DE102015107422B4 - Integrierter Schaltkreis mit einer Schlitzdurchkontaktierung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Integrierter Schaltkreis mit einer Schlitzdurchkontaktierung und Verfahren zu seiner Herstellung Download PDF

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Abstract

Integrierter Schaltkreis, der Folgendes umfasst:eine erste leitfähige Leitung (112) auf einer ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises;eine zweite leitfähige Leitung (116) auf einer zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises, wobei die zweite leitfähige Leitung sich unter der ersten leitfähigen Leitung erstreckt; undeine Schlitzdurchkontaktierung (114), die die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung verbindet, wobei die Schlitzdurchkontaktierung (114) in Draufsicht mit der ersten leitfähigen Leitung und mit der zweiten leitfähigen Leitung überlappt, und die Schlitzdurchkontaktierung sich über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung (112) hinaus erstreckt, und wobei die gesamte Länge (L1) der Schlitzdurchkontaktierung mit der zweiten leitfähigen Leitung (116) überlappt.

Description

  • HINTERGRUND
  • Ein integrierter Schaltkreis enthält mehrere Halbleiterbauelemente, die über eine Interconnect-Struktur elektrisch miteinander verbunden sind. Die Interconnect-Struktur enthält leitfähige Leitungen, die ein Routen zwischen den Halbleiterbauelementen in einer Richtung parallel zu einer Oberseite eines Substrats des integrierten Schaltkreises ermöglichen. Die leitfähigen Leitungen sind elektrisch durch leitfähige Durchkontaktierungen miteinander verbunden. Die leitfähigen Durchkontaktierungen werden so ausgebildet, dass ihre gesamte Oberseite mit einer leitfähigen Leitung über den leitfähigen Durchkontaktierungen, d. h. weiter von dem Substrat entfernt, verbunden ist und dass ihre gesamte Unterseite mit einer leitfähigen Leitung unter dem leitfähigen Durchkontaktierung, d. h. näher an dem Substrat, verbunden ist.
  • Elektrischer Strom, der durch die leitfähigen Leitungen und leitfähigen Durchkontaktierungen der Interconnect-Struktur fließt, erzeugt eine Kapazität in der Interconnect-Struktur. In einigen Fällen ist diese Kapazität eine ungewollte Folge der Routung der leitfähigen Leitungen und leitfähigen Durchkontaktierungen innerhalb der Interconnect-Struktur und wird als parasitische Kapazität bezeichnet. Parasitische Kapazität beeinflusst die Leistung des integrierten Schaltkreises und wird vor dem Herstellen des integrierten Schaltkreises unter Verwendung von Computermodellierungsprogrammen simuliert, um Leistungseigenschaften des integrierten Schaltkreises zu bestimmen.
  • Leitfähige Durchkontaktierungen sind voneinander beabstandet, um das Risiko von Kurzschlüssen in dem integrierten Schaltkreis zu reduzieren. Ein Widerstand einer leitfähigen Durchkontaktierung wird teilweise auf der Basis einer Größe der leitfähigen Durchkontaktierung bestimmt. Eine kleinere leitfähige Durchkontaktierung hat einen höheren Widerstand als eine größere leitfähige Durchkontaktierung. In dem Maße, wie die Knotengrößen für integrierte Schaltkreise kleiner werden, nehmen auch die Größen von leitfähigen Durchkontaktierungen ab, um einen ausreichenden Abstand zwischen Durchkontaktierungen beizubehalten, um das Risiko von Kurzschlüssen zu reduzieren. In dem Maße, wie der Widerstand innerhalb eines integrierten Schaltkreises zunimmt, nimmt auch der Energieverbrauch des integrierten Schaltkreises zu.
  • US 6 316 836 B1 lehrt einen integrierten Schaltkreis, der eine erste leitfähige Leitung, eine zweite leitfähige Leitung und eine Schlitzkontaktierung aufweist, wobei die Schlitzkontaktierung mit der ersten leitfähigen Leitung und mit der zweiten leitfähigen Leitung überlappt, die Überlappungsregion zwischen der Schlitzkontaktierung und der ersten leitfähigen Leitung vollständig innerhalb der ersten leitfähigen Leitung angeordnet ist, und die Länge der Schlitzkontaktierung größer ist als die Abmessung der Überlappungsregion zwischen der Schlitzkontaktierung und der zweiten leitfähigen Leitung.
  • ABRISS
  • Die vorliegende Erfindung sieht einen integrierten Schaltkreis nach Anspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreisesnach Anspruch 10 vor. Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird darauf hingewiesen, dass gemäß der gängigen Praxis in der Industrie verschiedene Strukturelemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Die Abmessungen veranschaulichter Strukturelemente können im Interesse der Übersichtlichkeit der Besprechung nach Bedarf vergrößert oder verkleinert werden.
    • 1A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 1B ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungsbereichs eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 1C ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungsbereichs eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 2A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 2B ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungsbereichs eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 2C ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungsbereichs eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 3A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 3B ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungsbereichs eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 4 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Im Folgenden werden konkrete Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und dienen nicht der Einschränkung. Zum Beispiel kann die Ausbildung eines ersten Strukturelements über oder auf einem zweiten Strukturelement in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen die ersten und zweiten Strukturelemente in direktem Kontakt ausgebildet sind, und können auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Strukturelemente zwischen den ersten und zweiten Strukturelementen ausgebildet sein können, so dass die ersten und zweiten Strukturelemente nicht unbedingt in direktem Kontakt stehen. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Einfachheit und Klarheit und schafft nicht automatisch eine Beziehung zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
  • Des Weiteren können räumlich relative Begriffe, wie zum Beispiel „unterhalb“, „unter“, „unterer“, „oberhalb“, „oberer“ und dergleichen, im vorliegenden Text verwendet werden, um die Beschreibung zu vereinfachen, um die Beziehung eines Elements oder Strukturelements zu einem oder mehreren anderen Elementen oder Strukturelementen zu beschreiben, wie in den Figuren veranschaulicht. Die räumlich relativen Begriffe sollen neben der in den Figuren gezeigten Ausrichtung noch weitere Ausrichtungen der Vorrichtung während des Gebrauchs oder Betriebes umfassen. Die Vorrichtung kann auch anders ausgerichtet (90 Grad gedreht oder anders ausgerichtet) sein, und die im vorliegenden Text verwendeten räumlich relativen Deskriptoren können gleichermaßen entsprechend interpretiert werden.
