DE102016211479A1 - Leistungsmodul - Google Patents
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Abstract
Das Leistungsmodul umfasst zumindest einen Komponententräger und mindestens eine erste elektrische Komponente. Komponententräger und Komponenten sind mit miteinander, ein Spritzgussteil bildend, spritzvergossen.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul.
- Bei Leistungsmodulen bildet die Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) von Leistungsbauteilen ein wichtiges Gebiet aktiver Entwicklung. Wesentlich sind hier zwei technische Herausforderungen: Zum Einen muss die AVT eine gute Wärmeabfuhr zur Entwärmung der Leistungsbauteile gewährleisten und zum Anderen müssen die Bauteile zur Reduktion von Schaltüberspannungen möglichst niederinduktiv miteinander verbunden werden.
- Gegenwärtig ist aber zum einen die Flexibilität der elektrischen Verschaltung der Bauelemente sehr eingeschränkt. Diese eingeschränkte Flexibilität bildet einen Engpass für die erzielbare Leistung insbesondere immer schneller schaltender Leistungsbauteile, etwa von Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern (WBG-Leistungshalbleitern). Insbesondere sind die Schaltvorgänge nicht effizient und die Parallelschaltung von mehreren Chips begrenzt die Maximalleistung.
- Ferner ist die AVT gegenwärtig nicht hinreichend temperaturstabil. WBG-Leistungshalbleiter weisen (verglichen mit Siliziumschaltern) eine viele höhere Betriebstemperatur auf. Die Betriebstemperatur von Leistungsmodulen wird somit durch die AVT und nicht durch die Leistungshalbeiter nach oben begrenzt. Das Potential der Leistungsbauteile wird folglich nicht voll genutzt.
- Ein modularer Ansatz und eine breite Skalierbarkeit zur Erreichung von z.B. hohen Stromdichten sind für Kundensysteme nicht verfügbar. WBG-Hochspannungsmodule Module mit Betriebsspannungen zwischen 3,3 kV und 10kV sind zudem noch nicht hinreichend isolationsfest.
- Es ist bekannt, Leistungsmodule im unteren Leistungsbereich ohne große parasitäre Induktivitäten mit Leiterplatten (PCB-Modulen) auszubilden.
- Im hohen Leistungsbereich hingegen kommen Leistungsmodule auf DCB-Basis (DCB = (engl.) „Direct Copper Bonded“) mit Silikonguss zum Einsatz. Solche Leistungsmodule sind jedoch nachteilig wenig flexibel hinsichtlich der elektrischen Verschaltung der Bauelemente des Leistungsmoduls. Insbesondere sind Bonddrähte und/oder lange Pins erforderlich, welche regelmäßig hohe parasitäre Induktivitäten und somit hohe Schaltüberspannungen bedingen. Insbesondere die hohen Induktivitäten sind problematisch: Daher wird die Betriebsspannung eines 1200-V-SiC-Chips auf etwa 800 V reduziert, obgleich höhere Spannungen im Zwischenkreis erwünscht sind.
- Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein vor dem Hintergrund des vorgenannten Standes der Technik verbessertes Leistungsmodul zu schaffen. Insbesondere soll das Leistungsmodul effizient betreibbar und hinreichend entwärmbar sein. Ferner soll das erfindungsgemäße Leistungsmodul vorzugsweise kostengünstig und zuverlässig sein.
- Diese Aufgabe der Erfindung wird mit einem Leistungsmodul mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den zugehörigen Unteransprüchen, der nachfolgenden Beschreibung und der Zeichnung angegeben.
- Das erfindungsgemäße Leistungsmodul ist mit zumindest einem Komponententräger und mit zumindest einer ersten elektrischen Komponente gebildet. Komponententräger und Komponente sind miteinander, ein Spritzgussteil bildend, spritzvergossen.
- Es versteht sich, dass erfindungsgemäß der Komponententräger entweder als separates Einlegeteil in das Spritzgussteil eingegossen oder angegossen sein kann. Alternativ oder zusätzlich kann der zumindest eine Komponententräger auch selbst spritzgegossen sein oder zumindest als Teil des Spritzgussteils spritzgegossen sein. Beide vorgenannte Fälle sollen unter der Wendung „Komponententräger und Komponente sind miteinander spritzvergossen“ gleichermaßen mitumfasst sein.
