DE102013219642A1 - Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Diffusionslöten, bei dem ein elektronisches Bauelement (13) auf ein Substrat (12) aufgesetzt wird. Dabei sind die Fügeflächen so gestaltet, dass Hohlräume (20) im Bereich des Fügespalts (21) entstehen. Dies kann beispielsweise durch Vorsehen von Vertiefungen in der Montagefläche (18) des Bauelements (13) gewährleistet werden. Die Hohlräume (20) haben den Vorteil, dass Lotmaterial (19) beim Aufsetzen des Bauteils (13) auf die Kontaktfläche (14) des Substrats (12) in die Hohlräume entweichen kann, um die geforderte Breite des Fügespalts (21) zu erreichen. Damit kann der Fügespalt (21) so schmal gewählt werden, dass sich dieser beim Löten mit einer den Fügespalt (21) überbrückenden Diffusionszone ausbildet. Auf diese Weise entsteht eine Diffusionslötverbindung, vorteilhafterweise auch bei Verwendung von Standardloten. Weiterhin betrifft die Erfindung auch eine elektronische Baugruppe (11), die auf dem beschriebenen Weg gefertigt wurde.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Diffusionslöten eines elektronischen Bauelements auf einem Substrat. Bei diesem Verfahren wird das Bauelement mit seiner Montagefläche auf eine Kontaktfläche des Substrats aufgesetzt, wobei zwischen dem Substrat und dem Bauelement ein Lotwerkstoff zum Einsatz kommt. Dann wird der Lotwerkstoff auf eine Temperatur erwärmt, die einen Diffusionsvorgang zwischen dem Lotwerkstoff und dem Bauelement sowie zwischen dem Lotwerkstoff und dem Substrat in Gang setzt, wobei die Lötverbindung ausgebildet wird. Hierbei diffundieren chemische Elemente aus dem Bauelement und dem Substrat in die sich ausbildende Lötverbindung, wobei sich in dieser die chemische Zusammensetzung ändert. Genau genommen diffundieren die chemischen Elemente aus den hierfür vorgesehenen Metallisierungen in die Lotverbindung. Diese Metallisierungen auf dem Bauelement und dem Substrat werden im Sinne dieser Erfindung als Teile von Bauelement und Substrat aufgefasst.
- Vorzugweise wird der Lotwerkstoff verflüssigt, da die Diffusionsvorgänge im Lotwerkstoff hierdurch enorm beschleunigt werden können. Außerdem liegt dann auch eine genügend hohe Temperatur vor, damit die Diffusionsvorgänge in dem Bauelement und dem Substrat ausgelöst werden. Genauer werden diese Diffusionsvorgänge in den Kontaktmaterialien ausgelöst, die die Kontaktfläche und die Montagefläche bilden, wobei diese Kontaktmaterialien im Sinne der Erfindung jeweils als Teil des Bauelements und Teil des Substrats aufzufassen sind.
- Die sich ausbildende Lötverbindung weist eine den Zwischenraum zwischen Kontaktfläche und Montagefläche überbrückende Diffusionszone auf. Hierbei handelt es sich um eine Zone, in die das Material aus den Kontaktmaterialien hinein diffundiert ist, so dass sich ein Material ausbildet, welches im Vergleich zum Lotwerkstoff, also dem Ausgangsmaterial, eine erhöhte Schmelztemperatur aufweist. Wenn die Kontaktmaterialien Kupfer enthalten, kann die Diffusionszone bei einem Zinn enthaltenden Lotwerkstoff beispielsweise durch die intermetallische Verbindung zwischen Kupfer und Zinn ausgebildet werden. Diese weist einen Schmelzpunkt von ungefähr 420°C auf, welcher eindeutig über demjenigen zinnbasierter Lotwerkstoffe liegt.
- Außerdem betrifft die Erfindung eine elektronische Baugruppe, die ein Substrat mit einer Kontaktfläche aufweist, auf der ein elektronisches Bauelement mit einer Montagefläche verlötet ist. Die Lötverbindung weist eine den Zwischenraum zwischen Kontaktfläche und Montagefläche überbrückende Diffusionszone auf. Diese Diffusionszone ist in der oben bereits beschriebenen Weise ausgebildet. Beispielsweise kann diese aus einer intermetallischen Verbindung bestehen. Die Lötverbindung kann überdies auch Bereiche aufweisen, die aus dem erstarrten Lotwerkstoff bestehen. Diese sind gewöhnlich so weit von der Kontaktfläche und der Montagefläche entfernt, dass das Kontaktmaterial von dort nicht bis in diese Teile der Lötverbindung vordringen konnten.
