DE102017218098A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfassend die Schritte: Festlegen einer lokalen Zieldicke eines Halbleiter-Wafers und/oder einer auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Schicht als zu ätzendes Material mittels Berechnung einer lokalen Dicke, welche auf einer Dicke an einer Position zur Endpunktbestimmung des zu ätzenden Materials basiert, und Subtrahieren einer vordefinierten relativen Ätztiefe von der lokalen Dicke zur Bestimmung der lokalen Zieldicke, und Ätzen des zu ätzenden Materials während dessen Dicke an der Position zur Endpunktbestimmung überwacht wird, und Beenden des Ätzvorgangs, sobald festgestellt wird, dass die Dicke des zu ätzenden Materials an der Position zur Endpunktbestimmung der Zieldicke oder weniger entspricht.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, welches einen Halbleiter-Wafer oder eine auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildete Schicht als zu ätzendes Material ätzt.
  • Stand der Technik
  • Die japanische Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer H7-130812 offenbart eine Technik, bei der ein räumliches Ätzratenmuster auf der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers als Funktion von Prozessbedingungen durch Verwendung einer in situ-Ellipsometrie in Verbindung mit statistischen Modellierungsverfahren abgeleitet wird.
  • Für den Fall, dass ein Halbleiter-Wafer oder eine auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildete Schicht als zu ätzendes Material geätzt wird, ist es wünschenswert, dass eine Zieldicke des zu ätzenden Materials nach dem Ätzen identisch ist mit einem Nachprozess-Repräsentativwert von Dicken des zu ätzenden Materials, die nach dem Ätzen ermittelt werden. In manchen Fällen wird eine spezifische Position auf dem zu ätzenden Material als eine Position zur Endpunktbestimmung festgelegt und ein Endpunkt für den Ätzvorgang wird durch eine Überwachung der Dicke an der Position zur Endpunktbestimmung während des Ätzens ermittelt. Bei diesem Ätzverfahren erhöht sich eine Ätztiefe bis zum Erreichen der Zieldicke, wenn die Dicke des zu ätzenden Materials an der Position zur Endpunktbestimmung vor dem Ätzen groß ist; wenn die Dicke des zu ätzenden Materials klein ist verringert sich die Ätztiefe bis zum Erreichen der Zieldicke.
  • In einem Verfahren, in dem der Ätzvorgang ausgeführt wird, bis das zu ätzende Material an der Position zur Endpunktbestimmung die Zieldicke erreicht, werden Dickenabweichungen innerhalb der Bereiche des zu ätzenden Materials nicht berücksichtigt. Insbesondere, wenn das zu ätzende Material an der Position zur Endpunktbestimmung dicker ist, als andere Bereiche des zu ätzenden Materials, so dass die Ätztiefe zu groß wird und ein Nachprozess-Repräsentativwert kleiner wird als die Zieldicke. Andererseits, wenn das zu ätzende Material an der Position zur Endpunktbestimmung dünner ist, als andere Bereiche des zu ätzenden Materials, wird die Ätztiefe zu gering und der Nachprozess-Repräsentativwert wird größer als die Zieldicke.
  • Die vorliegende Erfindung wurde entwickelt, um das beschriebene Problem zu lösen. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitzustellen, das in der Lage ist, einen Fehler zwischen einer Zieldicke eines zu ätzenden Materials nach dem Ätzen und einem Nachprozess-Repräsentativwert zu verringern, wobei der Nachprozess-Repräsentativwert ein Repräsentativwert für Dicken des zu ätzenden Materials ist, die nach dem Ätzen ermittelt werden.
  • In einigen Beispielen umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Festlegen einer lokalen Zieldicke eines Halbleiter-Wafers und/oder einer auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Schicht als zu ätzendes Material mittels Berechnung einer lokalen Dicke, welche auf einer Dicke an einer Position zur Endpunktbestimmung des zu ätzenden Materials basiert, und das Subtrahieren einer vordefinierten relativen Ätztiefe von der lokalen Dicke zur Bestimmung der lokalen Zieldicke, und das Ätzen des zu ätzenden Materials während dessen Dicke an der Position zur Endpunktbestimmung überwacht wird, und das Beenden des Ätzvorgangs, sobald festgestellt wird, dass die Dicke des zu ätzenden Materials an der Position zur Endpunktbestimmung der Zieldicke oder weniger entspricht.
  • Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus nachfolgender Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Es zeigt:
    • 1 eine Position zur Endpunktbestimmung auf einem zu ätzenden Material;
    • 2 eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials;
    • 3 eine Position zur Endpunktbestimmung und dergleichen in Ausführungsform 2;
    • 4 ein Beispiel für eine Apparaturanordnung in Ausführungsform 2;
    • 5 eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials;
    • 6 eine Ansicht, die den Betrieb der Apparatur während des Ätzvorgangs zeigt;
    • 7 eine Ansicht, die die Position zur Endpunktbestimmung im Vergleichsbeispiel zeigt;
    • 8 eine Ansicht zur Erklärung eines Ätzvorgangs im Vergleichsbeispiel;
    • 9 eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials im Vergleichsbeispiel;
    • 10 eine Beispieltabelle mit Messwerten zur Dicke eines SI-Wafers vor und nach dem Ätzen;
    • 11 eine Position zur Endpunktbestimmung und dergleichen in Ausführungsform 3;
    • 12 eine Rotationstrajektorie einer Endpunktbestimmung; und
    • 13 die Oberflächen des zu ätzenden Materials vor und nach dem Ätzen.
  • Es werden Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung anhand von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Dieselben, oder ihnen entsprechende Komponenten werden mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet und die Wiederholung ihrer Erklärung ist weggelassen.
  • Ausführungsform 1.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 verwendet einen Halbleiter-Wafer oder eine auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildete Schicht als zu ätzendes Material und ätzt das zu ätzende Material. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 führt zunächst einen Schritt zur Zieleinstellung aus und führt dann einen Ätzschritt aus.
