DE102013224618B4 - Leistungsverstärker - Google Patents
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Abstract
Leistungsverstärker,
der enthält:
- einen Eingangsanschluss (IN),
- einen Ausgangsanschluss (OUT),
- einen ersten Verstärker (A1, A2), der zwischen den Eingangsanschluss (IN) und den Ausgangsanschluss (OUT) geschaltet ist,
- einen ersten Verbindungspunkt (P1), der zwischen dem Eingangsanschluss (IN) und einem Eingang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt,
- einen zweiten Verbindungspunkt (P2), der zwischen dem Ausgangsanschluss (OUT) und einem Ausgang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt,
- einen zweiten Verstärker (A3), der parallel zu dem ersten Verstärker (A1, A2) zwischen den ersten Verbindungspunkt (P1) und den zweiten Verbindungspunkt (P2) geschaltet ist,
- einen dritten Verbindungspunkt (P3), der zwischen einem Ausgang des zweiten Verstärkers (A3) und dem zweiten Verbindungspunkt (P2) liegt,
- einen ersten Kondensator (C1), der zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist, und
- einen Schalter (SW), der in Reihe zu dem ersten Kondensator (C1) zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist,
wobei
- der zweite Verbindungspunkt so gewählt ist, dass er der Punkt mit der niedrigsten Impedanz entlang eines Leistungsverstärkungspfads ist, der den Eingangsanschluss (IN), den Ausgangsanschluss (OUT) und den ersten Verstärker (A1, A2) enthält,
- der Schalter (SW) ausgeschaltet ist, wenn der zweite Verstärker (A3) eingeschaltet ist,
- der Schalter (SW) eingeschaltet ist, wenn der erste Verstärker (A1, A2) eingeschaltet ist und
- der erste Kondensator (C1) eine Mehrzahl parallel geschalteter Kondensatoren (C1a-C1d) enthält, die um den zweiten Verstärker (A3) herum angeordnet sind.
der enthält:
- einen Eingangsanschluss (IN),
- einen Ausgangsanschluss (OUT),
- einen ersten Verstärker (A1, A2), der zwischen den Eingangsanschluss (IN) und den Ausgangsanschluss (OUT) geschaltet ist,
- einen ersten Verbindungspunkt (P1), der zwischen dem Eingangsanschluss (IN) und einem Eingang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt,
- einen zweiten Verbindungspunkt (P2), der zwischen dem Ausgangsanschluss (OUT) und einem Ausgang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt,
- einen zweiten Verstärker (A3), der parallel zu dem ersten Verstärker (A1, A2) zwischen den ersten Verbindungspunkt (P1) und den zweiten Verbindungspunkt (P2) geschaltet ist,
- einen dritten Verbindungspunkt (P3), der zwischen einem Ausgang des zweiten Verstärkers (A3) und dem zweiten Verbindungspunkt (P2) liegt,
- einen ersten Kondensator (C1), der zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist, und
- einen Schalter (SW), der in Reihe zu dem ersten Kondensator (C1) zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist,
wobei
- der zweite Verbindungspunkt so gewählt ist, dass er der Punkt mit der niedrigsten Impedanz entlang eines Leistungsverstärkungspfads ist, der den Eingangsanschluss (IN), den Ausgangsanschluss (OUT) und den ersten Verstärker (A1, A2) enthält,
- der Schalter (SW) ausgeschaltet ist, wenn der zweite Verstärker (A3) eingeschaltet ist,
- der Schalter (SW) eingeschaltet ist, wenn der erste Verstärker (A1, A2) eingeschaltet ist und
- der erste Kondensator (C1) eine Mehrzahl parallel geschalteter Kondensatoren (C1a-C1d) enthält, die um den zweiten Verstärker (A3) herum angeordnet sind.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Leistungsverstärker zur Verwendung in drahtlosen Vorrichtungen wie z. B. mobilen Endgeräten.