- Eine elektrische Baugruppe und ein Verfahren zur Herstellung der Diffusionslötverbindungen in einer solchen elektronischen Baugruppe ist beispielsweise in der
DE 10 2012 214 901 A1 beschrieben. Es wird vorgeschlagen, dass sogenannte Halbleiteranordnungen, wie z. B. Halbleiterchips, mit einer Diffusionslotschicht auf einer gesinterten Silberschicht befestigt werden können. Hierbei wird aus einer Silberpaste eine gesinterte Silberschicht hergestellt, auf der das Lot aufgebracht wird. Der Diffusionslötprozess besteht darin, dass es zu einer Diffusion von Material zwischen den beiden Schichten kommt, wodurch sich eine Diffusionszone ausbildet. Zum Zwecke der Ausbildung der Diffusionszone ist daher ein Aufbringen unterschiedlicher Materialien erforderlich, wobei eine Diffusion zwischen diesen Lotmaterialien zur Ausbildung der Diffusionszone beiträgt und so den Lötspalt zwischen den zu lötenden Bauteilen überbrückt. - Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Diffusionslöten und eine elektronische Baugruppe mit mindestens einer diffusionsgelöteten Lötverbindung anzugeben, bei der bzw. bei dem die sich ausbildende Diffusionslötstelle mit kostengünstigen Komponenten und mit großer Zuverlässigkeit im Betrieb hergestellt werden kann.
- Diese Aufgabe wird mit dem eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Montagefläche des Bauelementes und/oder die Kontaktfläche des Substrats mit Vertiefungen versehen sind, die nach dem Ausbilden der Lötverbindung außerhalb der den Zwischenraum zwischen Kontaktfläche und Montagefläche überbrückenden Diffusionszone liegen.
- Alternativ wird die Aufgabe auch durch eine elektronische Baugruppe der eingangs angegebenen Art dadurch gelöst, dass die Montagefläche des Bauelements und/oder die Kontaktfläche des Substrats mit Vertiefungen versehen sind, die außerhalb der den Zwischenraum zwischen Kontaktfläche und Montagefläche überbrückenden Diffusionszone liegen. Mit anderen Worten handelt es sich bei der elektronischen Baugruppe um ein Erzeugnis, welches sich mit Hilfe des genannten Verfahrens herstellen lässt. Soweit sich die im Folgenden beschriebenen Verfahrensmerkmale direkt auf die Struktur der hergestellten elektronischen Baugruppe beziehen, können diese daher auch auf die elektronische Baugruppe übertragen werden.
- Die erfindungsgemäße Verwendung von Vertiefungen in der Kontaktfläche und/oder in der Montagefläche hat den Vorteil, dass diese Vertiefungen als Pufferraum für Lotwerkstoff zur Verfügung stehen, wenn das Bauelement auf das Substrat aufgesetzt wird. Hierbei muss berücksichtigt werden, dass die Diffusionszone, die sich bei Ausbildung der Lötverbindung an der Grenzfläche der Montagefläche und der Kontaktfläche zum Lotwerkstoff ausbildet, auf einen bestimmten Abstand beschränkt bleibt, da die Elemente aus dem Kontaktmaterial in einer bestimmten Konzentration im Lotwerkstoff vorliegen müssen, damit es zur Ausbildung der Diffusionszone, beispielsweise durch Ausbildung intermetallischer Verbindungen, kommt. Dies bedeutet jedoch, dass bei Vorliegen eines zu großen Spalts die Diffusionszonen, die sich jeweils von der Montagefläche bzw. von der Kontaktfläche ausgehend in der Lötverbindung ausbilden, nicht treffen. Damit entstünde keine den Spalt überbrückende Diffusionszone, die jedoch für die mechanische und thermische Stabilität der Lötverbindung von hervorragender Bedeutung ist. Dem könnte nun begegnet werden, indem, wie im Stand der Technik beschrieben, Schichten mit dem zur Diffusion vorgesehenen Material zwischen denen des Lotwerkstoffs hergestellt werden. Allerdings ist dies mit einem zusätzlichen Fertigungsaufwand verbunden, der gemäß der Aufgabenstellung gerade eingespart werden soll.
