DE102017009293A1 - Leitfähige Paste zum Verbinden - Google Patents

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Takuya Konno
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EI Du Pont de Nemours and Co
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    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29373Rhodium [Rh] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81439Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine leitfähige Paste zum Verkleben, die ein Metallpulver und ein Lösungsmittel umfasst, wobei das Metallpulver Folgendes umfasst: ein erstes Metallpulver mit einem Partikeldurchmesser (D50) von 10 bis 150 nm und ein zweites Metallpulver mit einem Partikeldurchmesser (D50) von 151 bis 500 nm. Die Paste eignet sich zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, die ein Substrat mit einer elektrisch leitfähigen Schicht und einer elektrischen oder elektronischen Komponente umfasst, die unter Verwendung der Paste zuverlässig miteinander verbunden sind.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine leitfähige Paste zum Verbinden und ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung unter Verwendung der leitfähigen Paste.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Eine elektronische Vorrichtung umfasst häufig eine elektrische Komponente wie einen Halbleiterchip, die mit einer elektrisch leitfähigen Schicht eines Substrats unter Verwendung einer leitfähigen Paste verbunden ist.
  • Bei diesem Ansatz ist die elektrische Komponente durch Folgendes physikalisch und elektrisch mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbunden: Aufbringen einer leitfähigen Paste auf die elektrisch leitfähige Schicht, Befestigen der elektrischen Komponente auf der leitfähigen Paste und daraufhin Erhitzen der leitfähigen Paste. Es wurde festgestellt, dass derzeit verwendete Herstellungsprozesse und Pasten häufig keine ausreichende Verbindung zwischen der befestigten elektrischen Komponente und dem Substrat bieten, um eine zufriedenstellende Konstruktion der elektrischen Vorrichtung zu erhalten.
  • JP 2016-069710 offenbart ein Verbindungsmaterial zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung. Das Verbindungsmaterial umfasst Silbernanopartikel mit einem Partikeldurchmesser von 1 bis 200 nm und Octandiol.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aspekte der vorliegenden Erfindung stellen Folgendes bereit: eine leitfähige Paste, die in der Lage ist, eine elektrische Komponente während eines Herstellungsprozesses zufriedenstellend mit einem Substrat zu verbinden, und ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen oder elektronischen Vorrichtung unter Verwendung der leitfähigen Paste.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung, das folgende Schritte umfasst: Herstellen eines Substrats, das eine elektrisch leitfähige Schicht umfasst; Aufbringen einer leitfähigen Paste auf die elektrisch leitfähige Schicht; wobei die leitfähige Paste eine leitfähige Paste zum Verbinden ist, die ein Metallpulver und ein Lösungsmittel umfasst, wobei das Metallpulver ein erstes Metallpulver und ein zweites Metallpulver umfasst, wobei der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers 10 bis 150 nm beträgt und der Partikeldurchmesser (D50) des zweiten Metallpulvers 151 bis 500 nm beträgt; Befestigen einer elektrischen Komponente auf der aufgebrachten leitfähigen Paste; Erhitzen der leitfähigen Paste zur Verbindung der elektrisch leitfähigen Schicht und der elektrischen Komponente.
  • Bei einer Ausführungsform beträgt der Gesamtgehalt des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers 80 bis 95 Gewichts-% (Gew.-%) und das Lösungsmittel beträgt 5 bis 20 Gew.-%, wobei der Gewichtsprozentwert auf dem Gesamtgewicht der leitfähigen Paste basiert.
  • Bei einer Ausführungsform wird das erste Metallpulver und das zweite Metallpulver aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Gold, Palladium, Platin, Rhodium, Nickel, Aluminium, eine Legierung davon und eine Kombination davon.
  • Bei einer Ausführungsform beträgt das Mischgewichtsverhältnis des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers (erstes Metallpulver: zweites Metallpulver) 1:10 bis 30:10.
  • Bei einer Ausführungsform umfasst die leitfähige Paste ferner 0,05 bis 5 Gew.-% % eines Polymers, wobei der Gewichtsprozentwert auf dem Gesamtgewicht der leitfähigen Paste basiert.
  • Bei einer Ausführungsform ist der Partikeldurchmesser des zweiten Metallpulvers mindestens 50 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers.
  • Bei einer Ausführungsform ist die elektrische Komponente ein Halbleiterchip. Bei einer Ausführungsform umfasst die elektronische Komponente eine Plattierungsschicht, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Nickel, Gold und Legierungen davon besteht.
  • Bei einer Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner einen Schritt des Trocknens bei 40 bis 150°C nach dem Aufbringen der leitfähigen Paste auf die elektrisch leitfähige Schicht und vor dem Befestigen der elektronischen Komponente auf der aufgebrachten leitfähigen Paste.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine leitfähige Paste zum Verbinden, die ein Metallpulver und ein Lösungsmittel umfasst, wobei das Metallpulver ein erstes Metallpulver und ein zweites Metallpulver umfasst, wobei der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers 10 bis 150 nm beträgt und der Partikeldurchmesser (D50) des zweiten Metallpulvers 151 bis 500 nm beträgt.
  • Die elektronische Komponente kann durch die leitfähige Paste zum Verbinden und das Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung unter Verwendung der leitfähigen Paste der vorliegenden Erfindung ausreichend mit dem Substrat verbunden werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Zeichnung, die ein Beispiel einer elektronischen Vorrichtung in einer Querschnittsansicht zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Eine elektronische Vorrichtung umfasst mindestens ein Substrat, das eine elektrisch leitfähige Schicht und eine elektrische Komponente umfasst. Die elektrisch leitfähige Schicht des Substrats und die elektrische Komponente werden durch die leitfähige Paste verbunden. Eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung 100 wird unter Bezugnahme auf 1 erläutert.