- Leistungsverstärker haben typischerweise eine Funktion zum Schalten zwischen zwei oder mehr Verstärkungspfaden in sich, um so eine hohe Leistungslasteffizienz über den gesamten Leistungsbereich zu erzielen. Ein Hochfrequenzschalter ist in Reihe zu der Ausgangsseite jedes Leistungsverstärkungspfads geschaltet, um die Transistoren in einem Pfad von denjenigen in anderen Pfaden zu trennen und dadurch jeden Transistor davor zu schützen, ungewollten Spannungen unterworfen zu sein, wenn der Transistor ausgeschaltet ist.
- Weiter sind manche Leistungsverstärker so aufgebaut, dass ein Hochfrequenzschalter zwischen die Ausgangsseite eines der Leistungsverstärkungspfade und Masse geschaltet ist (eine Nebenschlusskonfiguration) und dass der Leistungsverstärkungspfad durch den Hochfrequenzschalter voll nach Masse kurzgeschlossen wird, wenn der Hochfrequenzschalter eingeschaltet ist, wodurch die Impedanz des Leistungsverstärkungspfads gesteuert wird (s. z. B.
JP 2002-185270 A - In dem Fall eines Leistungsverstärkers, bei dem ein Hochfrequenzschalter in Reihe zu der Ausgangsseite eines Leistungsverstärkungspfads eingefügt ist, führt der Verlust in dem Hochfrequenzschalter dazu, die Leistungslasteffizienz des Leistungsverstärkers zu verringern. Weil Hochfrequenzschalter, die aus einem Si-Material gebildet sind, einen relativ hohen Leistungsverlust aufweisen, bedeutet das, dass es schwierig ist, einen Leistungsverstärker aus Si-Material zu entwerfen, bei dem ein Hochfrequenzschalter in Reihe zu einem Leistungsverstärkungspfad eingesetzt ist. Weiter erfordert das Verringern des Leistungsverlusts eines Hochfrequenzschalters, der z. B. aus Si-Material gebildet ist, ein Erhöhen seiner Größe, was es schwierig macht, die Größe des Leistungsverstärkers zu verringern.
- Andererseits sind Leistungsverstärker, bei denen ein Hochfrequenzschalter zwischen die Ausgangsseite eines Leistungsverstärkungspfads und Masse geschaltet ist, insofern nachteilhaft, dass es notwendig ist, zu verhindern, dass ein Gleichstrom (DC-Strom) durch den Hochfrequenzschalter fließt, wenn der Hochfrequenzschalter eingeschaltet ist. Weiter müssen die Anpassschaltungen des Leistungsverstärkers so aufgebaut sein, dass sie verhindern, dass Hochfrequenzsignale in dem Übertragungsfrequenzbereich des Leistungsverstärkers in den Kurzschluss gelangen, der durch den Hochfrequenzschalter gebildet ist. Das kann eine Einschränkung für den Entwurf der Anpassschaltung für den Leistungsverstärkungspfad bedeuten, mit dem der Hochfrequenzschalter verbunden ist.
- Die Druckschrift
US 7 486 133 B2 betrifft eine Sendeendstufe mit einstellbarer Ausgangsleistung und ein Verfahren zum Verstärken eines Signals in einer Sendeendstufe. In der Sendeendstufe sind eine erste steuerbare Verstärkungseinrichtung mit einem ersten Verstärkungsfaktor sowie eine zweite Verstärkungseinrichtung mit einem zweiten Verstärkungsfaktor vorgesehen. Beide Verstärkungseinrichtungen sind eingangsseitig mit einem Signaleingang gekoppelt. Die Sendeendstufe umfasst ein erstes Anpassnetzwerk, das eingangsseitig an einen Ausgang der ersten Verstärkungseinrichtung angeschlossen ist. Weiterhin ist ein zweites Anpassnetzwerk vorgesehen, welches eingangsseitig an einen Ausgang der zweiten Verstärkungseinrichtung und an einen Knoten zwischen der ersten Verstärkungseinrichtung und dem ersten Anpassnetzwerk angeschlossen ist. Das zweite Anpassnetzwerk enthält ein Anpasselement sowie ein Mittel zum wahlweisen Überbrücken des wenigstens einen Anpasselements. - Die Druckschrift
WO 2012/157645 A1 JP 5696911 B - Die vorliegende Erfindung wurde durchgeführt, um die obigen Probleme zu lösen. Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Leistungsverstärker bereitzustellen, der einen verringerten Schaltungsverlust aufweist, während eine Trennung zwischen zwei in ihm enthaltenen Leistungsverstärkungspfaden erhalten bleibt.
