DE102015116662A1

DE102015116662A1 - Verstärker mit hoher verstärkung und hoher nachführgeschwindigkeit

Info

Publication number: DE102015116662A1
Application number: DE102015116662.3A
Authority: DE
Inventors: Vinayak Mukund Kulkarni
Original assignee: Analog Devices Global ULC
Current assignee: Analog Devices International ULC
Priority date: 2014-10-02
Filing date: 2015-10-01
Publication date: 2016-04-21
Also published as: US20160099692A1; CN105490652A; CN105490652B; US9300257B1

Abstract

In einem Ausführungsbeispiel wird ein Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit bereitgestellt und enthält ein Paar Eingangstransistoren, an die eine Eingangsspannung angelegt wird, ein Paar als Dioden geschalteter Lasten, die mit den Eingangstransistoren verschaltet sind, wenigstens ein Paar Stromquellen, die mit den als Dioden geschalteten Lasten verschaltet sind, und eine Biassteuerung, die dazu ausgelegt ist, das wenigstens eine Paar Stromquellen auszuschalten, um eine hohe Nachführgeschwindigkeit für den Verstärker zu ermöglichen, und das wenigstens eine Paar Stromquellen einzuschalten, um eine hohe Verstärkung für den Verstärker zu ermöglichen. In speziellen Ausführungsformen enthalten die Stromquellen Transistoren, die Biassteuerung steuert eine Biasspannung zu den Stromquellen, und die Biasspannung wird auf die Versorgungsspannung (V_DD) angesteuert, um die Stromquellen auszuschalten.

Description

TECHNISCHES GEBIET DER OFFENBARUNG
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf elektrische Schaltungen und insbesondere auf ein Verfahren und eine Vorrichtung für einen Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Differenzverstärker verstärken (z. B. vergrößern, erhöhen usw.) Differenzsignale (z. B. Signale, die zwischen zwei Knoten als gleich und entgegengesetzt gemessen werden). Der Faktor, um den die Signale verstärkt werden, genannt die Verstärkung des Verstärkers, ist ein Maß der Fähigkeit des Verstärkers, die Leistung oder Amplitude des Signals vom Eingang zum Ausgang zu erhöhen. Die Verstärkung ist endlich und hängt von der Frequenz des Eingangssignals ab. Bei kleinen Frequenzen ist die Verstärkung maximal, sie nimmt normalerweise exponentiell mit Erhöhung der Frequenz ab und weist einen Wert von Eins bei der Frequenz auf, die üblicherweise als die Eins-Verstärkungsfrequenz bezeichnet wird. Bei einem mit einer gegebenen Technologie umgesetzten Verstärker ist das Produkt der Verstärkung des Verstärkers und der maximalen Bandbreite im Allgemeinen konstant. Folglich umfasst das Design des Verstärkers typischerweise einen Kompromiss zwischen hoher Verstärkung und großer Bandbreite.
Wenn sich der Eingang des Verstärkers zu schnell ändert, wird der Ausgang durch die Nachführgeschwindigkeit des Verstärkers verlangsamt, die die maximale Änderungsrate der Ausgangsspannung pro Zeiteinheit ist (z. B. in Volt pro Sekunde ausgedrückt). Die Änderung der Ausgangsspannung über der Zeit für große Eingangsschritte wird im Allgemeinen als „Slewing” (Nachführen) bezeichnet. Die Nachführgeschwindigkeit des Verstärkers verringert sich im Allgemeinen, wenn sich die Verstärkung erhöht, was zu einer Austauschbeziehung zwischen Verstärkung und Nachführgeschwindigkeit führt (z. B. je höher die Verstärkung, desto geringer die Nachführgeschwindigkeit und umgekehrt). Eine hohe Nachführgeschwindigkeit ist im Allgemeinen eine wünschenswerte Charakteristik des Verstärkers; gleichermaßen ist auch eine hohe Verstärkung eine wünschenswerte Charakteristik des Verstärkers; allerding können Verstärker typischerweise nicht dazu entworfen werden, sowohl eine hohe Nachführgeschwindigkeit als auch eine hohe Verstärkung bereitzustellen.
Ein Mechanismus zum Erreichen eines Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit umfasst das Hinzufügen einer Strommitkopplungsschaltung zu einem Standard-Differenzverstärker mit ohmscher Last. Die Schleifenverstärkung der Rückkopplungsschaltung ist dazu ausgelegt, kleiner als Eins zu sein, und wird so gesteuert, dass die Stabilität der gesamten Einheit sichergestellt wird. Die Lastwiderstände werden zwischen einem Versorgungspol und den Ausgängen des Differenzverstärkers verbunden und parallel zu zwei Stromquellen angebracht, die ihre Stromrückkopplung an den Ausgängen aufschalten. Eine andere Umsetzungsform eines Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit enthält einen primärseitigen Verstärker in Kombination mit einem sekundärseitigen Hochleistungsverstärker, der nur in kurzen Zeiträumen aktiviert wird, in denen eine sehr hohe Nachführgeschwindigkeit erforderlich ist.
In noch einer anderen Umsetzungsform wird eine Pufferschaltung, die sowohl eine hohe Verstärkung als auch eine hohe Nachführgeschwindigkeit aufweist, unter Verwendung eines Verstärker mit hoher Verstärkung und geringer Nachführgeschwindigkeit und eines Schaltnetzwerks mit drei separaten Betriebsphasen umgesetzt. In der ersten Phase wird der Ausgang des Verstärkers von der Last getrennt, um es der Ausgangsspannung des Verstärkers zu ermöglichen, schneller ihren Endspannungspegel zu erreichen (z. B. Erreichen einer hohen Nachführgeschwindigkeit). In der zweiten Phase verschaltet das Schaltnetzwerk die Verstärkerausgangsleitung mit der Verstärkereingangsleitung, wobei der Verstärker die Spannung an der Eingangsleitung der Last auf eine Spannung ansteuert, die im Wesentlichen gleich der Spannung des Eingangssignals ist (z. B. Erreichen hoher Verstärkung). In der dritten Phase trennt das Schaltnetzwerk den Verstärker von der Last und verschaltet die Eingangsleitung der Last mit einer Massepotential-Quelle, um die Eingangsleitung der Last schnell auf Massepotential nachzuführen.
