JP2003119568A

JP2003119568A - 無電解めっき方法及び装置

Info

Publication number: JP2003119568A
Application number: JP2001313073A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Inoue; 裕章井上; Norio Kimura; 憲雄木村
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2001-10-10
Filing date: 2001-10-10
Publication date: 2003-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】シード層の薄肉部を補強したり、高アスペク
ト比の微細窪みの内部に銅等を確実に埋め込むことがで
き、更にはめっき膜の平坦度を向上させてスループット
を向上できるようにする。【解決手段】基板を無電解めっき液に接触させて該基
板の表面にめっき膜を形成するに際し、基板表面の電解
めっき反応界面に温度差を設け、窪み（溝）の底部にお
ける温度を窪み（溝）の表面よりも高くすることで、ボ
トムアップ成長を促進して、埋め込み特性を向上させ、
オーバープレートを少なくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき方法
及び装置に関し、特に半導体基板等の基板の表面に設け
た配線用の微細な凹部に、銀や銅等の導電体を埋め込ん
で埋め込み配線構造を有する半導体装置を製造したり、
この導電体を埋め込む際の給電層としてのシード層を補
強したり、更には、前記埋め込み配線構造の配線の露出
表面を選択的に保護する保護膜を形成するのに使用され
る無電解めっき方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子デバイス装置の配線形成プロセスと
して、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を
埋め込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロ
セス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め
形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、
近年では銀や銅等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化する
プロセス技術である。

【０００３】近年、半導体基板上に配線回路を形成する
ための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウ
ム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレ
ーション耐性が高い銅を用いる動きが顕著になってい
る。この種の銅配線を形成する方法としては、ＣＶＤ、
スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いず
れにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学的機
械的研磨（ＣＭＰ）により不要な銅を除去するようにし
ている。

【０００４】図７は、この種の銅配線基板Ｗの製造例を
工程順に示すもので、図７（ａ）に示すように、半導体
素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉ
Ｏ_２からなる絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部
に、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホ
ール３と配線用の溝４を形成し、その上にＴａＮ等から
なるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層とし
てシード層６を形成する。

【０００５】そして、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗ
の表面に銅めっきを施すことで、半導体基材１のコンタ
クトホール３及び溝４内に銅を充填するとともに、絶縁
膜２上に銅膜７を堆積する。その後、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜７およびバリア槽
５を除去して、コンタクトホール３および配線用の溝４
に充填させた銅膜７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同
一平面にする。これにより、図７（ｃ）に示すようにシ
ード層６と銅膜７からなる配線８が形成される。

【０００６】ここに、シード層６は、一般にスパッタリ
ングやＣＶＤによって形成され、また、銅膜７を形成す
る電解銅めっきにあっては、めっき液として、その組成
に硫酸銅と硫酸を含む硫酸銅めっき液が一般に使用され
ていた。

【０００７】この種の配線にあっては、平坦化後、配線
８の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配線
を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセス
におけるＳｉＯ_２形成時の表面酸化や、コンタクトホー
ルを形成するためのＳｉＯ_２エッチング等に際して、コ
ンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレ
ジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては
銅の拡散が懸念されている。

【０００８】このため、図７（ｄ）に示すように、基板
Ｗの表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配
線８の露出表面にＮｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっ
き膜）９を選択的に形成して配線８を保護することが提
案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】微細配線化が進み、配
線溝或いはプラグの形状が高アスペスト比になるに従っ
て、スパッタリング等で形成されるシード層が溝底部ま
で均一に届かなくなり、溝底部の側壁におけるシード層
の膜厚が基板表面付近における膜厚に比べて極端に薄く
なることがある。このような状態で、電解銅めっきで銅
の埋め込みを行うと、シード層の極端に薄い部分には電
流が流れ難くなって、図８に示すように、溝４内に埋め
込んで形成した配線の内部にめっき未析出部（ボイド）
１０ができる。これを防止するため、シード層の膜厚を
厚くして溝底部に均一な膜を付けようとすると、溝の入
口部分に銅が厚く付くため、結果的に入口が先に閉じて
ボイド１０ができる。