  • Der Schritt zur Zieleinstellung wird im Folgenden beschrieben. Im Schritt zur Zieleinstellung wird zunächst eine lokale Dicke berechnet, basierend auf der Dicke des zu ätzenden Materials an einer Position zur Endpunktbestimmung. 1 zeigt eine Position zur Endpunktbestimmung 5a auf einem zu ätzenden Material 2, das ein Halbleiter-Wafer 1 oder eine auf einem Halbleiter-Wafer 1 ausgebildete Schicht ist. Für den Fall, dass der Halbleiter-Wafer 1 das zu ätzende Material 2 ist, kann der Halbleiter-Wafer 1 zum Beispiel ein Si-Wafer sein und der Si-Wafer selbst ist das zu ätzende Material 2. 1 zeigt ein Beispiel, das neun Messpunkte 6 auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers 1 zur Berechnung eines Vorprozess-Repräsentativwertes und eines Nachprozess-Repräsentativwertes, welche später beschrieben werden, umfasst. Einer der neun Messpunkte fällt mit der Position zur Endpunktbestimmung 5a zusammen. Die Messpunkte 6 sind in einer vertikalen Linie und in einer horizontalen Linie angeordnet, so dass sie im Ganzen eine Kreuzform ergeben. Eine lokale Dicke, welche die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an einer Position zur Endpunktbestimmung 5a darstellt, wird mittels einer allgemein bekannten Methode berechnet.
  • Gemäß einer Methode zur Messung der Dicke des zu ätzenden Materials 2, wird das zu ätzenden Material 2 mit Licht bestrahlt, welches eine Wellenlänge besitzt, die es dem Licht erlaubt das zu ätzende Material 2 zu durchdringen, wobei die Dicke des zu ätzenden Materials, basierend auf der Intensität des von der Oberfläche und dem Boden des zu ätzenden Materials 2 reflektierten, interferierenden Lichts und dem Brechungsindex gemessen wird. Zudem wird eine Methode angewendet für den Fall, dass Licht mit einer Wellenlänge, die es dem Licht erlaubt das zu ätzende Material 2 zu durchdringen, nicht eingesetzt werden kann, indem das zu ätzende Material 2 mit Licht bestrahlt wird, das nicht die Eigenschaft besitzt das zu ätzende Material 2 zu durchdringen und die Dicke des zu ätzenden Materials 2, das geätzt wurde, wird anhand der Intensität des interferierenden Lichts gemessen, die sich aus der optischen Wegdifferenz zwischen dem Weg, den das Licht zurücklegt, wenn es von einem Bereich reflektiert wird, der mittels eines Lacks oder Ähnlichem vor dem Ätzen geschützt ist und dem Weg den das Licht zurücklegt, wenn es von einem geätzten Bereich reflektiert wird, ergibt.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials 2. 2 zeigt eine Oberfläche 11 des zu ätzenden Materials 2 vor dem Ätzen und eine Oberfläche 12 des zu ätzenden Materials 2 nach dem Ätzen. Die Dicke des zu ätzenden Materials 2 variiert entsprechend der Genauigkeit bei der Ausführung des vorangegangenen Schrittes. In dem in 2 gezeigtem Beispiel ist die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a relativ groß. Die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a auf der Oberfläche 11 stellt eine lokale Dicke B1 dar. Ein Vorprozess-Repräsentativwert B2 ist ein Wert, der die an einer Mehrzahl von Positionen gemessenen Dicken auf der Oberfläche 11 vor dem Ätzen repräsentiert, z.B. ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an den neun Messpunkten 6 in 1 vor dem Ätzen. Der Vorprozess-Repräsentativwert B2 kann ein beliebiger Wert sein, der die Dicken des zu ätzenden Materials 2 repräsentiert und der basierend auf den Dicken des zu ätzenden Materials 2 an einer Mehrzahl von Positionen während oder vor dem Schritt der Zieleinstellung bestimmt wird und dabei nicht auf einen Mittelwert beschränkt ist.
  • Eine relative Ätztiefe 15 wird während, oder vor dem Schritt der Zieleinstellung berechnet, indem eine Zieldicke A1 des zu ätzenden Materials 2 nach dem Ätzen vom Vorprozess-Repräsentativwert B2 subtrahiert wird. Die Zieldicke A1 ist eine ideale Dicke für das gesamte zu ätzende Material 2 nach dem Ätzen. Als relative Ätztiefe 15 kann zum Beispiel eine vordefinierte Ätztiefe unverändert eingesetzt werden. Ein Nachprozess-Repräsentativwert A2, welcher Dicken repräsentiert, die an einer Mehrzahl von Positionen auf der Oberfläche 12 nach dem Ätzen gemessen wurden, ist optional aber wirksam für eine Bewertung eines Ergebnisses. Der Nachprozess-Repräsentativwert A2 kann zum Beispiel ein Mittelwert für die Dicken des zu ätzenden Materials 2 an den neun Messpunkten 6 in 1 nach dem Ätzen sein. Der Nachprozess-Repräsentativwert A2 kann ein beliebiger Wert sein, der die Dicken des zu ätzenden Materials 2 repräsentiert und der basierend auf der Dicke des zu ätzenden Materials 2 an einer Mehrzahl von Positionen nach der Ausführung des Prozesses bestimmt wird und dabei nicht notwendigerweise auf einen Mittelwert beschränkt ist.
  • Eine lokale Zieldicke T ist eine Dicke zur Bestimmung eines Endpunktes für den Ätzvorgang an einer Position zur Endpunktbestimmung 5a, die notwendig ist zur Reduzierung eines Fehlers zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2. Im Schritt der Zieleinstellung wird die lokale Zieldicke T berechnet, indem die lokale Dicke B1 berechnet wird und die vordefinierte Ätztiefe 15 anschließend von der lokalen Dicke B1 subtrahiert wird mittels der zuvor genannten Berechnungsmethode.
  • Im Anschluss wird der Ätzschritt ausgeführt. Bei der Ausführung des Ätzschrittes wird das zu ätzende Material 2 geätzt, während die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a überwacht wird. Sobald festgestellt wird, dass die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a der lokalen Zieldicke T oder weniger entspricht, wird der Endpunkt für den Ätzvorgang als erreicht betrachtet und der Ätzvorgang beendet. Durch die Ausführung des Ätzschrittes wird die Oberfläche 11 des zu ätzenden Materials 2 in 2 bis zur Oberfläche 12 geätzt.