  • 1A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises 100 gemäß einigen Ausführungsformen. Der integrierte Schaltkreis 100 enthält einen Verbindungsbereich 110. Der Verbindungsbereich 110 enthält eine erste leitfähige Leitung 112, die dafür konfiguriert ist, ein Routen zwischen Bauelementen innerhalb des integrierten Schaltkreises 100 in einer Richtung parallel zu einer Oberseite eines Substrats (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises zu ermöglichen. Eine erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ist elektrisch mit einer ersten leitfähigen Leitung 112 verbunden. Eine Oberseite der Schlitzdurchkontaktierung 114 ist elektrisch mit einer Unterseite der ersten leitfähigen Leitung 112 verbunden. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 hat eine Länge L1 parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1B). Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 erstreckt sich - in einer Draufsicht betrachtet - über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 112 hinaus. Eine Überlappungsregion R1 ist ein Abschnitt der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114, die mit einer ersten leitfähigen Leitung 112 verbunden ist. In mindestens einigen Ausführungsformen ist R1 ein Längenabschnitt der Länge L1. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ist dafür konfiguriert, ein elektrisches Routen in einer Richtung senkrecht zur Oberseite des Substrats (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises 100 zu ermöglichen. Der Verbindungsbereich 110 enthält außerdem eine zweite leitfähige Leitung 116, die elektrisch mit der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 verbunden ist. Die zweite leitfähige Leitung 116 ist dafür konfiguriert, ein elektrisches Routen in einer Richtung parallel zu der Oberseite des integrierten Schaltkreises 100 zu ermöglichen. Eine Oberseite der zweiten leitfähigen Leitung 116 ist elektrisch mit einer Unterseite der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 verbunden. Die zweite leitfähige Leitung 116 erstreckt sich unter der ersten leitfähigen Leitung 112. Die gesamte Länge L1 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 ist mit der zweiten leitfähigen Leitung 116 verbunden. Die zweite leitfähige Leitung 116 ist elektrisch mit einer dotierten Region 118 verbunden. Die dotierte Region 118 befindet sich innerhalb des Substrats (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises 100. Die erste leitfähige Leitung 112 ist über die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 und die zweite leitfähige Leitung 116 elektrisch mit der dotierten Region 118 verbunden.
  • Der integrierte Schaltkreis 100 enthält einen zweiten Verbindungsbereich 120. Der zweite Verbindungsbereich 120 enthält eine dritte leitfähige Leitung 122, die dafür konfiguriert ist, ein elektrisches Routen in einer Richtung parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1C) des integrierten Schaltkreises 100 zu ermöglichen. Eine zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ist elektrisch mit der dritten leitfähigen Leitung 122 verbunden. Eine Oberseite der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 ist elektrisch mit einer Unterseite der dritten leitfähigen Leitung 122 verbunden. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 hat eine Länge L2 parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1C). Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 erstreckt sich über einen Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 122 hinaus. Eine Überlappungsregion R2 ist ein Abschnitt der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124, die mit der dritten leitfähigen Leitung 122 verbunden ist. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ist dafür konfiguriert, ein elektrisches Routen in einer Richtung senkrecht zur Oberseite des Substrats (150 in 1C) des integrierten Schaltkreises 100 zu ermöglichen. Der Verbindungsbereich 120 enthält außerdem eine vierte leitfähige Leitung 126, die elektrisch mit der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 verbunden ist. Die zweite leitfähige Leitung 126 ist dafür konfiguriert, ein elektrisches Routen in einer Richtung parallel zu der Oberseite des integrierten Schaltkreises 100 zu ermöglichen. Eine Oberseite der vierten leitfähigen Leitung 126 ist elektrisch mit einer Unterseite der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 verbunden. Die vierte leitfähige Leitung 126 erstreckt sich unter der zweiten leitfähigen Leitung 122. Die gesamte Länge L2 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 ist mit der vierten leitfähigen Leitung 126 verbunden. Die vierte leitfähige Leitung 126 ist elektrisch mit der dotierten Region 118 und mit einer dotierten Region 128 verbunden. Die dotierte Region 128 befindet sich innerhalb des Substrats (150 in 1C) des integrierten Schaltkreises 100. Die dotierte Region 128 ist von der dotierten Region 118 getrennt. Die dritte leitfähige Leitung 122 ist durch die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 und die zweite leitfähigen Leitung 126 elektrisch mit der dotierten Region 118 und der dotierten Region 128 verbunden.
  • In dem Maße, wie die Knotengröße in integrierten Schaltkreisen abnimmt, nimmt der Effekt des elektrischen Widerstandes von Durchkontaktierungen in integrierten Schaltkreisen zu. Der elektrische Widerstand einer Durchkontaktierung wird auf der Basis einer Größe einer Durchkontaktierung bestimmt, so dass eine Verkleinerung eines Knotens zu einer kleineren Durchkontaktierung führt, wodurch der Widerstand der Durchkontaktierung zunimmt. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 hilft, einen elektrischen Widerstand gegen einen Strom, der von der ersten leitfähigen Leitung 112 zu der zweiten leitfähigen Leitung 116 fließt, im Vergleich zu einer anderen Durchkontaktierung, die mit der ersten leitfähigen Leitung entlang einer gesamten Länge der Durchkontaktierung verbunden ist, zu verkleinern. In einigen Ausführungsformen wird der elektrische Widerstand der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 im Vergleich zu Durchkontaktierungen verringert, die mit beiden leitfähigen Leitungen entlang einer gesamten Länge der Durchkontaktierung verbunden sind. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 hilft, einen elektrischen Widerstand gegen einen Strom, der von der dritten leitfähigen Leitung 122 zur vierten leitfähigen Leitung 126 fließt, im Vergleich zu einer anderen Durchkontaktierung, die mit der dritten leitfähigen Leitung entlang einer gesamten Länge der Durchkontaktierung verbunden ist, zu verkleinern. In einigen Ausführungsformen wird der elektrische Widerstand der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 im Vergleich zu Durchkontaktierungen, die mit beiden leitfähigen Leitungen entlang einer gesamten Länge der Durchkontaktierung verbunden sind, verringert. Der verringerte Widerstand, der durch die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 und die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 möglich wird, hilft eine Geschwindigkeit des integrierten Schaltkreises 100 zu erhöhen. Darüber hinaus senkt der verringerte Widerstand auch den Energieverbrauch in dem integrierten Schaltkreis 100.
  • Die erste leitfähige Leitung 112 ist Teil einer Interconnect-Struktur, die verschiedene Abschnitte des integrierten Schaltkreises 100 elektrisch verbindet. In einigen Ausführungsformen enthält die erste leitfähige Leitung 112 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder andere geeignete metallische Materialien. In einigen Ausführungsformen enthält die erste leitfähige Leitung 112 ein anderes leitfähiges Material statt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material. Die erste leitfähige Leitung 112 erstreckt sich in einer Richtung senkrecht zu der zweiten leitfähigen Leitung 116. In einigen Ausführungsformen enthält die erste leitfähige Leitung 112 einen ersten Abschnitt, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die von der ersten Richtung verschieden ist.