  • Die Vorrichtung ist auf einem Substrat 101 aufgebaut, das eine elektrisch leitfähige Schicht 103 umfasst. In verschiedenen Ausführungsformen kann die leitfähige Schicht 103 einen metallischen Leiter oder einen Halbleiter umfassen. Die elektrisch leitfähige Schicht 103 kann in bestimmten Ausführungsformen auch ein elektrischer Schaltkreis, eine Elektrode oder ein elektrisches Pad sein. Die elektrisch leitfähige Schicht 103 kann in einer anderen Ausführungsform eine Schicht aus einem beliebigen geeigneten Metall sein. Die Metallschicht kann in einer anderen Ausführungsform Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Palladium, Platin oder Legierungen davon umfassen. Die elektrisch leitfähige Schicht 103 kann in einer anderen Ausführungsform eine Kupferschicht oder eine Silberschicht sein.
  • Die leitfähige Paste 105 ist in der Lage, einen metallischen Leiter mit einem anderen, einem metallischen Leiter mit einem Halbleiter oder einen Halbleiter mit einem anderen Halbleiter zu verbinden. Die leitfähige Paste 105 wird auf die elektrisch leitfähige Schicht 103 aufgebracht. Die aufgebrachte leitfähige Paste 105 kann bei einer Ausführungsform 50 bis 500 μm dick sein, bei einer anderen Ausführungsform 80 bis 300 μm dick sein und bei einer anderen Ausführungsform 100 bis 200 μm dick sein. Die leitfähige Paste 105 wird durch jede beliebige geeignete Abscheidungstechnik aufgebracht, einschließlich, ohne Einschränkung, Siebdruck. Eine Maske (die meistens aus Metall besteht) kann in einigen Ausführungsformen für den Siebdruck verwendet werden.
  • Die aufgebrachte leitfähige Paste 105 wird optional getrocknet. Die Trocknungstemperatur kann bei einer Ausführungsform 40 bis 150°C, bei einer anderen Ausführungsform 50 bis 120°C und bei einer anderen Ausführungsform 60 bis 100°C betragen. Die Trocknungszeit beträgt bei einer Ausführungsform 10 bis 150 Minuten, bei einer anderen Ausführungsform 15 bis 80 Minuten und bei einer anderen Ausführungsform 20 bis 30 Minuten.
  • Die elektrische Komponente 107 ist auf der aufgebrachten leitfähigen Paste 105 befestigt. Die elektrische Komponente 107 ist nicht besonders eingeschränkt, solange sie elektrisch funktioniert. Beispielsweise kann die elektrische Komponente 107 aus der Gruppe ausgewählt werden, die aus einem Halbleiterchip, einem Chip mit integriertem Schaltkreis (IC), einem Chipwiderstand, einem Chipkondensator, einem Chipinduktor, einem Sensorchip und einer Kombination davon besteht. Die elektrische Komponente 107 kann in einer anderen Ausführungsform ein Halbleiterchip sein. Der Halbleiterchip kann in einer anderen Ausführungsform ein Si-Chip oder ein SiC-Chip sein.
  • Die elektrische Komponente 107 umfasst in einigen Ausführungsformen eine Metallisierungsschicht, die in Kontakt mit der benachbarten Schicht der aufgebrachten leitfähigen Paste 105 angeordnet sein kann. Das Material der Metallisierungsschicht kann aus der Gruppe ausgewählt werden, die aus Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Palladium, Platin, Legierungen davon und einem Gemisch davon in einer anderen Ausführungsform besteht. Die Metallisierungsschicht umfasst in einer anderen Ausführungsform Gold und/oder Nickel. Die Metallisierungsschicht umfasst eine Laminierung einer Goldschicht und einer Nickelschicht in einer weiteren Ausführungsform. Die Metallisierungsschicht wird durch Plattieren in einer anderen Ausführungsform bereitgestellt.
  • Die Schicht der leitfähigen Paste 105 wird erwärmt, um die erforderliche Verbindung zu erreichen. In verschiedenen Ausführungsformen wird das Erwärmen in einem Chip-Bonder durchgeführt, der auf eine Temperatur zwischen 150, 180, 200 oder 220°C und 260, 290, 310 und 400°C für eine Erwärmungszeit im Bereich zwischen 0,1, 0,5, 3 oder 8 min. und 3, 5, 13, 15, 20 oder 30 min. eingestellt ist. Alternativ kann der Erwärmungsschritt in einem Ofen oder unter Verwendung einer anderen geeigneten Wärmequelle durchgeführt werden. Eine Wärmeschädigung der elektrischen Komponente 107 kann minimiert oder eliminiert werden, da die leitfähige Paste 105 bei einer im Verhältnis niedrigen Temperatur verbunden werden kann.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird der Erwärmungsschritt in verschiedenen Atmosphären durchgeführt, wie z. B. in einer Reduktionsatmosphäre (z. B. einer N2-Atmosphäre) oder in Luft.
  • Um die Haftung der elektrischen Komponente 107e an der leitfähigen Pastenschicht 105 zu verbessern, wird während der Erwärmung bei einigen Ausführungsformen ein Druck auf die elektrische Komponente 107 ausgeübt. Der Druck kann von 0,1, 1, 5, 7, 15 oder 25 MPa bis 15, 25, 36, 40 oder 45 MPa reichen. Es kann eine Heißpressformmaschine oder ein Chip-Bonder, der mit einem Druck- und Heizmechanismus für die Halbleiterverbindung ausgestattet ist, verwendet werden. Alternativ kann die elektrische Komponente 107 ohne Druckbeaufschlagung verbunden werden.
  • Die Zusammensetzung der leitfähigen Paste 105 wird nachfolgend erläutert. Die leitfähige Paste 105 umfasst ein Metallpulver und ein Lösungsmittel.
  • Metallpulver
  • Das Metallpulver umfasst ein erstes Metallpulver und ein zweites Metallpulver. Der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers beträgt 10 bis 150 nm und der Partikeldurchmesser (D50) des zweiten Metallpulvers beträgt 151 bis 500 nm. Der Partikeldurchmesser (D50) ist ein volumenmittlerer Partikeldurchmesser (D50), gemessen durch ein dynamisches Lichtstreuungsverfahren unter Verwendung eines dynamischen lichtstreuenden Partikelgrößenanalysators (LB 550, Horiba Ltd.).
