DE102018202513A1 - Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer elektrischer Kontakte auf einem Bauelement, umfassend (a) Aufbringen einer oder mehrerer Beschichtungen auf dem Bauelement, wobei zumindest eine der Beschichtungen eine Beschichtung aus einem elektrisch leitfähigen Material ist, (b) Aufbringen eines selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters und/oder eines dielektrischen Materials auf dem beschichteten Bauelement, (c) Strukturierung der passivierenden Beschichtung durch Laserbehandlung oder Ätzen, (d) Kontaktieren der strukturierten Beschichtung mit einem Galvanikbad, (e) Ätzen der nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall bedeckten Bereiche.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Kontakte (beispielsweise in Form elektrischer Leiterbahnen) auf einem Bauelement, insbesondere einem elektrischen Bauelement wie z.B. einer Solarzellen oder einer Leuchtdiode, oder auch einer Vorstufe einer Leiterplatte. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Vorrichtungen, die über dieses Verfahren erhältlich sind.
  • Für die Verwendung vieler Bauelemente ist es erforderlich, dass auf ihnen elektrische Kontakte, insbesondere in Form elektrischer Leiterbahnen, angebracht werden. Die elektrischen Kontakte dienen beispielsweise dazu, Strom vom Bauelement abzuführen bzw. Spannung vom Bauelement abzugreifen oder eine elektrische Verbindung zwischen elektrischen Bauelementen, die auf dem Bauelement vorliegen, herzustellen. Handelt es sich bei dem Bauelement beispielsweise um eine Solarzelle, so kann der über den photovoltaischen Effekt in diesem Halbleiterbauelement erzeugte Photostrom über die elektrischen Kontakte abgeführt werden. Alternativ kann es sich bei dem Bauelement beispielsweise um eine Vorstufe einer Leiterplatte handeln, die durch das Aufbringen von Leiterbahnen schließlich in eine Leiterplatte (englisch: „Printed Circuit Board“ PCB) überführt wird.
  • In einem bekannten und üblichen Verfahren wird eine Silberpartikel enthaltende Paste auf das Bauelement aufgebracht und anschließend bei einer ausreichend hohen Temperatur behandelt, um ein Versintern der Silberpartikel zu bewirken. Dafür können Temperaturen von mindestens 800°C erforderlich sein. Für viele Bauelemente sind so hohe Temperaturen jedoch nicht akzeptabel.
  • Eine Heterojunction-Solarzelle, z.B. eine Silizium-Heterojunction-Solarzelle (SHJ-Solarzelle), ist ein beispielhaftes elektrisches Bauelement, das für ein Anbringen von elektrischen Kontakten bei relativ hohen Temperaturen ungeeignet ist. Die SHJ-Solarzelle ist eine Wafer-basierte kristalline Silizium-Solarzelle mit einem Emitter und einem Back- bzw. Front-Surface-Field aus amorphem Silizium. Als Ausgangsmaterial wird dazu kristallines, insbesondere monokristallines Silizium eingesetzt, das n- oder p-dotiert ist (Basisdotierung). Auf dieses wird beidseitig zuerst eine sehr dünne (ca. 1 bis 10 nm) intrinsische (undotierte) amorphe Siliziumschicht aufgetragen. Danach folgt auf einer Seite die Auftragung einer ebenfalls sehr dünnen (ca. 10 bis 50 nm), dotierten, amorphen Siliziumschicht, deren Dotierungstyp (n- oder p-Typ) der Basisdotierung entgegengesetzt ist (amorphe Emitterschicht). Auf der anderen Seite wird eine dünne (10 bis 50 nm) amorphe Siliziumschicht aufgebracht, deren Dotierungstyp dem der Basisdotierung entspricht (Back- bzw. Front-Surface-Field). Abschließend wird ein leitfähiges transparentes Oxid (englisch: „Transparent Conductive Oxide“ TCO) wie z. B. Indium-Zinn-Oxid (ITO) von 50-100 nm Dicke aufgetragen. Eine solche TCO-Schicht weist bei 25°C üblicherweise einen Schichtwiderstand von nicht mehr als als 300 Ω auf. Aufbau und Funktionsweise von Heterojunction-Solarzellen beschreiben z.B. S. De Wolf et al., Green, Vol. 2 (2012), S. 7-24.
  • Um eine unerwünschte Kristallisation in den amorphen Silizium-Schichten der SHJ-Solarzelle zu vermeiden, sollten Temperaturen von mehr als 250°C vermieden werden.
  • Auch für andere Solarzellentypen oder andere elektrische Bauelemente wie Leuchtdioden ist das Anbringen elektrischer Kontakte bei möglichst geringer Temperaturbelastung wünschenswert.
  • Durch die Verwendung von hinreichend kleinen Silbernanopartikeln kann die Sintertemperatur von Silberpasten auf unter 200°C gesenkt werden. Nachteilig ist hierbei jedoch, dass die Pasten nicht gelagert werden können, da der Sinterprozess auch bei Raumtemperatur langsam abläuft und dass Silbernanopartikel ein erhebliches Gesundheitsrisiko darstellen. Zudem sind die Kosten für Nanopartikel deutlich höher als für große Partikel oder galvanisch abgeschiedene Metalle.
  • Bekannt ist auch die Verwendung von Pasten, die organische Binder wie z.B. temperaturvernetzende Harze und Silberpartikel in Flockenform enthalten. Das Harz bildet eine Matrix, welche die Flocken zusammenhält und die Haftfestigkeit zu der Außenschicht des elektrischen Bauelements (beispielsweise einer Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) wie ITO) herstellt. Hiermit wird aber eine deutlich geringere Leitfähigkeit erreicht als mit thermisch gesinterten Pasten. Dadurch wird mehr Silber benötigt und die Abschattung der Solarzellenvorderseite durch die Leiterbahnen erhöht.
