DE102016107203A1 - Leistungshalbleiterbauelementgraben mit Feldplatte und Gateelektrode - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren (2) zum Bearbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements (1), umfassend: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der einen Graben (15) enthält, wobei sich der Graben (15) entlang einer Erstreckungsrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und einen Isolator (16) umfasst; Bereitstellen (24) einer monolithischen Elektrodenzone (13) innerhalb des Grabens (15); und Entfernen (28) einer Sektion der monolithischen Elektrodenzone (13) innerhalb des Grabens (15), um die monolithische Elektrodenzone (13) in mindestens eine erste Elektrodenstruktur (131) und eine zweite Elektrodenstruktur (132) zu unterteilen, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Schrift bezieht sich auf Ausführungsformen eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements und auf Ausführungsformen eines Leistungshalbleiterbauelements. Insbesondere betrifft die Schrift Ausführungsformen eines Leistungshalbleiterbauelements mit einem Graben, der eine Gateelektrodenstruktur und eine Feldelektrodenstruktur enthält, und Ausführungsformen eines Verfahrens zum Bearbeiten eines derartigen Leistungshalbleiterbauelements.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Viele Funktionen von modernen Einrichtungen in automotiven, Verbraucher- und Industrieanwendungen, wie etwa das Umwandeln elektrischer Energie und das Ansteuern eines Elektromotors oder einer elektrischen Maschine, basieren auf Leistungshalbleiterbauelementen. Beispielsweise sind IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) und Dioden, um nur einige zu nennen, für verschiedene Anwendungen verwendet worden, einschließlich unter anderem Schalter in Stromversorgungen und Leistungswandlern.
  • Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst üblicherweise einen Halbleiterkörper, der konfiguriert ist zum Leiten eines Laststroms entlang eines Laststrompfads zwischen zwei Lastanschlüssen des Bauelements. Weiterhin kann der Laststrompfad mit Hilfe einer isolierten Elektrode, manchmal als Gateelektrode bezeichnet, gesteuert werden. Beispielsweise kann bei Empfang eines entsprechenden Steuersignals, zum Beispiel von einer Treibereinheit, die Steuerelektrode das Leistungshalbleiterbauelement in einen leitenden Zustand oder einen blockierenden Zustand versetzen.
  • In einigen Fällen kann die Gateelektrode innerhalb eines Grabens des Leistungshalbleiterbauelements enthalten sein, wobei der Graben zum Beispiel eine Streifenkonfiguration oder eine Nadelkonfiguration aufweisen kann.
  • Zudem enthält ein derartiger Graben gelegentlich mehr als nur eine Elektrode, z.B. zwei oder mehr Elektroden, die separat voneinander angeordnet sind und manchmal auch elektrisch voneinander isoliert sind. Beispielsweise kann ein Graben sowohl eine Gateelektrode als auch eine Feldelektrode umfassen, wobei die Gateelektrode von jedem der Lastanschlüsse elektrisch isoliert sein kann und wobei die Feldelektrode elektrisch mit einem der Lastanschlüsse verbunden sein kann.
  • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Bearbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers, der einen Graben enthält, wobei sich der Graben entlang einer Erstreckungsrichtung in den Halbleiterkörper erstreckt und einen Isolator umfasst; Bereitstellen einer monolithischen Elektrodenzone innerhalb des Grabens; Entfernen einer Sektion der monolithischen Elektrodenzone innerhalb des Grabens, um die monolithische Elektrodenzone in mindestens eine erste Elektrodenstruktur und eine zweite Elektrodenstruktur zu unterteilen, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst ein Leistungshalbleiterbauelement: einen Halbleiterkörper, der an einen ersten Lastanschluss und einen zweiten Lastanschluss gekoppelt und konfiguriert ist zum Leiten eines Laststroms zwischen den Anschlüssen, wobei das Leistungshalbleiterbauelement Folgendes enthält: einen Graben, der sich entlang einer Erstreckungsrichtung in den Halbleiterkörper erstreckt und einen Isolator umfasst; eine erste Elektrodenstruktur, die in dem Graben enthalten und konfiguriert ist zum Steuern des Laststroms; eine zweite Elektrodenstruktur, die in dem Graben enthalten und separat und elektrisch von der ersten Elektrodenstruktur isoliert angeordnet ist; wobei die erste Elektrodenstruktur und die zweite Elektrodenstruktur voneinander entlang der Erstreckungsrichtung räumlich beabstandet sind, so dass sie entlang der Erstreckungsrichtung keinen gemeinsamen Erstreckungsbereich aufweisen.
  • Der Fachmann erkennt bei der Lektüre der folgenden ausführlichen Beschreibung und bei Betrachtung der beiliegenden Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Teile in den Figuren sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu; stattdessen wird das Veranschaulichen von Prinzipien der Erfindung betont. Zudem bezeichnen in den Figuren gleiche Bezugszahlen entsprechende Teile. Es zeigen:
  • 1 schematisch und beispielhaft Schritte eines Verfahrens des Bearbeitens eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen;
  • 2 schematisch und beispielhaft Schritte eines Verfahrens des Bearbeitens eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen;
  • 3 schematisch und beispielhaft eine Sektion einer Horizontalprojektion eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen;
  • 4a–c jeweils schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen; und
  • 5 schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen als Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, wie die Erfindung praktiziert werden kann.
  • In dieser Hinsicht kann unter Bezugnahme auf die Orientierung der Figuren, die beschrieben werden, eine Richtungsterminologie wie etwa "Oberseite", "Unterseite", "unten", "Front", "hinter", "Rückseite", "vorlaufender", "nachlaufender", "unter", "über" usw. verwendet werden. Weil Teile von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet und ist auf keinerlei Weise beschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinne zu verstehen, und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • Es wird nun auf verschiedene Ausführungsformen ausführlich Bezug genommen, von denen ein oder mehrere Beispiele in den Figuren dargestellt sind. Jedes Beispiel wird als Erläuterung vorgelegt und ist nicht als eine Beschränkung der Erfindung gedacht. Beispielsweise können als Teil einer Ausführungsform dargestellte oder beschriebene Merkmale an oder in Verbindung mit anderen Ausführungsformen verwendet werden, um noch eine weitere Ausführungsform zu erhalten. Die vorliegende Erfindung soll solche Modifikationen und Variationen beinhalten. Die Beispiele werden unter Verwendung einer spezifischen Sprache beschrieben, die nicht als den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche beschränkend ausgelegt werden sollte. Die Zeichnungen sind nicht skaliert und dienen nur Veranschaulichungszwecken. Der Klarheit halber sind die gleichen Elemente oder Herstellungsschritte in den verschiedenen Zeichnungen durch die gleichen Bezüge bezeichnet worden, falls nicht etwas anderes angegeben ist.
  • Der Ausdruck "horizontal", wie er in dieser Patentschrift verwendet wird, soll eine Orientierung im Wesentlichen parallel zu einer horizontalen Oberfläche eines Halbleitersubstrats oder einer Halbleiterstruktur beschreiben. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Halbleiterwafers oder eines Dies sein. Beispielsweise können sowohl die erste laterale Richtung X als auch die zweite laterale Richtung Y, die unten erwähnt werden, horizontale Richtungen sein, wobei die erste laterale Richtung X und die zweite laterale Richtung Y senkrecht zueinander verlaufen können.
  • Der Ausdruck "vertikal", wie er in dieser Patentschrift verwendet wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentlichen senkrecht zur horizontalen Oberfläche angeordnet ist, d.h. parallel zu der Normalrichtung der Oberfläche des Halbleiterwafers. Beispielsweise kann die unten erwähnte Erstreckungsrichtung Z eine Erstreckungsrichtung sein, die senkrecht sowohl zur ersten lateralen Richtung X als auch zur zweiten lateralen Richtung Y verläuft.
  • In dieser Patentschrift wird n-dotiert als "erster Leitfähigkeitstyp" bezeichnet, während p-dotiert als "zweiter Leitfähigkeitstyp" bezeichnet wird. Alternativ können entgegengesetzte Dotierungsbeziehungen verwendet werden, so dass der erste Leitfähigkeitstyp p-dotiert sein kann und der zweite Leitfähigkeitstyp n-dotiert sein kann.
  • Im Kontext der vorliegenden Patentschrift sollen die Ausdrücke "in ohmschem Kontakt", "in elektrischem Kontakt", "in ohmscher Verbindung" und "elektrisch verbunden" beschreiben, dass es zwischen zwei Gebieten, Sektionen, Zonen, Abschnitten oder Teilen eines Halbleiterbauelements oder zwischen verschiedenen Anschlüssen eines oder mehrerer Bauelemente oder zwischen einem Anschluss oder einer Metallisierung oder einer Elektrode und einem Abschnitt oder Teil eines Halbleiterbauelements eine niederohmige elektrische Verbindung oder einen niederohmigen Strompfad gibt. Zudem soll im Kontext der vorliegenden Patentschrift der Ausdruck "in Kontakt" beschreiben, dass zwischen zwei Elementen des jeweiligen Halbleiterbauelements eine direkte physische Verbindung vorliegt; z.B. ein Übergang zwischen zwei Elementen, die miteinander in Kontakt stehen, darf kein weiteres Zwischenelement oder dergleichen enthalten.