【００１０】また、例えば直径が０．２μｍ程度の微細
穴と、直径が１００μｍ程度の大穴とが混在する基板Ｗ
の表面に銅めっきを施して銅膜７を形成すると、めっき
液や該めっき液に含有される添加剤の働きを最適化した
としても、微細穴の上ではめっきの成長が促進されて銅
膜７が盛り上がる傾向があり、一方、大穴の内部ではレ
ベリング性を高めためっきの成長を行うことができない
ため、結果として、基板Ｗ上に堆積した銅膜７には、図
９に示すように、多数の溝（微細穴）４を有するパター
ン形成領域に高さＨのオーバープレートが発生し、研磨
する量が増加してＣＭＰでの平坦化が困難となる。更
に、無電解めっきを施して、配線の露出表面に保護膜
（めっき膜）で選択的に形成する際には、めっき液の熱
容量または基板の加熱等によって無電解めっき反応に必
要な熱を得るようにしているが、絶縁膜に熱が吸収され
て的確なめっき反応を得ることが困難であった。

【００１１】本発明は上記に鑑みて為されたもので、シ
ード層の薄肉部を補強したり、高アスペクト比の微細窪
みの内部に銅等を確実に埋め込むことができ、更にはめ
っき膜の平坦度を向上させてスループットを向上できる
ようにしためっき方法及び装置を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を無電解めっき液に接触させて該基板の表面に
めっき膜を形成するに際し、基板表面の無電解めっき反
応界面に温度差を設けることを特徴とする無電解めっき
方法である。無電解めっきにあっては、めっきレートの
温度依存性が一般に大きく、無電解めっき液の温度が上
昇するとめっき膜の膜厚も厚くなる。従って、例えば配
線用の微細窪みの内部に無電解めっきによって銅等を埋
め込む際に、窪み（溝）の底部における温度を窪み
（溝）の表面よりも高くすることで、ボトムアップ成長
を促進して、埋め込み特性を向上させ、オーバープレー
トを少なくすることができる。

【００１３】請求項２に記載の発明は、基板の表面に色
調差を付与し、この基板の表面に光を照射して無電解め
っき反応界面に温度差を設けることを特徴とする請求項
１記載の無電解めっき方法である。例えば、基板表面の
平坦部に、光を反射する白色レジストを塗布し、この白
色レジストに照射する光（熱）を反射させることで、例
えば微細溝の底部から表面に向けて温度が徐々に低下す
る温度勾配を作ることができる。

【００１４】請求項３に記載の発明は、絶縁膜と配線と
が露出する基板の表面に光を照射して、前記配線の表面
と前記絶縁膜の表面に温度差を設けることを特徴とする
請求項１記載の無電解めっき方法である。これにより、
例えば銅や銀等の配線材料だけが熱を吸収する波長の光
源を使用した光の照射を行い、絶縁膜中に露出している
埋め込み配線だけを昇温させることで、的確なめっき条
件で、無電解めっきによる保護膜を選択的に形成するこ
とができる。

【００１５】請求項４に記載の発明は、前記無電解めっ
きが、銅、銅合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合
金、コバルトまたはコバルト合金の少なくとも１種であ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
無電解めっき方法である。これにより、例えば銅、銅合
金、銀または銀合金からなる埋め込み配線を無電解めっ
きで形成し、この配線の露出表面に無電解めっきでニッ
ケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金から
なる保護膜を選択的に形成して、配線を保護膜で保護す
ることができる。

【００１６】請求項５に記載の発明は、基板を着脱自在
に保持して該基板の表面を無電解めっき液に接触させる
基板保持部と、前記基板保持部で保持し前記無電解めっ
き液に接触させる基板の表面の無電解めっき反応界面に
温度差を設ける温度差付与手段とを有することを特徴と
する無電解めっき装置である。請求項６に記載の発明
は、前記温度差付与手段は、色調差を付与した基板の表
面に光を照射する光照射装置を有することを特徴とする
請求項５記載の無電解めっき装置である。請求項７に記
載の発明は、前記温度差付与手段は、絶縁体と配線が露
出する基板の表面に光を照射して前記配線の表面と前記
絶縁膜の表面に温度差を設ける光照射装置を有すること
を特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
乃至図６を参照して説明する。先ず、図７（ａ）及び
（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっきを施すこ
とで、コンタクトホール３及び溝４の内部に銅を充填し
て、銅膜７からなる配線を形成する場合について、図１
乃至図４を参照して説明する。