  • Alternativ können die Leiterbahnen galvanisch aufgebracht werden. Hiermit wird eine sehr gute elektrische Leitfähigkeit der Leiterbahnen erreicht. Die Oberfläche muss aber mit einer Maske aus Galvanolack als Negativ des Leiterbahnmusters bedruckt werden. Nach der galvanischen Abscheidung muss der Lack in einem chemischen Bad entfernt werden. Die Notwendigkeit dieser Lackmaske macht dieses Verfahren aber wegen des Materialverbrauchs und der nötigen Abwasseraufreinigung sehr teuer. Zudem ist die Haftfestigkeit der galvanisch aufgebrachten Metallschicht auf einer TCO-Schicht (d.h. einer Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid wie ITO) teilweise nicht zufriedenstellend. Bei besonders hochwertigen Bauelementen wird zunächst ganzflächig eine dünne Metallschicht oder ein Metallschichtstapel auf das Werkstück aufgebracht. Hierauf wird beispielsweise ein Photolack aufgebracht und photolithographisch in Form einer Negativmaske der zu erzeugenden Leiterbahnen strukturiert. Alternativ wird die Negativmaske bereits strukturiert (bespielsweise mittels Inkjet) aufgebracht. Die nicht mit Lack beschichtete Oberfläche wird galvanisch mit Kupfer verstärkt und das Kupfer optional durch eine zusätzliche Silberschicht vor Oxidation geschützt. Anschließend wird der Lack in einem chemischen Bad entfernt und das Metall in den zuvor lackbeschichteten Bereichen geätzt. Ein entsprechender Metallisierungsprozess wird beispielsweise in US 8,399,287 B1 beschrieben.
  • US 2014/0295614 A1 beschreibt ein Verfahren zur Metallisierung von Rückseitenkontaktsolarzellen. Die aufgedampfte Aluminiumsaatschicht kann vollflächig durch einen Zinkatschritt aktiviert werden. Anschließend kann das Aufbringen einer lokalen Barriereschicht erfolgen. Nach der galvanischen Abscheidung muss die Barriereschicht entfernt und die aktivierte Aluminiumsaatschicht geätzt werden.
  • WO 2015/148572 A1 beschreiben ein Verfahren zur Metallisierung einer Solarzelle, bei dem eine Aluminiumschicht lokal anodisiert wird. Die anodisierten Bereiche bewirken die elektrische Trennung der Metallkontakte einer Rücksei tenkontaktsolarzell e.
  • R. Rohit et al., Energy Procedia, 124 (2017), S. 901-906, beschreiben ein Verfahren zur Metallisierung einer Solarzelle. Bei diesem Verfahren wird auf einer SHJ-Solarzelle zunächst eine selbstpassivierende Beschichtung aus Titan abgeschieden. Eine Strukturierung der Titanschicht findet nicht statt. Auf definierten Bereichen dieser selbstpassivierenden Beschichtung wird Nickel abgeschieden. Anschließend erfolgt die galvanische Abscheidung von Kupfer auf dem Nickel.
  • Auch bei Leiterplatten , sogenannten Printed Circuit Boards (PCB) aus Kunststoff, können mangels thermischer Beständigkeit des Trägermaterials keine Leiterbahnen aus sinterbaren Metallpartikeln gedruckt werden. Leiterbahnen aus Silberflocken in einer Harzmatrix kommen wegen der hohen Kosten, der mangelnden Leitfähigkeit und der mangelnden Eignung für Lötprozesse zur Ankopplung der elektrischen Bauelemente nur in Ausnahmefällen in Frage.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt in dem Aufbringen elektrischer Kontakte wie z.B. elektrischer Leiterbahnen auf einem Bauelement über ein Verfahren, das die thermische Belastung des Bauelements gering hält, die Verwendung von Masken (z.B. Lackmasken) vermeidet und möglichst effizient durchführbar ist.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer elektrischer Kontakte auf einem Bauelement, das eine Vorder- und eine Rückseite aufweist, folgende Schritte umfassend:
    1. (a) Aufbringen einer oder mehrerer Beschichtungen auf der Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements unter Erhalt eines beschichteten Bauelements, wobei zumindest eine der Beschichtungen eine Beschichtung aus einem elektrisch leitfähigen Material ist,
    2. (b) Aufbringen eines selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters und/oder eines dielektrischen Materials auf dem beschichteten Bauelement unter Erhalt einer passivierenden Beschichtung,
    3. (c) Behandlung definierter Bereiche der passivierenden Beschichtung mit einem Laser oder durch Ätzen unter Erhalt einer strukturierten Beschichtung,
    4. (d) Kontaktieren der strukturierten Beschichtung mit einem Galvanikbad, wobei ein Metall in den mit dem Laser oder dem Ätzmedium behandelten Bereichen galvanisch abgeschieden wird,
    5. (e) Ätzen der nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall bedeckten Bereiche, bis die Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements in diesen Bereichen freigelegt ist.
  • Wie dem Fachmann bekannt ist, bilden Beschichtungen aus einem selbstpassivierenden Metall (im Englischen auch als „valve metals“ bezeichnet) oder einem selbstpassivierenden Halbleiter bereits bei Raumtemperatur an ihrer Oberfläche einen dünnen Oxidfilm aus (d.h. die Beschichtung weist eine dielektrische Oberfläche in Form eines natürlichen Oxidfilms auf). Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird genutzt, dass durch die Anwesenheit dieses Oxidfilms eine galvanische Metallabscheidung auf dem selbstpassivierenden Metall oder Halbleiter nicht möglich oder zumindest gehemmt ist. Auch auf einer Beschichtung aus einem dielektrischen Material wie Siliziumoxid oder Aluminiumoxid ist eine galvanische Abscheidung eines Metalls nicht möglich oder zumindest gehemmt.
