DE102019208108A1 - Substratstruktur in einem leistungsmodul und herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Substratstruktur in einem leistungsmodul und herstellungsverfahren dafür Download PDF

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Abstract

Eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul und ein Herstellungsverfahren für dieselbe werden offenbart. Die Substratstruktur in einem Leistungsmodul umfasst: eine Metallbasis, umfassend mindestens eine Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, eine Metallmusterschicht, ausgebildet auf der Aushöhlung, und einen Isolierfilm, eingelegt zwischen die Metallbasis und die Metallmusterschicht, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die Aushöhlung ausgeformt ist. Mit diesem Design wird Wärme schnell über die Aushöhlung in die Metallbasis abgeleitet und Überhitzung des Leistungsmoduls kann verhindert werden.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul und ein Herstellungsverfahren für dieselbe.
  • STAND DER TECHNIK
  • Die aktuelle Struktur für eine Metallplatine in einem Leistungsmodul beinhaltet eine Metallbasis 100 (wie etwa Kupfer oder Aluminium), einen Isolierfilm 200, der auf der Metallbasis ausgebildet ist, und eine Metallmusterschicht 300, die auf dem Isolierfilm 200 ausgebildet ist. Leistungschips 400 werden auf der Metallplatine bereitgestellt und mit der Metallmusterschicht 300 mittels eines (nicht gezeigten) Lötmaterials verbunden. Während des häufigen Einschaltens und Ausschaltens der Leistungschips erzeugte Wärme muss abgeleitet werden, um die Zuverlässigkeit der Leistungsfähigkeit des Leistungsmoduls zu verbessern.
  • Ein Weg zum Verbessern der thermischen Leistungsfähigkeit eines Leistungsmoduls besteht darin, den thermischen Widerstand zwischen den Leistungschips und der Metallbasis abzusenken. Der Isolierfilm ist der Hauptfaktor, der die thermische Leistungsfähigkeit des Leistungsmoduls beeinflusst, weil sowohl die Metallmusterschicht als auch das Lötmaterial hohe Wärmeleitfähigkeiten aufweisen. Eine herkömmliche Lösung besteht darin, eine Schicht aus direktgebondetem Kupfer bzw. DBC-Schicht (DBC - Direct Bonded Copper) zwischen der Metallbasis und der Metallmusterschicht auszubilden, anstelle der Verwendung des Isolierfilms, da DBC eine höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist (20W/m ·K-180W/m·K). Allerdings ist die Lösung aufgrund der hohen Kosten von DBC-Material nicht ideal und führt zu einer Dicke des DBC von mehr als 300µm; ganz abgesehen von der während der Herstellung auftretenden Deformation, weil sich der Ausdehnungskoeffizient von DBC von dem von Kupfer unterscheidet.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Um die Wärmeleitfähigkeit eines Leistungsmoduls zu verbessern, wird eine Substratstruktur in dem Leistungsmodul vorgestellt. Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen eines Herstellungsverfahrens für die Substratstruktur.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul: eine Metallbasis, umfassend mindestens eine Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, eine Metallmusterschicht, ausgebildet auf der Aushöhlung, und einen Isolierfilm, eingelegt zwischen die Metallbasis und die Metallmusterschicht, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die Aushöhlung ausgeformt ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul Liefern einer Metallbasis und Vorformen von mindestens einer ersten Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, Ausbilden eines Isolierfilms auf der Oberfläche der Metallbasis, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die erste Aushöhlung ausgeformt ist, Ausbilden einer Metallschicht auf dem Isolierfilm, wobei die Metallschicht ein erstes Gebiet umfasst, das der ersten Aushöhlung entspricht, und ein zweites Gebiet, wobei das erste Gebiet mindestens ein Andruckteil umfasst, Andrücken des Andruckteils zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Aushöhlung auf der oberen Oberfläche der Metallschicht, so dass die andere Oberfläche der Metallschicht zum Anpassen an die erste Aushöhlung ausgeformt wird, Abflachen der Metallschicht, und Ätzen der Metallschicht zum Entfernen des zweiten Gebiets.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul: Liefern einer Metallbasis und Vorformen von mindestens einer Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, Ausbilden eines Isolierfilms auf der Oberfläche der Metallbasis, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die Aushöhlung ausgeformt ist, Ausbilden einer Metallschicht auf dem Isolierfilm, wobei die Metallschicht ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet umfasst, wobei das erste Gebiet eine Auswölbung aufweist, die der Aushöhlung entspricht, und die Auswölbung mit der Aushöhlung ausgerichtet ist, Andrücken der Metallschicht gegen den Isolierfilm, und Ätzen der Metallschicht zum Entfernen des zweiten Gebiets.