  • Außerdem wird im Kontext der vorliegenden Patentschrift der Ausdruck "elektrische Isolation", sofern nicht anderweitig festgestellt, im Kontext seines allgemein gültigen Verständnisses verwendet und soll somit beschreiben, dass zwei oder mehr Komponenten separat voneinander positioniert sind und dass keine ohmsche Verbindung vorliegt, die jene Komponenten verbindet. Elektrisch voneinander isolierte Komponenten können jedoch dennoch aneinander gekoppelt sein, z.B. mechanisch gekoppelt und/oder kapazitiv gekoppelt und/oder induktiv gekoppelt. Um ein Beispiel zu geben können zwei Elektroden eines Kondensators elektrisch voneinander isoliert sein und gleichzeitig mechanisch und kapazitiv aneinander gekoppelt sein, z.B. mit Hilfe einer Isolation, z.B. eines Dielektrikums.
  • In dieser Patentschrift beschriebene spezifische Ausführungsformen betreffen, ohne darauf beschränkt zu sein, ein Leistungshalbleiterbauelement, das eine Streifenzellen- oder Nadelzellenkonfiguration aufweist, wie etwa einen Leistungshalbleitertransistor, der innerhalb eines Leistungswandlers oder einer Stromversorgung verwendet werden kann. Somit ist bei einer Ausführungsform das Halbleiterbauelement konfiguriert zum Führen eines Laststroms, der jeweils einer Last zugeführt werden soll und/oder durch eine Stromquelle geliefert wird. Beispielsweise kann das Halbleiterbauelement eine oder mehrere aktive Leistungshalbleiterzellen umfassen, wie etwa eine monolithisch integrierte Diodenzelle und/oder eine monolithisch integrierte Transistorzelle und/oder eine monolithisch integrierte IGBT-Zelle und/oder eine monolithisch integrierte RC-IGBT-Zelle und/oder eine monolithisch integrierte MGD(MOS Gated Diode)-Zelle und/oder eine monolithisch integrierte MOSFET-Zelle und/oder Ableitungen davon. Eine derartige Diodenzelle und/oder derartige Transistorzellen können in einem Leistungshalbleitermodul integriert sein. Mehrere solcher Zellen können ein Zellenfeld bilden, das mit einem aktiven Gebiet des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist.
  • Der Ausdruck "Leistungshalbleiterbauelement", wie er in dieser Patentschrift verwendet wird, soll ein Halbleiterbauelement auf einem einzelnen Chip mit hoher Spannungsblockier- und/oder hohen Strombelastbarkeitsfähigkeiten beschreiben. Mit anderen Worten ist ein derartiges Leistungshalbleiterbauelement für einen starken Strom, typischerweise im Ampere-Bereich, z.B. bis zu mehreren dutzenden oder hunderten Ampere, und/oder hohe Spannungen, typischerweise über 15 V, noch typischer 100 V und darüber, z.B. bis zu mindestens 400 V, gedacht. Beispielsweise kann das unten beschriebene bearbeitete Halbleiterbauelement ein Halbleiterbauelement mit einer Streifenzellenkonfiguration oder einer Nadelzellenkonfiguration sein und kann konfiguriert sein, um als eine Leistungskomponente in einer Nieder-, Mittel- und/oder Hochspannungsanwendung verwendet zu werden.
  • Beispielsweise betrifft der Ausdruck "Leistungshalbleiterbauelement", wie er in dieser Patentschrift verwendet wird, keine Logikhalbleiterbauelemente, die zum Beispiel zum Speichern von Daten, Berechnen von Daten und/oder anderen Arten von halbleiterbasierter Datenbearbeitung verwendet werden.
  • 1 veranschaulicht schematisch und beispielhaft ein Verfahren 2 zum Bearbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements 1 – nachfolgend auch einfach als "Halbleiterbauelement" bezeichnet – gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen. Einige Stufen des Verfahrens 2 sind durch eine jeweilige Sektion eines vertikalen Querschnitts der bearbeiteten Komponente des Halbleiterbauelements 1 dargestellt. Die dargestellten Querschnitte verlaufen parallel zu einer durch eine erste laterale Richtung X und eine Erstreckungsrichtung Z definierten Ebene. Das bearbeitete Halbleiterbauelement 1 erstreckt sich weiterhin in einer zweiten lateralen Richtung Y, die senkrecht zu jeder der ersten lateralen Richtung X und der Erstreckungsrichtung Z verläuft.
  • In einem Schritt 20 des Verfahrens 2 wird ein Halbleiterkörper 10 vorgesehen, der einen Graben 15 enthält. Der Graben 15 erstreckt sich entlang der Erstreckungsrichtung Z in den Halbleiterkörper 10 und kann einen Isolator 16 z.B. zum Isolieren eines inneren Gebiets des Grabens 15 von dem Halbleiterkörper 10 umfassen.
  • Beispielsweise enthält der Halbleiterkörper 10 ein Driftgebiet 100, z.B. ein epitaxiales Driftgebiet 100, das auf einem Substrat 110 angeordnet ist. Das Driftgebiet 100 kann Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp umfassen, z.B. ist das Driftgebiet 100 n-dotiert. Der Graben 15 kann sich entlang der Erstreckungsrichtung Z in das Driftgebiet 100 erstrecken.
  • Der Graben 15 des Halbleiterbauelements 1 kann eine Nadelkonfiguration aufweisen, gemäß derer die Gesamterstreckung des Grabens 15 entlang der ersten lateralen Richtung X etwa im gleichen Bereich liegt wie die Gesamterstreckung des Grabens 15 entlang der zweiten lateralen Richtung Y. Beispielsweise kann der Graben 15, wenn er die Nadelkonfiguration aufweist, in einer durch die erste laterale Richtung X und die zweite laterale Richtung Y definierten Ebene einen rechteckigen Querschnitt, einen quadratischen Querschnitt, einen elliptischen Querschnitt, einen kreisförmigen Querschnitt und einen rechteckigen Querschnitt mit abgerundeten Ecken besitzen, um einige wenige Möglichkeiten zu benennen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform weist der Graben 15 eine Streifenkonfiguration auf, gemäß derer die Gesamterstreckung entlang der zweiten lateralen Richtung Y mindestens ein Mehrfaches der Gesamterstreckung entlang der ersten lateralen Richtung X beträgt. Beispielsweise weist bei einer Ausführungsform das Halbleiterbauelement 1 mehrere Gräben 15 in einer Streifenkonfiguration auf, die im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind, z.B. entlang der ersten lateralen Richtung X, und das ganze aktive Gebiet des Halbleiterbauelements 1 entlang der zweiten lateralen Richtung Y kreuzen, die zwischen dem aktiven Gebiet und einem Kantengebiet des Halbleiterbauelements 1 angeordnete Übergangsbiete erreichend. Allgemein gesprochen ist der Fachmann mit jeder der Nadelkonfiguration und einer Streifenkonfiguration vertraut und deshalb wird dieser Aspekt innerhalb der vorliegenden Patentschrift nicht ausführlicher beleuchtet.
  • Bei einer Ausführungsform bildet der Isolator 16 Grabenseitenwände 161 und den Grabenboden 162 des Grabens 15, wie beispielhaft in 1 dargestellt. Weiterhin kann, wie unten ausführlicher erläutert wird, vor dem Ausführen des unten beschriebenen nächsten Schritts 24 der Isolator 16 innerhalb des Grabens 15 so strukturiert werden, dass er beispielsweise innerhalb des Grabens 15 entlang der Erstreckungsrichtung Z eine variierende Dicke, z.B. eine variierende laterale Dicke, aufweist.
  • In Schritt 24 wird eine monolithische Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15 vorgesehen. Dies kann das Ausführen eines Abscheidungsbearbeitungsschritts beinhalten. Die monolithische Elektrodenzone 13 kann ein zusammenhängendes Elektrodengebiet innerhalb des Grabens 15 bilden. Bei einer Ausführungsform bedeckt die monolithische Elektrodenzone 13 den Grabenboden 162 und die Grabenseitenwände 161, wie dargestellt.
  • Beispielsweise umfasst die monolithische Elektrodenzone 13 ein Metall oder beziehungsweise besteht aus einem Metall. Bei einer Ausführungsform umfasst die monolithische Elektrodenzone 13 mindestens eines von Tantal, einem Silizid, Titan, Titannitrid, Polysilizium, Wolfram, Aluminium, Kupfer, Platin und Kobalt oder besteht aus einem derartigen Material. Weiterhin kann die monolithische Elektrodenzone 13 aus einer einzelnen Schicht oder einem Schichtstapel bestehen, wobei die einzelne Schicht oder beziehungsweise die Schichten des Stapels aus einem oder mehreren der oben erwähnten Materialien bestehen können.
