DE102016111144A1 - Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102016111144A1
DE102016111144A1 DE102016111144.9A DE102016111144A DE102016111144A1 DE 102016111144 A1 DE102016111144 A1 DE 102016111144A1 DE 102016111144 A DE102016111144 A DE 102016111144A DE 102016111144 A1 DE102016111144 A1 DE 102016111144A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
components
component
marking
width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102016111144.9A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016111144B4 (de
Inventor
Peter Mikos
Peter Gerletz
Axel Pecina
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE102016111144.9A priority Critical patent/DE102016111144B4/de
Priority to PCT/EP2017/062267 priority patent/WO2017215889A1/de
Publication of DE102016111144A1 publication Critical patent/DE102016111144A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016111144B4 publication Critical patent/DE102016111144B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/08Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/085Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
    • H10N30/088Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen (1), aufweisend die Schritte: Fertigen eines Wafers (2), der eine Vielzahl von Bauelementen (1) aufweist, Erzeugen einer Markierung (5) der Oberseite (3) des Wafers (2), die es ermöglicht nach einer Vereinzelung des Wafers (2) eine Oberseite (103) der Bauelemente (1) von einer Unterseite (104) der Bauelemente (1) zu unterscheiden, und Vereinzeln des Wafers (2) in die Vielzahl von Bauelementen (1). Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Bauelement (1).

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen sowie ein Bauelement.
  • Bei der Herstellung von Bauelementen ist es üblich, diese in einem Wafer-Verfahren zu fertigen. Dabei wird eine Vielzahl von Bauelementen zunächst in einem einzigen Wafer in einem Verbund gefertigt.
  • Insbesondere bei bipolaren Bauelementen kann es erforderlich sein, eine Kennzeichnung zur optischen Erkennbarkeit einer Polarisationsrichtung auf jedem der Bauelemente aufzubringen. Bei Bauelemente, die in einem Wafer-Verbund hergestellt werden, ist es üblich, diese Kennzeichnung nach der Vereinzelung des Wafers seitlich auf dem jeweiligen Bauelement aufzubringen. Die Seitenflächen der Bauelemente sind im Wafer-Verbund nicht frei zugänglich, sondern werden durch die jeweils benachbarten Bauelemente bedeckt. Daher müssen die Bauelemente für die Aufbringung der Kennzeichnung in Einzelhandhabung bearbeitet werden. Aus diesem Grund ist das Aufbringen der Kennzeichnungen sehr aufwändig.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nunmehr, ein Verfahren bereitzustellen, das es ermöglicht, Bauelemente, die in einem Waferverbund gefertigt werden, einfacher zu kennzeichnen. Eine weitere Aufgabe ist es, ein vorteilhaftes Bauelement anzugeben.
  • Die oben genannte Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem vorliegenden Anspruch 1 gelöst. Die weitere Aufgabe wird durch ein Bauelement gemäß dem zweiten unabhängigen Anspruch gelöst.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen vorgeschlagen, das die folgenden Schritte aufweist:
    • – Fertigen eines Wafers, der eine Vielzahl von Bauelementen aufweist,
    • – Erzeugen einer Markierung der Oberseite des Wafers, die es ermöglicht, nach einer Vereinzelung des Wafers eine Oberseite der Bauelemente von einer Unterseite der Bauelemente zu unterscheiden, und
    • – Vereinzeln des Wafers in die Vielzahl von Bauelementen.
  • Dieses Verfahren ermöglicht es, eine Vielzahl von Bauelementen in einem einzigen Schritt zu markieren, indem die Markierung aufgebracht wird, während die Bauelemente in dem Wafer miteinander verbunden sind. Dadurch, dass die Markierung auf der Oberseite des Wafers aufgebracht wird, ist es in einfacher Weise möglich, die Markierung vor der Vereinzelung aufzubringen, da die Oberseite des Wafers – im Gegensatz zu den Seitenflächen der Bauelemente – auch vor der Vereinzelung des Wafers gut zugänglich ist.
