DE102017130131A1 - Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017130131A1 DE102017130131A1 DE102017130131.3A DE102017130131A DE102017130131A1 DE 102017130131 A1 DE102017130131 A1 DE 102017130131A1 DE 102017130131 A DE102017130131 A DE 102017130131A DE 102017130131 A1 DE102017130131 A1 DE 102017130131A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- emitter
- semiconductor layer
- layer sequence
- carrier
- strands
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 101100001672 Emericella variicolor andG gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 216
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSVOWLCCSIJLAG-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Si]=O Chemical compound [Si]=O.[Si]=O MSVOWLCCSIJLAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0217—Removal of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0215—Bonding to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten:A) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungserzeugung auf ein Aufwachssubstrat (2),B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu Emittersträngen (11), sodass die Halbleiterschichtenfolge (3) in Lücken (12) zwischen benachbarten Emittersträngen (11) entfernt wird,C) Aufbringen einer Passivierungsschicht (4), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Wellenleiterkontakten (51) und die Lücken (12) zumindest teilweise frei bleiben,D) Erzeugen mindestens einer Metallschicht (50), die von den Wellenleiterkontakten (51) bis in die Lücken (12) reicht,E) Ersetzen des Aufwachssubstrats (2) durch einen Träger (6),F) Erstellen von Durchkontaktierungen (53) im Träger (6), sodass die Metallschicht (50) und dem Träger (6) zugewandte Unterseitenkontakte (52) der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch kontaktiert werden sowie Entfernen des Trägers (6) zwischen zumindest einigen der Emitterstränge (11) und zwischen entlang der Emitterstränge (11) aufeinanderfolgenden Emittereinheiten (13), undG) Brechen der Halbleiterschichtenfolge (3) zwischen den Emittereinheiten (13), sodass Facetten (31) entstehen.
Description
- Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
- Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem ein oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser effizient herstellbar ist.
- Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden mit dem Verfahren optoelektronische Halbleiterbauteile hergestellt. Bei den Halbleiterbauteilen handelt es sich bevorzugt um Laserdioden, kurz LDs. Alternativ ist es möglich, dass Leuchtdioden, kurz LEDs, oder Leuchtdioden mit einer resonanten Kavität, kurz RC-LEDs, hergestellt werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufwachsens einer Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat. Die Halbleiterschichtenfolge ist zur Strahlungserzeugung vorgesehen.
- Die Halbleiterschichtenfolge weist mindestens eine aktive Zone auf, die im Betrieb des Leuchtdiodenchips zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet ist. Die erzeugte Strahlung ist bevorzugt kohärent. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamAs oder wie AlnGamIn1-n-mAs1-n-mPk-k, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 sowie 0 ≤ k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der Halbleiterschichtenfolge 0 < n ≤ 0,8, 0,4 ≤ m < 1 und n + m ≤ 0,95 sowie 0 < k ≤ 0,5. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf dem Materialsystem AlInGaAs.
- Bei dem Aufwachssubstrat handelt es sich insbesondere um ein GaAs-Substrat. Alternativ können Aufwachssubstratewie GaN, Saphir, Siliziumcarbid oder Silizium zum Einsatz kommen, abhängig vom Materialsystem für die Halbleiterschichtenfolge.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Strukturierens der Halbleiterschichtenfolge zu Emittersträngen. Dabei wird die Halbleiterschichtenfolge in Lücken zwischen benachbarten Emittersträngen ganz oder teilweise entfernt. Es ist möglich, dass in den Lücken das Aufwachssubstrat oder eine Anwachsschicht für die Halbleiterschichtenfolge, die sich an dem Aufwachssubstrat befindet, freigelegt wird. Die Emitterstränge verlaufen bevorzugt parallel zu Hauptemissionsrichtungen und/oder Resonatoren der fertig hergestellten Halbleiterbauteile.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Anbringens einer Passivierungsschicht. Die Passivierungsschicht wird bevorzugt derart erzeugt, sodass die Halbleiterschichtenfolge an dem Aufwachssubstrat abgewandten Wellenleiterkontakten freibleibt. Die Wellenleiterkontakte sind zur Bestromung der Halbleiterschichtenfolge vorgesehen. An den Wellenleiterkontakten kann sich eine hochdotierte Halbleiterkontaktschicht der Halbleiterschichtenfolge befinden. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass die Lücken teilweise oder vollständig frei von der Passivierungsschicht bleiben.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird mindestens eine Metallschicht erzeugt, die von den Wellenleiterkontakten bis in die Lücken reicht. Über die Metallschicht oder die Metallschichten ist später eine elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge an den Wellenleiterkontakten ermöglicht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das Aufwachssubstrat durch einen Träger ersetzt. Das Aufwachssubstrat wird beispielsweise mittels Ätzen, insbesondere über Nassätzen, entfernt. Weiterhin ist es möglich, dass das Aufwachssubstrat teilweise oder vollständig mittels Schleifen oder Polieren entfernt wird. Bei lichtdurchlässigen Aufwachssubstraten ist es möglich, dass ein Ablösen mittels Laserstrahlung, auch als Laserabhebeverfahren oder englisch Laser Lift-Off oder kurz LLO bezeichnet, durchgeführt wird. Bei dem Träger, der das Aufwachssubstrat ersetzt, handelt es sich bevorzugt um einen permanenten Träger, von dem zumindest ein Teil je in den fertigen Halbleiterbauteilen vorhanden ist. Insbesondere stellt der Träger diejenige Komponente der fertigen Halbleiterbauteile dar, welche die Halbleiterbauteile mechanisch trägt und stabilisiert.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden Durchkontaktierungen in dem Träger erstellt. Über die Durchkontaktierungen ist die Metallschicht und damit der Wellenleiterkontakt von einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers her elektrisch anschließbar. Ferner werden mit den Durchkontaktierungen Unterseitenkontakte der Halbleiterschichtenfolge, die den Träger und damit zuvor dem Aufwachssubstrat zugewandt sind, elektrisch kontaktiert. Auch die Unterseitenkontakte sind bevorzugt wie die Wellenleiterkontakte mit einer hochdotierten Halbleiterkontaktschicht versehen.
- Somit sind die Halbleiterbauteile oberflächenmontierbar gestaltbar. Alle elektrischen Kontaktflächen zum externen elektrischen Kontaktieren der fertigen Halbleiterbauteile liegen damit bevorzugt an der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt ein Entfernen des Trägers zwischen zumindest einigen der Emitterstränge und zwischen entlang der Emitterstränge aufeinanderfolgenden Emittereinheiten. Die fertigen Halbleiterbauteile weisen je eine Emittereinheit der Halbleiterschichtenfolge auf, gesehen entlang der Emitterstränge. Durch das Entfernen des Trägers aus Bereichen zwischen benachbarten Emittereinheiten ist es möglich, die Halbleiterschichtenfolge effizient zu vereinzeln.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Brechens der Halbleiterschichtenfolge zwischen den Emittereinheiten. Durch das Brechen entstehen Facetten. Die Facetten der Halbleiterschichtenfolge sind zur Reflektion und/oder zum Auskoppeln einer in der Halbleiterschichtenfolge im Betrieb erzeugten Strahlung eingerichtet. Von dem Brechen ist bevorzugt im Wesentlichen nur die Halbleiterschichtenfolge betroffen. Insbesondere wird der Träger von dem Brechen nicht oder nicht signifikant beeinflusst, bevorzugt ebenso wenig wie die Metallschicht. Das heißt, ein Zerteilen des Trägers in Einheiten für die optoelektronischen Halbleiterbauteile erfolgt dem Brechen vorgelagert.