  • Die erste leitfähige Leitung 112 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung durch chemisches Aufdampfen (CVD), physikalisches Aufdampfen (PVD), Sputtern, Atomschichtabscheidung (ALD) oder einen anderen geeigneten Prozess gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die erste leitfähige Leitung 112 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • Die erste leitfähige Leitung 112 des integrierten Schaltkreises 100 befindet sich auf einer ersten Metallebene M1. Die erste Metallebene ist eine erste Routungsschicht in einer Richtung parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1B) oberhalb einer Kontaktebene. In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste leitfähige Leitung 112 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 als der ersten Metallebene. In einigen Ausführungsformen ist die erste leitfähige Leitung 112 mit einer Versorgungsspannung, wie zum Beispiel VDD oder VSS, verbunden.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 verbindet die erste leitfähige Leitung 112 elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung 116. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ist ein leitfähiges Material. In einigen Ausführungsformen enthält die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder ein anderes geeignetes metallisches Material. In einigen Ausführungsformen enthält die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ein anderes leitfähiges Material statt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 erstreckt sich über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 112 hinaus in einer Richtung parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises 100. Die Überlappungsregion R1 ist ein Abschnitt der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114, die mit der ersten leitfähigen Leitung 112 verbunden ist. Eine Länge der Überlappungsregion R1 ist kleiner als die Länge L1 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R1 zur Länge L1 im Bereich von etwa 0,2 bis etwa 0,8. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R1 zur Länge L1 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,2. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R1 zur Länge L1 im Bereich von etwa 0,8 bis etwa 0,9.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der ersten leitfähigen Leitung 112 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 gleichzeitig mit der Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 nach der Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mittels CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Prozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der ersten leitfähigen Leitung 112 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 gleichzeitig mit der Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 nach der Öffnung für die erste leitfähige Leitung 112 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • In einigen Ausführungsformen gibt es eine einzige Kontaktebene in dem integrierten Schaltkreis 100. In einigen Ausführungsformen gibt es mindestens zwei Kontaktebenen in dem integrierten Schaltkreis 100. In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 in einer ersten Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen befindet sich die zweite leitfähige Leitung 116 in einer zweiten Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 befindet sich auf einer Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen wird die Kontaktebene eines integrierten Schaltkreises als die metallische Null (M0)-Ebene bezeichnet. Die Kontaktebene befindet sich näher an dem Substrat (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises 100 als die erste Metallebene. In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 als der Kontaktebene.
  • In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 in direktem Kontakt mit der ersten leitfähigen Leitung 112. In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 in direktem Kontakt mit der zweiten leitfähigen Leitung 116.
  • Die zweite leitfähige Leitung 116 ist Teil einer Interconnect-Struktur, die die dotierte Region 118 elektrisch mit anderen Abschnitten des integrierten Schaltkreises 100 verbindet. In einigen Ausführungsformen enthält die zweite leitfähige Leitung 116 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder andere geeignete metallische Materialien. In einigen Ausführungsformen enthält die zweite leitfähige Leitung 116 ein anderes leitfähiges Material anstatt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material. Die zweite leitfähige Leitung 116 erstreckt sich in einer Richtung senkrecht zu der ersten leitfähigen Leitung 112. In einigen Ausführungsformen enthält die zweite leitfähige Leitung 116 einen ersten Abschnitt, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die sich von der ersten Richtung unterscheidet.
  • Die zweite leitfähige Leitung 116 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der zweiten leitfähigen Leitung 116 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 gleichzeitig mit der Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 nach der Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 mittels CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Prozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der zweiten leitfähigen Leitung 116 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 gleichzeitig mit der Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 nach der Öffnung für die zweite leitfähige Leitung 116 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die zweite leitfähige Leitung 116 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • Die zweite leitfähige Leitung 116 des integrierten Schaltkreises 100 befindet sich auf der Kontaktebene M0. In einigen Ausführungsformen befindet sich die zweite leitfähige Leitung 116 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 als der Kontaktebene.
  • Die dotierte Region 118 ist ein dotierter Abschnitt des Substrats (150 in 1B) des integrierten Schaltkreises. In einigen Ausführungsformen ist die dotierte Region 118 eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode eines Transistors des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen ist die dotierte Region 118 eine in dem Substrat (150 in 1B) ausgebildete Mulde. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 118 einen Dotanden vom p-Typ. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 118 einen Dotanden vom n-Typ.
  • Die dritte leitfähige Leitung 122 ist Teil einer Interconnect-Struktur, die verschiedene Abschnitte des integrierten Schaltkreises 100 elektrisch verbindet. In einigen Ausführungsformen enthält die dritte leitfähige Leitung 122 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder andere geeignete metallische Materialien. In einigen Ausführungsformen enthält die dritte leitfähige Leitung 122 ein anderes leitfähiges Material anstatt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material. Die dritte leitfähige Leitung 122 erstreckt sich in einer Richtung senkrecht zu der vierten leitfähigen Leitung 126. In einigen Ausführungsformen enthält die dritte leitfähige Leitung 122 einen ersten Abschnitt, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die sich von der ersten Richtung unterscheidet.
  • Die dritte leitfähige Leitung 122 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mittels CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Prozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die dritte leitfähige Leitung 122 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • Die dritte leitfähige Leitung 122 des integrierten Schaltkreises 100 befindet sich auf der ersten Metallebene M1. In einigen Ausführungsformen befindet sich die dritte leitfähige Leitung 122 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 als der ersten Metallebene. In einigen Ausführungsformen ist die dritte leitfähige Leitung 122 mit einer Bezugsspannung, wie zum Beispiel VDD oder VSS, verbunden.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 verbindet die dritte leitfähige Leitung 122 elektrisch mit der vierten leitfähigen Leitung 126. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ist ein leitfähiges Material. In einigen Ausführungsformen enthält die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder ein anderes geeignete metallisches Material. In einigen Ausführungsformen enthält die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ein anderes leitfähiges Material anstatt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 erstreckt sich über einen Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 122 hinaus in einer Richtung parallel zu der Oberseite des Substrats (150 in 1C) des integrierten Schaltkreises 100. Die Überlappungsregion R2 ist ein Abschnitt der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124, die mit der dritten leitfähigen Leitung 122 verbunden ist. Eine Länge der Überlappungsregion R2 ist kleiner als die Länge L2 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R2 zur Länge L2 im Bereich von etwa 0,2 bis etwa 0,8. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R2 zur Länge L2 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,2. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R2 zur Länge L2 im Bereich von etwa 0,8 bis etwa 0,9. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis zwischen der Länge der Überlappungsregion R2 zur Länge L2 das gleiche wie das Verhältnis zwischen der Länge der Überlappungsregion R1 und der Länge L1. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis zwischen der Länge der Überlappungsregion R2 zur Länge L2 von dem Verhältnis zwischen der Länge der Überlappungsregion R1 und der Länge L1 verschieden.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der dritten leitfähigen Leitung 122 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 gleichzeitig mit der Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 nach der Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mittels CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Prozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der dritten leitfähigen Leitung 122 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 gleichzeitig mit der Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 nach der Öffnung für die dritte leitfähige Leitung 122 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • In einigen Ausführungsformen gibt es eine einzelne Kontaktebene in dem integrierten Schaltkreis 100. In einigen Ausführungsformen gibt es mindestens zwei Kontaktebenen in dem integrierten Schaltkreis 100. In einigen Ausführungsformen befindet sich die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 auf einer ersten Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen befindet sich die vierte leitfähige Leitung 126 auf einer zweiten Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 befindet sich auf der Kontaktebene des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen befindet sich die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 aus der Kontaktebene.