  • Die Bauelemente können im Wesentlichen quaderförmig sein. Dementsprechend können die Bauelemente jeweils vier Seitenflächen, eine Oberseite und eine Unterseite aufweisen, wobei die Oberseite und die Unterseite einander gegenüberliegen. Sind die Bauelemente in dem Wafer angeordnet, so liegen die Seitenflächen zweier benachbarter Bauelemente jeweils unmittelbar aneinander an. Die Oberseiten und die Unterseiten der Bauelemente sind dagegen frei zugänglich.
  • Die Markierung der Oberseite des Wafers kann insbesondere derart erzeugt werden, dass nach dem Vereinzeln des Wafers jedes der Bauelemente zumindest eine Markierung aufweist, die es ermöglicht, die Oberseite des jeweiligen Bauelementes von der Unterseite des Bauelements zu unterscheiden.
  • Das Verfahren ermöglicht somit eine vereinfachte Prozessierung, die sich insbesondere durch das Aufbringen der Markierung vor der Vereinzelung ergibt. Auf diese Weise können sämtliche Bauelemente in einem einzigen Verfahrensschritt markiert werden. Auf eine Einzelhandhabung zur Markierung der Bauelemente kann verzichtet werden.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt kann der Wafer polarisiert werden, wobei dieser Schritt vor der Vereinzelung des Wafers durchgeführt wird. Insbesondere bei polarisierten Bauelementen ist es vorteilhaft, die Oberseiten der jeweiligen Bauelemente zu markieren. Die Markierung kann dabei dazu dienen, die Polarisationsrichtung anzugeben. Die Polarisationsrichtung kann von der Oberseite der Bauelemente zu der Unterseite der Bauelemente weisen oder umgekehrt ausgerichtet sein.
  • Die Markierung der Oberseite des Wafers kann derart erzeugt werden, dass die Oberseiten der Bauelemente sich in ihrer Form von den Unterseiten der Bauelemente unterscheiden. Die Oberseite des Wafers kann sich somit geometrisch von der Unterseite des Wafers unterschieden. Eine solche Markierung kann es ermöglichen, die Bauelemente in einem automatisierten Verfahren zu orientieren, da eine solche abweichende Form von einer marktüblichen Sortiervorrichtung erkannt werden kann. Dementsprechend kann in einem vollautomatisierten Verfahren maschinell bestimmt werden, welche Seite die Oberseite darstellt und welche Seite die Unterseite darstellt.
  • Die Markierung auf der Oberseite des Wafers kann durch Einschnitte erzeugt werden, die in die Oberseite des Wafers einschneiden und den Wafer nicht vollständig durchdringen. Die Einschnitte können dabei eine Tiefe aufweisen, die zwischen 1 % und 10 % der Dicke des Wafers liegt. Dabei kann als Dicke des Wafers der Abstand von der Oberseite des Wafers zur Unterseite des Wafers bezeichnet werden. Die Einschnitte können eine Tiefe zwischen 1,0 µm und 5,0 µm aufweisen. Eine durch Einschnitte vorgenommene Markierung kann so erstellt werden, dass sie die Funktionalität der Bauelemente nicht beeinträchtigt. Ferner kann für diese Markierungsart nur eine minimale Materialmenge von den Bauelementen entfernt werden. Eine durch Einschnitte vorgenommene Markierung weist ferner den Vorteil auf, dass eine Fehlinterpretation der Markierung nahezu ausgeschlossen ist. Auf diese Weise können Fehler bei einer Bestückung einer Platine mit den Bauelementen vermieden werden.
  • Die Einschnitte können entlang von Trennlinien vorgenommen werden, entlang denen der Wafer in dem Schritt des Vereinzelns des Wafers vereinzelt wird. Dementsprechend kann der Wafer in einem zweistufigen Trennverfahren entlang der Trennlinien vereinzelt werden, wobei in dem ersten Teilschritt die Einschnitte zur Erzeugung der Markierungen vorgenommen werden und in einem zweiten Teilschritt die Vereinzelung der Bauelemente entlang der Trennlinien erfolgt. Dabei kann die Markierung mit einem nur minimalen Mehraufwand erzeugt werden, da die Durchführung eines Trennverfahrens zur Vereinzelung des Wafers ohnehin erforderlich ist.