  • In einem weiteren Schritt 28 wird eine Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13 entfernt, um die monolithische Elektrodenzone 13 in mindestens eine erste Elektrodenstruktur 131 und eine zweite Elektrodenstruktur 132 zu unterteilen, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind.
  • Somit können gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen die beiden Elektrodenstrukturen 131 und 132, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind, durch einen oder mehrere gemeinsame Bearbeitungsschritte hergestellt werden. Beispielsweise werden die beiden Elektrodenstrukturen 131 und 132 nicht separat hergestellt, z.B. nicht sequenziell eine nach der anderen, sondern simultan. Bei einer Ausführungsform ist nur ein einzelner Abscheidungsschritt erforderlich, um jede der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 herzustellen.
  • Weiterhin ist gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen die Sektion der im Graben 15 angeordneten monolithischen Elektrodenzone 13, die innerhalb von Schritt 28 entfernt wird, kein Teil einer Extremität der monolithischen Elektrodenzone 13, sondern eine in einem Mittelgebiet (bezüglich der Erstreckungsrichtung Z) der monolithischen Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15 angeordnete Sektion. Beispielsweise kann gemäß der schematisch und beispielhaft in 1 dargestellten Ausführungsform die Sektion, die von der monolithischen Elektrodenzone 13 entfernt worden ist, innerhalb der unteren drei Viertel des Grabens 15 angeordnet werden. Beispielsweise erstreckt sich die zweite Elektrodenstruktur 132 entlang der Erstreckungsrichtung Z weiter als die erste Elektrodenstruktur 131.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen erfolgt somit das Unterteilen der monolithischen Elektrodenzone 13 in mindestens die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 innerhalb des Mittelgebiets des Grabens 15. Beispielsweise kann der Graben 15 eine Gesamterstreckung entlang der Erstreckungsrichtung Z aufweisen, wobei die Gesamterstreckung die Summe von zehn gleichen Zehntelteilen ausmacht, wovon sich ein proximales Zehntelteil entlang der Erstreckungsrichtung Z von der Grabenöffnung bis zum Beginn von acht zentralen Zehntelteilen erstreckt und sich die acht zentralen Zehntelteile entlang der Erstreckungsrichtung Z bis zum Beginn eines distalen Zehntelteils erstrecken, der sich entlang der Erstreckungsrichtung Z zum Grabenboden 162 erstreckt. Bei einer Ausführungsform erfolgt das Unterteilen der monolithischen Elektrodenzone 13 durch Ausführen des Entfernungsschritts 28 innerhalb der zentralen acht Zehntelteile des Grabens 15 oder innerhalb mehr zentraleren sechs der acht zentralen Zehntelteile. Beispielsweise erfolgt das Unterteilen der monolithischen Elektrodenzone 13 durch Ausführen des Entfernungsschritts 28 innerhalb des zweiten bis fünften Zehntelteils (wobei der proximale Zehntelteil den ersten Zehntelteil darstellt und der distale Zehntelteil den letzten, d.h. den zehnten Zehntelteil, darstellt).
  • Es versteht sich, dass beim Ausführen von Schritt 28, d.h. beim Entfernen der Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15, auch einige andere Teile der monolithischen Elektrodenzone 13, z.B. jene, die außerhalb des Grabens 15 angeordnet sein können, z.B. auf einer Oberfläche 10-1 des Halbleiterkörpers 10 oder auf dem Isolator 16, ebenfalls innerhalb von Schritt 28 entfernt werden können, wie in 1 dargestellt. Beispielsweise kann bei einer Ausführungsform eine Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13, die sich aus dem Graben 15 erstreckt und die durch die Oberfläche 10-1 des Halbleiterkörpers 10 oder beziehungsweise durch eine Sektion des Isolators 16, die auf der Oberfläche 10-1 des Halbleiterkörpers 10 angeordnet ist, während des Entfernungsschritts 28 beibehalten werden, z.B. durch Verwenden eines Lithographieschritts. Beispielsweise wird letztere Variante in 4a schematisch und beispielhaft dargestellt. Bei einer weiteren Ausführungsform, die in 1 schematisch und beispielhaft dargestellt ist, wird der Entfernungsschritt 28 derart ausgeführt, dass sich die erste Elektrodenstruktur 131 nicht aus dem Graben 15 heraus erstreckt, sondern ganz innerhalb des Grabens 15 enthalten ist. Beide Varianten des Ausführens des Entfernungsschritts 28 sind möglich, wobei welche der Varianten schließlich ausgeführt wird von der Art und Weise des Kontaktierens der ersten Elektrodenstruktur 131 und/oder der zweiten Elektrodenstruktur 132 abhängen kann, wie unten bezüglich 3, 4a und 4c ausführlicher erläutert wird.
  • Jedenfalls kann das partielle Entfernen der monolithischen Elektrodenzone 13 unter Verwendung einer geeigneten Maske ausgeführt werden. Weiterhin kann das Entfernen das Ausführen eines anisotropen Ätzbearbeitungsschritts beinhalten.
  • Nachfolgend werden einige weitere optionale Aspekte des Verfahrens 2 bezüglich der 1–5 ausführlicher erläutert.
  • Das Bereitstellen des Halbleiterkörpers 10 innerhalb von Schritt 20 kann das Ausführen einer epitaxialen Abscheidung zum Ausbilden des Driftgebiets 100 und einen Ätzbearbeitungsschritt zum Ausbilden des Grabens 15 und/oder einen oder mehrere Oxidations- und/oder Abscheidungsprozesse zum Ausbilden des Isolators 16 beinhalten.
  • Eine beispielhafte Art und Weise des Strukturierens (Schritt 22) des Isolators 16 vor dem Bereitstellen der monolithischen Elektrodenzone 13 ist in 2 schematisch dargestellt. Dementsprechend kann in einem Schritt 221 der Graben 15 teilweise mit Opfermaterial 154 gefüllt werden. Beispielsweise ist das Opfermaterial 154 bezüglich jedes des Halbleiterkörpers 10 und des Isolators 16 selektiv ätzbar, z.B. selektiv ätzbar bezüglich jedes von Silizium und Siliziumoxid, und umfasst mindestens eines von Kohlenstoff und Nitrid.
  • Das partielle Füllen kann durch anfängliches Füllen des ganzen Grabens 15 mit dem Opfermaterial 154 (siehe Schritt 221-1) und durch nachfolgendes Ausführen eines Ätzprozesses (siehe Schritt 221-2) zum Entfernen eines oberen Teils des Opfermaterials 154, z.B. hinunter bis zu einer Höhe Z1, ausgeführt werden, um eine Ausnehmung 1541 zu erzeugen, die lateral durch den Isolator 16 entlang der ersten lateralen Richtung X begrenzt ist und vertikal durch das verbleibende Opfermaterial 154 entlang der Erstreckungsrichtung Z begrenzt ist. Beispielsweise bleibt während dieses Ätzprozesses der Isolator 16 im Wesentlichen unmodifiziert.
  • Bei einer Ausführungsform kann nach dem Füllen des ganzen Grabens 15 mit dem Opfermaterial 154 (Schritt 221-1) und vor dem Ausführen des Ätzprozesses (221-2) das Opfermaterial 154, z.B. sein Teil, der eine Oberfläche im Wesentlichen parallel zur Halbleiterkörperoberfläche 10-1 bildet, z.B. ein planarer Teil des Halbleitermaterials 154, einem nicht dargestellten selektiven Planarisierungsbearbeitungsschritt unterzogen werden. Dies kann das genauere Verstellen der Gesamterstreckung des Opfermaterials 154 entlang der Erstreckungsrichtung Z gestatten, und die mit Hilfe des nachfolgenden Ätzprozesses (Schritt 221-2) erreichte Höhe Z1 kann somit ebenfalls genauer verstellt werden. Dadurch kann ein Qgd-Parameter des Halbleiterbauelements 1 auf präzise Weise gesteuert werden.
  • Dann kann in Schritt 222 ein Isolatorätzschritt zum Entfernen einer Sektion des Isolators 16 ausgeführt werden. Beispielsweise werden während des Isolatorätzschritts durch den Isolator 16 ausgebildete und in einem oberen Teil 151 des Grabens 15 angeordnete Grabenseitenwände 161 entfernt, wobei durch den Isolator 16 ausgebildete und in einem unteren Teil 152 des Grabens 15 angeordnete Grabenseitenwände 161 innerhalb des Grabens 15 bleiben, wie in 2 dargestellt.
  • Bei einer Ausführungsform kann die in Schritt 222 entfernte Sektion des Isolators 16 jene Gebiete enthalten, die innerhalb des Grabens 15 und über dem Opfermaterial 154 angeordnet sind, und auch ein Gebiet, das sich geringfügig unter das Opfermaterial 154 erstreckt. Beispielsweise wird der Isolator 16 hinunter bis zu einer Höhe Z2 geätzt, wobei Z2 z.B. größer oder gleich Z1 sein kann. Beispielsweise kann die Höhe Z2 eine obere Kontakthöhe bilden, wo die zweite Elektrodenstruktur 132 schließlich kontaktiert werden kann, was unten ausführlicher erläutert wird.