  • In einigen Ausführungsformen steht die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 in direktem Kontakt mit der dritten leitfähigen Leitung 122. In einigen Ausführungsformen steht die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 in direktem Kontakt mit der vierten leitfähigen Leitung 126.
  • Die vierte leitfähige Leitung 126 ist Teil einer Interconnect-Struktur, die die dotierte Region 118 und die dotierte Region 128 elektrisch mit anderen Abschnitten des integrierten Schaltkreises 100 verbindet. In einigen Ausführungsformen enthält die vierte leitfähige Leitung 126 ein metallisches Material, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder andere geeignete metallische Materialien. In einigen Ausführungsformen enthält die vierte leitfähige Leitung 126 ein anderes leitfähiges Material anstatt eines metallischen Materials, wie zum Beispiel ein leitfähiges Polymer oder ein anderes geeignetes leitfähiges Material. Die vierte leitfähige Leitung 126 erstreckt sich in einer Richtung senkrecht zu der dritten leitfähigen Leitung 122. In einigen Ausführungsformen enthält die vierte leitfähige Leitung 126 einen ersten Abschnitt, der sich in einer ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Abschnitt, der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die sich von der ersten Richtung unterscheidet.
  • Die vierte leitfähige Leitung 126 wird durch Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet. In einigen Ausführungsformen enthält der Ätzprozess einen Lithografieprozess. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der vierten leitfähigen Leitung 126 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 gleichzeitig mit der Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 nach der Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 mittels CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Prozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 unter Verwendung eines anderen Prozesses als für die Bildung der vierten leitfähigen Leitung 126 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 gleichzeitig mit der Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 nach der Öffnung für die vierte leitfähige Leitung 126 gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die vierte leitfähige Leitung 126 unter Verwendung eines Damascene-Prozesses, wie zum Beispiel eines dualen Damascene-Prozesses, ausgebildet.
  • Die vierte leitfähige Leitung 126 des integrierten Schaltkreises 100 befindet sich auf der Kontaktebene M0. In einigen Ausführungsformen befindet sich die vierte leitfähige Leitung 126 auf einer anderen Metallebene des integrierten Schaltkreises 100 als der Kontaktebene.
  • Die dotierte Region 128 ist ein dotierter Abschnitt des Substrats (150 in 1C) des integrierten Schaltkreises. In einigen Ausführungsformen ist die dotierte Region 128 eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode eines Transistors des integrierten Schaltkreises 100. In einigen Ausführungsformen ist die dotierte Region 128 eine in dem Substrat (150 in 1C) ausgebildete Mulde. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 128 einen Dotanden vom p-Typ. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 128 einen Dotanden vom n-Typ. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 128 den gleichen Dotandentyp wie die dotierte Region 118. In einigen Ausführungsformen enthält die dotierte Region 128 einen anderen Dotandentyp als die dotierte Region 118.
  • 1B ist eine Querschnittsansicht des Verbindungsbereichs 110 des integrierten Schaltkreises 100 gemäß einigen Ausführungsformen. Der Verbindungsbereich 110 enthält ein Substrat 150 des integrierten Schaltkreises 100. Die dotierte Region 118 befindet sich in dem Substrat 150. Die zweite leitfähige Leitung 116 ist elektrisch mit der dotierten Region 118 verbunden. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 ist elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung 116 verbunden; und die erste leitfähige Leitung 112 ist elektrisch mit der ersten Schlitzdurchkontaktierung auf einer Seite der ersten Schlitzdurchkontaktierung gegenüber der zweiten leitfähigen Leitung verbunden.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 114 erstreckt sich über den Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 112 hinaus und überlappt sich mit der ersten leitfähigen Leitung in der Überlappungsregion R1. Die gesamte Länge L1 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 ist mit der zweiten leitfähigen Leitung 116 verbunden. In einigen Ausführungsformen erstreckt sich die zweite leitfähige Leitung 116 über eine Seite der Überlappungsregion R1 hinaus, die sich am weitesten von der dotierten Region 118 befindet, wie in 1A zu sehen. In einigen Ausführungsformen ist eine Endfläche der zweiten leitfähigen Leitung 116 im Wesentlichen auf eine Endfläche der Überlappungsregion R1 ausgerichtet, wie in 1B zu sehen.
  • Im Vergleich zu anderen Lösungsansätzen, die eine Durchkontaktierung enthalten, die sich nicht über den Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 112 hinaus erstreckt, bietet die Schlitzdurchkontaktierung 114 eine größere Oberfläche, die mit der zweiten leitfähigen Leitung 116 verbunden ist. Diese vergrößerte Oberfläche bietet eine größere Fläche für die elektrische Übertragung zwischen der ersten Schlitzdurchkontaktierung 114 und der zweiten leitfähigen Leitung 116, was den elektrischen Widerstand der ersten Schlitzdurchkontaktierung im Vergleich zu einer Durchkontaktierung verringert, die sich nicht über den Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 112 hinaus erstreckt.
  • 1C ist eine Querschnittsansicht des Verbindungsbereichs 120 des integrierten Schaltkreises 100 gemäß einigen Ausführungsformen. Der Verbindungsbereich 120 enthält ein Substrat 150 des integrierten Schaltkreises 100. Die dotierte Region 118 und die dotierte Region 128 befinden sich in dem Substrat 150. Die vierte leitfähige Leitung 126 ist elektrisch mit der dotierten Region 118 und der dotierten Region 128 verbunden. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 ist elektrisch mit der vierten leitfähigen Leitung 126 verbunden; und die dritte leitfähige Leitung 122 ist elektrisch mit der zweiten Schlitzdurchkontaktierung auf einer Seite der zweiten Schlitzdurchkontaktierung gegenüber der vierten leitfähigen Leitung verbunden.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 erstreckt sich über den Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 122 hinaus und überlappt sich mit der dritten leitfähigen Leitung in der Überlappungsregion R2. Die gesamte Länge L2 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 ist mit der vierten leitfähigen Leitung 126 verbunden. Die vierte leitfähige Leitung 116 erstreckt sich über die Überlappungsregion R2 hinaus.