  • Mit diesem Design wird der thermische Widerstand mit der Vergößerung der Wärmeflussfläche reduziert. Wärme wird schnell über die Aushöhlung in die Metallbasis abgeführt.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Schnittansicht einer herkömmlichen Struktur eines Leistungsmoduls.
    • 2 ist eine Schnittansicht einer Substratstruktur (mit einem Leistungschip), die durch eine Ausführungsform der Erfindung offenbart wird.
    • 3 ist eine Schnittansicht einer Substratstruktur mit trapezoidalen Aushöhlungen, die durch eine weitere Ausführungsform der Erfindung offenbart wird.
    • 4 veranschaulicht eine Schnittansicht einer Struktur, wenn eine Metallschicht auf einer vorgeformten Metallbasis, die von einem Isolierfilm bedeckt wird, ausgebildet wird.
    • 5 veranschaulicht die Ausbildung von zweiten Aushöhlungen durch Drücken.
    • 6 veranschaulicht die Ausbildung einer Maske zum Abdecken erster Gebiete und zum Freilegen zweiter Gebiete nach dem Polieren der Metallschicht.
    • 7 veranschaulicht eine Schnittansicht des Abflachens der Metallschicht durch Auffüllen der zweiten Aushöhlung mit leitender Paste.
    • 8 veranschaulicht die Ausbildung einer Maske zum Abdecken erster Gebiete und zum Freilegen zweiter Gebiete nachdem die Metallschicht abgeflacht wurde.
    • 9 veranschaulicht eine Schnittansicht einer Substratstruktur mit mehreren kontinuierlichen Grübchen, die durch eine weitere Ausführungsform der Erfindung offenbart wird.
    • 10 veranschaulicht eine Schnittansicht des Drückens der Metallschicht gegen den Isolierfilm zum Anpassen der vorgeformten Metallbasis.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden nun Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. 2 - 10 veranschaulichen Schnittansichten einer Substratstruktur und den Prozess, wie die Substratstruktur herzustellen ist, gemäß Ausführungsformen der Erfindung.
  • Wie in 2 gezeigt ist, umfasst eine Substratstruktur in einem Leistungsmodul eine Metallbasis 1, die Aushöhlungen 11 auf einer oberen Oberfläche davon aufweist, und eine Metallmusterschicht 3, die auf den Aushöhlungen 11 ausgebildet ist. Auf der Metallmusterschicht 3 ist ein Leistungschip 5 vorgesehen und die Breite von jeder der Aushöhlungen liegt dicht an der Breite des Leistungschips. Die Substratstruktur umfasst ferner einen Isolierfilm 2, eingelegt zwischen die Metallbasis 1 und die Metallmusterschicht 3, wobei der Isolierfilm 2 zum Anpassen an die Aushöhlungen 11 ausgeformt ist. Die Metallmusterschicht 3 liefert elektrische Verbindung zwischen Leistungschips, Leistungsquelle und anderen elektrischen Elementen. Nachdem das Leistungsmodul hochgefahren wurde, wird durch die Leistungs-chips Wärme erzeugt und Überhitzung soll verhindert werden.
  • Bevorzugt sind sowohl die Metallbasis 1 als auch die Metallmusterschicht 3 wegen dessen hoher Wärmeleitfähigkeit aus Kupfer hergestellt. In manchen Fällen wird auch Aluminium zum Ausbilden der Metallbasis 1 und der Metallmusterschicht 3 verwendet. Somit ist der Hauptfaktor, der die Wärmeableitung zwischen den Leistungschips und der Metallbasis beeinflusst, die Wärmeleitfähigkeit des Isolierfilms 2, welche in den meisten Fällen aus Harz (wie etwa Silikonharz) hergestellt ist. In alternativen Ausführungsformen kann auch Bornitrid, Aluminiumnitrid, Magnesiumoxid, Aluminiumoxid oder Siliciumoxid als der Isolierfilm verwendet werden.
  • Mit den Aushöhlungen 11 wird der Isolierfilm 2 ausgeformt und die Kontaktfläche zwischen dem Isolierfilm 2 und der Metallbasis 1 wird vergrößert. Somit wird der thermische Widerstand reduziert, da der thermische Widerstand umgekehrt proportional zu der Kontaktfläche ist und Wärme schnell durch die Grenzfläche zwischen dem Isolierfilm 2 und der Metallbasis 1 abgeleitet wird.
  • Bei dieser Ausführungsform werden gekurvte Aushöhlungen verwendet, wobei der Durchschnittsfachmann allerdings erkennt, dass Aushöhlungen mit anderen Gestalten, wie Dreieck oder Trapez, ebenfalls zum Vergrößern der Kontaktfläche verwendet werden können. Bei einer anderen Ausführungsform, bezugnehmend auf 3, werden Trapezaushöhlungen 13 verwendet.