  • Weiterhin kann der Schritt 222 auch das Entfernen des Isolators 16 beinhalten, der außerhalb des Grabens 15 angeordnet sein kann, z.B. auf einer Oberfläche 10-1 des Halbleiterkörpers 10. Beispielsweise bleibt während des Schritts 222 jeder/s des Halbleiterkörpers 10 und des Opfermaterials 154 im Wesentlichen unmodifiziert.
  • Der Schritt 222 des Entfernens der Sektion des Isolators 16 kann das Ausführen mindestens eines eines anisotropen Ätzbearbeitungsschritts und eines isotropen Nassätzbearbeitungsschritts beinhalten.
  • Somit kann in diesem Bearbeitungsstadium ein unterer Teil 152 des Grabens 15 vollständig durch den Isolator 16 und das Opfermaterial 154 gefüllt werden, wobei das Opfermaterial 154 durch den Isolator 16 von dem Halbleiterkörper 10 isoliert sein kann. In einem oberen Teil 151 des Grabens 15 jedoch kann es im Wesentlichen eine Ausnehmung geben, in die sich nur das Opfermaterial 154 erstreckt, wobei sich ein Übergang zwischen dem oberen Teil 151 und dem unteren Teil 152 auf der Höhe Z2 befinden kann.
  • Bei einem nächsten Schritt 223 kann ein weiterer Ätzschritt ausgeführt werden zum Eliminieren des Opfermaterials 154 innerhalb des Grabens 15. Bei einer Ausführungsform wird das ganze Opfermaterial 154 während des Schritts 223 entfernt. Beispielsweise enthält dieser weitere Ätzschritt mindestens einen eines selektiven Ätzbearbeitungsschritts (z.B. selektiv zu dem Material des Isolators 16 und dem Material des Halbleiterkörpers 10) und eines Nassätzbearbeitungsschritts.
  • Dann kann in Schritt 224 ein Oxid 164 in einem Gebiet hergestellt werden, wo die Isolatorsektion zuvor z.B. in Schritt 222 entfernt worden ist. Dies kann erfolgen durch Abscheiden des Oxids 164 und/oder durch Ausführen eines thermischen Oxidationsschritts. Anstelle des Oxids 164 kann in dem Gebiet auch ein anderes Isolatormaterial hergestellt werden. Somit kann das hergestellte Oxid 164 den übrigen Isolator 16 kontaktieren. Nachfolgend kann die Formulierung "Isolator 16" somit auch das hergestellte Oxid 164 umfassen. Mit anderen Worten kann das Oxid 164 einen Teil des Isolators 16 bilden. Beispielsweise bildet der Isolator 16 dann die ganzen Grabenseitenwände 161 sowie den Grabenboden 162 des Grabens 15. Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen wird die Sektion des Isolators 16, die schließlich die erste Elektrodenstruktur 131 elektrisch von dem Halbleiterkörper 10 isoliert, vor dem Herstellen der ersten Elektrodenstruktur 131 innerhalb des Grabens 15 hergestellt. Dies kann ein Verschieben des Wärmebudgets des Oxidherstellungsschritts 224 vor dem Schritt des Bereitstellens der monolithischen Elektrodenzone 13, z.B. vor dem Abscheiden von Metall, gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen gestatten.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Bereitstellen der monolithischen Elektrodenzone 13 direkt nach dem Ausbilden des Oxids 164 erfolgen.
  • Das Strukturieren des Isolators 16, beispielsweise gemäß der schematisch in 2 dargestellten Ausführungsform, kann mindestens eine Stufe 163 innerhalb der Grabenseitenwände 161 ergeben. Diese Stufe 163 innerhalb der Grabenseitenwände 161 kann etwa auf der Höhe Z2 angeordnet werden. Somit können die Grabenseitenwände 161 entlang der Erstreckungsrichtung Z ein Stufenprofil aufweisen. Dementsprechend kann die Dicke des Isolators 16 in der ersten lateralen Richtung X eine scharfe Zunahme auf der Höhe Z2 aufweisen.
  • Nun wieder bezüglich des schematisch und beispielhaft in 1 dargestellten Verfahrensschritts 24 kann nach dem Bereitstellen der monolithischen Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15 die bereitgestellte monolithische Elektrodenzone 13 eine Muldenstruktur 155 bilden, z.B. im oberen Teil 151 des Grabens 15. In dem schematisch dargestellten vertikalen Querschnitt kann die monolithische Elektrodenzone 13 somit eine gabelartige Form aufweisen, die zusammen mit dem Isolator 16 den unteren Teil 152 des Grabens 15 vollständig füllt und eine Ausnehmung in dem oberen Teil 151 des Grabens 15 mit Hilfe ihres einen oder ihrer mehreren "Zinken" hinterlässt. Es versteht sich jedoch, dass die monolithische Elektrodenzone 13 nicht notwendigerweise den ganzen unteren Teil 152 des Grabens 15 füllen muss. Bei einer nicht dargestellten Ausführungsform kann die monolithische Elektrodenzone 13 eine interne Ausnehmungsstruktur bilden, die einen Hohlraum innerhalb des unteren Teils 152 des Grabens 15 hinterlässt, wobei der Hohlraum beispielsweise mit einem Isolatormaterial gefüllt werden kann.
  • Weiterhin kann die Muldenstruktur 155 der monolithischen Elektrodenzone 13 im oberen Teil 151 des Grabens 15 einen Boden 1552 umfassen, der z.B. durch die Stufen 163 des Isolators 16 unterstützt werden kann. Wenn beispielsweise in Schritt 28 eine Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15 entfernt werden kann, um die monolithische Elektrodenzone 13 in mindestens die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 aufzuteilen, kann mindestens ein Teil des Bodens 1552 der Muldenstruktur 155 entfernt werden, wie in 1 schematisch und beispielhaft dargestellt.
  • Durch zumindest partielles Entfernen des Bodens 1552 der Muldenstruktur 155, z.B. durch Ausführen eines anisotropen Ätzbearbeitungsschritts, kann die monolithische Elektrodenzone 13 in die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 unterteilt werden, wobei die zwei Elektrodenstrukturen 131 und 132 dann entlang der Erstreckungsrichtung Z räumlich voneinander beabstandet sein können. Bei einer Ausführungsform sind die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 entlang der Erstreckungsrichtung Z räumlich voneinander beabstandet, so dass sie entlang der Erstreckungsrichtung Z keinen gemeinsamen Erstreckungsbereich aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Elektrodenstruktur 132 ganz unter der ersten Elektrodenstruktur 131 angeordnet sein, z.B. unterhalb der Muldenstruktur 155, die zuvor durch die monolithische Elektrodenzone 13 innerhalb des oberen Teils 151 des Grabens 15 ausgebildet worden ist.
  • Wie oben erläutert wurde, kann aufgrund des strukturierten Isolators 16 die monolithische Elektrodenzone 13 innerhalb des Grabens 15 bereitgestellt werden, so dass sie den unteren Teil 152 zumindest teilweise oder vollständig füllt und nur die Grabenseitenwände 161 bedeckt, die zum Beispiel durch das Oxid 164 in dem oberen Teil 151 des Grabens 15 ausgebildet werden können, wodurch eine Ausnehmung 1555 innerhalb des oberen Teils 151 des Grabens 15 verbleibt. Beim Entfernen der Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13, beispielsweise zumindest eines Teils des Bodens 1552 der Muldenstruktur 155, können die beiden Elektrodenstrukturen 131, 132, die separat voneinander angeordnet sind, entstehen, wobei die erste Elektrodenstruktur 131 eine erste Elektrode 1311 und eine zweite Elektrode 1312 umfassen kann, die jeweils räumlich von der zweiten Elektrodenstruktur 132 beabstandet angeordnet sind. Weiterhin kann die erste Elektrode 1311 an einer der Grabenseitenwände 161 angeordnet sein und die zweite Elektrode 1312 kann an der anderen der Grabenseitenwände 161 angeordnet sein, wodurch die Ausnehmung 1555 z.B. lateral begrenzt wird.
  • Bei einer Ausführungsform besitzt weder die erste Elektrode 1311 noch die zweite Elektrode 1312 entlang der ersten lateralen Richtung X einen gemeinsamen Erstreckungsbereich mit der zweiten Elektrodenstruktur 132. Beispielsweise ist eine Distanz entlang der ersten lateralen Richtung X zwischen der ersten Elektrode 1311 und der zweiten Elektrode 1312 größer als eine Gesamterstreckung der zweiten Elektrodenstruktur 132 in der ersten lateralen Richtung X.
  • 3 veranschaulicht schematisch und beispielhaft eine Sektion einer horizontalen Projektion eines Leistungshalbleiterbauelements 1 gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen, z.B. eines Leistungshalbleiterbauelements 1, das gemäß einer Ausführungsform des bezüglich 1 und 2 oben beispielhaften beschriebenen Verfahrens 2 bearbeitet worden ist. Die horizontale Projektion kann parallel zu einer durch die beiden lateralen Richtungen X und Y definierten Ebene verlaufen.
