DE112008002043T5 - Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle sowie eine Solarzelle mit Kontakten, bereitgestellt gemäß dem Verfahren - Google Patents
Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle sowie eine Solarzelle mit Kontakten, bereitgestellt gemäß dem Verfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE112008002043T5 DE112008002043T5 DE112008002043T DE112008002043T DE112008002043T5 DE 112008002043 T5 DE112008002043 T5 DE 112008002043T5 DE 112008002043 T DE112008002043 T DE 112008002043T DE 112008002043 T DE112008002043 T DE 112008002043T DE 112008002043 T5 DE112008002043 T5 DE 112008002043T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coating
- solar cell
- seed layer
- contact
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
a) Hinzufügen einer Passivierungsschicht (2) über die Rückseite des Siliziumsubstrates (1);
b) Hinzufügen einer Beschichtungskeimschicht (4) über die Passivierungsschicht (2);
c) Trennen der Beschichtungskeimschicht (4) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche;
d) Öffnen eines zweiten Bereichs (B) der Beschichtungskeimschicht (4);
e) Öffnen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2),
f) Aufbringen einer Kontaktbeschichtung (3) auf die Öffnungen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2) als auch der Beschichtungskeimschicht (4), die den zweiten Bereich (B) umgibt.
a) Hinzufügen einer Passivierungsschicht (2) über die Rückseite des Siliziumsubstrates (1);
b) Hinzufügen einer Beschichtungskeimschicht (4) über die Passivierungsschicht (2);
c) Trennen der Beschichtungskeimschicht (4) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche;
d) Öffnen eines zweiten Bereichs (B) der Beschichtungskeimschicht (4);
e) Öffnen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2),
f) Aufbringen einer Kontaktbeschichtung (3) auf die Öffnungen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2) als auch der Beschichtungskeimschicht (4), die den zweiten Bereich (B) umgibt.
Description
- Im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung bezieht sich der Ausdruck ”Solarzelle” auf eine Vorrichtung, die ein Siliziumsubstrat wie z. B. einen Wafer oder eine Dünnschicht enthält.
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes an der Rückseite einer Solarzelle. Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Solarzelle mit Kontakten, die gemäß dem Verfahren bereitgestellt sind.
- Hintergrund der Erfindung
- Die konventionelle rückseitenkontaktierte Solarzelle ist in
1 dargestellt. Das konventionelle Verfahren ist, eine Beschichtung3 auf das kristalline Silizium1 in eine Öffnung einer Beschichtungsbarriere2 aufzubringen. Normalerweise ist die Beschichtungsbarriere2 auch die Oberflächenpassivierung und/oder Antireflexionsdeckschicht. - Der Stand der Technik erfordert, dass die beschichteten Kontakte relativ dick sind, um den notwendigen Strom in solchen rückseitenkontaktierten Solarzellen zu führen. Da das aufgebrachte Metall einen thermischen Expansionskoeffizienten aufweist, der sich von dem des Siliziums unterscheidet, ist ein daraus resultierendes Problem, dass die Beschichtung abfallen kann, wenn sie Schwankungen in der Temperatur ausgesetzt wird. Ein weiterer Nachteil mit dieser Gestaltung der Kontakte ist, dass die Metall/Si-Grenzfläche relativ groß sein muss, um dem Beschichtungs-Verfahren eine ausreichend große Oberfläche bereitzustellen, um die notwendigen Querschnittsflächen der Kontakte in einer ausreichend kurzen Prozesszeit für Massenproduktion bereitzustellen. Eine große Metall/Si-Kontaktfläche wird die Oberflächenrekombination verstärken und wiederum die Effizienz der Solarzelle reduzieren. Schließlich bedeutet die lange Zeit, die zur Beschichtung einer dicken Schicht notwendig ist, einen Bedarf an großen Investitionen an die Herstellungsausrüstung zur Herstellung großer Mengen.