- Andererseits ist es schwierig, das Lotmaterial so dünn auf die Fügepartner aufzutragen, dass der sich durch den Auftrag an Lotwerkstoff ergebende Spalt hinreichend schmal ist, damit dieser durch die sich ausbildende Diffusionszone überbrückt werden kann. Hierbei spielen Fertigungstoleranzen eine Rolle, die dazu führen, dass derartig dünne Schichten an Lotwerkstoff nicht überall gleich dick wären und so ein Kontakt in bestimmten Bereichen nicht zustande käme. Hier setzt die Erfindung an, indem die Vertiefungen vorgesehen werden. Hierdurch wird es ermöglicht, dass der Lotwerkstoff in einer genügenden Dicke aufgebracht werden kann, wobei bei Annäherung der Fügepartner (Bauelement und Substrat) überschüssiges Lotmaterial in die Vertiefungen hinein verdrängt werden kann. Dabei kommt im Bereich außerhalb der Vertiefungen zwischen der Kontaktfläche und der Montagefläche eine zuverlässige Beaufschlagung mit Lotmaterial zustande. Dabei kann das Bauelement an das Substrat so weit angenähert werden, dass der sich ergebende Fügespalt hinreichend eng ist, damit eine den Fügespalt (Zwischenraum) überbrückende Diffusionszone durch den Lötprozess ausgebildet werden kann.
- Es ist unerheblich, ob die Vertiefungen in der Montagefläche oder der Kontaktfläche oder in beiden Flächen vorgesehen werden. In jedem Fall grenzen die Vertiefungen an den den Fügespalt bildenden Zwischenraum an und können auf diese Weise mit überschüssigem Lotwerkstoff gefüllt werden. Die an die Vertiefungen grenzende Montagefläche bzw. Kontaktfläche können vorzugsweise plan ausgebildet sein. In diesem Fall lassen sich die Montagefläche sowie die Kontaktfläche einfach herstellen und es bildet sich vorteilhaft ein Zwischenraum mit einer einfachen Geometrie aus. Allerdings ist es auch möglich, dass die Montagefläche und/oder die Kontaktfläche gekrümmt vorliegen. In diesem Fall kann der Übergang hin zu den Vertiefungen auch fließend ausgebildet sein. Vertiefungen befinden sich in diesem Fall in den Bereichen, wo der Abstand der Kontaktfläche und der Montagefläche größer ist, während der den Fügespalt bildende Zwischenraum dort vorliegt, wo sich der Abstand zwischen der Montagefläche und der Kontaktfläche so weit verringert, dass dieser durch die Diffusionszone überbrückt werden kann.
- Die Vertiefungen können isoliert voneinander vorliegen, was dazu führt, dass die Montagefläche und/oder die Kontaktfläche zusammenhängend ausgebildet sind. Die Vertiefungen können beispielsweise napfartig sein. Alternativ ist es auch möglich, dass die Vertiefungen ein zusammenhängendes Gefüge bilden, wodurch die Montagefläche und/oder die Kontaktfläche in einzelnen inselartigen Strukturen vorliegt.
- Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Vertiefungen die Form von Kanälen haben. Diese können die Flächenelemente der Montagefläche und/oder der Kontaktfläche umgeben oder auch sich kreuzend angeordnet sein. Die Tiefe der Kanäle bestimmt die Menge an Lotwerkstoff, der aufgenommen werden kann. Zu bemerken ist auch, dass die sich ausbildenden Gase während des Lötvorgangs (bedingt durch die Verdampfung von beispielsweise dem Binder des Lotmaterials) über die Kanäle entweichen können. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Kanäle säulenartige Strukturelemente umgeben, wobei die Stirnflächen der Strukturelemente die Montagefläche oder die Kontaktfläche für die hochschmelzen Verbindung (Diffusionszone) ausbilden. Die Säulen müssen nicht notwendigerweise einen Kreisquerschnitt aufweisen. Diese können auch mit ovalem oder rechteckigem Querschnitt ausgeführt sein. Der Begriff Säulen ist im Sinne dieser Erfindung also im weitesten Sinne zu verstehen. Die Kanäle müssen keine gleichbleibende Breite haben. Diese können vorzugsweise linear angeordnet werden, wobei dies vorteilhaft eine besonders einfache Fertigung derselben ermöglicht. Die Kanäle können jedoch auch gekrümmt verlaufen oder die säulenartigen Strukturelemente umgeben.
- Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Lotwerkstoff in einer Menge zwischen dem Bauelement und dem Substrat vorgesehen wird, dass die Vertiefungen vollständig mit dem Lotwerkstoff ausgefüllt werden. Hierbei entsteht eine Lötverbindung, welche nur in den Bereichen, in denen die Kontaktfläche und die Montagefläche einen den Fügespalt ausbildenden Zwischenraum bilden, brückenartige Diffusionszonen bilden. Im Bereich der Vertiefungen, die vollständig von dem Lotwerkstoff ausgefüllt sind, bilden sich konventionelle Lötverbindungen aus dem Lotwerkstoff. Wird eine solche Verbundverbindung beispielsweise im Betrieb des Bauelements erwärmt, so wird die mechanische Festigkeit der Lötverbindung auch bei höheren Temperaturen durch die Diffusionszonen mit dem erhöhten Schmelzpunkt gewährleistet. Dies ist auch der Fall, wenn die Teile der Lötverbindung, die durch die Lotlegierung gebildet werden, erweichen und den mechanischen Anforderungen nicht mehr standhalten würden. Das Lotmaterial in diesen Bereichen kann jedoch weiterhin zur Übertragung des elektrischen Stroms genutzt werden, wodurch vorteilhaft ein vergleichsweise großer Leitungsquerschnitt zur Verfügung steht.
- Gemäß einer anderen Ausgestaltung ist vorgesehen, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfs der Vertiefungen an der Montagefläche und/oder an der Kontaktfläche lokal variiert wird. Hiermit ist gemeint, dass es über die gesamte Fläche gesehen Bereiche gibt, wo die Vertiefungen einen größeren Flächenanteil an der dort lokal vorliegenden Gesamtfläche einnehmen als in anderen Bereichen. Hierdurch kann vorteilhaft die Lötverbindung an die Anforderungen spezifischer Bauelemente angepasst werden, wie im Folgenden näher erläutert werden soll. Beispielsweise ist es gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung möglich, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfs der Vertiefungen in Bereichen der Montagefläche und/oder an der Kontaktfläche, in denen ein erhöhter Wärmeübergang zu erwarten ist, höher gewählt wird, als in den Bereichen mit einem geringeren zu erwartenden Wärmeübergang. Hiermit kann auf konstruktivem Wege erreicht werden, dass in den Bereichen erhöhter Wärmeentwicklung eines Bauelements auch eine stärkere Wärmeableitung möglich ist. Dies führt zu einem gleichmäßigeren Temperaturprofil des Bauelements, was einerseits die gesamte thermische Belastung des Bauelements verringert und andererseits zu einem gleichmäßigeren Wärmedehnungsverhalten führt. Hierdurch lässt sich vorteilhaft die thermische Bauteilbelastung aufgrund der absoluten Wärmeentwicklung und aufgrund von Wärmespannungen vermindern.
- Eine andere Möglichkeit besteht gemäß einer besonderen Ausführung der Erfindung darin, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfs der Vertiefungen am Rande der Montagefläche und/oder der Kontaktfläche höher gewählt wird, als in der Mitte. Diese Ausführung ermöglicht es vorteilhaft, dass überschüssiges Lotmaterial sowie die beim Löten entstehenden Gase leichter von der Mitte der Lötverbindung nach außen transportiert werden können. Dies verbessert vorteilhaft die Qualität der sich ausbildenden Lötverbindung.
- Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben. Gleiche oder sich entsprechende Zeichnungselemente sind in den einzelnen Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehrfach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den Figuren ergeben. Es zeigen:
-
1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen elektronischen Baugruppe im schematischen Schnitt, -
2 bis4 ausgewählte Fertigungsschritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens, -
5 eine alternative Ausgestaltung der Lötverbindung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen elektronischen Baugruppe im schematischen Schnitt, -
6 bis10 unterschiedliche Verteilungen von Vertiefungen auf Fügeflächen und/oder Kontaktflächen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens oder der erfindungsgemäßen Baugruppe als Aufsicht und -
11 ein besonderes Ausführungsbeispiel für eine Lötverbindung gemäß einem letzten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Baugruppe im Schnitt. - Eine elektronische Baugruppe
11 gemäß1 weist ein Substrat12 auf, auf dem ein elektronisches Bauelement13 befestigt ist. Hierzu stellt das Substrat12 eine Kontaktfläche14 zur Verfügung, die aus einer Metallisierung15 strukturiert wurde. Das Bauelement13 weist eine Montageseite16 mit einer Metallstruktur17 auf, wobei die Metallstruktur17 eine Montagefläche18 für eine Lötverbindung zur Verfügung stellt. Zwischen der Montagefläche18 und der Kontaktfläche14 ist ein Lotwerkstoff19 vorgesehen. Die Darstellung gemäß1 zeigt die elektronische Baugruppe somit vor dem Lötvorgang. - Der
1 ist weiterhin zu entnehmen, dass die Montagefläche18 nicht über die gesamte Fläche mit der Kontaktfläche14 des Substrats in Verbindung steht. Vielmehr sind zwischen Bereichen der Montagefläche18 Kanäle20 vorgesehen, die nicht vollständig mit dem Lotwerkstoff19 gefüllt sind. Zwar reicht der Lotwerkstoff teilsweise in die Kanäle20 hinein, jedoch ist eine vorläufige Verbindung zwischen dem Substrat11 und dem Bauelement13 nur im Bereich der Montagefläche18 gegeben, wo sich ein Zwischenraum21 ergibt, der den Fügespalt zum Ausbilden der Diffusionslötverbindung zur Verfügung stellen soll (hierzu im Folgenden noch mehr). - In
2 ist ein säulenartiges Strukturelement22 dargestellt, welches von Kanälen20 (wie in1 dargestellt) umgeben ist. Es handelt sich um einen Ausschnitt einer Anordnung wie in1 gezeigt. Dabei ist ein Verfahrensstadium für die Ausbildung der Lötverbindung dargestellt, bei dem das Bauelement13 gerade auf das Substrat11 aufgesetzt wurde. - In
3 ist der nächste Fertigungsschritt dargestellt. Es wird eine Montagekraft F auf das Bauelement13 aufgebracht, was dazu führt, dass sich der Abstand zwischen dem Bauelement13 und dem Substrat11 verringert. Dabei verringert sich auch der Zwischenraum21 zwischen der Kontaktfläche14 und der Montagefläche18 bei gleichzeitiger Ausbildung des geforderten Fügespalts. Der Lotwerkstoff19 wird dabei aus dem Zwischenraum21 teilweise verdrängt und bildet Wulste in dem Volumen, welches durch die Kanäle20 zur Verfügung gestellt wird. - In
4 wurde der Fertigungsschritt des Lötens bereits durchgeführt, so dass eine Lötverbindung ausgebildet wurde. Zu erkennen ist, dass diese in direktem Anschluss an die Kontaktfläche14 und die Montagefläche18 eine Diffusionszone24 aufweist, die als intermetallische Verbindung zwischen Kupfer und Zinn ausgebildet ist. Das Kupfer stammt von der Metallisierung15 und der Metallstruktur17 , die beide aus Kupfer bestehen. Zinn wird durch den Lotwerkstoff20 zur Verfügung gestellt. Dieser enthält nämlich ein zinnhaltiges Lot, wobei vorteilhaft Standardlotlegierungen zur Verwendung kommen können, welche keine besondere Eignung für das Diffusionslöten aufweisen. Das Lotmaterial kann beispielsweise eine Lotpaste sein, wobei die Lotlegierung, die vorzugsweise bleifrei sein kann (beispielsweise aus Zinn-Silber-Kupfer-Basis) als