DE102012218304A1 - Power semiconductor device module - Google Patents

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Masuo Koga
Yukimasa Hayashida
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Abstract

Ein Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls beinhaltet: eine Grundplatte (1), ein isolierendes Substrat (2), das auf die Grundplatte montiert ist, und einen Diodenchip (4), der auf das isolierende Substrat montiert ist, wobei das isolierende Substrat eine Deckflächenelektrodenschicht (11) aufweist, die auf einer oberen Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine Bodenflächenelektrodenschicht (12), die auf einer unteren Hauptoberfläche angeordnet ist, der Diodenchip auf die Deckflächenelektrodenschicht gefügt ist, die Bodenflächenelektrodenschicht (12) auf die obere Hauptoberfläche der Grundplatte (1) gefügt ist und ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt, der den thermischen Widerstand reduziert, in der Bodenflächenelektrodenschicht (12) oder der Grundplatte (1) eines Abschnitts entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips (4) vorhanden ist.A power semiconductor device module includes: a base plate (1), an insulating substrate (2) mounted on the base plate, and a diode chip (4) mounted on the insulating substrate, the insulating substrate having a top surface electrode layer (11); which is disposed on an upper major surface, and a bottom surface electrode layer (12) disposed on a lower major surface, the diode chip is joined to the top surface electrode layer, the bottom surface electrode layer (12) is joined to the upper major surface of the base plate (1), and a thermal resistance reducing section which reduces the thermal resistance, is present in the bottom surface electrode layer (12) or the base plate (1) of a portion corresponding to a position immediately below the diode chip (4).

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitervorrichtungsmodul und insbesondere auf ein Leistungshalbleitervorrichtungsmodul für die Verwendung in einem Leistungswandler, der elektrische Geräte, wie z. B. einen Motor, steuert.The present invention relates to a power semiconductor device module and, more particularly, to a power semiconductor device module for use in a power converter that includes electrical devices such as power devices. As a motor controls.

Bei einem bekannten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul, speziell bei einem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul für die Verwendung in Anwendungen, bei denen eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich ist, wie beispielsweise einem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul für die Verwendung bei Eisenbahnen, z. B. wie es in der japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2006-344841 A offenbart ist, wurde ein Aufbau verwendet, bei dem ein Isolationssubstrat mit einer Elektrodenschicht, die auf jeder Oberfläche desselben vorhanden ist, mittels Lötens auf einer Grundplatte aus Kupfer oder dergleichen befestigt ist, und ein Halbleiterchip, wie z. B. ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) oder eine Freilaufdiode, mittels Lötens auf das Isolationssubstrat gefügt wurde.In a known power semiconductor device module, especially in a power semiconductor device module for use in applications where high reliability is required, such as a power semiconductor device module for railway use, e.g. As disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication JP 2006-344841 A has been disclosed, a structure has been used in which an insulating substrate having an electrode layer provided on each surface thereof is fixed by soldering on a base plate made of copper or the like, and a semiconductor chip such as a semiconductor chip. As an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a freewheeling diode has been added to the insulating substrate by means of soldering.

In dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul mit solch einem Aufbau sind sowohl die Grundplatte, als auch das isolierende Substrat, die Elektrodenschicht auf dem isolierenden Substrat und eine Lotdicke auf eine einheitliche Dicke festgelegt und das Modul ist so ausgelegt, dass der thermische Widerstand gleich gemacht wird.In the power semiconductor device module having such a structure, both the base plate and the insulating substrate, the electrode layer on the insulating substrate and a solder thickness are set to a uniform thickness, and the module is designed to make the thermal resistance equal.

In der letzten Zeit wurde eine Halbleitervorrichtung mittels eines Halbleitersubstrats mit einer großen Bandlücke, wie beispielsweise ein Halbleitersubstrat, das aus einem Siliziumcarbid(SiC)-basierenden Material, einem Galliumnitrid-basierenden Material oder Diamant ausgebildet ist, entwickelt als ein Halbleitersubstrat anstelle eines Siliziumsubstrats.Recently, a semiconductor device has been developed by a wide bandgap semiconductor substrate such as a semiconductor substrate formed of a silicon carbide (SiC) based material, a gallium nitride based material, or diamond as a semiconductor substrate instead of a silicon substrate.

Beispielsweise kann eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit einer Stromdichte betrieben werden, die gegenüber jener der bekannten Silizium-Halbleitervorrichtung erhöht ist. Es gibt jedoch das Problem, dass, wenn ein Halbleiterchip (SiC-Halbleiterchip) aus der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung in ein Gehäuse mit einem bekannten Aufbau montiert wird, ein Temperaturanstieg aufgrund der Wärmeerzeugung des Halbleiterchips nicht herabgedrückt werden kann, falls nicht ein Aufbau verwendet wird, bei dem der thermische Widerstand entsprechend einem Anstieg der Stromdichte verringert ist, so dass eine Produktlebensdauer verkürzt ist.For example, a silicon carbide semiconductor device may be operated at a current density higher than that of the conventional silicon semiconductor device. However, there is the problem that when a semiconductor chip (SiC semiconductor chip) of the silicon carbide semiconductor device is mounted in a case of a known structure, a temperature rise due to the heat generation of the semiconductor chip can not be suppressed unless a constitution is used, wherein the thermal resistance is reduced in accordance with an increase in the current density, so that a product life is shortened.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Leistungshalbleitervorrichtungsmodul bereitzustellen, das in der Lage ist, einen Temperaturanstieg aufgrund der Wärmeentwicklung eines Halbleiterchips sogar in dem Fall der Montage eines Halbleiterchips, der eine Halbleitervorrichtung mit einer großen Bandlücke aufweist, wie z. B. eines SiC-Halbleiterchips, zu verhindern.An object of the invention is to provide a power semiconductor device module capable of exhibiting a temperature rise due to heat generation of a semiconductor chip even in the case of mounting a semiconductor chip having a wide-bandgap semiconductor device, such as a semiconductor device. B. a SiC semiconductor chip to prevent.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1 und nach Anspruch 13. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.The object is achieved by a power semiconductor device module according to claim 1 and claim 13. Further developments of the invention are described in the subclaims.

Ein Aspekt eines Leistungshalbleitervorrichtungsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Leistungshalbleitervorrichtungsmodul, welches eine Grundplatte, ein isolierendes Substrat, das auf die Grundplatte montiert ist, und eine Leistungshalbleitervorrichtung, die auf das isolierende Substrat montiert ist, enthält. Das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul wird erhalten durch Modularisieren der Grundplatte, des isolierenden Substrats und der Leistungshalbleitervorrichtung, wobei das isolierende Substrat eine erste Elektrodenschicht aufweist, die auf einer ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elektrodenschicht, die auf einer zweiten Hauptoberfläche angeordnet ist, die Leistungshalbleitervorrichtung auf der ersten Elektrodenschicht befestigt ist, die zweite Elektrodenschicht auf einer ersten Hauptoberfläche der Grundplatte befestigt ist und ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt, der den Wärmewiderstand reduziert, in der zweiten Elektrodenschicht oder der Grundplatte in dem Abschnitt unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung vorhanden ist.One aspect of a power semiconductor device module according to the present invention is a power semiconductor device module including a base plate, an insulating substrate mounted on the base plate, and a power semiconductor device mounted on the insulating substrate. The power semiconductor device module is obtained by modularizing the base plate, the insulating substrate, and the power semiconductor device, wherein the insulating substrate has a first electrode layer disposed on a first main surface and a second electrode layer disposed on a second main surface, the power semiconductor device first electrode layer is fixed, the second electrode layer is fixed on a first main surface of the base plate, and a heat resistance reducing portion that reduces the thermal resistance is provided in the second electrode layer or the base plate in the portion immediately below the power semiconductor device.

Da gemäß dem obigen Leistungshalbleitervorrichtungsmodul der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt, der den Wärmewiderstand reduziert, in der zweiten Elektrodenschicht oder der Grundplatte jenes Abschnitts vorgesehen ist, der der Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung entspricht, ist eine Wärmeabführungswirkung verstärkt, wodurch ein Herabdrücken eines Temperaturanstiegs aufgrund der Wärmeerzeugung zur Zeit des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung möglich ist.According to the above power semiconductor device module, since the thermal resistance reducing portion reducing the thermal resistance is provided in the second electrode layer or the base plate of the portion immediately below the power semiconductor device, a heat dissipation effect is enhanced, thereby suppressing a temperature rise due to the heat generation at the time of the heat generation Operation of the power semiconductor device is possible.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.Further features and advantages of the present invention will become apparent from the description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

1 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer ersten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 1 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a first embodiment according to the present invention. FIG.

2 und 3 sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren für eine Grundplatte des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls der ersten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung beschreiben. 2 and 3 FIG. 11 is views describing a manufacturing method of a base plate of the power semiconductor device module of the first embodiment according to the present invention. FIG.

4 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 4 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a second embodiment of the present invention. FIG.

5 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer dritten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 5 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a third embodiment according to the present invention. FIG.

6 ist eine Ansicht, die ein Herstellungsverfahren für das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul der dritten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 6 FIG. 14 is a view showing a manufacturing method of the power semiconductor device module of the third embodiment according to the present invention.

7 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines abgewandelten Beispiels des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls der dritten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 7 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a modified example of the power semiconductor device module of the third embodiment according to the present invention. FIG.

8 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer vierten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 8th FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a fourth embodiment according to the present invention. FIG.

9 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer fünften Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 9 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a fifth embodiment according to the present invention. FIG.

10 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer sechsten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 10 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module of a sixth embodiment according to the present invention. FIG.

11 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines abgewandelten Beispiels des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls der sechsten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 11 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a modified example of the power semiconductor device module of the sixth embodiment according to the present invention. FIG.

12 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls einer siebten Ausführungsform gemäß vorliegenden Erfindung zeigt. 12 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of the power semiconductor device module of a seventh embodiment according to the present invention. FIG.

13 ist eine ebene Ansicht einer Grundplatte des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls der siebten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung. 13 FIG. 12 is a plan view of a base plate of the power semiconductor device module of the seventh embodiment according to the present invention. FIG.

Erste AusführungsformFirst embodiment

Aufbau der VorrichtungConstruction of the device

Eine erste Ausführungsform eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 1 und 2 beschrieben.A first embodiment of a power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 1 and 2 described.

1 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100 der ersten Ausführungsform zeigt. Wie in 1 gezeigt, hat das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100 einen Aufbau, bei dem ein IGBT(Bipolartransistor mit isoliertem Gate)-Chip 3 und ein Diodenchip 4 auf einer Deckflächenelektrodenschicht 11, die auf einer oberen Hauptoberfläche eines isolierenden Substrats 2 vorhanden ist, mittels einer Lotschicht 5 befestigt sind, und das isolierende Substrat 2 hat einen Aufbau, bei dem eine Bodenflächenelektrodenschicht 12, die auf einer unteren Hauptoberfläche des isolierenden Substrats 2 vorgesehen ist, mittels einer Lotschicht 10 auf einer oberen Hauptoberfläche (Deckfläche) einer Grundplatte 1 befestigt ist. Es soll bemerkt werden, dass zumindest der IGBT-Chip 3 und/oder der Diodenchip 4 ein SiC-Halbleiterchip ist und 1 den Fall zeigt, in dem der Diodenchip 4 der SiC-Halbleiterchip ist. 1 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100 of the first embodiment shows. As in 1 shown has the power semiconductor device module 100 a structure in which an IGBT (insulated gate bipolar transistor) chip 3 and a diode chip 4 on a top surface electrode layer 11 placed on an upper major surface of an insulating substrate 2 is present, by means of a solder layer 5 are attached, and the insulating substrate 2 has a structure in which a bottom surface electrode layer 12 placed on a lower major surface of the insulating substrate 2 is provided by means of a solder layer 10 on an upper main surface (top surface) of a base plate 1 is attached. It should be noted that at least the IGBT chip 3 and / or the diode chip 4 a SiC semiconductor chip is and 1 shows the case in which the diode chip 4 is the SiC semiconductor chip.

Das isolierende Substrat 2 ist ein Substrat mit isolierenden Eigenschaften, welches aus AlN (Aluminiumnitrid), Al2O3 (Aluminiumoxid) oder Si2N3 besteht. Die Deckflächenelektrodenschicht 11 auf dem isolierenden Substrat 2 weist ein Muster auf mit einer elektrischen Trennung zwischen einem Bereich, in dem der IGBT-Chip 3, der Diodenchip 4 und die Anschlussplatte 13 montiert sind, und einem Bereich, in dem die Anschlussplatte 14 montiert ist. Die Anschlussplatten 13 und 14 sind mit den voneinander elektrisch getrennten Bereichen der Deckflächenelektrodenschicht 11 verbunden.The insulating substrate 2 is a substrate having insulating properties consisting of AlN (aluminum nitride), Al 2 O 3 (aluminum oxide) or Si 2 N 3 . The top surface electrode layer 11 on the insulating substrate 2 has a pattern with an electrical separation between an area where the IGBT chip 3 , the diode chip 4 and the connection plate 13 are mounted, and an area where the connection plate 14 is mounted. The connection plates 13 and 14 are with the mutually electrically separate areas of the top surface electrode layer 11 connected.

Beispielsweise Aluminiumdrähte WR verbinden eine Deckflächenelektrode des IGBT-Chip 3 und eine Deckflächenelektrode des Diodenchip 4 sowie die Deckflächenelektrode des Diodenchips 4 und die Anschlussplatte 14 elektrisch miteinander. Die Elektrodenschicht 11 verbindet eine Bodenflächenelektrode des IGBT-Chip 3 und eine Bodenflächenelektrode des Diodenchip 4 elektrisch miteinander.For example, aluminum wires WR connect a top surface electrode of the IGBT chip 3 and a top surface electrode of the diode chip 4 and the top surface electrode of the diode chip 4 and the connection plate 14 electrically with each other. The electrode layer 11 connects a bottom surface electrode of the IGBT chip 3 and a bottom surface electrode of the diode chip 4 electrically with each other.