- Ein Design für Rückseitenkontakte, die sowohl kleine Kontaktflächen und große Querschnittsflächen auf den Leitern erlaubt, wurde in der veröffentlichten US-Patentanmeldung 2004/0200520 A1 offenbart. Das Verfahren zur Herstellung solch einer Solarzelle ist jedoch komplex und daher schwierig zu konkurrenzfähigen Kosten zu realisieren.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein kosteneffizientes Verfahren bereitzustellen, das eine Beschichtung zur Bereitstellung elektrischer Kontakte auf rückseitenkontaktierten Solarzellen bereitstellt. Das Verfahren ermöglicht ferner eine kleine Metall/Si-Kontaktgrenzfläche in Kombination mit einer ausreichend großen Querschnittsfläche der Kontakte, um den Strom zu führen, der durch die Solarzelle erzeugt wird. Das Verfahren ist jedoch auch voll anwendbar auf die Rückseitenkontaktierung einer Solarzelle mit Vorderseiten- und Rückseitenkontakten.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung ist in den beiliegenden unabhängigen Ansprüchen definiert. Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend detailliert beschrieben mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen, in denen:
-
1 die Beschichtung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle gemäß dem Stand der Technik zeigt, -
2 die Beschichtung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt, -
3a –e eine erste Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zeigen, -
4a –d eine zweite Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zeigen, -
5a –d eine dritte Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zeigen, -
6a –f eine sechste Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zeigen, -
7a –e eine siebte Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zeigen. - Detaillierte Beschreibung
- Ausführungsbeispiele des Verfahrens und der Solarzelle gemäß der Erfindung werden nachfolgend detailliert beschrieben. Es sollte jedoch beachtet werden, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen begrenzt ist, sondern innerhalb des Umfangs der nachfolgenden Ansprüche variiert werden kann. Es sollte ebenfalls beachtet werden, dass Elemente einiger der Ausführungsformen mit Elementen anderer Ausführungsformen leicht kombiniert werden können.
- Erste Ausführungsform
- Eine erste Ausführungsform des Verfahrens wird nun mit Bezug auf die
3a –e beschrieben. - In einem ersten Schritt (dargestellt in
3a ) wird ein Passivierungsstapel oder eine Passivierungsschicht2 auf einen Siliziumwafer1 aufgebracht. Die Passivierungsschicht2 kann zum Beispiel a-Si und SiNx oder SiOx und/oder SiNx usw. enthalten. - In einem zweiten Schritt (dargestellt in
3b ) wird eine Beschichtungskeimschicht4 über die gesamte Oberfläche der Passivierungsschicht2 aufgebracht. Die Beschichtungskeimschicht4 kann zum Beispiel Silber, Nickel, Kupfer, a-Si oder Mikro-Si usw. enthalten. - In einem dritten Schritt wird ein Ätzmittel aufgebracht, um die Beschichtungskeimschicht
4 in + und – Bereiche zu spalten, d. h. die Beschichtungskeimschicht wird in ersten Bereichen, die mit A bezeichnet sind, geöffnet. Im gleichen Verfahrensschritt wird die Beschichtungskeimschicht4 in dem Bereich, der in2 mit B bezeichnet ist, ebenfalls geöffnet (das Ergebnis ist in3c dargestellt). Das Ätzmittel kann z. B. KOH für Si-basierte Materialien sein; Säuren können genutzt werden, um Silber, Nickel und andere Metalle wegzuätzen. - In einem nächsten Schritt wird die Passivierungsschicht
2 geöffnet, um Platz für die Solarzellenleiter3 bereitzustellen (dargestellt in3d ). In2 sind die offenen Bereiche für die Passivierungsschicht2 mit dem Buchstaben B bezeichnet. Die Kontaktöffnung kann zum Beispiel erhalten werden durch Aufbringen eines Ätz-Schutzmittels über die gesamte Rückseite der Zelle mit Ausnahme der Bereiche B, an denen der Kontakt gebildet werden soll. Eine andere Option ist es, ein Ätz-Schutzmittel nur an den Öffnungen A in2 aufzubringen, vorausgesetzt, dass die Beschichtungskeimschicht, aufgebracht wie vorstehend in Schritt2 beschrieben, beständig gegenüber dem Ätzmittel ist, das für die Öffnung der Passivierungsschicht (A) verwendet wird. - Danach wird die Zelle einer Ätzflüssigkeit ausgesetzt und die Passivierungsschicht wird weggeätzt, so dass das Silizium
1 des Bereichs B freigelegt wird. - Das Ätz-Schutzmittel wird dann entfernt.
- Das Ätz-Schutzmittel ist ein Mittel, das an den Materialien der Zelle haftet, aber welches die Materialien vor dem Ätzmittel während des Ätzprozesses schützt.
- Noch eine andere Alternative, die Passivierungsschicht in B zu entfernen, ist es, ein Ätzmittel zum Beispiel mittels Tintenstrahl direkt auf die Bereiche B aufzubringen.
