DE102019117580A1 - Organische-licht-emittierende-diode-displayvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) weist ein Substrat (101), eine Deckschicht (108) auf dem Substrat (101) auf, aufweisend eine Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) und eine Mehrzahl konkaver Abschnitte (118), eine erste Elektrode (111) auf der Deckschicht (108), eine lichtemittierende Schicht (113) auf der ersten Elektrode (111) und aufweisend eine erste Emissionsmaterialschicht (203a), und eine zweite Elektrode (113) auf der lichtemittierenden Schicht (113), wobei die erste emittierende Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) beabstandet ist von der zweiten Elektrode (113) durch einen ersten Abstand, und die erste emittierende Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) beabstandet ist von der zweiten Elektrode (113) durch einen zweiten Abstand, der verschieden ist vom ersten Abstand.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, und insbesondere eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, bei welcher eine Lichtextraktionseffizienz verbessert ist.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • Da in letzter Zeit, mit dem Aufkommen einer informationsorientierten Gesellschaft ein Interesse an Informationsdisplays zum Verarbeiten und Darstellen einer riesigen Menge von Informationen und ein Bedarf an tragbaren Informationsmedien gestiegen ist, gab es eine schnelle Entwicklung im Bereich Displays. Dementsprechend wurden verschiedene leichte und dünne Flachbildschirmvorrichtungen entwickelt und in Szene gesetzt.
  • Als eine der verschiedenen Flachbildschirmvorrichtungen ist eine organische-Licht-emittierende-Diode (OLED) Displayvorrichtung eine Vorrichtung vom Emissionstyp und benötigt keine Hintergrundbeleuchtungseinheit, welche in einer Vorrichtung vom nicht-Emissionstyp wie beispielsweise einer Flüssigkristalldisplay- (LCD)-Vorrichtung verwendet wird. Demzufolge hat die OLED Displayvorrichtung ein niedriges Gewicht und ein dünnes Profil.
  • Ferner hat die OLED Displayvorrichtung Vorteile hinsichtlich eines Betrachtungswinkels, eines Kontrastverhältnisses und eines Energieverbrauchs, verglichen mit der LCD-Vorrichtung. Darüber hinaus kann die OLED Displayvorrichtung mit einer niedrigen Gleichspannung (DC) betrieben werden und hat eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit. Da außerdem innere Elemente der OLED Displayvorrichtung Feststoffe sind, weist die OLED Displayvorrichtung eine hohe Beständigkeit gegenüber Stößen von außen auf und verfügt über einen breiten verfügbaren Temperaturbereich.
  • In der OLED Displayvorrichtung geht von Licht, welches von einer lichtemittierenden Schicht emittiert wurde, beim Hindurchtreten durch verschiedene Komponenten und beim Emittiertwerden nach außen eine große Menge des Lichts verloren.. Deshalb beträgt das Licht, das an einen Außenbereich der OLED Displayvorrichtung emittiert wird, nur 20% des Lichts, das von der lichtemittierenden Schicht emittiert wurde.
  • Da hier die Menge des Lichts, welches von der lichtemittierenden Schicht emittiert wird, mit einer Strommenge, welche der OLED Displayvorrichtung zugeführt wird, erhöht wird, ist es möglich, eine Leuchtdichte der OLED Displayvorrichtung mittels Zuführens höherer Ströme zur lichtemittierenden Schicht weiter zu erhöhen. Allerdings wird in diesem Fall ein Energieverbrauch erhöht, und eine Lebensdauer der OLED Displayvorrichtung wird auch verringert.
  • Deshalb wurde, um eine Lichtextraktionseffizienz der OLED Displayvorrichtung zu verbessern, eine OLED Displayvorrichtung, bei welcher ein Mikrolinsenarray (MLA) an einer Außenfläche eines Substrats angebracht ist, oder eine Mikrolinse in einer Deckschicht gebildet ist, vorgeschlagen.
  • Allerdings ist eine Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe wegen eines relativ hohen Reflexionswerts verschlechtert, wenn das Mikrolinsenarray an der Außenfläche des Substrats angebracht ist, oder eine Mikrolinse in einer Deckschicht gebildet ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gerichtet, welche im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme wegen der Beschränkungen und Nachteile der bezogenen Technik überwindet.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung bereitzustellen, bei welcher eine Lichtextraktionseffizienz verbessert ist und eine Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe verbessert ist mittels Verringerns eines Reflexionswerts.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung erläutert und werden teilweise anhand der Beschreibung ersichtlich sein, oder werden erkannt beim Ausführen der Erfindung. Diese und weitere Vorteile der Erfindung werden verwirklicht und erzielt mittels der Struktur, welche besonders in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen hervorgehoben ist.
  • Um diese und andere Vorteile in Übereinstimmung mit dem Zweck der vorliegenden Erfindung, wie sie hierin ausgestaltet und breit beschrieben ist, zu erzielen, weist eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung auf ein Substrat, eine Deckschicht auf dem Substrat, welche eine Mehrzahl konvexer Abschnitte und eine Mehrzahl konkaver Abschnitte aufweist, eine erste Elektrode auf der Deckschicht, eine lichtemittierende Schicht, welche eine erste emittierende Materialschicht aufweist, auf der ersten Elektrode, und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei die erste emittierende Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte beabstandet ist von der zweiten Elektrode durch einen ersten Abstand, und wobei die erste emittierende Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte beabstandet ist von der zweiten Elektrode durch einen zweiten Abstand, der sich vom ersten Abstand unterscheidet.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zumindest einer der Mehrzahl konvexer Abschnitte einen unteren Flächenabschnitt, einen oberen Flächenabschnitt und einen seitlichen Flächenabschnitt zwischen dem unteren Flächenabschnitt und dem oberen Flächenabschnitt aufweisen.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Neigungsgrad des seitlichen Flächenabschnitts vom unteren Flächenabschnitt zum oberen Flächenabschnitt ansteigen, und der seitliche Flächenabschnitt kann einen maximalen Neigungsgrad in einem effektiven Emissionsbereich aufweisen.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ermittelt werden mittels einer folgenden Gleichung: L1 = D1 * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und L1 kann ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein, D1 kann ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte sein, und θ kann ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine zweite emittierende Materialschicht zwischen der ersten emittierenden Materialschicht und der ersten Elektrode aufweisen, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ermittelt werden kann mittels einer folgenden Gleichung: L2 = D2 * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und wobei L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, D2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte sein kann, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein kann.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine dritte emittierende Materialschicht zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht und der erste Elektrode aufweisen, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ermittelt werden kann mittels einer folgenden Gleichung: L3 = ((D2 + D3)/2) * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und wobei L3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, D3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte sein kann, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein kann.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ungefähr 585Å betragen, mit einer Fehlerspanne von ±5%, wobei der Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ungefähr 2880Ä betragen kann, mit einer Fehlerspanne von ±5%, und wobei der Abstand von der zweiten Elektrode zu der dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ungefähr 3630Ä betragen kann, mit einer Fehlerspanne von ±5%.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ermittelt werden mittels einer folgenden Gleichung:
    • Y1 = L1 * (1/cos θ), L1 ≤ Y1, und θ = 20° - 60°, wobei Y1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, L1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein kann.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine zweite emittierende Materialschicht zwischen der ersten emittierenden Materialschicht und der ersten Elektrode aufweisen, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ermittelt werden kann mittels einer folgenden Gleichung: Y2 = L2 * (1/cos θ), Y2 * cos60° ≤ L2 ≤ Y2 * cos20°, und θ = 20° - 60°, wobei Y2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein kann.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine dritte emittierende Materialschicht zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht und der erste Elektrode aufweisen, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ermittelt werden kann mittels einer folgenden Gleichung: Y3 = L3 * (1/cos θ), Y3 * cos60° ≤ L3 ≤ Y3 * cos20°, und θ = 20° - 60°, wobei Y3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, L3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte sein kann, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt sein kann.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die lichtemittierende Schicht eine Dicke von ungefähr 3000Ä bis 3500Ä aufweisen.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die der Mehrzahl konvexer Abschnitte entspricht, kleiner sein als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die der Mehrzahl konkaver Abschnitte entspricht.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste emittierende Materialschicht und die dritte emittierende Materialschicht Licht einer ersten Farbe emittieren, und die zweite emittierende Materialschicht kann Licht einer zweiten Farbe emittieren, welche verschieden ist von der ersten Farbe.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Farbe einer Wellenlänge von ungefähr 440nm bis 480nm entsprechen, und die zweite Farbe kann einer Wellenlänge von ungefähr 510nm bis 590nm entsprechen.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste emittierende Materialschicht, die zweite emittierende Materialschicht und die dritte emittierende Materialschicht eine erste blau emittierende Schicht, eine gelb-grün emittierende Schicht, beziehungsweise eine zweite blau emittierende Schicht aufweisen.
  • Es ist zu verstehen, dass sowohl die obige allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu dienen, eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, welche beigefügt werden, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu ermöglichen, und welche von der Spezifikation umfasst sind und einen Teil dieser Spezifikation bilden, veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung und dienen, zusammen mit der Beschreibung, dazu, Grundzüge der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen:
    • ist 1 eine Querschnittsansicht, welche eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • ist 2 eine vergrößerte Ansicht von A aus 1;
    • ist 3 eine Querschnittsansicht, welche eine Licht emittierende Diode einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • sind 4A, 4B und 4C Graphen, welche eine Intensität von Licht in Abhängigkeit von einer Position einer ersten, zweiten bzw. dritten emittierenden Materialschicht, einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigen;
    • sind 5A und 5B Graphen, welche eine Intensität von Licht entsprechend einer Wellenlänge von Licht, welches aus einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, die eine Mikrolinse aufweist, bzw. aus einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung extrahiert wurde;
    • ist 6 ein Graph, welcher einen Reflexionswert einer Mikrolinse in Abhängigkeit von einem Aspektverhältnis einer Mikrolinse einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt; und
    • sind 7A, 7B und 7C Graphen, welche eine Emissionseffizienz zeigen in Abhängigkeit von einer Spannung von roten, grünen bzw. blauen Sub-Pixeln einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Es wird nun detailliert Bezug genommen auf die vorliegende Offenbarung, wovon Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • 1 eine Querschnittsansicht, welche eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt. Alle Komponenten der organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtungen gemäß allen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sind funktionsfähig gekoppelt und eingerichtet.
  • In 1 kann eine organische-Licht-emittierende-Diode (OLED) Displayvorrichtung 100 vom Topemittertyp oder vom Bottomemittertyp sein, abhängig von einer Lichtemissionsrichtung. Eine Bottomemittertyp OLED Displayvorrichtung kann hierin im Folgenden beispielhaft erläutert werden.
  • Die OLED Displayvorrichtung 100 weist ein Substrat 101 auf, welches einen Treiber-Dünnfilmtransistor (TFT) DTr und eine Licht emittierende Diode E darauf aufweist, und einen Schutzfilm 102, welcher das Substrat 101 einkapselt.
  • Das Substrat 101 weist eine Mehrzahl von Pixelbereichen P auf, und jeder Pixelbereich P weist ein Emissionsgebiet EA auf, wo die Licht emittierende Diode E angeordnet ist und ein Bild im Wesentlichen dargestellt wird, und ein Nichtemissionsgebiet NEA entlang einer Kante des Emissionsgebiets EA. Das Nichtemissionsgebiet NEA weist ein Schaltgebiet TrA auf, wo der Treiber-TFT DTr angeordnet ist.