  • Im Vergleich zu anderen Lösungsansätzen, die eine Durchkontaktierung enthalten, die sich nicht über den Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 122 hinaus erstreckt, bietet die zweite Schlitzdurchkontaktierung 124 eine vergrößerte Oberfläche, die mit der vierten leitfähigen Leitung 126 verbunden ist. Diese vergrößerte Oberfläche bietet eine größere Fläche für eine elektrische Übertragung zwischen der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 124 und der vierten leitfähigen Leitung 126, was den elektrischen Widerstand der zweiten Schlitzdurchkontaktierung im Vergleich zu einer Durchkontaktierung verringert, die sich nicht über den Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 122 hinaus erstreckt.
  • 2A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises 200 gemäß einigen Ausführungsformen. Der integrierte Schaltkreis 200 ähnelt dem integrierten Schaltkreis 100 (1A). Ähnliche Elemente haben die gleiche Bezugszahl, erhöht um 100. Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 ist die vierte leitfähige Leitung 116 in 1A in zwei separate leitfähige Leitungen 226a und 226b geteilt. Die leitfähige Leitung 226a verbindet die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 elektrisch mit der dotierten Region 218. Die leitfähige Leitung 226b verbindet die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 elektrisch mit der dotierten Region 228. Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 enthält der integrierte Schaltkreis 200 die erste Schlitzdurchkontaktierung 214, die sich über einen Umfangsrand der zweiten leitfähigen Leitung 216 hinaus erstreckt. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 erstreckt sich außerdem über einen Umfangsrand der leitfähigen Leitung 226a und der leitfähigen Leitung 226b hinaus. Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 überlappt die zweite leitfähige Leitung 216 nicht mit der ersten leitfähigen Leitung 212. Die leitfähige Leitung 226a und die leitfähige Leitung 226b überlappen nicht mit der dritten leitfähigen Leitung 222.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 214 enthält eine Überlappungsregion R3, die mit der zweiten leitfähigen Leitung 216 verbunden ist. Die Überlappungsregion R3 erstreckt sich über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 212 hinaus. Eine Länge der Überlappungsregion R3 ist kleiner als eine Länge L3 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 214. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R3 zur Länge L3 im Bereich von etwa 0,2 bis etwa 0,8. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R3 zur Länge L3 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,2. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R3 zur Länge L3 im Bereich von etwa 0,8 bis etwa 0,9. In einigen Ausführungsformen ist die Überlappungsregion R3 auf eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung 212 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist ein Abschnitt der ersten Schlitzdurchkontaktierung 214 weder mit der ersten leitfähigen Leitung 212 noch mit der zweiten leitfähigen Leitung 216 verbunden.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 enthält eine Überlappungsregion R4, die mit der leitfähigen Leitung 226a verbunden ist. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 enthält außerdem eine Überlappungsregion R5, die mit der leitfähigen Leitung 226b verbunden ist. Die Überlappungsregion R4 erstreckt sich über einen Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 222 hinaus. Eine Länge der Überlappungsregion R4 ist kleiner als eine Länge L4 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R4 zur Länge L4 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,4. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R4 zur Länge L4 im Bereich von etwa 0,4 bis etwa 0,9. In einigen Ausführungsformen ist die Überlappungsregion R4 auf eine Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist ein Abschnitt der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224, der sich in Richtung der dotierten Region 218 erstreckt, weder mit der dritten leitfähigen Leitung 222 noch mit der leitfähigen Leitung 226a verbunden. Die Überlappungsregion R5 erstreckt sich über einen Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 222 hinaus. Eine Länge der Überlappungsregion R5 ist kleiner als eine Länge L4 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R5 zur Länge L4 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,4. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R5 zur Länge L4 im Bereich von etwa 0,4 bis etwa 0,9. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R4 zur Länge L4 das gleiche wie das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R5 zur Länge L4. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R4 zur Länge L4 von dem Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R5 zur Länge L4 verschieden. In einigen Ausführungsformen ist die Überlappungsregion R5 auf eine Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist ein Abschnitt der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224, der sich in Richtung der dotierten Region 228 erstreckt, weder mit der dritten leitfähigen Leitung 222 noch mit der leitfähigen Leitung 226b verbunden.
  • Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 verringert der integrierte Schaltkreis 200 eine Kapazität zwischen der ersten leitfähigen Leitung 212 und der zweiten leitfähigen Leitung 216. Indem sich die zweite leitfähige Leitung 216 nicht unter der ersten leitfähigen Leitung 212 erstreckt, wird eine ungewollte Kapazität zwischen der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung verringert. In einigen Ausführungsformen wird die ungewollte Kapazität als parasitische Kapazität bezeichnet. Durch das Reduzieren der parasitischen Kapazität verringert der integrierte Schaltkreis 200 einen Widerstand gegen eine Änderung der Spannung entlang der ersten leitfähigen Leitung 212 oder der zweiten leitfähigen Leitung 216, was wiederum hilft, die Geschwindigkeit des integrierten Schaltkreises zu erhöhen.
  • Der integrierte Schaltkreis 200 verringert eine Kapazität zwischen der dritten leitfähigen Leitung 222 und der leitfähigen Leitung 226a sowie zwischen der dritten leitfähigen Leitung und der leitfähigen Leitung 226b außerdem. Indem sich die leitfähige Leitung 226a oder die leitfähige Leitung 226b nicht unter der dritten leitfähigen Leitung 222 erstreckt, wird die parasitische Kapazität innerhalb des integrierten Schaltkreises 200 im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 verringert. Durch das Reduzieren der parasitischen Kapazität verringert der integrierte Schaltkreis 200 einen Widerstand gegen eine Änderung der Spannung entlang der dritten leitfähigen Leitung 222, der leitfähigen Leitung 226a oder der leitfähigen Leitung 226b, was wiederum hilft, die Geschwindigkeit des integrierten Schaltkreises zu erhöhen. In einigen Ausführungsformen ist eine Geschwindigkeit des integrierten Schaltkreises 200 größer als eine Geschwindigkeit eines integriertes Schaltkreises, der eine Durchkontaktierung aufweist, die sich nicht über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 212 hinaus erstreckt.