- Erfindungsgemäß ist mittels des Spritzgussteils der Funktionsumfang des Vergusses des Leistungsmoduls erheblich ausgeweitet, sodass eine höhere Flexibilität der elektrischen Verbindungen, eine Erhöhung der Zuverlässigkeit und eine Absenkung der Produktionskosten erzielbar ist:
Die elektrische Verschaltung kann erfindungsgemäß deutlich flexibler als bislang bekannt ausgelegt werden. Entsprechend lassen sich Kommutierungsinduktivitäten minimieren. Dies bedingt geringe Schaltüberspannungen und folglich eine bessere Ausnutzung der Leistungsbauteile. Schaltverlustleistungen lassen sich entsprechend verringern, sodass eine höhere Effizienz erreicht wird. - Zweckmäßig ist die elektrische Komponente oder sind die Komponenten eine oder mehrere der nachfolgend genannten Komponenten: Leistungsbauteil, Leiterrahmen, Substrat, insbesondere DCB- und/oder PCB-Substrat und/oder mit keramischem Material und/oder organischem Material gebildetes Substrat.
- Vorteilhaft ist erfindungsgemäß kein Silikongel erforderlich. Folglich besteht auch im Fehlerfall kein Risiko einer Silikon-Kontamination.
- Weiterhin vorteilhaft können weitere zusätzliche Komponenten direkt ins Leistungsmodul eingebracht sind, indem sie gemeinsam mit dem Spritzgussteil vergossen sind. Insbesondere Komponenten, welche Zusatzfunktionen bereitstellen, etwa Temperaturmessung oder Monitoring, können im Spritzgussteil mit geringem Aufwand und kostengünstig eingebettet sein.
- Insbesondere können beim erfindungsgemäßen Leistungsmodul Einbettungstechniken eingesetzt sein, welche eine direkte Integration von Komponenten in die Verschaltungsbereiche ermöglichen, insbesondere direkt in eine gedruckte Schaltung, zweckmäßig ein PCB (PCB = (engl.) „printed circuit board“).
- Erfindungsgemäß kann der Komponententräger eine breite Auswahl von Substraten umfassen: So können als Substrate sowohl anorganische als auch organische Substrate vorhanden sein.
- Besonders vorteilhaft kann eine elektrische Verbindungstechnik auch mittels flexibler gedruckter Schaltungen erfolgen, da miteinander vergossene Komponenten und Komponententräger des Leistungsmoduls grundsätzlich keinen entgegenstehenden geometrischen Beschränkungen unterliegen.
- Vorteilhaft ist das erfindungsgemäße Leistungsmodul sehr robust ausgebildet. Das Spritzgussteil kapselt die zumindest eine Komponente zumindest teil- oder bereichsweise dicht, vorzugsweise fluiddicht, ein oder ab. Auf diese Weise ist das erfindungsgemäße Leistungsmodul kaum anfällig gegenüber externen Einflüssen und insbesondere zum Einsatz im Freien ausgebildet.
- Das erfindungsgemäße Leistungsmodul kann mit hochzuverlässigem und hochisolierendem (insbesondere mit einer Durchschlagsfestigkeit von mehr als 150 kV/mm), vorzugsweise mit hochtemperaturfestem, Isolationsmaterial, insbesondere temperaturfest gegenüber Temperaturen von mehr als 200 °C, versehen sein, indem das Spritzgussteil mit einem solchen Isolationsmaterial gebildet ist.
- In einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls sind mit dem Spritzgussteil zusätzlich eine oder mehrere weitere der nachfolgend genannten Komponenten spritzvergossen: Leistungsbauteil, Leiterrahmen, Substrat, insbesondere DCB- und/oder PCB-Substrat und/oder mit keramischem Material und/oder organischem Material gebildetes Substrat.
- Infolge des Spritzvergusses des Komponententrägers, insbesondere eines Substrats, zweckmäßig eines DCB-Substrats, lassen sich sämtliche weitere Bauteile und Verbindungsleiter des Leistungsmoduls beim Spritzgiessen in einem einzigen Prozessschritt mit eingiessen. Erfindungsgemäß lassen sich insbesondere die Aufbau- und Verbindungstechnik mechanisch fixieren und alle Freiräume mit dem Spritzgussmaterial blasenfrei mit, insbesondere hochisolierendem, Material in einem Schritt auffüllen. Das Material ersetzt somit das Silikongel und übernimmt dessen Aufgaben, d.h. den Schutz vor Verschmutzung sowie eine hohe Kriechstromfestigkeit.