  • Der Wafer kann entlang erster Trennlinien, die parallel zueinander verlaufen, und entlang zweiter Trennlinien, die parallel zueinander und senkrecht zu den ersten Trennlinien verlaufen, vereinzelt werden, wobei die Einschnitte nur entlang der ersten Trennlinien vorgenommen werden. Das Vereinzeln entlang der zweiten Trennlinien kann somit mittels eines einschrittigen Trennverfahrens erfolgen. Das Vornehmen der Einschnitte entlang der ersten Trennlinien kann ausreichen, um jedes der Bauelemente mit einer Markierung zu versehen.
  • Die Einschnitte können durch Sägen erzeugt werden. Dazu kann beispielsweise mittels einer Scheiben-Säge, die auch als Disk-Säge bezeichnet wird, oder einer Drahtsäge gesägt werden. Alternativ können die Einschnitte mittels Laser-Cutting erzeugt werden.
  • Die Einschnitte können eine erste Breite aufweisen. Der Wafer kann durch Schnitte vereinzelt werden, die eine zweite Breite aufweisen, die kleiner ist als die erste Breite. Die erste Breite kann beispielsweise zwischen dem 1,5-fachen und 3-fachen der zweiten Breite betragen. Die Schnitte und die Einschnitte können parallel zueinander verlaufen, wobei jeweils eine Mittellinie eines Schnittes und eine Mittellinie eines Einschnittes deckungsgleich sind. Als Mittellinie wird dabei eine gedachte Linie bezeichnet, die in der Mitte des Schnitts bzw. des Einschnitts verläuft.
  • Durch die unterschiedlichen Breiten der Einschnitte und der Schnitte können Stufen in der Oberseite der Bauelemente erzeugt werden, die eine eindeutige Markierung der jeweiligen Oberseiten ermöglichen. Dieses Verfahren ermöglicht es, mit minimalem Aufwand eine eindeutige Markierung der Oberseiten vorzunehmen. Der Schritt des Schneidens zur Vereinzelung des Wafers wäre auch ohne Markierung unvermeidlich. Zur Erzeugung der Markierung können nunmehr einige dieser Schnitte statt in einem einschrittigen Verfahren wie oben beschrieben in einem zweischrittigen Verfahren erzeugt werden. Der damit verbundene Mehraufwand ist sehr gering, sodass die Markierung in einem besonders einfachen Verfahren herstellbar ist.
  • Zumindest einige der Schnitte, die eine zweite Breite aufweisen, können entlang der Einschnitte, die eine erste Breite aufweisen, verlaufen, sodass die Oberseite der Bauelemente eine gestufte Form aufweist. Auch hier kann die erste Breite beispielsweise zwischen dem 1,5-fachen und 3-fachen der zweiten Breite betragen. Bei den Schnitten, die entlang der Einschnitte verlaufen, können jeweils die Mittellinie des Schnittes und die Mittellinie des Einschnittes deckungsgleich sein.
  • Die Schnitte können durch Sägen erzeugt werden. Dementsprechend können die Schnitte in einem Teilschritt des Verfahrensschrittes erzeugt werden, in dem auch die Einschnitte, welche ebenfalls durch Sägen erzeugt werden, erzeugt werden.
  • Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Bauelement, das eine im Wesentlichen quaderförmige Form mit einer Oberseite und einer Unterseite aufweist, wobei die Oberseite eine Markierung als Kennzeichnung der Oberseite zur Unterscheidung von der Unterseite aufweist. Das Bauelement kann insbesondere durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt worden sein. Dementsprechend kann jedes funktionelle und strukturelle Merkmal, das im Zusammenhang mit dem Verfahren offenbart ist, auch auf das Bauelement zutreffen. Umgekehrt kann jedes Merkmal, das im Zusammenhang mit dem Bauelement offenbart ist, auch auf das Verfahren zutreffen.