ÜBERSICHT
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf ein Verfahren und eine Vorrichtung für einen Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit. In einem Ausführungsbeispiel wird ein Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit bereitgestellt und enthält ein Paar Eingangstransistoren, an die eine Eingangsspannung angelegt wird, ein Paar als Dioden geschalteter Lasten, die mit den Eingangstransistoren verschaltet sind, wenigstens ein Paar Stromquellen, die mit den als Dioden geschalteten Lasten verschaltet sind, und eine Biassteuerung, die dazu ausgelegt ist, das wenigstens eine Paar Stromquellen auszuschalten, um eine hohe Nachführgeschwindigkeit für den Verstärker zu ermöglichen, und das wenigstens eine Paar Stromquellen einzuschalten, um eine hohe Verstärkung für den Verstärker zu ermöglichen. In speziellen Ausführungsformen enthalten die Stromquellen Transistoren, die Biassteuerung steuert eine Biasspannung zu den Stromquellen, und die Biasspannung wird auf die Versorgungsspannung (V_DD) oder nach Masse (GND) angesteuert, um die Stromquellen auszuschalten.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein vereinfachter Schaltplan, der ein Ausführungsbeispiel für einen Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit veranschaulicht;
2 ist ein vereinfachter Schaltplan, der ein anderes Ausführungsbeispiel für den Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit veranschaulicht;
3 ist ein vereinfachter Schaltplan, der beispielhafte Details einer Ausführungsform des Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit veranschaulicht;
4 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das beispielhafte Operationen veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit verknüpft sein können;
5 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das andere beispielhafte Operationen veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit verknüpft sein können;
6 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das noch andere beispielhafte Operationen veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit verknüpft sein können; und
7 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das noch andere beispielhafte Operationen veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit verknüpft sein können.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN DER OFFENBARUNG
1 ist ein vereinfachtes Blockschaltbild, das einen Verstärker 10 mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit veranschaulicht. Der Verstärker 10 enthält Eingangstransistoren MNP 12 und MNN 14, an die die Eingangsspannungen V_in+ bzw. V_in– angelegt werden. MNP 12 und MNN 14 sind mit den Transistoren MPP 16 und MPN 18 verbunden, die effektiv als Dioden geschaltete Lasten fungieren. Die Verwendung von als Dioden geschalteten Transistoren als aktive Last stellt eine kleinere Verstärkung bereit, und als Dioden geschaltete Lasten können Spannungsaussteuerungsreserve verbrauchen (womit eine Austauschbeziehung zwischen Ausgangsspannung, Spannungsverstärkung und Eingangsgleichtaktbereich geschaffen wird); allerdings weisen als Dioden geschaltete Lasten eine kleine Impedanz auf und können das Nachführen des Verstärkers schneller machen.
Im Allgemeinen wird die Verstärkung des Verstärkers normalerweise als A_v = G_m × R₀ ausgedrückt, wobei gilt: G_m ist die Transkonduktanz (z. B. das Verhältnis der Stromänderung an einem Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung an einem Eingangsanschluss eines Bauelements) des Eingangsbauelements, und R₀ ist die Lastimpedanz, wie sie vom Eingangsbauelement gesehen wird (falls z. B. eine elektrische Schaltung einen eindeutig definierten Ausgangsanschluss aufweist, ist die mit dem Ausgangsanschluss verbundene Schaltung die Last; im Allgemeinen ist die Impedanz ein Maß des Widerstands, den eine Schaltung einem Strom entgegensetzt, wenn eine Spannung angelegt wird). Wie er hier verwendet wird, bezieht sich der Begriff „Bauelement” auf eine aktive elektrische Komponente einer elektrischen Schaltung, einschließlich Transistoren und Dioden (im Allgemeinen wird der Begriff typischerweise eher für „aktive” Komponenten, wie zum Beispiel Transistoren, als für „passive” Komponente, wie zum Beispiel Widerstände, verwendet). Wenn R₀ erhöht wird, wird die Fähigkeit des Verstärkers verringert, seinen Ausgang über den gesamten Ausgangsbereich zu ändern, mit anderen Worten nachzuführen.
Um eine höhere Verstärkung zu erreichen, kann die Transkonduktanz von MPP 16 und MPN 18 herabgesetzt werden, zum Beispiel durch Reduzieren des Strom- oder Aspektverhältnisses (Verhältnis Breite zu Länge (W/L)) von MPP 16 und MPN 18. Allerdings ist das Reduzieren des Stroms der Lastbauelemente MPP 16 und MPN 18 nicht durchführbar, weil der Strom auch die Eingangsbauelemente MNP 12 und MNN 14 versorgt. Das Aspektverhältnis von MPP 16 und MPN 18 kann reduziert werden; allerdings kann das Verringern des Aspektverhältnisses die Drain-Source-Spannung (V_DS) der Lastbauelemente MPP 16 und MPN 18 erhöhen, was bewirkt, dass die Eingangsbauelemente MNP 12 und MNN 14 keine Sättigung mehr aufweisen.
Weil die als Dioden geschalteten Lasten MPP 16 und MPN 18 Spannungsaussteuerungsreserve verbrauchen, kann ein Teil der Biasströme der Eingangstransistoren MNP 12 und MNN 14 von den Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 bereitgestellt werden. Falls zum Beispiel MPIP 20 und MPIN 22 einen Großteil des Drain-Stroms von MNP 12 und MNN 14 führen, wird der Strom durch MPP 16 und MPN 18 proportional reduziert, was potentiell die Transkonduktanz von MPP 16 und MPN 18 reduziert. Somit kann die Differenzverstärkung größer sein als im Fall ohne die Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22.