  • 2B ist eine Querschnittsansicht des Verbindungsbereichs 210 des integrierten Schaltkreises 200 gemäß einigen Ausführungsformen. Der Verbindungsbereich 210 ähnelt dem Verbindungsbereich 110. Im Vergleich zu dem Verbindungsbereich 110 enthält der Verbindungsbereich 210 keinen Abschnitt der zweiten leitfähigen Leitung 216 in einer Kontaktschicht 260 unter der ersten leitfähigen Leitung 212.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 214 erstreckt sich über den Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 212 hinaus und überlappt sich mit der zweiten leitfähigen Leitung 216 in der Überlappungsregion R3. Weniger als die gesamte Länge L3 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 214 ist mit der zweiten leitfähigen Leitung 216 verbunden. In einigen Ausführungsformen ist eine Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung 216 auf eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung 212 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen hat ein Abschnitt der ersten Schlitzdurchkontaktierung 214 keine elektrische Verbindung mit der ersten leitfähigen Leitung 212 und der zweiten leitfähigen Leitung 216.
  • In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung 216 auf einen Rand der dotierten Region 218 im Substrat 250 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung 216 auf eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung 212 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung 216 weder auf die Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung 212 noch auf den Rand der dotierten Region 218 ausgerichtet.
  • 2C ist eine Querschnittsansicht des Verbindungsbereichs 220 des integrierten Schaltkreises 200 gemäß einigen Ausführungsformen. Im Vergleich zum Verbindungsbereich 120 enthält der Verbindungsbereich 220 die leitfähige Leitung 226a in der Kontaktschicht 260, die elektrisch mit der dotierten Region 218 verbunden ist, und die leitfähige Leitung 226b, die elektrisch mit der dotierten Region 228 im Substrat 250 verbunden ist. In einigen Ausführungsformen erstreckt sich weder die leitfähige Leitung 226a noch die leitfähige Leitung 226b unter der dritten leitfähigen Leitung 222. In einigen Ausführungsformen erstreckt sich mindestens eine der leitfähigen Leitung 226a und der leitfähigen Leitung 226b unter der dritten leitfähigen Leitung 222.
  • Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 erstreckt sich über den Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 222 hinaus und überlappt sich mit der leitfähigen Leitung 226a in der Überlappungsregion R4. Die zweite Schlitzdurchkontaktierung 224 erstreckt sich über den Umfangsrand der dritten leitfähigen Leitung 222 hinaus und überlappt sich mit der leitfähigen Leitung 226b in der Überlappungsregion R5. Weniger als die gesamte Länge L4 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224 ist mit der leitfähigen Leitung 226a verbunden; und weniger als die gesamte Länge L4 der zweiten Schlitzdurchkontaktierung ist mit der leitfähigen Leitung 226b verbunden. In einigen Ausführungsformen hat ein Abschnitt der zweiten Schlitzdurchkontaktierung 224 keine elektrische Verbindung mit der dritten leitfähigen Leitung 222, der leitfähigen Leitung 226a und der leitfähigen Leitung 226b.
  • In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226a auf einen Rand der dotierten Region 218 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226a auf eine Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226a weder auf die Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 noch auf den Rand der dotierten Region 218 ausgerichtet.
  • In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226b auf einen Rand der dotierten Region 228 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226b auf eine Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand der leitfähigen Leitung 226b weder auf die Seitenwand der dritten leitfähigen Leitung 222 noch auf den Rand der dotierten Region 228 ausgerichtet.
  • 3A ist eine Draufsicht eines integrierten Schaltkreises 300 gemäß einigen Ausführungsformen. Der integrierte Schaltkreis 300 ähnelt dem integrierten Schaltkreis 100 (1A). Ähnliche Elemente haben die gleiche Bezugszahl, erhöht um 200. Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis 100 enthält der integrierte Schaltkreis 300 eine zweite leitfähige Leitung 316 auf derselben Metallebene wie die erste leitfähige Leitung 312. Die zweite leitfähige Leitung 316 ist physisch von der ersten leitfähigen Leitung 312 beabstandet. Die zweite leitfähige Leitung 316 ist elektrisch mit der ersten leitfähigen Leitung 312 über die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 verbunden. Weder die erste leitfähige Leitung 312 noch die zweite leitfähige Leitung 316 ist elektrisch mit der dotierten Region 318 verbunden.
  • Die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 erstreckt sich über einen Umfangsrand sowohl der ersten leitfähigen Leitung 312 als auch der zweiten leitfähigen Leitung 316 hinaus. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 ist mit der ersten leitfähigen Leitung 312 in einer Überlappungsregion R6 verbunden. Eine Länge der Überlappungsregion R6 ist kleiner als die Länge L5 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 314. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R6 zur Länge L5 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,4. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R6 zur Länge L5 im Bereich von etwa 0,4 bis etwa 0,9. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 ist mit der zweiten leitfähigen Leitung 316 in einer Überlappungsregion R7 verbunden. Eine Länge der Überlappungsregion R7 ist kleiner als die Länge L5 der ersten Schlitzdurchkontaktierung 314. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R7 zur Länge L5 im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,4. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R7 zur Länge L5 im Bereich von etwa 0,4 bis etwa 0,9. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R6 zur Länge L5 das gleiche wie das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R7 zur Länge L5. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R6 zur Länge L5 von dem Verhältnis der Länge der Überlappungsregion R7 zur Länge L5 verschieden.
  • Im Vergleich zu dem integrierten Schaltkreis, der eine Durchkontaktierung aufweist, die sich nicht über einen Umfangsrand einer leitfähigen Leitung hinaus erstreckt, enthält der integrierte Schaltkreis 300 weniger Elemente in einer Interconnect-Struktur. In einem integrierten Schaltkreis, der eine Durchkontaktierung aufweist, die sich nicht über den Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung 312 oder der zweiten leitfähigen Leitung 316 hinaus erstreckt, wird eine weitere leitfähige Leitung verwendet, um eine elektrische Verbindung zwischen Durchkontaktierungen herzustellen, die mit der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung verbunden sind. Durch Reduzieren einer Anzahl von leitfähigen Leitungen in der Interconnect-Struktur des integrierten Schaltkreises 300 werden die Komplexität und die Kosten des integrierten Schaltkreises verringert.