- Wie in
2 gesehen werden kann, gibt es als Folge einen Bereich C zwischen Bereich A und Bereich B, in dem die Beschichtungskeimschicht4 nicht entfernt ist. - In einem nächsten Schritt (dargestellt in
3e ) wird die Kontaktbeschichtung3 auf die vollständige Rückseite der Solarzelle aufgebracht, mit Ausnahme der Öffnungsbereiche A. Das heißt, dass die Kontaktbeschichtung3 die Bereiche B und C in2 abdeckt. Die Kontaktbeschichtung kann z. B. eine Nickelkeim- und eine Barriereschicht umfassen, dann Kupfer und/oder Silber als Hauptladungsträger gefolgt von Silber, Zinn oder anderem geeigneten Material zum Zweck der Lötbarkeit. - Wie
2 und3c entnommen werden kann, hat die Kontaktbeschichtung3 eine im Wesentlichen T-förmige Querschnittsform. - Zweite Ausführungsform
- Eine zweite Ausführungsform wird in Bezug auf die
4a –d beschrieben. - Im ersten Schritt (dargestellt in
4a ) wird ein Passivierungsstapel oder eine Passivierungsschicht2 auf einen Siliziumwafer1 aufgebracht. Die Passivierungsschicht2 kann zum Beispiel a-Si und SiNx oder SiOx und/oder SiNx usw. enthalten. - In einem zweiten Schritt wird die Passivierungsschicht
2 geöffnet, um Raum für eine Kontaktbeschichtung3 bereitzustellen. Wie für die erste Ausführungsform beschrieben, bildet die Kontaktbeschichtung3 den elektrischen Kontakt der Solarzelle. In2 sind die offenen Bereiche der Passivierungsschicht2 mit dem Buchstaben B bezeichnet (dargestellt in4b ). - In einem dritten Schritt wird eine Beschichtungskeimschicht
4 über die gesamte Oberfläche der Zelle aufgebracht (dargestellt in4c ). Das Aufbringen erfolgt durch Sprühen, Drucken oder Verdampfen von a-Si und/oder einem Metall, wie Nickel und/oder Silber über die Oberfläche der Zelle. - In einem vierten Schritt wird die Beschichtungskeimschicht
4 geöffnet durch Aufbringen eines Ätz-Schutzmittels auf die gesamte Rückseite der Solarzelle, mit Ausnahme der Bereiche, die in2 mit A bezeichnet sind, gefolgt vom Aussetzen der Solarzelle einem Ätzmittel. Dieses wird die Beschichtungskeimschicht4 vom Bereich A entfernen und so die Beschichtungskeimschicht4 in + und – Bereiche spalten. - In einem fünften Schritt wird die Kontaktbeschichtung
3 auf die gesamte Rückseite der Solarzelle aufgebracht, mit Ausnahme der Öffnungsbereiche A. Das heißt, dass die Kontaktbeschichtung3 die Bereiche B und C in2 bedeckt. Die Kontaktbeschichtung kann zum Beispiel eine Palladium- und/oder Nickelkeim- und Barriereschicht umfassen, dann Kupfer und/oder Silber usw. (vierter und fünfter Schritt dargestellt in4d ). - Dritte Ausführungsform
- Eine dritte Ausführungsform wird beschrieben mit Bezug auf die
5a –d. - In der dritten Ausführungsform wird die Beschichtungskeimschicht
4 aufgebracht nach dem Öffnen des Bereichs B wie in der zweiten Ausführungsform beschrieben (dargestellt in5b ), aber wird aufgebracht in Form eines Musters ohne die gesamte Oberfläche zu bedecken, zum Beispiel wird die Beschichtungskeimschicht4 nur auf die Bereiche C und B aufgebracht, jedoch nicht auf Bereiche A (dargestellt in5c ). Solch ein Aufbringen einer Beschichtungskeimschicht kann zum Beispiel erfolgen, indem die Beschichtungskeimschicht4 in einem vorbestimmten Muster durch Tintenstrahldruck aufgebracht wird unter Verwendung von Tinten, die zum Beispiel Palladium, Silber oder Nickel enthalten. - Danach wird die Kontaktbeschichtung
3 auf gleiche Art aufgebracht wie vorstehend für die zweite Ausführungsform beschrieben (dargestellt in5d ). - Vierte Ausführungsform
- In einer vierten Ausführungsform wird das Ätzmittel zum Öffnen der Passivierungsschicht
2 und/oder der Beschichtungskeimschicht nur in ausgewählten Bereichen durch zum Beispiel Tintenstrahldruck aufgebracht. Folglich ist es nicht notwendig, ein Ätz-Schutzmittel aufzubringen, um bestimmte Bereiche vor dem Ätzprozess zu schützen. - Fünfte Ausführungsform