Partikel einem Bindemittel zugeführt sind. Beim Ausbilden der Lötverbindung schmilzt die Lotlegierung auf und wird durch Eindiffundieren von Kupfer aus der Metallisierung und der Metallstruktur zumindest im angrenzenden Randbereich in seiner chemischen Zusammensetzung so verändert, dass die intermetallische Verbindung in der Diffusionszone24 entsteht. Der Zwischenraum21 ist so schmal, dass dieser durch die Diffusionszone24 zumindest teilweise oder vollständig überbrückt wird. Hier entsteht eine thermisch sehr stabile Bauteilverbindung, da der Schmelzpunkt der intermetallischen Verbindung bei über 400°C liegt. Außerhalb der Diffusionszone ist zu erkennen, dass sich eine erweiterte Lötverbindung aus der Lotlegierung25 ausbildet. Diese füllt die Kanäle20 teilweise aus. Auch die Lotlegierung kann zur Übertragung des elektrischen Stroms herangezogen werden, da sie den Querschnitt des säulenartigen Strukturelements22 vergrößert. - In
5 ist eine andere Bauform der elektrischen Baugruppe als Ausschnitt dargestellt. Auch diese wurde bereits verlötet. Der Unterschied liegt darin, dass eine Metallstruktur17a nicht am Bauelement13 , sondern auf dem Substrat12 vorgesehen ist. Dementsprechend ist eine Metallisierung an dem Bauelement13 vorgesehen. Nicht dargestellt, aber auch denkbar wäre eine Bauform, wo beide Fügepartner, also das Bauelement13 und das Substrat12 eine Metallstruktur aufweisen, die komplementär ausgebildet ist. Hierbei würden die Strukturelemente unter Ausbildung des Zwischenraums direkt aufeinander zum Liegen kommen. In5 wird allerdings der Zwischenraum analog zu der in den1 bis4 dargestellten Weise durch die Kontaktfläche14 und die Montagefläche18 ausgebildet. - Ein weiterer Unterschied im Vergleich zu den
1 bis4 liegt darin, dass die Kanäle vollständig mit der Lotlegierung25 ausgefüllt sind. Dies wird dadurch erreicht, dass die Fügepartner oder einer der Fügepartner mit einer Menge an Lotwerkstoff versehen wird (vgl.1 ), die ausreicht, dass bei Aufbringen der Montagekraft F gemäß3 die entstehenden Wulste23 die Kanäle vollständig ausfüllen. So wird nach Ausbilden der Lötverbindung ein größerer Querschnitt zur Leitung des elektrischen Stroms zur Verfügung gestellt, da die Lotlegierung25 zur Leitung des elektrischen Stroms ebenfalls zur Verfügung steht. Die mechanische Stabilität der Lötverbindung wird durch die im Zwischenraum21 ausgebildete Diffusionszone24 sichergestellt. - Die
6 bis9 stellen Aufsichten auf die Kontaktfläche14 oder die Montagefläche18 dar. Dies hängt davon ab, ob das elektrische Bauelement13 gemäß1 oder das Substrat12 gemäß5 die Metallstruktur trägt. Da diese sich aber in beiden Fällen strukturell nicht unterscheiden, kann für beide Fälle jeweils eine Darstellung verwendet werden. - In
6 sind die säulenartigen Strukturelemente22 gemäß der1 bis5 als Aufsicht dargestellt. Es wird deutlich, dass die Kanäle durch die säulenartigen Strukturelemente22 umgebenden Zwischenräume gebildet sind. - Gemäß
7 sind die Kanäle20 als V-Kanäle ausgebildet, wobei die hierdurch entstehenden Kanten in7 zu erkennen sind. Es werden sich im rechten Winkel kreuzende Kanäle20 vorgesehen, wobei hierdurch als Strukturelemente Pyramidenstümpfe26 entstehen. Die jeweilige obere Begrenzungsfläche der Pyramidenstümpfe26 ergibt die Kontaktfläche14 oder die Montagefläche18 . - In
8 sind ähnlich wie in6 säulenartige Strukturelemente dargestellt, welche ebenfalls einen Kreisquerschnitt aufweisen. Die jeweiligen Stirnflächen bilden, wie in6 , die Kontaktfläche14 oder die Montagefläche18 . Anders als in6 sind die Durchmesser der säulenartigen Strukturelemente22 unterschiedlich groß, und zwar der Gestalt, dass der Durchmesser zum Rand der Gruppe der Strukturelemente22 kleiner wird. Damit wird bei konstanten Säulenabständen das Volumen der die Strukturelemente22 umgebenden Kanäle20 zum Rand hin größer, wodurch der Abtransport von überschüssigem Lotwerkstoff vereinfacht wird. Eine solche Bauform ist daher insbesondere für eine Lötverbindung gemäß5 geeignet, wo die Kanäle20 vollständig durch die Lotlegierung25 ausgefüllt werden sollen. - In