Wenn beispielsweise der IGBT-Chip 3 eine Schaltvorrichtung ist, die einen Umrichter darstellt, dann ist er so ausgebildet, dass der Diodenchip 4 mit dem IGBT-Chip 3 in einer Umlaufrichtung eines Vorwärtsstroms in Reihe geschaltet ist, so dass der Diodenchip 4 als eine Freilaufdiode wirkt. Ein Emitter des IGBT-Chip 3 und eine Anode des Diodenchips 4 sind über den Draht WR elektrisch mit der Anschlussplatte 14 verbunden. Ein Kollektor des IGBT-Chip 3 und eine Kathode des Diodenchips 4 sind über die Deckflächenelektrodenschicht 11 elektrisch mit der Anschlussplatte 13 verbunden. Zusätzlich ist ein Gate des IGBT-Chip 3 über einen Draht mit der Gateanschlussplatte verbunden, eine entsprechende Darstellung ist jedoch weggelassen.If, for example, the IGBT chip 3 is a switching device that represents an inverter, then it is formed so that the diode chip 4 with the IGBT chip 3 is connected in series in a circulation direction of a forward current, so that the diode chip 4 acts as a freewheeling diode. An emitter of the IGBT chip 3 and an anode of the diode chip 4 are electrically connected to the terminal board via the wire WR 14 connected. A collector of the IGBT chip 3 and a cathode of the diode chip 4 are over the top surface electrode layer 11 electrically with the connection plate 13 connected. In addition, there is a gate of the IGBT chip 3 connected via a wire with the gate terminal plate, a corresponding representation is omitted.

Die Deckflächenseite (Seite der oberen Hauptoberfläche) der Grundplatte 1, wo das isolierende Substrat 2 montiert ist, ist durch ein Gehäuse CS umgeben und das Gehäuse CS ist oben mit einem Deckel CV abgedeckt. Ein Silikongel SG ist in einen Bereich eingebracht, der durch die Grundplatte 1, das Gehäuse CS und den Deckel CV begrenzt wird und der IGBT-Chip 3 usw. sind zusammen mit dem isolierenden Substrat 2 dicht umschlossen.The top surface side (upper main surface side) of the base plate 1 where that insulating substrate 2 is mounted, is surrounded by a housing CS and the housing CS is covered at the top with a cover CV. A silicone gel SG is placed in an area passing through the base plate 1 , the housing CS and the lid CV is limited and the IGBT chip 3 etc. are together with the insulating substrate 2 tightly enclosed.

Die Grundplatte 1 ist aus einem Metallmatrix-Komposit aus Aluminium und Keramik, beispielsweise aus Al-SiC (Aluminium-Siliziumcarbid) ausgebildet.The base plate 1 is formed of a metal matrix composite of aluminum and ceramic, for example of Al-SiC (aluminum-silicon carbide).

Al-SiC wird erhalten durch Imprägnieren (bzw. Infiltrieren) eines porösen SiC-Formkörpers (SiC-preform bzw. SiC-Vorkörper) 6 mit Aluminium, wobei der poröse SiC-Formkörper durch Urformen aus SiC-Pulver und einem Bindemittel erhalten wurde. Obwohl in 1 nicht dargestellt ist, dass die Oberfläche der SiC-preform 6 mit Aluminium 8 bedeckt ist, ist sie tatsächlich so ausgebildet, dass die poröse Struktur der SiC-preform 6 mit dem Aluminium imprägniert ist.Al-SiC is obtained by impregnating (or infiltrating) a porous SiC shaped body (SiC preform or SiC preform) 6 with aluminum, wherein the porous SiC shaped body was obtained by primary molding of SiC powder and a binder. Although in 1 not shown is that the surface of SiC preform 6 with aluminum 8th is covered, it is actually designed so that the porous structure of the SiC preform 6 impregnated with the aluminum.

Die in 1 gezeigte Grundplatte 1 weist einen Aufbau auf, bei dem ein thermisch leitender Block 7, der aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium oder Kupfer, ausgebildet ist, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die SiC-preform 6 aufweist, an einer Stelle eingelagert ist, die der Position unmittelbar unterhalb des auf das isolierende Substrat 2 montierten Diodenchips 4 entspricht.In the 1 shown base plate 1 has a structure in which a thermally conductive block 7 formed of a metal material such as aluminum or copper, which has a higher thermal conductivity than the SiC preform 6 has, embedded in a position, the position immediately below the on the insulating substrate 2 mounted diode chips 4 equivalent.

Aus diesem Grund ist der Wärmewiderstand des Abschnitts, der der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 entspricht, verglichen mit einem Aufbau ohne den thermisch leitenden Block 7 verringert. Der thermisch leitende Block 7 mit dieser Funktion wird als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.For this reason, the thermal resistance of the portion that is the location immediately below the diode chip 4 corresponds compared to a structure without the thermally conductive block 7 reduced. The thermally conductive block 7 with this function is referred to as a thermal resistance reducing portion.

In dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11, das isolierende Substrat 2, die Bodenflächenelektrodenschicht 12 und die Lotschicht 10 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu dem thermisch leitenden Block 7 geleitet und über den thermisch leitenden Block 7 mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit nach außen abgegeben.In the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 , the insulating substrate 2 , the bottom surface electrode layer 12 and the solder layer 10 in a vertical direction of the substrate to the thermally conductive block 7 passed and over the thermally conductive block 7 delivered to the outside with a high thermal conductivity.

In dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100 ist die Wärmeableitungswirkung für die zur Zeit des Betriebs des Diodenchips 4 erzeugte Wärme vergrößert, wodurch es möglich ist, thermische Spannungen, die aufgrund des Temperaturwechsels erzeugt werden, für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg verhindert wird, zum Unterdrücken einer Verkürzung der Produktlebensdauer.In the thus constructed power semiconductor device module 100 is the heat dissipation effect for the time of operation of the diode chip 4 generated heat, whereby it is possible to reduce thermal stress generated due to the temperature change, for each component within the module, while a temperature increase is prevented, for suppressing a shortening of the product life.

Herstellungsverfahrenproduction method

Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1 unter Bezugnahme auf 2 und 3 beschrieben. Obwohl die Grundplatte 1 durch Imprägnieren (Infiltrieren) der SiC-preform 6 mit Aluminium erhalten wird, wie oben beschrieben, wird eine diesbezügliche Beschreibung unterlassen, da bekannte Techniken für ein Herstellungsverfahren für die SiC-preform 6 und ein Imprägnationsverfahren mit Aluminium verwendet werden können.Next is a manufacturing process for the base plate 1 with reference to 2 and 3 described. Although the base plate 1 by impregnating (infiltrating) the SiC preform 6 is obtained with aluminum, as described above, a description thereof omitted, since known techniques for a manufacturing process for the SiC preform 6 and an aluminum impregnation process can be used.

2 zeigt in schematischer Weise das Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1, wobei der Teil (a) von 2 eine ebene Ansicht zeigt und der Teil (b) von 2 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in der ebenen Ansicht zeigt. 2 shows schematically the manufacturing process for the base plate 1 , wherein part (a) of 2 shows a plane view and part (b) of 2 a sectional view taken along the line AA in the plan view shows.

Wie in Teil (a) von 2 gezeigt, wird als Erstes die SiC-preform 6 vorbereitet, bei der ein Abschnitt, der mit dem thermisch leitenden Block 7 ausgefüllt wird, als ein Durchgangsloch TH dient. Danach wird ein Metallblock, der den thermisch leitenden Block 7 darstellt, in das Durchgangsloch TH eingeführt.As in part (a) of 2 First shown is the SiC preform 6 prepared, in which a section of the thermally conductive block 7 is filled as a through hole TH serves. Thereafter, a metal block forming the thermally conductive block 7 is introduced into the through hole TH.

Es wird bemerkt, dass eine Höhe des Metallblocks entsprechend der Dicke der Aluminiumschicht gewählt ist, da eine Dicke des thermischen leitenden Blocks 7 nahezu gleich einer Dicke der SiC-preform 6 ist und ein Metallblock auch durch eine Aluminiumschicht bei dem Aluminiumimprägnationsvorgang bedeckt wird. Dadurch liegt eine Endfläche des thermisch leitenden Blocks 7 in der gleichen Ebene wie die obere Hauptoberfläche (Deckfläche) der Grundplatte 1 und die andere Endfläche des thermisch leitenden Blocks 7 liegt in der gleichen Ebene wie die Bodenoberfläche (untere Hauptoberfläche) der Grundplatte 1. Es soll bemerkt werden, dass die Endflächen durch Polieren der oberen und unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1 planarisiert werden können, wenn die Endflächen nicht in denselben Ebenen liegen wie die obere und die untere Hauptoberfläche der Grundplatte 1.It is noted that a height of the metal block is selected according to the thickness of the aluminum layer because a thickness of the thermal conductive block 7 almost equal to a thickness of the SiC preform 6 and a metal block is also covered by an aluminum layer in the aluminum impregnation process. As a result, there is an end surface of the thermally conductive block 7 in the same plane as the upper main surface (top surface) of the base plate 1 and the other end surface of the thermally conductive block 7 lies in the same plane as the bottom surface (lower main surface) of the base plate 1 , It should be noted that the end surfaces are made by polishing the upper and lower major surfaces of the base plate 1 can be planarized when the end surfaces are not in the same planes as the upper and lower major surfaces of the base plate 1 ,

Hier ist eine ebene Gestalt des Durchgangslochs TH eine Rechteckgestalt angepasst an eine ebene Gestalt des Diodenchips 4. Die Gestalt ist jedoch nicht auf die Rechteckgestalt begrenzt und kann eine Kreisgestalt oder eine elliptische Gestalt sein. Weiterhin ist eine Größe in der Ebene so gewählt, dass sie größer oder gleich der Größe des Diodenchips 4 in der Ebene ist.Here, a planar shape of the through-hole TH is a rectangular shape adapted to a planar shape of the diode chip 4 , However, the shape is not limited to the rectangular shape and may be a circular shape or an elliptical shape. Furthermore, a size in the plane is chosen to be greater than or equal to the size of the diode chip 4 is in the plane.

Darüber hinaus sind das Durchgangsloch TH und der thermisch leitende Block 7 mit solch einer Größentoleranz ausgelegt, dass ein Spalt mit solch einer Größe ausgebildet wird, dass Aluminium zwischen dem Durchgangsloch TH und dem thermisch leitenden Block 7 bei dem Aluminiumimprägnationsvorgang eintreten kann, während der thermisch leitende Block 7 in das Durchgangsloch TH einführbar ist.In addition, the through hole TH and the thermally conductive block 7 with such a size tolerance that a gap having such a size as aluminum is formed between the through hole TH and the thermally conductive block 7 in which Aluminum impregnation process can occur while the thermally conductive block 7 in the through hole TH is insertable.

Da die Aluminiumimprägnation in dem Zustand durchgeführt wird, in dem der thermisch leitende Block 7 in das Durchgangsloch TH eingeführt ist, tritt Aluminium zwischen das Durchgangsloch TH und den thermisch leitenden Block 7 und eine poröse Struktur der SiC-preform 6 wird mit Aluminium imprägniert (bzw. infiltriert) zum Ausbilden einer Struktur, bei der der thermisch leitende Block 7 in die Grundplatte 1 eingelassen ist.Since the aluminum impregnation is performed in the state in which the thermally conductive block 7 is inserted into the through hole TH, aluminum enters between the through hole TH and the thermally conductive block 7 and a porous structure of SiC preform 6 is impregnated with aluminum (or infiltrated) to form a structure in which the thermally conductive block 7 in the base plate 1 is admitted.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Grundplatte 1 aus dem Metallmatrix-Verbundstoff aus Aluminium und Keramik, wie z. B. Al-SiC, ausgebildet ist, ist das Material für die Grundplatte 1 nicht hierauf beschränkt und die vorliegende Erfindung ist auch in dem Fall wirksam, in dem das Material beispielsweise aus Aluminiumoxidkeramik und dergleichen besteht.Although the example has been described above in which the base plate 1 from the metal matrix composite of aluminum and ceramic, such as. As Al-SiC, is formed, the material for the base plate 1 is not limited thereto, and the present invention is also effective in the case where the material is made of alumina ceramics and the like, for example.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

Eine zweite Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. 4 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100A bei der zweiten Ausführungsform zeigt. Es soll bemerkt werden, dass die gleiche Konfiguration wie bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100, das in 1 gezeigt ist, mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung derselben nicht wiederholt wird. Weiterhin sind in 4 lediglich eine Grundplatte 1A und das isolierende Substrat 2 gezeigt und eine Darstellung des Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, welche sich nicht näher auf die Erfindung beziehen, sind weggelassen.A second embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 4 described. 4 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100A in the second embodiment. It should be noted that the same configuration as in the power semiconductor device module 100 , this in 1 is shown with the same reference numerals and a description thereof will not be repeated. Furthermore, in 4 only a base plate 1A and the insulating substrate 2 are shown and a representation of the structure of the housing CS and the like, which do not relate to the invention are omitted.

Die Grundplatte 1A ist aus dem Metallmatrix-Verbundstoff aus Aluminium und Keramik, wie z. B. Al-SiC, ausgebildet und ein konkaver Abschnitt CP ist auf der unteren und oberen Hauptoberfläche der SiC-preform 6 an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des auf das isolierende Substrat 2 montierten Diodenchips 4 vorgesehen. Somit ist die SiC-preform 6 des obigen Abschnitts lokal dünn und der konkave Abschnitt CP ist mit einer Aluminiumschicht 80 ausgefüllt.The base plate 1A is made of the metal matrix composite of aluminum and ceramic, such as. Al-SiC, and a concave portion CP is on the lower and upper main surfaces of the SiC preform 6 at a position corresponding to a position immediately below that on the insulating substrate 2 mounted diode chips 4 intended. Thus, the SiC preform 6 of the above section is locally thin and the concave section CP is with an aluminum layer 80 filled.

Der konkave Abschnitt CP wird mit Aluminium gefüllt, wenn sie SiC-preform 6 bei einem Herstellungsschritt für die Grundplatte 1A mit Aluminium imprägniert wird, wodurch die Aluminiumschicht 80 ausgebildet wird.The concave portion CP is filled with aluminum when SiC preform 6 in a manufacturing step for the base plate 1A impregnated with aluminum, whereby the aluminum layer 80 is trained.

Es sollte bemerkt werden, dass das Vorsehen der konkaven Abschnitte CP auf der Deckflächenseite und der Bodenflächenseite zu dem Vorteil führt, dass eine Tiefe jedes konkaven Abschnitts CP klein gemacht werden kann und lediglich eine kurze Zeitdauer erforderlich ist zum Einfüllen des Aluminiums verglichen zu dem Fall, in dem der konkave Abschnitt CP lediglich auf einer Hauptoberflächenseite vorgesehen ist.It should be noted that the provision of the concave portions CP on the top surface side and the bottom surface side leads to the advantage that a depth of each concave portion CP can be made small and only a short time is required for filling the aluminum compared to the case. in which the concave portion CP is provided only on a main surface side.