【００１８】図１は、無電解めっき装置の概略構成図で
ある。図１に示すように、この無電解めっき装置は、基
板Ｗを上向き（フェースアップ）で保持する基板保持部
１１と、基板保持部１１に保持した基板Ｗの被めっき面
（上面）の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部
材（めっき液保持機構）３１と、堰部材３１でその周縁
部をシールした基板Ｗの被めっき面に無電解めっき液を
供給するシャワーヘッド４１を備えている。無電解めっ
き装置は、さらに基板保持部１１の上部外周近傍に設置
されて基板Ｗの被めっき面に洗浄液を供給する洗浄液供
給部５１と、排出された洗浄液等（めっき廃液）を回収
する回収容器６１と、基板Ｗ上に保持した無電解めっき
液を吸引して回収するめっき液回収ノズル６５と、基板
保持部１１を回転駆動するモータＭとを備えている。

【００１９】基板保持部１１は、その上面に基板Ｗを載
置して保持する基板載置部１３を有している。この基板
載置部１３は、基板Ｗを載置して固定するように構成さ
れており、具体的には、基板Ｗをその裏面側に真空吸着
する図示しない真空吸着機構を備えている。この基板保
持部１１は、モータＭによって回転駆動されるととも
に、図示しない昇降手段によって上下動できるように構
成されている。堰部材３１は、筒状であってその下部に
基板Ｗの外周縁をシールするシール部３３を有し、図示
の位置から上下動しないように設置されている。

【００２０】基板保持部１１の上方には、例えば赤外
光、紫外光またはレーザ光等の熱源となる光を基板保持
部１１で保持した基板Ｗの表面（上面）に向けて照射す
る光照射装置１７が設置されている。なお、この例で
は、光照射装置１７とシャワーヘッド４１とを一体化し
た例を示している。つまり、例えば複数の半径の異なる
リング状の光照射装置１７を同心円状に設置し、光照射
装置１７の間の隙間からシャワーヘッド４１の多数のノ
ズル４３をリング状に開口させている。なお光照射装置
１７としては、渦巻状の一本のもので構成しても良い
し、さらにそれ以外の各種構造のものを任意に配置して
構成してもよい。

【００２１】シャワーヘッド４１は、先端に多数のノズ
ルを設けることで、供給された無電解めっき液をシャワ
ー状に分散して基板Ｗの被めっき面に略均一に供給する
構造のものである。また洗浄液供給部５１は、ノズル５
３から洗浄液を噴出する構造である。めっき液回収ノズ
ル６５は、上下動且つ旋回できるように構成されてい
て、その先端が基板Ｗの上面周縁部の堰部材３１の内側
に下降して基板Ｗ上の無電解めっき液を吸引するように
構成されている。

【００２２】この無電解めっき装置で基板Ｗに無電解銅
めっきを施して、銅の埋め込みを行う際には、図２に示
すように、例えば基板Ｗの表面の平坦部のみに、例えば
熱反射体としての白色レジスト７０を塗布しておく。つ
まり、基板Ｗの表面のバリア層５の表面に形成したシー
ド層６が、酸化膜２の内部に形成した溝４の内部で外部
に露出し、それ以外の平坦部は、白色レジスト７０によ
って覆われた状態にしておく。この白色レジスト７０
は、例えばレジスト液に酸化チタン等の白色の顔料を添
加することで得ることができる。

【００２３】図３は、このレジスト塗布装置７２の概要
を示す。このレジスト塗布装置７２は、白色レジスト液
７０ａを保持するレジスト槽７４と、基板Ｗを下向き
（フェースダウン）で吸着保持する吸着保持部７６を内
蔵した基板保持部７８とを有している。この基板保持部
７８は、高速回転及び上下動自在に構成されている。こ
れにより、基板保持部７８で基板Ｗを下向きで保持し、
基板の下面（表面）をレジスト槽７４で保持した白色レ
ジスト液７０ａに接触させる。すると、基板Ｗに設けた
溝４の内部には、気泡が入り込み、この気泡が白色レジ
スト液７０ａの溝４の内部への浸入を阻害して、基板Ｗ
の表面の平坦部のみに白色レジスト液７０ａが付着す
る。そして、基板保持部７８を上昇させた後、基板保持
部７８を高速回転させて液切りを行うことで、基板Ｗの
表面の平坦部のみに白色レジスト７０を塗布することが
できる。