- In einer fünften Ausführungsform wird ein Laser genutzt, um die Öffnungen in der Beschichtungskeimschicht
4 und/oder der Passivierungsschicht2 bereitzustellen. Eine Voraussetzung hierfür ist, dass die Materialien, die für die Schichten2 und4 ausgewählt werden, von einer Art sind, die mit einem Laser entfernt werden kann. - Sechste Ausführungsform
- In einer sechsten Ausführungsform (dargestellt in den
6a –f) besteht die Beschichtungskeimschicht4 aus zum Beispiel a-Si wie beschrieben in Ausführungsform 1. Die Öffnungen B werden zum Beispiel durch Laserablation bereitgestellt. Eine Beschichtungsschutzschicht7 wird dann auf die Bereiche A zum Beispiel durch Tintenstrahldruck abgeschieden. Eine Metallbarriereschicht8 zum Beispiel Nickel, Nickel-Phosphor oder Wolfram wird dann durch Beschichtung auf die Bereiche B und C aufgebracht (schematisch dargestellt in6e ). Die Beschichtungsschutzschicht7 in Bereichen A wird dann entfernt durch ein Ätzmittel, welches auch die Beschichtungskeimschicht4 in den Bereichen A entfernen wird. In einem nächsten Schritt wird eine dickere Metallschicht aus zum Beispiel Kupfer oder Silber zur Bereitstellung der Kontaktbeschichtung3 abgeschieden durch Beschichtung oben auf die Beschichtungsbarriereschicht im Bereich B und C. Alternativ kann die Beschichtungsschutzschicht7 nach Aufbringen der Kontaktbeschichtung3 entfernt werden. - Siebte Ausführungsform
- In einer siebten Ausführungsform (dargestellt in
7a –e) besteht die Beschichtungskeimschicht4 zum Beispiel aus a-Si wie beschrieben in Ausführungsform 1. Die Passivierungsschicht und Beschichtungskeimschicht wird dann im Bereich B geöffnet. Alternativ kann die Beschichtungskeimschicht abgeschieden werden nach Öffnen des Passivierungsstapels im Bereich B wie beschrieben in Ausführungsform 3. Eine Beschichtungsschutzschicht7 wird dann auf die Bereiche A abgeschieden durch beispielsweise Tintenstrahldruck oder Dispensen, wie dargestellt in7d . Der Beschichtungsschutz sollte vorzugsweise eine reflektierende Schicht sein und könnte zum Beispiel aus einem oder mehreren der folgenden Materialien hergestellt sein: Polyamid, Sulfo-Polyester, Polyketon, Polyester und Acrylharze, und wobei die Materialien reflektierend gemacht werden durch Beladung mit einem weißen Pigment wie Sub-Mikrometer Partikel aus Titandioxid. - Eine Metallkeim- und Barriereschicht, zum Beispiel Nickel oder Nickel-Phosphor, wird dann durch Beschichtung auf Bereiche B und C abgeschieden (schematisch dargestellt in
7e ). In einem nächsten Schritt wird eine dickere Metallschicht aus beispielsweise Kupfer oder Silber zum Aufbau der gewünschten Dicke an Metall für die Kontakte3 abgeschieden durch Beschichtung oben auf die Beschichtungskeim- und Barriereschicht in Bereich B und C. - In
7e wurde dargestellt, dass Kontaktbeschichtungen3 für benachbarte Kontakte bereitgestellt sind. - Gemeinsame Merkmale
-
2 zeigt eine Solarzelle, die eine Schicht aus photovoltaischem Absorbermaterial umfasst, wie eine Siliziumschicht1 . Die Solarzelle umfasst weiterhin eine Rückseite der Solarzelle, dargestellt als die obere Oberfläche, und eine Vorderseite der Solarzelle, dargestellt als die untere Oberfläche. Mindestens ein Kontakt3 (zwei Kontakte sind dargestellt in2 ) ist auf der Rückseite bereitgestellt. Der mindestens eine Kontakt3 ist auf der Rückseite der Solarzelle durch folgende Schritte bereitgestellt worden - a) Hinzufügen
einer Passivierungsschicht oder eines Stapels aus Passivierungsschichten
2 über die Rückseite der Siliziumschicht1 ; - b) Hinzufügen
einer Beschichtungskeimschicht
4 über die Passivierungsschicht2 ; - c) Trennen der Beschichtungskeimschicht