  • Bezugnehmend auf 4 - 6 ist ein Beispielprozessablauf veranschaulicht, der zum Herstellen einer Substratstruktur der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Zunächst wird eine vorgeformte Metallbasis 1 mit ersten Aushöhlungen 11 geliefert und ein Isolierfilm 2 wird auf einer oberen Oberfläche der Metallbasis ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform wird der Isolierfilm durch eine Alumiumoxidpaste ausgebildet, wobei die Alumiumoxidpaste zum Anpassen an die Aushöhlungen 11 ausgeformt wird. In dem nächsten Schritt wird eine Metallschicht 3 auf dem Isolierfilm 2 ausgebildet. Die Metallschicht 3 umfasst ein erstes Gebiet 31, das den ersten Aushöhlungen entspricht, und ein zweites Gebiet 32 (in 5 gezeigt), wobei das erste Gebiet zwei Andruckteile umfasst, in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei anderen Ausführungsformen kann das erste Gebiet eine andere Anzahl von Andruckteilen umfassen. Ein herkömmlicher Metallisierungsprozess kann zum Ausbilden der Metallschicht 3 verwendet werden.
  • Die Andruckteile werden unter 180°C 3 Stunden im Vakuum angedrückt, um mindestens zwei zweite Aushöhlungen 311 durch Deformation des Metalls in dem ersten Gebiet 31 auf der oberen Oberfläche der Metallschicht zu erzeugen, so dass die andere Oberfläche der Metallschicht zum Anpassen an die ersten Aushöhlungen 11 ausgeformt werden kann. Andere Temperaturen von 100°C bis 200°C sind auch machbar und der Andruckprozess könnte 2-3 Stunden andauern. Die obere Oberfläche der Metallschicht wird poliert, um die zweiten Aushöhlungen zu entfernen, da eine flache Oberfläche für die Leistungsmodule benötigt wird. Man betrachte 6, wo eine Maske 4 auf der Metallschicht ausgebildet ist, um das erste Gebiet 31 abzudecken und das zweite Gebiet 32 freizulegen. Als Nächstes wird die Metallschicht geätzt, um das zweite Gebiet 32 zu entfernen und die Maske wird danach entfernt. Daher werden die Metallmusterschicht 3 und somit die Substratstruktur der vorliegenden Erfindung ausgebildet.
  • 7 zeigt eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Statt poliert zu werden, werden die zweiten Aushöhlungen 311 mit einer leitenden Paste 33 gefüllt. Eine Metallpaste mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie etwa Ag-Paste, könnte verwendet werden. In diesem Fall ist die Dosierung der Ag-Paste relativ klein, da nur die zweiten Aushöhlungen mit Ag-Paste gefüllt werden, und somit ist diese Struktur hinsichtlich Produktionskosten und thermischer Wirkung gut ausgewogen. Nehmen wir Bezug auf 8, wo dann eine Maske 4 ausgebildet wird, um das erste Gebiet in dem folgenden Ätzprozess zu schützen. Nachdem das zweite Gebiet 32 entfernt wurde, wird die Metallmusterschicht ausgebildet.
  • Um die Kontaktfläche zwischen dem Isolierfilm 2 und der Metallbasis 1 zu vergrößern und die Dicke der Metallbasis zu verkleinern, werden in einer in 9 gezeigten bevorzugten Ausführungsform Aushöhlungen verwendet, die mehrere kontinuierliche Grübchen 12 aufweisen. Die kontinuierlichen Grübchen werden durch Andrücken mehrerer Andruckteile mit einigen Andruckköpfen ausgebildet.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Substratstruktur der vorliegenden Erfindung durch Andrücken einer Metallschicht 301 (mit der Ausbuchtung 3011) gegen eine vorgeformte Metallbasis 101 mit einem dazwischen liegenden Isolierfilm 201 ausgebildet werden. Bezugnehmend auf 10 umfasst die Metallbasis 101 vorgeformte Aushöhlungen 1011 und der Isolierfilm 201 ist auf der Metallbasis ausgebildet, wobei der Isolierfilm 201 zum Anpassen an die Aushöhlungen 1011 ausgeformt ist (die Deformation des Isolierfilms ist als 2011 gekennzeichnet). Dann wird die Ausbuchtung 3011 mit der Deformation 2011 ausgerichtet und die Metallschicht 301 wird gegen den Isolierfilm gedrückt (unter den oben erwähnten Druckbedingungen). Nach demselben Ätzprozess ist die Substratstruktur ausgebildet.
  • Die Form, Position und Anzahl der Aushöhlung(en) hängt/hängen von der Anzahl und dem Ort der Andruckteile, den Andruckparametern, wie etwa Druck, Temperatur, Dauer und der Form des Andruckkopfs/der Andruckköpfe ab. Ein Durchschnittsfachmann könnte passende Kombinationen der obigen Bedingungen wählen.