- Zweckmäßig sind flächige, planare Verbindungsleiter und/oder Bonddrähte als elektrische Leitungsverbindungen vorhanden. Auf diese Weise ist mittels des Spritzgussteils eine stabile mechanische Integration von thermischen und elektrischen Schnittstellen kostengünstig realisiert.
- Vorzugsweise bildet bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul das Spritzgussteil ein Gehäuse, insbesondere eine Einhausung, des Leistungsmoduls.
- Die Gestaltung der Gehäusebauform kann erfindungsgemäß sehr flexibel an die benötigten Anforderungen angepasst sein. Durch die freie Formgebung des Gehäuses können nun weitere Elemente der Schaltung als Einlegeteile oder als kompletter Leiterrahmen in das Gehäuse eingelassen sein.
- Besonders vorteilhaft können Komponenten, insbesondere Leistungsbauteile, in mehrlagigen Ebenen angeordnet sein. Der erfindungsgemäß mögliche flexible Aufbau erlaubt folglich einen besonders kostengünstigen mehrlagigen Aufbau.
- Bevorzugt grenzt bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul zumindest ein Bereich zumindest der ersten Komponente nicht an das Spritzgussteil an. Dabei ist an diesem Bereich mindestens eine Leiterbahn angeordnet, insbesondere aufgebracht oder geschichtet.
- Insbesondere kann das Spritzgussteil derart gestaltet sein, dass Kontaktbereiche auf dem Substrat und/oder an Leistungsbauteilen und/oder übrigen Komponenten beim Spritzgießen ausgespart sind und in einem zweiten Schritt über aufgebrachtes Kupfer miteinander verschaltbar sind oder verschaltet sind. Vorzugsweise sind durch das Spritzgussteil ausgesparte Kontaktbereiche mittels Kontakten ankontaktiert, insbesondere mittels Federkontakten.
- Zweckmäßig bildet bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul das Spritzgussteil einen mehrlagigen Komponententräger oder das Leistungsmodul weist einen mehrlagigen Komponententräger auf.
- Das Leistungsmodul weist vorzugsweise mehrere Spritzgussteile auf, die zusammenwirkend einen mehrlagigen Komponententräger bilden.
- Besonders bevorzugt sind bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul mehrlagige Substrate vorhanden. Mittels des Spritzgussteils kann auch bei mehrlagigen Substraten eine hinreichende Entwärmung erfolgen, sofern das Spritzgussmaterial des Spritzgussteils eine hinreichend hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist. Eine Einschränkung auf eine bestimmte Leistungsklasse des Leistungsmoduls ist infolge der hinreichenden Entwärmung nicht erforderlich.
- In einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls ist dieses zumindest mit einem Material spritzvergossen, welches eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, die höher als die Wärmeleitfähigkeit von Silikon ist.
- Vorzugsweise beträgt die Wärmeleitfähigkeit mindestens das Dreifache, vorzugsweise mindestens das Zehnfache und idealerweise mindestens das Dreißigfache von Silikon. Besonders bevorzugt ist das Spritzgussteil mit wärmeleitendem Kunststoff gebildet. Der wärmeleitende Kunststoff ist zweckmäßig wie an sich bekannt mittels Füllstoffen gebildet, welche aufgrund ihrer wärmeleitenden Eigenschaften dem Gesamtverbund aus Kunststoff und Füllstoffen wärmeleitende Eigenschaften verleihen. Als Füllstoffe können keramische und/oder metallische und/oder organische Füllstoffe vorhanden sein.
- In dieser Weiterbildung der Erfindung ergibt sich eine im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsmodulen deutlich verbesserte Wärmeabfuhr. Dies ist vor allem für Lastanschlüsse des Leistungsmoduls relevant, da diese bisher nur schlecht oder überhaupt nicht entwärmt werden können.
- Zugleich können in dieser Weiterbildung der Erfindung auch Leistungsbauteile des Leistungsmoduls mittels des Spritzgussmaterials sehr effizient entwärmt werden. Dies ermöglicht eine hohe Leistungsdichte sowie ein hohes Leistungsvolumen. Folglich ist ein effizienter Betrieb des Leistungsmoduls und somit eine hohe Ausnutzung von neuartigen Leistungsbauteilen, insbesondere WBG-Bauelementen, etwa mittels GaN und/oder SiC gebildeten WBG-Bauelementen, möglich.