  • Je mehr sich die Uniformität des Ätzens verbessert, desto ähnlicher werden sich die Formen der Oberfläche 11 und der Oberfläche 12. Insbesondere wie in 2 gezeigt, wird der Unterschied t1 zwischen der lokalen Dicke B1 und dem Vorprozess-Repräsentativwert B2 annähernd identisch zum Unterschied t2 zwischen der lokalen Zieldicke T und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2. Der Ätzvorgang sorgt dafür, dass das zu ätzende Material 2 um eine Dicke geätzt wird, die in allen Bereichen des zu ätzenden Materials 2 annähernd identisch ist mit der relativen Ätztiefe 15, und ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 reduziert werden kann.
  • Wenn der Ätzvorgang im Ätzschritt solange ausgeführt wird, bis die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a mit der Zieldicke A1 übereinstimmt, wird der Nachprozess-Repräsentativwert A2 kleiner als die Zieldicke A1. Dementsprechend kann ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 nicht reduziert werden. Im Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 kann jedoch ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 durch eine Festlegung der lokalen Zieldicke T reduziert werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 kann innerhalb eines Bereichs auf verschiedene Arten modifiziert werden, ohne dass die zugehörigen Merkmale verloren gehen. Zum Beispiel kann die Anordnung der Messpunkte 6 und der Position zur Endpunktbestimmung 5a in geeigneter Weise verändert werden. Zudem kann der Unterschied zwischen dem Nachprozess-Repräsentativwert und der Zieldicke A1 ermittelt werden, indem die Dicken des zu ätzenden Materials nach dem Ätzschritt an einer Mehrzahl von Positionen gemessen werden und ein Nachprozess-Repräsentativwert der Dicken des zu ätzenden Materials auf Basis der gemessenen Dicken berechnet wird. Zudem kann mindestens einer der Werte aus Maximalwert, Minimalwert, Mittelwert und Standardabweichung ermittelt werden für die Dicken des zu ätzenden Materials, die an einer Mehrzahl von Positionen während oder nach dem Schritt der Zieleinstellung gemessen werden und für Dicken des zu ätzenden Materials an einer Mehrzahl von Positionen nach dem Ätzschritt, oder Differenzwerte an einer Mehrzahl von Positionen, die mittels Subtraktion ermittelt werden. Weiterhin können die Dicken des zu ätzenden Materials bei der Berechnung des Vorprozess-Repräsentativwertes (B2) entsprechend ihres Abstandes vom Mittelpunkt des Halbleiter-Wafers gewichtet werden.
  • Das zu ätzende Material kann aus Si bestehen, oder dieses beinhalten, oder aus C bestehen, oder dieses beinhalten, oder aus Metall bestehen, oder dieses beinhalten. Das zu ätzende Material kann zum Beispiel Si, SiO2, SiON, SiN, C, SiC, SiOC, SiCN, Al, AlCu, Cu, Ti, Ni, Pt, GaN, oder dergleichen sein. Bei der Ausführung des Ätzschrittes wird ein allgemein bekanntes Ätzverfahren wie zum Beispiel ein Trockenätzen oder ein Nassätzen eingesetzt. Diese Modifikationen können in geeigneter Weise auf Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen entsprechend weiterer Ausführungsformen angewendet werden.
  • Ausführungsform 2.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2 besitzt viele Übereinstimmungen mit dem aus Ausführungsform 1, weshalb vorwiegend die Unterschiede zur Ausführungsform 1 beschrieben werden. 3 zeigt die Position zur Endpunktbestimmung 5a und dergleichen in Ausführungsform 2. Ein Mittelpunkt 5c ist eine zentrale Position auf dem Halbleiter-Wafer. Eine Mehrzahl von Messpunkten 6 ist auf einer geraden Linie angeordnet, welche durch den Mittelpunkt 5c verläuft. Einige der Mehrzahl der Messpunkte 6 fallen mit der Position zur Endpunktbestimmung 5a, dem Mittelpunkt 5c und einer symmetrischen Position 5b zusammen. Die symmetrische Position 5b ist bezüglich des Mittelpunktes 5c des Halbleiter-Wafers symmetrisch zur Position zur Endpunktbestimmung 5a. Mit anderen Worten, die symmetrische Position 5b und die Position zur Endpunktbestimmung 5a sind punktsymmetrisch zum Mittelpunkt 5c des Halbleiter-Wafers. Im Schritt der Zieleinstellung in Ausführungsform 2 werden die Dicke des zu ätzenden Materials an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und die symmetrische Position 5b gemessen und ein Mittelwert der Dicken als lokale Dicke berechnet. Danach wird eine vordefinierte relative Ätztiefe von der lokalen Dicke subtrahiert und damit eine lokale Zieldicke berechnet.
  • 4 zeigt ein Beispiel einer Apparaturanordnung in Ausführungsform 2. Der Halbleiter-Wafer 1 ist auf einem Wafer-Tisch 8 befestigt, welcher sich in einer Rotationsanfangslage befindet. Ein Dickenmesssensor 5 ist oberhalb des Wafer-Tisches 8 angeordnet und eingerichtet, von einer Abtastvorrichtung (engl. scanning mechanism) 7 bewegt zu werden. Ein doppelseitiger Pfeil 7a zeigt einen Bereich an, innerhalb dessen die Abtastvorrichtung 7 die Durchführung einer Messung mittels des Dickenmesssensors 5 erlaubt. Ein Düsen-Abtast-Arm (engl. nozzle scan arm) 9, der eine Ätzmittel-Auslassdüse 3 umfasst, wird angrenzend an den Wafer-Tisch 8 dargestellt. Der Dickenmesssensor 5, die Abtastvorrichtung 7, der Düsen-Abtast-Arm 9 und der Wafer-Tisch 8 werden mittels einer Steuereinheit 10a gesteuert, um Dicken des zu ätzenden Materials 2 zu messen, wobei der Dickenmesssensor 5 alleine oder in Kombination mit der Abtastvorrichtung 7 oder dem Wafer-Tisch 8 eingesetzt wird, und um einen Ätzprozess unter Einsatz des Düsen-Abtast-Arms 9 und des Wafer-Tisches 8 auszuführen.