  • Eine Reihe von alternativen Strukturelementen und Verarbeitungsschritten wurde für die bevorzugte Ausführungsform vorgeschlagen. Obgleich daher die Erfindung mit Bezugnahme auf spezifische Ausführungsformen beschrieben wurde, ist die Beschreibung für die Erfindung veranschaulichend und ist nicht als die Erfindung beschränkend aufzufassen. Verschiedene Modifikationen und Anwendungen können dem Fachmann in den Sinn kommen, ohne vom wahren Wesen und dem Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie er durch die angehängten Ansprüche definiert ist.

Claims (18)

  1. Substratstruktur in einem Leistungsmodul, umfassend: eine Metallbasis, umfassend mindestens eine Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, eine Metallmusterschicht, ausgebildet auf der Aushöhlung, und einen Isolierfilm, eingelegt zwischen die Metallbasis und die Metallmusterschicht, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die Aushöhlung ausgeformt ist.
  2. Substratstruktur nach Anspruch 1, wobei die Breite der Aushöhlung dicht an der Breite von auf der Metallmusterschicht vorgesehenen Leistungschips liegt.
  3. Substratstruktur nach Anspruch 1, wobei der Querschnitt der Aushöhlung zahnförmig, dreieckig oder trapezförmig ist.
  4. Substratstruktur nach Anspruch 1, wobei die Aushöhlung aus mehreren kontinuierlichen Grübchen zusammengesetzt ist.
  5. Substratstruktur nach einem der Ansprüche 1-4, wobei die Metallbasis aus Kupfer oder Aluminium ist und/oder die Metallmusterschicht aus Kupfer oder Aluminium ist.
  6. Substratstruktur nach einem der Ansprüche 1-4, wobei der Isolierfilm aus Silikonharz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Magnesiumoxid, Aluminiumoxid oder Siliciumoxid hergestellt ist.
  7. Verfahren zum Herstellen einer Substratstruktur in einem Leistungsmodul, umfassend: Liefern einer Metallbasis und Vorformen von mindestens einer ersten Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, Ausbilden eines Isolierfilms auf der Oberfläche der Metallbasis, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die erste Aushöhlung ausgeformt ist, Ausbilden einer Metallschicht auf dem Isolierfilm, wobei die Metallschicht ein erstes Gebiet umfasst, das der ersten Aushöhlung entspricht, und ein zweites Gebiet, wobei das erste Gebiet mindestens ein Andruckteil umfasst, Andrücken des Andruckteils zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Aushöhlung auf der oberen Oberfläche der Metallschicht, so dass die andere Oberfläche der Metallschicht zum Anpassen an die erste Aushöhlung ausgeformt wird, Abflachen der Metallschicht, und Ätzen der Metallschicht zum Entfernen des zweiten Gebiets.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Metallschicht durch Polieren abgeflacht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Metallschicht durch Füllen der zweiten Aushöhlung mit leitender Paste abgeflacht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Andrücken im Vakuum vorgenommen wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Andrücken unter 100°C-200°C vorgenommen wird und 2-3 Stunden andauert.
  12. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Breite der ersten Aushöhlung dicht an der Breite von auf der Metallschicht vorgesehenen Leistungschips liegt.
  13. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das erste Gebiet mehrere Andruckteile umfasst, mehrere kontinuierliche Grübchen durch Andrücken der Andruckteile ausgebildet werden.
  14. Verfahren zum Herstellen einer Substratstruktur in einem Leistungsmodul, umfassend: Liefern einer Metallbasis und Vorformen von mindestens einer Aushöhlung auf einer Oberfläche davon, Ausbilden eines Isolierfilms auf der Oberfläche der Metallbasis, wobei der Isolierfilm zum Anpassen an die Aushöhlung ausgeformt ist, Ausbilden einer Metallschicht auf dem Isolierfilm, wobei die Metallschicht ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet umfasst, wobei das erste Gebiet eine Auswölbung aufweist, die der Aushöhlung entspricht, und die Auswölbung mit der Aushöhlung ausgerichtet ist, Andrücken der Metallschicht gegen den Isolierfilm, und Ätzen der Metallschicht zum Entfernen des zweiten Gebiets.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Andrücken im Vakuum vorgenommen wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Andrücken unter 100°C-200°C vorgenommen wird und 2-3 Stunden andauert.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Breite der Aushöhlung dicht an der Breite von auf der Metallschicht vorgesehenen Leistungschips liegt.
  18. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Aushöhlung mehrere kontinuierliche Grübchen umfasst.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262636A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 松下電工株式会社 金属ベ−ス積層板
US20070128772A1 (en) * 2003-04-15 2007-06-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base circuit board and its manufacturing method
US20140138839A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power semiconductor module

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262636A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 松下電工株式会社 金属ベ−ス積層板
US20070128772A1 (en) * 2003-04-15 2007-06-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base circuit board and its manufacturing method
US20140138839A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power semiconductor module

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