- Geeigneterweise weist bei dem Leistungsmodul gemäß der Erfindung das Spritzgussteil Kühlkanäle für ein Kühlfluid auf. Erfindungsgemäß können die Kühlkanäle besonders einfach ausgebildet sein, da sie einfach beim Spritzgießen gespritzt sein können. Insbesondere sind Kühlfinnen als Kühlkanäle leicht realisierbar. Auf diese Weise ist ein separater Fertigungsschritt zur Ausbildung von Kühlkanälen beim erfindungsgemäßen Leistungsmodul entbehrlich. Das erfindungsgemäße Leistungsmodul lässt sich somit äußerst kostengünstig fertigen. Zweckmäßig kann auf eine aufwendige Wasserkühlung verzichtet werden. Die Entwärmung kann allein mittels Konvektionskühlung erfolgen.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
- Es zeigen:
-
1 ein herkömmliches Leistungsmodul in Drahtbondtechnologie schematisch im Querschnitt, -
2 ein herkömmliches Leistungsmodul mit herkömmlicher planarer Verbindungstechnologie schematisch im Querschnitt, -
3 ein erfindungsgemäßes Leistungsmodul in Drahtbondtechnologie schematisch im Querschnitt, -
4 einen Teil eines weiteres erfindungsgemäßes Leistungsmoduls mit planarer Verbindungstechnologie schematisch im Querschnitt, -
5 das Leistungsmodul gem.4 in schematisch in einer perspektivischen Darstellung sowie -
6 eine Weiterbildung des Leistungsmoduls gem.5 in einer perspektivischen Darstellung. - Das in
1 dargestellte Leistungsmodul5 entspricht dem Stand der Technik und umfasst eine Bodenplatte10 , welche einen Komponententräger bildet. Von der Bodenplatte10 strecken sich Gehäusewände20 fort, welche zusammenwirkend mit der Bodenplatte10 ein Gehäuse bilden. - Auf einem zwischen den Gehäusewänden
20 liegenden Bereich ist auf die Bodenplatte10 eine Isolierschicht30 aufgetragen, welche flächige Kupferkaschierungen40 aufweist. Auf die Kupferkaschierungen40 sind an ihren, der Isolierschicht abgewandten, flächigen Seiten Leistungshalbleiter50 angeordnet, welche in an sich bekannter Weise mittels Bonddrähten60 an Anschlusspins70 sowie an einen Leistungsanschluss80 elektrisch angebunden sind. Die Anschlusspins70 und der Leistungsanschluss80 sind ebenfalls auf den der Isolierschicht30 abgewandten flächigen Seiten der Kupferkaschierungen40 angeordnet. - Die Isolierschicht
30 mit den Kupferkaschierungen40 und den Leistungshalbleitern50 sowie den Bonddrähten60 und den Anschlusspins70 und dem Leistungsanschluss80 ist im zwischen den Gehäusewänden20 liegenden Bereich in an sich bekannter Weise mit Silikon90 ausgegossen. - Das in
2 dargestellte herkömmliche Leistungsmodul100 umfasst ebenfalls eine Bodenplatte10 mit Gehäusewänden20 , eine Isolierschicht30 mit Kupferkaschierungen40 und darauf aufgebrachten Leistungshalbleitern50 und Anschlusspins70 . - Im Unterschied zum vorhergehend anhand von
1 beschriebenen Leistungsmodul5 ist bei dem Leistungsmodul100 gem.2 an die Kupferkaschierungen40 und Leistungsbauteile50 eine strukturierte Isolierung110 abgeschieden. Die Isolierung110 ist dabei wenige 100 Mikrometer dick. Strukturiert ist die Isolierung110 derart, dass die Isolierung110 an Kontaktflächenbereichen der Kupferkaschierungen40 und der Leistungsbauteile50 ausgespart ist. - Die Isolierung
110 sowie die ausgesparten Kontaktflächenbereiche sind ihrerseits jeweils mit einer dünnen Kupferschicht120 kaschiert. Die kaschierte Kupferschicht120 ist – wie die Kupferkaschierungen40 – in an sich bekannter Weise, beispielsweise mittels eines Additivverfahrens, aufgebracht. - Die vorgenannten Bestandteile des Leistungsmoduls
100 sind wie bei dem Leistungsmodul gem.1 begrenzt durch die Seitenwände20 mit Silikon90 vergossen. - Das in
3 dargestellte erfindungsgemäße Leistungsmodul200 weist wie das zuvor anhand von1 beschriebene Leistungsmodul5 eine Bodenplatte10 , eine Isolierschicht30 , an der Isolierschicht30 angeordnete Kupferkaschierungen40 sowie Leistungsbauteile50 , Bonddrähte60 und Anschlusspins70 auf. - Im Unterschied zum in