  • Die Messung der Dicke des zu ätzenden Materials 2 in 3 wird wie folgt ausgeführt: die Steuereinheit 10a steuert die Abtastvorrichtung 7, um den Dickenmesssensor 5 an einer Messposition zu positionieren und eine Steuereinheit zur Dickenmessung 10b anzuweisen eine Messung durchzuführen; und die Steuereinheit zur Dickenmessung 10b misst eine Dicke des zu ätzenden Materials 2 basierend auf der Intensität des interferierenden Lichts und dem Brechungsindex und liefert einen Dickenwert an die Steuereinheit 10a zurück. Dieser Vorgang wird für jeden einzelnen Messpunkt 6, die Position zur Endpunktbestimmung 5a und die symmetrische Position 5b ausgeführt. Im Schritt der Zieleinstellung berechnet die Steuereinheit 10a für eine lokale Dicke einen Mittelwert aus den Dicken an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b, welche in der oben beschriebenen Dickenmessung ermittelt wurden.
  • Darüber hinaus berechnet die Steuereinheit 10a einen Vorprozess-Repräsentativwert, welcher einen Repräsentativwert für Dicken an einer Mehrzahl von Messpunkten 6 darstellt, welche durch die oben beschriebene Dickenmessung ermittelt wurden. Der Vorprozess-Repräsentativwert ist zum Beispiel ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an einer Mehrzahl von Messpunkten 6. Es ist natürlich kein Problem, dass die Position zur Endpunktbestimmung 5a und die symmetrische Position 5b mit einigen aus der Mehrzahl der Messpunkte 6 zusammenfallen.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials 2. Auf der Oberfläche 11 ist die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a kleiner als die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der symmetrischen Position 5b. Die lokale Dicke B1 ist ein Mittelwert von Dicken des zu ätzenden Materials 2 an einer Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b. Der Vorprozess-Repräsentativwert B2 ist kleiner als die lokale Dicke B1.
  • Die relative Ätztiefe 15 wird während, oder vor dem Schritt zur Zieleinstellung berechnet, indem eine Zieldicke A1 des zu ätzenden Materials nach dem Ätzen von einem Vorprozess-Repräsentativwert B2 subtrahiert wird. Der Berechnungsvorgang wird durch die Steuereinheit 10a ausgeführt. Die Zieldicke A1 ist häufig ein Wert, der in einem Rezept (engl. recipe) oder ähnlichem im Vorfeld vordefiniert wird, aber natürlich kann auch eine Funktion zur automatischen Auswahl eines Rezeptes aus einer Mehrzahl von Rezepten eingesetzt werden, in denen unterschiedliche Zieldicken A1 entsprechend dem Bereich des Vorprozess-Repräsentativwertes B2 festgelegt sind. Im Schritt der Zieleinstellung wird wie in 5 gezeigt die lokale Zieldicke T berechnet, indem die relative Ätztiefe 15 von der lokalen Dicke B1 subtrahiert wird.
  • Im Ätzschritt wird ein Einzel-Wafer-Nassätzverfahren auf dem zu ätzenden Material 2 ausgeführt. 6 ist eine Ansicht, die den Betrieb der Apparatur bei der Ausführung des Ätzschrittes zeigt. Während die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a mittels des Dickenmesssensors 5 im Ätzschritt überwacht wird, wird dem zu ätzenden Material 2 ein Ätzmittel mittels der Düse 3 des Düsen-Abtast-Arms 9 zugeführt, während der Halbleiter-Wafer 1 mittels des Wafer-Tisches 8 gedreht wird. Während das zu ätzende Material 2 unter Zuführung des Ätzmittels nass-geätzt wird, wird die Düse 3 mittels einer Abtastbewegung 9a des Düsen-Abtast-Arms 9 in Form einer Drehbewegung hin und her bewegt. Danach wird ein Mittelwert von Dicken berechnet, deren Positionen sich am nächsten zur Rotationsanfangslage und zu einer 180° Position befinden, unter den Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a, die kontinuierlich durch die Steuereinheit zur Dickenmessung 10b geliefert und kontinuierlich berechnet werden. Sobald festgestellt wird, dass der Mittelwert der lokalen Zieldicke T oder weniger entspricht, erkennt die Steuereinheit 10 einen Endpunkt für den Ätzvorgang und beendet das Ätzen. Danach kehrt der Wafer-Tisch 8 in seine Rotationsanfangslage zurück.
  • Durch den Ätzprozess wird die Oberfläche 11 in 5 bis zur Oberfläche 12 geätzt. Nach dem Ätzprozess werden die Dicken des zu ätzenden Materials 2 mittels des Dickenmesssensors 5 gemessen, indem die Abtastvorrichtung 7 angesteuert wird. Die Dicken des zu ätzenden Materials 2 werden in dem durch den doppelseitigen Pfeil gekennzeichneten Bereich in 4 gemessen, um die Dicken des zu ätzenden Materials 2 an allen Messpunkten 6 in 3 zu ermitteln. Der Nachprozess-Repräsentativwert A2 wird basierend auf den gemessenen Dicken berechnet. 5. zeigt eine Situation, in der der Nachprozess-Repräsentativwert A2 annähernd mit der Zieldicke A1 übereinstimmt. Durch das Ermitteln des Nachprozess-Repräsentativwertes A2 wird es möglich, den Unterschied zwischen dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 und der Zieldicke A1 zu ermitteln und mindestens einen der Werte aus Maximalwert, Minimalwert, Mittelwert und Standardabweichung als Werte für die Dicken, die an einer Mehrzahl von Positionen auf dem Wafer vor und nach dem Ätzen gemessen wurden, zu ermitteln, oder Differenzwerte an einer Mehrzahl von Positionen mittels Subtraktion zu ermitteln. Diese Werte können bei der Qualitätskontrolle für das Ätzen genutzt werden.