  • Eine Halbleiterschicht 103 ist in dem Schaltgebiet TrA des Nichtemissionsgebiets NEA des Pixelbereichs P auf dem Substrat 101 angeordnet. Die Halbleiterschicht 103 kann Silizium aufweisen und kann ein aktives Gebiet 103a in einem mittleren Bereich, und Source- und Drain-Gebiete 103b und 103c an beiden Seitenbereichen des aktiven Gebiets 103a aufweisen. Das aktive Gebiet 103a kann als ein Kanal des Treiber-TFT DTr, wirken, und die Source- und Drain-Gebiete 103b bzw. 103c können dotiert sein mit Verunreinigungen relativ hoher Konzentration.
  • Eine Gate-Isolierschicht 105 ist auf der Halbleiterschicht 103 angeordnet.
  • Eine Gateelektrode 107 und eine Gateleitung sind auf der Gate-Isolierschicht 105 angeordnet. Die Gateelektrode 107 entspricht dem aktiven Gebiet 103a der Halbleiterschicht 103, und die Gateleitung ist mit der Gateelektrode 107 verbunden, um sich entlang einer Richtung zu erstrecken.
  • Eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 109a ist auf der Gateelektrode 107 und der Gateleitung angeordnet. Die erste Isolierschicht 109a und die Gate-Isolierschicht 105 weist eine erste und eine zweite Halbleiter-Kontaktöffnung 116 auf, welche das Source-Gebiet und das Drain-Gebiet 103b bzw. 103c an beiden Seitenbereichen des aktiven Gebiets 103a freilegt.
  • Die Sourceelektrode und die Drainelektrode 110a bzw. 110b sind voneinander beabstandet auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 109a, welche die erste und die zweite Halbleiter-Kontaktöffnung 116 aufweist, angeordnet. Die Sourceelektrode 110a ist mit dem Source-Gebiet 103b durch die erste Halbleiter-Kontaktöffnung 116 verbunden, und die Drain-Elektrode 110b ist mit dem Drain-Gebiet 103c durch die zweite Halbleiter-Kontaktöffnung 116 verbunden.
  • Eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 109b ist auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode 110a und 110b angeordnet, und die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 109a ist zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode 110a und 110b freigelegt.
  • Die Sourceelektrode und die Drainelektrode 110a und 110b, die Halbleiterschicht 103 einschließlich des Source-Gebiets und des Drain-Gebiets 103b bzw. 103c, welche die Sourceelektrode bzw. die Drainelektrode 110a und 110b kontaktieren, die Gate-Isolierschicht 105 und die Gateelektrode 107 bilden den Treiber-TFT DTr.
  • Eine Datenleitung kann auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 109b angeordnet sein. Die Datenleitung kann die Gateleitung kreuzen, um jeden Pixelbereich P zu definieren. Ein Schalt-TFT, welcher dieselbe Struktur aufweist wie der Treiber-TFT DTr, kann mit dem Treiber-TFT DTr verbunden sein.
  • Der Schalt-TFT und der Treiber-TFT DTr können beispielsweise vom Top-Gate-Typ sein, bei welchem die Halbleiterschicht 103 polykristallines Silizium oder ein Oxid-HalbleiterMaterial aufweist. In einem anderen Ausführungsbeispiel können der Schalt-TFT und der Treiber-TFT DTr vom Bottom-Gate-Typ sein, bei welchem die Halbleiterschicht 103 intrinsisches amorphes Silizium und verunreinigungsdotiertes amorphes Silizium aufweist.
  • Das Substrat 101 kann ein Glas oder einen flexiblen transparenten Kunststoff wie z.B. Polyimid aufweisen. Beispielsweise kann Polyimid, welches wegen einer ausgezeichneten thermischen Widerstandsfähigkeit einen Ablagerungsschritt relativ hoher Temperatur toleriert, für das Substrat 101 genutzt werden. Eine gesamte Vorderfläche des Polyimidsubstrats kann mit mindestens einer Pufferschicht bedeckt sein.
  • Eine Schwellspannung des Treiber-TFT DTr im Schaltgebiet TrA kann durch Licht verschoben werden. Um die Verschiebung der Schwellspannung zu verhindern, kann die OLED Displayvorrichtung 100 ferner eine Lichtabschirmschicht unter der Halbleiterschicht 103 aufweisen.
  • Die Lichtabschirmschicht zwischen dem Substrat 101 und der Halbleiterschicht 103 angeordnet sein, um Licht zu blockieren, welches durch das Substrat 101 auf die Halbleiterschicht 103 fällt. Als eine Folge davon wird die Schwellspannungsverschiebung durch das Licht von außen minimiert oder verhindert. Die Lichtabschirmschicht kann mit der mindestens einen Pufferschicht bedeck sein.
  • Eine Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 ist auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 109b angeordnet, welche dem Emissionsgebiet EA jedes Pixelbereichs P entspricht.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 kann einen Farbfilter aufweisen, welcher von dem weißen Licht, welches von der Licht emittierenden Diode E zum Substrat 101 emittiert wird, nur Licht, welches eine Wellenlänge einer vorbestimmten Farbe aufweist, hindurchtreten lässt.
  • Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 kann nur Licht, welches eine Wellenlänge, die einer roten Farbe, einer grünen Farbe oder einer blauen Farbe entspricht, hindurchtreten lassen. Beispielsweise kann in der OLED Displayvorrichtung 100 ein einzelner Pixeleinheitsbereich rote, grüne und blaue Pixelbereiche P aufweisen, und die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 kann in dem roten, dem grünen bzw. dem blauen Pixelbereich P einen roten, einen grünen bzw. einen blauen Farbfilter aufweisen.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 kann der einzelne Pixeleinheitsbereich ferner einen weißen Pixelbereich aufweisen, in welchem die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 nicht angeordnet ist.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt aufweisen, welcher eine Größe aufweisen kann, welche es ermöglicht, Licht einer vorbestimmten Farbe zu emittieren, welche dem jeweiligen Pixelbereich P entspricht in Abhängigkeit von einem weißen Licht, welches von der Licht emittierenden Diode E zum Substrat 101 emittiert wird. Hierbei kann der Quantenpunkt wenigstens eines aufweisen, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, welche aufweist: CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs und SbTe. Allerdings ist ein Material des Quantenpunkts nicht darauf beschränkt.
  • Beispielsweise kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 im roten Pixelbereich einen Quantenpunkt aus CdSe oder InP aufweisen, die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 im grünen Pixelbereich kann Quantenpunkt aus CdZnSeS aufweisen, und die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 im blauen Pixelbereich kann einen Quantenpunkt aus ZnSe aufweisen. Die OLED Displayvorrichtung 100, bei welcher die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt aufweist, kann eine relativ hohe Farb-Reproduzierbarkeit aufweisen.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Farbfilter aufweisen, der einen Quantenpunkt enthält.
  • Eine Deckschicht 108, welche eine erste Drain-Kontaktöffnung 108a aufweist, welche die Drainelektrode 110b mit der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 109b freilegt, ist auf der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 angeordnet. Die Deckschicht 108 weist eine Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 und eine Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 auf einer oberen Fläche davon auf. Die Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 und die Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 sind einander abwechselnd angeordnet, um eine Mikrolinse ML zu bilden.
  • Die Deckschicht 108 kann ein Isoliermaterial aufweisen, welches einen Brechungsindex von 1.5 hat. Beispielsweise kann die Deckschicht 108 eines aufweisen von Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz, Polyimidharz, ungesättigtes Polyesterharz, Polyphenylenharz, Polyphenylensulfidharz, Benzocyclobuten und Fotolack.
  • Die Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 kann eine Struktur aufweisen, um die Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 zu definieren bzw. zu umgeben, und kann einen unteren Flächenabschnitt 117a, einen oberen Flächenabschnitt 117b und einen seitlichen Flächenabschnitt 117c aufweisen. Der seitliche Flächenabschnitt 117c kann eine gesamte geneigte Fläche sein, welche den oberen Flächenabschnitt 117b bildet. Ein Neigungsgrad des seitlichen Flächenabschnitts 117c kann vom unteren Flächenabschnitt 117a zum oberen Flächenabschnitt 117b ansteigen, so dass der seitliche Flächenabschnitt 117c kann einen maximalen Neigungsgrad Smax in einem Bereich, der zum oberen Flächenabschnitt 117b benachbart ist, aufweisen.
  • Da ein Pfad von Licht, welches von der lichtemittierenden Schicht 113 zum Substrat 101 hin emittiert wird, durch die Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 geändert wird, steigt die Lichtextraktionseffizienz der OLED Displayvorrichtung 100.
  • Eine erste Elektrode 111, die mit der Drainelektrode 110b des Treiber-TFT DTr verbunden ist, ist auf der Deckschicht 108, die die Mikrolinse ML bildet, angeordnet. Beispielsweise kann die erste Elektrode 111 eine Anode der Licht emittierenden Diode E sein und kann ein Material aufweisen, das eine relativ hohe Austrittsarbeit hat.
  • Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich P angeordnet, und eine Bank 119 ist zwischen den ersten Elektroden 111 in den benachbarten Pixelbereichen P angeordnet. Die erste Elektrode 111 in jedem Pixelbereich P getrennt, mit der Bank 119 als eine Grenze zwischen den benachbarten Pixelbereichen P.
  • Die Bank 119 weist eine Öffnung auf, welche die erste Elektrode 111 freilegt, und die Öffnung der Bank 119 ist angeordnet, um dem Emissionsgebiet EA zu entsprechen. Die Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 und die Mehrzahl konkaver Abschnitte 118, welche die Mikrolinse ML bilden, sind in einer gesamten Öffnung der Bank 119 angeordnet. Beispielsweise können die Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 und die Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 einen Randbereich der Bank 119 berühren.
  • Ferner ist die Öffnung der Bank 119 angeordnet um der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 zu entsprechen. Beispielsweise kann der Randbereich der Bank 119 einen Randbereich der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 überlappen. Da die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 die Bank 119 überlappt, kann ein Lecken von Licht, das nicht durch die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 hindurchtritt, verhindert werden.
  • Eine lichtemittierende Schicht 113 ist auf der ersten Elektrode 111 angeordnet. Die lichtemittierende Schicht 113 kann eine Einzelschicht eines emittierenden Materials aufweisen. Alternativ kann die lichtemittierende Schicht 113 eine Mehrfachschicht aufweisen, die eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emissionsmaterialschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweist, um eine Emissionseffizienz zu erhöhen.
  • Die erste Elektrode 111 und die lichtemittierende Schicht 113, die nacheinander auf der Deckschicht 108 angeordnet sind, können eine Form entsprechend einer Morphologie der Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 und der Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 der obersten Fläche der Deckschicht 108 aufweisen, um die Mikrolinse ML zu bilden.
  • Die lichtemittierende Schicht 113 kann unterschiedliche Dicken aufweisen im konvexen Abschnitt 117 und im konkaven Abschnitt 118 der Mikrolinse ML.
  • Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in einem Bereich, der dem seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117 der Mikrolinse ML entspricht, kann kleiner sein als die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in einem Bereich, der dem konkaven Abschnitt 118 der Mikrolinse ML entspricht. Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kann definiert sein als eine Länge senkrecht zu einer tangentialen Linie C1 und C2 (aus 2) der oberen und der unteren Fläche der lichtemittierenden Schicht 113.