Außerdem können die Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 Strom aus den Lastbauelementen MPP 16 und MPN 18 ableiten, so dass die Lastbauelemente MPP 16 und MPN 18 kleiner bemessen werden können, ohne die Sättigung der Eingangsbauelemente MNP 12 und MNN 14 zu beeinflussen. Die Gates der Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 können auf eine geeignete Biasspannung (V_BIASp) angesteuert werden, um den Betrieb als Stromquellen zu ermöglichen. (Biasing ist ein Verfahren zum Aufbau vorbestimmter Spannungen oder Ströme an verschiedenen Punkten einer Schaltung, um korrekte Betriebsbedingungen zu ermöglichen; einige Bauelemente können einen stationären (Gleich-)Strom oder Spannung erfordern, um korrekt zu arbeiten, selbst wenn sie analogen (Wechsel-)Strom oder Spannung verarbeiten – das an sie angelegte Wechselspannungssignal wird dem Gleichspannungs-Biasstrom oder -Biasspannung überlagert.)
Die höhere Verstärkung mit den Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 kann zu einer reduzierten Nachführgeschwindigkeit führen, die reduziert wird, weil die Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 einen kleineren Strom zur Potentialänderung an den Ausgangsknoten bereitstellen, wenn die Eingangsanschlüsse eine größere Spannungsänderung sehen. Demzufolge können die Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 in verschiedenen Ausführungsformen mit einer Biassteuerung 24 verschaltet sein, die die Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 während des Nachführens ausschaltet und sie anschließend anschaltet. Die parallel mit den Lastbauelementen MPP 16 und MPN 18 verbundenen Stromquellen MPIP 20 und MPIN 22 können ein- oder ausgeschaltet werden, indem die Spannung V_BIASp mit der Biassteuerungsschaltung 24 gesteuert wird. In einem Ausführungsbeispiel kann die Biassteuerung 24, wenn der Verstärker 10 nachführt, V_BIASp in die Nähe von V_DD (Versorgungsspannung) ansteuern, somit MPIP 20 und MPIN 22 ausschalten und zusätzlichen Strom zum Ändern des Potentials an den Ausgangsknoten verfügbar machen, wodurch die Nachführgeschwindigkeit erhöht wird. Wenn der Verstärker 10 nicht nachführt, kann die Biassteuerung 24 V_BIASp auf ihren normalen Wert ansteuern, um es MPIP 20 und MPIN 22 zu ermöglichen, als Stromquellen zu arbeiten, woraus sich eine hohe Verstärkung für den Verstärker 10 ergibt. Es sei angemerkt, dass eine negative Biasspannung (V_BIASn) an einem anderen Transistor MNB 26 angelegt werden kann, der auch mit Masse verbunden sein kann; die Lastbauelemente MPP 16 und MPN 18 können mit V_DD verbunden sein.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die Biassteuerung 24 auf irgendeine geeignete Art und Weise nach verschiedenen Design-Überlegungen umgesetzt werden. Es sei angemerkt, dass sich, während sich die Verstärkung des Verstärkers 10 bei Verwendung der Biassteuerung 24 ändert, die Stabilität des Verstärkers 10 ebenfalls ändern kann. Die Stabilität des Verstärkers 10 kann durch passendes Steuern von Werten von Verstärkerkompensationskondensatoren und/oder -widerständen behandelt werden. Es sei angemerkt, dass in der in der Figur gezeigten Schaltung die Eingangstransistoren MPP 12 und MPN 14, die Lastbauelemente MNP 16 und MNN 18 und die Stromquellen MNIP 20 und MNIN 22 p-Typ Metall-Oxid-Halbleiter-(PMOS-)Transistoren sind.
Unter Bezugnahme auf 2: 2 ist ein vereinfachter Schaltplan, der eine andere Ausführungsform des Verstärkers 10 veranschaulicht. Die Eingangstransistoren MPP 12 und MPN 14 sind p-Typ Metall-Oxid-Halbleiter-(PMOS-)Transistoren, und die Lastbauelemente MNP 16 und MNN 18 und die Stromquellen MNIP 20 und MNIN 22 sind n-Typ Metall-Oxid-Halbleiter-(NMOS-)Transistoren. Die Biassteuerung 24 steuert die Versorgungs-Biasspannung V_BIASn in die Nähe von GND, wenn der Verstärker 10 nachführt, somit schaltet sie die Stromquellen MNIP 20 und MNIN 22 aus. Wenn der Verstärker 10 nicht nachführt, kann die Biassteuerung 24 V_BIASp auf ihren normalen Wert steuern, um es MNIP 20 und MNIN 22 zu ermöglichen, als Stromquellen zu arbeiten, woraus sich eine hohe Verstärkung für den Verstärker 10 ergibt.