  • Um das Verständnis hinsichtlich der Bedeutung des Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2 zu erleichtern, wird im Folgenden ein Vergleichsbeispiel beschrieben. Im Zuge der Erklärung des Vergleichsbeispiels werden vorwiegend die Unterschiede zur Ausführungsform 2 beschrieben. 7 ist eine Ansicht, die die Position zur Endpunktbestimmung 5a in einem Vergleichsbeispiel zeigt. Es ist wichtig, dass die Position zur Endpunktbestimmung 5a an einer Position liegt, die die Dicken des zu ätzenden Materials repräsentiert. 8 ist eine Ansicht zur Erklärung des Ätzschrittes in einem Vergleichsbeispiels. Während die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a mittels des Dickenmesssensors 5 überwacht wird, wird das zu ätzende Material 2 geätzt, indem der Halbleiter-Wafer 1 gedreht wird und das Ätzmittel aus der Düse 3 auf das zu ätzende Material 2 aufgebracht wird. Im Vergleichsbeispiel wird das zu ätzende Material 2 in einem Einzel-Wafer-Nassätzverfahren geätzt.
  • In einem reaktionsbegrenzten (engl. reaction-limited) System können Ätzbedingungen, die eine günstige Uniformität erzeugen einfach ermittelt werden, selbst wenn sich die Düse 3 an einer festen Position unmittelbar über dem Mittelpunkt des Halbleiter-Wafers 1 befindet. In einem versorgungsbegrenzten (engl. supply-limited) System kann eine günstige Ätz-Uniformität jedoch nicht realisiert werden, falls das aus der Düse 3 ausgelassene Ätzmittel 4 nicht gleichmäßig mittels der Abtastbewegung 9a des Arms auf das zu ätzende Material 2 aufgebracht wird. Um die Ätz-Uniformität in einem versorgungsbegrenzten System zu verbessern ist es notwendig, die Ätzrate und die Ätzmittelmenge, die Anzahl der Umdrehungen des Halbleiter-Wafers und die Abtastbewegung 9a der Düse 3 zu optimieren. Um die Ätz-Uniformität zu stabilisieren, müssen Schwankungen in der Ätzrate, die durch eine Verschlechterung des Ätzmittels 4 hervorgerufen werden, durch entsprechende Maßnahmen reduziert werden, indem beispielsweise die Bestandteile des Ätzmittels aufgefrischt werden.
  • Da der Halbleiter-Wafer 1 im Vergleichsbeispiel gedreht wird, während sich die Position zur Endpunktbestimmung 5a an einer festen Stelle befindet, wird der Endpunkt auf einem Kreis bestimmt, der sich in einem Abstand zum Rotationsmittelpunkt des Halbleiter-Wafers 1 befindet. Es ist wichtig, dass die Position zur Endpunktbestimmung 5a eine Position auf dem Kreis darstellt, die die Dicken des zu ätzenden Materials 2 repräsentiert. Die Gleichmäßigkeit der Verteilung der Dicken innerhalb der Bereiche des zu ätzenden Materials 2 und die Ätz-Uniformität müssen zudem auf einem guten Niveau gehalten werden.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht des zu ätzenden Materials 2 in einem Vergleichsbeispiel. Im Vergleichsbeispiel wird der Ätzvorgang ausgeführt, bis die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a die Zieldicke A1 erreicht. Insbesondere wird der Ätzvorgang bis zur Ätztiefe 14 durchgeführt. Falls die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a auf der Oberfläche 11 abweicht vom Vorprozess-Repräsentativwert B2, kann ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 entsprechend nicht reduziert werden. 9 zeigt eine Situation, in der ein übermäßiges Ätzen durchgeführt wird, um den Nachprozess-Repräsentativwert A2 kleiner zu machen als die Zieldicke A1, weil die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a vor dem Ätzen größer ist, als der Vorprozess-Repräsentativwert B2. Im Falle des Vergleichsbeispiels kann ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 nicht reduziert werden, wenn ein zu großer Abstand zwischen der Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a vor dem Ätzen, und dem Vorprozess-Repräsentativwert B2 besteht. Die Verfahren zur Herstellung eine Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsformen 1 und 2 sollen nicht die Zieldicke A1 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a realisieren, sondern die lokale Zieldicke T festlegen, die eine zu realisierende Dicke an der Position zur Endpunkt Bestimmung 5a darstellt, um einen Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 zu reduzieren. In Ausführungsformen 2 wird die lokale Zieldicke T berechnet, indem die relative Ätztiefe 15 von der lokalen Dicke B1 subtrahiert wird, die einen Mittelwert von Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und an der symmetrischen Position 5b darstellt. Für den Fall, dass die Dicke des zu ätzenden Materials 2, wie in der Querschnittsansicht in 5 gezeigt, einen Anstieg besitzt, kann ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 stärker reduziert werden, als in dem Fall, in dem eine lokale Dicke nur auf Basis der Dicken an der Position zur Endpunktbestimmung 5a definiert wird. 10 zeigt eine Beispieltabelle mit Messwerten von Dicken eines SI-Wafers vor und nach dem Ätzen. Vorher-Messung steht für eine Messung vor dem Ätzen und Nachher-Messung für eine Messung nach dem Ätzen. Anhand der Ergebnisse von Messungen an 49 Punkten auf der Oberfläche des Wafers kann beobachtet werden, dass es einige Schwankungen bzgl. der Dicken des Wafers vor und nach dem Ätzen gibt. Dementsprechend wird eine lokale Dicke bevorzugt auf Basis von Messwerten ermittelt, die wie in Ausführungsform 2 an einer Mehrzahl von Positionen gemessen werden.
  • Ausführungsform 3.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3 besitzt viele Übereinstimmungen mit dem aus Ausführungsform 2, weshalb vorwiegend die Unterschiede zur Ausführungsform 2 beschrieben werden. 11 zeigt die Position zur Endpunktbestimmung 5a und dergleichen in Ausführungsform 3. In Ausführungsform 3 wird die Messung von Dicken an der Position zur Endpunktbestimmung 5a, der symmetrischen Position 5b und an den in Ausführungsform 2 beschrieben Messpunkten 6 viermal mit einem Drehwinkel 16a von zum Beispiel 45° durchgeführt. Die Dicken umfassen Dicken an der Position zur Endpunktbestimmung 5a, an der symmetrischen Position 5b und an den Messpunkten 6, die in vier Messungen ermittelt werden, und die Messpunkte 6 umfassen eine Mehrzahl von Messpunkten 6a, die in einer gerade Linie angeordnet sind, eine Mehrzahl von Messpunkten 6b, die in einer gerade Linie angeordnet sind, eine Mehrzahl von Messpunkten 6c, die in einer gerade Linie angeordnet sind und eine Mehrzahl von Messpunkten 6d, die in einer gerade Linie angeordnet sind. Es ist natürlich kein Problem, dass die Position zur Endpunktbestimmung 5a, der Mittelpunkt 5c und die symmetrische Position 5b mit einigen aus der Mehrzahl der Messpunkte 6 zusammenfallen. Dies gilt für die Messpunkte 6b, 6c, und 6d.