- Die Aufgabe wird gelöst durch einen Leistungsverstärker gemäß Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind jeweils in den Unteransprüchen angegeben.
- Der Leistungsverstärker enthält einen Eingangsanschluss, einen Ausgangsanschluss, einen ersten Verstärker, der zwischen den Eingangsanschluss und den Ausgangsanschluss geschaltet ist, einen ersten Verbindungspunkt, der zwischen dem Eingangsanschluss und einem Eingang des ersten Verstärkers liegt, einen zweiten Verbindungspunkt, der zwischen dem Ausgangsanschluss und einem Ausgang des ersten Verstärkers liegt, einen zweiten Verstärker, der parallel zu dem ersten Verstärker zwischen den ersten Verbindungspunkt und den zweiten Verbindungspunkt geschaltet ist, einen dritten Verbindungspunkt, der zwischen einem Ausgang des zweiten Verstärkers und dem zweiten Verbindungspunkt liegt, einen ersten Kondensator, der zwischen den dritten Verbindungspunkt und Masse geschaltet ist, und einen Schalter, der in Reihe zu dem ersten Kondensator zwischen den dritten Verbindungspunkt und Masse geschaltet ist. Der zweite Verbindungspunkt ist so gewählt, dass er der Punkt mit der niedrigsten Impedanz entlang eines Leistungsverstärkungspfads ist, der den Eingangsanschluss, den Ausgangsanschluss und den ersten Verstärker enthält. Der Schalter ist ausgeschaltet, wenn der zweite Verstärker eingeschaltet ist, und der Schalter ist eingeschaltet, wenn der erste Verstärker eingeschaltet ist. Der erste Kondensator enthält eine Mehrzahl parallel geschalteter Kondensatoren, die um den zweiten Verstärker herum angeordnet sind.
- Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, einen Leistungsverstärker bereitzustellen, der einen verringerten Schaltungsverlust aufweist, während eine Trennung zwischen zwei darin enthaltenen Leistungsverstärkungspfaden erhalten bleibt.
- Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen.
-
1 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
2 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
3 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
4 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
5 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
6 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
7 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - Mit Bezug auf die Zeichnungen wird ein Leistungsverstärker gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Gleiche Komponenten werden durch dieselben Bezugszeichen gekennzeichnet, und eine Wiederholung ihrer Beschreibung unterbleibt.
-
1 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. VerstärkerA1 undA2 sind in Reihe zwischen einen EingangsanschlussIN und einen AusgangsanschlussOUT geschaltet. Ein VerbindungspunktP1 ist zwischen dem Eingangsanschluss IN und dem Eingang des VerstärkersA1 angeordnet. Ein VerbindungspunktP2 ist zwischen dem AusgangsanschlussOUT und dem Ausgang des VerstärkersA2 angeordnet. Der Verbindungspunkt2 ist ausgewählt als Punkt mit der niedrigsten Impedanz entlang eines Leistungsverstärkungspfads, der den EingangsanschlussIN , die VerstärkerA1 undA2 und den AusgangsanschlussOUT enthält, die in dieser Reihenfolge in Reihe geschaltet sind. Der Punkt niedrigster Impedanz kann z. B. der Kollektoranschluss oder Drainanschluss des VerstärkersA2 sein. - Ein Verstärker
A3 ist zwischen die VerbindungspunkteP1 undP2 geschaltet. Das bedeutet, dass der VerstärkerA3 parallel zu der Reihenschaltung der VerstärkerA1 undA2 geschaltet ist. - Die Ausgangsleistung des Verstärkers