Unter Bezugnahme auf 3: 3 ist ein vereinfachter Schaltplan, der beispielhafte Details einer Ausführungsform des Verstärkers 10 veranschaulicht. Ausführungsformen des Verstärkers 10 können in Vorladungspuffern gewisser Analog-Digital-Wandler (ADCs) verwendet werden. Bei Ausführungsformen des Verstärkers 10 im Vorladungspuffer verschlechtert die erhöhte Verstärkung Offsets nicht (z. B. aufgrund von zufälligen Fehlanpassungen) oder verringert nicht die Nachführgeschwindigkeit des Verstärkers 10.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 parallel zu den Diodenlasten MPP 16 und MPN 18 hinzugefügt werden. Die parallelen Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 können Offsets aufgrund von Fehlanpassung der als Dioden geschalteten Lasten MPP 16 und MPN 18 aufrechterhalten, zum Beispiel, weil auf den Eingang bezogene Offsets die gleichen wie ohne die Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 bleiben. Auch können die Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 so bemessen werden, dass sie nicht von selbst eingangsbezogenen Offsets hinzufügen. Die hinzugefügten Stromquellen können die Transkonduktanz G_m der Lastbauelemente MPP 16 und MPN 18 herabsetzen und folglich die Verstärkung des Verstärkers erhöhen. Allerdings wird die hohe Verstärkung auf Kosten einer verringerten Nachführgeschwindigkeit erreicht, weil zum Laden von Entladekondensatoren (nicht dargestellt) am Ausgang verfügbarer Strom viel kleiner ist. Demzufolge kann der Transistor MP 36 hinzugefügt werden, um als ein Schalter zu fungieren. Wenn der Verstärker 10 nachführt, kann der Knoten fineb auf einer kleineren Spannung liegen, und anschließend werden alle parallelen Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 ausgeschaltet, und der gesamte Strom fließt in das Laden der Lastkondensatoren. Wenn das Nachführen beendet ist, kann die Spannung am Knoten fineb erhöht werden, so dass der Knoten vbiasn die Gate-Spannung V_GS annimmt, um alle Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 eingeschaltet zu halten.
In einigen Ausführungsformen muss das Signal fineb nicht separat generiert werden; irgendein geeignetes Signal, das angeben kann, ob der Verstärker 10 sich im Grobeinschwing-Modus oder im Feineinschwing-Modus befindet, kann zum Steuern des Schalters MP 36 verwendet werden. Wenn zum Beispiel eine Eingangsspannung angelegt wird, braucht der Ausgang des Verstärkers einige Zeit, um einen über der Zeit stabilen Wert zu erreichen. Während der Nachführungszeit (d. h. Grobeinschwing-Modus) bewegt sich der Ausgang des Verstärkers mit seiner höchst möglichen Geschwindigkeit zum Endspannungswert. Während der Klirrzeit (d. h. Feineinschwing-Modus) erholt sich der Verstärker vom Nachführen, und die Ausgangsspannung beendet die Bewegung innerhalb irgendeines vordefinierten Fehlerbereichs. Das Signal fineb und der Schalter MP 36 können schnelles Nachführen während der Grobeinschwingung (z. B., wenn sich der Verstärker 10 im Nachführungsmodus befindet) und hohe Verstärkung während der Feineinschwingung (z. B., wenn sich der Verstärker 10 nicht im Nachführungsmodus befindet) ermöglichen. Es sei angemerkt, dass die Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 für die Dauer des Anlegens der Eingangsspannung an den Verstärker eingeschaltet bleiben können.
Wenn der Verstärker 10 vom Grobeinschwing-Modus in den Feineinschwing-Modus wechselt, werden die Stromquellen MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34 eingeschaltet, was V_GS für die Diodenlasten MPP 16 und MPN 18 herabsetzt. Es sei angemerkt, dass das Herabsetzen von V_GS auch den G_m von Bauelementen in der nächsten Stufe des Verstärkers 10 herabsetzen kann. Allerdings bleibt die Verstärkung der nächsten Stufe unbeeinflusst, weil eine kleinere V_GS I_d reduziert und R_out erhöht. Somit kann in der nächsten Stufe während der Grobeinschwingung mehr Strom verwendet werden, wohingegen in der nächsten Stufe während der Feineinschwingung weniger Strom verwendet werden kann.
Unter Bezugnahme auf 4: 4 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das beispielhafte Operationen 50 veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers 10 verknüpft sein können. In 52 können die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) zum Beispiel durch die Biassteuerung 24, die V_BIASp nach V_DD ansteuert, ausgeschaltet werden. In 54 kann die Spannung V_IN über Eingangsknoten gemessen werden. Falls in 56 die Spannung V_IN nicht größer als ein vorbestimmter Spannungsschwellenwert ist, der angibt, dass das Nachführen beendet ist, können in 58 die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) eingeschaltet werden, um eine höhere Verstärkung für den Verstärker 10 zu erreichen. Zum Beispiel kann die Spannung V_BIASp durch die Biassteuerung 24 verringert werden, um die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) einzuschalten.
Falls auf der anderen Seite in 56 bestimmt wird, dass die Spannung V_IN größer als der vorbestimmte Spannungsschwellenwert ist, kann eine weitere Bestimmung erfolgen, ob die Stromquellen in 60 (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) eingeschaltet werden. Falls sie nicht eingeschaltet werden (wie es z. B. der Fall wäre, wenn der Verstärker nachführt, nachdem die Eingangsspannung angelegt worden ist), können die Operationen mit 54 fortfahren, wo die Ausgangsspannung gemessen wird. Falls auf der anderen Seite die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) eingeschaltet werden (wie es z. B. der Fall wäre, wenn die Eingangsspannung ausgeschaltet wird und der Verstärker das Nachführen nach unten beginnt), kehren die Operationen zu 52 zurück, wo die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) ausgeschaltet werden können, zum Beispiel durch die Biassteuerung 24, die die Spannung V_BIASp auf V_DD herabsetzt.