  • Im Schritt der Zieleinstellung in Ausführungsform 3 wird eine lokale Dicke des Halbleiter-Wafers 1 mittels eines vordefinierten Drehwinkels 16a von 45° berechnet und eine relative Ätztiefe von der lokalen Dicke subtrahiert. In Ausführungsform 3 werden Dicken an einer Mehrzahl von Messpunkten 6a, die in einer geraden Linie angeordnet sind, mittels des in 4 gezeigten Dickenmesssensors 5 in einem Zustand gemessen, in dem sich der Wafer-Tisch 8 auf dem ein Halbleiter-Wafer 1 befestigt ist, in der Rotationsanfangslage befindet, und ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b, wobei jede davon mit einem der Messpunkte 6a zusammenfällt, wird als lokale Dicke berechnet. Des Weiteren werden, nachdem der Halbleiter-Wafer 1 um einen Rotationswinkel von 45° gedreht wurde, Dicken an der Mehrzahl der Messpunkte 6b, die in einer gerade Linie angeordnet sind gemessen und ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b, wobei jede davon mit einem der Messpunkte 6b zusammenfällt, wird als lokale Dicke berechnet.
  • Des Weiteren werden, nachdem der Halbleiter-Wafer 1 um einen Rotationswinkel von 45° gedreht wurde, Dicken an der Mehrzahl der Messpunkte 6c, die in einer gerade Linie angeordnet sind gemessen und ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b, wobei jede davon mit einem der Messpunkte 6c zusammenfällt, wird als lokale Dicke berechnet. Schließlich werden, nachdem der Halbleiter-Wafer 1 um einen Rotationswinkel von 45° gedreht wurde, Dicken an der Mehrzahl der Messpunkte 6d, die in einer gerade Linie angeordnet sind, gemessen und ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a und der symmetrischen Position 5b, wobei jede davon mit einem der Messpunkte 6d zusammenfällt, wird als lokale Dicke berechnet.
  • Auf diese Weise werden vier lokale Dicken an unterschiedlichen Positionen berechnet. Danach wird die relative Ätztiefe von jeder der vier lokalen Dicken subtrahiert und ein Mittelwert, der durch die Subtraktion erhaltenen Werte wird als lokale Zieldicke T berechnet. Mit anderen Worten werden vier lokale Zieldicken ermittelt und danach ein Mittelwert dieser Werte als lokale Zieldicke T zur Anwendung im Ätzschritt berechnet. Die lokale Zieldicke, die mittels Bildung eines Durchschnitts einer Mehrzahl von lokalen Zieldicken ermittelt wird, wird im Folgenden als mittlere lokale Zieldicke bezeichnet. Die vier an den Positionen zur Endpunktbestimmung 5a ermittelten Dicken und die vier an den symmetrischen Positionen 5b ermittelten Dicken, sind Dicken, die sich an Positionen befinden, die dieselbe Entfernung zum Mittelpunkt 5c besitzen und die mittlere lokale Zieldicke besitzt einen Wert, der die Dicken an acht in einem Kreismuster angeordneten Positionen widerspiegelt.
  • Die relative Ätztiefe 15 wird berechnet, indem Repräsentativwerte von Dicken an den Messpunkten 6a, 6b, 6c, und 6d während oder vor dem Schritt der Zieleinstellung berechnet werden, und danach entsprechend ein Mittelwert dieser vier Repräsentativwerte als Vorprozess-Repräsentativwert berechnet wird und indem eine Zieldicke des zu ätzenden Materials nach dem Ätzen vom Vorprozess-Repräsentativwert subtrahiert wird.
  • Während der Ätzvorgang unter Drehung des Halbleiter-Wafers 1 im Ätzschritt ausgeführt wird, werden die Dicken eines zu ätzenden Objektes kontinuierlich an der Position zur Endpunktbestimmung 5a gemessen. Danach wird ein Mittelwert von Dicken, deren Positionen der Rotationsanfangslage am nächsten sind und deren Positionen sich bei 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270° und 315° unter den Dicken des zu ätzenden Materials 2 befinden, kontinuierlich berechnet. Sobald festgestellt wird, dass der Mittelwert der mittleren lokalen Zieldicke oder weniger entspricht, wird ein Endpunkt für den Ätzvorgang erkannt und der Ätzvorgang beendet. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3 kann einen Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 für den Fall reduzieren, in dem die Verteilung der Dicken eines zu ätzenden Objektes eine Welligkeit besitzt.
  • Ausführungsform 4.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 4 besitzt viele Übereinstimmungen mit den Ausführungsformen 2 und 3, weshalb vorwiegend die Unterschiede zu den Ausführungsformen 2 und 3 beschrieben werden. 12 zeigt eine Rotationstrajektorie zur Endpunktbestimmung 5d, auf der Dicken an der Position zur Endpunktbestimmung 5a mittels kontinuierlicher Rotation 16b und dergleichen erfasst werden. Im Schritt der Zieleinstellung wird eine lokale Dicke gemessen, während der Halbleiter-Wafer 1 gedreht wird. Genauer, während der Halbleiter-Wafer 1 zum Beispiel um eine Umdrehung gedreht wird, wird die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an der Position zur Endpunktbestimmung 5a an einer Mehrzahl von Messpunkten gemessen und eine lokale Dicke, die die Dicken auf der Rotationstrajektorie zur Endpunktbestimmung 5d repräsentiert, kann durch eine Durchschnittsberechnung oder eine Modalwertbestimmung oder dergleichen ermittelt werden. Es soll erwähnt werden, dass nach der Berechnung der lokalen Zieldicke T der Ätzschritt unmittelbar ausgeführt werden kann, ohne die Rotation zu beenden.