Da der Wärmewiderstand in der Aluminiumschicht 80 reduziert ist verglichen zu dem restlichen Teil der Grundplatte 1A, wird die Aluminiumschicht 80 mit solch einer Funktion als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.Because the thermal resistance in the aluminum layer 80 is reduced compared to the remaining part of the base plate 1A , the aluminum layer becomes 80 with such a function is referred to as a thermal resistance reducing portion.

Die in dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11, das isolierende Substrat 2, die Bodenflächenelektrodenschicht 12 und die Lotschicht 10 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu der Aluminiumschicht 80 übertragen und über die abgedünnte SiC-preform 6 und die Bodenflächenseite der Aluminiumschicht 80 nach außen abgegeben.The in the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 , the insulating substrate 2 , the bottom surface electrode layer 12 and the solder layer 10 in a vertical direction of the substrate to the aluminum layer 80 transferred and over the thinned SiC preform 6 and the bottom surface side of the aluminum layer 80 delivered to the outside.

Bei dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100A ist die Wärmeableitungswirkung für die zur Zeit des Betriebs des Diodenchips 4 erzeugte Wärme erhöht, wodurch es möglich ist, die thermische Spannung, die aufgrund des Temperaturwechsels erzeugt wird, für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips verhindert wird, so dass eine Verkürzung der Produktlebensdauer unterdrückt wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100A is the heat dissipation effect for the time of operation of the diode chip 4 increases heat generated, whereby it is possible to reduce the thermal stress generated due to the temperature change for each component within the module while preventing a temperature rise of the chip, so that a shortening of the product life is suppressed.

Die Grundplatte 1A hat weiterhin auch den Vorteil, dass nicht ein spezielles Material für sie erforderlich ist, wie z. B. der thermisch leitende Block 7, im Vergleich zu der Grundplatte 1 der ersten Ausführungsform, und dass sie durch ein Herstellungsverfahren herstellbar ist, das gleich dem bekannten Verfahren ist.The base plate 1A also has the advantage that not a special material is required for them, such. B. the thermally conductive block 7 , compared to the base plate 1 of the first embodiment, and that it can be produced by a manufacturing method which is the same as the known method.

Es sollte bemerkt werden, dass die SiC-preform 6 in der Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 beispielsweise eine Dicke von ungefähr der Hälfte der Dicke der anderen Abschnitte der SiC-preform 6 aufweist. Wenn beispielsweise die Dicke des restlichen Abschnitts 5 mm beträgt, dann ist die Dicke an der Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 ungefähr 2,5 mm und die Tiefe des konkaven Abschnitts CP ist ungefähr 1,25 mm. Wenn der konkave Abschnitt CP vollständig mit dem Aluminium ausgefüllt ist, dann entspricht die Dicke der Aluminiumschicht 80 der Tiefe des konkaven Abschnitts CP.It should be noted that the SiC preform 6 in the position corresponding to the location immediately below the diode chip 4 for example, a thickness of about half the thickness of the other portions of the SiC preform 6 having. For example, if the thickness of the remaining portion is 5 mm, then the thickness at the position corresponding to the position immediately below the diode chip 4 about 2.5 mm and the depth of the concave portion CP is about 1.25 mm. If the concave portion CP is completely filled with the aluminum, then the thickness of the aluminum layer 80 the depth of the concave portion CP.

Obwohl oben das Beispiel präsentiert wurde, bei dem die konkaven Abschnitte CP auf der Deckflächenseite und der Bodenflächenseite der Grundplatte 1A so ausgestaltet sind, dass sie die gleiche Tiefe aufweisen, kann der konkave Abschnitt CP so ausgestaltet sein, dass er auf der Deckflächenseite eine größere Tiefe aufweist und auf der Bodenflächenseite eine kleinere Tiefe aufweist oder so dass er lediglich auf der Deckflächenseite ausgebildet ist.Although the example was presented above in which the concave portions CP on the top surface side and the bottom surface side of the base plate 1A are designed so that they have the same depth The concave portion CP may be configured to have a greater depth on the top surface side and a smaller depth on the bottom surface side or to be formed only on the top surface side.

Dritte AusführungsformThird embodiment

Eine dritte Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 5 beschrieben. 5 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100B bei der dritten Ausführungsform zeigt. Es soll bemerkt werden, dass der gleiche Aufbau wie bei dem in 1 gezeigten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100 mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung derselben nicht wiederholt wird. Weiterhin sind in 5 lediglich eine Grundplatte 1B und das isolierende Substrat 2 gezeigt und die Darstellung eines Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, die nicht in enger Beziehung zu der Erfindung stehen, wird weggelassen.A third embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 5 described. 5 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100B in the third embodiment. It should be noted that the same structure as in the 1 shown power semiconductor device module 100 are denoted by the same reference numerals and a description thereof will not be repeated. Furthermore, in 5 only a base plate 1B and the insulating substrate 2 is shown and the illustration of a structure of the housing CS and the like, which are not closely related to the invention, is omitted.

Die Grundplatte 1B ist aus dem Metallmatrix-Verbundwerkstoff aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC, ausgebildet und ein Durchgangsloch TH1 ist an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des auf das isolierende Substrat 2 montierten Diodenchips 4 vorhanden.The base plate 1B is formed of the metal matrix composite of aluminum and ceramics such as Al-SiC, and a through hole TH1 is at a position corresponding to a position immediately below that of the insulating substrate 2 mounted diode chips 4 available.

Weiterhin weist die Bodenflächenelektrodenschicht 12A auf dem isolierenden Substrat 2 einen vorspringenden Abschnitt 9A an der Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 auf. Der vorspringende Abschnitt 9A hat eine Höhe entsprechend einer Summe der Dicke der Lotschicht 10 und der Dicke der Grundplatte 1B, so dass eine Endfläche desselben eine Ebene mit der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1B bildet, wenn der vorspringende Abschnitt 9A in das Durchgangsloch TH1 der Grundplatte 1B eingeführt ist.Furthermore, the bottom surface electrode layer 12A on the insulating substrate 2 a projecting section 9A at the position corresponding to the location immediately below the diode chip 4 on. The projecting section 9A has a height corresponding to a sum of the thickness of the solder layer 10 and the thickness of the base plate 1B such that an end surface thereof forms a plane with the lower major surface of the base plate 1B forms when the projecting section 9A in the through hole TH1 of the base plate 1B is introduced.

Daher führt die Montage des isolierenden Substrats 2 auf der Grundplatte 1B dergestalt, dass der vorspringende Abschnitt 9A in das Durchgangsloch TH1 der Grundplatte 1B eingeführt ist, und das Befestigen derselben mittels der Lotschicht 10 dazu, dass ein mittels der Lotschicht 10 ausgebildeter Verbindungsabschnitt an dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 beseitigt wird.Therefore, the assembly of the insulating substrate performs 2 on the base plate 1B such that the projecting section 9A in the through hole TH1 of the base plate 1B is inserted, and fixing the same by means of the solder layer 10 to that one by means of the solder layer 10 formed connecting portion at the portion corresponding to the position immediately below the diode chip 4 is eliminated.

Da die Bodenflächenelektrodenschicht 12A aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium oder Kupfer, mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit ausgebildet ist, kann der Wärmewiderstand in dem Abschnitt, der mit dem vorspringenden Abschnitt 9A versehen ist, im Vergleich zu einem Abschnitt, der über die Lotschicht 10 befestigt ist, reduziert werden. Der vorspringende Abschnitt 9A mit solch einer Funktion wird als Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.As the bottom surface electrode layer 12A is made of a metal material such as aluminum or copper, having a high thermal conductivity, the thermal resistance in the portion which is connected to the projecting portion 9A is provided, compared to a section that passes over the solder layer 10 fixed, be reduced. The projecting section 9A with such a function is called a thermal resistance reducing portion.

In dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11 und das isolierende Substrat 2 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu dem vorspringenden Abschnitt 9A der Bodenflächenelektrodenschicht 12 geleitet und über den vorspringenden Abschnitt 9A mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit nach außen abgegeben. Hier liegt die Endfläche des vorspringenden Abschnitts 9A in dem Durchgangsloch TH1 auf der unteren Oberfläche der Grundplatte 1B frei. Da die untere Hauptoberfläche der Grundplatte 1B auf einen Kühlkörper montiert ist, kommt die in dem Durchgangsloch TH1 frei liegende Endfläche des vorspringenden Abschnitts 9A in Kontakt mit dem Kühlkörper, um gekühlt zu werden.In the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 and the insulating substrate 2 in a vertical direction of the substrate to the projecting portion 9A the bottom surface electrode layer 12 passed and over the projecting section 9A delivered to the outside with a high thermal conductivity. Here lies the end face of the projecting section 9A in the through hole TH1 on the lower surface of the base plate 1B free. Because the lower main surface of the base plate 1B is mounted on a heat sink, the exposed in the through hole TH1 end surface of the projecting portion 9A in contact with the heat sink to be cooled.

Bei dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100B ist es möglich, eine aufgrund von Temperaturwechseln erzeugte thermische Spannung für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips zur Zeit des Betriebs des Diodenchips 4 verhindert wird, so dass eine Verkürzung einer Produktlebensdauer unterdrückt wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100B For example, it is possible to reduce a thermal stress generated due to temperature changes for each component within the module, while a temperature increase of the chip at the time of operation of the diode chip 4 is prevented, so that a shortening of a product life is suppressed.

Weiterhin hat das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100B ebenfalls den Vorteil, dass die Positionierung des isolierenden Substrats 2 bezüglich der Grundplatte 1B erleichtert wird, da die Bodenflächenelektrodenschicht 12A auf dem isolierenden Substrat 2 den vorspringenden Abschnitt 9A aufweist.Furthermore, the power semiconductor device module has 100B also has the advantage that the positioning of the insulating substrate 2 with respect to the base plate 1B is facilitated because the bottom surface electrode layer 12A on the insulating substrate 2 the projecting section 9A having.

Hier kann eine ebene Gestalt des Durchgangslochs TH1, das in der Grundplatte 1B vorhanden ist, eine Rechteckgestalt sein, angepasst an die ebene Gestalt des Diodenchips 4, oder eine kreisförmige Gestalt oder eine elliptische Gestalt. Weiterhin ist die Größe des Durchgangslochs TH1 in der Ebene so ausgestaltet, dass sie der Größe des Diodenchips 4 in der Ebene entspricht oder größer ist.Here, a plane shape of the through-hole TH1 formed in the base plate 1B is present, be a rectangular shape, adapted to the planar shape of the diode chip 4 , or a circular shape or an elliptical shape. Furthermore, the size of the through-hole TH1 in the plane is designed to be the size of the diode chip 4 in the plane is equal or greater.

Was das Durchgangsloch TH1 und den vorspringenden Abschnitt 9A der Bodenflächenelektrodenschicht 12A des isolierenden Substrats 2 anbelangt, so ist der vorspringende Abschnitt 9A wünschenswerterweise in das Durchgangsloch TH1 einführbar und das Durchgangsloch TH1 und der vorspringende Abschnitt 9A haften wünschenswerterweise aneinander, um zu verhindern, dass Lot dazwischen eintritt zur Zeit des Verbindungsvorgangs mittels der Lotschicht 10.What is the through hole TH1 and the projecting portion 9A the bottom surface electrode layer 12A of the insulating substrate 2 As far as the projecting section is concerned 9A desirably insertable into the through hole TH1 and the through hole TH1 and the protruding portion 9A desirably adhere to each other to prevent solder from intervening at the time of bonding by the solder layer 10 ,

Wenn jedoch die Größentoleranz so gewählt wird, dass nicht ein Spalt zwischen dem Durchgangsloch TH1 und dem vorspringenden Abschnitt 9A ausgebildet wird, dann wird der Vorgang des Ineinandergreifens derselben schwierig. Aus diesem Grund ist die Größentoleranz zwischen dem Durchgangsloch TH1 und dem vorspringenden Abschnitt 9A so gewählt, dass ein Spalt ausgebildet wird, um ein leichtes Ineinandergreifen zu gestatten. Weiterhin ist sie so gewählt, dass das Austreten von Lot durch den Spalt zu der Seite der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1B verhindert wird.However, if the size tolerance is selected so that there is not a gap between the through hole TH1 and the protruding portion 9A is formed, then the process of interlocking the same becomes difficult. For this reason, the size tolerance between the through hole TH1 and the protruding portion 9A chosen so that a gap is formed to allow easy meshing. Further, it is so selected that the leakage of solder through the gap to the lower main surface side of the base plate 1B is prevented.

Beispielsweise kann der vorspringende Abschnitt 9A mit aufgetragenem Silikongummi auf seiner Oberfläche in das Durchgangsloch TH1 eingeführt werden und mit dem Silikongummi daran befestigt werden. Mit dem zwischen dem Durchgangsloch TH1 und dem vorspringenden Abschnitt 9A vorhandenen Silikongummi ist es in diesem Fall möglich, das Austreten von Lot auf der unteren Hauptoberflächenseite der Grundplatte 1B zu verhindern.For example, the projecting section 9A are applied with silicone rubber applied on its surface in the through hole TH1 and attached thereto with the silicone rubber. With the between the through hole TH1 and the projecting portion 9A In this case, the presence of solder on the lower main surface side of the base plate is possible 1B to prevent.

Weiterhin kann ein Aufbau zum Verhindern des Austretens von Lot in einer Spannvorrichtung, die zur Zeit des Lötens verwendet wird, bereitgestellt werden. Als ein Beispiel wird solch ein Aufbau unter Bezugnahme auf 6 beschrieben.Furthermore, a structure for preventing the leakage of solder in a jig used at the time of soldering may be provided. As an example, such a construction will be described with reference to FIG 6 described.

6 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100B zur Zeit des Lötens in einer Spannvorrichtung JG montiert ist. Wie in 6 gezeigt, wird, wenn das isolierende Substrat 2 auf der Grundplatte 1B montiert wird und mit dieser mittels der Lotschicht 10 verbunden wird, die Grundplatte 1B in eine unten offene, oben geschlossene Spannvorrichtung JG mit einer Kastengestalt gesetzt. Dann wird ein Lotteil auf der Seite der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1B angeordnet und eine Grundplatte 1F in der Spannvorrichtung JG wird als Ganzes aufgeheizt zum Schmelzen des Lotteils. Zu diesem Zeitpunkt ist das Lotteil so angeordnet, dass das geschmolzene Lotteil nicht in das Durchgangsloch TH1 der Grundplatte 1B fließt. 6 FIG. 10 is a sectional view showing a state in which the power semiconductor device module. FIG 100B at the time of soldering in a jig JG is mounted. As in 6 is shown when the insulating substrate 2 on the base plate 1B is mounted and with this by means of the solder layer 10 is connected, the base plate 1B placed in a bottom open, top closed jig JG with a box shape. Then, a solder part becomes on the side of the upper main surface of the base plate 1B arranged and a base plate 1F in the jig JG is heated as a whole to melt the Lotteils. At this time, the soldering part is arranged so that the molten soldering part does not enter the through hole TH1 of the base plate 1B flows.