A3 ist kleiner als diejenige der VerstärkerA1 undA2 . Ein VerbindungspunktP3 ist zwischen dem Ausgang des VerstärkersA3 und dem VerbindungspunktP2 angeordnet. Ein Schalter SW ist an einem Ende mit dem VerbindungspunktP3 und an dem anderen Ende mit einem Ende eines KondensatorsC1 verbunden. Das andere Ende des KondensatorsC1 ist mit Masse verbunden. - Der Kondensator
C1 und der Schalter SW bilden zusammen ein Nebenschlusshochfrequenzschaltglied, dessen eines Ende mit dem VerbindungspunktP3 verbunden ist und dessen anderes Ende mit Masse verbunden ist. Der Schalter SW ist ausgeschaltet, wenn der VerstärkerA3 eingeschaltet ist, und der Schalter SW ist eingeschaltet, wenn die VerstärkerA1 undA2 eingeschaltet sind. Somit wird entweder der Leistungsverstärkungspfad, der die VerstärkerA1 undA2 enthält, oder der Verstärkungspfad, der den VerstärkerA3 enthält, abhängig von dem geforderten Ausgangsleistungspegel verwendet, und der Schalter SW ist eingeschaltet, wenn der Leistungsverstärkungspfad, der den VerstärkerA3 enthält, nicht verwendet wird. - Der Kapazitätswert des Kondensators
C1 ist so gewählt, dass er relativ zu dem Übertragungsfrequenzbereich ist hinreichend hoch, so dass der Reflexionskoeffizient auf dem Smith-Diagramm, der der Impedanz des Leistungsverstärkungspfads entspricht, der den VerstärkerA3 enthält, von dem VerbindungspunktP2 aus gesehen einen Phasenwinkel von -90° bis +90° aufweist, wenn der Schalter SW eingeschaltet ist. Demzufolge ist die Impedanz dieses Leistungsverstärkungspfads von dem VerbindungspunktP2 aus gesehen im Wesentlichen unendlich, als ob der Leistungsverstärkungspfad von dem VerbindungspunktP2 abgetrennt wäre, wenn der Schalter SW eingeschaltet ist. - Da der Nebenschlusshochfrequenzschalter SW zwischen den Verbindungspunkt
P3 und Masse geschaltet ist, weist dieser Leistungsverstärker einen niedrigeren Schaltungsverlust auf als Leistungsverstärker, bei denen ein Hochfrequenzschalter in Reihe zu einem Leistungsverstärkungspfad eingesetzt ist. Da weiter der Leistungsverstärkungspfad, der den VerstärkerA3 enthält, mit dem Punkt der niedrigsten Impedanz entlang des Leistungsverstärkungspfads verbunden ist, der die VerstärkerA1 undA2 enthält, wird auch dann, wenn der HochfrequenzschalterSW eingeschaltet ist und somit der VerbindungspunktP3 über den KondensatorC1 nach Masse kurzgeschlossen ist, verhindert, dass Hochfrequenzsignale in dem Übertragungsfrequenzbereich des Leistungsverstärkers in das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied eintreten. Das bewirkt einen verringerten Verlust in der Gesamtschaltung des Leistungsverstärkers. Der KondensatorC1 verhindert, dass ein Gleichstrom über das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied nach Masse fließt. Da weiter der Kapazitätswert des Kondensators relativ zu dem Übertragungsfrequenzbereich hinreichend groß ist, kann das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied eine Trennung zwischen den Leistungsverstärkungspfaden bereitstellen, die vergleichbar mit derjenigen ist, die durch ein Serienhochfrequenzschaltglied erreicht wird, das in Reihe zu einem Leistungsverstärkungspfad geschaltet ist. -