Unter Bezugnahme auf 5: 5 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das beispielhafte Operationen 70 veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers 10 verknüpft sein können. In 72 können die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) zum Beispiel durch die Biassteuerung 24, die V_BIASp nach V_DD ansteuert, ausgeschaltet werden. Daraufhin kann der Verstärker 10 eine hohe Nachführgeschwindigkeit erreichen. In 74 kann die Zeit vom Start der Spannungsänderung an den Eingangsknoten (z. B. MNP 12 und MNN 14) gemessen werden (z. B. unter Verwendung irgendeines geeigneten Zeitgebers). In 76 kann eine Bestimmung erfolgen, ob die gemessene Zeit länger als ein vorbestimmter Zeitschwellenwert ist (z. B. entsprechend zum Ende des Nachführungsmodus). Falls zum Beispiel die Nachführgeschwindigkeit des Verstärkers 10 bekannt ist, kann die zum Abschluss des Nachführens benötigte Zeit berechnet werden und als der vorbestimmte Zeitschwellenwert gewählt werden. Falls die gemessene Zeit größer als der vorbestimmte Zeitschwellenwert ist, können in 78 die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) zum Beispiel durch die Biassteuerung 24, die V_BIASp erhöht, eingeschaltet werden. Daraufhin kann der Verstärker 10 eine hohe Verstärkung erreichen. Falls auf der anderen Seite die gemessene Zeit kürzer als der vorbestimmte Zeitschwellenwert ist, können die Operationen in 74 mit dem Messen der Zeit fortfahren.
Unter Bezugnahme auf 6: 6 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das beispielhafte Operationen 90 veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers 10 verknüpft sein können. In 92 können die Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) zum Beispiel durch die Biassteuerung 24, die V_BIASp nach V_DD ansteuert, ausgeschaltet werden. Daraufhin kann der Verstärker 10 eine hohe Nachführgeschwindigkeit erreichen. In 94 kann die Zeit vom Start der Spannungsänderung an den Eingangsknoten (z. B. MNP 12 und MNN 14) gemessen werden (z. B. unter Verwendung irgendeines geeigneten Zeitgebers). In 96 kann die Biassteuerung 24 die Biasspannung V_BIASp allmählich erhöhen. In 98 kann eine Bestimmung erfolgen, ob die gemessene Zeit länger als ein vorbestimmter Zeitschwellenwert ist (z. B. entsprechend zum Ende des Nachführungsmodus). Falls das in 100 der Fall ist, kann die Biassteuerung 24 eine maximale Biasspannung V_BIASp an den Stromquellen (z. B. MPIP 20 und MPIN 22) anlegen. Falls auf der anderen Seite die gemessene Zeit nicht länger als der vorbestimmte Zeitschwellenwert ist (z. B. der Verstärker 10 befindet sich im Nachführungsmodus), können die Operationen in 94 zum Messen der Zeit zurückkehren.
Unter Bezugnahme auf 7: 7 ist ein vereinfachtes Flussdiagramm, das beispielhafte Operationen 110 veranschaulicht, die mit einer Ausführungsform des Verstärkers 10 verknüpft sein können. In 112 kann ein Steuersignal (z. B. die Spannung fineb) die Eingangsspannung oder die seit dem Start der Änderung der Eingangsspannung abgelaufene Zeit überwachen. In 114 kann eine Bestimmung erfolgen, ob sich der Verstärker 10 im Nachführungsmodus befindet. Falls sich der Verstärker 10 in 116 im Nachführungsmodus befindet, können die Stromquellen (z. B. MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34) ausgeschaltet werden (z. B. durch Ausschalten des Schalters MP 36), um die Nachführgeschwindigkeit zu erhöhen. Falls sich auf der anderen Seite der Verstärker 10 in 118 nicht im Nachführungsmodus befindet, können die Stromquellen (z. B. MP 28, MP 30, MP 32 und MP 34) eingeschaltet werden (z. B. durch Einschalten des Schalters MP 36), um die Verstärkung zu erhöhen.
Es sei angemerkt, dass in dieser Patentbeschreibung Bezüge auf verschiedene Merkmale (z. B. Elemente, Strukturen, Module, Komponenten, Schritte, Operationen, Charakteristika usw.), die in „einer Ausführungsform”, „einem Ausführungsbeispiel”, „einer anderen Ausführungsform”, „einigen Ausführungsformen”, „verschiedenen Ausführungsformen”, „anderen Ausführungsformen”, „einer alternativen Ausführungsform” und Ähnlichem enthalten sind, bedeuten sollen, dass alle derartigen Merkmale in einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten sind, jedoch in den gleichen Ausführungsformen kombiniert sein oder nicht notwendigerweise kombiniert sein können.
In der Erörterung der oben genannten Ausführungsformen können Schaltungskomponenten, wie zum Beispiel Kondensatoren, Taktgeber, Dividierer, Induktoren, Widerstände, Verstärker, Schalter, digitaler Kern, Transistoren, und/oder andere Komponenten ohne Weiteres ersetzt, ausgetauscht oder anderweitig modifiziert werden, um den spezifischen Erfordernissen der Schaltkreise Rechnung zu tragen. Außerdem sei angemerkt, dass die Verwendung von komplementären elektronischen Chips, Hardware, Software usw. eine gleichermaßen praktikable Option zum Umsetzen der Lehren der vorliegenden Offenbarung bietet.
In einem Ausführungsbeispiel kann irgendeine Anzahl von elektrischen Schaltungen der FIGUREN auf einer Leiterplatte eines zugehörigen elektronischen Chips umgesetzt werden. Die Leiterplatte kann eine allgemeine Leiterplatte sein, die verschiedene Komponenten des internen elektronischen Systems des elektronischen Chips tragen und weiterhin Verbinder für andere Peripheriegeräte bereitstellen kann. Insbesondere kann die Leiterplatte die elektrischen Verbindungen bereitstellen, mit denen die anderen Komponenten des Systems elektrisch kommunizieren können. Irgendwelche geeigneten Prozessoren (einschließlich digitale Signalprozessoren, Mikroprozessoren, unterstützende Chipsätze usw.), Speicherelemente usw. können geeignet mit der Leiterplatte auf Basis spezifischer Konfigurationserfordernisse, Verarbeitungsbedürfnisse, Computerdesigns usw. verschaltet werden. Andere Komponenten, wie zum Beispiel externe Speicher, zusätzliche Sensoren, Steuerungen für Audio-/Video-Display und andere Peripherie-Chips können an der Leiterplatte als Plug-in-Karten über Kabel angeschlossen oder in die Leiterplatte selbst integriert werden.