Nachfolgend wird das isolierende Substrat 2 so auf der Grundplatte 1B montiert, dass der vorspringende Abschnitt 9A in das Durchgangsloch TH1 der Grundplatte 1B eingeführt wird, wodurch das geschmolzene Lot sich zwischen der Bodenflächenelektrodenschicht 12 auf dem isolierenden Substrat 2 und der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1B ausdehnt und das isolierende Substrat 2 auf die Grundplatte 1B gefügt wird.The following is the insulating substrate 2 so on the base plate 1B mounted that the projecting section 9A in the through hole TH1 of the base plate 1B whereby the molten solder is interposed between the bottom surface electrode layer 12 on the insulating substrate 2 and the upper main surface of the base plate 1B expands and the insulating substrate 2 on the base plate 1B is added.

Hier ist in einem Bodenflächenabschnitt der Spannvorrichtung JG eine mit einer Dichtung OR, wie beispielsweise einem O-Ring auszufüllende Kerbe GR in einem Abschnitt entsprechend einem äußeren Rand des Durchgangslochs TH1 der Grundplatte 1B vorgesehen, und die Dichtung OR ist darin eingebracht. Das Vorsehen dieser Dichtung OR an einer Position zum Verschließen eines Auslasses des Spalts zwischen dem Durchgangslochs TH1 und dem vorspringenden Abschnitt 9A kann verhindern, dass geschmolzenes Lot an der Seite der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1B ausfließt, sogar wenn das geschmolzene Lot in den Spalt zwischen dem Durchgangsloch TH1 und dem vorspringenden Abschnitt 9A eindringt.Here, in a bottom surface portion of the jig JG, a notch GR to be filled with a gasket OR such as an O-ring is formed in a portion corresponding to an outer edge of the through hole TH1 of the base plate 1B provided, and the seal OR is incorporated therein. The provision of this seal OR at a position for closing an outlet of the gap between the through-hole TH1 and the projecting portion 9A can prevent melted solder from the side of the lower main surface of the base plate 1B flows out even if the molten solder in the gap between the through hole TH1 and the projecting portion 9A penetrates.

Das Entfernen der Grundplatte 1B von der Spannvorrichtung JG nach der Verfestigung des Lots liefert einen Aufbau, bei dem das isolierende Substrat 2 auf die Grundplatte 1B gefügt (daran befestigt) ist.Removing the base plate 1B from the jig JG after solidification of the solder provides a structure in which the insulating substrate 2 on the base plate 1B joined (attached) is.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Grundplatte 1B aus dem Metallmatrix-Komposit (Metallmatrix-Verbundwerkstoff) aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC ausgebildet ist, ist das Material für die Grundplatte 1B nicht hierauf beschränkt und die vorliegende Erfindung ist auch in dem Fall wirksam, in dem das Material beispielsweise aus Aluminiumoxidkeramik und dergleichen besteht.Although the example has been described above in which the base plate 1B formed of the metal matrix composite (metal matrix composite) of aluminum and ceramic, such as Al-SiC, is the material for the base plate 1B is not limited thereto, and the present invention is also effective in the case where the material is made of alumina ceramics and the like, for example.

Abgewandeltes BeispielModified example

Wie oben beschrieben, hat das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100B der dritten Ausführungsform den Aufbau, bei dem der vorspringende Abschnitt 9A, der in der Bodenflächenelektrodenschicht 12A auf dem isolierenden Substrat 2 vorgesehen ist, in das Durchgangsloch TH1, das in der Grundplatte 1B vorgesehen ist, eingeführt ist und die Endfläche des vorspringenden Abschnitts 9A in dem Durchgangsloch TH1 auf der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1B frei liegt. Es kann jedoch ebenfalls der in 7 gezeigte Aufbau angewendet werden.As described above, the power semiconductor device module has 100B the third embodiment, the structure in which the projecting portion 9A which is in the bottom surface electrode layer 12A on the insulating substrate 2 is provided in the through hole TH1, in the base plate 1B is provided, is introduced and the end surface of the projecting portion 9A in the through hole TH1 on the lower main surface of the base plate 1B is free. However, it can also be in 7 shown structure can be applied.

Bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100C, das in 7 gezeigt ist, ist ein konkaver Abschnitt CP1 an der Position einer Grundplatte 1C vorgesehen, die der Stelle unmittelbar unterhalb des auf das isolierende Substrat 2 montierten Diodenchips entspricht und eine Bodenflächenelektrodenschicht 12B auf dem isolierenden Substrat 2 ist so ausgestaltet, dass sie einen vorspringenden Abschnitt 9B an der Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 aufweist.In the power semiconductor device module 100C , this in 7 is shown, a concave portion CP1 is at the position of a base plate 1C provided the location just below the on the insulating substrate 2 mounted diode chip corresponds and a bottom surface electrode layer 12B on the insulating substrate 2 is designed to have a protruding section 9B at the position corresponding to the location immediately below the diode chip 4 having.

Der vorspringende Abschnitt 9B der Bodenflächenelektrodenschicht 12B auf dem isolierenden Substrat 2 wird dann in einen konkaven Abschnitt CP1 der Grundplatte 1C eingeführt.The projecting section 9B the bottom surface electrode layer 12B on the insulating substrate 2 then enters a concave section CP1 of the base plate 1C introduced.

Hier weist der vorspringende Abschnitt 9B eine Dicke auf, die einer Summe einer Dicke der Lotschicht 10 und einer Dicke des konkaven Abschnitts CP1 entspricht. Es sollte bemerkt werden, dass der konkave Abschnitt CP1 eine Tiefe hat, die bis zu einer Hälfte der Dicke der Grundplatte 1C reicht.Here is the protruding section 9B a thickness equal to a sum of a thickness of the solder layer 10 and a thickness of the concave portion CP1. It should be noted that the concave section CP1 has a depth that is up to one half of the thickness of the base plate 1C enough.

Der konkave Abschnitt CP1 ist weiterhin so vorgesehen, dass eine Aluminiumschicht 81, die bei dem Aluminiuminfiltrationsschritt eingefüllt wurde, als ein Bodenflächenabschnitt in einem Durchgangsloch TH2 dient, das so vorgesehen ist, dass es die SiC-preform (den SiC-Vorkörper) 6 der Grundplatte 1C durchdringt, und die Bodenfläche des konkaven Abschnitts CP1 dient als die Oberfläche der Aluminiumschicht 81. Daher kommt die Endfläche des vorspringenden Abschnitts 9B, der in den konkaven Abschnitt CP1 eingeführt wurde, in Kontakt mit der Aluminiumschicht 81.The concave portion CP1 is further provided such that an aluminum layer 81 which was filled at the aluminum infiltration step, serves as a bottom surface portion in a through hole TH2 provided so as to form the SiC preform (the SiC precursor) 6 the base plate 1C penetrates, and the bottom surface of the concave portion CP1 serves as the surface of the aluminum layer 81 , Therefore, the end surface of the projecting portion comes 9B which has been inserted into the concave portion CP1 in contact with the aluminum layer 81 ,

In der Aluminiumschicht 81, die wie oben beschrieben in der Grundplatte 1C vorhanden ist, ist der Wärmewiderstand im Vergleich zu dem restlichen Abschnitt der Grundplatte 1C reduziert. Deshalb wird die Aluminiumschicht 81 mit solch einer Funktion als Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.In the aluminum layer 81 as described above in the base plate 1C is present, the thermal resistance is compared to the remaining portion of the base plate 1C reduced. That is why the aluminum layer becomes 81 with such function referred to as a thermal resistance reducing portion.

Hier kann eine ebene Gestalt des konkaven Abschnitts CP1, der in der Grundplatte 1C vorhanden ist, eine Rechteckgestalt angepasst an die ebene Gestalt des Diodenchips 4 sein oder eine Kreisgestalt oder eine elliptische Gestalt. Weiterhin ist eine Größe des konkaven Abschnitts CP1 in der Ebene so ausgestaltet, dass sie gleich der Größe des Diodenchips 4 in der Ebene oder größer ist.Here, a plane shape of the concave portion CP1 formed in the base plate 1C is present, a rectangular shape adapted to the planar shape of the diode chip 4 or a circular shape or an elliptical shape. Furthermore, a size of the concave portion CP1 in the plane is made to be equal to the size of the diode chip 4 in the plane or larger.

Die Montage des isolierenden Substrats 2 auf der Grundplatte 1C dergestalt, dass der vorspringende Abschnitt 9B in den konkaven Abschnitt CP1 der Grundplatte 1C eingeführt wird und beide mittels der Lotschicht 10 miteinander verbunden werden, führt zu der Beseitigung eines Verbindungsabschnitts, der mittels der Lotschicht 10 in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 ausgebildet ist.The mounting of the insulating substrate 2 on the base plate 1C such that the projecting section 9B in the concave portion CP1 of the base plate 1C is introduced and both by means of the solder layer 10 connected to each other, leads to the elimination of a connection portion by means of the solder layer 10 in the section corresponding to the location immediately below the diode chip 4 is trained.

Da die Bodenflächenelektrodenschicht 12B aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium oder Kupfer, mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit ausgebildet ist, kann der Wärmewiderstand in dem Abschnitt, der mit dem vorspringenden Abschnitt 9B vorgesehen ist, im Vergleich mit einem mittels der Lotschicht 10 befestigten Abschnitt reduziert werden. Der vorspringende Abschnitt 9B mit solch einer Funktion wird als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.As the bottom surface electrode layer 12B is made of a metal material such as aluminum or copper, having a high thermal conductivity, the thermal resistance in the portion which is connected to the projecting portion 9B is provided, compared with one by means of the solder layer 10 fixed section be reduced. The projecting section 9B with such a function is referred to as a thermal resistance reducing portion.

In dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11 und das isolierende Substrat 2 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu dem vorspringenden Abschnitt 9B der Bodenflächenelektrodenschicht 12 geleitet und über den vorspringenden Abschnitt 9B mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit zu der Aluminiumschicht 81 geleitet, um dann nach außen abgegeben zu werden.In the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 and the insulating substrate 2 in a vertical direction of the substrate to the projecting portion 9B the bottom surface electrode layer 12 passed and over the projecting section 9B with a high thermal conductivity to the aluminum layer 81 then passed to the outside.

Da der vorspringende Abschnitt 9B der Bodenflächenelektrodenschicht 12 auf dem isolierenden Substrat 2 in den konkaven Abschnitt CP1 der Grundplatte 1C eingeführt ist, fließt kein Lot zu der Seite der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1C, sogar wenn Lot in den Spalt zwischen dem konkaven Abschnitt CP1 und dem vorspringenden Abschnitt 9B der Bodenflächenelektrodenschicht 12B auf dem isolierenden Substrat 2 zur Zeit des Verbindungsvorgangs mittels der Lotschicht 10 eintritt. Somit gibt es kein Problem.As the projecting section 9B the bottom surface electrode layer 12 on the insulating substrate 2 in the concave portion CP1 of the base plate 1C is introduced, no solder flows to the side of the lower main surface of the base plate 1C even if solder enters the gap between the concave portion CP1 and the projecting portion 9B the bottom surface electrode layer 12B on the insulating substrate 2 at the time of the bonding process by means of the solder layer 10 entry. So there is no problem.

Aus diesem Grund ist es nicht notwendig, die Größentoleranz so einzustellen, dass kein Spalt zwischen dem konkaven Abschnitt CP1 und dem vorspringenden Abschnitt 9B ausgebildet wird. Sogar wenn die Größentoleranz so eingestellt ist, dass zwischen dem konkaven Abschnitt CP1 und dem vorspringenden Abschnitt 9B ein Spalt ausgebildet ist, um ein leichteres Ineinandergreifen zu gestatten, ist es nicht notwendig, einen Aufbau zu wählen, bei dem Lot daran gehindert wird, von der Seite der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1C auszutreten. Dies führt zu dem Vorteil, dass der Herstellungsprozess vereinfacht werden kann.For this reason, it is not necessary to set the size tolerance so that no gap exists between the concave portion CP1 and the protruding portion 9B is trained. Even if the size tolerance is set so that between the concave portion CP1 and the projecting portion 9B a gap is formed to allow easier meshing, it is not necessary to adopt a structure in which solder is prevented from the side of the lower main surface of the base plate 1C withdraw. This leads to the advantage that the manufacturing process can be simplified.

Obwohl oben beschrieben wurde, dass der vorspringende Abschnitt 9B eine Dicke aufweist, die einer Summe aus der Dicke der Lotschicht 10 und der Hälfte der Dicke der Grundplatte 1C entspricht, und obwohl oben beschrieben wurde, dass der konkave Abschnitt CP1 eine Tiefe aufweist, die bis zur Hälfte der Dicke der Grundplatte 1C reicht, ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt.Although it was described above that the projecting section 9B has a thickness equal to a sum of the thickness of the solder layer 10 and half the thickness of the base plate 1C corresponds, and although it has been described above, that the concave portion CP1 has a depth which is up to half the thickness of the base plate 1C ranges, the present invention is not limited thereto.

Die Dicke des vorspringenden Abschnitts 9B kann beispielsweise auf 30 bis 70% der Dicke der Grundplatte 1C eingestellt werden und die Tiefe des konkaven Abschnitts CP1 kann ebenfalls auf 30 bis 70% der Dicke der Grundplatte 1C eingestellt werden.The thickness of the projecting section 9B For example, can be at 30 to 70% of the thickness of the base plate 1C can be adjusted and the depth of the concave portion CP1 can also be on 30 to 70% of the thickness of the base plate 1C be set.