  • Da in der OLED Displayvorrichtung 100 die lichtemittierende Schicht 113 im konvexen Abschnitt 117 und im konkaven Abschnitt 118, welche die Mikrolinse ML bilden, unterschiedliche Dicken aufweist, ist ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c (von 3) der lichtemittierenden Schicht 113 im konkaven Abschnitt 118 der Mikrolinse ML verschieden von einem Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in der seitliche Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117 der Mikrolinse ML.
  • Dementsprechend sind in der OLED Displayvorrichtung 100 die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c in der lichtemittierenden Schicht 113, welche die Mikrolinse ML bildet, angeordnet.
  • Da die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c an bestimmten Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113, welche die Mikrolinse ML bildet, angeordnet sind, ist die Lichtextraktionseffizienz des Lichts, welches von der Licht emittierenden Diode E emittiert wird, erhöht, und die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe ist verbessert.
  • Eine zweite Elektrode 115 ist auf der gesamten lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 115 eine Kathode sein.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine Form entsprechend einer Morphologie der Mehrzahl konvexer Abschnitte 117 und der Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 der oberen Fläche der Deckschicht 108 aufweisen, um die Mikrolinse ML zu bilden.
  • Wenn entsprechend einem Signal eine Spannung angelegt wird an die erste Elektrode 111 und an die zweite Elektrode 115, werden ein Loch, welches von der ersten Elektrode 111 injiziert wird, und ein Elektron, welches von der zweiten Elektrode 115 injiziert wird, zur lichtemittierenden Schicht 113 übertragen, um ein Exziton zu bilden. Wenn das Exziton von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergeht, kann Licht von der lichtemittierenden Schicht 113 als ein sichtbarer Strahl emittiert werden.
  • Das Licht der lichtemittierenden Schicht 113 kann durch die transparente erste Elektrode 111 hindurchtreten, um zu einem Außenbereich hin emittiert zu werden, so dass ein Bild dargestellt wird.
  • Da die Deckschicht 108 die Mikrolinse ML bildet, kann das Licht, das wegen einer Totalreflexion auf das Innere der lichtemittierenden Schicht beschränkt ist, mit einem Winkel übertragen werden, der Kleiner ist als ein kritischer Winkel der Totalreflexion durch die Mikrolinse ML der Deckschicht 108 übertragen werden, um mittels Mehrfachreflexion zu einem Außenbereich hin extrahiert zu werden. Somit ist die Lichtextraktionseffizienz der OLED Displayvorrichtung 100 verbessert.
  • Da außerdem die Mikrolinse ML der Deckschicht 108, die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 in der gesamten Öffnung der Bank 119, die dem Emissionsgebiet EA entspricht, angeordnet sind, wird das gesamte Emissionsgebiet EA für die Mikrolinse ML genutzt und die Lichtextraktionseffizienz ist maximiert.
  • Eine Schutzschicht 102 vom Dünnschichttyp ist auf dem Treiber-TFT DTr und der Licht emittierenden Diode E angeordnet, und eine Gleitringdichtung 104 ist zwischen der Licht emittierenden Diode E und der Schutzschicht 102 angeordnet. Die Gleitringdichtung 104 kann ein organisches Material oder ein inorganisches Material aufweisen, welches transparent ist und eine haftende Eigenschaft hat. Die Schutzschicht 102 und das Substrat 101 können aneinander angebracht sein, um die OLED Displayvorrichtung 100 zu verkapseln.
  • Um ein Eindringen von Sauerstoff und Feuchtigkeit von außen in einen Innenbereich der OLED Displayvorrichtung 100 zu verhindern, kann die Schutzschicht 102 mindestens zwei inorganische Schutzschichten aufweisen. Eine organische Schutzschicht zum Ergänzen einer Aufprall-Widerstandsfähigkeit der mindestens zwei inorganischen Schutzschichten kann zwischen den mindestens zwei inorganischen Schutzschichten eingefügt sein.
  • In der Struktur, in welcher die organische Schutzschicht und die inorganische Schutzschicht abwechselnd miteinander laminiert sind, kann die inorganische Schutzschicht die organische Schutzschicht vollständig umhüllen, so dass Eindringen der Feuchtigkeit und des Sauerstoffs durch eine Seitenfläche der organischen Schutzschicht verhindert wird.
  • Folglich kann ein Eindringen der Feuchtigkeit und des Sauerstoffs von außen zum Innenbereich der OLED Displayvorrichtung 100 verhindert werden.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 kann eine Polarisationsplatte zum Verhindern einer Verminderung eines Kontrastverhältnisses wegen Lichts von außen auf einer Außenfläche des transparenten Substrats 101 angeordnet sein. Da die Polarisationsplatte auf einer Fläche der OLED Displayvorrichtung 100 in einem Betriebszustand, in welchem Licht von der lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, angeordnet ist, wird das Kontrastverhältnis erhöht.
  • Da in der OLED Displayvorrichtung 100 die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c an bestimmten Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113, welche die Mikrolinse ML bildet, angeordnet sind, ist wegen der Deckschicht 108 die Lichtextraktionseffizienz des Lichts, das von der Licht emittierenden Diode E emittiert wird, erhöht und verbessert.
  • 2 ist eine vergrößerte Ansicht von A aus 1.
  • In 2 sind die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 nacheinander auf der Deckschicht 108, welche die Mikrolinse ML aus der Mehrzahl konkaver Abschnitte 118 und der Mehrzahl konvexer Abschnitte 117, die einander abwechseln, angeordnet. Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 bilden die Licht emittierende Diode E.
  • Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 haben eine Form entsprechend einer Morphologie der obersten Fläche der Deckschicht 108, um die Mikrolinse ML zu bilden.
  • Jeder konvexe Abschnitt 117 kann einen unteren Flächenabschnitt 117a, einen oberen Flächenabschnitt 117b und einen seitlichen Flächenabschnitt 117c aufweisen. Der seitliche Flächenabschnitt 117c kann eine Gesamtheit einer geneigten Fläche sein, welche den obersten Flächenabschnitt 117b bildet.
  • Der seitliche Flächenabschnitt 117c kann unterteilt sein in einen unteren Bereich LA, einen mittleren Bereich MA und einen oberen Bereich UA entsprechend einer Gesamthöhe H zwischen dem unteren Flächenabschnitt 117a und dem obersten Flächenabschnitt 117b. Der untere Bereich LA kann definiert sein als ein Bereich vom unteren Flächenabschnitt 117a bis zu einer Hälfte der Gesamthöhe H (H/2).
  • Der mittlere Bereich MA zwischen dem unteren Bereich LA und dem oberen Bereich UA kann definiert sein als ein Bereich von der Hälfte der Gesamthöhe H (H/2) bis zu vier Fünftel der Gesamthöhe H (4H/5). Der obere Bereich UA kann definiert sein als ein Bereich von den vier Fünfteln der Gesamthöhe H (4H/5) bis zum oberen Flächenabschnitt 117b.
  • Um die Lichtextraktionseffizienz der lichtemittierenden Schicht 113 weiter zu erhöhen, kann der konvexe Abschnitt 117 der Deckschicht 108 eine Struktur haben, bei welcher der oberste Flächenabschnitt 117b eine spitze Form hat. Beispielsweise kann der konvexe Abschnitt 117 einen Querschnitt von Dreieckform aufweisen, einschließlich eines Scheitelpunkts, welcher dem obersten Flächenabschnitt 117b entspricht, einer Unterseite, welche dem unteren Flächenabschnitt entspricht, 117a und einer Hypotenuse, welche dem seitlichen Flächenabschnitt 117c entspricht.
  • Winkel θ1 und θ2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117 der Deckschicht 108 können allmählich ansteigen vom unteren Flächenabschnitt 117a zum obersten Flächenabschnitt 117b. Die Winkel θ1 und θ2 sind definiert als ein Winkel zwischen der Tangentiallinie C1 und C2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c und einer horizontalen Fläche (d.h., des unteren Flächenabschnitts 117a). Der seitliche Flächenabschnitt 117c kann die maximale Neigung Smax in einem effektiven Emissionsbereich B haben, wenn die Winkel θ1 und θ2 ihre Maximalwerte annehmen. Die Neigung kann definiert sein als ein Tangentenwert des Winkels (tan θ).
  • Da die Winkel θ1 und θ2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c allmählich größer werden vom unteren Flächenabschnitt 117a zum oberen Flächenabschnitt 117b, hat der seitliche Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117 der Deckschicht 108 die maximale Neigung Smax im oberen Bereich UA benachbart zum oberen Flächenabschnitt 117b.
  • Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 auf der Deckschicht 108, welche die Mikrolinse ML aus dem konkaven Abschnitt 118 und dem konvexen Abschnitt 117 aufweist, haben die Mikrolinse ML auf der obersten Fläche davon. Der konvexe Abschnitt 117 kann den unteren Flächenabschnitt 117a, den obersten Flächenabschnitt 117b und den seitlichen Flächenabschnitt 117c aufweisen, und der seitliche Flächenabschnitt 117c kann den oberen Bereich UA, den mittleren Bereich MA und den unteren Bereich LA aufweisen.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 kann, da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Deckschicht 108, welche die Mikrolinse ML bildet, angeordnet ist, die lichtemittierende Schicht 113 unterschiedliche Dicken d1, d2, d3 und d4 in verschiedenen Bereichen aufweisen. Die lichtemittierende Schicht 113 kann gebildet werden, um die verschiedenen Dicken d1, d2, d3 und d4 zu haben, welche dem konkaven Abschnitt 118 und dem konvexen Abschnitt 117 der Mikrolinse ML entsprechen.
  • Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kann definiert sein als eine Länge senkrecht zur Tangentiallinie C1 und C2 der lichtemittierenden Schicht 113. Beispielsweise können die dritte und die vierte Dicke d3 und d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117 der Mikrolinse ML kleiner sein als die erste Dicke d1 und die zweite Dicke d2 der lichtemittierenden Schicht 113 des konkaven Abschnitts 118 und des obersten Flächenabschnitts 117b des konvexen Abschnitts 117.
  • Die Dicken d3 und d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117 können allmählich abnehmen von dem unteren Bereich LA zum oberen Bereich UA.
  • Da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Deckschicht 108 gebildet ist, welche die Mikrolinse ML aufweist, können die Winkel θ1 und θ2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117 der Deckschicht 108 allmählich größer werden vom unteren Flächenabschnitt 117a zum oberen Flächenabschnitt 117b. Folglich können die dritte Dicke und die vierte Dicke d3 und d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des seitlichen Flächenabschnitts 117c kleiner sein als die erste Dicke d1 des konkaven Abschnitts 118 und die zweite Dicke d2 des obersten Flächenabschnitts 117b der lichtemittierenden Schicht 113.
  • Da der Winkel θ1 und θ2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c allmählich größer wird von dem unteren Bereich LA zum oberen Bereich UA, kann die lichtemittierende Schicht 113 des seitlichen Flächenabschnitts 117c die vierte Dicke d4 aufweisen als den Minimalwert in dem oberen Bereich UA, wo der Winkel θ2 einen relativ hohen Wert aufweist, und kann die dritte Dicke d3 als den Maximalwert im mittleren Bereich MA aufweisen, wenn der Winkel θ1 einen relative niedrigen Wert aufweist.
  • Beispielsweise kann die erste Dicke d1 genauso groß wie oder größer als die zweite Dicke d2, die zweite Dicke d2 kann größer sein als die dritte Dicke d3, und die dritte Dicke d3 kann größer sein als die vierte Dicke d4, z.B.., d1 ≥ d2 > d3 > d4.