  • In verschiedenen Ausführungsformen reicht der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers von einer unteren Grenze von 20, 30, 40, 50, 55, 65, 75, 85 oder 95 nm bis zu einer oberen Grenze von 70, 80, 90, 105, 110, 120, 130 oder 150 nm.
  • Das erste Metallpulver wird aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Gold, Palladium, Platin, Rhodium, Nickel, Aluminium, eine Legierung davon und eine Kombination davon bei einer Ausführungsform. Das erste Metallpulver wird aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Nickel, eine Legierung davon und eine Kombination davon bei einer anderen Ausführungsform. Das erste Metallpulver ist in einer anderen Ausführungsform Silber.
  • Die Form des ersten Metallpulvers ist flockenförmig, kugelförmig, amorph oder eine Mischung davon bei einer Ausführungsform. Die Form des ersten Metallpulvers ist eine Mischung aus flockenförmig und kugelförmig bei einer anderen Ausführungsform. Mit „kugelförmigem Pulver” ist ein Pulver von Partikeln gemeint, die ein Verhältnis des größten Durchmessers jedes Partikels zum kleinsten Durchmesser von höchstens 2:1 aufweisen. In anderen Ausführungsformen beträgt das Verhältnis höchstens 1,8:1, 1,5:1 oder 1,3:1, je nachdem, wie das Pulver hergestellt wird.
  • Die Größe der Partikel des in der vorliegenden Zusammensetzung verwendeten Metallpulvers kann durch Werte von D50 spezifiziert werden. Sofern nicht anders angegeben, bezieht sich der Begriff „Partikeldurchmesser” hier auf einen Wert von „D50”, der eine mittlere Partikelgröße nach Volumen ist, der unter Verwendung eines Laserbeugungsverfahrens bestimmt werden kann, das unter Verwendung eines Microtrac X-100 (Montgomeryville, PA) Instruments durchgeführt wird.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist das erste Metallpulver selbst ein Gemisch aus zwei Arten von Metallpulvern mit unterschiedlichen Partikelgrößen. Das erste Metallpulver umfasst ein erstes Metallpulver A und ein erstes Metallpulver B in einer anderen Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers A beträgt 10 bis 80 nm und der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers B beträgt 81 bis 150 nm in einer anderen Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers A beträgt 20 bis 75 nm in einer anderen Ausführungsform, 30 bis 70 nm in einer anderen Ausführungsform, 40 bis 68 nm in einer anderen Ausführungsform, 50 bis 65 nm in einer anderen Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers B beträgt 85 bis 140 nm in einer anderen Ausführungsform, 88 bis 130 nm in einer anderen Ausführungsform, 92 bis 120 nm in einer anderen Ausführungsform, 95 bis 110 nm in einer anderen Ausführungsform.
  • Der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers B ist um 10 bis 100 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers A in einer Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers B ist um 20 bis 80 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers A in einer anderen Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers B ist um 30 bis 60 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers A in einer anderen Ausführungsform.
  • Das Mischgewichtsverhältnis des ersten Metallpulvers A und des ersten Metallpulvers B (erstes Metallpulver A: erstes Metallpulver B) beträgt 1:10 bis 30:10 bei einer Ausführungsform, 4:10 bis 22:10 bei einer anderen Ausführungsform, 6:10 bis 18:10 bei einer anderen Ausführungsform, 8:10 bis 15:10 bei einer anderen Ausführungsform, 9:10 bis 12:10 bei einer anderen Ausführungsform.
  • In einem Aspekt betrifft die vorliegende Offenbarung eine Ausführungsform der leitfähigen Paste, wobei das erste Metallpulver ein Gemisch aus dem ersten Metallpulver A und dem ersten Metallpulver B mit unterschiedlichen Partikeldurchmessern ist, wobei der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers A 10 bis 80 nm beträgt und der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers B 81 bis 150 nm beträgt. Das erste Metallpulver ist eine Mischung aus dem ersten Metallpulver A und dem ersten Metallpulver B bei einer Ausführungsform. Das erste Metallpulver ist das erste Metallpulver A in einer anderen Ausführungsform. Das erste Metallpulver ist das erste Metallpulver B in einer anderen Ausführungsform.
  • Der Partikeldurchmesser (D50) des zweiten Metallpulvers beträgt 160 bis 350 nm, bei einer weiteren Ausführungsform 175 bis 290 nm, bei einer weiteren Ausführungsform 182 bis 250 nm.
  • Das zweite Metallpulver wird aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Gold, Palladium, Platin, Rhodium, Nickel, Aluminium, eine Legierung davon und eine Kombination davon bei einer Ausführungsform. Das zweite Metallpulver wird aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Nickel und einer Legierung davon und einer Kombination davon in einer anderen Ausführungsform. Das zweite Metallpulver ist in einer anderen Ausführungsform Silber.
  • Die Form des zweiten Metallpulvers ist flockenförmig, kugelförmig, amorph oder eine Mischung davon bei einer Ausführungsform. Das zweite Metallpulver ist eine Mischung aus flockenförmig und kugelförmig bei einer anderen Ausführungsform.
  • Das Mischgewichtsverhältnis des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers (erstes Metallpulver: zweites Metallpulver) beträgt 1:10 bis 30:10 bei einer Ausführungsform, 3:10 bis 25:10 bei einer anderen Ausführungsform, 4:10 bis 23:10 bei einer anderen Ausführungsform, 5:10 bis 21:10 bei einer anderen Ausführungsform, 7:10 bis 17:10 bei einer anderen Ausführungsform, 8:10 bis 14:10 bei einer anderen Ausführungsform, 9:10 bis 12:10 bei einer anderen Ausführungsform.
  • Die Gesamtmenge des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers in verschiedenen Ausführungsformen reicht von einer unteren Grenze von 60 Gewichts-% (Gew.-%), 72 Gew.-%, 80 Gew.-% oder 85 Gew.-%, bis zu einer oberen Grenze von 93 Gew.-%, 95 Gew.-% oder 97 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der leitfähigen Paste 105.
