
  • Für die Elektroneninjektionsschicht 115 zwischen der Elektronentransportschicht 114 und der Kathode 102 kann eine Schicht, die ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon, wie z. B. Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF) oder Calciumfluorid (CaF2), enthält, verwendet werden. Beispielsweise kann ein Elektrid oder eine Schicht, das/die unter Verwendung einer Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft ausgebildet wird und ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon enthält, als Elektroneninjektionsschicht 115 verwendet werden. Beispiele für das Elektrid umfassen eine Substanz, in der Elektronen mit einer hohen Konzentration zu Calciumoxid-Aluminiumoxid zugesetzt sind.
  • Anstelle der Elektroneninjektionsschicht 115 kann eine Ladungserzeugungsschicht zwischen der Elektronentransportschicht 114 und der Kathode 102 bereitgestellt werden. Die Ladungserzeugungsschicht bezeichnet eine Schicht, die Löcher in eine Schicht, die in Kontakt mit der Kathodenseite der Ladungserzeugungsschicht ist, und Elektronen in eine Schicht, die in Kontakt mit der Anodenseite dieser ist, injizieren kann, wenn ein Potential angelegt wird. Die Ladungserzeugungsschicht beinhaltet mindestens eine p-Typ-Schicht. Die p-Typ-Schicht wird vorzugsweise unter Verwendung des Verbundmaterials ausgebildet, das vorstehend als für die Lochinjektionsschicht 111 verwendbares Material angegeben worden ist. Die p-Typ-Schicht kann ausgebildet werden, indem ein Film, der als in dem Verbundmaterial enthaltenes Material das vorstehend beschriebene Akzeptormaterial enthält, und ein Film, der ein Lochtransportmaterial enthält, übereinander angeordnet werden. Wenn ein Potential an die p-Typ-Schicht angelegt wird, werden Elektronen in die Elektronentransportschicht 114 und Löcher in die Kathode 102 injiziert, wodurch die Licht emittierende Vorrichtung arbeitet.
  • Es sei angemerkt, dass die Ladungserzeugungsschicht zusätzlich zu der p-Typ-Schicht vorzugsweise eine Elektronenweiterleitungsschicht und/oder eine Elektroneninjektionspufferschicht umfasst.
  • Die Elektronenweiterleitungsschicht enthält mindestens die Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft und weist eine Funktion zum Verhindern einer Wechselwirkung zwischen der Elektroneninjektionspufferschicht und der p-Typ-Schicht sowie eine Funktion zum problemlosen Übertragen von Elektronen auf. Das LUMO-Niveau der in der Elektronenweiterleitungsschicht enthaltenen Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft liegt vorzugsweise zwischen dem LUMO-Niveau der Elektronenakzeptorsubstanz in der p-Typ-Schicht und dem LUMO-Niveau einer Substanz in einer Schicht der Elektronentransportschicht 114, die in Kontakt mit der Ladungserzeugungsschicht ist. Als konkreter und zu bevorzugender Wert für das LUMO-Energieniveau der Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in der Elektronenweiterleitungsschicht sei ein Wert von höher als oder gleich -5,0 eV, bevorzugter höher als oder gleich -5,0 eV und niedriger als oder gleich -3,0 eV genannt. Es sei angemerkt, dass als Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft in der Elektronenweiterleitungsschicht vorzugsweise ein auf Phthalocyanin basierendes Material oder ein Metallkomplex, der eine Metall-Sauerstoff-Bindung und einen aromatischen Liganden umfasst, verwendet wird.
  • Für die Elektroneninjektionspufferschicht kann eine Substanz mit einer exzellenten Elektroneninjektionseigenschaft verwendet werden, so beispielsweise ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, ein Seltenerdmetall oder eine Verbindung davon (eine Alkalimetallverbindung (darunter auch ein Oxid, wie z. B. Lithiumoxid, ein Halogenid und ein Carbonat, wie z. B. Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), eine Erdalkalimetallverbindung (darunter auch ein Oxid, ein Halogenid und ein Carbonat) oder eine Seltenerdmetallverbindung (darunter auch ein Oxid, ein Halogenid und ein Carbonat)).
  • In dem Fall, in dem die Elektroneninjektionspufferschicht die Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft und eine Substanz mit einer Elektronendonatoreigenschaft enthält, kann als Substanz mit einer Elektronendonatoreigenschaft eine organische Verbindung, wie z. B. Tetrathianaphthacen (Abkürzung: TTN), Nickelocen oder Decamethylnickelocen, verwendet werden, ebenso wie ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, ein Seltenerdmetall oder eine Verbindung davon (eine Alkalimetallverbindung (darunter auch ein Oxid, wie z. B. Lithiumoxid, ein Halogenid und ein Carbonat, wie z. B. Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), eine Erdalkalimetallverbindung (darunter auch ein Oxid, ein Halogenid und ein Carbonat) oder eine Seltenerdmetallverbindung (darunter auch ein Oxid, ein Halogenid und ein Carbonat)) verwendet werden. Als Substanz mit einer Elektronentransporteigenschaft kann ein Material, das dem vorstehend beschriebenen Material für die Elektronentransportschicht 114 ähnlich ist, verwendet werden.
  • Für die Kathode 102 kann ein Metall, eine Legierung oder eine elektrisch leitende Verbindung mit einer niedrigen Austrittsarbeit (insbesondere eine Austrittsarbeit von 3,8 eV oder niedriger), eine Mischung davon oder dergleichen verwendet werden. Als spezifische Beispiele eines derartigen Kathodenmaterials können Elemente, die zu der Gruppe 1 und 2 des Periodensystems gehören, wie z. B. Alkalimetalle (wie z. B. Lithium (Li) und Cäsium (Cs)), Magnesium (Mg), Calcium (Ca) und Strontium (Sr), Legierungen, die diese Elemente enthalten (MgAg und AILi), Seltenerdmetalle, wie z. B. Europium (Eu) und Ytterbium (Yb), und Legierungen, die diese Seltenerdmetalle enthalten, angegeben werden. Jedoch können dann, wenn die Elektroneninjektionsschicht zwischen der Kathode 102 und der Elektronentransportschicht bereitgestellt ist, für die Kathode 102 verschiedene leitende Materialien, wie z. B. AI, Ag, ITO oder Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält, unabhängig von der Höhe der Austrittsarbeit verwendet werden. Filme dieser leitenden Materialien können durch einen Trockenprozess, wie z. B. ein Vakuumverdampfungsverfahren oder ein Sputterverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Alternativ kann ein Nassprozess mittels eines Sol-Gel-Verfahrens oder ein Nassprozess unter Verwendung einer Paste eines Metallmaterials angewandt werden.
  • Verschiedene Verfahren können zum Ausbilden der EL-Schicht 103 verwendet werden, ungeachtet dessen, ob es sich dabei um einen Trockenprozess oder einen Nassprozess handelt. Zum Beispiel kann ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein Tiefdruckverfahren, ein Offsetdruckverfahren, ein Siebdruckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren oder ein Rotationsbeschichtungsverfahren zum Einsatz kommen.
  • Die vorstehend beschriebenen Elektroden oder Schichten können durch unterschiedliche Verfahren ausgebildet werden.
  • Die Struktur der Schichten, welche zwischen der Anode 101 und der Kathode 102 bereitgestellt sind, ist nicht auf die vorstehend beschriebene Struktur beschränkt. Vorzugsweise liegt ein Licht emittierender Bereich, wo Löcher und Elektronen rekombinieren, abgerückt von der Anode 101 und der Kathode 102, so dass eine Löschung (Quenching) auf Grund der Nähe zwischen dem Licht emittierenden Bereich und einem Metall verhindert werden kann, das für Elektroden und Ladungsträgerinjektionsschichten verwendet wird.
  • Damit die Energieübertragung von einem in der Licht emittierenden Schicht erzeugten Exziton unterdrückt werden kann, werden ferner vorzugsweise die Lochtransportschicht und die Elektronentransportschicht, die in Kontakt mit der Licht emittierenden Schicht 113 sind, besonders eine Ladungsträgertransportschicht, die näher an dem Rekombinationsbereich in der Licht emittierenden Schicht 113 ist, unter Verwendung einer Substanz ausgebildet, die eine größere Bandlücke aufweist als das Licht emittierende Material der Licht emittierenden Schicht oder das Licht emittierende Material, das in der Licht emittierenden Schicht enthalten ist.
  • Als Nächstes wird eine Ausführungsform einer Licht emittierenden Vorrichtung mit einer Struktur, bei der eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten übereinander angeordnet ist (diese Art von Licht emittierender Vorrichtung wird auch als mehrschichtige Vorrichtung oder Tandem Vorrichtung bezeichnet), anhand von 1C beschrieben. Diese Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten zwischen einer Anode und einer Kathode. Eine Licht emittierende Einheit weist im Wesentlichen die gleiche Struktur wie die EL-Schicht 103 auf, die in 1A oder 1B dargestellt wird. Mit anderen Worten: Die Licht emittierende Vorrichtung, die in 1C dargestellt wird, umfasst eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten und die Licht emittierende Vorrichtung, die in 1A oder 1B dargestellt wird umfasst eine einzelne Licht emittierende Einheit.
  • In 1C sind eine erste Licht emittierende Einheit 511 und eine zweite Licht emittierende Einheit 512 zwischen einer Anode 501 und einer Kathode 502 übereinander angeordnet, und eine Ladungserzeugungsschicht 513 ist zwischen der ersten Licht emittierenden Einheit 511 und der zweiten Licht emittierenden Einheit 512 bereitgestellt. Die Anode 501 und die Kathode 502 entsprechen der Anode 101 bzw. der Kathode 102 in 1A, und die Materialien, die bei der Beschreibung der 1A angegeben worden sind, können verwendet werden. Des Weiteren können die erste Licht emittierende Einheit 511 und die zweite Licht emittierende Einheit 512 die gleiche Struktur oder unterschiedliche Strukturen aufweisen.
  • Die Ladungserzeugungsschicht 513 weist eine Funktion zum Injizieren von Elektronen in eine der Licht emittierenden Einheiten und zum Injizieren von Löchern in die andere der Licht emittierenden Einheiten auf, wenn eine Spannung zwischen der Anode 501 und der Kathode 502 angelegt wird. Das heißt, dass in 1C die Ladungserzeugungsschicht 513 Elektronen in die erste Licht emittierende Einheit 511 und Löcher in die zweite Licht emittierende Einheit 512 injiziert, wenn eine Spannung derart angelegt wird, dass das Potential der Anode höher ist als das Potential der Kathode.
  • Vorzugsweise weist die Ladungserzeugungsschicht 513 eine Struktur auf, die derjenigen der Ladungserzeugungsschicht ähnlich ist, die oben beschrieben worden ist. Ein Verbundmaterial aus einer organischen Verbindung und einem Metalloxid zeichnet sich durch eine ausgezeichnete Ladungsträgerinjektionseigenschaft und eine Ladungsträgertransporteigenschaft aus; deshalb können ein Betrieb mit einer niedrigen Spannung und ein Betrieb mit einem niedrigen Strom erzielt werden. In dem Fall, in dem eine Oberfläche einer Licht emittierenden Einheit auf der Anodenseite in Kontakt mit der Ladungserzeugungsschicht 513 ist, die Ladungserzeugungsschicht 513 auch als Lochinjektionsschicht der Licht emittierenden Einheit dienen kann; deshalb muss eine Lochinjektionsschicht nicht notwendigerweise in der Licht emittierenden Einheit bereitgestellt werden.
  • In dem Fall, in dem die Ladungsträgererzeugungsschicht 513 die Elektroneninjektionspufferschicht umfasst, dient die Elektroneninjektionspufferschicht als Elektroneninjektionsschicht in der Licht emittierenden Einheit auf der Anodenseite; deshalb benötigt die Licht emittierende Einheit auf der Anodenseite nicht notwendigerweise eine Elektroneninjektionsschicht.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung, die zwei Licht emittierende Einheiten beinhaltet, ist anhand von 1C beschrieben worden; jedoch kann eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auch auf eine Licht emittierende Vorrichtung angewendet werden, bei dem drei oder mehr Licht emittierende Einheiten übereinander angeordnet sind. Wenn wie bei der Licht emittierenden Vorrichtung dieser Ausführungsform eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten, die durch die Ladungserzeugungsschicht 513 getrennt sind, zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet ist, kann eine Vorrichtung bereitgestellt werden, die Licht mit hoher Leuchtdichte bei einer niedrigen Stromdichte emittieren kann und eine längere Lebensdauer aufweist. Außerdem kann ein Licht emittierendes Gerät bereitgestellt werden, das bei einer niedrigen Spannung betrieben werden kann und einen geringen Stromverbrauch aufweist.
  • Wenn sich ferner die Emissionsfarben der Licht emittierenden Einheiten voneinander unterscheiden, kann eine Lichtemission mit einer gewünschten Farbe von der Licht emittierenden Vorrichtung als Ganzes erhalten werden. Zum Beispiel können in einer Licht emittierenden Vorrichtung, die zwei Licht emittierende Einheiten aufweist, Emissionsfarben der ersten Licht emittierenden Einheit rot und grün sein und kann die Emissionsfarbe der zweiten Licht emittierenden Einheit blau sein, so dass die Licht emittierende Vorrichtung durch deren Kombination weißes Licht emittieren kann. Die Licht emittierende Vorrichtung, in der drei oder mehr Licht emittierende Einheiten übereinander angeordnet sind, kann zum Beispiel eine Tandemvorrichtung sein, in der eine erste Licht emittierende Einheit eine erste blaue Licht emittierende Schicht, eine zweite Licht emittierende Einheit eine gelbe oder gelb-grüne Licht emittierende Schicht und eine rote Licht emittierende Schicht und eine dritte Licht emittierende Einheit eine zweite blaue Licht emittierende Schicht enthält. Die Tandemvorrichtung kann wie die obige Licht emittierende Vorrichtung weißes Licht bereitstellen.
  • Die vorstehend beschriebenen Schichten und Elektroden, wie z. B. die EL-Schicht 103, die erste Licht emittierende Einheit 511, die zweite Licht emittierende Einheit 512 und die Ladungserzeugungsschicht, können durch ein Verfahren, wie z. B. ein Verdampfungsverfahren (einschließlich eines Vakuumverdampfungsverfahrens), ein Tröpfchenausstoßverfahren (auch als Tintenstrahlverfahren bezeichnet), ein Beschichtungsverfahren oder ein Tiefdruckverfahren, abgeschieden werden. Ein niedermolekulares Material, ein mittelmolekulares Material (einschließlich eines Oligomers und eines Dendrimers) oder ein hochmolekulares Material können in den Schichten und Elektroden enthalten sein.
  • (Ausführungsform 3)
  • In dieser Ausführung wird ein Licht emittierendes Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung enthält, welche in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, beschrieben.
  • Bei dieser Ausführungsform wird das Licht emittierende Gerät, das unter Verwendung der bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtung hergestellt wird, anhand von 2A und 2B beschrieben. Es sei angemerkt, dass 2A eine Draufsicht auf das Licht emittierende Gerät ist und 2B eine Querschnittsansicht entlang der Linien A-B und C-D der 2A ist. Dieses Licht emittierende Gerät beinhaltet einen Treiberschaltungsabschnitt (Sourceleitungstreiberschaltung) 601, einen Pixelabschnitt 602 und einen Treiberschaltungsabschnitt (Gateleitungstreiberschaltung) 603, welche eine Lichtemission einer Licht emittierenden Vorrichtung steuern und durch Punktlinien dargestellt sind. Zusätzlich stellt ein Bezugszeichen 604 ein Dichtungssubstrat dar, stellt ein Bezugszeichen 605 ein Dichtungsmittel dar, und stellt ein Bezugszeichen 607 einen Raum dar, der von dem Dichtungsmittel 605 umgeben ist.
  • Bei einer Anschlussleitung 608 handelt es sich um eine Leitung zum Übertragen von Signalen, die in die Sourceleitungstreiberschaltung 601 und die Gateleitungstreiberschaltung 603 eingegeben werden, und sie empfängt Signale, wie z. B. ein Videosignal, ein Taktsignal, ein Startsignal und ein Rücksetzsignal, von einer FPC (flexible printed circuit, flexiblen gedruckten Schaltung) 609, die als externer Eingangsanschluss dient. Es sollte festgehalten werden, dass obwohl hier nur die FPC dargestellt ist, eine Leiterplatte (PWB) mit der FPC verbunden sein kann. Das Licht emittierende Gerät in dieser Beschreibung umfasst in seiner Kategorie nicht nur das Licht emittierende Gerät an sich, sondern auch Licht emittierende Geräte, die mit der FPC oder der PWB versehen sind.