1 dargestellten Leistungsmodul5 sind bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul200 die Anschlusspins70 allerdings nicht lediglich an Kupferkaschierungen40 angeordnet, sondern die Anschlusspins70 bilden vielmehr jeweils einen Verbindungssteg von jeweils zwei sich flächig und in ihren flächigen Erstreckungsrichtungen zueinander parallel erstreckenden Flachkontakten, bei welchem einer der Flachkontakte der Kupferkaschierung40 an der Isolierschicht30 vollflächig anliegt und mittels Bonddrähten60 kontaktiert ist. Der übrige Flachkontakt205 streckt sich mittels des Verbindungsstegs von der Bodenplatte10 fort und erstreckt sich mit seinen flächigen Erstreckungsrichtungen parallel zur Oberfläche der Isolierschicht30 . Dieser übrige Flachkontakt205 dient der externen elektrischen Kontaktierung des Leistungsmoduls200 . Flachkontakte und Verbindungssteg bilden gemeinsam einstückige Kupferschienen210 . - Ferner sind auch an der Bodenplatte abgewandten Flachseiten der Leistungsbauteile
50 solche Kupferschienen210 angeordnet. Die jeweils der Isolierschicht30 fernen Flachkontakte205 sowie die jeweils den Leistungsbauteilen fernen Flachkontakte205 der Kupferschienen210 sind dabei mit ihren flächigen Erstreckungsrichtungen jeweils bereichsweise in gemeinsamen Ebenen220 ,230 angeordnet. - Das Gehäuse des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls
200 ist nun derart gebildet, dass der sich zwischen Bodenplatte10 und den Ebenen220 ,230 erstreckende Freiraum mittels Spritzguss, im gezeigten Ausführungsbeispiel vollständig, gefüllt ist. Das so gebildete Spritzgussteil250 bildet folglich ein Gehäuse des Leistungsmoduls200 , welches an seiner Außenseite mit den der Bodenplatte10 fernen Flachkontakten205 der Kupferschienen210 bündig abschließt. Das Gehäuse ist somit mittels eines Spritzgussteils250 gebildet, in welchem die übrigen funktionalen Komponenten des Leistungsmoduls200 eingebettet sind. - Das Spritzgussteil
250 ist mit einem wärmeleitenden Kunststoff gebildet, welcher seine wärmeleitenden Eigenschaften aufgrund eingebrachter wärmeleitender Füllstoffe erhält. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind keramische Füllstoffe (nicht eigens in den Figuren gezeigt) in den Kunststoff eingebracht. In weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispielen ist der Kunststoff alternativ oder zusätzlich mit metallischen und/oder organischen Füllstoffen versetzt. - Die elektrische Kontaktierung der bündig mit dem Spritzgussteil
250 abschließenden Flachkontakte205 des Leistungsmoduls200 erfolgt mittels eines an das Spritzgussteil250 angelegten Leiterrahmens300 , welcher als Flachteil ausgebildet ist. - Bei einem weiteren in
4 gezeigten erfindungsgemäßen Leistungsmodul300 ist wie in den zuvor beschriebenen Leistungsmodulen5 ,100 ,200 eine Bodenplatte10 , eine Isolierschicht30 mit Kupferkaschierungen40 und darauf aufgebrachten Leistungshalbleitern50 und mit Anschlusspins70 vorhanden. - Ähnlich wie bei dem in
2 dargestellten Leistungsmodul100 ist bei dem weiteren erfindungsgemäßen Leistungsmodul300 gem.4 an die Kupferkaschierungen40 und Leistungsbauteile50 – abgesehen von an jeweils der Bodenplatte10 abgewandten Kontaktflächenbereichen – eine strukturierte Isolierung110 abgeschieden. - Die Isolierung
110 sowie die Kontaktflächenbereiche sind jeweils mit einer wenige 100 Mikrometer dünnen Kupferschicht320 zur elektrischen Kontaktierung kaschiert. - Die kaschierte Kupferschicht
320 ist in an sich bekannter Weise, beispielsweise mittels eines Additivverfahrens, aufgebracht. - Das Gehäuse des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls
300 ist wie im in3 gezeigten Ausführungsbeispiel derart gebildet, dass der sich zwischen Bodenplatte10 und den der Bodenplatte fernen Flachkontakten205 erstreckende Freiraum mittels Spritzguss zumindest teilweise, vorzugsweise vollständig, gefüllt ist. Das Gehäuse ist somit mittels eines Spritzgussteils250 gebildet, in welchem die übrigen funktionalen Komponenten des Leistungsmoduls300 eingebettet sind. Dabei besteht das Spritzgussteil250 wie anhand von3 beschrieben im Inneren aus einem wärmeleitenden Kunststoff. - Das Spritzgussteil