  • Der Partikeldurchmesser des zweiten Metallpulvers ist um 50 bis 200 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers in einer Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser des zweiten Metallpulvers ist um 80 bis 150 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers in einer anderen Ausführungsform. Der Partikeldurchmesser des zweiten Metallpulvers ist um 90 bis 110 nm größer als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers in einer anderen Ausführungsform.
  • Die Partikelgrößenverteilung des gemischten Pulvers des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers könnte bei einer Ausführungsform zwei Spitzenwerte aufweisen. Die Partikelgrößenverteilung des ersten Metallpulvers und die Partikelgrößenverteilung des zweiten Metallpulvers können sich in einer anderen Ausführungsform voneinander unterscheiden. Das erste Metallpulver und das zweite Metallpulver mit unterschiedlichen Partikeldurchmessern können in einer anderen Ausführungsform verschiedene Arten von Metallpulvern sein.
  • Wie Fachleuten bekannt ist, werden praktisch alle partikelförmigen Materialien im Handel als Ensemble aus einzelnen Partikeln mit einem Bereich von Größen angeboten, so dass „Partikelgröße” durch Parameter spezifiziert werden muss, die die eigentliche Verteilung statistisch charakterisieren. Der D50-Wert oder die mittlere Partikelgröße nach Volumen wird üblicherweise verwendet, um die ungefähre Partikelgröße darzustellen. Sofern nicht anders angegeben, sind die Bezugnahmen hierin auf den „Partikeldurchmesser” eines Ensembles von Partikeln somit als D50-Wert des Ensembles zu verstehen. Andere gemeinsame statistisch abgeleitete Maßnahmen der Partikelgröße umfassen D10 und D90, die darauf hinweisen, dass 10 Vol.-% und 90 Vol.-% der Partikel in dem Ensemble eine Größe von weniger als D10 bzw. D90 aufweisen. Diese Werte, die entweder einzeln oder in Kombination mit den D50-Werten genommen werden, können eine zusätzliche Charakterisierung einer Partikelverteilung bereitstellen, die besonders nützlich für eine Verteilung ist, die nicht symmetrisch, multimodal oder komplex ist. Werte wie D10 und D90 werden von kommerziellen Partikelgrößenmessvorrichtungen üblicherweise zusammen mit D50 angegeben. Die Breite der Partikelverteilung kann typischerweise dadurch gekennzeichnet werden, wie sehr sich die Werte von D10 und/oder D90 von D50 unterscheiden; ein großer Unterschied ist gewöhnlich mit einer breiten Verteilung verbunden.
  • Eine Partikelgrößenverteilung, die aus dem gemischten Metallpulver genommen wird, das in der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann multimodal sein, was bedeutet, dass eine grafische Darstellung der Verteilung mehr als einen Spitzenwert aufweist, entsprechend den Unterschieden bei den Partikelgrößenverteilungen, die die verschiedenen zahlreichen Pulverquellen charakterisieren. Jeder der Spitzenwerte entspricht einer Partikelgröße. Beispielsweise zeigt ein Metallpulver, das durch Mischen von zwei Pulvern mit unterschiedlichen Partikelgrößenverteilungen und unterschiedlichen Werten von D50 hergestellt wird, gewöhnlich eine Partikelgrößenverteilung der kombinierten Pulver mit zwei Spitzenwerten, die etwa den D50-Werten der beiden Subpopulationen entsprechen. Die Höhen der verschiedenen Spitzenwerte hängen von den relativen Mengen der verschiedenen Pulverquellen in der Mischung und der Breite ihrer Verteilungen und dem Unterschied zwischen ihren D50-Werten ab. Für einige Ausführungsformen sind mehrere diskrete Spitzenwerte in der Gesamtpulvergrößenverteilung ersichtlich, wobei jede Spitze etwa einem D50-Wert eines der Bestandteil bildenden Pulver entspricht, die zur Herstellung der Mischung verwendet werden. Bei anderen kann sich die multimodale Verteilung als eine oder mehrere Schultern auf einem intensiveren Spitzenwert manifestieren. Bekannte numerische Verfahren können verwendet werden, um die Anwesenheit von mehreren Spitzenwerten in derartigen multimodalen Verteilungen zu ermitteln.
  • Die Partikelgrößenverteilung umfasst bei einer Ausführungsform einen ersten Modus, der einer Partikelgröße von 10 bis 150 nm entspricht, und einen zweiten Modus, der einer Partikelgröße von 151 bis 500 nm entspricht. Der erste Modus und der zweite Modus entsprechen Partikelgrößen, die sich bei einer Ausführungsform um mindestens 50 nm unterscheiden.
  • Lösungsmittel
  • Das Metallpulver wird in einem geeigneten Lösungsmittel dispergiert, um die leitfähige Paste zu bilden. Die Menge des Lösungsmittels kann variiert werden, um die Viskosität einzustellen, so dass die leitfähige Paste 105 leicht auf das Substrat 101 oder die elektrisch leitfähige Schicht 103 aufgebracht werden kann. Das gesamte oder das meiste Lösungsmittel verdampft aus der leitfähigen Paste 105 während des Trocknungsschrittes oder des Erwärmungsschritts.
  • Das Molekulargewicht des Lösungsmittels beträgt 600 oder weniger bei einer Ausführungsform, 520 oder weniger bei einer anderen Ausführungsform, 480 oder weniger bei einer anderen Ausführungsform, 400 oder weniger bei einer anderen Ausführungsform. Das Molekulargewicht des Lösungsmittels beträgt mindestens 10 bei einer Ausführungsform, mindestens 100 bei einer anderen Ausführungsform, mindestens 150 bei einer anderen Ausführungsform, mindestens 180 bei einer anderen Ausführungsform.