  • Werden definierte Bereiche dieser passivierenden (d.h. selbstpassivierenden oder dielektrischen) Beschichtung mit einem Laser oder einem Ätzmedium behandelt, so ist in den behandelten Bereichen anschließend eine galvanische Metallabscheidung möglich, während für die unbehandelten Bereiche weiterhin gilt, dass eine galvanische Abscheidung nicht oder nur in geringem Umfang stattfindet. Durch die Laser- oder Ätzbehandlung wird beispielsweise in den behandelten Bereichen die passivierende Beschichtung abgetragen, so dass eine oder mehrere Aussparungen entstehen und die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in diesen Bereichen zumindest teilweise freigelegt wird. Alternativ ist es beispielsweise auch möglich, dass die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in den behandelten Bereichen in die passivierende Beschichtung eindiffundiert. Durch das teilweise Freilegen der Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material oder das Eindiffundieren dieser elektrisch leitfähigen Beschichtung in die passivierende Beschichtung werden definierte Bereiche generiert, auf denen eine galvanische Metallabscheidung erfolgen kann.
  • Nach erfolgter galvanischer Metallabscheidung können die Bereiche, die nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall bedeckten sind, soweit zurückgeätzt werden, bis die Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements in diesen Bereichen freigelegt ist.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich in effizienter Weise bei geringer thermischer Belastung metallische Kontakte auf einem Bauelement anbringen. Da sich die selbstpassivierende oder dielektrische Schicht durch eine Laser- oder Ätzbehandlung in nahezu beliebiger Weise strukturieren lässt, sind auch metallische Kontakte in beliebiger Form erhältlich (z.B. in Form sogenannter Finger und Busbars bzw. einer Interdigitalstruktur). Eine Maske für die Strukturierung der dielektrischen oder selbstpassivierenden Schicht ist nicht erforderlich. In dem anschließenden Galvanisierungsschritt fungiert die strukturierte Beschichtung als „Maske“, die eine Metallabscheidung in definierten Bereichen ermöglicht.
  • Das Bauelement ist beispielsweise ein elektrisches Bauelement (z.B. ein optoelektronisches Bauelement oder ein Halbleiterbauelement) oder eine Vorstufe davon.
  • Bei dem Bauelement, auf dem die elektrischen Kontakte anzubringen sind, kann es sich auch um die Vorstufe einer Leiterplatte handeln. Die Vorstufe der Leiterplatte enthält bevorzugt einen Kunststoff (insbesondere einen elektrisch nicht-leitenden Kunststoff), der optional noch durch Fasern verstärkt sein kann. Die Vorstufe der Leiterplatte kann beispielsweise eine flexible Folie (z.B. eine Kunststofffolie) oder alternativ eine starre bzw. steife Platte (z.B. eine Kunststoffplatte) sein.
  • Ein bevorzugtes elektrisches Bauelement ist beispielsweise eine Solarzelle, eine Diode (z.B. eine Leuchtdiode) oder ein Bildschirm, insbesondere ein Flachbildschirm („Flat Panel Display“), z.B. ein Flüssigkristallbildschirm „LCD“. Im Fall einer Solarzelle handelt es sich bei der Vorderseite um die beleuchtete, d.h. die der Strahlungsquelle zugewandte Seite des Bauelements. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können die elektrischen Kontakte beispielsweise auf der Vorderseite oder auf der Rückseite (z.B. im Fall einer ausschließlich Rückseitenkontaktierten Solarzelle) oder auch auf beiden Seiten des Bauelements aufgebracht werden.
  • Das elektrische Bauelement, auf dem der elektrische Kontakt aufgebracht wird, muss noch nicht in seiner finalen Form vorliegen, enthält jedoch üblicherweise bereits diejenigen Komponenten, die für seine Funktion (wie z.B. Realisierung des photovoltaischen Effekts) wesentlich sind. Alternativ kann das Bauelement, auf dem der elektrische Kontakt aufgebracht wird, eine Vorstufe eines elektrischen Bauelements sein und die weiteren Komponenten, die für die Realisierung seiner Funktionsweise erforderlich sind, werden erst nach dem Aufbringen des elektrischen Kontakts hinzugefügt.
  • Unter einer Solarzelle wird im Rahmen der vorliegenden Erfindung ein Halbleiterbauelement verstanden, das unter Einwirkung von Strahlungsenergie, in der Regel Sonnenlicht, einen photovoltaischen Effekt zeigt.
  • Bevorzugt ist die Solarzelle eine Silizium-Solarzelle. In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Bauelement eine Heterojunction-Solarzelle, insbesondere eine Silizium-Heterojunction-Solarzelle (SHJ-Solarzelle) oder eine Vorstufe davon. Wie dem Fachmann bekannt ist, weist eine SHJ-Solarzelle an seiner Vorder- und/oder Rückseite üblicherweise eine Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) auf.
  • Bei der Solarzelle kann es sich auch um eine ausschließlich über ihre Rückseite kontaktierte Solarzelle handeln. Bei diesen Solarzellen liegen die elektrischen Kontakte beispielsweise in Form einer Interdigitalstruktur vor.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist von besonderem Interesse für kristalline Siliziumsolarzellentypen, welche zumindest auf einer der beiden Oberflächen eines kristallinen Siliziumsubstrats, welches als Basismaterial der Solarzelle dient, eine leitfähige Schicht aufweisen, deren Leitfähigkeit durch metallisch aufgebrachte Leiterbahnen weiter verbessert werden muss.
  • Hierzu gehören beispielsweise Solarzellentypen, welche auf zumindest einer Seite des als Basismaterial fungierenden kristallinen Siliziums eine optisch transparente, elektrisch leitfähige Beschichtung aufweisen, welche die Rekombination von Elektron-Loch-Paaren an der entsprechend beschichteten Oberfläche der kristallinen Siliziumscheibe unterdrückt.