  • Bei der Licht emittierenden Diode E tritt die Lichtemission in einem Bereich auf, der eine relative hohe Stromdichte aufweist. Da die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ geringe Dicke d4 in dem oberen Bereich UA des konvexen Abschnitts 117 aufweist, kann die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ hohe Stromdichte und eine relative starke Lichtemission in dem oberen Bereich UA des konvexen Abschnitts 117 aufweisen. Da die lichtemittierende Schicht 1113 außerdem eine relativ große Dicke d1 in dem unteren Bereich LA des konvexen Abschnitts 117 aufweist, kann die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ niedrige Stromdichte und eine relativ schwache Lichtemission im unteren Bereich LA des konvexen Abschnitts 117 aufweisen. Demzufolge kann der obere Bereich UA von jedem der Mehrzahl konvexer Abschnitte 117, wo die starke Lichtemission auftritt, definiert sein als ein effektiver Emissionsbereich B. Wenn die Licht emittierende Diode E betrieben wird, ist ein elektrisches Feld lokal konzentriert auf den effektiven Emissionsbereich B. Demzufolge wird ein Hauptstrompfad gebildet und eine Hauptemission tritt im effektiven Emissionsbereich B auf.
  • Die lichtemittierende Schicht 113 hat die Hauptemission im effektiven Emissionsbereich B, welcher eine relativ geringe Dicke d4 im Vergleich zu dem obersten Flächenabschnitt 117b des konvexen Abschnitts 117 und dem konkaven Abschnitt 118 aufweist. Da die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c an spezifischen Positionen in der lichtemittierende Schicht 113 angeordnet sind, basierend auf der Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 im effektiven Emissionsbereich B, steigt die Lichtextraktionseffizienz des Lichts, das von der Licht emittierenden Diode E emittiert wird, und die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe ist verbessert.
  • Die lichtemittierende Schicht 113, welche die Mikrolinse ML bildet, ist gebildet um die folgenden Gleichungen basierend auf dem effektiven Emissionsbereich B zu erfüllen, so dass die Lichtextraktionseffizienz steigen kann und die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe verbessert werden kann. T 2 = T 1 ∗ c o s θ
    Figure DE102019117580A1_0001
  • Hier ist T1 die erste Dicke d1 der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118, und T2 ist die vierte Dicke d4 der lichtemittierenden Schicht 113 in dem effektiver Emissionsbereich B des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117. Ferner ist θ der zweite Winkel θ2 der zweiten tangentialen Linie C2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117 in dem effektiven Emissionsbereich B im Bezug auf die horizontale Fläche (d.h., den unteren Flächenabschnitt 117a).
  • Wenn der seitliche Flächenabschnitt 117c die maximale Neigung Smax aufweist, hat der seitliche Flächenabschnitt 117c den maximalen Winkel θmax, und die Dicke T2 der lichtemittierenden Schicht 113 kann erhalten werden von der Gleichung T2 = T1 * cosθmax. Folglich kann T2 ermittelt werden als die vierte Dicke d4 der lichtemittierenden Schicht 113.
  • Beispielsweise kann der maximale Winkel θmax der tangentialen Linie C2 des seitlichen Flächenabschnitts 117c in dem effektiven Emissionsbereich B in Bezug auf die horizontale Fläche (d.h., den unteren Flächenabschnitt 117a) zwischen 20 Grad und 60 Grad sein. Wenn der maximale Winkel θmax kleiner ist als 20 Grad, ist der Transmissionswinkel des Lichts in der lichtemittierenden Schicht 113, welche die Mikrolinse ML aufweist, nicht wesentlich geändert im Vergleich mit dem Transmissionswinkel des Lichts in einer flachen Emissionsschicht. Folglich ist die Lichtextraktionseffizienz nur unzureichend verbessert..
  • Wenn der maximale Winkel θmax größer ist als 60 Grad, wird der Transmissionswinkel des Lichts in der lichtemittierenden Schicht 113 größer als der Grenzwinkel der Totalreflexion an einer Grenzfläche des Substrats 101 (aus 1) und an einer Außenluftschicht. Folglich nimmt die Menge des Lichts, welche in der OLED Displayvorrichtung 100 eingeschlossen ist, zu, und die Lichtextraktionseffizienz der lichtemittierenden Schicht 113, welche die Mikrolinse ML aufweist, nimmt ab verglichen mit der Lichtextraktionseffizienz einer flachen Lichtemissionsschicht.
  • Dementsprechend kann der maximale Winkel θmax des seitlichen Flächenabschnitts 117c innerhalb eines Bereichs von 20 Grad bis 60 Grad ermittelt werden in dem effektiven Emissionsbereich B des konvexen Abschnitts 117 der Deckschicht 108.
  • Basierend auf der Gleichung 1 kann ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 definiert werden anhand einer folgenden Gleichung 2. L = D ∗ cos θ
    Figure DE102019117580A1_0002
  • Hier ist D ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118. L ist ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 im seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117, wo die Hauptemission auftritt. Ferner ist cos θ ein Parameter zum Kompensieren einer reduzierten Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 im effektiven Emissionsbereich B wegen des zweiten Winkels θ, der die Neigung bildet.
  • Basierend auf den Gleichungen 1 und 2, da die lichtemittierende Schicht 113, welche die Mikrolinse ML aufweist, unterschiedliche Dicken d1, d2, d3 und d4 im konvexen Abschnitt 117 und dem konkaven Abschnitt 118 aufweist, ist der Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118 verschieden von dem Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 im seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 ist der seitliche Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117, der die Mikrolinse ML bildet, definiert als der effektive Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113. Die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c sind an spezifischen Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet basierend auf der Form des konvexen Abschnitts 117 gemäß den Gleichungen 1 und 2. Da die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c an spezifischen Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet sind basierend auf dem effektiven Emissionsbereich B des seitlichen Flächenabschnitts 117c des konvexen Abschnitts 117, steigt die Lichtextraktionseffizienz weiterhin.
  • Ferner, da in der OLED Displayvorrichtung 100 die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c an spezifischen Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet sind basierend auf dem effektiven Emissionsbereich B gemäß einer folgenden Gleichung 3, ist die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe verbessert. Y = L ∗ ( 1 / cos θ ) ;  L ≤ Y
    Figure DE102019117580A1_0003
  • In der obigen Gleichung ist Y eine Zieldicke für ein Verdampfen der Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113. Y kann ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118 sein. L ist definiert durch D * cos θ gemäß der Gleichung 2.
  • Folglich ist der Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 im seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117, welcher dem effektiven Emissionsbereich B entspricht, gleich groß wie oder kleiner als der Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118.
  • Basierend auf den Dicken d1, d2, d3 und d4 der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118 und dem konvexe Abschnitt 117 der Mikrolinse ML, welche die Gleichung 3 erfüllen, kann die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in dem effektiven Emissionsbereich B auf der Deckschicht 108 ermittelt werden innerhalb eines Bereichs von 3000Ä bis 3500Ä.
  • Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113, die erhalten wird, indem die Gleichungen 2 und 3 genutzt werden, kann ermittelt werden, so dass die OLED Displayvorrichtung 100 einen Mikrokavitäteffekt aufweist.
  • Der Mikrokavitäteffekt ist ein Phänomen, welches dazu führt, dass Licht einer Wellenlänge durch eine konstruktive Interferenz verstärkt wird und Licht der anderen Wellenlängen geschwächt wird durch destruktive Interferenz, wenn Licht zwischen Spiegeln reflektiert wird. Das führt dazu, das seine Intensität von Licht einer vorbestimmten Wellenlänge zunehmen kann mittels des Mikrokavitäteffekts. In der OLED Displayvorrichtung 100 kann die Dicke der Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 der Mikrolinse ML in dem effektiven Emissionsbereich B ermittelt werden, so dass die lichtemittierende Schicht 113 den Mikrokavitäteffekt aufweist.
  • Beispielsweise kann der Abstand L von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117, welcher dem effektiven Emissionsbereich B entspricht, ermittelt werden, so dass die Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 den Mikrokavitäteffekt aufweisen, und der Abstand Y von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118 kann ermittelt werden gemäß der Gleichung 3.
  • Folglich kann die Lichtextraktionseffizienz des Lichts, das von der Licht emittierenden Diode E emittiert wir, zunehmen, und eine Verschlechterung einer Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe wegen eines relativ hohen Reflexionswerts kann verhindert werden.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Licht emittierende Diode einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • In 3 weist die Licht emittierende Diode E die erste Elektrode 111 und die zweite Elektrode 115 und die lichtemittierende Schicht 113 zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115 auf, und die lichtemittierende Schicht 113 weist eine erste, eine zweite und eine dritte Emissionsmaterialschicht (EMLs) 203a, 203b und 203c auf.
  • Die erste Elektrode 111 kann eine Anode sein, welche ein Loch bereitstellt und eine relativ hohe Austrittsarbeit aufweist. Beispielsweise kann die erste Elektrode 111 eines aufweisen von einem Metalloxid wie beispielsweise Indium Zinn Oxid (ITO) und Indium Zink Oxid (IZO), eine Mischung aus Metall und einem Oxid, wie beispielsweise Zinkoxid und Aluminium (ZnO:Al) und Zinnoxid und Antimon (SnO2:Sb) und ein leitfähiges Polymer wie beispielsweise [3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDT), Polypyrrol und Polyanilin. Ferner kann die erste Elektrode 111 eines aufweisen von Kohlenstoffnanoröhren (CNT), Graphen und Silber Nano-Draht.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine Kathode sein, welche ein Elektron bereitstellt und eine relativ niedrige Austrittsarbeit aufweist. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 115 eine Einzelschicht einer Legierung eines ersten Metalls (e.g., Ag), die eine relativ niedrige Austrittsarbeit aufweist, und eines zweiten Metalls (e.g., Mg), eine Doppelschicht des ersten und des zweiten Metalls, oder eine Mehrfachschicht des ersten und des zweiten Metalls, oder eine Mehrfachschicht der Legierung des ersten und des zweiten Metalls.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine reflektierende Elektrode sein, und die erste Elektrode 111 kann eine transflektive Elektrode sein. Alternativ kann die erste Elektrode 111 kann eine reflektierende Elektrode sein, und die zweite Elektrode 115 kann eine transparente Elektrode sein. Beispielsweise kann wenigstens eine von der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115 eine reflektierende Elektrode sein.
  • Die zweite Elektrode 115 kann ein Material aufweisen, welches ein Reflexionsvermögen aufweist, das gleich oder größer als 90% in einem sichtbaren Bereich ist, und die erste Elektrode 111 kann ein Material aufweisen, welches eine Lichtdurchlässigkeit aufweist, die gleich oder größer als 80% im sichtbaren Bereich ist. Beispielsweise kann der sichtbare Bereich einen Wellenlängenbereich von 380nm bis 800nm.
  • Wenn die zweite Elektrode 115 ein Reflexionsvermögen aufweist, das gleich oder größer als 90% ist, kann das meiste Licht von der lichtemittierenden Schicht 113 zur zweiten Elektrode 115 kann von der zweiten Elektrode 115 reflektiert werden, um sich zur ersten Elektrode 111 zu bewegen. Ferner kann, wenn die erste Elektrode 111 eine Lichtdurchlässigkeit aufweist, die gleich oder größer als 80% ist, eine große Menge des Lichts durch die erste Elektrode 111 hindurchtreten.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine Dicke von 90nm bis 120nm aufweisen zum Erhöhen eines Reflexionsvermögens im sichtbaren Bereich. Allerdings ist eine Dicke der zweiten Elektrode 115 nicht darauf beschränkt und kann entsprechend einem Material der zweiten Elektrode 115 variieren. Die erste Elektrode 111 kann eine Dicke von 115nm bis 135nm aufweisen zum Erhöhen einer Lichtdurchlässigkeit im sichtbaren Bereich. Allerdings ist eine Dicke der ersten Elektrode 111 nicht darauf beschränkt und kann gemäß einem Material der ersten Elektrode 111 variieren.