250 weist wie in5 gezeigt Kühlfinnen380 zur Kühlung des Leistungsmoduls300 auf, welche sich senkrecht zur Bodenplatte10 orientiert von dieser in der Art fortstrecken. Während das Spritzgussteil250 im Inneren mit dem wärmeleitenden Kunststoff gebildet ist, ist äußerlich noch zusätzlich eine witterungsbeständige Deckschicht385 an den wärmeleitenden Kunststoff angespritzt. Die witterungsbeständige Deckschicht385 dient lediglich zur weiteren Verlängerung der Lebensdauer des Leistungsmoduls300 im Außeneinsatz und ist in weiteren Ausführungsbeispielen erfindungsgemäß grundsätzlich verzichtbar. - Zusätzlich kann das Spritzgussteil
250 wie in6 gezeigt mit Ausnehmungen400 versehen sein, in welche eine Kühlfluidleitung in der Art einer Kühlschlange einlegbar ist. Dazu sind die Kühlfinnen390 im Unterschied zum zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel nicht als Teil des Spritzgussteils250 ausgebildet. Vielmehr sind die Kühlfinnen gem.6 beiderseits der Bodenplatte10 zweckmäßig separat jeweils an eigene Finnenanschlussteile410 ,420 ausgebildet. An diesen Finnenanschlussteilen410 ,420 strecken sich die Kühlfinnen390 senkrecht fort und sind zueinander in rechten Winkeln angeordnet. Die Finnenanschlussteile410 ,420 bilden gemeinsam mit einer mittels des Spritzgussteils250 gebildeten Umhausung der elektronischen Komponenten die Ausnehmungen400 .
Claims (11)
- Leistungsmodul (
200 ,300 ) mit zumindest einem Komponententräger (250 ) und mit zumindest einer ersten elektrischen Komponente (50 ), welche miteinander, ein Spritzgussteil (250 ) bildend, spritzvergossen sind. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der das Spritzgussteil (
250 ) mindestens einen Teil eines Komponententrägers (250 ) bildet. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem mit dem Spritzgussteil (
250 ) zusätzlich eine oder mehrere weitere der nachfolgend genannten Komponenten spritzvergossen sind: Leistungsbauteil (50 ), Leiterrahmen, Substrat, insbesondere DCB- und/oder PCB-Substrat und/oder mit keramischem Material und/oder organischem Material gebildetes Substrat. - Leistungsmodul nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Spritzgussteil (
250 ) ein Gehäuse, insbesondere eine Einhausung, des Leistungsmoduls (200 ,300 ) bildet. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem zumindest ein Bereich zumindest der ersten Komponente (
50 ) nicht an das Spritzgussteil (250 ) angrenzt und an diesem Bereich mindestens eine Leiterbahn (320 ) angeordnet, insbesondere aufgebracht oder geschichtet, ist. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Spritzgussteil (
250 ) einen mehrlagigen Komponententräger bildet oder aufweist. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welches mehrere Spritzgussteile aufweist, die zusammenwirkend einen mehrlagigen Komponententräger bilden.
- Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welches zumindest mit einem Material spritzvergossen ist, welches eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, die höher als die Wärmeleitfähigkeit von Silikon ist.
- Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Spritzgussteil Kühlkanäle aufweist.
- Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Spritzgussteil (
250 ) eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, welche mindestens das Dreifache, vorzugsweise mindestens das Zehnfache und idealerweise mindestens das Dreißigfache von Silikon aufweist. - Leistungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem das Spritzgussteil (
250 ) mit wärmeleitendem Kunststoff gebildet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016211479.4A DE102016211479A1 (de) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Leistungsmodul |
PCT/EP2017/065511 WO2018001883A1 (de) | 2016-06-27 | 2017-06-23 | Leistungsmodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016211479.4A DE102016211479A1 (de) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Leistungsmodul |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016211479A1 true DE102016211479A1 (de) | 2017-12-28 |
Family
ID=59276709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016211479.4A Withdrawn DE102016211479A1 (de) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Leistungsmodul |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102016211479A1 (de) |
WO (1) | WO2018001883A1 (de) |
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