  • Hierzu gehören insbesondere Silizium-Heterojunction-Solarzellen (SHJ), bei welchen die passivierenden Schichten aus amorphem Silizium bestehen. Alternativ kann die Oberfläche auch aus einer durchtunnelbaren (und damit senktrecht zur Schicht ebenfalls leitfähigen) Siliziumdioxid-Schicht bestehen, auf welche nachfolgend eine leitfähige Polysiliziumschicht, eine Siliziumcarbidschicht oder ein leitfähiges Metalloxid wie z.B. Molybdänoxid, Wolframoxid, Nickeloxid oder Titanoxid aufgebracht wird. Da die Leitfähigkeit aller genannten Schichten parallel zur Oberfläche sehr gering ist, wird vorzugsweise auf das rekombinationsunterdrückende Schichtsystem zusätzlich eine hochleitfähige TCO-Schicht (z.B. eine ITO-Schicht) aufgebracht. Da jedoch selbst bei Aufbringung einer TCO-Schicht die Leitfähigkeit parallel zur Oberfläche zu gering ist, um den Strom effizient abführen zu können, müssen zusätzlich metallische Leiterbahnen auf die Oberfläche aufgebacht werden.
  • Für Solarzellen als Bauelement, insbesondere für die oben genannten Solarzellentypen wie z.B. eine SHJ-Solarzelle, eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren hervorragend, da es ohne Hochtemperaturschritt zum Sintern der aufgebrachten Metallschichten auskommt und auf organische Masken verzichtet werden kann.
  • SHJ-Solarzellen sind kommerziell erhältlich oder können über Verfahren, die dem Fachmann bekannt sind, hergestellt werden.
  • Wie oben bereits ausgeführt, werden in Schritt (a) auf der Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements eine oder mehrere Beschichtungen aufgebracht, wobei zumindest eine der Beschichtungen eine Beschichtung aus einem elektrisch leitfähigen Material ist. Es wird ein beschichtetes Bauelement erhalten. Wie nachfolgend noch eingehender beschrieben, wird die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in der später in Schritt (c) erfolgenden Strukturierung der passivierenden Schicht in definierten Bereichen zumindest teilweise wieder freigelegt oder diffundiert in diesen Bereichen in die passivierende Schicht ein und ermöglicht so eine gezielte, örtlich begrenzte galvanische Metallabscheidung.
  • Bevorzugt ist das elektrisch leitfähige Material der Beschichtung in Schritt (a) ein Metall (entweder in elementarer Form oder in Form einer Legierung). Bei dem Metall handelt es sich beispielsweise um Kupfer, Nickel, Indium, Zinn, Zink, Chrom, Eisen, Cobalt oder ein Edelmetall wie Silber oder eine Legierung eines dieser Metalle (z.B. eine Nickel-Vanadium-Legierung). Auf diesen Metallen lassen sich sehr gut weitere Metalle über eine galvanische Abscheidung aufbringen.
  • Bevorzugt wird die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material (insbesondere einem Metall) über eine Gasphasenabscheidung, insbesondere eine physikalische Gasphasenabscheidung (z.B. durch Sputtern) aufgebracht.
  • Die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material weist bevorzugt eine Dicke im Bereich von 10 nm bis 150 nm auf. Die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material kann ein- oder mehrlagig sein. Ist sie mehrlagig, enthält sie beispielsweise zwei oder mehr Schichten, die jeweils aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sind.
  • Sofern zusätzlich zu der Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material noch weitere Schichten in Schritt (a) aufgebracht werden, handelt es sich bevorzugt ebenfalls um metallische Schichten. Hinsichtlich geeigneter Metalle kann auf die bereits oben genannten Metalle verwiesen werden. Es können jedoch auch selbstpassivierende Metalle wie Aluminium oder Titan verwendet werden. Werden in Schritt (a) noch weitere Schichten aufgebracht, so kann dies z.B. ebenfalls über eine Gasphasenabscheidung (insbesondere eine physikalische Gasphasenabscheidung wie Sputtern) erfolgen.
  • Sofern in Schritt (a) zusätzlich zu der Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material noch weitere Beschichtungen aufgebracht werden, liegt deren Dicke bevorzugt jeweils im Bereich von 10 nm bis 150 nm. Die Gesamtdicke der in Schritt (a) aufgebrachten Beschichtungen ist beispielsweise ≤ 1 µm, bevorzugter ≤ 0.6 µm, noch bevorzugter ≤ 0.3 µm.
  • Werden in Schritt (a) mehrere Schichten aufgebracht, so stellt die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material bevorzugt die oberste Schicht des beschichteten Bauelements dar (d.h. die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material wird zuletzt aufgebracht).
  • Alternativ ist es auch möglich, dass in Schritt (a) auf die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material noch eine Beschichtung aus einem thermisch (insbesondere durch Laserbehandlung) verdampfbaren Material aufgebracht wird und diese verdampfbare Beschichtung dann die oberste Schicht des in Schritt (a) hergestellten beschichteten Bauelements ist. Bei der später in Schritt (c) erfolgenden Behandlung der passivierenden Beschichtung mit einem Laser wird die Ablösung dieser passivierenden Beschichtung in den behandelten Bereichen durch ein Verdampfen des verdampfbaren Materials unterstützt. Durch die Laserbehandlung wird auch die unter der passivierenden Beschichtung vorliegende Beschichtung erwärmt. Enthält diese Beschichtung ein Material ausreichender Flüchtigkeit, so verdampft dieses und unterstützt des Abtragen der darüberliegenden passivierenden Beschichtung. Als Material, das bei einer Laserbehandlung eine ausreichend hohe Verdampfbarkeit aufweist, kann beispielsweise Magnesiumfluorid, Magnesiumoxid, Bismutoxid, Magnesium, Zinn, oder ein Gemisch aus mindestens zwei dieser Materialien genannt werden. Die durch Laserbehandlung verdampfbare Beschichtung wird beispielsweise durch Sputtern aufgebracht.
  • In Schritt (b) des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt das Aufbringen eines selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters und/oder eines dielektrischen Materials auf dem beschichteten Bauelement unter Erhalt einer passivierenden Beschichtung.