  • Gemäß der in 3 dargestellten Ausführungsform weist der Graben 15 eine Streifenkonfiguration auf. Wie oben erläutert wurde, kann der Graben 15 im Wesentlichen das ganze aktive Gebiet 1-1 des Halbleiterbauelements 1 entlang der zweiten lateralen Richtung Y kreuzen, wobei er zwischen dem aktiven Gebiet 1-1 und einem Kantengebiet 1-2 des Halbleiterbauelements 1 angeordnete Übergangsgebiete erreicht.
  • Wie dargestellt, können zumindest in einem Teil des aktiven Gebiets 1-1 die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 entlang der ersten lateralen Richtung X räumlich voneinander beabstandet sein, z.B. so dass sie entlang der ersten lateralen Richtung X nicht überlappen.
  • Weiterhin kann der Graben 15 einen Gesamterstreckungsbereich entlang der zweiten lateralen Richtung Y aufweisen, der die Summe aus den in 3 angegebenen drei lateralen Teilgebieten ΔY1, ΔY2 und ΔY3 beträgt. Bei einer Ausführungsform werden während des Schritts 28 die folgenden Sektionen des monolithischen Elektrodengebiets 13 entfernt: In dem ersten Teilgebiet ΔY1 wird nur der Boden 1552 der Muldenstruktur 155 (wie beispielhaft in 1 dargestellt) zumindest teilweise entfernt, z.B. durch Ausführen eines anisotropen Ätzbearbeitungsschritts; im zweiten Teilgebiet ΔY2 wird die ganze Muldenstruktur 155 entfernt, wobei die im unteren Teil 152 angeordnete Sektion des monolithischen Elektrodengebiets 13 innerhalb des Grabens 15 verbleibt; und im dritten Teilgebiet ΔY3 werden keine Teile des monolithischen Elektrodengebiets entfernt. Bei einer weiteren Ausführungsform wird auch im dritten Teilgebiet ΔY3 die ganze Muldenstruktur 155 entfernt, wie im zweiten Teilgebiet ΔY2. Das Entfernen der ganzen Muldenstruktur 155 im zweiten Teilgebiet ΔY2 und/oder im dritten Teilgebiet ΔY3 kann z.B. das Ausführen eines mit einem Lithographieschritt maskierten zusätzlichen isotropen Ätzschritts umfassen.
  • Beispielsweise beträgt das erste Teilgebiet ΔY1 mindestens 70%, mindestens 90% oder mindestens 98% des Gesamterstreckungsbereichs des Grabens 15 entlang der zweiten lateralen Richtung Y; das zweite Teilgebiet ΔY2 beträgt weniger als 5%, weniger als 2% oder weniger als 1% des Gesamterstreckungsbereichs des Grabens entlang der zweiten lateralen Richtung Y; und das dritte Teilgebiet ΔY3 beträgt weniger als 5%, weniger als 2% oder weniger als 1% des Gesamterstreckungsbereichs des Grabens entlang der zweiten lateralen Richtung Y. Somit enthält in einer Ausführungsform der Graben 15 in einem überwiegenden Abschnitt des Grabens 15 jede der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind, z.B. voneinander derart räumlich beabstandet, dass sie entlang der Erstreckungsrichtung Z nicht überlappen.
  • Weiterhin kann das Verfahren 2 das Bereitstellen von Kontaktierungsmitteln zum Kontaktieren jeder der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 von außerhalb des Grabens 15 beinhalten. Mit anderen Worten kann das Leistungshalbleiterbauelement 1 Kontaktierungsmittel zum Kontaktieren jeder der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 von außerhalb des Grabens 15 enthalten. Das Kontaktierungsmittel oder beziehungsweise beispielhafte Arten und Weisen des Bereitstellens des Kontaktierungsmittels werden nun ebenfalls bezüglich der 4a–c ausführlicher beschrieben, wobei 4a schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements 1 entlang einer Ebene AA' (in 3 angegeben) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt, 4b schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements 1 entlang einer Ebene BB' (in 3 angegeben) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt; und wobei 4c schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt.
  • Beispielsweise kann das Bereitstellen des Kontaktierungsmittels das Bereitstellen mindestens eines eines lateralen Kontaktpads 171, 172, eines zentralen Kontaktpads 18 und eines Kontaktpins 19 beinhalten. Weiterhin kann vor dem Bereitstellen des Kontaktierungsmittels die durch die Muldenstruktur 155 im oberen Teil 151 des Grabens 15 ausgebildete Ausnehmung 1555 mit einem Isolatormaterial 168 gefüllt werden, wie in jeder von 4a–c dargestellt. Beispielsweise kann das Isolatormaterial 168 die erste Elektrodenstruktur 131 elektrisch von der zweiten Elektrodenstruktur 132 isolieren. Bei einer anderen Ausführungsform wird die Ausnehmung 1555 nicht vollständig mit einem Isolatormaterial gefüllt, kann aber einen oder mehrere Hohlräume aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann das Isolatormaterial 168 ein Zwischenschichtdielektrikum enthalten. Um den Kontaktpin 19 innerhalb des Grabens 15 herzustellen, kann weiterhin ein tiefer Oxidätzprozess ausgeführt werden, z.B. ein tiefer Oxidätzprozess, der eine geringe Overlay-Toleranz aufweist. Zusätzlich oder alternativ kann die zweite Elektrodenstruktur 132 mit einer höheren Overlay-Toleranz kontaktiert werden, z.B. über einen separaten lithographischen und isotropen Ätzschritt, in einem Gebiet, wo die ganze Muldenstruktur entfernt worden ist, z.B. innerhalb des in 3 angezeigten zweiten lateralen Teilgebiets ΔY2.
  • Beispielsweise ist unter Bezugnahme auf 4a jedes des einen oder der mehreren lateralen Kontaktpads 171, 172 ganz außerhalb des Grabens 15 angeordnet und kann die erste Elektrodenstruktur 131 z.B. in einem Gebiet kontaktieren, wo sich die erste Elektrodenstruktur 131 aus dem Graben 15 entlang der ersten lateralen Richtung X und gegen die erste laterale Richtung X heraus erstreckt, wodurch z.B. laterale, durch die Oberfläche 10-1 des Halbleiterkörpers 10 unterstützte Anschlusspads ausgebildet werden, z.B. auf dem Oxid 164 montiert, das die Oberfläche 10-1 bedecken kann. Beispielsweise können die Kontaktpads 171, 172 auf den lateralen Anschlusspads angeordnet sein, die durch die erste Elektrodenstruktur 131 ausgebildet sein können. Wie oben erläutert wurde, kann der beispielhaft in 1 dargestellte Entfernungsschritt 28 derart ausgeführt werden, dass die Gebiete der ersten Elektrodenstruktur 131, geringfügig außerhalb des Grabens 15 angeordnet, verbleiben. Bei einer Ausführungsform werden das eine oder die mehreren lateralen Kontaktpads 171, 172 an einem Übergangsgebiet von dem aktiven Gebiet 1-1 zum Kantengebiet 1-2 bereitgestellt, wie in 3 dargestellt. Weiterhin können die lateralen Kontaktpads 171, 172 elektrisch mit einem nicht gezeigten Treiber verbunden sein, der ein Steuersignal an die erste Elektrodenstruktur 131 liefern kann. Bei einer Ausführungsform kann ein erstes laterales Kontaktpad 171 mit der ersten Elektrode 1311 in Kontakt stehen, und das zweite laterale Kontaktpad 172 kann mit der zweiten Elektrode 1312 der ersten Elektrodenstruktur 131 in Kontakt stehen. Die beiden lateralen Kontaktpads 171 und 172 können separat voneinander angeordnet sein. Es versteht sich, dass gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen die erste Elektrode 1311 elektrisch von der zweiten Elektrode 1312 isoliert sein kann, so dass die erste Elektrode 1311 mit einem elektrischen Potential versehen werden kann, das von einem elektrischen Potential verschieden ist, das an die zweite Elektrode 1312 geliefert wird.
  • Nunmehr unter Bezugnahme auf 4c kann in einer weiteren Ausführungsform ein zentrales Kontaktpad 18 zusätzlich oder alternativ bereitgestellt werden. Beispielsweise kann sich das zentrale Kontaktpad 18 in den Graben 15 erstrecken und kann die erste Elektrodenstruktur 131, z.B. jede ihrer ersten Elektrode 1311 und ihrer zweiten Elektrode 1312, kontaktieren, wie dargestellt. Wenn beispielsweise diese Art und Weise des Kontaktierens der ersten Elektrodenstruktur 131 gewählt wird, muss während des Entfernungsschritts 28 nicht notwendigerweise sichergestellt werden, dass sich die erste Elektrodenstruktur 131 aus dem Graben 15 entlang der ersten lateralen Richtung X und gegen die erste laterale Richtung X erstreckt. Vielmehr kann der Schritt des Entfernens der Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13 derart ausgeführt werden, dass sich kein Teil der monolithischen Elektrodenzone 13 aus dem Graben 15 heraus erstreckt, sondern dass vielmehr die Elektrodenstrukturen ganz innerhalb des Grabens 15 verbleiben. Weiterhin kann als eine Alternative oder als eine zusätzliche Art und Weise des Kontaktierens der ersten Elektrodenstruktur 131 jede ihrer ersten Elektrode 1311 und ihrer zweiten Elektrode 1312 separat mit einem jeweiligen Kontaktplug kontaktiert werden, z.B. durch Ausführen eines Hochpräzisions-Lithographiebearbeitungsschritts.