  • Eine erste Elektronentransportschicht (ETL) 205 ist zwischen der zweiten Elektrode und der ersten emittierenden Materialschicht 203a angeordnet, und eine erste Hilfsschicht 208 ist zwischen der ersten emittierenden Materialschicht 203a und der zweiten emittierenden Materialschicht 203b angeordnet. Eine zweite Hilfsschicht 209 ist zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht 203b und der dritten emittierenden Materialschicht 203c angeordnet, und eine erste Lochtransportschicht (HTL) 207 ist zwischen der dritten emittierenden Materialschicht 203c und der ersten Elektrode 111 angeordnet.
  • Eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) kann zwischen der zweiten Elektrode 115 und der Elektronentransportschicht 205 angeordnet sein. Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Injektion der Elektronen von der zweiten Elektrode 115 zur ersten Elektronentransportschicht 205 unterstützen.
  • Die erste Elektronentransportschicht 205 kann mindestens zwei Schichten aufweisen oder kann mindestens zwei Materialien aufweisen. Eine Lochblockierschicht (HBL) kann zwischen der ersten Elektronentransportschicht 205 und der ersten emittierenden Materialschicht 203a angeordnet sein. Da die Lochblockierschicht eine Transmission eines Loches, welches in die erste emittierende Materialschicht 203a injiziert wird, zu der ersten Elektronentransportschicht 205 verhindert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der ersten emittierenden Materialschicht 203a verbessert, und eine Emissionseffizienz der ersten emittierenden Materialschicht 203a ist verbessert.
  • Die erste Elektronentransportschicht 205 und die Lochblockierschicht können als Einzelschichten gebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht, die erste Elektronentransportschicht 205 und die Lochblockierschicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Ein Elektron wird bereitgestellt von der zweiten Elektrode 115 an die erste emittierenden Materialschicht 203a durch die erste Elektronentransportschicht 205, und ein Loch wird bereitgestellt von der ersten Hilfsschicht 208 an die erste emittierende Materialschicht 203a. Das Elektron, welches durch die erste Elektronentransportschicht 205 bereitgestellt wird, und das Loch, welches von der ersten Hilfsschicht 208 bereitgestellt wird, rekombinieren im ersten emittierenden Material 203a, um Licht zu erzeugen.
  • Die erste emittierende Materialschicht 203a kann Licht einer ersten Farbe emittieren. Die erste emittierende Materialschicht 203a kann eine aufweisen von einer blauen Emissionsschicht, einer dunkelblauen Emissionsschicht und einer himmelsblauen Emissionsschicht. Das Licht, das von der ersten emittierenden Materialschicht 203a emittiert wird, kann eine Wellenlänge von 440nm bis 480nm haben.
  • Die erste emittierende Materialschicht 203a kann mindestens ein Grundmaterial und mindestens einen Dotierstoff aufweisen, oder ein gemischtes Grundmaterial, bei welchem mindestens zwei Grundmaterialien und mindestens ein Dotierstoff gemischt sind. Wenn das gemischte Grundmaterial ein Grundmaterial aufweist, der eine Lochtransporteigenschaft hat, und einen Host, der eine Elektronentransporteigenschaft hat, kann eine Ladungsbalance der ersten emittierenden Materialschicht 203a angepasst werden, und eine Effizienz der ersten emittierenden Materialschicht 203a kann verbessert werden. Der Dotierstoff kann einen fluoreszierenden Dotierstoff oder einen phosphoreszierenden Dotierstoff aufweisen.
  • Die erste Hilfsschicht 208 kann eine zweite Lochtransportschicht benachbart zu der ersten emittierenden Materialschicht 203a aufweisen, und eine zweite Elektronentransportschicht benachbart zu der zweiten emittierenden Materialschicht 203b.
  • Eine Lochinjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der zweiten Lochtransportschicht und der zweiten emittierenden Materialschicht 203b, und eine Elektroneninjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der zweiten Elektronentransportschicht und der ersten emittierende Materialschicht 203a.
  • Eine Elektronenblockierschicht (EBL) kann angeordnet sein zwischen der ersten emittierenden Materialschicht 203a und der zweiten Lochtransportschicht. Da die Elektronenblockierschicht eine Übertragung eines Elektrons, welches in die erste emittierende Materialschicht 203a injiziert wird, zu der zweiten Lochtransportschicht verhindert, ist eine Verbindung eines Loches und eines Elektrons in der ersten emittierenden Materialschicht 203a verbessert, und eine Emissionseffizienz der ersten emittierenden Materialschicht 203a ist verbessert.
  • Ferner kann eine Lochblockierschicht (HBL) angeordnet sein zwischen der zweiten Elektronentransportschicht und der zweiten emittierenden Materialschicht 203b. Da die Lochblockierschicht eine Übertragung eines Loches, welches in die zweite emittierende Materialschicht 203b injiziert wird, zu der zweiten Elektronentransportschicht verhindert, ist eine Verbindung eines Loches und eines Elektrons in der zweiten emittierenden Materialschicht 203b, und eine Emissionseffizienz der zweiten emittierenden Materialschicht 203b ist verbessert.
  • Die Elektronenblockierschicht und die zweite Lochtransportschicht können als Einzelschichten gebildet sein, und die zweite Elektronentransportschicht und die Lochblockierschicht können als Einzelschichten gebildet sein. Die Lochinjektionsschicht, die zweite Lochtransportschicht und die Elektronenblockierschicht können als Lochübertragungsschicht bezeichnet werden, und die Elektroneninjektionsschicht, die zweite Elektronentransportschicht und die Lochblockierschicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Eine erste Ladungserzeugungsschicht (CGL) kann angeordnet sein zwischen der zweiten Lochtransportschicht und der zweiten Elektronentransportschicht der ersten Hilfsschicht 208. Die erste Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungsbalance zwischen der ersten emittierenden Materialschicht 203a und der zweiten emittierenden Materialschicht 203b anpassen. Beispielsweise kann die Lochinjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der zweiten Lochtransportschicht und der ersten Ladungserzeugungsschicht, und die Elektroneninjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Elektronentransportschicht.
  • Die erste Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht für eine positive Ladungsart (P-CGL) und eine Ladungserzeugungsschicht für eine negative Ladungsart (N-CGL) aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht für eine positive Ladungsart kann der ersten emittierenden Materialschicht 203a ein Loch bereitstellen, und die Ladungserzeugungsschicht für eine negative Ladungsart kann der zweiten emittierenden Materialschicht 203b ein Elektron bereitstellen.
  • Ein Elektron wird bereitgestellt von der ersten Hilfsschicht 208 an die zweite emittierende Materialschicht 203b, und ein Loch wird bereitgestellt von der zweiten Hilfsschicht 209 an die zweite emittierende Materialschicht 203b. Das Elektron, das von der ersten Hilfsschicht 208 bereitgestellt wurde, und das Loch, das von der zweiten Hilfsschicht 209 bereitgestellt wurde, werden im zweiten emittierenden Material 203b rekombiniert, um Licht zu erzeugen.
  • Die zweite emittierende Materialschicht 203b kann Licht einer zweiten Farbe emittieren. Die zweite emittierende Materialschicht 203b kann eine aufweisen von einer gelb-grünen Emissionsschicht, einer grünen Emissionsschicht, einer gelb-grünen Emissionsschicht und einer roten Emissionsschicht, einer gelben Emissionsschicht und einer roten Emissionsschicht, und einer grünen Emissionsschicht und einer roten Emissionsschicht.
  • Wenn die zweite emittierende Materialschicht 203b eine gelb-grüne Emissionsschicht aufweist, kann das Licht, das von der zweiten emittierenden Materialschicht 203b emittiert wird, eine Wellenlänge von 510nm bis 580nm aufweisen. Wenn die zweite emittierende Materialschicht 203b eine gelb-grüne Emissionsschicht und eine rote Emissionsschicht aufweist, kann das Licht, das von der zweiten emittierenden Materialschicht 203b emittiert wird, eine Wellenlänge von 510nm bis 650nm aufweisen.
  • Wenn die zweite emittierende Materialschicht 203b eine gelbe Emissionsschicht und eine rote Emissionsschicht aufweist, kann das Licht, das von der zweiten emittierenden Materialschicht 203b emittiert wird, eine Wellenlänge von 540nm bis 650nm aufweisen. Wenn die zweite emittierende Materialschicht 203b eine grüne Emissionsschicht und eine rote Emissionsschicht aufweist, kann das Licht, das von der zweiten emittierenden Materialschicht 203b emittiert wird, eine Wellenlänge von 510nm bis 650nm aufweisen.
  • Die zweite emittierende Materialschicht 203b kann mindestens ein Grundmaterial und mindestens einen Dotierstoff aufweisen, oder ein gemischtes Grundmaterial, bei welchem mindestens zwei Grundmaterialien und mindestens ein Dotierstoff gemischt sind. Wenn das gemischte Grundmaterial ein Grundmaterial mit einer Lochtransporteigenschaft und ein Grundmaterial mit einer Elektrontransporteigenschaft aufweist, kann eine Ladungsbalance der zweiten emittierenden Materialschicht 203b angepasst werden, und eine Effizienz der zweiten emittierenden Materialschicht 203b kann verbessert werden. Der Dotierstoff kann einen fluoreszierenden Dotierstoff oder einen phosphoreszierenden Dotierstoff aufweisen.
  • Die zweite Hilfsschicht 209 kann eine dritte Lochtransportschicht benachbart zu der zweiten emittierenden Materialschicht 203b und eine dritte Elektronentransportschicht benachbart zu der dritten emittierenden Materialschicht 203c aufweisen.
  • Eine Lochinjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der dritten Lochtransportschicht und der dritten emittierende Materialschicht 203c, und eine Elektroneninjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der dritten Elektronentransportschicht und der zweiten emittierende Materialschicht 203b.
  • Eine Elektronenblockierschicht (EBL) kann angeordnet sein zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht 203b und der dritten Lochtransportschicht. Da die Elektronenblockierschicht eine Übertragung eines Elektrons, welches in die zweite emittierende Materialschicht 203a injiziert wird, zu der dritten Lochtransportschicht verhindert, ist eine Verbindung eines Lochs und eines Elektrons verbessert in der zweiten emittierenden Materialschicht 203b, und eine Emissionseffizienz der zweiten emittierenden Materialschicht 203b ist verbessert.
  • Ferner kann eine Lochblockierschicht (HBL) angeordnet sein zwischen der dritten Elektronentransportschicht und der dritten emittierenden Materialschicht 203c. Da die Lochblockierschicht eine Übertragung eines Elektrons, welches in die dritte emittierende Materialschicht 203c injiziert wird, zu der dritten Elektronentransportschicht verhindert, ist eine Verbindung eines Lochs und eines Elektrons verbessert in der dritten emittierenden Materialschicht 203c, und eine Emissionseffizienz der dritten emittierenden Materialschicht 203c ist verbessert.