  • Bei der Verwendung eines selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters wird die passivierende Beschichtung nachfolgend auch als selbstpassivierende Beschichtung bezeichnet. Bei der Verwendung eines dielektrischen Materials wie Siliziumoxid oder Aluminiumoxid wird die passivierende Beschichtung nachfolgend auch als dielektrische Beschichtung bezeichnet.
  • Wie dem Fachmann bekannt ist, handelt es sich bei selbstpassivierenden Metallen oder Halbleitern um solche Metalle oder Halbleiter, die an Luft bei Raumtemperatur (25°C) spontan eine passivierende, sehr dünne Oxidschicht ausbilden können. Das selbstpassivierende Metall ist beispielsweise ein Metall, dessen Standardpotential Eo in der elektrochemischen Spannungsreihe < 0 V bevorzugt < -0.5 V (somit lässt sich Kupfer gut abscheiden, ohne dass Gefahr besteht die passivierende Oxidschicht zu reduzieren, besonders bevorzugt < -0,8 (somit setzt eher die Zersetzung von Wasser ein als das die Oxidschicht reduziert wird) ist und das ein Oxid mit einer Bandlücke ≥ 3,0 eV ausbilden kann. Ist das Standardpotential Eo < -0.5 V, lässt sich Kupfer gut abscheiden, ohne dass Gefahr besteht, die passivierende Oxidschicht zu reduzieren. Ist das Standardpotential Eo < -0.8 V, setzt eher die Zersetzung von Wasser ein, als dass die passivierende Oxidschicht reduziert wird. Bevorzugt ist das selbstpassivierende Metall Aluminium, Titan, Tantal oder Niob oder eine Legierung eines dieser Metalle. Besonders bevorzugt ist das selbstpassivierende Metall Aluminium oder Titan oder eine Legierung eines dieser Metalle Ein bevorzugter selbstpassivierender Halbleiter ist Silizium.
  • Geeignete dielektrische Materialien für die Ausbildung einer dielektrischen Beschichtung sind dem Fachmann bekannt. Das dielektrische Material ist z.B. ein Oxid, ein Nitrid oder Oxynitrid eines Metalls oder Halbleiters. Beispielhaft können Siliciumoxid, Aluminiumoxid oder Siliciumnitrid genannt werden.
  • Das Aufbringen der passivierenden Beschichtung kann über bekannte Verfahren erfolgen, beispielsweise durch eine physikalische Gasphasenabscheidung (z.B. Sputtern, auch als Kathodenzerstäubung bezeichnet), eine chemische Gasphasenabscheidung (z.B. Plasma-unterstützte Gasphasenabscheidung PECVD) oder auch durch Anbringen einer Folie des selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters. Diese Beschichtungsverfahren führen nur zu einer geringen thermischen Belastung des Bauelements.
  • Die passivierende Beschichtung kann beispielsweise eine Dicke im Bereich von ≤ 10 µm, bevorzugter < 1 µm, noch bevorzugter ≤ 300 nm oder sogar ≤ 150 nm aufweisen. Bevorzugt weist die passivierende Beschichtung eine Dicke von mindestens 10 nm auf.
  • Die passivierende Schicht kann einlagig oder mehrlagig sein. Beispielsweise kann zunächst ein erstes dielektrisches Material (oder ein erstes selbstpassivierendes Metall) abgeschieden werden, gefolgt von der Abscheidung mindestens eines zweiten dielektrischen Materials (oder eines zweiten selbstpassivierenden Metalls). Alternativ kann z.B. zunächst eine dielektrische Beschichtung und anschließend eine selbstpassivierende Beschichtung oder zunächst eine selbstpassivierende Beschichtung und anschließend eine dielektrische Beschichtung aufgebracht werden, die dann eine mehrlagige passivierende Beschichtung bilden.
  • In Schritt (c) des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt die Behandlung definierter Bereiche der passivierenden Beschichtung mit einem Laser oder durch Ätzen unter Erhalt einer strukturierten Beschichtung.
  • Die strukturierte Beschichtung weist also behandelte und unbehandelte Bereiche auf. In den unbehandelten Bereichen liegt weiterhin das in Schritt (b) aufgebrachte selbstpassivierende und/oder dielektrische Material vor.
  • Durch die Laser- oder Ätzbehandlung wird beispielsweise in den behandelten Bereichen die passivierende Beschichtung entfernt, so dass eine oder mehrere Aussparungen entstehen und die in Schritt (a) aufgebrachte Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in diesen Bereichen zumindest teilweise freigelegt wird.
  • Bevorzugt werden weniger als 20% oder sogar weniger als 10% der Fläche der passivierenden Beschichtung entfernt. Die Aussparungen können beispielsweise in Form linear verlaufender Gräben, die sich optional kreuzen, vorliegen. Die Aussparungen definieren beispielsweise die sogenannten Finger und Busbars an Vorder- und/oder Rückseite der Solarzelle.
  • Alternativ ist es beispielsweise auch möglich, dass in den (z.B. mit dem Laser) behandelten Bereichen die Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in die passivierende Beschichtung eindiffundiert.
  • Durch das Freilegen der in Schritt (a) aufgebrachten Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material oder das Eindiffundieren dieses elektrisch leitfähigen Materials in die passivierende Beschichtung werden definierte Bereiche generiert, die einer galvanischen Metallabscheidung zugänglich sind. Für die unbehandelten Bereiche gilt weiterhin gilt, dass eine galvanische Abscheidung nicht oder nur in geringem Umfang möglich ist.
  • Geeignete Laser und Verfahrensbedingungen für die Strukturierung einer dielektrischen oder selbspassivierenden Beschichtung kann der Fachmann in Routineversuchen bestimmen. Über die Leistung des Lasers und/oder die Dauer der Laserbehandlung kann festgelegt werden, ob das selbstpassivierende oder dielektrische Material zumindest teilweise entfernt wird (wodurch die in Schritt (a) aufgebrachte Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material zumindest teilweise freigelegt wird) oder das elektrisch leitfähige Material der Beschichtung in den behandelten Bereichen in die passivierende Beschichtung eindiffundiert.