  • An diesem Punkt versteht sich, dass beide Wege des Kontaktierens der ersten Elektrodenstruktur 131, nämlich mit Hilfe des einen oder der mehreren lateralen Anschlusspads 171, 172 und/oder mit Hilfe des zentralen Kontaktpads, analog für das Kontaktieren der zweiten Elektrodenstruktur 132 angewendet werden können, falls, wie in 3 dargestellt, im dritten Teilgebiet ΔY3 die monolithische Elektrodenzone 13 während des Ausführens des Entfernungsschritts 28 nicht unterteilt wird.
  • Eine weitere Möglichkeit des Kontaktierens der zweiten Elektrodenstruktur 132 gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen soll nun bezüglich 3 und 4b erläutert werden. Beispielsweise kann ein Kontaktpin 19 innerhalb der im oberen Teil 151 des Grabens 15 durch die Muldenstruktur 155 ausgebildeten Ausnehmung 1555 ausgebildet werden. Beispielsweise ist der Kontaktpin 19 derart innerhalb des Grabens 15 angeordnet, dass er lateral entlang der ersten lateralen Richtung X und entlang der zweiten lateralen Richtung Y mit der zweiten Elektrodenstruktur 132 überlappt, die im unteren Teil 152 des Grabens 15 angeordnet ist. Weiterhin kann der Kontaktpin 19 räumlich von der ersten Elektrodenstruktur 131 beabstandet sein und kann elektrisch von der ersten Elektrodenstruktur 131 isoliert sein, z.B. mit Hilfe des Isoliermaterials 168. Der Kontaktpin 19 kann somit die zweite Elektrodenstruktur 132 mit seinem ersten Ende 191 innerhalb des Grabens 15 kontaktieren und an seinem außerhalb des Grabens 15 angeordneten zweiten Ende 192 konfiguriert sein, z.B. durch einen ersten Lastanschluss des Halbleiterbauelements 1 kontaktiert zu werden, wie unten erörtert wird.
  • Bei einer Ausführungsform bestehen eines oder mehrere der lateralen Kontaktpads 171, 172, das zentrale Kontaktpad 18 und der Kontaktpin 19 aus einem Metall.
  • 5 zeigt schematisch und beispielhaft eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements 1 gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen.
  • Beispielsweise wurde das Halbleiterbauelement 1 gemäß einer Ausführungsform des oben erklärten Verfahrens 2 bearbeitet. Somit kann das, was oben bezüglich des Verfahrens 2 und des bearbeiteten Halbleiterbauelements festgestellt worden ist, gleichermaßen für das in 5 schematisch dargestellte Halbleiterbauelement 1 gelten.
  • Das Leistungshalbleiterbauelement 1 kann einen Halbleiterkörper 10 umfassen, der an einem ersten Lastanschluss 11 und einem zweiten Lastanschluss 12 gekoppelt und konfiguriert ist zum Leiten eines Laststroms zwischen den Anschlüssen 11, 12. Der Halbleiterkörper 10 kann jene Gebiete aufweisen, die notwendig sind, um z.B. eine oder mehrere einer IGBT-, einer RC-IGBT-, einer MOSFET-, einer Dioden-, einer MGD-Konfiguration oder einer Konfiguration auszubilden, die davon abgeleitet ist, die dem Fachmann bekannt sind. Dazu kann der Halbleiterkörper 10 ein nicht gezeigtes Puffergebiet enthalten, auch als Feldstoppgebiet bekannt, das in der Nähe des zweiten Lastanschlusses 12 angeordnet ist und/oder ein oder mehrere Emittergebiete, die ebenfalls in der Nähe des zweiten Lastanschlusses angeordnet sind. Weiterhin kann in der Nähe des ersten Lastanschlusses 11 jedes eines Sourcegebiets 101 und eines Kanalgebiets 102 angeordnet sein. Beispielsweise ist das Sourcegebiet 101 elektrisch z.B. mit Hilfe eines oder mehrerer Plugs 111 mit dem ersten Lastanschluss 11 verbunden. Das Kanalgebiet 102 kann so angeordnet sein, dass es das Sourcegebiet 101 von einem Driftgebiet 100 des Halbleiterkörpers 10 isoliert. Beispielsweise sind das Driftgebiet 100 und das Kanalgebiet 102 komplementär dotiert, z.B. umfasst das Driftgebiet 100 Dotierstoffe vom ersten Leitfähigkeitstyp und das Kanalgebiet 102 umfasst Dotierstoffe vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Weiterhin kann das Sourcegebiet 101 auch ein Halbleitersourcegebiet 101 sein und kann Dotierstoffe vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie das Driftgebiet 100 umfassen, z.B. mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als das Driftgebiet 100.
  • Das Leistungshalbleiterbauelement 1 kann einen Graben 15 enthalten, der sich entlang der Erstreckungsrichtung Z in den Halbleiterkörper 10 erstreckt und einen Isolator 16 z.B. zum Isolieren eines inneren Gebiets des Grabens 15 von dem Halbleiterkörper 10 umfasst. Beispielsweise kann der Laststrom den Halbleiterkörper 10 entlang der oder gegen die Erstreckungsrichtung Z durchqueren, die eine vertikale Richtung sein kann. Jedes des Sourcegebiets 101 und des Kanalgebiets 102 kann in Kontakt mit den Grabenseitenwänden 161 angeordnet sein.
  • Weiterhin kann eine erste Elektrodenstruktur 131 in dem Graben 15 enthalten und konfiguriert sein zum Steuern des Laststroms. Jedes des Sourcegebiets 101 und des Kanalgebiets 102 kann derart angeordnet sein, dass sie mit der ersten Elektrodenstruktur 131 überlappen. Beispielsweise kann zum Versetzen des Leistungshalbleiterbauelements 1 in einen leitenden Zustand, während dessen der Laststrom in einer Durchlassrichtung zwischen den Lastanschlüssen 11 und 12 geleitet werden kann, die erste Elektrodenstruktur 131 mit einem Steuersignal mit einer Spannung innerhalb eines ersten Bereichs versehen werden, um einen Laststrompfad innerhalb des Kanalgebiets 102 zu induzieren, z.B. einen Inversionskanal. Bei einer Ausführungsform kann zum Versetzen des Leistungshalbleiterbauelements 1 in einen Blockierungszustand, während dessen eine an die Lastanschlüsse 11, 12 angelegte Durchlassspannung blockiert werden kann und der Fluss des Laststroms in der Durchlassrichtung verhindert wird, die erste Elektrodenstruktur 131 mit dem Steuersignal mit einer Spannung innerhalb eines von dem ersten Bereich verschiedenen zweiten Bereichs versehen werden, um den Laststrompfad im Kanalgebiet 102 abzuschneiden. Dann kann die Durchlassspannung ein Verarmungsgebiet an einer durch einen Übergang zwischen dem Kanalgebiet 102 und dem Driftgebiet 100 des Leistungshalbleiterbauelements ausgebildeten Grenzschicht induzieren, wobei das Verarmungsgebiet auch als "Raumladungsgebiet" bezeichnet wird und sich hauptsächlich in das Driftgebiet 100 des Halbleiterbauelements 1 ausweiten kann. In diesem Kontext wird das Kanalgebiet 102 häufig auch als ein "Bodygebiet" bezeichnet, in dem der Laststrompfad, z.B. ein Inversionskanal, durch das Steuersignal zum Versetzen des Halbleiterbauelements 1 in den leitenden Zustand induziert werden kann. Ohne den Laststrompfad in dem Kanalgebiet 102 kann das Kanalgebiet 102 eine blockierende Grenzschicht mit dem Driftgebiet 100 bilden.
  • Außerdem kann eine zweite Elektrodenstruktur 132 im Graben 15 enthalten sein und kann separat und elektrisch von der ersten Elektrodenstruktur 131 isoliert angeordnet sein. Die erste Elektrodenstruktur 131 und die zweite Elektrodenstruktur 132 können voneinander entlang der Erstreckungsrichtung Z räumlich beabstandet sein, so dass sie entlang der Erstreckungsrichtung Z keinen gemeinsamen Erstreckungsbereich aufweisen.
  • Die zweite Elektrodenstruktur 132 kann sich weiter entlang der Erstreckungsrichtung Z erstrecken als die erste Elektrodenstruktur 131. Mit anderen Worten kann die zweite Elektrodenstruktur 132 in einem unteren Teil 152 des Grabens 15 angeordnet sein, und die erste Elektrodenstruktur 131 kann in einem oberen Teil 151 des Grabens 15 angeordnet sein.