- In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:
- A) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge zur Strahlungserzeugung auf ein Aufwachssubstrat,
- B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge zu Emittersträngen, sodass die Halbleiterschichtenfolge in Lücken zwischen benachbarten Emittersträngen entfernt wird,
- C) Aufbringen einer Passivierungsschicht, wobei die Halbleiterschichtenfolge an dem Aufwachssubstrat abgewandten Wellenleiterkontakten und die Lücken zumindest teilweise frei bleiben,
- D) Erzeugen mindestens einer Metallschicht, die von den Wellenleiterkontakten bis in die Lücken reicht,
- E) Ersetzen des Aufwachssubstrats durch einen Träger,
- F) Erstellen von Durchkontaktierungen im Träger, sodass die Metallschicht und dem Träger zugewandte Unterseitenkontakte der Halbleiterschichtenfolge elektrisch kontaktiert werden sowie Entfernen des Trägers zwischen zumindest einigen der Emitterstränge und zwischen entlang der Emitterstränge aufeinanderfolgenden Emittereinheiten, und
- G) Brechen der Halbleiterschichtenfolge zwischen den Emittereinheiten, sodass Facetten entstehen.
- Mit den hier beschriebenen Verfahren ist eine zweiseitige elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge möglich, insbesondere an den einander gegenüberliegenden Wellenleiterkontakten und Unterseitenkontakten, wobei auf aufwendige Drahtbandprozesse verzichtet werden kann und wobei geringere Bauteilhöhen realisiert werden können, insbesondere da Bonddrähte entfallen. Ferner kann auf kostenaufwendige Laserritzprozesse und Brechprozesse durch ein Aufwachssubstrat hindurch beim Vereinzeln von Laserbaren und insbesondere Laserdioden verzichtet werden.
- Üblicherweise werden Halbleiterlaserdioden von zwei verschiedenen Seiten kontaktiert, wobei ein Kontakt typisch mittels Drahtbonden erfolgt. Eine lichtemittierende Epitaxieschicht befindet sich dabei im Regelfall auf dem zum Wachstum benötigten Homoepitaxiesubstrat, beispielsweise ein GaAs-Substrat, das eine relativ schlechte Wärmeleitfähigkeit aufweist. Das Vereinzeln von Laserbaren und Laserdioden wird mittels Laserritzen und Brechen vergleichsweise aufwendig und kostenintensiv erzielt, wobei zunächst Laserritze gesetzt und anschließend durch das dicke Wachstumssubstrat und üblicherweise auch durch ein zähes Rückseitenmetall durchgebrochen wird.
- Bei dem hier beschriebenen Verfahren erfolgt eine Entfernung der Epitaxieschichten in Teilbereichen der Laserdiodenchips und eine Führung einer elektrisch leitenden Schicht, der Metallschicht, von einem oberen Kontakt des Lasers in einen geätzen Bereich, beispielsweise von einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht eines Infrarot emittierenden Streifenwellenleiterlasers in einem auch als Mesagraben dienenden Bereich neben den Streifenwellenleitern. Weiterhin erfolgt bevorzugt ein Umbonden des teilprozessierten Wafers, also des Aufwachsubstrats mit der Halbleiterschichtenfolge, auf einen Hilfsträger. Nachfolgend wird das Aufwachsubstrat entfernt, beispielsweise mittels Schleifen und Ätzen. Daraufhin wird eine Kontaktschicht in den freigelegten Bereichen aufgebracht, insbesondere auf einer passenden n-Halbleiterkontaktschicht im Falle von IR-Streifenwellenleiterlasern, sowie ein Auffüllen und Nivellieren der umgebenden Bereiche.
- Daraufhin erfolgt ein Bonden der lichtemittierenden Epitaxieschicht auf den Träger, welcher insbesondere ein Silizium-Substrat ist. Dieses Bonden ist bevorzugt ein Direktbondverfahren mittels zweier Siliziumoxidflächen. Ferner kann der Träger gedünnt werden, beispielsweise auf zirka 120 µm. Über Ätzprozesse, dem Aufbringen einer Isolierung und Verfüllen mit elektrisch leitendem Material voll oder teilweise werden Durchkontaktierungen erstellt, auch als Through Silicon Vias oder kurz TSV bezeichnet. Durch das Aufbringen eines geeigneten Metallstapels an den TSV können die Halbleiterbauteile später effizient gebondet werden und in einem Package untergebracht werden, beispielsweise mittels SMT. Ferner wird der Hilfsträger entfernt und insbesondere über ein Plasmaätzen zwischen den späteren einzelnen Halbleiterbauteilen, speziell parallel zur späteren Emissionsrichtung eines Infrarot-Streifenwellenleiterlasers sowie im Bereich senkrecht dazu, wird der Träger strukturiert. Schließlich erfolgt ein Erzeugen der Laserfacetten mittels eines Brechverfahrens, insbesondere mittels eines Brechmessers, und ein Expandieren auf einer Folie.
- Das Umbonden auf einen Träger wie ein Siliziumsubstrat führt speziell im Falle von IR-Laserdioden zu einer besseren Wärmeabfuhr durch den Träger hindurch, im Vergleich zu dem Fall, dass die lichtemittierenden Epitaxieschichten auf dem Wachstumssubstrat wie GaAs verbleiben. So liegt die thermische Leitfähigkeit von Silizium ungefähr bei 150 W/m·K, wohingegen GaAs lediglich eine Wärmeleitfähigkeit von ungefähr 55 W/m·K aufweist. Dies erlaubt eine gute Laserperformance bei hohen Temperaturen.
- Durch das Umbonden vom Aufwachssubstrat auf den Träger kann zudem die weitere Behandlung, insbesondere die TSV-Prozessierung, auch auf für die Scheibengröße des Trägers ausgelegten Anlagen erfolgen. So kann beispielsweise eine 2" GaN-Scheibe auf eine 6"-Siliziumscheibe direktgebondet werden und dieses dann als 6"-System weiterprozessiert werden. Somit ist eine hohe Fertigungstauglichkeit erreicht.
- Durch das bevorzugt lotfreie Direktbonden und dem Ätzen des Trägers im Bereich der Laserfacette kann beim Facettenbrechen eine sehr gute Brechqualität der Epitaxieschichten erzielt werden, da beim Facettenbrechen im Wesentlichen nur noch durch die Halbleiterschichtenfolge, nicht jedoch durch das dicke Aufwachssubstrat oder eine zähe Metallschicht gebrochen werden muss. Es kann dabei auch ein Laserritzen des Wachstumssubstrats und von Rückseitenmetallen entfallen.
- Somit ist eine hohe Facettenqualität erreichbar und ein kostengünstiger parallelisierbarer Vereinzelungsprozess kann eingesetzt werden.