4 durch einen ersten Bereich A in erste und zweite Elektrodenbereiche; - d) Öffnen
eines zweiten Bereichs B der Beschichtungskeimschicht
4 ; - e) Öffnen
des zweiten Bereichs B der Passivierungsschicht
2 ; und - f) Aufbringen einer Kontaktbeschichtung
3 auf die Öffnung des zweiten Bereichs B der Passivierungsschicht2 als auch der Beschichtungskeimschicht4 , die den zweiten Bereich B umgibt. - In einem Aspekt kann Schritt c) des Trennens der Beschichtungskeimschicht
4 durch einen ersten Bereich A in erste und zweite Elektrodenbereiche das Öffnen des Bereichs A der Beschichtungskeimschicht4 umfassen. Genauer kann Schritt c) durchgeführt werden, indem zuerst ein Ätz-Schutzmittel auf die Solarzelle in Bereichen außer dem des ersten Bereichs A aufgebracht wird und danach ein Ätzmittel aufgebracht wird, um die Beschichtungskeimschicht4 im ersten Bereich A durch Ätzen zu öffnen. - In einem anderen Aspekt umfasst Schritt c) das Aufbringen eines Isoliermaterials auf die Beschichtungskeimschicht. Genauer kann in diesem Aspekt c) das Abscheiden einer Beschichtungsschutzschicht auf die Solarzelle im ersten Bereich A umfassen oder alternativ wird ein reflektierendes Beschichtungsschutzmittel auf die Passivierungsschicht abgeschieden.
- In jedem der zwei oben genannten Aspekte können die Schritte c) und d) gleichzeitig durchgeführt werden.
- In einem Aspekt kann Schritt e) vor Schritt b) ausgeführt werden. Alternativ kann Schritt b) ausgeführt werden nach Schritt e).
- In einem Aspekt kann Schritt e) ausgeführt werden, indem zuerst ein Ätz-Schutzmittel auf die Solarzelle aufgebracht wird in Bereichen außer denen des zweiten Bereichs B und danach ein Ätzmittel aufgebracht wird, um die Passivierungsschicht
2 im zweiten Bereich B aufzuätzen. - In einem Aspekt kann mindestens einer der Schritte c), d) oder e) das Aufbringen eines Ätzmittels direkt auf den zweiten Bereich B umfassen. In einem anderen Aspekt kann mindestens einer der Schritte c), d) oder e) ein Laserablationsverfahren umfassen.
- Die Kontaktbeschichtung
3 kann eine im Wesentlichen T-förmige Querschnittsform aufweisen. Die Kontaktbeschichtung3 kann auch bereitgestellt werden für benachbarte Kontakte in allen Ausführungsformen, obwohl dies nur für die siebte Ausführungsform (7e ) spezifisch beispielhaft dargestellt wurde. - Gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen wird eine Solarzelle bereitgestellt mit einem vergrößerten Bereich zur Beschichtung elektrischer Leiter auf Solarzellen. Dieser vergrößerte Bereich wird gebildet durch den Kontaktbereich B (bezeichnet den Bereich, in dem die Siliziumschicht
1 in Kontakt mit der Kontaktbeschichtung3 ist) plus Beschichtungsbereich C × 2 (bezeichnet den Bereich C auf jeder Seite des Bereichs B, wo die Kontaktbeschichtung3 mit der Beschichtungskeimschicht2 verbunden ist). - Darüber hinaus kann der Beschichtungsbereich (2 × C) größer sein als der Kontaktbereich B, wodurch die Beschichtungsdicke H reduziert wird.
- Es sollte beachtet werden, dass die Beschichtungskeimschicht
4 ein reflektierendes Material enthalten kann, um die Lichtaufnahme in der Solarzelle zu verbessern. - Die gewünschte elektrische Leistung der Solarzelle ist abhängig davon, dass der Ohmsche Kontakt zwischen den Metallkontakten und dem Basismaterial (Silizium) eingerichtet ist. Ein Ohmscher Kontakt kann zum Beispiel erzeugt werden durch eine Wärmebehandlung, um entweder eine Silizid- oder eine eutektische Phase zu erzeugen. Die Wärmebehandlung kann entweder nach Abscheidung des ersten Metallkontakts und der Barriereschicht erfolgen oder nach Abscheidung des gesamten Metallstapels. Die Wärmebehandlung kann zum Beispiel in einem Konvektionsofensystem durchgeführt werden oder durch lokales Aufheizen der Kontaktbereiche (B) mit einem Laser.