  • Weiterhin kann der Isolator 16 Grabenseitenwände 161 und einen Grabenboden 162 bilden, und die erste Elektrodenstruktur 131 kann mindestens zwei Elektroden umfassen, eine an einer der Grabenseitenwände 161 angeordnete erste Elektrode 1311 und eine an der anderen der Grabenseitenwände 161 angeordnete zweite Elektrode 1312. Wie oben erläutert worden ist, kann im oberen Teil 151 des Grabens 15 der Isolator 16 durch das Oxid 164 gebildet werden, das möglicherweise während des Verfahrensschritts 124 hergestellt worden ist, wie in 2 dargestellt. Eine Distanz entlang der ersten lateralen Richtung X zwischen der ersten Elektrode 1311 und der zweiten Elektrode 1312 kann größer sein als eine Gesamterstreckung der zweiten Elektrodenstruktur 132 in der ersten lateralen Richtung X. Somit besitzt gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen in einem vertikalen Querschnitt weder die erste Elektrode 1311 noch die zweite Elektrode 1312 einen gemeinsamen Erstreckungsbereich mit der zweiten Elektrodenstruktur 132 entlang der ersten lateralen Richtung X.
  • Bei einer Ausführungsform ist die erste Elektrode 1311 konfiguriert zum Induzieren eines ersten Inversionskanals in einer ersten Sektion des Kanalgebiets 102 bei einer der Grabenseitenwände 161, und die zweite Elektrode 1312 ist konfiguriert zum Induzieren eines zweiten Inversionskanals in einer zweiten Sektion des Kanalgebiets 102 bei der anderen der Grabenseitenwände 161. Beispielsweise weist der erste Inversionskanal eine von der Sperrspannung des zweiten Inversionskanals verschiedene Sperrspannung auf. Dazu kann die effektive Dicke des die erste Elektrode 1311 von dem Halbleiterkörper 10 isolierenden Oxids 164 von der effektiven Dicke des die zweite Elektrode 1312 von dem Halbleiterkörper 10 isolierenden Oxids 164 verschieden sein. Hier kann ein Vergleich zwischen den "effektiven Dicken" des Oxids 164 bedeuten, dass das Produkt der Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums, das für das Oxid 164 verwendet wird, das die erste Elektrode 1311 von der ersten Sektion des Kanalgebiets 102 isoliert, multipliziert mit seiner Dicke mit dem Produkt der Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums, das für das Oxid 164 verwendet wird, das die zweite Elektrode 1312 von der zweiten Sektion des Kanalgebiets 102 isoliert, multipliziert mit seiner Dicke, verglichen wird. Falls die Dielektrika aus dem gleichen Material bestehen, z.B. einem Siliziumdioxid, reduziert dies einen Vergleich der jeweiligen Dicken. Falls z.B. das Dielektrikum, das für das Oxid 164 verwendet wird, das die erste Elektrode 1311 von der ersten Sektion des Kanalgebiets 102 isoliert, eine andere Dielektrizitätskonstante besitzt als das Dielektrikum, das für das Oxid 164 verwendet wird, das die zweite Elektrode 1312 isoliert, können die Dicken zueinander identisch sein, während die Sperrspannungen immer noch differieren.
  • Jede der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 kann ein Metall umfassen.
  • Bei einer Ausführungsform ist die erste Elektrodenstruktur 131 elektrisch mit einem nicht dargestellten Treiber verbunden, der konfiguriert ist zum Liefern des Steuersignals, z.B. durch Anlegen einer Spannung zwischen dem ersten Lastanschluss 11 und der ersten Elektrodenstruktur 131. Es versteht sich, dass die erste Elektrodenstruktur 131 elektrisch von jedem des ersten Lastanschlusses 11 und des zweiten Lastanschlusses 12 isoliert sein kann. Somit kann die erste Elektrodenstruktur 131 als eine Steuerelektrodenstruktur wirken, z.B. eine Gateelektrodenstruktur.
  • Die zweite Elektrodenstruktur 132 kann elektrisch mit einem anderen elektrischen Potential als die erste Elektrodenstruktur 131 verbunden sein; z.B. ist die zweite Elektrodenstruktur 132 elektrisch mit dem ersten Lastanschluss 11 verbunden. Somit kann die zweite Elektrodenstruktur 132 als eine Feldelektrodenstruktur wirken, z.B. eine Feldplattenstruktur.
  • Zum Kontaktieren der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 können die Kontaktierungsmittel, die bezüglich des Verfahrens 2 beschrieben worden sind, bereitgestellt werden. Beispielsweise wird die erste Elektrodenstruktur 131 mit Hilfe des in 4c beispielhaft dargestellten zentralen Kontaktpads 18 kontaktiert, und die zweite Elektrodenstruktur 132 kann durch den in 4b beispielhaft dargestellten Kontaktpin 19 kontaktiert werden.
  • Obwohl oben Aspekte eines Halbleiterbauelements erläutert worden sind, das einen Graben in einer Streifenkonfiguration aufweist, und Aspekte des Bearbeitens eines derartigen Halbleiterbauelements, versteht sich, dass die Prinzipien, z.B. der Schritt des Entfernens einer Sektion der monolithischen Elektrodenzone 13, z.B. Schritt 28, und/oder der Schritt des Strukturierens des Isolators 16, z.B. Schritt 22, einschließlich der Schritte 221-1, 221-2, 222, 223 und 224, wie oben dargelegt, auch auf einen Graben angewendet werden können, der eine Nadelkonfiguration aufweist.
  • Beispielsweise kann unter Verwendung von Metall als ein Material für die monolithische Elektrodenzone 13 jede der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132 einen vergleichsweise geringen Widerstand aufweisen, z.B. einen niedrigeren Widerstand als jener Widerstand, der bei Verwendung eines Halbleitermaterials, z.B. Polysilizium, erzielbar ist.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsformen beinhalten die Erkenntnis, dass eine Anwendung einer ersten Abscheidung zum Ausbilden einer ersten Elektrodenstruktur innerhalb eines Grabens und eine danach folgende Anwendung einer separaten Abscheidung zum Ausbilden einer zweiten Elektrodenstruktur innerhalb des Grabens vergleichsweise teuer und kompliziert sein kann. Zudem können bei Verwendung eines Halbleitermaterials für die Elektrodenstrukturen nur vergleichsweise hohe Werte für den Widerstand erzielt werden.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann jede der zweiten Elektrodenstruktur 132, z.B. eine Feldplatte, und der ersten Elektrodenstruktur 131, z.B. eine oder zwei Gateelektroden, gleichzeitig innerhalb des gleichen Grabens vorgesehen werden, wobei z.B. zur gleichen Zeit die Notwendigkeit für einen Hochtemperaturprozess vermieden wird. Weiterhin wird gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen ein Metall als ein Material für die monolithische Elektrodenzone 13 verwendet, d.h. als ein Material für jede der ersten Elektrodenstruktur 131 und der zweiten Elektrodenstruktur 132.
  • Oben wurden Ausführungsformen erläutert, die Halbleiterbauelementbearbeitungsverfahren betreffen. Diese Halbleiterbauelemente basieren beispielsweise auf Silizium (Si). Dementsprechend kann ein monokristallines Halbleitergebiet oder eine monokristalline Halbleiterschicht, z.B. der Halbleiterkörper 10, das Driftgebiet 100, das Substrat 110, das Sourcegebiet 101, das Kanalgebiet 102 von Ausführungsbeispielen, ein monokristallines Si-Gebiet oder eine monokristalline Si-Schicht sein. Bei anderen Ausführungsformen kann polykristallines oder amorphes Silizium verwendet werden.
  • Es versteht sich jedoch, dass der Halbleiterkörper 10 und Komponenten, z.B. Gebiete 100, 110, 101 und 102 aus einem beliebigen, für das Herstellen eines Halbleiterbauelements geeigneten Halbleitermaterial hergestellt werden können. Zu Beispielen für solche Materialien zählen unter anderem elementare Halbleitermaterialien wie etwa Silizium (Si) oder Germanium (Ge), Gruppe-IV-Verbundhalbleitermaterialien wie etwa Siliziumcarbid (SiC) oder Siliziumgermanium (SiGe), binäre, ternäre oder quaternäre III-V-Halbleitermaterialien wie etwa Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP), Indiumphosphid (InP), Indiumgalliumphosphid (InGaPa), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Aluminiumindiumnitrid (AlInN), Indiumgalliumnitrid (InGaN), Aluminiumgalliumindiumnitrid (AlGalnN) oder Indiumgalliumarsenidphosphid (InGaAsP) und binäre oder ternäre II-VI-Halbleitermaterialien wie etwa Kadmiumtellurid (CdTe) und Quecksilberkadmiumtellurid (HgCdTe), um nur einige zu nennen. Die oben erwähnten Halbleitermaterialien werden auch als "Homoüberangshalbleitermaterialien" bezeichnet. Beim Kombinieren von zwei verschiedenen Halbleitermaterialen wird ein Heteroübergangshalbleitermaterial ausgebildet. Zu Beispielen für Heteroübergangshalbleitermaterialien zählen unter anderem Aluminiumgalliumnitrid(AlGaN)-Aluminiumgalliumindiumnitrid(AlGaInN)-, Indiumgalliumnitrid(InGaN)-Aluminiumgalliumindiumnitrid(AlGaInN)-, Indiumgalliumnitrid(InGaN)-Galliumnitrid(GaN)-, Aluminiumgalliumnitrid(AlGaN)-Galliumnitrid(GaN)-, Indiumgalliumnitrid(InGaN)-Aluminiumgalliumnitrid(AlGaN)-, Silizium-Siliziumcarbid(SixC1-x)- und Silizium-SiGe-Heteroübergangshalbleitermaterialien. Für Leistungshalbleiterbauelementeanwendungen werden gegenwärtig hauptsächlich Si-, SiC-, GaAs- und GaN-Materialien verwendet.