- Durch das Kontaktieren mittels TSV werden keine Bonddrähte benötigt, wodurch eine geringe Bauhöhe und eine hohe Hochfrequenztauglichkeit sichergestellt werden können. Außerdem können die Halbleiterbauteile, insbesondere in Form von Laserdioden, einfach in ein Package mit mehreren Halbleiterbauteilen integriert werden, da vergleichsweise komplizierte Drahtverbondungen entfallen. Dabei kann eine Mehrfachanordnung entweder als Einzelchip oder als Multichip, auch als Barren bezeichnet, herangezogen werden. Somit ist ein kleineres Package erzielbar, das zudem verbessere Hochfrequenzeigenschaften aufweist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei den Halbleiterbauteilen um kantenemittierende Laser. Die Laser können einen Streifenwellenleiter aufweisen und damit indexgeführt sein. Ebenso ist es möglich, dass die Laser gewinngeführt sind, sodass eine Führung einer Mode im Wesentlichen durch das Einstellen eines Bestromungsbereichs einer aktiven Zone erfolgt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Passivierungsschicht direkt auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Ferner wird bevorzugt die Metallschicht direkt auf die Passivierungsschicht aufgebracht. Damit weist die Metallschicht einen geringen Abstand zur Halbleiterschichtenfolge auf, welcher im Wesentlichen der Dicke der Passivierungsschicht entspricht. Eine Dicke der Passivierungsschicht liegt bevorzugt bei mindestens 20 nm oder 40 nm und/oder bei höchstens 1000 nm oder 200 nm oder 100 nm.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform formt die Metallschicht Seitenflächen der Emitterstränge nach. Das heißt, im Querschnitt gesehen weist die Metallschicht die gleiche Geometrie auf wie die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge. Die Metallschicht also an den Seitenflächen als ein geometrischer Abdruck der Emitterstränge aufgefasst werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Facetten oder ist ein Teil der Facetten zu einer Strahlungsauskopplung aus den fertigen Halbleiterbauteilen eingerichtet. Ebenso ist es möglich, dass ein Teil der Facetten zur Reflexion der Strahlung eingerichtet ist. Die Facetten können einzig aufgrund des Brechungsindexunterschieds zu einer Umgebung wirken. Alternativ ist es möglich, dass an den Facetten ganzflächig oder stellenweise reflektierende Schichten wie Bragg-Spiegel oder Antireflexschichten aufgebracht sind. Lokal können auch strahlungsabsorbierende Schichten an den Facetten erzeugt sein. Ferner können die Facetten passiviert sein, um insbesondere eine Oxidation der Facetten zu vermeiden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform stehen die Facetten nach dem Schritt
F ) und insbesondere in den fertigen Halbleiterbauteilen über den zugehörigen Träger über. Der Überstand ist insbesondere in einer Richtung parallel zu einer Resonatorsachse der Halbleiterlaser vorhanden. Beispielsweise beträgt der Überstand mindestens 2 µm oder 5 µm oder 10 µm. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Überstand bei höchstens 100 µm oder 50 µm oder 20 µm. - Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden vor dem Schritt
C ) an einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge jeweils Streifenwellenleiter erzeugt. Die Streifenwellenleiter sind bevorzugt zu einer eindimensionalen Strahlführung in Richtung parallel zu den Emittersträngen eingerichtet, auch als Indexführung bezeichnet. Über den Streifenwellenleiter ist je die Resonatorsachse definiert. Dabei befinden sich die Wellenleiterkontakte jeweils bevorzugt an dem zugehörigen Streifenwellenleiter. - Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine dem Aufwachssubstrat abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge im Bereich einer Bestromungsbreite der aktiven Zone der Halbleiterschichtenfolge plan. Somit können die fertigen Halbleiterbauteile als gewinngeführte Laser gestaltet sein. Es ist in diesem Fall kein Streifenwellenleiter vorhanden. Bei gewinngeführten Lasern ist es möglich, dass an der dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge Gräben in die Halbleiterschichtenfolge geätzt werden, die nicht zu einer Wellenführung, sondern zu einer verstärkten Streuung von nicht entlang der Resonatorsachse verlaufender Strahlung eingerichtet sind.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird zwischen den Schritten
D ) undE ) eine Füllschicht erzeugt. Die Füllschicht füllt die Lücken zwischen benachbarten Emittersträngen auf, insbesondere lückenlos und ohne Hohlräume zu bilden. Damit ist eine dem Aufwachssubstrat abgewandte Seite der Füllschicht bevorzugt plan. Die Füllschicht kann als Planarisierung ausgeführt sein. Bevorzugt ist die Füllschicht aus einem Oxid wie Siliziumoxid oder aus einem Nitrid wie Aluminiumnitrid. - Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Erzeugen der Füllschicht ein Hilfsträger an der Füllschicht angebracht. Der Hilfsträger ist beispielsweise ein Glasträger oder ein Siliziumträger. Das Anbringen der Füllschicht an den Hilfsträger erfolgt bevorzugt über Siliziumoxid-Siliziumoxid-Direktbonden und damit verbindungsmittelfrei. Alternativ kann die Bondung auch mittels BCB (Benzocyclobuten) erfolgen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor oder mit dem Schritt A) zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Aufwachssubstrat eine Ätzstoppschicht erzeugt. Bevorzugt ist das Aufwachssubstrat selektiv gegenüber der Ätzstoppschicht ätzbar. Beispielsweise liegt eine Ätzrate für das Aufwachssubstrat um mindestens einen Faktor 100 oder 1000 oder 10000 höher als für die Ätzstoppschicht. Handelt es sich bei dem Aufwachssubstrat um ein GaAs-Substrat, so ist die Ätzstoppschicht bevorzugt aus AlGaAs mit einem Aluminiumanteil von mindestens 20 %.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Ätzstoppschicht im Schritt
B ) aus den Lücken zwischen den Emittersträngen teilweise oder vollständig entfernt. Die verbleibenden Reste der Ätzstoppschicht werden bevorzugt im SchrittE ) zwischen dem Ablösen des Aufwachssubstrats und dem Anbringen des Trägers entfernt. - Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird an den Unterseitenkontakten nach dem Entfernen der Reste der Ätzstoppschicht und vor dem Anbringen des Trägers je mindestens eine Kontaktschicht erzeugt. Die Kontaktschicht oder die Kontaktschichten sind bevorzugt aus je einem oder mehreren Metallen oder alternativ auch aus transparenten leitfähigen Oxiden. Bevorzugt handelt es sich bei der mindestens einen Kontaktschicht um eine Metallschicht, insbesondere einen Metallschichtenstapel.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Kontaktschichten an den Unterseitenkontakten mit einer Planarisierungsschicht abgedeckt. Bei der Planarisierungsschicht handelt es sich um ein Oxid, wie Siliziumoxid, oder alternativ auch um ein elektrisch isolierendes Nitrid. Des Weiteren können auch diamantartige Kohlenstoffschichten, kurz DLC, verwendet werden, um beispielsweise eine bessere Wärmeabfuhr zu erzielen. Durch die Planarisierungsschicht können elektrische Kurzschlüsse vermieden werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Träger mittels Direktbonden unmittelbar und flächig auf der Planarisierungsschicht angebracht. Nachfolgend wird bevorzugt der Zwischenträger entfernt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die Metallschicht je beiderseits der zugehörigen Emitterstränge von den jeweiligen Wellenleiterkontakten bis in die angrenzenden Lücken. Damit kann die Metallschicht im Querschnitt gesehen die Halbleiterschichtenfolge symmetrisch umgeben.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind pro Emittereinheit in Richtung senkrecht zu den Emittersträngen genau zwei oder drei der Durchkontaktierungen vorhanden. Im Falle von drei Durchkontaktierungen befindet sich die Durchkontaktierung für den Unterseitenkontakt der betreffenden Emittereinheit bevorzugt mittig zwischen den beiden Durchkontaktierungen für die Wellenleiterkontakte.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind pro Emittereinheit in Richtung parallel zu den Emittersträngen, somit insbesondere auch in Richtung parallel zur Resonatorsachse der Halbleiterlaser, je Unterseitenkontakt und/oder je Wellenleiterkontakt nur eine Durchkontaktierung vorgesehen. Alternativ ist es möglich, dass für den Unterseitenkontakt und/oder für den Wellenleiterkontakt mehrere Durchkontaktierungen vorgesehen sind. Diese Durchkontaktierungen folgen bevorzugt entlang der Resonatorsachse aufeinander, insbesondere in gerader Linie oder auch in einer gewundenen, beispielsweise sinusförmigen Linie.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Metallschicht entlang der Emitterstränge pro Emittereinheit in mehrere elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbare Teilbereiche unterteilt. Damit lässt sich die Halbleiterschichtenfolge in den Emittereinheiten bevorzugt abschnittsweise ansteuern. Alternativ oder zusätzlich gilt gleiches für die Wellenleiterkontakte. Somit können pro Emittereinheit mehrere Wellenleiterkontakte und/oder Unterseitenkontakte vorliegen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die Metallschicht längs der Emitterstränge je zu mindestens 80 % oder 90 % oder 95 % oder vollständig entlang der Emittereinheiten. Das heißt, die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge können längs der Emitterstränge und damit längs der Resonatorsachse der Halbleiterlaser überwiegend oder vollständig von der Metallschicht bedeckt sein. Sind die Metallschicht und/oder die Wellenleiterkontakte und/oder die Unterseitenkontakte strukturiert, so liegen zwischen benachbarten Teilbereichen der Metallschicht bevorzugt nur schmale Streifen, die frei von der Metallschicht sind.