Es sollte bemerkt werden, dass für ein Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1C zunächst die SiC-preform 6 vorbereitet wird, bei der ein Abschnitt, der mit dem konkaven Abschnitt CP1 versehen ist, als ein Durchgangsloch TH2 dient. Dann wird die Aluminiuminfiltration (Imprägnation) durchgeführt zum Füllen des Durchgangslochs TH2 mit Aluminium. Danach wird durch eine mechanische Bearbeitung oder dergleichen auf der Seite der oberen Hauptoberfläche des Durchgangslochs TH2, das vollständig mit Aluminium ausgefüllt ist, der konkave Abschnitt CP1 ausgebildet zum Erhalt der Grundplatte 1C.It should be noted that for a manufacturing process for the base plate 1C first the SiC preform 6 in which a portion provided with the concave portion CP1 serves as a through hole TH2. Then, aluminum infiltration (impregnation) is performed to fill the through-hole TH2 with aluminum. Thereafter, by machining or the like on the side of the upper main surface of the through-hole TH2, which is completely filled with aluminum, the concave portion CP1 is formed to obtain the base plate 1C ,

Vierte Ausführungsform Fourth embodiment

Eine vierte Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls entsprechend der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 8 beschrieben. 8 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100D in der vierten Ausführungsform zeigt. Es sollte bemerkt werden, dass der gleiche Aufbau wie bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100, das in. 1 gezeigt ist, mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung desselben nicht wiederholt wird. Weiterhin sind in 8 lediglich eine Grundplatte 1D und das isolierende Substrat 2 gezeigt und eine Darstellung eines Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, die nicht in engem Zusammenhang mit der Erfindung stehen, werden weggelassen.A fourth embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 8th described. 8th FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100D in the fourth embodiment. It should be noted that the same structure as in the power semiconductor device module 100 , this in. 1 is shown with the same reference numerals and a description thereof will not be repeated. Furthermore, in 8th only a base plate 1D and the insulating substrate 2 and an illustration of a structure of the housing CS and the like that are not closely related to the invention are omitted.

Die Grundplatte 1D ist eine Grundplatte mit einem bekannten Aufbau, ausgebildet aus dem Metallmatrix-Komposit aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC. In einer Deckflächenelektrodenschicht 11A auf einem isolierenden Substrat 2A dienen jedoch Abschnitte entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 bzw. des Diodenchips 4 als konkave Abschnitte CP11 und CP12, welche größere Dicken als der Rest aufweisen.The base plate 1D is a base plate of a known construction formed of the metal matrix composite of aluminum and ceramic such as Al-SiC. In a top surface electrode layer 11A on an insulating substrate 2A however, portions corresponding to the locations immediately below the IGBT chip are used 3 or of the diode chip 4 as concave sections CP11 and CP12, which have larger thicknesses than the rest.

Hier können die ebenen Gestalten der konkaven Abschnitte CP11 und CP12 Rechteckgestalten angepasst an die ebenen Gestalten des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 sein oder kreisförmige Gestalten oder elliptische Gestalten. Weiterhin sind die Größen in der Ebene so ausgelegt, dass sie gleich den Größen in der Ebene des IGBT-Chips 3 bzw. des Diodenchips 4 entsprechen oder größer sind.Here, the planar shapes of the concave portions CP11 and CP12 may be rectangular shapes adapted to the planar shapes of the IGBT chip 3 and the diode chip 4 his or circular shapes or elliptical shapes. Furthermore, the in-plane quantities are designed to be equal to the in-plane sizes of the IGBT chip 3 or of the diode chip 4 correspond or are larger.

In der Bodenflächenelektrodenschicht 12C sind die Dicken der Abschnitte entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 und des IGBT-Chips 3 größer als die Dicke des Rests.In the bottom surface electrode layer 12C are the thicknesses of the sections corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 greater than the thickness of the remainder.

Mit solch einem Aufbau ist es möglich, die Dicke der Lotschicht 10 in den Abschnitten entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 klein zu machen. Wenn die Dicke der Lotschicht 10 mit einer niedrigen Wärmeleitfähigkeit klein gemacht wird, dann ist der Wärmewiderstand an den Positionen entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 verglichen mit dem Rest reduziert.With such a structure, it is possible to increase the thickness of the solder layer 10 in the sections corresponding to the locations just below the IGBT chip 3 and the diode chip 4 to make small. When the thickness of the solder layer 10 is made small with a low thermal conductivity, then the thermal resistance at the positions corresponding to the locations immediately below the IGBT chip 3 and the diode chip 4 reduced compared to the rest.

In dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100D ist die Wärmeableitungswirkung der zur Zeit des Betriebs des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 erzeugten Wärme erhöht, wodurch es möglich ist, eine während des Temperaturwechsels erzeugte thermische Spannung für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips verhindert wird, so dass eine Verkürzung einer Produktlebensdauer unterdrückt wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100D is the heat dissipation effect at the time of operation of the IGBT chip 3 and the diode chip 4 increased heat, whereby it is possible to reduce a thermal stress generated during the temperature change for each component within the module, while a temperature rise of the chip is prevented, so that a reduction in product life is suppressed.

Da eine Grundplatte mit einem bekannten Aufbau als eine Grundplatte 1D in dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100D verwendet werden kann, ist es weiterhin möglich, eine Vergrößerung der Herstellungskosten zu vermeiden.As a base plate of a known structure as a base plate 1D in the power semiconductor device module 100D can be used, it is also possible to avoid an increase in manufacturing costs.

Da die Dicken der Abschnitte entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 und des IGBT-Chips 3 der Deckflächenelektrodenschicht 11A klein gemacht werden und die Dicke der Bodenflächenelektrodenschicht 12C groß gemacht wird, ist hier die Dicke der Lotschicht 10 klein und es ist somit möglich, die Wirkung der Reduzierung des Wärmewiderstands zu erhalten, obwohl eine Gesamtdicke der Deckflächenelektrodenschicht 11A und der Bodenflächenelektrodenschicht 12C nicht so klein ist.Since the thicknesses of the sections corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 the top surface electrode layer 11A made small and the thickness of the bottom surface electrode layer 12C is made large, here is the thickness of the solder layer 10 small and it is thus possible to obtain the effect of reducing the thermal resistance, though a total thickness of the top surface electrode layer 11A and the bottom surface electrode layer 12C not so small.

Es sollte bemerkt werden, dass, wenn die Dicke der Lotschicht 10 als Ganzes klein gemacht wird, der Effekt der weiteren Reduzierung des Wärmewiderstands erzielt wird, jedoch in der Lotschicht 10 in diesem Fall Risse aufgrund der durch einen Temperaturzyklus erzeugten thermischen Spannung auftreten können. Aus diesem Grund werden lediglich die Dicken der Abschnitte entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 und des IGBT-Chips 3 klein gemacht und die Dicke des Randabschnitts wird beibehalten.It should be noted that when the thickness of the solder layer 10 is made small as a whole, the effect of further reducing the thermal resistance is achieved, but in the solder layer 10 In this case, cracks may occur due to the thermal stress generated by a temperature cycle. For this reason, only the thicknesses of the sections corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 made small and the thickness of the edge portion is maintained.

Zum Beibehalten der Dicke des Randabschnitts kann der Raum zwischen der unteren Hauptoberfläche des isolierenden Substrats 2 und der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1D nicht verringert werden und folglich wird die Dicke der Bodenflächenelektrodenschicht 12C größer gemacht zum Erhalt eines Aufbaus, bei dem lediglich die Dicken der Lotschicht 10 in den Abschnitten entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodechips 4 und des IGBT-Chips 3 klein gemacht werden.For maintaining the thickness of the edge portion, the space between the lower major surface of the insulating substrate 2 and the upper main surface of the base plate 1D can not be reduced, and hence the thickness of the bottom surface electrode layer becomes 12C made larger to obtain a structure in which only the thicknesses of the solder layer 10 in the sections corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 be made small.

Es sollte bemerkt werden, dass die Lotschicht 10 in den Abschnitten entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 und des IGBT-Chips 3 normalerweise eine Dicke von 200 bis 300 μm aufweist und zum Erhalt des Effekts der Reduzierung des Wärmewiderstands die Dicke kleiner als 200 μm, z. B. 20 bis 150 μm, gemacht wird.It should be noted that the solder layer 10 in the sections corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 normally has a thickness of 200 to 300 microns and to obtain the effect of reducing the thermal resistance, the thickness is less than 200 microns, z. B. 20 to 150 microns, is made.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Grundplatte 1D aus dem Metallmatrix-Komposit aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC, ausgebildet ist, ist weiterhin das Material für die Grundplatte 1D nicht hierauf beschränkt und die vorliegende Erfindung ist ebenfalls wirksam in dem Fall, in dem das Material aus beispielsweise Aluminiumoxidkeramik oder dergleichen besteht.Although the example has been described above in which the base plate 1D is made of the metal matrix composite of aluminum and ceramic, such as Al-SiC, is still the material for the base plate 1D not limited thereto, and the present invention is also effective in the case where the material is made of, for example, alumina ceramics or the like.

Fünfte AusführungsformFifth embodiment

Eine fünfte Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. 9 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100E in der fünften Ausführungsform zeigt. Es sollte bemerkt werden, dass der gleiche Aufbau wie bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100, das in 1 gezeigt ist, mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung derselben nicht wiederholt wird. Weiterhin sind in 9 lediglich eine Grundplatte 1E und das isolierende Substrat 2 gezeigt und die Darstellung eines Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, die nicht in engem Zusammenhang mit der Erfindung stehen, wird weggelassen.A fifth embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 9 described. 9 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100E in the fifth embodiment. It should be noted that the same structure as in the power semiconductor device module 100 , this in 1 is shown with the same reference numerals and a description thereof will not be repeated. Furthermore, in 9 only a base plate 1E and the insulating substrate 2 is shown and the representation of a structure of the housing CS and the like, which are not closely related to the invention, is omitted.

Die Grundplatte 1E ist aus dem Metallmatrix-Komposit bestehend aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC, ausgebildet und ein konkaver Abschnitt CP2 ist an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Bodenflächenelektrodenschicht 12 auf dem isolierenden Substrat 2 vorgesehen.The base plate 1E is formed of the metal matrix composite consisting of aluminum and ceramics such as Al-SiC, and a concave portion CP2 is at a position corresponding to a position immediately below the bottom surface electrode layer 12 on the insulating substrate 2 intended.

Das isolierende Substrat 2 hat einen Aufbau, bei dem die Bodenflächenelektrodenschicht 12 so auf die Grundplatte 1E montiert ist, dass sie in den konkaven Abschnitt CP2 eingeführt ist und über die Lotschicht 10 mit der oberen Oberfläche der Grundplatte 1E verbunden ist.The insulating substrate 2 has a structure in which the bottom surface electrode layer 12 so on the base plate 1E is mounted so that it is inserted into the concave portion CP2 and over the solder layer 10 with the upper surface of the base plate 1E connected is.

Das Vorsehen des konkaven Abschnitts CP2 in der Grundplatte 1E kann die Dicke der Grundplatte 1E an der Position klein machen, die der Stelle unmittelbar unterhalb der Bodenflächenelektrodenschicht 12 entspricht. Aus diesem Grund ist der Wärmewiderstand dieses Abschnitts reduziert. Der Abschnitt der Grundplatte 1E, dessen Dicke klein gemacht wurde und der die so beschriebene Funktion hat, wird als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.The provision of the concave portion CP2 in the base plate 1E can the thickness of the base plate 1E at the position that is just below the bottom surface electrode layer 12 equivalent. For this reason, the thermal resistance of this section is reduced. The section of the base plate 1E whose thickness has been made small and has the function thus described is referred to as a thermal resistance reducing portion.

Bei dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100E ist die Wärmeableitungswirkung für die zur Zeit des Betriebs des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 erzeugte Wärme vergrößert, wodurch es möglich ist, die aufgrund des Temperaturwechsels erzeugte thermische Spannung für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips verhindert wird, so dass eine Verkürzung einer Produktlebensdauer vermieden wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100E is the heat dissipation effect at the time of operation of the IGBT chip 3 and the diode chip 4 generated heat, whereby it is possible to reduce the thermal stress generated due to the temperature change for each component within the module, while preventing a temperature increase of the chip, so that a shortening of a product life is avoided.

Weiterhin hat das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100E ebenfalls den Vorteil, dass die Positionierung des isolierenden Substrats 2 bezüglich der Grundplatte 1E erleichtert ist, da die Grundplatte 1E den konkaven Abschnitt CP2 aufweist.Furthermore, the power semiconductor device module has 100E also has the advantage that the positioning of the insulating substrate 2 with respect to the base plate 1E is relieved because the base plate 1E has the concave portion CP2.

Da die Dicke der Lotschicht 10, die die Bodenflächenelektrodenschicht 12 auf dem isolierenden Substrat 2 mit dem konkaven Abschnitt CP2 der Grundplatte 1E verbindet, im Vergleich zu den Lotschichten 10 der Leistungshalbleitervorrichtungsmodule 100 bis 100C, die bei der ersten bis dritten Ausführungsform beschrieben wurden, klein ist, ist es möglich, den Effekt der Reduzierung des Wärmewiderstands zu erhalten, welcher aus der Reduzierung der Dicke der Lotschicht 10 resultiert.Because the thickness of the solder layer 10 containing the bottom surface electrode layer 12 on the insulating substrate 2 with the concave portion CP2 of the base plate 1E connects, compared to the solder layers 10 the power semiconductor device modules 100 to 100C As described in the first to third embodiments, it is possible to obtain the effect of reducing the thermal resistance resulting from the reduction of the thickness of the solder layer 10 results.

Die Lotschicht 10, die zwischen der Bodenflächenelektrodenschicht 12 und dem konkaven Abschnitt CP2 der Grundplatte 1E angeordnet ist, hat nicht eine ebene Gestalt, sondern eine Stufengestalt, da die Bodenflächenelektrodenschicht 12 in den konkaven Abschnitt CP2 der Grundplatte 1E eingeführt wird. Sogar wenn ausgehend von dem Rand der Lotschicht 10 aufgrund einer durch einen Temperaturzyklus erzeugten thermischen Spannung Risse auftreten, wird daher das lineare Vorandringen der Risse aufgrund des Vorhandenseins des Stufenabschnitts unterdrückt, so dass eine Verkürzung der Produktlebensdauer unterdrückt wird.The solder layer 10 between the bottom surface electrode layer 12 and the concave portion CP2 of the base plate 1E is arranged, has not a planar shape, but a stepped shape, since the bottom surface electrode layer 12 in the concave portion CP2 of the base plate 1E is introduced. Even if starting from the edge of the solder layer 10 Therefore, cracks occur due to a thermal stress generated by a temperature cycle, the linear protrusion of the cracks due to the presence of the step portion is suppressed, so that a shortening of the product life is suppressed.