  • Das Ätzen kann z.B. unter Verwendung einer Ätzmaske durchgeführt werden. Bevorzugt erfolgt das Ätzen jedoch ohne Verwendung einer Maske. In einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Ätzen durch Auftragen eines Ätzmittels (z.B. eines pastenförmigen Ätzmittels) über ein Druckverfahren wie z.B. flexographischen Druck, Siebdruck, Extrusionsdruck oder Inkjet-Druck. Durch das Ätzen wird die passivierende Beschichtung abgetragen und die in Schritt (a) aufgebrachte Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material wird zumindest teilweise freigelegt.
  • Das Ätzen kann beispielsweise ein elektrochemisches Ätzen sein. Dabei wird der Ätzprozess durch Anlegen einer Spannung beeinflusst. Elektrochemisches Ätzen ist dem Fachmann bekannt. Um definierte Bereiche zu ätzen, kann das Ätzmedium beispielsweise über ein Druckverfahren (z.B. Siebdruck oder Extrusionsdruck) aufgebracht werden. Ein Ätzen definierter Flächen über ein elektrochemisches Ätzverfahren unter Verwendung von Druckverfahren beschreibt z.B. US 2016/0240699 A1 .
  • Besonders bevorzugt ist die Verwendung eines elektrochemischen Druckverfahrens für das Ätzen. Hierbei wird das Druckwerkzeug mit einer kathodischen Spannung beaufschlagt, während das Bauelement mit einer anodischen Spannung beaufschlagt wird. Durch das Druckmedium fließt dann ein Strom von der unedlen Oberfläche des Bauelements zum Druckwerkzeug. Bei Verwendung eines geeigneten Druckmediums werden dadurch die selbstpassivierenden und dielektrischen Schichten bereits während des Druckprozesses lokal in den Bereichen geätzt, in welchen diese durch das Druckmedium bedeckt sind. Besonders bevorzugte Druckverfahren sind Siebdruck und Extrusionsdruck (Dispensen). Beim Siebdruck wird das Bauelement anodisch kontaktiert, während das metallische Siebgewebe kathodisch kontaktiert wird. Beim Dispensen wird der Druckkopf kathodisch kontaktiert. Geeignete Druckmedien können beispielsweise gelierte Phosphorsäure enthalten.
  • Wie oben bereits ausgeführt, wird in Schritt (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens die in Schritt (c) erzeugte strukturierte Beschichtung mit einem Galvanikbad in Kontakt gebracht. Dabei wird ein Metall in den mit dem Laser oder dem Ätzmedium behandelten Bereichen galvanisch abgeschieden, während in den unbehandelten Bereichen eine galvanische Abscheidung eines Metalls nicht oder nur partiell erfolgt. Die unbehandelten Bereiche sind also zumindest teilweise nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall bedeckt.
  • Das Galvanikbad enthält ein Salz des abzuscheidenden Metalls. In das Galvanikbad wird üblicherweise noch eine Hilfselektrode eingetaucht, z.B. eine Kupferanode („Opferanode“) oder eine Titanelektrode. Als Gegenelektrode fungiert die strukturierte Beschichtung. Wird die strukturierte Beschichtung mit einem geeigneten negativen (d.h. kathodischen) elektrischen Potential beaufschlagt, so werden die Metallionen reduziert und das Metall scheidet sich in den mit dem Laser oder durch Ätzen behandelten Bereichen ab.
  • Die galvanische Abscheidung kann mittels Gleichstrom oder mittels Pulsstrom erfolgen. Durch die Verwendung eines Pulsstroms, der sein Vorzeichen wechselt, kann die selektive Abscheidung des Metalls in den behandelten Bereichen weiter verbessert werden. Ein Pulsstrom, der sein Vorzeichen wechselt, weist alternierend negative (kathodische) und positive (anodische) Strompulse auf.
  • Bei dem galvanisch abgeschiedenen Metall handelt es sich bevorzugt um Kupfer oder eine Kupferlegierung, Nickel oder eine Nickellegierung oder ein Edelmetall wie Silber oder eine Silberlegierung.
  • Wenn in Schritt (c) durch die Laser- oder Ätzbehandlung die passivierende Beschichtung zumindest teilweise entfernt wurde, so dass eine oder mehrere Aussparungen entstehen und die in Schritt (a) aufgebrachte Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material in diesen Bereichen zumindest teilweise freigelegt wird, so erfolgt in Schritt (d) die galvanische Abscheidung des Metalls in den Aussparungen. Bevorzugt erfolgt die galvanische Metallabscheidung mindestens so lange, bis die Aussparungen vollständig mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall ausgefüllt sind.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt die galvanische Metallabscheidung so lange, bis das galvanisch abgeschiedene Metall die Aussparungen vollständig ausfüllt und einen Überstand bildet (d.h. ein Teil des galvanisch abgeschiedenen Metalls ragt aus den Aussparungen heraus). Dies kann für das spätere Ätzen in Schritt (e) vorteilhaft sein. Wenn in dem späteren Ätzschritt (e) auch das in Schritt (d) galvanisch abgeschiedene Metall durch das Ätzmedium angegriffen wird, liegt dieses galvanisch abgeschiedene Metall in einer ausreichenden Menge bzw. Dicke vor, so dass nach Beendigung des Ätzschritts (e) noch ausreichend galvanisch abgeschiedenes Metall vorhanden ist.
  • Optional werden nach dem galvanischen Metallabscheidungsschritt (d) und vor dem Ätzschritt (e) noch ein oder mehrere zusätzliche Metalle galvanisch abgeschieden. Die galvanische Abscheidung eines weiteren Metalls erfolgt jeweils selektiv auf dem zuvor galvanisch abgeschiedenen Metall. Bei diesen zusätzlich abgeschiedenen Metallen handelt es sich beispielsweise um Kupfer oder eine Kupferlegierung, Nickel oder eine Nickellegierung oder ein Edelmetall wie Silber oder eine Silberlegierung. Bei übereinanderliegenden (d.h. in direktem Kontakt stehenden) Metallen handelt es sich bevorzugt um unterschiedliche Metalle.