In einer anderen Ausführungsform können die elektrischen Schaltungen der FIGUREN als Einzelmodule (z. B. ein Chip mit zugehörigen Komponenten und Schaltkreisen, die dazu ausgelegt sind, eine spezielle Anwendung oder Funktion durchzuführen) umgesetzt werden, oder sie können als Plug-in-Module in anwendungsspezifischer Hardware oder elektronischen Chips umgesetzt werden. Es sei angemerkt, dass spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ohne Weiteres in einem System-on-Chip-(SOC-)Package enthalten sein können, entweder zum Teil oder als Ganzes. Ein SOC stellt einen IC dar, der Komponenten eines Computers oder eines anderen elektronischen Systems in einem einzelnen Chip integriert. Es kann Digital-, Analog-, Mixed-Signal- und häufig Funkfrequenz-Funktionen umfassen: Sie alle können auf einem einzelnen Chip-Substrat bereitgestellt werden. Zu anderen Ausführungsformen kann ein Mehr-Chip-Modul (MCM) mit mehreren separaten ICs zählen, die sich in einem einzelnen elektronischen Package befinden und dazu ausgelegt sind, im elektronischen Package eng miteinander zusammenzuwirken. In verschiedenen anderen Ausführungsformen können die hier beschriebenen Funktionalitäten in einem oder mehreren Siliciumkernen in anwendungsspezifischen integrierten Schaltungen (ASICs), Field Programmable Gate Arrays (FPGAs) und anderen Halbleiter-Chips umgesetzt werden. In verschiedenen anderen Ausführungsformen können die hier beschriebenen Funktionalitäten in Emulationsform als Software oder Firmware umgesetzt werden, die auf einem oder mehreren konfigurierbaren (z. B. programmierbaren) Elementen läuft, die in einer diese Funktionen unterstützenden Struktur angeordnet sind.
Es ist auch zwingend erforderlich anzumerken, dass alle hier umrissenen Spezifikationen, Abmaße und Beziehungen (z. B. die Anzahl von Komponenten, logischen Operationen usw.) lediglich als Beispiel und zur Lehre angeführt worden sind. Solche Informationen können deutlich schwanken, ohne vom Geist der vorliegenden Offenbarung oder vom Schutzbereich der beigefügten Ansprüche abzuweichen. Die Patentbeschreibungen gelten lediglich für ein nicht einschränkendes Beispiel und sollten dementsprechend als solches ausgelegt werden. In der vorher genannten Beschreibung sind Ausführungsbeispiele in Bezug auf spezifische Komponentenanordnungen beschrieben worden. Verschiedene Modifikationen und Änderungen können an solchen Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne vom Schutzbereich der beigefügten Ansprüche abzuweichen. Die Beschreibung und die Zeichnungen sind dementsprechend eher in einem veranschaulichenden als in einem einschränkenden Sinne zu betrachten.
Es sei angemerkt, dass die oben in Bezug auf die FIGUREN erörterten Tätigkeiten auf irgendwelche integrierten Schaltungen anwendbar sind, die Signalverarbeitung einbeziehen, insbesondere auf diejenigen, die auf Signale angewiesen sind, um spezialisierte Software-Programme oder Algorithmen, von denen einige mit dem Verarbeiten von digitalisierten Echtzeitdaten verknüpft sein können, auszuführen. Gewisse Ausführungsformen können sich auf Kraftfahrzeuganwendungen beziehen, wie zum Beispiel Batterieleistungssensoren und zugehöriges Zubehör. Gewisse andere Ausführungsformen können sich auf Multi-DSP-Signalverarbeitung, Gleitkomma-Verarbeitung, Signal-/Steuerverarbeitung, Fixed-Function-Verarbeitung, Mikrocontroller-Anwendungen usw. beziehen. In gewissen Zusammenhängen können die hier erörterten Merkmale auf Kraftfahrzeugsysteme, medizinische Systeme, wissenschaftliche Messgeräte, drahtlose und drahtgebundene Kommunikationen, Funk, industrielle Prozesssteuerung, Audio- und Video-Geräte, Stromerfassung, Messgeräte (die hoch präzise sein können) und andere Systeme auf Basis digitaler Verarbeitung anwendbar sein.
Außerdem können gewisse, oben erörterte Ausführungsformen in digitalen Signalverarbeitungstechnologien für medizinische Bildgebung, Patientenüberwachung, medizinische Messgeräte und häusliche Gesundheitspflege vorgehalten werden. Dazu könnten Lungenfunktionsmonitore, Beschleunigungsaufnehmer, Herzfrequenzmonitore, Schrittmacher usw. zählen. Andere Anwendungen können Kraftfahrzeugtechnologien für Sicherheitssysteme einbeziehen (z. B. Stabilitätssteuersysteme, Fahrerassistenzsysteme, Bremssysteme, Infotainment und Innenraumanwendungen jeder Art). Weiterhin können Antriebsstrangsysteme (z. B. in Hybrid- und Elektrofahrzeugen) die hier beschriebenen Funktionalitäten in hochgenauen Datenwandlerprodukten bei der Batterieüberwachung, in Steuersystemen, Protokollsteuerungen, Wartungsaktivitäten usw. anwenden.