  • Das gesamte oder das meiste Lösungsmittel verdampft aus der leitfähigen Paste 105 während des Trocknungsschrittes oder des Erwärmungsschritts. Der Siedepunkt des Lösungsmittels beträgt 100 bis 450°C bei einer Ausführungsform, 150 bis 320°C bei einer anderen Ausführungsform, 200 bis 290°C bei einer anderen Ausführungsform. Das Lösungsmittel ist bei einer Ausführungsform ein organisches Lösungsmittel.
  • Geeignete Lösungsmittel umfassen solche, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Folgendem besteht: Esteralkoholen, 1-Phenoxy-2-propanol, Terpineol, Carbitolacetat, Ethylenglykol, Butylcarbitol, Dibutylcarbitol, Dibutylacetatpropylenglykolphenylether, Ethylenglykolmonobutylether, Butylcarbitolacetat, 1,2-Cyclohexandicarbonsäurediisononylester und ein Gemisch davon in einer anderen Ausführungsform. Ein bevorzugter Esteralkohol ist das Monoisobutyrat von 2,2,4-Trimethyl-1,3-pentandiol, das im Handel bei Eastman Chemical (Kingsport, TN) unter dem Handelsnamen TEXANOLTM erhältlich ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen hat die leitfähige Paste 105 eine Viskosität, die zwischen 10, 12 oder 15 Pa·s und 50, 100 oder 300 Pa·s liegt, wenn sie bei einer Schergeschwindigkeit von 10 sec–1 mit einem Rheometer (HAAKETM MARSTM III, Thermo Fisher Scientific Inc.) unter Verwendung einer Titankonusplatte C20/1° gemessen wird.
  • Das Lösungsmittel liegt bei einigen Ausführungsformen in einer Menge im Bereich von 5, 6,5, 7,8 oder 8,8 Gewichtsteilen bis 13, 15 oder 20 Gewichtsteilen vor, wenn das Metallpulver 100 Gewichtsteile der leitfähigen Paste ausmacht.
  • Polymer
  • Die leitfähige Paste 105 umfasst optional ein Polymer, das in dem Lösungsmittel löslich ist und ein Molekulargewicht (Mw) von 1000 oder mehr aufweist. Bei anderen Ausführungsformen hat das Molekulargewicht (Mw) des Polymers einen Wert zwischen 1.000, 5.000, 10.000, 18.000, 25.000 oder 32.000 und 200.000, 350.000, 480.000, 610.000, 780.000 oder 900.000. Sofern nicht anders angegeben, beziehen sich die Bezugnahmen auf das Molekulargewicht der Polymere in der vorliegenden Anmeldung auf das Gewichtsmittel des Molekulargewichts (Mw), das mit einem Hochleistungs-Flüssigkeitschromatographiesystem wie einem Alliance 2695 System (Nippon Waters Co., Ltd.) oder dergleichen gemessen werden kann.
  • Bei einer Ausführungsform wird das Polymer in der vorliegenden Zusammensetzung aus der Gruppe ausgewählt, die aus Folgendem besteht: Ethylcellulose, Methylcellulose, Hydroxypropylcellulose, Polyvinylbutyralharz, Phenoxyharz, Polyesterharz, Epoxidharz, Acrylharz, Polyimidharz, Polyamidharz, Polystyrolharz, Butyralharz, Polyvinylalkoholharz, Polyurethanharz und einem Gemisch davon bei einer Ausführungsform. Das Polymer ist Ethylcellulose bei einer anderen Ausführungsform.
  • Die Glasübergangstemperatur des Polymers beträgt –30 bis 250°C bei einer Ausführungsform, 10 bis 180°C bei einer anderen Ausführungsform, 80 bis 150°C bei einer anderen Ausführungsform.
  • In verschiedenen Ausführungsformen liegt das Polymer in einer Menge im Bereich von 0,1, 1 oder 2,5 Gewichtsteilen bis 4, 5 oder 6 Gewichtsteilen vor, wenn die Gesamtmenge des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers 100 Gewichtsteile beträgt.
  • Bei anderen Ausführungsformen liegt das Polymer in einer Menge im Bereich von 0,1, 0,5 oder 1,5 Gew.-% bis 3,1, 3,5 oder 4 Gew.-% bezogen auf das Gesamtgewicht der leitfähigen Paste 105 vor.
  • Additiv
  • Ein oder mehrere Additive, einschließlich, ohne darauf beschränkt zu sein, Tenside, Dispergiermittel, Emulgatoren, Stabilisatoren, Weichmacher oder andere bekannte Pastenadditive können ferner der leitfähigen Paste 105 zugegeben werden, um ihre funktionellen Eigenschaften ihrer Formulierung, ihrer Lagerung, und/oder ihres Endgebrauchs zu verbessern. Die leitfähige Paste 105 umfasst bei einer Ausführungsform keine Glasfritte. Ausführungsformen, bei denen die leitfähige Paste 105 kein Härtungsmittel oder ein Vernetzwerkungsmittel umfasst, werden hier ebenfalls in Betracht gezogen.
  • Ohne an eine bestimmte Theorie der Operation gebunden zu sein, wird angenommen, dass das erste Metallpulver die Funktion der Förderung des Sinterns und des Verbindens zwischen Metallen bei niedriger Temperatur in der leitfähigen Paste ausführt, während das zweite Metallpulver die Funktion der Unterdrückung einer abrupten Schrumpfung in der leitfähigen Paste ausführt. Als Ergebnis kann eine elektronische Vorrichtung bereitgestellt werden, bei der eine elektronische Komponente ausreichend mit einem Substrat verbunden ist.
  • BEISPIELE
  • Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden Beispiele veranschaulicht, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • Beispiele 1–2
  • Leitfähige Pasten wurden durch Dispergieren verschiedener Silberpulver in einem Gemisch aus einem organischen Lösungsmittel und einem Polymer hergestellt. Die Dispersion wurde durch Mischen der Komponenten in einem Mischer, gefolgt von einer Dreiwalzenmühle, durchgeführt. Das Lösungsmittel war TEXANOLTM Esteralkohol.