  • Als Nächstes wird eine Querschnittsstruktur anhand von 2B beschrieben. Der Treiberschaltungsabschnitt und der Pixelabschnitt sind über einem Elementsubstrat 610 ausgebildet. Hier sind die Sourceleitungstreiberschaltung 601, die ein Treiberschaltungsabschnitt ist, und ein Pixel in dem Pixelabschnitt 602 dargestellt.
  • Das Elementsubstrat 610 kann ein Substrat, das Glas, Quarz, ein organisches Harz, ein Metall, eine Legierung oder einen Halbleiter umfasst, oder ein Kunststoffsubstrat sein, das aus einem faserverstärktem Kunststoff (fiber reinforced plastic, FRP), Poly(vinylfluorid) (PVF), Polyester, Acryl oder dergleichen ausgebildet wird.
  • Die Struktur der Transistoren, die in den Pixeln und Treiberschaltungen verwendet werden, ist nicht sonderlich beschränkt. Beispielsweise können Inverted-Staggered-Transistoren oder Staggered-Transistoren verwendet werden. Ferner können Top-Gate-Transistoren oder Bottom-Gate-Transistoren verwendet werden. Ein Halbleitermaterial, das für die Transistoren verwendet wird, ist nicht besonders beschränkt, und beispielsweise können Silizium, Germanium, Siliziumcarbid, Galliumnitrid oder dergleichen verwendet werden. Alternativ kann auch ein Oxidhalbleiter, der mindestens eines von Indium, Gallium und Zink enthält, wie z. B. ein Metalloxid auf In-Ga-Zn-Basis, verwendet werden.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung hinsichtlich der Kristallinität eines Halbleitermaterials, das für die Transistoren verwendet wird, und ein amorpher Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche beinhaltet) kann verwendet werden. Vorzugsweise wird ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet, wobei in diesem Falle eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterdrückt werden kann.
  • Hier wird vorzugsweise ein Oxidhalbleiter für Halbleitervorrichtungen, wie z. B. die Transistoren, die in den Pixeln und Treiberschaltungen bereitgestellt werden, und die Transistoren, die für Berührungssensoren, die später beschrieben werden, verwendet werden, und dergleichen verwendet. Im Besonderen wird vorzugsweise ein Oxidhalbleiter verwendet, der eine größere Bandlücke als Silizium aufweist. Wenn ein Oxidhalbleiter verwendet wird, der eine größere Bandlücke als Silizium aufweist, kann der Sperrstrom der Transistoren verringert werden.
  • Der Oxidhalbleiter enthält vorzugsweise mindestens Indium (In) oder Zink (Zn). Der Oxidhalbleiter enthält stärker bevorzugt ein Oxid, das durch ein Oxid auf In-M-Zn-Basis (M stellt ein Metall, wie z. B. AI, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce oder Hf, dar) dargestellt wird.
  • Ein Oxidhalbleiter, der in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, wird nachstehend beschrieben.
  • Oxidhalbleiter werden in einen einkristallinen Oxidhalbleiter und in einen nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter unterteilt. Beispiele für einen nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter umfassen einen kristallinen Oxidhalbleiter mit Ausrichtung bezüglich der c-Achse (c-axis-aligned crystalline oxide semiconductor, CAAC-OS), einen polykristallinen Oxidhalbleiter, einen nanokristallinen Oxidhalbleiter (nc-OS), einen amorphähnlichen Oxidhalbleiter (a-ähnlichen OS) und einen amorphen Oxidhalbleiter.
  • Der CAAC-OS weist eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse auf, seine Nanokristalle sind in Richtung der a-b-Ebene verbunden, und seine Kristallstruktur weist eine Verzerrung auf. Es sei angemerkt, dass eine Verzerrung einen Abschnitt bezeichnet, in dem sich die Richtung einer Gitteranordnung zwischen einem Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung und einem anderen Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung in einem Bereich verändert, in dem die Nanokristalle verbunden sind.
  • Die Form des Nanokristalls ist grundlegend sechseckig; jedoch ist die Form nicht immer auf ein regelmäßiges Sechseck beschränkt und ist in einigen Fällen ein unregelmäßiges Sechseck. Eine fünfeckige Gitteranordnung, eine siebeneckige Gitteranordnung und dergleichen sind in einigen Fällen in der Verzerrung enthalten. Es sei angemerkt, dass es schwierig ist, eine eindeutige Korngrenze (auch als Grain-Boundary bezeichnet) selbst in der Nähe der Verzerrung in dem CAAC-OS zu beobachten. Das heißt, dass das Bilden einer Korngrenze durch die Verzerrung einer Gitteranordnung ver- bzw. behindert wird. Das liegt daran, dass der CAAC-OS eine Verzerrung dank einer niedrigen Dichte der Anordnung von Sauerstoffatomen in Richtung der a-b-Ebene, einer Veränderung des interatomaren Bindungsabstands durch Substitution eines Metallelements und dergleichen tolerieren kann.
  • Der CAAC-OS neigt dazu, eine geschichtete Kristallstruktur (auch als mehrschichtige Struktur bezeichnet) aufzuweisen, bei der eine Schicht, die Indium und Sauerstoff enthält (nachstehend In-Schicht) und eine Schicht, die das Element M, Zink und Sauerstoff enthält (nachstehend (M, Zn)-Schicht), übereinander angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Indium und das Element M untereinander ausgetauscht werden können und dass dann, wenn das Element M der (M, Zn)-Schicht durch Indium ersetzt wird, die Schicht auch als (In, M, Zn)-Schicht bezeichnet werden kann. Wenn Indium der In-Schicht durch das Element M ersetzt wird, kann die Schicht auch als (In, M)-Schicht bezeichnet werden.
  • Der CAAC-OS ist ein Oxidhalbleiter mit hoher Kristallinität. Im Gegensatz dazu ist es weniger wahrscheinlich, dass bei dem CAAC-OS eine Verringerung der Elektronenbeweglichkeit aufgrund einer Korngrenze auftritt, da es schwierig ist, eine eindeutige Korngrenze zu beobachten. Ein Eindringen von Verunreinigungen, eine Bildung von Defekten oder dergleichen könnte die Kristallinität eines Oxidhalbleiters verringern. Dies bedeutet, dass der CAAC-OS ein Oxidhalbleiter ist, der geringe Mengen an Verunreinigungen und Defekten (z. B Sauerstofffehlstellen, VO) aufweist. Daher ist ein Oxidhalbleiter, der den CAAC-OS enthält, physikalisch stabil. Deshalb ist der Oxidhalbleiter, der den CAAC-OS enthält, wärmebeständig und weist eine hohe Zuverlässigkeit auf.
  • In dem nc-OS weist ein mikroskopischer Bereich (zum Beispiel ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, insbesondere ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm) eine regelmäßige Atomanordnung auf. Es gibt keine Regelmäßigkeit der Kristallausrichtung zwischen unterschiedlichen Nanokristallen in dem nc-OS. Daher wird keine Ausrichtung des gesamten Films beobachtet. Deshalb kann man den nc-OS in einigen Fällen nicht von einem a-ähnlichen OS oder einem amorphen Oxidhalbleiter in Abhängigkeit von einem Analyseverfahren unterscheiden.
  • Es sei angemerkt, dass ein Indium-Gallium-Zink-Oxid (im Folgenden IGZO), das ein Oxidhalbleiter ist, der Indium, Gallium und Zink enthält, in einigen Fällen eine stabile Struktur hat, wenn es aus den oben beschriebenen Nanokristallen gebildet wird (besteht). Insbesondere neigen IGZO-Kristalle dazu, an der Luft nicht zu wachsen, so dass sich eine stabile Struktur ergibt, wenn IGZO aus kleineren Kristallen (z. B. den oben beschriebenen Nanokristallen) und nicht aus größeren Kristallen (hier Kristalle mit einer Größe von mehreren Millimetern oder mehreren Zentimetern) gebildet wird.
  • Der a-ähnliche OS ist ein Oxidhalbleiter, der eine Struktur aufweist, die zwischen derjenigen des nc-OS und derjenigen des amorphen Oxidhalbleiters liegt. Der a-ähnliche OS enthält einen Hohlraum oder einen Bereich mit einer niedrigen Dichte. Das heißt, dass der a-ähnliche OS im Vergleich zu dem nc-OS und dem CAAC-OS eine niedrigere Kristallinität aufweist.
  • Ein Oxidhalbleiter kann verschiedene Strukturen aufweisen, die verschiedene unterschiedliche Eigenschaften zeigen. Zwei oder mehr von dem amorphen Oxidhalbleiter, dem polykristallinen Oxidhalbleiter, dem a-ähnlichen OS, dem nc-OS und dem CAAC-OS können in einem Oxidhalbleiter einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten sein.
  • Ein wolkenartig ausgerichteter Verbund-OS (cloud-aligned composite; CAC-OS) kann neben den oben genannten Materialien auch als Oxidhalbleiter verwendet werden.
  • Der CAC-OS weist eine leitende Funktion in einem Teil des Materials auf und weist eine isolierende Funktion in einem anderen Teil des Materials auf; in seiner Gesamtheit weist der CAC-OS eine Funktion eines Halbleiters auf. Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem der CAC-OS in einer Aktivschicht eines Transistors verwendet wird, die leitende Funktion ermöglicht, dass Elektronen (oder Löcher) fließen, die als Ladungsträger dienen, und die isolierende Funktion es nicht ermöglicht, dass Elektronen fließen, die als Ladungsträger dienen. Durch die komplementäre Wirkung der leitenden Funktion und der isolierenden Funktion kann der CAC-OS eine Schaltfunktion (Ein-/Ausschaltfunktion) aufweisen. In dem CAC-OS kann eine Trennung der Funktionen jede Funktion maximieren.
  • Darüber hinaus umfasst der CAC-OS leitende Bereiche und isolierende Bereiche. Die leitenden Bereiche weisen die vorstehend beschriebene leitende Funktion auf, und die isolierenden Bereiche weisen die vorstehend beschriebene isolierende Funktion auf. In einigen Fällen sind ferner die leitenden Bereiche und die isolierenden Bereiche in der Größenordnung von Nanoteilchen in dem Material getrennt. In einigen Fällen sind ferner die leitenden Bereiche und die isolierenden Bereiche in dem Material ungleichmäßig verteilt. Außerdem werden die leitenden Bereiche in einigen Fällen wolkenartig gekoppelt beobachtet, wobei ihre Grenzen unscharf sind.
  • Des Weiteren weisen in einigen Fällen in dem CAC-OS die leitenden Bereiche und die isolierenden Bereiche jeweils eine Größe von größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, bevorzugt größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 3 nm auf, und sie sind in dem Material dispergiert.
  • Der CAC-OS enthält Komponenten mit unterschiedlichen Bandlücken. Der CAC-OS enthält beispielsweise eine Komponente mit einer großen Lücke auf Grund des isolierenden Bereichs und eine Komponente mit einer kleinen Lücke auf Grund des leitenden Bereichs. Im Falle einer derartigen Zusammensetzung fließen Ladungsträger hauptsächlich in der Komponente mit einer kleinen Lücke. Die Komponente mit einer kleinen Lücke komplementiert außerdem die Komponente mit einer großen Lücke, und Ladungsträger fließen auch in der Komponente mit einer großen Lücke in Zusammenhang mit der Komponente mit einer kleinen Lücke. Folglich kann in dem Fall, in dem der oben beschriebene CAC-OS in einem Kanalbereich eines Transistors verwendet wird, eine hohe Stromtreiberfähigkeit in dem Durchlasszustand des Transistors, d. h. ein hoher Durchlassstrom und eine hohe Feldeffektbeweglichkeit, erhalten werden.
  • Mit anderen Worten: Der CAC-OS kann als Matrix-Verbund oder Metall-Matrix-Verbund bezeichnet werden.
  • Außerdem ermöglicht die Verwendung des vorstehend beschriebenen Oxidhalbleitermaterials für die Halbleiterschicht, dass ein Transistor mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden kann, bei dem eine Veränderung der elektrischen Eigenschaften unterdrückt wird.
  • Dank des niedrigen Sperrstroms des Transistors kann eine Ladung, die über einen Transistor, der die vorstehend beschriebene Halbleiterschicht umfasst, in einem Kondensator akkumuliert wird, lange Zeit gehalten werden. Die Verwendung eines derartigen Transistors in einem Pixel ermöglicht, dass der Betrieb einer Treiberschaltung unterbrochen werden kann, während die Graustufe eines Bildes, das in jedem Anzeigebereich angezeigt worden ist, aufrechterhalten wird. Als Ergebnis kann ein elektronisches Gerät mit sehr geringem Stromverbrauch erhalten werden.
  • Für stabile Eigenschaften oder dergleichen des Transistors wird vorzugsweise ein Basisfilm bereitgestellt. Der Basisfilm kann derart ausgebildet werden, dass er eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweist, bei der ein anorganischer isolierender Film, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumoxynitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm, verwendet wird. Der Basisfilm kann durch ein Sputterverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungs- (chemical vapor deposition, CVD-) Verfahren (z. B. ein Plasma-CVD-Verfahren, ein thermisches CVD-Verfahren oder ein metallorganisches CVD- (MOCVD-) Verfahren), ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass der Basisfilm nicht notwendigerweise bereitgestellt wird.
  • Es sei angemerkt, dass ein FET 623 als Transistor dargestellt wird, der in dem Treiberschaltungsabschnitt 601 ausgebildet ist. Des Weiteren kann die Treiberschaltung mittels einer von verschiedenen Schaltungen, wie z. B. einer CMOS-Schaltung, einer PMOS-Schaltung oder einer NMOS-Schaltung, ausgebildet werden. Obwohl bei dieser Ausführungsform ein treiberintegrierter Typ beschrieben wird, bei dem die Treiberschaltung über dem Substrat ausgebildet ist, muss die Treiberschaltung nicht notwendigerweise über dem Substrat ausgebildet sein und kann außerhalb des Substrat ausgebildet sein.
  • Des Weiteren beinhaltet der Pixelabschnitt 602 eine Vielzahl von Pixeln, die jeweils einen Schalt-FET 611, einen Stromsteuer-FET 612 und eine Anode 613 beinhalten, die elektrisch mit einem Drain des Stromsteuer-FET 612 verbunden ist. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die Struktur beschränkt. Der Pixelabschnitt 602 kann drei oder mehr FETs und einen Kondensator in Kombination enthalten.
  • Es sei angemerkt, dass ein Isolator 614 ausgebildet ist, um einen Endabschnitt der Anode 613 zu bedecken. Hier kann der Isolator 614 unter Verwendung eines positiven lichtempfindlichen Acryls ausgebildet werden.
  • Um die Abdeckung mit einer EL-Schicht oder dergleichen, die später ausgebildet wird, zu verbessern, wird der Isolator 614 derart ausgebildet, dass er eine gekrümmte Oberfläche mit einer Krümmung an seinem oberen oder unteren Endabschnitt aufweist. Beispielsweise weist in dem Fall, in dem ein positives lichtempfindliches Acryl für ein Material des Isolators 614 verwendet wird, vorzugsweise nur der obere Endabschnitt des Isolators 614 eine gekrümmte Oberfläche mit einem Krümmungsradius (0,2 µm bis 3 µm) auf. Als Isolator 614 kann entweder ein negatives lichtempfindliches Harz oder ein positives lichtempfindliches Harz verwendet werden.
  • Eine EL-Schicht 616 und eine Kathode 617 sind über der Anode 613 ausgebildet. Als Material, das für die Anode 613 verwendet wird, wird hier vorzugsweise ein Material mit einer hohen Austrittsarbeit verwendet. Beispielsweise kann ein einschichtiger Film aus einem ITO-Film, einem Indiumzinnoxidfilm enthaltend Silizium, einem Indiumoxidfilm enthaltend 2 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid, einem Titannitridfilm, einem Chromfilm, einem Wolframfilm, einem Zn-Film, einem Pt-Film oder dergleichen, eine Schichtanordnung aus einem Titannitridfilm und einem Film, der Aluminium als seine Hauptkomponente enthält, eine Schichtanordnung aus drei Schichten, nämlich einem Titannitridfilm, einem Film, der Aluminium als seine Hauptkomponente enthält, und einem Titannitridfilm, oder dergleichen verwendet werden. Die mehrschichtige Struktur ermöglicht einen niedrigen Leitungswiderstand und einen guten ohmschen Kontakt sowie eine Funktion als Anode.
  • Die EL-Schicht 616 wird durch eines von verschiedenen Verfahren ausgebildet, wie z. B. ein Verdampfungsverfahren, bei dem eine Verdampfungsmaske verwendet wird, ein Tintenstrahlverfahren und ein Rotationsbeschichtungsverfahren. Die EL-Schicht 616 weist die Struktur auf, welche bei der Ausführungsform 1 und 2 beschriebenen worden ist. Als weiteres Material, das in der EL-Schicht 616 enthalten ist, kann eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung (einschließlich eines Oligomers oder eines Dendrimers) verwendet werden.