Bei noch anderen Beispielszenarien können die Lehren der vorliegenden Offenbarung in industriellen Märkten anwendbar sein, zu denen Prozesssteuersysteme zählen, die helfen, Produktivität, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit zu fördern. Bei Privatkundenanwendungen können die oben erörterten Lehren der elektrischen Schaltungen zur Bildverarbeitung, Autofokus und Bildstabilisierung verwendet werden (z. B. für digitale Fotokameras, Camcorder usw.). Zu anderen Privatkundenanwendungen können Audio- und Videoprozessoren für Heimkinosysteme, DVD-Recorder und High-Definition-Fernsehgeräte zählen. Noch andere Privatkundenanwendungen können hochentwickelte Touchscreen-Steuerungen umfassen (z. B. für irgendeine Art von tragbarem Medien-Chip). Somit können solche Technologien ohne Weiteres Teil von Smartphones, Tablets, Sicherheitssystemen, PCs, Gaming-Technologie, virtueller Realität, Simulationstraining usw. sein.
Es sei angemerkt, dass mit den zahlreichen, hier bereitgestellten Beispielen das Zusammenspiel in Form von zwei, drei, vier oder mehr elektrischen Komponenten beschrieben werden kann. Allerdings erfolgt dies lediglich zur Übersichtlichkeit und als Beispiel. Es versteht sich, dass das System auf irgendeine geeignete Art und Weise zusammengebracht werden kann. Neben ähnlichen Design-Alternativen können irgendwelche der veranschaulichten Komponenten, Module und Elemente aus den FIGUREN in verschiedenen möglichen Konfigurationen kombiniert werden, die alle eindeutig im umfangreichen Schutzbereich dieser Patentschrift liegen. In gewissen Fällen kann es einfacher sein, eine oder mehrere der Funktionalitäten eines gegebenen Satzes von Abläufen zu beschreiben, indem nur auf eine begrenzte Anzahl von elektrischen Elementen Bezug genommen wird. Es versteht sich, dass die elektrischen Schaltungen aus den FIGUREN und ihre Lehren ohne Weiteres skalierbar sind und eine große Anzahl von Komponenten ebenso wie komplexere/hochentwickeltere Anordnungen und Konfigurationen aufnehmen können. Dementsprechend sollten die bereitgestellten Beispiele nicht den Schutzbereich einschränken oder die umfangreichen Lehren von den elektrischen Schaltungen blockieren, weil sie potentiell auf unzählige andere Architekturen angewandt werden.
Zahlreiche andere Änderungen, Substitutionen, Varianten, Abwandlungen und Modifikationen können von einem Fachmann ermittelt werden, und es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung alle derartigen Änderungen, Substitutionen, Varianten, Abwandlungen und Modifikationen umfasst, da sie in den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche fallen. Um das United States Patent and Trademark Office (USPTO) und zudem alle Leser jedes Patents, das auf diese Anmeldung hin ausgestellt wurde, beim Interpretieren der hier beigefügten Ansprüche zu unterstützen, wünscht der Anmelder anzumerken, dass der Anmelder: (a) nicht beabsichtigt, dass irgendeiner der beigefügten Ansprüche den Paragraphen sechs (6) 35 U. S. C, Abschnitt 112, in Anspruch nimmt, wie er am Tage der Einreichung hiervon besteht, es sei denn, die Worte „Mittel für” oder „Schritt für” werden in den speziellen Ansprüchen spezifisch verwendet; und (b) nicht beabsichtigt, diese Offenbarung durch irgendeine Aussage in der Patentbeschreibung auf irgendeine Weise einzuschränken, die in den beigefügten Ansprüchen nicht anderweitig wiedergegeben wird.
ANDERE ANMERKUNGEN, BEISPIELE UND UMSETZUNGSFORMEN
Es sei angemerkt, dass alle optionalen Merkmale der oben beschriebenen Vorrichtung auch in Hinsicht auf das hier beschriebene Verfahren oder den Prozess umgesetzt werden können, und Details in den Beispielen können irgendwo in einer oder mehreren Ausführungsformen verwendet werden. In einem ersten Beispiel wird ein System bereitgestellt (das alle geeigneten Schaltkreise, Dividierer, Kondensatoren, Widerstände, Induktoren, ADCs, DFFs, Logikgatter, Software, Hardware, Verknüpfungen usw. enthalten kann), das Teil irgendeiner Art von elektronischer Einrichtung (z. B. eines Computers) sein kann, die weiterhin eine mit mehreren elektronischen Komponenten verschaltete Schaltungsleiterplatte enthalten kann. Das System enthält einen Verstärker mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit, der ein Paar Eingangstransistoren, an die eine Eingangsspannung angelegt wird, ein Paar als Dioden geschaltete Lasten, die mit den Eingangstransistoren verschaltet sind, wenigstens ein Paar Stromquellen, die mit den als Dioden geschalteten Lasten verschaltet sind, und eine Biassteuerung enthält.
Der Verstärker enthält Mittel zum Ausschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn der Verstärker nachführt; und Mittel zum Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn der Verstärker nicht nachführt; Mittel zum allmählichen Erhöhen der Biasspannung an den Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn der Verstärker nachführt, um die Stromquellen allmählich einzuschalten; Mittel zum Anlegen der Eingangsspannung an die Eingangstransistoren; Mittel zum Messen der Zeit, beginnend mit dem Anlegen der Eingangsspannung; und Mittel zum Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn die gemessene Zeit einen vorbestimmten Zeitschwellenwert überschreitet, zum Beispiel entsprechend einem Ende des Nachführens des Verstärkers. Der Verstärker kann weiterhin Mittel zum Messen der Ausgangsspannung des Verstärkers enthalten; und Mittel zum Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn die gemessene Spannung einen vorbestimmten Spannungsschwellenwert überschreitet.
Zu den Mitteln für in diesen Beispielen (oben) können zählen (ohne darauf beschränkt zu sein): Verwenden irgendeiner geeigneten, hier erörterten Komponente nebst irgendeiner geeigneten Software, Schaltkreis, Hub, Computer-Code, Logik, Algorithmus, Hardware, Steuerung, Schnittstelle, Verknüpfung, Bus, Kommunikationsweg usw. In einem zweiten Beispiel enthält das System Speicher, der weiterhin maschinenlesbare Anweisungen umfasst, die, wenn sie ausgeführt werden, bewirken, dass das System irgendeine der oben erörterten Aktivitäten durchführt.