- Weiterhin reicht die Metallschicht bevorzugt nicht bis an die Facetten der jeweiligen Emittereinheit heran. Beispielsweise liegt ein Abstand zwischen den Facetten und der Metallschicht längs der Resonatorsachse bei mindestens 1 µm oder 2 µm oder 5 µm und/oder bei höchstens 50 µm oder 20 µm oder 10 µm. Reicht die Metallschicht nicht bis an die Facetten heran, ist ein Brechen der Halbleiterschichtenfolge und der Emitterstränge vereinfacht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere der Emittereinheiten in Richtung senkrecht zu den Emittersträngen elektrisch in Serie verschaltet. Dies ist durch eine entsprechende Strukturierung der Durchkontaktierungen und zugehöriger elektrischer Querverbindungen möglich. Dabei verbleibt der Träger im Schritt
F ) bevorzugt nur zwischen in Serie geschalteten Emittereinheiten zwischen benachbarten Emittersträngen. Zwischen benachbarten Emittersträngen, deren zugehörige Emittereinheiten nicht in Serie geschaltet werden, wird der Träger im SchrittF ) bevorzugt vollständig entfernt. - Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das Halbleiterbauteil wird mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Halbleiterbauteils sind daher auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
- In mindestens einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil oberflächenmontierbar und weist einen Träger auf, in dem sich mehrere elektrische Durchkontaktierungen befinden. Auf dem Träger ist eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone zur Strahlungserzeugung angebracht. Eine Passivierungsschicht bedeckt Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge vollständig und lässt einen den Träger abgewandten Wellenleiterkontakt teilweise oder vollständig frei. Eine oder mehrere Metallschichten reichen von dem Wellenleiterkontakt bis zum Träger. Die Durchkontaktierungen kontaktieren die Metallschicht und einen dem Träger zugewandten Unterseitenkontakt der Halbleiterschichtenfolge elektrisch. Eine Facette der Halbleiterschichtenfolge zur Strahlungsauskopplung steht über den Träger über, in Richtung parallel zu einer Resonatorachse des Halbleiterbauteils. Die Metallschicht formt die Seitenflächen der Emitterstränge nach, sodass ein mittlerer Abstand zwischen der Metallschicht und der Halbleiterschichtenfolge bei höchstens 1 µm oder 0,5 µm liegt, insbesondere im Querschnitt gesehen.
- Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Es zeigen:
-
1A bis1I schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines hier beschriebenen Verfahrens, -
1J eine schematische Schnittdarstellung einer Durchkontaktierung für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, -
1K eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrensschritts eines hier beschriebenen Verfahrens, -
1L eine schematische Draufsicht und zwei zugehörige Schnittdarstellungen zu einem Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens, -
1M eine schematische Draufsicht auf einen Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens, -
1N eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrensschritts eines hier beschriebenen Verfahrens, -
2 eine schematische Schnittdarstellung einer Abwandlung eines Herstellungsverfahrens, -
3 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, -
4 eine schematische Schnittdarstellung einer Abwandlung eines Halbleiterbauteils, -
5 bis8 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und -
9 schematische Draufsichten auf Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen. - In
1 ist ein Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens für optoelektronische Halbleiterbauteile1 gezeigt. Gemäß1A wird ein Aufwachssubstrat2 bereitgestellt. Das Aufwachssubstrat2 ist etwa ein GaAs-Substrat. - Auf dem Aufwachssubstrat
2 wird optional eine Ätzstoppschicht22 hergestellt. Die Ätzstoppschicht22 ist zum Beispiel aus AlGaAs mit einem Aluminiumanteil von 30 %. - Auf der Ätzstoppschicht
22 wird eine Halbleiterschichtenfolge3 epitaktisch gewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge3 umfasst eine aktive Zone33 und basiert beispielsweise auf dem Materialsystem AlInGaAs. - Optional werden an einer dem Aufwachssubstrat
2 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge3 mehrere Streifenwellenleiter35 durch Ätzen erzeugt. Die Streifenwellenleiter35 erstrecken sich in Richtung senkrecht der Zeichenebene in1A , ebenso wie durch die Streifenwellenleiter35 definierte Resonatorachsen. - Im Verfahrensschritt der
1B wird die Halbleiterschichtenfolge3 zu sich senkrecht zur Zeichenebene erstreckenden Emittersträngen11 strukturiert. Jeder der Emitterstränge11 verfügt bevorzugt über einen der Streifenwellenleiter35 . Zwischen benachbarten Emittersträngen11 werden Lücken12 gebildet, in denen das Aufwachssubstrat2 oder, anders als in1B dargestellt, die Ätzstoppschicht22 freiliegt. - Eine Höhe
H1 der Halbleiterschichtenfolge3 zusammen mit der Ätzstoppschicht22 liegt bei ungefähr 3 µm. Eine HöheH2 des Streifenwellenleiters35 beträgt beispielsweise 0,5 µm. Die aktive Zone33 kann unterhalb des Streifenwellenleiters35 liegen. Eine Dicke der Ätzstoppschicht22 beträgt insbesondere mindestens 100 nm und/oder höchstens 1000 nm. - Ein Abstand
D1 zwischen benachbarten Emittersträngen11 liegt bevorzugt bei mindestens 20 µm und/oder bei höchstens 100 µm, beispielsweise bei um 50 µm und ist damit vergleichsweise groß. Eine BreiteD2 der Emitterstränge11 beträgt bevorzugt mindestens 100 µm. - In
1C ist gezeigt, dass eine Passivierungsschicht4 erzeugt wird. Die Passivierungsschicht4 ist beispielsweise aus Siliziumdioxid und verfügt über eine Dicke insbesondere zwischen 100 nm und 500 nm. Die vergleichsweise dünne Passivierungsschicht4 lässt das Aufwachssubstrat2 stellenweise in den Lücken12 frei. Ebenso ist der Streifenwellenleiter35 frei von der Passivierungsschicht4 , sodass dort ein Wellenleiterkontakt51 an einer Halbleiterkontaktschicht gebildet wird. - Gemäß