  • Kugelförmige Silberpulver mit unterschiedlichen Partikeldurchmessern (D50) (60 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm) wurden hergestellt und in die Pasten der Beispiele 1 bis 2 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 3 eingearbeitet, wie in Tabelle 1 gezeigt. Die Viskosität jeder leitfähigen Paste betrug 25 bis 30 Pa·s, gemessen bei einer Schergeschwindigkeit von 10 sec–1 unter Verwendung eines Rheometers (HAAKETM MARSTM III, Titankonusplatte: C20/1°, Thermo Fisher Scientific Inc.).
  • Als nächstes wurde eine leitfähige Pastenschicht für jedes Beispiel durch Aufbringen der leitfähigen Paste auf eine Kupferplatte gebildet. Eine Reihe von druckempfindlichen Bändern (Scotch® MagicTM MP-18 transparentes Band, 3M Corporation) wurde auf Kupferplatten (15 mm breit, 30 mm lang, 1 mm dick) angebracht, wobei ein Zwischenraum von 15 mm zwischen benachbarten Stücken beibehalten wurde. Die leitfähige Paste wurde mit einem Schaber über die Bänder aufgetragen, um den Zwischenraum zwischen diesen mit der leitfähigen Paste zu füllen. Die Bänder wurden abgezogen und hinterließen die aufgebrachte leitfähige Paste in einem Muster von Quadraten mit einer Breite von 10 mm, einer Länge von 10 mm und einer Dicke von 150 μm. Die leitfähige Pastenschicht wurde bei 80°C für 60 Minuten in einem Ofen getrocknet.
  • Ein SiC-Chip (3 mm breit, 3 mm lang, 360 μm dick) wurde auf der leitfähigen Pastenschicht angebracht. Der SiC-Chip wurde mit der Kupferplatte unter Verwendung eines Chip-Bonders (T-3002M, Tresky AG) unter der Heizbedingung von 10 MPa/280°C/1 Minute verbunden.
  • Ein thermischer Zyklustest wurde an dem verbundenen Körper der Kupferplatte und dem so gebildeten SiC-Chip durchgeführt. Für jeden Zyklus wurde der verbundene Körper zuerst 30 Minuten lang bei –55°C und dann 30 Minuten lang bei 175°C mit einer Übergangszeit von 30 Sekunden oder weniger zwischen den Temperaturen ausgesetzt. Der Zyklusvorgang wurde 300-mal wiederholt.
  • Danach wurde ein Ultraschallmikroskop (SAT, Fine SAT200III, Hitachi Power Solutions Co., Ltd.) verwendet, um den Verbindungsbereich für jede Probe, das heißt, den relativen Teil des Chipbereichs, der nach dem thermischen Zyklustest an dem Substrat befestigt blieb, zu bestimmen. Insbesondere wurden die Verbindungsbereiche von Bildern ausgewertet, die mit der Intensität der Reflexion oder Übertragung der Ultraschallwellen erzeugt wurden, die von dem SAT auf den verbundenen Körper auf der Seite des SiC-Chips emittiert wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Der Verbindungsbereich betrug 80% oder mehr für Pasten, bei denen das Metallpulver aus einem Gemisch aus zwei Silberpulvern bestand, wobei das erste einen Partikeldurchmesser von 100 nm und das zweite einen Partikeldurchmesser von entweder 200 nm oder 300 nm aufwies (Beispiele 1 bzw. 2). Ein wesentlich kleinerer Verbindungsbereich wurde für die Vergleichsbeispiele 1 bis 3 beobachtet, die entweder mit einzelnen Silberpulvern mit einem Partikeldurchmesser von 200 nm oder 100 nm (Vergleichsbeispiele 1 bzw. 2) oder einer Mischung von Silberpartikeln mit Durchmessern von 100 nm und 60 nm formuliert wurden. Jedes der Vergleichsbeispiele 1–3 wies eine Verbindungsfläche von 66% oder kleiner auf. Tabelle 1 (Gewichtsteile)
    Vergl.-Beispiel 1 Vergl.-Beispiel 2 Vergl.-Beispiel 3 Beispiel 1 Beispiel 2
    Ag-Pulver (D50) (300 nm) 0 0 0 50 0
    (200 nm) 100 0 0 0 50
    (100 nm) 0 100 50 50 50
    (60 nm) 0 0 50 0 0
    Lösungsmittel 10,5 10,5 10,5 10,5 10,5
    Polymer 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
    Verbindungsbereich (%) 65,5 64,1 45,0 82,7 94,5
  • Beispiele 3–5
  • Die Wirkung des Mischungsverhältnisses des Silberpulvers (erstes Metallpulver) des Partikeldurchmessers von 100 nm und des Silberpulvers (zweites Metallpulver) des Partikeldurchmessers von 200 nm auf die Haftfestigkeit wurde untersucht. Leitfähige Pasten wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1 bis 2 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Mischungsverhältnis des ersten Silbermetallpulvers (Partikeldurchmesser von 100 nm) und des zweiten Silbermetallpulvers (Partikeldurchmesser von 200 nm) variiert wurde, wie in Tabelle 2 gezeigt. Die leitfähige Paste wurde auf die Kupferplatte in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1 bis 2 aufgebracht, mit der Ausnahme, dass Kupferchips anstelle von SiC-Chips verwendet wurden. Die Chips wurden unter Verwendung des gleichen Chip-Bonders verbunden und daraufhin dem gleichen thermischen Zyklustest unterworfen.