  • Durch die Markierung auf der Oberseite des Bauelementes kann diese ohne großen Aufwand von der Unterseite des Bauelementes unterschieden werden. Die Markierung der Oberseite kann eine Abweichung von einer ansonsten flachen Form der Oberseite sein. Die Oberseite kann beispielsweise eine gestufte Form aufweisen. Dabei kann die Stufe die Markierung der Oberseite darstellen. Die Unterseite kann eine vollständig flache Form aufweisen. Das Vorhandensein der Markierung, beispielsweise in Form der Stufe, auf der Oberseite erlaubt es, diese sofort von der Unterseite zu unterscheiden.
  • Das Bauelement kann in eine Polarisierungsrichtung polarisiert sein, die von der Oberseite zur Unterseite weist. Insbesondere bei polarisierten Bauelementen ist es entscheidend, die Polarisationsrichtung stets eindeutig identifizieren zu können.
  • Bei dem Bauelement kann es sich um ein piezoelektrisches Vielschichtbauelement handeln, insbesondere um einen Kondensator, einen Varistor oder einen Thermistor.
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand der beiliegenden Figuren im Detail beschrieben.
  • 1 zeigt die Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen in einem Waferverbund, nachdem eine Markierung auf der Oberseite des Wafers aufgebracht wurde.
  • 2 zeigt die Herstellung der Vielzahl von Bauelementen nach der Vereinzelung des Wafers.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen 1 beschrieben. 1 zeigt einen Wafer 2, aus dem die Vielzahl von Bauelementen 1 gefertigt wird. Der Wafer 2 weist eine Oberseite 3 und eine Unterseite 4 auf, die der Oberseite 3 gegenüberliegt.
  • Auf der Oberseite 3 des Wafers 2 wurden Markierungen 5 aufgebracht, die es nach einer Vereinzelung des Wafers 2 ermöglichen sollen, die Oberseite 103 der jeweiligen Bauelemente 1 von den Unterseiten der Bauelemente 1 zu unterscheiden. Die Markierung 5 ist in Form von Einschnitten aufgebracht worden. Die Einschnitte dringen in den Wafer 2 ein, ohne diesen vollständig zu durchtrennen.
  • In einem späteren Verfahrensschritt wird der Wafer 2 entlang von ersten Trennlinien 6 und zweiten Trennlinien 7 vereinzelt, die in 1 durch gestrichelte Linien angedeutet sind. Die ersten Trennlinien 6 verlaufen dabei parallel zueinander und die zweiten Trennlinien 7 verlaufen jeweils senkrecht zu den ersten Trennlinien 6. Die Einschnitte verlaufen entlang der ersten Trennlinien 6.
  • Die Einschnitte weisen eine erste Breite B1 auf. Als Breite B1 wird dabei eine Ausdehnung der Einschnitte in eine Richtung senkrecht zur Flächennormalen der Oberseite 3 des Wafers bezeichnet. Die Breite B1 wird ferner in eine Richtung senkrecht zu den ersten Trennlinien 6 gemessen.
  • In 2 ist der Wafer 2 nach der Vereinzelung in eine Vielzahl von Bauelementen 1 gezeigt. Bei der Vereinzelung wird der Wafer 2 entlang der ersten Trennlinien 6 und der zweiten Trennlinien 7 geschnitten. Dabei werden Schnitte 8 mit einer zweiten Breite B2 erstellt, die geringer ist als eine erste Breite B1 der Einschnitte.
  • Jedes der Bauelemente 1 weist eine Oberseite 103 und eine Unterseite 104 auf, wobei die Oberseiten 103 der Bauelemente 1 vor der Vereinzelung des Wafers 2 die Oberseite 3 des Wafers 2 bilden und wobei die Unterseiten 104 der Bauelemente 1 vor der Vereinzelung des Wafers 2 die Unterseite 4 des Wafers 2 bilden.
