DE102013112740A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen Absorptionsbereich (3) aufweist, wobei der Absorptionsbereich einen kurzwelligen Strahlungsanteil mit einer Grenzwellenlänge, die kleiner ist als die Peak-Wellenlänge, zumindest teilweise absorbiert.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.
  • Für verschiedene Anwendungen sind strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente wie beispielsweise Leuchtdioden gewünscht, die im infraroten Spektralbereich Strahlung emittieren. Es hat sich gezeigt, dass bei Bauelementen, die im nahen Infrarot, beispielsweise bei einer Emissionswellenlänge von 850 nm, Strahlung emittieren, kurzwellige Strahlungsanteile aufweisen können, die vom menschlichen Auge noch wahrnehmbar sind. Zur Vermeidung solcher Strahlungsanteile kann die Peak-Wellenlänge der abgestrahlten Strahlung zu größeren Wellenlängen hin verschoben werden. Allerdings nimmt die Empfindlichkeit von konventionellen Silizium-Detektoren für Wellenlängen oberhalb von 850 nm ab, so dass die Detektion von Strahlung oberhalb dieser Wellenlänge erschwert ist.
  • Eine Aufgabe ist es, ein Halbleiterbauelement anzugeben, dessen emittierte Strahlung einfach detektierbar und zugleich vom menschlichen Auge nicht wahrnehmbar ist.
  • Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Halbleiterbauelement gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich, insbesondere zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich. Unter dem nahen infraroten Spektralbereich wird im Zweifel ein Bereich mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 0,78 µm und einschließlich 1,5 µm verstanden. Vorzugsweise liegt die Peak-Wellenlänge zwischen einschließlich 830 nm und einschließlich 920 nm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 830 nm und einschließlich 860 nm.
  • In einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers verlaufenden vertikalen Richtung erstreckt sich der Halbleiterkörper beispielsweise zwischen einer Strahlungsaustrittsfläche und einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Rückseite. Beispielsweise weist das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen Träger auf, auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist.
  • Beispielsweise weist der Halbleiterkörper einen ersten Halbleiterbereich auf, der sich zwischen der Strahlungsaustrittsfläche und dem aktiven Bereich erstreckt. Weiterhin weist der Halbleiterkörper beispielsweise einen zweiten Halbleiterbereich auf, der sich zwischen dem aktiven Bereich und der Rückseite erstreckt. Der erste Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich sind zweckmäßigerweise zumindest in dem an den aktiven Bereich angrenzenden Bereich bezüglich des Leitungstyps voneinander verschieden, sodass sich der aktive Bereich in einem pn-Übergang befindet.
  • Beispielsweise ist der erste Halbleiterbereich zumindest bereichsweise n-leitend und der zweite Halbleiterbereich zumindest bereichsweise p-leitend oder umgekehrt. Der erste Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich sind insbesondere frei von einem aktiven Bereich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist der Halbleiterkörper einen Absorptionsbereich auf. Der Absorptionsbereich ist also Teil des Halbleiterkörpers. Insbesondere befindet sich zwischen dem Absorptionsbereich und dem aktiven Bereich ausschließlich Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers. Der Absorptionsbereich ist insbesondere dafür vorgesehen, einen kurzwelligen Strahlungsanteil mit einer Grenzwellenlänge, die kleiner ist als die Peak-Wellenlänge der vom aktiven Bereich emittierten Strahlung, zumindest teilweise zu absorbieren.
  • Strahlung mit einer Wellenlänge, die kleiner oder gleich der Grenzwellenlänge ist, wird also zumindest teilweise absorbiert. Der Absorptionsbereich ist zweckmäßigerweise derart ausgebildet, dass der Absorptionskoeffizient für Strahlung mit der Peak-Wellenlänge höchstens 50 %, bevorzugt höchstens 20 %, am meisten bevorzugt 10 %, des Absorptionskoeffizienten für Strahlung mit der Grenzwellenlänge beträgt.
  • Ein Abstand zwischen der Grenzwellenlänge und der Peak-Wellenlänge beträgt beispielsweise mindestens 20 nm und höchstens 100 nm.
  • In mindestens einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge auf, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich vorgesehenen aktiven Bereich und einen Absorptionsbereich aufweist, wobei der Absorptionsbereich einen kurzwelligen Strahlungsanteil mit einer Grenzwellenlänge, die kleiner ist als die Peak-Wellenlänge, zumindest teilweise absorbiert.
  • Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement weist also einen in den Halbleiterkörper integrierten Absorptionsbereich auf, der einen kurzwelligen, insbesondere für das menschliche Auge sichtbaren Strahlungsanteil zumindest teilweise absorbiert. Ein unerwünschter Strahlungsanteil im sichtbaren Spektralbereich wird also mittels des Absorptionsbereichs zumindest so weit unterdrückt, dass dieser vom menschlichen Auge nicht mehr wahrnehmbar ist. Mittels eines derartigen Absorptionsbereichs kann auch bei einer Peak-Wellenlänge, die vergleichsweise nahe an der Wahrnehmungsgrenze des menschlichen Auges liegt, beispielsweise eine Peak-Wellenlänge von 850 nm, vermieden werden, dass das menschliche Auge kurzwellige Strahlungsanteile wahrnehmen kann. Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement kann also vergleichsweise einfach detektierbare Strahlung, beispielsweise mittels eines konventionellen Silizium-Detektors detektierbare Strahlung zur Verfügung stellen, ohne dass störende Strahlungsanteile im sichtbaren Spektralbereich auftreten. Auf außerhalb des Halbleiterkörpers aufgebrachte Filterelemente oder Filterschichten zur Unterdrückung solcher sichtbarer Spektralanteile kann verzichtet werden. Insbesondere kann der Absorptionsbereich bereits bei der beispielsweise epitaktischen Abscheidung der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers ausgebildet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements weist der Absorptionsbereich für Strahlung mit der Grenzwellenlänge einen Absorptionskoeffizienten von mindestens 5.000/cm auf, bevorzugt von mindestens 10.000/cm. Bei einem Absorptionskoeffizienten von 10.000/cm bewirkt beispielsweise eine Schicht mit einer Dicke von 100 nm bei einer einfachen senkrechten Durchquerung eine Auslöschung von 10 % der auftreffenden Strahlung. Aufgrund des vergleichsweise hohen Brechungsindizes von Halbleitermaterial durchläuft die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung typischerweise mehrfach den Halbleiterkörper und damit auch den Absorptionsbereich, bevor die Strahlung aus dem Halbleiterkörper austritt. Durch einen in den Halbleiterkörper integrierten Absorptionsbereich kann also bereits bei einer sehr geringen Dicke von beispielsweise 100 nm eine effiziente Absorption des unerwünschten Strahlungsanteils im sichtbaren Spektralbereich erfolgen, ohne dass hierbei die Strahlung mit der Peak-Wellenlänge signifikant beeinträchtigt wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements ist die Grenzwellenlänge kleiner oder gleich 820 nm. Je größer die Grenzwellenlänge ist, desto geringer ist die Gefahr, dass das menschliche Auge kurzwellige Strahlungsanteile der vom aktiven Bereich emittierten Strahlung wahrnehmen kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist der Absorptionsbereich zumindest eine Schicht auf, deren Dotierkonzentration höchstens halb so hoch ist wie eine Dotierkonzentration eines zwischen dem Absorptionsbereich und dem aktiven Bereich angeordneten Halbleitermaterials. Je niedriger die Dotierkonzentration, desto steiler kann die Absorptionskante, also der Übergang zwischen dem Wellenlängenbereich, in dem Strahlung absorbiert wird, und dem Wellenlängenbereich, in dem Strahlung transmittiert wird, sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der Absorptionsbereich nominell undotiert. Ein derartiger Absorptionsbereich kann sich durch eine besonders steile Absorptionskante auszeichnen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen ersten Kontakt und einen zweiten Kontakt zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements auf. Beispielsweise ist der erste Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs und der zweite Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs vorgesehen, sodass Ladungsträger durch den ersten Halbleiterbereich beziehungsweise den zweiten Halbleiterbereich von unterschiedlichen Seiten in den aktiven Bereich injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements ist der Absorptionsbereich außerhalb eines durch den aktiven Bereich verlaufenden Strompfads zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet. Mit anderen Worten erfolgt die Ladungsträgerinjektion unter Umgehung des Absorptionsbereichs. Der Absorptionsbereich selbst kann deshalb auch eine vergleichsweise geringe elektrische Leitfähigkeit aufweisen und beispielsweise nominell undotiert sein.