2 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Eine Induktivität L ist zwischen den Ausgangspunkt des VerstärkersA3 und den VerbindungspunktP2 geschaltet, der auf dem Leistungsverstärkungspfad angeordnet ist, der die VerstärkerA1 undA2 enthält. Diese Serieninduktivität L dient dazu, den Q-Wert des Nebenschlusshochfrequenzschaltglieds zu erhöhen, das den KondensatorC1 enthält. Das macht es möglich, den Kapazitätswert des KondensatorsC1 zu verringern und dadurch die Layout-Fläche zu verkleinern. Weiter bedeutet der erhöhte Q-Wert, dass die Impedanz des Leistungsverstärkungspfads, mit dem das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied verbunden ist, von dem VerbindungspunktP2 aus gesehen im Wesentlichen unendlich ist, als wenn der Leistungsverstärkungspfad von dem VerbindungspunktP2 getrennt wäre, was es möglich macht, eine Trennung zwischen den Leistungsverstärkungspfaden des Leistungsverstärkers zu verbessern. -
3 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt. Ein VerbindungspunktP4 ist zwischen dem Ausgang des VerstärkersA3 und dem VerbindungspunktP2 angeordnet. Ein KondensatorC2 ist zwischen den VerbindungspunktP4 und Masse geschaltet. Außer diesem Merkmal ist der Leistungsverstärker der dritten Ausführungsform im Aufbau identisch zu dem Leistungsverstärker der zweiten Ausführungsform. Der VerstärkerA3 hat eine andere optimale Ausgangsimpedanz als die VerstärkerA1 undA2 . Wenn beispielsweise der Ausgang des VerstärkersA3 mit derselben Last verbunden ist, mit der der VerstärkerA2 verbunden ist, muss die Ausgangsimpedanz des VerstärkersA3 umgewandelt werden, um an diejenige des VerstärkersA2 angepasst zu sein. Eine solche Umwandlung wird durch das LC-Glied erzielt, das aus der Serieninduktivität L und dem NebenschlusskondensatorC2 besteht und zwischen die VerbindungspunkteP2 undP3 eingesetzt ist. Eine Mehrzahl von Umwandlungsgliedern (oder LC-Gliedern) kann in Reihe geschaltet sein, um einen Impedanzumwandlungsverlust zu verringern und dadurch den Schaltungsverlust weiter zu verringern. -
4 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt. Dieser Leistungsverstärker unterscheidet sich von demjenigen der dritten Ausführungsform darin, dass die Serieninduktivität L und der NebenschlusskondensatorC2 zwischen den Ausgang des VerstärkersA3 und das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied geschaltet ist, wie es in4 gezeigt ist. Dieses LC-Glied erzielt ebenfalls eine Impedanzumwandlung, was bedeutet, dass die vierte Ausführungsform dieselben Vorteile hat, wie sie oben in Verbindung mit der dritten Ausführungsform beschrieben sind. -
5 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt. Dieser Leistungsverstärker unterscheidet sich von demjenigen der ersten Ausführungsform darin, dass der KondensatorC1 durch eine Mehrzahl parallel geschalteter KondensatorenC1a bisC1d ersetzt ist, die um den VerstärkerA3 herum angeordnet sind. Dieser Aufbau verhindert, dass das Hochfrequenzsignal, das von den VerstärkernA1 undA2 verstärkt wurde, in den VerstärkerA3 eindringt, und er verhindert auch, dass das Hochfrequenzsignal, das von dem VerstärkerA3 verstärkt wurde, in den Leistungsverstärkungspfad eindringt, der die VerstärkerA1 undA2 enthält, wodurch eine Trennung zwischen dem Leistungsverstärkungspfad, der die VerstärkerA1 undA2 enthält, und dem Leistungsverstärkungspfad, der den VerstärkerA3 enthält, verbessert wird. -