  • Auf Grund der unterschiedlichen Breiten B1, B2 der Einschnitte und der Schnitte 8 bilden sich Markierungen 5 in Form von Stufen an den Oberseiten 103 der Bauelemente 1 aus. Diese Markierungen 5 ermöglichen es, die Oberseiten 103 der Bauelemente 1 eindeutig von den Unterseiten 104 der Bauelemente 1 zu unterscheiden.
  • Auf diese Weise können spätere Verfahrensschritte zur Herstellung der Bauelemente 1, die beispielsweise nach einem Sintern und nach dem Vereinzeln der Bauelemente 1 durchgeführt werden, stark vereinfacht werden. Eine entsprechende Robustheit der Bauelemente 1 vorausgesetzt, können diese Verfahrensschritte beispielsweise im Schüttgut durchgeführt werden.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Bauelement
    2
    Wafer
    3
    Oberseite des Wafers
    4
    Unterseite des Wafers
    5
    Markierung
    6
    erste Trennlinie
    7
    zweite Trennlinie
    8
    Schnitt
    103
    Oberseite des Bauelements
    104
    Unterseite des Bauelements
    B1
    erste Breite
    B2
    zweite Breite

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen (1), aufweisend die Schritte: – Fertigen eines Wafers (2), der eine Vielzahl von Bauelementen (1) aufweist, – Erzeugen einer Markierung (5) der Oberseite (3) des Wafers (2), die es ermöglicht nach einer Vereinzelung des Wafers (2) eine Oberseite (103) der Bauelemente (1) von einer Unterseite (104) der Bauelemente (1) zu unterscheiden, und – Vereinzeln des Wafers (2) in die Vielzahl von Bauelementen (1).
  2. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, ferner aufweisend den Schritt: – Polarisieren des Wafers (2), wobei dieser Schritt vor der Vereinzelung des Wafers (2) durchgeführt wird.
  3. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Markierung (5) der Oberseite (3) des Wafers (2) derart erzeugt wird, dass die Oberseiten (103) der Bauelemente (1) sich in ihrer Form von den Unterseiten (104) der Bauelemente (1) unterscheiden.
  4. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Markierung (5) auf der Oberseite (3) des Wafers (2) durch Einschnitte erzeugt wird, die in die Oberseite (3) des Wafers (2) einschneiden und den Wafer (2) nicht vollständig durchdringen.
  5. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die Einschnitte entlang von Trennlinien (5) vorgenommen werden, entlang denen der Wafer (2) in dem Schritt des Vereinzeln des Wafers (2) vereinzelt wird.
  6. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei der Wafer (2) entlang erster Trennlinien (6), die parallel zueinander verlaufen, und entlang zweiter Trennlinien (7), die parallel zueinander und senkrecht zu den ersten Trennlinien (6) verlaufen, in dem Schritt des Vereinzeln des Wafers (2) vereinzelt wird, wobei die Einschnitte nur entlang der ersten Trennlinien (6) vorgenommen werden.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei die Einschnitte durch Sägen erzeugt werden.
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei die Einschnitte eine erste Breite (B1) aufweisen, und wobei der Wafer (2) durch Schnitte (8) vereinzelt wird, die eine zweite Breite (B2) aufweisen, die kleiner ist als die erste Breite (B1).
  9. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei zumindest einige der Schnitte (8), die eine zweite Breite (B2) aufweisen, entlang der Einschnitte, die eine erste Breite (B1) aufweisen, verlaufen, so dass die Oberseite (103) der Bauelemente (1) eine gestufte Form aufweisen.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Schnitte (8) durch Sägen erzeugt werden.
  11. Bauelement (1), aufweisend eine im Wesentlichen quaderförmige Form mit einer Oberseite (103) und einer Unterseite (104), wobei die Oberseite (103) eine Markierung (5) als Kennzeichnung der Oberseite (103) zur Unterscheidung von der Unterseite (104) aufweist.
  12. Bauelement (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die Markierung (5) der Oberseite (103) eine Abweichung von einer ansonsten flachen Form der Oberseite (103) ist.
  13. Bauelement (1) gemäß einem der Ansprüche 11 oder 12, wobei die Oberseite (103) eine gestufte Form aufweist.
  14. Bauelement (1) gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Bauelement (1) in eine Polarisierungsrichtung polarisiert ist, die von der Oberseite (103) zur Unterseite (104) weist.