- In einem alternativen Verfahren wird eine dünne Schicht oder alternativ Nuklei in Nanometer-Größenordnung, aus Palladium auf den Wafer abgeschieden vor einer stromlosen Abscheidung einer Keim- und Barriereschicht. Palladium erhöht die Nukleierung für stromlose Beschichtungs-Chemien, was zu gleichmäßigeren Metallschichten führt. Zusätzlich ist die Wärmebilanz zur Herstellung eines Silizids niedrig für Palladium verglichen mit den meisten der allgemein verwendeten Übergangsmetallsilizide zur Herstellung Ohmscher Kontakte auf Silizium.
- Ein nützliches Ergebnis ist, dass rückseitenkontaktierte Solarzellen robuster gegenüber Temperaturzyklen gemacht werden können, wodurch Zell-Bauformen möglich sind mit höheren Strömen pro elektrischem Kontakt als bei konventionell beschichteten elektrischen Kontakten. Diese erhöhte Leistungsfähigkeit für höhere Ströme kann zum Beispiel genutzt werden, um Zellen mit Rückseitenkontakt mit längeren Fingern (auf größeren Substraten) zu ermöglichen als mit Bauarten gemäß dem Stand der Technik. Weiterhin können kürzere Beschichtungsprozesszeiten erzielt werden, da es weniger Zeit in Anspruch nimmt, einen vorhandenen Querschnittsbereich für den elektrischen Leiter aufzubauen.
- Darüber hinaus können rückseitenkontaktierte Solarzellen hergestellt werden mit einer kleineren Metall-Siliziumgrenzschicht, was zu einer vergrößerten Zelleffizienz beiträgt aufgrund einer geringeren Rekombination an der Metall/Si Grenzfläche.
- Zusätzlich hat der Produktionsablauf in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen das Potential, die Produktionskosten für beschichtete rückseitenkontaktierte Solarzellen zu reduzieren.
- Bitte beachten Sie, dass die Zeichnungen Illustrationen sind und dass der Maßstab nicht notwendigerweise korrekt ist. In einigen Ausführungsformen ist die Passivierungsschicht
2 zum Beispiel nur ungefähr 50–100 nm, wohingegen die Dicke der beschichteten Kontakte über Bereich A und B im Mikrometerbereich liegen kann. Es ist zu beachten, dass diese Werte nicht als Einschränkung der vorliegenden Anmeldung gemeint sind, es ist möglich, die Erfindung mit großen Abweichungen von diesen Werten zu erhalten. - Außerdem muss der obere Bereich des T-förmigen Kontaktes, gebildet auf der Beschichtungskeimschicht, einen kontinuierlichen Stromleiter bilden, während der untere Teil, gebildet auf den geöffneten Bereichen B nicht kontinuierlich sein kann. Beispielsweise durch Öffnungsbereiche B als Vielzahl hintereinander liegender Punkte als gepunktete Linie, wird man den allgemein bekannten Nutzen eines lokalen Kontaktes erhalten.
- Zusammenfassung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Solarzelle, die eine Siliziumschicht (
1 ) umfasst und ein Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite solch einer Solarzelle. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: - a) Hinzufügen
einer Passivierungsschicht (
2 ) über die Rückseite der Siliziumschicht (1 ); - b) Hinzufügen
einer Beschichtungskeimschicht (
4 ) über die Passivierungsschicht (2 ); - c) Trennen der Beschichtungskeimschicht (
4 ) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche; - d) Öffnen
eines zweiten Bereichs (B) der Beschichtungskeimschicht (
4 ); - e) Öffnen
des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (
2 ); - f) Aufbringen einer Kontaktbeschichtung (
3 ) auf die Öffnung des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2 ) als auch auf die Beschichtungskeimschicht (4 ), die den zweiten Bereich (B) umgibt.