  • Als Material, das für die Kathode 617 verwendet wird, die über der EL-Schicht 616 ausgebildet ist, wird vorzugsweise ein Material mit einer niedrigen Austrittsarbeit (z. B. AI, Mg, Li, Ca oder eine Legierung oder eine Verbindung davon, wie beispielsweise MgAg, Mgln oder AILi) verwendet. In dem Fall, in dem in der EL-Schicht 616 erzeugtes Licht durch die Kathode 617 geleitet wird, wird vorzugsweise eine Schichtanordnung aus einem dünnen Metallfilm und einem durchsichtigen leitenden Film (z. B. ITO, Indiumoxid enthaltend 2 Gew.-% bis 20 Gew.-% Zinkoxid, Indiumzinnoxid enthaltend Silizium oder Zinkoxid (ZnO)) für die Kathode 617 verwendet.
  • Es sei angemerkt, dass die Licht emittierende Vorrichtung mit der Anode 613, der EL-Schicht 616 und der Kathode 617 ausgebildet wird. Die Licht emittierende Vorrichtung ist die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung. In dem Licht emittierenden Gerät dieser Ausführungsform kann der Pixelabschnitt, welcher eine Vielzahl von Licht emittierenden Vorrichtungen umfasst, sowohl die Licht emittierende Vorrichtung, welche bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, als auch eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer anderen Struktur enthalten.
  • Das Dichtungssubstrat 604 wird mit dem Dichtungsmittel 605 an dem Elementsubstrat 610 befestigt, so dass die Licht emittierende Vorrichtung 618 in dem Raum 607 bereitgestellt ist, der von dem Elementsubstrat 610, dem Dichtungssubstrat 604 und dem Dichtungsmittel 605 umgeben ist. Der Raum 607 kann mit einer Füllmasse gefüllt werden oder kann mit einem Inertgas (wie z. B. Stickstoff oder Argon) oder dem Dichtungsmittel gefüllt werden. Es wird bevorzugt, dass das Dichtungssubstrat mit einem vertieften Abschnitt, der mit einem Trocknungsmittel versehen ist, bereitgestellt wird, wobei in diesem Fall die Verschlechterung infolge des Einflusses von Feuchtigkeit unterdrückt werden kann.
  • Ein Harz auf Epoxid-Basis oder eine Glasfritte wird vorzugsweise für das Dichtungsmittel 605 verwendet. Es wird bevorzugt, dass ein derartiges Material so wenig Feuchtigkeit oder Sauerstoff wie möglich durchlässt. Als Dichtungssubstrat 604 kann ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat oder ein Kunststoffsubstrat, das aus faserverstärktem Kunststoff (fiber reinforced plastic, FRP), Polyvinylfluorid (PVF), Polyester, Acryl oder dergleichen ausgebildet wird, verwendet werden.
  • Obwohl in 2B nicht dargestellt, kann ein Schutzfilm über der Kathode bereitgestellt werden. Als Schutzfilm kann ein organischer Harzfilm oder ein anorganischer isolierender Film ausgebildet werden. Der Schutzfilm kann derart ausgebildet werden, dass er einen freiliegenden Abschnitt des Dichtungsmittels 605 bedeckt. Der Schutzfilm kann derart bereitgestellt werden, dass Oberflächen und Seitenflächen des Paars von Substraten und freiliegende Seitenflächen einer Dichtungsschicht, einer isolierenden Schicht und dergleichen bedeckt werden.
  • Der Schutzfilm kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das eine Verunreinigung, wie z. B. Wasser, nicht leicht durchlässt. Somit kann die Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser, von außen in das Innere effektiv verhindert bzw. unterdrückt werden.
  • Als Material für den Schutzfilm können ein Oxid, ein Nitrid, ein Fluorid, ein Sulfid, eine ternäre Verbindung, ein Metall, ein Polymer oder dergleichen verwendet werden. Zum Beispiel kann das Material Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Lanthanoxid, Siliziumoxid, Strontiumtitanat, Tantaloxid, Titanoxid, Zinkoxid, Nioboxid, Zirkoniumoxid, Zinnoxid, Yttriumoxid, Ceroxid, Scandiumoxid, Erbiumoxid, Vanadiumoxid, Indiumoxid, Aluminiumnitrid, Hafniumnitrid, Siliziumnitrid, Tantalnitrid, Titannitrid, Niobnitrid, Molybdännitrid, Zirkoniumnitrid, Galliumnitrid, ein Titan und Aluminium enthaltendes Nitrid, ein Titan und Aluminium enthaltendes Oxid, ein Aluminium und Zink enthaltendes Oxid, ein Mangan und Zink enthaltendes Sulfid, ein Cer und Strontium enthaltendes Sulfid, ein Erbium und Aluminium enthaltendes Oxid, ein Yttrium und Zirkonium enthaltendes Oxid oder dergleichen enthalten.
  • Der Schutzfilm wird vorzugsweise unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens mit einer günstigen Stufenabdeckung ausgebildet. Eines dieser Verfahren ist ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren. Ein Material, das durch ein ALD-Verfahren abgeschieden werden kann, wird vorzugsweise für den Schutzfilm verwendet. Ein dichter Schutzfilm mit verringerten Defekten, wie z. B. Rissen oder kleinen Löchern, oder mit einer gleichmäßigen Dicke kann durch ein ALD-Verfahren ausgebildet werden. Des Weiteren können Schäden, die durch ein Prozesselement beim Ausbilden des Schutzfilms entstehen, verringert werden.
  • Durch ein ALD-Verfahren kann ein gleichmäßiger Schutzfilm mit geringen Defekten beispielsweise selbst auf einer Oberfläche mit einer komplexen ungleichmäßigen Form oder auf Oberseiten, Seitenflächen und Unterseiten eines Touchscreens ausgebildet werden.
  • Wie oben beschrieben, kann das Licht emittierende Gerät unter Verwendung der bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtung erhalten werden.
  • Das Licht emittierende Gerät in dieser Ausführungsform wird unter Verwendung der Licht emittierenden Vorrichtung, welche in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, hergestellt und kann daher vorteilhafte Eigenschaften aufweisen. Da das Licht emittierende Gerät, bei dem die Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird, die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, eine hohe Emissionseffizienz aufweist, kann das Licht emittierende Gerät einen niedrigen Stromverbrauch erzielen.
  • 3A und 3B stellen jeweils ein Beispiel für ein Licht emittierendes Gerät dar, bei dem eine Vollfarbanzeige durch Ausbilden einer Licht emittierenden Vorrichtung, die eine weiße Lichtemission aufweist, und Verwenden von Farbschichten (Farbfiltern) und dergleichen erzielt wird. 3A stellt ein Substrat 1001, einen Basis-Isolierfilm 1002, einen Gate-Isolierfilm 1003, Gate-Elektroden 1006, 1007 und 1008, einen ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 1020, einen zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 1021, einen Peripherieabschnitt 1042, einen Pixelabschnitt 1040, einen Treiberschaltungsabschnitt 1041, Anoden 1024W, 1024R, 1024G und 1024B von Licht emittierenden Vorrichtungen, eine Trennwand 1025, eine EL-Schicht 1028, eine Kathode 1029 der Licht emittierenden Vorrichtungen, ein Dichtungssubstrat 1031, ein Dichtungsmittel 1032 und dergleichen dar.
  • In 3A sind Farbschichten (eine rote Farbschicht 1034R, eine grüne Farbschicht 1034G und eine blaue Farbschicht 1034B) an einem durchsichtigen Basismaterial 1033 angebracht. Eine Schwarzmatrix 1035 kann zusätzlich bereitgestellt werden. Das durchsichtige Basismaterial 1033, das mit den Farbschichten und der Schwarzmatrix 1035 versehen ist, ist mit dem Substrat 1001 ausgerichtet sowie an diesem befestigt. Es sei angemerkt, dass die Farbschichten und die Schwarzmatrix 1035 mit einer Bedeckungsschicht 1036 bedeckt sind. In 3A passiert das von einem Teil der Licht emittierenden Schicht emittierte Licht nicht die Farbschichten, während das von dem anderen Teil der Licht emittierenden Schicht emittierte Licht die Farbschichten passiert. Da das nicht die Farbschichten passierende Licht weiß ist und das eine der Farbschichten passierende Licht rot, blau oder grün ist, kann ein Bild unter Verwendung von Pixeln der vier Farben angezeigt werden.
  • 3B stellt ein Beispiel dar, in dem die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) zwischen dem Gate-Isolierfilm 1003 und dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 1020 bereitgestellt sind. Bei dieser Struktur können die Farbschichten zwischen dem Substrat 1001 und dem Dichtungssubstrat 1031 bereitgestellt sein.
  • Des Weiteren weist das vorstehend beschriebene Licht emittierende Gerät eine Struktur auf, bei der Licht von der Seite des Substrats 1001 aus entnommen wird, über dem die FETs ausgebildet sind (Bottom-Emission-Struktur); jedoch kann das Licht emittierende Gerät eine Struktur aufweisen, bei der Licht von der Seite des Dichtungssubstrats 1031 aus entnommen wird (Top-Emission-Struktur), zum Einsatz kommen. 4 ist eine Querschnittsansicht eines Licht emittierenden Geräts mit einer Top-Emission-Struktur. Für diesen kann als Substrat 1001 ein Substrat, das kein Licht durchlässt, verwendet werden. Der Prozess bis zu dem Schritt der Ausbildung einer Verbindungselektrode, die den FET und die Anode der Licht emittierenden Vorrichtung verbindet, wird auf ähnliche Weise wie bei dem Licht emittierenden Gerät mit Bottom-Emission-Struktur durchgeführt. Anschließend wird ein dritter Zwischenschicht-Isolierfilm 1037 derart ausgebildet, dass er eine Elektrode 1022 bedeckt. Dieser Isolierfilm kann eine Ebnungsfunktion aufweisen. Der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 1037 kann unter Verwendung eines Materials, das demjenigen des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms ähnlich ist, oder alternativ unter Verwendung eines anderen bekannten Materials ausgebildet werden.
  • Die Anoden 1024W, 1024R, 1024G und 1024B der Licht emittierenden Vorrichtungen dienen hier zwar jeweils als Anode, jedoch können sie auch als Kathode dienen. Im Fall eines in 4 dargestellten Licht emittierenden Geräts mit einer Top-Emission-Struktur sind die Anoden vorzugsweise ferner reflektierende Elektroden. Die EL-Schicht 1028 wird derart ausgebildet, dass sie eine Struktur aufweist, die der bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Struktur der EL-Schicht 103 ähnlich ist, bei der weiße Lichtemission erhalten werden kann.
  • Im Fall einer Top-Emission-Struktur wie in 4 kann die Abdichtung mit dem Dichtungssubstrat 1031 durchgeführt werden, an dem die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) bereitgestellt sind. Das Dichtungssubstrat 1031 kann mit der Schwarzmatrix 1035 versehen sein, die zwischen Pixeln bereitgestellt ist. Die Farbschichten (die rote Farbschicht 1034R, die grüne Farbschicht 1034G und die blaue Farbschicht 1034B) und die Schwarzmatrix können mit der Bedeckungsschicht 1036 bedeckt sein. Es sei angemerkt, dass ein lichtdurchlässiges Substrat als Dichtungssubstrat 1031 verwendet wird. Obwohl hier ein Beispiel gezeigt ist, in dem eine Vollfarbanzeige unter Verwendung von vier Farben, nämlich Rot, Grün, Blau und Weiß, durchgeführt wird, gibt es keine besondere Beschränkung, und es kann eine Vollfarbanzeige unter Verwendung von vier Farben, nämlich Rot, Gelb, Grün und Blau, oder unter Verwendung von drei Farben, nämlich Rot, Grün, und Blau durchgeführt werden.
  • In dem Licht emittierenden Gerät mit einer Top-Emission-Struktur kann eine Mikrokavitätsstruktur vorteilhaft zum Einsatz kommen. Eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer Mikrokavitätsstruktur wird unter Verwendung einer reflektierenden Elektrode als Anode und einer halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode als Kathode ausgebildet. Die Licht emittierende Vorrichtung mit einer Mikrokavitätsstruktur umfasst mindestens eine EL-Schicht zwischen der reflektierenden Elektrode und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden (transflektive) Elektrode. Die EL-Schicht umfasst mindestens eine Licht emittierende Schicht, die als Licht emittierender Bereich dient.
  • Es sei angemerkt, dass die reflektierende Elektrode ein Reflexionsvermögen für sichtbares Licht von 40 % bis 100 %, vorzugsweise 70 % bis 100 % und einen spezifischen Widerstand von 1 × 10-2 Qcm oder niedriger aufweist. Außerdem weist die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode ein Reflexionsvermögen für sichtbares Licht von 20 % bis 80 %, vorzugsweise 40 % bis 70 % und einen spezifischen Widerstand von 1 × 10-2 Qcm oder niedriger auf.
  • Es wird Licht, das von der Licht emittierenden Schicht in der EL-Schicht emittiert wird, von der reflektierenden Elektrode und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode reflektiert und zur Resonanz gebracht.
  • In der Licht emittierenden Vorrichtung kann die optische Weglänge zwischen der reflektierenden Elektrode und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode geändert werden, indem die Dicken des durchsichtigen leitenden Films, des Verbundmaterials, des Ladungsträgertransportmaterials und dergleichen geändert werden. Auf diese Weise kann Licht mit einer Wellenlänge, die zwischen der reflektierenden Elektrode und der halbdurchlässigen und halbreflektierenden Elektrode zur Resonanz gebracht wird, verstärkt werden, während das Licht mit einer Wellenlänge, die dazwischen nicht zur Resonanz gebracht wird, abgeschwächt werden kann.
  • Es sei angemerkt, dass Licht, das von der reflektierenden Elektrode zurückreflektiert wird (erstes reflektiertes Licht), deutlich mit dem Licht interferiert, das von der Licht emittierenden Schicht direkt in die halbdurchlässige und halbreflektierende Elektrode eintritt (erstes einfallendes Licht). Aus diesem Grund wird die optische Weglänge zwischen der reflektierenden Elektrode und der Licht emittierenden Schicht vorzugsweise auf (2n-1 )λ/4 eingestellt (n ist eine natürliche Zahl von 1 oder größer und λ ist eine Wellenlänge der zu verstärkenden Farbe). Durch Einstellen der optischen Weglänge können die Phasen des ersten reflektierten Lichts und des ersten einfallenden Lichts zueinander/miteinander ausgerichtet werden und Licht, das von der Licht emittierenden Schicht emittiert wird, kann weiter verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass bei der vorstehenden Struktur die EL-Schicht eine Vielzahl von Licht emittierenden Schichten oder eine einzelne Licht emittierende Schicht umfassen kann. Die vorstehend beschriebene Licht emittierende Tandemvorrichtung kann mit der EL-Schicht kombiniert werden; beispielsweise kann eine Licht emittierende Vorrichtung eine Struktur aufweisen, bei der eine Vielzahl von EL-Schichten bereitgestellt ist, eine Ladungserzeugungsschicht zwischen den EL-Schichten bereitgestellt ist und jede EL-Schicht eine Vielzahl von Licht emittierenden Schichten oder eine einzelne Licht emittierende Schicht aufweist.
  • Mit der Mikrokavitätsstruktur kann die Emissionsintensität mit einer bestimmten Wellenlänge in der Richtung nach vorne vergrößert werden, wodurch der Stromverbrauch verringert werden kann. Es sei angemerkt, dass in dem Fall eines Licht emittierenden Geräts, das Bilder mit Subpixeln von vier Farben, nämlich Rot, Gelb, Grün und Blau, anzeigt, das Licht emittierende Gerät vorteilhafte Eigenschaften aufweisen kann, da die Leuchtdichte dank der gelben Lichtemission erhöht werden kann und jedes Subpixel eine Mikrokavitätsstruktur aufweisen kann, die für Wellenlängen der entsprechenden Farbe geeignet ist.
  • Das Licht emittierende Gerät in dieser Ausführungsform wird unter Verwendung der Licht emittierenden Vorrichtung, welche in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, hergestellt und kann daher vorteilhafte Eigenschaften aufweisen. Da die Licht emittierende Vorrichtung, die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, insbesondere eine lange Lebensdauer aufweist, kann das Licht emittierende Gerät eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen. Da das Licht emittierende Gerät, bei dem die Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird, die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist, eine hohe Emissionseffizienz aufweist, kann das Licht emittierende Gerät einen niedrigen Stromverbrauch erzielen.