【００２４】なお、基板Ｗの表面に白色レジスト７０を
滴下した後、基板を高速回転させて塗布する、いわゆる
スピン塗布によって、白色レジスト７０を基板Ｗの表面
の平坦部のみに塗布するようにしてもよい。

【００２５】次に、前記無電解めっき装置の動作を説明
する。まず図示の状態よりも基板保持部１１を下降させ
て堰部材３１との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置
部１３に基板Ｗを載置して固定する。基板Ｗとしては、
例えばφ８インチウエハを用いる。次に、基板保持部１
１を上昇させ、その上面を堰部材３１の下面に当接さ
せ、同時に基板Ｗの外周を堰部材３１のシール部３３に
よってシールする。この時の状態を図１に示す。この
時、基板Ｗの表面は開放された状態となっている。

【００２６】次に、シャワーヘッド４１から無電解めっ
き液を噴出して基板Ｗの表面の略全体に降り注ぐ。基板
Ｗの表面は、堰部材３１によって囲まれているので、注
入した無電解めっき液は全て基板Ｗの表面に保持され
る。供給する無電解めっき液の量は基板Ｗの表面に１ｍ
ｍ厚（約３０ｍｌ）となる程度の少量で良い。なお被め
っき面上に保持する無電解めっき液の深さは１０ｍｍ以
下であれば良く、この例のように１ｍｍでも良い。

【００２７】そして、モータＭによって基板Ｗを瞬時回
転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その後基板
Ｗを静止した状態で被めっき面の無電解めっきを行う。
具体的には、基板Ｗを１秒だけ１００ｒｐｍ以下で回転
して基板Ｗの被めっき面上を無電解めっき液で均一に濡
らし、その後静止させて１分間、無電解めっきを行わせ
る。なお瞬時回転時間は長くても１０秒以下とする。

【００２８】この無電解めっき時に、光照射装置１７か
ら基板保持部１１で保持した基板Ｗの表面（上面）に向
けて、例えば赤外光、紫外光またはレーザ光等の熱源と
して光を照射する。すると、基板Ｗの表面の平坦部に塗
布した白色レジスト７０が光（熱）を反射し、これによ
って、溝４の底部から表面に向けて温度が徐々に低下す
る温度勾配ができる。つまり、溝４の底部の温度を
Ｔ_１、表面付近の温度をＴ _２とすると、溝４の底部の温
度Ｔ_１の方が表面付近の温度をＴ_２より高くなる（Ｔ_１
＞Ｔ_２）。このように、溝４の底部における温度を溝４
の表面よりも高くすることで、図２に２点鎖線で示すよ
うに、めっき膜のボトムアップ成長を促進して、埋め込
み特性を向上させ、オーバープレートを少なくすること
ができる。

【００２９】これは、無電解めっきにあっては、めっき
レートの温度依存性が一般に大きく、無電解めっき液の
温度が上昇するとめっき膜の膜厚も厚くなるからであ
る。例えば、下地にスパッタリングによって銅シード層
を形成した試料に、下記の表１に示す組成の無電解めっ
き液を用いて１分間無電解めっきを行った時のめっき液
の液温とめっき膜厚との関係を図４に示す。

【表１】

【００３０】また、この表１に示す無電解めっき液を使
用した時の化学反応式は、以下のようになる。Ｃｕ^２＋＋２ＣＨＯＣＯＯＨ＋６ＯＨ⁻ →Ｃｕ^２＋＋２
Ｃ_２Ｏ_４ ^２−＋Ｈ_２＋４Ｈ_２Ｏ＋２ｅ⁻ →Ｃｕ＋２Ｃ_２
Ｏ_４ ^２−＋Ｈ_２＋４Ｈ_２Ｏ従って、無電解めっき液として、例えば上記表１に示す
組成のものを使用することで、めっき膜のボトムアップ
成長を促進して、埋め込み特性を向上させ、オーバープ
レートを少なくすることができる。