  • Die Haftfestigkeit zwischen dem Kupferchip und der Kupferplatte für jedes Beispiel wurde nach dem thermischen Zyklus gemessen. Der Test erfolgte gemäß einem Standard-Chip-Schertestverfahren (MIL STD-883) unter Verwendung eines Bond-Testers (4000 Plus, Nordson Advanced Technology Co., Ltd.). Die Haftfestigkeit wurde als die Stärke definiert, als der Kupferchip durch den Bond-Tester abgezogen wurde.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Die Haftfestigkeit betrug 28 MPa oder mehr für alle getesteten Mischungsverhältnisse. Tabelle 2 (Gewichtsteile)
    Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 5
    Ag-Pulver (D50) (200 nm) 50 33 67
    (100 nm) 50 67 33
    Lösungsmittel 10,5 10,5 10,5
    Polymer 0,4 0,4 0,4
    Haftfestigkeit (MPa) 39,8 28,0 30,4
  • Beispiele 6–8
  • Als nächstes wurde die Wirkung der Änderung der Menge des Metallpulvers in der Pastenzusammensetzung untersucht. Leitfähige Pasten wurden in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1 bis 5 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Gesamtmenge des Metallpulvers im Verhältnis zu dem Lösungsmittel und dem Polymer verändert wurde, wie in Tabelle 3 gezeigt. Für jedes Beispiel enthielt das Silberpulver gleiche Gewichte von Silberpartikeln mit Partikeldurchmessern (D50) von 100 nm und 200 nm.
  • Kupferchips wurden wieder mit einem Kupferplattensubstrat unter Verwendung desselben Chip-Bonders wie zuvor verbunden, thermisch zykliert und daraufhin getestet, um den Verbindungsbereich unter Verwendung des SAT-Ultraschallmikroskops in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1 bis 2 zu bestimmen. Der Verbindungsbereich betrug 77% oder mehr, wenn das Metallpulver 85,3 Gew.-%, 86,6 Gew.-% und 87,8 Gew.-% (Beispiel 6 bis 8) betrug. Tabelle 3 (Gew.-%)
    Beispiel 6 Beispiel 7 Beispiel 8
    Ag-Pulver* 85,3 86,6 87,8
    Lösungsmittel 13,7 12,6 11,5
    Polymer 1,0 0,8 0,7
    Verbindungsbereich (%) 77 87 95
    * Das Ag-Pulver enthielt gleiche Gewichtsanteile von Partikeln mit D50 von 100 nm und 200 nm.
  • Beispiele 9–10
  • Eine leitfähige Paste wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer dass die Art des Metallpulvers geändert wurde, wie in Tabelle 4 gezeigt. Der Kupferchip wurde mit der leitfähigen Paste mit der Kupferplatte verbunden und die Haftfestigkeit wurde gemessen. Das Verbindungsverfahren war das gleiche wie in Beispiel 3, mit der Ausnahme, dass die Heizbedingung 10 MPa/250°C/10 Minuten betrug. Das Messverfahren der Haftfestigkeit war das gleiche wie in Beispiel 3. Das Ergebnis ist in Tabelle 4 gezeigt. Die Haftfestigkeit betrug 56 MPa oder mehr, wenn das Mischungsverhältnis des Silberpulvers mit einem Partikeldurchmesser von 200 nm und des Silberpulvers mit einem Partikeldurchmesser von 60 nm 68:32 betrug (Beispiel 9) und wenn das Mischungsverhältnis des Silberpulvers mit einem Partikeldurchmesser von 200 nm, des Silberpulvers mit einem Partikeldurchmesser von 100 nm und des Silberpulvers mit einem Partikeldurchmesser von 60 nm 67:17:16 betrug (Beispiel 10). Tabelle 4 (Gewichtsteile)
    Beispiel 9 Beispiel 10
    Ag-Pulver (D50) (200 nm) 68 67
    (100 nm) 0 17
    (60 nm) 32 16
    Lösungsmittel 14 13
    Polymer 0,4 0,4
    Haftfestigkeit (MPa) 65,5 56,6
  • Nachdem die Erfindung in näheren Einzelheiten beschrieben worden ist, versteht es sich, dass dieses Detail nicht strikt eingehalten werden muss, sondern dass weitere Änderungen und Modifikationen für Fachleute ersichtlich sein können, die alle in den Umfang der Erfindung fallen, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.
  • Zum Beispiel werden Fachleute erkennen, dass die Wahl der Rohstoffe unabsichtlich Verunreinigungen enthalten könnte, die während der Verarbeitung in die Oxidzusammensetzung oder andere Pastenbestandteile aufgenommen werden können.
  • Diese zufälligen Verunreinigungen können im Bereich von Hunderten bis Tausenden von Teilen pro Million vorhanden sein. Verunreinigungen, die gewöhnlich in den hier verwendeten industriellen Materialien vorkommen, sind Fachleuten bekannt.
  • Wenn hierin ein Bereich von numerischen Werten angegeben oder festgelegt wird, umfasst der Bereich die Endpunkte davon und alle einzelnen ganzen Zahlen und Fraktionen innerhalb des Bereichs und umfasst auch jeden der schmaleren Bereiche hierin, die durch alle verschiedenen möglichen Kombinationen dieser Endpunkte sowie interner Ganzzahlen und Fraktionen gebildet werden, um Untergruppen der größeren Wertegruppe innerhalb des angegebenen Bereichs im gleichen Ausmaß zu bilden, als ob jeder dieser schmaleren Bereiche explizit rezitiert wurde. Wenn ein Bereich von Zahlenwerten hierin als größer als ein angegebener Wert angegeben ist, ist der Bereich dennoch endlich und ist an seinem oberen Ende durch einen Wert begrenzt, der im Rahmen der hierin beschriebenen Erfindung wirksam ist. Wenn ein Bereich von Zahlenwerten hierin als kleiner als ein angegebener Wert angegeben ist, ist der Bereich dennoch an seinem unteren Ende durch einen Wert ungleich Null begrenzt. Es ist nicht beabsichtigt, dass der Umfang der Erfindung auf die spezifischen Werte beschränkt ist, die bei der Definition eines Bereichs angegeben sind.