  • (Ausführungsform 4)
  • In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel, bei dem die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung für eine Beleuchtungsvorrichtung verwendet wird, unter Bezugnahme auf 5A und 5B beschrieben. 5B ist eine Draufsicht auf die Beleuchtungsvorrichtung und 5A ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie e-f in 5B.
  • In der Beleuchtungsvorrichtung dieser Ausführungsform ist eine Anode 401 über einem Substrat 400 ausgebildet, das eine Stütze (support) ist und eine Lichtdurchlässigkeitseigenschaft aufweist. Die Anode 401 entspricht der Anode 101 der Ausführungsform 2. Wenn Licht über die Seite der Anode 401 extrahiert wird, wird die Anode 401 unter Verwendung eines Materials mit einer Lichtdurchlässigkeitseigenschaft ausgebildet.
  • Eine Kontaktstelle (Pad) 412 zum Anlegen einer Spannung an eine Kathode 404 ist über dem Substrat 400 ausgebildet.
  • Eine EL-Schicht 403 ist über der Anode 401 ausgebildet. Die Struktur der EL-Schicht 403 entspricht beispielsweise der Struktur der EL-Schicht 103 der Ausführungsformen 1 und 2 oder der Struktur, bei der die Licht emittierenden Einheiten 511 und 512 und die Ladungserzeugungsschicht 513 kombiniert sind. Siehe die entsprechende Beschreibung für diese Strukturen.
  • Die Kathode 404 ist derart ausgebildet, dass sie die EL-Schicht 403 bedeckt. Die Kathode 404 entspricht der Kathode 102 der Ausführungsform 2. Die Kathode 404 wird unter Verwendung eines Materials mit einem hohen Reflexionsgrad ausgebildet, wenn Licht über die Seite der Anode 401 extrahiert wird. Die Kathode 404 ist mit der Kontaktstelle 412 verbunden, wodurch eine Spannung angelegt wird.
  • Wie vorstehend beschrieben, umfasst die bei dieser Ausführungsform beschriebene Beleuchtungsvorrichtung eine Licht emittierendes Vorrichtung, die die Anode 401, die EL-Schicht 403 und die Kathode 404 umfasst. Da die Licht emittierende Vorrichtung eine hohe Emissionseffizienz aufweist, kann die Beleuchtungsvorrichtung dieser Ausführungsform einen niedrigen Stromverbrauch aufweisen.
  • Das Substrat 400, das mit der Licht emittierenden Vorrichtung mit der vorstehenden Struktur bereitgestellt ist, wird mit den Dichtungsmitteln 405 und 406 an einem Dichtungssubstrat 407 fixiert und ein Abdichten wird durchgeführt, wodurch die Beleuchtungsvorrichtung vervollständigt wird. Es kann lediglich eines der Dichtungsmittel 405 und 406 verwendet werden. Dem inneren Dichtungsmittel 406 (nicht dargestellt in 5B) kann ferner ein Trocknungsmittel beigemischt werden, wodurch Feuchtigkeit adsorbiert werden kann, was zu einer Verbesserung der Zuverlässigkeit führt.
  • Wenn sich Teile der Kontaktstelle 412 und der Anode 401 bis außerhalb der Dichtungsmittel 405 und 406 erstrecken, können die herausragenden Teile als externe Eingangsanschlüsse dienen. Ein IC-Chip 420, der mit einem Wandler oder dergleichen montiert ist, kann über den externen Eingangsanschlüssen bereitgestellt sein.
  • Die Beleuchtungsvorrichtung, die bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, umfasst als EL-Vorrichtung die Licht emittierende Vorrichtung, die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist; somit kann das Licht emittierende Gerät eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen. Außerdem kann das Licht emittierende Gerät weniger Strom verbrauchen.
  • (Ausführungsform 5)
  • In dieser Ausführungsform werden Beispiele elektronischer Geräte beschrieben, die jeweils die Licht emittierende Vorrichtung enthalten, die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden ist. Die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung hat eine lange Lebensdauer und eine hohe Zuverlässigkeit. Als Ergebnis können die bei dieser Ausführungsform beschriebenen elektronischen Geräte jeweils einen Licht emittierenden Abschnitt mit hoher Zuverlässigkeit aufweisen.
  • Beispiele für die elektronischen Geräte, auf die die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung angewandt wird, umfassen ein Fernsehgerät (auch als TV oder Fernsehempfänger bezeichnet), einen Monitor für einen Computer oder dergleichen, eine Digitalkamera, eine digitale Videokamera, einen digitalen Fotorahmen, ein Mobiltelefon (auch als Handy oder tragbares Telefongerät bezeichnet), eine tragbare Spielkonsole, ein tragbares Informationsendgerät, ein Audiowiedergabegerät und einen großen Spielautomaten, wie z. B. einen Flipperautomaten. Spezifische Beispiele für diese elektronischen Geräte werden nachstehend angegeben.
  • 6A zeigt ein Beispiel für ein Fernsehgerät. Bei dem Fernsehgerät ist ein Anzeigeabschnitt 7103 in einem Gehäuse 7101 eingebaut. Außerdem wird hier das Gehäuse 7101 von einem Fuß 7105 getragen. Bilder können auf dem Anzeigeabschnitt 7103 dargestellt werden und in dem Anzeigeabschnitt 7103 sind die Licht emittierenden Vorrichtungen, welche in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden sind, in einer Matrix angeordnet.
  • Das Fernsehgerät kann mittels eines Bedienschalters des Gehäuses 7101 oder einer separaten Fernbedienung 7110 bedient werden. Durch Bedientasten 7109 der Fernbedienung 7110 können die Fernsehsender und die Lautstärke gesteuert werden, und Bilder, die auf dem Anzeigeabschnitt 7103 angezeigt werden, können gesteuert werden. Des Weiteren kann die Fernbedienung 7110 mit einem Anzeigeabschnitt 7107 zum Anzeigen von Informationen versehen sein, die von der Fernbedienung 7110 ausgegeben werden.
  • Es sei angemerkt, dass das Fernsehgerät mit einem Empfänger, einem Modem und dergleichen versehen ist. Der Empfänger kann allgemeinen Fernsehrundfunk empfangen. Des Weiteren kann dann, wenn das Fernsehgerät über das Modem drahtlos oder nicht drahtlos mit einem Kommunikationsnetzwerk verbunden ist, eine unidirektionale (von einem Sender zu einem Empfänger) oder eine bidirektionale (z. B. zwischen einem Sender und einem Empfänger oder zwischen Empfängern) Datenkommunikation durchgeführt werden.
  • 6B1 zeigt einen Computer, der einen Hauptkörper 7201, ein Gehäuse 7202, einen Anzeigeabschnitt 7203, eine Tastatur 7204, einen externen Verbindungsanschluss 7205, eine Zeigevorrichtung 7206 und dergleichen beinhaltet. Es sei angemerkt, dass dieser Computer durch Anordnen der bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtungen in einer Matrix in dem Anzeigeabschnitt 7203 hergestellt ist. Der Computer in 6B1 kann auch eine Struktur wie in 6B2 aufweisen. Ein Computer in 6B2 ist mit einem zweiten Anzeigeabschnitt 7210 anstelle der Tastatur 7204 und der Zeigevorrichtung 7206 versehen. Der zweite Anzeigeabschnitt 7210 ist ein Touchscreen, und ein Eingabevorgang kann durchgeführt werden, indem die Anzeige zum Eingeben, die auf dem zweiten Anzeigeabschnitt 7210 angezeigt wird, mit einem Finger oder einem dazugehörigen Stift gesteuert wird. Darüber hinaus kann der zweite Anzeigeabschnitt 7210 auch andere Bilder als die Anzeige zur Eingabe anzeigen. Der Anzeigeabschnitt 7203 kann ebenfalls ein Touchscreen sein. Durch Verbinden der zwei Bildschirme mittels eines Gelenks kann das Auftreten von Problemen, wie beispielsweise die Beschädigung oder Rissbildung des Bildschirms beim Lagern oder Mitführen, verhindert werden.
  • 6C stellt ein Beispiel für ein tragbares Informationsendgerät dar. Ein Mobiltelefon ist mit einem Anzeigeabschnitt 7402, der in einem Gehäuse 7401 eingebaut ist, einem Bedienknopf 7403, einem externen Verbindungsanschluss 7404, einem Lautsprecher 7405, einem Mikrofon 7406 und dergleichen ausgestattet. Es sei angemerkt, dass das Mobiltelefon den Anzeigeabschnitt 7402 umfasst, der die Licht emittierenden Vorrichtungen beinhaltet, die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben worden sind und in einer Matrix angeordnet sind.
  • Wenn der Anzeigeabschnitt 7402 des tragbaren Informationsendgeräts in 6C mit einem Finger oder dergleichen berührt wird, können Daten in das tragbare Informationsendgerät eingegeben werden. In diesem Fall können Bedienungen, wie z. B. Anrufen und Schreiben einer E-Mail, durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 mit einem Finger oder dergleichen durchgeführt werden.
  • Der Anzeigeabschnitt 7402 weist hauptsächlich drei Bildschirmmodi auf. Der erste Modus ist ein Anzeigemodus, bei dem hauptsächlich Bilder angezeigt wird. Der zweite Modus ist ein Eingabemodus, bei dem hauptsächlich Daten, wie z. B. ein Text, eingegeben werden Der dritte Modus ist ein Anzeige- und Eingabemodus, bei dem die zwei Modi, nämlich der Anzeigemodus und der Eingabemodus, kombiniert sind.
  • Zum Beispiel wird in dem Fall, in dem ein Anruf durchgeführt oder eine E-Mail geschrieben wird, ein Texteingabemodus, bei dem hauptsächlich Texte eingegeben werden, für den Anzeigeabschnitt 7402 ausgewählt, so dass der auf einem Bildschirm angezeigte Text eingegeben werden kann. In diesem Fall wird/werden eine Tastatur oder Zahlentasten vorzugsweise auf fast dem gesamten Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 angezeigt.
  • Wenn eine Erfassungsvorrichtung, die einen Sensor zum Erfassen der Neigung, wie z. B. einen Gyroskopsensor oder einen Beschleunigungssensor, beinhaltet, innerhalb des tragbaren Informationsendgeräts bereitgestellt ist, kann eine Anzeige auf dem Bildschirm des Anzeigeabschnitts 7402 automatisch durch Bestimmen der Orientierung des tragbaren Informationsendgeräts geändert werden (je nachdem, ob das tragbare Informationsendgerät horizontal oder vertikal gestellt ist).
  • Die Bildschirmmodi werden durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 oder durch Bedienen der Bedienknöpfe 7403 des Gehäuses 7401 umgeschaltet. Alternativ können die Bildschirmmodi je nach der Art der auf dem Anzeigeabschnitt 7402 angezeigten Bilder umgeschaltet (geswitcht) werden. Wenn es sich beispielsweise bei einem Signal eines auf dem Anzeigeabschnitt angezeigten Bildes um Daten eines bewegten Bildes handelt, wird der Bildschirmmodus in den Anzeigemodus umgeschaltet. Wenn es sich bei dem Signal um ein Signal von Textdaten handelt, wird der Bildschirmmodus in den Eingabemodus umgeschaltet.
  • Des Weiteren kann in dem Fall, in dem es in dem Eingabemodus keine Eingabe durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 für eine bestimmte Zeit gibt, während ein von einem optischen Sensor in dem Anzeigeabschnitt 7402 erfasstes Signal erfasst wird, der Bildschirmmodus derart gesteuert werden, dass er von dem Eingabemodus in den Anzeigemodus umgeschaltet wird.
  • Der Anzeigeabschnitt 7402 kann auch als Bildsensor dienen. Zum Beispiel wird dann, wenn der Anzeigeabschnitt 7402 mit einer Handfläche oder einem Finger berührt wird, ein Bild des Handabdrucks, des Fingerabdrucks oder dergleichen aufgenommen, wodurch eine persönliche Authentifizierung durchgeführt werden kann. Des Weiteren kann ein Bild einer Fingervene, einer Handflächenvene oder dergleichen aufgenommen werden, indem eine Hintergrundbeleuchtung, die Nahinfrarotlicht emittiert, oder eine Abtast-Lichtquelle, die Nahinfrarotlicht emittiert, für den Anzeigeabschnitt verwendet wird.
  • Es sei angemerkt, dass die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur angemessen mit einer der bei den Ausführungsformen 1 bis 4 beschriebenen Strukturen kombiniert werden kann.
  • Wie oben beschrieben, ist der Anwendungsbereich des Licht emittierenden Geräts mit der in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtung so breit gefasst, dass das Licht emittierende Gerät auf elektronische Geräte in einer Vielzahl von Gebieten angewandt werden kann. Indem die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird, kann ein elektronisches Gerät erhalten werden, das eine hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • 7A ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel für einen Reinigungsroboter darstellt.
  • Ein Reinigungsroboter 5100 beinhaltet ein Display 5101 auf seiner Oberseite, eine Vielzahl von Kameras 5102 auf seiner Seitenfläche, eine Bürste 5103 und Bedienknöpfe 5104. Obwohl nicht dargestellt, ist die Unterseite des Reinigungsroboters 5100 mit einem Reifen, einer Einlassöffnung und dergleichen bereitgestellt. Der Reinigungsroboter 5100 beinhaltet ferner verschiedene Sensoren, wie z. B. einen Infrarotsensor, einen Ultraschallsensor, einen Beschleunigungssensor, einen piezoelektrischen Sensor, einen optischen Sensor und einen Gyroskopsensor. Der Reinigungsroboter 5100 beinhaltet ein drahtloses Kommunikationsmittel.
  • Der Reinigungsroboter 5100 ist selbstfahrend, erfasst Staub 5120 und saugt durch die Einlassöffnung, die auf der Unterseite bereitgestellt ist, den Staub auf.
  • Der Reinigungsroboter 5100 kann beurteilen, ob ein Hindernis, wie z. B. eine Wand, ein Möbelstück oder eine Stufe, vorhanden ist, indem durch die Kameras 5102 aufgenommene Bilder analysiert werden. Wenn der Reinigungsroboter 5100 einen Gegenstand, der sich in der Bürste 5103 verfangen könnte (z. B. ein Draht), durch Analysieren eines Bildes erfasst, kann die Drehung der Bürste 5103 angehalten werden.
  • Das Display 5101 kann die verbleibende Kapazität einer Batterie, die Menge des aufgesaugten Staubs und dergleichen anzeigen. Das Display 5101 kann eine Route anzeigen, die der Reinigungsroboter 5100 abgefahren ist. Es kann sich bei dem Display 5101 um einen Touchscreen handeln, und die Bedienknöpfe 5104 können auf dem Display 5101 bereitgestellt werden.
  • Der Reinigungsroboter 5100 kann mit einem tragbaren elektronischen Gerät 5140, wie z. B. einem Smartphone, kommunizieren. Das tragbare elektronische Gerät 5140 kann durch die Kameras 5102 aufgenommene Bilder anzeigen. Dementsprechend kann ein Besitzer des Reinigungsroboters 5100 selbst dann, wenn der Besitzer nicht zu Hause ist, sein/ihr Zimmer überwachen. Der Besitzer kann die Anzeige des Displays 5101 auch mit dem tragbaren elektronischen Gerät, wie z. B. einem Smartphone, überprüfen.
  • Das Licht emittierende Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für das Display 5101 verwendet werden.
  • Ein Roboter 2100, der in 7B gezeigt wird, beinhaltet eine arithmetische Vorrichtung 2110, einen Beleuchtungsstärkesensor 2101, ein Mikrofon 2102, eine obere Kamera 2103, einen Lautsprecher 2104, ein Display 2105, eine untere Kamera 2106, einen Hindernissensor 2107 und einen Bewegungsmechanismus 2108.
  • Das Mikrofon 2102 weist eine Funktion auf, eine Sprechstimme eines Benutzers, ein Umgebungsgeräusch und dergleichen zu erfassen. Der Lautsprecher 2104 weist auch eine Funktion auf, einen Ton auszugeben. Der Roboter 2100 kann unter Verwendung des Mikrofons 2102 und des Lautsprechers 2104 mit einem Benutzer kommunizieren.
  • Das Display 2105 weist eine Funktion auf, verschiedene Arten von Informationen anzuzeigen. Der Roboter 2100 kann auf dem Display 2105 Informationen anzeigen, die von einem Benutzer gewünscht werden. Das Display 2105 kann mit einem Touchscreen ausgestattet sein. Außerdem kann das Display 2105 ein abnehmbares Informationsendgerät sein, wobei in diesem Fall ein Aufladen und eine Datenkommunikation durchgeführt werden können, wenn das Display 2105 auf die Zuhause-Position (Home-Position) des Roboters 2100 eingestellt wird.