  • Das galvanisch abgeschiedene Metall liegt beispielsweise in einer Dicke von 1 µm bis 30 µm, bevorzugter 3 µm bis 25 µm vor.
  • In Schritt (e) des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt ein Ätzen der nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall bedeckten Bereiche, bis die Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements in diesen Bereichen freigelegt ist.
  • Bei einer Leiterplatte (bzw. der Vorstufe einer Leiterplatte) ist diese freigelegte Vorder- und/oder Rückseite beispielsweise eine Kunststoffoberfläche. Handelt es sich bei dem Bauelement um eine SHJ-Solarzelle, so ist diese freigelegte Vorder- und/oder Rückseite beispielsweise eine Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (d.h. eine „TCO“-Schicht), z.B. eine ITO-Schicht.
  • Geeignete Ätzmittel für das Abtragen der selbstpassivierenden und/oder dielektrischen Beschichtung oder der in Schritt (a) aufgebrachten Beschichtungen (z.B. der Beschichtung aus dem elektrisch leitfähigen Material) sind dem Fachmann bekannt.
  • Nach Beendigung des Ätzschritts (e) liegt das in Schritt (d) galvanisch abgeschiedene Metall zumindest teilweise noch vor und kann als elektrischer Kontakt fungieren (um beispielsweise den in der Solarzelle erzeugten Strom abzuführen).
  • Gegebenenfalls können die Ätzmittel im Laufe des Schritts (e) gewechselt werden, um möglichst selektiv das jeweilige Material abtragen zu können. Das Ätzmittel kann ein flüssiges oder gasförmiges Ätzmittel sein.
  • Sofern ein in Schritt (e) verwendetes Ätzmittel auch ein in Schritt (d) galvanisch abgeschiedenes Metall angreift, kann dies beispielsweise dadurch kompensiert werden, dass die Dicke des galvanisch abgeschiedenen Metalls ausreichend hoch ist. Damit kann sicher gestellt werden, dass nach Beendigung des Ätzschritts (e) das in Schritt (d) galvanisch abgeschiedene Metall zumindest teilweise noch vorliegt.
  • Beispielhafte Ätzmittel sind z.B. wässrige NaOH, wässrige NH4OH-H2O2-Lösung oder Phosphorsäure. In Abhängigkeit von den zu ätzenden Materialien können aber auch andere, dem Fachmann bekannte Ätzmittel verwendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem ein metallisiertes Bauelement, das durch das oben beschriebene Verfahren erhältlich ist.
  • Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden beispielhaften Ausführungsform eingehender beschrieben. Die nach den jeweiligen Verfahrensschritten erhaltenen Strukturen werden auch in den 1a-e gezeigt.
  • Als Bauelement 1, auf dem eine oder mehrere elektrische Kontakte angebracht werden sollen, wird eine Silizium-Heterojunction-Solarzelle (SHJ) bereitgestellt. Diese weist auf ihrer Vorder- und Rückseite jeweils eine Beschichtung aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid („TCO“) wie z.B. Indiumzinnoxid („ITO“) auf (nicht gezeigt in 1a).
  • In Schritt (a) wird auf der Vorderseite (alternativ: die Rückseite oder sowohl die Vorder- wie auch die Rückseite) der SHJ-Solarzelle 1 eine Beschichtung 2 aus einem elektrisch leitfähigen Material durch Sputtern aufgebracht. Die dabei erhaltene Struktur ist in 1a gezeigt. Diese elektrisch leitfähige Beschichtung kann ein- oder mehrlagig sein. Beispielsweise wird durch Sputtern zunächst Nickel aufgebracht (Schichtdicke z.B. 10-30 nm), gefolgt von dem Aufbringen von Kupfer (Schichtdicke z.B. 50-70 nm) und abschließend dem Aufbringen von Nickel (Schichtdicke z.B. 10-30 nm).
  • In Schritt (b) wird durch Sputtern eine Schicht aus einem selbstpassivierenden Metall (z.B. Aluminium) mit einer Schichtdicke von etwa 60-80 nm aufgebracht. Da sich an der Oberfläche des Aluminiums eine natürliche Oxidschicht bildet, wird eine selbstpassivierende Beschichtung 3 erhalten. Alternativ kann ein dielektrisches Material wie z.B. Aluminiumoxid, Siliziumoxid oder Siliziumnitrid aufgebracht werden (bevorzugt ebenfalls durch Sputtern), wodurch eine dielektrische Beschichtung 3 erhalten wird. Eine beispielhafte Struktur, die in Schritt (b) erhalten wird, zeigt 1b.
  • In Schritt (c) wird in definierten Bereichen auf der selbstpassivierenden Aluminiumschicht 3 über ein Druckverfahren eine HCl-haltige Ätzpaste aufgebracht, auf 80°C erwärmt und mit Wasser gespült. In diesen geätzten Bereichen wird die Aluminiumschicht 3 abgetragen und die darunterliegende Nickelschicht 2 freigelegt. Es wird eine strukturierte Beschichtung 4 erhalten, in der die in Schritt (b) abgeschiedene Aluminiumschicht 3 durch eine oder mehrere Aussparungen unterbrochen ist. Eine beispielhafte Struktur, die in Schritt (c) erhalten wird, zeigt 1c.