【００３１】上記めっき処理が完了した後、めっき液回
収ノズル６５の先端を基板Ｗの表面周縁部の堰部材３１
内側近傍に下降させ、無電解めっき液を吸い込む。この
とき基板Ｗを、例えば１００ｒｐｍ以下の回転速度で回
転させれば、基板Ｗ上に残った無電解めっき液を遠心力
で基板Ｗの周縁部の堰部材３１の部分に集めることがで
き、効率良く、且つ高い回収率で無電解めっき液の回収
ができる。そして基板保持部１１を下降させて基板Ｗを
堰部材３１から離し、基板Ｗの回転を開始して洗浄液供
給部５１のノズル５３から洗浄液（超純水）を基板Ｗの
被めっき面に噴射して被めっき面を冷却すると同時に希
釈化・洗浄することで無電解めっき反応を停止させる。
このときノズル５３から噴射される洗浄液を堰部材３１
にも当てることで堰部材３１の洗浄を同時に行っても良
い。このときのめっき廃液は、回収容器６１に回収さ
れ、廃棄される。

【００３２】なお、一度使用した無電解めっき液は再利
用せず、使い捨てとする。前述のようにこの装置におい
て使用される無電解めっき液の量は従来に比べて非常に
少なくできるので、再利用しなくても廃棄する無電解め
っき液の量は少ない。なお場合によってはめっき液回収
ノズル６５を設置しないで、使用後の無電解めっき液も
洗浄液と共にめっき廃液として回収容器６１に回収して
も良い。そしてモータＭによって基板Ｗを高速回転して
スピン乾燥した後、基板保持部１１から取り出す。

【００３３】なお、この例では、配線材料として銅を使
用した例を示しているが、銅の他に、銅合金、銀または
銀合金を使用してもよい。また、上記と同様にして、例
えば溝の底部の温度を表面よりも高くした状態で無電解
めっきを施すことで、一般に溝底部の側壁に生じる極端
に膜厚の薄いシード層を補強するようにしてもよい。

【００３４】次に、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、基板Ｗの表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施
して、配線８の露出表面にＮｉ−Ｂ合金膜からなる保護
膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線を保護する場
合について、図５及び図６を参照して説明する。なお、
この例は、基板に向けて光を照射する光照射装置１７
（図１参照）として使用される光源と、無電解めっき液
が異なるだけで、その他は前述と同様であるので、ここ
では重複した説明を省略する。

【００３５】つまり、絶縁膜２中に配線８が露出する基
板Ｗの表面に光照射装置１７（図１参照）から光を照射
するのであるが、この光源として、例えば銅や銀等の配
線材料だけが熱を吸収する波長を有するものを使用し、
これによって、配線８の表面部８ａのみを昇温させる。
ここで、銅にあっては、その光の吸収波長が３６５ｎｍ
〜１０００ｎｍであるので、この範囲の波長を持つ光を
使用する。具体的には、３１２ｎｍ〜５７７ｎｍの波長
を持ち、３６５ｎｍの波長を最も放出する高圧水銀ラン
プを使用することができる。また、銀にあっては、その
光の吸収波長が１００ｎｍ〜３７６ｎｍであるので、こ
の範囲の波長を持つ光を使用する。具体的には、前述の
高圧水銀ランプの他に、１８５ｎｍ、２５４ｎｍの波長
の光を放出する低圧水銀ランプを使用することができ
る。

【００３６】また、無電解めっき液としては、例えば無
電解Ｎｉ−Ｂめっきを施すのであれば、例えばニッケル
イオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還
元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化
合物を含有し、ｐＨ調整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチ
ルアンモニウム）を使用して、ｐＨを５〜１２に調整し
たものを使用する。

【００３７】このように、絶縁膜２中に露出している配
線８の表面部８ａのみを、例えば熱を吸収させて昇温さ
せることによって、的確なめっき条件で、無電解めっき
による保護膜９（図７（ｄ）参照）を配線８の露出表面
に選択的に形成することができる。つまり、めっき液の
熱容量または基板の加熱等で無電解めっき反応に必要な
熱を得ようとすると、絶縁膜２に熱が吸収されて的確な
めっき反応を得ることが困難となるが、配線８のみを昇
温させることで、このような弊害を防止することができ
る。