Claims (16)
- Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: a) Hinzufügen einer Passivierungsschicht (
2 ) über die Rückseite des Siliziumsubstrates (1 ); b) Hinzufügen einer Beschichtungskeimschicht (4 ) über die Passivierungsschicht (2 ); c) Trennen der Beschichtungskeimschicht (4 ) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche; d) Öffnen eines zweiten Bereichs (B) der Beschichtungskeimschicht (4 ); e) Öffnen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2 ), f) Aufbringen einer Kontaktbeschichtung (3 ) auf die Öffnungen des zweiten Bereichs (B) der Passivierungsschicht (2 ) als auch der Beschichtungskeimschicht (4 ), die den zweiten Bereich (B) umgibt. - Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das Trennen der Beschichtungskeimschicht (
4 ) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche das Öffnen des Bereiches (A) der Beschichtungskeimschicht (4 ) umfasst. - Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das Trennen der Beschichtungskeimschicht (
4 ) durch einen ersten Bereich (A) in erste und zweite Elektrodenbereiche das Aufbringen eines Isoliermaterials auf die Beschichtungskeimschicht umfasst. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl die ersten als auch die zweiten Elektrodenbereiche die gleiche Polarität aufweisen.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass Schritte c) und d) gleichzeitig durchgeführt werden.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt e) vor Schritt b) durchgeführt wird.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt b) nach Schritt e) durchgeführt wird.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt e) ausgeführt wird durch Aufbringen eines Ätz-Schutzmittels auf die Solarzelle in Bereichen außer dem zweiten Bereich (B) und danach ein Ätzmittel aufgebracht wird, um die Passivierungsschicht (
2 ) im zweiten Bereich (B) aufzuätzen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Schritte c), d) oder e) das Aufbringen eines Ätzmittels direkt auf den zweiten Bereich (B) umfasst.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Schritte c), d) oder e) ein Laserablationsverfahren umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt c) durch Aufbringen eines Ätz-Schutzmittels auf die Solarzelle in Bereichen außer dem ersten Bereich (A) und danach durch Aufbringen eines Ätzmittels, um die Beschichtungskeimschicht (
4 ) in den ersten Bereich (A) durch Ätzen zu öffnen, durchgeführt wird. - Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt c) das Abscheiden einer Beschichtungsschutzschicht auf die Solarzelle im ersten Bereich (A) umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtungsschutzschicht ein reflektierendes Material umfasst.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–13, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktbeschichtung (
3 ) eine im Wesentlichen T-förmige Querschnittsform aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–14, dadurch gekennzeichnet, dass die geöffneten Bereiche (B) nicht kontinuierlich sind, während die Keimschichten (
4 ) kontinuierliche leitfähige Bahnen bilden. - Solarzelle, umfassend eine Rückseite, wobei die Rückseite einen Kontakt umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontakt auf der Rückseite der Solarzelle bereitgestellt wird durch ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1–14.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US95287007P | 2007-07-31 | 2007-07-31 | |
GB0714980A GB2451497A (en) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | Contact for solar cell |
GB0714980.0 | 2007-07-31 | ||
US60/952,870 | 2007-07-31 | ||
PCT/NO2008/000278 WO2009017420A2 (en) | 2007-07-31 | 2008-07-25 | Method for providing a contact on the back surface of a solar cell, and a solar cell with contacts provided according to the method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112008002043T5 true DE112008002043T5 (de) | 2010-07-15 |
Family
ID=38529113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112008002043T Withdrawn DE112008002043T5 (de) | 2007-07-31 | 2008-07-25 | Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle sowie eine Solarzelle mit Kontakten, bereitgestellt gemäß dem Verfahren |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100319767A1 (de) |
JP (1) | JP2010535415A (de) |
KR (1) | KR20100052503A (de) |
CN (1) | CN101796655B (de) |
DE (1) | DE112008002043T5 (de) |
GB (1) | GB2451497A (de) |
WO (1) | WO2009017420A2 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2654089A3 (de) | 2007-02-16 | 2015-08-12 | Nanogram Corporation | Solarzellenstrukturen, Fotovoltaikmodule und entsprechende Verfahren |
US9634179B2 (en) | 2009-04-21 | 2017-04-25 | Tetrasun, Inc. | Selective removal of a coating from a metal layer, and solar cell applications thereof |
EP2312641A1 (de) * | 2009-10-13 | 2011-04-20 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Vorrichtung mit elektrischen Kontakten und deren Herstellungsverfahren |
US8426236B2 (en) * | 2010-05-07 | 2013-04-23 | International Business Machines Corporation | Method and structure of photovoltaic grid stacks by solution based processes |
US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