  • 3B ist eine Querschnittsansicht des Verbindungsbereichs 310 des integrierten Schaltkreises 300 gemäß einigen Ausführungsformen. Der Verbindungsbereich 310 enthält die erste Schlitzdurchkontaktierung 314, die die erste leitfähige Leitung 312 elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung 316 verbindet, die sich auf derselben Metallebene befindet wie die erste leitfähige Leitung. Der Verbindungsbereich 310 enthält die erste Schlitzdurchkontaktierung 314, die sich unter der ersten leitfähigen Leitung 312 und der zweiten leitfähigen Leitung 316 befindet. In einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 über der ersten leitfähigen Leitung 312 und der zweiten leitfähigen Leitung 314. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 ist mit der ersten leitfähigen Leitung 312 in der Überlappungsregion R6 verbunden, die kleiner als eine Breite der ersten leitfähigen Leitung 312 ist. In einigen Ausführungsformen ist eine Seitenwand der ersten Schlitzdurchkontaktierung 314 auf eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung 312 ausgerichtet, die am weitesten von der zweiten leitfähigen Leitung 316 entfernt ist, so dass eine Länge der Überlappungsregion R6 gleich der Breite der ersten leitfähigen Leitung 312 ist. Die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 ist mit der zweiten leitfähigen Leitung 316 in der Überlappungsregion R7 verbunden, die kleiner als eine Breite der zweiten leitfähigen Leitung 316 ist. In einigen Ausführungsformen ist eine Seitenwand der ersten Schlitzdurchkontaktierung 314 auf eine Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung 316 ausgerichtet, die am weitesten von der ersten leitfähigen Leitung 312 entfernt ist, so dass eine Länge der Überlappungsregion R7 gleich der Breite der zweiten leitfähigen Leitung 316 ist. In einigen Ausführungsformen ist die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 von der dotierten Region 318 durch die Kontaktschicht 360 getrennt. In einigen Ausführungsformen ist die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 mit der dotierten Region 318 in dem Substrat 350 durch ein leitfähiges Strukturelement in der Kontaktschicht 360 verbunden. In einigen Ausführungsformen ist die Kontaktschicht 360 weggelassen, und die erste Schlitzdurchkontaktierung 314 steht in direktem Kontakt mit der dotierten Region 318.
  • 4 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 400 zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises gemäß einigen Ausführungsformen. Das Verfahren 400 beginnt mit Operation 402, in der eine erste leitfähige Leitung auf einer ersten Metallebene ausgebildet wird. In einigen Ausführungsformen wird die erste leitfähige Leitung durch Bilden einer Öffnung in einer dielektrischen Schicht und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung in der dielektrischen Schicht mit einem Ätzprozess ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung von CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Füllprozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder einem anderen geeigneten metallischen Material. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem nicht-metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel einem leitfähigen Polymer. In einigen Ausführungsformen ist die erste Metallebene eine Kontaktebene M0. In einigen Ausführungsformen ist die erste Metallebene eine erste Metallebene M1. In einigen Ausführungsformen ist die erste Metallebene von der ersten Metallebene M1 und der Kontaktebene M0 verschieden.
  • In Operation 404 wird eine zweite leitfähige Leitung auf einer zweiten Metallebene ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die zweite leitfähige Leitung durch Bilden einer Öffnung in einer dielektrischen Schicht und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung in der dielektrischen Schicht mit einem Ätzprozess ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung von CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Füllprozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite leitfähige Leitung unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für die erste leitfähige Leitung gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die zweite leitfähige Leitung unter Verwendung eines anderen Prozesses als dem zum Füllen der Öffnung der ersten leitfähigen Leitung gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder einem anderen geeigneten metallischen Material. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem nicht-metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel einem leitfähigen Polymer. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Metallebene eine Kontaktebene M0. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Metallebene eine erste Metallebene M1. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Metallebene von der ersten Metallebene M1 und der Kontaktebene M0 verschieden. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Metallebene für die zweite leitfähige Leitung die gleiche Metallebene wie die erste Metallebene für die erste leitfähige Leitung. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Metallebene für die zweite leitfähige Leitung von der Metallebene der ersten Metallebene für die erste leitfähige Leitung verschieden. In einigen Ausführungsformen wird die zweite leitfähige Leitung gleichzeitig mit der ersten leitfähigen Leitung ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die zweite leitfähige Leitung nach der ersten leitfähigen Leitung ausgebildet.
  • In einigen Ausführungsformen erstreckt sich mindestens ein Abschnitt der zweiten leitfähigen Leitung unter der ersten leitfähigen Leitung. In einigen Ausführungsformen ist eine Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung auf eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen ist eine Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung von einer Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung in einer Richtung parallel zu einer Oberseite eines Substrats des integrierten Schaltkreises beabstandet.
  • In Operation 406 wird eine Schlitzdurchkontaktierung ausgebildet, um die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung zu verbinden. In einigen Ausführungsformen wird die Schlitzdurchkontaktierung durch Bilden einer Öffnung in einer dielektrischen Schicht und Füllen der Öffnung mit einem leitfähigen Material ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung in der dielektrischen Schicht mit einem Ätzprozess ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung unter Verwendung von CVD, PVD, Sputtern, ALD oder eines anderen geeigneten Füllprozesses gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die Schlitzdurchkontaktierung unter Verwendung des gleichen Prozesses wie für die Öffnung für mindestens eine der ersten leitfähigen Leitung oder der zweiten leitfähigen Leitung gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung für die Schlitzdurchkontaktierung unter Verwendung eines anderen Prozesses als dem zum Füllen der Öffnung mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung gefüllt. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel Kupfer, Aluminium, Wolfram, Legierungen davon oder einem anderen geeigneten metallischen Material. In einigen Ausführungsformen wird die Öffnung mit einem nicht-metallischen Material gefüllt, wie zum Beispiel einem leitfähigen Polymer. In einigen Ausführungsformen befindet sich die Schlitzdurchkontaktierung auf der Kontaktebene M0. In einigen Ausführungsformen befindet sich die Schlitzdurchkontaktierung auf der ersten Metallebene M1. In einigen Ausführungsformen befindet sich die Schlitzdurchkontaktierung auf derselben Metallebene wie die erste Metallebene oder die zweite Metallebene. In einigen Ausführungsformen befindet sich die Schlitzdurchkontaktierung auf einer anderen Metallebene als mindestens eine der ersten Metallebene und der zweiten Metallebene. In einigen Ausführungsformen wird die Schlitzdurchkontaktierung gleichzeitig mit mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung ausgebildet. In einigen Ausführungsformen wird die Schlitzdurchkontaktierung nach mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung ausgebildet.
  • Mindestens ein Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung überlappt sich mit der ersten leitfähigen Leitung. Mindestens ein Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung überlappt sich mit der zweiten leitfähigen Leitung. Mindestens ein Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung erstreckt sich über einen Umfangsrand mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung hinaus. In einigen Ausführungsformen überlappt sich die gesamte Schlitzdurchkontaktierung mit der ersten leitfähigen Leitung oder der zweiten leitfähigen Leitung. In einigen Ausführungsformen ist ein Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung weder mit der ersten leitfähigen Leitung noch mit der zweiten leitfähigen Leitung verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen wird eine Reihenfolge von Operationen des Verfahrens 400 geändert. In einigen Ausführungsformen sind weitere Operationen in dem Verfahren 400 enthalten. In einigen Ausführungsformen werden einige der Operationen des Verfahrens 400 in einer einzigen Operation kombiniert.