6 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt. Es sei angemerkt, dass es sein kann, dass zwei voneinander entfernt angeordnete Masseleiter aufgrund einer geringen induktiven Komponente für Hochfrequenzsignale nicht auf gleichen Massepotentialen liegen, was bewirkt, dass die Hochfrequenzsignale über die Masseleiter in unbeabsichtigte Pfade eindringen. Der Leistungsverstärker der sechsten Ausführungsform ist so aufgebaut, dass er dieses Problem vermeidet, und unterscheidet sich von dem Leistungsverstärker der fünften Ausführungsform darin, dass die Kondensatoren C1a bis C1d des Nebenschlusshochfrequenzschaltglieds und der VerstärkerA3 mit einer gemeinsamen Masse verbunden sind. Das verringert das Eindringen von Hochfrequenzsignalen in andere Pfade über die Masseleiter, was es ermöglicht, eine Trennung zwischen dem Leistungsverstärkungspfad, der die VerstärkerA1 undA2 enthält, und dem Leistungsverstärkungspfad, der den VerstärkerA3 enthält, zu verbessern. -
7 ist ein Diagramm, das einen Leistungsverstärker gemäß einer siebten Ausführungsform zeigt. Dieser Leistungsverstärker ist ähnlich demjenigen der ersten Ausführungsform, außer dass das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied einen anderen Aufbau hat. KondensatorenC1 undC2 sind in Reihe zwischen den Ausgang des VerstärkersA3 und den VerbindungspunktP2 geschaltet. Ein VerbindungspunktP3 liegt zwischen den KondensatorenC1 undC2 . Ein Schalter SW ist an einem Ende mit dem VerbindungspunktP3 und an dem anderen Ende mit einem Ende einer Induktivität L verbunden. Das andere Ende der Induktivität L ist mit Masse verbunden. - Während das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied der ersten Ausführungsform den Schalter SW und einen Kondensator enthält, enthält das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied der vorliegenden Ausführungsform den Schalter SW, zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren und eine Induktivität, die mit dem Verbindungspunkt zwischen diesen Kondensatoren verbunden ist. Das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied der vorliegenden Ausführungsform kann ebenfalls dieselben Vorteile erzielen, wie sie oben in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben sind. Der Induktivitätswert der Induktivität L und die Kapazitätswerte der in Reihe geschalteten Kondensatoren
C1 undC2 müssen jedoch so sein, dass der Reflexionkoeffizient auf dem Smith-Diagramm, der der Impedanz des Leistungsverstärkungspfads entspricht, der den VerstärkerA3 enthält, von dem VerbindungspunktP2 aus gesehen, einen Winkel von -90° bis +90° aufweist, wenn das Nebenschlusshochfrequenzschaltglied eingeschaltet ist. - Es sei angemerkt, dass der Hochfrequenzschalter SW unter Verwendung eines FET/HEMT, MEMS, einer Diode usw. aufgebaut sein kann. Auch wenn die vorliegende Erfindung in Verbindung mit Leistungsverstärkern beschrieben wurde, die zwei Leistungsverstärkungspfade aufweisen, ist klar, dass die vorliegende Erfindung auch auf Leistungsverstärker angewendet werden kann, die drei oder mehr Leistungsverstärkungspfade aufweisen. Es sei weiter angemerkt, dass bei dem Leistungsverstärker jeder der obigen Ausführungsformen ein Hochfrequenzschalter zwischen einen der zwei Leistungsverstärkungspfade und Masse geschaltet ist, um diese Leistungsverstärkungspfade mit Bezug auf Hochfrequenzsignale voneinander zu trennen. Das bedeutet, dass ein Gleichstrom noch zwischen den Leistungsverstärkungspfaden fließen kann. Daher ist es nicht erforderlich, den Leistungsversorgungspfad zu trennen, auch wenn ein Kondensator nicht in Reihe zwischen die Leistungsquelle und aktive Vorrichtungen wie z. B. Transistoren geschaltet ist.
- Natürlich sind viele Abwandlungen und Variationen der vorliegenden Erfindung im Licht der obigen Lehre möglich. Es ist daher klar, dass die Erfindung auch anders ausgeführt werden kann, als sie speziell beschrieben ist.