US9284656B2 (en) * | 2011-06-06 | 2016-03-15 | International Business Machines Corporation | Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same |
JP6127047B2 (ja) | 2011-08-04 | 2017-05-10 | アイメックImec | 相互嵌合型電極形成 |
KR101948206B1 (ko) | 2012-03-02 | 2019-02-14 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 태양 전지와, 이의 제조 방법 |
DE102012211161A1 (de) * | 2012-06-28 | 2014-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Struktur an einem Trägerelement, Schichtanordnung sowie Verwendung eines Verfahrens oder einer Schichtanordnung |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS618976A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタのゲ−ト電極形成方法 |
JPH0346239A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5011565A (en) * | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
JP2000357671A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-12-26 | Sharp Corp | 金属配線の製造方法 |
JP2000340844A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線伝送素子 |
JP3468417B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2003-11-17 | Tdk株式会社 | 薄膜形成方法 |
US6423568B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-07-23 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
JP4432275B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2010-03-17 | パナソニック電工株式会社 | 光源装置 |
JP2003119568A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置 |
US7388147B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
US7938988B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-05-10 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Paste composition and solar cell element using the same |
-
2007
- 2007-07-31 GB GB0714980A patent/GB2451497A/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-07-25 CN CN2008801015149A patent/CN101796655B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-25 JP JP2010519168A patent/JP2010535415A/ja active Pending
- 2008-07-25 WO PCT/NO2008/000278 patent/WO2009017420A2/en active Application Filing
- 2008-07-25 DE DE112008002043T patent/DE112008002043T5/de not_active Withdrawn
- 2008-07-25 US US12/671,325 patent/US20100319767A1/en not_active Abandoned
- 2008-07-25 KR KR1020107004598A patent/KR20100052503A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009017420A2 (en) | 2009-02-05 |
CN101796655B (zh) | 2013-03-20 |
US20100319767A1 (en) | 2010-12-23 |
WO2009017420A3 (en) | 2009-08-13 |
GB2451497A (en) | 2009-02-04 |
GB0714980D0 (en) | 2007-09-12 |
CN101796655A (zh) | 2010-08-04 |
KR20100052503A (ko) | 2010-05-19 |
JP2010535415A (ja) | 2010-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112008002043T5 (de) | Verfahren zur Bereitstellung eines Kontaktes auf der Rückseite einer Solarzelle sowie eine Solarzelle mit Kontakten, bereitgestellt gemäß dem Verfahren | |
DE69224965T2 (de) | Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE69736151T2 (de) | Photovoltaische Anordnung und Herstellungsverfahren | |
DE112004002853B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Solarbatterie | |
DE102018202513B4 (de) | Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements | |
DE2036139A1 (de) | Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen | |
DE102011112046A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen Elektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle durch ein derartiges Verfahren, und eine gemäß dem Verfahren hergestellte Solarzelle | |
DE102011016335B4 (de) | Nickelhaltige und ätzende druckbare Paste sowie Verfahren zur Bildung von elektrischen Kontakten beim Herstellen einer Solarzelle | |
DE102008017312A1 (de) | Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102008033169A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Solarzelle | |
EP2561557B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer solarzelle | |
DE112010000831T5 (de) | Rückkontaktierung und Verbindung von zwei Solarzellen | |
WO2009006988A1 (de) | Kontakt-struktur für euin halbleiter-bauelement sowie verfahren zur herstellung desselben | |
WO2018050629A1 (de) | Verfahren zur herstellung elektrischer kontakte auf einem bauteil | |
DE102009010816B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements | |
DE112017001687T5 (de) | Metallisierung von solarzellen mit unterschiedlichen p-typ- und n-typ-bereich-architekturen | |
DE112018005956T5 (de) | Integrierte heizung und herstellungsverfahren | |
EP0111749A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrische Kontakte bildende Fingerelektrodenstrukturen an amorphen Silizium-Solarzellen | |
DE112014001476T5 (de) | Reduzierter Kontaktwiderstand und verbesserte Lebensdauer von Solarzellen | |
DE102016217789A1 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kontakte auf einem Bauteil | |
DE112017004982T5 (de) | Solarzellen mit differenziertem P-Typ- und N-Typ-Bereichsarchitekturen | |
DE102008029107B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates | |
DE19722474A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer CIS-Dünnfilm-Solarzelle und Verfahren zur Bildung einer ternären Kupfer-Indium-Selen-Legierung | |
DE102014103293A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102013219342A1 (de) | Verfahren zur Strukturierung von Schichten oxidierbarer Materialien mittels Oxidation sowie Substrat mit strukturierter Beschichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140201 |