Claims

Verstärker mit einer hohen Verstärkung und einer hohen Nachführgeschwindigkeit, der Folgendes umfasst: ein Paar Eingangstransistoren, an die eine Eingangsspannung angelegt wird; ein Paar als Dioden geschaltete Lasten, die mit den Eingangstransistoren verschaltet sind; wenigstens ein Paar Stromquellen, die mit den als Dioden geschalteten Lasten verschaltet sind; und eine Biassteuerung, die dazu ausgelegt ist, das wenigstens eine Paar Stromquellen auszuschalten, um eine hohe Nachführgeschwindigkeit für den Verstärker zu ermöglichen, und das wenigstens eine Paar Stromquellen einzuschalten, um eine hohe Verstärkung für den Verstärker zu ermöglichen.
Verstärker nach Anspruch 1, wobei die Biassteuerung die Stromquellen während eines Grobeinschwing-Modus des Verstärkers ausschaltet, wenn der Verstärker nachführt, wobei die Biassteuerung die Stromquellen am Ende des Nachführens einschaltet und die Stromquellen eingeschaltet lässt, wenn der Verstärker nicht nachführt.
Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Stromquellen Transistoren umfassen, wobei die Biassteuerung eine Biasspannung zu den Stromquellen steuert, wobei die Biasspannung auf die Versorgungsspannung (V_DD) angesteuert wird, um die Stromquellen auszuschalten.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Biassteuerung die Biasspannung allmählich erhöht, wenn der Verstärker nachführt, um die Stromquellen allmählich einzuschalten.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Biassteuerung einen Transistorschalter enthält, der mit den Stromquellen verschaltet ist, wobei die Stromquellen eingeschaltet werden, wenn der Transistorschalter eingeschaltet wird, wobei die Stromquellen ausgeschaltet werden, wenn der Transistorschalter ausgeschaltet wird.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Biassteuerung die Stromquellen ausschaltet, wenn eine Zeit, die von einem Beginn des Anlegens der Eingangsspannung an die Eingangstransistoren gemessen wird, unter einem vorbestimmten Zeitschwellenwert liegt, und die Biassteuerung die Stromquellen einschaltet, wenn die gemessene Zeit über dem vorbestimmten Zeitschwellenwert liegt.
Verstärker nach Anspruch 6, wobei der vorbestimmte Zeitschwellenwert einem Ende des Nachführens des Verstärkers entspricht.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Biassteuerung die Stromquellen ausschaltet, wenn die Ausgangsspannung des Verstärkers unter einem vorbestimmten Spannungsschwellenwert liegt, und die Biassteuerung die Stromquellen einschaltet, wenn die Ausgangsspannung des Verstärkers über einem vorbestimmten Spannungsschwellenwert liegt.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Verstärker in einem Vorladungspuffer eines Analog-Digital-Wandlers (ADC) verwendet wird.
Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Eingangstransistoren, die als Dioden geschalteten Lasten und die Stromquellen p-Typ Metall-Oxid-Halbleiter-(PMOS-)Transistoren umfassen.
Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Eingangstransistoren PMOS-Transistoren umfassen und die als Dioden geschalteten Lasten und die Stromquellen n-Typ Metall-Oxid-Halbleiter-(NMOS-)Transistoren umfassen.
Verfahren zum Ermöglichen eines Verstärkers mit hoher Verstärkung und hoher Nachführgeschwindigkeit, der ein Paar Eingangstransistoren, an die eine Eingangsspannung angelegt wird, ein Paar als Dioden geschaltete Lasten, die mit den Eingangstransistoren verschaltet sind, wenigstens ein Paar Stromquellen, die mit den als Dioden geschalteten Lasten verschaltet sind, und eine Biassteuerung umfasst, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn der Verstärker nachführt; und Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn der Verstärker nicht nachführt.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Stromquellen Transistoren umfassen, wobei die Biassteuerung eine Biasspannung zu den Stromquellen steuert, wobei die Biasspannung auf die Versorgungsspannung (V_DD) angesteuert wird, um die Stromquellen auszuschalten.
Verfahren nach Anspruch 13, das weiterhin das allmähliche Erhöhen der Biasspannung mit der Biassteuerung umfasst, wenn der Verstärker nachführt, um die Stromquellen allmählich einzuschalten.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Biassteuerung einen Transistorschalter enthält, der mit den Stromquellen verschaltet ist, wobei die Stromquellen eingeschaltet werden, wenn der Transistorschalter eingeschaltet wird, wobei die Stromquellen ausgeschaltet werden, wenn der Transistorschalter ausgeschaltet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, das weiterhin Folgendes umfasst: Ausschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung; Anlegen der Eingangsspannung an die Eingangstransistoren; Zeitmessen, beginnend mit dem Anlegen der Eingangsspannung; und Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn die gemessene Zeit einen vorbestimmten Zeitschwellenwert überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei der vorbestimmte Zeitschwellenwert einem Ende des Nachführens des Verstärkers entspricht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17, das weiterhin Folgendes umfasst: Ausschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung; Anlegen der Eingangsspannung an die Eingangstransistoren; Messen der Ausgangsspannung des Verstärkers; und Einschalten der Stromquellen mit der Biassteuerung, wenn die gemessene Spannung einen vorbestimmten Spannungsschwellenwert überschreitet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 18, wobei die Eingangstransistoren, die als Dioden geschalteten Lasten und die Stromquellen PMOS-Transistoren umfassen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 18, wobei die Eingangstransistoren PMOS-Transistoren umfassen und die als Dioden geschalteten Lasten und die Stromquellen NMOS-Transistoren umfassen.