9 wird die Kontaktfläche14 bzw. die Montagefläche18 zusammenhängend ausgebildet, wobei in dieser napfartige Vertiefungen27 ausgebildet sind. Zu erkennen in9 ist außerdem, dass diese napfartigen Vertiefungen27 in unterschiedlicher Dichte vorgesehen sind. In der oberen rechten Ecke gemäß9 sind die Vertiefungen in der doppelten Dichte angeordnet. Hierbei handelt es sich um einen Bereich, bei dem nur eine geringe Wärmemenge durch das an die ausgebildete Lötverbindung angrenzende Bauteil in die Lötverbindung eingetragen wird. Daher ist in diesem Bereich eine geringere Wärmeableitung vorteilhaft, damit sich das Bauelement durch lokal unterschiedliche Erwärmung nicht verspannt. - In
10 sind säulenartige Strukturelemente22 zu erkennen, die einen quadratischen Querschnitt haben. Diese werden durch Kanäle20 mit flachem Kanalboden voneinander getrennt. Auch in10 ist zu erkennen, dass in der rechten unteren Ecke gemäß10 die pro Flächeneinheit zur Verfügung stehende Kontaktfläche14 bzw. Montagefläche18 nur halb so groß ist wie im restlichen Bereich, da doppelt so viele der sich kreuzenden Kanäle22 angeordnet sind. Außerdem ist gemäß10 auch ein zusätzliches Reservoir28 zu erkennen, wo kein säulenartiges Strukturelement22 vorgesehen ist, so dass ein größerer Hohlraum zur Aufnahme von Lotwerkstoff entsteht. Solche Reservoirs können insbesondere dann vorgesehen werden, wenn die Montagefläche18 bzw. Kontaktfläche14 besonders groß ist, so dass überschüssiger Lotwerkstoff nicht ohne Weiteres zum Rand dieser Fläche transportiert werden kann. - In
11 ist ein alternativer Aufbau von Strukturelementen29 gezeigt, die Teil der Metallstruktur17 sind. Diese sind noppenartig ausgeführt, so dass es keine Kante gibt, die die Ränder der Montagefläche18 definiert. Die Montagefläche18 ist vielmehr durch die Abmessungen der Diffusionszone in demjenigen Bereich, der den Zwischenraum21 überbrückt, definiert. Sobald sich der Abstand zwischen den Fügepartnern so weit vergrößert, dass sich dieser durch die Diffusionszone24 nicht mehr überbrücken lässt, fängt dort die Vertiefung an, in der sich zumindest teilweise die Lotlegierung25 ausbildet. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102012214901 A1 [0005]
Claims (8)
- Verfahren zum Diffusionslöten eines elektronischen Bauelementes (
13 ) auf einem Substrat (12 ), bei dem – das Bauelement (13 ) mit seiner Montagefläche (18 ) auf eine Kontaktfläche (14 ) des Substrates (12 ) aufgesetzt wird, wobei zwischen dem Substrat und dem Bauelement (13 ) ein Lotwerkstoff zum Einsatz kommt, und – das Lotwerkstoff (19 ) auf eine Temperatur erwärmt wird, die einen Diffusionsvorgang zwischen dem Lotwerkstoff (19 ) und dem Bauelement (13 ) sowie dem Substrat (12 ) in Gang setzt, wobei eine Lötverbindung ausgebildet wird, die eine den Zwischenraum (21 ) zwischen Kontaktfläche (14 ) und Montagefläche (18 ) überbrückende Diffusionszone (24 ) aufweist, die eine im Vergleich zum Lotwerkstoff erhöhte Schmelztemperatur aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Montagefläche (18 ) des Bauelementes (13 ) und/oder die Kontaktfläche (14 ) des Substrates (12 ) mit Vertiefungen (20 ,27 ) versehen sind, die nach dem Ausbilden der Lötverbindung außerhalb der den Zwischenraum (21 ) zwischen Kontaktfläche (14 ) und Montagefläche (18 ) überbrückenden Diffusionszone (24 ) liegen. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefungen (
20 ,27 ) die Form von Kanälen (20 ) haben. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle (
20 ) säulenartige Strukturelemente (22 ) umgeben, wobei die Strukturelemente (22 ) die Montagefläche (18 ) und/oder die Kontaktfläche (14 ) ausbilden. - Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Lotwerkstoff in einer Menge zwischen dem Bauelement (