【００３８】なお、例えば、図７（ｃ）に示すように、
ＣＭＰを行った後、例えば配線８の露出表面を除く領域
に、前述のような白色レジストを塗布し、この状態で無
電解めっきを施すことで、配線８の表面に選択的に保護
膜９を形成して保護するようにしてもよい。この保護膜
の材料としては、例えば、ニッケル、ニッケル合金、コ
バルトまたはコバルト合金を挙げることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば配線用の微細窪みの内部に無電解めっきによって
銅等を埋め込む際に、窪み（溝）の底部における温度を
窪み（溝）の表面よりも高くすることで、ボトムアップ
成長を促進して、埋め込み特性を向上させ、オーバープ
レートを少なくすることができる。これによって、配線
の信頼性を向上させるとともに、スループットを向上さ
せることができる。また、絶縁膜と配線とが露出する基
板の表面に光を照射して、絶縁膜中に露出している埋め
込み配線だけを昇温させることで、的確なめっき条件
で、無電解めっきによる保護膜を選択的に形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の無電解めっき装置を示す
断面図である。

【図２】めっき処理時における要部を拡大して示す断面
図である。

【図３】レジスト塗布装置の一例を示す断面図である。

【図４】無電解めっき液における液温とめっき膜厚との
関係を示すグラフである。

【図５】絶縁膜中に配線が露出している基板に光を照射
している状態を示す断面図である。

【図６】図５の平面図である。

【図７】銅めっき処理によって銅配線を形成する例を工
程順に示す図である。

【図８】従来例におけるボイドが生じた状態を示す断面
図である。

【図９】従来例におけるオーバープレートが生じた状態
を示す断面図である。

【符号の説明】

２酸化膜３コンタクトホール４溝５バリア層６シード層７銅膜８配線９保護膜１１基板保持部１３基板載置部１７光照射装置３１堰部材３３シール部４１シャワーヘッド７０白色レジスト７０ａ白色レジスト液７２レジスト塗布装置７６吸着保持部７８基板保持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｚ 21/768 21/90 ＡＦターム(参考） 4K022 AA05 BA01 BA06 BA08 BA14 BA31 BA32 CA05 CA25 DA03 DB30 4M104 BB04 BB05 BB08 BB32 DD16 DD21 DD37 DD43 DD52 DD53 DD75 HH13 HH14 HH16 5F033 HH07 HH11 HH12 HH14 HH15 HH21 HH32 JJ07 JJ11 JJ12 JJ14 JJ15 JJ21 JJ32 MM02 MM12 MM13 NN06 NN07 PP06 PP15 PP27 PP28 PP33 QQ09 QQ37 QQ53 RR04 XX02 XX04 XX09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を無電解めっき液に接触させて該基
板の表面にめっき膜を形成するに際し、基板表面の無電解めっき反応界面に温度差を設けること
を特徴とする無電解めっき方法。
【請求項２】基板の表面に色調差を付与し、この基板
の表面に光を照射して無電解めっき反応界面に温度差を
設けることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき方
法。
【請求項３】絶縁膜と配線とが露出する基板の表面に
光を照射して、前記配線の表面と前記絶縁膜の表面に温
度差を設けることを特徴とする請求項１記載の無電解め
っき方法。
【請求項４】前記無電解めっきが、銅、銅合金、銀、
銀合金、ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバ
ルト合金の少なくとも１種であることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載の無電解めっき方法。
【請求項５】基板を着脱自在に保持して該基板の表面
を無電解めっき液に接触させる基板保持部と、前記基板保持部で保持し前記無電解めっき液に接触させ
る基板の表面の無電解めっき反応界面に温度差を設ける
温度差付与手段とを有することを特徴とする無電解めっ
き装置。
【請求項６】前記温度差付与手段は、色調差を付与し
た基板の表面に光を照射する光照射装置を有することを
特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置。
【請求項７】前記温度差付与手段は、絶縁体と配線が
露出する基板の表面に光を照射して前記配線の表面と前
記絶縁膜の表面に温度差を設ける光照射装置を有するこ
とを特徴とする請求項５記載の無電解めっき装置。