  • Beispielsweise weist der Absorptionsbereich zumindest eine Aussparung auf, in der eine zwischen dem Absorptionsbereich und dem aktiven Bereich angeordnete Halbleiterschicht an den ersten Kontakt oder den zweiten Kontakt angrenzt. Der Absorptionsbereich bedeckt also die zwischen dem aktiven Bereich und dem Absorptionsbereich angeordnete Halbleiterschicht nur bereichsweise. Beispielsweise kann die Aussparung den Absorptionsbereich rahmenartig umlaufen. Alternativ oder ergänzend kann der Absorptionsbereich eine Aussparung aufweisen, die in lateraler Richtung entlang des gesamten Umfangs der Aussparung vom Material des Absorptionsbereichs umgeben ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der Absorptionsbereich in einem durch den aktiven Bereich verlaufenden Strompfad zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet. Zumindest ein Ladungsträgertyp wird also im Betrieb durch den Absorptionsbereich hindurch in den aktiven Bereich injiziert. In diesem Fall ist der Absorptionsbereich zweckmäßigerweise elektrisch leitfähig ausgebildet. Insbesondere weist der Absorptionsbereich denselben Leitungstyp auf wie das an den Absorptionsbereich angrenzende Halbleitermaterial.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements basiert der Halbleiterkörper, insbesondere der aktive Bereich, auf einem arsenidischen Verbindungs-Halbleitermaterial.
  • „Auf arsenidischem Verbindungs-Halbleitern basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive Epitaxie-Schichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein Arsen-III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIn1-n-mAs umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIn1-n-mAs-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, As), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
  • Mit diesem Materialsystem kann Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich auf einfache und zuverlässige Weise mit einer hohen Quanteneffizienz erzeugt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements basiert der Absorptionsbereich auf arsenidischem Verbindungs-Halbleitermaterial. Beispielsweise enthält der Absorptionsbereich AlxGa1-xAs mit 0,01 ≤ x ≤ 0,1. Je größer der Aluminium-Gehalt, desto größer ist die Bandlücke und desto kleiner ist folglich die der Bandlücke entsprechende Grenzwellenlänge der absorbierten Strahlung.
  • Insbesondere enthält der Absorptionsbereich einen Al-Gehalt zwischen einschließlich 0,03 und einschließlich 0,07. Bei einem Aluminium-Gehalt von 0,07 beträgt die Bandlücke etwa 1,51 eV, was einer Grenzwellenlänge von 820 nm entspricht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist der Absorptionsbereich eine Quantenstruktur mit zumindest einer Quantenschicht auf.
  • Die Bezeichnung Quantenstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ("confinement") eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantenstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentöpfe, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
  • Im Absorptionsbereich durch Strahlungsabsorption generierte Ladungsträgerpaare können von der Quantenstruktur eingefangen werden und in der Quantenschicht Strahlung emittieren, deren Peak-Wellenlänge kleiner ist als die Wellenlänge der absorbierten Strahlung. Dadurch wird die Gefahr vermindert, dass eine Rekombination von im aktiven Bereich durch Strahlungsabsorption erzeugten Elektron-Lochpaaren eine Emission von Strahlung im sichtbaren Spektralbereich bewirkt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der Absorptionsbereich zwischen dem aktiven Bereich und der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers angeordnet. Im aktiven Bereich erzeugte Strahlung muss also zumindest einmal den Absorptionsbereich durchqueren, bevor sie auf Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers auftreffen kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist das Halbleiterbauelement als ein Dünnfilm-Halbleiterchip ausgebildet, bei dem der Halbleiterkörper mittels einer stoffschlüssigen Verbindung an einem Träger befestigt ist und ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers entfernt ist. Beispielsweise ist zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper eine insbesondere metallische Spiegelschicht angeordnet. Die Spiegelschicht weist zweckmäßigerweise für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung eine hohe Reflektivität, beispielsweise eine Reflektivität von mindestens 60 % für die Strahlung mit der Peak-Wellenlänge auf. Beispielsweise zeichnet sich Gold durch eine hohe Reflektivität im infraroten Spektralbereich aus. Bei einem Dünnfilm-Halbleiterchip ist insbesondere der seitlich austretende Strahlungsanteil zugunsten eines erhöhten durch die Strahlungsaustrittsfläche verlaufenden Strahlungsanteils verringert.
  • Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in den Figuren.
  • Es zeigen:
  • die 1 bis 3 jeweils ein Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement in schematischer Schnittansicht.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • In 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gezeigt. Das Halbleiterbauelement 1 umfasst einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge 2. Der Halbleiterkörper 2 erstreckt sich in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers verlaufenden vertikalen Richtung zwischen einer Strahlungsaustrittsfläche 201 und einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Rückseite 202. Zwischen der Strahlungsaustrittsfläche und der Rückseite weist der Halbleiterkörper ausschließlich Halbleitermaterial, insbesondere epitaktisch abgeschiedenes Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge auf.
  • Der Halbleiterkörper 2 umfasst weiterhin einen zur Erzeugung von Strahlung im nahen Infrarot vorgesehenen aktiven Bereich 20. Der aktive Bereich 20 ist vorzugsweise zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge zwischen einschließlich 830 nm und 920 nm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 830 nm und 870 nm, beispielsweise 850 nm, vorgesehen. Beispielsweise enthält der aktive Bereich 20 eine Mehrfachquantentopfstruktur (multi quantum well, MQW), die auf arsenidischem Verbindungs-Halbleitermaterial basiert.
  • Zwischen dem aktiven Bereich 20 und der Strahlungsaustrittsfläche 201 erstreckt sich ein erster Halbleiterbereich 21. Zwischen dem aktiven Bereich 20 und der Rückseite 202 erstreckt sich ein zweiter Halbleiterbereich 22. Der erste Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich sind bezüglich des Leitungstyps zumindest auf der an den aktiven Bereich 20 angrenzenden Seite voneinander verschieden, sodass sich der aktive Bereich 20 in einem pn-Übergang befindet. Der Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst weiterhin einen Absorptionsbereich 3. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Absorptionsbereich 3 im ersten Halbleiterbereich 21 ausgebildet. Der Absorptionsbereich ist also zwischen der Vorderseite und dem aktiven Bereich 20 angeordnet.
  • Der Absorptionsbereich 3 ist dafür vorgesehen, einen kurzwelligen Strahlungsanteil der vom aktiven Bereich erzeugten Strahlung, also Strahlung, die eine kleinere Wellenlänge aufweist als eine Grenzwellenlänge, zumindest teilweise zu absorbieren. Der Absorptionsbereich 3 bestimmt also die kurzwellige Flanke des Emissionsspektrums des Halbleiterbauelements 1.
  • Die Grenzwellenlänge liegt vorzugsweise zwischen einschließlich 800 nm und einschließlich 820 nm. Vorzugsweise ist die Grenzwellenlänge um mindestens 20 nm, besonders bevorzugt um mindestens 30 nm kleiner als die Peak-Wellenlänge der im aktiven Bereich 20 erzeugten Strahlung. Je größer der Unterschied zwischen der Grenzwellenlänge und der Peak-Wellenlänge ist, desto geringer ist die Gefahr, dass von dem Absorptionsbereich 3 auch ein an sich gewünschter Strahlungsanteil absorbiert wird.
  • Das Halbleiterbauelement umfasst weiterhin einen ersten Kontakt 51 zur externen elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs 21 und einen zweiten Kontakt zur externen elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs 22.
  • Der Absorptionsbereich 3 ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel zwischen einer Anschlussschicht 210 des ersten Halbleiterbereichs 21 und einer Halbleiterschicht 211 des ersten Halbleiterbereichs angeordnet.
  • Die Anschlussschicht 210 ist stark dotiert, beispielsweise mit einer Dotierkonzentration von mindestens 1 × 1018 cm–3. Die Herstellung eines ohmschen Kontakts zum ersten Kontakt 51 ist dadurch vereinfacht.
  • Der Absorptionsbereich 3 weist vorzugsweise eine geringere Dotierkonzentration auf als die Anschlussschicht 210 und als die Halbleiterschicht 211. Vorzugsweise ist die Dotierkonzentration des Absorptionsbereichs höchstens halb so hoch wie die Dotierkonzentration der Anschlussschicht. Besonders bevorzugt beträgt die Dotierkonzentration des Absorptionsbereichs höchstens 20 %, am meisten bevorzugt höchstens 10 % der Dotierkonzentration der Anschlussschicht. Je geringer die Dotierkonzentration ist, desto steiler kann die Absorptionskante im Bereich der Grenzwellenlänge sein.
  • In dem gezeigten Ausführungsbeispiel befindet sich der Absorptionsbereich 3 in einem elektrischen Strompfad zwischen dem ersten Kontakt 51 und dem zweiten Kontakt 52, die jeweils zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements 1 vorgesehen sind. Ein sich im Strompfad befindlicher Absorptionsbereich ist zweckmäßigerweise mit demselben Ladungstyp dotiert wie das angrenzende Halbleitermaterial, beispielsweise das Halbleitermaterial des ersten Halbleiterbereichs 21. Die Dotierkonzentration des Absorptionsbereichs 3 ist deshalb insbesondere so hoch, dass der elektrische Widerstand des Absorptionsbereichs die Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich 20 nicht behindert.
  • Das Halbleiterbauelement 1 ist als ein Halbleiterchip ausgebildet, insbesondere als ein Dünnfilm-Halbleiterchip. Der Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge 2 ist auf einem von einem Aufwachssubstrat verschiedenen Träger 4 angeordnet und mittels einer Verbindungsschicht 42 mechanisch und insbesondere auch elektrisch leitend verbunden.
  • Zwischen dem Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge 2 und dem Träger 4 ist eine Spiegelschicht 41 angeordnet, die dafür vorgesehen ist, vom aktiven Bereich in Richtung des Träger 4 abgestrahlte Strahlung in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche 201 umzulenken. Bei einem Dünnfilm-Halbleiterchip bildet die dem Träger abgewandte Strahlungsaustrittsfläche eine Haupt-Strahlungsaustrittsfläche, durch die mindestens 50 % der im Betrieb erzeugten Strahlung austritt. Der Absorptionsbereich 3 befindet sich zwischen der Strahlungsaustrittsfläche 201 und dem aktiven Bereich 20, sodass die Strahlung mindestens einmal durch den Absorptionsbereich 3 hindurchtreten muss, bevor diese aus der Strahlungsaustrittsfläche 201 austreten kann.
  • Aufgrund des vergleichsweise großen Brechungsindizes von arsenidischem Verbindungs-Halbleitermaterial ist der Brechungsindexsprung an der Strahlungsaustrittsfläche 201 zur Umgebung, beispielsweise Luft oder ein angrenzendes Verkapselungsmaterial, so groß, dass ein erheblicher Strahlungsanteil an der Strahlungsaustrittsfläche 201 totalreflektiert wird und folglich mehrfach den Absorptionsbereich 3 durchquert, bevor die Strahlung aus dem Halbleiterbauelement 1 austritt. Dadurch wird bereits bei einem vergleichsweise dünnen Absorptionsbereich 3 insgesamt eine starke Schwächung des kurzwelligen Strahlungsanteils erzielt. Beispielsweise weist AlGaAs für Strahlung, deren Wellenlänge der Bandlücke entspricht, einen Absorptionskoeffizienten von etwa 10.000/cm auf. Folglich wird bereits bei einer Dicke von 100 nm des Absorptionsbereichs bei senkrechtem Strahlungsdurchtritt mindestens 10 % der auf den Absorptionsbereich auftreffenden Strahlung absorbiert. Selbstverständlich kann die Dicke des Absorptionsbereichs auch von 100 nm abweichen. Beispielsweise beträgt die Dicke des Absorptionsbereichs zwischen einschließlich 50 nm und einschließlich 500 nm.
  • Der Absorptionsbereich 3 enthält ein III-Verbindungs-Halbleitermaterial, insbesondere arsenidisches Verbindungs-Halbleitermaterial, das bezüglich der Bandlücke so ausgebildet ist, dass die Grenzwellenlänge der Bandlücke entspricht. Beispielsweise weist Al0,07Ga0,93As eine Bandlücke auf, die einer Wellenlänge von 820 nm entspricht. Strahlung mit einer Wellenlänge von kleiner als 820 nm wird also effizient absorbiert, während Strahlung mit einer größeren Wellenlänge transmittiert wird.
  • Vorzugsweise beträgt der Aluminium-Gehalt zumindest in einer Schicht des Absorptionsbereichs zwischen einschließlich 0,03 und einschließlich 0,07.
  • Mit dem in den Halbleiterkörper integrierten Absorptionsbereich kann also bereits bei der epitaktischen Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge für den Halbleiterkörper erzielt werden, dass auch ein Halbleiterbauelement mit einer vergleichsweise kurzen Wellenlänge im nahen Infrarot, beispielsweise mit einer Wellenlänge von 850 nm, keine Strahlung oder zumindest nur einen erheblich reduzierten Strahlungsanteil im sichtbaren Spektralbereich emittiert.
  • Auf zusätzliche, dem Halbleiterbauelement nachgeordnete Filterelemente zur Unterdrückung dieses kurzwelligen Strahlungsanteils kann verzichtet werden. Weiterhin muss die Peak-Wellenlänge nicht zu größeren Wellenlängen, beispielsweise Wellenlängen über 900 nm, hin verschoben werden, sodass die Strahlung mit der Peak-Wellenlänge effizient mit konventionellen Silizium-Detektoren empfangen werden kann.
  • Selbstverständlich eignet sich ein in den Halbleiterchip, insbesondere in den Halbleiterkörper, integrierter Absorptionsbereich 3 auch für Halbleiterchips, die nicht als Dünnfilm-Halbleiterchips ausgebildet sind. In diesem Fall kann der Träger 4 das Aufwachssubstrat sein. Eine Verbindungsschicht zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge 2 ist in diesem Fall nicht erforderlich. Die Spiegelschicht 41 kann weggelassen werden oder mittels eines in den Halbleiterkörper 2 integrierten Bragg-Spiegels gebildet sein.
  • Auch die Anordnung des ersten Kontakts 51 und des zweiten Kontakts 52 ist in weiten Grenzen wählbar, solange durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen diesen Kontakten Ladungsträger von unterschiedlichen Seiten in den aktiven Bereich 20 injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren können.
  • Das in 2 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit 1 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist der Absorptionsbereich 3 außerhalb eines Strompfads angeordnet, der zwischen dem ersten Kontakt 51 und dem zweiten Kontakt 52 durch den aktiven Bereich 20 verläuft. In diesem Fall kann der Absorptionsbereich 3 also unabhängig von seinen elektrischen Eigenschaften ausgebildet werden und insbesondere auch nominell undotiert oder zumindest nur schwach dotiert, beispielsweise mit einer Dotierkonzentration von höchstens 1 × 1016 cm–3, ausgebildet sein. Eine besonders steile Absorptionskante im Bereich der Grenzwellenlänge kann so vereinfacht erzielt werden.
  • In dem gezeigten Ausführungsbeispiel bildet der Absorptionsbereich 3 die Strahlungsaustrittsfläche 201. Zwischen dem Absorptionsbereich 3 und dem aktiven Bereich 20 ist der erste Halbleiterbereich 21 angeordnet. Der erste Halbleiterbereich 21 ist mittels einer Aussparung 35 im Absorptionsbereich 3 für den ersten Kontakt 51 zugänglich. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Aussparung eine rahmenförmig oder ringförmig um den Absorptionsbereich 3 verlaufende Aussparung. Davon abweichend kann die Aussparung aber auch in lateraler Richtung entlang des gesamten Umfangs von Material des Absorptionsbereichs 3 umgeben und beispielsweise in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement 1 mittig angeordnet sein.
  • Die Ausgestaltung gemäß diesem zweiten Ausführungsbeispiel erfordert gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel zwar einen zusätzlichen Herstellungsschritt, um den ersten Halbleiterbereich 21 bereichsweise freizulegen, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens. Da der Absorptionsbereich 3 jedoch außerhalb des Strompfads liegt, kann dieser auch mit undotiertem oder zumindest nur niedrig dotiertem Halbleitermaterial und/mit einer vergleichsweise großen Dicke ausgebildet sein, ohne die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelements zu beeinträchtigen. Durch einen solchen schwach dotierten Absorptionsbereich 3 kann eine besonders steile Absorptionskante ausgebildet werden, sodass einerseits Strahlung mit der Peak-Wellenlänge nicht absorbiert und Strahlung, die vom menschlichen Auge wahrgenommen werden könnte, mit einer hohen Effizienz absorbiert wird.
  • Das in 3 dargestellte dritte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit 2 beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Absorptionsbereich 3 eine Quantenstruktur 30 auf. Die Quantenstruktur weist exemplarisch zwei Quantenschichten 31 auf, die zwischen Barriereschichten 32 angeordnet sind. Die Anzahl der Quantenschichten ist jedoch in weiten Grenzen variierbar und kann beispielsweise zwischen einschließlich 1 und einschließlich 30 betragen. Durch Absorption der vom aktiven Bereich 20 im Betrieb erzeugten Strahlung im Absorptionsbereich 3 generierte Elektron-Loch-Paare können in den Quantenschichten 31 eingefangen werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. Die so re-emittierte Strahlung weist eine größere Wellenlänge auf als die im Absorptionsbereich 3, insbesondere in den Barriereschichten 32 des Absorptionsbereichs 3, absorbierte Strahlung, sodass dieser Strahlungsanteil für das menschliche Auge nicht wahrnehmbar ist und folglich nicht störend wirkt, selbst wenn er aus dem Halbleiterbauelement 1 austritt.