Hier kann eine ebene Gestalt des konkaven Abschnitts CP2, der in der Grundplatte 1E vorgesehen ist, eine Rechteckgestalt anpasst an die ebene Gestalt der Bodenflächenelektrodenschicht 12 auf dem isolierenden Substrat 2 sein oder eine Kreisgestalt oder eine elliptische Gestalt. Weiterhin ist die Größe des konkaven Abschnitts CP2 in der Ebene so ausgelegt, dass sie der Größe der Bodenflächenelektrodenschicht 12 in der Ebene entspricht oder größer ist.Here, a planar shape of the concave portion CP2 formed in the base plate 1E is provided, a rectangular shape adapts to the planar shape of the bottom surface electrode layer 12 on the insulating substrate 2 or a circular shape or an elliptical shape. Further, the size of the concave portion CP2 in the plane is designed to be the size of the bottom surface electrode layer 12 in the plane is equal or greater.

Es sollte bemerkt werden, dass das Ausmaß, um das die Dicke der Grundplatte 1E durch das Vorsehen des konkaven Abschnitts CP2 verringert wird, unter Berücksichtigung eines Verbiegens (”twist”) oder Verzugs (”warpage”) aufgrund thermischer Spannungen festgelegt wird. Beispielsweise wird eine Tiefe des konkaven Abschnitts CP2 so festgelegt, dass sie 20 bis 30% der Originaldicke der Grundplatte 1E entspricht.It should be noted that the extent to which the thickness of the base plate 1E is lowered by the provision of the concave portion CP2, taking into account a twist or warpage due to thermal stress. For example, a depth of the concave portion CP2 is set to be 20 to 30% of the original thickness of the base plate 1E equivalent.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Grundplatte 1E aus dem Metallmatrix-Komposit aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC, ausgebildet ist, ist das Material für die Grundplatte 1E nicht hierauf beschränkt und die vorliegende Erfindung ist ebenfalls in dem Fall wirksam, in dem das Material beispielsweise aus Aluminiumoxidkeramik und dergleichen besteht.Although the example has been described above in which the base plate 1E formed of the metal matrix composite of aluminum and ceramic, such as Al-SiC, is the material for the base plate 1E is not limited thereto, and the present invention is also effective in the case where the material is made of, for example, alumina ceramics and the like.

Sechste Ausführungsform Sixth embodiment

Eine sechste Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 10 beschrieben. 10 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100F bei der sechsten Ausführungsform zeigt. Es soll bemerkt werden, dass der gleiche Aufbau wie bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100, das in 1 gezeigt ist, mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung derselben unterlassen wird. Weiterhin sind in 10 lediglich eine Grundplatte 1F und das isolierende Substrat 2 gezeigt und eine Darstellung eines Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, die nicht in engem Zusammenhang mit der Erfindung stehen, wird weggelassen.A sixth embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 10 described. 10 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100F in the sixth embodiment. It should be noted that the same structure as in the power semiconductor device module 100 , this in 1 is shown with the same reference numerals and a description thereof is omitted. Furthermore, in 10 only a base plate 1F and the insulating substrate 2 and an illustration of a structure of the housing CS and the like that are not closely related to the invention is omitted.

In der Grundplatte 1F, die in 10 gezeigt ist, ist ein thermisch leitender Block 7A, der aus einem Metallmaterial mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als jener der SiC-preform 6 ausgebildet ist, beispielsweise aus Aluminium oder Kupfer, so in die Grundplatte 1F an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4, der auf das isolierende Substrat 2 montiert ist, eingelassen, das ein Teil des thermisch leitenden Blocks 7A vertikal von der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1F empor ragt. Es sollte bemerkt werden, dass die eine Endfläche des thermisch leitenden Blocks 7A vertikal aus der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1 hervorragt und die andere Endfläche eine Ebene mit der unteren Hauptoberfläche der Grundplatte 1F bildet.In the base plate 1F , in the 10 is shown is a thermally conductive block 7A made of a metal material with a higher thermal conductivity than that of the SiC preform 6 is formed, for example, aluminum or copper, so in the base plate 1F at a position corresponding to a location immediately below the diode chip 4 standing on the insulating substrate 2 is mounted, which is a part of the thermally conductive block 7A vertically from the upper main surface of the base plate 1F towers up. It should be noted that the one end face of the thermally conductive block 7A vertically from the upper main surface of the base plate 1 protrudes and the other end face a plane with the lower main surface of the base plate 1F forms.

Weiterhin ist ein konkaver Abschnitt CP3 an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 in der Bodenflächenelektrodenschicht 12D auf dem isolierenden Substrat 2 vorgesehen und dieser Teil hat eine geringe Dicke.Further, a concave portion CP3 is at a position corresponding to a position immediately below the diode chip 4 in the bottom surface electrode layer 12D on the insulating substrate 2 provided and this part has a small thickness.

Die andere Endfläche des thermisch leitenden Blocks 7A hat eine Dicke, die bis zu einer Höhe reicht, welche einer Summe aus der Dicke der Lotschicht 10 und einer Tiefe des konkaven Abschnitts CP3 der Bodenflächenelektrodenschicht 12D entspricht. Die Montage eines isolierenden Substrats 2D auf der Grundplatte 1F dergestalt, dass ein hervorragender Abschnitt des thermisch leitenden Blocks 7A in den konkaven Abschnitt CP3 eingeführt wird, und das Verbinden derselben über die Lotschicht 10 führt zu einem Verbindungsabschnitt, ausgebildet mittels der Lotschicht 10 in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4, der eine außerordentlich geringe Dicke aufweist.The other end surface of the thermally conductive block 7A has a thickness that reaches up to a height which is a sum of the thickness of the solder layer 10 and a depth of the concave portion CP3 of the bottom surface electrode layer 12D equivalent. The mounting of an insulating substrate 2D on the base plate 1F such that an excellent portion of the thermally conductive block 7A is introduced into the concave portion CP3, and bonding them over the solder layer 10 leads to a connecting portion, formed by means of the solder layer 10 in the section corresponding to the location immediately below the diode chip 4 which has an extremely small thickness.

Dies bedeutet, wenn das isolierende Substrat 2D wie oben beschrieben auf der Grundplatte 1F montiert wird und mittels der Lotschicht 10 befestigt wird, dann wird das Lotteil auf der Seite der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1F angeordnet und die Grundplatte 1F wird beheizt zum Schmelzen des Lotteils. Danach wird das isolierende Substrat 2 so auf der Grundplatte 1F montiert, dass der hervorragende Abschnitt des thermisch leitenden Blocks 7A in den konkaven Abschnitt CP3 eingeführt wird, wodurch sich das geschmolzene Lotteil zwischen der Bodenflächenelektrodenschicht 12D auf dem isolierenden Substrat 2 und der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1F ausdehnt und das isolierende Substrat 2 auf der Grundplatte 1F befestigt wird. Zu diesem Zeitpunkt dringt das geschmolzene Lot ebenfalls zwischen die Bodenfläche des konkaven Abschnitts CP3 und die andere Endfläche des thermisch leitenden Blocks 7A zum Ausbilden einer dünnen Lotschicht.This means when the insulating substrate 2D as described above on the base plate 1F is mounted and by means of the solder layer 10 is fixed, then the Lotteil on the side of the upper main surface of the base plate 1F arranged and the base plate 1F is heated to melt the Lotteils. Thereafter, the insulating substrate 2 so on the base plate 1F mounted that the outstanding section of the thermally conductive block 7A is introduced into the concave portion CP3, whereby the molten Lotteil between the bottom surface electrode layer 12D on the insulating substrate 2 and the upper main surface of the base plate 1F expands and the insulating substrate 2 on the base plate 1F is attached. At this time, the molten solder also penetrates between the bottom surface of the concave portion CP3 and the other end surface of the thermally conductive block 7A for forming a thin solder layer.

Mit dem thermisch leitenden Block 7A mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als jener der SiC-preform 6 ist der Wärmewiderstand des Abschnitts entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 verglichen mit einem Aufbau ohne den thermisch leitenden Block 7A reduziert. Der thermisch leitende Bock 7A mit solch einer Funktion wird als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.With the thermally conductive block 7A with a higher thermal conductivity than that of SiC preform 6 is the thermal resistance of the section corresponding to the location immediately below the diode chip 4 compared with a structure without the thermally conductive block 7A reduced. The thermally conductive buck 7A with such a function is referred to as a thermal resistance reducing portion.

In dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 wird weiterhin der mittels der Lotschicht 10 ausgebildete Verbindungsabschnitt außerordentlich klein, während die Dicke der Bodenflächenelektrodenschicht 12D klein wird zum weiteren Reduzieren des Wärmewiderstands.In the section corresponding to the position immediately below the diode chip 4 continues to be the means of the solder layer 10 formed connecting portion exceptionally small, while the thickness of the bottom surface electrode layer 12D becomes small to further reduce the thermal resistance.

Weiterhin können die Dicke der Bodenflächenelektrodenschicht 12D und die Dicke der Lotschicht 10 in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 beide auf ungefähr 50 μm gesetzt werden.Furthermore, the thickness of the bottom surface electrode layer 12D and the thickness of the solder layer 10 in the section corresponding to the location immediately below the diode chip 4 both are set to about 50 μm.

In dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11, das isolierende Substrat 2, die dünne Bodenflächenelektrodenschicht 12D und die Lotschicht 10 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu dem thermisch leitenden Block 7A geleitet und über den thermisch leitenden Block 7A mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit nach außen abgegeben.In the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 , the insulating substrate 2 , the thin bottom electrode layer 12D and the solder layer 10 in a vertical direction of the substrate to the thermally conductive block 7A passed and over the thermally conductive block 7A delivered to the outside with a high thermal conductivity.

In dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100F ist die Wärmeableitungswirkung der zur Zeit des Betriebs des Diodenchips 4 erzeugten Wärme erhöht, wodurch es möglich ist, durch den Temperaturwechsel erzeugte thermische Spannungen für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips verhindert wird, so dass eine Verkürzung einer Produktlebensdauer herabgedrückt wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100F is the heat dissipation effect at the time of operation of the diode chip 4 increases heat generated, whereby it is possible to reduce thermal stress generated by the temperature change for each component within the module, while preventing a temperature rise of the chip, so that a reduction in product life is suppressed.

Es sollte bemerkt werden, dass ein Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1F das gleiche ist wie das Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1, das mit Bezugnahme auf 2 und 3 beschrieben wurde und bei dem die SiC-preform 6 vorbereitet wird, in der ein Abschnitt, in den der thermisch leitende Block 7A eingeführt ist, als ein Durchgangsloch dient und ein Metallblock, der den thermisch leitenden Block 7A darstellt, in das Durchgangsloch eingeführt ist. Zu diesem Zeitpunkt ist die Dicke des thermisch leitenden Blocks 7A so eingestellt, dass die andere Endfläche des Metallblocks, der in das Durchgangsloch eingeführt ist, eine Dicke hat, die bis zu einer Höhe entsprechend einer Summe aus der Dicke der Lotschicht 10 und einer Tiefe des konkaven Abschnitts CP3 der Bodenflächenelektrodenschicht 12D entspricht. It should be noted that a manufacturing process for the base plate 1F the same as the manufacturing process for the base plate 1 that with reference to 2 and 3 was described and in which the SiC preform 6 is prepared, in which a section in which the thermally conductive block 7A is inserted as a through hole and a metal block which forms the thermally conductive block 7A represents, is inserted in the through hole. At this time, the thickness of the thermally conductive block 7A is set so that the other end surface of the metal block inserted into the through hole has a thickness up to a height corresponding to a sum of the thickness of the solder layer 10 and a depth of the concave portion CP3 of the bottom surface electrode layer 12D equivalent.

Es sollte bemerkt werden, dass, da der Metallblock infolge des Aluminiumimprägnierungsvorgangs durch eine Aluminiumschicht bedeckt ist, eine Höhe des Metallblocks unter Berücksichtigung der Dicke der Aluminiumschicht gewählt wird.It should be noted that since the metal block is covered by an aluminum layer due to the aluminum impregnation process, a height of the metal block is selected in consideration of the thickness of the aluminum layer.

Die Dicke des thermisch leitenden Blocks 7A wird weiterhin wie oben beschrieben gewählt, da, wenn der Abstand zwischen der oberen Hauptoberfläche der Grundplatte 1F und der Bodenfläche der Bodenflächenelektrodenschicht 12D groß wird im Vergleich zu dem Fall ohne den thermisch leitenden Block 7A, die Dicke der Lotschicht 10 als Ganzes groß wird, wodurch der Effekt der Verringerung des Wärmewiderstands abnimmt.The thickness of the thermally conductive block 7A is further selected as described above, because if the distance between the upper main surface of the base plate 1F and the bottom surface of the bottom surface electrode layer 12D becomes large compared to the case without the thermally conductive block 7A , the thickness of the solder layer 10 as a whole becomes large, whereby the effect of reducing the thermal resistance decreases.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Grundplatte 1F aus dem Metallmatrix-Komposit aus Aluminium und Keramik, wie beispielsweise Al-SiC, ausgebildet ist, ist das Material der Grundplatte 1F nicht hierauf beschränkt und die vorliegende Erfindung ist ebenfalls wirksam in dem Fall, in dem das Material aus beispielsweise Aluminiumoxidkeramik und dergleichen besteht.Although the example has been described above in which the base plate 1F is formed of the metal matrix composite of aluminum and ceramic, such as Al-SiC, is the material of the base plate 1F is not limited thereto, and the present invention is also effective in the case where the material is made of, for example, alumina ceramics and the like.

Abgewandeltes BeispielModified example

Wie oben beschrieben, weist das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100F der sechsten Ausführungsform den Aufbau auf, bei dem die Dicke der Bodenflächenelektrodenschicht 12D in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 klein ist. Die in 11 gezeigte Konfiguration kann jedoch ebenfalls verwendet werden.As described above, the power semiconductor device module 100F of the sixth embodiment, the structure in which the thickness of the bottom surface electrode layer 12D in the section corresponding to the location immediately below the diode chip 4 is small. In the 11 However, the configuration shown can also be used.

Bei einem in 11 gezeigten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100G dienen in einer Deckflächenelektrodenschicht 11A auf dem isolierenden Substrat 2 Abschnitte entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 bzw. des Diodenchips 4 als konkave Abschnitte CP11 und CP12, die eine geringere Dicke als der Rest aufweisen.At an in 11 shown power semiconductor device module 100 G serve in a top surface electrode layer 11A on the insulating substrate 2 Sections corresponding to the locations just below the IGBT chip 3 or of the diode chip 4 as concave sections CP11 and CP12, which have a smaller thickness than the rest.

Hier kann eine ebene Gestalt der konkaven Abschnitte CP11 bzw. CP12 eine Rechteckgestalt angepasst an die ebene Gestalt des IGBT-Chips 3 bzw. des Diodenchips 4 sein oder eine Kreisgestalt oder eine elliptische Gestalt. Weiterhin ist eine Größe in der Ebene der konkaven Abschnitte CP11 und CP12 so ausgelegt, dass sie gleich einer Größe in der Ebene des IGBT-Chips 3 bzw. des Diodenchips 4 ist oder größer ist.Here, a planar shape of the concave portions CP11 and CP12 may be a rectangular shape adapted to the planar shape of the IGBT chip 3 or of the diode chip 4 or a circular shape or an elliptical shape. Further, a size in the plane of the concave portions CP11 and CP12 is made equal to a size in the plane of the IGBT chip 3 or of the diode chip 4 is or is larger.

Mit solch einem Aufbau wird der Wärmewiderstand an den Positionen entsprechend den Stellen unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 und des IGBT-Chips 3 verglichen zu dem Rest weiter reduziert.With such a structure, the thermal resistance becomes at the positions corresponding to the locations immediately below the diode chip 4 and the IGBT chip 3 further reduced compared to the rest.

Siebte AusführungsformSeventh embodiment

Eine siebte Ausführungsform des Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 12 und 13 beschrieben. 12 ist eine Schnittansicht, die einen Aufbau eines Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls 100H bei der siebten Ausführungsform zeigt. Es sollte bemerkt werden, dass der gleiche Aufbau wie bei dem Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100, das in 1 gezeigt ist, mit den gleichen Bezugszeichen versehen ist und eine Beschreibung desselben nicht wiederholt wird. Weiterhin sind in 12 lediglich eine Grundplatte 1G und das isolierende Substrat 2 gezeigt und eine Darstellung eines Aufbaus des Gehäuses CS und dergleichen, die nicht in engem Zusammenhang mit der Erfindung stehen, wird weggelassen.A seventh embodiment of the power semiconductor device module according to the present invention will be described with reference to FIG 12 and 13 described. 12 FIG. 10 is a sectional view showing a structure of a power semiconductor device module. FIG 100H in the seventh embodiment. It should be noted that the same structure as in the power semiconductor device module 100 , this in 1 is shown with the same reference numerals and a description thereof will not be repeated. Furthermore, in 12 only a base plate 1G and the insulating substrate 2 and an illustration of a structure of the housing CS and the like that are not closely related to the invention is omitted.

Die in 12 gezeigte Grundplatte 1G weist einen Metallfüllbereich 9 in Matrixgestalt an einer Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4, der auf das isolierende Substrat 2 montiert ist, auf. 13 zeigt eine ebene Ansicht der Grundplatte 1G.In the 12 shown base plate 1G has a metal filling area 9 in matrix form at a position corresponding to the location immediately below the diode chip 4 standing on the insulating substrate 2 is mounted on. 13 shows a flat view of the base plate 1G ,

Wie in 13 gezeigt, hat der Metallfüllbereich 9 eine Mehrzahl von Durchfüllungsabschnitten 91, die voneinander beabstandet so vorgesehen sind, dass sie die SiC-preform 6 in einer vertikalen Richtung durchdringen und die Mehrzahl von Durchfüllungsabschnitten 91 ist in vertikaler und horizontaler Richtung zum Ausbilden einer Matrixgestalt angeordnet.As in 13 shown has the metal fill area 9 a plurality of infill sections 91 which are spaced apart from each other so as to preform the SiC 6 penetrate in a vertical direction and the plurality of filling sections 91 is arranged in the vertical and horizontal directions to form a matrix shape.

Der Durchfüllungsabschnitt 91 wird ausgebildet durch Füllen des Inneren des Durchgangsabschnitts, dessen Öffnung eine kreisförmige Gestalt, eine rechteckige Gestalt oder eine andere Gestalt aufweist, mit einem Metallmaterial mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit, wie beispielsweise Aluminium. Wenn beispielsweise die ebene Gestalt des Durchfüllungsabschnitts 91 eine Kreisgestalt ist, dann wird ein Durchmesser desselben auf ungefähr 1 mm gesetzt, und ein Zwischenraum zwischen benachbarten Durchfüllungsabschnitten 91 wird auf ungefähr 1 mm als Minimalwerte gesetzt. Dies sind Werte unter Berücksichtigung der mechanischen Festigkeit und des Fließverhaltens des Aluminiums.The filling section 91 is formed by filling the inside of the passage portion, the opening of which has a circular shape, a rectangular shape, or another shape, with a metal material having a high thermal conductivity, such as aluminum. For example, if the planar shape of the infill section 91 is a circular shape, then a diameter thereof is set to about 1 mm, and a space between adjacent filling portions 91 is set to about 1 mm as minimum values. These are values considering the mechanical strength and the flow behavior of the aluminum.

Der Metallfüllbereich 9 mit solch einem Aufbau wird auf eine Position entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 gesetzt, was somit zu einer Reduzierung des Wärmewiderstands in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 verglichen mit einem Aufbau ohne den Metallfüllbereich 9 führt. Der Metallfüllbereich 9 mit solch einer Funktion wird als ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt bezeichnet.The metal filling area 9 with such a construction, it is set to a position corresponding to the position immediately below the diode chip 4 thus reducing the thermal resistance in the portion corresponding to the location just below the diode chip 4 compared with a structure without the metal filling area 9 leads. The metal filling area 9 with such a function is referred to as a thermal resistance reducing portion.

In dem Diodenchip 4 erzeugte Wärme wird über die Deckflächenelektrodenschicht 11, das isolierende Substrat 2, die Bodenflächenelektrodenschicht 12 und die Lotschicht 10 in einer vertikalen Richtung des Substrats zu dem Metallfüllbereich 9 übertragen und über die Durchfüllungsabschnitte 91, die mit Aluminium mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit ausgefüllt sind, nach außen abgegeben.In the diode chip 4 generated heat is transferred via the top surface electrode layer 11 , the insulating substrate 2 , the bottom surface electrode layer 12 and the solder layer 10 in a vertical direction of the substrate to the metal filling area 9 transferred and over the infill sections 91 , which are filled with aluminum with a high thermal conductivity, discharged to the outside.

Bei dem so aufgebauten Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100H ist der Wärmeableitungseffekt für die zur Zeit des Betriebs des Diodenchips 4 erzeugte Wärme erhöht, wodurch es möglich ist, durch den Temperaturwechsel erzeugte thermische Spannungen für jede Komponente innerhalb des Moduls zu reduzieren, während ein Temperaturanstieg des Chips verhindert wird, so dass eine Verkürzung einer Produktlebensdauer vermieden wird.In the thus constructed power semiconductor device module 100H is the heat dissipation effect for the time of operation of the diode chip 4 increases heat generated, whereby it is possible to reduce the thermal stress generated by the temperature change for each component within the module, while preventing a temperature rise of the chip, so that a shortening of a product life is avoided.

Es sollte bemerkt werden, dass bei einem Herstellungsverfahren für die Grundplatte 1G die SiC-preform 6, in der ein Abschnitt mit den Durchfüllungsabschnitten 91 als ein Durchgangsloch dient, vorbereitet wird und die SiC-preform 6 mit Aluminium imprägniert wird zum Erhalt des Metallfüllbereichs 9, in dem das Innere des Durchgangslochs mit Aluminium ausgefüllt ist und die Durchfüllungsabschnitte 91 in Matrixgestalt angeordnet sind.It should be noted that in a manufacturing process for the base plate 1G the SiC preform 6 in which a section with the infill sections 91 serves as a through hole, is prepared and the SiC preform 6 impregnated with aluminum is used to obtain the metal filling area 9 in that the inside of the through hole is filled with aluminum and the filling sections 91 arranged in matrix form.

Die Durchgangslöcher zum Ausbilden der Durchfüllungsabschnitte 91 können gleichzeitig zur Zeit des Formens der SiC-preform 6 ausgebildet werden oder können so ausgebildet werden, dass eine SiC-preform 6 in einem Zustand ohne ein Durchgangsloch ausgeformt wird und dann einer mechanischen Bearbeitung unterzogen wird.The through holes for forming the filling portions 91 can simultaneously at the time of molding the SiC preform 6 be formed or can be formed so that a SiC preform 6 is formed in a state without a through hole and then subjected to mechanical processing.

Die Durchfüllungsabschnitte 91 können weiterhin in einer anderen Gestalt als der Matrix-Gestalt angeordnet sein und beispielsweise in einer konzentrischen Gestalt oder in einer Zick-Zack-Gestalt angeordnet sein.The filling sections 91 may be further arranged in a different shape than the matrix shape and be arranged for example in a concentric shape or in a zig-zag shape.

Der mit den Durchfüllungsabschnitten 91 zu versehende Durchgangsabschnitt kann weiterhin nicht aus Löchern, sondern aus Schlitzen bestehen. Der Metallfüllbereich 9 kann ausgebildet werden durch paralleles Anordnen einer Mehrzahl von Schlitzen und Füllen derselben mit Aluminium.The one with the filling sections 91 To be provided passage section may continue to consist not of holes, but of slots. The metal filling area 9 can be formed by arranging a plurality of slots in parallel and filling them with aluminum.

Obwohl oben das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Durchfüllungsabschnitte 91 mit Aluminium gefüllt werden, da die Grundplatte 1G ausgebildet wird, wenn die SiC-preform 6 mit Aluminium imprägniert wird, ist das Metallmaterial zum Füllen der Durchfüllungsabschnitte 91 nicht auf Aluminium beschränkt, sondern kann beispielsweise Kupfer oder ein anderes Metallmaterial mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit sein, wenn die Grundplatte 1G ohne Imprägnierung mit Aluminium ausgebildet wird, sondern z. B. eine Aluminiumoxidkeramik ist.Although the example has been described above in which the infill sections 91 be filled with aluminum as the base plate 1G is formed when the SiC preform 6 impregnated with aluminum, is the metal material for filling the infill sections 91 not limited to aluminum, but may be, for example, copper or other metal material having a high thermal conductivity when the base plate 1G is formed without impregnation with aluminum, but z. B. is an alumina ceramic.

Wie somit beschrieben wurde, erfordert das Leistungshalbleitervorrichtungsmodul 100H nicht ein spezielles Material für die Grundplatte 1G, sondern kann in dem gleichen Herstellungsverfahren wie dem bekannten Verfahren hergestellt werden, wodurch es möglich ist, eine Vergrößerung der Herstellungskosten herabzudrücken.As thus described, the power semiconductor device module requires 100H not a special material for the base plate 1G but can be manufactured in the same production method as the known method, whereby it is possible to suppress an increase in the manufacturing cost.

Obwohl bei der oben beschriebenen ersten bis dritten, sechsten und siebten Ausführungsform Beispiele gezeigt wurden, bei denen der Aufbau zum Reduzieren des Wärmewiderstands (der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt) in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips 4 vorgesehen ist, basierend auf der Annahme, dass der Diodenchip 4 ein SiC-Halbleiterchip ist, kann natürlich der Aufbau zum Reduzieren des Wärmewiderstands auch in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 vorgesehen werden, wenn der IGBT-Chip 3 ebenfalls ein SiC-Halbleiterchip ist.Although in the above-described first to third, sixth and seventh embodiments, examples have been shown in which the structure for reducing the thermal resistance (the thermal resistance reducing portion) in the portion corresponding to the position immediately below the diode chip 4 is provided based on the assumption that the diode chip 4 is a SiC semiconductor chip, of course, the structure for reducing the thermal resistance also in the portion corresponding to the location immediately below the IGBT chip 3 be provided if the IGBT chip 3 also a SiC semiconductor chip.

Wie bei der vierten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 8 beschrieben wurde, kann weiterhin bei der ersten bis dritten, fünften und siebten Ausführungsform solch ein Aufbau verwendet werden, bei dem konkave Abschnitte entsprechend in Abschnitten der Deckflächenelektrodenschicht auf dem isolierenden Substrat ausgebildet sind, die Stellen unmittelbar unterhalb des IGBT-Chips 3 und des Diodenchips 4 entsprechen, und die Dicken der Deckflächenelektrodenschicht dieser Abschnitte sind geringer als jene des restlichen Abschnitts der Deckflächenelektrodenschicht. Die Dicke der Deckflächenelektrodenschicht wird noch kleiner gemacht zum Erhalt der Wirkung einer weiteren Reduzierung des Wärmewiderstands.As in the fourth embodiment with reference to 8th Further, in the first to third, fifth and seventh embodiments, such a structure may be used in which concave portions corresponding to portions of the top surface electrode layer are formed on the insulating substrate, the locations immediately below the IGBT chip 3 and the diode chip 4 and the thicknesses of the top surface electrode layer of these portions are smaller than those of the remaining portion of the top surface electrode layer. The thickness of the top surface electrode layer is made even smaller to obtain the effect of further reducing the thermal resistance.

Weiterhin ist die vorliegende Erfindung sogar dann effektiv, wenn der IGBT-Chip 3 und der Diodenchip 4 nicht SiC-Halbleiterchips sind, sondern Silizium-Halbleiterchips. Die vorliegende Erfindung ist auch wirkungsvoll bei einem Halbleiterchip, für den ein anderer Halbleiter mit großer Bandlücke als SiC verwendet wird. Furthermore, the present invention is effective even when the IGBT chip 3 and the diode chip 4 are not SiC semiconductor chips, but silicon semiconductor chips. The present invention is also effective in a semiconductor chip using a wide band gap semiconductor other than SiC.

Beispiele für andere Halbleiter mit großer Bandlücke beinhalten Galliumnitrid-basiertes Material, Aluminiumnitrid-basiertes Material, Diamant und dergleichen.Examples of other wide band gap semiconductors include gallium nitride based material, aluminum nitride based material, diamond, and the like.

Da eine Schaltvorrichtung und eine Diode, die unter Verwendung eines Halbleiters mit einer großen Bandlücke als Substratmaterial ausgebildet sind, eine hohe Spannungsfestigkeit und eine hohe zulässige Stromdichte aufweisen, können sie verglichen zu der Silizium-Halbleitervorrichtung in der Größe reduziert werden und durch Verwendung einer Schaltvorrichtung und der Diode, die in der Größe reduziert sind, kann ein Halbleitervorrichtungsmodul, das diese Vorrichtungen enthält, in der Größe reduziert werden.Since a switching device and a diode formed using a semiconductor having a large band gap as the substrate material have high withstand voltage and high current density, they can be reduced in size and compared with the silicon semiconductor device by using a switching device and For example, if the diode is reduced in size, a semiconductor device module including these devices can be reduced in size.