  • Räumlich relative Ausdrücke wie etwa "unter", "darunter", "unterer", "über", "oberer" und dergleichen werden zur Erleichterung der Beschreibung verwendet, um die Positionierung eines Elements relativ zu einem zweiten Element zu erläutern. Diese Ausdrücke sollen verschiedene Orientierungen des jeweiligen Bauelements zusätzlich zu verschiedenen Orientierungen als jene in den Figuren dargestellte einschließen. Weiterhin werden auch Ausdrücke wie etwa "erster", "zweiter" und dergleichen verwendet, um verschiedene Elemente, Gebiete, Sektionen usw. zu beschreiben, und sollen ebenfalls nicht beschränkend sein. In der Beschreibung beziehen sich gleiche Ausdrücke durchweg auf gleiche Elemente.
  • Wie hierin verwendet, sind die Ausdrücke "besitzend“, "enthaltend", "mit", "umfassend", "aufweisend" und dergleichen offene Ausdrücke, die die Anwesenheit erwähnter Elemente oder Merkmale anzeigen, zusätzliche Elemente oder Merkmale aber nicht ausschließen. Die Artikel "ein/eine/einer" und "der/die/das" sollen den Plural sowie den Singular beinhalten, sofern der Kontext nicht deutlich etwas anderes angibt.
  • Unter Berücksichtigung des obigen Bereichs an Variationen und Anwendungen versteht sich, dass die vorliegende Erfindung weder durch die obige Beschreibung noch durch die beiliegenden Zeichnungen beschränkt wird. Stattdessen wird die vorliegende Erfindung nur durch die folgenden Ansprüche und ihre legalen Äquivalente beschränkt.

Claims (20)

  1. Verfahren (2) zum Bearbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements (1), umfassend: – Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der einen Graben (15) enthält, wobei sich der Graben (15) entlang einer Erstreckungsrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und einen Isolator (16) umfasst; – Bereitstellen (24) einer monolithischen Elektrodenzone (13) innerhalb des Grabens (15); – Entfernen (28) einer Sektion der monolithischen Elektrodenzone (13) innerhalb des Grabens (15), um die monolithische Elektrodenzone (13) in mindestens eine erste Elektrodenstruktur (131) und eine zweite Elektrodenstruktur (132) zu unterteilen, die separat und elektrisch voneinander isoliert angeordnet sind.
  2. Verfahren (2) nach Anspruch 1, wobei die monolithische Elektrodenzone (13) ein Metall umfasst.
  3. Verfahren (2) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Isolator (16) Grabenseitenwände (161) und einen Grabenboden (162) bildet und wobei die bereitgestellte monolithische Elektrodenzone (13) die ganzen Grabenseitenwände (161) und den Grabenboden (162) bedeckt.
  4. Verfahren (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrodenstruktur (131) in einem oberen Teil (151) des Grabens (15) angeordnet ist und wobei die zweite Elektrodenstruktur (132) in einem unteren Teil (152) des Grabens (15) angeordnet ist.
  5. Verfahren (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die bereitgestellte monolithische Elektrodenzone (13) eine Muldenstruktur (155) innerhalb des oberen Teils (151) des Grabens (15) bildet.
  6. Verfahren (2) nach Anspruch 5, wobei das Entfernen (27) der Sektion der monolithischen Elektrodenzone (13) das Entfernen mindestens eines Teils eines Bodens (1552) der Muldenstruktur (155) umfasst.
  7. Verfahren (2) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei sich die zweite Elektrodenstruktur (132) unterhalb der Muldenstruktur (155) erstreckt.
  8. Verfahren (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Isolator (16) Grabenseitenwände (161) und einen Grabenboden (162) bildet und wobei das Verfahren (2) weiterhin Folgendes umfasst, vor dem Bereitstellen (24) der monolithischen Elektrodenzone (13): – Strukturieren (22) des Isolators (16) innerhalb des Grabens (15), so dass mindestens eine der Grabenseitenwände (162) ein Stufenprofil entlang der Erstreckungsrichtung (Z) mit mindestens einer Stufe (163) aufweist.
  9. Verfahren (2) nach den Ansprüchen 6 und 8, wobei die mindestens eine Stufe (163) den Muldenstrukturboden (1552) unterstützt, der zumindest teilweise entfernt wird.
  10. Verfahren (2) nach Anspruch 8 oder 9, wobei das Strukturieren (22) Folgendes umfasst: – partielles Füllen (221) des Grabens (15) mit einem Opfermaterial (154); – Entfernen (222) einer Sektion des Isolators (16), die innerhalb des Grabens (15) und über dem Opfermaterial (154) angeordnet ist; – Eliminieren (223) des Opfermaterials (154) innerhalb des Grabens (15); und – Erzeugen eines Oxids (164) in einem Gebiet innerhalb des Grabens (15), wo die Isolatorsektion entfernt worden ist.
  11. Verfahren (2) nach Anspruch 10, wobei das Erzeugen des Oxids (164) das Ausführen eines Abscheidungsprozesses und/oder eines thermischen Oxidationsprozesses beinhaltet.
  12. Leistungshalbleiterbauelement (1), umfassend einen Halbleiterkörper (10), der an einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt und konfiguriert ist zum Leiten eines Laststroms zwischen den Anschlüssen (11, 12), wobei das Leistungshalbleiterbauelement (1) Folgendes enthält: – einen Graben (15), der sich entlang einer Erstreckungsrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und einen Isolator (16) umfasst; – eine erste Elektrodenstruktur (131), die in dem Graben (15) enthalten und konfiguriert ist zum Steuern des Laststroms; – eine zweite Elektrodenstruktur (132), die in dem Graben (15) enthalten und separat und elektrisch von der ersten Elektrodenstruktur (131) isoliert angeordnet ist; wobei – die erste Elektrodenstruktur (131) und die zweite Elektrodenstruktur (132) voneinander entlang der Erstreckungsrichtung (Z) räumlich beabstandet sind, so dass sie entlang der Erstreckungsrichtung (Z) keinen gemeinsamen Erstreckungsbereich aufweisen.
  13. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach Anspruch 12, wobei sich die zweite Elektrodenstruktur (132) entlang der Erstreckungsrichtung (Z) weiter erstreckt als die erste Elektrodenstruktur (131).
  14. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach Anspruch 12 oder 13, wobei der Isolator (16) Grabenseitenwände (161) und einen Grabenboden (162) bildet und wobei die erste Elektrodenstruktur (131) mindestens zwei Elektroden umfasst, wobei eine erste Elektrode (1311) an einer der Grabenseitenwände (161) angeordnet ist und eine zweite Elektrode (1312) an der anderen der Grabenseitenwände (161) angeordnet ist.
  15. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach Anspruch 14, wobei eine Distanz entlang einer ersten lateralen Richtung (X) zwischen der ersten Elektrode (1311) und der zweiten Elektrode (1312) größer ist als eine Gesamterstreckung der zweiten Elektrodenstruktur (132) in der ersten lateralen Richtung (X).
  16. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach Anspruch 14 oder 15, wobei in einem vertikalen Querschnitt weder die erste Elektrode (1311) noch die zweite Elektrode (1312) einen gemeinsamen Erstreckungsbereich mit der zweiten Elektrodenstruktur (132) entlang der ersten lateralen Richtung (X) aufweist.
  17. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 14 bis 16, weiterhin umfassend mindestens ein zentrales Kontaktpad (18), wobei das zentrale Kontaktpad (18) zwischen der ersten Elektrode (1311) und der zweiten Elektrode (1312) und in Kontakt mit jeder der Elektroden (1311, 1312) angeordnet ist, wobei sich das zentrale Kontaktpad (18) in den Graben (15) erstreckt.
  18. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 17, weiterhin umfassend mindestens ein laterales Kontaktpad (171), wobei das laterale Kontaktpad (171) ganz außerhalb des Grabens (15) und in Kontakt mit der ersten Elektrodenstruktur (131) angeordnet ist.
  19. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 18, wobei jede der ersten Elektrodenstruktur (131) und der zweiten Elektrodenstruktur (132) ein Metall umfasst.
  20. Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 19, wobei die zweite Elektrodenstruktur (132) elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden ist.
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