  • Die relative Ätztiefe, die in die Berechnung der lokalen Zieldicke T einfließt, wird natürlich während oder vor dem Schritt der Zieleinstellung berechnet. Die relative Ätztiefe wird zum Beispiel berechnet, indem der Vorprozess-Repräsentativwert B2 berechnet wird, der ein Repräsentativwert für Dicken des zu ätzenden Materials ist, basierend auf den Dicken des zu ätzenden Materials 2 an einer Mehrzahl von Positionen auf einer geraden Linie, die durch den Mittelpunkt 5c verläuft und durch Subtraktion der Zieldicke A1 vom Vorprozess-Repräsentativwert B2.
  • 13 zeigt die Oberfläche 11 des zu ätzenden Materials 2 vor dem Ätzen und die Oberfläche 12 des zu ätzenden Materials 2 nach dem Ätzen. Je größer die Welligkeit der Dicken der Oberfläche 11 ist, desto stärker variieren die lokalen Dicken an den Messpositionen für die Dicken, die in die Berechnung der lokalen Dicke einfließen. Da der Halbleiter-Wafer 1 gedreht wird, wird die Dicke des zu ätzenden Materials 2 während des Ätzschrittes auf der Rotationstrajektorie zur Endpunktbestimmung 5d überwacht. Dementsprechend wird die lokale Dicke, die vor dem Ätzen berechnet wird bevorzugt durch eine Messung auf der Rotationstrajektorie zur Endpunktbestimmung 5d ermittelt. Da die lokale Dicke in Ausführungsform 4 im Zusammenhang mit einer Drehung des Halbleiter-Wafers 1 berechnet wird, kann die lokale Dicke, die in Abhängigkeit des Rotationswinkels des Halbleiter-Wafers 1 unterschiedliche Werte annehmen kann, geglättet werden. Somit kann ein Fehler zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 reduziert werden.
  • Im Schritt der Zieleinstellung und im Ätzschritt kann, während der Halbleiter-Wafer 1 gedreht wird, die Dicke des zu ätzenden Materials 2 an einer Mehrzahl von Messpunkten gemessen werden, und ein daraus abgeleiteter Mittelwert oder Modalwert als lokale Dicke berechnet werden. Indem dasselbe Verfahren sowohl für die Messung der Schicht-Dicken im Schritt der Zieleinstellung, als auch für die Messung der Schicht-Dicken im Ätzschritt eingesetzt wird, wird ein Ätzvorgang ermöglicht, der die relative Ätztiefe 15 präzise widerspiegelt und eine Reduzierung des Fehlers zwischen der Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2 ermöglicht.
  • In allen oben beschriebenen Ausführungsformen ist das Verfahren zur Berechnung des Vorprozess-Repräsentativwertes B2 nicht auf ein bestimmtes Verfahren beschränkt. Der Vorprozess-Repräsentativwert B2 kann zum Beispiel berechnet werden, mittels einer Durchschnittsberechnung der an einer Mehrzahl von Positionen gemessenen Dicken, die sich in regelmäßigen Abständen auf der Oberfläche des Wafers befinden, oder mittels einer Durchschnittsberechnung von Messwerten deren Dichte sich mit dem Abstand zum Mittelpunkt des Wafers verändert, oder mittels Messwerten, die in Abhängigkeit von ihrer Entfernung zum Mittelpunkt des Wafers gewichtet werden.
  • In Ausführungsform 2 bis 4 wird der Ätzvorgang während einer Drehung des Halbleiter-Wafers 1 durchgeführt. Anstatt den Ätzvorgang jedoch zu beenden, sobald ein Mittelwert von Dicken des zu ätzenden Materials 2, welcher kontinuierlich berechnet wird, nur einmalig mit der lokalen Zieldicke T oder weniger übereinstimmt, erlaubt eine Bestimmung auf Basis einer Dicke, die durch eine Glättung von Schwankungen des zu ätzenden Materials 2 mittels eines gleitenden Mittelwertes ermittelt wird, die Reduzierung von Ausreißern in der Dicke aufgrund einer Störung und dem Einfluss von Welligkeit, und die Reduzierung eines Fehlers zwischen einer Zieldicke A1 und dem Nachprozess-Repräsentativwert A2. Es soll darauf hingewiesen werden, dass die technischen Merkmale der oben beschriebenen Ausführungsformen in geeigneten Kombinationen eingesetzt werden können.
  • Gemäß den hier beschriebenen Ausführungsformen wird eine Zieldicke allein eines zu ätzenden Materials nach dem Ätzen nicht als lokale Zieldicke verwendet. Stattdessen wird eine lokale Dicke anhand einer Dicke des zu ätzenden Materials an einer Position zur Endpunktbestimmung berechnet, und eine vordefinierte relative Ätztiefe wird von der lokalen Dicke subtrahiert, wodurch eine lokale Zieldicke bestimmt wird. Demgemäß kann die Abweichung eines Nachprozess-Repräsentativwertes von der Zieldicke reduziert werden, indem die relative Ätztiefe auf einen geeigneten Wert festgelegt wird. Es soll darauf hingewiesen werden, dass ein Verfahren zur Festlegung eines geeigneten Wertes für die relative Ätztiefe in der vorliegenden Anmeldung offenbart wird.