  • Die obere Kamera 2103 und die untere Kamera 2106 weisen jeweils eine Funktion zum Aufnehmen eines Bildes der Umgebung des Roboters 2100 auf. Der Hindernissensor 2107 kann ein Hindernis in der Richtung erfassen, in die sich der Roboter 2100 mit dem Bewegungsmechanismus 2108 vorwärtsbewegt. Der Roboter 2100 kann sich sicher bewegen, indem er mit der oberen Kamera 2103, der unteren Kamera 2106 und dem Hindernissensor 2107 die Umgebung erkennt. Das Licht emittierende Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für das Display 2105 verwendet werden.
  • 7C stellt ein Beispiel für ein brillenartiges Display dar. Das brillenartige Display beinhaltet beispielsweise ein Gehäuse 5000, einen Anzeigeabschnitt 5001, einen Lautsprecher 5003, eine LED-Lampe 5004, einen Verbindungsanschluss 5006, einen Sensor 5007 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Energie, Strahlung, Durchflussrate, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen), ein Mikrofon 5008, einen Anzeigeabschnitt 5002, einen Träger (Support) 5012 und einen Ohrhörer 5013.
  • Das Licht emittierende Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 5001 und den Anzeigeabschnitt 5002 verwendet werden.
  • 8 stellt ein Beispiel dar, bei welchem die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung als Tischlampe verwendet wird, bei welcher es sich um eine Beleuchtungsvorrichtung handelt. Die Tischlampe in 8 beinhaltet ein Gehäuse 2001 und eine Lichtquelle 2002, und die bei der Ausführungsform 3 beschriebene Beleuchtungsvorrichtung kann für die Lichtquelle 2002 verwendet werden.
  • 9 stellt ein Beispiel dar, in dem die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung für eine Innenbeleuchtungsvorrichtung 3001 verwendet wird. Da die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung eine hohe Zuverlässigkeit aufweist, kann die Beleuchtungsvorrichtung eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen. Da die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung des Weiteren eine große Fläche aufweisen kann, kann die Licht emittierende Vorrichtung für eine Beleuchtungsvorrichtung mit großer Fläche verwendet werden. Da die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung des Weiteren dünn ist, kann die Licht emittierende Vorrichtung für eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer verringerten Dicke verwendet werden.
  • Die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung kann auch als Kraftfahrzeugswindschutzscheibe oder Kraftfahrzeugsarmaturenbrett verwendet werden. 10 zeigt eine Ausführungsform, bei der die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung für eine Kraftfahrzeugswindschutzscheibe und ein Kraftfahrzeugsarmaturenbrett verwendet wird. Anzeigebereiche 5200 bis 5203 beinhalten jeweils die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung.
  • Der Anzeigebereich 5200 und der Anzeigebereich 5201 sind Anzeigevorrichtungen, die in der Kraftfahrzeugswindschutzscheibe bereitgestellt sind und in denen die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtungen eingebaut sind. Die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Licht emittierenden Vorrichtungen können zu einer so genannten durchsichtigen Anzeigevorrichtung, durch die die Gegenseite gesehen werden kann, ausgebildet werden, wenn eine Anode und eine Kathode, die aus Elektroden mit Lichtdurchlässigkeitseigenschaft bestehen, enthalten sind. Eine derartige durchsichtige Anzeige kann bereitgestellt werden, ohne die Sicht zu behindern, selbst wenn sie in der Kraftfahrzeugswindschutzscheibe bereitgestellt wird. Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem ein Treibertransistor oder dergleichen bereitgestellt wird, vorzugsweise ein lichtdurchlässiger Transistor, wie z. B. ein organischer Transistor, der ein organisches Halbleitermaterial enthält, oder ein Transistor, bei dem ein Oxidhalbleiter verwendet wird, verwendet wird.
  • Eine Anzeigevorrichtung, die die bei den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebene Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet, ist in dem Anzeigebereich 5002 in einem Säulenabschnitt bereitgestellt. Der Anzeigebereich 5202 kann die von der Säule behinderte Sicht kompensieren, indem ein Bild, das mit einer in der Karosserie bereitgestellten Abbildungseinheit aufgenommen wird, angezeigt wird. Des Weiteren kann der Anzeigebereich 5203, der in einem Teil des Armaturenbretts bereitgestellt ist, ebenfalls die von der Karosserie behinderte Sicht kompensieren, indem ein Bild, das mit einer außerhalb des Kraftfahrzeugs (Autos) bereitgestellten Abbildungseinheit aufgenommen wird, angezeigt wird. Daher können tote Winkel beseitigt werden, um die Sicherheit zu erhöhen. Das Anzeigen von Bildern, die die Bereiche kompensieren, die ein Fahrer nicht sehen kann, ermöglicht, dass der Fahrer einfach und komfortabel die Sicherheit bestätigen kann.
  • Der Anzeigebereich 5203 kann verschiedene Arten von Informationen durch das Anzeigen von Navigationsdaten, einem Geschwindigkeitsmesser, einem Tachometer, einem Kilometerstand, einer Tankanzeige, einer Schaltanzeige, einer Einstellung der Klimaanlage und dergleichen bereitstellen. Inhalte der Anzeige oder das Layout der Anzeige können/kann je nach der Präferenz eines Benutzers angemessen geändert werden. Es sei angemerkt, dass solche Informationen auch auf den Anzeigebereichen 5200 bis 5002 angezeigt werden können. Die Anzeigebereiche 5200 bis 5203 können auch als Beleuchtungsvorrichtungen verwendet werden.
  • 11A bis 11C stellen ein klappbares, tragbares Informationsendgerät 9310 dar. 11A stellt das tragbare Informationsendgerät 9310 in einem aufgeklappten Zustand dar. 11B stellt das tragbare Informationsendgerät 9310 in einem Zustand dar, in dem es aufgeklappt (geöffnet) oder zusammengeklappt (geschlossen) wird. 11C stellt das tragbare Informationsendgerät 9310 in dem zusammengeklappten Zustand dar. Das tragbare Informationsendgerät 9310 ist im zusammengeklappten Zustand sehr gut tragbar. Das tragbare Informationsendgerät 9310 ist im aufgeklappten Zustand auf Grund eines übergangslosen großen Anzeigebereichs sehr gut durchsuchbar.
  • Ein Anzeigebildschirm 9311 wird von drei Gehäusen 9315 getragen, die durch Gelenke 9313 miteinander verbunden sind. Es sei angemerkt, dass es sich bei dem Anzeigebildschirm 9311 um einen Touchscreen (eine Eingabe-/Ausgabevorrichtung) handeln kann, die einen Berührungssensor (eine Eingabevorrichtung) beinhaltet. Des Weiteren kann die Form des tragbaren Informationsendgeräts 9310 reversibel von dem aufgeklappten Zustand in den zusammengeklappten Zustand verändert werden, indem der Anzeigebildschirm 9311 an den Gelenken 9313 zwischen zwei Gehäusen 9315 geklappt wird. Das Licht emittierende Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigebildschirm 9311 verwendet werden.
  • 12A und 12B stellen ein klappbares, tragbares Informationsendgerät 5150 dar. Das klappbare, tragbare Informationsendgerät 5150 beinhaltet ein Gehäuse 5151, einen Anzeigebereich 5152 und einen gebogenen Abschnitt 5153. 12A stellt das tragbare Informationsendgerät 5150 dar, das aufgeklappt ist. 12B stellt das tragbare Informationsendgerät 5150 dar, das zusammengeklappt (gefaltet) ist. Trotz seines großen Anzeigebereichs 5152 ist das tragbare Informationsendgerät 5150 kompakt und weist eine hohe Tragbarkeit auf, wenn es gefaltet ist.
  • Der Anzeigebereich 5152 kann mit dem Biegeabschnitt 5153 zweifach gefaltet werden. Der Biegeabschnitt 5153 enthält ein flexibles Element und eine Vielzahl von Stützelementen. Wenn der Anzeigebereich gefaltet wird, dehnt sich das flexible Element aus und der Biegeabschnitt 5153 hat einen Krümmungsradius von größer als oder gleich 2 mm, vorzugsweise größer als oder gleich 3 mm.
  • Es sei angemerkt, dass der Anzeigebereich 5152 ein Touchscreen (eine Eingabe/Ausgabe-Vorrichtung) sein kann, der einen Berührungssensor (eine Eingabevorrichtung) beinhaltet. Das Licht emittierende Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigebereich 5152 verwendet werden.
  • [Beispiel 1]
  • In diesem Beispiel werden Herstellungsverfahren und Eigenschaften einer Licht emittierenden Vorrichtung 1 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und einer Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 zum Vergleich beschrieben. In der Licht emittierenden Vorrichtung 1 enthält eine Elektronentransportschicht 2-Phenyl-3-{4-[10-(3-pyridyl)-9-anthryl]phenyl}chinoxalin (Abkürzung: PyA1PQ) als Elektronentransportmaterial, das ein erstes Gerüst mit einer Elektronentransporteigenschaft, ein zweites Gerüst, das Löcher aufnimmt, und ein drittes Gerüst umfasst, das ein monocyclischer π-etektronenarmer heteroaromatischer Ring ist. Die Licht emittierende Vergleichsvorrichtung enthält 2-{4-[9,10-Di(naphthalen-2-yl)-2-anthryl}phenyl}-1-phenyl-1H-benzimidazol (Abkürzung: ZADN) anstelle von PyA1PQ. Die Strukturformeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien sind nachfolgend dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0004
    Figure DE102020119439A1_0005
  • <<Herstellungsverfahren der Licht emittierenden Vorrichtung 1>>
  • Zuerst wurde Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthält (ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat abgeschieden, um die Anode 101 auszubilden. Es sei angemerkt, dass die Dicke der Anode 101 70 nm war und die Elektrodenfläche 4 mm2 (2 mm × 2 mm) betrug.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Ausbilden der Licht emittierenden Vorrichtung über einem Substrat eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen und eine Stunde lang bei 200 °C gebacken, und dann wurde eine UV-Ozon-Behandlung 370 Sekunden lang durchgeführt.
  • Danach wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfungsvorrichtung überführt, in der der Druck auf ungefähr 10-4 Pa verringert wurde, ein Vakuumbacken wurde 30 Minuten lang bei 170 °C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfungsvorrichtung durchgeführt, und dann wurde das Substrat ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Als Nächstes wurde das mit der Anode 101 versehene Substrat an einem in der Vakuumverdampfungsvorrichtung vorgesehenen Substrathalter derart befestigt, dass die Seite, auf der die Anode 101 ausgebildet wurde, nach unten zeigte. Dann wurden N,N-Bis(4-biphenyl)-6-phenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-amin (Abkürzung: BBABnf), dargestellt durch die Strukturformel (i), und ALD-MP001Q (hergestellt von Analysis Atelier Corporation, Material-Seriennummer 1S20180314) auf der Anode 101 in einer Dicke von 10 nm durch Co-Verdampfung unter Verwendung eines Widerstandserwärmungsverfahrens derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von BBABnf zu ALD-MP001Q 1:0,1 betrug, wodurch die Lochinjektionsschicht 111 ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass ALD-MP001Q eine organische Verbindung mit einer Akzeptoreigenschaft ist.
  • Anschließend wurde über der Lochinjektionsschicht 111 BBABnf durch Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, um die erste Lochtransportschicht 112-1 auszubilden, und dann wurde 3,3'-(Naphthalin-1,4-diyl)bis(9-phenyl-9H-carbazol) (Abkürzung: PCzN2), dargestellt durch die Strukturformel (ii), durch Verdampfung in einer Dicke von 10 nm abgeschieden, um die zweite Lochtransportschicht 112-2 auszubilden, wodurch die Lochtransportschicht 112 ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die zweite Lochtransportschicht 112-2 auch als Elektronenblockierschicht fungiert.
  • Dann wurden 9-(1-Naphthyl)-10-[4-(2-naphthyl)phenyl]anthracen (Abkürzung: aN-βNPAnth), dargestellt durch die Strukturformel (iii), und 3,10-Bis[N-(9-phenyl-9H-carbazol-2-yl)-N-phenylamino]naphtho[2,3-b;6,7-b']bisbenzofuran (Abkürzung: 3,10PCA2Nbf(IV)-02), dargestellt durch die Strukturformel (iv), durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 25 nm derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von αNßNPAnth zu 3,10PCA2Nbf(IV)-02 1:0,015 betrug, wodurch die Licht emittierende Schicht 113 ausgebildet wurde.
  • Dann wurden über der Licht emittierenden Schicht 113 2-Phenyl-3-{4-[10-(3-pyridyl)-9-anthryl]phenyl}chinoxalin (Abkürzung: PyA1PQ), dargestellt durch die Strukturformel (v), und 8-Hydroxychinolinato-Lithium (Abkürzung: Liq), dargestellt durch die Strukturformel (vi), durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 12,5 nm derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von PyA1PQ zu Liq 1:2 betrug, und anschließend wurden PyA1PQ und Liq durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 12,5 nm derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von PyA1PQ zu Liq 2:1 betrug, wodurch die Elektronentransportschicht 114 ausgebildet wurde.
  • Nach der Ausbildung der Elektronentransportschicht 114 wurde Aluminium durch Verdampfung in einer Dicke von 200 nm abgeschieden, um die Kathode 102 auszubilden. Auf diese Weise wurde die Licht emittierende Vorrichtung 1 dieses Beispiels hergestellt.
  • <<Herstellungsverfahren der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1>>
  • Die Licht emittierende Vergleichsvorrichtung 1 wurde auf die gleiche Weise wie die Licht emittierende Vorrichtung 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass PyA1PQ in der Licht emittierenden Vorrichtung 1 durch 2-{4-[9,10-Di(naphthalen-2-yl)-2-anthryl]phenyl}-1-phenyl-1H-benzimidazol (Abkürzung: ZADN), dargestellt durch die Strukturformel (vii), ersetzt wurde.
  • Die Strukturen der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 sind in der folgenden Tabelle aufgeführt.
  • [Tabelle 1]
    Lochinjektionsschicht Lochtransportschicht Licht emittierende Schicht Elektronentransportschicht
    1 2 1 2
    10 nm 20 nm 10 nm 25 nm 12,5 nm 12,5 nm
    Licht emittierende Vorrichtung 1 BBABnf: ALD-MP001Q (1:0,1) BBABnf PCzN2 αN-βNPAnth: 3,10PCA2Nbf(IV)-02 (1:0,015) PyA1 PQ:Liq
    (1:2) (2:1)
    Licht emittierende Vergleichsvorrichtung 1 ZADN:Liq
    (1:2) (2:1)
  • Die Licht emittierenden Vorrichtungen wurden unter Verwendung eines Glassubstrats in einem eine Stickstoffatmosphäre enthaltenden Handschuhkasten abgedichtet, um nicht der Luft ausgesetzt zu werden (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel derart aufgetragen, dass es die Vorrichtungen umschloss, und beim Abdichten wurden eine UV-Behandlung und eine Wärmebehandlung bei 80 °C 1 Stunde lang durchgeführt). Dann wurden die Anfangseigenschaften und die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messung bei Raumtemperatur durchgeführt wurde.
  • 13 zeigt die Leuchtdichte-Stromdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1. 14 zeigt ihre Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften. 15 zeigt ihre Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften. 16 zeigt ihre Strom-Spannungs-Eigenschaften. 17 zeigt ihre externen Quanteneffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften. 18 zeigt ihre Emissionsspektren. Tabelle 2 zeigt die Haupteigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2.
  • [Tabelle 2]
    Spannung (V) Strom (mA) Stromdichte (mA/cm2) Chromatizitä t x Chromatizität y Stromeffizienz (cd/A) externe Quanteneffizienz (%)
    Licht emittierende Vorrichtung 1 4,6 0,42 10,4 0,14 0,10 8,8 10,1
    Licht emittierende Vergleichsvorrichtung 1 4,4 0,36 8,9 0,14 0,11 10,3 11,4
  • 13 bis 18 und die Tabelle 2 zeigen, dass es sich bei der Licht emittierenden Vorrichtung 1 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung um eine blaue Licht emittierende Vorrichtung mit günstigen Anfangseigenschaften handelt.
  • 19 ist ein Diagramm, das eine Änderung der Leuchtdichte in Bezug auf die Betriebszeit bei einer Stromdichte von 50 mA/cm2 zeigt. Aus 19 geht hervor, dass die Licht emittierende Vorrichtung 1 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach Konvergenz der Anfangsänderung eine geringere Langzeitneigung aufweist als die Licht emittierende Vergleichsvorrichtung 1, wodurch sie einen geringen Langzeitabfall (Langzeitzerfall) und eine lange Lebensdauer aufweist.