1D werden Metallschichten50 erzeugt, die auf der Passivierungsschicht4 sowie auf den Wellenleiterkontakten51 liegen. In der linken Seite der1D ist gezeigt, dass mehrere Metallschichten50a ,50b ,50c vorhanden sind. Die Metallschicht50a ist auf den Wellenleiterkontakt51 beschränkt. Bei der Metallschicht50a handelt es sich beispielsweise um eine Platinschicht. Die übrigen Metallschichten50b ,50c verlaufen deckungsgleich zueinander von dem Streifenwellenleiter35 aus bis in die Lücken12 . Die Metallschichten50b ,50c sind beispielsweise aus Titan, Platin, Palladium oder Gold. Demgegenüber ist in1D , rechte Seite, lediglich eine einzige Metallschicht50 vorhanden. Die Konfiguration in der linken Hälfte der1D ist bevorzugt. - Um elektrische Kurzschlüsse zu vermeiden, erstreckt sich die Metallschicht
50 nicht durchgehend über die Emitterstränge11 hinweg. Ein AbstandD4 zwischen den Metallschichten50 benachbarter Emitterstränge11 liegt bevorzugt bei mindestens 2 µm oder 5 µm und/oder bei höchstens 20 µm oder 10 µm. Eine BreiteD3 , innerhalb der die Metallschicht50 mit dem Aufwachssubstrat2 in Kontakt steht, liegt bevorzugt bei mindestens 10 µm und/oder bei höchstens 40 µm. Eine Dicke der Metallschichten50a ,50b ,50c zusammengenommen oder der Metallschicht50 beträgt zum Beispiel mindestens 0,3 µm und/oder höchstens 5 µm. - Im Schritt der
1E wird eine Füllschicht70 erzeugt, beispielsweise aus Siliziumdioxid. Über die Füllschicht70 wird eine Planarisierung erreicht. Eine HöheH3 , mit der die Füllschicht70 die Metallschicht50 überragt, beträgt bevorzugt mindestens 0,2 µm oder 0,5 µm und/oder höchstens 2 µm oder 1 µm. - Beispielsweise über Direktbonden wird flächig auf die Füllschicht
70 ein Hilfsträger71 , insbesondere aus Silizium, aufgebracht. - In
1F ist das Aufwachssubstrat2 entfernt. Das Entfernen des Aufwachssubstrats2 erfolgt bevorzugt über Schleifen und nasschemisches Ätzen, wobei die Ätzstoppschicht22 bevorzugt das Ätzen stoppt. Nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats2 kann auch die Ätzstoppschicht22 entfernt werden. Alternativ kann die Ätzstoppschicht22 an der übrigen Halbleiterschichtenfolge3 verbleiben. - Damit wird gegenüber dem Wellenleiterkontakt
51 je ein Unterseitenkontakt52 gebildet. Die Passivierungsschicht4 kann die Unterseitenkontakte52 in Richtung weg von den Wellenleiterkontakten51 überragen. - Im Schritt der
1G wird an den Unterseitenkontakten52 jeweils eine Kontaktschicht54 erzeugt. Bei der Kontaktschicht54 kann es sich um eine einzige Schicht handeln, siehe die linke Seite in1G , oder, bevorzugt, um einen Schichtenstapel, siehe die rechte Seite in1G . die Kontaktschicht54 ist bevorzugt eine metallische Schicht oder ein metallischer Schichtenstapel. - Nachfolgend wird eine Planarisierungsschicht
73 aufgebracht, die die Kontaktschicht54 sowie die Passivierungsschicht4 und auch die Metallschicht50 vollständig und plan bedeckt. Die Planarisierungsschicht73 ist elektrisch isolierend und beispielsweise aus Siliziumdioxid. - Daraufhin wird, siehe
1H , ein Träger6 angebracht. Der Träger6 wird bevorzugt über Direktbonden an der Planarisierungsschicht73 befestigt. Bei dem Träger6 handelt es sich bevorzugt um einen dotierten oder auch um einen undotierten Siliziumträger. Der Träger6 weist nach einem optionalen Dünnungsprozess beispielsweise eine Dicke zwischen 60 µm und 250 µm auf. - Gemäß
1I werden durch den Träger6 hindurch mehrere elektrische Durchkontaktierungen53 erzeugt. Über die Durchkontaktierungen53 wird einerseits die Metallschicht50 und damit die Wellenleiterkontakte51 elektrisch kontaktiert. Zum anderen werden die Kontaktschichten54 an den Unterseitenkontakten52 elektrisch angeschlossen. Durch die Durchkontaktierungen53 werden auch elektrische Kontaktflächen55 zur externen elektrischen Kontaktierung gebildet. - Der Hilfsträger kann im Schritt der
1I bereits entfernt sein oder auch, anders als dargestellt, noch vorhanden sein. - In
1J ist exemplarisch eine der Durchkontaktierungen53 detaillierter gezeichnet. Insbesondere als Zylindermantel ist eine elektrische Isolierung56 vorhanden, beispielsweise aus Siliziumdioxid. Eine Dicke der Isolierung76 liegt beispielsweise zwischen 10 nm und 500 nm, bevorzugt um 100 nm. Innen an der Isolierung76 wird eine erste Saatschicht77 erzeugt, beispielsweise mittels Sputtern oder CVD (Chemische Gasphasenabscheidung). Die erste Saatschicht77 ist etwa aus Wolfram, Tantal, Titan, Titannitrid, Tantalnitrid, Kupfer oder Titanwolframnitrid. - Ausgehend von der ersten Saatschicht
77 wird eine Füllung78 erzeugt, beispielsweise galvanisch oder über CVD. Die Füllung78 kann den Bereich innerhalb der Isolierung76 vollständig oder auch nur teilweise, insbesondere in Form eines Zylindermantels, ausfüllen. Die Füllung78 ist beispielsweise aus Wolfram, Kupfer oder Nickel. - Entsprechend wird senkrecht dazu eine zweite Saatschicht
79 erzeugt, auf die die elektrischen Kontaktflächen55 aufgebracht werden. Über die Kontaktflächen55 ist das fertige Halbleiterbauteil1 extern elektrisch kontaktierbar. - In
1K ist gezeigt, dass an der Füllschicht70 eine Expansionsfolie8 aufgebracht wird. - In
1L ist eine Aufsicht auf die Kontaktflächen55 gezeigt, sowie, durch die Pfeile und Strich-Linien markiert, zwei zugehörige Schnittdarstellungen. Der Träger6 ist entlang von Gitternetzlinien entfernt. Hierdurch werden einzelne Emittereinheiten13 definiert. Pro Emittereinheit13 sind beispielsweise zwei der Kontaktflächen55 vorhanden. - Somit werden die Emitterstränge
11 , die von den Lücken12 separiert sind, in Längsrichtung je in mehrere der Emittereinheiten13 unterteilt. Dabei verlaufen die Emitterstränge11 gemäß1L noch durchgehend von links nach rechts, ebenso wie die Lücken12 , also parallel zu Resonatorachsen37 der Halbleiterbauteile1 . Das heißt, die Halbleiterschichtenfolge3 ist im Bereich der Emitterstränge11 gemäß1L noch nicht unterteilt. Dies ist in der Schnittdarstellung in1L oben rechts zu erkennen. Der Schnittdarstellung in1L oben links ist zu entnehmen, dass der Träger6 zwischen benachbarten Emittersträngen11 im Bereich der Lücken12 zerteilt ist. Damit wird eine Vielzahl von beispielsweise rechteckigen Teilbereichen des Trägers6 erzeugt, je ein Teilbereich für jedes Halbleiterbauteil1 . - Daraufhin erfolgt ein Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen
1 über Brechen, sodass die Emitterstränge11 in die Emittereinheiten13 unterteilt werden. Weiterhin erfolgt eine Expansion über die Expansionsfolie8 , siehe1M . - Das Brechen ist in
1N näher erläutert. Entlang der Emitterstränge11 wird zwischen den Teilgebieten des Trägers6 für die noch zusammenhängenden Emittereinheiten13 ein Werkzeug wie ein Brechmesser85 angesetzt, wodurch mittels Brechen Facetten31 erzeugt werden. - Dadurch, dass der Träger
6 zuvor im Bereich der Facetten31 entfernt wurde, steht die Halbleiterschichtenfolge3 an den Facetten31 über den jeweils zugehörigen Träger6 über. Ein ÜberstandE liegt beispielsweise bei ungefähr 5 µm. bevorzugt sind auch die Metallschicht50 und die in1N nicht gezeichneten Kontaktschichten54 von den Facetten51 zurückversetzt, beispielsweise um mindestens 1 µm oder 2 µm und/oder um höchstens 10 µm oder 3 µm. Weiterhin reichen auch die Kontaktflächen55 nicht bis an die Facetten31 . - In
2 ist eine Abwandlung gezeigt. Gemäß2 erfolgt das Brechen mit dem Werkzeug85 , wenn das Aufwachssubstrat2 sowie Metallisierungen65 noch vorhanden sind. Damit muss beim Verfahren, wie in Verbindung mit2 illustriert, auch das Aufwachssubstrat2 sowie die Metallisierungen65 zerteilt werden. Dies bedeutet einen erhöhten Aufwand und führt zu einem Risiko eines größten Ausschusses beim Erstellen der Facetten. - In
3 ist ein fertiges Halbleiterbauteil1 in montiertem Zustand an einer Montageplattform9 gezeigt. Das Halbleiterbauteil1 ist oberflächenmontierbar und bonddrahtfrei angeschlossen. - Demgegenüber ist bei der Abwandlung der
4 ein Bonddraht91 nötig, um die elektrische Kontaktierung an der Montageplattform9 zu erreichen. - Beim Ausführungsbeispiel der
5 sind mehrere der Emittereinheiten13 monolithisch in der Füllschicht und an dem zusammenhängenden Träger6 integriert. Das Halbleiterbauteil1 weist somit mehrere der Emittereinheiten13 auf. Über die Durchkontaktierungen53 und die Kontaktflächen55 können die einzelnen Emittereinheiten13 elektrisch unabhängig voneinander kontaktiert werden. Zwischen benachbarten Emittereinheiten11 befinden sich die Lücken12 , die mit dem Füllmaterial70 aufgefüllt sind. - Demgegenüber sind in
6 mehrere der Halbleiterbauteile1 , wie etwa in3 gezeigt, einzeln und platzsparend auf der Montageplattform9 angebracht. - In
7 ist illustriert, dass die Emittereinheiten13 über die Kontaktflächen55b , die sich zwischen benachbarte Emittereinheiten13 erstrecken, elektrisch in Serie geschaltet sind. Anodenkontakte und Kathodenkontakte werden durch die randständigen Kontaktflächen55a ,55c gebildet. - Eine elektrische Parallelschaltung dagegen lässt sich etwa erzielen, dass sich die Metallschicht
50 durchgehend über alle Emitterbereiche13 erstreckt und die Durchkontaktierungen53 ,55 entsprechend gestaltet sind. - In den bisherigen Ausführungsbeispielen ist entlang der Emitterstränge
11 pro Emittereinheit13 nur eine der Durchkontaktierungen53 vorhanden, siehe auch1N . Ferner ist in Querrichtung, senkrecht zu den Emittersträngen11 , für den Unterseitenkontakt52 sowie den Wellenleiterkontakt51 ebenfalls je nur eine Durchkontaktierung53 vorhanden, sodass wie in6 gezeigt in Querrichtung pro Emittereinheit13 genau zwei Durchkontaktierungen vorliegen. Diese Konfiguration ist nicht zwingend. So können beispielsweise in Querrichtung zwei Durchkontaktierungen pro Emittereinheit13 für die Metallschicht50 vorhanden sein, siehe8A . Die äußeren Durchkontaktierungen53 sowie die Metallschicht50 sind bevorzugt symmetrisch zu der Halbleiterschichtenfolge3 mit dem Streifenwellenleiter35 angeordnet. - In den bisherigen Ausführungsbeispielen handelt es sich bei dem Halbleiterbauteil
1 jeweils um einen kantenemittierenden Stegwellenleiterlaser. Dies ist nicht zwingend erforderlich, siehe8B . So kann das Halbleiterbauteil1 auch als gering geführter Laser ohne Stegwellenleiter gestaltet sein. - Die in Verbindung mit den
8A und8B dargestellte Art der Kontaktierung kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen entsprechend herangezogen werden. - In
9 sind verschiedene Konfigurationen für die Durchkontaktierungen53 sowie die elektrischen Kontaktflächen55 gezeigt. Diese Bauformen können in gleicher Weise für die Ausführungsbeispiele der1 bis8 angewendet werden. - Gemäß
9A sind längs der Resonatorachsen37 , also längs der Emitterstränge11 und senkrecht zu den Facetten31 mehrere der Durchkontaktierungen53 vorhanden. Dies gilt für beide Kontaktflächen55 . - Demgegenüber, siehe
9B , sind die Durchkontaktierungen53 nicht näherungsweise kreisförmig, in Draufsicht gesehen, sondern langgestreckt gestaltet. Pro Kontaktfläche55 ist in diesem Fall beispielsweise genau eine der Durchkontaktierungen53 vorhanden, die sich jedoch über einen Großteil der Kontaktflächen55 entlang der Resonatorachse37 hinweg erstreckt. - In
9C ist die Kontaktfläche55 für den Wellenleiterkontakt51 in mehrere Teilbereiche56 unterteilt. Auch die Metallschicht, in9C nicht gezeichnet, kann entsprechend unterteilt sein. Beispielsweise ist pro Teilbereich56 eine der Durchkontaktierungen53 vorhanden. Damit kann die Halbleiterschichtenfolge3 längs der Resonatorachse37 in den Teilbereichen56 jeweils unabhängig voneinander angesteuert werden. - In
9D ist eine Konfiguration der Kontaktflächen55 insbesondere für den Fall gezeigt, dass in Querrichtung mehrere Anschlüsse für die Metallschicht50 vorhanden sind, vergleiche8A oder8B . Beispielsweise ist die Kontaktfläche55 für die beiden äußeren Durchkontaktierungen53 für den Wellenleiterkontakt51 U-förmig oder auch, abweichend von der Darstellung in9D , rahmenförmig gestaltet. Die innenliegende Kontaktfläche55 , beispielsweise für den Unterseitenkontakt52 , kann rechteckig ausgeführt sein. - Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind bevorzugt voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls, soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben.
- Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- optoelektronisches Halbleiterbauteil
- 11
- Emitterstrang
- 12
- Lücke
- 13
- Emittereinheit
- 2
- Aufwachssubstrat
- 22
- Ätzstoppschicht
- 3
- Halbleiterschichtenfolge
- 30
- Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge
- 31
- Facette
- 33
- aktive Zone
- 35
- Streifenwellenleiter
- 37
- Resonatorachse
- 4
- Passivierungsschicht
- 50
- Metallschicht
- 51
- Wellenleiterkontakt
- 52
- Unterseitenkontakt
- 53
- Durchkontaktierung
- 54
- Kontaktschicht
- 55
- elektrische Kontaktfläche
- 56
- Teilbereich
- 65
- Metallisierung
- 6
- Träger
- 70
- Füllschicht
- 71
- Hilfsträger
- 73
- Planarisierungsschicht
- 74
- elektrische Isolationsschicht
- 76
- elektrische Isolierung
- 77
- erste Saatschicht
- 78
- Füllung
- 79
- zweite Saatschicht
- 8
- Expansionsfolie
- 85
- Brechmesser
- 9
- Montageplattform
- 91
- Bonddraht
- D
- Breite
- E
- Überstand
- H
- Höhe
Claims (19)
- Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: A) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungserzeugung auf ein Aufwachssubstrat (2), B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu Emittersträngen (11), sodass die Halbleiterschichtenfolge (3) in Lücken (12) zwischen benachbarten Emittersträngen (11) entfernt wird, C) Aufbringen einer Passivierungsschicht (4), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Wellenleiterkontakten (51) und die Lücken (12) zumindest teilweise frei bleiben, D) Erzeugen mindestens einer Metallschicht (50), die von den Wellenleiterkontakten (51) bis in die Lücken (12) reicht, E) Ersetzen des Aufwachssubstrats (2) durch einen Träger (6), F) Erstellen von Durchkontaktierungen (53) im Träger (6), sodass die Metallschicht (50) und dem Träger (6) zugewandte Unterseitenkontakte (52) der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch kontaktiert werden sowie Entfernen des Trägers (6) zwischen zumindest einigen der Emitterstränge (11) und zwischen entlang der Emitterstränge (11) aufeinanderfolgenden Emittereinheiten (13), und G) Brechen der Halbleiterschichtenfolge (3) zwischen den Emittereinheiten (13), sodass Facetten (31) entstehen.
- Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei - die Halbleiterbauteile (1) kantenemittierende Laser sind, - die Passivierungsschicht (4) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (3) und die Metallschicht (50) direkt auf die Passivierungsschicht (4) aufgebracht werden, und - die Metallschicht (50) Seitenflächen (30) der Emitterstränge (11) nachformt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Teil der Facetten (4) zu einer Strahlungsauskopplung aus den fertigen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet ist, wobei die Facetten (4) nach dem Schritt G) um mindestens 2 µm und µm höchstens 50 µm über den zugehörigen Träger (6) überstehen.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor dem Schritt C) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) Streifenwellenleiter (35) erzeugt werden, die zu einer eindimensionalen Strahlungsführung in Richtung parallel zu den Emittersträngen (11) eingerichtet sind, wobei sich die Wellenleiterkontakte (51) je an dem zugehörigen Streifenwellenleiter (35) befinden.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , bei dem eine dem Aufwachssubstrat (2) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) im Bereich einer Bestromungsbreite einer aktiven Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) plan ist, sodass die fertigen Halbleiterbauteile (1) gewinngeführte Laser sind. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen den Schritten D) und E) - eine Füllschicht (70) erzeugt wird, die die Lücken (12) auffüllt, sodass eine dem Aufwachssubstrat (2) abgewandte Seite der Füllschicht (70) plan ist, und nachfolgend - auf die Füllschicht (70) ein Hilfsträger (71) angebracht wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor oder mit dem Schritt A) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (3) und dem Aufwachssubstrat (2) eine Ätzstoppschicht (22) erzeugt wird, wobei die Ätzstoppschicht (22) im Schritt B) aus den Lücken (12) entfernt wird und verbleibende Reste der Ätzstoppschicht (22) im Schritt E) zwischen einem Ablösen des Aufwachssubstrats (2) und einem Anbringen des Trägers (6) entfernt werden.
- Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei nach dem Entfernen der Reste der Ätzstoppschicht (22) und vor dem Anbringen des Trägers (6) - an den Unterseitenkontakten (52) je mindestens eine Kontaktschicht (54) erzeugt wird, und - die Kontaktschichten (54) mit einer Planarisierungsschicht (73) abgedeckt werden.
- Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der Träger (6) mittels Direktbonden unmittelbar und flächig auf der Planarisierungsschicht (73) angebracht wird und nachfolgend der Zwischenträger (71) entfernt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich die Metallschicht (50) je beiderseits der Emitterstränge (11) von den jeweiligen Wellenleiterkontakten (51) bis in die angrenzenden Lücken (12) erstreckt, sodass die Emitterstränge (11) im Bereich der Halbleiterschichtenfolge (3) im Querschnitt gesehen symmetrisch von der Metallschicht (50) umgeben sind.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem pro Emittereinheit (13) in Richtung senkrecht zu den Emittersträngen (11) genau zwei der Durchkontaktierungen (53) erstellt werden.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis10 , bei dem pro Emittereinheit (13) in Richtung senkrecht zu den Emittersträngen (11) drei der Durchkontaktierungen (53) erstellt werden, wobei sich die Durchkontaktierung (53) für die Unterseitenkontakte (52) je mittig zwischen den beiden Durchkontaktierungen (53) für die Wellenleiterkontakte (51) befindet. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem pro Emittereinheit (13) in Richtung parallel zu den Emittersträngen (11) je Unterseitenkontakt (52) und je Wellenleiterkontakt (51) nur eine Durchkontaktierung (53) vorgesehen ist.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis12 , bei dem pro Emittereinheit (13) in Richtung parallel zu den Emittersträngen (11) je Unterseitenkontakt (52) und/oder je Wellenleiterkontakt (51) mehrere der Durchkontaktierungen (53) vorgesehen sind. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei entlang der Emitterstränge (11) pro Emittereinheit (13) die Metallschicht (50) und/oder die Wellenleiterkontakte (51) in mehrere elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbare Teilbereiche (56) unterteilt ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich die Metallschicht (50) längs der Emitterstränge (11) je zu mindestens 90 % entlang der Emittereinheiten (13) erstreckt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (3) auf InAlGaAs basiert, das Aufwachssubstrat (2) ein GaAs-Substrat ist und der Träger (6) ein Silizium-Substrat ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mehrere der Emittereinheiten (13) in Richtung senkrecht zu den Emittersträngen (11) elektrisch in Serien verschaltet werden, wobei nur zwischen in Serie geschalteten Emittereinheiten (13) der Träger (6) im Schritt F) zwischen benachbarten Emittersträngen (11) verbleibt.
- Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil (1), das mit einem Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche hergestellt ist, aufweisend: - einen Träger (6), in dem sich mehrere elektrische Durchkontaktierungen (53) befinden, - eine Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Träger (6) mit einer aktiven Zone (33) zur Strahlungserzeugung, - eine Passivierungsschicht (4), die Seitenflächen (30) der Halbleiterschichtenfolge (3) vollständig bedeckt und die einen dem Träger (6) abgewandten Wellenleiterkontakt (51) zumindest teilweise frei lässt, - mindestens eine Metallschicht (50), die von dem Wellenleiterkontakt (51) bis zum Träger (6) reicht, wobei - die Durchkontaktierungen (53) die Metallschicht (50) und einen dem Träger (6) zugewandten Unterseitenkontakt (52) der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch kontaktieren, - eine Facette (31) der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungsauskopplung über den Träger (6) über steht, und - die Metallschicht (50) die Seitenflächen (30) nachformt, sodass ein mittlerer Abstand zwischen der Metallschicht (50) und der Halbleiterschichtenfolge (3) bei höchstens 1 µm liegt.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017130131.3A DE102017130131B4 (de) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
PCT/EP2018/082865 WO2019115234A1 (de) | 2017-12-15 | 2018-11-28 | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronsches halbleiterbauteil |
CN201880069141.5A CN111630734B (zh) | 2017-12-15 | 2018-11-28 | 用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 |
JP2020526447A JP7047094B2 (ja) | 2017-12-15 | 2018-11-28 | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
US16/772,740 US11127877B2 (en) | 2017-12-15 | 2018-11-28 | Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017130131.3A DE102017130131B4 (de) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017130131A1 true DE102017130131A1 (de) | 2019-06-19 |
DE102017130131B4 DE102017130131B4 (de) | 2021-08-19 |
Family
ID=64556924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017130131.3A Active DE102017130131B4 (de) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11127877B2 (de) |
JP (1) | JP7047094B2 (de) |
CN (1) | CN111630734B (de) |
DE (1) | DE102017130131B4 (de) |
WO (1) | WO2019115234A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111585170A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-25 | 四川大学 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
DE102019129327A1 (de) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement |
US11418003B2 (en) * | 2018-06-07 | 2022-08-16 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Chip on carrier |
DE112017006473B4 (de) | 2016-12-22 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017130131B4 (de) * | 2017-12-15 | 2021-08-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US11164844B2 (en) * | 2019-09-12 | 2021-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch |
CN112134138A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-12-25 | 华芯半导体科技有限公司 | 高功率vcsel芯片及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060109883A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-05-25 | Alan Lewis | Apparatus, system, and method for junction isolation of arrays of surface emitting lasers |
US20120248977A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Sony Corporation | Light emitting device-light receiving device assembly, and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2671334B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-10-29 | ソニー株式会社 | 半導体レーザの電極構造 |
JP3215297B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2001-10-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2910914B2 (ja) * | 1995-12-14 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザアレイ |
JPH09298339A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
US6319742B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-11-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of forming nitride based semiconductor layer |
US6562648B1 (en) | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
US20030031218A1 (en) | 2001-08-13 | 2003-02-13 | Jang-Hun Yeh | VCSEL structure and method of making same |
JP4360071B2 (ja) | 2002-05-24 | 2009-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
JP4817673B2 (ja) | 2005-02-25 | 2011-11-16 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の作製方法 |
DE102006033502A1 (de) * | 2006-05-03 | 2007-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Trägersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
JP2009212179A (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
JP4492733B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US8900893B2 (en) * | 2010-02-11 | 2014-12-02 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Vertical LED chip package on TSV carrier |
US8653542B2 (en) | 2011-01-13 | 2014-02-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-interconnects for light-emitting diodes |
EP2715814B8 (de) | 2011-06-01 | 2018-09-05 | Lumileds Holding B.V. | Verfahren zur befestigung einer lichtemittierenden vorrichtung an einem trägersubstrat |
DE102013111496A1 (de) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US9871350B2 (en) * | 2014-02-10 | 2018-01-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB laser diode source |
US9520697B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable multi-emitter laser diode |
DE102014110071A1 (de) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN104167485A (zh) | 2014-08-21 | 2014-11-26 | 中国科学院半导体研究所 | 一种自支撑led阵列光源结构 |
DE102015116970A1 (de) * | 2015-10-06 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers |
JP2017188596A (ja) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
DE102016125430A1 (de) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür |
DE102017130131B4 (de) * | 2017-12-15 | 2021-08-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
-
2017
- 2017-12-15 DE DE102017130131.3A patent/DE102017130131B4/de active Active
-
2018
- 2018-11-28 JP JP2020526447A patent/JP7047094B2/ja active Active
- 2018-11-28 US US16/772,740 patent/US11127877B2/en active Active
- 2018-11-28 CN CN201880069141.5A patent/CN111630734B/zh active Active
- 2018-11-28 WO PCT/EP2018/082865 patent/WO2019115234A1/de active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060109883A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-05-25 | Alan Lewis | Apparatus, system, and method for junction isolation of arrays of surface emitting lasers |
US20120248977A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Sony Corporation | Light emitting device-light receiving device assembly, and manufacturing method thereof |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017006473B4 (de) | 2016-12-22 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür |
US11418003B2 (en) * | 2018-06-07 | 2022-08-16 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Chip on carrier |
DE102019129327A1 (de) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement |
CN111585170A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-25 | 四川大学 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
CN111585170B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-07-13 | 四川大学 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200328324A1 (en) | 2020-10-15 |
CN111630734A (zh) | 2020-09-04 |
CN111630734B (zh) | 2023-01-06 |
DE102017130131B4 (de) | 2021-08-19 |
US11127877B2 (en) | 2021-09-21 |
JP7047094B2 (ja) | 2022-04-04 |
JP2021502711A (ja) | 2021-01-28 |
WO2019115234A1 (de) | 2019-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102017130131B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
EP3345225B1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
EP0903792B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterlasern | |
DE112013006065B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement | |
DE112005003476T5 (de) | Substratentfernungsprozess für LEDs mit hoher Lichtausbeute | |
DE102013111496A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
DE19953609A1 (de) | Dickenanpassen von waferverbundenen Al¶x¶Ga¶y¶In¶z¶N-Strukturen durch Laserschmelzen | |
WO2018122103A1 (de) | Halbleiterlaserdiode | |
WO2017060160A1 (de) | Halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers | |
DE102007062046A1 (de) | Lichtemittierende Bauelementeanordnung, lichtemittierendes Bauelementes sowie Verfahren zum Herstellen einer Bauelementeanordnung | |
EP2415086B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und bauelementanordnung mit mehreren optoelektronischen bauelementen | |
DE102012106953A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE112017006309B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE102005061346A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE102015116968A1 (de) | Halbleiterlaser und Halbleiterlaseranordnung | |
DE102010009455B4 (de) | Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10355600A1 (de) | Trägerschicht für eine Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips | |
WO2017012945A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip | |
EP2514049B1 (de) | Verfahren zur Herstellung lichtemittierender Halbleiterkörper | |
WO2009079982A2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip | |
WO2015011028A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips | |
WO2021037568A1 (de) | Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement | |
DE102015102458A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip | |
DE102016120685A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und Halbleiterlaser | |
WO2018007151A1 (de) | Halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines halbleiterchips und vorrichtung mit einer mehrzahl von halbleiterchips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R012 | Request for examination validly filed | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |