DE102013218749A1 - Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie - Google Patents

Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie Download PDF

Info

Publication number
DE102013218749A1
DE102013218749A1 DE102013218749.1A DE102013218749A DE102013218749A1 DE 102013218749 A1 DE102013218749 A1 DE 102013218749A1 DE 102013218749 A DE102013218749 A DE 102013218749A DE 102013218749 A1 DE102013218749 A1 DE 102013218749A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mirror
individual
field
illumination
object field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102013218749.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr. Endres Martin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102013218749.1A priority Critical patent/DE102013218749A1/de
Priority to PCT/EP2014/067958 priority patent/WO2015039839A1/de
Priority to JP2016515545A priority patent/JP6620088B2/ja
Publication of DE102013218749A1 publication Critical patent/DE102013218749A1/de
Priority to US15/067,436 priority patent/US9921484B2/en
Priority to JP2019159617A priority patent/JP6987817B2/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
DE102013218749.1A 2013-09-18 2013-09-18 Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie Ceased DE102013218749A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013218749.1A DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2013-09-18 Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
PCT/EP2014/067958 WO2015039839A1 (de) 2013-09-18 2014-08-25 Beleuchtungssystem sowie beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
JP2016515545A JP6620088B2 (ja) 2013-09-18 2014-08-25 Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット
US15/067,436 US9921484B2 (en) 2013-09-18 2016-03-11 Illumination system and illumination optical unit for EUV projection lithography
JP2019159617A JP6987817B2 (ja) 2013-09-18 2019-09-02 Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明系及び照明光学ユニット

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013218749.1A DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2013-09-18 Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013218749A1 true DE102013218749A1 (de) 2015-03-19

Family

ID=51454663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013218749.1A Ceased DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2013-09-18 Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9921484B2 (https=)
JP (2) JP6620088B2 (https=)
DE (1) DE102013218749A1 (https=)
WO (1) WO2015039839A1 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017200658A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR20240082039A (ko) * 2022-12-01 2024-06-10 삼성전자주식회사 모니터링 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1225481A2 (de) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US6658084B2 (en) 2000-10-27 2003-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with variable adjustment of the illumination
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
DE102006036064A1 (de) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
WO2008149178A1 (en) 2007-06-07 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric illumination system for microlithography tool
US20090041182A1 (en) 2006-05-04 2009-02-12 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for euv lithography
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2010037453A1 (en) 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Field facet mirror for use in an illumination optics of a projection exposure apparatus for euv microlithography
WO2010104163A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Nikon Corporation Optical integrator
DE102009030501A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
DE102009045694A1 (de) * 2009-10-14 2011-04-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102012201235A1 (de) * 2012-01-30 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4401060B2 (ja) * 2001-06-01 2010-01-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リトグラフ装置、およびデバイス製造方法
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006128321A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7405809B2 (en) * 2005-03-21 2008-07-29 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
WO2010108516A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optical system for euv microlithography and euv attenuator for an illumination optical system of this kind, illumination system and projection exposure installation having an illumination optical system of this kind
KR20120031050A (ko) * 2009-06-17 2012-03-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
NL2004429A (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method of adjusting an illumination mode.
JP2011077142A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8958053B2 (en) * 2010-08-11 2015-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and alignment method
DE102011003928B4 (de) * 2011-02-10 2012-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011076145B4 (de) * 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102012210174A1 (de) * 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
US6658084B2 (en) 2000-10-27 2003-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with variable adjustment of the illumination
EP1225481A2 (de) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm
US20090041182A1 (en) 2006-05-04 2009-02-12 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for euv lithography
DE102006036064A1 (de) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
WO2008149178A1 (en) 2007-06-07 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric illumination system for microlithography tool
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US20110001947A1 (en) 2008-02-15 2011-01-06 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2010037453A1 (en) 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Field facet mirror for use in an illumination optics of a projection exposure apparatus for euv microlithography
WO2010104163A1 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Nikon Corporation Optical integrator
DE102009030501A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
DE102009045694A1 (de) * 2009-10-14 2011-04-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102012201235A1 (de) * 2012-01-30 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Also Published As

Publication number Publication date
US9921484B2 (en) 2018-03-20
US20160195816A1 (en) 2016-07-07
JP2020073949A (ja) 2020-05-14
JP6620088B2 (ja) 2019-12-11
JP6987817B2 (ja) 2022-01-05
JP2016533513A (ja) 2016-10-27
WO2015039839A1 (de) 2015-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011003928B4 (de) Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102012204273B4 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102009045694B4 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008009600A1 (de) Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
EP1884831A2 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen < 193 nm
DE102012205886A1 (de) Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012207866A1 (de) Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012209132A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102006059024A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102012213937A1 (de) Spiegel-Austauscharray
DE102010030089A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
WO2019149462A1 (de) Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie
DE102018214223A1 (de) Pupillenfacettenspiegel
WO2020221763A1 (de) Mess-beleuchtungsoptik zur führung von beleuchtungslicht in ein objektfeld einer projektionsbelichtungsanlage für die euv-lithografie
DE102013218749A1 (de) Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012201235B4 (de) Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102013217269A1 (de) Mikrospiegel-Array
DE102012208064A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
EP3292441A1 (de) Facettenspiegel für die euv-projektionslithographie sowie beleuchtungsoptik mit einem derartigen facettenspiegel
WO2019134773A1 (de) Pupillenfacettenspiegel, beleuchtungsoptik und optisches system für eine projektionsbelichtungsanlage
DE102015209175A1 (de) Pupillenfacettenspiegel
DE102015224597A1 (de) Feldfacettenspiegel für die EUV-Projektionslithographie
DE102023209710A1 (de) Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie geeignet zur Verwendung als erster Facettenspiegel
DE102023209709A1 (de) Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie, geeignet zur Verwendung als zweiter Facettenspiegel
DE102013211268B4 (de) Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final