Da solch eine Schaltvorrichtung und Diode einen hohen Wärmewiderstand aufweisen, kann eine Abstrahlrippe eines Kühlkörpers in der Größe reduziert werden und eine Kühlung kann nicht mittels Wasser, sondern mittels Luft durchgeführt werden und daher kann das Halbleitervorrichtungsmodul weiter in der Größe reduziert werden.Since such a switching device and diode have high heat resistance, a radiating fin of a heat sink can be reduced in size and cooling can be performed not by water but by air, and therefore, the semiconductor device module can be further reduced in size.

In dem Falle der Montage eines MOS-Transistorchips aus SiC anstelle des IGBT-Chips 3 kann ein ähnlicher Effekt erhalten werden, wenn in einem Abschnitt entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des MOS-Transistorchips ein Aufbau zum Reduzieren des Wärmewiderstands vorgesehen wird.In the case of mounting a MOS transistor chip of SiC instead of the IGBT chip 3 For example, a similar effect can be obtained if a structure for reducing the thermal resistance is provided in a portion corresponding to a position immediately below the MOS transistor chip.

Es sollte bemerkt werden, dass bei der vorliegenden Erfindung jede Ausführungsform ohne Einschränkung in geeigneter Weise mit einer anderen Ausführungsform kombiniert werden kann und entsprechend den Beispielen in geeigneter Weise abgewandelt werden kann.It should be noted that in the present invention, each embodiment can be suitably combined with another embodiment without limitation, and appropriately modified according to the examples.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • JP 2006-344841 A [0002] JP 2006-344841 A [0002]

Claims (14)

Leistungshalbleitervorrichtungsmodul mit: einer Grundplatte (1 bis 1C, 1E bis 1G); einem isolierenden Substrat, das auf die Grundplatte montiert ist, und einer Leistungshalbleitervorrichtung (3, 4), die auf das isolierende Substrat montiert ist, wobei das Vorrichtungsmodul erhalten wurde durch Modularisieren der Grundplatte, des isolierenden Substrats und einer Leistungshalbleitervorrichtung, wobei das isolierende Substrat eine erste Elektrodenschicht (11), die auf einer ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elektrodenschicht (12), die auf einer zweiten Hauptoberfläche angeordnet ist, aufweist, die Leistungshalbleitervorrichtung an die erste Elektrodenschicht gefügt ist, die zweite Elektrodenschicht auf eine erste Hauptoberfläche der Grundplatte gefügt ist, und ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt, der den thermischen Widerstand reduziert, in der zweiten Elektrodenschicht oder der Grundplatte eines Abschnitts, der einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung entspricht, vorhanden ist.Power semiconductor device module comprising: a base plate ( 1 to 1C . 1E to 1G ); an insulating substrate mounted on the base plate and a power semiconductor device ( 3 . 4 ) mounted on the insulating substrate, wherein the device module has been obtained by modularizing the base plate, the insulating substrate, and a power semiconductor device, wherein the insulating substrate has a first electrode layer (FIG. 11 ) disposed on a first main surface and a second electrode layer ( 12 ) disposed on a second main surface, the power semiconductor device is joined to the first electrode layer, the second electrode layer is joined to a first main surface of the base plate, and a thermal resistance reducing section that reduces the thermal resistance is formed in the second electrode layer or the base plate a portion corresponding to a position immediately below the power semiconductor device is present. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt ausgebildet ist durch einen metallischen thermisch leitenden Block (7), der in einen Abschnitt der Grundplatte entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung eingelassen ist.A power semiconductor device module according to claim 1, wherein the thermal resistance reducing portion is formed by a metallic thermally conductive block (Fig. 7 ) embedded in a portion of the base plate corresponding to a location immediately below the power semiconductor device. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt aus einem metallischen thermisch leitenden Block (7A) ausgebildet ist, der in einen Abschnitt der Grundplatte entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung so eingelassen ist, dass ein Teil desselben vertikal von der ersten Hauptoberfläche der Grundplatte hervorragt, die zweite Elektrodenschicht einen konkaven Abschnitt (CP3) aufweist, der in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung vorgesehen ist, und das isolierende Substrat auf die Grundplatte so montiert ist, dass ein hervorragender Abschnitt des thermisch leitenden Blocks (7A) in den konkaven Abschnitt (CP3) eingeführt ist.A power semiconductor device module according to claim 1, wherein said thermal resistance reducing portion is formed of a metallic thermally conductive block ( 7A ) formed in a portion of the base plate corresponding to a position immediately below the power semiconductor device so that a part thereof projects vertically from the first main surface of the base plate, the second electrode layer has a concave portion (CP3) corresponding to the portion the location is provided immediately below the power semiconductor device, and the insulating substrate is mounted on the base plate so that a superior portion of the thermally conductive block ( 7A ) is introduced into the concave portion (CP3). Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 3, bei dem eine Endfläche des thermisch leitenden Blocks eine Dicke aufweist, die bis zu einer Höhe entsprechend einer Summe aus einer Tiefe des konkaven Abschnitts (CP3) und einer Dicke einer Lotschicht (10), welche die zweite Elektrodenschicht (12) mit der ersten Hauptoberfläche der Grundplatte verbindet, reicht, wenn die andere Endfläche des thermisch leitenden Blocks plan mit der zweiten Hauptoberfläche der Grundplatte ist.A power semiconductor device module according to claim 3, wherein an end surface of the thermally conductive block has a thickness up to a height corresponding to a sum of a depth of the concave portion (CP3) and a thickness of a solder layer ( 10 ), which the second electrode layer ( 12 ), when the other end surface of the thermally conductive block is flush with the second major surface of the base plate. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem: die Grundplatte aus einem Metallmatrix-Verbundwerkstoff ausgebildet ist, der erhalten wurde durch Imprägnieren eines porösen SiC-Formkörpers (6) mit Aluminium, der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt eine Aluminiumschicht (80) ist, die in dem Abschnitt der Grundplatte entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb der Halbleitervorrichtung vorgesehen ist, und die Aluminiumschicht ausgebildet ist durch vollständiges Ausfüllen eines konkaven Abschnitts (CP), der in dem porösen SiC-Formkörper vorhanden ist, mit Aluminium in einem Ausbildungsschritt für die Grundplatte.The power semiconductor device module according to claim 1, wherein: the base plate is formed of a metal matrix composite obtained by impregnating a porous SiC molded body ( 6 ) with aluminum, the heat resistance reduction section an aluminum layer ( 80 ) formed in the portion of the base plate corresponding to the position just below the semiconductor device, and the aluminum layer is formed by completely filling a concave portion (CP) existing in the porous SiC molded body with aluminum in a forming step for the base plate. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 5, bei dem der konkave Abschnitt (CP) in jeder Hauptoberfläche des porösen SiC-Formkörpers (6) vorhanden ist.A power semiconductor device module according to claim 5, wherein the concave portion (CP) in each main surface of said SiC porous body ( 6 ) is available. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem: der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt aus einem hervorragenden Abschnitt (9A) ausgebildet ist, der so vorgesehen ist, dass er vertikal von einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung hervorragt, die Grundplatte ein Durchgangsloch (TH1) aufweist, das in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb des Leistungshalbleitermoduls vorhanden ist, und das isolierende Substrat so auf die Grundplatte montiert ist, dass der hervorragende Abschnitt (9A) in das Durchgangsloch (TH1) eingeführt ist.The power semiconductor device module according to claim 1, wherein: the heat resistance reducing section is formed of a projected portion (FIG. 9A ) provided so as to protrude vertically from a portion of the second electrode layer corresponding to a position immediately below the power semiconductor device, the base plate has a through hole (TH1) provided in the portion corresponding to the location immediately below the power semiconductor module, and the insulating substrate is mounted on the base plate so that the protruding portion ( 9A ) is inserted in the through hole (TH1). Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 7, bei dem der hervorragende Abschnitt (9A) eine Höhe aufweist, die einer Summe aus einer Dicke der Grundplatte und einer Dicke einer Lotschicht (10), welche die zweite Elektrodenschicht (12) mit der ersten Hauptoberfläche der Grundplatte so verbindet, dass die Endfläche derselben mit der zweiten Hauptoberfläche plan ist, wenn der hervorragende Abschnitt in das Durchgangsloch der Grundplatte eingeführt ist, entspricht.A power semiconductor device module according to claim 7, wherein said outstanding portion ( 9A ) has a height which is a sum of a thickness of the base plate and a thickness of a solder layer ( 10 ), which the second electrode layer ( 12 ) connects to the first major surface of the base plate such that the end surface thereof is planar with the second major surface when the protruding portion is inserted into the through hole of the base plate. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem: der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt ausgebildet ist aus: einem vorspringenden Abschnitt (9B), der so vorgesehen ist, dass er vertikal von einem Abschnitt entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung auf der zweiten Elektrodenschicht hervorragt und einer Aluminiumschicht (81), die einen Boden eines konkaven Abschnitts (CP1) darstellt, der in einem Abschnitt der Grundplatte entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung vorhanden ist, wobei das isolierende Substrat so auf die Grundplatte montiert ist, dass der hervorragende Abschnitt in den konkaven Abschnitt eingeführt ist.The power semiconductor device module according to claim 1, wherein: the heat resistance reducing portion is formed of: a projecting portion (FIG. 9B ) provided so as to be vertical from a portion corresponding to a position immediately below Power semiconductor device protrudes on the second electrode layer and an aluminum layer ( 81 ), which constitutes a bottom of a concave portion (CP1) provided in a portion of the base plate corresponding to a position immediately below the power semiconductor device, wherein the insulating substrate is mounted on the base plate so that the protruding portion is inserted into the concave portion , Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 9, bei dem der hervorragende Abschnitt eine Höhe aufweist, die einer Summe aus einer Tiefe des konkaven Abschnitts und einer Dicke einer Lotschicht (10), die die zweite Elektrodenschicht (12) mit der ersten Hauptoberfläche der Grundplatte so verbindet, dass die Endfläche derselben in Kontakt mit einer Bodenfläche kommt, wenn der hervorragende Abschnitt (9B) in den konkaven Abschnitt (CP1) der Bodenplatte eingeführt ist, entspricht.The power semiconductor device module according to claim 9, wherein the protruding portion has a height equal to a sum of a depth of the concave portion and a thickness of a solder layer. 10 ), which the second electrode layer ( 12 ) connects to the first major surface of the base plate so that the end surface thereof comes into contact with a bottom surface when the protruding portion (FIG. 9B ) is inserted into the concave portion (CP1) of the bottom plate. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt aus einem Metallfüllbereich (9), der in einem Abschnitt der Bodenplatte entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung angeordnet ist, ausgebildet ist und der Metallfüllbereich eine Mehrzahl von Durchfüllungsabschnitten (91) aufweist, die so vorgesehen sind, dass sie die Grundplatte in einer vertikalen Richtung durchdringen, und in deren Innerem Durchgangslöcher, die voneinander beabstandet angeordnet sind, mit Metall ausgefüllt sind.A power semiconductor device module according to claim 1, wherein said thermal resistance reducing portion is formed of a metal filling region (Fig. 9 ) formed in a portion of the bottom plate corresponding to a position immediately below the power semiconductor device, and the metal filling portion is formed with a plurality of filling portions (Figs. 91 ) provided so as to penetrate the base plate in a vertical direction, and in the interior of which through-holes spaced from each other are filled with metal. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach Anspruch 1, bei dem: die Grundplatte einen konkaven Abschnitt (CP2) aufweist, der an einer Position entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb der zweiten Elektrodenschicht (12) auf dem isolierenden Substrat vorgesehen ist, der konkave Abschnitt (CP2) so gewählt ist, dass er eine Größe aufweist, die die Aufnahme der zweiten Elektrodenschicht (12) ermöglicht, und der Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt durch einen Abschnitt der Grundplatte ausgebildet ist, welcher einen Boden des konkaven Abschnitts (CP2) darstellt, dessen Dicke klein gemacht wurde.The power semiconductor device module according to claim 1, wherein: the base plate has a concave portion (CP2) positioned at a position corresponding to a location immediately below the second electrode layer (12); 12 ) is provided on the insulating substrate, the concave portion (CP2) is selected to have a size that is sufficient to accommodate the second electrode layer (12). 12 ), and the heat resistance reducing portion is formed by a portion of the base plate which constitutes a bottom of the concave portion (CP2) whose thickness has been made small. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul mit: einer Grundplatte (1D), einem isolierenden Substrat (2), das auf die Grundplatte montiert ist, und einer Leistungshalbleitervorrichtung (3, 4), die auf das isolierende Substrat montiert ist, wobei das Vorrichtungsmodul erhalten wurde durch Modularisieren der Grundplatte (1D), des isolierenden Substrats (2) und der Leistungshalbleitervorrichtung (3, 4), wobei das isolierende Substrat (2) eine erste Elektrodenschicht (11) aufweist, die auf einer ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine zweite Elektrodenschicht (12C), die auf einer zweiten Hauptoberfläche angeordnet ist, wobei die Leistungshalbleitervorrichtung auf die erste Elektrodenschicht (11) gefügt ist, wobei die zweite Elektrodenschicht (12) auf eine erste Hauptoberfläche der Grundplatte gefügt ist, und wobei eine Dicke der zweiten Elektrodenschicht (12) in einem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung (3, 4) größer gemacht ist als jene des restlichen Abschnitts.Power semiconductor device module comprising: a base plate ( 1D ), an insulating substrate ( 2 ) mounted on the base plate and a power semiconductor device ( 3 . 4 ) mounted on the insulating substrate, the device module being obtained by modularizing the base plate (FIG. 1D ), of the insulating substrate ( 2 ) and the power semiconductor device ( 3 . 4 ), wherein the insulating substrate ( 2 ) a first electrode layer ( 11 ), which is arranged on a first main surface, and a second electrode layer ( 12C ) disposed on a second main surface, wherein the power semiconductor device is disposed on the first electrode layer (12). 11 ), wherein the second electrode layer ( 12 ) is joined to a first main surface of the base plate, and wherein a thickness of the second electrode layer ( 12 ) in a portion corresponding to the position just below the power semiconductor device ( 3 . 4 ) is made larger than that of the remaining section. Leistungshalbleitervorrichtungsmodul nach einem der Ansprüche 2, 3, 5, 7, 9, 11, 12 oder 13, bei dem die erste Elektrodenschicht (11) einen konkaven Abschnitt (CP11, CP12) in dem Abschnitt entsprechend der Stelle unmittelbar unterhalb der Leistungshalbleitervorrichtung aufweist.Power semiconductor device module according to one of claims 2, 3, 5, 7, 9, 11, 12 or 13, wherein the first electrode layer ( 11 ) has a concave portion (CP11, CP12) in the portion corresponding to the position just below the power semiconductor device.
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