  • In der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 hat die Lochinjektionsschicht eine Lochtransporteigenschaft und enthält BBABnf mit einem HOMO-Niveau größer als oder gleich -5,7 eV und kleiner als oder gleich -5,4 eV und ALD-MP001Q, das eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf BBABnf aufweist, und die Elektronentransportschicht enthält Liq, das ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz ist.
  • Dementsprechend nimmt die Leuchtdichte der Licht emittierenden Vorrichtung 1 und der Licht emittierenden Vergleichsvorrichtung 1 nach Beginn des Betriebs zu, übersteigt die Anfangsleuchtdichte (anfängliche Leuchtdichte) und nimmt dann allmählich ab. Dadurch kann sich insbesondere die Zeit erheblich verlängern, bis die Leuchtdichte um 2 % bis 5 % von der Anfangsleuchtdichte sinkt (die anfängliche Betriebslebensdauer).
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 1 hat, wie oben beschrieben, einen kleinen Langzeitzerfall, was zeigt, dass die Licht emittierende Vorrichtung 1 eine extrem lange Lebensdauer hat.
  • [Beispiel 2]
  • <<Synthesebeispiel 1>>
  • In diesem Synthesebeispiel wird ein Verfahren zur Synthese von 4-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyll[l]benzofuro[3,2-d]pyrimidin (Abkürzung: BfpmPPyA), einer Verbindung, die als Elektronentransportmaterial für die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, beschrieben. Die Struktur von BfpmPPyA ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0006
  • <Schritt 1: Synthese von 4-(4-Chlorphenyl)[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin>
  • In einen Dreihalskolben wurden 2,0 g (9,7 mmol) 4-Chlor[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin, 1,8 g (12 mmol) 4-Chlorphenylboronsäure, 0,30 g (0,97 mmol) Tri(orthotolyl)phosphin und 2,7 g (19 mmol) Kaliumcarbonat gegeben. Der Mischung wurden 100 ml Toluol, 20 ml Ethanol und 10 ml Wasser hinzugefügt, und die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast. Dann wurden der Mischung 0,044 g (0,19 mmol) Palladium(II)acetat zugegeben, und die Mischung wurde 6 Stunden lang bei 80 °C gerührt. Zusätzlich wurden 0,027 g (0,097 mmol) Palladium(II)acetat und 0,20 g (0,44 mmol) Tri(ortho-tolyl)phosphin zugegeben, und die Mischung wurde 2 Stunden lang bei 80 °C gerührt.
  • Nach dem Rühren wurde der Mischung Wasser hinzugefügt, um eine wässrige Schicht abzutrennen, und eine organische Schicht wurde gefiltert. Darüber hinaus wurde die wässrige Schicht einer Extraktion mit Toluol unterzogen. Die erhaltene Lösung des Extrakts und das Filtrat wurden kombiniert und die Mischung wurde mit Wasser gewaschen und dann wurde die organische Schicht mit Magnesiumsulfat getrocknet. Diese Mischung wurde durch Schwerkraftfiltration getrennt, und das Filtrat wurde konzentriert. Der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Toluol: Ethylacetat = 9:1 als Laufmittel) gereinigt, um 2,5 g eines hellgelben Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 92 % zu erhalten. Das Reaktionsschema von Schritt 1 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0007
  • <Schritt 2: Synthese von 4-[4-(4,4,5,5-Tetramethyl-[1,3,2]dioxaborolan-2-yl)phenyl][1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin>
  • In einen Dreihalskolben wurden 2,5 g (8,9 mmol) 4-(4-Chlorphenyl)[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin, 2,7 g (11 mmol) Bis(pinacolato)dibor, 2,6 g (27 mmol) Kaliumacetat und 45 ml Xylol gegeben, und die Luft im Kolben wurde durch Stickstoff ersetzt. Der Mischung wurden 0,36 g (0,44 mmol) [1,1'-Bis(diphenylphosphino)ferrocen]palladium(II)dichloriddichlormethan-Addukt (Abkürzung: Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2) hinzugefügt, und die Mischung wurde 17 Stunden lang bei 120 °C gerührt.
  • Nach dem Rühren wurden der Mischung Toluol und Wasser hinzugefügt, und die Lösung wurde filtriert. Eine organische Schicht des erhaltenen Filtrats wurde getrennt, und eine wässrige Schicht wurde einer Extraktion mit Toluol unterzogen. Die erhaltene Lösung des Extraktes und die organische Schicht wurden kombiniert und die Mischung wurde mit Wasser gewaschen und dann wurde die organische Schicht mit Magnesiumsulfat getrocknet. Diese Mischung wurde durch Schwerkraftfiltration getrennt, und das Filtrat wurde konzentriert. Der erhaltene Feststoff wurde in Toluol gelöst, und die Mischung wurde durch Celite, Florisil und Aluminiumoxid (Toluol: Ethylacetat = 4:1 als Laufmittel) filtriert. Das Filtrat wurde konzentriert, und der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Toluol: Ethylacetat = 3:1 als Laufmittel) gereinigt, um 2,6 g eines gelben Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 79 % zu erhalten. Das Syntheseschema von Schritt 2 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0008
  • <Schritt 3: Synthese von 4-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin (Abkürzung: BfpmPPyA)>
  • In einen 200 ml Dreihalskolben wurden 1,6 g (4,8 mmol) 3-(10-Brom-9-anthryl)pyridin, 2,0 g (5,3 mmol) 4-[4-(4,4,5,5-Tetramethyl-[1,3,2]dioxaborolan-2-yl)phenyl]-[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin, 0,15 g (0,48 mmol) Tri(o-tolyl)phosphin und 1,3 g (9,6 mmol) Kaliumcarbonat gegeben, und die Luft im Kolben wurde durch Stickstoff ersetzt. Der Mischung wurden 50 ml Toluol, 10 ml Ethanol und 5 ml Wasser hinzugefügt, und die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast. Der Mischung wurden 22 mg (0,096 mmol) Palladium(II)acetat zugegeben, und die Mischung wurde 11 Stunden lang unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C gerührt. Nach Ablauf einer vorgegebenen Zeit wurde der Mischung Wasser zugegeben, und der ausgefällte Feststoff wurde durch Saugfiltration aufgefangen (eingesammelt) und mit Wasser und Methanol gewaschen. Der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Toluol: Ethylacetat = 9:1 als Laufmittel) gereinigt und mit Toluol umkristallisiert, um 1,4 g (2,8 mmol) eines Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 57 % zu erhalten. Das Syntheseschema von Schritt 3 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0009
  • Durch ein Train-Sublimationsverfahren wurden 1,3 g des erhaltenen Feststoffs durch Sublimation gereinigt. Die Reinigung durch Sublimation wurde unter einem Druck von 3,0 Pa mit einer Argongas-Durchflussrate von 5 ml/min bei 275 °C durchgeführt. Nach der Reinigung durch Sublimation wurden 1,2 g eines Pulvers von BfpmPPyA mit einer Sammelquote von 91 % erhalten.
  • 25A und 25B zeigen die durch Kernspinresonanz- (1H-NMR-) Spektroskopie erhaltenen Messergebnisse der erhaltenen Verbindung, deren numerische Daten unten dargestellt sind. 1H NMR (CDCI3, 300 MHz): δ = 7,36-7,44 (m, 4H), 7,54-7,69 (m, 4H), 7,73-7,89 (m, 7H), 8,37 (d, J = 7,7 Hz, 1H), 8,77 (dd, J = 2,2 Hz, 0,7 Hz, 1H), 8,83-8,91 (m, 3H), 9,36 (s, 1H). Die Ergebnisse zeigen, dass BfpmPPyA in diesem Synthesebeispiel erhalten wurde.
  • [Beispiel 3]
  • <<Synthesebeispiel 2>>
  • In diesem Synthesebeispiel wird ein Verfahren zur Synthese von 2-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: DBqPPyA), einer Verbindung, die als Elektronentransportmaterial für die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, beschrieben. Die Struktur von DBqPPyA ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0010
  • <Schritt 1: Synthese von 2-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: DBqPPyA)>
  • In einen 150 ml Dreihalskolben wurden 1,1 g (3,2 mmol) 3-(10-Brom-9-anthryl)pyridin, 1,5 g (3,5 mmol) 2-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)dibenzo[f,h]chinoxalin, 96 mg (0,32 mmol) Tri(ortho-tolyl)phosphin und 0,87 g (6,3 mmol) Kaliumcarbonat gegeben, und die Luft im Kolben wurde durch Stickstoff ersetzt. Der Mischung wurden 30 ml Toluol, 6,0 ml Ethanol und 3,0 ml Wasser hinzugefügt, und die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast. Der Mischung wurden 14 mg (0,063 mmol) Palladium(II)acetat zugegeben, und die Mischung wurde 21 Stunden lang unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C gerührt. Nach Ablauf einer vorgegebenen Zeit wurde der Mischung Wasser zugegeben, und der Feststoff wurde durch Saugfiltration aufgefangen. Dem erhaltenen Feststoff wurde Toluol zugesetzt, die Mischung wurde mit Ultraschallwellen bestrahlt, und dann wurde der Feststoff aufgefangen.
  • Der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Laufmittel: Chloroform) gereinigt und mit einem Lösungsmittelgemisch aus Toluol und Ethanol umkristallisiert, um 0,96 g eines Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 55 % zu erhalten. Das Syntheseschema von Schritt 1 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0011
  • Durch ein Train-Sublimationsverfahren wurden 0,96 g des erhaltenen Feststoffs durch Sublimation gereinigt. Die Reinigung durch Sublimation wurde unter einem Druck von 2,9 Pa mit einer Argongas-Durchflussrate von 5 ml/min bei 305 °C durchgeführt. Nach der Reinigung durch Sublimation wurden 0,80 g eines Pulvers von DBqPPyA mit einer Sammelquote von 82 % erhalten.
  • 26A und 26B zeigen die durch Kernspinresonanz- (1H-NMR-) Spektroskopie erhaltenen Messergebnisse der erhaltenen Verbindung, deren numerische Daten unten dargestellt sind. 1H NMR (CDCI3, 300 MHz): δ = 7,38-7,45 (m, 4H), 7,57-7,69 (m, 3H), 7,72-7,91 (m, 9H), 8,63 (d, J = 8,1 Hz, 2H), 8,70 (d, J = 7,7 Hz, 2H), 8,77-8,80 (m, 1H), 8,85 (dd, J = 1,5 Hz, 4,8 Hz, 1H), 9,28-9,32 (m, 1H), 9,49-9,54 (m, 1H), 9,57 (s, 1H). Die Ergebnisse zeigen, dass DBqPPyA in diesem Synthesebeispiel erhalten wurde.
  • [Beispiel 4]
  • <<Synthesebeispiel 3>>
  • In diesem Synthesebeispiel wird ein Verfahren zur Synthese von (9-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyllnaphtho[1',2'-.4,5]furo[2,3-b]pyrazin) (Abkürzung: NfprPPyA), einer Verbindung, die als Elektronentransportmaterial für die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, beschrieben. Die Struktur von NfprPPyA ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0012
  • <Schritt 1: Synthese von 9-[4-(4,4,5,5-Tetramethyl-[1,3,2]dioxaborolan-2-yl)-phenyl]naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin>
  • In einen Dreihalskolben wurden 3,2 g (9,7 mmol) 9-(4-Chlorphenyl)-naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin, 3,0 g (12 mmol) Bis(pinacolato)dibor, 2,9 g (29 mmol) Kaliumacetat und 50 ml Xylol gegeben, und die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast. Zu der Mischung wurden 0,40 g (0,49 mmol) [1,1'-Bis(diphenylphosphino)ferrocen]palladium(II)dichlormethan-Addukt (Abkürzung: Pd(dppf)CI2) gegeben, und die Mischung wurde 19 Stunden lang bei 120 °C gerührt.
  • Nach Ablauf einer vorgegebenen Zeit wurde dieser Mischung Toluol zugesetzt. Die Lösung wurde durch Celite, Florisil und Aluminiumoxid (Toluol: Ethylacetat = 1:1 als Laufmittel) filtriert und das Filtrat wurde konzentriert. Der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Toluol: Ethylacetat = 3:1 als Laufmittel) gereinigt, um einen gelben Feststoff zu erhalten. Hexan wurde dem erhaltenen Feststoff zugesetzt, die Mischung wurde mit Ultraschallwellen bestrahlt, und der Feststoff wurde durch Saugfiltration aufgefangen, um 3,7 g eines gelben Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 89 % zu erhalten. Das Syntheseschema von Schritt 1 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0013
  • <Schritt 2: Synthese von (9-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin) (Abkürzung: NfprPPyA)>
  • In einen 200 ml Dreihalskolben wurden 1,4 g (4,1 mmol) 3-(10-Brom-9-anthryl)pyridin, 1,9 g (4,5 mmol) 3-[4-(4,4,5,5-Tetramethyl-[1,3,2]dioxaborolan-2-yl)-phenyl]naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin, 0,13 g (0,41 mmol) Tri(o-tolyl)phosphin und 1,1 g (8,3 mmol) Kaliumcarbonat gegeben, und die Luft im Kolben wurde durch Stickstoff ersetzt. Der Mischung wurden 40 ml Toluol, 8 ml Ethanol und 4 ml Wasser hinzugefügt, und die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast. Der Mischung wurden 19 mg (0,083 mmol) Palladium(II)acetat zugegeben, und die Mischung wurde 10 Stunden lang unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C gerührt. Nach Ablauf einer vorgegebenen Zeit wurde dieser Mischung Wasser hinzugefügt, und der ausgefällte Feststoff wurde durch Saugfiltration aufgefangen. Der erhaltene Feststoff wurde mit Wasser und Methanol gewaschen. Der erhaltene Feststoff wurde durch Kieselgel-Säulenchromatographie (Toluol: Ethylacetat = 9:1 als Laufmittel) gereinigt und mit Toluol umkristallisiert, um 1,3 g (2,4 mmol) eines Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 58 % zu erhalten. Das Syntheseschema von Schritt 2 ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0014
    Figure DE102020119439A1_0015
  • Durch ein Train-Sublimationsverfahren wurden 1,3 g des erhaltenen Feststoffs durch Sublimation gereinigt. Die Reinigung durch Sublimation wurde unter einem Druck von 3,3 Pa mit einer Argongas-Durchflussrate von 15 ml/min bei 320 °C durchgeführt. Nach der Reinigung durch Sublimation wurden 0,94 g eines Pulvers von NfprPPyA mit einer Sammelquote von 73 % erhalten.
  • 27A und 27B zeigen die durch Kernspinresonanz- (1H-NMR-) Spektroskopie erhaltenen Messergebnisse der erhaltenen Verbindung, deren numerische Daten unten dargestellt sind. 1H NMR (CDCI3, 300 MHz): δ = 7,36-7,45 (m, 4H), 7,56-7,74 (m, 6H), 7,78-7,91 (m, 5H), 8,08 (d, J = 8,1 Hz, 1H), 8,13 (d, J = 8,8 Hz, 1H), 8,45 (d, J = 8,4 Hz, 2H), 8,76-8,78 (m, 1H), 8,85 (dd, J = 4,4 Hz, 1,5 Hz, 1H), 9,21 (d, J = 8,4 Hz, 1H), 9,42 (s, 1H). Die Ergebnisse zeigen, dass NfprPPyA in diesem Synthesebeispiel erhalten wurde.
  • [Beispiel 5]
  • In diesem Beispiel werden die Herstellungsverfahren und Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. In jeder der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 enthält eine Elektronentransportschicht ein Elektronentransportmaterial, das das erste Gerüst mit einer Elektronentransporteigenschaft, das zweite Gerüst, das Löcher aufnimmt, und das dritte Gerüst umfasst, das ein monocyclischer π-elektronenarmer heteroaromatischer Ring ist. Insbesondere enthält die Licht emittierende Vorrichtung 2 als Elektronentransportmaterial 4-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin (Abkürzung: BfpmPPyA), die Licht emittierende Vorrichtung 3 enthält 2-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: DBqPPyA), und die Licht emittierende Vorrichtung 4 enthält (9-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin) (Abkürzung: NfprPPyA). Die Strukturformeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien sind unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0016
    Figure DE102020119439A1_0017
  • Zuerst wurde Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthält (ITSO), durch ein Sputterverfahren über einem Glassubstrat abgeschieden, um die Anode 101 auszubilden. Es sei angemerkt, dass die Dicke der Anode 101 70 nm war und die Elektrodenfläche 4 mm2 (2 mm × 2 mm) betrug.
  • Als Nächstes wurde als Vorbehandlung zum Ausbilden der Licht emittierenden Vorrichtung über einem Substrat eine Oberfläche des Substrats mit Wasser gewaschen und eine Stunde lang bei 200 °C gebacken, und dann wurde eine UV-Ozon-Behandlung 370 Sekunden lang durchgeführt.