  • Im Hinblick auf die oben beschriebenen Lehren sind zahlreiche Modifikationen und Variationen der Ausführungsformen denkbar. Es versteht sich daher, dass im Rahmen der beigefügten Ansprüche Variationen anders ausgeführt werden können, als dies im Speziellen beschrieben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleiter-Wafer
    2
    zu ätzendes Material
    3
    Düse
    4
    Ätzmittel
    5
    Dickenmesssensor
    5a
    Position zur Endpunktbestimmung
    5b
    symmetrische Position
    5c
    Mittelpunkt
    5d
    Rotationstrajektorie zur Endpunktbestimmung
    6
    Messpunkte
    6a
    Messpunkte
    6b
    Messpunkte
    6c
    Messpunkte
    6d
    Messpunkte
    7
    Abtastvorrichtung
    7a
    doppelseitiger Pfeil
    8
    Wafer-Tisch
    9
    Düsen-Abtast-Arm
    9a
    Abtastbewegung
    10a
    Steuereinheit
    10b
    Steuereinheit zur Dickenmessung
    11
    Oberfläche
    12
    Oberfläche
    14
    Ätztiefe
    15
    relative Ätztiefe
    16a
    Drehwinkel
    16b
    Rotation
    A1
    Zieldicke
    A2
    Nachprozess-Repräsentativwert
    B1
    Lokale Dicke
    B2
    Vorprozess-Repräsentativwert
    T
    Lokale Zieldicke
    t1
    Unterschied zwischen lokaler Dicke B1 und Vorprozess-Repräsentativwert B2
    t2
    Unterschied zwischen lokaler Zieldicke T und Nachprozess-Repräsentativwert A2
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP H7130812 [0002]

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend: • Festlegen einer lokalen Zieldicke (T) eines Halbleiter-Wafers (1) und/oder einer auf einem Halbleiter-Wafer (1) ausgebildeten Schicht als ein zu ätzendes Material (2), mittels einer Berechnung einer lokalen Dicke (B1), welche auf einer Dicke des zu ätzenden Materials (2) an einer Position zur Endpunktbestimmung (5a) basiert, und Subtrahieren einer vordefinierten relativen Ätztiefe (15) von der lokalen Dicke (B1), um die lokale Zieldicke (T) zu bestimmen; und • Ätzen des zu ätzenden Materials (2), während dessen Dicke an der Position zur Endpunktbestimmung (5a) überwacht wird und Beenden des Ätzvorgangs, sobald die ermittelte Dicke des zu ätzenden Materials (2) an der Position zur Endpunktbestimmung (5a) der lokalen Zieldicke (T) oder weniger entspricht.
  2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei beim Ätzvorgang der Halbleiter-Wafer (1) beim Ätzen in Rotation versetzt wird.
  3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei im Zuge der Festlegung der lokalen Zieldicke (T) die Berechnung der lokalen Dicke (B1) basierend auf Dicken erfolgt, die an einer Mehrzahl von Positionen an der Position zur Endpunktbestimmung (5a) während der Rotation des Halbleiter-Wafers (1) ermittelt werden.
  4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei im Zuge der Festlegung der lokalen Zieldicke (T) ein Mittelwert der Dicken des zu ätzenden Materials (2) an der Position zur Endpunktbestimmung (5a) und an einer symmetrischen Position (5b), welche bezüglich eines Mittelpunkts (5c) des Halbleiter-Wafers (1) symmetrisch zur Position zur Endpunktbestimmung (5a) ist, als lokale Dicke (B1) berechnet wird.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei beim Festlegen der lokalen Zieldicke (T), eine Berechnung der lokalen Dicke (B1) und eine Subtraktion der relativen Ätztiefe (15) von der lokalen Dicke (B1) jedes Mal durchgeführt wird, wenn der Halbleiter-Wafer (1) um einen vordefinierten Rotationswinkel gedreht wird, und ein Mittelwert aus der Mehrzahl der Werte, die durch Subtraktion ermittelt werden, als lokale Zieldicke (T) berechnet wird.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die relative Ätztiefe (15) während oder vor der Festlegung der lokalen Zieldicke (T) berechnet wird, indem ein Vorprozess-Repräsentativwerts (B2) berechnet wird, der ein Repräsentativwert für Dicken des zu ätzenden Materials (2) ist, basierend auf Dicken des zu ätzenden Materials (2) an einer Mehrzahl von Positionen und indem eine Zieldicke (A1) des zu ätzenden Materials (2) nach dem Ätzen vom Vorprozess-Repräsentativwert (B2) subtrahiert wird.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Mehrzahl von Positionen auf einer durch den Mittelpunkt (5c) des Halbleiter-Wafers (1) verlaufenden, geraden Linie liegt.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Mehrzahl von Positionen die Position zur Endpunktbestimmung (5a) und eine symmetrische Position (5b), welche bezüglich eines Mittelpunkts (5c) des Halbleiter-Wafers (1) symmetrisch zur Position zur Endpunktbestimmung (5a) ist, beinhaltet.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei die relative Ätztiefe (15) berechnet wird, indem ein Repräsentativwert von Dicken des zu ätzenden Materials (2), basierend auf Dicken an einer Mehrzahl von Positionen, die auf einer gerade Linie liegen, die durch den Mittelpunkt (5c) des Halbleiter-Wafers (1) verläuft, jedes Mal berechnet wird, wenn der Halbleiter-Wafer (1) um den Rotationswinkel gedreht wird, und indem ein Mittelwert aus der Mehrzahl der ermittelten Repräsentativwerte in Form eines Vorprozess-Repräsentativwertes (B2) berechnet wird und eine Zieldicke (A1) des zu ätzenden Materials (2) nach dem Ätzen vom Vorprozess-Repräsentativwert (B2) subtrahiert wird.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Dicken des zu ätzenden Materials (2) nach dem Ätzen an einer Mehrzahl von Positionen gemessen werden, ein Nachprozess-Repräsentativwert (A2) für die Dicken des zu ätzenden Materials (2) auf Basis der gemessenen Dicken berechnet wird, und ein Unterschied zwischen dem Nachprozess-Repräsentativwert (A2) und einer Zieldicke (A1) des zu ätzenden Materials (2) bestimmt wird.
  11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei mindestens einer der Werte aus Maximalwert, Minimalwert, Mittelwert und Standardabweichung für die Dicken des zu ätzenden Materials (2) bestimmt wird, die an einer Mehrzahl von Positionen, während oder vor der Festlegung der lokalen Zieldicke (T) gemessen werden, und die Dicken des zu ätzenden Materials (2), die an einer Mehrzahl von Positionen nach dem Ätzen gemessen werden, oder Differenzwerte dazwischen an einer Mehrzahl von Positionen.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die Dicken des zu ätzenden Materials (2) bei der Berechnung des Vorprozess-Repräsentativwertes (B2) entsprechend ihres Abstandes zum Mittelpunkt (5c) des Halbleiter-Wafers (1) gewichtet werden.
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