  • In Schritt (d) wird die strukturierte Aluminiumschicht 4 mit einem Kupfersalzhaltigen Galvanikbad kontaktiert. Für die galvanische Abscheidung wird ein Pulsstrom (d.h. abwechselnde kathodische und anodische Pulse) verwendet. Durch den Wechsel von Abscheidepulsen (d.h. kathodischen Pulsen) und Auflösepulsen (d.h. anodischen Pulsen) des elektrischen Stroms erfolgt die galvanische Abscheidung selektiv in den Aussparungen (d.h. den Bereichen, in denen durch das Ätzen die Nickelschicht 2 freigelegt wurde), während eine galvanische Metallabscheidung auf der Oberfläche des selbstpassivierenden Aluminiums der strukturierten Beschichtung 4 nicht oder nur in sehr geringem Umfang stattfindet. Die galvanische Kupferabscheidung erfolgt so lange, bis die Aussparungen vollständig mit Kupfer 5 gefüllt sind und sich sogar ein Kupferüberstand ausgebildet hat (das Kupfer also aus den Aussparungen herausragt). Eine beispielhafte Struktur, die in Schritt (d) erhalten wird, zeigt 1d.
  • In Schritt (e) werden die freiliegenden (d.h. nicht mit galvanisch abgeschiedenem Kupfer bedeckten) Bereiche des selbstpassivierenden Aluminiums der strukturierten Beschichtung 4 sowie die darunter liegenden Bereiche der in Schritt (a) abgeschiedenen Beschichtung 2 bis zur SHJ-Solarzelle 1 zurückgeätzt. In diesen zurückgeätzen Bereichen wird also die ITO-Oberfläche der SHJ-Solarzelle 1 wieder freigelegt. Benachbart zu diesen zurückgeätzten Bereichen verbleiben Schichtstapel, in denen jeweils die in Schritt (a) durch Sputtern abgeschiedene Beschichtung 2 und das in Schritt (d) galvanisch abgeschiedene Kupfer 5 vorliegen. Optional können am Rand der galvanisch abgeschiedenen Kupferbereiche 5 noch verbleibende Reste des selbstpassivierenden Metalls der strukturierten Beschichtung 4 vorliegen (z.B. wenn überstehendes, d.h. aus den Aussparungen herausragendes Kupfer 5 einen Teil der Oberfläche des selbstpassivierenden Aluminiums bedeckt und daher in Schritt (e) vor dem Ätzmittel geschützt hat). Eine beispielhafte Struktur, die in Schritt (e) erhalten wird, zeigt 1e.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 8399287 B1 [0009]
    • US 2014/0295614 A1 [0010]
    • WO 2015/148572 A1 [0011]
    • US 2016/0240699 A1 [0055]

Claims (13)

  1. Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer elektrischer Kontakte auf einem Bauelement (1), das eine Vorder- und eine Rückseite aufweist, folgende Schritte umfassend: (a) Aufbringen einer oder mehrerer Beschichtungen auf der Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements unter Erhalt eines beschichteten Bauelements, wobei zumindest eine der Beschichtungen eine Beschichtung aus einem elektrisch leitfähigen Material (2) ist, (b) Aufbringen eines selbstpassivierenden Metalls oder Halbleiters und/oder eines dielektrischen Materials auf dem beschichteten Bauelements unter Erhalt einer passivierenden Beschichtung (3), (c) Behandlung definierter Bereiche der passivierenden Beschichtung (3) mit einem Laser oder durch Ätzen unter Erhalt einer strukturierten Beschichtung (4), (d) Kontaktieren der strukturierten Beschichtung (4) mit einem Galvanikbad, wobei ein Metall (5) in den mit dem Laser oder dem Ätzmedium behandelten Bereichen galvanisch abgeschieden wird, (e) Ätzen der nicht mit dem galvanisch abgeschiedenen Metall (5) bedeckten Bereiche, bis die Vorder- und/oder Rückseite des Bauelements (1) in diesen Bereichen freigelegt ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bauelement (1) ein elektrisches Bauelement, insbesondere eine Solarzelle oder eine Vorstufe einer Solarzelle, eine Leuchtdiode oder eine Vorstufe einer Leuchtdiode oder eine Vorstufe einer Leiterplatte ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Solarzelle eine Heterojunction-Solarzelle ist.
  4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitfähige Material der Beschichtung (2) in Schritt (a) ein Metall, insbesondere Kupfer, Nickel, Indium, Zinn, Zink, Chrom, Eisen, Cobalt oder ein Edelmetall oder eine Legierung eines dieser Metalle ist.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (2) aus dem elektrisch leitfähigen Material die äußerste der in Schritt (a) aufgebrachten Beschichtungen ist; oder wobei auf der Beschichtung (2) aus dem elektrisch leitfähigen Material noch eine Beschichtung aus einem thermisch verdampfbaren Material, insbesondere Magnesiumfluorid, Magnesiumoxid, Bismutoxid, Magnesium oder Zinn, aufgebracht wird und diese Beschichtung die äußerste der in Schritt (a) aufgebrachten Beschichtungen ist.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (2) aus dem elektrisch leitfähigen Material und die optionalen Beschichtungen in Schritt (a) über eine Gasphasenabscheidung aufgebracht werden.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das selbstpassivierende Metall in Schritt (b) Aluminium oder Titan ist; und/oder wobei der selbstpassivierende Halbleiter in Schritt (b) Silizium ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, wobei das dielektrische Material in Schritt (b) ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxynitrid eines Metalls oder eines Halbleiters ist;
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die passivierende Beschichtung (3) in Schritt (b) über eine Gasphasenabscheidung aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei in Schritt (c) die passivierende Beschichtung (3) in den behandelten Bereichen entfernt und die in Schritt (a) aufgebrachte Beschichtung (2) aus dem elektrisch leitfähigen Material zumindest teilweise freigelegt wird.
  11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Ätzen in Schritt (c) ein Aufbringen eines Ätzmittels durch ein Druckverfahren beinhaltet; und/oder das Ätzen ein elektrochemisches Ätzen ist.
  12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die galvanische Abscheidung des Metalls (5) in Schritt (d) mittels Pulsstrom mit kathodischen und anodischen Strompulsen erfolgt.
  13. Metallisiertes Bauelement, erhältlich nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1-12.
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