13 ) und dem Substrat (12 ) vorgesehen wird, dass die Vertiefungen vollständig mit dem Lotwerkstoff (19 ) ausgefüllt werden. - Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfes der Vertiefungen (
20 ,27 ) an der Montagefläche (18 ) und/oder an der Kontaktfläche (14 ) lokal variiert wird. - Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfes der Vertiefungen (
20 ,27 ) am Rande der Montagefläche (18 ) und/oder der Kontaktfläche (14 ) höher gewählt wird, als in der Mitte. - Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der prozentuale Anteil des Flächenbedarfes der Vertiefungen (
20 ,27 ) in Bereichen der Montagefläche (18 ) und/oder an der Kontaktfläche (14 ), in denen ein erhöhter Wärmeübergang zu erwarten ist, höher gewählt wird, als in den Bereichen mit einem geringeren zu erwartenden Wärmeübergang. - Elektronische Baugruppe (
11 ) aufweisend ein Substrat (12 ) mit einer Kontaktfläche (14 ), auf der ein elektronisches Bauelement (13 ) mit einer Montagefläche (18 ) verlötet ist, wobei die Lötverbindung eine den Zwischenraum (21 ) zwischen Kontaktfläche (14 ) und Montagefläche (18 ) überbrückende Diffusionszone (24 ) aufweist, die eine im Vergleich zu Lotwerkstoff erhöhte Schmelztemperatur aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Montagefläche (18 ) des Bauelementes (13 ) und/oder die Kontaktfläche (14 ) des Substrates (12 ) mit Vertiefungen (20 ,27 ) versehen sind, die außerhalb der den Zwischenraum (21 ) zwischen Kontaktfläche (14 ) und Montagefläche (18 ) überbrückenden Diffusionszone (24 ) liegen.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013219642.3A DE102013219642A1 (de) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung |
EP14771823.3A EP3036761B1 (de) | 2013-09-27 | 2014-09-11 | Verfahren zum diffusionslöten eines elektronischen bauelements mit einer montagefläche mit vertiefungen auf einem substrat |
CN201480053472.1A CN105706224B (zh) | 2013-09-27 | 2014-09-11 | 通过将扩散区设计为钎焊连接部的扩散钎焊方法和带这种钎焊连接部的电子组件 |
PCT/EP2014/069368 WO2015043969A2 (de) | 2013-09-27 | 2014-09-11 | Verfahren zum diffusionslöten unter ausbildung einer diffusionszone als lötverbindung und elektronische baugruppe mit einer solchen lötverbindung |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013219642.3A DE102013219642A1 (de) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013219642A1 true DE102013219642A1 (de) | 2015-04-02 |
Family
ID=51589272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013219642.3A Withdrawn DE102013219642A1 (de) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10004147B2 (de) |
EP (1) | EP3036761B1 (de) |
CN (1) | CN105706224B (de) |
DE (1) | DE102013219642A1 (de) |
WO (1) | WO2015043969A2 (de) |
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DE102017206932A1 (de) | 2017-04-25 | 2018-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Lotformteil zum Erzeugen einer Diffusionslötverbindung und Verfahren zum Erzeugen eines Lotformteils |
DE102017206925A1 (de) | 2017-04-25 | 2018-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Erzeugen einer Diffusionslötverbindung |
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- 2014-09-11 EP EP14771823.3A patent/EP3036761B1/de active Active
- 2014-09-11 US US15/025,515 patent/US10004147B2/en active Active
- 2014-09-11 CN CN201480053472.1A patent/CN105706224B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105706224B (zh) | 2018-11-02 |
CN105706224A (zh) | 2016-06-22 |
EP3036761B1 (de) | 2019-07-10 |
US10004147B2 (en) | 2018-06-19 |
US20160219720A1 (en) | 2016-07-28 |
WO2015043969A3 (de) | 2015-07-02 |
WO2015043969A2 (de) | 2015-04-02 |
EP3036761A2 (de) | 2016-06-29 |
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---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
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