  • Danach wurde das Substrat in eine Vakuumverdampfungsvorrichtung überführt, in der der Druck auf ungefähr 10-4 Pa verringert wurde, ein Vakuumbacken wurde 30 Minuten lang bei 170 °C in einer Heizkammer der Vakuumverdampfungsvorrichtung durchgeführt, und dann wurde das Substrat ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Als Nächstes wurde das mit der Anode 101 versehene Substrat an einem in der Vakuumverdampfungsvorrichtung vorgesehenen Substrathalter derart befestigt, dass die Seite, auf der die Anode 101 ausgebildet wurde, nach unten zeigte. Dann wurden N,N-Bis(4-biphenyl)-6-phenylbenzo[b]naphtho[1,2-d]furan-8-amin (Abkürzung: BBABnf), dargestellt durch die Strukturformel (i), und ALD-MP001Q (hergestellt von Analysis Atelier Corporation, Material-Seriennummer 1S20180314) auf der Anode 101 in einer Dicke von 10 nm durch Co-Verdampfung unter Verwendung eines Widerstandserwärmungsverfahrens derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von BBABnf zu ALD-MP001Q 1:0,1 betrug, wodurch die Lochinjektionsschicht 111 ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass ALD-MP001Q eine organische Verbindung mit einer Akzeptoreigenschaft ist.
  • Anschließend wurde über der Lochinjektionsschicht 111 BBABnf durch Verdampfung in einer Dicke von 20 nm abgeschieden, um die erste Lochtransportschicht 112-1 auszubilden, und dann wurde 3,3'-(Naphthalin-1,4-diyl)bis(9-phenyl-9H-carbazol) (Abkürzung: PCzN2), dargestellt durch die Strukturformel (ii), durch Verdampfung in einer Dicke von 10 nm abgeschieden, um die zweite Lochtransportschicht 112-2 auszubilden, wodurch die Lochtransportschicht 112 ausgebildet wurde. Es sei angemerkt, dass die zweite Lochtransportschicht 112-2 auch als Elektronenblockierschicht fungiert.
  • Dann wurden 9-(1-Naphthyl)-10-[4-(2-naphthyl)phenyl]anthracen (Abkürzung: aN-βNPAnth), dargestellt durch die Strukturformel (iii), und 3,10-Bis[N-(9-phenyl-9H-carbazol-2-yl)-N-phenylamino]naphtho[2,3-b;6,7-b']bisbenzofuran (Abkürzung: 3,10PCA2Nbf(IV)-02), dargestellt durch die Strukturformel (iv), durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 25 nm derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von αN-βNPAnth zu 3,10PCA2Nbf(IV)-02 1:0,015 betrug, wodurch die Licht emittierende Schicht 113 ausgebildet wurde.
  • Dann wurden über der Licht emittierenden Schicht 113 4-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidin (Abkürzung: BfpmPPyA), dargestellt durch die Strukturformel (viii), und 8-Hydroxychinolinato-Lithium (Abkürzung: Liq), dargestellt durch die Strukturformel (vi), durch Co-Verdampfung in einer Dicke von 25 nm derart abgeschieden, dass das Gewichtsverhältnis von BfpmPPyA zu Liq 1:2 betrug, wodurch die Elektronentransportschicht 114 ausgebildet wurde.
  • Nach der Ausbildung der Elektronentransportschicht 114 wurde Aluminium durch Verdampfung in einer Dicke von 200 nm abgeschieden, um die Kathode 102 auszubilden. Auf diese Weise wurde die Licht emittierende Vorrichtung 2 dieses Beispiels hergestellt.
  • <<Herstellungsverfahren der Licht emittierenden Vorrichtung 3>>
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 3 wurde auf die gleiche Weise wie die Licht emittierende Vorrichtung 2 hergestellt, mit der Ausnahme, dass BfpmPPyA in der Licht emittierenden Vorrichtung 2 durch 2-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: DBqPPyA), dargestellt durch die Strukturformel (ix), ersetzt wurde.
  • <<Herstellungsverfahren der Licht emittierenden Vorrichtung 4>>
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 4 wurde auf die gleiche Weise wie die Licht emittierende Vorrichtung 2 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Elektronentransportschicht 114 durch Co-Verdampfung von (9-{4-[10-(3-Pyridyl)-9-anthryl]phenyl}naphtho[1',2':4,5]furo[2,3-b]pyrazin) (Abkürzung: NfprPPyA), dargestellt durch die Strukturformel (x), und Liq in einer Dicke von 12,5 nm, wobei das Gewichtsverhältnis von NfprPPyA zu Liq 1:2 betrug, und anschließender Co-Verdampfung von NfprPPyA und Liq in einer Dicke von 12,5 nm ausgebildet wurde, wobei das Gewichtsverhältnis von NfprPPyA zu Liq 2:1 betrug.
  • Die Strukturen der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 sind in der folgenden Tabelle aufgeführt.
  • [Tabelle 3]
    Lochinjektionsschicht Lochtransportschicht Licht emittierende Schicht Elektronentransportschicht
    10 nm 30 nm 25 nm 25 nm
    20 nm 10 nm 12,5 nm 12,5 nm
    Licht emittierende Vorrichtung 2 BBABnf: ALD-MP001Q (1:0,1) BBABnf PCzN2 αN-βNPAnth: 3,10PCA2Nbf(IV)-02 (1:0,015) BfpmPPyA:Liq (1:2)
    Licht emittierende Vorrichtung 3 DBqPPyA:Liq (1:2)
    Licht emittierende Vorrichtung 4 NfprPPyA:Liq
    (1:2) (2:1)
  • Die Licht emittierenden Vorrichtungen wurden unter Verwendung eines Glassubstrats in einem eine Stickstoffatmosphäre enthaltenden Handschuhkasten abgedichtet, um nicht der Luft ausgesetzt zu werden (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel derart aufgetragen, dass es die Vorrichtungen umschloss, und beim Abdichten wurden eine UV-Behandlung und eine Wärmebehandlung bei 80 °C 1 Stunde lang durchgeführt). Dann wurden die Anfangseigenschaften und die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messung bei Raumtemperatur durchgeführt wurde.
  • 28 zeigt die Leuchtdichte-Stromdichte-Eigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4. 29 zeigt ihre Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften. 30 zeigt ihre Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften. 31 zeigt ihre Strom-Spannungs-Eigenschaften. 32 zeigt ihre externen Quanteneffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften. 33 zeigt ihre Emissionsspektren. Tabelle 4 zeigt die Haupteigenschaften der Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2.
  • [Tabelle 4]
    Spannung (V) Strom (mA) Stromdichte (mA/cm2) Chromatizität x Chromatizität y Stromeffizienz (cd/A) externe Quanteneffizienz (%)
    Licht emittierende Vorrichtung 2 4,8 0,48 12,1 0,13 0,12 8,1 8,2
    Licht emittierende Vorrichtung 3 4,4 0,54 13,4 0,14 0,11 8,8 9,5
    Licht emittierende Vorrichtung 4 3,8 0,33 8,2 0,14 0,11 11,3 12,2
  • 28 bis 33 und die Tabelle 4 zeigen, dass es sich bei den Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung um blaue Licht emittierende Vorrichtungen mit günstigen Anfangseigenschaften handelt.
  • 34 ist ein Diagramm, das eine Änderung der Leuchtdichte in Bezug auf die Betriebszeit bei einer Stromdichte von 50 mA/cm2 zeigt. Aus 34 geht hervor, dass die Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach Konvergenz der Anfangsänderung eine geringe (flache) Langzeitneigung aufweisen, wodurch sie einen geringen Langzeitabfall und eine lange Lebensdauer aufweisen.
  • In den Licht emittierenden Vorrichtungen 2 bis 4 hat die Lochinjektionsschicht eine Lochtransporteigenschaft und enthält BBABnf mit einem HOMO-Niveau größer als oder gleich -5,7 eV und kleiner als oder gleich -5,4 eV und ALD-MP001Q, das eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf BBABnf aufweist, und die Elektronentransportschicht enthält Liq, das ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz ist.
  • Dementsprechend nimmt die Leuchtdichte der Licht emittierenden Vorrichtung 3 nach Beginn des Betriebs zu und nimmt dann allmählich ab. Dadurch kann sich insbesondere die Zeit, bis die Leuchtdichte um 2 % bis 5 % von der Anfangsleuchtdichte sinkt (die anfängliche Betriebslebensdauer), erheblich verlängern.
  • (Referenzbeispiel 1)
  • In diesem Referenzbeispiel werden Verfahren zur Berechnung der HOMO-Niveaus, der LUMO-Niveaus und der Elektronenbeweglichkeiten der in den Beispielen verwendeten organischen Verbindungen beschrieben.
  • Das HOMO-Niveau und das LUMO-Niveau können durch Messung der zyklischen Voltammetrie (CV) berechnet werden.
  • Ein elektrochemischer Analysator (ALS Modell 600A oder 600C, hergestellt von BAS Inc.) wurde als Messeinrichtung verwendet. Um eine Lösung für die CV-Messung herzustellen, wurde wasserfreies Dimethylformamid (DMF, hergestellt von Sigma-Aldrich Inc., 99,8 %, Katalognr. 22705-6) als Lösungsmittel verwendet, und Tetra-n-butylammoniumperchlorat (n-Bu4NClO4, hergestellt von Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., Katalognr. T0836) wurde als Trägerelektrolyt bei einer Konzentration von 100 mmol/l darin aufgelöst. Des Weiteren wurde das zu messende Objekt ebenfalls bei einer Konzentration von 2 mmol/l darin aufgelöst. Eine Platinelektrode (PTE-Platinelektrode, hergestellt von BAS Inc.) wurde als Arbeitselektrode verwendet, eine weitere Platinelektrode (Pt-Gegenelektrode für VC-3 (5 cm), hergestellt von BAS Inc.) wurde als Hilfselektrode verwendet, und eine Ag/Ag+-Elektrode (RE7-Bezugselektrode für ein nichtwässriges Lösungsmittel, hergestellt von BAS Inc.) wurde als Bezugselektrode verwendet. Es sei angemerkt, dass die Messung bei Raumtemperatur (20 °C bis 25 °C) durchgeführt wurde. Zusätzlich wurde die Abtastgeschwindigkeit bei der CV-Messung auf 0,1 V/s eingestellt, und ein Oxidationspotential Ea [V] und ein Reduktionspotential Ec [V] in Bezug auf die Bezugselektrode wurden gemessen. Das Potential Ea ist ein Zwischenpotential einer Oxidations-Reduktions-Welle und das Potential Ec ist ein Zwischenpotential einer Reduktions-Oxidations-Welle. Da hier die Potentialenergie der Bezugselektrode, die in diesem Beispiel verwendet wurde, in Bezug auf das Vakuumniveaus bekanntermaßen -4,94 [eV] ist, können das HOMO-Niveau und das LUMO-Niveau durch die folgenden Formeln berechnet werden: HOMO-Niveau [eV] = -4,94 - Ea und LUMO-Niveau [eV] = -4,94 - Ec.
  • Die Elektronenbeweglichkeit kann mit einer Impedanzspektroskopie (IS) gemessen werden.
  • Als Verfahren zur Messung der Ladungsträgerbeweglichkeit eines EL-Materials ist seit langem ein Flugzeit- (time-of-flight, TOF-) Verfahren, ein Verfahren, das I-V-Eigenschaften eines raumladungslimitierten Stroms (space-charge-limited current, SCLC) verwendet, oder ähnliches bekannt. Das TOF-Verfahren benötigt eine Probe mit einer viel größeren Dicke als die einer tatsächlichen organischen EL-Vorrichtung. Das SCLC-Verfahren hat den Nachteil, dass z. B. eine Abhängigkeit der Ladungsträgerbeweglichkeit von der elektrischen Feldstärke nicht erzielt werden kann. Da ein organischer Film, der für die Messung mit dem IS-Verfahren benötigt wird, dünn ist (ungefähr einige hundert Nanometer), kann der organische Film aus einer relativ kleinen Menge von EL-Materialien ausgebildet werden, wodurch die Beweglichkeit (Mobilität) mit einer Dicke nahe der Dicke eines Films in einer tatsächlichen EL-Vorrichtung gemessen werden kann. Bei diesem Verfahren kann auch die Abhängigkeit der Ladungsträgerbeweglichkeit von der elektrischen Feldstärke gemessen werden.
  • Bei dem IS-Verfahren wird ein mikrosinusförmiges Spannungssignal (V = V0[exp(jωt)]) an eine EL-Vorrichtung angelegt, und die Impedanz der EL-Vorrichtung (Z= V/I) wird aus einer Phasendifferenz zwischen der Stromamplitude eines Ansprechstromsignals (l = l0exp[j(ωt + ϕ)]) und dem Eingangssignal erhalten. Durch Anlegen der Spannung an die EL-Vorrichtung, während die Frequenz der Spannung von einem hohen Pegel auf einen niedrigen Pegel geändert wird, können Komponenten mit verschiedenen Relaxationszeiten, die zur Impedanz beitragen, getrennt und gemessen werden.
  • Hier kann die Admittanz Y (= 1/Z), die die reziproke Zahl der Impedanz ist, durch den Leitwert G und die Suszeptanz B wie in der folgenden Formel (1) dargestellt werden.
    [Formel 1] Y = 1 Z = G + j B
    Figure DE102020119439A1_0018
  • Darüber hinaus kann mit einem einzigen Injektionsmodell die Berechnung der folgenden Formeln (2) und (3) durchgeführt werden. Dabei ist g in der Formel (4) der differentielle Leitwert. In der Formel steht C für die Kapazität, θ steht für einen Durchgangswinkel (ωt), ω steht für die Kreisfrequenz und t steht für die Durchgangszeit. Für die Analyse werden die Stromgleichung, die Poisson-Gleichung und die Stromkontinuitätsgleichung verwendet, und ein Diffusionsstrom und ein Einfangzustand werden ignoriert.
    [Formel 2] G = g θ 3 6 θ − sin θ ( θ − sin θ ) 2 + ( 2 θ 2 + cos θ − 1 ) 2
    Figure DE102020119439A1_0019
     B = ω C = g θ 3 6 2 θ 2 + cos θ − 1 ( θ − sin θ ) 2 + ( θ 2 2 + cos θ − 1 ) 2
    Figure DE102020119439A1_0020
     g = 9 4 ε μ V 0 d 3
    Figure DE102020119439A1_0021
  • Ein Verfahren zur Berechnung der Beweglichkeit aus den Frequenzeigenschaften der Kapazität ist ein -ΔB-Verfahren. Ein Verfahren zur Berechnung der Beweglichkeit aus den Frequenzeigenschaften des Leitwerts ist ein ωΔG-Verfahren.
  • In der Praxis wird zunächst ein Messgerät aus einem Material hergestellt, dessen Elektronenbeweglichkeit berechnet werden soll. Das Messgerät ist so konstruiert, dass darin nur Elektronen als Ladungsträger fließen. In dieser Beschreibung wird ein Verfahren zur Berechnung der Beweglichkeit aus den Frequenzeigenschaften der Kapazität (das -ΔB-Verfahren) beschrieben. 20 ist eine schematische Darstellung eines in diesem Beispiel verwendeten Messgeräts.
  • Wie in 20 dargestellt, umfasst die in diesem Beispiel hergestellte Messvorrichtung eine erste Schicht 210, eine zweite Schicht 211 und eine dritte Schicht 212 zwischen einer Anode 201 und einer Kathode 202. Das Material, dessen Elektronenbeweglichkeit berechnet werden soll, wird als Material für die zweite Schicht 211 verwendet. Zur Erläuterung wird ein Beispiel gegeben, in dem die Elektronenbeweglichkeit eines Films gemessen wird, der durch Co-Verdampfung von ZADN und Liq in einem Gewichtsverhältnis von 1:1 ausgebildet wird. Ein spezifisches Strukturbeispiel ist in der folgenden Tabelle aufgeführt.
  • [Tabelle 5]
    Anode erste Schicht zweite Schicht dritte Schicht Kathode
    100 nm 50 nm 100 nm 1 nm 200 nm 1 nm 100 nm
    APC NITO Al Liq ZADN:Liq (1:1) Liq Al
  • 21 zeigt die Stromdichte-Spannungs-Eigenschaften der Messvorrichtung, bei der der durch Co-Verdampfung von ZADN und Liq ausgebildete Film als zweite Schicht 211 verwendet wird.
  • Die Impedanz wurde unter den Bedingungen gemessen, dass die Frequenz 1 Hz bis 3 MHz betrug, die Wechselspannung 70 mV betrug und die Gleichspannung im Bereich von 5,0 V bis 9,0 V angelegt wurde. Hier wird die Kapazität aus der Admittanz berechnet, die der Kehrwert der erhaltenen Impedanz ist (obige Formel (1)). 22 zeigt die Frequenzeigenschaften der berechneten Kapazität C bei einer angelegten Spannung von 7,0 V.
  • Die Frequenzeigenschaften der Kapazität C ergeben sich aus einer Phasendifferenz des Stroms, die erzeugt wird, weil eine Raumladung, die durch Ladungsträger erzeugt wird, die durch das Mikrospannungssignal injiziert werden, der Mikro-Wechselspannung nicht vollständig folgen kann. Die Durchgangszeit (Laufzeit) der injizierten Ladungsträger im Film wird durch die Zeit T definiert, bis die Ladungsträger eine Gegenelektrode erreichen, und wird durch die folgende Formel (5) dargestellt.
    [Formel 3] T = 4 3 L 2 μ V 0
    Figure DE102020119439A1_0022
  • Eine negative Suszeptanzänderung (-ΔB) entspricht einem Wert (-ωΔC), der durch Multiplikation einer Kapazitätsänderung -ΔC mit der Kreisfrequenz ω erhalten wird. Gemäß der Formel (3) besteht eine Beziehung zwischen der Peakfrequenz auf der Seite der niedrigsten Frequenz fmax (= ωmax/2π) und der Durchgangszeit T, wie in der folgenden Formel (6) dargestellt.
    [Formel 4] T = 4.5 2 π f m a x '
    Figure DE102020119439A1_0023
  • 23 zeigt die aus der obigen Messung errechneten Frequenzeigenschaften von -ΔB (d. h. -ΔB bei einer Gleichspannung von 7,0 V). Die Peakfrequenz auf der Seite der niedrigsten Frequenz fmax ist in 23 durch einen Pfeil gekennzeichnet.
  • Die Durchgangszeit T ergibt sich aus fmax, die aus der obigen Messung und Analyse erhalten wird (siehe obige Formel (6)); so kann in diesem Beispiel die Elektronenbeweglichkeit bei einer Gleichspannung von 7,0 V aus der obigen Formel (5) erhalten werden. Durch die gleiche Messung mit der Gleichspannung im Bereich von 5,0 V bis 9,0 V kann die Elektronenbeweglichkeit bei jeder Spannung (elektrische Feldstärke) berechnet werden, so dass auch die Abhängigkeit der Beweglichkeit von der elektrischen Feldstärke gemessen werden kann.
  • 24 zeigt die endgültige Abhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit von der elektrischen Feldstärke der organischen Verbindungen, die mit dem obigen Berechnungsverfahren erhalten wurde, und Tabelle 6 zeigt die Werte der Elektronenbeweglichkeit in dem Fall, dass die Quadratwurzel der aus der Abbildung abgelesenen elektrischen Feldstärke [V/cm] 600 [V/cm]1/2 beträgt.
  • [Tabelle 6]
    Elektronenbeweglichkeit (cm2/Vs)
    cgDBCzPA 7,7 ×10-5
    2mDBTBPDBq-II 2,2 ×10-5
    ZADN: Liq (1:1) 3,5 × 10-6
  • Die Elektronenbeweglichkeit kann wie oben beschrieben berechnet werden. Einzelheiten über das Messverfahren können in der folgenden Referenz gefunden werden: T. Okachi et al., Japanese Journal of Applied Physics, Bd. 47, Nr. 12, S. 8965-8972, 2008.
  • (Referenzbeispiel 2)
  • <<Synthesebeispiel 4>>
  • In diesem Referenzbeispiel wird ein in Beispiel 1 verwendetes Verfahren zur Synthese von 2-Phenyl-3-{4-[10-(3-pyridyl)-9-anthryl]phenyl}chinoxalin (Abkürzung: PyA1PQ) beschrieben. Die Struktur von PyA1PQ ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0024
  • In einen 50 ml Dreihalskolben wurden 0,74 g (2,2 mmol) 3-(10-Brom-9-anthryl)pyridin, 0,26 g (0,85 mmol) Tri(ortho-tolyl)phosphin, 0,73 g (2,3 mmol) 4-(3-Phenylchinoxalin-2-yl)phenylboronsäure, 1,3 g (9,0 mmol) einer wässrigen Lösung von Kaliumcarbonat, 40 ml Ethylenglykoldimethylether (DME) und 4,4 ml Wasser gegeben. Die Mischung wurde durch Rühren unter vermindertem Druck entgast, und die Luft im Kolben wurde durch Stickstoff ersetzt.
  • Der Mischung im Kolben wurden 65 mg (0,29 mmol) Palladium(II)acetat zugesetzt, und die Mischung wurde 11 Stunden lang unter einem Stickstoffstrom bei 80 °C gerührt. Nach dem Rühren wurde der Mischung im Kolben Wasser zugegeben, gefolgt von einer Extraktion mit Toluol. Die erhaltene Lösung des Extrakts wurde mit gesättigter Salzlösung gewaschen und mit Magnesiumsulfat getrocknet. Die Mischung wurde schwerkraftfiltriert, und das Filtrat wurde konzentriert, um eine ölige Substanz zu erhalten. Die erhaltene ölige Substanz wurde zweimal durch Kieselgel-Säulenchromatographie gereinigt, zuerst mit Chloroform und dann mit Toluol: Ethylacetat = 5:1, und mit Toluol/Hexan umkristallisiert, um 0,43 g eines gelben Zielfeststoffs in einer Ausbeute von 36 % zu erhalten. Das Syntheseschema ist unten dargestellt.
  • Figure DE102020119439A1_0025
  • Durch ein Train-Sublimationsverfahren wurden 0,44 g des erhaltenen gelben Feststoffs durch Sublimation gereinigt. Bei der Reinigung durch Sublimation wurde der Feststoff 18 Stunden lang bei 260 °C unter einem Druck von 10 Pa mit einer Argongas-Durchflussrate von 5,0 ml/min erwärmt. Nach der Reinigung durch Sublimation wurden 0,35 g eines gelben Zielfeststoffs mit einer Sammelquote von 79 % erhalten.
  • Die durch Kernspinresonanz- (1H-NMR-) Spektroskopie erhaltenen Analyseergebnisse des gelben Feststoffs, der durch die obige Reaktion erhalten wurde, werden unten dargestellt. Die Ergebnisse zeigen, dass PyA1PQ, das durch die obige Strukturformel dargestellt wird, in diesem Beispiel erhalten wurde.
  • 1H NMR (CDCI3, 300 MHz): δ = 7,37-7,50 (m, 9H), 7,56-7,78 (m, 9H), 7,82-7,86 (m, 3H), 8,24-8,30 (m, 2H), 8,75 (dd, J = 1,8 Hz, 0,9 Hz, 1H), 8,84 (dd, J = 4,8 Hz, 1,8 Hz, 1H).
    Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2019-137657 , eingereicht beim japanischen Patentamt am 26. Juli 2019, und auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2020-023785 , eingereicht beim japanischen Patentamt am 14. Februar 2020, deren gesamte Inhalte hiermit zum Gegenstand der vorliegenden Offenlegung gemacht werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2011/065136 [0008]
    • JP 2019137657 [0324]
    • JP 2020023785 [0324]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • T. Okachi et al., Japanese Journal of Applied Physics, Bd. 47, Nr. 12, S. 8965-8972, 2008 [0318]

Claims (33)

  1. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine Anode; eine Kathode; und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die EL-Schicht eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht umfasst, wobei die Elektronentransportschicht zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Kathode angeordnet ist, wobei die Elektronentransportschicht ein Elektronentransportmaterial umfasst, wobei das Elektronentransportmaterial eine organische Verbindung ist, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst, wobei das erste Gerüst konfiguriert ist, ein Elektron zu transportieren, wobei das zweite Gerüst konfiguriert ist, ein Loch aufzunehmen, und wobei das dritte Gerüst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst.
  2. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine Anode; eine Kathode; und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die EL-Schicht eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht umfasst, wobei die Elektronentransportschicht ein Elektronentransportmaterial umfasst, wobei das Elektronentransportmaterial eine organische Verbindung ist, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst, wobei das erste Gerüst konfiguriert ist, ein Elektron zu transportieren, wobei das zweite Gerüst konfiguriert ist, ein Loch aufzunehmen, wobei das zweite Gerüst einen kondensierten aromatischen Kohlenwasserstoff mit zwei oder mehr aromatischen Ringen umfasst, und wobei das dritte Gerüst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst.
  3. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das zweite Gerüst der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoff ist und dieser drei oder mehr aromatische Ringe aufweist.
  4. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Anzahl der Kohlenstoffatome, die die Ringe im zweiten Gerüst bilden, größer oder gleich 14 ist.
  5. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffring aus einem sechsgliedrigen Ring besteht.
  6. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das zweite Gerüst einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Benzofluorenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring oder einen Pyrenring umfasst.
  7. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das zweite Gerüst ein Anthracenring ist.
  8. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Elektronentransportschicht ferner ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz umfasst.
  9. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine Anode; eine Kathode; und eine EL-Schicht zwischen der Anode und der Kathode, wobei die EL-Schicht eine Lochinjektionsschicht, eine Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht umfasst, wobei die Lochinjektionsschicht zwischen der Anode und der Licht emittierenden Schicht angeordnet ist, wobei die Elektronentransportschicht zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Kathode angeordnet ist, wobei die Lochinjektionsschicht ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial umfasst, wobei die Elektronentransportschicht ein Elektronentransportmaterial und ein Metall, ein Metallsalz, ein Metalloxid oder ein organometallisches Salz umfasst, wobei das Lochtransportmaterial eine organische Verbindung ist, die eine Lochtransporteigenschaft und ein HOMO-Niveau von höher als oder gleich -5,7 eV und niedriger als oder gleich -5,4 eV aufweist, wobei das Akzeptormaterial eine Elektronenakzeptoreigenschaft in Bezug auf das Lochtransportmaterial aufweist, wobei das Elektronentransportmaterial eine organische Verbindung ist, die ein erstes Gerüst, ein zweites Gerüst und ein drittes Gerüst umfasst, wobei das erste Gerüst konfiguriert ist, ein Elektron zu transportieren, wobei das zweite Gerüst konfiguriert ist, ein Loch aufzunehmen, und wobei das dritte Gerüst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst.
  10. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das zweite Gerüst ein kondensierter aromatischer Kohlenwasserstoff ist und dieser zwei oder mehr und vier oder weniger aromatische Ringe aufweist.
  11. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das zweite Gerüst einen Naphthalinring, einen Fluorenring, einen Anthracenring, einen Phenanthrenring, einen Tetracenring, einen Chrysenring, einen Triphenylenring oder einen Pyrenring umfasst.
  12. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Anzahl der Kohlenstoffatome, die die Ringe im zweiten Gerüst bilden, größer oder gleich 14 ist.
  13. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei der kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffring aus einem sechsgliedrigen Ring besteht.
  14. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das zweite Gerüst ein Anthracenring ist.
  15. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Akzeptormaterial eine organische Verbindung ist.
  16. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall umfasst.
  17. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der einen Liganden, der Stickstoff und Sauerstoff umfasst, und ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall umfasst.
  18. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Metallkomplex ist, der ein einwertiges Metallion und einen Liganden mit einer 8-Hydroxychinolinatostruktur umfasst.
  19. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Metall, das Metallsalz, das Metalloxid oder das organometallische Salz ein Lithiumkomplex ist, der einen Liganden mit einer 8-Hydroxychinolinatostruktur umfasst.
  20. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das erste Gerüst und das dritte Gerüst in dem Elektronentransportmaterial durch das zweite Gerüst aneinander gebunden sind.
  21. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei ein LUMO des Elektronentransportmaterials hauptsächlich im ersten Gerüst verteilt ist.
  22. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das erste Gerüst einen stickstoffhaltigen kondensierten aromatischen Ring oder einen Triazinring umfasst.
  23. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das erste Gerüst zwei oder mehr Stickstoffatome umfasst.
  24. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das erste Gerüst einen Chinoxalinring, einen Dibenzo[h,g]chinoxalinring, einen Triazinring oder einen Benzofuropyrimidinring umfasst.
  25. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das erste Gerüst einen Chinoxalinring umfasst.
  26. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei ein HOMO des Elektronentransportmaterials hauptsächlich im zweiten Gerüst verteilt ist.
  27. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das dritte Gerüst einen sechsgliedrigen heteroaromatischen Ring umfasst, der ein Stickstoffatom umfasst.
  28. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei das dritte Gerüst ein Pyridinring, ein Pyrimidinring, ein Pyrazinring oder ein Triazinring ist.
  29. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das dritte Gerüst derart an das zweite Gerüst gebunden ist, dass sich Stickstoff an einer β-Position von Kohlenstoff befindet, der an das zweite Gerüst gebunden ist.
  30. Die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das dritte Gerüst ein an einer 3-Position substituierter Pyridinring, ein an einer 5-Position substituierter Pyrimidinring oder ein Pyrazinring ist.
  31. Die Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei die Elektronentransportschicht in Kontakt mit der Kathode steht.
  32. Licht emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 und 9, wobei die Licht emittierende Schicht ein Wirtsmaterial und ein Licht emittierendes Material umfasst, und wobei das Licht emittierende Material eine blaue Fluoreszenz emittiert.
  33. Eine für eine Elektronentransportschicht verwendete Verbindung, umfassend: ein erstes Gerüst; ein zweites Gerüst; und ein drittes Gerüst, wobei das erste Gerüst konfiguriert ist, ein Elektron zu transportieren, wobei das zweite Gerüst konfiguriert ist, ein Loch aufzunehmen, und wobei das dritte Gerüst einen monocyclischen π-elektronenarmen heteroaromatischen Ring umfasst.
DE102020119439.0A 2019-07-26 2020-07-23 Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und Verbindung Pending DE102020119439A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019137657 2019-07-26
JP2019-137657 2019-07-26
JP2020023785 2020-02-14
JP2020-023785 2020-02-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020119439A1 true DE102020119439A1 (de) 2021-01-28

Family

ID=74098740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020119439.0A Pending DE102020119439A1 (de) 2019-07-26 2020-07-23 Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und Verbindung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210028371A1 (de)
JP (1) JP2021122042A (de)
KR (1) KR20210012965A (de)
CN (1) CN112310294A (de)
DE (1) DE102020119439A1 (de)
TW (1) TW202110821A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4199125A1 (de) * 2021-12-14 2023-06-21 Novaled GmbH Organische leuchtdiode, verfahren zu ihrer herstellung und vorrichtung damit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4505067B2 (ja) * 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1437395B2 (de) * 2002-12-24 2015-08-26 LG Display Co., Ltd. Organische elektrolumineszierende Vorrichtung
US8314101B2 (en) * 2007-11-30 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using quinoxaline derivative
KR20160140393A (ko) * 2015-05-29 2016-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
CN105461685B (zh) * 2016-02-03 2018-12-18 上海道亦化工科技有限公司 含有喹喔啉基团的化合物及其有机电致发光器件
CN107954942B (zh) * 2017-12-08 2019-04-09 北京鼎材科技有限公司 苯并吡嗪取代蒽衍生物及有机电致发光器件
CN109180567B (zh) * 2018-09-25 2022-05-20 武汉天马微电子有限公司 氮杂环化合物、显示面板以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112310294A (zh) 2021-02-02
JP2021122042A (ja) 2021-08-26
KR20210012965A (ko) 2021-02-03
US20210028371A1 (en) 2021-01-28
TW202110821A (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112017008343B3 (de) Licht emittierendes Element und Licht emittierende Vorrichtung
DE112018008264B4 (de) Elektronische Vorrichtung
DE112019004819B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102016218696B4 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102015213426B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elekronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und organische Verbindung
DE112016003313T5 (de) Licht emittierendes Element, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112018005069B4 (de) Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102016214546A1 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000691T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät, Anzeigevorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102017223742A1 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung, Anzeigevorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102020117123A1 (de) Material für lochtransportschicht, material für lochinjektionsschicht, organische verbindung, licht emittierende vorrichtung, licht emittierende einrichtung, elektronisches gerät und beleuchtungsvorrichtung
DE112019005070T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102020115543A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronische Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102021107060A1 (de) Arylamin-Verbindung, Material für Lochtransportschicht, Material für Lochinjektionsschicht, Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102021133839A1 (de) Organische Halbleitervorrichtung, organische EL-Vorrichtung, Photodiodensensor, Anzeigevorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112021004268T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019002747T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102020115542A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102022103752A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronische Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102021101501A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000489T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112019003850T5 (de) Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE102020119439A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierendes Gerät, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und Verbindung
DE112019004580T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000101T5 (de) Anthracenverbindung für Wirtsmaterial, Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051540000

Ipc: H10K0085000000

R012 Request for examination validly filed