Claims (4)
- Leistungsverstärker, der enthält: - einen Eingangsanschluss (IN), - einen Ausgangsanschluss (OUT), - einen ersten Verstärker (A1, A2), der zwischen den Eingangsanschluss (IN) und den Ausgangsanschluss (OUT) geschaltet ist, - einen ersten Verbindungspunkt (P1), der zwischen dem Eingangsanschluss (IN) und einem Eingang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt, - einen zweiten Verbindungspunkt (P2), der zwischen dem Ausgangsanschluss (OUT) und einem Ausgang des ersten Verstärkers (A1, A2) liegt, - einen zweiten Verstärker (A3), der parallel zu dem ersten Verstärker (A1, A2) zwischen den ersten Verbindungspunkt (P1) und den zweiten Verbindungspunkt (P2) geschaltet ist, - einen dritten Verbindungspunkt (P3), der zwischen einem Ausgang des zweiten Verstärkers (A3) und dem zweiten Verbindungspunkt (P2) liegt, - einen ersten Kondensator (C1), der zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist, und - einen Schalter (SW), der in Reihe zu dem ersten Kondensator (C1) zwischen den dritten Verbindungspunkt (P3) und Masse geschaltet ist, wobei - der zweite Verbindungspunkt so gewählt ist, dass er der Punkt mit der niedrigsten Impedanz entlang eines Leistungsverstärkungspfads ist, der den Eingangsanschluss (IN), den Ausgangsanschluss (OUT) und den ersten Verstärker (A1, A2) enthält, - der Schalter (SW) ausgeschaltet ist, wenn der zweite Verstärker (A3) eingeschaltet ist, - der Schalter (SW) eingeschaltet ist, wenn der erste Verstärker (A1, A2) eingeschaltet ist und - der erste Kondensator (C1) eine Mehrzahl parallel geschalteter Kondensatoren (C1a-C1d) enthält, die um den zweiten Verstärker (A3) herum angeordnet sind.
- Leistungsverstärker gemäß
Anspruch 1 , der weiter eine Induktivität (L) enthält, die zwischen den Ausgang des zweiten Verstärkers (A3) und den zweiten Verbindungspunkt (P2) geschaltet ist. - Leistungsverstärker gemäß
Anspruch 1 oder2 , der weiter enthält: einen vierten Verbindungspunkt (P4), der zwischen dem Ausgang des zweiten Verstärkers (A3) und dem zweiten Verbindungspunkt (P2) liegt, und einen zweiten Kondensator (C2), der zwischen den vierten Verbindungspunkt (P4) und Masse geschaltet ist. - Leistungsverstärker gemäß einem der
Ansprüche 1 bis3 , bei dem der erste Kondensator (C1) und der zweite Verstärker (A3) mit einer gemeinsamen Masse verbunden sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-277202 | 2012-12-19 | ||
JP2012277202A JP6206698B2 (ja) | 2012-12-19 | 2012-12-19 | 電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013224618A1 DE102013224618A1 (de) | 2014-06-26 |
DE102013224618B4 true DE102013224618B4 (de) | 2019-05-23 |
Family
ID=50878984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013224618.8A Active DE102013224618B4 (de) | 2012-12-19 | 2013-11-29 | Leistungsverstärker |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9077292B2 (de) |
JP (1) | JP6206698B2 (de) |
KR (1) | KR101595739B1 (de) |
CN (1) | CN103888089B (de) |
DE (1) | DE102013224618B4 (de) |
TW (1) | TWI521862B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8619445B1 (en) | 2013-03-15 | 2013-12-31 | Arctic Sand Technologies, Inc. | Protection of switched capacitor power converter |
US9041459B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-05-26 | Arctic Sand Technologies, Inc. | Partial adiabatic conversion |
US9742266B2 (en) * | 2013-09-16 | 2017-08-22 | Arctic Sand Technologies, Inc. | Charge pump timing control |
KR101620179B1 (ko) | 2014-07-22 | 2016-05-12 | 한양대학교 산학협력단 | 저전력 및 저잡음을 실현하는 반도체 회로 |
US9882588B2 (en) * | 2015-07-06 | 2018-01-30 | Mediatek Inc. | Matching network for load line change |
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TW201429158A (zh) | 2014-07-16 |
CN103888089A (zh) | 2014-06-25 |
TWI521862B (zh) | 2016-02-11 |
JP6206698B2 (ja) | 2017-10-04 |
KR101595739B1 (ko) | 2016-02-19 |
KR20140079713A (ko) | 2014-06-27 |
JP2014121071A (ja) | 2014-06-30 |
US20140167853A1 (en) | 2014-06-19 |
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US9077292B2 (en) | 2015-07-07 |
CN103888089B (zh) | 2017-06-30 |
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