  • Ein Aspekt dieser Beschreibung betrifft einen integrierten Schaltkreis. Der integrierte Schaltkreis enthält eine erste leitfähige Leitung auf einer ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises. Der integrierte Schaltkreis enthält des Weiteren eine zweite leitfähige Leitung auf einer zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises. Der integrierte Schaltkreis enthält des Weiteren eine Schlitzdurchkontaktierung, die die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung verbindet. Die Schlitzdurchkontaktierung überlappt sich mit der ersten leitfähigen Leitung und mit der zweiten leitfähigen Leitung. Die Schlitzdurchkontaktierung erstreckt sich über einen Umfangsrand mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung hinaus.
  • Ein anderer Aspekt dieser Beschreibung betrifft einen integrierten Schaltkreis. Der integrierte Schaltkreis enthält eine erste dotierte Region in einem Substrat. Der integrierte Schaltkreis enthält des Weiteren eine erste leitfähige Leitung, wobei eine Unterseite der ersten leitfähigen Leitung von dem Substrat um eine erste Distanz beabstandet ist. Der integrierte Schaltkreis enthält des Weiteren eine zweite leitfähige Leitung, wobei eine Unterseite der zweiten leitfähigen Leitung um eine zweite Distanz von dem Substrat beabstandet ist. Der integrierte Schaltkreis enthält des Weiteren eine Schlitzdurchkontaktierung, die die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung verbindet. Ein erster Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung steht in direktem Kontakt mit der ersten leitfähigen Leitung. Ein zweiter Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung steht in direktem Kontakt mit der zweiten leitfähigen Leitung. Die Schlitzdurchkontaktierung erstreckt sich über einen Umfangsrand mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung hinaus.
  • Ein weiterer Aspekt dieser Beschreibung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises. Das Verfahren enthält das Bilden einer ersten leitfähigen Leitung auf einer ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises. Das Verfahren enthält des Weiteren das Bilden einer zweiten leitfähigen Leitung auf einer zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises. Das Verfahren enthält des Weiteren das Bilden einer Schlitzdurchkontaktierung, um die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung zu verbinden. Ein erster Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung überlappt sich mit der ersten leitfähigen Leitung; ein zweiter Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung überlappt sich mit der zweiten leitfähigen Leitung. Die Schlitzdurchkontaktierung erstreckt sich über einen Umfangsrand mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung hinaus.

Claims (12)

  1. Integrierter Schaltkreis, der Folgendes umfasst: eine erste leitfähige Leitung (112) auf einer ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises; eine zweite leitfähige Leitung (116) auf einer zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises, wobei die zweite leitfähige Leitung sich unter der ersten leitfähigen Leitung erstreckt; und eine Schlitzdurchkontaktierung (114), die die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung verbindet, wobei die Schlitzdurchkontaktierung (114) in Draufsicht mit der ersten leitfähigen Leitung und mit der zweiten leitfähigen Leitung überlappt, und die Schlitzdurchkontaktierung sich über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung (112) hinaus erstreckt, und wobei die gesamte Länge (L1) der Schlitzdurchkontaktierung mit der zweiten leitfähigen Leitung (116) überlappt.
  2. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, wobei eine Seitenwand der ersten leitfähigen Leitung (112) auf eine Seitenwand der zweiten leitfähigen Leitung (116) ausgerichtet ist.
  3. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, der des Weiteren eine dritte leitfähige Leitung (122) auf der ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises umfasst, wobei eine andere Schlitzdurchkontaktierung (124) die dritte leitfähige Leitung überlappt.
  4. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 3, wobei eine Länge einer Überlappungsregion (R2) zwischen der anderen Schlitzdurchkontaktierung (124) und der dritten leitfähigen Leitung (122) kleiner ist als die Länge (L2) der anderen Schlitzdurchkontaktierung.
  5. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 4, wobei die gesamte Länge (L2) der anderen Schlitzdurchkontaktierung (124) mit einer vierten leitfähigen Leitung (126) auf der zweiten Metallebene verbunden ist.
  6. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 4, der des Weiteren eine vierte leitfähige Leitung auf der zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises umfasst, wobei die vierte leitfähige Leitung eine leitfähige Leitung (226a) und eine andere leitfähige Leitung (226b) aufweist, und wobei die andere Schlitzdurchkontaktierung (224) eine Überlappungsregion (R4), die mit der leitfähigen Leitung (226a) verbunden ist, und eine andere Überlappungsregion (R5), die mit der anderen leitfähigen Leitung (226b) verbunden ist, aufweist.
  7. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 6, wobei die Länge der anderen Schlitzdurchkontaktierung (224) größer ist als die Summe der Länge der Überlappungsregion (R4) zwischen der anderen Schlitzdurchkontaktierung und der leitfähigen Leitung (226a) und der Länge der Überlappungsregion (R5) zwischen der anderen Schlitzdurchkontaktierung und der anderen leitfähigen Leitung (226b).
  8. Integrierter Schaltkreis nach einem der vorangehenden Ansprüche, der des Weiteren eine erste dotierte Region (118) in einem Substrat (150) des integrierten Schaltkreises umfasst, wobei die erste leitfähige Leitung (112) elektrisch mit der dotierten Region durch die Schlitzdurchkontaktierung (114) und die zweite leitfähige Leitung (116) verbunden ist.
  9. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 8, der des Weiteren eine zweite dotierte Region (228) in dem Substrat (250) umfasst, wobei die dritte leitfähige Leitung (222) elektrisch mit der zweiten dotierten Region (228) durch die andere Schlitzdurchkontaktierung (224) und die andere leitfähige Leitung (226b) verbunden ist.
  10. Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bilden einer ersten leitfähigen Leitung (112) auf einer ersten Metallebene des integrierten Schaltkreises; Bilden einer zweiten leitfähigen Leitung (116) auf einer zweiten Metallebene des integrierten Schaltkreises, wobei die zweite leitfähige Leitung sich unter der ersten leitfähigen Leitung erstreckt; und Bilden einer Schlitzdurchkontaktierung (114), um die erste leitfähige Leitung elektrisch mit der zweiten leitfähigen Leitung zu verbinden, wobei ein erster Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung mit der ersten leitfähigen Leitung in Draufsicht überlappt, ein zweiter Abschnitt der Schlitzdurchkontaktierung mit der zweiten leitfähigen Leitung überlappt, und die Schlitzdurchkontaktierung sich über einen Umfangsrand der ersten leitfähigen Leitung hinaus erstreckt, wobei die gesamte Länge (L1) der Schlitzdurchkontaktierung mit der zweiten leitfähigen Leitung (116) überlappt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Bilden der Schlitzdurchkontaktierung das Bilden der Schlitzdurchkontaktierung gleichzeitig mit mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Bilden der Schlitzdurchkontaktierung ein sequentielles Bilden der Schlitzdurchkontaktierung und mindestens einer der ersten leitfähigen Leitung und der zweiten leitfähigen Leitung umfasst.
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