  • Eine solche Quantenstruktur 30 kann selbstverständlich auch in dem im Zusammenhang mit 1 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel im Absorptionsbereich 3 Anwendung finden.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (14)

  1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1), das einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen Absorptionsbereich (3) aufweist, wobei der Absorptionsbereich einen kurzwelligen Strahlungsanteil mit einer Grenzwellenlänge, die kleiner ist als die Peak-Wellenlänge, zumindest teilweise absorbiert.
  2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei der Absorptionsbereich für Strahlung mit der Grenzwellenlänge einen Absorptionskoeffizienten von mindestens 5000/cm aufweist.
  3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Grenzwellenlänge kleiner oder gleich 820 nm ist.
  4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich zumindest eine Schicht aufweist, deren Dotierkonzentration höchstens halb so hoch ist wie eine Dotierkonzentration eines zwischen dem Absorptionsbereich und dem aktiven Bereich angeordneten Halbleitermaterials.
  5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich nominell undotiert ist.
  6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleiterbauelement einen ersten Kontakt (51) und einen zweiten Kontakt (52) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements aufweist und der Absorptionsbereich außerhalb eines durch den aktiven Bereich verlaufenden Strompfads zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist.
  7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei der Absorptionsbereich zumindest eine Aussparung (35) aufweist, in der eine zwischen dem Absorptionsbereich und dem aktiven Bereich angeordnete Halbleiterschicht an den ersten Kontakt oder an den zweiten Kontakt angrenzt.
  8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Halbleiterbauelement einen ersten Kontakt (51) und einen zweiten Kontakt (52) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements aufweist und der Absorptionsbereich in einem durch den aktiven Bereich verlaufenden Strompfad zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist.
  9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der aktive Bereich AlxInyGa1-x-yAs mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 enthält.
  10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich AlxGa1-xAs mit 0,01 ≤ x ≤ 0,1 enthält.
  11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich AlxGa1-xAs mit 0,03 ≤ x ≤ 0,07 enthält.
  12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich eine Quantenstruktur (30) mit zumindest einer Quantenschicht (31) aufweist.
  13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Absorptionsbereich zwischen dem aktiven Bereich und einer Strahlungsaustrittsfläche (201) des Halbleiterkörpers angeordnet ist.
  14. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleiterbauelement ein Dünnfilm-Halbleiterchip ist, bei dem der Halbleiterkörper mittels einer stoffschlüssigen Verbindung an einem Träger befestigt ist und ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers entfernt ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017085207A1 (de) * 2015-11-17 2017-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement
WO2020244949A1 (de) * 2019-06-06 2020-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit strahlungskonversionselement und verfahren zum herstellen von strahlungskonversionselementen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411590B (zh) * 2017-08-17 2020-01-07 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构及发光单元
DE102017128881A1 (de) * 2017-12-05 2019-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102021123702A1 (de) * 2021-09-14 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches halbleiterbauelement

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5640287A (en) * 1979-09-11 1981-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device
US5974069A (en) * 1994-09-16 1999-10-26 Rohm Co., Ltd Semiconductor laser and manufacturing method thereof
JP2890392B2 (ja) * 1994-11-02 1999-05-10 日亜化学工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US8829546B2 (en) 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
DE10056476B4 (de) 2000-11-15 2012-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10319008A1 (de) * 2003-04-25 2004-11-11 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Infrarotstrahler und Bestrahlungsvorrichtung
JP2005317823A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Nitride Semiconductor Co Ltd 窒化ガリウム系発光装置
JP2006108350A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP4699764B2 (ja) * 2005-01-05 2011-06-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
DE102006046199A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4983346B2 (ja) * 2007-04-02 2012-07-25 ソニー株式会社 半導体発光装置
US20100314639A1 (en) * 2008-02-21 2010-12-16 Panasonic Corporation Light emitting device and display device using the same
KR101894025B1 (ko) * 2011-12-16 2018-09-03 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017085207A1 (de) * 2015-11-17 2017-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement
US10243115B2 (en) 2015-11-17 2019-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor component
WO2020244949A1 (de) * 2019-06-06 2020-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit strahlungskonversionselement und verfahren zum herstellen von strahlungskonversionselementen

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