  15. Bauelement (1) gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei es sich bei dem Bauelement (1) um ein piezoelektrisches Vielschichtbauelement handelt, insbesondere um einen Kondensator, einen Varistor oder einen Thermistor.
DE102016111144.9A 2016-06-17 2016-06-17 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement Active DE102016111144B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016111144.9A DE102016111144B4 (de) 2016-06-17 2016-06-17 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement
PCT/EP2017/062267 WO2017215889A1 (de) 2016-06-17 2017-05-22 Verfahren zur herstellung einer vielzahl von bauelementen und bauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016111144.9A DE102016111144B4 (de) 2016-06-17 2016-06-17 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016111144A1 true DE102016111144A1 (de) 2017-12-21
DE102016111144B4 DE102016111144B4 (de) 2024-03-07

Family

ID=58772556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016111144.9A Active DE102016111144B4 (de) 2016-06-17 2016-06-17 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102016111144B4 (de)
WO (1) WO2017215889A1 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60313900T2 (de) * 2002-03-12 2008-01-17 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Methode zur Trennung von Substraten
US20160013154A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH692325A5 (de) 1998-03-26 2002-05-15 Rudolf Stocker Spielzeugbausatz.
JP2004336503A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子及びその製造方法
JP4141340B2 (ja) * 2003-07-16 2008-08-27 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3886054B2 (ja) * 2006-06-09 2007-02-28 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオ−ド
WO2012073623A1 (ja) 2010-12-01 2012-06-07 株式会社村田製作所 圧電素子の製造方法及び電極付きマザー圧電基板
DE102013108213A1 (de) 2013-07-31 2015-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60313900T2 (de) * 2002-03-12 2008-01-17 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Methode zur Trennung von Substraten
US20160013154A1 (en) * 2014-07-08 2016-01-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017215889A1 (de) 2017-12-21
DE102016111144B4 (de) 2024-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2603383A1 (de) Traeger fuer die verarbeitung von ic-chips
DE102012217471A1 (de) Chip mit einer füllstruktur
WO2013182358A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen, leiterrahmenverbund und optoelektronisches halbleiterbauteil
EP0800205A1 (de) Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Elementen unter Verwendung einer Trägerschicht
EP0209767A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
DE102016212666A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leiterplattenelements und Leiterplattenelement
CH684611A5 (de) Verfahren zur Herstellung kapazitiver Sensoren und kapazitiver Sensor.
DE2922017A1 (de) Ausrichtverfahren mit hoher aufloesung und vorrichtung dafuer
DE102016111144B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement
DE102015112962B4 (de) Verfahren zum Anordnen einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger und Träger mit einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen
DE102011018295B4 (de) Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente
DE112013004844T5 (de) Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon
EP2414132B1 (de) Bauteil mit einer überlappendenden laserspur; verfahren zur herstellung eines solchen bauteils
WO2012113648A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl optoelektronischer halbleiterchips
DE102013113030A1 (de) Verfahren zur Kantenverrundung von Halbleiter-Wafern
DE102015105752B4 (de) Halbleiteranordnung mit Reservoir für Markermaterial
DE102004063180B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips aus einem Siliziumwafer und damit hergestellte Halbleiterbauelemente
DE102013111120A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zum Vereinzeln eines Verbundes in Halbleiterchips
EP3211666A1 (de) Mehrfachsubstrat
DE102014217271A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP0866526B1 (de) Trägergurt für Kontaktstifte und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1738622A1 (de) Leiterplattennutzen mit einer vielzahl an schaltungsträgern, schaltungsträger und verfahren zum vereinzeln von schaltungsträgern aus einem leiterplattennutzen
DE112018002065T5 (de) Chip-herstellungsverfahren und siliziumchip
Browne Effects of pressure on Cumingia eggs
DE102011016566A1 (de) Leiterrahmen für optoelektronische Bauelemente und Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division