  • In dieser Beschreibung, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben oder durch den Verwendungszweck als Gegenteil angegeben, wenn eine Ausführungsform des Gegenstandes hiervon als umfassend, einschließend, enthaltend, beinhaltend oder bestehend aus bestimmten Merkmalen oder Elementen angegeben ist oder beschrieben ist, können ein oder mehrere Merkmale oder Elemente zusätzlich zu den explizit angegebenen oder beschriebenen in der Ausführungsform vorhanden sein. Eine alternative Ausführungsform des Gegenstandes hiervon kann jedoch dahingehend angegeben oder beschrieben werden, dass sie im Wesentlichen aus bestimmten Merkmalen oder Elementen besteht, wobei in dieser Ausführungsform Merkmale oder Elemente nicht vorhanden sind, die das Funktionsprinzip oder die Unterscheidungsmerkmale der Ausführungsform wesentlich verändern würden. Eine weitere alternative Ausführungsform des Gegenstandes hiervon kann dahingehend angegeben oder beschrieben werden, dass sie im Wesentlichen aus bestimmten Merkmalen oder Elementen besteht, wobei in dieser Ausführungsform oder in unwesentlichen Variationen davon nur die Merkmale oder Elemente, die spezifisch angegeben oder beschrieben sind, vorhanden sind. Darüber hinaus soll der Ausdruck „umfassend” Beispiele umfassen, die in den Ausdrücken „im Wesentlichen bestehend aus” und „bestehend aus” enthalten sind. Ebenso soll der Ausdruck „bestehend im Wesentlichen aus” Beispiele umfassen, die in den Ausdrücken „bestehend aus” enthalten sind.
  • Sofern durch den Kontext der Verwendung nicht ausdrücklich anders oder gegenteilig angegeben, können in dieser Beschreibung Mengen, Größen, Bereiche, Formulierungen, Parameter und andere Mengen und Merkmale, die hierin erwähnt sind, vor allem, wenn sie mit dem Begriff „über” modifiziert sind, exakt sein, sie müssen jedoch nicht exakt sein, und sie können auch annähernd und/oder größer oder kleiner (wie gewünscht) als angegeben sein und Toleranzen, Umrechnungsfaktoren, Abrundungen, Messfehler und dergleichen sowie die Einbeziehung in einen angegebenen Wert von jenen Werten außerhalb desselben reflektieren, die im Rahmen dieser Erfindung eine funktionelle und/oder betriebsfähige Äquivalenz zum angegebenen Wert aufweisen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2016-069710 [0004]

Claims (16)

  1. Leitfähige Paste zum Verbinden, die ein Metallpulver und ein Lösungsmittel umfasst, wobei das Metallpulver ein erstes Metallpulver und ein zweites Metallpulver umfasst, wobei der Partikeldurchmesser (D50) des ersten Metallpulvers 10 bis 150 nm beträgt und der Partikeldurchmesser (D50) des zweiten Metallpulvers 151 bis 500 nm beträgt.
  2. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei der Gesamtgehalt des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers 80 bis 95 Gewichts-% (Gew.-%) und das Lösungsmittel 5 bis 20 Gew.-% beträgt, wobei der Gewichtsprozentwert auf dem Gesamtgewicht der leitfähigen Paste basiert.
  3. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei das erste Metallpulver und das zweite Metallpulver aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Folgendem besteht: Silber, Kupfer, Gold, Palladium, Platin, Rhodium, Nickel, Aluminium, eine Legierung davon und eine Kombination davon.
  4. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei das Mischgewichtsverhältnis des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers (erstes Metallpulver: zweites Metallpulver) 1:10 bis 30:10 beträgt.
  5. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei die leitfähige Paste ferner 0,05 bis 5 Gew.-% % eines Polymers umfasst, wobei der Gewichtsprozentwert auf dem Gesamtgewicht der leitfähigen Paste basiert.
  6. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei der Partikeldurchmesser des zweiten Metallpulvers mindestens 50 nm größer ist als der Partikeldurchmesser des ersten Metallpulvers.
  7. Leitfähige Paste nach Anspruch 1, wobei eine Partikelgrößenverteilung des Metallpulvers multimodal ist.
  8. Leitfähige Paste zum Verbinden, die ein Metallpulver und ein Lösungsmittel umfasst, wobei eine Partikelgrößenverteilung des Metallpulvers multimodal ist.
  9. Leitfähige Paste nach Anspruch 8, wobei die Partikelgrößenverteilung bei einer Ausführungsform einen ersten Modus, der einer Partikelgröße von 10 bis 150 nm entspricht, und einen zweiten Modus, der einer Partikelgröße von 151 bis 500 nm entspricht, umfasst.
  10. Leitfähige Paste nach Anspruch 8, wobei der erste Modus und der zweite Modus Partikelgrößen entsprechen, die sich um mindestens 50 nm unterscheiden.
  11. Leitfähige Paste nach Anspruch 8, wobei der Gesamtgehalt des ersten Metallpulvers und des zweiten Metallpulvers 80 bis 95 Gew.-% und das Lösungsmittel 5 bis 20 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitfähigen Paste beträgt.
  12. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, das folgende Schritte umfasst: Herstellen eines Substrats, das eine elektrisch leitfähige Schicht umfasst; Aufbringen der leitfähigen Paste nach Anspruch 1 auf die elektrisch leitfähige Schicht; Befestigen einer elektrischen Komponente auf der aufgebrachten leitfähigen Paste; Erhitzen der leitfähigen Paste zur Verbindung der elektrisch leitfähigen Schicht und der elektrischen Komponente.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die elektrische Komponente ein Halbleiterchip ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die elektronische Komponente eine Plattierungsschicht umfasst, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Nickel, Gold und Legierungen davon besteht.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Verfahren ferner den Schritt des Trocknens bei 40 bis 150°C nach dem Aufbringen der leitfähigen Paste auf die elektrisch leitfähige Schicht und vor dem Befestigen der elektronischen Komponente auf der aufgebrachten leitfähigen Paste umfasst.
  16. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, das folgende Schritte umfasst: Herstellen eines Substrats, das eine elektrisch leitfähige Schicht umfasst; Aufbringen der leitfähigen Paste nach Anspruch 8 auf die elektrisch leitfähige Schicht; Befestigen einer elektrischen Komponente auf der aufgebrachten leitfähigen Paste; Erhitzen der leitfähigen Paste zur Verbindung der elektrisch leitfähigen Schicht und der elektrischen Komponente.
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