  • Die Elektronenblockierschicht und die dritte Lochtransportschicht können als eine Einzelschicht gebildet sein, und die dritte Elektronentransportschicht und die Lochblockierschicht können als eine Einzelschicht gebildet sein. Die Lochinjektionsschicht, die dritte Lochtransportschicht und die Elektronenblockierschicht können als eine Lochübertragungsschicht bezeichnet werden, und die Elektroneninjektionsschicht, die dritte Elektronentransportschicht und die Lochblockierschicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Eine zweite Ladungserzeugungsschicht (CGL) kann angeordnet sein zwischen der dritten Lochtransportschicht und der dritten Elektronentransportschicht der zweiten Hilfsschicht 209. Die zweite Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungsbalance zwischen der zweite emittierenden Materialschicht 203b und der dritten emittierenden Materialschicht 203c anpassen. Beispielsweise kann die Lochinjektionsschicht angeordnet sein zwischen der dritten Lochtransportschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht, und die Elektroneninjektionsschicht kann angeordnet sein zwischen der zweiten Ladungserzeugungsschicht und der dritten Elektronentransportschicht.
  • Die zweite Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht (P-CGL) zum Erzeugen einer positiven Art von Ladung und eine Ladungserzeugungsschicht (N-CGL) zum Erzeugen einer negativen Art von Ladung aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht zum Erzeugen einer positiven Art von Ladung kann der zweiten emittierende Materialschicht 203b ein Loch bereitstellen, und die Ladungserzeugungsschicht zum Erzeugen einer negativen Art von Ladung kann der dritten emittierende Materialschicht 203c ein Elektron bereitstellen.
  • Ein Elektron wird von der zweiten Hilfsschicht 209 an die dritte emittierende Materialschicht 203c bereitgestellt, und ein Loch wird von der ersten Elektrode 111 an die dritte emittierende Materialschicht 203c durch die erste Lochtransportschicht 207 bereitgestellt. Das Elektron, das von der zweiten Hilfsschicht 209 bereitgestellt ist, und das Loch, das durch die erste Lochtransportschicht 207 bereitgestellt ist, werden im dritten emittierenden Material 203c rekombiniert, um Licht zu erzeugen.
  • Die dritte emittierende Materialschicht 203c kann Licht einer dritten Farbe emittieren, dieselbe wie die erste Farbe des Lichts der ersten emittierenden Materialschicht 203a. Die dritte emittierende Materialschicht 203c kann eine aufweisen von einer blauen Emissionsschicht, einer dunkelblauen Emissionsschicht und einer himmelblauen Emissionsschicht. Das Licht, das von der dritten emittierenden Materialschicht 203c emittiert wird, kann eine Wellenlänge von 440nm bis 480nm aufweisen.
  • Die dritte emittierende Materialschicht 203c kann mindestens ein Grundmaterial und mindestens einen Dotierstoff aufweisen, oder ein gemischtes Grundmaterial, bei welchem mindestens zwei Grundmaterialien und mindestens ein Dotierstoff gemischt sind. Wenn das gemischte Grundmaterial ein Grundmaterial aufweist, der eine Lochtransporteigenschaft hat, und ein Grundmaterial, das eine Elektronentransporteigenschaft hat, kann eine Ladungsbalance der dritten emittierenden Materialschicht 203c angepasst werden, und eine Effizienz der dritten emittierenden Materialschicht 203c kann verbessert werden. Der Dotierstoff kann einen fluoreszierenden Dotierstoff oder einen phosphoreszierenden Dotierstoff aufweisen.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 weist die Licht emittierende Diode E drei Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweite Elektrode 115 auf. In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Licht emittierende Diode zwei Emissionsmaterialschichten aufweisen.
  • Da die Abstände von der zweiten Elektrode 115 zu der ersten, zweiten und dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c ermittelt werden gemäß der Gleichung 2 sind die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c angeordnet, um der Mikrolinse ML der lichtemittierenden Schicht 113 zu entsprechen, so dass die Licht emittierende Diode E einen Mikrokavitäteffekt aufweist. Folglich ist die Lichtextraktionseffizienz der OLED Displayvorrichtung 100 verbessert.
  • Die Positionen der ersten, zweiten und dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c in der lichtemittierenden Schicht 113 können ermittelt werden gemäß den folgenden Gleichungen: L1 = D1 ∗ cos θ ,
    Figure DE102019117580A1_0004
    wobei θ = 20° - 60° L2 = D2 ∗ cos θ ,
    Figure DE102019117580A1_0005
    wobei θ = 20° - 60° L3 = ( ( D 2 + D3 ) /2 ) ∗ cos θ ,
    Figure DE102019117580A1_0006
    wobei θ = 20° - 60°
  • In den obigen Gleichungen sind D1, D2 und D3 ein erster, zweiter und dritter Abstand von der zweiten Elektrode 115 zur ersten, zweiten bzw. dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b bzw. 203c, der lichtemittierenden Schicht 113 im konkaven Abschnitt 118. L1, L2 und L3 sind ein erster, zweiter und dritter Abstand von der zweiten Elektrode 115 zur ersten, zweiten bzw. dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b bzw. 203c, der lichtemittierenden Schicht 113 im seitlichen Flächenabschnitt 117c des konvexen Abschnitts 117 wo die Hauptemission auftritt.
  • Der erste, zweite und dritte Abstand D1, D2 und D3 in dem konkaven Abschnitt 118 der lichtemittierenden Schicht 113 unterscheiden sich von dem ersten, zweiten und dritten Abstand L1, L2 und L3 im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B der lichtemittierenden Schicht 113. Der erste, zweite und dritte Abstand L1, L2 und L3 im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113 kann erhalten werden von der Licht emittierenden Diode E, welche den Mikrokavitäteffekt aufweist, und der erste, zweite und dritte Abstand D1, D2 und D3 in dem konkaven Abschnitt 118 der lichtemittierenden Schicht 113 kann erhalten werden aus den Gleichungen 4, 5 und 6. Der erste, zweite und dritte Abstand D1, D2 und D3 können als Zieldicken für ein Ablagern der ersten, zweiten und dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c genutzt werden. Demzufolge ist die Lichtextraktionseffizienz der OLED Displayvorrichtung 100 verbessert.
  • Beispielsweise kann eine Dicke von einer oberen Fläche der ersten Elektrode 111 einer Anode zu einer niedrigeren Fläche der zweiten Elektrode 115 einer Kathode innerhalb eines Bereichs von 4900Ä bis 5300Ä sein. Der erste Abstand D1 von der zweiten Elektrode 115 zu der ersten emittierenden Materialschicht 203a kann innerhalb eines Bereichs von 555Ä bis 615Ä sein (585Ä mit einer Fehlerspanne von ±5%), der zweite Abstand D2 von der zweiten Elektrode 115 zu der zweiten emittierenden Materialschicht 203b kann innerhalb eines Bereichs von 2735Ä bis 3025Ä sein (2880Ä mit einer Fehlerspanne von ±5%), und der dritte Abstand D3 von der zweiten Elektrode 115 zu der dritten emittierenden Materialschicht 203c kann innerhalb eines Bereichs von 3450Ä bis 3815Ä sein (3630Ä mit einer Fehlerspanne von ±5%).
  • Wenn bei der OLED Displayvorrichtung 100 die erste Elektrode 111 eine transparente Elektrode ist, die Licht durchlässt, und die zweite Elektrode 115 eine transflektive Elektrode ist, die einen Teil des Lichts durchlässt und den anderen Teil des Lichts reflektiert, kann eine Lichtausbeute verbessert sein wegen eines Mikrokavitäteffekts zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115.
  • Der Mikrokavitäteffekt ist ein Phänomen, welches dazu führt, dass eine konstruktive Interferenz von Licht auftritt wegen einer wiederholten Reflexion und Re-Reflexion zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115 und eine Lichtausbeute verbessert ist. Für eine konstruktive Interferenz können die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c, welche Licht emittieren, an Resonanzpositionen zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115 entsprechend einer Wellenlänge angeordnet sein. Die Resonanzposition kann einem Resonanzabstand von der zweiten Elektrode 115 entsprechen, und der Resonanzabstand kann erhalten werden von einem ganzzahligen Vielfachen einer halben Wellenlänge des emittierten Lichts.
  • Wenn die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c an den Resonanzpositionen angeordnet sind, wird das Licht der entsprechenden Wellenlänge verstärkt durch eine konstruktive Interferenz und wird mit erhöhter Intensität zu einem Außenbereich extrahiert. Außerdem wird das Licht der anderen Wellenlänge durch eine destruktive Interferenz geschwächt und wird mit verminderter Intensität zu einem Außenbereich extrahiert.
  • Da nur die Lichtausbeute des Lichts, welches die Wellenlänge aufweist, die dem Resonanzabstand entspricht, verbessert ist wegen des Mikrokavitäteffekts, hat das Licht, welches von der ersten, der zweiten und der dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c emittiert wird, jeweils ein unterschiedliches Emissionsspektrum entsprechend einer Länge des Lichtweges, wenn das Licht durch die erste Elektrode 111 extrahiert wird. Dementsprechend sind die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c an den Resonanzpositionen angeordnet, die den Resonanzabständen zum Verbessern der Lichtausbeute entsprechen zum Verbessern der Lichtausbeute unter Verwendung des the Mikrokavitäteffekts.
  • Insbesondere sind bei der OLED Displayvorrichtung 100, da die lichtemittierende Schicht 113 die Mikrolinse ML bildet, wobei die lichtemittierende Schicht 113 unterschiedliche Dicken d1, d2, d3 und d4 im konvexen Abschnitt 117 und dem konkaven Abschnitt 118 aufweist, die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c des effektiven Emissionsbereichs B der lichtemittierenden Schicht 113 an den Resonanzpositionen angeordnet. Dementsprechend ist die Lichtausbeute der OLED Displayvorrichtung 100 verbessert wegen des Mikrokavitäteffekts.
  • 4A, 4B und 4C sind Graphen, welche eine Intensität von Licht in Abhängigkeit einer Position der ersten, der zweiten bzw. der dritten Emissionsmaterialschicht einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • In 4A hat die Lichtintensität den Maximalwert und die erste emittierende Materialschicht 203a hat die maximale Lichtausbeute, wenn die erste emittierende Materialschicht 203a, die Licht mit einer Wellenlänge von 440nm bis 480nm emittiert, einen Abstand aufweist von 555Å bis 615Å von der zweiten Elektrode 115.
  • In 4B hat die Lichtintensität den Maximalwert und die zweite emittierende Materialschicht 203a hat die maximale Lichtausbeute, wenn die zweite emittierende Materialschicht 203b, die Licht mit einer Wellenlänge von 510nm bis 590nm emittiert, einen Abstand aufweist von 2735Å bis 3025Å von der zweiten Elektrode 115.
  • In 4C hat die Lichtintensität den Maximalwert und die dritte emittierende Materialschicht 203a hat die maximale Lichtausbeute, wenn die dritte emittierende Materialschicht 203c, die Licht mit einer Wellenlänge von 440nm bis 480nm emittiert, einen Abstand aufweist von 3450Å bis 3815Å von der zweiten Elektrode 115.
  • Dementsprechend ist die erste emittierende Materialschicht 203a an der ersten Position angeordnet, welche den Abstand von 585Å (mit einer Fehlerspanne von ±5%) aufweist, was dem Bereich von 555Å bis 615Å entspricht. Die zweite emittierende Materialschicht 203b ist an der zweiten Position angeordnet, welche den Abstand von 2880Å (mit einer Fehlerspanne von ±5%) aufweist, was dem Bereich von 2735Å bis 3025Å entspricht. Die dritte emittierende Materialschicht 203c ist an der dritten Position angeordnet, welche den Abstand von 3630Å (mit einer Fehlerspanne von ±5%) aufweist, was dem Bereich von 3450Å bis 3815Å entspricht.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100, wo die lichtemittierende Schicht 113 die Mikrolinse ML bildet, wo die lichtemittierende Schicht 113 unterschiedliche Dicken d1, d2, d3 und d4 im konvexen Abschnitt 117 und dem konkaven Abschnitt 118 aufweist, da die erste, die zweite und die dritte Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c des effektiven Emissionsbereichs B der lichtemittierenden Schicht 113 an den Resonanzpositionen basierend auf der Mikrolinse ML angeordnet sind, ist die das Lichtausbeute der OLED Displayvorrichtung 100 verbessert wegen des Mikrokavitäteffekts.
  • 5A und 5B Graphen, welche eine Intensität von Licht in Abhängigkeit von einer Wellenlänge von Licht, das aus einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, die eine Mikrolinse aufweist, bzw. aus einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung extrahiert wird.
  • In 5A und 5B entspricht eine Probe 1 einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß der bezogenen Technik, eine Probe 2 entspricht einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, welche eine Mikrolinse ohne Mikrokavitäteffekt aufweist, und eine Probe 3 entspricht einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung 100, welche eine Mikrolinse mit einem Mikrokavitäteffekt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung aufweist.
  • Die x-Achse repräsentiert eine Wellenlänge von Licht, und die y-Achse repräsentiert eine Lichtintensität. Die Intensität ist ein relativer Wert bezüglich des Maximums des Emissionsspektrums. Beispielsweise ist der Wert von 0.34 (a.u.) des blauen Emissionsspektrums das Maximum, und der relative Wert des gelb-grünen Emissionsspektrums ist im Verhältnis zum Maximum gezeigt.
  • In 5A weist die Probe 2, verglichen mit der Probe 1, das höhere Emissionsspektrum auf.
  • Die OLED Displayvorrichtung (Probe 2), welche die Mikrolinse ML (aus 2) der Deckschicht 108 (aus 2) ohne den Mikrokavitäteffekt aufweist, hat die größere Lichtmenge im sichtbaren Bereich verglichen mit der OLED Displayvorrichtung (Probe 1) ohne Mikrolinse.
  • In 5B, weist die Probe 3, verglichen mit der Probe 2 und auch mit der Probe 1, das höhere Emissionsspektrum auf.
  • Die OLED Displayvorrichtung 100 (Probe 3), welche die Mikrolinse ML der Deckschicht 108 mit dem Mikrokavitäteffekt aufweist, hat die größte Lichtmenge im sichtbaren Bereich verglichen mit der OLED Displayvorrichtung (Probe 2), welche die Mikrolinse ML ohne den Mikrokavitäteffekt aufweist. Die OLED Displayvorrichtung 100 (Probe 3) hat die größere Lichtextraktionseffizienz verglichen mit der OLED Displayvorrichtung (Probe 2) und auch mit der OLED Displayvorrichtung (Probe 1).
  • Bei der Licht emittierenden Diode E der OLED Displayvorrichtung 100 können die Abstände L1, L2 und L3 von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B ermittelt werden, so dass die Mikrolinse ML den Mikrokavitäteffekt aufweist, und die Zieldicken Y1, Y2 und Y3, welche die Abstände von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c in dem konkaven Abschnitt 118 bilden, kann ermittelt werden gemäß der Gleichung 3. Eine Folge davon ist, dass die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe verbessert ist.
  • Beispielsweise können die Dicken der ersten, der zweiten und der dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c ermittelt werden anhand der folgenden Gleichungen 7, 8 und 9. Y 1 = L 1 * ( 1 / cos θ ) ;  L 1 ≤ Y 1 ;   θ = 20 ° − 60 °
    Figure DE102019117580A1_0007
     Y2 = L2 ∗ ( 1 / cos θ ) ;  Y2 ∗ cos60 ° ≤ L2 ≤ Y2 ∗ cos20 ° ;   θ = 20 ° − 60 °
    Figure DE102019117580A1_0008
     Y3 = L3 ∗ ( 1 / cos θ ) ;  Y3 ∗ cos60 ° ≤ L3 ≤ Y3 ∗ cos20 ° ;   θ = 20 ° − 60 °
    Figure DE102019117580A1_0009
  • In den obigen Gleichungen sind Y1, Y2 und Y3 der erste, zweite und dritte Abstand zwischen der zweiten Elektrode 115 und der ersten, der zweiten und der dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Abschnitt 118. Beispielsweise ist jeder von Y1, Y2 und Y3 innerhalb eines Bereichs von 3000Å bis 3500Å.
  • Ferner sind L1, L2 und L3 der erste, zweite und dritte Abstand zwischen der zweiten Elektrode 115 und der ersten, der zweiten und der dritten Emissionsmaterialschicht 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B.
  • Die OLED Displayvorrichtung 100, bei welcher die Sichtbarkeit der schwarzen Farbe verbessert ist, wird erhalten mittels Ermittelns des ersten, zweiten und dritten Abstands Y1, Y2 und Y3 gemäß den Gleichungen 7, 8 und 9.
  • In den Gleichungen 8 und 9 wird cos60° (- 0.5) verwendet für die minimale Dicke der Emissionsmaterialschichten 203b und 203c, was der maximalen Neigung des maximalen Winkels θ des konvexen Abschnitts 117 der Mikrolinse ML entspricht, und cos20° (- 0.94) wird genutzt für die maximale Dicke der Emissionsmaterialschichten 203b und 203c, was der minimalen Neigung des minimalen Winkels θ des konvexen Abschnitts 117 der Mikrolinse ML entspricht. Da die erste emittierende Materialschicht 203a benachbart zu der zweiten Elektrode 115 angeordnet ist, kann das Licht, das von der ersten emittierenden Materialschicht 203a emittiert wird, absorbiert werden von der zweiten Elektrode 115 wegen eines Oberflächenplasmon-Phänomens. Wenn die Dicke der ersten emittierenden Materialschicht 203a abnimmt, kann der Lichtausbeuteeffekt der ersten emittierenden Materialschicht 203a kann verringert werden. Als Folge dessen ist der minimale Wert für den Abstand L1 von der zweiten Elektrode 115 zu der ersten emittierenden Materialschicht 203a in Gleichung 7 weggelassen worden..
  • Gemäß den Gleichungen 7, 8 und 9 kann der erste Abstand L1 ermittelt werden innerhalb eines Bereichs von 280Å bis 300Å, der zweite Abstand L2 kann ermittelt werden innerhalb eines Bereichs von 2150Å bis 2550Å, und der dritte Abstand L3 kann ermittelt werden innerhalb eines Bereichs von 3000Å bis 3500Å.
  • 6 ist ein Graph, der ein Reflexionsvermögen einer Mikrolinse in Abhängigkeit von einem Aspektverhältnis einer Mikrolinse einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • In 6 steigt das Reflexionsvermögen der Mikrolinse ML mit dem steigenden Aspektverhältnis der Mikrolinse ML. Ferner variiert das Reflexionsvermögen der Mikrolinse ML in Abhängigkeit von der Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 bei ähnlichem Aspektverhältnis der Mikrolinse ML.
  • Beispielsweise ist das Reflexionsvermögen der Mikrolinse ML der lichtemittierenden Schicht 113 mit der Dicke kleiner als 3500Å kleiner als das Reflexionsvermögen der Mikrolinse ML der lichtemittierenden Schicht 113 mit der Dicke größer oder gleich 3500Å.
  • Das Aspektverhältnis A/R der Mikrolinse ML kann definiert sein als ein Wert der Höhe H des obersten Flächenabschnitts 117b der Deckschicht 108 in Bezug auf die Hälfte des Durchmessers D des unteren Flächenabschnitts 117a. Beispielsweise kann das Aspektverhältnis der Mikrolinse ML das Aspektverhältnis von 0.4 bis 0.5 aufweisen.
  • Wenn die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kleiner ist als 3500Å ist das Reflexionsvermögen in Bezug auf die Wellenlänge definitiv vermindert.
  • 7A, 7B und 7C sind Graphen, welche eine Emissionseffizienz in Abhängigkeit von einer Spannung des roten, grünen bzw. blauen Sup-Pixels einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigen, und TABELLE 1 zeigt Abstände von einer zweiten Elektrode zu Emissionsmaterialschichten einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemß der vorliegenden Offenbarung. [TABELLE 1]
    Probe 5 Probe 6 Probe 7 Probe 8 Probe 9 Probe 10
    L1 (Å) 290 460 460 290 290 290
    L2 (Å) 1930 2380 2180 1400 1100 900
    L3 (Å) 2835 3530 3330 2500 2300 2200
  • In 7A, 7B und 7C und TABLE 1 entsprechen Proben 5, 6 und 7 einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung, welche eine Mikrolinse ohne einen Mikrokavitäteffekt aufweist, wobei eine lichtemittierende Schicht 113 eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 3500Ä ist, und Proben 8, 9 und 10 entsprechen einer organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung 100, welche eine Mikrolinse mit einem Mikrokavitäteffekt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung aufweist.
  • In 7A ist die Emissionseffizienz des roten Sub-Pixels der Proben 5, 6 und 7 ähnlich der Emissionseffizienz des roten Sub-Pixels der Proben 8, 9 und 10.
  • In 7B ist die Emissionseffizienz des grünen Sub-Pixels der Proben 5, 6 und 7 ähnlich der Emissionseffizienz des grünen Sub-Pixels der Proben 8, 9 und 10.
  • In 7C ist die Emissionseffizienz des blauen Sub-Pixels der Proben 5, 6 und 7 ähnlich der Emissionseffizienz des blauen Sub-Pixels der Proben 8, 9 und 10.
  • Da der erste, zweite und dritte Abstand L1, L2 und L3 ermittelt sind gemäß den Gleichungen 7, 8 und 9, der OLED Displayvorrichtung 100 ist die Emissionseffizienz ähnlich der OLED Displayvorrichtung gemäß der bezogenen Technik, und das Reflexionsvermögen der lichtemittierenden Schicht 113 ist vermindert, obwohl die lichtemittierende Schicht 113 eine Dicke von mehr als 3500Å aufweist.
  • Da das Reflexionsvermögen vermindert ist, kann das Reflexionsvermögen eine Sichtbarkeit der schwarzen Farbe der OLED Displayvorrichtung 100 in einem schwarzen Zustand verbessern, und ein Nutzer kann ein klares Schwarz erkennen.
  • Da beispielsweise die OLED Displayvorrichtung gemäß der bezogenen Technik ein relativ hohes Reflexionsvermögen in einem schwarzen Zustand aufweist, kann ein Nutzer kein klares Schwarz erkennen. Da allerdings die OLED Displayvorrichtung 100 ein relativ geringes Reflexionsvermögen aufweist wegen der Positionen der Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c, kann das Reflexionsvermögen die Sichtbarkeit verbessern, und ein Nutzer kann ein klares Schwarz erkennen.
  • In der OLED Displayvorrichtung 100 werden die Abstände Y1, Y2 und Y3 von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c in dem konkaven Abschnitt 118 ermittelt basierend auf den Abständen L1, L2 und L3 zwischen der zweiten Elektrode 115 und den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B gemäß der Gleichung 3.
  • Ferner werden die Abstände L1, L2 und L3 von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B ermittelt basierend auf einem Mikrokavitäteffekt.
  • Daraus ergibt sich, dass die ermittelten Abstände Y1, Y2 und Y3 von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c in dem konkaven Abschnitt 118 verschieden sind von den Abständen L1, L2 und L3 von der zweiten Elektrode 115 zu den Emissionsmaterialschichten 203a, 203b und 203c im konvexen Abschnitt 117 des effektiven Emissionsbereichs B.
  • Folglich ist gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung die Lichtextraktionseffizienz verbessert und eine Verminderung einer Sichtbarkeit der schwarzen Farbe wegen eines relativ hohen Reflexionsvermögens wird verhindert bei der OLED Displayvorrichtung 100.
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft auch und ist nicht beschränkt durch die folgenden Aspekte.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung auf: ein Substrat; eine Deckschicht auf dem Substrat und aufweisend eine Mehrzahl konvexer Abschnitte und eine Mehrzahl konkaver Abschnitte; eine erste Elektrode auf der Deckschicht; eine lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode und aufweisend eine erste Emissionsmaterialschicht; und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei die erste emittierende Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte beabstandet ist von der zweiten Elektrode durch einen ersten Abstand, und wobei die erste emittierende Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte beabstandet ist von der zweiten Elektrode durch einen zweiten Abstand, der verschieden ist vom ersten Abstand.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist mindestens einer der Mehrzahl konvexer Abschnitte einen unteren Flächenabschnitt, einen oberen Flächenabschnitt und einen seitlichen Flächenabschnitt zwischen dem unteren Flächenabschnitt und dem oberen Flächenabschnitt auf, ein Neigungsgrad des seitlichen Flächenabschnitts wird vom unteren Flächenabschnitt zum oberen Flächenabschnitt größer, und der seitliche Flächenabschnitt hat einen maximalen Neigungsgrad in einem effektiven Emissionsbereich.
  • In der vorliegenden Offenbarung wird ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ermittelt mittels folgender Gleichung: L1 = D1 * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und wobei L1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, D1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine zweite emittierende Materialschicht zwischen der ersten emittierenden Materialschicht und der ersten Elektrode auf, und ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte wird ermittelt mittels einer folgenden Gleichung: L2 = D2 * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und wobei L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, D2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine dritte emittierende Materialschicht zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht und der erste Elektrode auf, und ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte wird ermittelt mittels einer folgenden Gleichung: L3 = ((D2 + D3)/2) * cos θ, wobei θ = 20° - 60°, und wobei L3 ein Abstand ist von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte, D3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung ist der Abstand von die zweite Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte innerhalb eines Bereichs von 555Ä bis 615Ä, der Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ist innerhalb eines Bereichs von 2735Ä bis 3025Ä, und der Abstand von der zweiten Elektrode zu der dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ist innerhalb eines Bereichs von 3450Ä bis 3815Ä.
  • In der vorliegenden Offenbarung wird ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte ermittelt mittels einer folgenden Gleichung: Y1 = L1 * (1/cos θ), L1 ≤ Y1, und θ = 20° - 60°, wobei Y1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, L1 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der ersten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine zweite emittierende Materialschicht zwischen der ersten emittierenden Materialschicht und der ersten Elektrode auf, und ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte wird ermittelt mittels einer folgenden Gleichung: Y2 = L2 * (1/cos θ), Y2 * cos60° ≤ L2 ≤ Y2 * cos20°, und θ = 20° - 60°, wobei Y2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode zu der zweiten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung ferner eine dritte emittierende Materialschicht zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht und der erste Elektrode auf, und ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konkaver Abschnitte wird ermittelt mittels einer folgenden Gleichung: Y3 = L3 * (1/cos θ), Y3 * cos60° ≤ L3 ≤ Y3 * cos20°, und θ = 20° - 60°, wobei Y3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, L3 ein Abstand von der zweiten Elektrode zur dritten emittierenden Materialschicht in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt ist.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die lichtemittierende Schicht eine Dicke innerhalb eines Bereichs von 3000Å bis 3500Å auf.
  • In der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die der Mehrzahl konvexer Abschnitte entspricht kleiner als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, welche der Mehrzahl konkaver Abschnitte entspricht.
  • In der vorliegenden Offenbarung emittieren die erste und die dritte Emissionsmaterialschicht Licht einer ersten Farbe, und die zweite emittierende Materialschicht emittiert Licht einer zweiten Farbe, welche verschieden ist von der ersten Farbe.
  • In der vorliegenden Offenbarung entspricht die erste Farbe einer Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von 440nm bis 480nm, und die zweite Farbe entspricht einer Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von 510nm bis 590nm.
  • In der vorliegenden Offenbarung weisen die erste emittierende Materialschicht, die zweite emittierende Materialschicht und die dritte emittierende Materialschicht eine erste blau emittierende Schicht, eine gelb-grüne Emissionsschicht bzw. eine zweite blaue Emissionsschicht auf.

Claims (14)

  1. Eine organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (101); eine Deckschicht (108) auf dem Substrat (101) und aufweisend eine Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) und eine Mehrzahl konkaver Abschnitte (118); eine erste Elektrode (111) auf der Deckschicht (108); eine lichtemittierende Schicht (113) auf der ersten Elektrode (111) und aufweisend eine erste Emissionsmaterialschicht (203a); und eine zweite Elektrode (113) auf der lichtemittierenden Schicht (113), wobei die erste emittierende Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) beabstandet ist von der zweiten Elektrode (113) durch einen ersten Abstand, und wobei die erste emittierende Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) beabstandet ist von der zweiten Elektrode (113) durch einen zweiten Abstand, der verschieden ist vom ersten Abstand.
  2. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei mindestens einer der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) einen unteren Flächenabschnitt (117a), einen oberen Flächenabschnitt (117b) und einen seitlichen Flächenabschnitt (117c) zwischen dem unteren Flächenabschnitt (117a) und dem obersten Flächenabschnitt (117b) aufweist, wobei ein Neigungsgrad des seitlichen Flächenabschnitts (117c) vom unteren Flächenabschnitt (117a) zum oberen Flächenabschnitt (117b) größer wird, und wobei der seitliche Flächenabschnitt (117c) einen maximalen Neigungsgrad in einem effektiven Emissionsbereich aufweist.
  3. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 2, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: L1 = D1 ∗ cos θ ;  wobei  θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0010
    und wobei L1 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, D1 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt (117a) ist.
  4. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 3, ferner aufweisend eine zweite emittierende Materialschicht (203b) zwischen der ersten emittierenden Materialschicht (203a) und der ersten Elektrode (111), wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: L2 = D2 ∗ cos θ , θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0011
    und wobei L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, D2 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt (117a) ist.
  5. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 4, ferner aufweisend eine dritte Emissionsmaterialschicht (203c) zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) und der ersten Elektrode (111), wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: L 3 = ( ( D 2 + D 3 ) / 2 ) * cos θ ,    θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0012
    und wobei L3 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, D3 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierende Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf der untere Flächenabschnitt (117a) ist.
  6. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei der Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ungefähr 585Ä mit einer Fehlerspanne von ±5% ist, wobei, ferner optional, der Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ungefähr 2880Ä mit einer Fehlerspanne von ±5% ist, und wobei, ferner optional, der Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ungefähr 3630Ä mit einer Fehlerspanne von ±5% ist.
  7. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: Y 1 = L 1 * ( 1 / cos θ ) ,
    Figure DE102019117580A1_0013
     L 1 ≤ Y 1,
    Figure DE102019117580A1_0014
    und θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0015
    wobei Y1 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, L1 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der ersten emittierenden Materialschicht (203a) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt (117a) ist.
  8. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 7, ferner aufweisend eine zweite emittierende Materialschicht (203b) zwischen der ersten emittierende Materialschicht (203a) und der ersten Elektrode (111), wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: Y 2 = L 2 ∗ ( 1 / cos θ ) ,
    Figure DE102019117580A1_0016
     Y 2 ∗ cos60 ° ≤ L 2 ≤ Y 2 ∗ cos 20 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0017
    und θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0018
     wobei Y2 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, L2 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt (117a) ist.
  9. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 8, ferner aufweisend eine dritte Emissionsmaterialschicht (203c) zwischen der zweiten emittierenden Materialschicht (203b) und der ersten Elektrode (111), wobei ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) ermittelt wird mittels einer folgenden Gleichung: Y3 = L3 ∗ ( 1 / cos θ ) ,
    Figure DE102019117580A1_0019
     Y3 ∗ cos60 ° ≤ L3 ≤ Y3 ∗ cos 20 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0020
    und θ = 20 ° − 60 ° ,
    Figure DE102019117580A1_0021
     wobei Y3 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, L3 ein Abstand von der zweiten Elektrode (113) zu der dritten emittierenden Materialschicht (203c) in der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) ist, und θ ein Winkel einer tangentialen Linie des seitlichen Flächenabschnitts (117c) in Bezug auf den unteren Flächenabschnitt (117a) ist.
  10. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei die lichtemittierende Schicht (113) eine Dicke von ungefähr 3000Ä bis 3500Ä aufweist.
  11. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (113), die der Mehrzahl konvexer Abschnitte (117) entspricht, kleiner ist als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (113) , die der Mehrzahl konkaver Abschnitte (118) entspricht.
  12. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die erste emittierende Materialschicht (203a) und die dritte Emissionsmaterialschicht (203c) ein Licht einer ersten Farbe emittiert, und die zweite emittierende Materialschicht (203b) ein Licht einer zweiten Farbe emittiert, die verschieden ist von der ersten Farbe.
  13. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 12, wobei die erste Farbe einer Wellenlänge von ungefähr 440nm bis 480nm entspricht, und die zweite Farbe einer Wellenlänge von ungefähr 510nm bis 590nm entspricht.
  14. Die organische-Licht-emittierende-Diode-Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 9, wobei die erste emittierende Materialschicht (203a), die zweite emittierende Materialschicht (203b) und die dritte emittierende Materialschicht (203c) eine erste blau emittierende Schicht, eine gelb-grüne Emissionsschicht beziehungsweise eine blaue Emissionsschicht aufweisen.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112768620A (zh) * 2021-01-11 2021-05-07 宁波诺丁汉大学 光取出基板和高效电致发光器件
CN114975821A (zh) * 2022-05-05 2022-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、和显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326135B1 (ko) * 2006-11-27 2013-11-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20090089151A (ko) * 2008-02-18 2009-08-21 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101545647B1 (ko) 2008-07-10 2015-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5504008B2 (ja) * 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012003925A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sony Corp 表示装置
WO2012157211A1 (ja) 2011-05-13 2012-11-22 ソニー株式会社 有機ｅｌ多色発光装置
KR102067376B1 (ko) * 2013-05-21 2020-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102057920B1 (ko) 2013-06-27 2019-12-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
CN110310962A (zh) 2014-06-13 2019-10-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102283502B1 (ko) 2014-10-10 2021-07-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
KR20160084282A (ko) 2015-01-05 2016-07-13 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 유기발광소자
KR101766714B1 (ko) 2015-08-31 2017-08-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170034173A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101739771B1 (ko) * 2015-11-30 2017-05-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI595644B (zh) * 2015-12-30 2017-08-11 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光二極體顯示裝置
KR102500231B1 (ko) 2016-03-31 2023-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR102661816B1 (ko) * 2016-12-20 2024-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광장치

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